UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA

CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS

EXACTAS E INGENIERIAS
Laboratorio de Electrnica 2
Martn Javier Martnez Silva
Practica 3: Amplificador en emisor comn
Martn Len Preciado.
Cdigo: 005342201
Seccin: D-02
Fecha: 22 de febrero del 2011

Objetivo General de la prctica.

El alumno verificara el funcionamiento
del amplificador emisor comn mediante la
medicin y comparacin con clculos de las caractersticas de impedancia, ganancia y
respuesta de frecuencia.
Competencias.
Medir la impedancia de entrada de un amplificador.
Medir la impedancia de salida de un amplificador.
Fundamento Terico.
El amplificador en emisor comn es una de las tres configuraciones de amplificadores
bsicas de seal pequea que pueden construirse con un solo transistor bipolar.
Sus caracterstica tpicas son impedancia de entrada y salida que por lo general tiene un
valor medio (500 k a 5K); alta ganancia de voltaje y de corriente (50 a 200),
desfasamiento de 180 (inversin) de la seal de salida respecto a la de entrada. El circuito
bsico es el siguiente:
VCC

RC
RB2

Rs

Co

Ci
RL

RE
RB1

Ce

Configuracin del amplificador en emisor comn.

Circuito equivalente de corriente continua.

El procedimiento de anlisis y de diseo se muestra en la siguiente tabla:
Procedimiento de anlisis
Procedimiento de diseo
Datos: VCC, RC, RE, RB1, RB2,
Datos: VCC,RE, , ICQ,VCEQ
1
= (1.1) +

=
||

1
2 2
10
1
=

(
+
)

(1
1 =

=
2

En la siguiente figura se presenta el circuito equivalente de seal pequea correspondiente.

A partir de este modelo, se puede comprobar que la impedancia de entrada, impedancia de
salida, ganancia de voltaje y ganancia de voltaje 2 estn dadas respectivamente por las
ecuaciones siguientes.

Circuito equivalente de seal pequea del amplificador Emisor comn.

= ||
0 =

||

+ +

Donde

= 35

Calculo de los capacitores

Los tres capacitores en le circuito producen una respuesta pasa-altas en el amplificador. A
continuacin se presentan las formulas para calcular dada la frecuencia de corte baja
deseada :
1
1 =

(2
( 10 ) +
)
1

2 ( )) ( +
=
10

+ ( ||

2 (
||

1
+

Datos para realizar la practica.

Para la realizacin de los clculos y de la prctica considere el uso de los siguientes datos:
= 12
= 470
= 3
= 5
= 10
= 100
El valor de beta deber ser medido con multimetro o mediante el trazador de curvas al
transistor que se va a utilizar.
= 204

Clculos.

A) usando el procedimiento para diseo del circuito de polarizacin, calcule 1, 2 ,

= (1.1) 470 3 103 + 0.7 = 2.251

204

470 = 9,588
10
=
958

1 =

= 12,12

8
2.
1
51
12

12
2 = 9,588 2.251 = 51,113

Aproximando a valores comerciales:

1 12
2 50
8 1.8

B) Despus de elegir los valores comerciales, aplique el procedimiento de anlisis para

determinar efectivamente el valor de . Utilice este valor de para el calculo del
circuito de seal pequea.
= (12||50) = 9,677
2.32 0.7
9677
470 +

=
204

Datos para realizar la practica.

3.13


C) Usando las formulas para seal pequea, calcule , ,
, , 1, 1

= 204
35

= 3.13 204 = 2,281

= 9677||2281 = 1845

= = 1.8
1800||
1 = 204
10000
228
1
9677

= 136.42
1800

1 = 9677 + 2281 1800 + 10000 (204) = 2518

D) calcule el valor de lso capacitores usando las formulas apropiadas, y elija los valores
comerciales de valor igual o inmediatamente superior a calculado
1
100
2 (
) (50 + 1845)

=
10
= 8.39
9

1
100
2 (
) (10000 +
)
1800
10

= 1.34

1
2281 + ( 50||9667)
2(100) (470||
)
204 + 1
= 143.3

Mediciones y resultados
Mediciones en DC
A) Medir respecto a tierra los siguientes voltajes: voltaje de emisor, voltaje de base y
voltaje de colector.

VE = 1.58

VB = 2.19

VC = 5.95

B) Estime el valor de I

usando la formula: I

VE

R
CQ
CQ

Calculado
Medido
Error

3.2mA
3.36mA
5%

ICQ

4.73v
4.35v
-8%

VCEQ = VC VE

Mediciones en seal pequea

Asegurarse de que no exista distorsin en la salida durante las mediciones. Para eliminar la
distorsin disminuya la amplitud del voltaje de entrada.
A) Medir impedancia de entrada a 10 kHz .

Zi = 1678

B) Medir la impedancia de salida a 10kHz.

Zo = 1732

C) llenar la siguiente tabla:

F, Hz
10
20
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
20k
50k
100k
200k
500k
1M
2M

( )
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV
26 mV

( )
331.59mv
794.2mv
1.86v
2.69v
3.066v
3.242v
3.253v
3.254v
3.254v
3.254v
3.254v
3.254v
2.923v
2.900v
2.302v
1.672v
1.304v

|1 |

12.7
30.56
71.53
103.46
117.92
124.6
125.11
125.15
125.15
125.15
125.15
125.15
112.42
11.53
88.46
64.23
50.15

|1 |
22.07
29.7
37.0
40.29
41.42
41.91
41.94
41.94
41.94
41.94
41.94
41.94
41.01
40.9
39.93
36.15
34.00

D) Graficar con escala semilogartmica F vs AV1 dB :

()
45

40

35

30

25

20

10

10

10

10
10
F r ec u e n c

Fre c u e n c i
aia(H(Hzz) )

10

10

D) Llenar la siguiente tabla respecto a las mediciones a 10 kHz:

Calculado
Medido
Error

Zi
1845
1678
9.05%

Zo
1800
1732
3.7%

AV1 a 10 kHz
136.42
121.15
11.14%

Conclusiones:
Al elaborar la presente practica pude concluir que el amplificador diseado con un BJT
2N2222, posee un buen rendimiento tanto en bajas frecuencias, como en altas frecuencias,
haciendo que este sea lo suficientemente comercial y eficaz.
Conclui que el amplificador diseado, posee una impedancia de salida muy alta, con una
corriente de base pequea, lo que hace que las ganancias de voltaje que se puedan obtener
con el amplificador sin que se sature el transistor son muy altas.