Tema 3: Exceso de portadores en semiconductores

FIS IC A D EL ES TA D O
S O LID O
2015

Eduardo J. Ricciardi

IN D IC E
A- Desviacin del equilibrio.
B- Difusin de portadores de carga.
C- Transporte por arrastre y difusin.
D- El Experimento de Haynes-Shockley.

Eduardo J. Ricciardi

Desviacin del equilibrio.

Hemos visto que en el equilibrio trmico la concentracin de portadores de carga
satisfacen la Ley de accin de masas:
n0 p0 ni 2 (T )

Cuando la concentracin de electrones y huecos, n y p, difieren de sus valores de

equilibrio y , podemos escribir:
n n0 n

Y:

p p0 p

n y p se denominan densidades exceso de electrones y huecos respectivamente,

pudiendo ser positivos (que indica un exceso de portadores de carga) o negativos (que
significa un defecto de tales portadores).

La ecuacin de neutralidad de cargas es:

n N A p ND

Pero ante una desviacin del equilibrio resulta:

n0 N A n p0 N D p

Y como sabemos que:

n0 N A p0 N D

se concluye que la neutralidad se mantiene para cualquier exceso de portadores y

debe ser:
n p

Esto se conoce como condicin de cuasineutralidad .

A menudo nos referiremos a la densidad exceso y se entiende que al hablar de

exceso electrones tambin lo hacemos respecto de los huecos ya que se generan o
recombinan por pares.
Hay varias formas de hacer que la densidad de portadores se desve de sus valores
de equilibrio. El mtodo ms comn e importante utiliza contactos convenientemente
polarizados metal-semiconductor en junturas p-n.
El proceso por el cual se produce un exceso positivo es denominado inyeccin de
portadores mientras que el proceso que produce excesos de densidades negativos
se llama extraccin de portadores.
Los trminos positivo y negativo significan que se produce un incremento o un
decremento de la densidad respecto de su valor de equilibrio y no representan de
ninguna manera un cambio en el signo de las cargas.

Inyeccin de portadores
en materiales
extrnsecos
Dado que el exceso de portadores es inyectado por pares los efectos de la
inyeccin sern observados primero en la densidad de portadores minoritarios.
Si la inyeccin es lo suficientemente pequea como para que no tenga
esencialmente efecto en la densidad de portadores mayoritarios (incluso aunque
que se aumente la densidad de portadores minoritarios excesivamente) decimos
que tenemos un bajo nivel de inyeccin.
Cuando esta inyeccin es suficientemente fuerte como para que cause un
incremento importante en la densidad de portadores mayoritarios se dice que una
inyeccin de alto nivel tiene lugar.

Otro mtodo comn para generar exceso de portadores es el ptico o tambin

llamado Fotogeneracin.
Si un semiconductor es iluminado con radiacin que satisface la condicin de
absorcin interbanda hg se producir un par electrn-hueco. Lgicamente
que este mtodo solamente causa inyeccin de portadores.
Siempre que se perturbe el equilibrio de alguna manera, tal como causar una
inyeccin o extraccin de portadores, el producto electrn-hueco cambia el
valor de equilibrio de ni2 . Para ser ms explcitos, durante la inyeccin
tendremos:
pn ni2

mientras que durante la extraccin ser:

pn ni2
Una vez que el estmulo externo es removido, el mecanismo por el que se
vuelve a la condicin de equilibrio es la generacin y recombinacin.

Hemos descripto el proceso de generacin trmica como la ruptura espontnea de los

enlaces covalentes debido a las vibraciones trmicas aleatorias de la estructura
cristalina. Esta descripcin es exacta y la tasa de generacin trmica depende
nicamente del ancho de la banda prohibida y de la temperatura.
La tasa de generacin es independiente de las cantidades p y n excepto para
extremadamente altas densidades de portadores mviles (>1019 cm-3 ).
Para que ocurra la recombinacin, por otro lado, debe haber algunos electrones y
huecos y ellos deben encontrarse para entonces recombinarse. Queda claro que este
proceso S depende de la concentracin.
Llamemos r a la razn de recombinacin en pares/cm3/seg, podemos escribir como
una primera aproximacin que:

r Apn
donde A es una constante de proporcionalidad que depende de la temperatura y de
parmetros del material.

Podemos rescribir la ecuacin anterior como:

r A p0 n0 p0 n n0 p np

podemos ignorar el trmino np ; y en los materiales extrnsecos podemos

ignorar tambin los respectivos n0p y p0n de lo que resulta:

r Ap0 n0 Ap0 n
(material tipo

Pero resulta que

p)

r Ap0 n0 An0 p
(material tipo n)

es justamente la tasa de recombinacin en equilibrio:

Entonces podemos decir que cuando se produce una desviacin del equilibrio
obtenemos una tasa de recombinacin de exceso
dada por:

Y es este exceso de recombinacin el que nos devuelve a la condicin de

equilibrio

Puesto que las cantidades

convencional escribir:

An0

Ap0

tienen unidades de 1/tiempo, es

donde es llamado vida media de los portadores exceso y es un parmetro que vara
ampliamente con la pureza local y la perfeccin del cristal en cuestin como as tambin
con la temperatura. Los valores tpicos para a temperatura ambiente estn en el rango
de 10 -9 a 10 -4 segundos.
Notemos que como hemos supuesto la cuasineutralidad,
escribir igualmente:

entonces podemos

Y estas ecuaciones pueden ser utilizadas ahora para calcular el decaimiento de las
densidades exceso luego que es removido el estmulo externo.

Un ejemplo:
Supongamos que iluminamos un semiconductor para generar un exceso de portadores. Lo
hacemos con una energa:

Al quitar la excitacin habr una densidad exceso n(0) y una tasa de recombinacin de
exceso dada por:

Y podemos poner entonces que:

que nos da:

Esto nos dice que la densidad exceso decae exponencialmente con un tiempo
caracterstico .

n(0)
El valor inicial
de la expresin anterior, puede ser fcilmente calculado si se
conoce la tasa de generacin externa debido a la iluminacin efectuada y si esa
iluminacin se ha efectuado el tiempo suficiente como para llegar al estado
estacionario antes de t = 0.
Entonces se puede comparar la tasa de generacin externa con la tasa de
recombinacin neta, es decir:

g ext R

n(0)

Y entonces, reemplazando nos queda:

n(0) g ext

Difusin de portadores de carga

La difusin es el movimiento aleatorio, errtico de
las partculas libres como consecuencia de su
energa trmica. Si pudisemos seguir la trayectoria
de una molcula de Nitrgeno en el aire, una
molcula de agua en un vaso lleno o un electrn en
un semiconductor, por ejemplo, veramos que el
camino recorrido se parece al de la Figura 1.

La energa trmica en un sistema est aleatoriamente distribuida entre las partculas

dndole a cada una de ellas una velocidad trmica promedio.
Con este movimiento al azar, cada partcula tiene acceso a todo el volumen del sistema
y puede, eventualmente, recorrer errticamente cualquier elemento de volumen dado.
Si el sistema es totalmente uniforme (uniforme en cuanto a temperatura, presin y
concentraciones de partculas) claramente no hay un movimiento neto en alguna
direccin y tampoco un flujo o corriente neta de partculas.

Si agitamos la caja vigorosamente para simular el

movimiento
trmico,
las
bolitas
se movern
aleatoriamente teniendo cada una la misma probabilidad
de moverse hacia la derecha o la izquierda.

Queda claro que la difusin causar un flujo neto de bolitas blancas hacia la derecha y
negras hacia la izquierda. Finalmente las bolitas quedarn tan entremezcladas que no
habr gradiente de concentracin de ninguna especie. Si continuamos sacudiendo la caja
una vez que el gradiente de concentracin desapareci, podra, en principio, reaparecer
brevemente este gradiente o restaurar el sistema a la condicin inicial.
Pero la segunda ley de la Termodinmica (para no mencionar el sentido comn) nos
asegura que tal secuencia sera muy, muy poco probable de ocurrir como resultado de un
movimiento al azar.

En consecuencia, una vez que el gradiente de concentracin desapareci, no tenemos flujo

neto de ninguna especie. Estas ideas se resumen en la Primera Ley de Fick de la difusin
la que dice:
El flujo neto de partculas, F, es directamente proporcional al gradiente de
concentracin de partculas N(x,y,z) y la direccin de este flujo neto va desde la regin
de alta concentracin hacia la de baja concentracin.
Es decir:

r
r
F DN

La constante de proporcionalidad es llamada Constante de Difusin y sus unidades se dan

en cm2/seg. Este coeficiente de difusin depende del medio en el cual est ocurriendo tal
difusin, de la especie en cuestin que se difunde y de la temperatura.
Si la concentracin vara solo en una direccin podemos rescribir la ecuacin en forma
unidimensional:

dN ( x)
Fx D
dx

Si las partculas que se difunden estn cargadas, entonces un flujo neto de difusin o
densidad de corriente de difusin resultar en una densidad de corriente elctrica neta. Y
ste es el caso para electrones y huecos en un semiconductor por lo que podemos escribir,
en una notacin obvia:

r
r
J h qDh p
densidad de corriente de
difusin de huecos

r
r
J n qDn n
densidad de corriente de
difusin de electrones

Estas dos ecuaciones nos dan las densidades de corriente elctricas que resultan de los
gradientes de concentracin en n o en p.
Durante este curso utilizaremos muy seguido estas ecuaciones en su forma unidimensional:

r
dp
J h qDh
dx

r
dn
J n qDn
dx

De la descripcin de la difusin que dimos podra ocurrrsenos que los tomos donadores y aceptores se difundiran en los semiconductores. Veremos
ms adelante que muchos dispositivos semiconductores dependen, para su operacin, de la existencia de dopados no uniformes o gradientes de
concentracin en Nd y Na Por lo tanto parece que el proceso de difusin atmico podra arruinar cualquier gradiente intencional que construyamos en
un dispositivo y causarnos la eventual falla del dispositivo.

Entonces tenemos cuatro especies cargadas en los semiconductores y podemos

categorizarlas por su carga y su capacidad de moverse (movilidad):

Carga
Positiva
Negativa

Mvil
Huecos, p
Electrones, n

Inmvil
Donadores ionizados, Nd
Aceptores ionizados, Na

En la seccin anterior, hemos enfatizado la importancia del hecho de que existen dos tipos
de portadores de cargas mviles en los semiconductores.
Esto le permite a las densidades locales n y p desviarse de su condicin de equilibrio n0 y
p0, sin que se cause una desviacin de la neutralidad del espacio de carga.

Es tambin importante reconocer el sentido del hecho de que los semiconductores

contienen ambos tipos de cargas: fijas y mviles porque es este hecho el que nos permite
la formacin de campos elctricos internos en los semiconductores. Esto lo veremos
extensivamente en el captulo V. Como inspeccin previa consideremos qu sucedera si
dopamos no uniformemente a un semiconductor como se observa en la Figura 3.

Qu sucedera si dopamos no
uniformemente a un semiconductor
como se observa en la Figura 3.
Desde x = 0 y hasta x = x0 la concentracin de donadores
es Nd1 y desde x = x0 hasta x = L es N d N d
2

Si ambos valores son mucho mayores que ni

Figura 3: Un semiconductor dopado
no uniformemente

n N d1

para

x x0

n N d2

para

x x0

En consecuencia existe un gradiente de concentracin en n. Puesto que los electrones son

libres de difundirse habr un flujo neto de electrones desde la izquierda hacia la derecha en
la Figura 3

Antes de que la difusin ocurra nosotros tenemos que N d n en cualquier lugar del cristal.
Como los donadores estn fijos en su posicin cada electrn que atraviesa el plano x 0 deja
un tomo donador positivamente cargado detrs de l e ingresa a una regin en la que hay
ahora muy pocos tomos donadores para neutralizar todos los electrones. En consecuencia
el lado izquierdo del cristal se carga positivamente y el lado derecho lo hace negativamente.
Esta separacin de cargas produce un campo elctrico orientado hacia las x positivas (en
este caso) y que tiende a prevenir mayores difusiones de electrones desde la izquierda hacia
la derecha.

Transporte por arrastre y difusin

Cuando ambos, el campo elctrico y el gradiente de concentracin se presentan
simultneamente la corriente total de electrones o huecos est dada por la suma de
la corriente de arrastre (conduccin) y la corriente de difusin.

r
r
r
J h q ( p h E Dhp )

r
r
r
J e q (n e E Den)

Un portador con un largo tiempo de dispersin (largo tiempo entre colisiones) puede
progresar rpidamente en su movimiento comparado con un portador de corto tiempo.
Puesto que esto es igualmente verdadero para la movilidad, no debe sorprender que D
y estn relacionados por una constante de proporcionalidad. La primera relacin fue
deducida por Einstein y muestra que:

D kT

Esta relacin es correcta para cada uno de los portadores de carga indepen-dientes
entre s y las podemos escribir:

De kT

e
q

Dh kT

h
q

para electrones

para huecos

Estas muy importantes ecuaciones son conocidas como las

Relaciones de Einstein.

El Experimento de Haynes Shockley.

Un equipo desarrollado
para el experimento

Esquema del experimento

La descripcin del comportamiento de los portadores de carga en exceso en un

semiconductor involucra usualmente tres fenmenos importantes:
-- El movimiento debido a un campo elctrico.
-- El movimiento debido al gradiente de densidad.
-- La recombinacin.
Este experimento se puede utilizar para determinar:
-- La movilidad de portadores minoritarios ,
-- La constante de difusin D.
-- La vida media .

El experimento de Haynes Shockley depende de la capacidad de excitar un exceso de

pares electrn-hueco en cierto punto o sobre un cierto pequeo volumen de una barra
semiconductora.
Es tambin necesario detectar la presencia localizada de excesos de portadores
minoritarios en la barra semiconductora. Esto tambin puede hacerse en las junturas P-N
y en las uniones de contacto metal-semiconductor (barreras Shottky).
En nuestro experimento colocamos en la barra una aguda punta realizada en bronce
fosforoso. Si el contacto est bien hecho, (algo de brujera se necesita) se convertir en
un rectificador (es decir, los portadores mayoritarios pasarn de un lado al otro pero no en
sentido contrario. Si este contacto se polariza correctamente (para baja conduccin)
exhibir una corriente medible que se incrementa cuando los portadores minoritarios
estn presentes debajo de l. En esta situacin un gran campo elctrico en el contacto
barrer a los portadores minoritarios hacia el circuito detector.

Se utiliza para este experimento el circuito de la figura 4.

El sistema estroboscpico produce un tren de pulsos luminosos brillantes de menos de
10-6 segundos de duracin.
Consecuentemente al mismo tiempo un pulso de huecos es producido en x = 0 en la
barra.
Una fuente de alimentacin V0 es conectada mediante contactos no rectificantes
(hmicos) ordinarios.
El circuito detector consiste en la punta de contacto en x = L1, un resistor en serie y una
batera para polarizacin.
La tensin sobre el resistor se mide con un osciloscopio.

El proceso:
La fuente de alimentacin produce un campo elctrico en la barra cuya magnitud es:

V0
L0

De la grfica del osciloscopio es evidente que al pulso le toma t 1 segundos viajar desde x
= 0 hasta x = L1 de manera que la velocidad del pulso es:

L1
t1

y entonces la movilidad del pulso viene dada por:

v L1 L0

E t1V0

Esta tambin es (aproximadamente) la movilidad de los huecos h.

El nmero total de portadores en exceso en el pulso decaer con el tiempo segn:

P (t ) P (0)e t /
Debemos notar que esta no es la densidad de huecos.
Si hacemos dos mediciones con dos espaciados de L1 es posible obtener una medida
aproximada de .
La figura 5 ilustra el efecto de variar L1 . En una buena aproximacin P(t) es proporcional al
rea bajo el pulso en el tiempo t.

Los efectos combinados de difusin y recombinacin extienden y reducen las reas a

medida que el tiempo transcurre.

Se pueden calcular los coeficientes de difusin si uno conoce la expresin matemtica para
le densidad de pulso como una funcin del tiempo y el espacio.
La expresin completa la incluimos aqu:
x h Et
P (0)
p( x, t )
exp

4 Dht
4 Dh t

exp t /

Esta expresin puede ser deducida de la combinacin de las ecuaciones para las corrientes de
arrastre y difusin acopladas a la ecuacin de recombinacin y con el requerimiento general de
la continuidad en el flujo de huecos. Este requerimiento de continuidad solamente establece que
el flujo de huecos en un volumen infinitesimal debe ser igual a la razn de recombinacin neta.

Gracias por la atencin.

FIN