UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

ASIGNATURA: ELECTRNICA DE POTENCIA

CARRERA: ING. MECATRNICA

Calificacin

Practica N 1
CARACTERISTICAS Y TIEMPO DE RECUPERACION
INVERSA DEL DIODO

Alumno: ariel garcia diaz

Asignatura: Electrnica de Potencia
Docente: Ing. David Crespo

Gestin II 2016
Cochabamba Bolivia

CARACTERISTICAS Y TIEMPO DE RECUPERACION

INVERSA DEL DIODO
1. OBJETIVO O COMPETENCIA.El estudiante deber ser capaz de:

Comprende el principio de funcionamiento del diodo de potencias y las

condiciones necesarias para tener uno de sus estados.
Mide y conoce el concepto de tiempos de conmutacin, as como los
retrasos existentes en los diodos durante el paso de un estado a otro.
Observa la dependencia de los estados y la conmutacin de las
caractersticas del circuito (frecuencia, carga, etc.)

2. FUNDAMENTOS (MARCO TERICO).Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta
han atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La
miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus
lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles
de veces menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las
ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparacin con las
redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte, obvias: ms
pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas
trmicas (lo que s sucede en el caso de los tubos), una construccin ms
resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores
tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar
simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que
las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores
limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio
material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del equipo
de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el
ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel
vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en
gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama
de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente
complejas. Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos
y grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones

tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa

empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que
por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.

3. MATERIALES, REACTIVOS Y EQUIPOS.

Diodos de potencia 40HFR60 y 1N5401

Resistencia de 100 [] - [W].
Resistencia 10[K] - [W].
Generador de onda cuadrada.

4. TECNICA PROCEDIMIENTO.

Experiencia 1.1
1. Armar el circuito de la figura 1.1 tal como se muestra.
2. Hacer variar la fuente DC desde cero hasta 5 Voltios. Desde cero
hasta 0.7 [V] en tramos cortos, y de ah en adelante en tramos ms
largos.
3. Realizar el mismo procedimiento para ambos diodos.

Experiencia 1.2
1. Reemplazar la fuente DC por el generador de onda cuadrada y el
resistor de 100 [] por el de 10 [K].
2. El generador debe tener los siguientes parmetros: V = +/- 10 [v],
frecuencia 1[KHz].

5. MEDICIN, CALCULOS Y GRAFICOS.-

Experiencia 1.1
1. Medir el valor del voltaje a partir del cual la corriente por el diodo
empieza a crecer.
2. Graficar la curva de la ID vs VAK del diodo.
3. Realizar el mismo procedimiento para ambos diodos.

DIODO
1N5401
FUENTE
D.C.
(V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5

DIODO
40HFR60

Id
(A)

Vd
(V)

Id
(A)

Vd
(V)

0
0
0.6u
6.7u
17.3u
59.2u
117u
187.1u
3.64m
7.58m
12.07m
17.04m
23.1m
27.5m
33.1m
38m
42.9m

-0.16
0
0.162
0.246
0.293
0.480
0.560
0.571
0.619
0.650
0.670
0.681
0.691
0.695
0.703
0.709
0.714

0
0.4u
2u
4.6u
27.6u
115.6u
156u
1.27m
4.54m
8.75m
12.33m
16.73m
23.1m
28.7m
33.1m
38.1m
42.7m

-0.02
0.171
0.243
0.280
0.357
0.414
0.426
0.512
0.569
0.6
0.616
0.631
0.647
0.658
0.666
0.673
0.679

Curva diodo 1N5401

0.8
0.7
0.6
0.5

Curva

0.4
0.3
0.2
0.1
0
0

500

1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000

Curva diodo 40HFR60

0.8
0.7
0.6
0.5

Curva 2

0.4
0.3
0.2
0.1
0
0

10000

20000

30000

40000

50000

Experiencia 1.2
1. Llenar el siguiente cuadro para ambos diodos.

Ve
10V

R () VR+(V) VR- (V) IF (A)

10
-11
1m
10K

IRM (A)
-1.1m

Ta (s) Tb (s) trr (s)

7.5
16.5
24

6. CUESTIONARIO.

En base a los manuales de los Diodos utilizados para el prctico, anotar los
parmetros de conduccin y de bloqueo de ambos diodos.
R.- En conduccin pueden soportar una corriente media de 3000A llegando
hasta tensiones inversas de 5000V.

De la misma forma anotar los tiempos de conmutacin para los mismos.

R.- Algunos diodos de potencia:

En el INFORME, analizar y comentar de qu manera afecta el tiempo de

recuperacin inversa en la frecuencia de conmutacin del diodo.
R.- Afecta en el dsempeo de velocidad del diodo.

Analizar cules son los parmetros ms sobresalientes que afectan en la

frecuencia de conmutacin del diodo.
R.- Ts=tiempo de almacenamiento
Td=tiempo de recombinacin

7. CONCLUSIONES.

Se concluy con xito el laboratorio # 1 y se logro comprender el

funcionamiento del diodo. Asi tambin se logr calcular y medir los tiempos de
retardo producidos en el diodo. Se logr observar la dependencia de estos
tiempos con determinados parmetros del circuito (frecuencia, carga)

8. BIBLIOGRAFIA .

Muhammad H. Rashid (Electrnica de Potencia )