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POLITCNICA
POLITCNICA
NACIONAL
ELECTRNICA
DISPOSITIVOS Y APLICACIONES
EDICIN EN ESPAOL
==================================
INTRODUCCIN
email: tarquino.sanchez@epn.edu.ec
ndice de Contenidos
1. CAPITULO 1: NIVELES Y BANDAS DE ENERGA
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1
1
1
2
3
4
4
5
6
6
8
8
9
10
11
12
15
15
17
19
20
21
22
23
24
25
26
26
27
27
28
29
29
29
30
31
33
46
49
49
55
58
59
63
63
65
66
67
67
70
72
72
72
74
76
76
77
77
79
80
80
81
81
83
88
93
93
93
93
94
95
95
99
102
103
106
108
111
111
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113
118
119
120
125
127
127
127
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130
131
132
137
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143
144
146
149
152
154
156
161
161
162
163
164
166
168
169
169
179
179
181
183
183
184
195
197
198
206
207
211
215
215
216
218
219
220
220
220
222
222
224
227
230
230
230
231
231
231
234
234
235
239
239
240
242
243
245
9.1.
9.2.
245
245
Introduccin
Amplificador operacional bsico
246
248
248
249
250
251
254
257
258
259
259
259
259
259
260
261
262
264
265
265
266
267
270
271
271
272
272
273
274
275
276
277
279
280
281
283
284
285
286
290
290
291
291
291
307
311
10.1. El tiristor
10.1.1. La familia de los tiristores
10.2. El tiristor scr.
10.2.1. Estructura y smbolo.
10.2.2. El scr bajo tensin (en estado de bloqueo).
10.2.3. El scr bajo tensin directa
10.2.4. Cmo se activa un tiristor
10.2.5. Curva caracterstica del scr. (iak vs. Vak).
10.2.6. Definicin de smbolos.
10.2.7. Efectos de la variacin de i. Y v. Sobre el scr.
10.2.7.1. La derivada de la tensin
10.2.7.2. La derivada de la corriente
10.2.8. Formas de apagado del scr.
10.2.8.1. Interrupcin de la corriente de nodo
10.2.8.2. La tcnica de conmutacin forzada
10.2.9. Aplicaciones del scr.
10.2.9.1 interruptor esttico
10.3. El triac.
10.3.1. Definicin.
10.3.2. Activado del triac.
10.4. Tipos de disparo de tiristores y triacs.
10.4.1. Disparo en corriente continua (cc):
10.4.2. Disparo en corriente alterna (ca):
10.4.3. Disparo por impulsos o trenes de ondas.
10.4.3.1. Disparo por impulso nico
10.5. Circuitos de disparo de tiristores y triacs.
10.5.1. Circuito de disparo rc.
10.5.2. Disparo por ujt.
10.5.2.1. Determinacin prctica del circuito:
10.5.2.2. Sincronizacin del ujt.
10.5.3. Disparo mediante sus y sbs.
10.5.4. Disparo por diac.
10.6. Problemas resueltos.
10.7. Problemas propuestos
311
311
311
311
312
313
315
315
317
319
319
320
320
320
321
321
322
322
322
323
325
325
327
327
327
329
329
330
331
332
332
334
335
344
347
11.1. Introduccin
11.1.1. El flujo luminoso
11.1.2. La intensidad luminosa
11.2. Dispositivos detectores de luz
347
348
348
349
11.2.1. El fotodiodo
11.2.1.1.Aplicaciones
11.2.2. Celdas fotoconductivas
11.2.2.1.Aplicaciones
11.2.3. Fototransistores
11.2.3.1.Aplicaciones
11.2.4. SCR activado por luz (LASCR light activated SCR)
11.2.4.1.Aplicaciones
11.3.Dispositivos emisores de luz
11.3.1. Led
11.3.1.1.Aplicaciones
11.3.2. Emisores infrarrojos
11.3.2.1. Aplicaciones
11.4. Acopladores pticos (Opto acopladores)
11.4.1. Combinacin IRED-Fototransistor
11.4.2. Combinacin IRED-Fotodarlington
11.4.3. Combinacin IRED-LASCR y IRED-Triac
11.4.4. Combinacin IRED-Triac-Triac
11.4.5. Ejemplo de aplicacin
11.5. Problemas resueltos
11.6. Problemas propuestos
349
351
352
353
353
355
355
356
356
356
357
357
358
358
359
360
360
360
361
361
366
ANEXO
369
BIBLIOGRAFIA
371
Captulo I
Niveles y Bandas
de Energa
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
El tomo consta de dos partes, el ncleo y los orbitales. En el ncleo, que contiene casi toda
la masa del tomo, se encuentran los protones (carga positiva) y los neutrones (carga nula);
en tanto que girando en los orbitales alrededor del ncleo, se encuentran los electrones
(carga negativa). En un tomo neutro y estable, existen igual nmero de protones y
electrones, lo que da como resultado un cuerpo cuya carga neta es cero. Para conseguir la
estabilidad atmica, es decir, para no enfrentarse a la ambigedad de que los electrones
caigan al ncleo debido a la diferencia de polaridad, se deba suponer que el electrn posea
una energa cintica determinada que le permitira estar a una distancia fije del ncleo, o en
otras palabras, el electrn deba poseer una energa total igual a la suma de su energa
potencial elctrica (debida a su posicin respecto al ncleo) y su energa cintica (adquirida
por su velocidad).
Segn la teora clsica, el electrn deba moverse aceleradamente alrededor del ncleo,
radiando energa de forma continua. Al perder energa, el electrn se ira acercando cada
vez ms al ncleo, hasta llegar al punto crtico en el que se una con los protones y neutrones.
Esta falla en la teora fue superada por el principio de exclusin de Pauli, que dice: Dos
electrones no pueden ocupar o tener el mismo nivel de energa si estn en el mismo tomo o
aunque fueren de unos diferentes. De este principio y otras investigaciones se concluy que
la energa del electrn en el tomo es discreta o cuantizada. El tomo se encuentra en un
modelo normal o no excitado cuando todos sus electrones ocupan los diferentes estados
energticos permitidos.
M : 18 e-
N : 32 e-
SUBNIVELES
s : 2 es : 2 ep : 6 es : 2 ep : 6 ed : 10 es : 2 ep : 6 ed : 10 ef : 14 e-
En la Tabla 1.1 se presentan los niveles y subniveles energticos de un tomo, los electrones
que se encuentran en el ltimo nivel o capa de un determinado elemento son llamados
electrones de valencia, y son los que determinan las propiedades fsicas y qumicas del
material, como la conductividad elctrica, la estructuracin cristalina, entre otros. Con estos
criterios preliminares, podemos ahora dedicarnos al estudio de dos materiales
semiconductores: el silicio y el germanio como se observa en la Figura 1.2.
Germanio [Ge]
Silicio [Si]
Es de importancia notar que ambos elementos presentan su ltimo nivel semi-lleno, es decir,
tienen solo la mitad de electrones de los que son capaces de recibir.
Si de alguna manera el tomo recibe energa, los electrones de la capa de valencia, del nivel n
y subnivel p, pueden pasar a una capa de mayor valor energtico, como el subnivel d o el f,
llamados tambin niveles de excitacin. Si la energa entregada al tomo supera
determinado valor, el electrn pasa a un nivel de ionizacin, en el cual se independiza
totalmente de la accin electromagntica que pueda ejercer el ncleo sobre l.
Cuando se encuentran dos tomos muy prximos entre s, formando un enlace covalente, se
produce un desdoblamiento de los niveles de energa, lo cual se aprecia en la Figura 1.4:
Este fenmeno se explica con la ayuda del principio de exclusin de Pauli, debido a que dos
electrones no pueden ocupar el mismo nivel energtico a la vez, y que ms bien un mismo
electrn es capaz de ser compartido entre dos tomos cuando entre los dos existe un nivel de
energa comn.
Si ampliamos el anlisis de dos tomos a un conjunto ms complejo (Figura 1.5), como una
red cristalina de germanio, vemos que se produce un desdoblamiento uniforme a lo largo de
toda la red, y ya no se hablar de niveles de energa, sino de bandas de energa.
Ing. Tarquino Snchez A.
Si la banda de valencia se encuentra llena, es muy fcil que los electrones pasen a la banda de
conduccin debido a la presencia de un campo electromagntico externo que sea lo
suficientemente intenso para arrancar los electrones de la banda inferior y llevarlos a la
banda superior, y despus, debido a la accin del campo se producir el movimiento de los
electrones a lo largo de la banda de conduccin.
Cuando los electrones pasan de la banda de valencia a la banda de conduccin, dejan huecos
o espacios libres en la banda de valencia, los mismos que pueden ser llenados por electrones
vecinos que se encuentran en la misma banda, y as se produce la movilizacin de los
electrones en la banda de valencia.
1.5.1. Conductores:
Tienen una estructura de bandas de energa que no presenta una regin prohibida, o dicho
de mejor forma, la banda de conduccin est parcialmente superpuesta a la banda de
valencia (Figura 1.6) Los electrones debido a la influencia de un campo elctrico, pueden
adquirir una energa adicional y constituir una corriente considerable.
Ejemplos de conductores son la plata, el cobre, el plomo, el nquel y el cromo, con una
conductividad (G) que vara entre: 104 < G < 106 (.cm)-1.
1.5.2. Semiconductores:
Se denominan semiconductores (Figura 1.7) a aquellos elementos cuya anchura en la regin
de energa prohibida es relativamente pequea, esto es, 1 [eV] aproximadamente. Los
materiales semiconductores de mayor importancia son el Germanio y el Silicio, como se ha
venido indicando. Las caractersticas de conduccin de los semiconductores son muy
sensibles a las variaciones de la temperatura, puesto que para bajos valores, estos materiales
se vuelven prcticamente aislantes, en tanto que al elevar la temperatura, estos aumentan su
conductividad de manera significativa. Esto se explica de la siguiente manera: a medida que
la temperatura aumenta, algunos de los electrones que se encuentran en la banda de
valencia, pueden adquirir energa trmica suficiente para saltar a la banda de conduccin,
dejando as un espacio libre en la banda de valencia, y de esta manera, en presencia de un
pequeo campo, la movilizacin de los electrones sera relativamente fcil.
Ancho de banda de energa prohibida a 0 C: 1.21 [eV] para el Si, 0.78 [eV] para el
Ge, y 1.92 [eV] para el AsGa (Arseniuro de Galio).
1.5.3
Aislantes:
Se denominan aislantes a aquellos materiales que presentan una banda de energa prohibida
de considerable amplitud; de tal manera que solo energas muy altas podran hacer saltar a
los electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin (Figura 1.8).
Dnde:
(1.1)
"
!
(1.2)
#
!
(1.3)
" %
#
(1.4)
&
'
"
#
, obtenemos:
(1.5)
(1.6)
&
'
0'
(1.7)
Conductividad
Cu
108(.m)-1
Si
210-3(.m)-1
Mica
10-10(.m)-1
Tabla 1.2. Conductividad de diferentes elementos:
1.7. SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que ocupan el IV grupo de la tabla peridica, y por
tanto, tienen 4 electrones de valencia. Esta caracterstica les permite formar una estructura
geomtrica peridica llamada estructura mono cristalina cuando se agrupan un nmero
suficiente de tomos de la misma especie. En la Tabla 1.3 se muestran a los elementos que
forman parte de este grupo.
III
IV
Al
Si
Ga
Ge
As
In
Sn
Sb
Tl
Pb
Bi
1.7.1
Es posible que los electrones as dispuestos absorban energa del exterior a partir de causas
naturales, como energa trmica, energa luminosa, etc. Si esto sucede, los electrones se
liberan del enlace y pasan a formar parte de un mar de electrones libres, dejando atrs un
hueco que eventualmente podra ser ocupado por un electrn vecino. Este efecto recibe el
nombre de generacin del par electrn-hueco.
Para un semiconductor:
n es la concentracin de electrones libres.
p es la concentracin de huecos.
&
1.7.2
4'
51
&
6'
&7 '8
3
.
se obtiene:
69
(1.8)
Como se observa en la Figura 1.11, hay un quinto electrn adicional del Sb que no est
formando un enlace covalente particular, que muy fcilmente puede transformarse en
electrn libre. Puesto que el tomo de impureza insertado ha donado un electrn a la
estructura, se lo denomina tomo donante.
Al analizar los diagramas de energa para este caso, es posible observar que la banda
prohibida para los electrones es significativamente menor.
Al aadir impurezas aceptoras, aparece justo por encima de la banda de valencia un nivel
discreto de energa permitido, llamado nivel del aceptor, que permite la reduccin de la
banda prohibida de manera considerable.
&7<
10
(=
>
?@
A
(1.9)
Dnde:
T es la temperatura absoluta,
A0 es una constante dependiente del material,
Eg es la energa necesaria para romper el enlace covalente,
k es la constante de Boltzman.
&6 &7< /
(1.10)
Ge
Si
N Atmico
32
14
Peso Atmico
76.6
28.1
Densidad [g/cm3]
5.32
2.33
Const. Dielctrica
16
12
tomos/cm3
4.41022
51022
Eg [eV] a 0 K
0.785
1.21
Ni [cm-3] a 300 K
2.51013
1.51010
n a 300 K
3800
1300
p a 300 K
1800
500
Const. de dif. De n
99
34
Const. de dif. De p
47
13
11
Entre otras propiedades podemos contar con una funcin que relaciona Eg con la
temperatura como se muestra en la Tabla 1.5:
Ge
Si
La constante de movilidad tambin cambia con la temperatura, de acuerdo con una funcin
del tipo T vs. m. Para un intervalo de 100 K < T < 400 K, se tienen los siguientes valores de
m:
Si: mn = 2.5 y mp = 2.7
Ge: mn = 1.66 y mp = 2.33
Tabla 1.6 Constante de movilidad en funcin de la Temperatura que vara de 100 < T < 400 K
1.7.5. DIFUSIN
El transporte de carga en un semiconductor no se realiza solamente por arrastre de los
electrones, sino tambin por un mecanismo denominado difusin. La concentracin de
partculas en un semiconductor no es uniforme, sta vara de acuerdo con la posicin, razn
por la cual tambin variar la concentracin de huecos (o bien de electrones libres), en otras
C6
palabras, existir un gradiente de la densidad de portadores
CD
12
de huecos [m/s2].
F6
6 C7E
C6
CD
(1.11)
Puesto que esta constante de difusin y la movilidad son nmeros estadsticos, es posible
relacionarlos entre s:
GH
GJ
IJ
IH
KL
ML
L
NOO
(1.12)
En esta expresin:
De esta manera, las densidades de corrientes totales para huecos y electrones libres quedan
determinadas respectivamente por las ecuaciones 13 y 14:
Para un semiconductor tipo p:
6
6 P'
C6
F6 CD
(1.13)
4 &'
C4
F4 CD
(1.14)
13
RESUMEN
14
Captulo II
El Diodo
Semiconductor
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
2.
EL DIODO SEMICONDUCTOR
15
EL DIODO SEMICONDUCTOR
desrtica , debido a que no tiene portadores de cargas mviles, en tanto que el diferencial
de potencial obtenido es conocido como barrera de potencial.
Figura 2.2 Diagrama de formacin de un campo electrostticode un diodo por la unin n-p.
Dicho potencial puede ser sustituido imaginariamente por una fuente de voltaje VB que
aumenta conforme, aumenta la cantidad de electrones libres y huecos que atraviesan la
unin y se recombinan con los tomos del otro material(n o p). El flujo de recombinacin de
los portadores mayoritarios produce una corriente llamada corriente de recombinacin ( ),
la cual disminuye al aumentar VB, de igual forma el flujo de recombinacin de los portadores
minoritarios produce una corriente llamada corriente de generacin trmica o de saturacin
la cual es muy sensible a la temperatura.
(2.1)
(2.2)
(2.3)
De esta manera se aprecia que los electrones libres se mueven de material tipo n a p (Tabla
2.1), mientras que los huecos se mueven de p a n. Cabe sealar tambin que el sentido
convencional que se adopta para la corriente, es el sentido en el que se mueven los huecos,
de modo que:
(2.4)
16
El DIODO SEMICONDUCTOR
Dnde:
Donde
(2.6)
Dnde:
Como sabemos
Si aplicamos una tensin externa de modo que el nodo del elemento se conecta al terminal
Ing. Tarquino Snchez A.
17
EL DIODO SEMICONDUCTOR
(2.8)
"
(2.9)
(2.10)
A
IAK
1'
#$
(2.11)
(2.12)
18
El DIODO SEMICONDUCTOR
reduccin de la zona
desrtica
A
Flujo de portadores
mayoritarios
I AK
Polarizacion Directa
Regin B
Regin A
VAK[V]
VC Si
0.7[V]
VC =VB como ya se ha indicado, es el voltaje de barrera, conocido tambin como voltaje codo
o voltaje umbral; y puede variar dentro de los siguientes intervalos:
Para el silicio
Para el germanio
19
Regin A
EL DIODO SEMICONDUCTOR
( ) *+, ) *-
Regin B
*+, . *-
El diodo tiene un equivalente de baja impedancia por lo tanto conduce la corriente elctrica.
Regin C
( ) |*+, | ) |*- |
Regin D
|*+, | . |*00 |
I AK
flujo de portadores
minoritarios
(2.13)
20
El DIODO SEMICONDUCTOR
"
(2.14)
(2.15)
Pero 23
456 , entonces:
#$
1'
(2.16)
2.3.1
Al igual que en polarizacin directa es posible obtener una caracterstica esttica para un
diodo real en polarizacin inversa como se aprecia en la Figura 2.8:
IAK[mA]
VRR
VAK[V]
Regin D
Regin C
Polarizacin Inversa
A diferencia de la curva de polarizacin directa, para este caso tenemos una escala mayor en
el VAK
Obsrvese tambin que existe un valor de voltaje VR a partir del cual el diodo ya no se
comporta de acuerdo con las predicciones de la ecuacin general. Este voltaje se denomina
voltaje de ruptura inverso, el cual es producido por dos efectos de importancia: el efecto
Zener y el efecto Avalancha.
21
EL DIODO SEMICONDUCTOR
eventuales choques con otros electrones, que a su vez, se desprenderan de sus enlaces y
se aceleraran hasta chocar con otros tomos y desprender ms electrones. Este efecto
continuara en forma de avalancha hasta producir una corriente considerable en el
sentido negativo.
Ambos fenmenos ocurren generalmente a partir de los -5.5 V.
Con esto se puede formar una curva caracterstica para diodo de unin como una funcin del
VAK
IAK[mA]
Ge
Regin A
VRR Si
1000[V]
Si
Regin B
VRR Ge
400[V]
VAK[V]
VC Ge
VC Si
0.3[V] 0.7[V]
Regin D
Regin C
Polarizacin Inversa
Polarizacion Directa
2.3.2
789
:;<
=;<
(2.17)
22
El DIODO SEMICONDUCTOR
Gracias a esta relacin, obtenida a partir de los valores de voltaje y corriente en la curva
caracterstica, es posible sustituir al diodo por una resistencia de valor Rcd y proseguir el
anlisis del circuito.
2.3.3
Si el voltaje aplicado al diodo oscila alrededor de un valor de DC, se obtendr una variacin
constante del valor de Rcd.. Esta variacin corresponde a la siguiente expresin:
9
9:
9=
>
?:
?=
(2.18)
#$
1'
(2.19)
Podemos obtener:
9
@
AB
9=
9:
>
=;<
:
=;<
CDEF:G
(2.20)
Entonces:
9
CDEF:G
=;<
(2.21)
Esta ecuacin se interpreta de la siguiente manera: La resistencia dinmica del diodo puede
obtenerse directamente si se conoce el valor DC de la corriente que atraviesa por l.
23
EL DIODO SEMICONDUCTOR
Parmetro
Disipacin de Potencia
I directa med.
I directa pico
V codo
V inv. de ruptura
Rojo
100
50
1000
1.6 t
10 t
Rojo hF
120
20
60
2.2 t
5m
Amarillo
120
20
60
2.2 t
5m
Verde
120
30
60
2.4 t
5m
Unidades
MW
mA
mA
V
V
Donde:
Estos son los smbolos que convencionalmente se usan para en LED en un circuito.
24
El DIODO SEMICONDUCTOR
25
EL DIODO SEMICONDUCTOR
De todas estas grficas, lo mas relevante es el hecho de que en polarizacin directa, por el
incremento de temperatura en 1 [C], el voltaje nodo ctodo (VAK) disminuye en 2mV
mientras que la corriente I AK aumenta en un 7.5% aproximadamente, ya sea el diodo de Ge
o de Si.
2.6.1. REGIN A
#$ H
( ) *+, ) *-
#$
#$ H
#$
I ) 0
KL MH N O QR STR6 5UR 6
#$
26
(2.22)
(2.23)
(2.24)
#$ H
El DIODO SEMICONDUCTOR
Ki
IAK
VAK
VO
Vc
Figura 2.16 Circuito Equivalente en la Regin A
*+, . *-
2.6.2. REGIN B
:
=
V
#$
"
#$H
:X :Y
=X =Y
#$H
#$
"
#$
(2.26)
.0
KL MH N OM Q
#$
(2.25)
(2.27)
6 SR STR6
#$ H
(2.28)
ra v( B)
A
VAK
IAK
VO
Ki
Vc
Figura 2.17 Circuito Equivalente en la Regin B
( ) |*+, | ) |*- |
2.6.3. REGIN C
V I
#$
"
#$H
:ZZ
=[
(2.29)
V I
#$
#$H
\0
#$
(2.30)
(2.31)
27
KL MH N OM Q
$#
"
6 SR STR6
EL DIODO SEMICONDUCTOR
#$ H
V I
(2.32)
2.6.4. REGIN D
V ]
#$
"
#$H
7^
V ]
#$
|*+, | . |*00 |
:
=
:_ :ZZ
=_ =[
#$H
cc
cc
#$
2.33
(2.34)
\0
(2.35)
KL MH N OM Q 6 SR STR6
cc
$# " V I
#$ H
0
(2.36)
r a v( D)
VAK
IAK
Ki
VO
V RR
Figura 2.19 Circuito Equivalente en la Regin D
28
El DIODO SEMICONDUCTOR
2.7.
29
EL DIODO SEMICONDUCTOR
VC
A
A
Esta primera aproximacin es til cuando el voltaje en el diodo es comparable con el resto
de voltajes en la red.
K
rav(B )
VC
A
Figura 2.22 Equivalencia de un Diodo Ideal (Segunda aproximacin)
La resistencia interna del diodo es por lo general un dato que proporciona el fabricante,
pero en caso de no tenerla se puede calcular con la siguiente expresin tomando en
consideracin dos puntos de la recta (Figura 2.23) caracterstica del elemento real:
30
?:
?=
(2.37)
El DIODO SEMICONDUCTOR
Esta segunda aproximacin del diodo, tanto para polarizacin directa como inversa, es solo
de utilidad cuando se requiere un anlisis minucioso del circuito o cuando se est llevando a
cabo un proceso de diseo; para la mayora de aplicaciones es nicamente necesario utilizar
la primera aproximacin.
A
Vcc
IAK
K
7 .
#$
#$
(2.38)
:YY
c[
:;<
c[
(2.39)
31
EL DIODO SEMICONDUCTOR
#$ es una funcin de #$ , con la que se determina el lugar geomtrico de todos los valores
posibles de voltaje y corriente en el diodo (desde el circuito abierto hasta el cortocircuito),
considerando los parmetros dados de la red: 7 y II .
Por otro lado, tambin se dispone de la caracterstica del diodo real, que al ser graficada en
conjunto con la recta de carga, nos permite encontrar el punto exacto de operacin del diodo
(Figura 2.25). A este punto se lo denomina con la letra Q y es llamado punto en reposo.
789
:h
Oj
"
(2.41)
OM
(2.40)
=h
" 74
(2.42)
Oj
(2.43)
Si consideramos ahora que el circuito tiene como entrada una seal sinusoidal con un nivel
DC (Figura 2.26), haremos que el punto Q en la recta de carga, suba y baje de su posicin de
equilibrio:
32
El DIODO SEMICONDUCTOR
Rs
V sen(x)
I AK
Vcc
K
Figura 2.26 Polarizacin directa de un diodo con una fuente sinusoidal desplazada
Ahora la ecuacin de la recta de carga quedar determinada para cada valor de x, con la
siguiente expresin:
R#$
:;<
cs
(2.44)
9:;<
9=;<
(2.45)
33
EL DIODO SEMICONDUCTOR
D1
1N4004
R1 Vo
2K
Vin
Figura 2.28
Figura 2.29
Sc(+)
1. ( \ \ v
ra v
1N4004
Vc
R1
2K Vo
Vin
Figura 2.30
1.1. |* | ) |* |
R 0
0E G
1.2. |* | . |* |
@
0.6
2012.5
23.9
47.8
0.3E2G
0.6E G
2. v \ \ v
34
El DIODO SEMICONDUCTOR
ra v
D1
1N4004
Vc
R1
2K
V1
Vo
Figura 2.31
2.1. |* | . |* |
@
0.6
200.1.25
23.9
0.3E2G
0.6E G
47.8
2.2. |* | ) |* |
R 0
0E G
Sc(-)
3. \ \ v
3.1. |* | ) |*00 |
R
R
150
350200
0.135
R7
0.027
0.426E2G
0.0852E G
35
EL DIODO SEMICONDUCTOR
D1
1N4004
R1
2K Vo
V1
Figura 2.32
3.2. |* | |*00 |
@
R
R
2050
23.29
R7
46.58
220
107,31E2G
214.63E G
ra v
D1
1N4004
Vz
R1
2K
V1
Vo
Figura 2.33
4.v \ \ v
ra v
D1
1N4004
Vz
R1
2K
V1
Vo
Figura 2.34
36
El DIODO SEMICONDUCTOR
4.1. |* | |*00 |
@
R
R
2050
23.29
220
107,31E2G
R7
46.58
214.63E G
4.2.|* | ) |*00 |
R
2050
23.29
R7
46.68
300
146.34E2G
292.68E G
2.9.2
R2
D1
1N4004
Vin
Figura 2.35
1. ( ) )
Figura 2.36
1.1 |* | . |*00 |
R
4011
7.94
R7
30
7.48E2G
37
EL DIODO SEMICONDUCTOR
10.68E G
0.008
1.2 |* | . |*00 |
@
6000
40
5.31
6.66E2G
R " 2000
13.32E G
10.62
2.
))
2.1 |* | . |* |
R
R7
0
2.2 |* | |* |
R
H
1
4025
7.91
10.18E2G
0.75E G
0.198
3.
30
4011
7.48E2G
) ) v
11 7.48E2G
10.08E G
2.9.3
38
10
Suponga el diodo del circuito de la figura 2.37 como ideal. Determinar la forma
de onda de salida para cada una de las seales de entrada.
El DIODO SEMICONDUCTOR
R1
D1
1N4004
Vin
Vo
R2
Figura 2.37
1. Seal sinusoidal
Figura 2.38
sc(+); (<x<
MR N O. M. Q. Q S NTS
#$ 7C
#$
#$
20 4 N
4000
#$
4 N
E2G
200
#$ 7C
#$
71
7@
7C
RN
72
10 4 N E G
39
EL DIODO SEMICONDUCTOR
sc (-); <x<2
MR N O. . S. 5 N S NTS
20 4 N E2G
Figura 2.39
2. Seal Cuadrada
Figura 2.40
sc(+); (<x<
MR N O. M. S. S S NTS
#$ 7C
#$
40
#$
71
71
72
RN
72
El DIODO SEMICONDUCTOR
16
E2G
4000
#$
#$ 7C
8 E G
sc(-); ) ) v
MR N O. S. 5 N S NTS
16 E G
Figura 2.41
3. Seal Escalonada
Figura 2.42
sc(+)
0<x<
41
#$ 7C
#$
$#
5
E2G
4000
#$ 7C
2.5 E G
<x<
MR N O. M. S. S S NTS
#$ 7C
#$
$#
RN
71 72
$#
10
E2G
4000
#$ 7C
5 E G
71
sc(-);
<x<
72
MR N O. S. 5 N S NTS
H
5 E G
<x<
MR N O. S. 5 N S NTS
42
71 72
RN
71 72
$#
EL DIODO SEMICONDUCTOR
El DIODO SEMICONDUCTOR
10 E G
Figura 2.43
2.9.4
Figura 2.44
100 k
0.5 sen(x)[v]
D1
1N4004
0.8 [V]
Figura 2.45
10
#$
8 E2G
43
10
#$
#$
EL DIODO SEMICONDUCTOR
1.3 E2G
Cuando es mnimo:
10
#$
#$
0.3 E2G
0.6 E G e 2 E2G
r
FH
0.7 E Ge 7 E2G
0.2 E G e 0.5 E2G
Ntese que superado el voltaje codo, que en este caso es 0.6 V aproximadamente, el
voltaje del diodo es en esencia el mismo a pesar de que su corriente vare notablemente.
Cabe sealar que este es solo un mtodo grfico ms que analtico con el que se puede
determinar el voltaje y la corriente en el diodo.
2.9.5
Vin
2 .2K
Vo
Figura 2.46
Figura 2.47
Segn la caracterstica esttica del diodo, y siguiendo los mismos pasos que en el
problema anterior, podemos obtener:
V
44
2.5 EG e
V I
65 EG
El DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo no entra a estado de conduccin sino hasta que VIN supere los 0.7 V:
Para el intervalo de 0 < VIN < 0.7, la corriente IAK = 0; entonces:
#$ " 7 0
Para 0.7 < VIN, se puede plantear la ecuacin de voltajes en la malla:
= #$ " V
I
#$ " 7 .
Despejando IAK:
#$
I
V
#$ " 7
29.97 sin
66 sin
0.35 E2G
.07 E G
Figura 2.48
#$
#$
"
V I
II
" 7
V I
#$ " 7
#$
#$
2.16 sin E G
63.68 sin E G
El voltaje nodo ctodo siempre permanece menor que el voltaje de ruptura inverso, de
Ing. Tarquino Snchez A.
45
EL DIODO SEMICONDUCTOR
Figura 2.49
Figura 2.50
R#$ 6 " #$ 6 6
(2.21)
15 sen (x)
D1
1N4004 Vo
5 [V]
46
El DIODO SEMICONDUCTOR
Figura 2.51
2.10.2 Dadas las siguientes curvas de caractersticas estticas para el diodo del
circuito de la figura 2.52, obtener los puntos de operacin. Juzgue a su criterio,
cual es la temperatura ptima de trabajo.
D1
1 N4004
1 sen(x)
1k Vo
1[V]
Figura 2.52
2.10.3 Hallar la forma de onda y la corriente en los diodos, as como los ngulos de
conduccin, para el siguiente circuito, considerando que los diodos son de
silicio.
27k
D1
D2
10 sen(x)
D3
Figura 2.53
2.10.4 Dibujar la forma de onda en la salida del circuito de la figura 2.54 para cada
una de las seales de entrada del ejercicio resuelto 2.9.3.
D
Vo
Vin
10 [v]
Figura 2.54
47
EL DIODO SEMICONDUCTOR
RESUMEN
48
Captulo III
Circuitos con
Diodos
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
Para su anlisis consideremos que el diodo es ideal. Cuando el voltaje de entrada supere los 0
V, habr voltaje suficiente para polarizar al diodo directamente. Esto significa que el diodo se
lo puede considerar como un cortocircuito, y por tanto, todo el voltaje de la fuente caer en la
resistencia de 10 [k]. Esta situacin se conserva durante todo el semiciclo positivo, de
modo que la seal de salida, para este intervalo, es exactamente la misma que la seal de
entrada.
Cuando el voltaje de la entrada es inferior a los 0 V, el diodo del circuito se polariza
inversamente, es decir, puede sustituirse como un circuito abierto, de tal manera que la
corriente en la malla se anula. Esto ocasiona que el voltaje en la resistencia sea tambin igual
49
a cero, mientras que el voltaje de entrada se trasladar en su totalidad a los terminales del
diodo. Obtenemos entonces las formas de onda para el diodo y la salida como se observa en
la Figura 3.2:
Si el diodo no fuese ideal, sino de silicio, sera necesario incluir la cada de voltaje sobre l. Si
utilizamos, por ejemplo, la primera aproximacin como se ve en la Figura 3.3 ,se vera
fcilmente que el diodo no entra a conduccin hasta que el voltaje en la fuente supere los 0.7
[V], correspondientes al voltaje de barrera.
Los resultados en las formas de onda de la Figura 3.4 son los siguientes :
Analicemos ahora el siguiente circuito de la Figura 3.5 para la misma forma de onda.
50
51
Figura 3.8 Forma de onda en la salida y en el diodo con seal diente de sierra
A continuacin se muestra una serie de circuitos semejantes, cuyos anlisis son exactamente
los mismos que en los casos anteriores, utilizando la siguiente seal de entrada:
[ ]
52
53
54
En general las magnitudes de R y C pueden elegirse de tal manera que la constante de tiempo
sea suficientemente grande para garantizar que el voltaje a travs del condensador no
cambie significativamente durante el intervalo de tiempo determinado por la entrada.
En la Figura 3.15 se aprecia el modelo de un circuito sujetador:
55
a.
Si Vin = 5 [V]
=0
= 0 = 0[s]
56
= (10 5) = 15[ ]
(3.1)
(3.2)
Puesto que al condensador le toma cinco constantes de tiempo para descargarse. Se define el
tiempo de descarga o tiempo de apagado 5 :
(
= 5 10[&'] = 50[&']
(3.3)
Puesto que el semiperodo T/2= 0,5[ms] de la seal de entrada es menor que el tap; el
condensador permanecer cargado durante el semiperodo.
Figura 3.18 Forma de onda de la salida cuando el capacitor est cargado y RL alta
b.
Por lo tanto tap = 5 = 0,5 [ms] y T/2 = tap. En este caso el condensador se descarga durante el
intervalo en el cual el voltaje es de 10[V].
Figura 3.19 Forma de onda de la salida cuando el capacitor est cargado y RL baja
57
[ ]
58
Anlisis:
1.
Semiciclo (-)
< x < 3 / 2
Figura 3.23
59
+ ,
= 0
Semiciclo (+)
1.
2 < x < 3
+ ,
+ ,
Figura 3.25
Semiciclo (-)
1.
3 < x < 4
(3.4)
Figura 3.26
60
+ ,
[ ]
2.
[ ]
0<x</2
1.
Si
2.
Si
/2<x<
<
>
+ ,
Figura 3.29
61
01
Como
=
01
+ ,
+ ,
<
+ ,
+ ,
+ ,
< x < 2
=0
=0
desde /2 a , entonces
.
01
< 0
(3.5)
(3.6)
VC
-
A+
+ Di
VIN
VO
V1
+
01
+ ,
01
=0
+ ,
=0
Figura 3.30
+ ,
+ ,
2 < x < 5 / 2
Figura 3.31
01
Como
=
62
01
+ ,
+ ,
<
+ ,
+ ,
+ ,
=0
=0
01
< 0
DC
63
< x < 2.
Polarizacin Directa C.C. y
C1
-
Vin mx
Vin
D1
C2
Vo
+
Figura 3.34
2< x < 3.
Polarizacin Inversa C.A. y
24 + , .
Figura 3.35
Si 7 =
+ ,
89
3
Si 7 = 2; +
64
+
0
=2
<.>9
3
+ , '56(7)
+ ,
<2
(3.7)
+ ,
C1
-
+
D2
Vin mx
D1
Vin
C2
+ 2Vin mx
-
=2
01(?@ )
Si
Figura 3.37
+ ,
=0
+ ,
01(?@ )
+ ,
+ ,
entonces no conduce
De 3 en adelante D1 y D2 no conducen.
Figura 3.39 Forma de onda de salida del circuito doblador de onda completa
65
.
.
.
0<x<
Polarizacin Directa C.C. y
< x < 2
Polarizacin Inversa C.A. y
2 < x < 3
Polarizacin Inversa C.A. y
Vin mx C1
+/-/+ +
+
Vin
-/+/ = 3
+, .
D1
D2
D3
+ C3
2Vin mx
Figura 3.40 Circuito Multiplicador de Voltaje (triplicador)
66
+, .
+, .
Este mtodo se emplea para obtener voltajes altos DC de voltajes bajos AC.
Si el multiplicador es de orden n
= 46
3.8. RECTIFICACIN.
Es el proceso mediante el cual se convierte energa AC en DC.
)/ F =
(3.8)
(3.9)
(3.10)
67
Prdidas elctricas = 0 ( 1 = 0)
Prdidas de magnetizacin = 0 (I1 = 0).
Secuencia (+).
Secuencia (-).
68
LM =
Si
NOPQNR
ST UVWX
el diodo conduce.
ST (NOP QNR )
ST UVWX
(3.11)
(3.12)
+ ,
(3.13)
(3.14)
69
Si
LM +
+ ,
+ ,
NOP YWZ
ST UVWX
(3.15)
ST NOP YWZ
ST UVWX
(3.16)
\ 0 ]^ ( 6(^: ; ` 0 $ = ` \ ; a^6a5:
$ es el ngulo de conduccin.
La corriente tiene la misma forma de onda que el pero con otra escala.
Valor Medio
x=f(
f = 2;g
.
T=
?
= b d e<
.
39
39
= b d e< (()a(
.
(7) a7
(3.17)
Diodo Ideal
H? = HM +
.
?
?
70
39
= HM ? J
1
= HM + ,
;
39
(3.18)
(3.19)
+ ,
Cuando el diodo conduce tiene una resistencia rav y la tensin entre sus bornes es: LM .
Cuando el dispositivo no conduce. La corriente es nula es decir. Ha = 0 ; por lo tanto la
tensin en los terminales del diodo es la tensin en el secundario del transformador Vin.
As:
M M
M M
= LM
=
= H&7
El valor medio de la tensin en los terminales del diodo (que es la lectura de un voltmetro
DC) es:
? M M
? M M
? M M
? M M
? M M
= b d pe< H&7
.
39
= b d [ H&7
.
1
= i j [ H&7
;
= b d p HM +
.
es negativo
'56(7) a7 + e9
+ , ]
HM + , (
ST
, 9 q
39
'56(7) a7 q
J )]
(3.20)
71
1
i jt
s
3
3
<
3 (() a(
= b d e<
.
39
39
; 7 = f(
3 (7) a7
(3.21)
39
1
= i j t HM +
2;
HM V+F 3 =
HM V+F =
V+F
V+F
V+F
<
2u YWZ @
v
2u YWZ
3
= HM V+F
=
=
2u YWZ ST
3
Nw YWZ
'563 (7) a7
(3.22)
J
(3.23)
(3.24)
1
x = i j t (7) L(7)a7
2;
<
x = b T d e< LM 3 (7)a7
S
39
39
(3.25)
3.8.5. REGULACIN
Se define como la cantidad de cambio en el voltaje DC de salida sobre el rango de operacin
del circuito.
%
Si:
72
? (N
? (
) 'L J
V ) 'L J
100
(3.26)
HM = 0
gL6L(^ HM 0
Ing. Tarquino Snchez A.
HM +
?
?
?
= HM ?
=
=
=
+ ,
NOP YWZ
?
Si
;(
+ J)
)
+ , ( J
+ ,
;(
(H
depende de la carga
? (N
? (
HM +
J
=
+ J)
+ ,
;(
Donde H
+ ,
V )
%regulacin =
=
?
NOP YWZ
9
+ ,
i1
(3.27)
J:
( La5
{OP YWZ
{
Q OP YWZ
{OP YWZ
J)
(HM ? = 0)
NOP YWZ
9
+
+
= 0)
Si
J H ?
100 = 0%
(3.28)
(H? M )
;
Si graficamos la Ecuacin 3.29
?
+ ,
73
= w zR
x
xc
x
c0J
74
(3.29)
= H3
(3.30)
39
1
= i jt
2;
<
(7) LM (7) a7
1
= i j t LM 3 (7) (
2;
<
9
J ) a7
1
= i j t H 3 M + , '563 (7) (
2;
xc
xc
xc
c0J =
39
u YWZ
(
c0J =
v
3
c0J = H V+F (
V % =
<
2 @ u YWZ
V%z
2@
2 @ w zR ST
2 @ }Y (VWX UST )
OuW
}WX
+
+
J)
.Q
J )
J )
100
u YWZ
@
i u YWZ
j
@@
9@
F3, 9
<
J ) a7
(3.30)
100 = 40.53%
(3.31)
El rectificador de media onda tiene un rendimiento de rectificacin mxima del 40.53%, lo
que significa que el 60% es Potencia AC, por o tanto presenta una mal rectificacin.
V+F
Teorema de PARSEVAL
Donde:
V+F =
S-
(3.32)
75
S-
?
%V =
V S- M
+)
V +M ?
100% =
(3.33)
%V =
V+F
3
?
HM +
HM +
%V % =121%
J
J
V+F
?
1 = 1.21
76
VPI =
+ ,
(3.34)
Figura 3.57 Anlisis de polarizacin del Rectificador de 1/1 onda con toma central sc(+)
77
Figura 3.58 Anlisis de polarizacin del Rectificador de 1/1 onda con toma central sc(-)
Figura 3.59 Forma de onda de salida del Rectificador de 1/1 onda con toma central
0 x
Vin mx.sen( x )
Vin
=
R L + rav
R L + rav
i L = i L mx.sen( x)
iL =
(3.38)
x 2
conduce.
se abre.
i L = i L mx.sen( x)
78
I DC
I DC
1
1
=
iL dx =
2 0
2
2 I mx
= L
2 I L mx.sen( x)dx
0
I
I
(3.39)
rms
1 2
1
=
i L dx =
2 0
2
rms
2
2
2
I L mx.sen ( x)dx
0
I 2 L mx
(1 cos(2 x))dx
2 0
1 cos(2 x)
2
I mx
Irms = L
2
pues sen 2 ( x) =
(3.40)
Vrmso = Irms.RL
I mx.RL
Vrmso = L
2
VDCo = I DC .RL
2 I mx.RL
VDCo = L
si rav = 0
2Vin mx
VDCo =
(3.41)
(3.42)
(3.43)
r =
PDCo
100
PTOTAL
(3.44)
79
PDCo = I 2 DCo RL =
4 I 2 L mx.RL
(3.45)
I 2 mx (RL + rav )
2
(3.46)
4 I 2 L mx R L
r =
Si rav
mx(R L + rav )
r =
1
rav
1 +
RL
r =
81.1
r
1 + av
RL
100
100
= rmx
rmx = 81,1%
Vrms
V 2 rms V 2 DCo
1
=
=
2
V DCo
V
DCo
I L mx.RL
2
=
2 I L mx.RL
(3.47)
1 = 0.48
80
VAK
VAK
+
Vin mx
VRED
110 V
60Hz
0.7 v
0
RL
Vin mx
X= wt
-2Vinmx
D2
Figura 3.60 Anlisis de polarizacin del Rectificador de 1/1 onda con toma central
VAK = -2Vin mx
En el semiciclo ( + )
D1 y D3 conducen, mientras que D2 y D4 se abren
En el semiciclo ( - )
D1 y D3 se abren mientras que D2 y D4 conducen
81
Figura 3.63 Anlisis de polarizacin del Rectificador de 1/1 onda tipo puente
D2
SC(-)
i2
VRED
110 V
60Hz
Vf
i2
RL
X= wt
D4
82
Figura 3.66 Forma de onda de salida total del Rectificador de 1/1 onda tipo puente con diodo ideal y sin diodo ideal
VPI = Vin mx
81.1
r =
r
1 + 2 av
RL
(3.48)
100
(3.49)
Figura 3.67
83
0 x
Para vf1.
D3 en PD y por tanto conduce, mientras que D1, D2, D3 en PI y por tanto no conducen.
Vo1 = Vf1.
Figura 3.68
Para vf2.
D4 en PD y por tanto conduce, mientras que D1, D2, D3 en PI y por tanto no conducen.
Vo2 = vf2.
Figura 3.69
x 2
Figura 3.70
84
Para vf2
D1 en PD conduce, mientras que D2, D3, D4 en PI
Vo1 = vf1.
se abren
Figura 3.71
Para vf2.
D2 PD conduce, mientras que D1, D3, D4 en PI
Vo2 = vf2
se abren.
Figura 3.72
Figura 3.73
85
Vf mx = 73.924 V
a) 0 x
V A = 73.924 sen( x) [V ]
Figura 3.74
V Amx 5 K
= 14.7848 [V ]
25 K
VB = 14.7848 sen( x) [V ]
VBmx =
a.1) 0 Vin 10 [V ]
D5 en PI , se abre
Vo = 14.7848 sen( x) [V ]
a.2) Vin 10 [V ]
D5 en PD , conduce
Vo = 10.7 [V ]
14.784 sen( ) = 10.7
10.7
) = 46.36
= sen 1 (
14.784
= 180 46.36 = 133.63
* 0 x Vo = 14.784 sen( x) [V ]
(V VB ) = 59.14sen( x) [V ]
i 20 K = A
20
20
* x Vo = 10.7 [V ]
86
Figura 3.75
i 20 K =
id = i 20 K i5 K
59.14 sen( x) 14.784 sen( x)
+
=0
20 K
5 K
Para x
id =
20 K
5 K
id = 3.6962 sen( x) 1.605 [mA]
id =
1
1
P = (id Vd ) dt =
T
133.63
(3.6962sen( x) + 1.605)0.7 dt
46.36
P = 1.67 [W ]
Figura 3.76
87
D1
2.2 K
Si
10 V
D2
2.2 K
1 K Vo
Figura 3.77
Figura 3.78
88
Vo
V1
x= wt
Figura 3.79
3.11.4. Determinar las corrientes y los voltajes para los diodos de los siguientes
circuitos.
Figura 3.80
Si
~ 20 V
2.2 K
2.2 K
1K
Vo
Figura 3.81
89
Figura 3.82
3.11.7. Los siguientes circuitos son conocidos como compuertas lgicas OR y AND
respectivamente. Analcelos para una seal cuadrada de valores +10[V] y 0[V].
Considere que en polarizacin directa, el voltaje en los diodos es 0,7[V] Qu utilidad
pueden tener estos circuitos?
Figura 3.83
90
Figura 3.84
91
RESUMEN
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Convierten la corriente alterna en corriente continua (unidireccional). Tambin se
conoce como convertidor AC-DC
Tipos:
Rectificadores de media onda
Rectificadores de onda completa
o Con toma central (dos diodos).
o Con puente de diodos (cuatro diodos)
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Cuando la tensin es positiva (intervalo), el diodo se encuentra polarizado en
directa, y conducir la corriente (cada de 0.7 V).
Cuando la tensin es negativa, el diodo se polariza inversamente, no dejando pasar
corriente. En este intervalo el diodo soporta la tensin inversa impuesta por la
entrada.
Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff, a los dos casos anteriores, se obtiene:
En directa, prcticamente la cada de tensin de la alimentacin est en
bornes de la carga.
En inversa, la cada de tensin la acapara el diodo por no circular corriente.
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TOMA CENTRAL
Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensin desfasadas
180.
El tap central asla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de entrada.
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODOS
Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal
de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A
diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal
se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa,
segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua.
92
Captulo IV
Filtros
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
4.1. FILTROS
Son dispositivos electrnicos que permiten atenuar las componentes alternas sin modificar la
componente continua de la seal de entrada.
Los filtros ideales, presentan una respuesta de frecuencia con un corte abrupto o perpendicular.
4.2. TIPOS DE FILTROS
4.2.1. SEGN SUS COMPONENTES:
FILTROS PASIVOS
Estn formados solo por elementos pasivos: capacitores, inductores y resistencias, en este curso
se revisar especialmente los filtros capacitivos, que estn formados por condensadores y
resistencias.
FILTROS ACTIVOS
Son aquellos que a ms de estar compuestos por componentes pasivos, contienen elementos
activos, entre estos podemos citar los amplificadores operacionales y los TBJ.
U1
93
FILTROS
corte
f corte
Figura 4.3. Filtro pasa bajos
corte
<fadmitida <
f corte
Figura 4.4. Filtro pasa altos
f L <fadmitida <f
fL
fH
FILTROS
VO
ANLISIS:
CASO I: Si RL
En este caso el capacitor no tiene por donde descargarse, se tiene el siguiente circuito
equivalente:
VO
95
FILTROS
Semiciclo ( + )
0 x
El diodo en PD conduce hasta
2
VC = Vmx (El capacitor se carga hasta Vmx )
Luego ( x ) el diodo en PI existe un circuito abierto
2
Semiciclo ( - )
x 2
El diodo en PI existe un circuito abierto, sin embargo el capacitor C conserva su carga a
Vmx
2 Semiciclo ( + )
2 x 3
El diodo no conduce de aqu en adelante
VC = Vmx
CASO II: Si RL
El capacitor se descarga por RL , se tiene el siguiente circuito equivalente donde id es la
corriente del diodo, iL la corriente que circula por la carga e iC la corriente del capacitor.
96
RL finita
FILTROS
Semiciclo ( + )
x 2
El capacitor se carga hasta Vmx
Semiciclo ( - ) x 2
El condensador se descarga por R L
Figura 4.12. Voltaje a la salida del filtro capacitivo, descarga del capacitor
Cuando: 1 x 2
El diodo conduce se carga el capacitor
V0 = VL = Vmx senwt
Entre: 2 wt 2 + 1
El diodo se abre y el capacitor C se descarga en R L
VL = Vmx sen2 e
t
RC
(4.1)
id = ic + iL
Por tanto la corriente que circula por la carga esta dada por:
iL
VL Vmx
=
1 wt 2 iL =
RL R L
wt 2 + i = i
1
L
c
2
t
Vmx
RC
iL =
sen2 e
R
senwt
(4.2)
97
FILTROS
iC
dV
1 wt 2 iC = C c = C w Vmx cos wt
dt
wt 2 +
1
2
Vmx
RC
sen2 e
iC =
RL
(4.3)
id
1 wt 2
i = V sen wt + C w cos wt
mx
d
RL
2 wt 2 + 1 id = 0
(4.4)
2 fCRL 1
2 fCRL + 1
1 = sen 1
(4.5)
sen(1 )
Imx = Vmx
+ C w cos 1
RL
(4.6)
FILTROS
VLDC = Vmx
Vr
2
(4.7)
99
FILTROS
dq
= cte iC = cte
dt
q = C vC
iC = C
dvC
= cte
dt
dv C = v C = v r
= vC )
dt = t = T2
iC = C
e
vC
v
=C r
t
T2
iL = C
vr
v
I LDC = C r
T2
T2
I LDC = C
vr
T
I LDC I LDC
=
C
fC
f = frecuencia de entrada
vr = T
(4.8)
( 4.6 )
I
LDC
2 fC
VLDC = I LDC RL
VLDC = Vmx
VLDC
2 f C RL
VLDC = Vmx
VLDC
2 f C RL
VLDC =
100
Vmx
1
1 +
2 f C RL
(4.9)
FILTROS
De la Ecuacin (4.9) si VLDC Vmx => es mnimo y se logra un buen filtrado (si la frecuencia
de entrada, el tamao del capacitor o la resistencia de carga se incrementan).
Analizando el factor de rizado:
VRMSo
VDCo
(4.10)
VRMS
1
=
T `
T'
2
2 t2
vr 2
v r 2 dt =
T'
12
T'
VRMS =
vr
(4.11)
2 3
vr
I LDC
vr
2 3
=
=
=
VLDC
2 3 VLDC 2 3 f C VLDC
(4.12)
2 3 f C RL
Si C es mnimo
VLDC =
Vmx
Vmx
=
1
1+ 3
1 +
2 f C RL
(4.13)
101
4.5.
FILTROS
Figura 4.18. Rectificador de media onda con filtro capacitivo y carga finita
RECTIFICADOR ONDA
COMPLETA
VLDC = Vmx
I LDC
4 fC
RECTIFICADOR MEDIA
ONDA
VLDC = Vmx
I LDC
2 fC
Voltaje DC a la salida
VLDC =
Factor de Rizado
102
Vmx
1
1 +
R
4
1
4 3 f C RL
4 fCRL 1
4 fCRL + 1
VLDC =
Vmx
1
1 +
R
2
1
2 3 f C RL
2 fCRL 1
2 fCRL + 1
1 = sen 1
1 = sen 1
2 = tg 1 ( 4 f C RL )
2 = tg 1 ( 2 f C RL )
FILTROS
4.5.1.
a)
1 1
2
v = Vmx + sen wt
2
Vmx
( cos 2kwt )
(2k + 1)(2k 1)
= componente DC
Vmx
2
er
sen wt = 1 armnico
2
Vmx
( cos 2kwt )
v = Vmx 1 + sen wt
2
Vmx
(4.14)
= componente DC
Vmx
2
sen wt = componente AC .
Puesto que la seal rectificada de media onda cumple con la condicin (4.14) esta puede ser
representada por un circuito con parte alterna y continua as:
Ing. Tarquino Snchez A.
103
FILTROS
VLAC
VLDC
(4.15)
Vmx
2 2
Vrms =
A
2
VLDC =
Vmx
(4.16)
Vmx
2 2
=
=
Vmx 2 2
= 1.11
Vrms = 0.475 Vmx
104
FILTROS
2 4
v = Vmx
( cos 2kwt )
(2k + 1)(2k 1)
2
Vmx = componente D C
(cos 2kwt )
4
Vmx
= armnicos.
(2k + 1)(2k 1)
Considerando el primer armnico (cuando k = 1) y despreciando los armnicos superiores
(k = 2, 3,...).
2
( 4 cos wt )
v = Vmx
2
Vmx = componente D C
Vmx
( 4 cos wt ) =
3
(4.17)
componente AC ( rizado )
(4.18)
Reemplazando en el circuito:
RIZADO AC
-4Vmaxcos(2t )
3
RL
Vo
2Vmax/
105
FILTROS
VO
Figura 4.23. Circuito Rectificador de 1/1 Onda con Filtro del Ejercicio 4.1
Vr = ?
C = 100 F
ILDC = 50 mA
% = ?
Vmx = 30 V .
I LDC
50 10 3
= 30
= 27.916 V
4 f C
4 60 100 10 6
V
VLDC = Vmx r Vr = 2 (Vmx VLDC )
2
Vr = 2 (30 27.916 ) V = 4.168 V
VLDC = Vmx
I LDC
= 4.16 V
2 f C
V
27.916 V
RL = LDC =
= 558.32
ILDC 50 10 3 A
Vr =
106
1
1
=
100 = 4.308 %
6
4 3 f C RL 4 3 60 100 10 558.32
FILTROS
Figura 4.24. Circuito Rectificador de 1/1 Onda con Filtro del Ejercicio 45.2
Vrms 0.8
1
=
= 0.16 =
VLDC 50
4 3 f C RL
C =
1
= 7.517 10 4 F
4 3 f RL
4 fCRL 1
4 fCRL + 1
1 = sen 1
4 60 7.517 10 4 200 1
4
4 60 7.517 10 200 + 1
1 = 71.09o
1 = sen 1
Vmx
VLDC =
Vmx
1
1 +
L
1
= 50 1 +
= 51.385 V
4
4 60 7.517 10 200
sen 1
Idmx = Vmx
+ w C cos 1 ; id = iL + iC
RL
sen 71.09
Idmx = 51.385
+ 2 7.517 10 4 cos 71.09
200
Idmx = 4.96 A
Idrms =
Idmx
2
Vmx
2 ( rav + RL ' )
)
107
FILTROS
1
PDC = v (t ) i ( t ) dt
T 0
2
2 +1
1
PDC = v (t ) i ( t ) dt + v (t ) i (t ) dt
T 1
2
1
PDC = ( 0.7 + rav i (t ) ) i (t ) dt
T 1
en el diodo:
V AK ( t ) = 0.7 + rav i ( t )
r
0.6
PDC =
i (t ) dt + av i 2 ( t ) dt
T 1
T 1
PDC = 0.6 IDC + rav ( B ) I 2rms
PDC = 0.6 2.78 + (3.088 ) 10 = 97.025 W
2
IdDC =
Irms =
2 Imx
2 V
= mx
r
R
`
+
av
L
con RL ' = RL / / X C
Vmx
2 ( rav + RL `)
108
FILTROS
109
FILTROS
RESUMEN
Filtros
Los filtros electrnicos son circuitos capaces de discriminar frecuencias. Esto quiere decir que
actan de modo distinto para seales oscilantes a diferentes frecuencias.
Filtro RC pasa bajas
Es aquel que permite el paso de frecuencias bajas, desde frecuencia 0 hasta un valor
denominado frecuencia de corte. Presentan ceros a alta frecuencia y polos abajas frecuencia.
110
Captulo V
Reguladores de
Voltaje
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
5. REGULADORES DE VOLTAJE
Cuando tenemos una fuente de voltaje con las etapas de rectificacin y filtrado, la seal de
salida presenta un factor de rizado grande, adems esta seal vara con las fluctuaciones
de la seal de entrada; por tanto se hace necesario la utilizacin de una etapa posterior
llamada " Regulacin de voltaje ".
Las caractersticas de un regulador de voltaje son:
Disminuye notablemente el factor de rizado.
Mantiene constante las fluctuaciones de la seal continua.
La salida es salida es independiente de la seal de entrada.
Diodo Zener
111
REGULADORES DE VOLTAJE
NOTACION:
CARACTERISTICA COMPARATIVA
Figura 5.3 Curva Caracterstica Comparativa entre el Diodo Zener y Diodo Normal
112
REGULADORES DE VOLTAJE
Operacin.
a) Si | | | |
El diodo acta como un circuito abierto.
b) Si |
.
$%
+
&'( #
# '
*'
&'(
"
) "
*'
(5.1)
&'(
(5.2)
# '
'
,- ./
(5.3)
1.
,23
2.
,23
,23
La aplicacin principal del diodo zener es como regulador de voltaje, el voltaje en la carga
3.
113
REGULADORES DE VOLTAJE
=
4
+
&56 7&'
(5.4)
'8 9
1.
es decir
: #
2.
es decir
: ;
la
&<=>? 7&'
'>? 8 9><=
114
<
4 <
&<=>= 7&'(
'>= 8 9>?
(5.5)
REGULADORES DE VOLTAJE
Cuando consideramos que toda
entonces
0.
se va por el
(5.6)
&'
(5.7)
9 >?
4;
4;
4;
< 4 : La >
, entonces el zener se quema.
Figura 5.9 Representacin del Circuito Equivalente D.C con Diodo Zener
BC
BC
FG
//
1 :
115
REGULADORES DE VOLTAJE
Si
1
Vin RZ
RS + RZ
Si
//
Vin .RZ
(5.9)
RS
La relacin de / 4 es mucho menor que 1, por tanto se tiene que el voltaje de rizado a la
salida es muy pequeo con relacin al voltaje de rizado en la entrada.
EJEMPLO:
5.3.1.
Datos:
= 30
=
20
= 15
= 100 [\
= 1 [\
= 5
116
REGULADORES DE VOLTAJE
4
4
\_-[
150
20 15
1 [\ = 32.3 [\
150
= 463,92 c
= 180 c
15
= 20 &715 &
1 [\
180 d
= 560 c
4
b) Sea
= 560 c
= 7.93 [\
= 1.89 ec
c) Sea
= 1000 c
= 4 [\
= 3.75 ec
117
REGULADORES DE VOLTAJE
Si
>
, el zener regula
Si
<
, el zener se abre
b)
h 3.
2)
< g < 2
,.
a) 0 < g <
<
Si
; h; 3.
h ,. ,
h ; . j3k-l ,.
h# 3.
i
,.
>
Si
; h; 3.
h ,. ,
h ; j3k-l
h# 3.
i
,.
;
b) < g < 2
h; 3. ,.
h2 3. h ,. ,
118
REGULADORES DE VOLTAJE
m |
# | h # .
i
|A|
m |
a) 0
j3k-l
# | h # j3k-l
3)
h ; 3. h ,. ,
m |
# | h # 3.
. j3k-l
m |
|A|
# | h # j3k-l
b)
h # 3. h ,. ,
m|
i
m |
i
|A|
; | h ; 3.
. j3k-l
; | h ; j3k-l
119
REGULADORES DE VOLTAJE
Fcil uso
INTEGRADORES FIJOS
Pueden ser positivos o negativos
Integradores Positivos: LM78XX
Integradores Negativos: LM79XX
Sus ltimos dgitos XX pueden ser: 05, 06, 08, 10, 12, 15, 18, 22, 44
INTEGRADORES VARIABLES
Los regulares ajustables de tres terminales permiten ajustar la tensin de salida a partir de
resistencias externas conectadas al terminal denominado ADJ. Entre los ms usados
tenemos:
Integradores Positivos: LM317
Integradores Negativos: LM337
36 " 2
36 2
38
36
= 34
= 11.3
>8
REGULADORES DE VOLTAJE
//
tBC
9.68 c
( . )
+
BC
BC
= 7.74
. (tBC +
=
4)
BC
36
=0
(36 7.76)
(600 + 9.68) uc
= 4.635 107# \
= wx = 7.74 + . tBC
= 8.19
1y
= 31.7 [
(0.6u +
2(10)(0.3u)
(;z)(z.{|)
;z8z.{|
)(10 + 0.3u)
121
REGULADORES DE VOLTAJE
Considerando:
4
33.3 [
1y
(valor pico)
33.3 [
= 2.354 107#
F% =
F% =
1:
9.15 107{
8.19
F% = 1.1 107{
Si consideramos que la componente alterna que cae por el diodo zener es despreciable (si
no calculamos ~ ) por lo que suponemos que la disipacin de potencia en el zener se
debe solo a la : (fuente continua).
:
:
:
:
:
:
= 0.019 \
= (19 [\ )# . (10) + (19 [\ ). (8)
= 0.156
1
= 156 [ : =
4
Si no despreciamos el rizado (
:
4)
122
REGULADORES DE VOLTAJE
38 " H
"
= 49.68 [\
5.6.2. En el circuito de la figura encontrar los lmites de variacin deUo para que
el zener siempre regule,nMq = PV n ,LMq = NR , nMNO = PV. n ,LMNO = NR .
Luego calcule la potencia promedio mxima que se disipar en la resistencia de 68
.
Considere nST = Q + O n .
Figura 5.23
(15.6 15)
(60 2)[\
= 10.34 c
=
= 20 + 2 sin 90z
= 20 + 2 sin 270z
a)
4
= 22
= 18
= 15 + 60 [\ . 10.34 c = 15.62
(22 15.62)
60 [\
68 c
= 33.82 [\
123
15.62
33.82 [\
b)
2 [\
15
42.11 [\
= 356.2 c
= 461.81 c
(18 15)
68 c
= 42.11 [\
REGULADORES DE VOLTAJE
(5 + 2 sin g)
68 c
4.
1 #
(
2 z
. 68. /g
2 z
68#
#
)
4 . /g
1 #
(25 + 20 sin g + 2 2 cos 2g) /g
2 z
1
=
27(2)
136
=
= 0.397
124
REGULADORES DE VOLTAJE
Figura 5.24
Figura 5.25
Figura 5.26
125
REGULADORES DE VOLTAJE
RESUMEN
Los circuitos electrnicos requieren de fuentes de tensin continua. Las fuentes construidas
con un transformador, rectificador y un filtro nos proporcionan una seal de salida con un
factor de rizado significativo por lo que se hace necesaria la utilizacin de un etapa adicional
de Regulacin que proporciona una tensin de salida ms estable en la cual se disminuye
considerablemente el rizado.
La regulacin de voltajes en fuentes de corriente continua es una de las mayores aplicaciones
del Diodo Zener, el cual mantiene constante el voltaje a travs de sus terminales bajo
condiciones adecuadas de funcionamiento, ya que ste posee la caracterstica de trabajar en
la zona de ruptura inversa.
Otro tipo de reguladores de voltaje son los Reguladores Integrados fijos o variableslos cuales
proporcionan una corriente de salida mximay poseen la caracterstica importante de
reducir el rizado con mayor precisin en la seal de salida y obtener un voltaje constante y
estable.
El propsito de todo regulador de voltaje es convertir una seal de entrada alterna en una
seal de salida continua y estable, y mantenerla dentro de las condiciones de carga amplias
independiente de las fluctuaciones de entrada y de la corriente requerida por la carga.
126
Captulo VI
Transistor
Bipolar de
Juntura
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
127
Anlogamente el transistor bipolar de juntura puede ser considerado como la unin de dos
diodos.
La simbologa del TBJ es la siguiente:
Base.- Es la capa ms delgada comparada con la capa del emisor y colector. El ancho
de la base es aproximadamente 150 veces ms pequeo que el ancho total del
transistor; esta capa es pobremente dopada, la conductividad es baja, por lo tanto
existe menor cantidad de portadores de carga libre.
Colector.- Esta capa tiene dimensiones ms grandes que las dos capas anteriores, y
esta ligeramente menos dopada que el emisor. Su funcin es la de recolectar los
portadores mayoritarios que salen del emisor. Por ser el de mayor rea es donde se
disipa la mayor parte de la potencia. Para transistores con encapsulado metlico el
colector est conectado a ste, como se muestra en la figura 6.3.
128
a) T.B.J (N.P.N)
+
VCB >0
NPN
VCE >0
VBE >0
Figura 6.4 Polarizacin de un Transistor NPN
b) T.B.J. (P.N.P)
VCB<0
VCE<0
VC <VE
VC<VE
VBE<0
129
Ing. Tarquino Snchez A.
Portadores Minoritarios: h+
Portadores Mayoritarios : h+
La base tipo p
Portadores Minoritarios : e-
V1
IC
V1
V2
IB
V2
Juntura Colector-Base:
Se encuentra en polarizacin inversa por lo tanto los portadores minoritarios del
colector cruzan la juntura np hacia la base a recombinarse, pero como el nmero de los
portadores minoritarios del colector es mayor que los portadores minoritarios de la
base ( Debido a que el colector es ms grande que la base ), entonces en la base sobran
huecos generando una corriente de portadores minoritarios llamada Corriente de Fuga
(ICo), que depende de la temperatura.
Juntura Base-Emisor :
Se encuentra en polarizacin directa por lo tanto los portadores mayoritarios de la base
se desplazan hacia el emisor.
130
Como los electrones se desplazan del emisor hacia la base estos se recombinan con la
mayora de los huecos que vienen del colector.
I E= I C + I B
IC = IC(mayoritarios) + ICo (minoritarios)
( 6.1)
Terminal de entrada :
Terminal de salida:
Terminal comn:
Base
Colector
Emisor
c)
Base Comn :
Emisor Comn :
132
Caracterstica de Entrada:
iB [uA]
10
VCE [V]
50
40
30
20
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
BE [V]
2. Caracterstica de Salida:
133
Ing. Tarquino Snchez A.
b) Colector Comn:
1) Caracterstica de Entrada
134
c) Base Comn:
Regin de Saturacin:
En esta regin las dos junturas estn polarizadas directamente:
Juntura BE en (P.D.)
Juntura CB en (P.I.)
136
Base Comn :
I C ( may )
IE
I C I Co
IE
como : I Co << I B << I C
(6.2)
IC
IE
(6.3)
a) Anlisis en AC
iC
i E
cuando :
VCB = cte
iC
i E
(6.4)
b) Anlisis de DC
IC
IE
(6.5)
VCB = const
En la prctica DC AC
137
1[mA] iC
=
1<1
1[mA] i E
En el punto A:
2[ mA]
1<1
2[ mA]
Luego para base comn no existe ganancia de corriente, < l
Sea:
1. IE = IC + IB
2. IC = IE
3. IC = IC(may) + IC0
(6.6)
(6.7)
Entonces:
IC = IE + ICO
IC = (IB + IC) + IC0
IC(1 - ) = IB + IC0
IC = ( / 1 - ) IB + ( 1/ 1- ) IC0
Si
138
= 0,99 y
la IB = 0
Ic = (1 / (1 - 0,99) ) IC0 = 100 IC0
ICo corriente de fuga debida a los portadores minoritarios.
Emisor Comn :
Se define a , como el factor de amplificacin de corriente en emisor comn.
AC =
iC
i B
cuando
AC
VCE = cte
iC
i B
b) Anlisis en DC
IC
, siendo VCE = cte
IB
En la prctica
(6.8)
DC = AC
RELACION ENTRE y .-
I E = IC + I B
1=
IC I B
+
IE IE
1= +
IB
IE
1= +
1
1 = 1 +
1
1+
+1
(6.9)
+ =
( 1) =
=
+1 =
IC I E
=
I B IC
+1 =
IE
IB
(6.10)
140
Ejemplo:
Se tiene el siguiente circuito de polarizacin del TBJ en configuracin de Emisor Comn.
Si el TBJ es de silicio ( VC = 0.7 [V] ) con un =100 y con ICo=30 [nA]; hallar:
a) La corriente de polarizacin de la base.
b) La corriente de polarizacin del colector.
c) Determinar si el transistor trabaja en la regin activa.
Figura 6.22
La juntura B - E => P.D.
a)
b)
c)
VBB + IB RB + VBE = 0
IB = (VBB - VBE ) / RB
IB = (4 - 0,7) / 220 K = 15 [uA]
IC = IB = 1500 [uA] = IC(may) + ICo
Ic (may) = 1500 [uA] - 30 [nA] = 1,499 [mA]
IC IC (may)
IC = IB + ( +1) ICo = 1,503 [mA]
IC no ha variado en nada .
(6.11)
(6.12)
( 6.13)
( 6.14)
Debido a que a 1
=> Ic = IE
Ic = 2[mA]
Vo = ic RL.
Vo = 2[mA] 4,7[K]
Vo = 9,4 [Vp]
( 6.15)
Av = Vsalida / Ventrada
( 6.16)
142
c)
Colector Comn:
6.1.10.
144
( 6.17)
b) Si VCE = 20 V
IC PCEmx / VCE
IC = 30 [mW] / 20 [V]
IC = 1,5 [mA]
145
Ing. Tarquino Snchez A.
Figura 6.30
IC =
Vcc VCE
Rc Rc
( 6.18)
146
iC [mA]
m=1/RC
iB [uA]
ICEo
0
10
15
0
20
25
30
VCE [V]
VCC
-VBB + IB RB + VBE = 0
=> IB = ( VBB - VBE ) / RB
IB = (3 - 0,7) [V] / 153[K] (Para el punto A)
IB = 15 [uA]
( 6.19)
IB = 10 uA
RB = ( VBB - VBE ) / IB
RB = (3 - 0,7)[V] / 10 [uA]
RB = 230 [K]
( 6.20)
147
Ing. Tarquino Snchez A.
CARACTERISTICA DE ENTRADA
148
( 6.21)
( 6.22)
Salida :
VCC = IcRc+ VCE
Vc= VCE = Vcc- IcRc
Ic IB
( 6.23)
( 6.24)
EJEMPLO 1:
Si
Vcc = 15 [V]
= 50
RB = 250 [K]
Rc = 2,2 [K]
IB = (15 - 0,7)[V] / 250[K] = 57,2 [uA]
Ic = 50 (57,2uA) = 2,86 [mA]
VCE = Vc= (15 - 2,86) [mA] (2,2K) = 8,7 [V]
El transistor est en la regin lineal.
149
Ing. Tarquino Snchez A.
EJEMPLO 2:
Sea :
Vcc= 25 [V]
Rc = 4.1 K
IB= 35 [uA]
Ic = 4 [mA]
= IC / IB = 4[mA] / 35[uA] = 114
VCE = 25 - 4 [mA] (4,lK) = 9 [V]
150
T C
-65
25
100
175
ICBo
0,2 x 10-3
0,1
20
3,3 x 103
20
50
80
120
VBE (V)
0,85
0,65
0,48
0,3
151
Ing. Tarquino Snchez A.
resistencia de
( 6.25)
+ 1 = IE / IB
Vin = RIN DC IB , Vo = IE RE
RIN DC = [( +1)Vin RE ] / Vo
=> Vcc = IB RB + VBE + IE RE
= IB RB + VBE + ( +1)IB RE
= IB [ RB + ( +1)RB ] + VBE
( 6.26)
IB =
( 6.27)
VCC VBE
RB + ( + 1)RE
VCC
IB
RB + ( + 1)RE
Figura 6.37
IB Vcc / [RB + (+1)RE] ~ 18 / (390K + (l0l)lK)
IB = 36,6 [uA]
IC = IB = 100 (36,6 [uA]) = 3,66 [mA] ~ IE
VB = VBE + VE = VBE + IE RE = 0,7 + 3,66 [mA](1[K])
VB = 4,36 V
Vc = Vcc - IcRc = 18 - 3,66 [mA](2,2[K]) = 9,94 [V]
VE = IE RE = 3,66 [mA] (l[K]) = 3,66 [V]
VCE = Vc - VE = 9,94 - 3, 66 = 6,3 [V] ; el transistor est en la regin activa.
153
Ing. Tarquino Snchez A.
(6.28)
=> I1 I2
Y entonces se cumple que:
VB = Vcc RB2 / (RB1 + RB2)
VB = VBE + VE
VE = VB - VBE
I E = V E / RE
(6.29)
( 6.30)
VB = VBE + IE RE
VB = VBE + ( +1) IB RE
Si consideramos: Ic IE
Vc = Vcc - Ic Rc
VCE = Vcc - IcRc - IERE
VCE= Vcc - Ic(Rc + RE )
IB = I1 - I2
V VB VB
I B = CC
RB1
RB 2
IB =
1
VCC
1
VB
+
RB1
RB 2 RB1
154
RB = RB1 || RB 2
IB =
1
VCC
VB
RB1
RB
IB =
VCC VB
RB1 RB
IB =
RB1
RB
RB
VCC V BE
R B1 R B
IB =
( + 1)R E
1+
RB
( 6.31)
VBE
VE = VB - VBE VBE = IE RE
IE = (VB - VBE VBE) / RE
IE = (VE VBE ) / RE
Si queremos mantener IE = cte
=> VE >> VBE
Sea :
VBEmx = 0,1 [V]
VE 10 (0.1) = 1 [V]
Entonces se tomar VE > 1 [V] como criterio de diseo de un amplificador.
b)
VB = cte
Se debe cumplir que I2 >> IB
Para diseo se puede tomar a I2 l0 IB
IBmx = I c / min
I2 >> IBmx
155
Figura 6.39
RINDC = ( +1)RE = (141) 1,5K = 211 [K]
RINDC >> RB2
=> : I2 > IB
y I 1 I2
VB = (VCC RB2) / (RB1 + RB2 ) = 22[V]. 4[K] / 44K = 2 [V]
VE = VB - VBE > 1 [V]
Por lo tanto se cumple con los requerimientos de estabilidad trmica
IE = VE / RE = 1,3V / 1,5K = 0,86 [mA]
IC IE = 0,86 [mA]
VC = VCC - ICRC = 22 [V] - 10K (0,86mA) = 13.4 [V]
VCE = VC - VE = 13,4 -1,3 = 12,1 [V] > VCEsat
=> : El transistor trabaja en la regin lineal.
=> : IB = IC / = 6,143 [uA]
Utilizando el Teorema de Thevenin en el VB respecto a la referencia, nos queda:
Figura 6.40
156
RB = RB1 RB2
RB = RB1 RB2 / (RB1 + RB2)
RB = 40K 4K / (40 +4)[K]
RB = 3,636 [K]
VBB = Vcc RB2 / (RB1 + RB2)
VBB = 2 [V]
Clculo de la IB sin aplicar: IB = IC /
-VBB + IB RB + VBE + IE RE = 0
-VBB + IB RB + VBE + ( +1) IB RE = 0
IB = (VBB - VBE) / [ RB + ( +1)RE ]
= (2 - 0,7) / ( 3,636K + (141)1,5K)
= 6.042 [uA]
Ic = IB = 140 (6,0442 uA) = 0,884 [mA]
Vc = Vcc - Ic Rc = 22 - 0,84 [mA] ( 10 K ) = 13,6 [V]
VE = IE RE = 1. 26 [V]
VCE = VC - VE = 12,3 [V]
Ejercicio 2
Dado un transistor con un =50, RB1=15 K
, RB2 = 6,8 K
, RE = 56 , Rc = l k
, Vcc= 16 V.
Hallar las corrientes de polarizacin.
Figura 6.41
RTH = RB1 // RB2 = 15K ||6.8K
RTH = 4,68 K
VTH = VCC RB2 / (RB1 + RB2)
VTH = 4,99 [V]
IB = ( VTH - VBE) / ( RTH + ( +1)RE) =0,57 [mA]
IC = IB. = 50 ( O,57mA ) = 28,53 [mA]
157
Ing. Tarquino Snchez A.
IE = IC + IB = 29,1 [mA]
VCE = VCC - ICRC - IC RE
VCE = 16 - 28,56mA (1,056K) = -14,2 [V]
-VCE - VBE - VCB = 0
VCB = -VCE - VBE = 14,12 - 0,7 = 13,42 [V]
El circuito no est en la regin lineal porque este debe cumplir:
VCE > VCEsaturacin
IC < ICsaturacin
Figura 6.42
Si VCE = VCEsat= 0,3 V
VCE =Vcc-Ic (Rc + RE)
: Ic = (Vcc - VCE) / (Rc + RE)
Icsat = (Vcc - VCEsat) / (Rc + RE)
Icsat = 14,86 > Ic = 28,53
: El transistor no est en la regin lineal, para que entre en la regin de trabajo se hace
necesario redisear RC y RE; as se sacara al transistor de la saturacin.
Rc + RE > ( Vcc - VCEsat ) / ICsat
158
Ejercicio 3
Dado un circuito de polarizacin con Vcc = -24 V Rc = 3,9 K
, se requiere que el punto de
trabajo presente una ICQ = 4 mA , VCQ =
6 V y un = 100 para un transistor P.N.P de
silicio.
VCC = I E R E + V EC I C RC
Figura 6.43
4[mA]
= 4 10 5 [ A]
100
2.4[V ]
RE =
= 600[]
4
V B = I E R E + V EB
IB =
VB
I 2 >> I B
RB2
I 2 10 I B
I 2 = 10(4 10 5 ) = 0.4[mA]
I 1 = 0.4 + 0.04[mA] = 0.44[mA]
RB2 =
VB
I2
3.1[V ]
= 7.75[ K]
0.4[mA]
(V V B )
= CC
I1
RB2 =
R B1
R B1 =
( 24 + 3.1) = 47.5[ K]
0.44[mA]
Ejercicio 4
159
Ing. Tarquino Snchez A.
Ic = 10 mA, VCEQ = 8
Figura 6.44
Se puede asumir VRE ~ Vcc / 5 ~ Vcc / 10 , pero siempre que VRE > 1 V.
Sea
V E = 2[V ]
2[V ]
= 200[]
10[ mA]
(V VCE V E )
RC = CC
IC
RE =
(20 8 2) =
10
= 1[ K]
10[ mA]
10[ mA]
V B = V BE + V E = 0.7 + 2 = 2.7[V ]
RC =
I Bmx =
IC
min
10[ mA]
= 0.125[ mA]
80
I 2 >> I B : I 2 = 10 I B = 1.25[mA]
I 1 = 1.25 + 0.125 = 1.375[ mA]
2.7
= 2.16[ K]
1.25
(V V B ) (20 2.7 )
= CC
=
= 12.5[ K]
I1
1.375
RB2 =
R B1
160
i1 Y11 Y12 v1
=
i2 Y21 Y22 v2
i1 = Y11 V1 + Y12 V2
I2 = Y21 V1 + Y22 V2
El circuito equivalente es:
161
Ing. Tarquino Snchez A.
Donde:
i1
cuando V2=0 ; A. Entrada
v1
i
Y12 = 2 , cuando V2 = 0 ; A. Transferencia
v1
i
Y21 = 1 , cuando V1 = 0 directa y reversa
v2
Y11 =
Y22 =
i2
, cuando V1 = 0 ; A. Salida
v2
a) Base Comn :
162
b) Colector Comn
c) Emisor Comn
163
Ing. Tarquino Snchez A.
V1 = f1 (i1, V2)
i2 = f2 (i1, V2)
V1 = h11i1 + h12V2
i2 = h21i1 + h22V2
v1 h11
=
i2 h21
h12 i1
h22 v 2
v1
, cuando V2 = 0 ; impedancia de entrada en ohmios [] .
i1
v
h12 = 1 , cuando i1 =0 ; razn de transferencia de voltaje INVERSO, (Adimensional).
v2
i
h21 = 2 , cuando V2 = 0 ; razn de transferencia de corriente DIRECTA, (Adimensional).
i1
i
h22 = 2 , cuando i1 = 0 ; admitancia de salida en ohmios.
v2
h11 =
6.3.3.1.
164
Para N.P.N:
Base Comn
Emisor Comn
Colector Comn
165
Ing. Tarquino Snchez A.
6.3.3.2.
hie =
v1 v BE v BE
, con VCE = cte.
=
i1
i B
i B
v1 v BE v BE
, con iB = cte.
=
v2 vCE iCE
i2 iC iC
hfe =
, con VCE = cte.
=
i1 iB iB
hre =
hoe =
i
i
i2
= C C ,con iB = cte.
v2 vCE vCE
( 6.32)
( 6.33)
( 6.34)
( 6.35)
Figura 6.56 Determinacin de los hfe y hoe de acuerdo a la caracterstica de salida del Transistor
iC
; VCE = cte puntos A, B.
iB
i
II. hoe = C ; iB = cte puntos C, D.
iCE
I. hfe =
166
Figura 6.57 Determinacin de los hie y hre de acuerdo a la caracterstica de entrada del Transistor
v BE
, con VCE cte.
i B
v BE
II. hre=
, con iB = cte.
vCE
I. hie =
E.C
C.C
C.C
hi
1 K
1 K
20
hr
2 . 5 10 4
3 10 4
hf
50
-50
ho
1/ho
25 10
40 K
25 10
-0.98
6
40 K
0 .5 10 6
20 M
167
Ing. Tarquino Snchez A.
6.3.3.3.
168
6.3.3.4.
6.3.3.5.
169
Ing. Tarquino Snchez A.
i.
GANANCIA DE CORRIENTE:
Ai =
i2
i1
i2 = i + i
i2 = hf i1+ hO V2
V2 = -i2 RL
i2 = hf i1- hO i2 RL
i2 [1 + hO RL] = hf i1
hf
i2 =
= Ai
i1 [1 + hO RL ]
( 6.36)
v1
V1= i1hi + hrV2
i1=
[1 + hO RL ]
hf
1 + hO R L V2
hi + hr.V2
V1 =
h
R
f
L
(1 + hO RL )hi
V1 = V2 hr
h f RL
hrh f RL (1 + hO R L )hi
V1 = V2
h f RL
AV =
h f RL
V2
=
V1 h f h f RL hihO hiRL
AV =
h f RL
hi + R L ( hihO hrh f )
( 6.37)
V1
170
V2
= i1hi+ hrv2
Ing. Tarquino Snchez A.
V1 = i1hi- hri2RL
V1 = i1 hi
h r h f R L i1
1 + hO R L
h i - h f R L hr
1 + hO R L
V1 = i1
Zin = hi
hr h f RL
1 + hO RL
( 6.38)
Si Vs = 0
i1(Rs+ hi) + hr V2 = 0
i1=
i2 =
hrV2
Rs + hi
h f hrV 2
(Rs + hi ) + hOV 2
i2 = V hO h f hr
2
Rs + hi
1
Zo=
h f hr
hO
Rs + hi
( 6.39)
v. GANANCIA DE POTENCIA.
Ap = PL
Pi
171
Ing. Tarquino Snchez A.
Ap = V2 i2 = AV . Ai
V i
1 1
Ap =
h 2f
( 6.40)
i. Ganancia de corriente:
Ai =
iOT iC
=
iint iB
iC = iB hfe + hoeVOT
VOT = VO = iC RL'
iC = iB hfe hoe iC RL'
iC (1 + hoe RL' ) = iB hfe
Ai =
hfe
( 6.41)
1 + hoe RL'
Vint =
h 1 + hoe R L'
'
Vint = iC ie
hre RL
h
fe
'
hie 1 + hoe RL hre h fe RL'
Vint = VOT
h fe RL'
Av =
R L' h fe
hie + hie hoe RL' hre h fe RL'
( 6.42)
Vint Vin
=
iint
iB
iC =
i B h fe
1 + hoe R L'
Vin = hie i B
hre h fe R L' i B
1 + hoe R L'
hre h fe R L'
Vin = i B hie
1 + hoe R L'
173
Ing. Tarquino Snchez A.
Z INT = hie
hre h fe RL'
1 + hoe RL'
(6.43)
Z IN = RB || Z INT
( 6.44)
VO
iC
, con Vin = 0
iC = h fe i B + hoeVO
Vin = 0 __ si __ i B hie = hreVOT
i B = hre
iC =
Vo
hie
h fe hreVO
hie + hoeVO
h fe hre
iC = VO hoe
hie
1
Z OT =
h fe hre
( 6.45)
hoe
hie
Los parmetros hbridos para la configuracin de Emisor Comn son aproximadamente del
siguiente orden:
hfe
50
hie
1 K
hre
2,5 x 10-4
hoe
2,5 x 10-6 1/
h fe
hie
ZinT hie
ZOT > 1 / hoe
174
Ejemplo
Determinar Ai, Av, ZinT, ZoT; utilizando los valores de los parmetros hbridos que se
muestran .
hie = 1 K
hre = 2 x 10-4
hfe = 50
hoe = 2.5 106 1
Figura 6.64
R`L = RL RC
R`L = 2 K
50
1 + (2.5 10 6 )(2 K )
Ai = 49.75
(2 K )(50)
AV =
1K + 1K 20 10 6 2 10 4 (50) 2 K
AV = 98.04
Ai =
[ (
) (
) ] }
2 10 4 (50)2 K
1 + 20 10 6 (2 K )
= 980.77[]
Z INT = 1K
Z INT
Z OT =
20 10 6
1
2 10 5 (50)
1K
Z OT = 100[ K]
175
Ing. Tarquino Snchez A.
RL' h fe
hie
2 K (50)
1K
100
-98,04
AV
V
Z INT hie
Z INT 1[ K] 980.77()
Z OT
1
hoe
1
20 10 6
50(K) 100(K )
Z OT
Z OT
II.
i. GANANCIA DE VOLTAJE
AV =
VOT
VINT
176
( 6.46)
: iC = iB hfe
VINT = hie i B + RB i E + iC RE
VOT = h fe i B RL'
VINT = i B (hie + RB ) + iC RE
VINT =
VINT
h fe RL'
RL'
h +R
E
= VOT ie
h R ' + RE
fe L RL'
V INT = VOT
AV =
(h
ie
+ R E + R E h fe )
h fe R L'
(6.47)
h fe R L'
[h + (1 + h )R ]
ie
ii.
fe
(6.48)
GANANCIA DE CORRIENTE.
Ai =
iOT iC
=
i INT i B
iC = h fe i B + (VOT V RE )hoe
VOT = iC R L'
iC = h fe i B iC R L' hoe iC R E hoe i B R E hoe
( 6.50)
177
Ing. Tarquino Snchez A.
VINT VINT
=
iINT
iB
(6.51)
iC = h fe iB ..si....hoe 0
'
L
si.hre 0
Z INT =
VINT
= hie + RE (h fe + 1)
iB
VOT VOT
VOT
=
=
iO
iO
iC |VINT =0
( 6.52)
iC = h fe i B + (VOT (i B + iC )R E )hoe
si.hoe 0
iC = hfe iB
iB ( hie + RE ) = - hre VOT iC RE
iB ( hie + RE ) = - hre VOT hfe iB RE
iB ( hie + RE + hfe RE ) = hre VOT
v OT ((hie + (1 + h fe ) RE )
=
iC
hre
v OT ((hie + (1 + h fe ) R E )
=
= Z OT
iC
h fe hre
178
( 6.53)
6.3.3.6.
6.3.3.7.
Se considera: rC y rb 0
a) Circuito equivalente en emisor comn.
C
B
iB
re
E E
Figura 6.67 Circuito equivalente con parmetros [T] para la ganancia de voltaje y corriente
179
Ing. Tarquino Snchez A.
i.
Anlisis con CE
Ai hfe
Ai
Av - hfe RL / hie
Av RL / ( + 1 ) re
Av = RL / re ( + 1 )
ZINT hie 0 ( + 1 ) re
ZIN = RB || ZINT
ZOT > 1 / hoe
ZOT es una impedancia bastante alta
ZO = ZOT || RL
Si ZOT >> RL ZO = RL
ii.
( 6.54)
( 6.55)
Anlisis sin CE
Ai = hfe =
Av = - hfe RL / ( hie + ( hfe + 1 ) RE ) , hfe =
Si + 1
Av - RL / ( re + RE )
ZINT = hie + ( hfe + 1 ) RE
ZINT = ( + 1 ) re + ( + 1)RE
ZINT = ( + 1 )( re + RE)
ZIN = ZINT || RE
ZOT > 1 / hoe
ZO = ZOT || RL
C
E
RE
RE
CE
Figura 6.68
Para DC RE = RE + RE
Para AC RE = RE
Av = - RL / (re + RE)
ZINT = ( + 1 )(re +RE)
180
6.3.3.8.
RC
RB1
C Ic
CB
B
IB
CC
E
RE
+
VIN
RL
RB2
RE
ZIN
VO
CE
ZINT
Figura 6.69 Circuito en configuracin Emisor Comn para el clculo de los capacitores
CB:
VIN
CB
Z IN
Figura 6.70
XCB << ZIN el clculo se lo realiza a la mnima frecuencia de trabajo.
El capacitor de base tiene que ser un corto circuito para alterna por lo tanto tiene que
representar una impedancia muy pequea con respecto a la ZIN.
ZIN = ZINT || RB
RB = RB1 || RB2
XCB = 1 / w CB ZIN / 10
CB 10 / w ZIN
( 6.56)
CC se coloca para bloquear la DC y deje pasar la componente AC en la carga RL , para que ocurra
esto se debe cumplir que :
XCC << RL
1/ w Cc << RL
1/ w Cc RL / 10
CC 10 / w RL
( 6.57)
181
Ing. Tarquino Snchez A.
CE :
+VCC
B
C
E
RE
RE
CE
Figura 6.71
Av = - RL / (re + RE)
Av = - RL / (re + RE + RE || XCE))
Para que CE sea un corto circuito
Para AC se debe garantizar que :
RE || XCE XCE
XCE << RE
Av = - RL / (re + RE + XCE)
La ganancia de voltaje debe ser independiente de XCE
XCE << RE
Av = - RL / ( re + RE)
debido a que por lo general RE < RE , se sugiere que se cumpla solamente la segunda
condicin.
CE 10/ ( w ( RE + re ) )
( 6.58)
182
+VCC
C
B
E
RE
CE
Figura 6.72
Todas estas expresiones deben calcularse para la frecuencia mnima de trabajo.
RB1
RC
C Ic
CB
B
IB
CC
E
RE
+
VIN
RL
VO
RB2
RE
ZIN
CE
ZINT
AC
DC
Figura 6.73
IC =
VCC VC
RC RC
( 6.59)
183
Ing. Tarquino Snchez A.
Recta de carga esttica (DC) para colector (1) (punto de trabajo Q).
m = - 1 / RC < 0.
VE = IE RE
RE = RE + RE
m = - 1 / RE > 0
IE =
VE
RE '+ RE ' '
( 6.60)
iC =
VC I C RL '+VC
+
RL '
RL '
(6.61)
m = - 1 / RL
Si iC = 0 VC = IC RL + VC
184
RL = RL || RC
RL < RC IC RL < IC RC
ie = (VE / RE ) + b
Adems el punto Q (IE ,VE) es solucin de la recta de carga dinmica.
ie = (VE / RE ) + b
b = (IE RE - VE) / RE
ie =
VE I E RE 'VE
+
RE '
RE '
( 6.62)
ie = 0 VE = VE - IE RE
Este anlisis sirve para garantizar que la seal amplificada no sufra recortes , ni distorsiones.
Se producen recortes por las siguientes razones:
1. Si Vinp supera 0'
2. Si Vop es mayor que VCC'
3. Si existe interseccin entre 1 y 2
Para que no existan recortes se debe considerar:
( 6.63)
El VCE sat es el voltaje mnimo que debe existir entre colector y emisor para que no exista
distorsin, VCEsat min = 0.3 V. Para asegurarnos que no exista recorte ni distorsin del transistor
tomaremos VCE sat = 2V.
IC > icp
185
Ing. Tarquino Snchez A.
Ahora bien para garantizar que el transistor no llegue a la regin de corte (Ic = 0 ).
iC = ICQ + iC 0
ICQ - icp 0
ICQ icp
VRC / RC Vop / RL
V RC
RC
V
RL' o
(6.64)
RE
V
RE ' e
(6.65)
186
Ejemplo 1
Disear un amplificador en emisor comn que disponiendo de una seal de entrada de 1
Vp, a la salida se tenga 10 Vp, la carga deber ser de 1 [K], si se trabaja con un TBJ tipo
NPN con min = 50, typ = 100, la frecuencia mnima de trabajo es 1KHz y la mxima 20KHz.
+VCC
RC
RB1
C
CB
CC
E
VIN = 1Vp
RB2
f = 1KHz 20KHz
RE
RE
RL=1K
VO
CE
Figura 6.76
|Av| = Vo / Vin = 10 / 1
= 10
RC = ?
VRC (RC / RL) Vop
Existen tres posibilidades para el valor de RC
a) RC << RL RL= RC || RL Rc
b) RC = RL RL RC / 2
c) RC >> RL RL RL
La solucin es verdadera si :
RC / RL 1
RC RL
RL RC de a)
RC << RL
Con esta ltima condicin se consigue que VCC baje y que la IC sea la ms grande posible.
Rc 100
RC = 1 [K] / 10
= 100 []
VRC ( RC / RL' ) Vop
187
Ing. Tarquino Snchez A.
189
Ing. Tarquino Snchez A.
Ejemplo 2
Disear un amplificador en emisor comn las siguientes caractersticas.
+VCC
RB1
RC
C
CB
CC
E
VIN
RE
ZIN
ZIN = 1,5[K]
VIN = 0.2 Vp
Av = 50
min = 8X0
fmin = 1 KHz
RL = 2.2 [K]
RL
RE
RB2
VO
CE
ZINT
Figura 6.77
()*
/2
< -. + /0 1 <
++1
4
1.5 5
225
< -. + /0 1 <
81
50
18.52 < -. + /0 1 < 44
Entonces se escoge re + R E =25
/0 2 = 4(-. + /0 1 )= 1250 K
/0 2 /2
1250 5 2.25
/8 =
=
= 2.8 5;
/2 /0 2 1250 5 + 2.25
Se escoge:
/8 = 5.1 5;
Volvemos a calcular
/8 /2 5.1 5 2.25
0
/ 2 =
=
= 1536.99 ;
/8 + /2
5.1 5 + 2.25
4>? /8
4<8 0
/2
190
(0.2)(50)(5.1 5;)
(20%)
1536.99
Considerando una tolerancia del 20%
VRC 39.82[ V]
4<8
39.82[4]
B8 =
=
/8
5.15;
B8 = 7.81[C D]
4<8
/HH =
STU STU V
STU W STU V
I.L XYZLN.[M
YZLN.[MW I.LX
= 3851.76 ;
/HH /HI
3851.76 56 5
=
= 4136.26 ; = 4.35;
/HI /HH 3851.76 + 56 5
Con los nuevos valores:
/HI /HY
56 5 4.35
/HH =
=
= 3993.37 ;
/HI + /HY
56 5 + 4.35
4H = BY /HY
4H = (0.862 [CD] 3993.37;)
4H = 3,71 [4]
41 = 4H 4H1 = 3.7 0.7
41 = 3.00[4]
/HY =
191
Ing. Tarquino Snchez A.
41
3 [4]
=
B1 7.81[CD]
/1 = 384.12 ;
/1 =
]H
Finalmente comprobamos los clculos realizados con los parmetros dados al inicio del ejercicio
/HH ()* R
/HH + ()* R
56 5 4.35
=
= 3993.37 ;
56 5 + 4.35
()* =
/HH
()* R = 2456.73;
() * = 1.521 5; 1.5 5;
/d
= 50.6755
-e + /f
Se ha comprobado que todos los parmetros se cumplen
4 =
192
Ejemplo 3
Disear un amplificador en emisor comn tal que VIN =1 Vp, | Av |= 30, RL= 4.7 K
, min =
50, fmin = 1 KHz y que permita obtener a la salida una onda como la siguiente.
Figura 6.78
Figura 6.79
RL' = RL || RC RC
RC << RL RC = 470
Para el recorte de arriba
VRC ( RC / RL' ) Vop
0 X Vop = 10 V
193
Ing. Tarquino Snchez A.
VRC ( 470 / 470 || 4.7 K ) 10 = 11V con esto aseguramos el recorte por arriba de la onda de
salida.
IC = VRC / 470
= 11V / 470
= 23.4 mA
Para el recorte de abajo.
Sea VE = 2V
RE = V E / I E
= 2V / 23.4 mA
= 85.5 RE1 = 82 y RE2 = 91
Sea RE = 91
VE = 91 ( 23.4 mA )
= 2.12 V
re = 26 mV / 23.4 mA
re 1
re + RE' = RL' / Av
RL' = RL || RC
= 470 || 4.7 K
RL 429
re + RE' = 429 / 30 = 14.3
RE' = 14.3 - 1 = 13.3
RE1 = 12 y RE2 = 18
Sea RE = 18
RE'' = REca1 - RE'
= 85.5 - 13.3
= 72.2
Sea RE'' = 68
RE = RE'' +RE
= 68 + 18 = 86
VRE = 23.4 mA ( 86 ) = 2.01 V
Ve = VC / Av
= 20 / 30
= 0.67 V
De la figura se desprende que :
VC = Ve + VC
= 0.67 + 20
= 20.67 V
VCC = VE + VCE + VRC
= 2.01 + 20.67 + 11
= 33.68 V
IB max = IC / min
= 23.4 mA / 50
= 0.468 mA
I2 >> IB max
I2 = 10 IB = 4.68 mA
RB2 = VB / RB2 = ( 0.7 + 2.01 ) V / 4.68 mA
= 579
RB21 = 560 y RB22 = 680
Sea RB2 = 560
I2 = VB / RB2 = 2.71 V / 560
= 4.83 mA
RB1 = ( VCC - VB ) / ( I2 + IB )
= ( 33.68 - 2.71 ) / ( 4.83 + 0.468 )
= 5.83 K
RB11 = 5.6 K y RB12 = 6.8 K
Sea RB1 = 6.8 K
RB1
RC
CC
C
CB
B
E
VIN
RE
CE
RB2
VO
RE
RL
195
Ing. Tarquino Snchez A.
RB1
C
CB
B
E
VIN
CE
RB2
RE
RL
VO
RB = RB1 || RB2
RL' = RE || RL
i.
GANANCIA DE VOLTAJE.
Av = VOT / VINT
VOT = ie RL'
VIN = ie ( RL' + re)
Av =
RL '
re + R L '
( 6.66)
Av 1
GANANCIA DE CORRIENTE.
ii.
Ai = ie / iB = + 1
iii.
( 6.67)
IMPEDANCIA DE ENTRADA.
iv.
( 6.68)
IMPEDANCIA DE SALIDA
= ( - iB RB - iB re ) / - iE
( 6.69)
v.
( 6.70)
( 6.71)
Se debe recordar que el clculo de los capacitores se los debe realizar a la mnima frecuencia de
trabajo.
RC
RB1
CC
C
CB
B
E
CE
RL
RB2
RE
VIN
VO
a) GANACIA DE VOLTAJE
Av = VOT / VIN
VOT = - IC RL
VIN = VINT = - iE re - iB RB
VIN = - iE( re + RB / ( + 1))
Av = ( iC RL ) / ( iB [ re + RB / ( + 1)])
Si consideramos que: iC = iE
Av =
( 6.72)
( 6.73)
RL '
R
re + B
+1
Av =
RL '
re
( 6.74)
RC
RB1
CC
C
B
E
CB
RB2'
RB2'
CE
RL
RE
VIN
VO
( 6.75)
199
Z INT = re +
RB
+1
sin CB
( 6.76)
con CB RB = 0
ZINT = re
ZIN = RE || ZINT
d) CALCULO DELOS CONDENSADORES.
( 6.77)
XCC << RL
XCE << ZIN
XCB << re ( + 1 )
La ltima expresin se la obtiene de la siguiente manera:
RL '
RB || X CB
re +
+1
XCB << RB
XCB / ( + 1 ) << re
Para que no influya CB en la ganancia, XCB << ( + 1 ) re.
Av =
Ejemplo 1
Para el circuito de la figura calcular las corrientes y voltajes de polarizacin, Av, ZIN , ZO, si
= 150.
+15 V
RB1 = 30K
C
CB
B
= 150
E
VIN
CE
RB2 = 30K
RE = 3K
VO
Figura 6.87
200
VCC = 15 V
= 150
VB = VCC / 2 ,
( RB1 = RB2 )
= 7.5 V
VE = 7.5 - 0.7 = 6.8 V
IE = 6.8 / 3K = 2.26 mA
IC = 2.26 mA
VC = VCC = 15V
IB = IC /
IB = 2.26 mA / 150
= 15.06 A
RL= RE || RL = RE
VCE = 15 - 6.8 = 8.2 V
re = 26 mV / 2.26 mA
= 11.5
Av = 3K / ( 11.5 + 3K )
= 0.99 1
ZINT = ( + 1 ) ( re +RE )
= 151 ( 11.5 + 3K )
= 454.7 K
ZOT = re + ( RB / ( + 1 ))
= 11.5 + ( 15K / 151 )
= 111
ZINT = 454.7 K y ZOT = 111
Figura 6.88
De acuerdo a estos dos ltimos clculos podemos concluir que se trata de un circuito acoplador
de impedancias.
201
Ing. Tarquino Snchez A.
Ejemplo 2
Disear un amplificador en base comn que cumpla con las siguientes caractersticas :
+VCC
RC
RB1
CC
C
B
E
CE
RL
RB2
RE
VIN
VO
Figura 6.89
| Av | = 30
RL = 1K
ZIN 100
fmin = 1KHz
Vip = 0.1 V
min = 80
Comprobacin rpida de las condiciones de diseo.
ZIN = RE || ZINT
Si ZINT ZIN RE >> ZINT
ZINT = RL / Av
RL max RL
ZINT max = RL max / Av = RL / Av
= 1K / 30 = 33.3 no es mayor que 100
por tanto se hace necesario revalorar RL
Sea RL = 6.8 K
ZINT max = 6.8 K / 30 = 226.6 > 100 si se cumple
ZIN ZINT = 100
ZINT = re + ( RB / ( +1 ))
Si re << RB / ( + 1 )
( es decir RB es mxima)
ZINT = RB / ( + 1 ) = 100
202
RB = 100 ( + 1 ) = 8.1K
ZINT = RL / Av ZIN
RL = ZIN Av
= 100 * 30 = 3K
RL= 3K = RC RL / (RC + RL)
RC = RL RL / (RL - RL)
RC RL RL / ( RL - RL)
3K ( 6.8K) / ( 6.8K - 3K) = 5.36 K
CC = 2.2 F
CE 50 / w ZIN
CE = 59.43 F
CE = 68F
Ejemplo 3
Disear un amplificador en colector comn que cumpla con las siguientes caractersticas:
+VCC
RB1
C
CB
B
E
VIN
CE
RB2
RE
RL
VO
Figura 6.90
Vip = 2V
RL = 470
ZIN 3K
min = 50
ZIN= ZINT || RB
Si ZIN ZINT > 3K
( + 1 ) ( re + RL) > 3K
re + RL > 3K / 51 = 58.82
Si re << RL
RL > 58.82
RL = RE RL / ( RL +RE )
204
RE = RL RL / ( RL RL)
RE > ( 58.82 * 470 ) / ( 470 - 58.82 ) = 67.23
Si tomo una RE baja se tendr una gran cada de y tensin en el transistor, es conveniente hacer
VRE = VCC / 2.
Sea RE = 1.5K RL = 357.86
Sea VE = 8V , VE = VCC / 2 VCC = 16 V
IE = 8V / 1.5 K = 5.33 mA
IB = 5.33 mA /
= 0. 1066 mA
I2 >> IB I2 = 10 IB = 1.066 mA
RB2 = VB / I2
= 8.7V / 1.066 mA
= 8.2 K
RB1 = ( 16 - 8.2 ) / ( 1.06 + 0.1066)
= 6.68K
RB11 = 5.6K y RB12 = 6.8K
Sea RB1 = 6.8K RB = 8.2K || 6.8K = 3.7 K
Comprobacin :
ZINT = ( + 1 ) ( re + RL)
re = 26 mV / 5.33 mA = 4.87
ZINT = 51 (4.87 + 357.86)
= 18.499.23 18.5K
ZIN = 18.5 K || 3.7K
= 3.083K
ZIN 3 K
205
Ing. Tarquino Snchez A.
Figura 6.91
a) Base comn
1. ZIN pequea
2. Av alta
3. Ai = < 1 (baja)
b) Emisor comn
Figura 6.92
1.ZIN grande
2.Av alta
3.Ai = (alta)
4.Ap alta
es usado como amplificador de potencia.
c) Colector comn
Figura 6.93
206
1. Av 1 (baja)
2. Ai = + 1 (alta)
3. ZIN grande
4. ZO pequea
es usado como circuito acoplador de impedancias
RC
RB1
CC
C
B
ZINT
E
CE
RL
RB2
RE
VO
ZIN +
VIN
Figura 6.94
| Av | = 30
Vip = 0.2 V
Zi 100
RL = 5K
fmin = 10 Khz
min = 50
Ecuaciones:
Av = RL / ZINT
ZINT = re + ( RB / ( + 1 ))
ZIN= RE || ZINT
RL = RL || RC
Comprobacin :
207
Ing. Tarquino Snchez A.
ZIN = RE || ZINT
Si ZIN ZINT
RE >> ZINT
ZINT = RL / | Av |
RL max RL
ZINT max = RL max / | Av |
= 5K / 30 = 166.86 > 100 si se cumple
ZINT ZIN = 100
ZINT = re + ( RB / ( + 1 ))
Si re << RB / ( + 1 )
ZINT = RB / ( + 1 ) = 100
RB = 100 ( 51 )
= 5100
ZINT = RL / | Av | ZIN
RL = ZIN Av
RL= 100 ( 30 )
= 3K
RL= RC || RL = RC RL / ( RC + RL )
RC RL RL / (RL - RL )
= ( 3K *5K ) / ( 5K - 3K )
= 7.5K
Sea RC = 12K
RL = RC || RL = 12K || 5K
= 3.5294K
VRC ( RC / RL ) Vop
( 12K / 3.529K ) ( 0.2 * 30 ) = 20.402 V
VRC = 20V
IC = 20V / 12K = 1.666 mA
re = 26V / 1.66mA
= 15.66
Si maximizamos RB:
VB = VCC / 2
VE = ( VCC / 2) - VBE
VCC > VRC + Vop + VCE min - Vip + VCC / 2 - VBE )
VCC > 2( VRC + Vop + VCE min - Vip - VBE )
VCC > 2 ( 10 + 6 + 2 - 0.2 - 0.7 )
VCC = 54.2 V
Sea VCC = 50V
208
VE = 25 - 0.7
= 24.3 V
RE = 24.3 V / 1,66mA
= 14.638 K 15K
RB1 = RB2 = 2RB
Sea RB1 = 10K y RB2 = 10K
IB = 1.66mA / 50
= 0.03332mA
IB = 33.32A
Comprobacin:
ZINT = ( 15.66 + (5K/ 51) )
= 113.699
ZIN = 113.699 || 15K
= 112.843
ZIN > 100
I1 = 25 / 10K = 2.5 mA IB << I1
Av = RL / ZINT
= 3.5294 K / 113. 699
= 31.041 > 30
26mV
Ie
re = 10.771
re =
209
Ing. Tarquino Snchez A.
Z INT = ( + 1)(re + R E )
= 101(10.771 + 500)
= 51587.871
Z IN = R E Z INT
= 3333.333 51587.871
Z IN = 3131.023
V RC = I C RC = 4.828 V
V RC (
2 K
1 K
) 2.326 V = 4.652 V
210
Figura 6.96
2.
hbridos [ h ].
3. Encontrar las expresiones que permitan calcular los elementos del circuito equivalente [ T ]
conocidos los parmetros hbridos de un transistor para EC y BC.
4.
5.
Disear un amplificador que permita acoplar un generador con impedancia de salida Zin
3K a una carga de 470 , se dispone de un transistor con un = 50. Adems se conoce que
el generador tiene un Vip = 2V.
Disear un amplificador en EC que cumpla con los siguientes datos: RL = 4.7 K,
Zin 4 K, Av = -20, Vip = 0.1 Sen x [V] , y el transistor tiene un min = 50.
Figura 6.97
8. Realizar un amplificador con un TBJ tipo NPN con las siguientes especificaciones.
Vin = 0.2 Sen ( 2 1000t) [ V ], RL = 2.7 K, = 100, Av = -10 , Zin 1K.
9.
212
20 V
2K
6K
+
C
B
+
E
3K
5K
600
VZ = 5.6 V
rZ = 0
+
VE
Figura 6.98
213
Ing. Tarquino Snchez A.
RESUMEN
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo (transistor NPN) o viceversa dos capas de material tipo p y una
capa tipo n (transistor PNP).
Para que el transistor acte como AMPLIFICADOR se debe polarizar la juntura BE de manera
directa y la juntura BC de manera inversa, de esta manera el transistor estar en la regin
lineal; si ambas junturas estn en polarizacin inversa el transistor est en la regin de corte, y
si ambas junturas estn en polarizacin directa el transistor est en la regin de saturacin.
Existen 3 tipos de configuraciones para el transistor con sus respectivas caractersticas, emisor
comn, base comn, colector comn.
En Emisor comn, es el factor de amplificacin de corriente en EC y es mayor a 1 entonces
amplifica corriente, la ganancia de voltaje es alta y negativa, por lo tanto la forma de onda en la
salida es desfasada 180 grados respecto de la entrada, es la configuracin ms utilizada para
amplificar debido a que tiene una impedancia de entrada alta.
Para esta configuracin (EC) existen 3 tipos de polarizacin: Circuito de auto polarizacin que
consiste en polarizar el TBJ con una sola fuente, este tipo de polarizacin es muy inestable en
relacin con la temperatura y adems tambin el factor de amplificacin de corriente aumenta
notablemente al aumentar la temperatura, es utilizado solo si la temperatura de trabajo es
constante. Circuito de auto polarizacin con resistencia en el emisor este es estable en relacin
con la temperatura, circuito de polarizacin total este es la mejor opcin debido a que en este
existe una menor dependencia del en relacin con la temperatura, es el circuito ms estable,
para resolver este tipo de polarizacin existen dos mtodos el exacto y el aproximado.
Para el anlisis AC de un transistor en cualquier configuracin existen diferentes circuitos
equivalentes: Los circuitos con parmetros [Y] que son los menos utilizados vienen dados en
funcin de una entrada una salida, una transferencia directa y una transferencia reversa; los
circuitos con parmetros [T] dados por una impedancia de entrada en ohmios una razn de
transferencia directa e inversa y una admitancia de salida, en estos parmetros existe un
equivalente diferente para cada configuracin(CC , BC, EC); por ltimo se tienen los circuitos
equivalentes hbridos que son los ms utilizados y de igual forma son diferentes para cada
configuracin en este uno de los parmetros tiene relacin directa con el del transistor (hfe=).
En Base comn, es el factor de amplificacin de corriente en BC y es menor a 1 por tanto en
esta configuracin no hay amplificacin de corriente, la ganancia de voltaje es alta y positiva
por tanto las dos formas de onda de la entrada y salida estn en fase, en este tipo de
configuracin es difcil de trabajar debido a que su impedancia de entrada es muy pequea
aunque su impedancia de salida es alta, es utilizado para amplificaciones de alta frecuencia ;
En Colector comn, +1 es el factor de amplificacin de corriente en CC y es mayor a 1 por
tanto existe amplificacin de corriente, mas no amplificacin de voltaje, las formas de onda de
entrada son similares y se encuentran en fase ,el TBJ en configuracin colector comn se utiliza
como acoplador de impedancias debido q que tiene una impedancia de entrada grande y una
impedancia de salida pequea.
214
Captulo VII
Transistores de
Efecto de Campo
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
Para construir un JFET se toma un bloque de material tipo N y se lo envuelve con un anillo de
material tipo P. Los terminales de la fuente (S) y drenador (D) se colocan en los extremos del
material tipo N mientras que el terminal de la compuerta (G) se conecta al material tipo P.
Para la polarizacin de este dispositivo se utilizan 2 voltajes, uno entre el drenador y la
fuente, y uno entre la compuerta y la fuente.
La estructura interna de un JFET de canal N se muestra en la figura 7.2. y en ella se observa la
distribucin de los materiales N y P as como los voltajes de polarizacin.
Ing. Tarquino Snchez A.
215
7.1.1. FUNCIONAMIENTO
Si se practica un corte, como se muestra en la Figura 7.3 se tiene la vista de la seccin
transversal del JFET.
Hay una unin PN entre la compuerta y el canal debido a esto se produce una regin vaca o
desrtica alrededor de la compuerta causada por la polarizacin inversa de la misma.
La compuerta normalmente se polariza en forma inversa y como resultado IG = 0.
Si VGS = 0 y se coloca un voltaje +VDS entre el drenador y la fuente como se puede observar en
la Figura 7.4.
216
Suponga que hay una resistencia uniforme entre a y b por lo que la corriente del drenador ID
produce una cada de voltaje uniforme entre a y b. El voltaje en cualquier punto del canal
contribuye a la polarizacin inversa por lo tanto a la regin vaca entre el canal y la
compuerta, esto no podra ocurrir si VDSfuera negativo a menos que fuera canal P.
Cuando tenemos VGS y VDS en el JFET (Figura 7.5) se puede concluir que: La regin vaca acta
como una vlvula de regulacin para reducir la corriente del drenador, es decir a medida que
aumenta la regin vaca Mientras ms grande es la penetracin de la regin vaca tanto
menor es la corriente del drenador.
217
El voltaje VGS que produce el corte de la corriente del drenador se llama voltaje de
estrangulamiento Vpinchoff (Vp).
=0
(7.1)
=0
(7.2)
Mediante esta explicacin del funcionamiento se puede concluir que el JFET es un dispositivo
controlado por voltaje. El voltaje de la compuerta a la fuente, controla la corriente del
drenador.
218
(7.3)
ID[mA]
VDS=VGS-Vp
VGS=0[V]
IDSS=10
VGS4=-0.5[V]
6.94
Zona de Estrangulamiento
Zona
Tridica
VGS3=-1[V]
4.44
2.5
VGS2=-1.5[V]
1.11
VGS1=-2[V]
5
10
15
20
VGS=Vp=-3[V]
25
VDS[V]
).
219
(7.4)
VGS = cte
en el punto B
VDS=10[V]
gm
Vp
VGS[V]
-2
-3
-1
(7.5)
VDS = cte
Este mtodo simple de polarizacin tiene la desventaja de requerir dos diferentes fuentes de
voltaje, positiva VDD y otra negativa VGG.
ID[mA]
VDS=VGS-Vp
VGS=0[V]
IDSS=10
VGS4=-0.5[V]
6.94
VGS3=-1[V]
4.44
2.5
VGS2=-1.5[V]
1.11
VGS1=-2[V]
5
10
15
20
VGS=Vp=-3[V]
25
VDS[V]
.! +
=0
, donde
=0
(7.6)
.!
.! +
=0
(7.7)
221
Ejemplo:
Para el circuito de la figura encuentre el valor de RD que asegurar que VDS =7 V. Si RG= 1 M,
VGG = -2 V, VDD = 12V con un JFET de canal N con IDSS = 9 mA, = -3 V.
.! +
=0
.!
.! +
=0
Encontramos ID:
"1
= 9 %& "1
! =
! =
))
12 7
1%&
2
# = 1%&
3
)*
= 5-.
222
=0
(7.8)
(7.9)
.! +
=0
=
=
=
(7.10)
.! + .!
(! + ! )
Ejemplo:
Para el circuito de la Figura encontrar voltajes y corrientes de polarizacin si la
10 %& , = 4
(7.11)
=
223
=0 y
.! +
=0
=
=
.! + .!
=
=
(! + ! )
"1
= 10 %& "1
= 10 %& "1
0
.!
. 0.5#
4
= 3.36 %&
= 19.03 %&
= . ! = (3.36%&)(0.5 -) = 1.68 3 4
= 1.683 4
= 20 3.36%&(0.5- + 2-) = 11.63 4
= 2
= 2
"1
(10%&)
1.68
"1
# = 2.93% 4
4
4
224
ID[mA]
IDSS=10
VDS=10[V]
8
A'
B'
C'
C
VGS[V]
Vp
-3
-2
-1
=
=
=
.5
5 6
6 75 8
(7.12)
(7.13)
(! + ! )
(7.14)
Ejercicio:
225
!
! +!
= 15.
270 = 1.64 3 4
279 - + 2.2:
= 1.643 4
=
"1
= 10 %& "1
0
.!
#
1.64 . 1.5 #
4
= 2.74 %&
= 5.79 %&
= 1.64 (2.74%&)(1.5 -) = 2.47 3 4
= 15 2.47 %&(1.5 - + 2.7 -) = 3.5 3 4
= 2
226
"1
= 2
(10%&)
2.47
"1
# = 1.913% 4
4
4
(7.15)
(7.16)
;<
Donde:
;<
= Voltaje DC
= Voltaje AC
= =
+ =>
Sustituyendo
(7.17)
e = por
por
= = ) + = = )** 1
?* +
(7.18)
?*
@
(7.19)
Expandiendo:
= =
+ => =
. 1
ABC
ABC
(7.20)
227
= = => = 2
ABC
= 2
.
) para el FET:
(7.22)
Nos queda:
=> =
(7.21)
;<
ABC
(7.23)
Puesto que ;< es muy pequea comparada con Vp este trmino puede despreciarse. La
ecuacin 7.22 se reduce a:
=> =
;<
;<
(7.24)
! .= =
><
! (
! .
+= )
(7.25)
+ ! .=
(7.26)
(7.27)
.! .
;<
<DE
.! .
;<
(7.28)
El signo negativo indica que existe inversin de fase tal como ocurre en el circuito con TBJ
emisor comn, este hecho puede ser utilizado para reemplazar el modelo formal para el
amplificador del FET.
228
El circuito equivalente ser entonces sin despreciar la resistencia del drenador (rd) la
siguiente:
FG
=F
(7.29)
JKLM
=Trans conductancia
0
FG
=N =F
O
>
JKLM
(7.30)
>
(7.31)
229
230
231
Si consideramos que RL' = Rd // RL y que los capacitores y la fuente VCC son corto circuito
para alterna:
=> !T
><
=> = "
><
;<
<
>
#+
GU
;<
<
<
= => . !
por lo tanto:
=> . !
=> =
=>
>
=> =
>
+ !V
GU
>
<
GU
<
+ P GU <
> + P + 1 !
= => !T
=
AY
AZ[
232
+ X GU
!T
> + (P + 1)!
W
\.5V]
NO 75V] 7 (\70)5V
(7.31)
= 2
(7.32)
De la ecuacin de ganancia:
.
>
+ . !T + P + 1 = P!T
!V T P
>
= P + 1 !
Para que sea posible el diseo de un amplificador deben cumplirse con las siguientes
condiciones:
!V T P
!V T
(7.33)
>
>0
A.NO
\`A
Adems P >
Adems el signo negativo de la ganancia indica que la seal de salida se encuentra desfasada
180 grados de la seal de entrada.
A =
GU
P. ! V T
=
V
V
> + ! T + (P + 1)!
Ganancia mxima:
A =
\.5 b ]
NO
V
> ! T
+ (P + 1)! V
(7.34)
!T = !T ||!
dGUe =
dGU = ! ||dGU e = !
dQ = !T
(7.35)
(7.36)
(7.37)
(7.38)
233
A =
\70 !g
+!g
; 7
= ! h1 +
g
(7.39)
Condicin P + 1
!T = !T ||!
(7.40)
A = N
(7.41)
Condicin:
P
<
P+1
Ganancia mxima:
A = ;
h+
;h
+5V] j8
!T = ! ||!
234
(7.42)
(7.43)
Ntese que el circuito equivalente AC del FET se puede apreciar que la impedancia de
entrada del transistor ZINT es alta, caracterstica que se utiliza para la primera etapa de
amplificacin en caso de tratarse de amplificadores en cascada as:
235
Figura 7.26.
= 1[ ]
=
"1
1
# = 1.13 %&
4
. ! = (8.2 -)(1.13%&) = 9.26 3 4
5 = 12 9.96 = 2.733 4
= 2 %& "1
5
=
=
Figura 7.27.
=
236
Anlisis DC
!
! 0+!
= 2.55[ ]
=
= 2.55 500
=
"1
= 5.6[%&]
= 0.26[ ]
= 18.546[ ]
5 = 3300
=
5
= 6.64[ ]
*m mnoXmnp q mn rq m =n r=nmqr
Anlisis AC
2
"1
= 1.453% 4
P=
= 145
!
!
T
!V T =
= 1.653t.4
!T + !
!V T
= 1.79
=
+ !V T + (P + 1)!V
dGU = ! dGUe
dGUe =
dGU = ! 0 ! = 9.093t.4
V
W ! T
GU !V T
GU 5.183 4
237
RESUMEN
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un
canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la
corriente.
Est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el
tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce.
Figura 7.29.
La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los
electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
Figura 7.30.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
(factor de amplificacin)
gm (factor de transconductancia).
238
239
BASE FLOTANTE
En este caso Ib = 0
=0
= (
)+
(
= +
= +
= ( + ) +
1
+
=
1
1
(
)
=
(8.1)
(8.2)
= !"
(8.3)
Este circuito es mejor que el anterior pero no se obtiene la condicin de mnima Ic.
( #) <
El circuito que presenta las mejores condiciones para el modo (NO) es aquel que
tiene polarizado inversamente la base del transistor.
(8.4)
Adems para evitar que el VBE(NO) sea demasiado alto ocasionando que conduzca por efecto
de ruptura tipo avalancha se debe cumplir que :
241
& '(
)& '
(8.5)
+ *+, .+
) = &
(8.6)
Si &
&
(/ )
>> &
(/ )
= 0.1 0.2 V.
(/ )
122
62
(8.7)
0
Figura 8.5. Operacin en el modo SI.
&
(/ )
=.
242
(/ )
+ & ' (/
122
6
1 8
6
(45)
(8.8)
0
Un circuito que se lo puede hacer trabajar en los dos estados modos:
Condicin de SI estacionario.
Condicin de NO estacionario.
243
RESUMEN
Circuitos de ayuda a la conmutacin en transistores conocidos comnmente como
snubber son una parte esencial en muchos de los circuitos electrnicos de potencia.
Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos
y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo
semiconductor el estrs elctrico durante las conmutaciones y asegurar un rgimen
de trabajo seguro.
A la vista de los cuales parece poco viable el tratar de solventar los problemas de
estrs elctrico (sobretensin, elevadas prdidas en conmutacin, etc.) que aparecen
en aquellos circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos semiconductores
trabajando en conmutacin, con la seleccin de un dispositivo capaz de soportar
elevadas magnitudes de tensin y corriente. En cualquier caso la decisin ltima
depender del coste y la disponibilidad de semiconductores con los requerimientos
elctricos necesarios, comparados con el coste y la complejidad del snubber
apropiado en cada aplicacin.
La funcin principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutacin es
absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el
proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la
tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de
tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los
semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de
potencia disipada y de la temperatura de la unin. Las redes de ayuda a la
conmutacin sirven para proteger a los transistores mediante la mejora de su
trayectoria de conmutacin.Los tres tipos principales de estas redes son: redes de
bloqueo o apagado, redes de disparo o encendido y redes de sobre tensin.
244
Captulo IX
Amplificadores
Operacionales
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
9.1. INTRODUCCIN
El presente captulo est dedicado al estudio detallado de los amplificadores operacionales.
Se comienza idealizando, este importante circuito integrado y se explorar su utilizacin en
diseo, se estudian el amplificador inversor y no inversor.
Se presenta un procedimiento que proporciona un mtodo general para el diseo de
amplificadores, que est configurado para realizar la suma ponderada de cualquier nmero de
tensiones de entrada.
Luego se estudiar varias aplicaciones tiles de los amplificadores operacionales incluyendo
circuitos de resistencia negativa, integradores y convertidores de impedancia.
Luego se modifica el modelo matemtico del amplificador operacional ideal haciendo los cambios
respectivos necesarios para que el modelo coincida con el amplificador operacional ideal.
245
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
En la figura 9.2 se muestra un circuito de un Amplificador Diferencial Bsico que se emplear para
analizar la relacin entre estos terminales de entrada y salida.
+Vcc
RC1
RC2
3
Vi1
Vo 1
Vo2
Vi2
RE
-VEE
Consideremos la operacin del amplificador diferencial con una sola seal de entrada aplicada al
terminal 1 y la otra terminal de entrada a tierra, es decir:
Vi 1
Vo 1
El diagrama del circuito, figura 9.4, indica la entrada senoidal aplicada en la base de un transistor
con la salida amplificada en el colector invertido.
Con la entrada (2) conectada a tierra podra esperase que no hubiera salida en (4) pero es
incorrecto.
246
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vin
t
R C1
RC2
3
Vo 1
Vo 2
Vo1
Vin
RE
-VEE
Figura 9.4. Entrada senoidal aplicada en la base de un transistor con la salida amplificada en el colector inversor.
La entrada en el terminal (1) Vi1 es un voltaje pequeo senoidal con respecto a tierra. Puesto que
RE est conectada en comn con ambos emisores aparece un voltaje debido a Vi1, en el punto de
emisor comn debido a que se produce el efecto de seguidor de emisor, este voltaje es medido del
emisor a tierra por ello el voltaje medido de la base - emisor ser opuesto a la de emisor - tierra de
Q2.
La accin de amplificacin del transistor Q2 y de la Rc2 proporciona una salida en el colector de
Q2 que es amplificada e invertida a partir de la seal que se desarrollo a travs de la base de Q2.En
resumen si existe Vi1 en (1) se produce: Vo2 en fase en (4) y Vo1 en contrafase en (3)
Entonces Vo1 y Vo2 estn desfasados y son de la misma amplitud tenemos lo siguiente (ver figura
9.5.)
a.
b.
Vo1
t
Vi1
Vo1
Vo2
Vo2
Vo1
Vi1
Vo2
t
Figura 9.5.a y Figura 9.5.b Amplificadores diferenciales con una sola entrada.
247
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vo1
t
Vi1
Vo1
Vo2
Vi2
Vo2
t
Para el caso en que las seales de entrada tengan la misma polaridad y de la misma magnitud para
el caso ideal, el V01 = 0 V = V02.
Una caracterstica del amplificador diferencial tal vez la ms importante es su capacidad para
cancelar o rechazar cierto tipo de seales o de voltajes indeseables. Estas seales no deseadas se
conocen como voltajes inducidos por campos magnticos parsitos en tierra o alambres de seal,
como variaciones de voltaje en la alimentacin de voltaje.
La importancia es que estas seales no queremos amplificar en el amplificador diferencial. Su
rango distintivo es que la seal de ruido aparece igualmente en las entradas del circuito.
Estas seales no deseadas sern canceladas o rechazadas en las salidas del amplificador
diferencial.
248
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
a.
b.
El modelo contiene:
a. Una fuente de tensin que depende de la tensin de entrada GVd.
b. Impedancia de salida Ro
c. La salida depende de la diferencia de tensin entre las entradas. Se define la tensin
diferencial de entrada como:
V = V+ V
(9.1)
d. La impedancia de entrada del amplificador operacional se representa con una resistencia Ren
V0 = G(V+ V ) = GVd
(9.2)
(9.3)
(9.4)
249
V+ V =
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V0
G
(9.5)
Si G tiende al infinito, entonces V+ - V- = 0 por lo tanto V+ = V-y como Ren es infinito, la corriente
en cada entrada inversora y no inversora es cero.
Los amplificadores operacionales prcticos tienen ganancia de tensin alta (por lo general 105 a
baja frecuencia), pero esta ganancia vara con la frecuencia. Por esta razn no se utiliza un
amplificador operacional en la forma mostrada en la figura 9.7., esta configuracin se conoce como
de lazo abierto porque no existe retroalimentacin de la salida a la entrada (esta configuracin es
til para aplicaciones como comparador). La configuracin ms comn para aplicaciones lineales
es el circuito de lazo cerrado con retroalimentacin.
Si los elementos de retroalimentacin (externos) se colocan entre la salida y la entrada inversora
disminuye la ganancia de lazo cerrado, a relacin de transferencia ya que una parte de la salida se
resta de la entrada.
La retroalimentacin no solo disminuye la ganancia total si no que hace a la ganancia menos
sensible al valor de G.
Con retroalimentacin la ganancia de lazo cerrado depende de los elementos del circuito externo y
es independiente de G.
En la figura 9.8. se muestra un circuito simple con el amplificador operacional y con
retroalimentacin negativa (lazo cerrado).
RF
RF
Ra
V-
Ra
-
Va
-
Vo
Va
+
V+
+
Vo
R
-
250
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
El mtodo desarrollado paso a paso para analizar cualquier circuito con Amplificadores
Operacionales Ideales es:
1. Se escribe la ecuacin de nodos de Kirchhoff en el terminal no inversor, V+
2. Se escribe la ecuacin de nodos de Kirchhoff en el terminal inversor, V3. Se hace V+ = V- y se resuelven las ganancias de lazo cerrado que se desean.
Nota: Al realizar los 2 primeros pasos recurdese que las corrientes tanto en V+ y V-es cero.
2.
3.
Va V V0 V
+
=0
Ra
RF
Haciendo V+ = V- se obtiene:
(9.6)
(9.7)
Va V0
+
=0
Ra RF
V0
R
= F
Va
Ra
(9.8)
251
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
RF
Ra
Rb
Rc
+
+
Vo
+
Vb
-
Va
Vc
1.
V+ = 0
2.
V V0 V Va V Vb V Vc
+
+
+
=0
RF
Ra
Rb
Rc
3.
V+ = V = 0
4.
V0 = RF (
c
V
Va Vb Vc
+ + ) = RF ( j )
Ra Rb Rc
j =a R j
(9.9)
Este resultado puede extenderse para incluir componentes no resistivos; cambiando Ra por Za y
Rf por Zf, tal como se indica en la figura 9.10.
ZF
Vin
ZA
V0
1
=
Vi
jwRC
252
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Esta expresin est en el dominio de w; pero pasando al dominio del tiempo tiene la forma de una
integral, por lo que al circuito se lo conozco como INTEGRADOR INVERSOR, tal como se indica a
continuacin:
t
1
V0 (t ) =
Vi ( ) d
RC 0
(9.11)
Para el caso en que ZF sea igual R y ZA sea igual a C estamos en el caso de un circuito DERIVADOR
INVERSOR cuya expresin es la siguiente:
V0 (t ) = RC
Vi
t
(9.12)
EJEMPLOS:
Utilizando el procedimiento paso a paso y determinar V0 en trminos de las tensiones de entrada:
1.
V-
Vo
+
V+ = 0
V0 = G(V+ V )
V0 = GV
2.
(9.12)
Vi
Rb
Vo
Ra
V+ = 0
Vi V 0 V
+
=0
Rb
Ra
253
V =
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Ra
Vi
Ra + Rb
V0 = GV
V0 =
GRa
Vi
Ra + Rb
(9.13)
Vo
R1
Figura 9.13 Amplificador no inversor.
Para analizar este circuito se sigue de nuevo el mismo procedimiento planteado en la seccin
anterior:
V+ = Vi
V 0 V V0
+
=0
Ra
RF
Vi Vi V0
+
=0
Ra
RF
V0
R
=1+ F
Vi
Ra
(9.14)
EJEMPLOS:
1.
Seguidor de Voltaje
RF
Vi
Vo
R2
Figura 9.14 Seguidor de Voltaje
V+ = Vi
V = V0
V+ = V
254
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V0 = Vi
2. Entrada no inversora con divisin de tensin.
(9.15)
RF
Ra
R1
Vi
Vo
+
R2
Vi V+ 0 V+
+
=0
R1
R2
V+ =
R2
Vi
R1 + R2
0 V V0 V
+
=0
Ra
RF
V0
R
=1+ F
V
Ra
V0
R R2
= 1 + F
Vi
Ra R1 + R2
3.
(9.16)
Vo
+
R2
V2
V1 V+ V2 V+
+
=0
R1
R2
V V
V+ = ( R1 / /R2 ) 1 + 2
R1 R2
0 V V0 V
+
=0
Ra
RF
Ing. Tarquino Snchez A.
255
V =
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Ra
V0
Ra + RF
V+ = V
V V R + RF
V0 = ( R1 / /R2 ) 1 + 2 a
R1 R2 Ra
4. Suma ponderada de dos entradas
(9.17)
RF
Ra
-
Vo
V1
10R
V2
Figura 9.17 Suma ponderada de 2 entradas.
R 1
V0 = 1 + F (10V1 + V2 )
Ra 11
(9.18)
RF
Ra
-
Vo
V1
R
V2
R
V3
Figura 9.18 Suma ponderada de 3 entradas.
R 1
V0 = 1 + F (V1 + V2 + V3 )
Ra 3
(9.19)
Ra
-
R1
V1
Vo
+
R2
V2
R3
Figura 9.19 Suma de 2 entradas con divisor de voltaje.
V V
R
V0 = 1 + F ( R1 / /R2 / /R3 ) 1 + 2
R
a
R1 R2
256
(9.20)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
i=
V V0
RF
i=
V GVd
RF
Vd = V
iRF = GV + V = V (G + 1)
Ren =
R
V
= F
i G +1
(9.21)
257
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
RF
Ra
Va
Rb
Vb
Vo
+
R
Figura 9.21. Anlisis de la resistencia de entrada.
RF
Ra
Va
Vb
Vc
.
.
Rb
Rc
Vo
R1
V1
R2
V. 2
.
Figura 9.22. Entradas combinadas invertida y no invertida
V1 V2 V3
RF
V0 = 1 +
( R1 / /R2 / /R3 / /... ) + + + ...
Ra / /Rb / /Rc / /...
R1 R2 R3
RF
RF
RF
Va + Vb + Vc + ...
Rb
Rc
Ra
258
(9.22)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.5. APLICACIONES
OPERACIONALES
9.5.1.
LINEALES
CON
AMPLIFICADORES
RF
R1
V1
Vo
9.5.2.
AMPLIFICADOR NO INVERSOR.
Vi
Vo=Vi
9.5.4. DIFERENCIAL
R2
R1
Vs1
R2
Vs2
Vo
+
R4
Figura 9.26. Diferencial
259
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vs1 V Vo V
+
=0
R1
R2
Vs 2 V + 0 V +
+
=0
R1
R4
Normalmente:
R1 = R3
R2 = R4
V =V
Vo =
R2
(Vs1 Vs2)
R1
Ra
Vi
Vo
Ren
V
Ren =
i
V+ =V =V
RA
V =V =
Vo
RA RF
RF
Vo = V 1 +
RA
(9.23)
RF
V V 1 +
V Vo
RA
i=
=
R
R
RF * V
i=
RA * R
V
RA R
Re n = =
i
RF
Z RA
Zen =
RF
260
(9.24)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vs
Vo
Vo = RCsVs
Vo = RC
d
[Vs ]
dt
(9.25)
Vo
+
A=
R
Rs +
(9.26)
1
SC
A=
R
Rs +
1
sC
=1
R
Rs
(9.27)
261
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
1
2 RC
Conclusiones:
Para valores de frecuencia menores que f c el circuito se comporta como derivador.
Para f > f c el circuito se comporta como amplificador.
R
Rs
dVs
m=
= cte
dt
A=
(9.28)
R
Vs
Vo
+
262
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vo =
1
Vs (t ) dt
RC
(9.29)
1
Rf
Rf
Zf = SC
=
1 1 + SCRf
Rf +
SC
A=
Rf
(1 + SCRf ) R
A =1 ;
SCRf ff 1 ;
Rf
1
=1 f =
SCRf
2 Rc
|Vo/Vs|
Rf/R
RfC/2
RC/2
263
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
741
propsito
general
100.000
75
2 M
715
alta
velocidad
30.000
75
1 M
5534
bajo nivel
de ruido
100.000
0.3
100 K
infinito
0
infinito
20 nA
2 mV
250 nA
10 mV
300 nA
5 mV
0A
0V
1 MHz
0.7 V/ms
65 MHz
100 V/ms
10 MHz
13 V/ms
infinito
infinito
Ideal
G(dB)
100
50
10
103
105
f(MHz)
En el caso ideal: G
En el caso real: G disminuye al aumentar la frecuencia
Varios amplificadores operacionales se compensan en frecuencia para proporcionar una
caracterstica, en la cual la ganancia de tensin disminuye al aumentar la frecuencia.
Algunos amplificadores operacionales como el 741 estn compensados con un capacitor fijo.
Otros, como el 101 permiten la adicin de un capacitor externo para que se pueda cambiar la
caracterstica G vs. f.
264
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V
GdB = 20log O
Vi
(9.30)
Vo=0
Vo 0
A. O. Ideal
A. O. Prctico
La tensin Vio se define como la tensin de entrada necesaria para que la salida sea 0.
Para el A.O.741 Vio = 2 mV.
Para medir el Vio usamos el circuito de la figura 9.36:
V
Vo=GVio
Figura 9.36. Medicin de tensin de desplazamiento
Vio
+
Vd
Ri
2Rcm
Ro
+
GVd
2Rcm
265
Vio =
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V0
G
(9.31)
Ro = 0
Ri y Rcm infinito
VIB Vo
V+
IB+
Ipol =
266
1
( IB + I B )
2
(9.32)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
RA
IBR1
Vo
IB+
V0 = GI B ( R1 RA / /RF )
Si R1 = RA//RF
(9.33)
V0 = 0
En efecto, es importante que tanto el terminal inversor como l no inversor tengan un trayecto de
DC a tierra, para reducir los efectos de la Ipol de entrada.
Las corrientes de polarizacin de entrada se incorporan en el modelo del amplificador operacional
y nos queda el esquema de la figura 9.40.
267
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vio
+
Vd
Ri
2Rcm
Ro
+
GVd
+
2Rcm
Para el circuito de la figura vamos a encontrar la tensin de salida provocada por las corrientes de
polarizacin de entrada.
RF
RA
Vo
+
RL
R1
RA= RA||Rcm
Vo
RF
Ro
Ri
+
GVd
RL
R 1= R1 ||2Rcm
Figura 9.42. Circuito equivalente del A.O.
268
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Al reemplazar la fuente de tensin con RF por una fuente de corriente en paralelo con una
resistencia nos queda la figura 9.44.
R A
GVd
RF
RF
Ib
Ib
Vd
+
R1
R A||RF
Ib (RA||RF )-GVd( RA ||RF )
RF
Ib
+
+
RI
R1
Vo = GVd.
269
Vd =
V0 =
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
(9.34)
Donde:
R A = RA || 2Rcm RA
Rcm 100 M
R 1 = R1 || 2Rcm R1
RF >> R0 ; RL >> R0
R
VO = 1 + F IB ( RA || RF R1 )
RA
Ejemplo:
Encontrar la tensin de salida para los dos circuitos de la figura 9.46 si IB = 80 nA.
100K
100K
10K
10K
Vo
Vo
10K
a) Caso a
b) Caso b
Figura9.46. Circuito de Ejemplo
a)
b)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Si los dos terminales de entrada de un amplificador operacional prctico se conectan a una fuente
de tensin comn la tensin de salida sera cero en el caso ideal. En el caso prctico esta salida no
es cero y en relacin a esta tensin se define la ganancia de tensin en modo comn Gcm .
Vo
Vin
Figura 9.47. Rechazo en modo comn
Gcm =
Vo
Vcm
(9.35)
RRCM =
G lazoabierto
Gcm
(9.36)
SR
V
t
(9.37)
271
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Los valores tpicos de estos parmetros para el A.O.741 son los siguientes:
Resistencia de entrada: Ri = 2 M
Resistencia de salida: Ro = 75
G = 1 105
272
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Rsal =
Rsal =
V
I
RO
R
R
O 1 + F
RA
RA
1+
G G
RB + RF
(9.38)
Vo
Vmx = Vsat
Regin no lineal
Vmx
G
Vd
-Vmx = -Vsat
10.
Figura 9.51 Caracterstica del A.O.
273
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vref
R
Vo
D1
Vs
D2
Vref VS = 0
V0 = 0 V
Vref > VS
Vref VS > 0 V0 = V0 mx
Vref < VS
Vref VS < 0 V0 = + V0 mx
V0 = Vsaturacin
274
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
R1
Vi
741
Vo
R2
Figura 9.54 Disparador de Schmitt
Vo
+E
-R1E
R2
R1E
R2
Vi
-E
Figura 9.55 Lazo de Histrisis
Si v i es una tensin positiva grande la tensin de salida v0 se encuentra en +E, la cual es la
tensin de saturacin del AO.
En v + la ecuacin de nodos es la siguiente:
vi v+ vo v+
+
=0
R1
R2
1 1 v
v
v+ + = o + i
(9.39)
R
R
R
R
2
1
2
1
Para encontrar el punto de conmutacin aplicamos que v- = 0 y v+ =v- cuando el amplificador
operacional sale de saturacin y tenemos:
Ing. Tarquino Snchez A.
275
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
R1
R
v0 = 1 E
R2
R2
Conforme vi se reduce a partir de una tensin positiva ms grande, la tensin de salida v0 se
conmuta de +E a -E en el punto en que v+ llega a cero. Esto ocurre en el punto en que vi cumple la
ecuacin ltima. Conforme vi se reduce ms, v0 permanece en -E.
vi =
vi =
R1
R
R
v0 = 1 ( E ) = 1 E
R2
R2
R2
(9.40)
R1
E
R2
Vi
R1
741
Vo
R2
Figura 9.56 Disparador de Schmitt Inversor
Vo
+E
R1E
R1+R2
-R1E
R1+R2
Vi
-E
Figura 9.55 Lazo de Histrisis
276
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
v = vi v + =
R1
v0
R1 + R2
(9.41)
v = v + = vi
vi =
R1
v0
R1 + R2
1)
v0 = E
(9.42)
v i Disminuye
v+ =
2)
R1
E
R1 + R2
(9.43)
v0 = + E
v i Aumenta
v+ =
R1
E
R1 + R2
(9.44)
V1
R1
V2
741
Vo
R2
Figura 9.58 Disparador de Schmitt en el caso general
va =
R1
R2
E +
v1
R1 + R2
R1 + R2
vb =
R1
R2
E +
v1
R1 + R2
R1 + R2
vc =
R2
v1
R1 + R2
(9.45)
277
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vo
+E
Vc
Vb
Va
Vi
-E
Figura 9.59 V2 como referencia
Para este caso se remplaza la tierra por una tensin de referencia v1, la segunda tensin v2 es la
entrada.
Para el caso en que v2 es la referencia y v1 la entrada se tiene como resultado la siguiente
caracterstica mostrada en la figura.
Vo
+E
Va
Vc
Vb
Vi
-E
VH
Figura 9.60 Lazo de Histrisis
Va =
R1
R
E + 1 + 1 V2
R2
R2
Va =
R1
R
E + 1 + 1 V2
R2
R
2
R
Vc = 1 + 1 V2
R2
R
VH = 2 1 E
R2
278
(9.46)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Ejemplo:
Determinar la tensin de salida del disparador de SCHMITT de la figura, si:
vi= 20 sin (200t) E = 5 V R1 = 20K R2 = 100 K.
20
20K
Vi
Vo
vi
Vo
-5
100K
Figura 9.61 Ejemplo de disparador de Schmitt
Va =
R1
20
E=
5 = 1[V ]
R2
100
Vb = 1[V ]
9.7.5. DETECTOR DE CERO
Vin
t
V01
V02
V03
t
Figura 9.62 Detector de cruce de cero
279
Vin
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
R1
Vo3
R2
vi
t
Figura 9.64 Detector de pico
Este circuito permite almacenar el valor de tensin hasta que la seal nuevamente aumente de
tensin.
Vin
Vo
P
R
280
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vi
D1
D
Figura 9.66 Circuito detector de pico
vi
t
Vo
t
Figura 9.68 Rectificador inversor de onda
281
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Rf
RA
0
0
RA
(9.47)
El diodo D1 se presenta como un circuito abierto bajo esta condicin por lo que v0 es igual a v- y es
igual a cero voltios para el tramo 1-2.
vi
t
V1
-0.6
V0
t
Figura 9.69 Formas de onda
282
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
vi v vo v
+
=0
RA
RF
1
1 v
v
v
+ = o + i
R
R
R
R
F
F
A
A1
RF
vo = vi
RA
(9.48)
La ecuacin 9.48 no depende del Vc, por tanto la retroalimentacin sirve para cancelar la tensin
codo del diodo D1, esto produce un mejor desempeo, ya que el diodo se aproxima ms al
dispositivo ideal. La caracterstica de transferencia se muestra en la figura 9.71:
V0
RF
RA
vi
Figura 9.71 Caracterstica de Transferencia
vi
VA
D2
R
Vi
R/2
D1
R||R R
t
VO
V0
R||R/2||R
t
Figura 9.72 Rectificador de onda completa y formas de onda
El circuito de la figura 9.72. se ve descrito por:
V0 = ( 2VA VB )
283
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.7.9. AESTABLE
R1
Vo
+
R2
Cuando la salida se halla en un valor positivo el capacitor se carga hacia este valor en forma
exponencial con una constante de tiempo RC. En algn punto este crecimiento en la tensin de
entrada de v- hace que el A.O. cambie al otro estado donde la tensin de salida es negativa (-E).
Entonces el capacitor empieza a descargarse hacia este valor negativo hasta que la entrada
diferencial se vuelve otra vez positiva.
La ecuacin para la curva exponencial se encuentra utilizando los valores inicial y final y la
constante de tiempo.
0 - T/2
Vinicial = +E
Vfinal = +E
Constante de tiempo = RC
V ( t ) = E + ( V1 E ) e
T/2 -T
(9.49)
Vo = V1
Vf = -E
V ( t ) = E + (V1 + E ) e
t 2
(9.50)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
T
V = v1 = E + ( v1 E ) e 2
2
E v1
(9.51)
E + v1
Ya que existen dos incgnitas T y v1 se necesita una segunda ecuacin. La entrada no inversora
durante el primer semiciclo est dada por v- = v+.Las transiciones se producen cuando Vd=0.
e
T
2
Si R1 = R2 y Vo = E ,
V+ =
R1
E
=
R1 + R2 2
(9.52)
El cambio de estado ocurre cuando la entrada inversora alcanza este valor, a partir de la ecuacin
9.50 se obtiene:
E
E
T
2 =1
e 2 =
E 3
E+
2
Tomando el logaritmo natural en ambos lados:
T
1
= ln = 1.1
2
3
T = 2.2 RC
f=
1 0.455
=
T R C
9.7.10. MONOESTABLE
v
R2
+V
o
Vooff
R1
Vo
+
C
D
t
R
-Voon
-Vo
Se asume inicialmente que el condensador est descargado, es decir, el voltaje Vc = 0 y que adems
v0 es igual al voltaje de polarizacin negativo y la salida est saturada en bajo -Vcc. Si en algn
instante aparece un pulso positivo de voltaje en V+, como se indica en la figura 1.7.2.1, se tiene que
285
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
v+ es instantneamente mayor que v-, esto lograr que el A.O. se sature en +Vcc, es decir, que
cambie del estado bajo al alto.
En estas circunstancia aparece en v+ un voltaje igual a V0off .
V+ = V0Off =
R1
Vcc +
R1 + R2
(9.53)
Pero en v- se tiene el voltaje del condensador que empieza a cargarse segn la ecuacin.
t
Vc = +Vcc 1 e RC
(9.54)
Mientras el Vc sea menor que v+ el A.O. se mantiene en estado alto. Al tiempo t1 el voltaje sobre el
condensador es igual a v+ y luego supera el valor dado por v+ en la ecuacin 9.53, por lo tanto
podemos escribir:
Vc = v + = v cuando t = t1
Entonces:
t
1
R1
VCC+ = VCC+ 1 e RC
R1 + R2
R
t1 = RC ln 1 + 1
R2
286
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Donde:
V1 =
Rb R1
Ra + Rb
V2 =
Rb V1
Ra + Rb
(9.55)
Para comprender el funcionamiento de este circuito primero suponemos por un momento que no
existen los diodos D1 y D2, con lo cual el circuito se transforma en un amplificador inversor, es
decir:
R2
(9.56)
R1
La ecuacin anterior representa una recta que pasa por el origen y que tiene pendiente negativa.
V0 = VS
1) Cuando Vs = O V
Analizamos el circuito completo incluiendo los diodos, pero cuando Vs=O. En estas circunstancias
el voltaje V1 es positivo y tiene la siguiente expresin:
V1 =
Rb V1
Ra + Rb
(9.57)
Este voltaje polariza al diodo D1 inversamente, por lo tanto se abre D1. De igual forma, D2 se
polariza inversamente puesto que V2 es negativo y tiene la siguiente expresin:
V2 =
Rb V1
Ra + Rb
(9.58)
(9.59)
2) Cuando Vs es distinto de O V
Si Vs se incrementa, entonces Vo crece negativamente, y se observa que V2 es an ms negativo,
por lo tanto D2 sigue en polarizacin inversa. Adems si Vo crece negativamente el V1 se hace
negativo, y por consiguiente obliga a D1 a conducir.
287
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
+V
Ra
V1
I1
Rb
Vo
Figura9.75 Circuito equivalente
I1 =
V1 VO
=
Ra Ra
VO =
Rb || R2
V1
Ra
Dado que Rb << R2 , que es condicin vlida para el limitador de amplitud, entonces:
VO
Rb
V1
Ra
(9.60)
288
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VS
VC
=
R1
Rb || Ra
Cuando
v0 =
Rb
V1
Ra
Por lo tanto:
V0 =
R2 || Rb
Vs
R1
v0 =
Rb
V1
Ra
(9.61)
A=
R2
R1
(9.62)
A=
R2 || Rb
R1
(9.63)
Vo
Rb V1
Ra
Vo
RbV1
Ra
t
-RbV1
Ra
t
-Rb V1
Ra
289
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
(Caractersticas del
NC
V+
v-
6 Vo
NC
v+
1
V-
+Vcc
offset
1
offset
-Vcc
290
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
argumente
su
15V
100
15V
15V
5K
1.5K
10K
-15V
33
VL
291
a)
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
b)
10
15 = 10V
10 + 5
V+ = V
V+ =
V = 10V
15 V
= 50mA
100
IE = I L
IE =
IL = 50mA
VL = RL IL
VL = 33 50mA = 1.65V
c)
IB =
IE
50mA
= 1mA
50
VR = R IB
VR = 1.5K 1m = 1.5V
15V = 100 IE + 0.7V + R IE + Vo
292
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.9.2. Determinar y graficar exactamente el voltaje de salida Vo(t) del circuito de la figura.
El interruptor s se abre para t 0 y funcin a todos los elementos ideales. Adems el
potencimetro P = 50K se encuentra en su posicin intermedia. Tambin indicar la
funcin de dicho potencimetro.
10K
Vi
1F
15V
-
22K
V2
V3
P
15V
1M
4.7K
-15V
Vo (t)
+
-15V
10K
68K
Vi
5V
3V
4s
t
Figura 9.85
V1 =
22
Vi
22 + 10
V3 =
4.7
V2
25 + 4.7
t < 4s
293
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V1 = 3.44V
Vi = 5V
t > 4s
V1 = 2V
Vi = 3
V1
3.44
V
2V
V2
4s
15V
t1
0
t2
t2
t2
-15V
V3
2.37
t1
0
- 2.37
Vo
15V
t1
4s
Figura 9.86
294
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
En t = 0
Vo = 0V por lo que V-> V+ entonces el A.O.1 se satura en bajo
En este valor se mantiene hasta que Vo = V1
0 < t < t1
V2es 15V
4.7
15 = 2.37V
25 + 4.7
V3 = 2.37V
V3 =
Vo =
1
V3 (t )dt
RC 0
Vo =
1
2.37dt
1M 1 0
Vo = 2.37t
Si Vo = 3.44V es el momento en el que se produce el cambio en la salida V2
3.44 = 2.37 t1
3.44
s
2.37
t1 = 1.52s
t1 =
t1 < t < 4 s
9.9.3.
4 s < t < t2
V2 es 15V
4.7
15 = 2.37V
25 + 4.7
V3 = 2.37V
V3 =
t1
Vo = 3.44 2.37dt
4
2 = 3.44 2.37dt
4
295
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
t > t2
Luego Vd = 0 y el capacitor se mantiene en el valor de 2V.
El Potencimetro sirve para calibrar la sensibilidad del integrador. En definitiva permite variar las
pendientes.
9.9.4.
Vo
8V
Vc
-2
4
Vi
-5V
Figura 9.87
Debido a la forma del lazo de histresis se nota claramente que el circuito que necesitamos es
aquel en el cual el voltaje de referencia se encuentra en la entrada inversora.
12V
Vre f
Vre f
R1
Vo
R de se g urida d
-12V
Vz =10
R2
Figura 9.88
Debido a las caractersticas del lazo de histresis; el voltaje mximo en la salida no es simtrico (
8V 5V) usamos un zener, el cual debe ser del voltaje menor, en este caso Vz = 5.1V.
296
Sea E = 8V
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VH = 6V
VH = 2
R1
E
R2
R1 3
=
R2 8
Adems:
3
vref = V
8
Sea:
R1 = 1K
R2 = 2.7K
R
V1
R/100
V2
Vcc
-
R1
-V1-100V2
R1
Vcc
R1/30
-Vcc
Va
Vo
R1/100
Vb
-Vcc
V1+100V2
-100 Vb -30Va
Figura 9.89
9.9.6. Empleando el circuito de la figura, disear una forma de onda DIENTE DE SIERRA
que cumpla con los valores de voltaje y tiempos indicados en lafigura 9.90
6V
-2V
8ms
2ms
Figura 9.90
Ing. Tarquino Snchez A.
297
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Figura 9.91
Vcc
-2
Vc
2
Vo
-Vcc
Figura 9.92
Sea
Vz = 10V
Vc = 2V
Va + Vb
Vc =
2
R
Vc = 1 + 21 Vref
R22
Vref =
2 R22
Vc
=
R21 R22 + R21
1+
R22
VH = 8V
298
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VH = 2
R21
Vz
R22
entonces :
R21
= 0.4
R22
Sea
Luego
Por lo que se utilizar
Vref =
R22 = 10K
R21 = 4K
P2 = 15K
Vc
2
=
R21 1 + 0.4
1+
R22
Vref = 1.428V
Para determinar el P1:
1.428V =
R12
24V
R12 + R11
Sea R12 = 1K
1.428
1
=
24 1K 1K + R11
entonces
24K
1K
1.428
R11 = 15.8K
R11 =
luego P1 = 1K + 15.8 K
P1 = 16.8 K
Sea
Figura 9.93
P1 = 20K
Vcc = Iz.R1 + Vz
Vcc Vz
R1 =
Iz
Sea
Iz = 10mA
Vcc = 15V
R1 = 500
Sea
R1 = 470
299
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
V
t
V = 8V
Ic = C
t = 0.8ms
Sea Ic = 1mA
C=
1m 0.8m
8V
C = 0.1F
Sea
C = 0.1F
Figura 9.94
1m
R3 + P3 = 12K
Figura 9.94
Id
Sean:
R3 = 10K
P3 = 5K
Ic
R2
A2
+
Id
10m
R2 = 930
Sea
300
P3
R3
-12V
Figura 9.95
R2 = 1K
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
La funcin de transferencia.
Si R1R4 = R2R3 dibujar asintticamente el diagrama de Bode de
que tipo de circuito es.
Repetir el numeral b) si R3 tiende al infinito.
magnitud e indicar
Z
C
R2
V1
R1
Vi
+
Vo
R3
V2
R4
Figura 9.96
R2
Z = sC
R2 sC + 1
sC
R2
Z=
1 + sR2C
Por superposicin:
V2 = 0
R2
Vo =
Vi
R1 (1 + sCR2 )
V1 = 0
R4
Z
Vo =
1 + Vi
R3 + R4
R1
Vo =
R4
R2
1 +
Vi
R3 + R4
R1 (1 + sCR2 )
301
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
R4 R1 + sCR1R2 + R2
Vi
R3 + R4 R1 (1 + sCR2 )
Vo =
De lo que se obtiene:
T(s) =
R4 R1 + sCR1R2R4 R2R3
R1 ( R3 + R4 )(1 + sCR2 )
T(s)
Si R1R4 = R2R3
T(s) =
sCR1R2R4
R1 ( R3 + R4 )(1 + sCR2 )
20dB/de
c
cero:
fo = 0
polo:
fp =
1
2 R2 C
T ( s 0) = 0
T(s ) =
T(s0) =
0
fp
R4
R3 + R4
Figura 9.97
Figura 9.98
302
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
T(s ) =
T(s) =
|T(s)|
Z
R1
R2
R1 (1 + sCR2 )
Cero:
No existe.
Polo:
1
fp =
2 R2 C
fp
T(s 0) =
R2
R1
Figura 9.99
T(s) = 0
9.9.8. Disear un circuito que me permita obtener la forma de onda Vo en su salida, que se
indica en la figura, a partir de la seal de entrada que tambin consta en la misma
figura. Suponer que se dispone de elementos ideales.
Vi [V]
t
Vo [V]
12
0
-12
Figura 9.100
303
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Debido a las caractersticas del voltaje de salida nos podemos dar cuenta que el circuito mediante
el cual podemos obtener ese Vo es con un disparador de Schmitt.
12V
-
V2
Vo
+
R3
V1
-12V
R2
Figura 9.101
Vc = 4 = V1
R2
R2 + R1
VH = 8 = 2E
R1
R2 + R1
E = 12V
R1
1
=
3 R 1 + R2
1+
R2
=3
R1
R1 = 10K
R2 = 20K
304
12V
R2
=2
R1
Sea
Vo
Vc
4
8
Vi
-12V
Figura 9.102 Lazo de histresis
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Vi1 [V]
Figura 9.103
1
f1 = 100Hz
0
-1
Figura 9.104
Vi2 [V]
1
f2 = 400Hz
0
-1
t
Figura 9.105
Respuesta a Vi1
Vo =
68
Vi1
6.8
Vo = -10Vi1
Ing. Tarquino Snchez A.
305
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Respuesta a Vi2
68
10
Vo =
1 +
Vi2
10 + 100 6.8
Vo = Vi2
La respuesta total, por superposicin es:
Vo = Vi2 10 Vi1
Analisis de la frecuencia:
Vi1
T1 =
1
1
=
f1 100
T1 = 10ms
Vi2
T2 =
1
1
=
f2 400
T1 = 2.5ms
Graficando:
V [V]
11
9
10
15
20
t [ms]
-9
-11
Figura 9.106
306
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Figura 9.107
Figura 9.108
Figura 9.109
307
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.10.4. Graficar la Vo(t) en el siguiente circuito si se tiene las seales de entrada indicadas
en la figura.
Figura 9.110
Vi1 [V]
2
0
-1
12
22
30
t [ms]
Figura 9.111
Vi2 [V]
2
0
-1
12
22
30
t [ms]
Figura 9.112
308
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Figura 9.113
309
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
RESUMEN
Un amplificador operacional (comnmente abreviado A.O., op-amp u OPAM), es
un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que
tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
El ms conocido y comunmente aplicado es el UA741 o LM741.
El primer amplificador operacional monoltico, que data de los aos 1960, fue el
Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709
(1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde
sera sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y
fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar.
Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemticas (suma, resta,
multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc.) en calculadoras analgicas.
De ah su nombre.
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin
se dice que las corrientes de entrada son cero.
310
Captulo X
Elementos de
cuatro capas
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
10.1 EL TIRISTOR
Es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un
componente idneo en electrnica de potencia. El Triac por su parte no es sino la variante
bidireccional.
10.1.1
Los TRIACs que se derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionales.
311
nodo
nodo
Puert a
P
N
P
N
C todo
a.
Pue rta
C todo
b.
Los dos terminales principales son el nodo y ctodo y la circulacin entre ellos de corriente
directa est controlada por un electrodo de mando llamado puerta.
El SCR es un elemento unidireccional, una vez aplicada la seal de mando a la puerta el
dispositivo deja pasar una corriente la cual tiene un sentido nico. Este Tiristor se lo conoce
como SCR por sus siglas en ingls (silicon controlled rectifier). Este dispositivo cumple con
varias misiones:
Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin
con la corriente principal IAK se produce el fenmeno de amplificacin de corriente.
que
312
nodo
IA
Puerta
P2
P2
N2
P1
N1
N2
N2
P1
P1
J3
J2
N1
P1
N2
N2
P1
P1
J2
J1
N1
1
Ctodo
Ctodo
nodo (+)
IA
Q1
2I A
1I A
Q2
G
IA
Ctodo (-)
Estos portadores tras su difusin en las bases de los transistores llegan a J2 donde la carga
espacial crea un intenso campo elctrico haciendo que J2 est en polarizacin inversa.
I
= I
(10.1)
= I
(10.2)
I =I
+I
+I
I = I + I +I
313
(10.3)
(10.4)
+ =1
= 0.5 " = 2
(10.5)
(10.6)
Si
aumenta, la corriente I y consecuentemente tambin aumentan
aumenta y si la
dndonos como resultado la siguiente expresin:
+ = 1
pequeo:
pequeo + 0
=
el tiristor presenta alta impedancia.
b)
aumenta:
tambin aumenta con lo cual aumentan tambin la I y obteniendo la siguiente
La
expresin:
+ =1
=
el tiristor presenta baja impedancia.
314
Efecto Fotoelctrico: por efectos de la luz se produce la activacin del tiristor en el caso
de un fototiristor.
Anodo (+)
IA
2
IC1 = IG 1
IC2 = IG 1 2
G
Ctodo (-)
315
IF
IFAV
4
3
VR
VRSM
VRWM
VFDM
VFT
VFPM
VD
VF
1
5
IR
Figura 10.5. Curva caracterstica del SCR
Si se aplica una seal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensin del cebado (de
activacin o conduccin) de ste, tal como muestra las siguientes curvas que se indican en la
figura 10.6.
Cuando la ( sea igual a cero el tiristor no se dispara hasta que alcanza el voltaje de disparo
entre nodo y ctodo. A medida que aumenta la ( disminuye el valor de la tensin de
disparo. Para prevenir posibles disparos espordicos del tiristor se puede conectar una
resistencia en paralelo entre la compuerta y el ctodo como se indica en la figura 10.7.
IA corriente de nodo
VA-K (V)
IG4
IG3
IG2
IG1 0
316
Figura 10.7. Circuito para evitar un posible disparo prematuro del SCR.
Las corrientes de fuga en el SCR imponen algunas de las limitaciones inherentes a este
dispositivo. Estas corrientes de fuga son:
$) :
&:
SMBOLO
PALABRA INGLESA
SIGNIFICADO
AV
D
F
G
H
L
M
N
P
R (1er lugar)
R (2do lugar)
S
W
Average
Direct
Forward
Gate
Hold
Latching
Maximun
Negative
Peak
Reverse
Recurrent
Surge
Working
Media
Continua
Sentido Directo
Puerta
Mantenimiento
Enganche
Mxima
Negativa
Pico o cresta
Inversa
Recurrente
Accidental
De servicio
Corriente Directa Media: es el valor medio de los valores instantneos de corriente directa
nodo-ctodo en el tiristor para un intervalo dado de tiempo. Su smbolo es $ * .
$ *
,+ -./
(10.7)
317
Corriente Accidental de Pico: es el valor que puede alcanzar una punta de corriente nodoctodo en forma accidental, esto es transitoriamente y no de modo recurrente, su smbolo es $01 .
Corriente Mxima de Puerta: la corriente mxima de puerta se simboliza con ($0 y es el valor
mximo instantneo que puede alcanzar una punta de corriente en el electrodo de mando del
tiristor.
Tensin Inversa de Ruptura: es la tensin inversa que produce la ruptura del elemento y se
designa como && .
Tensin Inversa Recurrente: la tensin inversa recurrente se designa con &31 y se define as al
valor mximo que puede tomar la amplitud de la tensin inversa peridica aplicada entre el nodo
y el ctodo del tiristor.
Tensin Inversa Transitoria o Accidental: es &01 este valor limita la tensin inversa ctodonodo a la que puede someterse el tiristor durante un intervalo dado de tiempo.
Tensin Directa de Pico en Bloqueo: es )31 (o $)1 ) y su valor fija un lmite a la tensin
mxima aplicable entre nodo-ctodo del tiristor con puerta flotante, sin riesgo de disparo.
Potencia Pico de Puerta: es PGFS y corresponde a la potencia mxima disipada en la unin puertactodo en el caso de aplicarse una seal de disparo no continua.
318
&41
) es la tensin
9.
Corriente de Puerta: se representa por ( , y en una serie dada de tiristores, el valor mximo
necesario para asegurar el cebado de cualquier elemento se designa por (6 .
(6
(6
(6
1 en los
-=;
%*<=
(10.8)
%+
a)
a)
%*
aplicacin sin conduccin previa: cuando se aplica una rampa de tensin en polarizacin directa
%+
a partir de un nivel cero, la zona desierta se establece en la capa de puerta slo cuando se han evacuado
las cargas mviles por la corriente:
%*
I=C %+
(10.9)
%*
Para valores suficientemente elevados de
el tiristor puede vascular al estado de conduccin directa.
%+
%*
en conmutacin: consideremos un triac en estado conductor, por ejemplo, cuando conduce el
%+
tiristor N1P1N2P2.
N4
N2
P
N3
I
Figura 10.8.
%*
%+
en conmutacin
319
La
%*
en conmutacin se asemeja ms al fenmeno de rebloqueo de los tiristores. El circuito de
%+
%*
%+
En los triacs encontramos de nuevo todos los aspectos relativos a la como son el riesgo de
%+
cebado local asociados a la aparicin de puntos calientes, etc.
%7
No obstante, el triac puede presentar, en rgimen de
algunos fenmenos propios y
%+
caractersticos. En efecto, su estructura geomtrica, comparada con la del tiristor, es
relativamente ms compleja, y esto sobre todo en la regin de puerta. La creacin de puntos
calientes en sus alrededores puede modificar considerablemente las caractersticas de las
%7
se indica en la figura
uniones en la zona de mando. El circuito de proteccin contra el
%+
10.10.
%7
%+
320
Durante la conduccin del SCR el Q1 est en corte, en otras palabras est en circuito abierto
ya que por la base est circulando una corriente igual a cero, esto evitar que el circuito de
apagado afecte a la conduccin del SCR. Para condiciones de apagado se aplica un pulso
positivo a la base de Q1 ponindolo en conduccin con lo que se produce una baja
impedancia entre emisor y colector y el potencial de la batera VB aparecer entonces
directamente en el SCR forzando la corriente a travs de l en la direccin inversa para el
apagado. Por lo general los tiempos de apagado de los SCR son del orden de los 5 a 30 s.
Un interruptor esttico
Un sistema de control da fase
Un cargador de bateras
Un controlador de temperatura
Un sistema de luces de emergencia.
321
10.3. EL TRIAC.
10.3.1. DEFINICIN.
322
A1
Puerta
A2
SCR
SCR
A2
Figura 10.17. Circuito Equivalente
I
V2 +
VG -
V2 +
VG +
V2 VG -
V2 VG +
VG
III
IV
323
CUADRANTE
V2
VG
NOTACIN
SENSIBILIDAD
I
II
III
IV
>0
>0
<0
<0
>0
<0
<0
>0
++
+--+
muy buena
buena
muy buena
regular
a) Disparo en el primer cuadrante (++): el triac se dispara como un tiristor normal. La zona
P1 es la puerta y la unin N1P1 inyecta portadores producindose el disparo del tiristor entre
P2 y N1 (ver figura 10.19.). La corriente IG mnimo de disparo es funcin de la reparticin de
los cortocircuitos entre N1 y P1 es decir del valor de la resistencia R colocada entre G-A1.
324
portadores. El tiristor que queremos activar es el formado por las capas N3P2N2P1, como se
detalla en la figura 10.21.
12
10
8
6
4
2
D
B
0.4 0.8 1.2 1.6 2
2.4
IG (A)
($
325
= AB
(10.10)
0 >?@
(10.11)
CE F
corresponde a 5(
CE
0 CE
*M NO
&Q NO
A(
&M NP
= A0
C8
+ A(
CE
CE
A(
C8
CE
CE
4Q<T NO
&Q NO
VG
= 32
(10.12)
7
(10.13)
V o = 2v
Recta de carga
Io=75mA
E
R
IG
o c
G
326
El voltaje inverso de puerta debe permanecer inferior al valor mximo admisible, lo que
implica el empleo del diodo de proteccin D.
327
5IGT
IGT
t (us)
0.1 0.5
328
b.3.) disparo por impulsos alternados positivos y negativos: es recomendable en este caso el
uso de impulsos positivos durante los semiciclos positivos y de impulsos negativos durante
los semiciclos negativos de la tensin de alimentacin. Dispara en las condiciones ms
favorables (1er y 3er cuadrante).
Va
Tensin de umbral
VF
ngulo de bloqueo
ngulo de conduccin
329
< 180
A ; ln
= 2.3 A ; log
(10.14)
para un valor nominal aproximado de la relacin intrnseca = 0.63, tenemos que el perodo
ser:
W=A ;
Generalmente se limita a A2 a un valor de 100 aunque para ciertas aplicaciones puede
tomar valores de 2k a 3k. A tiene un valor entre 3k a 3M.
El lmite superior de A est determinado de forma que la corriente de pico de emisor
permanezca superior a IP a fin de que pueda bascular el UJT. La tensin de alimentacin debe
330
situarse en una gama comprendida entre 10 y 35V; esta gama determinada por abajo por el
mnimo valor aceptable de la seal de disparo obtenido y por arriba por la potencia mxima
admisible por el UJT.
Si se aplica el impulso de salida 2 del circuito de la figura 10.31. directamente o por medio
de resistores en serie a las puertas de los tiristores, el valor de RB1 ha de ser lo bastante
pequea para evitar que la tensin continua producida por la corriente de interbase tome un
valor superior a la tensin mxima de puerta (6 que no activa al tiristor.
10.5.2.1. DETERMINACIN PRCTICA DEL CIRCUITO:
Se lo realiza partiendo de familias de curvas relativas del UJT tipo 2N2647, los cuales indican
la tensin de alimentacin , el ; y la A2 .
CURVA
]^_ . (ohm)
`_ ab (V)
C80
27 10%
20
C60(2N2023
27 10%
35
47 10%
20
TIRISTOR
C55-C56
C52(2N1792-78)
C50(2N1009-16)
Tabla 10.3 Caracterstica de las Curvas para el UJT
V 1 (V )
30
B
C
20
A
D
10
0.1
10
C 1 (uF)
331
A 13 D
1M
47 0
K
SCR
G 20D
(G E)
24 0 V
~
0 .2 uF
SUS
D 13 D 1
10 0
El disparo por conmutador bilateral SBS que no es ms que la asociacin en antiparalelo de dos SUS se
basa en los mismos principios como nos indica la figura 10.38.
333
El DIAC gobierna a un triac que alimenta en CA a la carga. La potencia que esta recibe vara
efectivamente con el ngulo de conduccin impuesto por el potencimetro.
En cuanto se conecta la tensin es decir en cuanto se presenta el primer semiperodo el
condensador C empieza a cargarse a travs del potencimetro P y el resistor en serie R.
Cuando alcanza en su carga la tensin de disparo del DIAC (alrededor de 30V) este ltimo se
hace conductor y el condensador se descarga sobre el circuito de puerta del triac que se
334
= 0.7
= 0.5
= 5 f
* = 3 ef
* = 2
)
Figura 10.42
Calculando :
4 = ) + Vhh
4 = 0.5 + 0.7 28V
Ing. Tarquino Snchez A.
335
= 20.1
adems:
22
<A<
22
Sea
/
= A ; ln
*
4
10eq = 100d ; ln
; = 0.08r
28 2
28 20.1
10.6.2. En el circuito de la figura determinar R, C para que el SCR se dispare 50ms despus de
cerrarse s.
Figura 10.43
st = _ au
s` = _vv au
20
=
= 0.5
20 + 20
336
= 0.7 + Vhh
= 0.7 + 0.5 40
= 20.7
22
<A<
22
40
4w 20.7
<A<
100 ef
1 ef
400 < A < 119.3 K
/ = A ; ln
22
50 eq = A ; ln
A ; = 68.61e
22
40
40 20.7
Sean A = 6.8d
; = 10r
10.6.3. El circuito de la figura 10.45 sustituye un interruptor activado por sonido.
Determinar:
a) El valor del voltaje Vi para el cual se dispara el SCR.
b) La resistencia R, sabiendo que el SCR se dispara con un voltaje de compuerta
= 0.7
( = 1 y con una corriente ( = 1ef. Para el diodo,
c) Justifique la utilizacin del diodo y del pulsante P.
Figura 10.44
a)
337
Figura 10.45
3.75
100
100 + 1
3.75
=
101
=
= 37.12 e
Para valores mayores que 37.12e , el A.O. se satura en alto, lo que provoca que el diodo
conduzca momento en el cual se dispara el SCR.
b)
A=
)
(
1d
A+
= 1 ef
)
15 0.7 1
A=
2ef
A = 6.65d
Para que al saturarse el A.O. se dispare correctamente el SCR se debe cumplir que:
338
R
RL
6.8K
Vz 10V
Vin
=0.7
0.1F
100
78
j
j
j
Figura 10.46
= 160qz{ 377/
78
= 0.7 10 + 0.5
= 7.5
/ W
W = A ; ln
1
1
W = 6.8d 0.1|r ln
W = 0.818 eq
1
1 0.7
} = ~/
} = 377 0.818e A.
} = 0.3084 A.
339
} = 17.67
1 = t1
Que constituye el ngulo de disparo del SCR.
vIN
vC
vR1
Figura 10.51
340
10.6.6. En el circuito de la figura graficar detalladamente las formas de onda de los voltajes
en los puntos A, B, C, D.
Adems determinar la corriente media por la carga RL.
Y la potencia promedio disipada en la misma. Suponer que todos los elementos son ideales y
que el zener cuando conduce se halla trabajando en la regin zener.
Rs
6.8K
6.8K
R1
RL
15
3.3K
R3
Vz 10V
=0.7
0.1F
C
SCR
Vf = 160sen t V
f = 60Hz
C 470
100
R3
Figura 10.52
= 0.7
Para el UJT:
A22 = 9d
j = 10|f
* = 2
* = 3ef
=
Cuando
=0
R h = 0.7(9K)
R h = 6.3K
Por lo que
R h = 2.7K
Debido a que
XCE
10
A + A2
10
A22 + A + A
100 + 6.3d
10 = 5.16
9d + 3.3d + 100
Figura 10.53
341
= 5.16 + 0.5
= 5.66
<A <
10 2
10 5.66
<A <
3 ef
10|f
por lo que
2.6 d < A < 434 d
Por lo que el valor de R1 = 6.8K cae dentro del intervalo y asegura el disparo del UJT.
Tiempo de carga del capacitor:
/ = A ; ln
+ A
j
para el circuito propuesto cuando el SCR se dispara, cortocircuita al circuito de disparo por lo
que el capacitor se descarga totalmente.
Como la descarga del capacitor se puede considerar instantnea:
W /
/ = W = 6.8d 0.1| ln
/ = W = 0.568 eq
10 0
10 5.66
} = W = 0.568 eq
} = 12.3
Clculo de la corriente:
1
160 qz{
=
.
2
15
160
=
qz{ .
2 15
342
= 3.36 f
5)
1
160
=
5)
160
=
2
5) = 425.83I
qz{
.
15
qz{
.
15
343
Figura 10.54
344
Figura 10.55
Figura 10.56
10.7.3. En el circuito de la figura encontrar los valores, medio y eficaz del voltaje en la carga y
en los SCRs. Sabiendo que el disparo a los SCRs es simtrico y de 80o elctrico, medidos al
inicio del semiciclo en el cual estn polarizados directamente.
Figura 10.57
345
RESUMEN
Tiristor
Son dispositivos construidos con capas semiconductoras (pnpn), incluyen diodos de cuatro
capas, SCR, LASCR, diacs, triacs, SCS y PUT.
El diodo de cuatro capas es un tiristor que conduce el voltaje a travs de sus terminales
excede el potencial de ruptura.
Modo de operacin: tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente
electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o
bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no
son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede
observarse tambin en el diodo Shockley.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso
momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate)
cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es
mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje,
abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de
fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin
del elemento (por avalancha en la unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en
la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el
dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el
nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el
dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede
controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando
la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de
la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente
suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin
nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y
la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.
346
Captulo XI
OPTOELECTRNICA
11.
OPTOELECTRONICA
El inters por los dispositivos sensibles a la luz ha aumentado casi a un ritmo exponencial en
los ltimos aos. El campo resultante de la optoelectrnica cobrar un gran impulso en la
investigacin a medida que se realicen esfuerzos para mejorar la eficiencia.
En la actualidad los dispositivos sensibles a la luz se clasifican en elementos:
11.1.
INTRODUCCION.
Las fuentes luminosas ofrecen una fuente de energa nica, que se transmite en paquetes
pequeos discretos denominados fotones, los cuales tienen un nivel energtico que se
relaciona directamente con la frecuencia de la onda luminosa viajera, de acuerdo con la
siguiente relacin:
W = h f
[Joules]
(11.1)
-34
Donde "h" es la constante de Planck, y es igual a: h = 6.624 x 10
[Joule-segundo].
La ecuacin 11.1, establece una relacin directa de la energa asociada a las ondas luminosas
incidentes con la frecuencia, en donde:
c
f
W = h
(11.2)
Donde:
347
1 = 10-10 m
1 m = 10-6 m
Figura 11.1. Respuesta Espectral Relativa para el Si, Ge y Se comparada con el ojo humano.
11.1.1.
Es aquella fraccin de la potencia radiante total emitida por una fuente luminosa, que se
encuentra dentro de la regin de luz visible.
Se lo mide en: [lm] o en [W], donde:
1 [lm] = 1 lumen = 1.496x10-10 [W].
11.1.2.
Es la medida de la cantidad de flujo luminoso que cubre un rea superficial. Se la mide en:
[lm / pie], en pie-candela, (foot-candles) [f-c] o en [W / m], donde:
1 [lm / pie] = 1 [f-c] = 1.609x10-9 [W / m].
348
11.2.
Son elementos que experimentan un cambio elctrico reversible cuando son expuestos a la
luz de una apropiada longitud de onda. Los dispositivos detectores de luz son:
- Los Fotodiodos.
- Celdas Fotoconductoras.
- Fototransistores.
- SCR activados por luz.
11.2.1.
EL FOTODIODO.
V0
1000 f-c
-200
2000 f-c
-400
3000 f-c
4000 f-c
-600
-800
LA CORRIENTE DE OSCURIDAD:
Es la corriente que ocurre sin iluminacin aplicada.
Como se puede ver en la figura 11.3, la corriente solo retorna a cero con un voltaje de
polarizacin aplicado igual a Vo positivo.
En la caracterstica del fotodiodo, el espaciamiento casi igual en las curvas para el mismo
incremento de flujo luminoso, revela que la corriente inversa y el flujo luminoso se
relacionan en forma muy cercana a la lineal, como se puede ver en la figura 11.4 a
continuacin.
I (A)
600
400
200
1000
2000
3000
H (f-c)
Como se puede ver en la figura 11.1, el Germanio (Ge) abarca un espectro de longitudes de
onda ms amplio que el Silicio (Si), esta propiedad lo hara ptimo para luz incidente en la
350
11.2.1.1. APLICACIONES.
El fotodiodo puede emplearse para:
a) Sistema de Alarma.
b) Sistema para contar elementos sobre una banda de transporte.
a) SISTEMA DE ALARMA.
La corriente I fluye en tanto que el haz luminoso no sea interrumpido. Si es interrumpido, la
corriente I decae a la corriente de oscuridad y suena la alarma.
Fuente
de Luz
FOTODIODO
Detector
Haz Luminoso
ENTRADA
Figura 11.5. Sistema de Alarma.
b) SISTEMA DE CONTEO.
A medida que pasa un elemento, la I decae a la corriente de oscuridad y el contador es
incrementado en uno.
F O T O D IO D O
D e te c to r
F u e n te
de Luz
351
Ing. Tarquino Snchez A.
11.2.2.
CELDAS FOTOCONDUCTIVAS.
Cristal
Cinta
Metlica.
b)
a)
R L
= coeficiente negativo
La figura 11.7 b), nos muestra la estructura de la Celda Fotoconductiva, la cual est hecha en
base a un cristal en el cual se ha puesto un material conductor (cinta metlica), y se le ha
rellenado de material semiconductor (Selenio (Se)). Tambin se indica la relacin de
proporcionalidad entre la resistencia (R) y la longitud de la cinta metlica (L) elevado al
exponente (), donde es el coeficiente negativo, que depende de la Intensidad Luminosa
(H).
NOTA: La Celda Fotoconductiva no tiene una unin como la del fotodiodo. Simplemente una
capa delgada del material conectada entre terminales, se expone a la energa luminosa
incidente.
352
Cd
CdSe
Tiempo de respuesta
100 ms
10 ms
EG
[eV]
CdS
CdSe
PbS
PbTe
PbSe
Si
Ge
2.45
1.74
0.4
0.34
0.25
1.12
0.66
RANGO DE
RESPUESTA
UTIL [nm]
420 - 800
680 - 750
500 - 3000
600 - 4500
700 - 5800
450 - 1100
550 - 1800
PICO
[nm]
515 - 550
675 - 735
2000
2200
4000
850
1540
11.2.2.1. APLICACIONES.
La figura 11.9 muestra un Circuito Regulador de Voltaje empleando una celda
fotoconductora. El objetivo de este circuito es mantener el voltaje Vo a un nivel fijo ante
variaciones del voltaje de entrada. As si Vi disminuye, la intensidad luminosa de la lmpara
disminuye, haciendo que la R aumente para mantener el voltaje de salida Vo a su nivel
nominal como lo muestra la relacin del divisor de voltaje:
V0 = Vi
R
R1 + R
(11.3)
11.2.3.
FOTOTRANSISTORES.
353
El fototransistor es un dispositivo que tiene una unin P-N de colector de base fotosensible.
La corriente inducida por efectos fotoelctricos es la corriente de base del transistor. Si
asignamos la notacin I para la corriente de base fotoinducida, la corriente de colector
resultante en la base, aproximada, es:
Ic hfe I
(11.3)
ICE (mA)
H=5.0 mW/cm
8.0
H=4.0 mW/cm 2
4.0
H=3.0 mW/cm 2
H=1.25 mW/cm
20
40
60
V (V)
a)
Figura 11.10. a) Caractersticas del fototransistor para diferentes valores de intensidad luminosa. b) Smbolo.
Ntese las similitudes entre estas curvas y las de un transistor bipolar tpico. Como es de
esperarse, un incremento en intensidad luminosa es un incremento en la corriente de
colector IC.
Para tener una idea de las magnitudes de la Intensidad luminosa [H] y la corriente de base
IB, aparece el grfico de la figura 11.11 a continuacin, donde se indican dichos parmetros.
de 10.
B
11.2.3.1. APLICACIONES.
Para lectores de tarjetas perforadas, diseo de circuitos lgicos, control luminoso, sistemas
de conteo, etc.
EJEMPLO: Compuerta AND,NOR,NAND.
11.2.4.
Es un SCR cuyo estado es activado por luz, que incide sobre una del semiconductor de silicio
del dispositivo. En la figura 11.14, a continuacin, se muestra su smbolo.
355
Ing. Tarquino Snchez A.
11.2.4.1. APLICACIONES.
Una aplicacin interesante de un SCR activado por luz (LASCR), es en los circuitos AND y OR
de la figura 11.15 a continuacin.
11.3.
11.3.1.
LED.
infrarrojo.
En la figura 11.16 se indica el smbolo del Diodo Emisor de luz LED.
11.3.1.1. APLICACIONES.
Los diodos emisores de luz son utilizados como indicadores en paneles electrnicos de
control, tambin como Relevador semiconductor ptico el cual se muestra en la figura 11.17.
Un relevador sirve para interrumpir indirectamente una corriente elctrica mediante otra
corriente. As, el relevador semiconductor ptico de la figura 11.17, que no puede emplearse
para aplicaciones de corrientes muy altas, opera de la siguiente manera: cuando una
corriente circula por el LED, ste emite luz. La luz del LED incide sobre el fotodiodo, el cual
conduce mientras el LED permanece activado. De este modo el fotodiodo acta como un
interruptor que se enciende y apaga por el LED.
11.3.2.
EMISORES INFRARROJOS.
Son dispositivos de estado slido de ARSENIURO DE GALIO, que emiten un haz radiante
cuando se polarizan directamente. Cuando la unin se polariza en forma directa los
+
electrones e de la regin N se recombinan con los h en exceso del material tipo P. Durante
este proceso de recombinacin se radia energa alejndose de la fuente en forma de fotones
que abandonarn la superficie del dispositivo como energa radiante.
Su smbolo y estructura se muestran a continuacin en la figura 11.18.
357
Ing. Tarquino Snchez A.
P
IF
- V +
a)
b)
(mW)
6
4
2
20
40
60
80
IF (mA)
11.3.2.1. APLICACIONES.
Entre sus aplicaciones se incluyen: Lector de Tarjetas y Cintas Perforadas, Sistemas de
Transmisin de Datos y Las Alarmas de Instruccin.
11.4.
Generalmente no es deseable tener una conexin elctrica directa entre el circuito de control
de baja potencia y el de carga de alta potencia a la cual controla como se indica en la figura
11.20.
358
Figura 11.20. Circuito Lgico de baja potencia que controla una carga de alta potencia.
Un motivo para que esta conexin sea indeseable es la posibilidad de captacin de ruido
desde el circuito de alta corriente en el cableado del sistema de circuitos lgicos,
especialmente en la lnea de tierra comn. Otra causa es la posibilidad de retroalimentacin
de alto voltaje desde el circuito de carga hasta el sistema lgico de control debido a una falla
de los componentes.
Por consiguiente a menudo es necesario AISLAR ELECTRICAMENTE el circuito de control de
baja potencia respecto al circuito de carga de alta potencia.
Los medios que permiten realizar este aislamiento elctrico son los ACOPLADORES OPTICOS.
Los Acopladores pticos constan de una fuente luminosa (Normalmente un Diodo Emisor de
Infrarrojo IRED), un dispositivo sensible a la luz (Un FOTOTRANSISTOR) y un dispositivo de
Conmutacin. En la mayora de los casos el sensor de luz y el dispositivo conmutador son el
mismo.
Los diversos acopladores pticos tienen diferentes capacidades de corriente de salida, as:
11.4.1.
COMBINACION IRED-FOTOTRANSISTOR.
359
Ing. Tarquino Snchez A.
11.4.2.
11.4.3.
11.4.4.
360
Donde los circuitos de las figuras 11.21. (A), (B) y (C), controlan ALIMENTACION DC.
Mientras que los circuitos de las figuras 11.21. (D) y (E), controlan ALIMENTACION AC.
11.4.5.
EJEMPLO DE APLICACION.
11.5.
PROBLEMAS RESUELTOS.
EJEMPLO 1
Figura 11.23.
Figura 11.24.
b)
Vcc Vv
Vcc Vp
<R<
Iv
Ip
362
Vcc R b1
R b1 + R b 2
20
Vp = 0.7 V +
20V
20 + 20
Vp = 10.7 V
Vp = VD +
Reemplazando se obtiene:
Vcc Vinicial
t 1 = RC ln
Vcc Vfinal
t 30
t 30
30o
=
s
2 60
= 1388
. ms
150o
s
2 60
= 6.944ms
t 150 =
o
t 150
20 0
. ln
t 30 = R 01
20 10.7
o
entonces
. K
R 30 = 18126
o
20 0
. ln
t 150 = R 01
20 10.7
o
entonces
R 150 = 90.68K
19 K < R < 90.68K
o
c)
VRL =
1T
115 2 sen xdx
T0
363
VRL
VRL =
1 180
115 2 sen xdx
2 30
VRL =
115 2
( cos180 + cos 30)
2
30o
VRL = 48.3V
VRL =
1 180
115 2 sen xdx
2 150
VRL =
115 2
( cos180 + cos150)
2
VRL
150o
VRL = 3.46V
Figura 11.26.
Figura 11.25.
EJEMPLO 2
En el circuito de la figura determinar la forma de onda del voltaje de salida Vo (t). Considerar
a todos los elementos ideales y que los fototransistores al recibir luz se saturan.
Figura 11.27.
Vi
10V
364
t
-10V
Figura 11.28.
VA
15V
t
-15V
Figura 11.29.
Los diodos D1 y D2 conducen en forma alternada, por lo que saturan a sus respectivos
transistores de la misma forma, por lo que el voltaje VA es de la forma mostrada.
El circuito del operacional es un rectificador de media onda, por lo que al estar VA en bajo
conduce D4 mientras D3 est en polarizacin inversa.
1
Vo = VA
2
Para el ciclo negativo, Vo = -7.5V.
Para el ciclo positivo Vo = 0V.
t
7.5V
Figura 11.30.
11.6.
PROBLEMAS PROPUESTOS.
365
Figura 11.31.
Figura 11.32
366
367
Ing. Tarquino Snchez A.
RESUMEN
El campo de la optoelectrnica ha sido de gran importancia en los ltimos aos, las
fuentes luminosas ofrecen una fuente de energa nica, que se transmite en
paquetes pequeos discretos denominados fotones los cuales tienen un nivel
energtico que se relaciona directamente con la frecuencia de la onda luminosa
viajera.
Los dispositivos sensibles a la luz se clasifican en : 1) Dispositivos detectores de luz
que son elementos que experimentan un cambio elctrico reversible cuando son
expuestos a la luz de una apropiada longitud de onda entre estos se pueden
mencionar los fotodiodos, las celdas fotoconductoras, los fototransistores y los SCR
activados por luz. 2) Dispositivos emisores de luz los cuales modifica luz coherente
o no coherente son bsicamente son dos los led y los emisores infrarrojos y 3)
los optoacopladores que utilizan la luz para su operacin interna.
Adems tambin tenemos los acopladores pticos los cuales aslan un circuito de
control de baja potencia respecto a un circuito de carga de alta potencia, constan de
una fuente luminosa (Normalmente un Diodo Emisor de Infrarrojo IRED), un
dispositivo sensible a la luz (Un FOTOTRANSISTOR) y un dispositivo de
Conmutacin.
368
ANEXO
Verificacin de semiconductores con un hmetro:
Dispositivo
Diodos tnel
Celdas
fotoconductoras
Fotodiodos, celdas
fotovoltaicas y LED
Transistor NPN
Transistor PNP
Diodo de 4 capas e
interruptor
unilateral de silicio
SUS
SBS y DIAC
Terminal
positiva del
hmetro
conectado a
nodo
(polarizacin
directa)
Terminal
negativo
conectado a
Resultados esperados
Ctodo
ctodo
(polarizacin
inversa)
nodo
(polarizacin
directa)
nodo
ctodo
(polarizacin
inversa)
cualquier
terminal
nodo
IGUAL QUE
PARA LOS
emisor
Base
base
colector
base
emisor
emisor
base
colector
colector
Ctodo
cualquier
terminal
colector
emisor
Igual que para los PNP excepto que todas las polaridades estn invertidas
nodo(polarizac Ctodo
alta resistencia: > 1M
in directa)
Ctodo
(polarizacin
inversa)
nodo
Cualquier
terminal
Cualquier
terminal
369
Ing. Tarquino Snchez A.
Rectificador
controlado de silicio
(SCR), SCR activado
por luz, interruptor
controlado por
compuerta (GCS)
TRIAC
Transistor
monounin
UJT
programable(PUT)
JFET canal N
JFET canal P
E-Mohs et
DE-Mohs et
370
Celdas
fotoconductivas
nodos
(polarizacin
directa)
Ctodo
> 1M
(podra ser menor para SCR con
corrientes muy altas)
Ctodos
(polarizacin
inversa)
Compuerta
nodo
> 1M
, pero usualmente es mayor que
en el sentido directo
Ctodo
Ctodo
Compuerta
nodo
Cualquier
nodo, 1 2
Compuerta
nodo
Compuerta
Cualquier
nodo 1 2
Compuerta
nodo 1
Compuerta
nodo 2
Base1
nodo 1
Compuerta
nodo 2
Compuerta
Base2
Base 2
Emisor
(polarizacin
directa)
Base 1
Emisor
(polarizacin
directa)
Base1
Base 1
Base 2
nodo
Emisor
Ctodo
Ctodo
nodo
Compuerta
Compuerta
Ctodo
Drenaje
nodo
Compuerta
nodo
Ctodo
Compuerta
Fuente
Fuente
Compuerta
Drenaje
Drenaje o
Fuente
Compuerta
Emisor
Base 2
> 1M
en cualquier sentido
muy alta resistencia; > 1 M
, pero no
puede ser menor en los TRIACS con
corriente muy alta
Baja resistencia en ambos sentidos
Alta resistencia en ambos sentidos
Misma resistencia en cualquier sentido;
tpicamente 4 k
-10k
Fuente
Drenaje
Compuerta
Drenaje o
Muy alta resistencia; >100M
para
fuente
cualquier sentidos
Drenaje
Fuente
Resistencia moderada; del orden de
500-5k
Fuente
Drenaje
Drenaje o
fuente
Compuerta
BIBLIOGRAFIA
MILLMAN J.; HALKIAS C.; Integrated electronics: Analog and Digital Circuits and
Systems; Tokyo: McGraw-Hill; Kogokusha; 1972.
371
Ing. Tarquino Snchez A.