UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE

FACULTAD DE CIENCIA
DEPARTAMENTO DE FSICA

MODELO LINEAL DE UN TRANSDUCTOR ULTRASNICO DE

POTENCIA UTILIZANDO CIRCUITOS EQUIVALENTES

Alejandro Esteban Fuentes Briceo

Santiago Chile
2013
i

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE

FACULTAD DE CIENCIA
DEPARTAMENTO DE FSICA

MODELO LINEAL DE UN TRANSDUCTOR ULTRASNICO DE

POTENCIA UTILIZANDO CIRCUITOS EQUIVALENTES

Alejandro Esteban Fuentes Briceo

Profesor Gua Dra. Yolanda Vargas

Hernndez

Trabajo de titulacin presentado a la

Facultad de Ciencia, en cumplimiento
parcial de los requisitos exigidos para
optar al ttulo de Ingeniero Fsico.

Santiago Chile
2013

ii

MODELO LINEAL DE UN TRANSDUCTOR ULTRASNICO DE POTENCIA

UTILIZANDO CIRCUITOS EQUIVALENTES

Alejandro Esteban Fuentes Briceo

Este trabajo de Graduacin fue elaborado bajo la supervisin de la profesora

gua Dra. Yolanda Vargas Hernndez, del Departamento de Fsica y ha sido
aprobado por los miembros de la Comisin Calificadora del candidato, profesor
Jorge Ferrer Meli y profesor Luis Gaete Garretn.

...............................................
Jorge Ferrer M.

...............................................
Luis Gaete G.

................................................
Profesora Gua

..................................................
Directora Yolanda Vargas Hernndez
iii

AGRADECIMIENTOS

Quiero agradecer en primer lugar a mi familia por haberme dado la

educacin que tengo, a los profesores Luis Gaete y Yolanda Vargas por sus
consejos y apoyo, al profesor Francisco Gmez por su gentileza y amabilidad
en ayudarme en el entendimiento de placas rectangulares, a mis compaeros
de laboratorio por su incondicional ayuda en mis dudas y mediciones
experimentales y a mis compaeros de carrera con los cuales pase momentos
inolvidables.
Este trabajo ha sido financiado por el proyecto FONDEF D09I1235,
CONICYT.

iv

TABLA DE CONTENIDO
RESUMEN ........................................................................................................ viii
INTRODUCCIN ................................................................................................ 1
PIEZOELECTRICIDAD ....................................................................................... 3
1.1 Fundamentos de la piezoelectricidad ........................................................ 3
1.2 Formulacin matemtica del efecto piezoelctrico .................................... 6
1.3 Relaciones piezoelctricas y sus unidades fsicas. ................................. 11
CIRCUITOS EQUIVALENTES .......................................................................... 13
2.1 Circuito equivalente de Mason ................................................................ 13
2.2 Modelo de transductor ultrasnico de potencia con una placa vibrante. . 22
TEORA CLSICA DE PLACAS DELGADAS ................................................... 33
3.1 Clculo de masa equivalente de una placa circular ................................. 33
3.2 Clculo de la Complianza equivalente de una placa circular .................. 41
3.3 Impedancia de radiacin de una placa circular ........................................ 42
MTODO EXPERIMENTAL ............................................................................. 44
4.1 Introduccin ................................................................................................ 44
4.2 Descripcin experimental ........................................................................ 44
4.3 Montaje Experimental .............................................................................. 47
4.4 Datos experimentales .............................................................................. 48
4.4.1 Caracterizacin de los transductores ultrasnicos ............................ 48
4.3.2 Amplitud de desplazamiento de la placa y modos de vibracin. ....... 49
4.3.3 Velocidad de vibracin de la placa .................................................... 51
4.5 Anlisis de resultados .............................................................................. 54
4.5.1 Modos de vibracin de las placas ..................................................... 54
4.4.2 Velocidad de vibracin de las placas................................................. 60
CONCLUSIONES ............................................................................................. 64
Bibliografa ........................................................................................................ 65
v

ANEXO ............................................................................................................. 66
A1: Solucin de la ecuacin diferencial de la placa circular delgada ............. 66

INDICE DE FIGURAS
Fig 1 : Modelo simple de una molcula a la que se le aplica una fuerza externa
[1]. a) Molcula elctricamente neutra. b) Molcula a la que se le aplica una
fuerza externa. c) Material polarizado en sus caras............................................ 4
Fig 2 : a) Un flujo de carga libre circula desde un electrodo a otro. b) Material
elctricamente neutro ya que no hay fuerzas externas que produzcan una
polarizacin en el material [1]. ............................................................................ 5
Fig 3: Diagrama esquemtico que explica los diferentes desplazamientos
elctricos asociados con un material piezoelctrico y dielctrico [1]................. 11
Fig 4 : Cermica piezoelctrica [3] .................................................................... 14
Fig 5 : Transductor acstico como caja negra de 3 puertas [3]. ....................... 14
Fig 6 : Parmetros fsicos de la caja negra que representa una red de 3 puertas
[3]. ..................................................................................................................... 15
Fig 7: Circuito equivalente de Mason que representa un sndwich de cermicas
piezoelctricas. ................................................................................................. 20
Fig 8: Transductor ultrasnico de potencia con placa circular y su
representacin en un circuito equivalente. ........................................................ 23
Fig 9: Circuito equivalente de una capa de adaptacin que representa una masa
frontal del transductor. Z es la impedancia en la entrada de la capa de
F
adaptacin en dnde Z = 1 . ........................................................................... 24
U2
Fig 10: Circuito equivalente reducido en donde se representa un sndwich de
cermicas piezoelctricas unido a una contramasa trasera. ............................ 25
Fig 11: Circuito equivalente de la masa frontal, amplificador mecnico y placa.
El transformador representa el cambio en el dimetro de la masa frontal y el
amplificador mecnico. ..................................................................................... 28
Fig 12: Masa frontal, amplificador mecnico y sus dimetros. .......................... 29
Fig 13: Diseo de Transductor ultrasnico a utilizar en los experimentos. ....... 45
Fig 14: Transductor ultrasnico de potencia utilizado en las mediciones. ........ 46
Fig 15: Esquema del montaje experimental ...................................................... 48
vi

Fig 16: Amplitud de desplazamiento de la placa con modo de vibracin n=2. .. 50

Fig 17: Amplitud de desplazamiento de la placa con modo de vibracin n=3. .. 51
Fig 18: Velocidad de Vibracin de la placa n=2 vs corriente de alimentacin del
transductor. Se observa la relacin lineal entre ambas variables y su respectiva
ecuacin de la recta. ......................................................................................... 52
Fig 19: Simulacin en COMSOL de un transductor ultrasnico con placa
vibrando en su segundo modo. ......................................................................... 55
Fig 20: Simulacin en COMSOL de un transductor ultrasnico con placa
vibrando en su tercer modo. ............................................................................. 56
Fig 21: Grfico Velocidad de vibracin vs Corriente de alimentacin del
transductor con placa vibrando en su segundo modo. La corriente de
alimentacin medida est en RMS. .................................................................. 61
Fig 22: Grfico Velocidad de vibracin vs Corriente de alimentacin del
transductor con placa vibrando en su tercer modo. La corriente de alimentacin
medida son valores RMS. ................................................................................. 62

INDICE DE TABLAS
Tabla 1: Constantes piezoelctricas. ................................................................ 12
Tabla 2: Diferentes modos de vibracin y sus respectivos valores ( kn a ) [4]. ... 37
2

Tabla 3: Algunas caractersticas del transductor ultrasnico de potencia a

utilizar. .............................................................................................................. 47
Tabla 4: Datos obtenidos del puente de impedancia. ....................................... 49
Tabla 5: Datos utilizados para calcular la frecuencia a la que vibran las placas.
.......................................................................................................................... 54
Tabla 6: Tabla con errores relativos porcentuales entre los datos tericos y
experimentales de las frecuencias de resonancia del transductor. ................... 58
Tabla 7: Resumen del anlisis de las frecuencias de vibracin de las placas. . 59

vii

RESUMEN

El modelo de circuitos equivalentes de Mason es ampliamente usado

para representar el comportamiento electromecnico de un transductor
ultrasnico de potencia con placa vibrante. El problema de este modelo es que
no entrega informacin sobre el modo de vibracin de la placa.
La realidad no es esa, la placa tiene modos de vibracin especficos que
dependen de: las dimensiones de sta, como est constituida y de la frecuencia
de vibracin del transductor ultrasnico a la que est sujeta. Por lo tanto, los
valores de impedancia mecnica de la placa propuesta por el modelo de Mason
no son las correctas.
En este trabajo se desarroll un modelo lineal de un transductor
ultrasnico de potencia con placa circular radiante que est basado en el
circuito equivalente de Mason. En este trabajo se propone un modelo que
entrega informacin sobre el modo de vibracin de la placa adems de predecir
en forma precisa la velocidad de vibracin del centro de la placa en funcin de
la corriente de alimentacin del transductor. Los modos de vibracin de la placa
fueron deducidos mediante el uso de la teora de placas delgadas .Esta teora
tambin se utiliz para calcular la masa y complianza equivalente de la placa,
conceptos que son necesarios para unir la teora de placas delgadas con el
circuito equivalente de Mason.
Los valores obtenidos de la impedancia mecnica de la placa van a
depender de la frecuencia a la que la placa vibre y no son constantes como es
el caso del circuito equivalente de Mason.

viii

Se corrobor el modelo propuesto con 2 placas circulares de duraluminio

de diferentes dimetros que vibran en modos de vibracin distintos. Se us el
software COMSOL para simular los transductores en conjunto con las 2 placas
y comparar las frecuencias de vibracin de las placas con las que se obtienen
experimentalmente. El estudio consisti en medir la velocidad de vibracin en el
centro de las 2 placas y la corriente de alimentacin del transductor para
obtener la relacin emprica entre stas variables y comparar con los resultados
del modelo terico (velocidad de vibracin y corriente). Los resultados
experimentales obtenidos estn en concordancia con el modelo con diferencias
entre ambos menores al 5,5%. Esto vlido para la velocidad y frecuencia de
vibracin de ambas placas.

ix

INTRODUCCIN
Los circuitos equivalentes electromecnicos son una forma analtica de
modelar un transductor ultrasnico de potencia vibrando en espesor. Uno de los
circuitos equivalentes ms ampliamente usados es el de Mason, un modelo
lineal en el que emplea ecuaciones piezoelctricas para modelar el
comportamiento electromecnico de las cermicas que componen el sndwich
del transductor. Se impone condiciones de borde en las caras de las cermicas
y se restringe slo a desplazamientos unidimensionales de las partculas que
componen el transductor, permitiendo obtener un modelo lineal fiable que se
aproxima al comportamiento real del transductor salvo para corrientes altas
(ms de 1.5 [A]) en donde la velocidad de desplazamiento en la cara radiante
del transductor se satura, un fenmeno no lineal, que el modelo de Mason no
puede predecir. Si el transductor ultrasnico de potencia tiene una placa
vibrante radiante, el modelo de Mason al no incluir el modo de vibracin de la
placa ni amplificadores mecnicos, no puede dar valores precisos de
impedancia mecnica y velocidad de vibracin ya que la placa vibrante tiene
una dependencia de la frecuencia que define su modo de vibracin y el
transductor tiene un factor de amplificador mecnico que aumenta la amplitud
de desplazamiento en la superficie de la placa. Entonces para transductores
ultrasnicos de potencia con placa vibrando en modos altos de vibracin se
requiere complementar el modelo de Mason. Este trabajo propone un circuito
equivalente que s considera el modo de vibracin de la placa introduciendo la
teora clsica de placas vibrantes y un amplificador mecnico, obteniendo as
una impedancia mecnica y velocidades de vibracin de la placa, ms precisas
que el modelo de Mason. Se consideraron en este trabajo placas radiantes
circulares. Las placas vibran con sus bordes libres.

Para corroborar el modelo propuesto se midi las velocidades de

vibracin de las placas en funcin de la corriente de excitacin del transductor
en el antinodo ms cercano a su centro. Por ltimo se midi el desplazamiento
perpendicular de la superficie de la placa en funcin del radio verificando que la
placa est en el modo de vibracin predicho por el modelo.
En forma paralela se simul el transductor con placa vibrante con el
software COMSOL, obteniendo frecuencias y modos de vibracin, que fueron
comparados con los datos tericos y experimentales.
El objetivo principal de este trabajo es:

Validar el modelo de circuitos equivalentes propuesto en este trabajo.

Los objetivos especficos son:

Medir la velocidad de vibracin en la superficie de dos placas circulares

distintas y comparar los datos obtenidos con el modelo propuesto.

Medir la amplitud de desplazamiento de 2 placas circulares y corroborar

empricamente que las placas vibran en los modos de vibracin
calculados por la teora.

CAPITULO 1
PIEZOELECTRICIDAD
1.1 Fundamentos de la piezoelectricidad
Piezoelectricidad es un fenmeno descubierto por los hermanos Pierre y
Jacques Curie en el ao 1880 y su nombre proviene del griego y significa
electricidad por presin. Lo que observaron los hermanos Curie fue que al
comprimir el cristal en diferentes direcciones previamente estudiadas y basados
en su simetra, cargas positivas y negativas aparecan en las diferentes caras
del cristal. En la figura 1 se muestra un modelo de molcula simple que permite
visualizar la generacin de un campo elctrico como resultado de una fuerza
externa comprimiendo el material. Antes de someter el material a una fuerza
externa, las cargas positivas y negativas tienen el mismo centro de gravedad y
los efectos de las cargas positivas y negativas son cancelados recprocamente,
por lo tanto, la molcula es elctricamente neutra. Cuando al material se le
aplica una fuerza externa como se muestra en la figura 1b, su estructura puede
ser deformada causando la separacin de los centros de gravedad de las
cargas positivas y negativas, se producen pequeos dipolos en la molcula. Las
caras con cargas de igual signo de los dipolos se repelen y las de mismo signo
se cancelan mutuamente formando en el material una superficie con carga
positiva y otra con carga negativa, por lo tanto, el material est polarizado
(fig1c). Esta polarizacin genera un campo elctrico en el material que puede
ser usado para transformar la energa mecnica usada en la deformacin del
material en energa elctrica.

Fig 1 : Modelo simple de una molcula a la que se le aplica una fuerza externa
[1]. a) Molcula elctricamente neutra. b) Molcula a la que se le aplica una
fuerza externa. c) Material polarizado en sus caras.
En la figura 2a) se muestra el material piezoelctrico al que se le aplicar
una fuerza externa. Dos placas de metal son usadas como electrodos y son
puestas en contacto a ambas superficies del material. Supongamos que estos 2
electrodos estn cortocircuitados externamente por un cable que se le ha
conectado un galvanmetro. Cuando una fuerza externa acta sobre el material
piezoelctrico una densidad de carga aparece en las superficies del cristal que
estn en contacto con los electrodos. Esta polarizacin genera un campo
elctrico que produce un flujo de cargas libres en el conductor las que viajarn a
la cara con carga de sentido opuesto a las cargas libres. Este flujo acabar
cuando la carga libre neutralice el efecto de polarizacin. Cuando la fuerza
externa desaparezca la polarizacin tambin desaparecer, entonces se
producir un flujo de carga libre en sentido contrario al anterior retomando la
condicin inicial en que estaban (figura 2b)). Este proceso se reflejar en el
galvanmetro mediante 2 peaks de diferente signo entre s. Si se conecta una
4

resistencia al cable conector de los electrodos y se aplica una fuerza externa en

el material piezoelctrico, una corriente elctrica fluir a travs de la resistencia
y entonces la energa mecnica ser transformada en energa elctrica [1].

Fig 2 : a) Un flujo de carga libre circula desde un electrodo a otro. b) Material

elctricamente neutro ya que no hay fuerzas externas que produzcan una
polarizacin en el material [1].
Los hermanos Curie verificaron un ao despus de su descubrimiento la
existencia del proceso inverso llamado efecto piezoelctrico inverso. Al aplicar
un campo elctrico sobre un material piezoelctrico, ste se deformar. En este
sentido la deformacin mecnica podra ser producida al aplicar una diferencia
de potencial en los electrodos del material piezoelctrico.

1.2 Formulacin matemtica del efecto piezoelctrico

La formulacin matemtica desarrollada en este captulo corresponde a un
modelo simplificado unidimensional del efecto piezoelctrico.
Los experimentos realizados por los hermanos Curie demostraron que la
densidad de carga en la superficie del material al aplicar una fuerza externa era
proporcional a la tensin mecnica (stress) aplicada al material:

Pp = dT
En donde

(1.2.1)

Pp es la vector de polarizacin a causa del efecto

piezoelctrico (subndice) con magnitud igual a la densidad de carga en la

superficie considerada, d es el coeficiente de deformacin piezoelctrica y T es
la tensin a la que el material est sometido.
El efecto inverso que consiste en que el material se deforme a causa de
un campo elctrico puede ser expresado de la siguiente forma:

S p = dE

(1.2.2)

En donde S p es la deformacin a causa del efecto piezoelctrico y E es

la magnitud del campo elctrico aplicado al material.
Los efectos piezoelctricos directos e inversos pueden ser definidos
matemticamente de diferentes formas empleando diferentes constantes y
magnitudes fsicas tomando en consideracin las propiedades elsticas del
material. Es as que se tiene:

Pp = dT = dcS = eS

(1.2.3)

Tp = cS p = cdE = eE

(1.2.4)

En la ecuacin (1.2.3) c es la constante elstica (mdulo de Young), que

relaciona la deformacin S con la tensin o stress T .El inverso de la constante
elstica es la complianza s que relaciona la deformacin S de un material al
aplicar sobre l una tensin T :

S = sT

(1.2.5)

En la ecuacin (1.2.3) y (1.2.4) e es la constante de tensin piezoelctrica.

El efecto piezoelctrico causa en el material un incremento en su rigidez.
Para comprender este efecto se supondr que el material piezoelctrico est
sujeto a una deformacin S . Esta deformacin tendr 2 efectos, por un lado
una tensin elstica que ser proporcional a la deformacin mecnica:

Te = cS

(1.2.6)

Y por el otro lado, generar una polarizacin debido al efecto piezoelctrico y

por ende un campo elctrico dentro del material:

Pe = eS

(1.2.7)

El campo elctrico generado por el efecto de la polarizacin del material

tiene la siguiente expresin:
7

Ep =
En donde

Pe

eS

(1.2.8)

es la constante dielctrica del material. Este campo elctrico

genera una fuerza contraria a la deformacin de la estructura elctrica del

material creando una tensin:

Tp = eE p

(1.2.9)

Esta tensin, al igual que la de origen elstico, est en contra de la

deformacin del material. Por lo tanto, la tensin generada en el material
piezoelctrico a causa de la deformacin S es:
_

e2
T = Te + Tp = cS + S = c + S = c S

e2

(1.2.10)

La constante c se llama constante de rigidez piezoelctrica. Cuando un campo

elctrico es aplicado entre 2 electrodos en donde existe un material de
constante dielctrica

, un desplazamiento elctrico se produce hacia los

electrodos creando una densidad superficial de carga

= o + p (1) 1 que tiene

magnitud:

La densidad de carga libre que aparece en los electrodos ser la suma de la densidad de
carga que aparece en el vaco ms la que aparece inducida por el efecto dielctrico.

o + p = o E + E = ( o + ) E = E en donde o es la permitividad elctrica del vaco

y es la susceptibilidad dielctrica del material
8

D =E

(1.2.11)

Si el material es piezoelctrico el campo elctrico E produce una

deformacin que tiene como expresin:

S p = dE

(1.2.12)

La deformacin, de origen piezoelctrico crea un incremento en la

densidad de carga superficial debido a la polarizacin del material:

Pp = eS p = edE

(1.2.13)

Debido a que el campo elctrico se mantiene constante, la polarizacin

piezoelctrica incrementa el desplazamiento elctrico de las cargas libres que
se dirigen hacia los electrodos en la misma magnitud:

p = Pp

(1.2.14)

Entonces el desplazamiento elctrico total es:

_

D = E + Pp = E + edE = ( + ed ) E = E

(1.2.15)

En donde

es

la constante dielctrica efectiva la que incluye la

contribucin piezoelctrica.
Como se ha visto en el prrafo anterior el desplazamiento elctrico
producido cuando un campo elctrico

E es aplicado a un material

piezoelctrico y dielctrico es

D = E + Pp = E + eS p

(1.2.16)

Bajo las mismas circunstancias queremos obtener la tensin interna en el

material. El razonamiento es el siguiente: al aplicar un campo elctrico sobre el
material piezoelctrico causa una deformacin en la estructura dado por:

S p = dE

(1.2.17)

Esta deformacin produce una tensin elstica que tiene magnitud:

Te = cS p

(1.2.18)

Por otro lado el campo elctrico E produce una fuerza en la estructura

interna del material generando una tensin dada por la expresin:

Tp = eE

(1.2.19)

Esta tensin es definitivamente la que produce la deformacin y tiene

signo opuesto a la tensin elstica que tiende a recobrar su estructura original.
Por lo tanto, la tensin interna que experimenta el material ser la resultante de
ambas, esto es:

T = cS p eE

(1.2.20)

10

Fig 3: Diagrama esquemtico que explica los diferentes desplazamientos

elctricos asociados con un material piezoelctrico y dielctrico [1].
Eventualmente ambas tensiones sern iguales dejando el material
deformado y esttico. Si una variable de campo es aplicada como es de
costumbre, la deformacin variar tambin produciendo desplazamientos
dinmicos en las partculas del material. Este fenmeno electromecnico
genera una perturbacin en el medio en contacto con el material piezoelctrico.
Este efecto es usado en transductores, sensores y actuadores.
1.3 Relaciones piezoelctricas y sus unidades fsicas.
En la seccin 1.2 se definieron variables y constantes fsicas en un
modelo unidimensional del efecto piezoelctrico. A continuacin se mostrar
una tabla en la que estarn definidas las constantes antes mencionadas:

11

Smbolo

c
e

s
g
h

Nombre

Unidades
2

[N / m ]
[ N / mV ] o [C / m2 ]
Tensin Piezoelctrica
[ F / m]
Permitividad del Medio
Deformacin Piezoelctrica [C / N ] o [ m / V ]
[m2 / N ]
Complianza del Medio
[Vm / N ] o [m2 / C ]
Voltaje Piezoelctrico
[ N / C ] o [V / m ]
Constante Piezoelctrica
[m / F ]
Impermitividad del Medio*
Rigidez elstica

Comentario

c =1/ s

e = 1/ g

=1/

d =1/ h
-

Tabla 1: Constantes piezoelctricas.

*La Impermitividad del medio en rigor no existe, se le da ese nombre porque es
el inverso multiplicativo de la permitividad elctrica del medio.

12

Captulo 2
CIRCUITOS EQUIVALENTES
2.1 Circuito equivalente de Mason
El Modelo de Mason utiliza las ecuaciones piezoelctricas constitutivas
unidimensionales para describir el

comportamiento electromecnico de un

transductor. En este caso se utilizarn la deformacin elstica y el

desplazamiento elctrico como variables independientes. Utilizando las
ecuaciones definidas en la seccin 1.2 y usando las relaciones entre constantes
piezoelctricas dadas en la tabla 1, se obtienen las siguientes ecuaciones
piezoelctricas:

T = cS hD
E=

hS

(2.1.1)

(2.1.2)

El transductor vibra en espesor por lo que una consideracin geomtrica

para este modo es que d<< . En la figura 4 se muestra los nombres de cada
una de las variables que caracteriza a una cermica piezoelctrica.

13

Fig 4 : Cermica piezoelctrica [3]

En la figura 4, Fo y Fd son las fuerzas externas que actan sobre las
caras de las cermicas, Uo y Ud son las velocidades de vibracin de las
cermicas, d es el espesor y o y d son los desplazamientos en ambas caras.
La derivada espacial de los desplazamientos en ambas caras son las
deformaciones de stas. V es el voltaje suministrado a las cermicas e I es la
corriente.
Una forma de representar a un transductor es a travs de la modelacin
de ste como una caja negra con 3 puertas [3]:

Fig 5 : Transductor acstico como caja negra de 3 puertas [3].

14

Se observa que a ambos lados de la caja negra existen velocidades

representadas por U 0 y U d que son las velocidades de vibracin de ambas
puertas acsticas. Tambin existen fuerzas externas en ambas puertas
acsticas representadas por F0 y Fd .
Los parmetros fsicos en las puertas son los siguientes

Fig 6 : Parmetros fsicos de la caja negra que representa una red de 3 puertas
[3].
Entonces tenemos condiciones de borde asociadas a las 2 caras de las
cermicas:

t x =0

F0 = AT x =0

u0 =

Fd = AT x =d

ud =
t x =d

(2.1.3)

Estas condiciones de borde nos permitirn definir las velocidades y

fuerzas en ambas caras de la cermica.

15

Las ecuaciones piezoelctricas quedan de la siguiente forma:

hD
x
D
E = h
+
x
T =c

(2.1.4)

Las ecuaciones en (2.1.4) son el resultado de reemplazar la deformacin

S por

que es la variacin unitaria de la longitud con respecto al eje x

x

(deformacin), es el desplazamiento de las partculas de la cermica.

Debido a que se trata de un estudio unidimensional, se considera que el
nico movimiento posible, que puede realizar la cermica, es en la direccin del
espesor x.
El desplazamiento de las partculas (x,t) de las cermicas satisface una
ecuacin diferencial de ondas :

2 c 2
=
t2
x2

(2.1.5)

En donde es la densidad del material de las cermicas. Se le llama v = c

a la velocidad de propagacin de las ondas elsticas por el material.
La solucin de la ecuacin diferencial despus de haber aplicado las
condiciones de borde mostradas en (2.1.3) es:
( x, t ) =

1
jsen

x
x jt

u0sen 1 d udsen d e

(2.1.6)

16

En donde es la frecuencia normalizada, = (d/v).

El teorema de Gauss para medios materiales permite encontrar la expresin:

D==

Q
A

(2.1.7)

Donde Q representa la carga libre total en contacto con el piezoelctrico

y A su rea de seccin transversal de la cermica.
Si se supone que la carga en la superficie de las cermicas vara
sinusoidalmente con respecto al tiempo se tiene:

I = Q = jQ

(2.1.8)

Sustituyendo la ecuacin (2.1.8) en la (2.1.7), resulta:

D=

I
jA

Expresin que reemplazada en el conjunto de

(2.1.9)

ecuaciones (2.1.4)

quedan como:

hI

x j A

I
E = h
+
x jA
T=c

(2.1.10)

Si las ecuaciones en (2.1.10) son sustituidas en (2.1.3) obteniendo:

17

F0 = TA x = 0 = Ac
Fd = TA x = d

hI
+
x x = 0 j

= Ac
x

(2.1.11)

hI
+
j
x =d

Tomando la derivada espacial de la solucin de la ecuacin diferencial

(2.1.6) y reemplazndola en (2.1.11) se tienen 2 relaciones electromecnicas
para el transductor ultrasnico:
ud
u0
tg + sen +

u
Z u
Fd = m 0 + d +
j sen tg
F0 =

Zm
j

hI
j

(2.1.12)

hI
j

En donde Zm es la impedancia mecnica del transductor: Zm =

Ac
v

(Ns/m). La tercera relacin electromecnica se obtiene a partir del campo

elctrico E con el que es posible calcular la tensin V aplicada al transductor.
Esto se logra integrando la segunda ecuacin en (2.1.10):

dV = Edx = h ( d, t ) ( 0, t )
d

Id
jA

Evaluando para (0, 0) y para (d, t) e insertando estos valores en la

integral para calcular V, se encuentra:

V=

h
I
( uo + ud ) +
j
jC0

(2.1.13)

Las ecuaciones (2.1.12) y (2.1.13) al ordenarlas en forma matricial quedan de

la forma:
18

 1
F0

tg
Z 1
Fd = m
j sen


h
V

Zm

1
sen
1
tg
h
Zm

h
u 0
Zm
h
u d
Zm
1
I
Zm C0

(2.1.14)

La frecuencia de resonancia mecnica de la cermica, en su primer

modo espesor, es:
f0 =

v
2d

(2.1.15)

La expresin en (2.1.14) representa el comportamiento total del

transductor vibrando en espesor. Lo siguiente es representar el transductor con
un circuito equivalente que corresponde a un circuito de 3 puertas que
representa el comportamiento total del transductor. Su caja negra debe
corresponder exactamente a la obtenida en (2.1.14).
El circuito equivalente usado es el siguiente:

19

Fig 7: Circuito equivalente de Mason que representa un sndwich de cermicas

piezoelctricas.
En el circuito equivalente se puede observar en la parte elctrica un
voltaje V con el que se alimenta el circuito, un condensador que representa la
capacidad interelectrdica del transductor debido a que entre sus caras
plateadas existe carga elctrica. El transformador convierte la energa elctrica
en mecnica en donde N es el factor de transformacin electro-mecnico. Z '
representa la impedancia del transductor en sus caras radiantes, Z'' representa
la impedancia mecnica del material ahora dependiente de la frecuencia y C'0
es la complianza del transductor.
Utilizando las leyes de Kirchhoff en el circuito mecnico se obtienen las
siguientes relaciones:

20


1
F0 = u 0 Z '+ Z ''+
( u 0 + u d ) + NV
jC'0

1
Fd = u d Z'+ Z ''+
( u 0 + u d ) + NV
jC'0

N (u0 + ud )
I
+
V=
jC0
j C 0

(2.1.16)

Escrito en forma matricial nos queda:

1
N2
+
+
+
Z'
Z
''
F0
jC'0 jC0


1
N2
Fd = Z''+
+
jC'0 jC0


N
V
jC0

Z''+

1
N2
+
jC'0 jC0

Z'+ Z ''+

1
N2
+
jC0' jC0
N
jC0

N
u
jC0 0
N
u d
jC0 (2.1.17)
1
I
jC0

Igualando los trminos de la primera fila de (2.1.17) con los de la primera

fila de (2.1.14), se obtiene las siguientes igualdades:

Z'+ Z''+

1
N2
1 Zm
+
=
.
'
jC0 jC0 tg j

1
N2
1 Zm
Z ''+
+
=
'
jC0 jC0 sen j
N
h
=
jC0 j
As se obtiene los valores de N, Z ' , Z'' y C'0 :
21

N = hC 0 ; Z ' = jZm tan / 2 ; Z ' = jZm tan / 2 ; Z'' =

Zm
C
; C'0 = 02
jsin
N

2.2 Modelo de transductor ultrasnico de potencia con una placa vibrante.

Para construir el modelo del transductor ultrasnico usando circuitos
equivalentes, se debe ampliar el circuito descrito en la figura 7 que representa
el sndwich de cermicas piezoelctricas. Al nuevo circuito equivalente se le
deben agregar las impedancias de contramasa trasera y de la masa frontal. Las
impedancias de la contramasa trasera representan la contramasa de acero que
est unida a la cara anterior del sndwich. En la cara frontal del sndwich est
la masa frontal a la que le sigue un amplificador mecnico que est
representado por un transformador con razn 1: M y un arreglo de impedancias.
Finalmente, la placa circular est representada por una masa equivalente M n ,
una complianza equivalente Cn y una impedancia de radiacin Zr .Estos ltimos
3 elementos del circuito equivalente se revisarn en el captulo 3 de este
trabajo. En la figura 8 se muestra el circuito equivalente que se acaba de
describir junto a un diagrama de las componentes del transductor.

22

Fig 8: Transductor ultrasnico de potencia con placa circular y su

representacin en un circuito equivalente.
Los pares de impedancia que representan la contramasa trasera, masa
frontal y amplificador mecnico pueden ser calculados al igual como se calcul
el par de impedancias del sndwich de cermicas Z ' y Z '' . Analizando el
circuito equivalente de una contramasa cualquiera se tiene el circuito mostrado
en la figura 9.

23

Fig 9: Circuito equivalente de una capa de adaptacin que representa una masa
frontal del transductor. Z es la impedancia en la entrada de la capa de
adaptacin en dnde Z =

F1
.
U2

Las fuerzas F1 y F2 tendrn la misma forma que las ecuaciones en

(2.1.12) salvo que h=0 ya que en las masas no existen efectos piezoelctricos.
As obtenemos la siguiente matriz:

1
F1 Z tg
F = j 1

2
sen

'
m

Con Z1 ' = jZ p tan( '/ 2) ; Z 2 ' = j

Zp
sin( ')

1
sen U 2

1 U out
tg

; '=

d '
V'

; fo =

(2.2.1)

V'
2d '

V ' =Velocidad de propagacin del sonido por la masa frontal.

d ' =longitud transversal contramasa.

24

El objetivo del modelo es predecir la velocidad de la placa en su centro.

Para ello se puede obtener tal velocidad resolviendo el circuito equivalente de la
figura 8. Reduciendo las impedancias en la contramasa trasera a una nica
impedancia de equivalente y sin tomar en cuenta la masa frontal, amplificador
mecnico ni placa se tiene el nuevo circuito equivalente de la figura 10.

Fig 10: Circuito equivalente reducido en donde se representa un sndwich de

cermicas piezoelctricas unido a una contramasa trasera.
Utilizando las leyes de Kirchhoff para el circuito equivalente de la figura
10 se obtiene las siguientes relaciones:

1
NV U Z 2 +
U1 ( Z Be + Z1 ) = 0
jC0'

(2.2.2a)

1
NV U 2 ( Z1 ) U Z 2 +
=0
jC0'

(2.2.2b)

25

V=

I + N (U1 + U 2 )
jC0

(2.2.2c)

U = U1 + U 2

(2.2.2d)

En el circuito equivalente de la figura 10 las fuerzas externas sobre la

contramasa trasera y la ltima cermica piezoelctrica son nulas, por lo que las
velocidades U1 y U 2 tienen sentido contrario

a las descritas en el circuito

equivalente del sndwich de cermicas piezoelctricas (figura 7).

Restando (2.2.2a) y (2.2.2b) se obtiene:

U1 ( Z Be + Z1 ) = U 2 Z1 (2.2.2e)
Despejando U1 de esta expresin se obtiene:

U1 =

U 2 Z1
(2.2.2f)
( Z Be + Z1 )

Sustituyendo (2.2.2d) en (2.2.2b) tenemos:

1
NV U 2 ( Z1 ) (U1 + U 2 ) Z 2 +
=0
'
j

C
0

Sustituyendo (2.2.2f) se obtiene:

U 2 Z1

1
NV U 2 ( Z1 )
+ U 2 Z 2 +
jC0'
( Z Be + Z1 )

=0

26

Z1
1
NV U 2 Z1 + 1 +
Z 2 +
= 0
jC0'

( Z Be + Z1 )

(2.2.2g)

Reemplazando (2.2.2c) en (2.2.2g) se obtiene:

I + N (U1 + U 2 )
Z1
1
N
Z 2 +
U 2 Z1 + 1 +
= 0
jC0
jC0'

( Z Be + Z1 )

(2.2.2h)

Reemplazando (2.2.2f) en (2.2.2h) y reordenando se obtiene:

U 2 Z1

N
Z1
1
+ U 2 U 2 Z1 + 1 +
Z
+
=0
I + N

2
'

+
+
jC0
Z
Z
Z
Z
j

C
(
)
(
)

Be
1
Be
1
0

A partir de esta expresin se obtiene la siguiente relacin para U2

1

NI
U2 =
jC0

Z1
1 N2
Z1
Z
+
1
+
Z
+
+
1
2
1 +
(2.2.2i)
'
Z
+
Z
j

C
j

C
Z
+
Z
(
)
(
)

Be
1
0
0
Be
1

La expresin (2.2.2i) es la velocidad de vibracin de la cara opuesta de la

cermica que est en contacto con la contramasa trasera en funcin de la
corriente de alimentacin del transductor.
Para encontrar la velocidad de vibracin de la placa, se analiza el circuito
equivalente de la masa frontal, amplificador mecnico y placa, representado en
la figura 11.

27

Fig 11: Circuito equivalente de la masa frontal, amplificador mecnico y placa. El

transformador representa el cambio en el dimetro de la masa frontal y el
amplificador mecnico.
Antes de resolver el circuito de la figura 11, se debe definir el factor de
amplificacin mecnico M.
Un amplificador mecnico tiene la funcin en el transductor de aumentar
la amplitud de desplazamiento de la superficie de la placa. Logrando una
amplificacin en la amplitud de desplazamiento, tambin lo es en la velocidad
de vibracin de la placa. El factor de amplificacin de la velocidad de vibracin
est dado por la razn al cuadrado entre los dimetros de la masa frontal y del
amplificador mecnico:

D
G =
d

(2.2.3)

28

En donde D es el dimetro de la masa frontal y d es el dimetro del

amplificador mecnico (ver figura 12)

Fig 12: Masa frontal, amplificador mecnico y sus dimetros.

Como la relacin entre

U 4 ' y U 4 mediante las leyes de transformacin

de los transformadores elctricos es U 4 ' =

U4
(ver figura 11), entonces resulta
M

que la velocidad de vibracin de la placa U 4 ' es menor que la velocidad

U4

si

es que se elige M = G . Por lo tanto, se debe definir el factor de amplificacin

del transformador como: M =
es mayor que

U4

1
. De esta forma se tiene que la velocidad U 4 '
G

por un factor

1
= G , la ganancia del amplificador mecnico.
M

29

Una vez resuelto el problema de representar el amplificador mecnico en

el circuito equivalente y utilizando las leyes de Kirchhoff se obtienen las
siguientes expresiones:
F2 U 2 Z1F U 3 Z 2 F = 0
U4
Z1 A U 5 Z 2 A = 0
M

(2.2.4b)

U4
Z1 A U P ( Z1 A + Z n + Z r ) = 0
M

(2.2.4c)

F2 U 2 Z1F U 4 Z1F

F2 U 2 Z1F U 4 Z1F

(2.2.4a)

U 2 = U3 + U 4

(2.2.4d)

U 4 = M (U 5 + U P )

(2.2.4e)

En la ecuacin (2.2.4c), Zn es la impedancia mecnica equivalente que

se define como:

1
Z n = jX n = j n M n

nCn

Zr es la impedancia de radiacin de la placa.

La impedancia mecnica equivalente e impedancia de radiacin de la
placa sern definidas en el captulo 3 de este trabajo.
Restando (2.2.4b) con (2.2.4c) se obtiene:
30

U 5 Z 2 A = U P ( Z1A + Z n + Z r )

U5 =

U P ( Z1 A + Z n + Z r )
Z2 A

(2.2.4f)

Reemplazando (2.2.4f) en (2.2.4e) se obtiene:

Z + Zn + Zr

+ 1
U 4 = MU P 1 A
Z2 A

(2.2.4g)

Restando (2.2.4a) y (2.2.4b) se obtiene

Z

U 3 Z 2 F = U 4 Z1F + 1 A + U 5 Z 2 A
M

U 4 Z1F + 1 A + U 5 Z 2 A
M

U3 =
Z2F

(2.2.4h)

Reemplazando (2.2.4h) en (2.2.2d) se obtiene:

U 4 Z1F + 1 A + U 5 Z 2 A
M

U2 =
+ U4
Z2F

(2.2.4i)

Reemplazando (2.2.4g) y (2.2.4f) en (2.2.4i) se obtiene:

Z + Zn + Zr

Z U ( Z + Zn + Zr )
MU P 1 A
+ 1 Z1F + 1 A + P 1 A
Z2 A
Z2 A
M
Z2A
Z + Zn + Zr

U2 =
+ MU P 1 A
+ 1
Z2F
Z2 A

(2.2.4j)
31

Factorizando (2.2.4j) por U P :

M
U2 = UP
Z2F

Z1 A + Z n + Z r

Z + Zn + Zr

Z
+ 1 Z1F + 1 A + ( Z1 A + Z n + Z r ) + M 1 A
+ 1

Z2 A
M
Z2 A

(2.2.4k)

Como U 2 est expresada en (2.2.2i) se tiene entonces una relacin entre

la velocidad de vibracin de la placa U P y la corriente de alimentacin del
transductor ultrasnico, esta relacin es:
1

NI
Z1
1 N2
Z1
UP =
+
1
+
Z1 + 1 +
Z 2 +

jC0
jC0' jC0 ( Z Be + Z1 )
( Z Be + Z1 )
M

Z 2 F

Z1 A + Z n + Z r

Z + Zn + Zr

Z
+ 1 Z1F + 1 A + ( Z1 A + Z n + Z r ) + M 1 A
+ 1

Z2 A
M
Z2 A

(2.2.5)

As teniendo valores experimentales de la corriente de alimentacin del

transductor se podr calcular la velocidad de vibracin de la placa. Adems esta
velocidad de vibracin depender de la impedancia de radiacin e impedancia
mecnica equivalente, las que a su vez dependen del modo de vibracin de la
placa.

32

CAPTULO 3
TEORA CLSICA DE PLACAS DELGADAS
3.1 Clculo de masa equivalente de una placa circular
La ecuacin diferencial para el desplazamiento transversal de una placa
delgada circular es de la forma [4]:

D 4 y +

D=

2 y
=0
t 2

(3.1.1)

Eh3
, h=espesor de la placa, =coeficiente de Poisson, es la
12(1 2 )

densidad del material de la placa y E es mdulo de Young. D es la rigidez

flexural.
En coordenadas polares la solucin de (3.1.1) es de la siguiente forma:

yn (r , , t ) = [ AJ 0 (kn r ) + BY0 (kn r ) + CI 0 (kn r ) + DK 0 (kn r )]

cos(m + ) exp( jnt )

(3.1.2)

En donde J 0 (kn r ) e I0 (kn r ) son funciones de Bessel de primera especie y

primera especie modificada, respectivamente, en tanto Y0 (knr ) y K0 (knr) son
funciones de Bessel de segunda especie y segunda especie modificada, n
indica los diferentes modos de vibracin de la placa. Estos modos de vibracin
son circulares y n toma valores desde 1 al infinito. En la ecuacin (3.1.2) k es el
nmero de onda,

r es el radio de la placa y el ngulo en coordenadas

polares.
33

En nuestro caso en r =0 existen desplazamientos finitos, por lo tanto, las

constantes B y D deben ser nulas ya que las funciones

Y0 (knr ) y K0 (knr)

predicen desplazamientos infinitos para r =0. Por presentar simetra axial, los
desplazamientos transversales de la placa no dependen de la variable por lo
que m=0. La ecuacin (3.1.2) nos queda de la siguiente forma:

yn (r , t ) = [ AJ 0 (kn r ) + BI 0 (kn r )]exp( jnt )

(3.1.3)

En donde la constante C es renombrada como B.

Dos relaciones importantes son las siguientes:
Nmero de onda de la placa:

kn 4 =

n 2 h
D

(3.1.4)

Frecuencia de vibracin de la placa:

fn =

Eh3
2
12 (1 2 ) 2 a 2

(3.1.5)

Con = kna , a es el radio de la placa.

Las condiciones de borde de una placa vibrante libre son que su momento
flexional radial es nulo en r=a:

M r (a) = 0

34

 2 y(a)
1 y ( a ) 1 2 y ( a )
Dr
+

+ 2

= 0
2
r 2
r r
r
Pero y no depende de , entonces:

2 y(a)
1 y ( a )
Dr
+
= 0
2
r r
r

(3.1.6)

Reemplazando (3.1.3) en (3.1.6) tenemos:

1
A kn J 0 (kn a) + J1 (kn a)
a

1
= B I1 (kn a)

kn I 0 (kn a) (3.1.7)

Se usaron las siguientes relaciones recursivas de Bessel para el clculo

de la relacin (3.1.6)
n
J n ( x) J n +1 ( x)
x
n
I n '( x) = I n ( x) + I n +1 ( x)
x
2
J n + 2 ( x) = (n + 1) J n+1 ( x) J n ( x)
x
2
I n+ 2 ( x ) = (n + 1) I n+1 ( x) + I n ( x)
x
J n '( x ) =

(3.1.8)

La otra condicin de borde es que el efecto borde sea cero en r=a, esto es:
Vr ( a ) = 0
Qr

M r
=0

(3.1.9)

35

Qr : Fuerza de cizalle longitudinal en el borde de la placa.

M r : Momento torsional en el borde de la placa.
Con:

2 y 1 y 1 y 1 2 y
2 y 1 y
Qr = Dr 2 +

+
+
D
r

r r r 2 r r 3 2
r r
r r
1 y
M r = 2 Dk

r r
(3.1.10)
En donde:
Dr = Dr + 2 Dk
Gh3
12
Dr = D = D
Dk =

(3.1.11)

r = =
Como el desplazamiento y no depende de las expresiones en (3.1.10)
se reducen bastante:

2 y (a) 1 y (a) 1 y (a)

Vr (a) = Qr (a) = Dr
+
= 0

2
r r r 2 r
r r
(3.1.12)
Sustituyendo (3.1.3) en (3.1.12) y usando las relaciones de Bessel de
(3.1.8) obtenemos la siguiente expresin:

AJ1 (kn a) = BI1 (kn a)

(3.1.13)
36

Dividiendo (3.1.13) por (3.1.7) resulta la siguiente relacin:

J1 ( k n a )
1
kn J 0 ( k1a) +
a

J1 ( k n a )

I1 ( k n a )
1
k n I 0 ( kn a ) +
a

I1 ( kn a)

(3.1.14)

Lo que lleva a:

J 1 ( k n a ) I 0 ( k n a ) + I1 ( k n a ) J 0 ( k n a ) =

2(1 ) I1 (k n a ) J1 ( kn a )
kn a

(3.1.15)

Las races de la ecuacin (3.1.15) son de la forma:

k n a = R ( n)
En donde n es un entero positivo. Diferentes valores de kn a van a definir
diferentes modos de vibracin de la placa.

Modo de vibracin n
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Valores de ( kn a )

9,084
38,55
87,8
157
245,9
354,6
483,1
631
798,6
986

Tabla 2: Diferentes modos de vibracin y sus respectivos valores ( kn a ) [4].

2

37

El objetivo es obtener una masa equivalente de la placa que dependa del

modo de vibracin de sta. Para determinarla primero se calcula la energa
cintica sobre toda la placa, luego se propone que si toda la masa de la placa
est concentrada en su centro (masa equivalente), la energa cintica en el
centro debe ser igual a la energa cintica calculada. De esta igualdad se
determina la masa equivalente. Con la masa equivalente y la Complianza
equivalente podemos obtener una impedancia mecnica equivalente.
La energa cintica de la placa se determina elevando al cuadrado la
derivada temporal de la ecuacin (3.1.3) (velocidad)

e integrar la energa

cintica sobre toda la superficie de la placa:

a

1
K n = hn 2 exp(2 jnt )
2
0

[A J
2

2
0

(kn r ) + B 2 I 0 2 (kn r ) + 2 ABJ 0 (kn r ) I 0 (kn r )]rd dr

(3.1.16)
Desarrollando (3.1.16):
a

K n = hn 2 exp(2 jn t ) [ A2 J 0 2 (kn r ) + B 2 I 0 2 (kn r ) + 2 ABJ 0 (kn r ) I 0 (kn r )]rdr

0

(3.1.17)
Usando las relaciones integrales de Bessel tenemos:

38

A2 J 0 2 rdr = A2
0
a

B 2 I 0 2 rdr = B 2
0
a

2 AB J 0 I 0 rdr =
0

a2
J 0 2 + J12
2
a2
I 0 2 I12
2
AB
[ J 0 I1 + J1I 0 ]
kn a

Y con la relacin obtenida en (3.1.15) el valor de la integral en (3.1.17) es:

I 2 I12 ) 4J1 (1 ) J1I1
A2a2 2
2
2 ( 0
J0 + J1 + J1

I=
knaI1 akn
I12
2

I=

J12 I02 4J1 (1 ) J1I1

A2a2 2
2
2
J0 + J1 J1 + 2

I1 knaI1 akn
2

(3.1.18)

2
Aa 2
4(1 )
2 I0
I=
J0 + J1 2 2 2
a kn
2
I1
2 2

La energa cintica resulta:

2
A2 2
4(1 )
2 I0
K n = a hn exp(2 j n t )
J 0 + J1 2 2 2
2
a kn
I1
(3.1.19)
2

Si elegimos que toda la energa cintica de la placa est concentrada en

el centro de la placa, la energa cintica equivalente en el centro de la placa
ser:
1
K n * = M n ( A2 + B 2 )n 2 exp(2 jn t )
2

(3.1.20)

M n : Masa equivalente de la placa.

39

Esta suposicin nos permite tener una velocidad de vibracin

unidimensional que es lo que se necesita para incluir la placa en el circuito
equivalente.
Como la energa cintica de la placa est concentrada en su centro
tambin lo es su masa (masa equivalente). Igualamos (3.1.19) y (3.1.20)
obteniendo la masa equivalente:

Mn =

2
mA2 2
4(1 )
2 I0
J
+
J

0
1
2
2
2
( A + B )
(kn a) 2
I1

(3.1.21)

2
En donde m = a h es la masa de la placa.

El trmino

A2
con ayuda de la segunda condicin de borde
( A2 + B 2 )

AJ1 (kn a) = BI1 (kn a) es:

A2
I12
=
( A2 + B 2 ) ( I1 J1 )2

Por lo tanto, la masa equivalente de la placa es:

Mn = m

I1 (kn a )2

( I1 (kn a) J1 (kn a) )

4(1 )
2
2 I 0 ( kn a)
J
(
k
a
)
+
J
(
k
a
)
2 2 (3.1.22)
0 n

1
n
2
kn a
I1 (kn a )

Como se observa en la relacin (3.1.22), la masa equivalente es un

factor de la masa de la placa y depende del modo de vibracin de la placa.

40

3.2 Clculo de la Complianza equivalente de una placa circular

La Complianza equivalente de una placa circular puede ser calculada
considerando la energa de deformacin de la placa. Esta energa es la que
acumula la placa al ser deformada por una fuerza externa. La energa de
deformacin de la placa se define como [4]:
2
2
a 2
2 yn 1 yn 1 2 yn
D
2 yn 1 yn 1 2 yn 1 yn
Un = 2 +
+
+
2(1 ) 2

rd dr
2 0 0 r
r r r 2 2
r r r r 2 2 r r

(3.2.1)

D es la rigidez frexural: de la placa:

D=

Eh3
12(1 2 )

Ya que yn no depende de e integrando con respecto a la integral en

(3.2.1) se reduce a:
2
2
a
2 yn 2 yn 2 yn 1 yn
Eh3

Un =
+
+
rdr (3.2.2)
6(1 2 ) 0 r 2
r r r 2 r 2 r

Al igual que el clculo de la masa equivalente, si tomamos como punto

de referencia el centro de la placa suponemos que toda la energa potencial
elstica de la placa est concentrada ah ( U n' ). Por lo tanto, igualamos U n con

U n' para as poder despejar la Complianza equivalente:

U n' =

1 2
yn (r = 0) = U n
2Cn
41

Por lo tanto, la Complianza equivalente es:

yn2
Cn =
2U n

(3.2.3)

El resultado de la integral en (3.2.2) no tiene una expresin analtica ya

que su integrando es complejo de resolver, por lo tanto, se calcular en forma
numrica.
Con la masa y la complianza equivalente obtenidas se puede determinar
la impedancia mecnica equivalente de la placa dependiente del modo de
vibracin:

1
Z n = jX n = j n M n

n Cn

(3.2.4)

Como se observa en (3.2.4) no estn presentes las prdidas mecnicas

de la placa. Para este modelo de transductor ultrasnico no se considerarn
prdidas mecnicas en la placa.

3.3 Impedancia de radiacin de una placa circular

En este trabajo se considerar la impedancia de radiacin como si la
placa fuese un pistn. Esta suposicin es cercana a la realidad en el primer
modo de vibracin, para modos altos de vibracin la impedancia de radiacin
ser diferente, porque la impedancia de radiacin tambin depende de la
frecuencia de vibracin de la placa.Por lo tanto para cada modo de vibracin se
tendr una impedancia de radiacin distinta. En teora a mayor modo de
42

vibracin de la placa menor ser la impedancia de radiacin, la cantidad de

nodos y antinodos crecer y tanto la resistencia y reactancia de radiacin (parte
real e imaginaria de la impedancia de radiacin respectivamente) tendern a
decrecer debido al fenmeno de cancelacin de fase en la placa y la menor
rea radiante de sta.
Por lo tanto la expresin que define la impedancia de radiacin es:

Zr = S c

(3.3.1)

En donde:

S =rea de la superficie de la placa [ m 2 ].

kg
=Densidad del medio a irradiar 3 .
m
m
c =Velocidad de propagacin del sonido en el medio a irradiar .
s

43

Captulo 4

MTODO EXPERIMENTAL
4.1 Introduccin
En este captulo se describe de qu forma fueron realizadas las
mediciones, que instrumentos se utilizaron y los resultados obtenidos. Primero
en la seccin 4.2 se explica las partes del transductor y que tipo de mediciones
se realizarn para corroborar el modelo. En la seccin 4.3 se explica el montaje
experimental, los instrumentos utilizados en la medicin y la estrategia utilizada
para medir. La seccin 4.4 muestra los resultados obtenidos, grficos y tablas.
En la seccin 4.5 se analizan los datos experimentales, comparndolos con la
teora y con la simulacin en COMSOL para as corroborar el modelo de
circuitos equivalentes.
4.2 Descripcin experimental
Para corroborar la teora de circuitos equivalentes propuesta en este
trabajo se utiliz un transductor ultrasnico de potencia, al que se le acoplaron 2
placas circulares de distinto dimetro. La placa de menor dimetro se mueve en
su segundo modo de vibracin y la de mayor dimetro en su tercer modo de
vibracin. El transductor tiene electrodos de cobre, uno central y 6 de menor
espesor entre cermicas piezoelctricas conformando lo que se denomina
sndwich de cermicas, lo que se conoce como sndwich Langevin [5]. El
transductor tiene 6 cermicas piezoelctricas, una contramasa trasera, una
masa frontal unida con un amplificador mecnico y una placa circular (ver figura

44

14). La contramasa frontal, masa frontal y amplificador mecnico son de acero y

las placas son de duraluminio

Fig 13: Diseo de Transductor ultrasnico a utilizar en los experimentos.

Mediante las mediciones experimentales se encontr la relacin entre la
velocidad de vibracin de la placa en su superficie y la corriente de alimentacin
del transductor esta relacin se compar con la que propone el modelo de
circuitos equivalentes. Por otro lado se verific experimentalmente el modo de
vibracin de las placas y se compar con el modo de vibracin propuesto por el
modelo.
Para encontrar la relacin entre la corriente de alimentacin y la
velocidad de vibracin de la placa se utiliz el vibrmetro lser en conjunto con

45

una sonda de corriente elctrica. La corriente de alimentacin fue aumentada

hasta no ms de 1.3 [A].
Para verificar en qu modo de vibracin se encuentra la placa se midi la
amplitud de desplazamiento de la placa a lo largo de su radio con un vibrmetro
lser. Al realizar el barrido del lser sobre la superficie de la placa, la corriente
elctrica de alimentacin del transductor fue constante aplicndose sobre ste
una potencia de 5[W].
A continuacin se muestra el transductor con las placas utilizadas en la
medicin:

Fig 14: Transductor ultrasnico de potencia utilizado en las mediciones.

En la figura 16, a la izquierda el transductor tiene acoplado una placa que
vibra en su segundo modo de vibracin y es ms pequea que la placa de la
derecha la cual vibra en su tercer modo de vibracin.
46

Algunas caractersticas del transductor son:

Cte
Velocidad del
Elementos
piezoelctrica
sonido en el
Radio
Radio
Transductor Densidad[kg/m3]
h[N/C]
material[m/s]
externo[m] interno[m]
Cermicas
piezoelctricas
7600
44.4e8
3940
0,038
0,013
Backing
8000
5752
0,04515
0,01045
Contramasa
frontal
8000
5752
0,04535
Amplificador
mecnico
8000
5752
0,02
Tabla 3: Algunas caractersticas del transductor ultrasnico de potencia a
utilizar.
4.3 Montaje Experimental
Para medir la velocidad de vibracin de la placa y la amplitud de
desplazamiento en la superficie de la placa se us el montaje experimental que
se muestra en la Figura 17.

47

Fig 15: Esquema del montaje experimental

Como se observa en la figura 17, se conecta una inductancia en paralelo
para as tener la mxima corriente ingresando hacia el transductor. Se mide con
una sonda de efecto hall la corriente de entrada al transductor y la medida de
corriente es desplegada en el osciloscopio. De igual forma el vibrmetro laser
es conectado al osciloscopio en donde se observa la velocidad de vibracin de
la placa. Tanto la corriente medida por la sonda como la velocidad de vibracin
de la placa tienen factores de conversin que permiten leer en el osciloscopio
las corrientes y velocidades correctas
4.4 Datos experimentales
4.4.1 Caracterizacin de los transductores ultrasnicos
El puente de impedancia da para el transductor los siguientes resultados:

48

Placa n=2 Placa n=3

22,1784
Frecuencia de Resonancia [kHz]
21,8196
Impedancia(mdulo) [ ]
16,8483
22,0500
Capacitancia equivalente(Co) [nF] 10,2764
9,0510
Inductancia equivalente (Lo) [mH]
5,1773
5,4200
Tabla 4: Datos obtenidos del puente de impedancia.
A partir de los datos obtenidos en el puente de impedancia se calcula la
inductancia equivalente en la frecuencia de resonancia que va a ser conectada
en paralelo al transductor:
4.3.2 Amplitud de desplazamiento de la placa y modos de vibracin.
Las placas utilizadas para la medicin son de duraluminio y tienen un
orificio en su centro de 6 mm de dimetro

para as fijarlas al amplificador

mecnico. Los radios de las placas fueron elegidos para que al vibrar a la
frecuencia de resonancia del transductor stas presenten el modo de vibracin
deseado. La placa ms pequea que vibra en modo n=2 tiene un radio de
0,04725[m] y la otra que vibra en modo n=3 un radio de 0,0703[m].
Los datos de amplitud de desplazamiento obtenidos para ambas placas
son los mostrados en las figuras 20 y 21.

49

Amplitud de desplazamiento de la placa vs Radio

Amplitud de desplazamiento [um]

4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0

10

15

20

25

30

35

40

45

50

Radio [mm]
Fig 16: Amplitud de desplazamiento de la placa con modo de vibracin
n=2.
Se observa que la placa presenta 2 nodos, uno cerca de los 20mm y otro
cercano a los 40mm de radio.

50

Amplitud de Desplazamiento vs Radio

Amplitud de desplazamiento [um]

4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0

10

20

30

40

50

60

70

Radio [mm])

Fig 17: Amplitud de desplazamiento de la placa con modo de vibracin

n=3.
Se observa que la placa presenta 3 nodos, uno cerca de los 15mm, otro
cercano a los 40mm de radio y el tercero a 60mm del centro de la placa.
4.3.3 Velocidad de vibracin de la placa
Los datos obtenidos de la velocidad de vibracin de las placas en funcin
de la corriente de alimentacin del transductor se muestran en los grficos de
las figuras 22 y 23. Como se observa, la relacin entre la corriente de
alimentacin y la velocidad de vibracin es lineal.

51

Velocidad de vibracin de la placa n=2 vs Corriente de

alimentacin del tranductor vs

Velocidad de Vibracin [m/s]

1,6
1,4
1,2
1
0,8
0,6
0,4

Up = 1,286I - 0,0167
0,2
0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

Corriente (RMS) [A]

Fig 18: Velocidad de Vibracin de la placa n=2 vs corriente de alimentacin del
transductor. Se observa la relacin lineal entre ambas variables y su respectiva
ecuacin de la recta.

52

Velocidad de VIbracin [m/s]

Corriente de alimentacin del tranductor vs Velocidad de

vibracin de la placa n=3
1,6
1,4
1,2
1
0,8
0,6
0,4

Up = 1,3492I - 0,0019

0,2
0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

Corriente (RMS) [A]

0,9

1,1

1,2

Fig20: Velocidad de Vibracin de la placa n=3 vs corriente de alimentacin del

transductor Se observa la relacin lineal entre ambas variables y su respectiva
ecuacin de la recta.

53

4.5 Anlisis de resultados

4.5.1 Modos de vibracin de las placas
Para calcular los modos de vibracin de la placa se utilizaron los
siguientes datos:
Placa n=2 Placa n=3
3

Densidad [kg / m ]
Mdulo de Young [GPa]

3250
70

3250
70

Espesor [ m ]

5,6e-3

5,6e-3

Radio [ m ]
Coeficiente de Poisson

0,04725
0,33

0,0703
0,33

( ka ) 2

38,55
87,8
Tabla 5: Datos utilizados para calcular la frecuencia a la que vibran las placas.
Los radios y espesor de las placas mostradas en la tabla 3 fueron
calculados mediante el software COMSOL en donde se simul diferentes radios
de la placa a un espesor fijo entre frecuencias de 21[kHz] y 23[kHz].Obteniendo
los radios ptimos de las placas segn la frecuencia que se deseaba, las que
estn en torno a los 22[kHz], se obtienen las figuras 23 y 24.

54

Fig 19: Simulacin en COMSOL de un transductor ultrasnico con placa

vibrando en su segundo modo.

55

En la figura 23 la placa est vibrando en el modo n=2. El transductor

presenta simetra axial por lo que en las figuras 23 y 24 se observa un solo lado
de ste. Se puede observar en la figura 23 que la frecuencia en la que la placa
vibra es 21,861[kHz].La placa presenta 2 nodos representados por las zonas de
color azul y 3 antinodos representados por los colores rojo (centro), verde
(segundo antinodo) y rojo (en el borde). La placa tiene las dimensiones
especificadas en la tabla 3. Los colores representan los desplazamientos a los
que est sujeto el transductor y tienen unidades de metro [m].

Fig 20: Simulacin en COMSOL de un transductor ultrasnico con placa

vibrando en su tercer modo.
56

El transductor de la figura 24 vibra a una frecuencia de 22,165[kHz] y la

placa presenta 3 nodos y 4 antinodos.
Posterior a esto, se utilizaron las dimensiones de las 2 placas simuladas
y se construyeron 2 placas de duraluminio las que fueron apernadas al
transductor para su posterior uso en la toma de datos. Utilizando la relacin
(3.1.5) con los radios obtenidos en la simulacin y los datos de la tabla 3 la
frecuencia de vibracin de las placas de modo n=2 y n=3 respectivamente son:
f 2 = 21,841[ kHz ] ; f3 = 22, 472[kHz ]
Las frecuencias obtenidas de la relacin (3.1.5) son cercanas a las
frecuencias medidas experimentalmente y a las mostradas por la simulacin en
COMSOL. Por lo tanto la relacin (3.1.5) es bastante til a la hora de calcular
que dimensiones debe tener una placa circular para vibrar a la frecuencia y
modo de deseado.
A continuacin una tabla con los errores porcentuales entre las
frecuencias las frecuencias mencionadas anteriormente:

57

Modo de

Errores relativos porcentual respecto de la

vibracin

frecuencia de resonancia experimental

Teoria de

Impedancia

Simulacin

placas

mecnica

COMSOL

delgadas

equivalente

Placa n=2

0,19%

0,10%

0,04

Placa n=3

0,06%

1,3%

1,3%

Tabla 6: Tabla con errores relativos porcentuales entre los datos tericos y
experimentales de las frecuencias de resonancia del transductor.
Podemos chequear si los valores de la masa y la complianza equivalente
son los correctos evaluando estos valores para calcular la frecuencia de los
modos n=2 y n=3 usando la relacin:

n 2 =

1
Cn M n

Los valores obtenidos para ambos modos n=2 y n=3 son:

f 2 = 21,829[kHz ] ; f3 = 22, 474[kHz ]
Comparando las frecuencias de vibracin tericas de las placas con las
experimentales de la tabla 2 podemos observar que son similares y que los
radios de las placas fueron elegidos correctamente para que vibren al modo
deseado segn la frecuencia de vibracin del transductor.

58

Todo lo dicho anteriormente sobre los modos de vibracin de las placas

puede ser resumido en la siguiente tabla:
Frecuencia de vibracin de las
Placas[kHz]
n=2
n=3
21,820
22,178
21,861
22,164

Datos Experimentales
Simulacin COMSOL
Teora Clsica placas delgadas:

Eh 3
2
12 (1 2 ) 2 a 2
Impedancia mecnica equivalente:
fn =

n 2 =

21,841

22,472

1
Cn M n

21,829
22,474
Tabla 7: Resumen del anlisis de las frecuencias de vibracin de las
placas.
Los valores de masa, Complianza y masa equivalente de las placas de
modo n=2 y n=3 utilizados fueron respectivamente:

m2
; M 2 = 0, 0129 [ kg ]
N

9
m2 = 0,1277[ Kg ] ; C2 = 4,1329 10

m2
m3 = 0, 2826[ Kg ] ; C3 = 2,6253 109 ; M 3 = 0, 0191[ Kg ]
N
Como se puede observar, las masas equivalentes son menores que las
masas de las placas. Esto es porque el transductor al vibrar siente que est
desplazando una placa de masa menor ya que parte de sta se mueve hacia
arriba y otra hacia abajo. La masa equivalente es del orden de 10 veces menor
que la masa de la placa, para ambos modos de vibracin.
59

Las impedancias de radiacin considerando la placa como un pistn son:

Ns
Ns
Z r 2 = 2,8616 ; Z r 3 = 6,3346
m
m

4.4.2 Velocidad de vibracin de las placas

Con respecto a la velocidad de vibracin de las placas y su relacin con
la corriente de alimentacin del transductor se utiliz la ecuacin (2.2.5)
obtenida de la teora de circuitos equivalentes para calcular las velocidades de
vibracin segn los datos obtenidos de corriente:
1

U pm

NI
=
jC0

Z 2 F

Z1
1 N2
Z1
+
Z1 + 1 +
Z 2 +
1 +

'
jC0 jC0 ( Z Be + Z1 )

( Z Be + Z1 )

Z1 A + Z n + Z r

Z + Zn + Zr

Z
+ 1 Z1F + 1 A + ( Z1 A + Z n + Z r ) + M 1 A
+ 1

Z2 A
M
Z2 A

Por lo tanto para cada valor de corriente medido, se evalu tal valor en la
relacin (2.2.5) obteniendo los siguientes resultados:
Para la placa de modo de vibracin n=2 se obtuvo el siguiente grfico:

60

Corriente de alimentacin del tranductor vs Velocidad de

vibracin de la placa n=2

Velocidad de Vibracin [m/s]

1,6

Datos Experimentales
1,4

Modelo

1,2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

Corriente (RMS) [A]

Fig 21: Grfico Velocidad de vibracin vs Corriente de alimentacin del
transductor con placa vibrando en su segundo modo. La corriente de
alimentacin medida est en RMS.

U pm = 1,3543I
La pendiente de la recta U pm = 1,3543I

representa un factor de

conversin electromecnico propio del transductor y su placa vibrante.

La ecuacin de la recta de los datos experimentales es:

U p = 1, 286 I + 0, 0167
Las pendientes experimental y terica son similares con un error
porcentual entre ambas del 5,3%.

61

Para la placa con modo de vibracin n=3 tenemos:

Velocidad de VIbracin [m/s]

1,6

Corriente de alimentacin del tranductor vs Velocidad de

vibracin de la placa n=3
Datos Experimentales

1,4

Modelo

1,2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0,2

0,4

0,6

0,8

1,2

Corriente (RMS) [A]

Fig 22: Grfico Velocidad de vibracin vs Corriente de alimentacin del

transductor con placa vibrando en su tercer modo. La corriente de alimentacin
medida son valores RMS.
La ecuacin de la recta del modelo es:

U pm = 1, 297 I
Recordando la ecuacin de la recta de los datos experimentales:

U p = 1,3492 I + 0, 0019
Tenemos que las pendientes experimental y terica son similares con un
error porcentual entre ambas del 3,9%.
62

Por lo tanto, podemos decir que el modelo basado en circuitos

equivalentes predice en forma correcta la velocidad de vibracin en el centro de
ambas placas circulares.

63

CONCLUSIONES
Podemos concluir que:

El modelo de circuitos equivalentes propuesto en este trabajo presenta

resultados muy cercanos a los medidos por lo que el modelo funciona

La relacin entre la corriente de alimentacin del transductor y la

velocidad de vibracin de la placa es lineal. Las ecuaciones de la recta
del modelo y los datos experimentales son muy similares con un error
porcentual entre sus pendientes menores al 5,3% esto indica que el
modelo representa de forma correcta la relacin entre corriente y
velocidad de vibracin.

Los radios y espesor de las placas del transductor ultrasnico de

potencia obtenidas mediante la simulacin en COMSOL fueron
evaluados en la relacin (3.1.5) obteniendo frecuencias de vibracin muy
cercanas a la que mostraba la simulacin. Luego al medir el transductor
en el puente de impedancia con ambas placas, y obtener las frecuencias
de resonancia se compararon stas con las frecuencias de vibracin de
las placas obtenidas mediante la teora. Los valores tericos y
experimentales son muy similares con errores porcentuales menores al
1,4%. Esto es muy importante ya que se requiere que el transductor vibre
a una frecuencia igual a la frecuencia de vibracin de la placa
correspondiente.

La frecuencia de vibracin de las placas calculadas mediante la relacin

(3.2.4) es similar a las encontradas en la simulacin en COMSOL y a las
medidas

experimentalmente.

Esto

significa

que

los

valores

de

Complianza e impedancia mecnica equivalente son correctos.

64

Bibliografa
[1]. Vives, Antonio Arnau. Piezoelectric Transducers and Applications. Berln :
Springer, 2008. pp. 2-7.
[2]. Lawrence E. Kinsler, Austin R. Frey. Fundamentals of Acustics. United
States Naval Postgraduated School Monterey, California : John Wiley & Sons
Inc, 1962. pp. 100-104,177-181.
[3]. Oyarzn Reyes, Rolando. El circuito equivalente de Mason.
Contribuciones cientficas y Tecnolgicas N 98 , 1993. (versin revisada el
2009 por Luis Gaete Garretn).
[4]. Leissa, Arthur W. Vibration of Plates. Ohio state University Columbus,
Ohio : Scientific and technical information division, 1969. pp. 1-5,10-11,337-340.
[5]. Jordn, Pedro Carrero. Diseo de un sistema electro-mecnico para el
secado de productos por ultrasonidos. Madrid : s.n., 2010.
[6]. Lin, Shuyu. Radiation Impedance and Equivalent Circuit for Piezoelectric
Ultrasonic Composite Transducers of Vibrational Mode-Conversion. IEEE
transactions on ultrasonics,ferroelectrics,and frecuency control,Vol 59,no.1 :
s.n., 2012.

65

ANEXO
A1: Solucin de la ecuacin diferencial de la placa circular delgada
La ecuacin diferencial que rige el comportamiento de una placa circular
delgada est definida como:

D 4 y +

2 y
=0
t 2

(A1.1)

En donde:
D : Rigidez flexural. [Nm]

=Densidad de la placa [kg/m3]

La rigidez flexural est definida como: D =

Eh3
12(1 2 )

Con:
E =Mdulo de Young [Pa].

=Coeficiente de Poisson
h =Espesor de la Placa [m]

La ecuacin (A1.1) tiene como solucin:

y = Y exp(it )

(A1.2)

t =tiempo [s]
66

 =Frecuencia angular [rad/s]

Y es una funcin dependiente de las coordenadas espaciales de la placa que

en este caso al ser una placa circular, se adoptarn coordenadas cilndricas.

Al sustituir (A1.2) en (A1.1) tenemos la siguiente ecuacin diferencial:

4Y k 4Y = 0

(A1.3)

La ecuacin (A1.3) se puede factorizar de la siguiente forma:

+ k 2 )( 2 k 2 ) Y = 0

(A1.4)

La solucin a la ecuacin (A1.4) es la superposicin de las soluciones de las

ecuaciones:

2Y1 + k 2Y1 = 0
2Y2 k 2Y2 = 0

(A1.5)

Considerando coordenadas cilndricas y multiplicando ambas ecuaciones por

r 2 , las ecuaciones (A1.6) resultan de la siguiente forma:

2Y1
Y1 2Y1
+
r
+ 2 + r 2 k 2Y1 = 0
2
r
r
2
Y
Y 2Y
r 2 22 + r 2 + 22 r 2 k 2Y2 = 0
r
r
r2

Al resolver

(A1.6)

las ecuaciones diferenciales de (A1.6) por el mtodo de

separacin de variables tenemos que Y1 = R1 (r )1 ( ) e Y2 = R2 ( r ) 2 ( ) con

lo que las ecuaciones de (A1.6) quedan de la siguiente forma:
67

 2 ( R1 ( r )1 ( ))
( R1 ( r )1 ( )) 2 ( R1 ( r )1 ( )) 2 2
+
r
+
+ r k R1 ( r )1 ( ) = 0
r 2
r
2
2 ( R2 ( r ) 2 ( ))
( R2 ( r ) 2 ( )) 2 ( R2 ( r ) 2 ( )) 2 2
r2
+
r
+
r k R2 (r ) 2 ( ) = 0
r 2
r
2
r2

(A1.7)
Dividiendo la primera ecuacin diferencial por R1 ( r )1 ( ) y la segunda
por R2 ( r ) 2 ( ) tenemos que:

r 2 2 R1 (r )
r R1 (r )
1 2 1 ( ) 2 2
+
+
+r k =0
R1 (r ) r 2
R1 (r ) r
1 ( ) 2
r 2 2 R2 (r )
r R2 (r )
1 2 2 ( ) 2 2
+
+
r k =0
R2 (r ) r 2
R2 (r ) r
2 ( ) 2
Separando los trminos que depende de

ry

(A1.8)

tenemos que la nica

forma de que la igualdad de (A1.9) sea vlida es que sean iguales a una
constante en comn que denominaremos m2 :

r 2 2 R1 (r )
r R1 (r ) 2 2
1 21 ( )
+
+
r
k
=

= m2
2
2
1 ( )
R1 (r ) r
R1 (r ) r
r 2 2 R2 (r )
r R2 (r ) 2 2
1 22 ( )
+
r k =
= m2
2
2
R2 (r ) r
R2 ( r ) r
2 ( )

(A1.9)

Por lo tanto, tenemos para la primera ecuacin diferencial de (A1.9) las

siguientes relaciones:

r 2 2 R1 (r )
r R1 (r ) 2 2
+
+ r k + m2 = 0
2
R1 (r ) r
R1 (r ) r
2 1 ( )
1 ( )m 2 = 0
2

(A1.10)

68

Multiplicando la primera ecuacin por R1 ( r ) tenemos que:

2 R1 (r )
R (r )
+ r 1 + ( r 2 k 2 + m 2 ) R1 (r ) = 0
2
r
r
2
2 ( )
2 ( )m 2 = 0
2

r2

(A1.11)

La primera ecuacin de (A1.12) es la ecuacin diferencial de Bessel y la

segunda ecuacin nos entregar una solucin armnica:

R1 ( r ) = AJ m ( kr ) + BYm ( kr )
1 ( ) = 2 ( ) = exp( jm )

(A1.12)

J m (kr ) es la funcin de Bessel de primera especie e Ym (kr ) es la funcin

de Bessel de segunda especie.
Anlogamente para la segunda ecuacin diferencial de (A1.9) tenemos que

r2

2 R2 ( r )
R (r )
+ r 2 (r 2 k 2 + m 2 ) R2 ( r ) = 0
2
r
r

(A1.13)

Esta ecuacin diferencial tiene como solucin:

R2 (r ) = CI m (kr ) + DK m (kr )

(A1.14)

Im (kr) es la funcin de Bessel modificada de primera especie en tanto

que Km (kr ) es la funcin de Bessel modificada de segunda especie.
Por lo tanto, la solucin completa de la ecuacin (A1.1) es:

69

y(r, , t) = ( Am (kr) + BYm (kr ) + CIm (kr) + DKm (kr)) exp( jm )exp( jt)
(A1.15)
Las funciones de Bessel de segunda especie y segunda especie
modificada Ym (kr ) y Km (kr ) son infinitas en r = 0 , por lo que los coeficientes B y
D deben ser nulos. Otro punto importante es que como es una variable

multievaluada lo que significa que y (r , , t ) = y ( r , + 2 , t ) , lo que nos restringe

los valores que puede tomar m los que son: m=0, 1, 2, 3, 4,..etc. La constante
m nos determinar cuantos nodos radiales tendr la placa. Como la placa a
estudiar en este trabajo no tiene nodos radiales m=0. As la ecuacin (A1.15)
queda reducida a la siguiente forma (renombrando la constante D por B ).

y(r, t ) = ( AJ0 (kr ) + BI0 (kr) ) exp( jt )

(A1.16)

70