Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos

factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.

Grupos

Electrones en
la ltima capa

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In

13

3 e-

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

Elemento

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl,
TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos
es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
ndice
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1Tipos de semiconductores
o

1.1Semiconductores intrnsecos

1.2Semiconductores extrnsecos

1.2.1Semiconductor tipo N

1.2.2Semiconductor tipo P

2Vase tambin

3Enlaces externos

4Semiconductores y electrnica

Tipos de semiconductores[editar]

Semiconductores intrnsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccindejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico
correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia, liberando as energa. Este fenmeno se
conoce como "recombinacin". A una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la
concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple entonces
que:
ni = n = p
donde ni es la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del elemento en
cuestin.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial
se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que
tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en
la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es
decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que
est dopado. Las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando
con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos
de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para
ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del
silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de
la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el
material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.