REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIN UNIVERSITARIA, CIENCIA

Y TECNOLOGA
INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGA DEL OESTE MARISCAL DE SUCRE
INSTITUTO DE FERROCARRILES DEL ESTADO
ESCUELA NACIONAL DE FORMACIN FERROVIARIA
NCLEO MIRANDA

Ctedra de Circuito Cerrado

Trayecto IV
Cohorte III - 2016

TRANSITORES

Profesores:
Leonel Salas

Elaborado por:
Catterin Quito C.I.: 19.266.682
Maryan Ramirez C.I 22.349.050
Nelcyn Rios
C.I 21.618.266
Ludiana hidalgo C.I 24.391.662

Noviembre 2016

TRANSISTOR

Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensin

actuando como un interruptor o amplificador para seales electrnicas. Tambin
se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrnico, Es formado por materiales
semiconductores, de uso muy habitual, pues lo encontramos presente en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automviles, ordenadores, etc. Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao,
gran versatilidad y facilidad de control.
En potencia electrnica, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin de los transistores se disean para que
estos trabajen en la zona de saturacin o en la zona de corte, la ventaja que
tienen es que son totalmente controlados, los tipos de transistores utilizados en los
circuitos de potencia son:

BJT
MOSFET
IGBT

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de

mando. Como Interruptor. Abre o cierra para cortar o dejar pasar la
corriente por el circuito.

Funciona como un elemento Amplificador de seales. Le llega una seal

pequea que se convierte en una grande.

El Transistor tambin puede cumplir funciones de amplificador, oscilador,

conmutador o rectificador.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:

En activa: deja pasar ms o menos corriente.

En corte: no deja pasar la corriente.
En saturacin: deja pasar toda la corriente.

En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de

corriente entre el emisor y el colector (en corte), funciona como un interruptor
abierto entre el emisor y el colector, y cuando tiene la corriente de la base mxima
(en saturacin) su funcionamiento es como un interruptor cerrado dejando pasar la
corriente, entre el emisor y el colector. Adems pasa la mxima corriente permitida
por el transistor entre E y C. El tercer caso es que a la base del transistor le llegue
una corriente ms pequea de la corriente de base mxima para que se abra el
transistor, entonces entre Emisor y Colector pasar una corriente intermedia que
no llegar a la mxima.
El funcionamiento del transistor se puede considerar como un interruptor que se
acciona elctricamente, por medio de corriente en B, en lugar de manualmente
como son los normales. Pero tambin se puede considerar un amplificador de
corriente porque con una pequea corriente en la base conseguimos una corriente
mayor entre el emisor y colector.

Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor Ie y

corriente del colector Ic. En la imagen vemos las corrientes de un transistor tipo
NPN.

TRANSISTOR DE POTENCIA
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar
Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:

Bipolar
Unipolar FET ( Transistor de efecto de Campo)
IGBT

TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

Es destacar que el inters actual del BJT es muy limitado, ya que existen dispositivos de
potencia con caractersticas muy superiores. Sin embargo, le dedicamos un tema dentro
de esta asignatura porque es necesario comprender sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en
la actualidad dentro del campo de la electrnica de potencia.
Existen cuatro condiciones de polarizacin posible. Dependiendo del sentido o signo de
los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin

emisor-base y una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la regin
de operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: corresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor-base y a una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es
usada raramente.

Regin de corte: corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La

operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto ( /c=0).
Regin de saturacin: corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones.
La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el
modo encendido, pues el transitor acta como un interruptor cerrado (Vce=0).

MOSFET
El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los
componen, una fina pelcula metalica ( metal-M), oxido de silicio ( Oxido O) regin
semiconductora ( Semiconductor S). Las aplicaciones mas tpicas de los transistores
de pontencia MosFet se encuentran en la comutacion a altas frecuencias, chopeado,
sistemas inversores para controlar motores, generedores de altas frecuencias para
induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y
transmisores de radiofrecuencia.
La principal diferencia entre los transitores bipolares (BJT) y los mosfet consiste en
que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren
solo una pequea corriente de entrada mientras que los transistores Bipolares (BJT),
son controlados por corriente aplicada a la bases.
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT

La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los

nanosegundos por esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de
pequea potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segundo ruptura
Mayor rea de funcionamiento
Mayores ganancias
Circuito de mando mas simple
Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet

Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas

electrostticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin
Los Mosfet son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que provoca
mayores prdidas de potencia cuando trabaja en conmutacin.

Tipos de MOSFET

Mosfet de deplexion o empobrecimiento: existe un canal por el cual circula la

corriente aunque no se aplique tensin en la puerta.
Mosfet de acumulacin o enriquecimiento: el canal por el cual circula la corriente
se crea cuando se le aplica una tensin en la puerta. A su vez, dentro de los
transistores MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos de canal n
o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo de portadores
mayoritarios por el canal. En la siguiente figura se pueden observar la estructura
fsica y el smbolo mas habitual para un Mosfet de canal n:

As mismo, en la siguiente figura se muestran las misma figuras para un Mosfet de canal p
:

Regiones del trabajo de los MOSFET

La curva caracterstica nos da informacin acerca de como varia la intensidad del
drenador (ID) para una tensin fija (Vds), y variando la tensin aplicada entre la puerta y el
surtidor (Vgs). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva caracterstica de un
n-MOSFET de enriquecimiento .

Las caractersticas reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y como se puede
observar en la grfica anterior.
Regin de corte
En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales (muy
pequeas), cuando el dispositivo esta en corte. Si la tensin aplicada entre puerta-surtidor
es inferior a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el
dispositivo continuara en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el
drenador es prcticamente nula. Las ecuaciones para esta regin sern :
VGS < VGS(th)
Vds > 0
ID

Regin activa
Se utiliza el transistor mos como amplificador. Para un valor de VGS que ser
como mnimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor.
En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, controla la
magnitud de la corriente del drenador ID , Como la tensin entre el drenador y surtidor IV ds .
Como se puede ver en la curva caracterstica, para un valor particular de la tensin entre
puerta- surtidor tenemos un valor de la corriente del drenador ID

La ecuacin tpica para la regin sern:

VGS > VGS (th)

VGS VGS(th) vDS
IG 0

ID IS

Regin hmica:
Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la
condicin que:

vGS vGS(th) vGS(th)

Por lo tanto,las ecuaciones tpicas para esta regin son :

VGS VGS(Th)
Vgs - VGS(th) VDS
I G 0

I D IS

Es importante recordar que el voltaje umbral V GS (th) es negativo y para inducir un

canal es necesario aplicar un voltaje en puerta que sea ms negativo que el propio voltaje
umbral. Por lo tanto para un MOSFET de canal p, se definen las tres regiones anteriores
de la siguiente manera:
Regin de corte : VGS VGS(Th)
Regin activa (saturacin ) : VGS VGS(Th)
Vgs - VGS(th) < VDS
Region hmica: VGS < VGS (th)
VGS VGS (th)> vDS

Transistor IGBT
El IGBT ( insulate gate bipolar transistor) combina las ventajas de los BJT y los mosfet.
Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en

conmutacion, como los BJT, pero sin el problema de segunda rupture, por lo que puede
trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucion ha sido rapido debido a
que han demostrado tener una resistencia en conduccion muy baja y una elevada
velocidad de conmutacion ( la transicion dsde estado de conduccion al de bloqueo se
puede considerer de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de
los 50KHz), ademas de una elevada tension de rupture. Los IGBT se fabrican desde una
tension de 1400V y una corriente de 300A, a una tension de 600V y una corriente de 50A.
El control por tension hace que el IGBT sea mas rapido que el BJT, pero mas lento que el
Mosfet. La energia aplicada a la puerta qu active el dispositivo es pequela con una
corriente del orden de los mamoamperios, esta pequela potencia necesaria par conmutar
el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integraados.

COMPARACION ENTRE LOS DIFERENTES TRANSISTORES DE POTENCIA

TABLA DE PRESTACIONES Y REGIONES DE UTILIZACION.

Prestaciones

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