FACULTAD DE INGENIERIA

INGENIERIA ELECTRONICA
LABORATORIO ELECTRONICA 1
.

POLARIZACIN FIJA Y POLARIZACIN DE EMISOR

DEL BJT
Ic Ie
Rolando Duitama
Laura Daniela Vargas Gutirrez

Luego procedemos a calcular voltaje de colector,

base y voltaje de emisor con las ecuaciones 3.

Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

V c =V CC I c Rc
1.

V e =I e Re

V b=V be +V e

INTRODUCCION

En esta prctica vamos a manejar dos transistores

BJT uno paralizndolo en emisor comn y el otro
unido a esta paralizacin fija, analizando cmo se
va a comportar las corrientes y que cambias hay
de una paralizacin a la otra.

Ecuaciones 3

Todo esto lo hacemos para garantizar su buen

funcionamiento.
2. DESARROLLO DE CONTENIDOS
En primer lugar vamos al datasheet
para
encontrar la corriente de base con estos resultados
procedemos a calcular las resistencias y corrientes
que necesitamos para este anlisis prctico.

Teniendo lo anterior nos queda ms fcil calcular

el voltaje de colector emisor.

V CC V c V ceV e=0

ECUACIONES
Polarizacin Emisor Comn
Teniendo beta (

Ecuaciones 4

y el voltaje de base emisor

(Vbe) ya que es de silicio entonces es de (0.7 v).

Las anteriores ecuaciones fueron sacadas de cada

una de las mayas que genera nuestro circuito
analizado.
Paralizacin fija

V CCV be
I b=
R b + ( +1 )R E

I C = I B

Ecuacion 1
Ya obteniendo la corriente de base (Ib)
multiplicada por el beta calculamos corriente de
colector (Ic).

I C = I B

Ecuacion5

Al obtener la
Ecuacion2

Calculando corriente de colector esta es mas o

menos igual que la corriente de colector.

IC

del segundo transistor pues

identificamos que es la corriente total de salida de

todo el montaje.

I c =I b
Ecuacion 6

UPTC

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=120 V be =0,7 V

En esta paralizacin tenemos un beta del transistor

que es de:

I b=

V CCV be
R b + ( +1 )R E

I b=

140.7
520 k + ( +1 )6 k

=120
I b=10.67 A

A.

Anlisis de la paralizacin en emisor

comn
Utilizando la corriente que encontramos en
el datasheet procedemos a hacer los
clculos de dicha paralizacin.

I C =1.28 m A
R C +R E
V CE=V CC I C

14v
2k

520

I C =1201.067 A

V CE=14 v 1.28 m A ( 2 k +6 k )
V CE=3.76 v
V C=V CC I C R C

6k

V C=14 v1.28 m A2 k

Fig. 1
Datos teoricos.
Teniendo beta (

V E=V CV CE

y el voltaje de base

emisor (Vbe) ya que es de silicio entonces es de

(0.7 v), calculamos la corriente de base con la
Ecuacion 1.
UPTC

V C= 11.44v

V E=11.44 v3.76 v

V E=7.68 v
2

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12v

V B=V BE+V E
V B=0.7 v +7.68 v

V B=8.38 v

2K

255

V BC=V B V C

V BC =8.38 v 11.44 v
V BC=3.04 v

Fig.3

Fig.2 Circuito polarizacin emisor comn.

Este circuito es el mas sencillo de todos los

circuitos de polarizacin. La resistencia Rc limita
la corriente mxima que circula por el transistor
cuando este se encuentra en saturacin, mientras
que la resistencia de base RB regula la cantidad de
co - rriente que ingresa a la base del transistor
(IB), la cual determina en que zona se polarizar
el transistor (saturacin, activa o corte).

Datos experimentales.

Ib=14 A
Ic=1.67 m A
Vb=13.84v

=120 V be =0,7 V

Vc=10.75v
Vce=5.14v

B. Anlisis de la polarizacin fija.

UPTC

I B=

120,7
255 K

I B=44.31 A

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Vb=0.5v

I C =44.31 A
I C =5.31m A

I E =5.31m A

C. Anlisis de polarizacin por emisor diseo

VccIcRc=V ce

12v

125.31 m A2 k=

V ce=1.38 V

1.3

188

V ce=Vc

fig 5

Fig 6. Circuito polarizacin emisor

Datos tericos.
Tenemos una corriente de base de 60A y un beta
de 75

ic=ib=4.5 mA
Fig 4.
Datos experimentales.
Ib =65.34 A
Ic=3.12 m A
Vc=1.20v
Vce=1.20v
UPTC

Vce=Vc=6.15v

Rc=

vccvce
=1.3k
ic
Vb=0.7v
Vrc=5.85v

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Datos experimentales:

IB=565 A
Datos experimentales

IC=45 mA
Vb=0. 46 V

ic=4.12 mA

Vc=5.1 V

ib=53 A

Vce=2.75 v

A. Anlisis de diseo por polarizacin fija.

14v
275

24.6

Fig 8 voltaje en Rc

25
Fig 7 esquema circuito polarizacin fija

Fig 9 Voltaje en Rb

Datos tericos

IB=460 A
IC=34 mA
=45
Vb=0.7
Vc=6 V
Vce=3.8 v

UPTC

3. CONCLUSIONES
-

Como el transistor es considerado una

fuente de corriente dependiente de la
corriente de base, podemos deducir que la
malla de base es la que polariza al
transistor
para
obtener
ciertas
caractersticas de corriente y voltaje en la
malla de salida, que es donde se obtiene la
amplificacin.

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-

Los clculos tericos no dieron exactos a

los datos obtenidos en el laboratorio debido
a que el proceso de diversas polarizaciones
la impedancia de transferencia cambia
ciertos criterios de anlisis.

4. REFERENCIAS
-

Conocimientos bsicos.
http://www.academia.edu/12753225/IN
FORME_DE_PRACTICA_AMPLIFIC
ADOR_DIFERENCIAL_CON_BJT
https://www.google.com/search?
q=informe+de+diversas+poralizaciones
+de+un+bjt&ie=utf-8&oe=utfhttp://es.calameo.com/books/00042035
6e31c63f7120f

UPTC