Universidad Politcnica Salesiana. Herrera. T.E.

Herrera Esteban
Universidad Politcnica Salesiana

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

I. INTRODUCCIN
A los transistores de efecto de campo se les conoce
como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos se
encuentran dos grandes tipos:
Transistor de efecto de campo de unin:
JFET
Transistor de efecto de campo Metal-OxidoSemiconductor
MOSFET
Los transistores FET son dispositivos controlados
por tensin, en estos transistores se crea un campo
elctrico que controla la anchura del camino de
conduccin del circuito de saluda sin que exista
contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores
bipolares existen dos tipos npn, pnp; en los
transistores de efecto de campo se los llama de
canal n y de canal p. [1]
Los transistores FET son unipolares, en los que el
nivel de conduccin dependern nicamente de un
nico tipo de portadores que pueden ser: de los
electrones en los que estn en el canal n y de los
huecos que estn en el canal p.
A estos transistores se los caracteriza por tener una
alta impedancia de entrada que pueden variar desde
uno hasta cuentos de megohmios, muy superiores a
la que presentan los transistores bipolares que
presentan impedancias del orden de unos pocos kilo
ohmios. Esto proporciona a los FET una ventaja a la
hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Los transistores FET tienen una gran estabilidad
con la temperatura y son de dimensiones pequeas
lo que los hace particularmente tiles en circuitos
integrados (sobre todo los MOSFET).

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Un caracterstica muy importante de los FET es que

se pueden comportar como si se tratasen de
resistencias o condensadores, lo que posibilita la
realizacin de circuitos utilizando nica y
exclusivamente transistores FET.
TRANSISTORES DE UNION DE EFECTO DE
CAMPO (JFET)
Los JFET pueden clasificarse en dos grandes
grupos:
JFET de canal n
JFET de canal p

Figura 1. Transistor JFET de canal n [1]

D= Drenador terminal por el que salen los

portadores del dispositivo (los electrones del canal n
y los huecos del canal p)
S= Fuente es el terminal por donde entran los
portadores
G= Puerta es el terminal mediante el que se controla
la corriente de portadores a travs del canal.
En la figura uno se puede observar como la mayor
parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con
contactos hmicos en ambos extremos (terminales
de drenador y fuente). En este canal se encuentra
inserto dos regiones de compuerta tipo p son sendos
contactos hmicos que constituyen los terminales de
puerta. [2]

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Estos dispositivos son de tres terminales y aparecen

representados en la figura 2.

Figura 2. Simbologia de los JFET [1]

2
Figura 4. Curva caracterstica de un JFET de canal n [1]

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOSFET)
Existen dos tipos de transistores MOSFET:
MOSFET
de
acumulacin
o
enriquecimiento
MOSFET
de
deplecin
o
empobrecimiento

de
de

Para el funcionamiento ms habitual de los

transistores de cana n se polarizan aplicando una
tensin positiva entre el drenador y la fuente y una
tensin negativa entre la puerta y la fuente. De esta
forma la corriente circulara en el sentido de
drenador a fuente; en el caso del canal p la tensin
drenador fuente debe ser negativa y la tensin
puerta fuente debe ser positiva de esta forma la
corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el
drenador como se ve en la figura 3.

Figura 5. Estructura bsica del MOSFET de canal n [1]

Figura 3. Polarizacin del JFET. [1]

La curva caracterstica de los JFET se puede

distinguir zonas bien diferenciadas:
Zona de corte o de no conduccin
Zona hmica o de no saturacin
Zona de saturacin o de corriente constante
Zona de ruptura

Como se aprecia en la figura 5. La estructura

bsica del MOSFET de canal n se parte de una zona
de material semiconductor tipo p en la que aparecen
dos zonas tipo n con contactos metlicos en los
terminales de drenador y de fuente, la zona roja
corresponde a una capa de material aislante en este
caso es oxido de silicio, si se fija en el terminal
puerta se presencia una zona metlica
(correspondiente al contacto hmico) una zona de
xido y una zona de semiconductor. [2]
Los smbolos ms utilizados para la representacin
en circuitos de los MOSFET son los siguientes:

Figura 6. Simbologa del transistor MOSFET [1]

Para su funcionamiento a los transistores MOSFET

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se los polariza como se nota en la figura 7.

Al igual que el transistor JFET se pueden distinguir
4 zonas de funcionamiento del transistor MOSFET
en la figura 8. Que son:

Figura 7. Polarizacin del MOSFET

La curva caracterstica de un transistor MOSFET de

acumulacin:

II. CONCLUSIONES
Debido a su alta impedancia los transistores
FET son muy utilizados en circuitos
amplificadores.
Las ganancias en amplificadores los FET no
son tan grandes como los BJT.
Una caracterstica muy importante de los
transistores FET es que pueden comportarse
como resistencias y como capacitores.
REFERENCIAS

[1] Anonimo. [En lnea]. Available:

http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eauelectronica-y-automatica/152-eau-apu-apuntestransistores/file. [ltimo acceso: 06 Agosto 2015].
[2] Wikipedia, Wikipedia, [En lnea]. Available:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_camp
o. [ltimo acceso: 06 Agosto 2015].
Figura 8. Curva caracterstica de un MOSFET de canal n [1]

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