Materiales semiconductores

Los materiales semiconductores son aquellos que a temperaturas muy bajas se comportan
como aislantes, es decir, no conducen la electricidad, pero que cuando la temperatura aumenta
por encima de un cierto valor se convierten en muy buenos conductores.
Algunos materiales semiconductores son por ejemplo el silicio, el germanio y el selenio. Los
electrones que tienen los tomos de un slido van ocupando las bandas permitidas, una vez
que se ocupa una banda los electrones restantes, si es que los hay, empiezan a ocupar la
siguiente
banda
permitida.

Ejemplos de materiales conductores de electricidad

Plata pura
Cobre recocido
Cobre endurecido
Aluminio(97.5%) puro
Zinc puro
Latn
Bronce con fsforo
Alambre de hierro
Nquel
Alambre de acero

Plata alemana
Hierro colado

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como

un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que
se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en
la tabla adjunta.

Elemento

Grupos

Electrones en
la ltima capa

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In

13

3 e-

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque

idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13
con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
ndice
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1 Tipos de semiconductores
o

1.1 Semiconductores intrnsecos

1.2 Semiconductores extrnsecos

1.2.1 Semiconductor tipo N

1.2.2 Semiconductor tipo P

2 Vase tambin

3 Enlaces externos

4 Semiconductores y electrnica

Tipos de semiconductores[editar]

Semiconductores intrnsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en
el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un
hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina
recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin
de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de
electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern
a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4
capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado
aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus
electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce
el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio
tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con
cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina
en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son
los portadores mayoritarios y los huecos son losportadores minoritarios. A

causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil,
y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final
de cero.
Semiconductor tipo P[editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido comomaterial aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso
del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla
peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se
ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva.
Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.