MALZEME BLM - 2

KRSTAL YAPI KUSURLARI

Kristal kusurlar
Hi bir kristal mkemmel deil;
Kusurlar yapda kasti veya kasti olmadan
bulunabilir.
Kusur eitleri:
Noktasal kusurlar
izgisel kusurlar
Dzlemsel kusurlar

Kristal yap kusurlar

Kristal yaplar kusursuz deildir.Bu kusurlar ou
kez malzemenin eitli davranlarn nemli lde
etkiler.
zelti ne demektir?
Molekler veya atomsal
dzeydeki karma zelti
ad verilir.
zelti sv haldeyse,
Sv zelti
sv zelti, kat haldeyse
kat zelti ad verilir.
Molekler dzeyde
karm

1-Nokta(0 boyutlu) kusurlar

1.1-Kat zelti
Bir metale ait kafes iinde dier bir elemente ait
atomlarn varl kusur olarak dnlebilir. Bu
durum ,kat zeltilerin olutuu metal
alamlarnda grlr.
1.1.1.Yer alan kat zeltisi
Metal kafesindeki bir atomun yerini bir baka
atomun almasyla oluur.

rnek :Nikel metalinin kafesinde bakr

atomlarnn znmesi

Ni zen
Cu znen

Bu tip bir zeltinin her oranda oluabilmesi iin

(Yani % 0 Cu dan % 100 Cu a kadar tam znrlk),
Hume Rothery kurallarnn salanmas gerekir:
1-Kristal kafesler ayn olmaldr.
2-Atom yaraplarnn arasndaki fark en fazla %15
olmaldr.
3-Ayn sayda valans elektronlar bulunmaldr.
4-Benzer elektronegatiflik(elektron ekmeye eilim)
olmaldr.

Yeralan kat zeltisi Dzenli (Ordered) veya dzensiz

(Disordered) olabilir.
Dzenli kat zeltide,birim hcredeki atomlarn karm
oranlar sabit ve kafes iindeki yerleri belirlidir. rnein
AuCu3 ve Au atomlar kp kelerinde ve Cu atomlar yzey
merkezlerinde
Au veya Cu

1.1.2.Arayer kat zeltisi

Metal kafesindeki boluklara (Yani kafes
noktasndan farkl yerlere) farkl atomlarn
yerlemesidir. Bunun iin atom aplar arasndaki
farkn byk olmas gerekir.
rnek: -Fe kafesi(HMK) iindeki C atomlar
Fe

Metal d kafeslerde kat zelti oluumu

Seramiklerde, zellikle iyonik bal kafeslerde ,
kat zelti olumas iin, zeltiye giren
atomlarn da toplam elektrik ykn ntr yapmas
gerekir.Kafese giren atomun elektriksel yknn
dier atomdan yksek olmas durumunda yapda
boluklar oluabilir.
rnek: MgO kafesi iinde, NiO veya Al2O3
znmesi:

1.2 Bo yer ve ara yer kusurlar

Bo yer kusuru: Atom olmas gereken yerde
atomun eksikliidir.
Ara yer kusuru : Atomun olmamas gereken yerde
fazladan bir atom bulunmasdr

Ara yer

Bo yer

1.3 Frenkel ve Schottky kusurlar

Frenkel kusuru:Bir atomun yer deitirerek,
Bir bo yer ile fazladan bir arayer atomu
oluturmasdr.
Schottky kusuru: Ters elektriksel ykteki iki
iyonun kafeste olmas gereken yerde
bulunmaylardr.

Noktasal Kusurlarn Isl Etkilerle

Oluumu
(YAYINIM - DFZYON)

Nokta kusurlarn sl etkilerle oluumu

Malzemenin scakl arttka atomlarn kinetik
enerjileri (hzlar ) artar.
Denge konumlar etrafndaki titreim genlikleri
artar (Mutlak sfr scaklnda atomlar denge
konumlarnda titremeden sabit dururlar).
Genlikler arttka atomlar aras ortalama uzaklk
artar, snan metal genleir.

Artan scaklkla oluan genlemenin aklanmas

Asimetrik enerji-yol erisi

T2 > T1 > To
Genleme miktar

T2
T1

Mutlak sfrdaki
Ba enerjisi

Bu scaklktaki tireim genlii

Ortalama denge mesafesi

To
Mutlak sfrdaki
Denge mesafesi

Scaklkla ok genleen ve az genleen iki malzeme

Scakln Prosese Etkisi

Proses: Malzeme biliminde tm olaylar
Proseslerde Hz; scakln eksponansiyeli ile orantldr.
Bu iliki Arrhenius tipi bant ile ifade edilir.

hiz = C. exp

ln(hiz ) = ln C +

Q
RT

Q = gereken aktivasyon enerjisi

T = mutlak scaklk (oK).
R= evrensel gaz sabiti
C= scaklktan bamsz sabit.

Q
RT

y = a mx
denklemine benzer
Negatif eim scaklk azaldka hzn
azalacan gsterir.

Aktivasyon enerjisi

 ekilde verilen Maxwell - Boltzman Dalmna

gre malzemenin scakl arttnda yksek
enerjili atom bulunma ihtimali, dolaysyla bu
eik deerini aarak kusur oluma ans artar.
T1
T2

T1 < T2

Bir atomun kafes iindeki bir denge konumundan dier bir

denge konumuna geebilmesi iin , belirli bir eik enerjisine
(q) (Aktivasyon enerjisi) sahip olmas gerekir.
Atom Yar Kararl konumdan Kararl konuma gemeye
meyillidir.

10

Atomsal boyutta
q = Q / Avagadro says
K= R / Avagadro says (boltzman sabiti)

q
HIZ C . exp

kT

Atomun bir denge durumundan dier bir denge durumuna

gemesi iin bir enerji engelini amas gerekir.
htiya duyulan bu enerji q aktivasyon enerjisi dir.

Molar boyutta
y = a mx
denklemine benzer

Q
HI C. exp

RT

Q = gereken aktivasyon enerjisi

T = mutlak scaklk (oK).
R= evrensel gaz sabiti
C= scaklktan bamsz sabit.

Q
ln( HIZ ) ln C

RT
Negatif eim scaklk azaldka hzn
azalacan gsterir.

11

Modelleme gazlarn kinetik enerjisi modeli esas olarak yaplr.

Gazlarda ortalama enerjiden kadar fazla bir enerjiye
sahip molekle rastlama olasl, P, Maxwell-Boltzman
dalmna gre elde edilir.

Nav : Avagadro says

Q
q
P

: Aktivasyon enerjisi
: Birim atom bana
aktivasyon enerjisi
: Olaslk

Atomsal boluk oluumu

12

Atomsal boluk oluumu

Scakln artmas sl aktivasyon ile yap ierisinde noktasal kusurlarn say
ve hareket kabiliyetlerinin artmasna neden olur.

E
kusur
C exp
kT
N kafesnoktas

nkusur

Ekusur = Kusur
oluturmak iin gereken
enerji

Atomsal boluk oluunu ifade eden arhenius denklem

nbool
N kafesnoktas

Ebool
n C exp
kT

Proses: Malzeme biliminde tm olaylardr.

Proses hzlar Atomlarn hareket hzlar.
Scaklk Atom hareket kabiliyeti .
Proses hz scakln exponansiyel bir fonksiyonudur.
Arrhenius fonksiyon.
Bu davrana uyan prosesler:
Malzemelerde kusur oluum hz,
Malzemelerde difzyon hz,
Elektrik iletkenlik,
Srnme davran.

13

 Bu modele gre,malzeme scakl arttka,

atomlarn hareket hz ve gereken ykseklikteki
enerjide atom bulunma olasl , P artar.
Sonuta, kusur oluma ans artar.
Bir kusurun olumas iin atomun gerekli eik
enerjisini amas yani buna eit veya daha yksek
enerjiye sahip olmas gerekir.
Yerinden ayrlan atom arkasnda bo ke brakr.
Nokta kusurlar bu tr sl titreimler sonucu
ortaya kar.

Nokta kusurlar ve kat halde yaynma

Kristal kafes iinde atomlar yer deitirirler.
Buna yaynma ad verilir. Atomlarn
yaynabilmesi iin kafeste bo yerlerin
olmalar gerekir. Bu nedenle, metallerdeki
noktasal kusurlar, yaynmay kolaylatrr.
Ayrca scakln yksek olmas bu olayn
hzn arttrr ve
atomlar sl
titreimlerle bu
Nokta kusur
boluk
hareketi salar.

14

 Malzeme, mkemmel kristal yapya sahip olsa idi atom veya

iyonlar yaynma iin gereken aklklar bulamazlard.
Dolays ile kat hal yaynma iin noktasal kusurlarn varl
gereklidir.
Yaynma 2 trde olabilir: (a)Atom / Boluk g (b) Arayer g.

Atomsal yaynma boluk hareketi ile olmaktadr. Atom hareket ynyle boluk
hareket yn birbirinin ters istikametidir.

Atomun n adet sramadan sonraki net ilerleme miktar

15

Geliigzel hareket (random

walk) karakteri gsteren arayer
hareketine dayal difzyon
mekanizmas

A ve B malzemelerinin karlkl
difzyonu. Her ikiside gelii
gzel hareket dorultular
gsterselerde A ve B
konsantrasyon profilinde net bir
ak olmaktadr.

1.Fick kanunu: yaynm ak hz

16

 Cu sa tarafa doru Ni in iine

doru, Ni sol tarafa Cu n iine
doru yaylr.
Yaynm ak hz 1.Fick
kanunu ile ifade edilir.

J x D

c
x

Jx
x ynnde ak younluu (aks),
c/x x ynnde younluk profili
D yaynm katsays (difzivite)

17

Yaynma (Fick) kanunlar

Birinci Fick kanunu:
Kararl difzyon
A alanna sahip bir yzeyden yaynan
atomlarn debisi J, atomlarn yaynma
dorultusundaki konsantrasyon gradyan
le doru orantldr.Orant sabitine,
yaynma katsays , D ad verilir.

J = -D(c/x)
D: Yaynma katsays (m2/sn)
C: Yaynana atomun arlk
yzdesi(Konsantrasyon)
J = [atom/m2 san]

Yaynan atomun konsantrasyonunun

yaynma dorultusundaki deiimi

2.Fick kanunu: Konsantrasyon profili

18

Cs yzey konsantrasyonu
Co hacim konsanrasyonu

Atom konsantrasyonun yzeyden ieri doru zamanla deiimi

2.Fick kanunu ile ifade edilir.
2.Fick kanunu, 1.Fick kanununun trevidir.

kinci Fick kanunu: Herhangi bir noktadaki

konsantrasyon zamanla deiiyorsa veya
konsantrasyon profili zamanla deiiyorsa kinci Fick
kanunundan yararlanlr.
Kararl olmayan (zamanla deien) konsantrasyon.

19

kinci Fick kanunu: Konsantrasyon profilinin zamanla deiimi

kinci Fick kanunun yar sonsuz cisim iin zm:Yzeyden sabit
konsantrasyonda (Cs) , maddenin balang konsantrasyonu Co olan
Cisim iine tek yl yaylm.eitli zamanlardaki konsantrasyon profilleri.
(D nin sabit olduu konsantrasynla deimedii varsaylmtr.)

t0
t1
t2

2. Fick kanunu

C x
2C x
D
t
x 2

2.Fick kanununun, yar sonsuz

katya difzyon durumunda
zm.
Cs yzey konsantrasyonu,
Co hacim konsanrasyonu

C x Co
x
1 erf

Cs Co
2 Dt
erf gaus hata fonksiyonu
(error function).

20

kinci Fick kanunun zm:

Konsantrasyonun yere ve zamana bal olarak
deiimi ?
Yzeydeki konsantrasyonun sabit kald yar sonsuz bir cisimdeki yaynma
ve ilave artlar:
1.Difzyondan nce cisim iinde yaynan atom cinsinden konsantrasyon
niform ve Co sabit deerinde
2. X in yzeydeki deeri sfrdr ve cismin iine doru artar.
3.Difzyonun balad andaki zaman sfr kabul edilir.
Bu kabullere bal olarak snr artlar u ekilde yazlr:
t = 0 iin 0 x blgesinde C =Co dr.
t > 0 iin x=0 da C = Cs dr(Sabit yzey konsantrasyonu) x =
iin C = Co dr.
Bu snr artlarnda zm aadaki gibidir:

kinci Fick kanununun zm

Konsantrasyon profilinin zamanla deiimi
Diyagramn ordinat bir taraftan da 1-erf(z) ye eittir.

=2z

21

C x Co
x
1 erf

C s Co
2 Dt
Tablo zerinde:

x
z

2 Dt

eitli durumlar iin yukardaki eitlii

kullanarak oluturulan doyma erileri

Erf (z) , hata fonksiyonunun z ye karlk ald deerler

22

Yaynma Katsays

Yaynma Katsays
Yaynma noktasal kusurlarn younluuna bal olduu iin
scakln kuvvetli bir fonksiyonu (arrenhius fonksiyonu).
Yaynma katsays konsantrasyonun fonksiyonu deildir.
zen ve znen ifti iin tanmlanr.
Difzyon katsays scaklkla, yaynm sistemin trne ve yapsna
baldr.
Yksek scaklklarda yaynma hz daha yksektir.

23

Yaynma Katsays
q

D Do e

kT

Do z yaynma katsays,
q = Ekusur + Ekusur hareketi
Molar mertebede:
Q
RT
o

DDe

R = evrensel gaz sabiti (NAv x k),

q = Molar aktivasyon enerjisi
-Fe (hmk) ierisinde C nun yaynm
katsaysnn arrhenius izimi.

24

Ametalik sistemler

25

Figure 5.20 Diffusion in ionic compounds. Anions can only

enter other anion sites. Smaller cations tend to diffuse
faster

Kararl yaynm (Steady State)

26

(a) Kararl olmayan (non-steady state),

(b) Kararl olan (steady state)

C, ve Ch yzey konsantrasyonu,
D yaynm sabiti (difziviti)

c c Ch Cl
C Cl

h
x x
0 xo
xo

27

Farkl yaynm yollar

Yaynma mekanizmalar:
Hacimde yaynma
Tane snrnda yaynma
Yzeyde yaynma
imdiye kadar Hacimde yaynmay grdk.

Qhacim Qtanesiniri Qyzey

Dhacim Dtanesiniri D yzey
Hangi mekanizmann etkin olduu, o mekanizma
iin gereken blgenin byklne bal: Toz
malzemelerde yzey difzyonu, kk taneli
katlarda tane snr difzyonu etkin olur.

Dhacim Dtanesiniri Dyzey

28

Atomlarn bir malzemedeki yaynma hzlar malzeme yzeyinde, malzeme

hacminde ve tane snrnda farkl farkldr.
Malzeme hacminde (Tane iinde ) yaynma hz en dktr. nk atomlar en
sk orada istiflenmilerdir.
Tane snrnda yaynma hz tane iine nazaran daha yksektir. nk tane
snrnda yap daha gevektir (Tane snr - drt atom ap geniliinde olup
amorf yapya sahiptir).
Dzensiz yapya sahip ve atom skl tanelere gre daha az olan tane snrlar
boyunca yaynm daha kolay oluur. Bu nedenle faz dnmleri ve korozyon
olaylar tane snrlarnda balar ve daha hzl oluur.
Malzeme yzeyi ise en yksek difzyon hzna sahiptir.

DYzey > DTane Snr > DTane i

QYzey < QTane Snr < QTane i

29

Difzyona etki eden faktrler

1. Scaklk ve difzyon katsays (D)

2. Difzyon tipi - hacim, tane snrlar, yzey
difzyonu
3. Sre
4. Atomlar aras ban tr ve kafes yaps
5. Yaynan elementin (znen) konsantrasyonu
ve zenin kompozisyonu

30

Malzeme Proseslerinde Difzyon

Sinterleme Tozlarn yksek scaklkta piirilerek kat
paralar oluturacak ekilde birbirleri ile kaynamas.
Toz metakurjisinde Toz balang malzemelerinde yekpare
makina paralarnn imali.
Elektro seramik malzemelerde elektrik iletken seramiklerin
imali.
Tane bymesinde Tane snr alanlarnn azaltlmas iin tane
snrlarnn hareketi ile byk tanelerin oluurulmas
Difzyon kaynanda 2 yzeyin basn ve scaklk altnda bir
birine birletirilmesi iin kullanlan kaynak teknii.
Yzey sertletirme metal yzeylere sertletirme kabiliyeti
olan elementlerin emdirilmesi. elie karbon veya bor
emdirilmesi vs.

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Figure 5.28 Diffusion processes during sintering and

powder metallurgy. Atoms diffuse to points of contact,
creating bridges and reducing the pore size

31

Figure 5.29 Particles of barium

magnesium tantalate (BMT)
(Ba(Mg1/3 Ta2/3)O3) powder are
shown. This ceramic material is
useful in making electronic
components known as dielectric
resonators that are used for
wireless communications.
(Courtesy of H. Shirey.)

Figure 5.30 The

microstructure of BMT
ceramics obtained by
compaction and sintering of
BMT powders. (Courtesy of
H. Shirey.)

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Figure 5.31 Grain growth occurs as atoms diffuse across the

grain boundary from one grain to another

32

Figure 5.32 Grain growth in alumina ceramics can be

seen from the SEM micrographs of alumina ceramics. (a)
The left micrograph shows the microstructure of an
alumina ceramic sintered at 1350oC for 150 hours. (b)
The right micrograph shows a sample sintered at
1350oC for 30 hours. (Courtesy of I. Nettleship and R.
McAfee.)

2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Figure 5.33 The steps in diffusion bonding: (a) Initially the

contact area is small; (b) application of pressure deforms the
surface, increasing the bonded area; (c) grain boundary
diffusion permits voids to shrink; and (d) final elimination of
the voids requires volume diffusion

33

34