Revue des Energies Renouvelables Vol.

13 N1 (2010) 49 - 62

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique

dun module photovoltaque en silicium monocristallin
G. Notton1*, I. Caluianu2, I. Colda2 et S. Caluianu2
1

University of Corsica, UMR CNRS 6134

Scientific Centre of Vignola, Route des Sanguinaires, F-20000 Ajaccio, France
Technical University of Civil Engineering Bucharest, Faculty of Building Services
Bd. Pache Protopopescu, N66, Sector 2, Bucharest, Romania

(reu le 20 Fvrier 2010 accept le 29 Mars 2010)

Rsum Le dveloppement du march photovoltaque ncessite de connatre

parfaitement la production lectrique de ces systmes sur diffrents sites en particulier
pour estimer sa rentabilit conomique. Cette estimation prcise ne peut se faire quen
prenant en compte les effets dombrage qui ont des consquences dramatiques sur la
puissance lectrique dlivre. Dans cet article, nous avons test un modle double-diode
de courbes I-V sur un module photovoltaque au silicium monocristallin (BP585F) sous
des conditions normales dclairement; puis aprs une brve explication du
comportement lectrique dune cellule totalement ou partiellement ombre, nous
prsentons lexprimentation mise en place. Les tests effectus ont permis de valider ce
modle de comportement de modules PV sous clairement partiel. Enfin, les pertes de
puissance induites par un tel ombrage ont pu tre estimes.
Abstract - The development of photovoltaic market needs to improve the knowledge of
the electrical production of a PV system on various given sites particularly to estimate its
economical profitability. This accurate estimation of the energy production can only be
achieved by taking into account the effects of shading that have dramatic consequences
on the produced power. In this paper, we tested a two-diode I-V model of m-Si PV module
(BP585F) under normal insolation conditions; then, after a brief explanation of the
electrical behaviour of a totally or partially shaded PV cell, we present the implemented
experimentation. These tests allow validating partially this model for shaded PV module.
At last, the power loss induced by the shading has been estimated.
Mots cls: Module photovoltaque - Modle de comportement - Phnomne ombrage.

1. INTRODUCTION
Il est bien connu que la puissance lectrique gnre par un module photovoltaque
peut tre fortement diminue par rapport aux conditions optimales de production (point
maximum de puissance) pour des conditions mtorologiques donnes par de nombreux
facteurs, tels quombrage, mauvais fonctionnement du MPPT, dsquilibres, etc
Un module photovoltaque (PV) consiste en lassociation srie de plusieurs cellules
PV. Ainsi, si toutes les cellules sont identiques, la courbe I V rsultante sera aisment
dtermine en sommant les tensions de chaque cellule. Sous des conditions relles de
fonctionnement, si les cellules PV sont lgrement diffrentes les unes des autres ou si
elles ne sont pas uniformment claires, la courbe I V rsultante nest pas facilement
*

gilles.notton@univ-corse.fr - ionut_caluianu@yahoo.com
iolcolda@yahoo.fr - s_caluianu@yahoo.com
49

50

G. Notton et al.

calculable et dpend alors dune combinaison complexe du comportement individuel de

chaque cellule. Plusieurs articles prsentent des modles mathmatiques permettant de
calculer les effets de cellules non identiques ou non soumises aux mmes conditions au
sein dun module [1-3].
Ombrager une partie dun module PV a de dramatiques consquences sur sa courbe
puissance - tension ( P V ) et ce, mme si une trs faible partie du module ou de la
cellule est lombre, une diminution importante de la puissance produite en est alors la
consquence. Cet ombrage partiel peut tre d des chemines, des arbres ou
dautres parties de construction.
Une attention toute particulire doit tre porte sur ce problme sous peine dune
forte rduction de la productivit des systmes rendant moins attractif le photovoltaque
dun point de vue conomique et ce en particulier dans le cas de systmes PV intgrs
dans le bti.
Dans une premire partie, nous simulerons le comportement lectrique dun module
PV en silicium monocristallin (m-Si) soumis un clairement solaire uniforme en
utilisant un modle lectrique double-diode et nous validerons nos rsultats avec des
donnes exprimentales obtenues avec un module PV BP585F.
Aprs une synthtique description du phnomne dombrage sur le comportement
lectrique dun module PV, nous modliserons la courbe I V sous diffrentes
conditions dclairement. Enfin, une estimation des pertes induites par ce phnomne
sera ralise.

2. MODELE DOUBLE-DIODE DUN MODULE PV

De nombreux modles lectriques sont disponibles dans la littrature pour modliser
les courbes I-V des modules PV, en particulier le modle simple diode [3-5] et le
modle double-diode qui apporte une meilleure prcision tout en rendant la
modlisation plus complexe [6, 7]. Cest ce dernier modle que nous utiliserons dans
cette tude.
2.1 Modle double-diode
Nous utilisons dans ce travail le modle double-diode pour caractriser la courbe
I V . Il consiste en la description mathmatique dun circuit ralis par la connexion
en parallle de deux diodes ayant les courants de saturation I 01 et I02 , et les facteurs
de diode n1 et n 2 . Une source de courant produit un photo-courant I ph , qui dpend de
lclairement solaire.
Une partie de ce courant traverse les deux diodes cause de la recombinaison des
porteurs de charge. La perte de courant dans la cellule pour de faibles rayonnements, est
caractrise par la rsistance parallle ou shunt R sh . R s est la rsistance srie travers
laquelle se dveloppe la perte de tension proportionnelle au courant I .
Le modle deux-diodes est reprsent par une quation implicite du courant qui ne
peut tre rsolue qu laide de mthodes itratives.
Le schma lectrique quivalent de la cellule PV pour ce modle est reprsent sur
la figure 1.
Le courant lectrique produit la cellule est alors donn par lexpression suivante:

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

q ( V + I.R s )

q ( V + I.R s )

V + I.R
n
k
T
n
k
T
s
1
2
1 I 02 e
1
I = I ph I01 e
R sh

51

(1)

o le premier terme I ph est le photo-courant, le second terme est le courant idal.

Fig. 1: Schma lectrique quivalent dune

cellule photovoltaque (modle double-diode)
Nous devons dterminer les diffrents paramtres du modle, tels que le photocourant, le facteur didalit n1 (pris gal 1) et le courant de saturation I 01 de la
diode idale, le courant de saturation I 02 et le facteur didalit n 2 de la seconde diode
(pris gal 2), et enfin R sh et R s . Il a t montr, dans le cadre de travaux prcdents,
que R s dcrot linairement avec la tension [8, 9] alors que R sh dcrot avec la
temprature de cellule [7].
Mais dans ce travail, nous considrerons en premire approximation ces deux
rsistances constantes. k et q sont respectivement la constante de Boltzmann
(=1,38046.10-23 J.K-1) et la charge lmentaire (=1,602.10-19 C). La caractristique
I V a t calcule en utilisant la mthode de Newton-Raphson. Les valeurs des
paramtres ont t optimises et nous avons trouv: R s = 0,49 et R sh = 150 , ces
valeurs sont du mme ordre de grandeur que celles trouves dans la littrature.
Les courants de saturation I 01 et I02 sont donns par les relations suivantes [6]:
I 01 = C 01 . T 3 . e

( E gap

I 02 = C 02 . T 5 / 2 . e

n1 . k . T

( E gap

n 2 . k .T

(2)

(3)

Avec n1 = 1 et n 2 = 2 selon Eicker [6]. C 01 et C 02 sont gnralement compris

respectivement entre 150 - 180 A.K-3 et 1,3 -1,7 x 10-2 A.K-5/2 pour une cellule de 100
cm2.
E gap est gale 1,124 eV. Le photo-courant I ph a pour expression [3, 6].
G
I ph = I ph , STC .
G
STC

. [1 + ( T T
1
STC )]

(4)

Avec G et G STC , qui sont respectivement lclairement solaire sur le module et

dans les conditions de test standard. 1 est denviron 0,05 % du courant de courtcircuit par K.

52

G. Notton et al.

En ngligeant le trs faible courant de diode, on peut considrer que I ph est gal au
courant de court-circuit Isc .
La temprature de cellule est calcule partir de la temprature ambiante Ta en
utilisant la NOCT (Normal Operating Cell Temperature) donne par les fabricants de
modules photovoltaques:
T = Ta + ( NOCT 20 ) .

G
800

(5)

Cette simple mthode de calcul de la temprature de cellule donne de bons rsultats

pour peu que le module ne soit pas intgr en toiture.
Le NOCT est dtermin pour les conditions suivantes: une vitesse de vent la
hauteur du module v = 1 m/s, une temprature ambiante Ta = 20 C et un clairement
hmisphrique G = 800 W/m2. Des dtails sur ce type de mesure sont disponibles dans
[10].
Le modle ci-dessus dcrit le comportement lectrique dune cellule photovoltaque.
Un module PV est constitu de N s cellules connectes en srie, afin daugmenter la
tension.
Ainsi, la courbe I-V rsultante est obtenue en additionnant les tensions de telle
manire que:
Vmod ule = N s Vcell

(6)

2.2 Exprimentation
La figure 2 reprsente un schma bloc reprsentatif du systme de mesures utilis
dans ce travail. Les donnes lectriques du module PV et les donnes mtorologiques
sont collectes par lintermdiaire de diffrents capteurs et circuits lectroniques.

Fig. 2: Dispositif exprimental de mesure des

courbes caractristiques des modules photovoltaques

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

53

Pour tracer la courbe I V , le systme de mesures utilise une charge capacitive

variable. Ainsi, le point de fonctionnement est lintersection entre la courbe I V du
module PV et la charge. La tension, le courant, lclairement solaire et la temprature
du module sont mesurs en mme temps. La temprature du module PV est mesure
grce une sonde Pt 100 colle sur la face arrire du module avec un bon contact
thermique.
Lclairement solaire est mesur laide dune cellule talon en silicium ayant la
mme orientation et inclinaison que le module test.
Nous avons tudi un module en silicium monocristallin BP Solar BP585F prsent
sur la figure 3 et donc les caractristiques sont donnes dans le Tableau 1.

Fig. 3: Module BP585F

Tableau 1: Caractristiques du module BP585F sous les conditions standards
(1000 W/m, masse optique: AM 1.5, Temprature de cellule: 25 C)
Puissance nominale
Tension au MPP ( V opt )

18,00 V

Courant au MPP ( I opt )

4,72 A

Courant de court-circuit ( Isc )

5.00 A

Tension de circuit ouvert ( V co )

22.03 V

Facteur de forme ( FF )
Nombre de cellules en srie
Coefficient de sensibilit de
la tension la temprature
Coefficient de sensibilit de
lintensit la temprature

80 W

0.771
36
-0.086 V/K
+0,0025 A/K

2.3 Validation du modle

Nous avons mesur les courbes I V du module PV pour diffrentes conditions
mtorologiques (clairement solaire et temprature ambiante) et nous avons calcul les
paramtres statistiques suivant afin destimer la validit du modle utilis:

54

G. Notton et al.

i =1 ( y i
N

MBE =

xi

(7)

1/ 2
2
N
i =1 ( yi x i )
RMSE =

i =1 ( y i
N

CC =

N ( y y )2
i =1 i

y )( yi x )
. N ( x x )2
i =1 i

(8)

(9)

avec MBE et RMSE respectivement lerreur moyenne et lerreur quadratique moyenne

et CC le coefficient de corrlation. yi est la ime valeur prdite, x i la ime valeur
mesure, y la moyenne des valeurs prdites et x la moyenne des valeurs mesures, N
est le nombre de donnes analyses.
Nous prsentons sur la figure 4, quelques exemples de courbes I V mesures et
modlises et sur la figure 5, les donnes estimes en fonction des donnes
exprimentales, ainsi que les valeurs des coefficients statistiques obtenus.
Nous constatons que le modle est en bon accord avec les donnes exprimentales.
Nous pourrons donc utiliser ce modle dans la suite de notre travail afin de prendre
en compte les effets dombrage.

Fig. 4: Quelques courbes I V exprimentales et simules

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

55

Fig. 5: Rsultats de la validation du modle

3. PHENOMENE DOMBRAGE SUR

LES MODULES PHOTOVOLTAIQUES
3.1 Principe
Additionner les tensions dans le cas dun assemblage srie de cellules PV est ais si
toutes les cellules sont identiques et quelles travaillent sous les mmes conditions
densoleillement et de temprature. Mais, comme nous lavons prcis prcdemment,
dans les conditions relles de fonctionnement, si les cellules sont lgrement diffrentes
ou ne sont pas uniformment claires, le comportement lectrique nest pas facilement
prvisible et dpend des caractristiques de chaque cellule et des conditions
dclairement. Plusieurs tudes ont prsent des modles mathmatiques afin de
calculer les effets de cellules non-identiques dans un module [1-4, 11-15].
La figure 6 montre la caractristique I V dune cellule PV dans toute sa gamme de
tension. On constate que si, pour un clairement solaire et une temprature ambiante
donns, le courant traversant une cellule est suprieur son courant de court-circuit,
alors la cellule fonctionnera en mode invers (reverse-bias conditions) avec une tension
ngative. Dans ce cas, la puissance excessive sera dissipe dans la cellule ombrage et
la cellule ou lencapsulation de la cellule en plastic peuvent tre irrmdiablement
endommages et peuvent conduire un court-circuit dans la cellule. Cet effet est appel
hot spot.
Dans le domaine en sens direct (mode normal de fonctionnement), la tension de
circuit ouvert de la cellule est de lordre de 0,6 V pour les cellules cristallines alors que
dans le sens invers (polarisation inverse), les tensions peuvent atteindre plus de 20
V [17].
Dans un assemblage srie, le courant est le mme dans toutes les cellules. Si le
courant de la range est plus grand que le photocourant de la cellule ombrage (courant
de court-circuit), ce qui se produit dans la plupart des cas, cette cellule ombrage se met

56

G. Notton et al.

fonctionner en mode invers et dissipe de la puissance. Une telle situation est illustre
sur la figure 7 dans le cas de trois cellules connectes en srie.

Fig. 6: Caractristique I V dune cellule PV dans toute sa gamme de tension

Si la range de cellules travaille un point de fonctionnement correspondant un
courant I m au-del du courant de court-circuit de la cellule ombrage (cellule 2), le
point de fonctionnement de la cellule ombrage se situe dans la rgion aux tensions
ngatives et cette tension ngative de la cellule 2 peut tre suprieure la contribution
positive de toutes les autres cellules.

Fig. 7: Principe de construction de la caractristique

dun module PV pour un courant donn
Pour rsoudre ce problme (mais que partiellement), on utilise une diode by-pass
connecte en parallle sur chaque connexion srie des multiples cellules PV. Si une telle
diode by-pass tait connecte dans chaque cellule alors le problme induit par
lombrage serait fortement rduit [16]. Cependant, ce nest pas une solution
envisageable dun point de vue commercial [16].
Pour des cellules cristallines, on utilise gnralement une diode by-pass pour 18
cellules, ainsi deux diodes by-pass par module de 12 V sont montes dans la boite de
jonction.
La figure 8 illustre la situation dun module photovoltaque avec une cellule
ombrage quand deux diodes by-pass sont utilises (ce qui est le cas pour le module PV
que nous utilisons dans cette tude).

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

57

La tension inverse maximale aux bornes de la cellule ombrage est limite environ
11 V (17 x 0,6 V + 1 V (diode) = 11 V) [18]. Ainsi, le courant travers la cellule solaire
pour cette tension ne causera pas de dommages irrversibles.

Fig. 8: Une cellule ombrage sur un module PV [18]

Pour chaque diode court-circuite, la tension de circuit ouvert de la range sera
rduite environ 11 V modifiant ainsi considrablement la courbe I V et crant de
srieux problmes pour contrler le fonctionnement du MPPT [4, 16].
3.2 Modle de courbes I V en condition partiellement ombrage
Pour prendre en compte leffet dombrage, nous divisons le module PV (36 cellules)
en deux parties gales et chacune de ces parties se comporte comme un module seul
(Fig. 9). Les rsistances sries et shunt de chaque partie sont prises gales la moiti de
la valeur correspondante pour le module complet [19].
La caractristique dun module PV avec des cellules ombres est simule en
introduisant un terme supplmentaire qui tient compte de la chute de la diode de
hautes tensions ngatives {Eq. (13)}.
I = I1 = I 2

(10)

V = V1 + V2

(11)

q ( V1 + I1 . R s )
q ( V1 + I1 . R s )

V + I .R
n
k
T
1
1 I 02 e n 2 k T
1 1 1 s
I1 = I ph,1 I 01 e
R sh

(12)

58

G. Notton et al.

q ( V2 + I 2 . R s )
q ( V2 + I 2 . R s )

V + I .R
n
k
T
n2 k T
1
I 2 = I ph,2 I 01 e
1 I 02 e
1 + 2 2 s
R sh

V + I .R
a ( V2 + I 2 . R s ) 1 2 2 s
Vbr

(13)

Fig. 9: Circuit quivalent dun module PV avec des cellules ombrages [11]
avec I ph ,1 et I ph , 2 les photo-courant des cellules normales et ombrages. I ph , 2
dpend du pourcentage dombrage ( ) de la cellule selon (14).
I ph , 2 = I ph ,1

(14)

a est un facteur de correction et m un exposant de rupture en avalanche, gaux

respectivement 0.12 W-1 et 3. Vbr est la tension de rupture prise gale -20,9 V [20].
Lalgorithme utilis pour dcrire le comportement du module PV sous des
conditions dombrage partiel est reprsent sur la figure 10.

Fig. 10: Algorithme pour le calcul des courbes I V sous ombrage partiel

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

59

3.3 Vrification exprimentale

Lalgorithme prcdent a t appliqu au module BP585F en utilisant le modle de
comportement prsent dans la partie 2. Nous prsentons sur la figure 11 la courbe
I V exprimentale et modlise pour des pourcentages dombrage de 25 100%
dune cellule (sur les 36).
Les valeurs des paramtres statistiques pour lestimation de la validit du modle
sont:
MBE = 0,184 V , RMSE = 0.570 V et CC = 0,988
Nous constatons que le modle est en bon accord avec les donnes exprimentales.
On peut noter que dans la rgion du point maximal de puissance (MPP); le modle doit
tre amlior pour mieux estimer les pertes de puissances dans ces conditions optimales.

Fig. 11: Vrification exprimentale du modle sur les courbes I V

De mme, nous avons reprsent les courbes P V sur la figure 12, afin de mieux
juger de la perte de puissance induite par lombrage.
Sur la Table 2, nous prsentons les puissances optimales pour chaque condition
dombrage et la perte de puissance qui en rsulte par rapport la production du module
PV uniformment clair sous les mmes conditions.
Table 2: Pertes de puissance pour diffrents pourcentages
dune cellule PV ombrage (810 W/m, Temprature de cellule 40C)
Pourcentage dombrage
Dune cellule (%)
0

Puissance en
condition MPP
55.39

Pertes de puissance
(%)
0

25

53.60

3.23

50

41.03

25.93

75

24.18

56.35

100

24.06

56.56

60

G. Notton et al.

Fig. 12. Vrification exprimentale du modle sur les courbes P V

On constate que linfluence de lombrage est trs importante, puisque avec
seulement 50 % dune cellule ombrage sur les 36 cellules, la puissance est dj rduite
de 25 % et quelle est diminue de 57 % avec une cellule complte lombre.

4. PERSPECTIVES
Un mur photovoltaque exprimental a t mis en place dans notre laboratoire. Il est
compos de 3 gnrateurs PV m-Si de 1,57 kW (9 Suntech STP175S-24Ac avec un
onduleur SMA Sunny Boy 2100TL) et de 3 gnrateurs PV a-Si de 0,6 kW (6
Mitsubishi Heavy Industries MA 100 T2 avec un onduleur SMA Sunny Boy SWR 700).
Ces six gnrateurs photovoltaques sont totalement quips dun systme de
mesures (tensions et courants DC et AC, frquence, clairement solaire, tempratures
des modules et temprature ambiante).

a- Mur photovoltaque

b- Deux types de modules PV

Influence dun ombrage partiel sur la production lectrique dun module

61

c- Onduleurs connects rseau

d- Systme dacquisition de donnes
Fig. 13: Nouvelle exprimentation
Le mur est compos de trois faades orientes respectivement Sud-Ouest, Sud et
Sud-Est comme le montre la figure 13, avec des problmes dombrage important sur les
deux faades latrales.
Lobjectif de cette nouvelle exprimentation est de comparer les performances de
deux technologies de modules PV (silicium monocristallin et amorphe) dans diffrentes
conditions mtorologiques et dombrage.

5. CONCLUSION
Le modle double-diode utilis dans ce travail, a montr une grande adquation avec
lexprience. Il a t tendu des modules partiellement ombrags, mais il est
ncessaire de lamliorer au niveau du point maximum de puissance.
Cette problmatique de lombrage sur les gnrateurs photovoltaques est
primordiale pour une meilleure intgration des systmes dans le bti et pour augmenter
la rentabilit conomique de tels systmes.
Remerciements
Les auteurs tiennent remercier lAgence Universitaire de la Francophonie (AUF),
lAgence de lEnvironnement et de la Matrise de lEnergie (ADEME), ainsi que le
Ministre des Affaires Etrangres (via le programme ECONET) pour leurs soutiens
financiers.

REFERENCES
[1] J.W. Bishop, Computer Simulation of the Effects of Electrical Mismatches in Photovoltaic
Cell Interconnection Circuits, Solar Cells, Vol. 25, N1, pp. 73 - 89, 1988.
[2] V. Quashning and R. Hanitsch, Numerical Simulation of Current-Voltage Characteristics of
Photovoltaic Systems with Shaded Solar Cells, Solar Energy, Vol. 56, N6, pp. 513 - 520,
1996.
[3] L.A. Hecktheuer, A. Krenzinger, C.W.M. Prieb, Methodology for Photovoltaic Modules
Characterization and Shading Effects Analysis, Journal of the Brazilian Society of
Mechanical Sciences, Vol. 24, N1, pp. 26 -32, 2002.

62

G. Notton et al.

[4] E. Karatepe, M. Boztepe and M. Colak, Development of a Suitable Model for Characterizing
Photovoltaic Arrays With Shaded Solar Cells, Solar Energy, Vol. 81, N8, pp. 977 - 992,
2007.
[5] J.I. Rosell and M. Ibanez, Modelling Power Output in Photovoltaic Modules for Outdoor
Operating Conditions, Energy Conversion and Management, Vol. 47, N15-16, pp. 2424
2430, 2006.
[6] U. Eicker, Solar Technologies for Buildings, New York Wiley, 2003
[7] P. Singh, S.N. Singh, M. Lal and M. Husain, Temperature Dependence of IV
Characteristics and Performance Parameters of Silicon Solar Cells, Solar Energy Materials
and Solar Cells, Vol. 92, N12, pp. 1611 - 1616, 2008.
[8] K. Chakrabarty and S.N. Singh, Depletion Layer Resistance and Its Effect on IV
Characteristics of Fully and Partially Illuminated Silicon Solar Cells, Solid-State
Electronics, Vol. 39, N4, pp. 577 - 581, 1996.
[9] Priyanka, M. Lal and S.N. Singh, S.N. A New Method of Determination of Series and Shunt
Resistances of Silicon Solar Cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 91, N2-3,
pp. 137 - 142, 2007.
[10] M. Mattei, G. Notton, C. Cristofari, M. Muselli and P. Poggi, Calculation of the
Polycrystalline PV Module Temperature Using a Simple Method of Energy Balance,
Renewable Energy, Vol. 31, N4, pp. 553 - 567, 2006.
[11] H. Kawamura, K. Naka, N. Yonekura, S. Yamanaka, H. Kawamura, H. Ohno and K. Naito,
Simulation of I-V Characteristics of a PV Module with Shaded PV Cells, Solar Energy
Materials and Solar Cells, Vol. 75, N3, pp. 613 - 621, 2003.
[12] R.E. Hanitsch, D. Shulz and D. Siegfried, Shading Effects on Output Power of Grid
Connected Photovoltaic Generator Systems, Revue des Energies Renouvelables, Power
Engineering, pp. 93 - 99, 2001.
[13] V. Quaschning and R. Hanitsch, Numerical Simulation of Photovoltaic Generators with
Shaded Cells, In the Proceedings of the 30th Universities Power Engineering Conference,
Greenwich, pp. 583-586, Sept. 5-7, 1995.
[14] Y. Kanai and S. Matsumoto, A Novel Photovoltaic Module for Severe Shade Conditions, In
the Proceedings of the 4th World Conference of Photovoltaic Energy Conversion, IEEE, pp.
2174 2146, Conference Record 2006.
[15] H. Oldenkamp, I. de Jong, B. de Boer, H. de Moor and W.C. Sinke, PV-Wirefree Versus
Conventional PV Systems: Detailed Analysis of Difference in Energy Yield Between Series
and Parallel Connected PV Modules, In the Proceedings of the 19th EPSEC Conference,
Paris, June 2004.
[16] A. Woyte, J. Nijs and R. Belmans, Partial Shadowing of Photovoltaic Arrays with Different
System Configurations: Literature Review and Field Test Results, Solar Energy, Vol. 74,
N3, pp. 217 - 233, 2003.
[17] W. Hermann and W. Wiesner, Modeling of PV Modules the Effects of nonuniform
Irradiance on Performance Measurements with Solar Simulators In Proceedings of the 16th
EPSEC, Glasgow, 2000.
[18] H. Oldenkamp, Detailed Analysis of Currents in PV-Shunts, 2002 available at www.okeservices.nl/.
[19] J.A. Gow and C.D. Manning, Development of Photovoltaic Array Model for Use in PowerElectronics Simulation Studies, In IEEE Proceedings of the Electrical Power Appliances,
Vol. 146, N2, pp. 193 - 200, 1999.
[20] G.M. Masters, Renewable and Efficient Electric Power Systems, New Jersey, John Wiley &
Sons, Editor, 2004.