Guia de Problemas Resueltos

Diodos
Ing. David Molina

Etn503
GUIA DE EJERCICOS RESUELTOS

DIODOS
1.
Para las caractersticas de la figura 1.1

a) Determine la resistencia de ca para la regin 1
b) Determine la resistencia de ca para la regin 2
c) Compare los resultados del inciso a) y b)
Figura 1.1
Solucin
a) Para la regin 1
Id (6 2) m A = 4 m A
Vd 0.72 0.57 0.15V

rd1 =
V
0.15v
37.5
I
4mA
b) Para la regin 2
Vd 0.8 0.78 0.02V
Id (30 20) m A = 10 m A
D o c u me n t o d e s ca rga d o d e :
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Diodos
rd2 =
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V
0.02V
2
I
10mA
c) Relacin de las resistencias
rd1 / rd2 =
2.
37.5
18.75
2
Dada la red de la figura 2.1

a) Determine cual el modelo para e diodo de silicio parece ser el ms apropiado
para el nivel de los parmetros del circuito.
b) Calcule la corriente y el voltaje resultantes para el resistor R
Figura 2.1
Solucin
a) Puesto que R es mucho mayor de la rprom. Del diodo, esta ltima puede despreciarse
considerando un planteamiento aproximado, VT, sin embargo, corresponde al 14%
de V y , en consecuencia , debe incluirse. El modelo elegido se presenta la figura
2.2
Figura 2.2
b) El voltaje aplicado ha establecido un voltaje a travs del diodo que sita a este
ltimo en el estado de corto circuito. Sustituyendo el diodo por el equivalente en
corto circuito se obtendr la red de la figura 2.3, de donde es claro que
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Figura 2.3
VR = V VT = 5 0.7 4.3 V
ID = IR = VR / R =
3.
4.3V
2.15 mA
2 K
Determine V0 e ID para el circuito de la figura 3.1
Figura 3.1
Figura 3.2
Solucin
Se puede determinar que la corriente resultante tiene la misma direccin que la de los
smbolos de las flechas de ambos diodos, y que resulta la red de la figura siguiente,
debido a que E = 12 V > (0.7 + 0.3) = 1 V. Ntese la fuente de alimentacin de 12 V
vuelta a dibujar y la polariad de V0 en el resistor de 5.6 K. el voltaje resultante
V0 = E VT1 - VT2 = 12 0.7 0.3 = 11 V
ID = IR = VR / R = V0 / R
11V
5.6 K
1.96 mA
Diodos
4.
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Determine ID , VD2 y V0 para el circuito de la figura 4.1
Figura 4.1
Solucin
Eliminando los diodos y determinando la direccin e la corriente resultante I se
producir el circuito de la figura 4.2. Hay igualdad en la direccin de la corriente para
el diodo de silicio, pero no para el de germanio. La combinacin de un corto circuito
en serie con un circuito abierto siempre da como resultado un circuito abierto e ID =
0A como se muestra en la figura 4.3
Figura 4.2
Figura 4.3
Persiste la pregunta en cuanto a para que sustituir el diodo de silicio. Reacurdese

simplemente para el diodo prctico real que cuando VD = 0 V, id = 0 A (y viceversa) .
Las condiciones descritas por VD1 = 0 V e ID = 0A se indican en la figura 4.4
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Figura 4.4
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj

produce
E VD1 VD2 V0 = 0
VD2 = E VD1 V0 = 12 V 0 0 = 12 V
V0 = 0 V
5.
Determine I, V1 , V2 y V0 para la configuracin cd en serie de la figura 5.1
Figura 5.1
Solucin
Se dibuja las fuentes y se determina la direccin de la corriente como se indica en la
figura 5.2 los diodos estn en el estado de conduccin y el modelo aproximado se
sustituye en la figura 5.3
E1 E2 - VD
10 5 0.7
14.3
2.1mA
R1 R2
4.6 K 2.2 K 6.8K
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V1 = I R1 = (2.1mA)(4.6K) = 9.66 V
V2 = I R2 = (2.1mA)(2.2K) = 4.62 V
Figura 5.2
Figura 5.3
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccin de la salida en el sentido de las

manecillas del reloj, tenemos
- E2 + V2 V0 = 0
V0 = V2 E2 = 4.62- 5 = - 0.38 V
El signo negativo indica que V0 tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la
figura 5.3
6.
Determine V0, I1, ID1 e ID2 para la configuracin de diodo en paralelo de la figura 6.1
Figura 6.1
Figura 6.2
Solucin
Para el voltaje aplicado, la presin de la fuente persigue establecer una corriente a
travs de cada diodo en la misma direccin que se muestra en la figura 6.2. Como la
direccin de la corriente resultante corresponde con la flecha en cada smbolo de
diodo y el voltaje aplicado es mayor a 0.7 , ambos diodos estn en estado de
conduccin. El voltaje de elementos en paralelo siempre es el mismo
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V0 = 0.7 V
La corriente
I1=
VR E - VD 10 0.7
28.18 m A
R
R
0.33K
Suponiendo que los diodos tienen caractersticas similares, tenemos

ID1 = ID2 =
7.
I1 28.18
14.09 m A
2
2
Determine la corriente I para la red de la figura 7.1
Figura 7.1
Solucin
Volviendo a dibujar la red como se muestra en la figura 7.2 revela que la direccin de
la corriente resultante es tal que activa el diodo de silicio y desactiva el de germanio.
La corriente resultante I es consecuentemente
Figura 7.2
E1 - E2 - VD 20 4 0.7
6.95mA
R
2. 2 K
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8.
a. Dibuje la salida v0 y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura 8.1
b. Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por un diodo de silicio
Figura 8.1
Solucin
a) En esta situacin el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada, como
se ilustra en la figura 8.2 y v0 aparecer como se muestra en la misma figura. Para el
periodo completo, el nivel de cd es
Vcd = - 0.318 Vp = 0.318(20) 6.36 V
El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad
definida de la figura 8.1
b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 8.3 y
Vcd = 0.318(Vp - 0.7) 0.318(19.3) 6.14 V
la cada resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%
Figura 8.2
el voltaje pico inverso (VPI) nominal del diodo es de fundamental importancia en el

diseo de sistemas de rectificacin. Recurdese que este valor nominal de voltaje no
debe excederse en la regin de polaridad inversa o el diodo entrar en la regin de
avalancha del Zener. El valor VPI nominal requerido para el rectificador de media
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onda puede determinarse a partir de la figura 8.4 que despliega el diodo polarizado
inversamente con el voltaje pico aplicado. Haciendo uso de la ley de voltajes de
Kirchhoff, es bastante evidente que el VPI nominal del diodo debe igualar o superar
el valor pico del voltaje nominal aplicado. En consecuencia,
VPI nominal = Vp rectificador de media onda
Figura 8.3
9.
Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 9.1 y calcule el nivel
de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.
Figura 9.1
Solucin
La red aparecer como se presenta en la figura 2.53 para la regin positiva del voltaje
de entrada. Al redibujar la red de obtendr la configuracin de la figura 9.2, donde v0
= vi o V0(max) = Vi(max) = 5 V, como se muestra en la figura 9.2. En la parte negativa de
la entrada se intercambian los papeles de los diodos y v0 aparecer cono se indica en
la figura 9.3
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Figura 9.2
Figura 9.3
Figura 9.4
El efectote eliminar los dos diodos de la configuracin puente consisti, por tanto, en
reduccin del nivel cd disponible al valor siguiente:
Vcd = 0.636(5) = 3.18 V
o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin
embargo, el VPI determinado de acuerdo con la figura 9.4 es igual al voltaje mximo
en R, que es de 5 V o la mitad que se requiere para el rectificador de media onda con
a misma entrada
10.
Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 10.1
Figura 10.1
Solucin
Para Vi = 20 V (0 T/2) se produce la red de la figura 10.2 El diodo se encuentra en
estado de corto circuito y V0 = 20 + 5 = 25 V. Cuando vi = 10 V resulta la red de la
figura 10.3, poniendo el diodo en el estado de corte y
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v0 = iRR = (0)R = 0 V
Figura 10.2
Figura 10.3
Figura 10.4
El voltaje de salida resultante aparece en la figura 10.4

11.
Determine v0 para la red de la figura 11.1
Figura 11.1
Solucin
La polaridad de la fuente de cd y la direccin del diodo sugieren fuertemente que el
diodo se encontrar en estado de conduccin en la regin negativa de la seal de
entrada. En esta regin la red aparecer como se muestra en la figura 11.2, donde las
terminales definidas para v0 = V = 4 V
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Figura 11.2
Figura 11.3
El estado de transicin puede determinarse a partir de la figura 11.3, donde se ha

impuesto la condicin id = 0A en vd = 0 V. El resultado es vi (transicin) = V = 4V
Puesto que es evidente que la alimentacin cd fuerza al diodo para que permanezca
en estado de corto circuito, el voltaje de entrada debe ser mayor de 4V para que el
diodo se encuentre en estado de corte. Cualquier voltaje de entrada menor que 4V
dar como resultado un diodo en corte circuito.
En el estado de circuito abierto, la red ser como se muestra en la figura 11.4, donde
v0 = vi. Al completar la grfica de v0 se obtiene la forma de onda de la figura 11.5
Figura 11.4
12.
Figura 11.5
Repita el ejemplo 11 empleando un diodo de silicio con VT = 0.7 V

Solucin
El voltaje de transicin puede determinarse primero aplicando la condicin id = 0A en
vd = VD = 0.7 V y obtener as la red de la figura 12.1. Al aplicar la ley de voltajes de
Kirchhoff alrededor de la malla de salida en la direccin de las manecillas del reloj,
encontramos
vi +VT V = 0
vi = V- VT = 4 0.7 = 3.3 V
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para voltajes de entrada mayores de 3.3 V, el diodo se encontrar en circuito abierto y

v0 = vi. En el caso de voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo entrar en
estado de conduccin y se obtiene de la red de la figura 12.2, donde
Figura 12.1
Figura 12.2
la forma de onda de salida resultante aparece en la figura 12.3. note que el nico
efecto de VT fue reducir el nivel de estado de conduccin de 4 a 3.3 V
Figura 12.3
13.
Determine v0 en la red de la figura 13.1 para la entrada indicada
Figura 13.1
Solucin
Ntese que la frecuencia es de 1000Hz, lo que produce un periodo de 1ms y un
intervalo de 0.5ms entre niveles. El anlisis se iniciar con el periodo t1t2 de la seal
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de entrada por que el diodo se encuentra en estado de corto circuito. En este intervalo,
la red aparecer como se indica en la figura 13.2
Figura 13.2
La salida es a travs de R, pero se encuentra tambin directamente a travs de la

batera de 5 V si seguimos la conexin directa entre las terminales definidas para v0 y
las correspondientes a la batera. El resultado es v0= 5V para ste intervalo.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se
obt6endr como resultado
20 Vc 5 0
Vc =25 V
El capacitor se cargar, por lo tanto, hasta 25V. en este caso el resistor R no se pone
en corto por el diodo , pero un corto circuito equivalente de Thevenin de esa parte de
la red, que incluye la batera y el resistor, dar lugar a RTH = 0 con ETH = V = 5 V.
En el periodo t2 t3 la red aparecer como se indica en la figura 13.3
Figura 13.3
El equivalente en circuito abierto para el diodo har que la batera de 5 V no tenga

ningn efecto sobre v0, y la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en torno a la
malla exterior de la red dar como resultado
10 25 V0 = 0
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V0 = 35 V
La constante de tiempo de descarga de la figura 13.3 se determina mediante el
producto RC y su magnitud es
= RC = (100K) (0.1f) = 0.01s = 10ms
El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5 = 5 (10ms ) = 50ms
Figura 13.4
Como el intervalo t2t3 durar tan solo 0.5 ms, es sin duda una buena aproximacin
suponer que el capacitor sostendr su voltaje durante el periodo de descarga entre
pulsos de la seal de entrada. Obsrvese que la excursin de salida de 30V equivale a
la excursin de entrada.
14.
Repita el ejemplo 13 empleando un diodo de silicio con VT = 0. 7 V

Solucin
En el estado de corto circuito la red se observa como se muestra en la figura 14.1 y v0
puede determinarse mediante la ley de voltaje de Kirchhoff en la seccin de la salida
5 0.7 V0 = 0
V0 = 5 0.7 = 4.3 V
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Figura 14.1
En la seccin de entrada la ley de voltajes de Kirchhoff dar como resultado

20 Vc 0.7 5 0
Vc = 25 0.7 = 24.3 V
Durante el periodo t2 t3 la red aparecer en este caso como se muestra en la figura
14.2, con un nico cambio de que el voltaje est en el capacitor. La aplicacin de la
ley d voltaje de Kirchhoff produce
10 24.3 V0 = 0
V0 = 34.3 V
La salida resultante se presenta de la figura 14.3, donde se verifica que las
excursiones de entrada y de salida son las mismas
Figura 14.2
Figura 14.3
15.
a.
b.
Para la red de la figura 15.1 determinar el rango de RL e IL que dar como

resultado a VRL manteniendo a 10 V
Determinar el wataje nominal mximo del diodo como regulador
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Figura 15.1
Solucin
a) Para determinar el valor de RL que rezagar al diodo Zener al estado de
conduccin.
RLmin =
(1K)(10) 10K
RSVZ
250
Vi - VZ
50 10
40
El voltaje del resistor Rs se determina entonces mediante la ecuacin:

VRS = Vi VZ = 50 10 = 40 V
Se pude determinar la magnitud de IRS
IR S
VRS
40
40 Ma
RS
1K
El mnimo de IL se determina por:

ILmin = IRS IZM = 40 -32 = 8 mA
y RL mximo se determina con:
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RLmax =
b)
VZ
10
1.25 K
ILmax 8mA
Pmax = VZ-IZM
= (10)(32mA) = 320 mW
En la figura 15.2a se presenta una grfica de VL versus RL y en la 15.2b para VL

versus IL
Figura 15.2
16.
Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el estado de conduccin

al diodo Zener de la figura 16.1
Figura 16.1
Solucin
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Vi min =
(RL RS) VZ (1200 220)(20)
23.67 V
RL
1200
IL =
VL VZ
20
16.67 mA
RL RL 1.2K
IRmaz = IZM + IL = (60 + 16.67) mA = 76.67 mA

Vi maz = IR max RS + VZ = (76.67 mA)(0.22K) + 20
Vi maz =16.87 + 20 = 36.87 V
En la figura 16.2 se presenta una grfica VL versus Vi
Figura 16.2
17.
Una de las principales aplicaciones del diodo es a produccin de una tensin continua
a partir de una fuente de alimentacin de corriente alterna, proceso llamado
rectificacin. Un subproducto a veces til de la rectificacin, consiste en seales de
frecuencia que son mltiplos integrales de la rectificacin de alimentacin. La figura
17.1 muestra un circuito rectificador de media onda
a) La tensin de la fuente senosoidal , vi = Vim cos 0t, donde Vim = 10 V. Hallar y
dibujar la forma de onda de la tensin de carga. Hallar su valor medio (c.c.)
b) repetir el problema a) si vi = 5 10 cos0t
Solucin
a) La ley de Kirchhoff de las tensiones aplicada al circuito de a figura 17.1 da
vi = iDri + vD + iDRL
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iD =
vi - vD
ri RL
Esta ecuacin contiene dos incgnitas vD e iD, las cuales, a su ves, estn relacionadas
par la caracterstica del diodo. La solucin para iD o vD requiere por lo tanto la
sustitucin de la curva caracterstica vi en la ecuacin. Esto puede realizarse del
siguiente modo: La caracterstica del diodo indica que solo puede circular corriente
positiva en el sentido de referencia. Ello requiere que vi > vD. Sin embargo, cuando el
diodo est conduciendo vD = 0, o sea que la corriente circula en el sentido positivo
solo cuando vi > 0.
Cuando vi es negativa, la circulacin de corriente debera ser opuesta al sentido de
referencia ; pero el diodo no puede conducir en este sentido; as iD = 0 cuando
vi <
0
Figura 17.1
Figura 17.2
Esta explicacin puede resumirse dibujando dos circuitos, uno de los cuales es vlido
para vi > 0 y el otro para vi < 0, tal como se indica en la figura 17.2. Utilizando los
circuitos de la figura, pueden hallarse las incgnitas vD y iD. As la corriente iD del
diodo es
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Vim
cos 0t
iD ri RL
0
cuando vi 0
cuando vi 0
y la tensin en la carga vL y la tensin de la seal vi estn representadas en la figura

17.3. Obsrvese que la forma de la onda de la corriente es igual a la de tensin de
carga vL. Es una onda senoidal rectificada en media onda. Su valor medio se obtiene
dividiendo el rea por el periodo, 2
VL, DC =
2
/2
( VLm cos 0t )d( 0t )
/2
VLm 9
2.86 V
El desarrollo en serie de Fourier de vL(t) es

1
2
2
1
cos 0t
cos 2 0t
cos 4 0t ...
2
3
15

vL(t) = VLm
Figura 17.3
Figura 17.4
esta expresin muestra que el diodo adems de generar el trmino de corriente

continua y otro de igual frecuencia que la fuente tambin ha generado trminos de
frecuencia armnicas no incluidas en la tensin de la fuente.
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Si el circuito debe producir una tensin continua, la componente de c.c. debe separase
de los armnicos filtrando vL(t)., Ello se hace por medio de un filtro simple pasivo tal
como los de la figura 17.4. el circuito de la figura 17.4a , representa un filtro simple
RC de paso bajo. Si por ejemplo, R y C se ajustan de modo que RC =
100
y si
0
R>>RL, entonces la amplitud de la tensin de salida de von, a la frecuencia n0 es
von
VLn
1 n 0 RC
VLn
cuando n 1
100
donde VLn es la amplitud de la tensin de carga a la frecuencia n0 (por ejemplo, VL2

= 2 VLm / 3 )
Utilizando el principio de superposicin, la tensin de salida ser
v0(t) V
Lm
1
200
sen 0t
1
300
sen 2 0t ... ...
Luego la tensin de salida consiste en una tensin continua VLm / y una pequea
tensin de ondulacin vr, donde
vr
VLm
1
1
sen 0t
sen 2 0t ...
200
300
La relacin entre el valor eficaz de la tensin de ondulacin y la tensin continua es

una medida de eficacia del filtro en la separacin de la tensin continua de los
armnicos. Para el filtro RC del ejemplo
(vr) rms
VLm
v ( t )
T
d( 0t )
1
1
VLm
...
2
2
280
200
(300 )
0.011
280
As el valor eficaz de la tensin de ondulacin es aproximadamente el 1% de la
tensin continua en la salida
Filtros mas complicados como los filtros LC y CLC que se muestran en la figura
17.4b, dan una tensin de ondulacin mucho menor, que puede calcularse
aproximadamente utilizando el mtodo anterior. El anlisis exacto de los circuitos
rectificadores con filtro debe tenerse en cuanta la caracterstica no ideal de los
diodos utilizados, y no se explicarn aqu
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Figura 17.5
b) La forma de onda de vi se ha representado en la figura 17.5. en este caso se ha

aadido una polarizacin negativa a la seal . La forma de onda de vL se ha obtenido
considerando que la corriente circular slo cuando vi sea positiva. El tiempo exacto
t 1, en el cual empieza y termina la circulacin de corriente se halla haciendo vi = 0 ;
entonces
5 10 cos 0t 1 0
cos 0t 1 0.5
y
0t 1
De la simetra de la funcin coseno, se ve que el diodo conduce cuando

2 n
0t 2n
3
3
as la tensin de carga es
- 4.5 9 cos 0t
vL
0t 2n
3
3
5
2n 0t 2n
3
3
2n -
El valor medio de vL se encuentra como anteriormente
VL,dc
/3
(4.5 9 cos
t ) d( 0t )
/ 3
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1
9
(4.5)
sen
3
3

9
1.5
18.
3
0.98 V
2
La tensin de ondulacin en el rectificador de medio onda se debe principalmente a la

componente de la seal de frecuencia fundamental 0. El rectificador de onda
completa da una tensin en la carga que tiene una ondulacin cuya frecuencia menor
de 2 0, y adems la componente de c.c. es el doble. Este tipo de circuito, una forma
del cual se indica en la figura 18.1, es por tanto ms eficiente para la produccin de
tensin continua con pequea ondulacin y se encuentra en la mayor parte de los
aparatos de radio y televisin. Es tambin el circuito rectificador bsico de la mayor
parte de las fuentes de alimentacin de corriente continua.
Figura 18.1
El funcionamiento del circuito puede explicarse cualitativamente si el transformador

ideal se elimina trazando de nuevo la figura 18.1 tal como se indica en la figura 18.2a.
En esta figura se considera el transformador como una fuente de alimentacin alterna
reflejada del primario en el circuito secundario, como toma central. Cuando vi es
positiva D1 es un cortocircuito. En cada caso la corriente de carga iL tiene el mismo
sentido positivo como se muestra en la figura 18.2a, y como uno u otro diodo de los
diodos D1 o D2, es cortocircuito en cada semiciclo alterno, la tensin en la carga puede
escribirse vL = v , las formas de onda de corriente y tensin se muestran en la figura
18.2b.
i
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Figura 18.2
El desarrollo en serie de Fourier para vL es

VL
La componente de c.c. es
VLm
4
4
cos 2 0t
cos 4 0t ...
3
15
VLm, que es dos veces mayor que el valor obtenido
utilizando el rectificador de media onda. Si vL pasa a travs del filtro RC , con 0RC
= 100 como antes, la tensin de ondulacin de salida se convierte en
1
4 VLm 1
sen 2t sen 4t ...

200
3 200
vT
y el valor eficaz (rms) de la tensin de ondulacin

(vT)rms
VLm
210
La relacin entre la tensin de ondulacin y la tensin continua es

(vT)rms
1
0.0024
VL, dc
420
que es considerablemente menor que la obtenida utilizando un rectificador de media

onda.
Diodos
19.
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Considrese el circuito de la figura 19.1a, con la seas de entrada de forma cuadrada

vi, tal como se muestra en la figura 19.2b. Para simplificar los clculos, supngase
para el diodo una caracterstica de asimilacin lineal vi dada por las ecuaciones:
iD vD
2vD - 1
vD 0
0 vD 1
1 vD
esta caracterstica se ha trazado en la figura 19.1c

Determinar la corriente de rgimen iD del diodo
Solucin
Aplicando la ley de Kirchhoff de las tensiones
Vdc + vi = 2 + vi = vD + iDZT
Como que el valor para corriente continua de ZT es R1 y el valor para corriente
alterna es R1 R2
iD ZT = R1ID + R1 RL id = 2ID + id
donde ID es el valor medio de id y no es el mismo que IDQ debido a la distorsin. Sin
embargo, como por definicin:
id = iD - ID
Figura 19.1
entonces
2 + vi = vD + I D + i D
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Etn503
La ecuacin anterior tiene tres incgnitas vD, ID e iD. La caracterstica vi del diodo es
de la forma iD = f(vD), y por tanto puede ser utilizada para eliminar una de las
incgnitas. Para eliminar la otra incgnita utilizaremos la siguiente relacin
1
ID
T
T /2
(t) dt
T / 2
El problema consiste en resolver simultneamente las tres ecuaciones

2 + vi = vD + I D + i D
iD = f(vD)
1
ID
T /2
(t) dt
T / 2
Es difcil obtener una solucin incluso para las condiciones simplificadas de circuito
y seal de este ejemplo. Para resolver el problema se usa un mtodo grfico. Los
pasos utilizados para obtener la solucin son los siguientes:
1. suponer ID1 = IDQ (corresponde a la ausencia de distorsin, y se encuentra
fcilmente)
2. Utilizando el valor de ID, hallar la forma de onda de iD1 a partir de la
caracterstica vi
3. Realizar la integracin indicada en la ltima ecuacin de la forma de onda de iD1,
para determinar iD2, si este valor es suficientemente aproximado para ID1, la
solucin es la iD1 hallada en 2. Sin embargo, no ser la solucin cuando se
aparece alguna distorsin
4. Utilizando ID2 la primera ecuacin, hallar iD2 como en el paso 2
5. Hallar el valor medio de iD2 para determinar ID3
6. Continuar el proceso hasta que IDn+1 sea suficientemente parecida a IDn
1. Hallar ID1 = IDQ para v =0 y tracemos la recta de carga de corriente continua en a
figura 19.2. De la figura IDQ =
2
A; luego:
3
2
ID1 =
A
3
Diodos
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Figura 19.2
Figura 19.2
2. Y obtenemos la siguiente ecuacin

vD1 + iD1 = 2
2
+ vi
3
esta ecuacin pertenece a una familia de rectas de carga de corriente alterna de

pendiente -1, que corresponde a los diferentes valores de vi. La solucin grfica
de iD1 se muestra en la figura 19.3.
3. La integracin es especialmente fcil para la onda cuadrada:
1
ID
T /2
T / 2
(t) dt =
1.88
0.94A
2
Este valor no es lo suficientemente parecido a ID1 = 0.6: as pues, deberemos

continuar las aproximaciones
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Figura 19.3
4.
Utilizando ID2 = 0.94

vD2 + iD2 = 2 0.94 + vi
Como en el caso anterior, esta es la expresin de una familia de rectas de carga
de corriente alterna como se indica en la figura 19.4. El punto desplazado Q en
el cual vi = 0 (punto a en el diagrama) es iD(vi = 0) =
1.06
0.53 A, y el valor
2
de cresta de iD2(t) es 1.71 A
5. De la figura 19.4 ID3 =
1.71
0.855 A
2
Resumiendo hemos encontrado

ID1 = 0.67 A
ID2 = 0.94 A
ID3 = 0.85 A
El resultado tiende hacia ID 0.9 A (una nueva aproximacin da como resultado

ID4 = 0.88 A ). As la corriente del diodo en el circuito de la figura 19.1a tiene la
forma de onda de iD2(t) mostrada en la figura 19.4
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Figura 19.4
20.
Un diodo Zener de 7.2 V se utiliza en el circuito de la figura 20.1 y la corriente de

carga puede variar entre 12 y 100 mA. Hallar el valor de ri necesario para mantener
esta corriente de carga si la tensin de la fuente de alimentacin de de Vdc = 12 V
Solucin
Para mantener un regulador shunt tal como este, se utiliza como valor mnimo de la
corriente en el diodo Zener, un factor emprico del 10% de la corriente mxima de
carga. As la corriente mnima del diodo Zener para las condiciones especficas deber
ser por lo menos de 10 mA
Aplicando la ley Ohm en el circuito,
ri =
Vdc - VL
Iz - IL
La tensin de los terminales de ri debe permanecer en el valor de 12 -7.2 = 4.8 V a lo

largo de todo el margen de regulacin. La corriente mnima en el diodo Zener se
presentar cuando la corriente de carga sea mxima de modo que,
ri =
Vdc - VL
Vdc - VL
4.8
43.5
Iz, min - IL, max (1 0.1)IL, max 0.11
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Cuando la corriente de carga disminuya teniendo ri el valor fijo calculado antes, la

corriente del diodo Zener aumentar, permaneciendo la suma de las dos corrientes
constante e igual a 110 mA. Ntese que el diodo Zener debe ser capaz de disipar,
P = (7.2)(110 x 10-3)
0.8 W
Para evitar su destruccin en caso que la resistencia de carga quede en circuito

abierto (IL = 0, IZ = 110mA)
Escojamos un diodo Zener de 1W que tiene una tensin de 7.2 V cuando circula por el
una corriente de 10 mA, y una resistencia dinmica rd = 20 . Calcularemos las
variaciones de tensin de salida aplicada a la carga utilizando mtodos grficos.
La caracterstica de vi de este diodo se muestra en la figura 20.2, tambin se ve la
curva para potencia mxima
1
Pz
T
T /2
v i
z z
dt = VZQIZQ = 1 W
T / 2
Esta es la ecuacin de la hiprbola trazada en la figura 20.2. su interseccin con la

caracterstica vi da la corriente y la tensin mxima que puede resistir el diodo. Las
ecuaciones de las rectas de carga de corriente continua pueden hallarse dibujando de
nuevo la figura 20.1 tal como se indica en la figura 20.3. A partir del circuito en
cuestin se pude hallar la ecuacin de la recta de carga,
Vz = 12 43.5(IL + iz)
As
11.5
V + i (43.5)
7.65
z
IL 12 mA
IL 100 mA
Las dos rectas de carga del circuito se han presentado en la figura 20.2: A partir del
grfico es evidente que la tensin inversa del diodo vz, y por lo tanto la tensin en la
carga vL, variarn de 7.2 V cuando IL = 100 mA a 11.5 V cuando IL = 12 mA. Ntese
que si el diodo Zener no estuviera presente, la tensin de carga variara (manteniendo
ri = 43.5 ) de 7.7 V cuando IL = 100 mA a 11.5 V cuando IL = 12mA.
Luego veremos que el diodo Zener regula la tensin de los dos cambios de corriente
de carga. Eso sucede porque la impedancia es pequea (2 ) comparada con la
resistencia de carga RL >
7.2 V
72
100 mA
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Figura 20.1
21.
El diodo Zener de 7.2 V se utiliza en un circuito similar al de la figura 20.1, con una
tensin de ondulacin de corriente alterna aadida a la tensin continua sin regular.
Tal como fue establecido anteriormente, estas tensiones son tpicas de la salida de una
fuente de alimentacin de corriente continua. La carga absorbe una corriente de
100mA.
Figura 21.1
La salida de la fuente alimentacin sin regular puede representar con la ecuacin

VT = 12 + cos t
Hallar la resistencia ri de la fuente de alimentacin para un funcionamiento adecuado
y el valor de cresta de la tensin de ondulacin presente en bornes de la carga
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Figura 21.2
Solucin
La ecuacin de la recta de carga de este problema se obtiene fcilmente si dibujamos
de nuevo la figura 20.1 tal como se indica en la figura 21.1. As
vz = 12 + cos t - ri(0.1 + iz)
vz + riiz = 12 0.1ri + cos t
El problema pude resolverse grficamente o analticamente utilizando la caracterstica
lineal del diodo de la figura 21.2. Utilizaremos el mtodo grfico por que da una
visin ms clara del problema.
La gama de los posibles valores de la resistencia de la fuente de alimentacin ri ser
elevada debido a las corriente mxima y mnima admitidas en el diodo Zener.
Luego si iz, min = 10 mA, (que es el 10% de la corriente mxima), entones vz, min = 7.2
V, y
12 7.2 cos t
0.1 0.01
ri
min
3.8
34.5
0.11
Esta gama de valores se reducir utilizando las tensiones y corriente mximas,

iz, max = 135 mA
vz, max
7.4 V
El resistor ri de la fuente ser,
12 7.4 cos t
0.1 0.135
ri >
max
5.6
24
0.235
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Figura 21.3
Escojamos ahora precisamente ri = 32 . La ecuacin de la recta de carga, puede

trazarse en la figura 21.2, y puede determinarse la tensin de ondulacin de salida.
Como se ve en la figura, la tensin de cresta de ondulacin aplicada a la carga es de
7.33 -7.22 = 0.11 V compara con 2 V de tensin de ondulacin de cresta de entrada.
22.
Determinar un circuito equivalente para obtener una aproximacin lineal de la funcin

Y = ln x en el margen de 0 < Y < 3.
Solucin
En la figura 22.1 se tiene x y para 0 < x < 3, ser suficiente aproximacin de los
tres segmentos, que concurren en los puntos,
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i=
1.61
vT 1
vT 5
y el segmento 3 pasa por el punto i = 3, vT = 20.

Refirindose ala curva de asimilacin lineal de la figura 22.1, para vT menor que 1V,
la corriente i es cero, mientras que 1 y 5 V la pendiente es la resistencia de 2.5. estas
condiciones se cumplen en circuito de la figura 22.2. Por encima de 5V la resistencia
aumenta a 10.8 .
Este segundo circuito debe ser un corto circuito para tensiones menores de 5 V
(corrientes menores de 1.61 A). Una configuracin posible se muestra en la figura
22.3. Obsrvese que para i < 1.61 A, D2, es cortocircuito y los 1.61 A de la fuente de
corriente circulan a travs de D2, Cuando i = 1.61 A, la corriente de D2, iD2, se hace
cero D1 es un cortocircuito, la ley de Kirchhoff de las tensiones da,
vT = (i 1.61)(8.3) + 2.5i + 1 i > 1.61 A, vT >5 V
Figura 22.1
La pendiente de la curva de asimilacin lineal de esta regin es,

vT
8.3 2.5 10.8
i
tal como se requiere.

Cuando se intenta construir el circuito de la figura 22.3, utilizando resistencias y
diodos reales, aparecen ciertos problemas prcticos, ya que un diodo real tiene una
tensin de ruptura y una resistencia serie equivalente. Adems la resistencia
equivalente se reduce con la corriente, lo cual produce una caracterstica con
curvatura opuesta a la deseada.
Para solucionar estos problemas, generalmente se adoptan en las escalas de los
grficos las unidades adecuadas para las variables (se realizan cambios de escala), de
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modo que en el circuito circulen miliamperios en vez de amperios. Para ver cmo se
hace esta transformacin volvamos a la ecuacin lineal y escalmosla
Sustituyamos
x y
x = avT
y = bi
Obtendremos
1 bi

a
VT
Si b = 103, la corriente estar en miliamperios. Ajustando de un modo semejante al

valor de a, la tensin puede cambiar de escala independientemente. Evidentemente,
todos los valores de las resistencias tambin cambian. Si a = 1
Figura 22.2
Figura 22.3
y b = 103, todas las resistencias del circuito de la figura 22.3 quedarn multiplicadas
por 103, y las corrientes del nuevo circuito sern 103 las del original. Las tensiones en
el nuevo circuito sern las mismas que en el original. En general, los valores de las
tensiones deben escogerse bastante elevados para que la cada de tensin en el diodo
no cause grandes errores.
Una versin con cambio de escala del circuito de la figura 22.3 e muestra en la figura
22.4. En este caso la fuente de alimentacin de 1 V se ha eliminado y D1, se ha
reemplazado por un diodo de silicio y uno de germanio en serie. La suma de las
tensiones de ruptura de estos diodos es aproximadamente iguala 1 V, y su resistencia
interna conjunta es mucho menor que 2.5 K para las corrientes consideradas de
modo que entre 1 y 1.61 mA se obtendr una caracterstica aproximada a la lnea
recta.
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La fuente de corriente se ha reemplazado se ha reemplazado por una batera de 13.5 V

en serie con el resistor de 8.3 K
Figura 22.4
23.
Hllese utilizando circuitos lineales por tramos, la solucin simultanea a las

ecuaciones,
y x2
0<x<2
yx
0<x<2
La solucin es, por supuesto, x = 1. Vase como puede obtenerse esta solucin
electrnicamente.
Solucin
Representemos primero la ecuacin y x 2 por medio de tres segmentos de recta tal
como se ve en la figura 23.1. Un mtodo rpido para escoger los segmentos lineales
es dividir el intervalo en partes iguales tal como se indica. Empecemos con los
segmentos 1 y 2, siendo sus pendientes en los puntos considerados (en este caso x =
0 x = 2). Si el error entre la curva de asimilacin lineal y la ecuacin verdadera no
lineal es demasiado grande, adase un tercer segmento como se indica. La
pendiente del segmento 3 es la pendiente en el punto x = 1.
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Figura 23.1
Si el error es todava demasiado elevado, podran aadirse los segmentos en los

puntos x = y x = 3/2, etc. Ntese que incluso con tres segmentos el error puede
reducirse simplemente colocando el segmento 3 como cuerda en vez de tangente a
la curva. (Como los clculos se simplifican utilizando una tangente, no tendremos
en cuenta la posible reduccin del error )
Figura 23.2
Hagamos ahora
y = i en mA
x = v en voltios
As el circuito de y x 2 puede construirse como se indica en la figura 23.2.
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El circuito de y x es simplemente una resistencia de 1 K. Para hallar la

solucin simultanea de las ecuaciones de las ecuaciones hacemos que x sea la
misma en los dos circuitos conectndolos en paralelo, como se muestra en la figura
23.3
La tensin v = V1 se hace variar hasta que i = i1. En este punto v = V1 e i = i1
representan la solucin simultanea de las ecuaciones. Para este caso sencillo
v=
V1 = 1 V e i = i1 = 1 mA dan la solucin
Figura 23.3
Un mtodo alternativo consiste en conectar la resistencia de 1 K en serie con la

red y x 2 , haciendo entonces la corriente y sea la misma en los dos circuitos. La
tensin de entrada se hace variar hasta que la tensin (x) aplicada a cada circuito sea
la misma.
24.
Utilizar el resultado del ejercicio 23 para resolver la ecuacin diferencial no lineal

dx
x 2 f (t )
dt
con x(0) = 0 y f (t ) 4
Solucin
Como en el ejemplo anterior, hagamos x anlogo a v, de modo que el circuito de la
figura 23.2 pueda ser utilizado como segundo trmino de la ecuacin. Esto da una
corriente en mA igual a v2. el primer trmino puede representarse como un
condensador de 1000F, en el cual la corriente es,
i=C
dv
dt
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Figura 24.1
De este modo tenemos corrientes anlogas a los dos trminos variables de la

ecuacin diferencial. Esto sugiere que se puede utilizar la ley de Kirchhoff de las
corrientes para sumar las corrientes de los 4 mA de la fuente de corriente constante,
como se indica en la figura 24.1
Si el interruptor est abierto en t = 0, con el condensador descargado de modo que v
(0) = 0, un osciloscopio conectado al circuito registrar la solucin v(t)
El alumno observar que puede tomarse una condicin inicial distinta de cero con el
condensador cargado. Una f (t ) diferente requerira simplemente una fuente de
corriente con la misma forma de onda de f (t )
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TRANSISTORES
1.a) Encuentre la beta de cd en un punto de operacin de VCE= 10 V e Ic=
3 mA sobre las caractersticas de la figura1.1.
b) Encuentre el valor de correspondiente a este punto de operacin.
c) A VCE= 10 V encuentre el valor correspondiente de Iceo.
d) Calcule el valor aproximado de Icbo empleando la cd obtenida en el
inciso a)
Fig. 1.1
Solucin:
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a) En la interseccin de Vce=10 V e Ic= 3 mA , IB= 25 A por lo que:

= Ic/Ib= 3mA/25A= 120
= 120 0.992
+1
121
c)Iceq= 0.3 mA en la interseccin de Vce = 10 V e Ib= 0 mA.
b)
d)
Icbo Iceo/ = 0.3mA/120 = 2.5A
2.- Calcule los voltajes y corrientes de polarizacin de cd para el circuito de la figura2.1.
Fig 2.1
Solucin:
Ib = Vcc Vbe = (12 0.7) V = 47.08 A
Rb
240 k
Ic= Ib= 50 (47.08 A) = 2.35 mA
Vce= Vcc IcRc= 12 V- (2.35mA)(2.2 k)= 6.83 V
3.- Calcule el voltaje y la corriente de colector para el circuito de la figura3.1.
Fig 3.1
Solucin :
Ib= Vcc- Vbe = (22- 0.7) V = 31.32 A
Diodos
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Rb
680k
Ic= Ib = 120(31.32A) = 3.76mA

Vc= - (Vcc- IcRc) = - (22V- (3.76mA)(3.3k))= - 9.6 V
4.- Calcule el voltaje de polarizacin de cd , Vce , y la corriente Ic en el circuito de la
figura 4.1:
Fig4.1
Solucin:
Ib=
Vcc Vbe
Rb +(+1)Re
20V 0.7 V
= 19.3 = 36.35 A
430k+101(1k) 531 k
Ic= Ib = 100(36.35)A= 3.635 mA = Ie

Vce= Vcc- IcRc IeRe= 20 V 3.635mA(2k ) 3.635mA(1k) =9.1 V
5.- Calcule el valor de la resistencia de colector Rc, necesaria para obtener Vc = 10 V ,
utilizando el circuito de la figura 4.1
Solucion:
Ib= Vcc - Vbe = 20 V 0.7 V = 36.35 A
Rb+ (+1)Re 430+101(1k)
Ic= Ib = 100(36.35)A= 3.635 mA = Ie
Ntese que Ib e Ic siguen siendo los mismos valores que se calcularon en el ejemplo 4
Entonces tendriamos:
Vc= Vcc IcRc
10 = 20 (3.635 x 10e-3) Rc
que se puede resolver para Rc segn:
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Rc=
20 10
= 2.75 k
3.635x10e-3
6.- Calcule el voltaje de polarizacin de cd Vce y la corriente Ic para el circuito de la figura

6.1. =140
Solucion:
Vbb =
Rb2
Vcc =
Rb1 + Rb2
3.9 k
(22V) = 2 V
39K + 3.9 k
Rbb= Rb1 Rb2

= 39 k 3.9 k = 3.55 k
Rb1 + Rb2
39k+ 3.9 k
Ib= Vbb Vbe
= 2 V 0.7 V
= 6.05 A
Rbb+ (+1)Re 3.55k + 141(1.5k)
Ic = Ib = 140(6.05A)= 0.85 mA = Ie
Vce= Vcc Ic(Rc+Re) = 22 V 0.85 mA(10k+1.5 k)
= 22 V 9.8 V = 12 .2 V
Diodos
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7.- Calcule la corriente de polarizacin de cd , Ie , y el voltaje de polarizacin de cd , Vce,

para el circuito de la figura 7.1 empleando retroalimentacin de voltaje.
Fig. 7.1
Solucin:
La resistencia de retroalimentacin Rb es la suma de las resistencias entre el colector y
la base (el capacitor en la trayectoria de retroalimentacin de ca se encarga de atenuar o
bloquear la seal de retroalimentacin de ca y no tiene efecto sobre el calculo de la
polarizacin de cd )
Ib =
Vcc Vbe
=
(10 0.7 ) V
= 20.03 A
Rb + (+1)(Rc+Re)
250k +(51)(3k+1.2K)
Ie = (+1) I b= 51 ( 20.03A) = 1.02 mA

Vce= Vcc Ie(Rc + Re) = 10 V (1.02mA)(3k+ 1.2 k )
= 10 - 4.28 = 5.72 V
8.- Calcule la corriente Ic y el voltaje Vc de colector de cd para el circuito de la figura8.1:
Fig 8.1
Solucin:
Diodos
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Ib =
Vcc Vbe
=
(18 0.7 ) V
= 20.03 A
Rb + (+1)(Rc+Re)
300k +(76)(2.4k+510)
Ic = (+1) I b= 76( 33.2A) = 2.49 mA

Vc= Vcc Ic(Rc ) = 18 V (2.49mA)( 2.4 k )
= 12.02 V
9.- Calcule el voltaje de polarizacin Ve y la corriente Ic para el circuito de la figura9.1:
Fig. 9.1
Solucin:
Ib =
Vee- IeRe Vbe IbRb= 0

Vee Vbe
=
(20 0.7 ) V
Rb + (+1)(Re)
240k +(81)(2k)
= 48.01 A
Ic = () I b= 80( 48.01A) = 3.84 mA= Ie

Ve= Vee Ie(Re) = 20 V (3.48mA)( 2 k)
= 12.32 V
10.- Calcule el voltaje de colector Vc para el circuito de la figura10.1 . Emplee el mtodo
aproximado del divisor de voltaje.
Fig. 10.1
Solucin:
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Vb=
Rb1
Vee =
Rb1+ Rb2
43 k
(10V)
43k+10k
= 8.11 V
Ve= Vb + Vbe = 8.11 V + 0.7 V = 8.81 V

Ie= Vee Ve = 10 V 8.81 V = 0.595 mA = Ic
Re
2k
Vc= IcRc= (0.595mA)(6.2 k) = 3.69 V
11. Calcule los valores de las resistencias Re, Rc y Rb en un circuito de amplificador de
transistor que tenga estabilizacin por resistencia en emisor . La ganancia de corriente de
un transistor npn 2N4401 por lo comn es de 90 a una corriente de colector de 5mA .
Utilice un voltaje de alimentacin de 20 V.
Solucin:
El punto de operacin elegido a partir de la informacin del voltaje de alimentacin y el
transistor es Icq= 5 mA y Vceq= 10 V.
Ve q= 1/10 (Vcc) = 1/10 (20 V) = 2 V
La resistencia del emisor es entonces
Re= Ve = 2V = 400
Icq
5mA
El clculo de la resistencia del colector produce :
Rc = Vcc Vceq - Veq = (20 10 2 ) V = 8 V = 1.6 k
Icq
5m A
5 mA
Al calcular la corriente de base utilizando
Ibq= Icq/ = 5mA/ 90 = 55.56 A
Observamos que la resistencia de la base se calcula como :

Rb = Vcc Vbe - Veq = ( 20 0.7 2) V = 17. 3
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55.56 A
Ibq
55.56 A
= 311 k
12.- En un circuito en el que se utiliza un transistor tipificado por los parmetro de la
Tabla 5.1, calcule cambio en Ic de 25C a 100C para
polarizacin fija (Rb/Re)
Rb/Re = 11
Rb/Re = 0.01
Solucin:
DE 25C a 100C el cambio en Icq es
Ico= (20 0.1) nA = 20 nA
a) Para la polarizacin fija S= +1 = 51 . Usanso la definicin de estabilidad , obtenemos
Ic = S (Ico) = 51(20nA) = 1A
b) Para Rb/Re = 11 S=51(1+11)/(51+11)= 10
Ic = 10Ico = 10(20nA) = 0.2A
c) Para Rb/Re = 0.01 , s= 51(1.01)/(51+0.1) = 1
Ic= 1(20nA) = 20nA
En tanto que el cambio en Ic es considerablemente diferente en un circuito que tiene una
estabilidad ideal (S=1) y en uno que tiene el factor de estabilidad mximo (S=51, en
este ejemplo) , el cambio en Ic no es significante . Por ejemplo , la cantidad de cambio
en ic a partir de una corriente de polarizacin de cd fijada en digamos 2 mA , sera
de 2 mA a 2.01 mA (solo 0.05 %) en el peor de los casos , valor que es evidentemente
lo bastante pequeo como para ignorarse . Algunos transistores de potencia presentan
corrientes de fuga ms altas , aunque para la mayor parte de los circuitos
amplificadores , el efecto del cambio de Ico con la temperatura es pequeo.

13.- Determine la corriente de drenaje de un FET de canal n que tiene un voltaje de
oclusin Vp= - 4V y una corriente de saturacin de drenaje-fuente Idss= 12 mA a los
siguientes voltajes de compuerta-fuente:
a) Vgs = 0 V b) Vgs= - 1.2 V c) 2 V
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_Solucin:
empleando la ecuacin de Shockley obtenemos:
a) Id = Idss ( 1 Vgs/Vp)2 = 12mA ( 1 0/-4)2 = 12 mA
b) Id= 12mA( 1 -1.2/-4)2 = 5.88 mA
c) Id = ( 1 -2/-4)2 = 3 mA
14.- Un MOSFET de vaciamiento tiene Idss= 12 mA y Vp = -4.5 V . Calcule la corriente
de drenaje para los voltajes compuerta-fuente de a) 0 V
b) 2 V c) 3 V
Solucin: Empleando la ecuacin de Shockley se obtiene:
a) Id = Idss( 1 Vgs/Vp)2
= 12 m A
b) Id = 12 mA( 1 -2 /-4.5)2
= 3.7 mA
c) Id = 12 mA( 1 -3/-45)2
= 1.33 mA
15.- Determine los valores de Vgs e Id en el circuito de la figura15.1:
Fig . 15.1
Solucin:
Para graficar la caracterstica de transferencia del JFET :
Vgs (V)
Id ( mA)
0
10
-1.2
5
-2.0
2.5
-4.0
0
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Para graficar la linea de autopolarizacin se tiene:

Id (mA)
Vgs (V)
0
0
2.67
-4
La figura 15.2muestra la grfica de las lneas de la caractersticas de transferencia y de
autopolarizacin con la polarizacin de cd resultante a:
Vgsq= -2.4 V y Idq = 1.6 mA
Fig 15.2
16.- Determine el intervalo de valores de Rs que haga posible una polarizacin de cd entre
Idss/2 e Idss/4 en el circuito de la figura 15.1
Solucion:
Empleando la caracterstica de transferencia dibujada en el anterior grafque la lnea de
autopolarizacin a travs de los puntos
Id= Idss/2 = 10mA/2 = 5mA
Id= Idss/4 = 10mA/4 = 2.5 mA
Estos puntos
se marcan sobre las lneas de la caracterstica de transferencia y de

autopolarizacin y despus se unen desde el punto (0,0) sobre los ejes
,como se muestra en la figura 16.1.
Los valores de Rs se determinan entonces a partir de la pendiente de cada lnea:
Rs( para Idss/2)= Vgs/Id = 1.2V/5mA= 240
Rs ( para Idss/4)= Vgs/Id = 2V /2.5 ma= 800
Manteniendose los valores de Rs entre 240 y 800 se polariza el circuito para valoresde
Id entre 2.5 y 5 mA como se deseaba.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 16.1
17.- Determine la corriente de autopolarizacin de id en el circuito de la figura 17.1.
fig 17.1
Solucin:
La caracterstica de transferencia se dibuja en la figura 17.2:
Empleando:
Vgs
Id
0
8
-1.2
4
-2
2
-4
0
El voltaje de compuerta Vg se calcula usando la ecuacin:
Vg=
270 k
(16 V) = 1.82 V
2.1M+270k
y la lnea de autopolarizacin se obtine empleando la ecuacin :
Vgs = 1.82 V Id(1.5k)
Para Id = 0: Vgs= - 1.82 V
Para Vgs=0_ Id = -Vgs/Rs = 1.82V/1.5k= 1.21 mA

Id
Vgs
0
1.82
1.21
0
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 17.2
Esta lnea de autopolarizacin de cd interseca la caracterstica de transferencia del
dispositivo en
Vgsq= -1.8 V y Idq= 2.4 mA
18.- Dibuje la caracterstica de transferencia para el MOSFET de vaciamiento de canal n
de la figura18.1.
Fig 18.1
Solucin:
La grafica de la caracterstica de transferencia puede obtenerse a partir de la ecuacin de
Shockley empleando Vp=-3 V e Idss= 6mA
Id= 6mA( 1 Vgs/-3 V)2
Adems de los puntos tabulados que se mostraron antes tambin es posible utilizar Vgs
=0.4Vp , para el cual:
Id=Idss( 1 0.4Vp/Vp)2
= 1.96 Idss = 2Idss
Vgs (V)
Id (mA)
1.2
12
0
6
-0.9
3
-1.5
1.5
-3
0
La figura muestra la caracterstica de trasferencia del dispositivo resultante.
Diodos
Ing. David Molina

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19.- Calcule los valores autopolarizacin de Id y Vds para el circuito de la figura19.1.
Fig. 19.1
Solucin:
Empleando Vt = 3v y K= 0.3mA/VV , es posible elaborar una grfica de la caracterstica
de drenaje del MOSFET de canal n aplicando la ecuacin para calcular los datos que se
listan a continuacin:
Vgs(V)
3
5
7
9
Id (mA)
0
1.2
4.8
10.8
La lnea de carga de la ecuacin de Shockley se grafica en la figura 19. 2 empleando los

datos siguientes:
Vds= 12 V Id (2k)
Id (mA)
Vgs(V)
0
12
6
0
De la interseccin de las dos curvas los valores de polarizacin resultantes son:
Id = 2.9 mA y Vds = 6.1 V
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 19.2
20.-Determine Id y Vd para el circuito de la figura 20.1, empleando un FET de canal p
Fig 20.1
Solucin:
En este JFET de canal p las ecuaciones que se usaran son:
Vgs= Id Rs = Id (0.36k)
(1)
Id= Idss ( 1 Vgs/Vp)2

= 7.5 mA( 1 Vgs/3.5V)2
Estas curvas se grafican en la figura20.2 empleando los datos siguientes:

ECUACION 1
ECUACION 2
Id mA
Vgs V
ID mA
Vgs V
0
0
7.5
0
9.7
3.5
3.75
1.05
1.875
1.75
0
3.5
Diodos
Ing. David Molina

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Fig 20.2
DE la interseccin de estas graficas en la figura:
Id= 3.3 mA
El voltaje Vds es por tanto
Vgs = 1.2 V
Vd = Vdd + IdRd = -22 +(3.3mA)((2.7k)= -13.09 V

Vs= -IdRs= -(3.3mA)(360) = -1.19 V
Vds= Vd Vs = -13.09 (-1.19V) = -11.9 V
21.- Disee un circuito de autopolarizacin tal como el de la figura 21.1 para que opere un
JFET de silicio de canal n 2N5959 empleando un voltaje de alimentacin de Vdd = 20 V
Fig 21.1
Solucin:
De la hoja de especificaciones del dispositivo obtenemos los siguientes valores:
BVgss= - 30 V
Igss= - 200 nA
Vgs= -2.5 a 6V (usese Vp= -4 V)
Idss= 10 mA a 15 mA ( ususe Idss= 12 mA)
1.- Un voltaje de alimentacion Vdd = 20 V es satisfactorio respecto al voltaje de ruptura
de 30 V
2.- Eligiendo una caida de voltaje de 0.1 V como un valor que puede despreciarse en el
presente circuito tenemos IgssRg<0.1 V
Rg< 0.1V/200nA= 5x 10e5= 500k (usese 470k)
3.- Como Vp = -4 V e Id no esta especificada , la eleccin de cualquier voltaje , por
ejemplo , entre 0.5 V a-3 V , caera muy bien dentro del intervalo . En el presente
ejemplo la eleccin es :
Vgs= -1 V
Para el cual
Id= 12 mA( 1 -1/-4)2
=6.75 mA
Como Vg = 0 V
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Vs = Vg vgs = 0 (-1V) = 1 V
De Vs = IdRs
Rs= Vs/ Id = 1V/6.75mA= 148 (usese 150 )
4.- Para el valor de Vd dentro del intervalo:
1V< Vd< 20 V
s elige Vd = 12 V en el punto de polarizacin . Puesto que Vd= Vdd- IdRd,
12 V= 20V (6.75mA)Rd
Rd= 20V 12V = 1.185 k (usese Rd = 1.2 k)
6.75mA
22.- Complete el diseo de un circuito de polarizacin por divisor de voltaje de JFET de

canal p empleando un 2N5462 y un voltaje de alimentacin de Vdd = -30V, polarizado
como se muestra en la figura 22.1.
Fig 22.1
Solucin:
De acuerdo con la hoja de especificaciones:
Idss= 4 mA a 16 mA (usese Idss= 10mA)
Vgs= 1.8 V a 9V (usese Vp = 6 V)
El punto de polarizacin deseado que se muestra en la figura es:
Vgs= 1 V e Id = 6.9 mA
Diodos
Para
Ing. David Molina

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Vgs= Vg- Vs
1= -8- Vs
Vs= -9 V
Como:
Vs= -IdRs
Rs= -Vs/Id= -(-9)/6.9mA= 1.3x10e3 (usese 1.3 k).
Para
Vg=
Rg2
Vdd
Rg1+Rg2
-8 = Rg2
(-30V)
Rg1+Rg2
Eligiendo
1+ Rg1/Rg2= -30V/-8V= 3.75

Rg1/Rg2=2.75
Rg2= 10M
Rg1= 2.75(10M)= 27.5 M (usese 27 M)
El voltaje de drenaje , Vd , debe encontrarse entre Vdd= -30 V y Vs= -9 V . Seleccin

Vd=-12 V , obteniendose
Vd= Vdd +IdRd
-12 V= -30V + (6.9mA) (Rd)
Rd= 30 V 12 V = 2.61x10e3 (usese Rd =2.7 k)
6.9 mA
EL circuito resultante se muestra en la figura 22.2
Fig 22.2
23.-Determine la condicin de polarizacin de cd en el circuito de la figura23.1:
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 23.1
Solucin:
En el circuito de polarizacin por divisor de voltaje de la figura primero calculamos:
M= Vp/(IdssRs) = 0.31
Vgg= Rg2
Vdd= 510 k
(16V)= 1.6 V
Rg1+Rg2
4.7 M+510k
M=MVgg/Vp= 0.311.6/3 =0.165
Para graficar la lnea de polarizacin debemos unir una lnea que tenga la misma pendiente
( mismos valores de Rs y del FET) que en ejemplo anterior , pasando por el punto M=
0.165 . Esto se logra en forma sencilla uniendo una linea entre el punto M= 0.165 a lo
largo del eje M y un punto a lo largo del eje M que es 0.31 ms alto. De la figura 23.2
vemos que esta lnea produce un punto de polarizacin
Vgs/Vp=-0.44 y Id/Idss= 0.3
Del cual calculamos Vgsq= -0.44(3)= -1.32 V
Idq= 0.3(6 mA) = 1.8 mA
Entonces podemos calcular Vdsq = Vdd Id(Rd+Rs)
= 16 1.8mA(3.9k+ 1.6k) = 6.1 V
Fig 23.2
24.-Determine Zi , Zo , Ao y Ai en la red de la figura 24.1:
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 24.1
Solucin:
Parmetros hibridos (aproximado)
Zi :
Rb = 560 k >>hie =1300
Entonces:
Zi= hie=1300k
Zo:
Zo= Rc= 3 K
Av:
Av= - hfeRc = -100
Hie
1.3k
3k
Ai:
Ai hfe = 100
25.- Determine Zi, zo ,Av y Ai para la red de la figura 25.1 empleando el enfoque del
modelo re.
Fig 25.1
Solucin:
Cd:
Vbb= Rb2
Rb1+Rb2
Vcc= 5.6k(22V) = 2V
56k+5.6k
Rbb= Rb1Rb2 = 56K5.6k= 5.09k

Ib=
vbb Vbe
=
2
0.7
Rbb+(1+)Re
5.09k+(1+90)1.5k
= 9.18A
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Ic = Ib = 90(9.18A) = 0.826 mA= Ie

Re= 26mV/Ie= 26/0.826 31.5
Zi:
Rbb= Rb1Rb2= 56k5.6= 5.09k

Zi= Rbbre= 5.09k90(31.5) = 5.09k2835
=1821 k
Zo:
Zo = Rc = 10 k
Av:
Av= -Rc/re = -10k/31.5= -317.5
Ai:
Ai= Rbb
= 5.09k(90)
= 57.8
Rbb+re
5.09k+90(31.5)
26.- Determinese Zi , Zo, Ai , Av para la red de emisor-seguidor de la figura 26.1:
fig 26.1
Solucin:
Zi:
Zb = hie + (1+ hfe)Re

= 1.275 k+(1+98) 3.3k
327.98 k
Zi = RbZb
= 220k327.98k
= 131.68 k
Zo:
Zo= Re hie/(1+hfe)
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
=3.3k1.275k/(1+98)
= 3.3k12.9
12.9
Av:
Av=
Re
.
Re+(hie/(1+hfe))
3300
3300+12.9
=0.9961
Ai:
Ai= (1+hfe)Rb
Rb + Zb
= (1+98)220k
220k+327.98k
= 39.75
27.- Determine Zi, Zo, Av y Ai en la red de la figura 27.1 Ntese que no se han incluido
los parmetros hbridos.
Fig 27.1
Solucin:
Ie=
Vee Vbe =
Re
2- 0.7 = 13 = 1.3 mA
1k
1k
.re = 26mV/Ie= 26/1.3= 20

Zi:
Zi= Rere= 1k20
= 19.6
Zo:
Zo= Rc
= 5 k
Av:
Av= Rc/re = 5 k/20= 250
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Ai:
Ai=1
28.- Determine Zi, zo, Av, Ai para la red la figura 28.1 empleando el modelo re
Fig 28.1
Solucin:
Anlisis de cd (capacitor C3 en circuito a bierto):
Ib= VccVbe
Rf+ (+1) Rc
=
12
- 0.7
(120k+68k) +(140+1)3k
= 11.3/611k 18.5A
Y
Con
Ic= Ib = 140 (18.5A) = 2.59 mA = Ie

re= 26mV/Ie = 26/ 2.59 10.04
re= 140 (10.04) 1.4 k
La red equivalente ca se presenta en la figura 28. 2
Fig. 28.2
Zi:
Zi= Rf1re = 120k 1.4 k
1.38 k
Zo:
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Zo= RcRf2 = 2.87k

Av:
Av= -hfeR/hie = -R/re = - R/re
= -2.87k/10.04
= -285.86
Ai:
Ai=
Rf1 Rf2
(Rf1+re)(Rf2+Rc)
140(120k) 68k .
(120k+1.4k)(68k+3k)
= 132.54
29.- Determine Zo, Zent, Zi , Av, Ai en el amplificador de dos etapas de la figura. 29.1
Fig. 29 .1
Solucin:
Los capacitores de acoplamiento C1 y C2 aislan la polarizacin ca de cada etapas y la
carga de la segunda etapa es simplemente la resistencia de entrada Zi2= 15. k .El
equivalente ca aparece en la figura 29.2 con Rbb =Rb1Rb2= 39k9.1k= 7.378k.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 29.2
Zi:
Como antes encon la ecuacion:
Zi = Rbbhie= 7.378k2.125k
= 1.65 k
Zent:
Zent= Zi + Rs = 1 k+ 1.65 k
= 2.65 k
Zo:
Zo= Rc= 3.3 k
Av: Ecuacion modificada solo por el hecho de que Rc se sustituye por RcRL.
Av = Vo/Vi = -hfe(RcRL)
= -120(3.3k1.5k) = -120(1.03k)
Hie
2.215k
2.125k
Av= -58.16
Ntese que Rl tuvo el efecto de disminuir la ganancia total desde un nivel de 186 con la
sola presencia de Rc.
Avs=
De la ecuacin
Avs= Vo = Vo Vi
Vs
Vi Vs
Con Vi/ Vs = Zi/(Zi+Rs) = 0.623
Y
Avs= Vo/Vs= (-58.16)(0.623)

= -36.23
reduciendo an ms la ganancia .
Ai:
De la ecuacin:
Ai = ZiAv
RL
= 1.65k(58.16)/1.5k
= 63.98
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
30.- Calcule los factores del circuito Av, Ri y Ro para el amplificador JFET de la figura
30.1 supongase que Rd puede ignorarse.
Fig 30.1
Solucin:
La polarizacin cd considerada produce Vgsq= -0.94 V . En este punto de polarizacin ,
el valor de gm , empleando las ecuaciones es:
Gmo= 2Idss = 2(8mA) = 4 mS
Vp
-4V
y
gm = gmo( 1 Vgsq/Vp) = 4mS(1 (-0.94/-4))
= 3.06 mS
Utilizando las ecuaciones para el valor de la ganancia se obtiene:
Av= -gm Rd = -(3.06mS)(1.2k)= -3.67
Ri = Rg = 1 M
Ro= Rd= 1.2 k
La ganancia de voltaje de magnitud es comn de los valores menores que se obtienen
utilizando un circuito FET en oposicion a un circuito BJT que utiliza circuitos discretos.
31.- Calcule la ganancia de voltaje y la resistencia de entrada y de salida del circuito en la
figura 31.1(ignore rd) Idss=8 mA , Vp = -4 V
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig 31.1
Solucin:
En el ejemplo 17 ya se determino que la polarizacin correspondia a Vgsq= -1.8 V
En este punto de polarizacin
Gm= 2Idss(1- Vgsq/Vp) = 2(8mA) (1-(-1.8/-4)) = 2.2 mS
Vp
-4V
La resistencia del dispositivo es entonces :
Rm= 1/gm =
1
= 454. 5
2.2 mS
La ganancia de voltaje es:

Av =
-Rd
=
-2.4k = -3.18
Rm+Rs1 454.5 + 300
La resistencia de entrada es =
R1 = Rg1Rg2 = 2.1M270 k = 239 k
La resistencia de salida es
Ro = Rd = 2.4 k
32.- Calcule la ganancia de voltaje y las resistencias de entrada y salida en el circuito de
la figura 32. 1 . La conductancia de salida del FET es ygs= 0.05 mS
Fig 32.1
Solucin :
Partiendo de los calculos de polarizacin que se deja al alumno para comprobar Vgsq=0.15V Calculando gmo :
Gmo= 2Idss = 2(6mA) = 4 mS
Vp
-3V
El gm del dispositivo en este condicin de polarizacin es
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Gm = gmo( 1 Vgsq/Vp)= 4 mS (1- (-0.15/-3)) = 3.8mS

Para la cual
Rm = 1/gm = 1/3.8mS= 263.2
LA resistencia de salida del MOSFET es
Rd = 1 /ygs = 1/ 0.05mS= 20k
La ganancia de voltaje ca es , por tanto:
Av=
-Rd
=
-1.8k
Rm+Rs+rm/rd(Rd +Rs) 263.2+300+(263.2/300)(2.1k)
= -3.05
La impedancia de entrada es
Ri = Rg1// Rg2 = 100M 10M = 9.17M
LA impedancia de salida del c ircuito es:
Ro = Rd rd = 1.8k20k = 1.65k
33.- Calcule el voltaje de salida Vo y la resistencia de salida Ro para el circuito de la

figura 33.1 Idss= 6 mA , Vp= -6 V
Fig. 33.1
Solucin:
De los clculos de polarizacion cd, Vgs = -2.69 V . Con la gmo del dispositivo:
Gmo= 2Idss = 2(6mA) = 2.4 mS
Vp
-5V
El valor de Gm a la condicin de polarizacin es :
Gm= 1.11 mS
Para el cual
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
.
El voltaje de entrada es :
rm = 1/gm = 900.9
Vi = Ri
Vs=
Rs+Ri
1.5M
(100mVrms)
100k+ 1.5 M
La ganancia del amplificador es

Av=
RsRL =
.
rm +Rs//RL
Asi que el voltaje de salida es
0.66
Vo = Av Vi = (0.66)(93.75mV) = 61.9 mV
LA resistencia de salida es:
Ro = rm Rs = 900.9 2.1k = 630.4
34.- Complete el diseo de un circuito amplificador como el que se muestra en la figura

34.1 para una ganancia de magnitud 8
Fig 34. 1
Solucin :
Una tabulacin
semejante a la del ejemplo
anterior muestra que la polarizacin
aceptable puede obtenerse en el intervalo completo de Vgs . La seleccin de Vgs = -3 V
produce
Vgs= - 3V
Id = 1.5 mA gm = 1mS rm = 1000 (comprobar)
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Para una ganancia de Av 8 =

Rd
.
rm+Rs1
Seleccionando Rd de manera que la caida del voltaje de polarizacin cd sea la mitad de
Vdd
IdRd = Vdd/2 = 12.5 V
Rd = Id Rd/Id = 12.5 V/1.5mA= 8.33 k(utilicese 9.1 k)
Para una ganancia de
Av 8 =
Rd
= - 9.1
k
.
rm+Rs1
1000+Rs1
Rs1= 9.1 k/8 - 1000 = 137.5 (utlice 130k)
Puesto que Vgs = Vg Vs
=
100M
910M + 100 M
Rs1 +Rs2=
(25V) 1.5mA(Rs1+Rs2=-3V
2.475 +3
1.5k
= 3.65 k
Rs2 = 3650- 130= 3520 (utilice 3.6 k)

El presente diseo produce los valores de las resistencia
Rd = 9.1 k
Rs1 = 130
Rs2=3.6 K
35.- En el circuito de la figura 35.1 =1 , Icbo= 0, Vee=2 V, Re = 1k, Vcc= 50 V ,
Rc= 20k y se conecta en serie con Vee una fuente de tensin senoidal de un voltio de
cresta a cresta . Hallar iE
y vCB
fig. 35.1
Solucin :
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Fig. 35.2
El circuito equivalente completo tiene la forma indicada 35.2 en el circuitoe emisor
base , la union est polarizada en sentido directo mientras sea Vim<1.3 V , y
.
iE=
Vee 0.7-Vim coswt
= 1.3 1.0coswt mA
Re
Para el circuito colector base aplicando la ley de Kirchoff de tensiones tendremos
Vcb = - vcc + Ic Rc -Vcc+IeRe
Entonces
Vcb = - Vcc + IeqRe+ (Rc/Re)Vimcost
Sustituyenodo los valores nmericos
Vcb = -50+(1.3)30+(20/1)coswt
= -24 +20coswt V
La unin colector base esta siempre polarizada en sentido inverso de modo que es valido
el modelo lineal de la figura 35.2 . ntese que el transistor amplifica la entrada de corriente
alterna , y que la ganancia de tensin resultante Av es
Av = Vcbm/Vim= 20/1 =20
36.- El comportamiento del transitor en la regin de saturacin es importante en el
proyecto de circuitos de conmutacin . como ejemplo de ello , consideremos el circuito
de la figura 36.1 con Vcc = 10 V, Rb = 10k, y Rc = 1k El transistor tiene un = 100
Vbbe= +0.7 V y una tensin de saturacin Vce = 0.1 V . Hallar las condiciones de
funcionamiento cuando a) Vbb = 1.5 V b) 10.7 V
fig 36.1
Solucin:
a) Para Vbb = 1.5 V aplicamos ley de Kirchhoff de las tensiones en el circuito emisorbase da:
-
Vbb + IbRb +Vbe= 0
Ib =
Vbb- Vbe = 1.5- 0.7 = 0.08 mA

Rb
10k
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Ic = Ib = (100) (0.08) = 8mA

Ie=Ic) 8mA
Vce= Vcc- IcRc= 10-8= 2 V
Por tanto el transistor trabaja en la regin activa
Vce>Vce(sat)
b) Para Vbb = 10.7 V
Ib= 10.7 0.7 = 1mA
10k
Si tuviera que cumplirse la relacin Ic = Ib debera ser Ic = 100mA y Vce = 10-100=
-90 V , lo cual es imposible . Por tanto el transistor esta en la regin de saturacin , y
Vce = Vce(sat) = 0.1 V
La corriente de colector es :
Ic =
Vcc Vce (sat) = 10- 0.1 9.9 mA

Rc
1k
Ie = Ic + Ib = 10.9 mA
Ntese que el valor efectivo de en esta condicin especial de saturacin es Ic/Ib=9.9

37.- Hallar R1 y R2 en el circuito 37.1 sabiendo que el punto Q es Icq= 3.75 mA Vceq
= 4.5 V
Fig 37.1
Solucin :
En la figura 37. 2 se muestra el equivalente de Thvenin de la red de polarizacin . La
tensin de reposo de emisor Veq es
Veq= Ieq(200) = (3.75mA)200
= 0.75V
LA tensin de reposo de base Vbq es por lo tanto
Vbq = Vbe + 0.75 0.7+0.75 =1.45 V
Obsrvese que si la cada de tensin en Rb es pequea
Vbb = Vbe + veq
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Por lo tanto Vbb Vbq = 1.45 V

Fig 37.2
De acuerdo a la desigualdad Re>>(1-)Rb debe satisfacerse si la corriente de reposo debe
estabilizarse contra variaciones de As reagrupando trminos , la desigualdad puede
escribirse
Rb<Re/(1-)
Pero 1/(1-) = + 1
Rb < (+1) Re Re= 100Re= 20 k
Y Rb se puede hacerse igual a 2 k
Conociendo Vbb, Rb , R1y R2 pueden determinarrse a partir de :
R1 = Rb
= 2k
= 2.4 k
1- Vbb/Vcc 1- 1.45/9
Y
R2 = (Vcc/Vbb)Rb = (9/1.45)(2k) 12.4 k
En la practica se utilizara resistores normalizados

R1= 2.2 k
R2= 12 k
Y esto valores normalizados de R1 y R2 a su vez dan
Vbb = 14 V
Y
Rb = 1.9 k
La corriente de reposo resultante es entonces Icq = 3.5 mA
38.- Para el circuito de la figura 38.1 calcular la potencia suministrada por la fuente de
alimentacin de colector , las potencias disipadas en los resistores de carga y de
emisor , la potencia disipada en el transistor , y el rendimiento de funcionamiento.
Diodos
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Amplificadores Realimentados
Problema 1.
Determine la ganancia de voltaje y las impedancias de entrada y salida con realimentacin
del tipo voltaje en serie, teniendo A=-100, Ri=10k, Ro=20k para retro alimentacin de
(a)=-0.1 y (b)=-0.5.
Solucin.
Usando las ecuaciones:
Af
Vo
A
Vs 1 A
Z if
Z of
entonces obtenemos:
(a)
Af
Z if
Zi
1 A
V
Z o 1 A
I
A
100
100
9.09
1 A 1 0.1 100
11
Z i 1 A 10k11 110 k
Z of
Zo
20 10 3
1.82k
1 A
11
Diodos
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A
100
100
1.96
1 A 1 0.5100
51
Z i 1 A 10k 51 510k
Af
(b)
Z if
Z of
Zo
20 10 3
392.16
1 A
51
Problema 2.
Calcule la ganancia con y sin realimentacin en el circuito amplificador FET de la figura,
con los siguientes valores: R1 = 80 k, R2 = 20 k, Ro = 10 k, RD = 10 k y gm=4000s.
Solucin.
RL
R0 R D
10k 10k
5k
R0 R D 10k 10k
despreciando
la
resistenci a
A g m R L 4000 10
El
de 100k
5k 20
factor de rea lim entacin

R2
20

0.2
R1 R 2
80 20
con
de
R1
R2
en
serie.
es
La
ganancia
rea lim entacin
es
Af
A
20
20
4
1 A 1 0.2 0.2
5
Problema 3.
Calcule la ganancia del amplificador del circuito de la figura, para una ganancia del
amplificador operacional A = 100000 y resistencias R1 = 1.8 k y R2 = 200 .
Diodos
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Solucin.
R2
200
0.1
R1 R 2 200 1.8k
A
100000
100000
9.999
1 A 1 0.1100000
10001
Ntese que puesto que A1.
1
1
Af
10
0.1
Af
Problema 4.
Calcule la ganancia de voltaje del circuito de la figura
Diodos
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Solucin.
Sin
rea lim entacin

h fe
Io
120
A
0.085
Vi hie R E
900 510
Vf
R E 510
Io
El factor 1 A es entonces
1 A 1 0.085 510 43.35
La ganancia con rea lim entacin es, por consiguiente
A
0.085
Af
1.96 10 3
1 A
43.35
y la ganancia de voltaje con rea lim entacin Avf es
Avf A f RC 1.96 10 3 2.2 10 3 4.3
RE
Sin
rea lim entacin
Av
RC
2.2 10
293.3
re
7 .5
la
ganancia
de
voltaje
es
Problema 5.
Calcule la ganancia de voltaje con y sin realimentacin en el circuito de la figura, con los
valores de gm = 5 ms, RD = 5.1 k, RS = 1 k y RF = 20 k.
Diodos
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Solucin.
Sin
rea lim entacin
la
ganancia
de
voltaje
es
reduce
Av g m R D 5 10 3 5.1 10 3 25.5
Con
rea lim entacin
Avf g m R D
Avf 25.5
la
ganancia
se
RF
RF g m RD RS
20 10 3
25.5 0.44 11.2
20 10 3 5 10 3 5.1 10 3 1 10 3
AMPLIFICADOR LINEAL NO INVERSOR.

El amplificador se puede utilizar tambin como amplificador no inversor.
Problema 6.
Ganancia. La ganancia total del amplificador no inversor se determina si suponemos que es
un operacional ideal. Entonces Ro=0, Ri es infinita y Ad tambin es infinita por lo que Vd0.
El circuito equivalente esta representado en la figura.
Diodos
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(a)
(b)
Amplificador lineal no inversor: (a) circuito; (b)circuito con operacional ideal.
Solucin.
Vi = v2 = v1
vi R1R1R2 v0
de donde,
Av
v 0 v 0 R1 R 2
R
1 2
v i v1
R1
R1
Diodos
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Problema 7.
Impedancia de entrada de un amplificador no inversor es ri = vi / ii. Puesto que ii = vd / Ri, ii
debe ser muy pequea y por lo tanto, ri debe ser muy grande.
Solucin.
Para determinar cuantitativamente ri escribimos
V
ii d
Ri
Sin embargo, como vd = v0 /Ad, se convierte en
V
ii 0
Ad Ri
Observando que
R
V0 1 2 Vi
R1
Tenemos
1 R2 R1
ii
Vi
Ad Ri
Luego, la impedancia de entrad es
ri
Vi
Ad Ri
ii 1 R2
R1
Por ejemplo, si Ad = 105, Ri = 100 k, R2 = 10 k y R1 = 1 k, entonces ri 1

G(=109).
Problema 8.
Para hallar la impedancia de salida r0, debemos sustituirla fuente te tensin de entrada vi por
un corto circuito, aplicar a la salida una fuente de tensin de prueba y medir la corriente
suministrada por esta fuente de prueba.
Solucin.
El circuito equivalente resultante es entonces idntico al utilizado para calcular la r0 del
amplificador inversor. Por tanto, r0 se puede hallar mediante
1 1 Ri Ad R1 R2
1
r0
R0
R1 R2
As en la mayora de las aplicaciones, r0 se supondr nula.
Problema 9.
En el rectificador de media onda con diodo, vimos que un diodo real se caracteriza por una
tensin umbral V(0.65V para el silicio), en la figura est representado por un circuito
rectificador con AO que solventa el efecto de la tensin umbral y que rectifica tensiones del
orden de los milivoltios. Mostrar que para cualquier rectificador con AO, VL=Vi con una
diferencia de unos pocos microvoltios.
Diodos
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Solucin.
En el circuito se ve que cuando V 0 es suficientemente positiva para conmutar el diodo en el
estado de conduccin, el bucle de realimentacin se cerrara a travs del diodo en
conduccin y la accin de realimentacin har que la tensin de entrada diferencial sea
muy pequea. Cuando esto ocurre tendremos VL Vi. Sin embargo, si la tensin de salida
V0 es menor a la tensin umbral del diodo, no circulara corriente por el diodo y el bucle de
realimentacin estar abierto. La salida del rectificador V L es ahora igual a 0V ya que no
fluye corriente por RL. As VL=0 cuando V0 V. La tensin de entrada necesaria para
alcanzar esta tensin de salida es
Vi = Vd +VL Vd =
V
V0
Ad
Ad
En un operacional practico Ad = 105, y con V =0.65V el punto de cambio de pendiente,

llamado codo, en la caracterstica es Vi = 6.5V. La caracterstica entrada-salida
resultante esta representada en la figura:
VL
Pendiente 1
Pendiente = 0
V
Ad
Vi
luego, cuando VL V / Ad el amplificador operacional est trabajando en la zona de

conduccin de la caracterstica. La salida rectificada VL est ahora relacionada con Vi por
la ecuacin
V0 V L 0.7
Vi VL = Vd =
Ad
Ad
resolviendo para Vi se obtiene
Diodos
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1
Ad
0.7
Ad
Vi = VL
en la figura vemos que para cualquier rectificador con amplificadores operacionales,
VL=Vi con una diferencia de unos pocos microvoltios.
Vi
Ad
VL
t
Mostrando las formas de onda tpicas cuando Vi es senoidal. Por ejemplo, el amplificador
operacional 709 no podra utilizarse para esta aplicacin puesto que solo puede tener 5V,
mientras que el 101 o el 741 estn diseados para permitir grandes variaciones en Vd, del
orden de 30V y, por tanto puede usarse.
Problema 10.
En el circuito rectificador de la figura, hallar la tensin de entrada Vi, cuando el diodo esta
en corte.
Solucin.
La operacin del circuito se puede explicar observando que si el diodo esta funcionando
por debajo de la tensin umbral, la corriente del diodo es cero y la cada de tensin en R L
Diodos
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tambin es cero. As pues , VL = Vref cuando el diodo esta bloqueado o en corte. Para hallar
el margen de tensiones de entrada en que esto ocurre observemos que se debe tener
Vd = V0 VL < V
Cuando se sustituye V0 = (Vi VL) / Ad, se puede obtener de
V VL
Vi <
Ad
VL
Puesto que, cuando el diodo esta en corte VL = Vref, la tensin de entrada en el codo es
Vi
V Vref
Ad
Vref Vref
Ahora cuando VL Vi, cuando Vi >Vref. la caracterstica estar representada en la figura y

tambin las formas de ondas tpicas.
Vi
VL
Vref
VL=Vi
t
Vref
Vi
VL
Vref
Vref
Problema 11.
Explique como acta el rectificador de onda completa de la figura.
Diodos
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Solucin.
La tensin de entrada Vr es la tensin de entrada Vi despus de la rectificacin de media
onda. Entonces cuando aumenta Vi por encima de 0V, D2 conduce y Vo se hace negativa,
haciendo que el D1 se bloquee, es decir pase al estado de corte. Entonces la corriente i 2 =
0 y Vr = V1. Sin embargo con D2 en conduccin, Vo=V1 - 0.7. Como V1 = -Vd1 = -Vo / Ad1 = (V1 0.7) / Ad1, se tiene
Vr = V1 =
0.7
0V
Ad 1
para Vi > 0
Cuando Vi es negativa, Vo es positiva y el diodo D 2 est en corte mientras que el diodo D 1

conduce. Ahora A1 est conectado como amplificador inversor y con i2 i1 = -Vi / R y Vd1
0 se tiene
Vr Ri2 = Ri1 = -Vi
para Vi < 0
Combinndolos, se ve que el circuito del operacional A1 acta como rectificador de media
onda. Las formas de onda de Vi y Vr estn representadas en la figura. El amplificador A 2 es
un sumador con una tensin de salida utilizando las formas de onda de Vi y Vr
representadas en la figura, se llega a la salida rectificada de onda completa representada.
Esta depende del grado de adaptacin de las resistencias del circuito.
Vi
t
Vr
Diodos
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t
VL = - Vi 2Vr
t
Problema 12.
Explicar el amplificador logartmico de la figura.
Solucin.
Este circuito acepta dos entradas, V1 y V2 y la tensin de salida es proporcional al
logaritmo del cociente de estas tensiones de entrada. A menudo V 2 es una tensin de
referencia.
Los transistores T1 y T2 son la realimentacin de los dos operacionales. Por tanto
suponiendo Vd1 0V y Vd2 0V, tenemos
V
V
i1 1
i2 2
e
R1
R2
Las corrientes del colector iC1 e iC2 vienen dadas por
i1 iC1
V1
I 0 VBE ! / Vt
R1
Diodos
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i 2 iC 2
V2
I 0 VBE 2 / Vt
R2
Dividindolos y tomando el logaritmo del resultado se obtiene

R V
V BE1 V BE 2 VT ln 2 1
R1 V2
Sin embargo, con VE2 = VE1 = VE,
VBE1 = - VE
VBE2 = VB2 - VE
Luego, sustituyendo se tiene
R V
V B 2 VT ln 2 1
R1 V2
R4
V0
R3 R4
Finalmente combinando llegamos a la ecuacin deseada
R R3 R2 V1
V0 4
VT ln
R4
R1 V2
VB 2
Obsrvese que aunque Vo no es ya funcin de Io, todava es sensible a la temperatura

debido al trmino VT. Para minimizar la variacin de temperatura debida a V T, se elige R3
mucho mayor que R4, es una resistencia con compensacin de temperatura calculada para
que
VT R4 VT
T
T R 4
Tpicamente R3 = 16k y R4 =1k.

Una de las tensiones de entrada suele ser una tensin de referencia, aunque sean funcin
del tiempo. Si Vo debe ser positiva, V1 es la tensin de referencia.
Problema 13.
En el amplificador logartmico del anterior problema, en el que se utiliza el LM194 tiene
los siguientes valores paramtricos
R1 = R2 = 10 k
R3 = 16.4 k 1%
R4 = 1 k (compensado en temperatura) VT = 25 mV
La tensin de entrada V1 varia de 1 mV a 10 V. Hallar el valor de la tensin de referencia V 2
por el cual Vo sea 0 V cuando V1 es 100 mV. Representar Vo en funcin de V1.
Solucin.
V0
16.4 1
V
V
25 10 3 ln 1 0.434 ln 1
2
V2
V2
Diodos
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puesto que log x 0.434 ln x, tenemos

V1
V2
como log 1 = 0, la tensin de referencia debe ser 100 mV para tener Vo = 0V cuando V1 =
100 mV. Finalmente,
V
V0 log 1 log10V1
0.1
V0 log
Amplificadores de Potencia
Problema 1.
Calcule la polarizacin de cd, la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y salida, y el
voltaje de salida resultante para el amplificador en cascada de la figura. Calcule el voltaje
en la carga de 10 k se conecta a travs de la salida.
Diodos
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Solucin.
Ambas etapas de amplificador tienen la misma polarizacin de cd. Haciendo uso de las
tcnicas de polarizacin en cd obtenemos:
VGS Q = -1.9 v,
ID Q =2.8 mA.
Ambos transistores tienen
g m0 g m
2 I DSS
210mA
5ms
Vp
4v
y el punto de operacin en cd,

VGS Q
g m g m0 1
VP
5ms 1 1.9v 2.6m
4v
La ganancia de voltaje para cada etapa es entonces

AV1 = -gmRD = -(2.6ms)(2.4k) = 6.2
La ganancia de voltaje del amplificador en cascada es entonces
AV = AV1AV2 = (-6.2)(-6.2) = 38.4
El voltaje de salida ser de
V0 = AVVi = (38.4)(10 mv) = 384 mv
La impedancia de entrada del amplificador en cascada es
Zi = RG = 3.3 M
La impedancia de salida del amplificador en cascada (suponiendo que rd = ) es de
Z0 = RD = 2.4 k
El voltaje de salida a travs de una carga de 10 k sera entonces
RL
10k
384mv 310mv
VL
V0
Z 0 RL
2.4k 10k
Problema 2.
Calcule la ganancia de voltaje para el amplificador cascode de la figura.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Solucin.
El anlisis de polarizacin de cd al emplear los procedimientos dan como resultado
VB1 = 4.9 v,
VB2 = 10.8 v,
IC1 = IC2 =3.8 mA.
La resistencia dinmica de cada uno de los transistores es, por consiguiente,
re
26
26
6.8
Ie
3.8
La ganancia de voltaje de la etapa 1(emisor comn) es aproximadamente

Av1
RC
r
e 1
re
re
La ganancia de voltaje de la etapa 2 (base comn) es

R
1.8k
AV 2 C
265
re
6.8
Lo que implica una ganancia total para el amplificador cascode de
AV = AV1AV2 =(-1)(265) = -265
Problema 3.
Qu ganancia de corriente proporciona una conexin Darlington con dos transistores
idnticos, cada uno de ellos con una ganancia de corriente de = 200?
Solucin.
De la ecuacin
D = 2 = (200)2 = 40000
Problema 4.
Calcule los voltajes de polarizacin de cd y corrientes en el circuito de la figura.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Solucin.
La corriente de base es
IB
Vcc VBE
RB
18 v
R 3.3 M
D E
16 v
8000 ( 390 )
2.56 A
La corriente de emisor es entonces

El voltaje en cd de emisor es
Y el voltaje de base es
El voltaje de colector es el valor suministrado por la fuente:
Problema 5.
Calcule la impedancia de entrada del circuito de la figura, si ri=5 k.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Solucin.
Zi= RB || (ri+DRE) = 3.3M || [5K+(8000)(390)] = 1.6 M
Problema 6.
Calcule la impedancia de salida para el anterior circuito.
Solucin.
Z0
ri
5 K
0.625
B 8000
Problema 7.
Calcule la ganancia de voltaje de ca Av para el circuito del problema 5.
Solucin.
Av =
390 8000 390

= 0.998
5k 390 8000 390
Problema 8.
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
Calcule las corrientes y voltajes de polarizacin de cd para el circuito de la figura, para

proporcionar Vo con una magnitud de un medio del voltaje de la fuente(ICRC=9v).
Solucin.
I B1 =
18V 0.7V
17.3V
=
= 4.45 A
2 M 140 180 75
3.89 10 6
La corriente de base Q2 es entonces

IB2= IC1= 1IB1 = 140(4.45A) = 0.623 mA
Lo que resulta en una corriente de colector Q2 de
IC2= 2IB2 = 180(0.623 mA) = 112.1 mA
Y la corriente a travs de RC es por consiguiente

IC= IE1+IC2 = 0.623 mA + 112.1 mA = IC1 = 112.1 mA
As, el voltaje de cd en la salida es
V0(dc) = Vcc ICRC = 18 V 112.1 mA(75) = 9.6 V
V1(dc) = V0(dc) VBE = 9.6V 0.7V = 8.9 V
Problema 9.
En el circuito de la figura, sea utilizado un transistor de las siguientes caractersticas:
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PC,max = 4 W (una vez aplicados los factores de reduccin o degradacin)

BVCEO = 40 V
;
iC, mx =2 A
La resistencia de carga RL es de 10. Determinar el punto de reposo de modo que la carga
disipe la potencia mxima. Determinar tambin la tensin de alimentacin VCC.
Solucin.
El punto de reposo se obtiene trazando la ecuacin
1
V
iC
VCE CE
RL
10
El punto de reposo Q, se obtiene analticamente,
I CQ
4
0.63 A y
10
VCEQ
4 10 6.3V
La tensin de la fuente de alimentacin VCC es igual VCEQ(se desprecia la cada de tensin

en Re). Luego
VCC = 6.3 V
Y el valor mximo de VCE es igual a 12.6 V y menor que la tensin de ruptura. La corriente
mxima de colector iC es igual a 1.26 A y menor que la corriente mxima admitida.
La potencia mxima entregada a la carga ser
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
I 2CQ RL 0.63 10
2W
2
2
2
PL, mx
Seleccin de Re, Rb y VBB. Re se toma pequea de modo que su disipacin de potencia sea
despreciable. Por ejemplo podemos escoger Re = 1 de modo que
Rb
Si = 40,
1
Re
10
PRe =I2CQ (1) = 0.4 W << PC, mx = 4 W

Rb 4
La tensin de alimentacin de la base es:

VBB 0.7 + (0.63)(1) = 1.33 V
Si el efecto de Re se incluye en el calculo, el punto Q se desplaza ligeramente y da lugar a
un incremento de la tensin VCC necesaria.
Consideremos el mismo problema con la corriente de colector mxima i C mx = 1.26 A, que
sobre pasa la nueva corriente mxima admitida, si el punto de reposo permanece
invariable, la amplitud de pico de ac admitida se reduce a 0.37 A. Si la seal es senoidal la
corriente mxima es
IC = 0.37 sen wt A
Y la potencia mxima disipada en la carga es
PL, mx = (0.5)(0.37)2(10) 0.69 W
Como la carga de 10 es fija, la pendiente de la recta de carga de corriente alterna es
fija. Sin embargo, si la recta de carga se desplaza cortando al eje i C entonces iC, mx = 1 A y
el punto de reposo se sita en las nuevas coordenadas
ICQ = 0.5 A
VCEQ = VCC = 5 V
El valor mximo de la componente alterna de la corriente de colector es

IC = 0.5 sen wt A
Y la potencia mxima disipada en la carga es
PL, mx = (0.5)(0.5)2(10) = 1.25 W
En cualquier caso, la potencia suministrada est muy por debajo de la posible de 2 W. Esto
es debido a la incapacidad de compensar la reduccin de la corriente mxima de colector
admitida.
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Problema 10.
El circuito de la figura, utiliza un transistor de silicio npn junto con una resistencia de carga
de 8. Las especificaciones mximas de este transistor son
PC,max = 24 W (despus de aplicar los coeficientes de reduccin)
BVCEO = 80 V
;
VC,E sat =2 V
Determinar la amplitud mxima y la potencia mxima disipada por la carga.
Solucin.
La carga disipa la potencia mxima cuando la amplitud de la corriente de colector es mxima. La ecuacin de la recta de carga de
corriente alterna es
RL(iC ICQ) = -(VCE VVCQ)

Cuando iC es mxima, iC = 2ICQ y VCE, sat. Luego
RLICQ = VCEQ VCE,sat
Para no sobrepasar la disipacin media mxima en el colector, podemos establecer
ICQVCEQ = PC, mx
Combinando las expresiones y resolviendo la ecuacin resultante se obtienen los siguientes
valores de ICQ y VCEQ
I CQ
VCE , sat
2 RL
PC .mx VCE , sat

RL
2 RL
Diodos
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Etn503
VCEQ
VCE , sat
2
V
PC , mx RL CE , sat
2
El punto de reposo resulta ser

ICQ 1.6 a
y
VCEQ 15 V
De este modo la tensin de alimentacin del colector Vcc es 15V, despreciando la cada en
Re. El valor mximo de pico de la componente alterna de la corriente de colector es 1.6 A,
y la potencia media mxima disipada en la carga es
1 2
I CQ RL
1
2
PL , mx 2
1.6 8 10.2W
2
2

Obsrvese que el rendimiento mximo, despreciado las perdidas en Re, es solamente
R
10.2
mx L , mx
42 %
PCC
151.6
Problema 11.
Utilizando el transistor del problema 9 donde iC, mx = 1 A, con acoplamiento por
transformador a una carga de 10, disear de nuevo el amplificador para obtener una
transferencia mxima de potencia a la carga. Especificar la tensin necesaria, la potencia
disipada en la carga y la relacin del nmero de espiras N del transformador.
Solucin.
El punto de reposo que dar una transferencia mxima de potencia a la carga
I CQ
VCEQ
PC , mx
2
N RL
0.4
0.63
A
2
N
N
PC , mx N 2 RL 6.3NV
As, utilizando un transformador, el punto de reposo puede fijarse casi arbitrariamente,

siempre que
Diodos
Ing. David Molina

Etn503
1.26
2ICQ 1 iC,mx
N
y
2Vceq = 12.6N < 40 = BVCE0
Estas desigualdades fijan los lmites de la relacin de transformacin, esto es,

1.26 < N < 3.17
Cuando se tiene el problema de escoger entre una amplia gama de puntos Q, deben tenerse
en cuenta otras consideraciones. Por ejemplo, es practico utilizar la menor corriente
posible ya que cuanto mayor es la corriente que debe suministra la fuente de alimentacin
de corriente continua mayor es su tamao y costo. A menudo debe utilizarse una tensin de
alimentacin determinada VCC (y por tanto VCEQ). Una consideracin muy importante es la
disponibilidad de un transformador con la relacin de espiras adecuadas. Una relacin de
espiras normal es N=2; si se escoge un transformador con esta relacin,
ICQ 0.32 A
VCEQ = 12.6 V VCC
Luego
PL,mx = (0.5)(0.32)2(10) = 2 W
Problema 12.
Disear un amplificador push-pull de clase B, que proporcione una potencia mxima sobre
una carga de 10. Utilizar dos transistores con valores nominales iguales al del problema
9(iC, mx = 1 A). Determinar Vcc, N y la red de polarizacin para eliminar la distorsin de
cruce. Calcular la potencia de salida y rendimiento.
Solucin.
La potencia mxima de salida viene dada por
V 2CC VCC I Cm
PL , mx
2 RL
2
As, la potencia de salida puede aumentarse aumentando Vcc e Icm. Sin embargo, Vcc e
Icm no pueden aumentarse indefinidamente. Las caractersticas del transistor estableces
lmites superiores para estos valores.
VCC (0.5)BVCE0 = 20 V
Icm IC, mx = 1 A
Y utilizando
VCC I cm
5 PC , mx 20W
2
El punto de reposo se determina de modo que el transistor funcione con los valores
mximos de iC y BVCE0. luego
VCC = 20 V e
Icm = 1 A
PL , mx
Luego
PL, mx = 10 W
Diodos
Ing. David Molina

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La relacin del nmero de espiras N se halla del siguiente modo. Como

V
I cm 2CC
N RL
Tenemos
N2 = 2
y
N = 1.414
Obsrvese que los transistores en push-pull proporcionan cinco veces la potencia que un
solo transistor podra suministrar a una carga dada sin exceder los lmites mximos.
Para completar el clculo, debe elegirse una red de dolarizacin:
Amplificador push-pull polarizado por batera.

Es un amplificador con una fuente de polarizacin separada. VBB se toma igual a la tensin
de conduccin del transistor que para el silicio es aproximadamente 0.7 V.
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Amplificador push-pull polarizado por divisor resistivo.

En la prctica, en vez de una fuente de alimentacin separada se utiliza la fuente de
alimentacin Vcc con un divisor de tensin adecuado. R 1 y R2 se eligen de modo que la
cada de tensin base-emisor sea aproximadamente 0.7 V. A menudo se utiliza un diodo de
silicio en vez de R2, ya que la cada de tensin en el diodo de silicio funcionando por
encima de su tensin de codo es similar a la tensin de reposo base-emisor necesaria para
hacer conducir al transistor.
Problema 13.
Un amplificador de simetra complementaria utiliza transistores que tienen las mismas
caractersticas que las del anterior problema.
Hallar Vcc y la potencia mxima que puede suministrar a una carga de 10.
Solucin.
Cada transistor es esencialmente un seguidor de emisor de clase B. Consideremos T2: su
circuito equivalente durante la conduccin, es la siguiente:
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el valor pico de iC2 no puede exceder 1 A.

VCC
1A
RL
Por consiguiente
Vcc = 10 V
Obsrvese que la excursin de 2Vcc es menor que la tensin de ruptura colector-emisor, tal
como se requiere. La corriente de carga es
iL = iC1 iC2
Si Vi es senoidal, tambin lo ser iL con un corriente de cresta mxima de
V
I Lm CC
RL
Luego
V
iL I Lm sen wt CC senwt
RL
La potencia mxima en la carga es
V 2 CC
PL , mx
5W
2 RL
Se puede tener alguna idea de la tensin de seal necesaria para excitar este amplificador
suponiendo que ri << R. Entones, a causa de que el circuito es esencialmente un seguidor
de emisor, la mxima seal Vi = Vim senwt, debe tener un valor pico de Vcc, es decir, Vim
= Vcc, para transferir totalmente los 5 W a la carga.
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Amplificadores Operacional
Problema 1.
Determine el voltaje de salida para circuito de la figura, para una entrada sinusoidal de 2.5
mV.
Solucin.
Se utiliza un A.O. 741 para proporcionar una ganancia fija o constante, que se calcula por
medio de la ecuacin siguiente:
A=-
Rf
R1
=-
200k
= -100
2k
El voltaje de salida es por lo tanto

Vo = Avi = -100(2.5m V) = -250 mV = -0.25 V
Problema 2.
Calcule el voltaje de salida del circuito de la figura, para una entrada de 120V.
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Solucin.
La ganancia del circuito amp-op se calcula mediante el uso de la siguiente ecuacin
A=1+
Rf
R1
=1+
240k
= 1+100 = 101
2.4k
El voltaje de salida es entonces

Vo = Avi = 101(120V) = 12.12mV
Problema 3.
Se ilustra la conexin de un amplificador operacional cudruple LM124 como un
amplificador de tres etapas con ganancias de +10, -18 y 27. Haga uso de un resistor de
realimentacin de 270 k para los tres circuitos. Qu voltaje de salida resultar para una
entrada de 150V?.
Solucin.
Para la ganancia de +10:
A=1+
Rf
R1
Rf
R1
= 10
= 10 1 = 9
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R1 =
Rf
9
270k
= 10k
9
Para la ganancia de 18:

Rf
A2 = R2 =
Rf
18
R2
= -18
270k
= 15k
18
Para la ganancia de 27:

A3 = R2 =
Rf
27
Rf
R3
= -27
270k
= 10k
27
Para una entrada V1=150V, el voltaje de salida ser de

V0 = A1A2A3V1 = (10)(-18)(-27)(150V) = 4860(150V) = 0.729V
Problema 4.
Se ilustra la conexin de tres etapas de A.O. haciendo uso de un CI LM348 para
proporcionar salidas que son 10, 20 y 50 veces mayores que la entrada. Emplee un resistor
Rf=500k en todas las etapas.
Solucin.
El componente de resistencia para cada una de las etapas se calcula como
R1 = R2 = R3 = -
Rf
A1
Rf
A2
Rf
A3
=-
500k
= 50k
10
=-
500k
= 25k
20
=-
500k
= 10k
50
El circuito resultante se dibuja en la figura siguiente
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Problema 5.
Calcule el voltaje de salida para el circuito de la figura. Las entradas V1=50mVsen(1000t) y
V2=10mVsen(3000t).
Solucin.
El voltaje de la salida es
330k
330k
V1
V2 = -(10V1 + 33V2)
10k
33k
Vo = -
Vo = -[10(50mV)sen(1000t) + 33(10mV)sen(3000t)]
Vo = -[0.5sen(1000t) + 0.33sen(3000t)]
Problema 6.
Determine la salida para el circuito de la figura, con los componentes Rf=1M, R1=100k,
R2=50k y R3=500k.
Diodos
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Solucin.
El voltaje de salida se calcula como
1M 1M
1M
V2
V1 = 20V2 - 20V1 = 20(V2 V1)
500k 100k
50k
Vo =
Se observa que la salida es la diferencia de V2 y V1 multiplicada por un factor de ganancia

de 20.
Problema 7.
Ilustre la conexin de un 741 como un circuito de ganancia unitaria.
Solucin.
La conexin es la siguiente
Problema 8.
(a) Para la figura a, calcule IL.
(b) Para el circuito de la figura b, calcule Vo.
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(a)
(b)
Solucin.
(a) Para el circuito de la figura a,
IL =
V1
8V
= 4mA
R1
2k
(b) Para el circuito de la figura b,

Vo = -I1R1 = -(10mA)(2k) = -20V
Problema 9.
Calcule la expresin del voltaje de salida para el circuito de la figura.
Solucin.
El voltaje de salida puede, por tanto, expresarse empleando la ecuacin
Vo = 1
2R
2 5000
V1 V2 1
V1 V2
RP
500
Vo = 21(V1 V2)
Problema 10.
Calcule la frecuencia de corte de un filtro pasabajos de primer orden para R1=1.2k y
C1=0.02F.
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Solucin.
f OH
1
1
6.63kHz
3
2R1C1
2 1.2 10 0.02 10 6
Problema 11.
Para el circuito de la figura, calcule la mxima potencia de entrada, la mxima potencia de
salida, el voltaje de entrada para la mxima potencia de operacin y la potencia disipada
por los transistores de salida para este voltaje.
Solucin.
La mxima potencia de entrada es
2V 2 CC 2 25V
= 99.47 W
RL
4
2
Pi(cd)mxima =
La mxima potencia de salida es
V 2 CC 25V
Po(ca)mxima =
= 78.125 W
2 RL
2 4
(ntese que se consigue la mxima eficiencia:)
P0
78.125W
100 % =
100 % = 78.54%
%
Pi
99.47W
para conseguir la mxima potencia de operacin, el voltaje de salida debe ser de
VL (p) = VCC = 25V
y la potencia disipada por los transistores de salida es, por consiguiente,
P2Q = Pi P0 = 99.47W 78.125W = 21.3W
2
Problema 12.
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Para el circuito de la figura, determine la mxima potencia disipada por los transistores de
salida y el voltaje de entrada en que ocurre.
Solucin.
La mxima potencia disipada en ambos transistores de salida es
2
2 V 2 CC
2 25V
2
P2Qmxima = 2
= 31.66 W
4
RL
Esta disipacin mxima se presenta para

VL = 0.636VL(p) = 0.636(25V) = 15.9V
(Advirtase que para VL =15.9V el circuito requiere de los transistores de salida para
disipar 31.66W, mientras que para VL =25V los mismos solo tienen que disipar 21.3W).
Problema 13.
Calcule los componentes de distorsin armnica para una seal de salida con una amplitud
fundamental 2.5V, una amplitud de segunda armnica de 0.25V, una amplitud de tercera
armnica de 0.1V y una amplitud de cuarta armnica de 0.05V.
Solucin.
Empleando la siguiente ecuacin se llega a
% D2
% D3
% D4
A2
A1
A3
A1
A4
A1
100 % =
0.25V
100 % = 10%
2.5V
100 % =
0.1V
100 % = 4%
2.5V
100 % =
0.05V
100 % = 2%
2.5V
Problema 14.
Diodos
Ing. David Molina

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Calcule la distorsin armnica total para las componentes de amplitud dadas en el problema
anterior.
Solucin.
Haciendo uso de los valores calculados de D2=0.1, D3=0.04 y D4=0.02 en la ecuacin:
%THD = D 2 2 D 2 3 D 2 4 100 %
%THD =
0.1 2
0.04 0.02
2
100 %
= 0.1095 x 100%
%THD = 10.95%

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Diodos

Ing. David Molina

GUIA DE EJERCICOS RESUELTOS

Para las caractersticas de la figura 1.1

Vd 0.72 0.57 0.15V

Ing. David Molina

c) Relacin de las resistencias

Dada la red de la figura 2.1

Ing. David Molina

Determine V0 e ID para el circuito de la figura 3.1

Ing. David Molina

Determine ID , VD2 y V0 para el circuito de la figura 4.1

Persiste la pregunta en cuanto a para que sustituir el diodo de silicio. Reacurdese

Ing. David Molina

La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj

Determine I, V1 , V2 y V0 para la configuracin cd en serie de la figura 5.1

Ing. David Molina

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccin de la salida en el sentido de las

Ing. David Molina

Suponiendo que los diodos tienen caractersticas similares, tenemos

Determine la corriente I para la red de la figura 7.1

Ing. David Molina

el voltaje pico inverso (VPI) nominal del diodo es de fundamental importancia en el

Ing. David Molina

Ing. David Molina

Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura 10.1

Ing. David Molina

El voltaje de salida resultante aparece en la figura 10.4

Determine v0 para la red de la figura 11.1

Ing. David Molina

El estado de transicin puede determinarse a partir de la figura 11.3, donde se ha

Repita el ejemplo 11 empleando un diodo de silicio con VT = 0.7 V

Ing. David Molina

para voltajes de entrada mayores de 3.3 V, el diodo se encontrar en circuito abierto y

Determine v0 en la red de la figura 13.1 para la entrada indicada

Ing. David Molina

La salida es a travs de R, pero se encuentra tambin directamente a travs de la

El equivalente en circuito abierto para el diodo har que la batera de 5 V no tenga

Ing. David Molina

Repita el ejemplo 13 empleando un diodo de silicio con VT = 0. 7 V

Ing. David Molina

En la seccin de entrada la ley de voltajes de Kirchhoff dar como resultado

Para la red de la figura 15.1 determinar el rango de RL e IL que dar como

Ing. David Molina

El voltaje del resistor Rs se determina entonces mediante la ecuacin:

El mnimo de IL se determina por:

Ing. David Molina

En la figura 15.2a se presenta una grfica de VL versus RL y en la 15.2b para VL

Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el estado de conduccin

Ing. David Molina

(RL RS) VZ (1200 220)(20)

IRmaz = IZM + IL = (60 + 16.67) mA = 76.67 mA

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Ing. David Molina

y la tensin en la carga vL y la tensin de la seal vi estn representadas en la figura

( VLm cos 0t )d( 0t )

El desarrollo en serie de Fourier de vL(t) es

esta expresin muestra que el diodo adems de generar el trmino de corriente

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donde VLn es la amplitud de la tensin de carga a la frecuencia n0 (por ejemplo, VL2

sen 2 0t ... ...

La relacin entre el valor eficaz de la tensin de ondulacin y la tensin continua es

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