1.

INTRODUO
A pesquisa que levou descoberta do transstor buscava um substituto para as vlvulas electrnicas. O transstor
justamente isto: um substituto das vlvulas. Ele mais eficiente, mais barato, menor e gasta muito menos energia do
que sua antecessora. Mas, ento, para que serviam as vlvulas?

O problema
No fim do sculo XIX, comearam as primeiras pesquisas com transmisso de ondas de rdio. Os cientistas
conseguiam codificar sons em uma onda electromagntica ( o que faz um microfone ) e transmitir essa onda. Para
detect-la distncia, porm, havia dois problemas. O primeiro era a retirar a informao da onda que a carregava. O
segundo problema era que a onda chegava muito fraca.
A soluo para o primeiro problema consistia, basicamente em transformar uma corrente alternada ( a onda que
chegava ) em corrente contnua, que poderia ir para um fone de ouvidos ou alto-falante. O problema foi inicialmente
solucionado por cristais. O fsico alemo Ferdinand Braun havia descoberto, em 1874, que cristais, sob certas
condies, conduziam corrente elctrica em apenas um sentido. Esse fenmeno, chamado rectificao, era capaz de
separar a informao da onda recebida.
Vinha ento o segundo problema: as primeiros experincias somente conseguiam restituir o som original em fones de
ouvidos, muito fracamente. O desafio era ento aumentar o volume dos sons recebidos; para usar o termo que seria
adoptado futuramente, faltava amplificar o sinal recebido.

As vlvulas
As vlvulas substituram os cristais, com maior eficincia e prtica. A vlvula dodo, criada
pelo ingls John Ambrose Fleming, rectificava a onda e entregava a informao de volta. O
americano Lee De Forest criou a vlvula trodo, que amplificava a informao, gerando o som
novamente em volume suficiente para ser utilizado em aplicaes prticas.
Comeava a era da electrnica. A partir das vlvulas surgiram o rdio, a televiso e os
computadores. O ENIAC ( "Electronic Numerical Integrator And Computer"), o pai de todos os
computadores, possua 17.468 vlvulas ( alm de 6.000 chaves manuais, atravs das quais
ele era programado ) e media cerca de 50 metros. Mas os fundamentos estavam plantados.
O transstor permitiu um salto tecnolgico semelhante ao causado pelas vlvulas, mas ele
desempenha, com muito mais eficincia, a mesma funo desempenhada pelas vlvulas.
Figura 1 - Vlvula

Novos problemas
s conhecidas desvantagens das vlvulas ( tamanho, consumo de energia etc. ), logo juntou-se sua incapacidade de
lidar com altas frequncias. As pesquisas ligadas guerra exigiam equipamentos menores e que operassem a
frequncias mais elevadas. Trs cientistas dos laboratrios Bell ( John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley )
resolveram "voltar no tempo", na poca dos antigos rdios a cristal. Ao contrrio dos equipamentos a vlvula, os
velhos rdios experimentais a cristal eram capazes de detectar as altas frequncias. O interesse deslocou-se, ento,
para a descoberta de Ferdinand Braun, que dizia que cristais podiam transmitir electricidade num nico sentido. A
poderia estar um substituto para as vlvulas.

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A descoberta
O caminho mostrou-se correcto. A equipa conseguiu produzir o primeiro transstor em 1947, aps 11 anos de
pesquisas. Em poucos anos o invento se disseminaria por todo o parque industrial e permitiria uma onda de inovaes
tecnologias sem precedentes. Os rdios portteis, ento tornados possveis, traziam estampada a expresso "Solid
State" ( estado slido ), em referncia ausncia de vlvulas, j que seus circuitos eram construdos com cristais
( slidos, sem vcuo ou preenchimento com gases ).

Silcio
As pesquisas comearam com cristais de silcio e germnio. Quem j ouviu falar do Vale do Silcio ( Califrnia,
Estados Unidos ), pode facilmente deduzir qual deles ganhou a preferncia dos cientistas. E foi por uma questo
simples: o silcio muito barato. Ele o segundo elemento mais abundante na Terra, perdendo apenas para o
oxignio. Cerca de 28% de toda a crosta terrestre formada de silcio. Mas ele no encontrado em estado puro. A
sua forma mais comum so os xidos ( silcio combinado com oxignio - SiO2 ). Nesta combinao ele compe uma
famlia de minerais chamada silicatos. O quartzo o silicato mais conhecido.
Quando purificado, o silcio cinza-escuro. Para a produo de transstores e circuitos integrados em geral, o silcio
no extrado de nenhum mineral. Ele produzido artificialmente, em equipamentos de alta presso chamados
autoclaves. Ele produzido em lingotes circulares, que so posteriormente "fatiados".
A fabricao de transstores exige uma pureza de 99,999999%, isto significa um tomo estranho presente em cada 10
bilhes de tomos de silcio.

Semicondutores
Silcio e Germnio so materiais semicondutores. Semicondutor significa quase condutor. Os semicondutores so
materiais em um estado intermedirio entre os condutores de energia elctrica, como o cobre, alumnio, ouro, prata
etc., e os no-condutores, ou isolantes, como a borracha e o vidro, por exemplo.
A energia elctrica como sabemos, o movimento dos electres. Para que um elemento seja um bom condutor
necessrio que possua muitos electres livres.
Observemos o modelo do tomo. Os electres ficam em rbitas ao redor do ncleo. Essas rbitas tm nmeros
mximos de electres, determinados pela conjuno da fora de atraco do ncleo, por um lado, e da fora
centrfuga, causada pela rotao do electro, de outra. Caso o tomo no tenha a sua ltima camada totalmente
preenchida, ele tende a uma de duas situaes: perder os electres de sua camada "incompleta" ou capturar electres
de outro tomo para preencher sua ltima camada. Como os electres da ltima camada esto mais afastados do
ncleo, eles esto sob menor atraco desse ncleo; portanto, mais fcil para eles escapar do tomo. Uma pequena
energia capaz de arranc-los de suas rbitas. Estando livres, esses electres determinam a facilidade de conduo
de um elemento: quanto menor a energia necessria para arrancar os electres de um tomo e, portanto, quanto mais
electres livres, maior a capacidade de conduo de um elemento.

Figura 2 - Distribuio electrnica de um tomo

Uma situao comum o compartilhar: ao invs de retirar o electro de outros tomos, dois tomos compartilham os
seus electres, utilizando-os para preencher sua ltima camada. Esse compartilhar chamado de ligao covalente.

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O silcio possui 4 electres na sua 3 e ltima rbita, sendo por isto chamado de tetravalente. Desta forma, cada tomo
de silcio pode estabelecer at 4 ligaes covalentes com outros tomos. Unindo-se entre si desta forma, os tomos de
silcio formam uma rede cristalina cbica, semelhante do diamante, muito estvel. O cristal de silcio assim formado
tem cor cinza escuro.

Figura 3 - tomo de silcio

Mas se a electricidade o movimento dos electres, como pode haver conduo elctrica num elemento onde os
electres esto todos presos em uma forte estrutura cristalina?

O electro tem carga elctrica negativa;

Suponhamos que um electro escape do seu tomo. Ele deixa o tomo carregado positivamente ( se o
tomo perdeu uma carga negativa, ele passa a ter mais carga positiva ). Esse tomo recebe o nome de io e
possui uma lacuna, um buraco onde cabe mais um electro.

Ao encontrar uma lacuna vizinha, um outro electro tende a deixar sua posio para ocupar a lacuna. Ele
ento salta para a lacuna, deixando seu lugar livre.

Ocorrendo esse movimento sucessivamente, verifica-se a ocorrncia de corrente elctrica. Por conveno,
estabeleceu-se que a conduo elctrica se d, na verdade, pela movimentao das lacunas.
Esse movimento das lacunas tambm ocorre nos materiais condutores mas, como existem muitos electres livres
naqueles materiais, o movimento das lacunas desprezvel. Num semicondutor, porm, vimos que, para cada electro
que se liberta, h uma lacuna correspondente. Portanto, o movimento das lacunas muito importante.

Semicondutores P e N
No caso anterior, supomos que um electro saia da rede cristalina. Isso acontece normalmente, em pequena escala,
pela aco do calor temperatura ambiente. possvel aumentar a ocorrncia dessas sadas atravs de uma
tcnica chamada dopagem. Dopar um cristal significa introduzir um elemento estranho na sua rede cristalina. O
elemento estranho chamado de elemento dopante.
Como vimos, o silcio chamado de tetravalente por possuir 4 electres na sua ltima rbita. O que acontecer se
introduzirmos no cristal um tomo de elemento pentavalente - 5 electres na ltima camada ?
O novo tomo encaixar-se- na estrutura, ligando-se a quatro tomos de silcio. E sobrar um electro livre. Com um
nmero adequado de tomos dopantes teremos um cristal com mais electres do que lacunas. Ou seja, esse cristal
ter energia predominantemente negativa, devido a carga do electro. Um cristal desse tipo recebe a denominao N
( de negativo ).

Figura 4 - Semicondutor do tipo N

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O que acontecer agora se doparmos o cristal com um elemento trivalente - 3 tomos na ltima camada? Obviamente,
o inverso ocorrer: o elemento dopante conseguir estabelecer apenas trs ligaes com outros tomos. Um tomo de
silcio ficar, portanto, com uma lacuna a mais. Com o nmero adequado de tomos trivalentes, teremos um cristal
com mais lacunas do que electres. Esse cristal ter energia predominantemente positiva. Um cristal desse tipo
recebe a denominao P ( de positivo ).

Figura 5 - Semicondutor do tipo P

Os elementos pentavalentes ( 5 tomos na ltima rbita ) mais utilizados na construo de cristais N so o arsnio, o
antimnio e o fsforo.
Os elementos trivalentes ( 3 tomos na ltima rbita ) mais utilizados na construo de cristais P so o alumnio, o
boro e o glio.
Os semicondutores comeam a substituir as vlvulas no momento em que se une um pedao de material do tipo N
com um pedao de material do tipo P. Essa juno forma um componente electrnico chamado dodo, que substitui a
vlvula de mesmo nome. Como vimos, a vlvula dodo possibilita fazer a rectificao, ou seja, a transformao da
corrente alternada em corrente contnua, permitindo separar-se o som da onda que o carrega. O mesmo pode ser feito
com o dodo semicondutor.
A caracterstica bsica do dodo permitir a conduo da corrente elctrica em apenas um sentido.
Ao juntar-se um elemento P a um elemento N, temos a seguinte situao: o elemento P tem excesso de lacunas; o
elemento N tem excesso de electres. No ponto onde os dois cristais se tocam, tende a haver uma migrao de
electres e lacunas, at que se estabelea um equilbrio.

Figura 6 - Formao da barreira de potencial

Observa-se que se forma um equilbrio na regio da juno, deixando de existir portadores maioritrios (electres
livres ou lacunas). Essa camada, chamada de barreira de potencial impede que se gere um equilbrio completo entre
os cristais P e N. Isto porque os electres do cristal N no encontram lacunas para se movimentar atravs da barreira
de potencial. O mesmo ocorre com as lacunas que ficaram isoladas no lado P. Ou seja, a barreira de potencial uma
espcie de "zona neutra" onde no h espao para movimentao de electres e lacunas.
Vamos agora submeter este dodo a uma tenso, ou seja, colocar uma bateria nos seus terminais. Vamos ligar o
terminal negativo (fluxo de electres) da bateria poro N do dodo e o terminal positivo ( fluxo de lacunas ) poro
P. Desta forma, a regio N, com excesso de electres, recebe ainda mais electres, e a poro P recebe ainda mais
lacunas.

Figura 7 - Polarizao directa

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Os electres do lado N recebem toda a energia do plo negativo da fonte, ganhando fora suficiente para expulsar os
electres que esto alojados na barreira de potencial. Rompendo essa camada, eles encontram um terreno frtil em
lacunas no lado P. Mas no param por a, como eles so atrados pelo plo positivo da fonte, eles continuam a saltar
de lacuna em lacuna, abrindo espao para que outros electres possam vir atrs deles. Com esse movimento, forma- se uma corrente elctrica. O semicondutor passa a se comportar como um condutor normal.
Vamos agora inverter a polaridade da bateria. Vamos ligar o terminal positivo da bateria poro N do dodo e o
terminal negativo poro P. Desta forma, os electres da regio N so atrados pelas lacunas do plo positivo da
bateria e as lacunas da regio P so completadas pelos electres do plo negativo. Observe o que acontece:

Figura 6 - Polarizao inversa

A barreira de potencial aumenta sensivelmente. Se ela j dificultava a passagem de corrente, agora torna-se
virtualmente impossvel transp-la. Os portadores maioritrios de cada lado ficam ainda mais isolados. O
semicondutor, ento, passa a comportar-se como um isolante. No h passagem de corrente elctrica. Esse foi um
grande passo no desenvolvimento da electrnica. As vlvulas dodo puderam ser substitudas com muitas vantagens
pelo dodo semicondutor. E foi dado o passo definitivo para a construo do transstor.

O transstor
Como vimos no incio do texto, vlvula dodo seguiu-se a vlvula trodo, que amplificava os sinais elctricos. Esse
o papel do transstor: ele um amplificador. Da mesma forma que o dodo semicondutor substituiu a vlvula dodo, o
transstor substituiu a vlvula trodo.
Vimos que, quando polarizado directamente, o dodo conduz electricidade. O transstor introduz uma capacidade nova,
que a possibilidade de se controlar a quantidade de electricidade conduzida. Tudo comea quando se acrescenta
uma camada adicional a um dodo. Ao invs de duas pores, P e N, de silcio, vamos verificar o que acontece quando
juntamos trs pores, fazendo um sanduche de uma poro N.

Figura 9 - Transstor PNP

Cada uma dessas camadas tem as sua caractersticas:

a primeira camada P ( da esquerda ) tem largura mdia e fortemente dopada, ou seja, tem muitos tomos
trivalentes. Isto torna essa camada um fornecedor de lacunas ( cargas positivas ). Por isso ela chamada
emissor.

a camada central N muito fina e tem uma dopagem mdia. Como ela fina, ela no representa uma
barreira muito grande para as cargas que vm do emissor. Esta camada chamada base.

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a camada da direita bastante larga em relao s demais e fracamente dopada. Por ser responsvel por
receber os electres que saem do emissor e atravessam a base, esta camada chamada colector.

Como se pode observar na figura, o transstor resulta da unio de dois dodos. Apenas com a ressalva de que ambos
os dodos compartilham a base, ou seja, o elemento N nesse caso. H nele, portanto, duas junes. Como de
esperar, em cada uma das junes forma-se uma barreira de potencial, em que os electres e lacunas se equilibram.
Analisemos o funcionamento do transstor. Vamos colocar uma bateria entre o emissor e a base. Para fazer uma
polarizao directa, ligamos o terminal negativo ( fluxo de electres ) da bateria base ( poro N - excesso de
electres ) e o terminal positivo ( fluxo de lacunas ) ao emissor ( poro P - excesso de lacunas ). Desta forma, a
regio N, com excesso de electres, recebe ainda mais electres, e a poro P recebe ainda mais lacunas.

Figura 10 - Polarizao directa emissor - base

Como vimos no caso do dodo, a polarizao directa faz com que a poro emissor - base comporta-se exactamente
como um condutor.
Ao mesmo tempo, vamos polarizar inversamente o conjunto base - colector. Para isso, conectamos o terminal positivo
( fluxo de lacunas ) da bateria base ( poro N - excesso de electres ) e o terminal negativo (fluxo de electres) ao
colector ( poro P - excesso de lacunas ). Desta forma, os electres da base sero atrados pelas lacunas do plo
positivo da bateria e as lacunas do colector sero completadas pelos electres do plo negativo. Como tambm vimos
no caso do dodo, essa polarizao inversa faz com que a poro base - colector no conduza corrente.
Vejamos agora a parte mais importante: foi dito que iramos fazer as duas polarizaes anteriores simultaneamente.
Observemos o efeito que obtemos:

Figura 11 - Polarizao directa BE e polarizao inversa BC

Na polarizao emissor - base as lacunas dirigiam-se para a base, atrados pelo plo negativo da bateria. Mas agora o
colector, que bem maior e est com energia extra vinda do plo negativo da bateria, exerce uma atraco muito
maior sobre essas lacunas. Como a base muito fina, as lacunas tendem muito mais a atravessar a base e ir para o
colector do que fluir pela base para o plo negativo da bateria. Desta forma, uma pequena parte da corrente fluir pela
base; a maior parte da corrente fluir para o colector. Este o fenmeno da amplificao. Vamos perceber porqu:
Se aumentarmos a corrente que flui pela base ( emissor - base ), haver um aumento na corrente que flui pelo
colector. Ou seja, podemos controlar a corrente vinda do emissor para o colector agindo sobre a corrente da base.
Noutras palavras: a corrente da base controla a corrente entre o emissor e o colector.
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Como a corrente da base muito pequena, basta aplicarmos uma pequena variao na corrente da base para
obtermos uma grande variao na corrente do colector. Introduzimos uma pequena corrente na base e obtemos uma
grande corrente no colector.

2. CARACTERSTICAS DOS BJT

2.1

CONSTITUIO

Como vimos um transstor possui trs regies como ilustra a figura 7.12. A regio em baixo chama-se emissor, a do
meio designa-se por base e a de cima diz-se colector. O transstor ilustrado um dispositivo NPN, porque existe uma
regio P entre duas regies N. Recorde-se que os portadores maioritrios so os electres livres no material tipo N e
as lacunas no material tipo P.

Figura 12 - Transstor NPN

Os transstores tambm so fabricados como dispositivos PNP. Um transstor PNP possui uma regio N entre duas
regies P.
Como foi referidos atrs, o emissor muito dopado, pelo contrrio, a base encontra-se pouco dopada. O nvel de
dopagem do colector intermdio, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. O colector
apresenta-se fisicamente como a maior das trs regies.
O transstor exibe duas junes: Uma entre o emissor e a base juno BE, e outra entre o colector e a base
juno BC. O transstor constitudo como dois dodos reflectidos entre si.

2.2

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

Considerando a figura 12 e, tendo em conta o apreendido no captulo

anterior, os electres livres na regio N difundem-se atravs da
juno e recombinam-se com as lacunas da regio P.

O resultado destas recombinaes corresponde a duas barreiras de

potencial, como se pode observar na figura 13. O potencial da
barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7 V a 25 C num
transstor de silcio ( 0,3 V a 25 C num transstor de germnio ).

Figura 13 - Camadas de depleo ou barreiras de potencial

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Passaremos de seguida a polarizar o transstor. A figura 14 ilustra um transstor polarizado. A juno BE est
polarizada directamente e a juno BC est polarizada inversamente.
Os sinais menos ( - ) na figura representam electres livres. O emissor fortemente dopado exerce a seguinte funo:
emitir os seus electres livres na base. A base fracamente dopada tem uma finalidade bem definida: passar
electres emitidos do emissor para o colector. Denomina-se colector porque recolhe ou junta a maioria dos
electres a partir da base.

Figura 14 - Polarizao do transstor

No instante em que se aplica a polarizao directa juno BE os electres no emissor ainda no entraram na regio
da base. Se a tenso UBB for maior que o potencial da barreira emissor base os electres do emissor entraro na
regio da base, como se pode observar na figura 7.15. Teoricamente, estes electres livres podem fluir em cada um
dos dois sentidos. Em primeiro lugar, podem ir para a esquerda a partir da base, passando atravs de RB a caminho
do terminal positivo da fonte. Em segundo lugar, podero passar para o colector.
Contudo, a maioria destes electres livres vo para o colector uma vez que a base fracamente dopada e muito fina.
Esta dopagem fraca significa que os electres livres tm uma longa durao de vida nesta regio. A base muito fina
exprime que os electres livres apenas tm uma curta distncia at atingirem o colector.

Figura 15 - Emisso de electres na base

Quase todos os electres livres vo para o colector, como podemos visualizar na figura 16. Uma vez no colector,
esses electres so atrados pela fonte de tenso UCC. Por isso, os electres livres passam atravs do colector e de
RC at atingirem o terminal positivo da fonte de alimentao do colector.

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Figura 16 - Fluncia dos electres livres da base para o colector

2.3

CORRENTES E TENSES NUM TRANSSTOR

A figura 17 ilustra a representao esquemtica dos transstores. A seta indica o sentido convencional da corrente
elctrica. Uma mnemnica ser fixar que a seta do transstor indica sempre uma regio do tipo N.

Figura 17 - Simbologia dos transstores NPN ( esquerda ) e PNP ( direita )

A corrente de emissor arbitra-se de modo a sair do emissor e as correntes de base e de colector a entrarem nos
respectivos terminais.
Num transstor, e relembrando a lei dos ns, que estabelece que a soma de todas as correntes que convergem num
ponto ou n igual soma das correntes que saem desse ponto ou n, teremos que a corrente de emissor
sempre a soma das correntes de base e de colector.
IE= IB + IC
A corrente de base muito pequena quando comparada com as correntes de emissor e colector, podemos inferir:
IB << IC

IC IE

As tenses, alm do smbolo U, tm dois ndices: o primeiro o do terminal sobre o qual a tenso medida e o
segundo o terminal de referncia. Assim teremos:
UCE tenso colector - emissor
UCB tenso colector - base
UBE tenso base - emissor
Podemos ainda observar a seguinte igualdade:
UCE = UCB + UBE
As tenses contnuas de alimentao so indicadas por repetio do ndice: UBB, UCC e UEE.

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No transstor NPN as tenses e as correntes arbitradas so positivas . No transstor PNP as tenses e as

correntes convencionais so contrrias s arbitradas.

Figura 18 - Sentido convencionais das correntes e das tenses

2.4

ALFA ( ) E BETA ( )

O alfa - - representa a parte de corrente do emissor que chega ao colector. Define-se pela razo entre a corrente
contnua do colector e a corrente contnua de emissor. Como a corrente de colector quase igual corrente de
emissor, o valor de alfa em corrente contnua ligeiramente menor que 1. Por exemplo num transstor de baixa
potncia o alfa tipicamente de 0,99. Num transstor de grande potncia, o valor tpico do alfa maior que 0,95.

O alfa no tem unidades, uma vez que dado pela diviso de duas grandezas com a mesma unidade S.I.
O beta em corrente contnua ou tambm chamado de hFE ( em analise dos parmetros h ) d-nos o ganho em corrente
do transstor, uma vez que uma pequena corrente de base d origem a uma corrente de colector muito maior.
O ganho de corrente constitui a principal vantagem de um transstor, tendo conduzido a inmeros tipos de aplicaes.
A relao da corrente de base e da corrente de colector definida por:
IC= . IB
que nos indica que a corrente de colector igual corrente de base multiplicada pelo ganho em corrente do transstor.
Nos transstores de baixa potncia ( abaixo de 1 W ) o ganho em corrente tipicamente entre 100 e 300, podendo
contudo variar para valores de 100 a 800. Os transstores de grande potncia ( acima de 1 W ) geralmente possuem
ganhos de corrente de 20 a 100.

Figura 19 - Extracto da folha de dados do transstor BC 548 ( NPN ) onde se reala o ganho ( hFE )

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1.

Exemplo de Aplicao

Um transstor possui uma corrente de colector de 1 mA e uma corrente de base de 40 A. Calcule o ganho de
corrente do transstor em questo.
I C .I B

IC
10

250
I B 40 103

O ganho do transstor de 250.

Exerccio de Aplicao

1.

Considere um transstor com um ganho de 175. Se a corrente de base for de 0,1 mA, indique o valor da corrente
de colector.

2.

Um transstor apresenta uma corrente de base de 20 A, quando a corrente do emissor de 2 mA. Calcular os
valores da corrente do colector e do parmetro .

3.

Sabendo que a corrente de base de um transstor bipolar de juno de 0,4 mA e a de colector de 32 mA, o
valor do ganho tomar o valor de:

= 80
= 80 mA
= 80 A
= 0,0125
= 12,5 mA
4.

Um transstor polarizado na regio activa apresenta:

qualquer tipo de polarizao uma vez que, no necessita de nenhuma polarizao especfica nesta regio..
a juno BE polarizada inversamente e a juno BC polarizada directamente.
a juno BE polarizada directamente e a juno BC polarizada directamente.
a juno BE polarizada inversamente e a juno BC polarizada inversamente.
a juno BE polarizada directamente e a juno BC polarizada inversamente.
5.

Num transstor bipolar de juno a corrente de emissor dada pela expresso:

I = .I
I = .I + I
I =I -I
I =I /I
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I =I
E

1.

/ UC

O transstor esquematizado na figura seguinte :

PNP
PNPN
PN
NPN
NNP
3. ANLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES
3.1

MONTAGEM EMISSOR COMUM

Existem trs montagens para conectar um transstor: Montagem emissor comum; montagem colector comum e
montagem base comum. Passaremos a analisar a montagem mais utilizada com os transstores BJT, a montagem
emissor comum.
Na figura 20 esta representado um transstor ligado em emissor comum uma vez que o emissor comum ao circuito
de entrada do transstor BE e ao circuito de sada CE sendo assim ligado massa. Esta das trs montagens a mais
utilizada devido s suas caractersticas.

Figura 20 - Montagem emissor comum

3.2

MALHA DE ENTRADA

A corrente de entrada IB e a tenso de entrada UBE, em conjunto com a corrente de sada IC e a tenso de sada UCE,
definem perfeitamente o estado elctrico do transstor.
Verifique-se que a fonte de tenso UBB polariza directamente a juno BE, com RB a fazer de resistncia limitadora de
corrente. Variando UBB ou RB varia - se a corrente de base. Pela variao da corrente de base ser variada a
corrente de colector, uma vez que: IC= . IB.
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No circuito de entrada o poderemos aplicar a lei das malhas, que estabelece que a soma algbrica das tenses ao
longo de um circuito fechado ou malha nula, obtendo assim a equao da malha de entrada:
- UBB + R B.IB + UBE = 0
De realar que a tenso UBE para que a juno BE inicia a conduo de 0,7 V ( segunda aproximao).
Analisando o circuito de sada verifica-se que a tenso UCC da fonte polariza inversamente ao juno BC atravs de
RC. A tenso UCC deve conceder a polarizao inversa juno correspondente, caso contrrio o transstor no
funciona convenientemente j que, o colector no recolhe os electres livres injectados na base.
Analogamente poderemos aplicar a lei das malhas, obtendo a malha de sada:
- UCC + R C.IC + UCE = 0

3.3

CARACTERSTICAS DE ENTRADA

Passaremos a analisar as caractersticas de entrada tambm denominadas por caractersticas de base. A curva
descrita por IB em funo de UBE idntica caracterstica de um dodo vulgar, uma vez que a juno BE comportase dessa forma.

Figura 6.21 - Curva caracterstica de entrada ( IB ; UBE )

Aplicando a lei de ohm ou atravs da equao da malha de entrada deduz-se que:

1.

Exerccio de Aplicao

O circuito electrnico esquematizado na figura 22 integra um transstor NPN com ganho em corrente de 200.
Sabendo que a tenso UBE para que a juno BE comece a conduzir de 0,7 V defina a tenso nos terminais da
resistncia de base RB e a corrente no colector.

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Figura 22 - Circuito electrnico integrando um transstor NPN em analise

3.4

MALHA DE SADA E CARACTERSTICA DE SADA

Para definirmos a curva caracterstica da sada, poderemos proceder da seguinte forma: Variamos a tenso UBB e a
tenso UCC de tal que obtemos diferentes correntes e tenses no transstor. Medindo IC e UCE obtm-se os dados
necessrios ao traado da curva caracterstica de IC em funo de UCE.

Figura 6.23 - Curva caracterstica de sada ( IC ; UCE ) - transstor 2N3904

Consideremos, por exemplo, que se varia a tenso UBB de maneira a obtermos IB de 10 A. Com este valor fixo da
corrente de base, pode-se variar agora UCC e medir IC e UCE. A representao grfica dos respectivos valores d
origem curva da figura acima figura 23. ( De realar que os valores variam de transstor para transstor, contudo a
forma da curva semelhante ).
Analisando o grfico verifica-se que quando UCE e igual a zero a juno BC no est polarizado inversamente, logo a
caracterstica mostra uma corrente de colector nula. Se UCE aumentar a partir de zero a subida da corrente ngreme
at UCE atingir as dcimas de volt, tornando-se, a partir deste ponto, quase constante e no exemplo igual a 1 mA.
A zona de corrente constante relaciona-se com a analise anterior acerca do comportamento de transstor. Depois da
juno BC ficar polarizada inversamente, o colector recolhe todos os electres que chegam sua camada de
depleo. Ao aumentar a tenso UCE a corrente IC permanece constante, uma vez que, o colector s recolhe os
electres que o emissor emite na base. A quantidade destes electres injectados apenas depende do circuito
de entrada ( base ) e no do circuito de sada ( colector). por esta razo que o grfico da figura 7.22 exibe uma
corrente de colector constante entre UCE superior a 1V e inferior a 40 V.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Se UCE for superior a 40 V a juno BC entra em ruptura e perde-se o comportamento normal do transstor. No se
pretende que o transstor funcione na zona de disrupo. Por isso, um dos valores estipulados mximos a tenso de
ruptura ou disrupo colector-emissor UCE, max. Se o transstor ultrapassar este valor ficar danificado.
De salientar pela sua importncia a potncia do colector, uma vez que esta se reflecte na temperatura da juno e
por conseguinte do transstor.
Considerando a malha de sada teremos:
- UCC + R C.IC + UCE = 0

UCE = UCC - R C.IC

Realizando uma pequena transformao na expresso da direita verificamos que a tenso colector-emissor igual
diferena entre a tenso da fonte do colector e a queda de tenso na resistncia de colector. A potncia de dissipao
do transstor ser dada por:
PD = UCE . IC
Esta potncia de perdas provoca aumento da temperatura da juno BC. Quanto maior for a potncia dissipada maior
ser a temperatura da juno.

Os transstores queimam-se quando a temperatura da juno se encontrar entre 150C e 200 C. Uma das
informaes mais importantes de uma folha de dados a potncia estipulada mxima PD, max . potncia de dissipao
dada pela expresso acima dever ser menor que a potncia estipulada mxima, caso contrario o transstor danificarse-.

Figura 24 - Extracto da folha de dados do transstor 2N3904 ( NPN ) onde se salienta as estipulaes mximas e as
caractersticas trmicas

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico


1.

Exerccio de Aplicao

Considere o circuito esquematizado na figura 24 constitudo por um transstor com ganho de corrente de 300.
Calcule IC, IB, IE, UCE e PD. Considere UBE = 0,7 V.

Figura 25 - Circuito electrnico em analise

2.

Determine a tenso colector-emissor no circuito electrnico seguinte. O transstor NPN apresenta um ganho em
corrente contnua de 100. Considere a segunda aproximao para a tenso base-emissor.

Figura 26 - Circuito electrnico com transstor NPN em analise

3.

Um transstor BC 548 apresenta uma tenso UCE de 10 V e uma corrente IC de 20 mA. Determine a potncia de
dissipao e verifique se se encontra dentro dos parmetros de segurana comparando-a com a potncia mxima
estipulada.

Figura 27 - Extracto da folha de dados do transstor BC 548 para anlise da potncia estipulada mxima

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4.

Qual das curvas caractersticas, relativas a um transstor bipolar, se encontra representada no diagrama da figura
anexa?
500

Curvas de comando de corrente.

Curvas de comando de tenso.
Curvas de sada com U como parmetro.
Curvas de entradas
Curvas de sada com I como parmetro.
BE

IC

IB = 90mA
= 50mA
= 10mA

mA

= 5mA

300
200

= 2mA
= 1mA
= 0,5mA

100
0
0

10

20

30

= 0,2mA
= 0,1mA

50
UCE

Figura 28 - Curvas caractersticas do BJT

4. ZONAS DE FUNCIONAMENTO DO BJT

4.1

ZONAS DE FUNCIONAMENTO

A caracterstica da figura 29 tem diferentes zonas de comportamento do transstor. Ampliando as caractersticas de

sada, para tal bastaria efectuar mais medies de IC e UCE para diferentes valores de IB, a representao grfica seria
a seguinte:

Figura 29 - Curva caracterstica de sada ( IC ; UCE )

A primeira a zona mdia ,com UCE superior a algumas dcimas de Volt, que representa a operao normal do
transstor. Nesta zona a juno BE est polarizada directamente e a juno BC est polarizada
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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

inversamente. Esta zona designa-se por zona activa ou zona linear. Nesta zona o transstor funciona como
amplificador, onde as variaes do sinal de entrada produzem variaes proporcionais no sinal de sada.

A segunda zona caracterizada por ter a corrente de base igual a zero, e uma corrente de colector muito
pequena, prxima de zero. O desenho da caracterstica inferior est exagerado na figura 7.27, aparecendo maior do
que habitual. Esta curva inferior define a chamada zona de corte ou bloqueio do transstor e a sua pequena corrente
de colector designa-se por corrente de corte ou bloqueio do colector. Nesta regio ambas as junes esto
polarizadas inversamente.
A terceira zona definida por uma subida da caracterstica, com UCE a variar entre 0 e algumas dcimas de
volt. Esta parte da caracterstica denomina-se por zona de saturao. Nesta regio a juno BC tem uma tenso
insuficiente para recolher todos os electres livres injectados na base, a corrente de base maior que o valor normal e
o ganho de corrente menor que o normal, assim teremos:
IC < . IB
Nesta zona ambas as junes esto polarizadas directamente.
As zonas de saturao e de corte so teis em circuitos digitais, como nos computadores, referidos por circuitos de
comutao.

4.2

ESQUEMAS SIMPLIFICADOS

Na maioria das vezes torna-se desnecessrio a utilizao de duas fontes de alimentao para a polarizao do
transstor. Se a tenso UBB for igual tenso UCC, utiliza-se apenas uma fonte de tenso para a polarizao do
transstor. Vejamos na figura 6.29 um caso concreto.

Figura 30 - Esquema com duas fontes de alimentao ( esquerda ) e esquema simplificado com uma fonte de alimentao
( direita )

1.

Exerccio de Aplicao

O circuito da figura seguinte foi analisado num programa de simulao de circuitos electrnicos. O transstor um
BC 548C. Calcule o ganho em corrente do transstor.

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Figura 31 - Circuito analisado num simulador de circuitos electrnicos ( EWB )

2.

O ponto de funcionamento do transstor como amplificador encontra-se:

Situado na zona de corte.

Situado alternadamente na zona activa e na zona de corte.
Situado alternadamente na zona de corte e na zona de saturao.
Situado na zona activa.
Situado na zona de saturao.

4.3

POLARIZAO DO TRANSSTOR. RECTA DE CARGA.

At agora limitamo-nos a calcular os parmetros de funcionamento pr estabelecidos de um transstor integrado num

circuito. Passaremos de seguida a definir esses parmetros de funcionamento ou por outras palavras analisaremos
quais os procedimentos de polarizao do transstor.
A polarizao dum transstor consiste na obteno das condies de funcionamento correspondente ao ponto de
funcionamento ou repouso.
Admitimos que so fixadas as grandezas IC, IB, UBE, UCE, correspondentes ao ponto de funcionamento. O transstor
funciona mais linearmente na zona activa. Ser ento necessrio estabelecer potenciais e correntes apropriadas,
usando fontes exteriores.
As grandezas do ponto de funcionamento na zona activa so limitadas pelo valor mximo da potncia dissipada no
colector, representado na figura em baixo pela respectiva hiprbole de dissipao mxima e pelos valores mximos da
tenso colector-emissor e da corrente de colector, que delimitam as zonas dos possveis pontos de funcionamento.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Figura 32 - Circuito emissor comum e respectivas curvas da caracterstica de sada

Uma das aplicaes mais vulgares do transstor a amplificao, na qual o circuito recebe um sinal de entrada que se
sobrepe aos valores contnuos da corrente e tenso de entrada, produzindo na sada um sinal, tambm sobreposto
aos valores contnuos da corrente e tenso de sada.
A anlise das condies de funcionamento podem ento ser divididas em duas partes:
1.

O funcionamento em corrente contnua respeitante ao ponto de funcionamento.

2.

O funcionamento em corrente alternada respeitante ao sinal a ser amplificado.

Nesta fase analisaremos o ponto de funcionamento. A analise das condies de funcionamento podero ser realizadas
recorrendo a um mtodo grfico baseado na recta de carga.
Comecemos por definir os parmetros de sada: IC; UCE . A equao da malha de sada contm os parmetros:
- UCC + R C.IC + UCE = 0
Para definirmos uma recta ser necessrio obtermos dois pontos ( um no eixo dos xx ou das tenses e outro no eixo
do yy ou das correntes) , para tal iremos igualar alternadamente a tenso e a corrente a zero, uma vez que sero os
pontos de mais fcil analise, assim:
1.

Quando IC = 0 , vir:

- UCC + R C.0 + UCE = 0 UCE = UCC

encontramos assim a coordenada ( UCC , 0 ).

2.

Quando UCE = 0, teremos:

- UCC + R C.IC + 0 = 0
definimos a segunda coordenada ( 0 ,

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).

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

O ponto de funcionamento estar na recta de carga assim definida, como podemos observar na figura 7.31.

Figura 33 - Recta de carga e ponto de funcionamento

No grfico podemos visualizar que ao ponto de funcionamento Q1 corresponde uma corrente de base IB = 40 A. Se
escolhermos IB = 60 A, o ponto de funcionamento ser o Q2.
Normalmente, o ponto de funcionamento definido a meio da recta de carga fazendo-se UCC / 2, de modo a permitir
que por aco de uma corrente sinusoidal de entrada, a corrente de colector possa ter uma expedio mxima para
cada um dos lados relativamente ao ponto de funcionamento.
O ponto de funcionamento Q1 determina IC e UCE.

1.

Exerccio de Aplicao

No circuito da figura 7.32 o transstor de silcio apresenta um hFE de 75.

Sabendo que UBB = 1,5 V; UCC = 12V e RC =1,5 K, calcule:

O valor de RB para que a corrente de base seja IB = 40 A.

A equao da recta de carga e os pontos da sua interseco com os
eixos.
Figura 34 - Circuito em analise

5. CIRCUITOS DE POLARIZAO
POLARIZAO FIXA DE BASE
No circuitos analisados at ento temos utilizado um tipo de polarizao denominada de polarizao fixa de base. Este
tipo de polarizao define uma corrente de base constante, conseguida unicamente por uma resistncia.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Figura 35 - Circuito de polarizao - Polarizao fixa

POLARIZAO DE EMISSOR
Nos amplificadores so necessrios circuitos cujos pontos de funcionamento Q sejam imunes a variaes do ganho de
corrente. A figura 36 esquematiza um circuito deste tipo.

Figura 36 - Circuito de polarizao - Polarizao de emissor

Como se v a resistncia foi deslocada do circuito da base para o circuito de emissor. Esta nica alterao origina uma
grande diferena. O ponto Q do novo circuito est agora fixo. Quando o ganho de corrente variar, por exemplo, de 50
para 150, o ponto Q quase no se desloca ao longo da recta de carga.
Aplica-se a tenso de alimentao directamente na base. O emissor deixa de estar ligado massa, possuindo este
uma tenso igual a:
UE = UBB UBE
Esta tenso obtm-se nos terminais da resistncia de emissor, pelo que por aplicao da lei de Ohm se define o valor
da corrente de emissor:

Isto significa que a corrente de colector tem aproximadamente este valor, uma vez que, como IB muito pequena
teremos que:
IC IE

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Sendo assim definimos o valor da tenso em RC j que:

URC = RC . IC
Continuando os nossos clculos podemos determinar a tenso no colector UC em relao massa:
UC = UCC URC
Por ltimo, calculamos a tenso colector-emissor:
UCE = UC - UE
Assim obtemos o ponto de funcionamento Q do transstor com as suas coordenadas: UCE ; IC.
O circuito imune s variaes do ganho uma vez que, nos clculos efectuados anteriormente nunca foi necessrio
recorrer ao valor de . Como no foi utilizado na realizao de todos os clculos deixa de ser relevante o seu valor
exacto.
Ao deslocar-se a resistncia de base para o circuito do emissor faz-se com que a tenso entre a base e a massa seja
igual tenso da fonte de alimentao. Anteriormente, esta tenso estava quase toda nos terminais da resistncia de
base, impondo uma corrente fixa de base, neste momento, a tenso de alimentao menos 0,7 V estar toda nos
terminais da resistncia de emissor, estabelecendo uma corrente fixa de emissor.

POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO

Este o circuito de polarizao mais utilizado. O nome do circuito advm do circuito de base possuir um divisor de
tenso constitudo pelas resistncias R1 e R2.

Figura 37 - Circuito de polarizao - Polarizao por divisor de tenso

Num circuito divisor de tenso bem dimensionado, a corrente de base muito menor que a corrente atravs do divisor
de tenso.
Como a corrente de base tem um efeito desprezvel no divisor de tenso, concebe-se mentalmente o circuito aberto
entre o divisor de tenso e a base do transstor de tal forma a obtermos o esquema da figura 7.40. a sada do divisor
de tenso neste circuito fica definida por:

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Figura 38 - Divisor de tenso

A anlise do restante circuito anlogo ao elaborado para o circuito de polarizao de emissor. Assim teremos para a
corrente de emissor:

sendo:

IC IE

A tenso em RC ser dada pela lei de Ohm:

A tenso no colector UC em relao massa vir:
Por ltimo, calculamos a tenso colector-emissor:

URC = RC . IC
UC = UCC URC
UCE = UC - UE

POLARIZAO POR RESISTNCIA ENTRE O COLECTOR E A BASE

O principio fundamental ser o mesmo dos circuitos anteriores, estabilizar o ponto de funcionamento Q. Este processo
utiliza a realimentao de uma tenso na base com vista a neutralizar qualquer variao na corrente de colector.

Figura 39 - Circuito de polarizao - Polarizao por resistncia entre o colector e a base

Por exemplo: admita-se que a corrente de colector aumenta. Ento aumenta a tenso na resistncia de colector, que
faz diminuir a tenso na resistncia da base. Por sua vez, a corrente de base, devido diminuio da tenso, ir
diminuir, opondo-se ao crescimento inicial da corrente do colector.
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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Este circuito utiliza a realimentao negativa para tentar diminuir a variao inicial da corrente de colector.

1.

Exerccio de Aplicao

Considere o circuito electrnico constitudo por um transstor polarizado por resistncia de emissor. Calcule o
valor da corrente IC e a tenso UCE correspondentes ao ponto de funcionamento Q.

Figura 40 - Circuito com polarizao de emissor em analise

2.

O circuito da figura 41 constitudo por um transstor polarizado por divisor de tenso. Por aplicao do teorema
de Thvenin na base calcule a tenso UCE, sabendo que o transstor de silcio.

Figura 41 - Circuito com polarizao por divisor de tenso em analise

2.1
2.2

Considerando a igualdade IC IE.

No considerando a igualdade imposta anteriormente, sabendo que o transstor tem um ganho de corrente
de 100.

6. MONTAGEM EC, CC, BC

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

6.1

MONTAGEM EMISSOR COMUM

De seguida, apresenta-se as caractersticas gerais da montagem emissor comum analisada ao longo dos itens
anteriores.

Figura 42 - Montagem emissor comum

PARMETRO EM ANLISE

6.2

CARACTERSTICA

GANHO DE CORRENTE

ELEVADO

GANHO DE TENSO

ELEVADO

GANHO DE POTNCIA

ELEVADO

IMPEDNCIA DE ENTRADA

BAIXA - ( da ordem de 1 K )

IMPEDNCIA DE SADA

ALTA - ( da ordem de 50 K )

MONTAGEM COLECTOR COMUM

Esta montagem tem o colector comum ao circuito de entrada e ao circuito de sada, como podemos visualizar na
figura 43.

Figura 43 - Montagem colector comum

Uma corrente de base pequena comanda uma corrente de emissor bastante maior, contudo, custa de uma tenso
base - colector praticamente igual tenso colector-emissor.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Na entrada, o transstor comporta-se como tendo uma resistncia grande, enquanto no circuito de sada se comporta
como tendo uma resistncia pequena. As caractersticas desta montagem encontram-se referidas no quadro seguinte:

PARMETRO EM ANLISE

6.3

CARACTERSTICA

GANHO DE CORRENTE

ELEVADO

GANHO DE TENSO

UNITRIO

GANHO DE POTNCIA

BAIXO

IMPEDNCIA DE ENTRADA

ALTA - ( da ordem de 500 K )

IMPEDNCIA DE SADA

BAIXA - ( da ordem de 100 )

MONTAGEM BASE COMUM

Analogamente s outras montagens, esta montagem chamada de base comum por ter a base como elemento
comum ao circuito de entrada e ao circuito de sada.

Figura 44 - Montagem base comum

A corrente de entrada IE produz a corrente de sada, em que o parmetro definido como o ganho de corrente
contnua da montagem base comum.
Como no circuito de entrada, o transstor apresenta a tenso UEB de pequeno valor, para o gerador o transstor
apresenta uma resistncia de entrada pequena. No circuito de sada o transstor comporta-se como tendo uma
resistncia grande. As caracterstica deste montagem salientam-se de seguida:

PARMETRO EM ANLISE

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CARACTERSTICA

GANHO DE CORRENTE

BAIXO

GANHO DE TENSO

ALTO

GANHO DE POTNCIA

MDIO

IMPEDNCIA DE ENTRADA

MUITO BAIXA - ( entre 1 a 150 )

IMPEDNCIA DE SADA

MUITO ALTA - ( da ordem de 1 M )

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Os trabalhos laboratoriais presentes nesta seco do manual tm como principal objectivo, o consolidar dos
conceitos adquiridos no decurso das aulas tericas.
O projecto visa a aplicao das tcnicas apreendidas no desenvolvimento de aplicaes prticas, onde o aluno
implementa, testa e avalia os circuitos elaborados.

Determinao dos terminais de um transstor bipolar com o multmetro

Curvas caractersticas do BJT
Estabilidade dos circuitos de polarizao

TRABALHO LABORATORIAL N. 2
CURVAS CARACTERSTICAS DO TRANSSTOR DE JUNO BIPOLAR

Objectivos

Determinar as caractersticas de entrada da montagem em emissor comum.

Determinar as caractersticas de sada da montagem em emissor comum.

Instrumentao, material e documentao

1 Potencimetro de 10 K
1 Resistncia de 15 K
1 Transstor BC 547
1 Fonte de alimentao varivel
1 Fonte de alimentao fixa + 5 V ( a implementar )
1 Multmetro digital ( medio de tenses )
1 Multmetro analgico ( medio de correntes)
1 Breadboard
Data Sheet BC 547 ( transstor NPN de silcio )

Esquema experimental

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Figura 1 - Esquema experimental n. 1

Procedimento
1.

Construa uma fonte de alimentao de + 5 V utilizando rectificao de onda completa e estabilizao de tenso
atravs do circuito integrado 7805. Proceda de modo a cumprir as normas de segurana:

Garanta a correcta ligao do transformador, uma vez que a tenso de alimentao de 230 V.

Cumpra as devidas normas de segurana. No efectue as ligaes no transformador quando este estiver em
carga (ligado).

Tenha ateno polaridade dos condensadores electrolticos.

Aps a implementao da fonte de alimentao e, antes de a ligar, pea ao formador para a verificar.
Nota: Dever colocar dois condensador antes e depois do 7805 ( pinos IN e OUT ), para garantir que este

estvel, mesmo quando perturbado com interferncias de alta frequncia, ou alimentando cargas geradoras
de perturbaes. O modo de ligao e os seus valores esto indicados na figura 2.

Figura 2 - Condensadores a colocar antes e depois do circuito integrado

2.

Monte o esquema experimental n. 1, escolhendo adequadamente os aparelhos de medida.

Por variao do potencimetro P1 faa com que a corrente de base IB tenha os valores do quadro 1. Para cada
valor da corrente de base varie a tenso colector-emissor UCE de acordo com os valores apresentados.
Mea e registe as respectivas correntes de colector. Verifique se a corrente de base se mantm constante.
IB

0 A

20 A

40 A

60A

80A

100A

UCE

IC

IC

IC

IC

IC

IC

0V
0,5 V

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1V
5V
8V
10 V
Quadro de registos n. 1 - Caractersticas de sada

3.

Proceda de modo a poder medir as tenses base-emissor UBE e colector-emissor UCE, assim como a corrente de
base IB.
Para cada valor constante da tenso colector-emissor indicado na tabela 2, e por actuao no potencimetro P,
obtenha os valores da corrente de base indicados no quadro. Mea as respectivas tenses base-emissor UBE.
IB

0 A

20 A

40 A

60A

80A

100A

UCE

UBE

UBE

UBE

UBE

UBE

UBE

0V
0,5 V
1V
5V
8V
10 V
Quadro de registos n. 2 - Caractersticas de entrada

Analise e interpretao de resultados

1.

Calcule o ganho de corrente do transstor nas seguintes condies:

IB = 20 A ; UCE = 1V
IB = 20 A ; UCE = 10V
IB = 60 A ; UCE = 10V

2.

Dos clculos realizados na alnea anterior que pode concluir quanto aos factores que podem influenciar o valor do
ganho de corrente em corrente contnua ?

3.

Represente graficamente as caractersticas de entrada e de sada. Compare-as com as caractersticas analisadas

teoricamente.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Grfico n. 1 - Caractersticas de sada

Grfico n. 2 - Caractersticas de sada

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Pgina 32

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Pgina 39

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Pgina 34

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Pgina 39

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

Pgina 36

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TRABALHO LABORATORIAL N. 3
ESTABILIDADE DOS CIRCUITOS DE POLARIZAO

Objectivos

Estudar circuitos de polarizao de transstores

Simular algumas avarias correntes em circuitos com transstores.

Instrumentao, material e documentao

1 Resistncia de 0,82 K
1 Resistncia de 2,2 K
1 Resistncia de 3,3 K
1 Resistncia de 10 K
1 Resistncia de 330 K
2 Transstor BC 547
1 Fonte de alimentao fixa + 15 V ( a implementar pelo formando )
1 Multmetro digital ( medio de tenses )
1 Multmetro analgico ( medio de correntes)
1 Breadboard

Esquemas experimentais

Figura 1 - Esquema experimental n. 1

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Figura 2 - Esquema experimental n. 2

Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

 Procedimento
1.

Construa uma fonte de alimentao de + 15 V utilizando rectificao de onda completa e estabilizao de tenso
atravs do circuito integrado 7815. Proceda de modo a cumprir as normas de segurana:

Garanta a correcta ligao do transformador, uma vez que a tenso de alimentao de 220 V.

Cumpra as devidas normas de segurana. No efectue as ligaes no transformador quando este estiver em
carga ( ligado ).

Tenha ateno polaridade dos condensadores electrolticos.

Aps a implementao da fonte de alimentao e, antes de a ligar, pea ao formador para a verificar.
Nota: Dever colocar dois condensador antes e depois do 7815 ( pinos IN e OUT ), para garantir que este

estvel, mesmo quando perturbado com interferncias de alta frequncia, ou alimentando cargas geradoras
de perturbaes. O modo de ligao e os seus valores esto indicados na figura 3.

Figura 3 - Condensadores a colocar antes e depois do circuito integrado

2.

Monte o esquema experimental n. 1. Mea e registe as correntes de base IB e colector IC, e as tenses base emissor UBE e colector - emissor UCE.
IB = ______

3.

UCE = ______

IC = ______

UBE = ______

UCE = ______

Monte o circuito experimental n. 2. Mea e registe as correntes de base IB e colector IC, e as tenses de base UB,
emissor UE, base - emissor UBE e colector - emissor UCE.

IB = ______ IC = ______

5.

UBE = ______

Substitua o transstor BC 547 por outro idntico. Repita as medidas efectuadas anteriormente.
IB = ______

4.

IC = ______

UB = ______

UE = _______

UBE = ______

UCE = ______

Substitua novamente o transstor BC 547 por outro idntico para verificar a influncia da alterao deste. Repita
as medidas efectuadas anteriormente.

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico

IB = ______ IC = ______

6.

UB = ______

UE = _______

UBE = ______

UCE = ______

Esta alnea visa analisar as possveis avarias no transstor. Aps cada simulao de varia restabelea o circuito
inicial. Em cada situao mea e registe as tenses de emissor UE e tenses de colector UC.

Simulao 1 _ Retire a resistncia R1 ( R1 em circuito aberto )

UE = _______

UC = ______

Simulao 2 _ Retire a resistncia R2 ( R2 em circuito aberto )

UE = _______

UC = ______

Simulao 3 _ Faa o curto circuito da resistncia R2

UE = _______

UC = ______

Simulao 4 _ Faa o curto circuito da resistncia RC

UE = _______

UC = ______

Simulao 5 _ Retire a resistncia RC ( RC em circuito aberto )

UE = _______

UC = ______

Simulao 6 _ Retire a resistncia RE ( RE em circuito aberto )

UE = _______

UC = ______

Simulao 7 _ Faa o curto circuito da resistncia RE

UE = _______

UC = ______

Simulao 8 _ Faa o curto circuito da juno BE

UE = _______

UC = ______

Simulao 9 _ Faa o curto circuito da juno CE

UE = _______

UC = ______

Analise e interpretao de resultados

1.

No circuito experimental n.1 se a corrente de colector aumentar, qual ser a variao a registar na tenso de
colector UC ? Justifique, sucintamente, a sua resposta.

2.

Analise analiticamente o circuito experimental n. 2. Compare os valores obtidos com os valores experimentais.

Valores experimentais:

IB = ______ IC = ______ UB = ______ UE = _______ UBE = ______ UCE = ______

Valores obtidos analiticamente:

IB = ______ IC = ______ UB = ______ UE = _______ UBE = ______ UCE = ______

3.

Qual das duas montagens mais estvel em termos de ponto de funcionamento. Justifique.

4.

Com recurso folha de dados do transstor BC 547 esboce os terminais do referido semicondutor. Verifique os
valores do ganho de corrente contnua DC ( parmetro hFE ).

5.

Verifique na tabela referente s estipulaes mximas ( maximum ratings ) a potncia de dissipao mxima do
transstor BC 547. Se o transstor estiver em funcionamento a uma temperatura de 100 C, qual ser a potncia
mxima de dissipao?

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Mdulo 5 Transstor bipolar em regime esttico