Guia completo sobre eletrônica básica

Eltrica
Eletrnica
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ndice
NDICE.................................................................................................................................................................................... 2
RESISTORES ......................................................................................................................................................................... 5
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................... 5
RESISTNCIAS FIXAS.............................................................................................................................................................. 5
RESISTNCIAS VARIVEIS ...................................................................................................................................................... 7
EXEMPLOS DE VALORES ........................................................................................................................................................ 8
CDIGO DE CORES PARA RESISTORES .................................................................................................................................. 11
RESISTORES ESPECIAIS ................................................................................................................................................. 12
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 12
RESISTORES SENSVEIS TEMPERATURA ............................................................................................................................. 13
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DE TENSO ................................................................................................................ 14
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DO CAMPO MAGNTICO ............................................................................................. 14
RESISTORES SENSVEIS S SOLICITAES MECNICAS ........................................................................................................ 15
RESISTORES SENSVEIS INTENSIDADE LUMINOSA (FOTO-RESISTORES) ............................................................................. 15
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 17
CAPACITORES ................................................................................................................................................................... 18
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 18
CAPACITORES DE PAPEL OU POLISTER ............................................................................................................................... 20
CAPACITORES DE MICA ........................................................................................................................................................ 20
CAPACITORES DE CERMICA ............................................................................................................................................... 21
CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO ....................................................................................................................... 22
CAPACITORES ELETROLTICOS DE TNTALO ........................................................................................................................ 23
CAPACITORES VARIVEIS ................................................................................................................................................... 24
CAPACITORES OU TRIMMER CAPACITOR........................................................................................................................... 25
CDIGOS DE CORES PARA OS CAPACITORES ......................................................................................................................... 26
INDUTORES ........................................................................................................................................................................ 28
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 28
INDUTORES A AR.................................................................................................................................................................. 29
INDUTORES COM NCLEO MAGNTICO ................................................................................................................................ 31
SEMICONDUTORES .......................................................................................................................................................... 34
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 34
JUNES .............................................................................................................................................................................. 34
DIFUSO DAS CARGAS ......................................................................................................................................................... 35
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 35
EFEITO CAPACITIVO DA JUNO .......................................................................................................................................... 37
O DIODO SEMICONDUTOR ............................................................................................................................................ 39
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 39
O DIODO .............................................................................................................................................................................. 40
Polarizao do diodo ...................................................................................................................................................... 40
Curvas caractersticas do diodo ..................................................................................................................................... 41
CRITRIOS PARA ESCOLHA DOS DIODOS A SEMI-CONDUTORES ............................................................................................ 43
EXEMPLOS DE APLICAES DOS DIODOS.............................................................................................................................. 45
TIPOS DE INVLUCROS PARA DIODOS A SEMI-CONDUTORES ................................................................................................ 46
TESTE DE EFICINCIA COM HMMETRO .............................................................................................................................. 47
RETIFICAO DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA............................................................................................. 49
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INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 49
RETIFICAO MONOFSICA DE MEIA-ONDA ........................................................................................................................ 50
RETIFICAO EM PONTE .............................................................................................................................................. 56
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 56
PONTE DE GRAETZ............................................................................................................................................................... 56
RETIFICAO MONOFSICA DE ONDA COMPLETA COM PONTE DE GRAETZ .......................................................................... 57
Consideraes de clculo ............................................................................................................................................... 58
FILTROS CAPACITIVOS .................................................................................................................................................. 60
INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 60
FENMENOS RELATIVOS CARGA DO CAPACITOR ............................................................................................................... 61
FENMENOS RELATIVOS DESCARGA DO CAPACITOR ......................................................................................................... 62
TENSO NA CARGA DO CIRCUITO FILTRADO ........................................................................................................................ 64
TRABALHO EM GRUPO. ........................................................................................................................................................ 66
FILTROS INDUTIVOS ....................................................................................................................................................... 67
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 67
DIODO DE RECIRCULAO ................................................................................................................................................... 69
FILTRO LC .......................................................................................................................................................................... 72
FILTRAGEM COM CIRCUITO L-C .......................................................................................................................................... 72
FILTRO EM .................................................................................................................................................................... 73
Exemplos de aplicaes do filtro de ............................................................................................................................ 74
TRANSISTORES ................................................................................................................................................................. 77
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 77
INTRODUO AOS TRANSISTORES BIPOLARES (B J T) ....................................................................................................... 78
EFEITO TRANSISTOR ............................................................................................................................................................ 79
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 80
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 81
PARMETROS FUNDAMENTAIS DO TRANSISTOR BIPOLAR.............................................................................. 83
PARMETROS FUNDAMENTAIS EM CORRENTE CONTNUA. ................................................................................................... 83
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 84
EXEMPLO PRTICO .............................................................................................................................................................. 85
CURVAS CARACTERSTICAS DO B.J.T. COM EMISSOR COMUM ............................................................................................. 87
CARACTERSTICA DE COLETOR OU DE SADA ....................................................................................................................... 88
CARACTERSTICA TRANSFERNCIA OU AMPLIFICAO DIRETA DE CORRENTE..................................................................... 89
CARACTERSTICA V I DE ENTRADA ................................................................................................................................. 89
TRANS-CARACTERSTICA OU CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA.................................................................................... 90
RETA DE CARGA ESTTICA E PONTO QUIESCENTE ................................................................................................................ 92
Reta de carga esttica .................................................................................................................................................... 93
Corrente de Curto-circuito ( Ic C ). ......................................................................................................................... 94
Ponto quiescente ou ponto de trabalho .......................................................................................................................... 94
Estabilidade Trnica ....................................................................................................................................................... 95
ESQUEMAS DE POLARIZAO .............................................................................................................................................. 96
EQUAES FUNDAMENTAIS ................................................................................................................................................ 97
CONEXES DARLINGTON .................................................................................................................................................... 99
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET) ....................................................................................................... 101
POLARIZAO DOS FETS ........................................................................................................................................... 105
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APLICAES E ESQUEMA COM TRANSISTORES FETS ........................................................................................................ 108

TRANSISTORES MOSFETS .......................................................................................................................................... 110
DIODO CONTROLADO DE SILCIO (SCR) ................................................................................................................ 116
GENERALIDADES ............................................................................................................................................................... 116
TIRISTORES ................................................................................................................................................................. 116
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO EM CORRENTE CONTNUA ................................................................................................ 117
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO EM CORRENTE ALTERNADA ............................................................................................. 118
TESTES DE VERIFICAO ................................................................................................................................................... 119
O CONTROLE COM SCRS ............................................................................................................................................ 121
GENERALIDADES ............................................................................................................................................................... 121
SISTEMAS DE DISPARO PARA SCRS ........................................................................................................................ 125
CARACTERSTICAS DE DISPARO DO SCR............................................................................................................................ 125
Disparo com IG em contnua ........................................................................................................................................ 126
Disparo com IG de meia onda ...................................................................................................................................... 127
Disparo com rede defasadora de 0 a 180 .................................................................................................................. 128
Disparo por impulsos ................................................................................................................................................... 130
TESTES DE VERIFICAO................................................................................................................................................... 132
EXERCCIO ..................................................................................................................................................................... 133
TRIAC, DIAC, SCS, LASCR, GTO ............................................................................................................................... 134
GENERALIDADES ............................................................................................................................................................... 134
TRIAC ........................................................................................................................................................................... 134
DIAC ............................................................................................................................................................................. 135
Circuito de aplicao ................................................................................................................................................... 136
COMPONENTES ESPECIAIS DA FAMLIA DOS THYRISTORES ............................................................................................. 137
S.C.S. (silicon controlled switch) .................................................................................................................................. 137
GTO (Gate turn off) ..................................................................................................................................................... 138
DEFINIO E APLICAES DOS TIRISTORES COMPONENTES GATILHADOS .......................................................................... 146
CIRCUITOS INTEGRADOS ............................................................................................................................................ 152
NOTAS TECNOLGICAS ...................................................................................................................................................... 152
RESISTOR MONOLTICO ..................................................................................................................................................... 153
TIPOS E FAMLIAS .............................................................................................................................................................. 153
O CIRCUITO INTEGRADO VISTO COMO MDULO ................................................................................................................ 154
INVLUCROS ..................................................................................................................................................................... 156
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Resistores
Generalidades
Observe o seguinte circuito:
O circuito eltrico (U) deve funcionar com uma tenso de 50 V; necessrio ento disparar um
elemento que provoque uma queda de tenso.
As resistncias podem ser subdivididas no seguinte modo:
fixas
a fio
de massa
a depsito de carbono
ou metlico
Resistncias
variveis
a depsito de carbono
a fio
Resistncias fixas
As resistncias a fio so constitudo por um suporte de cermica sobre o qual enrolado um fio
resistivo.
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Resistor esmaltado. A. Terminal estanhado; B. Revestimento em tinta vidrosa; C. Enrolamento; D.

Plaquinha terminal, soldada eletricamente; E. Tubo de material de cermica; F. Solda eltrica do
extremo do fio da resistncia.
O enrolamento constitudo por um fio de constantan, manganina ou nquel-cromo, dependendo do
valor da resistncia que se deseja obter: no existem limites para a potncia dissipada (depende da
dimenso) e so muito precisas.
O valor da resistncia dado pela relao:
R =
L
S
Onde: R a resistncia do fio
(r) uma constante intrnseca ao material de que feito o fio

(resistividade)
L o comprimento do fio
S a seo do fio
Resistores esmaltados
a fio S.E.C.I.
Dissipao: 100 W
Tolerncia: + 1%
Tenso mxima de
Trabalho: 2000 V
As resistncias de massa so constitudas por uma massa qumica de xidos metlicos, carvo em p
ou grafite misturados com substncias adesivas apropriadas.
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Terminais
So de pouca preciso (tolerncia 10-20%) e so construdas para dissipar uma potncia de at 3W.
As resistncias a depsito de carbono ou metlico so constitudas por um suporte de cermica sobre o
qual se deposita uma pelcula resistiva de carbono ou metlica. Para aumentar a resistncia sobre a
pelcula grava-se uma espiral.
Pode-se construir com grande preciso (tolerncia 1-2%) e com potncia dissipvel at 3W.
Resistncias variveis
So resistores que tm um cursor de acordo com a posio determinam o valor da resistncia inserida.
O deslocamento do cursor pode ser do tipo retilneo ou angular.
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Potencimetros a
curso National
Com tomada 50%
Sem interruptor
Com sinal duplo
Dissipao mxima:
0,25 W
tenso mxima de
trabalho: 150 Vcc.
Variao: linear
Montagem:
Com parafuso
Comprimento percurso:
45mm
Exemplos de valores
20 k + 20 k
50 k + 50 k
100 k + 100 k
500 k + 500 k
1M + 1M
As resistncias variveis a fio so as mais precisas e podem dissipar potncias maiores (exemplo, os
reostatos de partida para os motores).
Exemplos de valores
4,7
47
100
1 k
Reostatos
A fio profissionais
Dissipao nominal: 100W
Tolerncia: 0 + 20%
Tenso limite: 1000V
Coeficiente de temperatura:
De 0, 00008 a 0, 00014
Binrio de rotao
do eixo acionador
0,15 + 0.25 kg / cm
ngulo de rotao: 300
As resistncias a fio podem ser tambm do tipo semi-fixo, quando no lugar do cursor tem-se um anel
fixado com um parafuso.
As resistncias variveis a depsito so constitudas por um suporte isolante (baquelite) sobre o qual
depositada a substncia resistiva. Podem ser rotativas ou retilneas (slides). As potncias dissipadas so
da ordem do watt.
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Existem potencimetros semi-fixos de potncia muito pequena chamados Trimmer potenciomtricos

para serem fixados sobre circuito impresso.
Potencimetros semi-fixos
Dissipao mxima:
0,05 W a 40C
tenso mxima de trabalho:
250 Vc.c
Variao: linear
Montagem:
vertical
com
circuito impresso
Comando: com chave de
. parafuso
Em alguns casos para uma maior regulagem so usados potencimetros multi-giros (Elipot). A
potncia mxima dissipada de cerca 5 W.
Potencimetros
Multi-giros a fio
Dissipao mxima : 5 W
Tolerncia: + 3%
Variao: linear
Tolerncia de linearidade: + 25%
Nmeros de giros: 10
Nmeros de revolues: 10
Durao : 10 giros
20 HP10S
Uma resistncia varivel dita linear quando, durante todo o percurso, para os deslocamentos iguais
do cursor, tem-se variaes iguais da resistncia. Os potencimetros lineares so marcados com a letra
A, estampada no invlucro.
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POTENCIMETRO LINEAR (1 M A)
Uma resistncia varivel dita logartmica quando o deslocamento do cursor faz variar o valor da
resistncia segundo uma escala logartmica. Tais potencimetros so marcados com a letra B impressa
ou estampada no invlucro.
POTENCIMETRO LOGARTMICO (1 M .B)
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Cdigo de cores para resistores

A maioria dos resistores no comrcio no tm o valor escrito sob forma de nmero mas sim sob a
forma de faixas coloridas. Cada faixa assume, segundo sua posio, um certo valor.
Para identificar o valor destas resistncias usa-se o

CDIGO DE CORES
COR
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata
I ANEL
1 algarismo
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
II ANEL
2 algarismo
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
III ANEL
Multiplicador
1
10
100
1.000
10.000
100.000
1.000.000
: 10
: 100
Sem o IV anel a tolerncia de + 20%
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IV ANEL
Tolerncia
+ 1%
+ 2%
+ 5%
10%
Resistores Especiais
Generalidades
Em alguns aparelhos automticos, so necessrios componentes especiais sensveis s variaes das
principais grandezas fixas, como luz, temperatura, fora, ddp, magnetismo, etc.
Para estes controles pode-se usar resistncias especiais em que o valor se modifica em funo da
variao da grandeza examinada.
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Resistores sensveis temperatura

So denominadas TERMISTORES e dividem-se em dois grupos:
a) Termistores N.T.C. (Negative Temperature Coefficient) - coeficiente de temperatura negativo.
So componentes obtidos atravs de material semicondutor; a resistncia deles diminui com o aumento
da temperatura.
Termistores NTC
de compensao
com invlucro com
rosca para contato
trmico
Resist. a 20C: 1k
Variao R/C: 41%
Constante de dissipao:
30 mW/C
Tolerncia: + 20%
Dimenses: 10x4
Os N.T.C. so construdos para valores

compreendidos entre alguns dcimos de ohm
e alguns centsimos de k .
Caractersticas de funcionamento do N.T.C.

b) Termistores P.T.C. (Positive Temperature Coefficient) - coeficiente de temperatura positivo.
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Termitores PTC
com coeficiente positivo para
medida e regulagem
Resist. a 180C: 100
Constante de dissipao:
4 mW/C
Temperatura final:
200C [Tf]
Resistncia final a Tf:
5 k
tenso mxima a 25C:
30V
tolerncia: + 5%
Dimenso: 4
Os termistores so usados no campo industrial em circuitos de medida e controle da temperatura.
Resistores sensveis a variaes de tenso

So chamadas VARISTORES ou V.D.R. (Voltage Dependent Resistor).
A resistncia dos VDR diminui quando se aumenta a tenso aplicada.
Varistores VDR
Tenso para 200 A:
De 340 a 400 V
Tenso para 500 A:
De 410 a 480 V
Dissipao: 0.7 W nom.
Dimenses: 5.5x13
Resistores sensveis a variaes do campo magntico
So chamadas M.D.R. (Magnetic Dependent Resistor) e o valor resistivo delas aumenta quando se
aumenta a intensidade do campo magntico.
Resistor Magntico
Resist. a 25C: 250
Tolerncia: + 20C
Relao Rb/Ro a
25C: + 3 Kgauss=
2.8 + 3.2
+ 10 Kgauss =
12 +18
Coeficiente de temperatura:
0 Kgauss=
18 . 10-3 / C
+ 3 Kgauss =
27.10-3 / C
+ 10 Kgauss=
29.10-3 / C
Dimenso: 4x1.5x0.55
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Resistores sensveis s solicitaes mecnicas

So chamadas normalmente de extensmetros (Strain- gage). So constitudas por um fio com alta
resistividade colado sobre um suporte isolante, para ter uma sensibilidade elevada o fio moldado
como na figura.
O suporte com o extensmetro colado sobre o mecanismo especial onde se deseja evidenciar a
deformao.
As deformaes mecnicas (tores, flexes, traes, etc. determinam a trao ou a compresso do fio
resistivo com conseqente variao de sua resistncia, fio em trao = alongamento e reduo da seo
reta, ento tem-se um aumento da resistncia fio em compresso = diminuio do comprimento e
aumento da seo reta, tem-se ento uma diminuio da resistncia.
1- fio condutor
2- suporte de papel
3- conexes
4- pontos de solda
Resistores sensveis intensidade luminosa (Foto-resistores)

Chama-se foto-resistncia aqueles elementos que variam os seus valores resistivos quando se varia a
luminosidade qual o elemento exposto. A variao resistiva quase linear.
Caracterstica
resistncia
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foto-
Os tipos mais comuns so os de forma cilndrica e podem ser a iluminao frontal ou a iluminao
lateral. O envoltrio pode ser metlico, estanque, plstico, de resina, de vidro, etc.
FOTO-RESISTORES
De sulfuro mais seleniete de
cdmio. Iluminao: frontal
Dissipao: 0.15 W a 25C
Tenso mxima de trabalho: 200
Vc.c
Invlucro: resina acrlica
Resistncia :
No escuro 0 lux : 5 M
Com iluminao 100 lux: 9 k +
50%
Dimenses: 12x4
So usados nos circuitos conta-peas, antifurtos, interruptores crepusculares, exposmetros,

etc. e em todos os casos que se precisa notar variaes de iluminao.
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Testes de Verificao
1) O termistor um componente sensvel s variaes de:

__Temperatura
__ luminosidade
__ tenso
__ campo magntico
2) 0 smbolo da fotoresistor :
3) Para assinalar as solicitaes mecnicas sobre uma carroceira em prova usa-se:

__termistor
__varistor
__strain-gages (transparentes)
__fotoresistncias
4) O varistor um componente sensvel s variaes de:
__temperatura
__luminosidade
__tenso
__freqncia
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Capacitores
Generalidades
Observem os seguintes circuitos:
1) O CAPACITOR SE CARREGA
2) O CAPACITOR PERMANECE CARREGADO
3) O CAPACITOR SE DESCARREGA
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O capacitor um elemento capaz de acumular cargas eltricas e de devolv-las em um segundo tempo

Os capacitores podem ser assim classificados:
CAPACITORES
Esquematicamente, os capacitores podem ser assim representados:
CAPACITOR FIXO
CAPACITOR VARIVEL
CAPACITOR ELETROLTICO
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Capacitores de papel ou polister

As armaes so constitudas por folhas de estanho ou alumnio finssimas e o dieltrico de uma folha
de papel embebida em um lquido isolante que impede a absoro de umidade.
Existem capacitores de papel metalizado que so mais prticos de manusear.
Os capacitores de polister diferenciam-se daqueles de papel pela diferente constituio do dieltrico.
CAPACITOR DE POLISTER
CAPACITOR DE PAPEL
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Capacitncia
Nominal
___
de l nF a
dezenas de F
Tenso nominal
de trabalho
___
at 1500 V
Tolerncias sobre
os valores mx
___
+- 20%
Temperatura mx
de trabalho
___
~150C
Capacitores de mica
Os capacitores de mica so constitudos por camadas superpostas de mica e lminas de alumnio muito
finas, ou ento de folhas de mica prateadas.
So particularmente usados nos circuitos a alta freqncia.
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CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Capacitncia
Nominal
____
de 5 pF
a 10 nF
Tenso nominal
de trabalho
____
at 500 V
Tolerncia sobre
os valores mx
____
de +- 2%
a +- 5%
Temperatura mx
de trabalho
____
~ 60
Capacitores de cermica
Para altssimas freqncias de trabalho (HF, VHF) usa-se capacitores de cermica devido menor
perda de energia em relao aos outros tipos como os de papel, de polister, etc.
Estes so constitudos por um suporte de cermica (dieltricos) sobre o qual se deposita a fogo uma
camada de prata.
Os capacitores de cermica encontram-se no comrcio essencialmente nas trs seguintes formas:
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CONSTITUIO DE UM CAPACITOR DE CERMICA

Condutores terminais envolvidos em torno
do tubo e soldados a uma camada de prata
De at a 1,01,2 KV
tenso nominal
de trabalho
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Resistncia de isolamento
entre as armaes
Temperatura mxima
de trabalho
~ 104105 M
55C
Capacitores eletrolticos de alumnio

Os capacitores eletrolticos de alumnio distinguem-se dos capacitores comuns pela natureza do seu
dieltrico; este constitudo por uma camada de xido depositada sobre uma das armaes do
capacitor, ativado por um lquido dito eletrlito contido entre as prprias armaes.
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Invlucro de
alumnio
A maior qualidade deste tipo de capacitor consiste no fato de acumular em pequeno volume uma
elevada capacitncia. A uma mesma capacitncia, ter dimenses maiores aquele que tiver a tenso de
trabalho mais elevada.
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Valores de
capacitncia
~ 1 F at 20000 F
Tenso de
trabalho
6 V 500 V
Tolerncia
muito varivel,
Dependendo do tipo
Temperatura
de uso
-10 ~ + 65C
Capacitores eletrolticos de tntalo

So capacitores menores em relao queles de alumnio, com igual capacitncia, e tm uma preciso
maior, todavia no so construdos para grandes capacitncias e para tenses de trabalho elevadas.
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PARA OS CAPACITORES ELETROLTICOS:
ATENO S POLARIDADES!!!
E TENSO DE TRABALHO
Capacitores variveis
Observem as seguintes figuras:
A escolha do tipo de programa em um rdio se obtm atravs um comando de sintonia.

Tal comando age sobre um
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CAPACITOR VARIVEL
Nestes tipos de capacitores, se obtm a variao da capacitncia diminuindo ou aumentando a

superfcie de contato entre os dois sistemas de armaes mveis.
So capacitores variveis a ar aqueles cujo dieltrico entre as armaes o prprio ar, ou capacitores
de mica quando se utiliza como dieltrico a mica colocada entre as armaes.
Capacitores ou trimmer capacitor

So capacitores de ar ou de mica, aqueles cuja variao da capacitncia se obtm usando uma chave de
fenda numa sede apropriada.
So usados em calibraes e regulagens que devem permanecer fixas no ponto alcanado.
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Cdigos de cores para os capacitores

I
II
III
IV
Coef. De
temperat.
1 n. C em
pF
2 n. C em
pF
Multip. De
C
Preto
NPO
Marron
N/30
Vermelho
N/80
Laranja
N/150
Amarelo
N/220
Verde
N/330
Azul
N/470
- 5%
- -
Violeta
N/750
Cinza
0,01
Branco
P/100.
0,1
Cor
V
Tolerncia
C > 10 pF
C 10pF
1 20%
10 1%
100 2%
1000 20%
10000 -
Quando no corpo do capacitor existem somente quatro faixas de cores, a leitura a seguinte:
I - valor da capacitncia: 1 nmero
II - valor da capacitncia: 2 nmero
III multiplicador
IV tolerncia
Neste caso no indicado o coeficiente de temperatura do capacitor. No caso em que se tem somente
trs faixas de cores a leitura a seguinte:
I - valor da capacitncia: 1 nmero
II - valor da capacitncia: 2 nmero
III multiplicador
EXEMPLO:
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Testes de Verificao
1) Para a escolha de um capacitor, os parmetros fundamentais so:
__dimenses e tolerncia
__tipo e coeficiente de temperatura
__capacitncia e tenso de trabalho
__dimenses e capacidade
2) A mxima tenso de trabalho dos capacitores de papel da ordem de:
__alguns volts
__dezenas de volts
__centenas de volts
__milhares de volts
3) Os capacitores cermicos e de mica so adequados para circuitos:
__a alta intensidade de corrente
__a alta freqncia
__a baixa tenso
__a alta potncia
4) Os capacitores eletrolticos podem funcionar:
__S com corrente alternada
__S com corrente contnua
__Com corrente contnua e com corrente alternada
__ Em alta freqncia
5) Os capacitores variveis podem ser:
__cermicos ou plsticos
__eletrolticos de tntalo
__de ar e cermicos
__de ar e de mica
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Indutores
Generalidades
Os indutores so componentes que tm a finalidade de introduzir um centro de indutncia em circuito
eltrico.
Existem
INDUTORES
A AR
INDUTORES
COM NCLEO MAGNTICO
Esquematicamente, tais elementos so assim representados:
Indutores a ar
Indutores com ncleo magntico
O indutor ou indutncia um elemento capaz de acumular energia eletromagntica e de

devolv-la em um segundo tempo.
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Indutores a ar
Em prtica, so realizados mediante bobinas com determinados tipos de enrolamento:
Bobinas
Enrolamento em
espiral plana
Enrolamento
solenoidal
Enrolamento
em colmia
Enrolamento
toroidal
As bobinas com enrolamento do tipo espiral ou retangular plano so usadas nos casos em que se requer
preciso e rigidez mecnica. Todavia, este sistema no permite a realizao de bobinas com indutncia
elevada.
As bobinas com enrolamento solenoidal com uma ou mais camadas de pequenas dimenses so
utilizadas em circuitos oscilatrios e transmissores de baixa potncia.
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So constitudos por um condutor de cobre de

seo no relevante, montado sobre um suporte
isolante.
As espirais so mantidas afastadas entre si por
um bloquinho de material cermico.
Para grandes potncias, tais bobinas so feitas do mesmo modo e podem ser resfriadas mediante
circulao de gua destilada no interior do tubo de cobre que forma o solenide.
As bobinas com enrolamento em colmeia so mais usadas pois permitem obter indutncia de boa
qualidade e pequenas dimenses
So formadas por um fio unipolar esmaltado ou recoberto por uma camada de algodo ou seda. O
enrolamento, dado o especial processo de fabricao, apresenta uma estrutura hexagonal da qual deriva
o termo colmeia.
As bobinas com enrolamento toroidal so empregadas quando se requer que o campo magntico
gerado por estas no altere o funcionamento de outras indutncias ou quando se deseja uma proteo
das mesmas contra campos parasitas externos.
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Indutores com ncleo magntico

Podem ser de dois tipos:
Com ncleo magntico fixo

Com ncleo magntico varivel
Os indutores com ncleo magntico fixo so empregados com circuitos de nivelamento, como
impedncias de modulao, etc.
Diferentemente das bobinas a ar, as bobinas com ncleo magntico de mesma indutncia assumem
dimenses inferiores. So enroladas em ncleos ferromagnticos laminados ( baixa freqncias ) ou
sobre ncleos de ferrita ( altas freqncias )
Os indutores com ncleo magntico varivel, so empregados em circuitos rdio recepto-transmissores

e em todos aqueles em que se requer uma calibragem que deve permanecer fixa no ponto alcanado.
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Indutores com ncleo magntico varivel
Indut. mnima: 55H

Indut. mxima: 220H
Resistncia: 0,5
Ncleo ferromagntico
So formadas do mesmo modo

que as bobinas a ar, mas invs de serem enroladas em suportes
isolantes ou no ar, so enroladas sobre ncleos de ferrita e ferroxcube
Testes de Verificao
1) O smbolo grfico de indutncia com ncleo magntico :
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2) Os indutores com enrolamento toroidal so:

indutores de elevada resitncia hmica
indutores a ar ou com ncleo magntico
indutores resfrigerados a gua
indutores variveis
3) Os indutores com ncleo magntico pode Ter:

elevadas resistncia hmica
ncleo varivel
ncleo fixo ou varivel
4) Os indutores com espiral retangular so usados preferencialmente:

em todos os circuitos, indistintamente
s em circuitos, indistintamente
s em circuitos de alta frequncia
onde se requer rigidez mecnica e preciso
s em circuitos de baixa frequncia
5) A ilustrao acima representa:

um indutor com ncleo magntico
um indutor a ar
um indutor com ncleo magntico variavl
um indutor com ncleo magntico fixo
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Semicondutores
Generalidades
As substncia presentes na natureza podem-se classificar, do ponto de vista eltrico, essencialmente
em dois grupos :
Existe, no entanto, uma terceira categoria de materiais: os SEMICONDUTORES. Esses possuem

propriedade intermediria em relao quelas das outras duas categorias.
Os semicondutores usados na prtica so: o Germanio (GE), o Silcio (SI), o Glio (GA), etc. Por meio
de procedimentos tecnolgicos especiais possvel, em um destes materiais produzir uma abundncia
de cargas eltricas indiferentemente positivas ou negativas seguindo um trabalho sob o qual o
semicondutor submetido. Tal operao chamada DOPAGEM.
Examinemos agora os fragmentos de um semicondutor que por comodidade seja em forma de uma
barra.
Barra de um semi-condutor do tipo P
Barra de um semi-condutor do
tipo N
Diz-se SEMI-CONDUTOR DE TIPO

P se na barra existe um maior nmero
de cargas +
Diz-se SEMI-CONDUTOR DE TIPO N se

na barra existe um maior nmero de cargas -
Junes
Na tecnologia eletrnica, encontra-se vrias aplicaes aos acoplamentos com materiais semicondutores de diversas caractersticas (dopagem do tipo pou do tipo n). Tal operao de difuso
com dopagens diferentes sobre uma nica barra de semi-condutor define-se genericamente:
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JUNO P-N
No cristal chama-se PORTADORES

DE MAIORIA as cargas livres
presentes em maior nmero;
PORTADORES DE MINORIA
aqueles do sinal oposto.
No instante em que se conclui a dopagem, na zona de juno, sucedem os seguintes fenmenos:

Difuso das cargas
As cargas livres de maioria prximas zona de juno so de sinal oposto (negativas para o cristal
do tipo N e positivas para aqueles do tipo P), ento, por atrao recprocas , as cargas deslocam-se
na zona de sinal oposto criando a chamada BARREIRA DE POTENCIAL. Este , portanto, um
obstculo do tipo energtico devido ao progressivo acmulo de cargas de sinal oposto.
O aumento da barreira de Potencial,

depois de um breve Tempo, restringe um
posterior fenmeno de difuso (cargas de
nome iguais se repelem) visto que,
medida que a barreira se eleva,
necessrio sempre uma maior quantidade
de energia para as cargas que querem
atravess-la. Depois de um breve tempo
a difuso se reduz notavelmente e
possvel dizer que SE EXTINGUE.
ZONA DE ESVAZIAMENTO
OU
ZONA DE JUNO
Polarizao
POLARIZAR SIGNIFICA ALIMENTAR UM COMPONENTE QUE
REQUER DETERMINADA POLARIDADE DE ALIMENTAO
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Distinguem-se dois casos:
O
componente
corretamente
com
a
requerida.
alimentado
polaridade
O componente alimentado com a

polaridade oposta quela requerida.
Se uma juno P-N polarizada inversamente:
POLARIZAO INVERSA
Na figura evidenciado o fluxo dos
portadores minoritrios.
Com poucos volts as cargas de maioria param, visto que o campo eltrico inverso impede o
atravessamento da juno.
Os portadores minoritrios, ao contrrio, permanecem acelerados pelas polaridades da alimentao, e
ento, no entanto, no circuito passar uma corrente fraca inversa devida exatamente ao fluxo dos
portadores minoritrios. A barreira de potencial AUMENTA e SE ALARGA
Se uma juno P-N polarizada diretamente:
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A tenso reduz a barreira de potencial, fornecendo aos portadores majoritrios a energia necessria
para superar a zona de esvaziamento; ento, no interior da barra e no circuito externo, tem-se um fluxo
de corrente mesmo para tenses bem baixas.
Se a tenso se eleva alm de um certo limite ( = 1v~ ) a barreira se anula provocando uma livre
circulao de corrente na barra, isto pode tambm revelar-se perigoso para a juno.
Do que foi dito acima, deduz-se a propriedade fundamental da juno P-N, isto :
A JUNO CONDUZ EXCLUSIVAMENTE SE FOR POLARIZADA

DIRETAMENTE, ISTO , COM O POLO POSITIVO DA ALIMENTAO
LIGADO ZONA P E O POLO NEGATIVO LIGADO ZONA N.
Efeito capacitivo da juno

interessante notar que a zona de esvaziamento assume sempre as caractersticas de um perfeito
DIELTRICO, cuja espessura (no caso de polarizao inversa ) dependente da tenso externa de
polarizao. Pode-se ento considerar a juno nestas condies, como equivalente a um capacitor,
representando-se as armaduras pelo bordo externo da prpria juno
N.B.: Durante a polarizao direta da

juno P-N o fenmeno capacitivo muito
menos importante pois, sendo muito baixa
a R direta da prpria juno, o circuito
modificado no seguinte modo:
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Testes de Verificao
1)
Uma juno :
__a unio de uma barra de um semicondutor do tipo P com um semicondutor do tipo N.
__a difuso de cargas positivas sobre um semicondutor de germnio.
__uma barra de um semicondutor dopada diferentemente em dois pontos.
__NDA.
2)
Na figura, a barreira de potencial :
__facilmente supervel pelos eltrons

__absolutamente insupervel pois a polarizao inversa
__dificilmente supervel porque a polarizao inversa
__NDA
3)
Polarizar significa:
__alimentar de modo correto um componente respeitando a polaridade
__alimentar de modo inverso um componente respeitando a polaridade
__alimentar um componente polarizado
__NDA
4)
Assinalar o circuito equivalente exato de uma juno polarizada inversamente
5) Na juno polarizada inversamente, a corrente:

__ no passa absolutamente
__ passa somente se os fios forem de alumnio
__ passa somente uma pequena corrente
__circula corrente direta
6) Polarizando uma juno diretamente:

__a barreira de potencial diminui
__a barreira de potencial diminui e se estreita
__a barreira de potencial aumenta e se alarga
__a barreira de potencial aumenta e se estreita
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O Diodo Semicondutor
Generalidades
Observe o funcionamento do seguinte dispositivo:
O FLUIDO PODE CIRCULAR LIVREMENTE
O FLUIDO NO PODE CIRCULAR
Dependendo do lado em que foi feita a conexo de entrada para alimentao se obtm ou no a
passagem do fluido, ento a vlvula determina o sentido da circulao do fluido.
Em um circuito eltrico as funes da vlvula do exemplo anterior so executadas por um componente

eletrnico:
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O diodo
A = anodo = zona P
K = catodo = zona N
O diodo essencialmente uma juno P-N cuja zona dopada P constitui o anodo, enquanto a zona
dopada N constitui o catodo.
Polarizao do diodo
O diodo conserva todas as propriedades originais da juno da qual constitudo, por isso:
A
BARREIRA
POTENCIAL DIMINUI...
DE
POLARIZAO DIRETA
E O DIODO CONDUZ,
PERMITINDO CIRCULAR A
CORRENTE
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A
BARREIRA
DE
POTENCIAL AUMENTA...
POLARIZAO INVERSA
E BLOQUEIA A PASSAGEM
DE CORRENTE
Curvas caractersticas do diodo
CARACTERSTICA DIRETA
Da caracterstica direta, o importante o seguinte:

O diodo polarizado diretamente conduz somente quando a tenso que chega a ele supera um certo
limite, que para os componentes de slicio vale 0,6-0,8 volt, para os componentes de germanio este
limite em torno de 0,2 volt.
Tais valores so susceptveis a variaes para mais ou para menos, ligadas a diversos fatores como tipo
do diodo, temperatura, luz, etc.
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Da caracterstica inversa deduz-se que:

O diodo polarizado inversamente no conduz, com exceo a uma pequena corrente inversa que flui
atravs da juno.
se a tenso inversa supera um certo valor (v (br) r), a corrente aumenta rapidamente provocando a
destruio da juno, tal valor de tenso inversa pode atingir milhares de volt em alguns diodos de
silcio e centenas de volt nos diodos de germanio.
CARACTERSTICAS DIRETA E INVERSA DO DIODO DE GERMANIO (0 A 95)
CARACTERSTICAS DIRETA E INVERSA DO DIODO DE SILCIO (BAXI 12)
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Critrios para escolha dos diodos a semi-condutores

DADOS TCNICOS DOS DIODOS DE SILCIO (srie BAY)
Glass case JEDEC DO-7
Weight approx. 0,2 g
Dimensios in mm
Diffused Silicon Diodes
For general purpose
Maximum Ratings
Reverse voltage
BAY 17
BAY 18
BAY 19
BAY 20
BAY 21
Forward DC current @ T amb = 25 C
Rectified current (average)
(half-wave rectification) with
resis load @ T amb = 25 C
VR
VR
VR
VR
VR
IF
IO
15
60
120
180
350
250 1)
200 1)
Power dissipation @ T amb = 25

Junction temperature
Storage temperature range
Ptot
Tj
TS
400 1)
mW Potncia dissipada
150
C
- 55...+150 C
VF
0.8 (< 1)
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
10 (<100)
< 15
10 (<100)
< 15
20 (<100)
< 15
30 (<100)
< 25
30 (<100)
< 25
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
Caracteristics @ Tj = 25
Forward voltage @ I F = 100 mA
Leakege current
BAY 17 @ VR =12V
@ VR =12 V1 tj = 100C
BAY 18 @ VR =50V,
@ VR =50 V, tj = 100C
BAY 19 @ VR =100V
@ VR =100 V, tj = 100C
BAY 20 @ VR =150V
@ VR =150 V, tj = 100C
BAY 21 @ VR =300V
@ VR =300 V, tj = 100C
Valores mximos
Tenso inversa
V
V
V
V
V
mA Corrente contnua direta
mA
Queda de tenso direta
O FABRICANTE FORNECE OS VALORES MXIMOS DE FUNCIONAMENTO DOS DIODOS.

NORMALMENTE USA-SE VALORES INFERIORES QUELES INDICADOS A FIM DE
AUMENTAR A SEGURANA DO CIRCUITO.
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Em todo o caso, para o uso de um diodo, os dados principais a serem considerados so:
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Exemplos de aplicaes dos diodos
Na primeira figura, as inverses de polaridade de alimentao protegem a carga.

Na segunda figura, a funo do diodo impedir a descarga da bateria no gerador, quando este no est
em funo.
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Tipos de invlucros para diodos a semi-condutores
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Teste de eficincia com hmmetro
Polarizao direta:
O diodo polarizado diretamente conduz
apresentando uma baixa resistncia
(R = 300). Para este teste no aconselhvel
usar uma escala de pequena potncia.
Polarizao inversa:
O diodo polarizado inversamente no
conduz, a resistncia medida com o
hmmetro muito alta, 200 k para os
diodos de germnio, e 1M para os diodos
de silcio.
N.B.: Caso uma das medidas efetuadas no corresponda aos testes anteriores, o diodo ineficaz.
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Testes de Verificao
1) O smbolo do diodo :
2) O diodo conduz quando:

__ polarizado inversamente
__a tenso aplicada supera a tenso inversa max
__a tenso aplicada supera um certo limite
__a corrente inversa mxima
3) Entre os dados tcnicos do diodo a VR indica:
__a tenso direta max
__a queda de tenso direta
__a tenso aplicada no circuito
__a tenso inversa max
4) Para a escolha de um diodo, os valores mais importantes que se deve levar em considerao so:
__tenso direta e corrente inversa
__tenso inversa e corrente direta
__tenso direta e corrente direta
__tenso inversa e corrente inversa
5) Pela medida feita com o hmmetro descobriu-se que o diodo:
__conduz porque polarizado diretamente
__conduz porque polarizado inversamente
__no conduz porque polarizado inversamente
__ ineficaz
6) A queda de tenso direta de um diodo de silcio vale:

__0,6 + 0,8 Volt
__8 + 10 Volt
__0,2 + 0,4 Volt
__milhares de Volts
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Retificao de meia onda e onda completa

Introduo
Na aplicao prtica da eletrnica requer-se, muitas vezes, aplicao de tenso contnua.
No passado, para obter a corrente contnua, eram utilizados sistemas muito caros e de grandes
dimenses (vlvulas termo-inicas, grupos conversores, etc.).
Hoje em dia pode-se dispor de sistemas economicamente e praticamente mais vantajosos, tais como:
Com os componentes de meia-condutores possvel realizar diversos circuitos, capazes de converter a

corrente alternada em corrente contnua. Vejamos:
O diodo como conversor de c.a. em c.c.
Lembre-se que:
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O diodo conduz no caso em que

o anodo positivo relativamente
ao catodo
O diodo no conduz no caso em

que o anodo negativo
relativamente ao catodo
No caso de ser submetido a uma tenso alternada como que se comporta o diodo?
O diodo conduz no caso em que o

meia-ciclo positivo se apresenta no
anodo.
O diodo no conduz no caso que o

meia-ciclo negativo se apresenta no
anodo.
A corrente que atravessa o diodo tem sempre o mesmo sentido e a conduo realiza-se apenas e
exclusivamente quando o anodo assume potenciais positivos relativamente ao catodo.
Retificao monofsica de meia-onda
O diodo permite a alimentao de um circuito em c.c. dispondo apenas de c.a.
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Pelo diagrama esquemtico, pode-se deduzir o funcionamento do circuito.
No momento em que indica a semi-ciclo

positivo da tenso alternada de entrada
(Vi), o diodo encontra-se polarizado
diretamente. O semi-ciclo completo, no
encontrando obstculos no diodo,
transferido carga.
N.B.: Chama-se a ateno para o fato de que embora polarizado diretamente, o diodo introduz uma
determinada queda, sobre Vi, a qual nos exemplos a Si equivalente a ~ 0.6V.
No momento em que inicia o semi-ciclo

negativo da Vi, o diodo encontra-se
polarizado inversamente. A tenso na
carga NULA.
(Toda a tenso nos terminais do diodo).
Dado que a conduo do diodo realiza-se com meio-ciclos alternados, (para 50Hz T = 20 m.seg) o
valor significativo da tenso carga (Vu) ser representado pelo valor mdio (Vmc), pelo que:
Vu = 0.45 Vi (RMS)
Notar que a corrente mdia (Im) no diodo igual quela que passa na carga (Imc).
Imc = Vmc = Imd
Rc
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Alm disso, a mxima tenso inversa qual submetido o diodo coincide com o valor de pico do
meio-ciclo negativo em Vi.
ATENO dimenso do diodo!!!
A fim de obter uma forma de onda mais semelhantes c.c. e um valor mdio mais elevado, utilizam-se
circuitos de retificao denominados de ONDA COMPLETA. Caracterstica fundamental destes
circuitos aquela de utilizarem ambos as meia-ondas da Vi, transferindo-lhe a tenso carga.
Retificao monofsica de onda completa, com transformador com tomada central.
O circuito comporta-se como o conjunto de dois retificadores monofsicos, cada um dos quais tendo as
caractersticas retro examinadas.
AS TENSES Vi1 e Vi2 SO DESFASADAS ENTRE SI DE 180
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A referncia zero representada pela tomada central do transformador.
O diodo D1 polarizado diretamente pelo ciclo positivo de Vi1. Esta parte do circuito comporta-se
como uma retificao de meia-onda. D1 transfere portanto carga uma tenso equivalente a:
Vmc = 0.45 Vi1
D2 polarizado inversamente pela Vi2 e no conduz.
As formas de onda de Vi1 e Vi2 INVERTERAM-SE AS FASES. D1 resulta polarizado inversamente

e no conduz. D2, por outro lado, conduz a meia-onda positiva Vi1 sada obtm-se (em 20m sec) o
completo sinal de entrada. AS POLARIDADES NA CARGA, NO VARIAM.
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Tambm neste caso tem significado o VALOR MDIO da tenso carga (Vu = Vmc), portanto:
Vu = 0.9 Vi1
(Vi1 = Vi2)
ou
Vu = 0.45 (Vi1 + Vi2)

Dado que os diodos conduzem alternadamente:
Imd = Imc
2
Onde Imd = corrente que passa num diodo durante o meio-ciclo de conduo.
Pelo mesmo motivo a VRM que os diodos devem suportar vale:
VRM = 2,82 . Vi1
ou
VRM = 2,82 . Vi2
(VRM = 2 x Vmax ; como Vmax = Vi1 x 1,414, 2Vmax = 2,82 Vi1)

Onde VRM = mxima tenso inversa de 1 diodo.
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Testes de Verificao
1) Retificar significa:
__ converter corrente pulsante em senoidal
__ converter corrente alternada em contnua
__ converter corrente alternada em unidirecional
__ converter corrente contnua em alternada
2) Na retificao monofsica com meia-onda, o diodo conduz:

__ toda a corrente de carga
__ metade da corrente de carga
__ o dobro da corrente de carga
__ o valor eficaz da corrente
3) Indicar no seguinte circuito as polaridades sobre a carga:
4) O circuito indicado:
__ retifica a meia-onda
__ no retifica a tenso
__ retifica a onda toda
__ faz curto-circuito
5) Calcular a tenso Vi:
6) Calcular: a Vmc, a Imc e a VRM dos diodos
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Retificao em ponte
Generalidades
Um dos circuitos de retificao industrialmente mais usados aquele denominado retificao
monofsica de onda completa ou com
Ponte de Graetz
Representaes grficas caractersticas da ponte de Graetz so as seguintes:
Os smbolos grficos para as pontes de Graetz habitualmente utilizados nos esquemas, so os

seguintes:
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Retificao monofsica de onda completa com ponte de Graetz
No instante em que inicia o ciclo

positivo da tenso alternada de entrada
(Vi) no ponto A, o diodo Dl encontra-se
polarizado diretamente. O ciclo positivo
transferido carga e o circuito fechase mediante o diodo D2 dado que possui
o anodo mais positivo do que o catodo.
Os diodos D3 e D4 no intervm dado
que
se
encontram
polarizados
inversamente (catodo mais positivo do
que o anodo).
No momento em que inicia o ciclo
negativo da Vi no ponto A; no ponto B
manifesta-se o ciclo positivo, portanto o
diodo
D4
resulta
polarizado
diretamente. O ciclo positivo presente
no ponto B transferido carga, o
circuito fecha-se atravs do diodo D3
dado que possui o anodo mais positivo
do que o catodo. Os diodos D1 e D2
no intervm dado que se encontram
polarizados inversamente (catodo mais
positivo do que o anodo).
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Consideraes de clculo
Dado que a conduo de cada diodo se verifica a semi-ciclos alternados (para 60Hz - T = 16,67 ms),
o valor significativo da corrente nos diodos (Imd) :
Imd = Imc
2
Onde, Imc (I mdia na carga) Imc = Vmc

Ru
Se no se considera a queda de tenso direta sobre os diodos, a tenso de sada Vmc :

Vmc = 0.9 . Vi
(eff.)
Quando os diodos no conduzem devem suportar a tenso de pico entrada (Vip). A tenso inversa
max (VRM) de cada um dos diodos vale:
VRM = Vip = Vi (eff) x 1,41
N.B.: Lembre-se que durante o funcionamento os diodos provocam uma queda de tenso que, para este
particular tipo de circuito vale cerca de 1,4 volts.
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Testes de Verificao
Trabalho de grupo:
Clculo de um alimentador CA/CC com retificaco de onda completa em ponte:
Dados: Vmc = 20 volts
Rc = 50
1. Na ponte de Graetz os diodos funcionam:

__aos pares
__singularmente
__todos os quatros simultaneamente
__trs durante um ciclo e um no outro
1) Como se comporta o circuito na figura:
provoca curto-circuito
funciona normalmente
retifica o semi-ciclo
envia a alternada carga
2) Como se comporta o circuito na figura:

provoca curto-circuito
envia a CA sobre a carga
retifica o semi-ciclo
retifica a onda completa
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Filtros Capacitivos
Introduo
As formas de converso C.A.-C.C., obtidas com a exclusiva utilizao de semi-condutores
identificam-se pela retificao de semi-onda e na retificao da onda inteira. Todavia, no apropriada
a classificao de contnua, a corrente fornecida sada de tais circuitos.
TENSO PERFEITAMENTE CONTNUA
A TENSO FORNECIDA PELOS CIRCUITOS DE RETIFICAO NO CONTNUA

MAS PULSANTE E UNI-DIRECIONAL.
Para tornar o mais contnua possvel uma tenso retificada, deve-se recorrer aos circuitos de
filtragem.
Observe-se o seguinte circuito:
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Nas extremidades da carga manifesta-se a meia-onda caracterstica do circuito de retificao

apresentado.
Observe-se agora o mesmo circuito com o interruptor fechado.
Com o capacitor inserido, a forma da onda nas extremidades da carga modifica-se e resulta mais
semelhante corrente contnua. Pode-se ento afirmar que:
O CAPACITOR NAS EXTREMIDADES DA CARGA NIVELA A TENSO

RETIFICADA.
Fenmenos relativos carga do capacitor

Para uma melhor compreenso do funcionamento do circuito, observe-se o comportamento do
capacitor, considerando que:
Um capacitor submetido a uma d.d.p. tende a carregar-se at atingir o valor mximo da tenso
aplicada.
Nos circuitos de retificao, o capacitor carrega-se praticamente logo, dado que a resistncia direta do
diodo em conduo desprezvel.
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------ tenso de sada da

retificao
____ carga do capacitor
A carga do capacitor segue o andamento da tenso de entrada

circuito equivalente
na condio examinada
(diodo em conduo)
Fenmenos relativos descarga do capacitor

Quando a V.inst. da sinuside de alimentao inferior da V existente nas armaduras do capacitor,
inicia a
DESCARGA
A TENSO DE DESCARGA, NO SEGUE A FORMA DA ONDA DE Vi, MAS EMPREGA,

PARA ATINGIR O ZERO, UM MAIOR TEMPO.
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A capacidade do capacitor e a resistncia notada nas suas extremidades influem sobre o tempo de
descarga.
A descarga do capacitor um fenmeno exponencial, isto , a tenso das armaduras no decresce
constantemente no tempo.
O tempo empregado pelo capacitor para se descarregar, depende da

CONSTANTE DE TEMPO
(tau) = Rc . C [M . F = sec.]
O capacitor, considera-se completamente descarregado aps 6-7 constantes de tempo.
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Para obter um bom nivelamento, necessrio que o capacitor se descarregue pouco durante o intervalo
de tempo compreendido entre as duas semi-sinusides. A sua constante de tempo deve ser muito longa
alm do tempo em que se deve realizar a descarga.
Para obter um bom nivelamento, aconselha-se escolher:

= 5 10 T
N.B.: O ciclo T, freqncia de 60Hz, vale 16,67ms. Para retificao de onda completa, tal valor ser
de 8,33ms.
Tenso na carga do circuito filtrado
Aps o nivelamento, a forma de onda da tenso que se encontra nas extremidades de carga , muito
prxima c.c.
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A tenso carga formada por um valor fixo de c.c e por uma certa flutuao por volta daquele
valor (zumbido ou Ripple). Considerando o nivelamento ideal, a tenso carga, vale:
VMC = 1.41 Vi
Onde Vi o valor eficaz da tenso de entrada
Dado que em geral necessrio utilizar capacidade de valor elevado (50 2000 MF) so utilizados
capacitores eletrolticos. Tais capacitores devem ser escolhido com uma VI superior ao valor de pico
da tenso alternada de alimentao.
Observa-se que o tempo de conduo dos diodos de retificao tento mais breve quanto melhor o
nivelamento, ou seja, quanto maior o capacitor de filtragem. Sendo a corrente mdia na carga a
mesma corrente mdia total dos diodos, claro que a corrente de pico nos diodos ; muito elevada, at
dez vezes a corrente mdia na carga.
Testes de Verificao
1) O nivelamento serve para:
Obter tenso contnua da tenso alternada.
Obter tenso alternada da tenso contnua.
Obter tenso quase contnua de uma retificao
2) A tenso fornecida em sada por um nivelamento :
perfeitamente contnua.
formada por uma ondulao por volta de um valor fixo.
completamente alternada.
com onda inteira.
3) Quanto vale a descarga da um capacitor aps constante de tempo, relativamente sua carga inicial?
mais de 90 %
menos de 10%
cerca de 60 %
100%
4) Como se comporta o seguinte circuito
no nivela de modo nenhum.
nivela mas perigpso para o diodo
no nivela porque o capacitor em srie.
nivela mas perigoso para o capacitor.
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Trabalho em grupo.
Calcular o circuito da figura para obter uma tenso nas extremidades da carga de 14 V.
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Filtros Indutivos
Generalidades
Em muitos casos, as cargas alimentadas pelos estabilizadores (por exemplo: motores, bobines, etc.)
no so puramente hmicas mas apresentam uma certa indutncia. Tal fato comporta a adoo de
ulteriores expediente a fim de proteger e melhorar o circuito.
O circuito na figura pode-se demonstrar perigoso devido parte de alimentao.

abertura de um eventual interruptor colocado em srie no circuito nota-se um intenso arco eltrico
(fasca).
A indutncia uma componente que se ope s variaes da corrente que atravessa. Num indutivo, a
corrente absorvida desfasada em atraso relativamente tenso de alimentao.
A causa destes fenmenos devida :
AUTO- INDUO
Princpio de funcionamento da carga indutiva

Quando a tenso de alimentao sobe ao valor mximo (devido Lei de Lenz) a bobina cria uma fora
contra-eletromotriz que se ope ao aumento da corrente.
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A CORRENTE SOBE A INDUTNCIA SE OPE CRIANDO UMA CONTRA-TENSO
A corrente cresce com atraso

relativamente tenso.
Quando a tenso de alimentao desce ao valor mnimo (devido Lei de Lenz ), a bobina cria uma
tenso que tende a circulao da corrente no mesmo sentido.
A CORENTE DESCE A INDUTNCIA SE OPE GERANDO UMA TENSO A FAVOR
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Tambm quando a tenso de rede zero gerada pela indutncia tende a fazer circular ainda corrente.
Durante este ciclo a indutncia comporta-se como um
GERADOR
A primeira parte (YI) representa a forma de onda da tenso, a Segunda (Y2) representa a forma de
onda da corrente.
A tenso nas extremidades da carga, no obstante a estabilizao, tem um andamento quase senoidal
com valor mdio muito baixo.
Diodo de recirculao
Como se viu nos exemplos precedentes a indutncia acumula energia durante a fase de aumento da
corrente. Quando a corrente descresse, a bobina, gerando a tenso induzida, restitui ao circuito a
energia acumulada.
Esta energia no toda dispersa na carga dado que o circuito se fecha sobre o gerador
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Para utilizar melhor a energia da bobina r obter um notvel aumento do valor da corrente, emprega-se
o:
Durante a conduo normal TI encontra-se fechado (conduz), T2 est aberto (no conduz ).
No mesmo da abertura de TI, gera-se uma tenso com polaridades opostas s precedentes, a qual
polariza diretamente T2 que entra em conduo limitando a amplitude.
A corrente I circula at o completo esgotamento da energia acumulada pela indutncia, a qual toda
dissipada sobre si mesma.
O diodo de recirculao consente a eliminao do arco eltrico sobre eventuais contatos situados em
srie no circuito.
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Nota-se que a contra-tenso no eliminada completamente mas reduzida ao valor de

passagem do diodo.
Se o tempo em que a tenso de entrada permanece no valor zero no muito grande (exemplo:
estabilizao com onda completa), pode-se observa um fenmeno de AUTO-NIVELAMENTO muito
acentuado.
Neste caso, mesmo sem capacitores de filtro, a corrente de circulao na carga no atinge o nvel zero.
Testes de Verificao
1) Sobres a bobina, a tenso induzida gera-se:
__quando a corrente zero.
__quando a tenso zero .
__em modo contnuo.
__quando a tenso desce para zero.
2) Alinhamento uma carga indutiva a corrente:
__sobe instantaneamente
__sobe com atraso
__fica em zero
__segue o andamento da tenso
3) O diodo de recirculao serve para:
__proteger o diodo.
__proteger a carga.
__limitar a tenso induzida.
4) Num circuito indutor a corrente:
__tende a auto nivelar-se.
__permanece pulsante.
__ perfeitamente contnua.
__torna-se onda quadrada.
5) O diodo de recirculao serve para:

__estabiliza a tenso sobre a indutncia.
__inverter a tenso induzida.
__aproveitar melhor a energia da bobina.
__proteger o diodo retificador
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Filtro LC
Filtragem com circuito L-C
Existem dois circuitos nos quais as propriedades de nivelamento da indutncia e do capacitor so
aproveitadas a fim de obter filtros para os alimentadores
O FILTRO L-C
Exemplo de circuito de
nivelamento L-C, aplicado a um
estabilizador com semi-onda
Como se sabe, a indutncia apresenta uma elevada reatncia corrente varivel proveniente do diodo o
zumbido carga, enquanto que o capacitor providencia um ulterior nivelamento da tenso de sada.
As indutncias adequadas para este fim tm um valor de alguns Henry e encontram-se envolvidas
sobre ncleos limitados.
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Com somente o capacitor so necessrias capacidade de valor elevado para obter uma forma de onda
bem nivelada; alm disso, o valor mdio de Vu baixo.
Tambm com exclusivo emprego da indutncia, a forma de onda nas extremidades da carga pouco
nivelada. O valor mdio baixo, dado que a forma de onda medida sobre a carga passa a zero.
Combinando os dois elementos (L e C), a forma da onda medida nas extremidades de carga resulta
bem nivelada. O valor mdio eleva-se. A Vu no passa mais pelo zero.
O CIRCUITO L-C COMPORTA-SE COMO FILTRO QUE APRESENTA UMA ELEVADA
IMPEDNCIA FREQUNCIA DO ZUMBIDO (60 OU 120Hz)
Filtro em
Em alguns casos o rendimento fornecido por um circuito L-C no suficiente. Para melhor-lo
recorre-se ao uso de um segundo capacitor ligado antes da indutncia, formado deste modo um
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FILTRO EM
No filtro de ao niveladora do grupo L-C acrescenta-se o pr-nivelamento do capacitor C1,

obtendo-se sada (para cargas limitadas), uma tenso praticamente contnua. Por estes motivos o
filtro de a configurao que oferece os melhores resultados.
Exemplos de aplicaes do filtro de
Filtro em aplicado a uma retificao monofsica com onda completa com transformador de tomada
central.
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Para ambos os casos vlida a seguinte frmula caso a resistncia hmica da indutncia seja muito
pequena:
VU = Vi . 1,41
Em alguns casos pode-se encontrar o filtro de composto por dois capacitores e uma resistncia.
Em circuito utilizado quando se deseja obter um bom nivelamento com o ,mnimo volume.
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Testes de Verificao
1) A forma de onda na sada de uma retificao melhor usando um
__nivelamento capacitor
__nivelamento com filtro L-C
__retificao com onda inteira
__retificao com filtro
2) Passando de vazio a plena carga num circuito com nivelamento, a tenso mdia carga
__aumenta
__permanece constante
__diminui
__retorna alternada
3) Indicar quais so os requisitos necessrios para uma indutncia de filtro
__elevada resistncia baixa indutncia
__baixa resistncia elevada indutncia
__baixo custo volume elevado
__baixa resistncia baixa indutncia
4) Num circuito com filtro somente indutivo, a forma de onda nas extremidades da carga
__no nivelada
__ pouco nivelada
__ muito nivelada
__ perfeitamente contnua
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Transistores
Generalidades
Desde os mais simples eletrodomsticos s mais complexas aparelhagens industriais, os fracos sinais,
gerados ou recebidos, para poderem ser utilizados, devem ser amplificados e sofrer oportunas
elaboraes. O dispositivo a semicondutor capaz de efetuar esta operao
O TRANSISTOR
A funo principal do transistor amplificar, isto , fornecer aos terminais de sada um sinal com a
mesma forma daquele aplicado aos terminais de entrada, mas fortemente amplificado, em corrente, em
tenso e, portanto, em potncia.
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Introduo aos Transistores Bipolares (B J T)

O transistor de juno constitudo por duas junes P-N, ligadas entre si de modo alterno.
PN
NP
PNP
NP
PN
NPN
Tm-se portanto dois tipos de transistores que so chamados complementares ou inversos.

A diferena fundamental apenas a polaridade da tenso que diferente.
Observando como so dispostas as junes, se nota que como se houvessem dois diodos, ligados
entre si pela camada central.
Porm, o funcionamento eltrico do transistor completamente diverso e complexo, e
NO SE PODE OBTER UM TRANSISTOR
LIGANDO ENTRE SI DOIS DIODOS
Os eletrodos do transistor so ligados s trs camadas e se chamam:
EMISSOR
(Emitter)
COLETOR
(Collector)
BASE
(Base ou Gate)
Os smbolos dos dois tipos de transistor bipolar so:
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O transistor BIPOLAR , fundamentalmente, um amplificador ou controlador de corrente,

pois o sinal age como comando, a corrente que passa na base:
NOTAR A DIVERSIDADE EM RELAO AOS TUBOS ELETRNICOS NOS QUAIS O SINAL
DE COMANDO UMA TENSO (Vgk)
De modo bastante esquemtico, se pode lembrar que no transistor BIPOLAR
A BAIXA CORRENTE QUE PASSA ENTRE A BASE E O EMISSOR (Ib) CONTROLA A
CORRENTE (muito maior) QUE PASSA ENTRE O EMISSOR E O COLETOR (Ic).
Considerando, pelo momento, um dispositivo ideal:

se Ib = 0
ento Ic = 0
se aumenta a Ib, aumenta proporcionalmente a Ic, pelo que:

Ic
Ib
O nmero exprime a capacidade de amplificao em corrente do transistor. Nos transistores

modernos o mesmo varia aproximadamente de 20 a 200.
Efeito Transistor
O fenmeno fsico que se d no interior das junes, e que determina o funcionamento como
amplificador de corrente, chamado efeito transistor.
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Para que se manifeste, necessrio que se realizam as seguintes condies:

Dopagem assimtrica das zonas
A concentrao das impurezas maior na zona do Emissor, menor na zona da Base, ainda menor
na zona do Coletor.
Dimenso:
A espessura da zona de base deve ser muito pequena em relao s duas zonas externas.
Polarizao
A juno BASE EMISSOR polariza-se DIRETAMENTE.
A juno BASE COLETOR polariza-se INVERSAMENTE.
O efeito transistor , portanto, o fenmeno pelo qual, mediante polarizaes apropriadas, junes
oportunamente dopadas, comprimento das vrias zonas particularmente calculados, possvel
mediante o efeito de uma pequena corrente (Ib), controlar uma corrente (Ic) muito maior.
A polarizao direta do diodo base-emissor, d origem ao movimento das cargas mveis que, pelo
emissor (muito dopado) so atiradas na zona da base, de tal maneira exguo, e a dopagem de tal
maneira baixa, que a maior parte destas cargas pelo potencial base-coletor, e acaba na camada do
coletor, determinando assim a corrente Ic. Poucas cargas se recombinam base, dando origem
pequena corrente da base.
Regulando a polarizao B-E, e portanto a corrente Ib, determina-se a emissodas cargas do emissor
e, portanto, regula-se a corrente do coletor.
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Do ponto de vista das tenses, considere-se que para obter a Ib, a E l deve, necessariamente ser
pequena (tenso de polarizao direta do diodo E-B) enquanto que no circuito do coletor, a E 2 pode
ser tambm suficientemente grande dado que a juno polarizada no sentido inverso (naturalmente
sem ultrapassar a tenso de Zener da juno).
No conjunto, o transistor BIPOLAR tambm um amplificador de tenso que apresenta portanto um
valor de ganho de potncia muito elevado.
Correntes de perda do transistor
Na anlise realizada at agora, consideramos o dispositivo como se fosse ideal.
Na realidade, se observamos a polarizao base-coletor, que deve ser inversa, necessrio considerar
que nesta juno passa uma corrente inversa.
Esta corrente inversa, como em todas as junes P-N, depende do tipo de material semi-condutor (Ge,
Si, etc.), e da temperatura da juno.
identificada com o smbolo Icbo
A circulao das correntes no transistor torna-se, portanto:
Ie = corrente no emissor
Ieb = parte pequena da corrente de emissor, que se recombina na base; em prtica, a corrente de
comando;
Iec = parte grande da corrente de emissor, que influi no coletor; em prtica, a corrente amplificada;
Icbo = a corrente inversa de saturao da juno;
Ib = Ieb - Icbo = a corrente de base total;
Ic = Iec + Icbo = a corrente de coletor total.
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Testes de Verificao
1) A estrutura do transistor :
2) Os smbolos dos transistores bipolares so:
3) O transistor comandado na corrente:

__atravs de Ic
__atravs de Ib
__atravs de Ie
4) O coeficiente do transistor representa:
__o valor da mxima corrente
__a amplificao em corrente do transistor
__a mxima temperatura de funcionamento
5) Para que o transistor funcione devidamente, necessrio:
__polarizar o diodo B-E diretamente e o diodo B-C inversamente
__polarizar o diodo B-C diretamente e o diodo B-E inversamente
__polarizar diretamente ambos os diodos
6) A Icbo :
__a corrente Base-Coletor
__a corrente inversa Base-Coletor
__a corrente inversa Base-Emissor
7) Os eletrodos do transistor so:

__anodo - catodo - base
__coletor - base - emissor
__coletor - grelha - emissor
8) A Icbo depende:
__da temperatura e do tipo de material que constitui o transistor
__da corrente de coletor e da temperatura
__da tenso de alimentao Base-Coletor
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Parmetros fundamentais do transistor bipolar

Parmetros fundamentais em corrente contnua.
A ligao que existe entre a Ie gerada no emissor e a Iec que aflui no coletor um dado
caracterstico do transistor bipolar.
Iec = Ie
O coeficiente definido fator de transferncia transistor, entre o emissor e o coletor,
com base em comum.
Dado que uma parte da Ie se recombina na base, a Iec menor da Ie e, portanto, o coeficiente
ser sempre menor que l. Nos modernos transistores o valor tpico de varia de 0,95 a
cerca de 0,995.
Se por exemplo: = 0,95, significa que 95% da Ie torna-se Iec e, portanto, Ic; alm disso (100 95)
= 5% correspondente Ieb.
Se observamos o esquema precedente, podem-se escrever, aplicando os princpios de Kirkoff, as
expresses fundamentais, que representam um sistema de equaes com vrias incgnitas:
1) Ie = Ic + Ib
2) Iec = Ie
3) Ieb = Ie - Iec = Ie - Ie = (l - ) Ie
4) Ic = Iec + Icbo = Ie + Icbo
5) Ib = Ieb - Icbo = (l - ) Ie - Icbo
Se resolvemos este sistema, podemos chegar s seguintes concluses:
Ic =
. Ib + ( + 1)
1-
1 -
Icbo
.
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1-
definindo:
obtm
6)
Ic =
; pelo que se
Ib + ( + 1) Icbo
Dado que < 1, o nmero tanto maior, quanto mais se aproxima da unidade.
Para valores de de 0,95 a 0,995, varia de 20 a cerca 200.
O coeficiente representa a amplificao ou ganho de corrente entre a base e o coletor.
CONSIDEREMOS A EXPRESSO N. 6: esta fundamental para definir o
funcionamento do transistor, dado que representa a influncia que tm a Ib e a Icbo na
corrente do coletor.
Observe-se que praticamente:
a) A Ib que a corrente de comando, resulta amplificada vezes;
b) A Icbo, que no possvel controlar, (e que sensvel s variaes de temperatura), resulta
amplificada de ( + l) vezes.
RESUMINDO: comandando o transistor da base, o mesmo sensvel
corrente de base (Ib) e temperatura da juno (Icbo T).
Correntes de perda do transistor
Analisemos as frmulas 1 e 6:
1) Ie = Ic + Ib
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
Se por qualquer motivo a Ib se torna igual a 0, podemos concluir que:
1 a) Ie = Ic + 0 = Ic
6 a) Ic = . 0 + ( + 1) Icbo = ( + 1) Icbo.
Observa-se que a diferena das consideraes realizadas no incio do estudo do transistor, se a corrente
de base se anula, no se anula perfeitamente a Ic, mas corre ainda uma pequena corrente devida
influncia da Icbo, tal como indicado na seguinte figura:
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Tal como j foi visto precedentemente, nos transistores modernos, a Icbo muito pequena e, portanto,
tambm esta corrente de perda entre EMISSOR E COLETOR COM BASE ABERTA, muito baixa e
normalmente desprezvel.
Nestas condies considera-se o transistor praticamente INTERDITO OU ABERTO, ou seja,
apresenta entre coletor e emissor uma elevada resistncia.
Esta corrente de perda chamada:
6 a) Ic = ( + 1) Icbo = Iceo
Exemplo prtico
Transistor de silcio NPM tipo 2N1613:
Vcb = 60 V
Icbo = 0,3 nA T = 25C
Vcb = 60 V
Icbo = 0,4 A T = 150C
Dado que o seu coeficiente varia de cerca 35 a cerca 80, a sua Iceo nas piores condies torna-se
cerca:
Iceo (150C) = (80 + l) 0,4 . 10-6 = 32 A
Iceo (25C) = (80 + l) 0,3 . 10-9 = 25 A
Concluses gerais
Se examinamos ainda a expresso n. 6:
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
Podemos tambm escrev-la:
7) Ic = Ib + Iceo
da qual possvel calcular o coeficiente :
8) = Ic Iceo
Ib
Dado que, como se notou, nos modernos transistores a silcio, o valor Iceo, no campo das temperaturas
de uso, normalmente desprezvel, os construtores fornecem geralmente um parmetro simplificado,
desprezando a corrente de perda, o qual chamado hFE; este parmetro tambm usado para
indicar o ganho em sinal alternado, que diferente de beta, que o ganho em corrente contnua ou no
ponto quiescente.
9) hFE = Ic .
Ib
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10) Ic = hFE . Ib
11) Ib = Ic / hFE
O funcionamento de qualquer dispositivo, eltrico ou mecnico, pode ser eficazmente representado,
utilizando os diagramas Cartesianos.
No caso do transistor, os grficos relacionam entre si, as grandezas de coletor, de base, de emissor,
para estabelecer o respectivo andamento recproco.
Inserindo o transistor em um circuito amplificador, necessrio que um dos seus eletrodos seja em
comum entre a entrada e a sada:
Podem-se por isso obter trs esquemas de insero e, portanto, trs tipos fundamentais de curvas.
1) Nos esquemas at agora considerados, de modo ainda elementar, o eletrodo em comum foi
normalmente a BASE:
2) Pode-se tambm usar a conexo com emissor comum:
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3) Tambm usada a conexo com Coletor comum
A conexo mais utilizada no campo industrial aquela com EMISSOR COMUM. Por este motivo os
construtores fornecem as caractersticas dos transistores, normalmente nesta configurao.
possvel convert-las nas outras configuraes.
Curvas caractersticas do B.J.T. com emissor comum
Para obter em modo experimental as curvas caractersticas realiza-se o seguinte circuito:
Consideram-se os voltmetros a elevada resistncia interna para no carregar o circuito e falsar a

medida.
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Caracterstica de coletor ou de sada

Ic = funo de Vce com Ib constante
Esta caracterstica, como todas as seguintes, em prtica, representada por uma famlia de curvas,
cada uma diferente ao variar de Ib; a curva fundamental do transistor.
Considere-se:
a) O clculo do hFE do transistor no ponto P
hFE = Ic
Ib
lido no eixo Y
lido na curva interessada
b) Para fortes variaes de Vce, a corrente Ic varia de pouco;

Ic varia se varia Ib.
Demonstra-se a validade na expresso terica:
Ic = BIb + Ice 0, onde no aparece o valor da Vce.
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Caracterstica transferncia ou amplificao direta de corrente

Ic = f (Ib) com Vce constante.
esta curva confirma quanto j foi

considerado
Caracterstica V I de entrada
Ib = f (Vbe) com Vce constante
Em prtica, a curva do diodo base-emissor, polarizado diretamente. Observa-se que no entanto a Vce
influencia a Ib, embora muito ligeiramente.
1) Caracterstica de reao ou de amplificao inversa
Vbe = f (Vce) com Ib constante
A curva, juntamente quela precedente, nos faz notar um comportamento particular de TR, que at
agora no tnhamos considerado, isto , que a variao da Vce, faz variar no sentido inverso a corrente
de base. Para manter Ib constante, necessrio aumentar a Vbe, se aumenta a Vce. Isto significa que o
transistor amplifica, embora pouqussimo, no sentido inverso, ou seja, da sada para a entrada.
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Trans-caracterstica ou caracterstica de transferncia

I sada V entrada
Ic = f (Vbe) com Vce constante
Esta curva representa o comportamento do TR. no caso seja comandado atravs da Vbe.
Conclui-se portanto que existe pouca proporcionalidade entre a Vbe e a Ic controlada e que, portanto, o
TR. Funciona melhor se considerarmos a corrente (Ib).
Consideramos a ligao fundamental do transistor BJT:
O uso de dois geradores desaconselhvel por motivos de custo e de volume; procuremos portanto
polarizar devidamente o transistor, utilizando apenas um.
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Observa-se que os esquemas da fig. 2 so equivalentes e que:

A Vbe MENOR QUE Vce E POSSUI O MESMO SINAL
Portanto, possvel eliminar a bateria Vbe
Inserindo uma resistncia de queda em srie na base, ou um partidor.
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Se o transistor considerado um PNP, lembramos que valem todas as consideraes feitas para o tipo
NPN, mas que:
AS POLARIDADES DA ALIMENTAO DEVEM SER INVERTIDAS
Naturalmente, para utilizar o sinal de sada, necessrio disparar a carga ou o utilizador (resistncia de
carga Rc).
NA CONEXO COM EMISSOR COMUM A CARGA INSERIDA SOBRE O COLETOR

Reta de carga esttica e ponto quiescente
Para determinar graficamente o funcionamento do circuito com transistores, convm traar a:
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Reta de carga esttica

Que a representao grfica de resistncia de carga, traada sobre as caractersticas de coletor do
transistor.
Para traar a reta de carga deve-se proceder no seguinte modo:

1) Identifica-se no eixo das abscissas (Vce), um valor equivalente tenso de alimentao (E).
2) Identifica-se no eixo das ordenadas (Ic), um valor de corrente chamado:
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Corrente de Curto-circuito ( Ic
C ).
Calculado imaginando de encerrar em curto-circuito entre eles o emissor e o coletor do transistor; no

nosso caso a expresso vale:
3) Unem-se os dois pontos precedentemente identificados e obtm-se a reta de carga esttica.
A reta de carga interseca as caractersticas de coletor para cada valor de Ib, pode-se determinar o ponto
de funcionamento do transistor dito:
Ponto quiescente ou ponto de trabalho
A projeo do ponto quiescente (Po) sobre os eixos, permite identificar o valor da Vce (Vceo) e da Ic
(Ico) ao qual o transistor vai funcionar.
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Se modificamos o valor da Ib (ex. de Ibo para Ibo ) desloca-se o ponto quiescente determinado: Po,
Vceo, Ico
A escolha do ponto quiescente depende do tipo de curto-circuito em que se deseja fazer funcionar o
transistor, (como se vera mais adiante).
Estabilidade Trnica
A variao da temperatura das junes de um transistor determina uma correspondente variao da Ic (
Ic) e portanto um deslocamento do ponto quiescente.
A Ic POR CAUSA TRMICA DEVIDA A TRES FATORES:
1) AUMENTO DE Icbo
um efeito desprezvel nos modernos transistores de SILCIO porque nos mesmos a Icbo parte de
valores muito baixos; a Icbo dobre o seu valor para cada T de 9 a 11 C.
2) DIMINUIO DA Vbe
A variao de Vbe quase linear e vale cerca 2,4 V por grau centgrado.
A variao da Vbe interessa quer os transistores a GERAMNIO, quer aqueles a SILCIO.
3) VARIAO DO ()
O do transistor no tem uma precisa lei de variao, em geral o se aumentam a temperatura ou a
Ic.
Em geral pode-se considerar os TRANSISTORES SILCIO TERMICAMENTE BASTANTE
ESTVEIS, isso no obstante para precauo contra a interveno dos termos mais perigosos
( - Vbe) estudam-se particularmente esquemas de polarizao que intervm automaticamente
para compensar as eventuais variaes do ponto quiescente.
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Esquemas de Polarizao
1)
Equaes fundamentais
E = Rb . Ib + Vbeo ;
Rb =
E =
E - Vbeo
Ib
Rc Ic + Vceo
Rc = E - Vceo
Ic
Ib =
pelo que
pelo que
Ic
HFF
Este circuito termicamente pouco estvel, porque nada se ope s variaes de Icbo, Vbe, , e
portanto de Ic.
2)
o esquema mais usado, porque compensado contra a variao de Icbo, Vbeo e sobretudo de .
Para que isto se verifique necessrio calcular Ip de modo que a Ib seja desprezvel a seu respeito:
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Ip
10
Ib
Deste modo, ao variar de e portanto de Ib praticamente a Vb no varia mantendo firme a

expresso.
Vb = Vbeo + Ve
A resistncia Re, intervm contra as variaes de Ic, qualquer que seja a causam, dado que a sua c.d.t.
Ve ope-se corrente de base. Se por exemplo Ic aumenta, m aumenta Ve que faz diminuir a Vbeo
(dado que Vb constante) e portanto Ib, que tende a reduzir Ic, contrastando o aumento inicial.
Na falta de dados melhores, a Ve calcula-se geralmente:
Ve =
1
5
1
10
Vceo
Equaes Fundamentais
E = Rc Ic + Vceo + Re Ic
(desprezando Ib)
E = Rb.1 Ip + Rb2 Ip = Rb1 Ip +
Vb
(desprezando Ib)
Pelo que:
Rb
Ip
Vb....
Vb = Vbeo = Ve = Vbeo = Re Ic (desprezando Ib)

Ip = 10 Ib
Ib
Ic
hFE
Rb2 =
Vb
Ip
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Outros processos de polarizao usados so:
Querendo melhorar a compensao podem-se introduzir elementos no lineares:
A NTC diminui a sua R se aumenta a

temperatura.
A c.d.t. do diodo diminui com o aumento de

temperatura compensando o
Vbe
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Os dois transistores devem ser idnticos e compensa-se perfeitamente a Vbe.

Conexes Darlington
Definem-se conexes Darlington dois transistores bipolares quando a corrente de emissor do primeiro
tambm a corrente de base do segundo.
Este tipo de ligao pode ser utilizado para a

realizao de um amplificador e emissor comum,
tendo um ganho em corrente muito elevado.
Podemos, portanto, dizer que o circuito
equivalente comparvel a apenas um transistor
que possui as seguintes caractersticas:
Maior impedncia de entrada

Maior ganho em corrente
Normalmente este tipo de conexo efetuado com transistores da mesma espcie; porm possvel
executar tal ligao com transistores complementares.
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Normalmente a conexo executada aproveitando como transistor T1 um transistor de pequena

potncia e com beta alto, enquanto como transistor final T2 usa-se um transistor de potncia com beta
baixo.
Com a introduo das modernas tecnologias, j no indispensvel executar a conexo com
componentes discretos; mas possvel usufruir de circuitos integrados onde j foi preconstrudo um
darlington.
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Transistores de efeito de campo (FET)

O transitor FET (field effect transistor = transistor com efeito de campo), um particular dispositivo
no estado slido que pertence famlia dos componentes chamados unipolares, isto , tm uma s
juno e funcionam como monojuno, utilizando a condutibilidade de uma zona chamada canal.
O mesmo possui trs eletrodos chamados:
GATE
DRAIN
SOURCE
=
=
=
PORTA
DRENO
FONTE
porta
- (nodo)
- (catodo)
Princpio de funcionamento: controle da corrente do canal atrvs de um campo eltrico.
Como se pode observar na figura, o FET (com canal N) constitudo por uma zona com semicondutor
dopado N, com duas ligaes s extremidades e por uma parte dopada P que envolve o percurso do
canal N.
Pode-se tambm construir o transistor completamente com canal P, invertindo as dopagens das duas
zonas entre si.
Os eletrodos ligados s extremidades do canal so o SURCE e o DRAIN; o GATE est ligado
camada lateral.
Entre o source e o drain existe condutibilidade hmica, cujo valor em funo da dopagem e das
sees do canal, enquanto que i gate e o canal formam uma juno P-N.
A corrente de sada do dispositivo, feita passar entre S e D, enquanto que para comandar esta
corrente se polariza inversamente o diodo G-S.
Lembrando como se comporta a zona de juno de um diodo polarizado inversamente, se
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explica o funcionamento do transistor FET; de fato, polasrizando inversamente o diodo G-S,

se faz variar a largura da zona de esvaziamento por cima d juno P-N; como se sabe, esta zona de
transio, devido presena de apenas cacrgas fixas, comporta-se como um isolador eltrico; a largura
desta zona ser tanto maior, quanto maior ser a tenso inversa aplicada entre o gate e o source.
Observe-se a seguinte figura:
VGS = 0: canal muito aberto;

Elevada condutibilidade
Tenso inversa de polarizao de Gate: canal

apertado, baixa condutibilidade
Pode-se dizer que ao variar da tenso inversa de gate, se apertamais ou menos o canal de conduo
entre source e drain, (pense-se por analogia a um tubo de plstico no qual se pode regular a passagem
de um lquido, apertando mais ou menos o prprio tubo, variando portanto a seo til passagem do
fluxo).
importante observar que neste dispositivo, o controle realiza-se atravs de uma tenso inversa,
sobre um circuito de entrada com grande resistncia e, portanto, com corrente de entrada desprezvel.
Na ausncia de polarizao inversa no gate, o FET conduz a max corrente de drain. O mesmo
funciona, sob o ponto de vista da polarizao , como os tubos de vcuo (trodo e pntodo a vcuo).
Os smbolos grficos so os seguintes:
FET a canal N
FET a canal P
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Para ter um elevado controle por parte da tenso de gate, sobre a corrente de drain-source, preciso
que para pequenas variaes de tenso, varie muito o aperto do canal; para obter este resultado a
dopagem do canal efetuada com concentrao muito menor que na zona de gate, neste modo o diodo
que resulta ser constitudo por uma juno assimtrica.
Dados fundamentais e caractersticas do FET
A mais importante caracterstica do FET aquela equivalente caracterstica andica dos tubos ou
caracterstica de coletor dos transistores BJT, que chamada caracterstica de drain.
Nesta curva que exprime a funo:

Ids = f (Vds) com Vgs constante
pode-se distinguir trs zonas de comportamento do transistor FET:
1) zona chamada hmica na qual o FET se comporta aproximadamente como resistncia varivel ao
variar da tenso drain source (esta uma aplicao importante deste transistor).
2) zona chamada hipercrtica ou de Pinch Off (concentrao total), a partir do ponto no qual
inicia o aperto no qual inicia o aperto do canal.
O inicio do fenmeno segue a curva chamada dos pontos crticos, at ao valor Vp quando a
tenso de gate nula.
3) zona chamada de rupturaquando a tenso entre gate e canal atinge a tenso de zener da juno.
A tenso de ruptura mxima quando Vgs nula ( indicada com BVdss); progressivamente
diminui ao aumentar a tenso inversa de gate ( indicada com BVdsx cada valor de tenso entre
drain e source que determina a ruptura com os vrios valores de tenso drain-source).
Como se pode observar, a curva semelhante famlia de caractersticas andicas do pntodo; o
percurso utilizado no funcionamento como amplificador a zona hipercrtica.
Os dados e parmetros fundamentais fornecidos pelos construtores so:
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g max = transcondutncia total mxima

uma espcie de coeficiente hbrido de amplificao; de fato, define a variao da
corrente Ids determinada pela variao da tenso Vgs de controle).
g max
A transcondutncia se exprime em
Ids
Vgs
mA
V
Com Vds constante
Ou mili-Siemens (mS)
Vp = tenso de concentrao total (pinch off voltage)

define o inicio do regime hipercrtico, com tenso de gate nula.
BV dss = tenso de ruptura com Vgs nula.
BVdsx = tenso de ruptura com uma det. Vgs.
Estas tenses definem na prtica os limites da tenso de alimentao.
Ids max = corrente mxima entre drain e source
Igss = corrente inversa gate-source
Define a convivncia do FET em relao sua resistncia de entrada, que como vimos, muito
alta.
Valores tpicos da resistncia de entrada so de 106 hm a 109 hm.
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Polarizao dos FETs

Com os transistores com efeito de campo, o problema da polarizao mais complex do que com os
transistores BJT; de fato, o FET precisa de uma tenso de gate que no da mesma polaridade da
tenso de drain e, portanto, no possvel utilizar a soluo com partidor como nos BJT;
FET a canal N
FET a canal P
Observemos a figura e recapitulemos quais devem ser as tenses de alimentao.

FET canal N: tenso de drain positiva em relao ao source;
tenso de gate negativa em relao ao source , para polarizar inversamente a juno GS.
FET canal P: tenso de drain negativa em relao ao source;
tenso de gate positiva em relao ao source, para polarizar inversamente o diodo G-S.
Um circuito de polarizao normal assume, portanto, a seguinte forma:
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FET a canal N
FET a canal P
Observe-se a necessidade de recorrer duas tenses de alimentao.
Se se desejar usar apenas uma tenso de alimentao, deve-se utilizar um artifcio eltrico visvel na
figura:
O artifcio, semelhante quele utilizado para a polarizao automtica dos tubos a vcuo, consiste em
dispor uma resistncia em srie no source, que com a sua cdt, leva o source a um potencial mais
positivo da massa; ligando deste modo o gate referncia, resulta mais negativo do que o source,
exatamente como solicitado pelo transistor FET.
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Naturalmente, no caso de FET com canal P todas as polaridades resultam invertidas.

Dado que a resistncia de source provoca durante o funcionamento como amplificador, uma
diminuio do ganho, analogicamente aos circuitos BJT, desejando eliminar o problema, convm
dispor em paralelo um capacitor de by-pass.
A ligao do gate referncia deve ser efetuada atravs de uma resistncia g de valor grande, de modo
a no diminuir demais a elevada resistncia de entrada que apresenta o FET; no que diz respeito
polarizao, este elevado valor no provoca inconvenientes dado que o gate praticamente no absorve
corrente e, portanto noexiste cdt na Rg.
A Rg se fixa normalmente entre 2 Mhm e 50 Mhm.
Querendo utilizar a ligao source follower semelhante anloga miter follwer para os
transistores BJT, deve-se proceder tal como indicado no seguinte esquema:
possvel aumentar a impedncia de entrada do circuito realizando a ligao do seguinte esquema no

qual se utliza a contra-reao dada pela R1.
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Aplicaes e esquema com transistores FETs

Emiter follower com transistores BJT e FET
Amplificador diferencial com FET
Multivibrador bi-estvel com FET
Multivibrador mono-estvel com FET
Os transistores FET so aplicados em todos os circuitos nos quais til explorar a elevada resistncia
de entrada entre gate e source.
Os FET so usados, por exemplo, nos temporizadores, onde possvel obter tempos longos sem
utilizar capacitores grandes demais, nos amplificadores para instrumentos de medida, (nos modernos
osciloscpios a fase de entrada dos amplificadores Y em feral com freqncia nos quais a elevada
impedncia de entrada no FET permite no carregar os circuitos oscilantes L-C, obtendo resultados de
sensibilidade, amplificao e rumor muito melhores que com os transistores BJT.
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Observe-se por exemplo, o seguinte timer com FET com final BJT:
Circuito temporizador FET
Uma oportuna configurao de transistores FET permite obter dispositivos chamados FETRON,
equivalentes s caractersticas de alguns tubos a vcuo, (trodos ou pntodos), com possibilidade de
perfeita intermutao e, naturalmente, funcionamento sem filamento.
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Transistores MOSFETs
Do ponto de vista equivalente simplificado, o trasistore MOS-FET representado pela seguinte figura:
O MOS-FET equivalente a um FET com o circuito de gate constitudo por um capacitor com baixa
capacidade em srie na juno gate spource.
O smbolo MOS significa metal oxide semicondutor; de fato , o circuito de gate construdo
isolando o prprio gate, pelo canal atravs de uma camada de silcio, que se comporta como perfeito
dieltrico.
O efeito de campo manifesta-se ainda por induo eletrosttica atrdsavs da capacidade quea se forma
entre gate-xido-canal.
A ligao de gate constituda po uma metalizao sobre o xido de silcio que a separa do canal. O
transitor MOS FET, apresenta em rela o ao FET, um ulterior aumento de resistncia de entrada,
deviso ao isolamento do circuito de entrada sobre o gate; a mesma pode atingir valores de at 1015
hm.
MOSFET DEPLETION (a esvaziamento)

o tipo de MOSFET que mais se parece com o FET; observe-se a sua estrutura tecnolgica:
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No caso do canal N como indicado na figura, efutua-se a dopagem N que constitui o canal, sobre uma
camada de silcio com dopagem P; duas metalizaes nos bordos do canal, constituem os eletrodos
source e drain; uma camada de bixido de silcio separa o canal da metalizao de gate.
Aplicando potencial negativo a G em relao a S, a capacidade G canal atrai por induo cargas
positivas na zona de canal e se repete o funcionamento do FET, isto , se aperta o canal devido ao
esvaziamento.
No caso de MOSFET DEPLETION com canal P, o funcionamento idntico, com polaridades
invertidas.
Smbolo dos MOSFET DEPLETION:
Com substrato acessvel
Sem substrato acessvel

CANAL N

CANAL P
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Polarizao dos MOSFET DEPLETION

A tenso de gate dos MOSFET DEPLETION tem polaridade contrria tenso de drain, portanto, para
a polarizao automtica, preciso recorrer ao artifcio utilizado com o FET:
Polarizao com duas baterias
Polarizao automtica
MOSFET ENHANCEMENT (com enchimento)

Obtm-se um transistor MOSFET tambm com uma disposio tecnlogica como referido na seguinte
figura:
Esta disposio chamada nhacement, isto , com enchimento.

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No caso indicado na figura, com CANAL N, observe-se que o drain e o source so duas camadas N
sobre o substrato P, completamente isolados entre si, aplicando tenso D-S (positiva sobre o drain),
no passa corrente at quando no se aplica um potencial positivo ao gate, e, superado um valor
LIMITE, inicia a conduo entre S e D, porque o potencial de gate chama por induo das cargas
negativas na zona P que separa D e S, constituindo assim um canal N artificial.
Disto deriva o nome enhancement.
No caso de canal P as polaridades e as camadas sero, obviamente, complementares.
Smbolo dos transistores MOSFET ENHANCEMENT
CANAL N
CANAL P
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Polarizao dos MOSFET ENHANCEMENT

Nos MOSFET ENHANCEMENT preciso assinalar o gate para que conduzam, ao contrrio dos FET
e dos depletion, nos quais se deve dar em gate uma tenso inversa que regula a interdio; a Vgs nos
enhancement tem o mesmo sinal da Vds, portanto, suficiente um normal partidor de tenso como nos
BJT.
O uso de eventuais resistncias de queda em srie no gate, no possvel porque no circula cirrente
entre gate e source.
Portanto, o esquema o seguinte:
Uso dos MOSFET DEPETION COMO ENHANCEMENT

A estrutura tecnolgica do MOSFET DEPLETION tal que, aplicando tenso de gate contrria ao
normal funcionamento (por exemplo, positiva no canal N), a mesma faz aumentar a condutabilidade do
canal alargando-lhe a seo til como se fosse um enhancement.
Os MOSFET com estrutura depletion podem funcionar quer como depletion, quer como enhacement,
dependendo do sistema de polarizao utilizado
Com aestrutura MOS possvel construir dispositivos com vrios gate;

So disponveis transistores chamados Dual Gate Mosfet, isto , mosfet com duplo gate.
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A sua estrutura tecnolgica a seguinte:

DUAL GATE MOSFET DEPLETION
Como se nota, o dual gate mosfet, constitudo por dois canais em srie, m e cada um dos canais tem o
seu gate independente.
Em prtica, a corrente principal depende da combinao dos dois sinais de gate.
utilizado principalmente nos misturadores de frequncia para sintonizadores rdio-tv, nos
demoduladores para tv a cores, raramente para aplicaes de oficina.
O seu smbolo o seguinte:
Dual gate mosfet depletion

Canal N
Dual gate mosfet depletion

Canal P
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Diodo controlado de silcio (SCR)

Generalidades
TIRISTORES
A) Definio:
Dispositivo semicondutor biestvel, com 3 ou mais junes, que pode ser comutado do estado de
conduo para o estado de bloqueio, ou vice e versa.
B) Estrutura bsica
Na figura abaixo ilustramos a famlia de tiristores com a sua respectiva simbologia tcnica.
Desejando alimentar e interromper uma carga em contnua, por exemplo uma embreagem, um freio,
etc., a soluo tradicional aquela de introduzir um diodo e um contato.
A durao do contato no caso de freqentes acionamentos ou de elevada corrente pouca.

A eletrnica nos oferece um componente com semi-condutor capaz de controlar grandes potncias e
capaz de realizar a funo de estabilizador e interruptor sem um particular desgaste excessivo:
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Diodo controlado de silcio (SCR)
O gate (porta) o eletrodo de controle.

Princpio de funcionamento em corrente contnua
Aplicando tenso positiva em direo do nodo e negativa em direo do catodo o SCR polarizado
diretamente.
Nestas condies, portanto, o gate positivo relativamente ao catodo, circula uma corrente IG, o diodo
controlado entra em funo e conduz entre o nodo e o catodo.
Aps a entrada em funo o gate no controla mais o SCR. O desacionamento pode-se realizar apenas
quando se interrompe do exterior a corrente andica Ia.
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Aplicando tenso inversa no diodo controlado, isto , negativo o nodo e positivo o catodo, o SCR no
conduz.
Princpio de funcionamento em corrente alternada
Se o gate no est polarizado o SCR no entra em funo.
Com gate positivo, o SCR entra em funo apenas durante o semi-ciclo positivo. No final do semiciclo positivo, o diodo controlado obrigado a entrar em corte, dado que a corrente passa para zero.
O SCR dispara.
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O SCR entra em corte.
Testes de verificao
1) A representao exata
2) Num SCR o gate serve para:

__comandar o disparo e o corte
__comandar o corte
__comandar o disparo
3) No circuito da figura, na carga:
( ) passa corrente
( ) passa corrente fechando o interruptor
( ) no pode passar corrente
4) O SCR quando est disparado, desdispara:

__se a corrente andica reduzida a zero
__espontaneamente
__se aplicamos uma tenso positiva no gate.
5) Um diodo controlado e alimentado em c.a.:
__dispara pelo comando do gate e permanece disparado
__dispara e corta em cada ciclo se o gate positivo
__conduz o semi-ciclo se o gate negativo relativamente ao catodo
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6) indicar se os circuitos representados podem funcionar:
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O controle com SCRs

Generalidades
Deve-se alimentar uma carga de grande potncia que requer uma regulao de corrente, por exemplo,
um banho galvnico para cromagem.
Para variar a corrente pode-se utilizar um
reostato que dissipa uma grande potncia.
Para reduzir a potncia perdida e o volume de

regulao (reostato), usa-se um diodo controlado
aproveitando um diverso sistema de regulao.
Suponhamos que o encerramento do boto se realize no tempo t1:

A corrente de gate circula e o SCR se insere.
A tenso e a corrente na carga no tero mais a
forma e o valor do semi-ciclo senoidal, mas
apenas uma parte do mesmo.
A conduo parcial devida ao disparo atrasado
chamada:
CONTROLE DO GATILHO
encerrando o boto em pontos diferentes do
semi-ciclo positivo, variam na forma e no valor
a VR e a Ia, com uma mnima potncia perdida
no SCR.
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O valor mdio no controle do gatilho

Lembrando que o valor mdio dado pela mdia aritmtica de todos os valores
instantneos assumidos pela grandeza.
Variando o ponto de incio conduo (ngulo ), de 0 a 180 graus possvel variar o valor mdio
respectivamente do mximo at o zero.
O disparo atrasado do SCr se realiza para

cada semi-ciclo, em tal modo a corrente na
carga constituda por uma sucesso de
impulsos iguais.
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A potncia no controle do gatilho

O controle da potncia com sistema tradicional provoca um q.d.t. no reostato que, sendo percorrido
pela mesma corrente de carga dissipa em calor uma potncia.
O controle de controle do gatilho determina uma potncia perdida no SCR muito baixa:
1) com SCR cortado a corrente no circula e no existe potncia perdida.
2) com SCR disparado a q.d.t. nas suas extremidades de cerca 1 V.
Na controle do gatilho, a regulao do momento de disparo, determina

a variao do valor da tenso, da corrente e, portanto, da potncia
mdia dissipada pela carga.
Circuito de disparo
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Testes de verificao
1) A controle do gatilho :
( ) o disparo parcial devido ao acionamento do boto
( ) a conduo parcial no semi-ciclo devida ao disparo atrasado
( ) a regulao parcial do banho de cromagem
2) O valor mdio de uma tenso senoidal relativamente a uma tenso de controle do gatilho :
( ) maior
( ) menor
( ) igual
3) Atrasando o ponto de disparo de um SCR em c.a., o valor mdio da corrente:

( ) aumenta
( ) diminui
( ) permanece constante de 0 a 180 graus
4) A potncia perdida num SCR mnima porque:

( ) a corrente andica de cerca 1 V
( ) durante a conduo a c.d.t. nas suas extremidades muito
( ) durante a conduo a corrente andica muito baixa
5) Para variar a potncia dissipada por uma carga em c.a. controlada por um SCR, se age:
( ) sobre o momento de disparo do SCR
( ) sobre a tenso de alimentao
( ) sobre o ponto de desdisparo do SCR
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Sistemas de disparo para SCRs

Caractersticas de disparo do SCR
Para disparar um SCR que deve trabalhar no sistema de disparo, necessrio um circuito de disparo
adequado.
O circuito de disparo deve fornecer ao gate uma tenso positiva quando o nodo positivo.
O ponto de disparo depende dos valores de IG e VG conforme uma curva caracterstica dada pelo
construtor.
A caracterstica do disparo, VG = f (IG), aquela do diodo gate-catodo.

Dada a dificuldade em realizar junes iguais, os construtores fornecem duas curvas limite, entre as
quais certamente situada aquela do SCR.
Alimentando o gate do diodo controlado com uma VG e uma IG que se encontram na zona tracejada
do grfico, o SCR certamente se insere; valores tpicos para um SCR de mdia potncia, (BTY 87)
so:
VG > 3,5 V; IG > 65 mA; PG mdia dissipvel 0,5 W,
( PG = VG . IG)
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Disparo com IG em contnua

A IG de disparo pode ser fornecida, por um gerador de corrente contnua ; atravs de um
potencimetro possvel regular o seu valor de zero ao mximo ( 0 + max ).
Dado que para cada valor de tenso andica existe um diverso valor de IG de disparo, agindo sobre o
potencimetro possvel regular o momento de disparo do SCR.
Com potencimetro a 0, VG = 0
IG = 0, o SCR no se insere.
Desviando o cursor para o alto, IG aumenta at

que o SCR se insere no valor mximo da V.
Continuando a aumentar IG, o SCR insere-se

com uma tenso andica ainda menor
Aumentando a IG, o SCR se insere a uma tenso
a uma tenso andica mais baixa.
Variando o valor de IG possvel regular o momento de disparo do SCR, desde a metade do semiperodo (90 graus) ao incio (0 grau).
No possvel disparar o SCR para ngulos superiores a 90 porque a tenso senoidal repete os
valores instantneos precedentes.
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Disparo com IG de meia onda

Para o disparo do SCR, a corrente IG pode ser derivada diretamente da tenso de alimentao, atravs
de uma rede de estabilizao e regulao.
No circuito diodo providencia a fazer circular a IG apenas no semi-perodo positivo, a resistncia R1 a

limita quando RV completamente excludo; o reostato regula a corrente de gate e, portanto, o
momento de disparo do SCR.
Com um baixo valor de RV a IG grande,
portanto, o disparo se realiza para baixos valores
de tenso andica.
Com o reostato completamente includo (RV

grande) , a IG pequena pelo que o disparo
realiza-se para altos valores de tenso andica.
O sistema permite o controle de alguns graus, at 90.
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Disparo com rede defasadora de 0 a 180

A fim de controlar o disparo de 0 a 180, utiliza-se um circuito que atrasa a tenso VG em relao
aV.
Examinemos agora o circuito de atraso, que constitudo pela RV, c, d2, referindo-nos ao grfico.
No espao de 180 a 270 D2 polarizado
diretamente (VC = Va ).
De 270 ao ponto x, D2 no conduz, pelo que o
capacitor descarrega-se e carrega-se atravs de
RV.
De x a 270 o diodo torna a conduzir, porque a
tenso do capacitor se torna maior do que a Va.
O circuito no se desfasa quando RV
completamente excludo, (Va = Vc); aumentado
o valor da resistncia, aumenta o tempo de carga
do capacitor e, portanto, o tempo empregado
pela Vc para atingir para atingir o nvel positivo
necessrio para disparar o SCR.
No esquema em exame, o circuito de disparo alimenta-se atravs da carga.
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Quando o diodo controlado conduz, a tenso nas suas extremidades de cerca um volt.
O circuito de disparo, que absorve atravs da
carga uma corrrente desprezvel, resulta,
portanto, alimentado apenas quando o SCR
cortado.
Com este sistema, tem-se a vantagem de reduzir

a IG a valores desprezveis assim que o SCR
disparado, tambm se a tenso de alimentao
contnua a aumentar.
No caso da rede desfasadora, o andamento da

VG
descresce
exponencialmente para a
descarga do capacitor sobre o gate.
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Disparo por impulsos

Nos sistemas precedentes a corrente de gate era ou contnua por semi-ciclo.
Existe um terceiro mtodo de disparo no qual a IG de tipo impulsivo.
O gerador por impulsos um circuito capaz de fornecer a corrente de gate para um momento
(impulso), de valor suficiente para disparar o SCR.
Atrasando o impulso em relao ao inicio do
semi-perodo possvel disparar o SCR em todos
os pontos da semi-onda positiva.
( regulvel de 0 a 180)
Durao suficiente para o disparo
Para que o ngulo de atraso seja constante e preciso necessrio que o circuito gerador de impulsos
inicie o ciclo cada vez que inicia um novo semi-ciclo positivo.
O gerador de impulsos deve ser sincronizado com a tenso de alimentao.
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O impulso fornecido pelo gerador deve ter uma durao mnima superior ao tempo de turn on do
SCR; caso contrrio, o disparo no acontece.
No caso do SCR BTY 87 o turn on de 2,5 s.
A fim de obter um disparo seguro do SCR, usa-se um impulso de amplitude suficiente para dispar-lo
com baixos valores de Va.
O impulso no deve Ter, porm, uma durao excessiva, de outro modo, a potncia mdia
dissipada sobre o gate tomaria valores perigosos para a juno.
Em alguns caso, de modo particular com cargas muito indutivas, para garantir um disparo seguro do
diodo controlado, envia-se sobre o gate uma sucesso de impulsos iguais entre si, o chamado trem de
pulsos
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Testes de Verificao
1) Os construtores de SCR fornecem as duas curvas limite VG = (f) IG porque:
( )
as junes de um SCR so trs
( )
as junes G K de diversos SCR do mesmo tipo so diferentes entre si
( )
os SCR disparam-se apenas sobre as curvas limite
2) No circuito da pg. 2/10, o potencimetro serve para:

( )
regular a tenso gate-catodo
( )
disparar o SCR de 90 a 180
( )
regular a corrente do alimentador
3) Nos sistemas de disparo com IG em contnua, o controle do SCR pode ser:

( )
de 0 a 90
( )
de 90 a 180
( )
de 0 a 180
4) No circuito da pg. 4/10, o defasamento varia de 0 a 180 porque:

( )
um circuito R-C
( )
o diodo D2 carrega C mxima tenso negativa
( )
o reostato regula a corrente do capacitor
5) Nos circuitos de disparo a sincronizao serve para:

( )
manter o sincronismo da Ia com a tenso de alimentao
( )
variar o atraso na corrente de gate
( )
fornecer um atraso constante corrente de gate
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EXERCCIO
Em uma sala cinematogrfica, se deve instalar um sistema de regulao de intensidade luminosa para
20 lmpadas que absorvem 0,6 A cada uma ; examinando-se duas solues de igual custo.
1) Introduo de um reostato de 20.
2) Introduo de um controle com SCR.
Circuito de
disparo
Determinar a economia de potncia sobre o sistema mais vantajoso.
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TRIAC, DIAC, SCS, LASCR, GTO

Generalidades
No que se diz respeito ao controle de potncia em alternada, pelo estudo feito at agora, parece
evidente que a nica soluo possvel seja usufruir da ligao paralela inversa dos SCR.
Dada porm, a particular configurao do circuito, so necessrias duas fontes de impulsos desfasados
entre si de 180.
Para isso, as causas construtoras tentaram simplificar tal circuito realizando um componente de
pequenas dimenses com uma nica entrada de comando mediante impulsos, boas prestaes e baixo
custo.
Este componente se chama TRIAC.
TRIAC
O TRIAC um componente tipo semicondutor (silcio) dotado de trs eletrodos denominados:
ANODO 1, ANODO 2 e GATE.
Pertence famlia dos THYRYSTOR.
Caracterstica andica:
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A figura ilustra a caracterstica tenso corrente de um TRIAC.

Ia = corrente andica
Va = tenso andica
VBO = tenso de Break-over
Ih = corrente de holding
Analisando a caracterstica, nota-se que o triac um dispositivo bidirecional capaz de controlar toda a
sinuside. O sinal de disparo (G-A1) deve ser enviado a cada semi-perodo pois o cmponente se
desinsere espontaneamente quando a Ia passa pelo zero.
O sinal de disparo deve sert sincronizado com a tenso de alimentao; com o anodo 2 positivo em
relao ao anodo 1, a tenso G-A1 deve ser positiva; com o anodo 2 negativo em relao ao anodo 1, a
tenso G-A1 deve ser negativa. Nos triac mais modernos o sinal de disparo tambm pode estar em
oposio tenso do anodo 2, mesmo se neste caso, geralmente deve ser de intensidade maior que no
precedente.
O TRIAC empregado em circuitos de pequena e mdia potncias.
DIAC
O DIAC, o interruptor bi-direcional de silcio, um dispositivo com quatro camadas que possuem a
peculiaridade de funcionar em corrente alternada e de possuir um limite bi-direcional.
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usado normalmente nos circuitos de disparo dos TRIAC.
A caracterstica do diac simtrica e tem dois valores tpicos de tenso de bloqueio (VBR).
Se aplicarmos uma tenso crescente no trecho da OV at VBR, a corrente quase nula; quando a
tenso supera o valor VBR a corrente aumenta bruscamente e a tenso nas extremidades diminui
(resistncia diferencial negativa).
Circuito de aplicao
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Funcionamento:
O circuito R1 P C constitui a rede defasadora pela regulao do ngulo de disparo.
Quando a tenso de carga de C supera o valor da tenso de bloqueio do diac (VBR), o
capacitor se descarrega parcialmente atravs do diac no gate do triac, disparando-o.
Para obter o corte necessrio que a corrente andica desa abaixo do valor de sustentao (Ih).
O circuito R3-C1 constitui a rede de proteo do triac.
Analisemos as formas de onda do circuito em questo:
Componentes especiais da famlia dos Thyristores

S.C.S. (silicon controlled switch)
Os S.C.S. so componentes com quatro camadas, trs junes P-N-P-N como os S.C.S., porm,
dotados de quatro terminais.
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So constitudas por pequenas potncias (alguns watt). Tm a vantagem de suportar um alto v/t
em relao aos S.C.S., ligando o GA tenso positiva atravs de uma apropriada resistncia (de fato,
polarizada em sentido inverso a base do transistor P-N-P).
So tipicamente empregados em aparelhagem de Contagem digital.
L.A.S.C.R. (light activated silicon controlled rectifer).
Na verdade, estes componentes so S.C.R. controlados pela luz onde em lugar do eletrodo
de gate para o disparo eletrnico possui uma lente focalizadora da radiao luminosa.
Tambm neste caso, a resposta espectral estende-se banda visvel e ao infra-vermelho.

GTO (Gate turn off)
O G.T.O. um interruptor esttico a semicondutor (silco), indicado para usos industriais que mais
aproxima como funcionamento a um perfeito interruptor. De fato, possui as vantagendos tiristores e
dos transitores de comutao a alta tenso.
um dispositvo em quatro camadas, trs junes PNPN com tr6es terminais: anodo, catodo e gate.
smbolo G.T.O.
circuito equivalente
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Este dispositivo estruturalmente semelhante a um tiristor normal visto que pode ser levado em
conduo por um impulso positivo aplicado ao gate, mas tambm semelhante ao transitor j que pode
ser levado interdio por um impulso negativo aplicado ao mesmo gate.
As vantagens do G.T.O. so:
-
possibilidade de suportar altas tenses de bloqueio

facilidade de controle e comutao rpida;
baixa corrente rpida;
interdio rpida;
boa caracteristca dV /dT
O dispositivo G.T.O. moderno disponvel nas verses: 1000 V, 1300 V; 1500 V e correntes de 5A.
O seu cdigo comercial BTW58 (PHILIPS).
Funcionamento
O G.T.O. formado por dois transitores complementares interconexos entre si e , portanto, o seu
funcionamento quase idntico ao S.C.R.
Aplicando base do transistor NPN um sinal positivo, este instaura um fenomeno regenerativo
tendente a levar edm breve tempo, ambos os transitores ao mximo da conduo.
Se a corrente de saturao ser suficientemente intensa, o dispositvo poder manter-se
permanentemente no seu estado de conduo.
A diferena do S.C.R, e o G.T.O. estruturado em modo tal que, querendo interdir o seu
funcionamento, basta aplicar uma tenso negativa ao gate.
Estrutura interna do G.T.O.
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Quanto controle deste dispositivo, podemos afirmar que com uma corrente de cerca 100 mA, que
pode ser anulada logo que o G.T.O.alcana a corrente de manuteno, este pode comutar correntes de
5
Graas sua paricular estrutura interna e ao processo de dopagem ouro, tem um baixo tempo de
imagazinamento.
O seu turn-off inferior ao micro segundo, de fato, aplicando uma tenso negativa de 5V ao gate, o
G.T.O. passa zona de no conduo em menos de 0,5 micro segundos.
Circuito de controle
Para obter a caracterstica de nterruptor eletrnico perfeito, como de fato o G.T.O. dado que pode
passar do estado de conduo aquele de interdio em um tempo inferior a 0,5 micro segundo,
necessrio mun-lo de um correto circuito de controle.
Exemplo de circuito de controle e relativa potncia:
Ig de insero = cerca 100 mA

Ig de deseinsero = cerca mA
Va = 25 V
F max = 10 KHZ
Exemplos de aplicao do G.T.O.
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Circuito para o controle da velocidade do motor

C.C.
Circuito para o controle simtrico em alternada.
Aplicaes
Como j visto precedentemente, o G.T.O.sendo quase idntico a um perfeito interruptor, capaz de
comutar rapidamente com tenso de at 1500 Volts e corrente de 5A, pode ser empregado em um
grande nmero de aplicaes, tais como:
Campo industrial
alimedntadores;
acenso eletrnica para vedculos;
inversores para controle de motores c.a.
Eletromsticos
controle velocidade motores para eletrodomsticos

controle potncia nos fornos a micro-ondas;
invertiddores para lmpadas fdluorescentes
Campo rdio/TV
alimentadores
fases finais de faixa
Resumo dados tcnicos do G.T.O. (BTW58)

Valores mximos:
pico repetitivo em condies de bloqueio
corrente de pico direta de trabalho
corrente em condio de conduo c.c.
corrente anodica controlvel
I t para o fusvel t = 10 ms
Dissipao conjunta fino a tdmb = 25
Temperatura juno em condies de trabalho
Resistncia trmica da juno base de
montagem
VDRM max 1500; 1300; 1000 V

ITWM max 6,5 A
IT
max 5 A
ITCM max 25 A
I t
max 12,5 As
P tot max 65W
Tj
Rth
max 120C
jmb 1,5C
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Desenho extrado de SEMICONDUTORES part.2 September 1982 PHILIPS por gentil concesso.
SCRs
TRIACs
SRIE TIC
SRIE TIC 106 SCRs

-
5 A CC
30 V a 400 V
Corrente de pico de 30 A
IGT mximo de 200 A
- Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperaturas de encapsulamento -
100
TIC 106
B
200
TIC 106
C
300
TIC 106
D
400
100
200
300
400
TIC 106 A
tenso de pico repetitiva, c/ SCR
desativado VDRM (nota 1)
Tenso reversa de pico, repetitiva
VRRM
corrente contnua, c/ SCR operado, a
80C (ou abaixo) no encapsulamento
(nota 2)
corrente mdia, c/ SCR operado,
(ngulo de conduo 180) a 80C
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UNIDADE
V
V
3,2
(ou abaixo) no encapsulamento (nota

3)
corrente de pico, c/ SCR operado
(nota 4)
corrente de pico positivo de gate
(largura de pulso 300s)
pico de dissipao de potncia de
gate (largura de pulso 300s)
30
0,2
1,3
dissipao mdia de potncia de gate

(nota 5)
0,3
faixa
de
temperatura
de
-40 a 110
C
encapsulamento, c/ SCR operado
faixa
de
temperatura
de
-40 a 125
C
armazenagem
temperatura dos terminais, a 1,5 mm
230
C
do encapsulamento, por 10 s
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos quando a resistncia catodo-gate for RGK = 1k
2. Esses valores so vlidos para operao contnua em CC,C / carga resistiva
3. Este valor pode ser aplicado continuamente sob uma meia onda de 60 Hz, c/ carga resistiva
4. Este valor vlido para uma meia onda senoidal de 60 Hz, quando o dispositvo estiver
operando c/ os valores (ou abaixo deles) dados de tenso reversa de pico e corrente de operao
5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms.
Caractersticas eltricas a 25C (temperatura do encapsulamento)
MIN
TPICO
MAX
400
1
UNID
A
mA
60
200
1,2
mA
1,7
10
V/s
IDRM corrente de pico repetitiva, c/SCR desativado

IRRM corrente reversa de pico, repetitiva
IGT corrente de gatilhamento de gate
VGT tenso de gatilhamento de gate
IH corrente de reteno
VTM tenso de pico, em operao
dv/dt taxa crtica de subida de tenso (SCR
desativado)
Caractersticas trmicas
RQJC - resistncia trmica juno-encapsulamento
RQJA resistncia trmica juno-ambiente
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MX.
3,5
6,25
UNIDADE
C/W
C/W
SRIES TIC 116, TIC 126 SCRs

-
8 A 12 A CC
50 V A 600 V
Corrente de pico de 80 A e 100 A
IGT mximo de 20 mA
-
Valores mximos absolutos ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento

TIC 116
TIC 126
UNID
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
12
tenso de pico repetiva, c/ SCR desativado SUFIXO F

VDRM (nota 1)
SUFIXO A
SUFIXO B
SUFIXO C
SUFIXO D
SUFIXO E
SUFIXO
M
tenso reversa de pico, repetitiva VRRM
SUFIXO F
SUFIXO A
SUFIXO B
SUFIXO C
SUFIXO D
SUFIXO E
SUFIXO
M
corrente contnua, c/ SCR operado, a 70C
(ou abaixo) no encapsulamento (nota 2)
SRIE TIC 226B, 226D TRIACS

-
8 A RMS
200 V A 400 V
aplicaes em alta temperatura, alta corrente e alta
tenso
- dv/dt tpico de 500 V/s a 25C
- Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento
UNIDADE
TIC 226B
200
tenso de pico repetitiva, com o TRIAC desativado (nota 1)
V
TIC 226D
400
corrente RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo
8
A
de) 85C no encapsulamento (nota 2) IT (RMS)
corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3)
70
corrente de pico em operao, senide meia onda ITSM (nota
80
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4)
corrente de pico de gate - IGM
1
A
pico de dissipao em potncia de gate PGM, a (ou abaixo de)
2,2
W
85C no encapsulamento (larg. de pulso 200s)
dissipao em potncia, mdia , de gate, PG (av), a (ou abaixo
0,9
W
de) C no encapsulamento (nota 5)
faixa de temperatura do encapsulamento, em operao
-40 a 110
C
faixa de temperatura de armazenagem
-40 a 125
C
Temperatura dos terminais a 1,5 mm do encapsulamento, por 10 s
230
C
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o
terminal principal 1.
2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva.
3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando dispositivo estiver
operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao.
4. O mesmo que a nota 3, porm com senide meia onda.
5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms.
Caractersticas eltricas a 25C de temperatura do encapsulamento
MIN.
TPICO
IDRM corrente de pico repetitiva, com o TRIAC
desativado
15
-25
0,9
-1,2
IGTM corrente de pico de gatilhamento de gate

VGTM tenso de pico de gatilhamento de gate
20
-30
30
-40
IH corrente de reteno
IL corrente de Iatching
dv/dt taxa crtica de subida da tenso, com
TRIAC desativado
dv/dt taxa crtica de subida da tenso de
comutao
500
MAX.
UNID.
mA
50
-50
2,5
-2,5
2,1
60
-60
70
-70
mA
V
V
mA
mA
V/ s
V/ s
RQJC resistncia trmica juno-encapsulamento
SRIE
TIC
TRIACS
-
236
12 A e 16 A
200 V e 400 V
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MAX.
1,8
62,5
UNID.
C/W
C/W
Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento

UNIDADE
tenso de pico repetiva, com o TRIAC desativado (nota 1)
B
D
200
400
corrente de RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo

de) 70C no encapsulamento (nota 2 ) IT (RMS)
corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3)
12
100
corrente de pico de gate - IGM
faixa de temperaturas do encapsulamento, em operao
-40 a 110
faixa de temperaturas de armazenagem
-40 a 125
230
temperatura dos terminais a 1,5 mm do encapsulamento.
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o
terminal principal 1.
2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva.
3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando o dispositivo estiver
operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao.
Caractersticas eltricas a 25 C de temperatura do encapsulamento
MIN.
IIDRM corrente de pico repetiva, com o TRIAC
desativado
IGTM corrente de pico de gatilhamento de gate
15
-25
1,2
-1,2
VGTM tenso de pico de gatilhamento de gate

TPICO
MAX.
UNID.
mA
50
-50
2,5
-2,5
2,1
V
V
IH - corrente de reteno
50
-50
IL corrente de Iatching
mA
20
-20
mA
mA
RQJC
resistncia
trmica
junoencapsulamento
MX.
UNID.
C/W
62,5
C/W
Definio e aplicaes dos tiristores componentes gatilhados

TIRISTOR: Mecanismo semi-condutor biestvel, que pode chavear entre estado aberto ou fechado.
Este pode encontrar em 03 ou mais junes, e so unidirecionais, bidirecionais ou
condio reversa.
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FLD: Tiristor de bloqueio reverso de comutao de 02 terminais, 04 camadas, com caracterstica de

baixa tenso no estado de saturao. Seus usos incluem aplicaes em triggering, limitador de
tenso, circuitos temporizados e pulsos.
DAC: DIAC TIRISTOR DE COMUTAO, 02 terminais, 03 camadas, bidirecional com
caractersticas de resistncia negativa, abrange sobre a maioria das completas
faixas de operao de corrente acima da corrente de comutao (IS); suas
aplicaes so em triggering, controle de fase e circuito limitador de tenso.
PUT: TRANSISTOR DE UNIJUNO PROGRAMVEL, a 03 terminais, 04 camadas, tiristor de
bloqueio reverso, com gate no anodo o qual controla o nvel de tenso do equipamento. Sua
principal aplicao de substituir o unijuno em longo intervalo de tempo, controle de fase e
osciladores de relaxao.
SAS: COMUTADOR ASSIMTRICO DE SILCIO, a 03 terminais, bidirecional tiristor integrado
com caractersticas de comutao assimtrica determinada por um gate controlador (Indutor) de
nvel. Suas aplicaes incluem, controle de iluminao, triggering e circuitos discriminador de
pulsos.
SAT: TRIGGER ASSIMTRICO DE SILCIO, a 02 terminais, bidirecionais integrado no circuito,
tiristor de caracterstica de comutao assimtrica. usado incluindo aplicaes em redutores
de luz e outros circuitos onde importante a iluminao dos efeitos de histerese.
SBS: COMUTADOR DE SILCIO BILATERAL, com 03 terminais, bidirecional, tiristor de
circuito integrado com caracterstica de comutao simtrica determinadas por um gate
controlador de nvel. Suas aplicaes incluem detetor de limites triggering, e limitado de tenso
em circuitos A.C.
SUS: COMUTADOR UNILATERAL DE SILCIO, a 03 terminais, multicamadas, tiristor de
gatilho com bloqueio reverso. O terminal gate anodo determina o nvel de tenso na comutao
direta. Suas aplicaes incluem temporizados, triggering e circuito detetor de limite.
COMPONENTES DE POTNCIA
GTO: TIRISTOR DE DESLIGAMENTO PELO GATE, 03 terminais, 04 camadas, bloqueio de

reverso do tiristor no qual pode ser ligado com a tenso positiva no gate e desligado com
tenso negativa no gate. Suas aplicaes incluem como inversor gerador de pulsos, tosador e
circuito comutador em C.C.
LAS: COMUTADOR ATIVADO LUZ, 04 camadas, 03 terminais. Tiristor com bloqueio de
reverso, pode ser ligado por um excesso de luz, que tem um nvel mnimo determinado pela
corrente de gate. Suas aplicaes incluem comando fotoeletivo, monitorador de posies,
acoplamento de luz e circuitos triggering.
NGT: TIRISTOR DE GATE NEGATIVO, 03 terminais, multicamadas, engatilhamento com tenso
negativa. So incluidos na categoria de gates de distribuio amplificada. Por que seu gate
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requer tenso negativa. Suas aplicaes incluem inversor de alta frequncia, tosador, circuito
controlador de potncia.
RCT: TIRISTOR DE CONDUO REVERSA, 03 terminais, multicamadas, tiristor de conduo
reversa com tenso positiva do gate e larga conduo de corrente com sentido reverso. Seus
usos incluem aplicaes em comando eletroluminescente e circuitos de comutao
bidirecional A.C.
SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO, 03 terminais, 04 camadas, tiristor de
bloqueio reverso, tenso positiva no gate. Seus usos incluem aplicaes em controle de fase,
inversor, tosador, modulador de pulso e circuito de comutao esttica.
SCA: UNIDADE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificador de unidades que
incluem um condicionamento completo (ligao, refrigerao) para sistemas que requerem
controle de alta potncia.
SCB: PONTE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificados como mecanismo de
ponte que incluem os SCR que so as unidades controladoras mais importantes. A ponte
bsica inclui arranjos simples e componentes trifsicos com diferentes controles de arranjos.
Seus usos incluem simples retificao e multifases e controlador de motores, carregadores de
bateria e inversores de potncia.
SCS: COMUTADOR CONTROLADO DE SILCIO, 04 terminais, 04 camadas, tiristor de bloqueio

reverso que pode ser gatilhado com tenso positiva aplicado ao gate catodo (P-gate) ou tenso
negativa aplicada ao gate anodo (N-gate). Suas aplicaes incluem controlador de iluminao,
contadores, alarmes, e circuitos contrladores.
TAC: TRIAC: 03 terminais, multicamadas, tiristor bidirecional com capacidade de ligao com 04
quadrantes no gate (a tenso negativa ou positiva do gate relativa ao terminal
principal). Suas aplicaes incluem em comutao e controlador de fase de
circuitos de potncia A.C.
EXPLICAES DAS CARACTERSTICAS E CATEGORIAS
As caractersticas e classificaes mostram estas no geral para os casos de piores condies. Esta
abordagem permite ao leitor comparar e selecionar os componentes cujas caractersticas so expostas
seguir para uma mxima condio de operao. A nica exceo VDRM (mxima tenso repetitiva
em off-state) que dado sobre uma faixa de operao de temperatura.
di/dt (classificao): Crtica taxa de conduo de corrente em on-state (AMP/SEC). Mximo aumento
da taxa de corrente que o tiristor pode resistir sem ser danificado.
dv/dt (comutao): Taxa crtica de comutao de tenso. A menor taxa do aumento da tenso
principal do tiristor que garante que o tiristor ir desligar quando a tenso
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principal polarizada resersamente seguindo a condio ON-STATE,

normalmente medida a 20 graus.
dv/dt (fixo): Taxa crtica de aumento de tenso para a condio de OFF-STATE. A menor taxa de
aumento da tenso principal que ir comutar o tiristor ligado, geralmente medida a
25C.
VT @ IT: TENSO DE INTERRUPO (Volts). A diferena entre a tenso de comutao e
tenso de on-state medida para especificada corrente, geralmente 25C. Os Diacs so
geralmente especificados neste caminho desde que estes valores representem a tenso
capaz de acionar este componente numa regio de resistncia negativa.
Et: GATILHO DE ILUMINAO (DENSIDADE LUMINOSA OU LUX) o fluxo de luz por

unidade de rea insidente requerida do gatilho do tiristor. Os valores dados so tpicos desde que
a sensibilidade do gatilho seja influenciada da tenso de anodo para catodo (VAK) o gate do
resistor (RGK) e a temperatura de operao.
Het: IRRADIAO EFETIVA DO GATILHO, (Watts/cm2 ou Watts/ft2) a irradiao (poder de
irradiao por unidade incidente de rea) requerida de um gatilho LAS. Os valores dados so
tpicos desde que a sensibilidade do gatilho seja influenciada pela tenso anodo catodo (VAK),
o gate do resistor (RGK) e a temperatura de operao.
IcT: GATILHO DE CORRENTE N-GATE (AMP): A corrente negativa do comutador de silcio
controlado requerida para comutao do tiristor para ON-STATE, geralmente medida a 25C.
ID @ Tref: CORRENTE OFF-STATE (AMP): A corrente principal conduzida atravs do tiristor
quando a condio de OFF-STATE est especificada referente a temperatura,
normalmente medida a VDRM.
IGO: CORRENTE TURN-OFF DE GATE (AMP): A corrente de gate negativa requerida para
comutao de TURN-OFF a gate TURN-OFF, medida especificada na corrente principal
geralmente a 25C.
IGT: CORRENTE DE GATILHAMENTO DO GATE. (AMP). A mxima corrente de gate
requerida para comutar o tiristor no estado ON, geralmente medida a 25C. Seus valores
positivos para tiristores P-Gate e negativo para tiristor N-Gate.
IH: CORRENTE DE RETENO (AMP): A corrente requerida para manter o tiristor em ONSTATE normalmente medida a 25C.
IL: CORRENTE DE ENGATAMENTO (AMP): Corrente requerida para sustentar a condio de
ON-STATE imediatamente aps o componente ter sido comutado para a condio ON-STATE,
e a tenso de gate removida, geralmente medida a 25C.
Ip: PONTO DE PICO DA CORRENTE (AMP); A mxima corrente andica (No PUT) at o ponto
de pico onde dVAK/dt = O
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IR: CORRENTE REVERSA (AMP Tref Vrrm): A principal corrente conduzida atravs do tiristor de
bloqueio reverso at uma especfica temperatura requerida, geralmente medida a 25C.
Is @ Vs: CORRENTE DE COMUTAO (AMP): A corrente principal conduzida atravs do
gatilho do tiristor, medida na tenso de comutao, medida a 25C.
IT @ Tref: CORRENTE ESTTICA EM ON-STATE: A mxima corrente contnua em ONSTATE que o tiristor poder operar, especificada a uma temperatura especfica
referida.
It (AV) @ Tref: CORRENTE MDIA DE MEIA ONDA EM ON-STATE (AMP): A mxima
corrente mdia em ON-STATE a que o tiristor poder operar a uma temperatura
referente especificada. Para bloqueio reverso e na conduo dos tiristores estes
valores so especificados para um ngulo de conduo de 180C; para tiristores
bidirecionais a corrente mdia raramente especificada.
ITRM:
MXIMA CORRENTE REPETITIVA EM ON-STATE (AMP): A corrente

caracterstica do tiristor, medida a uma temperatura referente especificada, veloz pulso
retangular e taxa de repetio. Este determina a capacidade de comando do componente a
baixo do estado de conduo seguro.
IT (RMS) @ Tref: CORRENTE RMS ON-STATE: A mxima corrente RMS (ON-STATE) que o
tiristor ir operar especificadamente a uma temperatura especfica referente.
Para bloqueio reverso ou conduo dos tiristores estes valores so
especificados para conduo de um ngulo de 180C. Para tiristores
bidirecionais, estes valores so especificados para 360C.
ISTM: SOBRE CORRENTE (AMP): Uma corrente caracterstica no repetitiva do tiristor
geralmente medida a 25C. Para bloqueio reverso e tiristor em conduo estes valores so
geralmente medidos em meio ciclo aplicando uma tenso de meia onda atravs dos terminais
principais do componente.
Para tiristores de potncia bidirecional estes valores so geralmente medidos em onda
completa aplicando tenso de meia onda atravs do componente.
Para o gatilho dos tiristores estes valores so medidos em um pulso retangular veloz
especificado.
IV: CORRENTE NO PONTO DE VALE (AMP): A corrente andica (no Put) no ponto de vale
onde dvak/dt = O
tgt: TEMPO DE LIGAO DO GATILHO CONTROLADOR Tempo requerido para ligao do
tiristor de potncia, medida a uma corrente especificada do ponto de pulso frontal no gate, para
apontar a corrente principal ou pulso de frente da tenso, durante o intervalo que o tiristor est
ligado, geralmente medido a 25, porque os testes necessitariam de condies extensidade
durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados.
TON: TEMPO DE CHAVEAMENTO P/ ON (SEC). O tempo requerido para ligao do gatilho do
tiristor medido a um ponto de inicializao principal do pulso de tenso frontal a um ponto de
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pulso de corrente frontal de sada, normalmente medida a 25C. Porque os testes necessitaram
de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados.
tq: TEMPO PARA O CIRCUITO CHAVEAR PARA OFF. Tempo requerido para desligamento
do tiristor medido uma corrente especificada, de um tempo de reduo da tenso a zero para o
tempo em que o tiristor capaz de suportar a tenso principal sem disparar-se, geralmente medida
a 25C. porque os testes necessitam de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos
so geralmente especificados.
VcT: TENSO DE GATILHO N-GATE. a tenso negativa que o comutador de silcio controlado
(SCS) necessita para o disparo do tiristor, geralmente medida a 25C esta tenso referenciada
no anodo.
VD: TENSO CONTNUA DE BLOQUEIO. a mxima tenso contnua que o tiristor ir operar.
VDRM: TENSO DE PICO REPETITIVA EM OFF-STATE (Volt): Determina acima da faixa de
temperatura. A mxima tenso instatnea repetitiva que o tiristor ir operar por quadrante
de comutao. Especificado para equipamentos com disparo-gate. A menos que notado
pelo smbolo, o valor especificado cm o gate aberto.
VGQ: TENSO DE GATE PARA TURN-OFF: A tenso negativa do gate, referenciada no catodo
requerida de Turn-off do gate para Turn-off comutao, medida especificada por uma
corrente principal; geralmente a 25C.
VGT: TENSO DE ENGATILHAMENTO DO GATE A tenso requerida para comutar o tiristor
em ON-STATE. Geralmente medida a 25C. Estes valores so positivos (referenciados no
catodo) para tiristores com P-GATE, e negativos (referenciados no catodo) para tiristores NGATE. Para tiristores triodos bidirecionais estes valores podem ser ambos positivos ou
negativos.
VP-VR: TENSO DE OFFSET: A diferena da mnima tenso (no P.U.T.) entre o ponto de pico da
tenso de comutao e a tenso de referncia entre gate-catodo.
VRRM: MXIMA TENSO REVERSA REPETITIVA: A mxima tenso repetitiva que o tiristor
de bloqueio reverso poder operar em sentido reverso.
VS: TENSO DE COMUTAO: a tenso atravs do gatilho tiristor no ponto em que a
resistncia diferencial zero. Geralmente medida a 25C. tambm chamada VBO.
VT @ IT: TENSO DE ON-STATE: o princpio de tenso atravs do tiristor medida a corrente
especfica, normalmente a 25C, a menos que messa em outra temperatura. Para
equipamentos de potncia estas medies so geralmente determinadas com corrente de
meia-onda, e com valores de picos indicados.
Para equipamentos trigger de disparo estas medies so especificadas com tenso
pulsativa a menos que se faa de outra maneira.
Pgina 151 de 158
Circuitos Integrados
Notas tecnolgicas
Um circuito integrado constitudo por uma chapa, chamada chip, de cristal de silcio, com cerca
1mm2 de seo, que comtm elementos ativos e passivos e respectivas ligaes.
Estes circuitos so realizados mediante os mesmos processos utilizados para produzir dodos e
transistores.
Isso permite uma excelente repetio e se adapta produo de um grande nmero de peas a baixo
custo. As principais vantagens que derivam desta tecnologia so o enorme grau de confiabilidade, a
reduo das dimenses e o baixo custo, comparvel ao preo que custaria o circuito se tivesse sido
realizado mediante elementos discretos interligados segundo as tcnicas tradicionais.
Na figura representado um simples circuito integrado, o qual contm os componentes tpicos: um

resistor, um dodo e um transistor.
Observa-se na figura que a pequena chapa de silcio do suporte contm diversas zonas dopadas N eP,
portanto, muitas junes NP. Utilizando as junes se obtm diodos, transistores e capacitores de
pequena capacidade, utilizando a capacidade apresentada pela juno quando polarizada
inversamente.
Para as resistncias utiliza-se a condutabilidade extrnseca do semi-condutor (que varia com a
dopagem), como ilustrado na figura.
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Resistor Monoltico
O isolamento entre os vrios componentes se obtm polarizando inversamente a juno constituda
pelo suporte (P) e pelo material (N) do componente.
A tcnica dos circuitos integrados permite realizar mais convenientemente os transistores do que as
resistncias ou capacitores, e por este motivo que os circuitos eletrnicos integrados so projetados
com critrios diferentes daqueles adotados para os componentes discretos.
Tipos e famlias
No comrcio existe uma grande variedade de circuitos integrados; na tabela seguinte indicada a
subdiviso dos componentes mais frequentemente empregados:
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Como para os circuitos tradicionais, possvel distinguir os integrados em digitais e lineares.

Os digitais so circuitos lgicos que trabalham com apenas dois nveis de sinal, um alto e um baixo.
Os lineares ou analgicos so aqueles nos quais existe em geral uma relao de proporcionalidades
entre o sinal de entrada e o de sada.
Os circuitos digitais integrados so subdivididos em funo do nmero dos componentes integrados
que contm
Os SSI (Short Scale Integration pequena escala de integrao) contm algumas dezenas de portas
lgicas equivalentes.
Os MSI (Medium Scale Integration) contm algumas centenas de portas lgicas equivalentes.
Os LSI (Large Ecale Integration laga escala de integrao) contm milhares de portas lgicas
equivalentes e, portanto, inteiros circuitos complexos, por exemplo: um micro-processador.
Os circuitos integrados digitais so ainda subdividos em famlias, em relao aos componentes que
utilizam e s particularidades que distingue: os determinados grupos.
As famlias mais importantes dos circuitos lgicos so;
RTL - Resistor transistor logic
DL - Diod logic
DTL - Diode transistor logic
TTL - Transistor transistor logic
ECL - emiter coupled logic
MOS - Circuitos integrados com tecnoloa MOS
CMOS - Circuitos integrados com tecnologia complementar MOS
I2L - Integrated injection logic
Nos circuitos integrados lineares encontramos o grupo dos amplificadores, que podem ser de tipo
operacional ou estudados para baixas frequncias e tambm pr-amplificadores e finais de potncia
(at algumas dezenas de W).
Ainda entre os lineares, existe uma gama de circuitos integrados especiais que so mdulos com
funes muito variadas:
-
mdulos para alimentadores estabilizados com tenso fixa e varivel

mdulos para partidas de SCRouTRIAC
mdulos para televisores, etc.
O circuito integrado visto como mdulo

Observe-se a verso integrada de um j-k flip-flop da famlia RTL; pelo exame do modo bastante
difcil reconhecer os componentes.
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No esuema abaixo indicado se representa o circuito correspondente e ao lado respectivo esquema

lgico:
O estudo deste circuito relativamente simples (SSI), resulta j em dificuldade, pois mais evidente a
interpretao do esquema lgico; o mesmo esquema simplificado pelo smbolo do J-K flip-flop.
Pgina 155 de 158
Normalmente, para interpretar esquemas realizados com os circuitos; o mesmo vem a ser assim
considerado como um MDULO (caixa fechada com funo definida) e importante reconhecer os
terminais e as respectivas funes.
Invlucros
Para os circuitos integrados usam-se invlucros em resina, de cermica ou metlicos, geralmente com
muitos contatos.
Invlucro tipo DUAL IN-LINE PACKAGE
(DIP). Existem muitas verses com diverso
nmero de ligaes. Exemplo: 6 8-4-16-24-2840. Com mens de 14 ligaes cahamado mini
DIP. O DIP atualmente o mais usado.
Invlucro tipo METAL CAN pode ser tambm

de 10 ou 12 contatos.
particularmente utilizado nos amplificadores
operacionais
Invlucro tipo FLATPACK com 24 ligaes

placadas em ouro (profissional)
Invlucro tipo CERPAK com 16 ligaes

placadas em ouro (profissional)
Pgina 156 de 158
Invlucro tipo POWER PACKAGE; so

utilizados para amplificadores de potncia, tm
alheta de resfriamento
N.B As dimenses so em polegadas
Pgina 157 de 158
Testes de verificao
1) uma das principais vantagens dos circuitos integrados :

(
(
(
(
)
)
)
)
Individualizao dos componentes no chip

Boa dissipao de potncia
Elevada confiabilidade
Simplicidade dos processos tecnolgicos
2) com a tecnologia utilizada para realizar os circuitos integrados mais fcil obter:
(
(
(
(
)
)
)
)
Transistores
Resistncias
Capacitores
Bobinas
3) Os circuitos integrados muito complexos so de tipo:

(
(
(
(
)
)
)
)
TTL
SSI
MSI
LSI
4) Os amplificadores operacionais so circuitos:

(
(
(
(
)
)
)
)
Da famlia TTL
Da famlia MOS
Digitais
Lineares
5) O invlucro METAL CAN particularmente usadp para:

(
(
(
(
)
)
)
)
Amplificadores de potncia
Amplificadores operacionais
Mdulos para TV
Circuitos lgicos
Pgina 158 de 158

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Eltrica

APLICAES E ESQUEMA COM TRANSISTORES FETS ........................................................................................................ 108

As resistncias podem ser subdivididas no seguinte modo:

Resistor esmaltado. A. Terminal estanhado; B. Revestimento em tinta vidrosa; C. Enrolamento; D.

Onde: R a resistncia do fio

(r) uma constante intrnseca ao material de que feito o fio

Existem potencimetros semi-fixos de potncia muito pequena chamados Trimmer potenciomtricos

POTENCIMETRO LOGARTMICO (1 M .B)

Cdigo de cores para resistores

Para identificar o valor destas resistncias usa-se o

Sem o IV anel a tolerncia de + 20%

Resistores sensveis temperatura

Os N.T.C. so construdos para valores

Caractersticas de funcionamento do N.T.C.

Resistores sensveis a variaes de tenso

Resistores sensveis s solicitaes mecnicas

Resistores sensveis intensidade luminosa (Foto-resistores)

So usados nos circuitos conta-peas, antifurtos, interruptores crepusculares, exposmetros,

1) O termistor um componente sensvel s variaes de:

3) Para assinalar as solicitaes mecnicas sobre uma carroceira em prova usa-se:

2) O CAPACITOR PERMANECE CARREGADO

O capacitor um elemento capaz de acumular cargas eltricas e de devolv-las em um segundo tempo

Esquematicamente, os capacitores podem ser assim representados:

Capacitores de papel ou polister

CONSTITUIO DE UM CAPACITOR DE CERMICA

Capacitores eletrolticos de alumnio

Capacitores eletrolticos de tntalo

PARA OS CAPACITORES ELETROLTICOS:

A escolha do tipo de programa em um rdio se obtm atravs um comando de sintonia.

Nestes tipos de capacitores, se obtm a variao da capacitncia diminuindo ou aumentando a

Capacitores ou trimmer capacitor

So usados em calibraes e regulagens que devem permanecer fixas no ponto alcanado.

Cdigos de cores para os capacitores

Esquematicamente, tais elementos so assim representados:

Indutores com ncleo magntico

O indutor ou indutncia um elemento capaz de acumular energia eletromagntica e de

So constitudos por um condutor de cobre de

Indutores com ncleo magntico

Com ncleo magntico fixo

Os indutores com ncleo magntico varivel, so empregados em circuitos rdio recepto-transmissores

Indutores com ncleo magntico varivel

Indut. mnima: 55H

So formadas do mesmo modo

2) Os indutores com enrolamento toroidal so:

3) Os indutores com ncleo magntico pode Ter:

4) Os indutores com espiral retangular so usados preferencialmente:

5) A ilustrao acima representa:

Existe, no entanto, uma terceira categoria de materiais: os SEMICONDUTORES. Esses possuem

Diz-se SEMI-CONDUTOR DE TIPO

Diz-se SEMI-CONDUTOR DE TIPO N se

No cristal chama-se PORTADORES

No instante em que se conclui a dopagem, na zona de juno, sucedem os seguintes fenmenos:

O aumento da barreira de Potencial,

Distinguem-se dois casos:

O componente alimentado com a

Se uma juno P-N polarizada inversamente:

A JUNO CONDUZ EXCLUSIVAMENTE SE FOR POLARIZADA

Efeito capacitivo da juno

N.B.: Durante a polarizao direta da

Na figura, a barreira de potencial :

__facilmente supervel pelos eltrons

Assinalar o circuito equivalente exato de uma juno polarizada inversamente