Escuela Superior Politcnica de Chimborazo. Fajardo, Cristhian. Simulacin de un MOSFET.

Simulacin de un MOSFET en ArchmedesNanoHub.

Fajardo, Cristhian.

cristhian.fajardo@espoch.edu.ec
Escuela Superior Politcnica de Chimborazo

AbstractThis document contains information about

MOSFET simulation in the platform virtual Archimedes
NanoHub. To the simulation we have used a script in which is
specified the voltages that we have used.
ndice de trminos

I. INTRODUCCIN
En este documento se presentan imgenes de la simulacin
de un MOSFET en las cuales podremos observar la densidad
de electrones, el potencial electrosttico, la energa de los
electrones, entre otros. Para esto hemos escogido varios
voltajes de Gate con el fin de comprar los resultados.
II. MARCO TERICO.
A. El MOSFET
El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor
de xido metlico) es otra categora de transistor de efecto de
campo. El MOSFET, diferente del JFET, no tiene una
estructura de unin pn; en cambio, la compuerta del MOSFET
est aislada del canal mediante una capa de bixido de silicio
(SiO). Los dos tipos bsicos de MOSFET son el
enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D). De los dos
tipos, el MOSFET de mejora es el ms utilizado. Debido a que
ahora se utiliza silicio policristalino para el material de
compuerta en lugar de metal, estos dispositivos en ocasiones
se conocen como IGFET (FET de compuerta aislada).
B. MOSFET de enriquecimiento
El E-MOSFET opera slo en el modo de enriquecimiento y
no tiene modo de empobrecimiento. Para un dispositivo de
canal n, un voltaje positivo en la compuerta por encima de un
valor de umbral induce un canal al crear una delgada capa de
cargas negativas en la regin del sustrato adyacente a la capa
de SiO2. La conductividad del canal se incrementa al
incrementarse el voltaje de compuerta a fuente y, por lo tanto,
atrae ms electrones hacia el rea del canal. Con cualquier
voltaje en la compuerta por debajo del valor de umbral, no
existe ningn canal.

C. MOSFET de empobrecimiento
Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento
(D-MOSFET). El drenaje y la fuente se difunden en el
material del sustrato y luego se conectan mediante un canal
angosto adyacente a la compuerta aislada.
El D-MOSFET puede ser operado en cualquiera de dos
modos: el modo de empobrecimiento o el modo
enriquecimiento, por ello tambin se conoce como MOSFET
de empobrecimiento/enriquecimiento. Como la compuerta est
aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o
un voltaje negativo. El MOSFET de canal n opera en el modo
de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se
aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente. Estos
dispositivos en general se operan en el modo de
empobrecimiento. [1]

Figura 2. MOSFET tipo empobrecimiento.

III. DESARROLLO
En esta seccin se mostrarn las grficas de las
simulaciones con los distintos voltajes de Gate y el cdigo que
se utiliz para el desarrollo de la prctica.
Cdigo:
# Example: Silicon MOSFET
TRANSPORT MC ELECTRONS
FINALTIME 0.6e-12
TIMESTEP 0.0015e-12
XLENGTH 0.6e-6
YLENGTH 0.2e-6
XSPATIALSTEP 120
YSPATIALSTEP 40
# definition of the material (all the device is made of Silicon)
MATERIAL X 0.0 0.6e-6 Y 0.0 0.2e-6 SILICON

Figura 1. MOSFET tipo enriquecimiento.

# Definition of the doping concentration

DONORDENSITY 0.
0.
0.6e-6

0.2e-6

1.e23

Escuela Superior Politcnica de Chimborazo. Fajardo, Cristhian. Simulacin de un MOSFET.

DONORDENSITY 0.
0.15e-6 0.1e-6 0.2e-6 3.e23
DONORDENSITY 0.5e-6 0.15e-6 0.6e-6 0.2e-6 3.e23
ACCEPTORDENSITY 0.
0.
0.6e-6 0.2e-6 1.e20
# Definition of the various contacts
CONTACT DOWN 0.0 0.6e-6 INSULATOR 0.0
CONTACT LEFT 0.0 0.2e-6 INSULATOR 0.0
CONTACT RIGHT 0.0 0.2e-6 INSULATOR 0.0
CONTACT UP 0.1e-6 0.2e-6 INSULATOR 0.0
CONTACT UP 0.4e-6 0.5e-6 INSULATOR 0.0
CONTACT UP 0.0 0.1e-6 OHMIC 0.0 3.e23
CONTACT UP 0.2e-6 0.4e-6 SCHOTTKY 0.8
CONTACT UP 0.5e-6 0.6e-6 OHMIC 1.0 3.e23

Figura 5. Potencial electrosttico de un MOSFET con VG=0.8 [Volts]

Energa de electrones

#Definition of the upper oxide interface

OXYDE UP 0.2e-6 0.4e-6 0.006e-6 1.000
NOQUANTUMEFFECTS
MAXIMINI
# SAVEEACHSTEP
LATTICETEMPERATURE 300.
STATISTICALWEIGHT 1000
MEDIA 500

Figura 6. Energa de electrones de un MOSFET con VG=0.8 [Volts]

B. VG=2.2 [Volts]
VDS=1.0 [Volts]
Conduccin en banda X.

OUTPUTFORMAT GNUPLOT
# end of MOSFET test-1
A. VG=0.8 [Volts]
VDS=1.0 [Volts]
Conduccin en banda X.
Figura 7. Conduccin en banda x de un MOSFET con VG=2.2[Volts]

Densidad de electrones

Figura 3. Conduccin en banda x de un MOSFET con VG=0.8[Volts]

Densidad de electrones

Figura 8. Densidad de electrones de un MOSFET con VG=2.2[Volts]

Potencial electrosttico

Figura 4. Densidad de electrones de un MOSFET con VG=0.8 [Volts]

Potencial electrosttico

Figura 9. Potencial electrosttico de un MOSFET con VG=2.2[Volts]

Escuela Superior Politcnica de Chimborazo. Fajardo, Cristhian. Simulacin de un MOSFET.

Energia de electrones

D. VG=3.4 [Volts]
VDS=1.0 [Volts]
Conduccin en banda X.

Figura 10. Energa de electrones de un MOSFET con VG=2.2[Volts]

C. VG=3.0 [Volts]
VDS=1.0 [Volts]
Conduccin en banda X.

Figura 15. Conduccin en banda X de un MOSFET con VG=3.4[Volts]

Densidad de electrones

Figura 16.Densidad de electrones de un MOSFET con VG=3.4[Volts]

Figura 11. Conduccin en banda X de un MOSFET con VG=3.0[Volts]

Densidad de electrones

Potencial electrosttico

Figura 17. Potencial electrosttico de un MOSFET con VG=3.4[Volts]

Figura 12. Densidad de electrones de un MOSFET con VG=3.0[Volts]

Potencial electrosttico

Figura 13. Potencial electrosttico de un MOSFET con VG=3.0[Volts]

Energia de electrones

Energa de electrones

Figura 18. Energa de electrones de un MOSFET con VG=3.4[Volts]

IV. CONCLUSIONES
Como podemos observas las grficas no varan mucho con las
variaciones del voltaje de Gate que se implementaron en el
cdigo
V. REFERENCIAS
[1]

Figura 14. Energa de electrones de un MOSFET con VG=3.0[Volts]

T. Floyd, Dispositivos Electrnicos, vol 8. Mxico: Pearson Education,

2008, pp. 396-398.