TRANSISTOR FET

El Transistor de Efecto de Campo (Field Efect Transistor) es un dispositivo semiconductor

cuyo funcionamiento se basa en el control de la corriente por medio de un campo
elctrico.
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores FET permiten eliminan este inconveniente en particular adems
pertenecen a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, por tanto son unipolares.
Este tipo de transistor se forma por una barra de material tipo P o tipo N la cual recibe el
nombre de canal.
A su vez la barra canal es rodeada por un collar del otro tipo de material formando con
el canal una unin P-N.
Los extremos del canal suelen llamados, sumidero D (drain) y fuente S (source), y la
conexin central recibe el nombre de puerta G (gate).
Sus principales aplicaciones son: como aislador, como mezclador, amplificador de RF,
Resistor variable por voltaje.

TRANSISTORES MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto
de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin, es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N (NMOS) y MOSFET de canal P
(PMOS).
Los MOSFET se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) al que se llama sustrato.
Sobre este semiconductor se funden la fuente y el sumidero (entrada y salida) que son
de un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.
Recubriendo este bloque se coloca una capa de xido metlico aislante que realiza la
funcin de dielctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este xido
se coloca una placa de metal conductor. El xido con el metal forman la tercera patilla o
borne de conexin llamada puerta o gate.
Principales aplicaciones: resistencia controlada por tensin, circuito de conmutacin de
potencia, mezclador de frecuencia.