Inyeccin de carga, cuasi niveles de fermi y

recombinacin radiactiva

Luis Gmez, Rodrigo Salazar

Instituto de Electricidad y Electrnica,
Universidad
Australf (de
Donde
se denomina funcin de distribucin FermiE )Chile

Resumen:

Dirac y E F es la energa de Fermi. En la Fig. 1 a) se ilustra

una grfica de f ( E ) en funcin de E en T = 0 K. Observe
que f ( E ) =1 para E < E F y f ( E ) =0 para E >

E F . Esto es, a 0 K todos los estados que tienen energas

I.

INTRODUCCIN

En el ao 1938 Enrico Fermi y Paul Dirac destacaron que se

poda ocupar fsica estadstica para encontrar una relacin entre
nivel microscpico y macroscpico y as poder encontrar la
probabilidad de la ocupacin de electrones en una banda de
energa. Esta banda estaba dada por la conocida ecuacin de
funcin de Fermi-Dirac y se asume que sus estados son ideales,
desde que se encuentra en estado puro hasta cuando se le
inyectan impurezas de tipo p o n, pero esto no sucede as, ya
que el sistema tiende a perder el equilibrio haciendo que se
deba cambiar el modelo de dicha funcin. Para adaptar el
nuevo modelo de equilibrio para bandas de energa se utiliza lo
que se conoce como cuasi-niveles de Fermi y la recombinacin
Radiactiva relacionando as el nivel de fermi, su densidad y su
ganancia obtenindose nuevas funciones ms prximas a la
realidad.
El presente informe se hizo de manera conjunta con la
recopilacin de informacin de diversos sitios webs y de libros
que sern incluidos en la seccin de referencias.
Al finalizar hablaremos de las conclusiones obtenidas, de las
que podemos destacar el hecho que la funcin de energa de
fermi no es ideal como se haba planteado y depende de la
realizacin de nuevas funciones para los diferentes niveles de
dopado, as mismo podemos destacar la elaboracin y
entendimiento de estas funciones para la construccin de
dispositivos semiconductores.
1.

Energa de fermi

menores que la energa de Fermi estn ocupados, y todos los

estados que tienen energas mayores que la energa de Fermi
estn libres. En la Fig. 1 b) se muestra el estado de E F
cuando se incrementa la temperatura.
Fig. 1. a) Energa para temperaturas igual a 0
temperatura superior a cero.

b) Energa para

Si el metal est en su estado fundamental (el cual ocurre en el

cero absoluto), todos los electrones ocupan los niveles ms
bajos posibles compatibles con el principio de exclusin, como
se indica en la Fig. 2.
Si el nmero total de electrones por unidad de volumen n0
es menor que el nmero de niveles de energa disponibles en la
banda, los electrones ocuparn todos los estados de energa
hasta un mximo designado por E F , y llamado energa de
Fermi.
Fig. 2. Energa de fermi en una banda prohibida.

Recordemos que la fsica estadstica se puede aplicar a un

conjunto de partculas en un esfuerzo por relacionar las
propiedades microscpicas a las propiedades macroscpicas.
En el caso de los electrones es necesario usar estadsticas
cunticas, con el requisito de que cada estado del sistema
puede ser ocupado slo por dos electrones (uno con el espn
arriba y el otro con el espn abajo) como consecuencia del
principio de exclusin de Pauli. Se puede determinar cmo los
electrones pueden distribuirse en una banda comprendida entre
las energas cero y Emax . La probabilidad de que un estado
particular con energa E sea ocupado por uno de los electrones
en un slido est dada por la ecuacin (1):

f ( E)=

1
E Efn
(
)
KBT

(1)

La energa de fermi para algunos metales a 300k es la que se

muestra en la tabla 1:

+1
Tabla 1

Energa de Fermi para algunos materiales en el cero absoluto.

2
Fig. 3. Ejemplo de cuasi-nivel de Fermi cuando se le aplica una
tensin a un semiconductor.

2.

Cuasi niveles de Fermi

Se asume que en la absorcin de fotones el estado inicial de la

banda de valencia est ocupado mientras que el estado final se
encuentra vaco. En general esto puede no ser cierto si los
electrones y huecos son inyectados en un semiconductor ya sea
por contactos externos o mediante excitacin ptica, el sistema
puede no estar en equilibrio y entonces surge la pregunta Qu
clase de funcin de distribucin describe la ocupacin de
electrones y huecos? Sabemos que en equilibrio la ocupacin
de electrn y el hueco se representan por la funcin de fermi
como habamos indicado anteriormente. Por lo tanto se
necesita una nueva funcin para describir el sistema cuando los
electrones y los huecos no se hallan en equilibrio.
Sabemos que en equilibrio la distribucin de electrones y
huecos est dada por la funcin de fermi que est definida una
vez que se conoce el nivel de fermi. Tambin el producto de
electrones y huecos, np es constante. Si los electrones y huecos
en exceso se inyectan en el semiconductor, claramente la
misma funcin no describir la ocupacin de los estados. Bajo
ciertas suposiciones la ocupacin de electrones y huecos puede
describirse mediante el uso de los cuasi-niveles de fermi. Estas
suposiciones son:

Los electrones estn esencialmente en equilibrio en la

banda de conduccin y los huecos en exceso se hallan
en equilibrio en la banda de valencia. Esto significa
que los electrones no estn ni ganado ni perdiendo
energa de los tomos de la red cristalina

El tiempo de recombinacin electrn-hueco es mucho

mayor que el tiempo para que los electrones y huecos
alcancen el equilibrio dentro de las bandas de
conduccin y valencia, respectivamente.

En la mayora de los problemas de inters, el tiempo para

alcanzar el equilibrio en la banda de valencia es
aproximadamente de unos cuantos picosegundos mientras el
tiempo de recombinacin e-h se encuentra en algn lugar entre
un nanosegundo y un microsegundo. De este modo, las
suposiciones anteriores por lo general se cumplen. En este
caso, los electrones y huecos en cuasi-equilibrio cuando por
ejemplo se aplica un potencial, queda como muestra la Fig.3.

Estos pueden representarse por una funcin de electrn de

fermi f e (con nivel de fermi de electrn) y una funcin de
fermi de hueco f h (con un diferente nivel de Fermi de
hueco). Ahora tenemos que para calcular el rea bajo la curva
que se desequilibra las ecuaciones (2) y (3):

n= N e (E)f (E)dE(2)
Ev
Ev

p= N h (E)f h (E) dE(3)

Donde el nivel de Fermi en el electrn y en el hueco son las

variaciones de la funcin de Fermi-Dirac:

f ( E )=

EE fn
(
)
K BT

+1

f h ( E ) =1f v ( E )=

1
E E
( fp
)
KB T

+1

En equilibrio se supone que Efn =E fp . Si electrones y

huecos en exceso se inyectan en el semiconductor, el nivel de
Efn se mueve hacia la banda de
Fermi de electrn

conduccin, mientras el nivel de fermi del hueco Efp lo

hace hacia la banda de valencia. La habilidad para definir
Efn y E fp nos proporciona un
cuasi-niveles de fermi
enfoque muy poderoso para resolver problemas fuera de
equilibrio los cuales son, por supuesto de enormes inters en
dispositivos.
Dependiendo del dopaje del semiconductor, el nivel de energa
de Fermi se ubica cerca de la banda de conduccin o cerca de
la banda de valencia como muestra la Fig. 4.

3
Fig. 4. a) dopaje cerca de la banda de conduccin, b) en medio de la
banda y c) cercano a la banda de valencia.

N ev ( ) =

2(mr )3 /2 (E g)1 /2
2

ph

(7)

(Ganancia = coeficiente de emisin coeficiente de absorcin)

2

g ( ) =

2
e h
|ap if| N ev ( ) f e ( Ee )( 1f h ( E h ) ) (8
2
n r c m 0 ( )

El termino dentro de los parntesis cuadrados surge puesto que

la emisin de fotones es proporcional a
fe * fh ,
mientras por otro lado el proceso de absorcin es proporcional
a
( 1f e )(1f h ) . La diferencia de estos trminos
aparece en la ecuacin (8).
La energa Ee y Eh son determinadas advirtiendo lo
siguiente

Al definir niveles de fermi separados para electrones y huecos,

se pueden estudiar las propiedades de los portadores en exceso
por medio de la misma relacin entre el nivel de fermi y la
densidad del portador como desarrollamos para el problema en
equilibrio. De esta manera, en la aproximacin de Boltzman
para dopado tipo n y p dado por las ecuaciones (4) y (5).

n=N c e

p=N v e

Efn E v
)
KB T

(4)

Ev E fp
)
KB T

(5)

Lo que en la ms precisa informacin queda:

lnn
n
( E fnE c )=K B T [ N + 8 N ](6)
c
c

Ev Efp advierta el
Con una expresin similar para
cambio de signo para la expresin de cuasi-nivel de fermi para
el hueco.

3.

Inyeccin de carga y recombinacin radioactiva

En las secciones anteriores hemos discutidos como un fotn

que incide sobre un semiconductor puede ser absorbido al
mover un electrn de la banda de valencia a la banda de
valencia a la banda de conduccin. El haz de fotones decae, as
a medida que se mueve a travs del semiconductor. El proceso
de absorcin requiere que los estados de la banda de valencia
tengan electrones presentes y los estados de la banda de
conduccin no tengan electrones. Entonces podemos
preguntarnos Qu pasa si la banda de valencia tiene huecos en
la banda de valencia? Esto podra suceder? Bajo tales
condiciones los pares de electrn-hueco podran recombinarse
y emitir ms fotones que podran ser absorbidos. De este modo
se debe hablar acerca del coeficiente de emisin menos el
coeficiente de absorcin. Este trmino se denomina la ganancia
del material. Si la ganancia es positiva, crecer un haz ptico a
medida que tenemos la ganancia
g ( ) dada por la
generalizacin de la ecuacin (7).

E g=

Ee =E c +

h2 k 2
(9)
2 mr

h2 k 2

2 me

Ec +

mr
( E g ) (10)
me

Eh=E v +

h2 k 2
2 mh

m
Ev + r ( E g ) (11)
mh
As como indica la ecuacin (11) la posicin se determina
por la energa y la masa de los portadores como muestra la
Fig. 5.

4
Fig. 5. las posiciones de las energas de los cuasi-niveles de fermi, el
electrn y el hueco estn determinadas por la energa del fotn y las
masas de los portadores.

La tasa de recombinacin espontanea es bastante importante

tanto para dispositivos electrnicos como optoelectrnicos. Es
importante examinar la tasa para varios casos importantes. Se
proporcionarn los resultados para la recombinacin electrn
hueco para los casos siguientes:
i)

Inyeccin

de portador minoritario.
Si
y la muestra est fuertemente
adulterada, podemos suponer que
f e (E e )
est cerca de la unidad. Entonces tenemos para la
tasa a la que los huecos se recombinarn con
electrones,

n p

1
d ( ) N cv f h ( E h )

Respon

3 /2

m
1
d ( ) N h f h ( Eh ) r

0
mh

1 mr
0 m h

( )

3 /2

Si
f e ( Ee )=0 y f h ( E h )=0 , es decir, si no hay
electrones en la banda de conduccin y no hay huecos en la
banda de valencia, observemos que la ganancia es
sencillamente
( ) lo que hemos discutido al
principio. Un valor positivo de la ganancia se presenta cuando
e

ii)

Inyeccin fuerte. Este caso es importante cuando

se inyecta una alta intensidad tanto de electrones
como de huecos. Ahora podemos suponer que
tanto f e como f h son funciones de paso
agudo y obtenemos aproximadamente

f ( E ) >1f ( E ) (12)
Una condicin que se conoce como inversin. En este caso la
onda luminosa que pasa en el material tiene una dependencia
espacial que se demuestra en la ecuacin (13).

Lo que crece con la distancia en vez de disminuir como

generalmente lo hace si
g ( ) es negativa. La ganancia
es la intensidad ptica es la base para el lser de
semiconductor. A medida que los electrones y huecos son
bombeados, dentro del semiconductor se recombinan a
travs del proceso de emisin espontanea, este proceso no
requiere de estn presentes fotones para que el proceso de la
emisin de fotones tenga lugar. La tasa espontanea est dada al
(tasa por unidad de volumen) integrar la ecuacin (14)

p( 16)

De esta forma, la tasa de recombinacin es proporcional a

la densidad de portador minoritario (huecos en este caso).
Esta condicin es til para diodos pn y transistores
bipolares que sern discutidos despus.

I ( z )=I 0 exp ( gz ) (13)

( )

Respon =
iii)

n p
= (17)
0 0

Inyeccin dbil. En este caso podemos utilizar la

distribucin de Boltzmann para describir las
funciones de Fermi. Tenemos que

f ef h =exp

Sobre todas las energas despus de dar cuenta de las funciones

de ocupacin f e y f h . Esto da, mediante la definicin
de 0 de la ecuacin (15) la que es una generalizacin de
este tema.

Respon =

1
d ( ) N ev { f e ( E e ) }{ f e ( E e ) } (15)
0

} {

La tasa de emisin espontanea ahora resulta ser de

pev (14)
e2 nr
W em ( )=

3 0 m 20 c 2 h 2

} {

Ec E Fn
E FpE v

exp
exp
kB T
kBT
k BT

2
1 2 h mr
Respon =
2 0 k B T m e m h

3 /2

np(19)

Si escribimos la carga total como la carga en equilibrio ms el

exceso de carga,

n=n0 + n ; p=p 0+ n(20)

Tenemos para la recombinacin de portador en exceso (ntese
que en equilibrio las tasas de recombinacin y generacin son
iguales)

Respon =

1 2 h m
2 0 k B T me mh

Efn de la ecuacin () queda

n
Efn =K B Tln
+Ec
Nc

Al despejar

3 /2

( n p0 + p n 0)(2 1)

[ ]

Reemplazando datos

n= p , podemos definir la tasa de una

n
recombinacin de portador en exceso simple como
,
r
Si

donde
2
1
1 2 h mr
=
( p +n ) (22)
r 2 0 k B T me mh 0 0

Respon =

Condicin de inversin. Otra aproximacin til

ocurre cuando las densidades del electrn y del
hueco son de tal forma que f e + f h=1 . Esta
es la condicin para la inversin cuando los
coeficientes de emisin y de absorcin llegan a
ser iguales. Si suponemos en este caso que
, obtenemos la relacin
f e f h=1/2
aproximada.

n
p
=
(23)
4 0 4 0

Efn de la ecuacin () queda

[ ]
p
Nv

Reemplazando datos

Efp =E v +0.121 eV

Se sabe por definicin que la banda de separacin en el silicio

es de 1.1eV, por lo que:

Ec E v =1.1 eV

Y entonces la posicin de los cuasi-niveles seria:

Efn E fp =(1.10.1460.121) eV
Efn E fp =0.833 eV
Que sera el valor ideal en un problema de desequilibrio
atmico.

II. CONCLUSIONES

El tiempo de vida de la recombinacin es de aproximadamente

4 o en este caso. Este es un resultado til para estimar la
corriente de umbral de los lseres de semiconductor.
Los procesos de ganancia y recombinacin discutidos aqu son
muy importantes tanto para dispositivos electrnicos como
optoelectrnicos, que sern discutidos ms tarde. Apuntamos
de la discusin anterior que el tiempo de recombinacin para
un portador en exceso simple puede escribirse en muchas
situaciones en la forma de la ecuacin (24).

r=

Al despejar

Efp =E v K B Tln

Para inyeccin baja r es mucho mayor que 0 y es un

resultado del hecho que, para inyeccin baja como muestra la
ecuacin (22), los electrones tienen una baja probabilidad de
encontrar un hueco con el cual recombinarse.
iv)

Efn =E c 0.146 eV

n
(24)
R espon

Como pudimos ver a lo largo del presente informe la funcin

de fermi-Dirac no es ideal, ni nica, sino que se debe adaptar
para cuando no se encuentra en situaciones de equilibrio al
inyectarle impurezas y para esto una buena forma es como se
mostr con los cuasi-niveles de Fermi y con la recombinacin
Radiactiva que nos daban una funcin ms aproximada a lo
que sera en la realidad.
Cabe destacar la importancia que posee conocer estas
funciones cuando se dopan los semiconductores, ya que el
valor de los niveles de energa indican la cantidad de potencial
necesario para romper la banda prohibida y permitir su
conduccin y un error en el proceso de dopaje puede cambiar
totalmente su valor esperado.

Para inyeccin de portadores minoritarios o inyeccin fuerte

r o . En general,
Respon
tiene una fuerte
dependencia de la densidad de portador como

r .

III. REFERENCIAS
14. Ejercicios:
Se requiere encontrar la posicin de los cuasi-niveles de fermi
del electrn y del hueco usando la aproximacin de boltzman
cuando una densidad e-h de
1017 cm3 se inyecta en
silicio puro a 300 k.
A temperatura ambiente las densidades para el silicio son:

N c =2.81019 cm3
19
3
N v =1.0410 cm
Usando las ecuaciones (4) y (5) y si asumimos que
nc = p v =1017 cm3 .

[1] Dispositivos Semiconductores; Jasprit Singh; McGrawHill.

[2] Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales, 3th
Edicin; William F. Smith y Javad Hashemi; McGrawHill.
[3] Alonso, Finn- Fundamental University Physics V.3Quantum and Statistical Physics; Addinson- Wesey
[4] Ramn
G.
Maldonado,
ensayo
dispositivos
semiconductores, Universidad Tecnolgica de la Mixteca,
Mxico, 2001.
Disponible
en:
http://www.utm.mx/temas/temasdocs/ensayo2t15.pdf

6
[5] Sitio online, visitado el 4-10-2016, disponible en:
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/solids/fermi.html
[6] Sitio online, visitado el 4-10-2016, disponible en:
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/solids/band.html

[7] J. Esteban Zarza, diseo y fabricacin de clulas solares,

Telecom BCN, Barcelona, 2010.
Disponible
en:
http://upcommons.upc.edu/bitstream/handle/2099.1/10777
/PFC_Javier_Esteban.pdf