tructura cristalina que de otra manera sera perfecta.

A pesar de que se les llama

defectos puntuales,
la perturbacin afecta una regin que involucra varios tomos o iones. Estas imperfecc
iones, que se
muestran en la figura 4-1, pueden ser generadas por el movimiento de Ios tolnos o
iones cuando
ganan energa al calentarse, durante el procesamiento del material o por la introd
uccin
intencionato no intencional de impurezas. Por l0 general, las impurezas son elem
entos o co13apuestos que
contienen materias primas o durante el procesamiento. Por ejemplo, los cristales
de silicio
crecen en
crisoles de cuarzo cuya iJnpureza es el oxgeno. Por otro lado, los dopantes son e
lementos
0
compuestos que se adicionan de manera deliberada, en concentraciones conocidas,
en lugares especfficos
de la microestructura, con un efecto beneficioso deseado sobre las propiedades o
e1 procesamiento.
En general, el efecto de las impurezas es perjudicial, mientras que el efecto de
los dopantes sobre las
propiedades de los materiales es til. EI fsforo y el boro son ejemplos de dopantes
que se adicionan
a cristales de silicio para mejorar las propiedades elctricas del silicio puro.
Por l0 general, un defecto puntual involucra un tomo o ion, O un par de tomos o io
nes, y
por l0 tanto es distinto de los defectos extendidos, como las dislocaciones o lo
s limites de grano. Una
cuestin inaportante acerca de los defectos puntuales es que aunque los defectos a
parecen
en uno