Electrnica de potencia I

Dispositivos semiconductores
La electrnica de potencia ya ha encontrado un lugar importante en la tecnologa moderna gracias al desarrollo
de dispositivos semiconductores de potencia. Desde 1970, se han desarrollado varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y estn disponibles comercialmente, [Norman y Nasrullah 2000]1.
Hay dos tipos principales de dispositivos de conmutacin de alta potencia para uso en diversos convertidores:
Dispositivos basados en tiristores y transistores semiconductores respectivamente. Los primeros estn formados
por rectificadores controlados de silicio (SCR), tiristor de compuerta de apagado (GTO), y tiristor conmutado
por compuerta (GCT), mientras que los otros abarcan los transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y
transistor de compuerta enganchada (IEGT). Otros dispositivos semiconductores como se muestran en la Tabla
1.2 tales como el MOSFET, tiristor de emisor de apagado (ETO), tiristor controlado MOS (MCT), y tiristor de
induccin esttica (SIT) no han adquirido una importancia significativa en sistemas de alta potencia [Bin Wu
2006]. En la Figura 1.1 se muestran los rangos de voltaje, corriente y frecuencia de operacin para dispositivos
semiconductores de alta-potencia, y en la Figura 1.2 se muestra los rangos de operacin de dispositivos
semiconductores clasificados por los principales fabricantes

Tabla 1.3 Caractersticas de potencia y velocidad en dispositivos semiconductores

Caractersticas generales de los dispositivos de potencia
Dispositivo
BJT
MOSFET
GTO
IGBT
MCT

Capacidad de potencia
Medio
Bajo
Alto
Medio
Medio

Velocidad de conmutacin
Medio
Rpido
Lento
Medio
Medio

[Norman and Nasrullah 2000]

Norman Mariun, Ishak Aris, and Nasrullah Khan, Development of Power Semiconductor Devices
Database for Knowledge Base System, Ghassan M. A. Shaheen, IEEE 2000
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Luis Arthur Cleary Balderas

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Figura 1.1 Rangos de voltajes y corrientes en dispositivos semiconductores de potencia

Figura 1.2: Rangos de voltajes y corrientes en dispositivos IGBT, IEGT, GTO/GCT, SCR por fabricante.

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Dispositivos semiconductores de potencia

En este artculo se presenta las curvas caractersticas de conmutacin de los dispositivos semiconductores
utilizados en convertidores de potencia.
Diodo
Los diodos de potencia proveen de rectificacin no controlada diferentes usos y aplicaciones se les da tales
como en convertidores en redes de amortiguamiento y funciones de giro libre entre otras. Un tpico diodo de
potencia tiene una estructura P-I-N mostrado en la Figura A.1. La Figura A.2 muestra la caracterstica de
apagado de voltaje-corriente.

Figura A.1: Smbolo del diodo y curva caracterstica de voltaje corriente

Figura A.2: Apagado caracterstico del diodo

SCR

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El SCR es un dispositivo semi-controlado que puede activarse por un pulso en la compuerta G, si sus terminales
nodo y ctodo estn polarizadas directamente. El dispositivo se apaga cuando ocurre una polarizacin inversa
en sus extremos. En la Figura A.3. Se muestra el smbolo y la curva caracterstica de un SCR.

Figura A.3: Smbolo del tiristor y curva caracterstica de voltaje corriente

TRIAC
En la Figura A.4 se muestra el smbolo del dispositivo semiconductor TRIAC y la curva caracterstica de voltaje
y corriente para los cuadrantes I y III.

Figura A.4: (a) Smbolo del Triac, (b) curva caracterstica de voltaje corriente

TRANSISTOR DARLINGTON
El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un mismo
dispositivo, como caracterstica principal es su ganancia, igual al producto de la ganancia de los dos
transistores. En la Figura A.5 se muestra el smbolo del transistor y su curva caracterstica.

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Figura A.5 (a) Smbolo y rea de operacin segura del mdulo transistor Darlington KS221K10

MOSFET
El MOSFET es fcilmente controlable a travs de la terminal de compuerta. El dispositivo es ptimo para
operar a bajos voltajes con altas frecuencias de conmutacin. La resistencia en estado activo de saturacin es un
punto de preocupacin a altos voltajes. En la Figura A.6 se muestra la curva caracterstica y el smbolo de un
MOSFET.

Figura A.6: Smbolo del transistor MOSFET y curva caracterstica de voltaje-corriente del transistor STW45NM50FD

IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada IGBT (por sus siglas en ingls) es un dispositivo semiconductor de
potencia hbrido que combina los atributos del BJT y MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. La terminal de control maneja voltaje como el MOSFET. El
la Figura A.7 se muestra el smbolo y la curva caracterstica de corriente-voltaje.
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Figura A.7: a) Smbolo del transistor IGBT b) curva caracterstica de voltaje y corriente 1MBI300N-120

MCT
Tiristor controlado por MOS, MCT (por sus siglas en ingls). El MCT es un GTO con mejor tolerancia ms un
transistor P-MOS entre la compuerta y la fuente y un N-MOS adicional para su encendido. Mientras un GTO se
apaga mediante un pulso negativo de compuerta, debido a sus estrechos mrgenes de conduccin, el GTO
interno de un MCT se apaga cortocircuitando sus terminales de compuerta y ctodo. En consecuencia, su
excitacin es similar a la de un MOS y su comportamiento al de un GTO. En la Figura A.8 se muestra el
smbolo y circuito equivalente del transistor MCT.

Figura A.8: Smbolo y circuito equivalente del transistor MCT

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