Flaminio, Dell'Orso, Falchini-Introduzione All'Elettronica Vol.2 - Elettronica Analogica

Dipartimento di Fisica Enrico Fermi
Corso di Laurea in Fisica
Introduzione allElettronica
Parte 2: Elettronica Analogica
Roberto dellOrso, Elisa Falchini, Vincenzo Flaminio
Donato Nicol`
o, Chiara Roda, Franco Spinella
ii
Copyright 2005
Edizioni ETS
Piazza Carrara, 16-19, I-56126 Pisa
info@edizioniets.com
www.edizioniets.com
Distribuzione
PDE, Via Tevere 56, I-50019 Sesto Fiorentino (Firenze)
ISBN 88-467-1173-4
Avvertenze degli autori

Questo testo aronta un argomento che dicilmente potrebbe omettere il nome di
compagnie che commercializzano software o hardware nel mondo dellelettronica.
Tutti i prodotti o le tecnologie a cui si fa riferimento sono marchi registrati a nome
di queste compagnie.
Gli autori ringraziano anticipatamente i responsabili in questione e precisano che il
materiale divulgato, anche se fa riferimento a marchi registrati, non ha carattere
pubblicitario, ne vuole favorire alcuno. Qualsiasi fraintendimento è da ritenersi di
natura accidentale.
Prefazione alla prima edizione

In questo volume abbiamo descritto gli argomenti trattati nel Corso di Laboratorio
di Fisica VI tenuto da uno di noi (V.F.) negli ultimi 15 anni per gli studenti del
Corso di Laurea in Fisica presso lUniversità di Pisa. Esso fà seguito al volume
dedicato allelettronica digitale, che abbiamo di recente pubblicato.
Il Corso presuppone le conoscenze di base relative alle applicazioni delle leggi di
Kirchho, dei teoremi di Thevenin e Norton, del metodo simbolico nella risoluzione
di circuiti in alternata oltre a, naturalmente, lutilizzo degli strumenti di laboratorio
(oscilloscopio, tester, etc.). In questo volume si è comunque ritenuto opportuno
inserire un capitolo dove questi concetti vengono richiamati, ed illustrati con alcuni
semplici esempi.
Si è inserito un capitolo dedicato alle trasformate, il cui utilizzo ricorre molto
spesso nel seguito, come pure uno dedicato alle linee di trasmissione. Segue una
discussione elementare dei semiconduttori, diodi e transistor (bipolari e ad eetto
di campo). Sono anche discusse varie applicazioni dei diodi, degli amplicatori a
transistor, dei FET e degli amplicatori dierenziali.
Un capitolo è dedicato alla struttura delle famiglie logiche (limitato alle pi`
u
semplici tra queste).
Una parte importante del Corso è quella dedicata agli amplicatori operazionali
ed alle loro applicazioni. Questi sono stati trattati in modo abbastanza dettagliato
e con numerosi esempi. Abbiamo discusso in un capitolo a se il famoso 555 ed
alcune sue applicazioni.
Segue una trattazione dei ltri attivi e poi del feedback negli amplicatori. Gli oscillatori sinusoidali sono discussi in un capitolo a parte, limitatamente alle strutture
pi`
u semplici.
Segue una discussione dei convertitori Analogico-Digitale e Digitale-Analogico.
Questi hanno oramai un utilizzo sempre pi`
u diuso nei sistemi di trasmissione
digitale. Abbiamo quindi ritenuto opportuno discutere in questo capitolo anche
i concetti legati al campionamento ed il relativo teorema.
Un apposito capitolo è stato dedicato al rumore, ed in particolare al rumore nei
circuiti elettronici.
Lultimo capitolo, non strettamente legato al resto, ma che fa abbondante uso
dei concetti illustrati nel resto del Corso ed illustra applicazioni dei vari circuiti
discussi, è dedicato ai rivelatori di particelle e di radiazione ionizzante nonche alla
relativa elettronica (preamplicatori ed amplicatori).
Abbiamo cercato di chiarire quanto esposto con numerosi esempi ed applicazioni.
Nel far ciò abbiamo fatto abbondante ricorso alla versione Demo del programma
di simulazione MICROCAP 7 [5]. Questo è stato adoperato anche per ottenere la
iii
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gran parte dei graci contenuti nel testo. Ringraziamo la Spectrum Software per il
permesso di far uso di tale programma, il cui utilizzo consigliamo a tutti gli studenti.
Desideriamo ringraziare i numerosi Colleghi che hanno collaborato con noi in
questi anni, contribuendo a sviluppare la parte pratica del Corso, assistendo gli studenti e mettendo inoltre in evidenza numerosi errori contenuti nelle prime stesure dei
relativi appunti. In particolare desideriamo ringraziare: Antonio Bardi, Alessandro Cardini, Alessandro Cerri, Francesco Forti, Paola Giannetti.
Un ringraziamento particolare, per la dedizione e la competenza con cui hanno
gestito i laboratori didattici del secondo biennio di Fisica in tutti questi anni, al
Responsabile dei laboratori, Carlo Bianchi, ed ai Tecnici Fabrizio Tellini e Virginio
Merlin. Grazie al loro impegno il nostro lavoro è stato reso enormemente pi`
u agevole.
Pisa, Gennaio 2005
Prefazione alla seconda edizione

In questa seconda edizione sono stati corretti numerosi errori e chiariti meglio alcuni
dei concetti esposti.
` stata inoltre espansa la parte dedicata agli oscillatori sinusoidali, con laggiunta
E
di una sezione dedicata agli oscillatori Hartley e Colpitts, nonchè alluso dei cristalli
negli oscillatori.
Pisa, Luglio 2006
Indice
Indice
vii
1 Richiami di teoria dei circuiti elettrici

1.1 Leggi di Kircho . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton . . . . .
1.3 Principio di sovrapposizione . . . . . . . .
1.4 Generatori di tensione/corrente . . . . . .
1.4.1 Generatori ideali e reali . . . . . . .
1.4.2 Generatori dipendenti . . . . . . .
1.5 Quadripoli. Parametri h, y, z . . . . . . .
1.6 Teorema di Miller . . . . . . . . . . . . . .
1.7 Circuiti RC e CR . . . . . . . . . . . . . .
1.7.1 Risposta a gradini ed a rampe . . .
1.7.2 Risposta ad onde quadre . . . . . .
1.7.3 Risposta a segnali sinusoidali . . .
1.8 Riessione di impedenze nel primario di un
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2 Uso
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2.6
2.7
2.8
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trasformatore
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delle trasformate di Fourier e di Laplace

Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
La trasformata di Fourier . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Trasformata di Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace . . . . . .
Risposta di un circuito ad uneccitazione di forma generica
Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi . . . . . . .
Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione .
Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale . . .
3 Diagrammi di Bode e di Nyquist

3.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Diagrammi di Bode . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Quadripoli del secondo ordine . . . . . . . . . .
3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi
3.5 Diagrammi di Nyquist . . . . . . . . . . . . . .
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coniugati
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4 Linee di trasmissione
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4.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.2 Cavi coassiali: principi generali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
vii
viii
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
Indice
Riessioni alle estremità di una linea . .
Riessioni multiple . . . . . . . . . . . .
Eetti resistivi nelle linee di trasmissione
Adattamento dimpedenza per una linea
Linee di trasmissione commerciali . . . .
Linea chiusa su di un condensatore . . .
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5 Semiconduttori: Diodi e Transistor

5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Conduzione elettrica nei semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze .
5.4 Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione . . . . . . .
5.5 Giunzioni p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6 Caratteristica I-V del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacità associate alla giunzione
5.7.1 Capacità associate alla giunzione . . . . . . . . . . . . . . .
5.8 Esempi di uso di diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.1 Circuiti raddrizzatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.2 Retticatore ad onda intera . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.3 Rivelatore di picco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.4 Circuito ssatore (Clamping) . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.5 Duplicatore di tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.6 Misura analogica di una frequenza dimpulsi . . . . . . . . .
5.8.7 Circuito limitatore con diodi Zener . . . . . . . . . . . . . .
5.8.8 Interruttore a ponte di diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9 Il transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9.2 Struttura interna e funzionamento in zona attiva . . . . . .
5.9.3 Caratteristiche duscita del transistor . . . . . . . . . . . . .
5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor . . . . . . . . . . . .
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6 Transistor bipolari
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6.1 Caratteristiche del transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
6.2 Il transistor in zona attiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.2.1 Leetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
6.3.1 Conduttanza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
6.3.2 Conduttanza di feedback . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
6.3.3 Base-Spreading resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
6.3.4 Conduttanza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
6.4 La transconduttanza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
6.5 Le congurazioni base-comune e collettore comune . . . . . . . . . . . 150
6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
6.6.1 Polarizzazione per mezzo di una sorgente di corrente costante 159
6.7 Transistor Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
6.8 Specchi di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
Indice
7 Il modello di Ebers-Moll per i transistor
7.1 Basi del modello . . . . . . . . . . . . .
7.2 Il transistor in interdizione . . . . . . . .
7.3 Il transistor in saturazione . . . . . . . .
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bipolari
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8 Amplicatori a transistor bipolari

8.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2 Inseguitore di emettitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.1 Guadagno in tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.2 Impedenza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.3 Impedenza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.4 Guadagno in corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.5 Calcolo approssimato dei parametri . . . . . . . . . . .
8.2.6 Emitter follower ad alta impedenza dingresso . . . . .
8.2.7 Inseguitore demettitore: sommario delle caratteristiche
8.3 Amplicatore ad emettitore comune (CE) . . . . . . . . . . .
8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore . . . . . .
8.4.1 Esempio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.5 Amplicatori in cascata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6 Amplicatore in base comune . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.1 Guadagno in corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.2 Impedenza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.3 Guadagno in tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.4 Impedenza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.7 Relazione tra guadagno in corrente ed in tensione . . . . . . .
9 Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET
9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.2 Struttura base dei JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.3 Struttura base dei MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.4 Caratteristiche dei FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.5 Circuito equivalente del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.6 Schemi di polarizzazione per il FET . . . . . . . . . . . . . . .
9.7 Amplicatori a FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.8 Inseguitore di source . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.9 Amplicatore a FET: struttura generale . . . . . . . . . . . .
9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET . . . . . . . .
9.10.1 Risposta alle alte frequenze . . . . . . . . . . . . . . .
9.10.2 Risposta alle basse frequenze . . . . . . . . . . . . . . .
9.10.3 Risposta sullintero spettro di frequenze . . . . . . . .
9.11 Verica delle approssimazioni fatte . . . . . . . . . . . . . . .
9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione . . . . .
9.13 I CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.13.1 I CMOS come amplicatori . . . . . . . . . . . . . . .
9.14 Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET
10 Amplicatori dierenziali
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. 252
. 253
259
Indice
10.1
10.2
10.3
10.4
10.5
10.6
Concetti generali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplicatore dierenziale: schema base . . . . . . . . . . . . . . .
Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale
Impedenza dingresso dellamplicatore dierenziale . . . . . . . . .
Generatore di corrente sullemettitore . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington . . . .
11 Struttura delle principali famiglie logiche

11.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.2 Livelli logici . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.3 Il Fan-Out . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.4 Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)
11.5 Circuiti in logica TTL . . . . . . . . . . .
11.6 Circuiti in logica CMOS . . . . . . . . . .
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12 Amplicatori operazionali
12.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.2 Proprietà degli amplicatori operazionali . . . . . . . . . . . . .
12.2.1 Ingresso dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali . . . . . . .
12.3.1 Amplicatori invertenti e non-invertenti . . . . . . . . .
12.3.2 Amplicatore non-invertente . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.3 Amplicatore della dierenza di due segnali . . . . . . .
12.3.4 Amplicatore della somma di due o pi`
u segnali . . . . . .
12.3.5 Integratore realizzato tramite un operazionale . . . . . .
12.3.6 Derivatore realizzato tramite un operazionale . . . . . .
12.3.7 Amplicatore di carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.8 Tensione di riferimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.9 Convertitori corrente-tensione e tensione-corrente . . . .
12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali . . . . .
12.4.1 Comparatore con isteresi . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.2 Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari)
12.4.3 Multivibratore monostabile . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.4 Generatore di onde triangolari . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.5 Limitatori e retticatori . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.6 Rivelatori di picco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.5 Limiti degli amplicatori operazionali . . . . . . . . . . . . . . .
13 Il timer 555
13.1 Introduzione . . . . . . . . . . .
13.1.1 Multivibratore astabile .
13.2 Multivibratore monostabile . . .
13.3 Trigger di Schmitt . . . . . . .
13.4 Convertitore tensione-frequenza
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14 Filtri attivi
357
14.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
14.1.1 Caratteristiche di risposta dei ltri . . . . . . . . . . . . . . . 357
Indice
xi
14.2 Generalità sui ltri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

14.2.1 Esempi di ltri del primo e del secondo ordine . . .
14.3 Funzione biquadratica di trasferimento . . . . . . . . . . .
14.4 Corrispondenze tra tipi diversi di ltri . . . . . . . . . . .
14.5 Il ripple nei ltri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali . . . . . . .
14.7 Filtri di Butterworth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine . . . . . . . . . .
14.9 Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto tra diversi tipi di
14.10Filtri biquadratici ad amplicatore singolo . . . . . . . . .
14.10.1 Implementazione dei diversi tipi di ltri biquad .
14.11Filtri attivi a retroazione multipla . . . . . . . . . . . . . .
14.12Filtri notch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.13Filtri a condensatori commutati . . . . . . . . . . . . . . .
15 Il feedback negli amplicatori
15.1 Struttura generale del feedback . . . . . . . . . . . . .
15.2 Altre proprietà del feedback negativo . . . . . . . . . .
15.2.1 Stabilizzazione del guadagno . . . . . . . . . . .
15.2.2 Risposta in frequenza di un amplicatore . . . .
15.3 Le topologie di feedback negli amplicatori . . . . . . .
15.3.1 Classicazione degli amplicatori . . . . . . . .
15.4 Eetto del feedback sulle impedenze di un amplicatore
15.4.1 Impedenze dingresso . . . . . . . . . . . . . . .
15.4.2 Considerazioni generali . . . . . . . . . . . . . .
15.4.3 Impedenze duscita . . . . . . . . . . . . . . . .
15.5 Analisi dei circuiti con feedback . . . . . . . . . . . . .
15.5.1 Individuazione del tipo di reazione . . . . . . .
15.5.2 Analisi quantitativa del guadagno . . . . . . . .
15.6 Stabilità negli amplicatori con feedback . . . . . . . .
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16 Oscillatori sinusoidali
16.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.2 Realizzazione di un oscillatore sinusoidale . . . . . . . . . . .
16.3 Loscillatore a sfasamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.4 Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare . . . . . . . . .
16.5 Loscillatore sinusoidale in quadratura . . . . . . . . . . . . .
16.6 Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali . . . . . . . . .
16.7 Loscillatore a mezzo ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . .
16.8 Loscillatore a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.8.1 Poli e zeri di A per loscillatore a ponte di Wien . .
16.8.2 Stabilità in frequenza delloscillatore a ponte di Wien
16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive
16.9.1 Struttura generale di un oscillatore a tre punti . . . .
16.9.2 Oscillatori Colpitts . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.9.3 Oscillatori Hartley . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.9.4 Oscillatori LC a transistor . . . . . . . . . . . . . . .
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. 463
xii
Indice
16.10Oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.10.1 Esempi di oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . .
16.11Risuonatori ceramici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.12Appendice A: Non-linearità dei dispositivi attivi adoperati
16.13Appendice B:
relazione tra Q0 ed il numero di oscillazioni in un tempo
17 Convertitori Digitale-Analogico ed Analogico-Digitale

17.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17.2 Circuiti di Sample-and-Hold . . . . . . . . . . . . . . . .
17.3 Convertitori Digitale-Analogico . . . . . . . . . . . . . .
17.4 Convertitori Digitale-Analogico pilotati in corrente . . .
17.5 Convertitori Analogico-Digitale (ADC) . . . . . . . . . .
17.5.1 ADC a contatore (Counting ADC) . . . . . . . .
17.5.2 ADC ad approssimazioni successive . . . . . . . .
17.5.3 Convertitore ADC a rampa singola . . . . . . . .
17.5.4 LADC a doppia rampa . . . . . . . . . . . . . .
17.5.5 Flash ADC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17.6 Caratteristiche dei DAC ed ADC commerciali . . . . . .
17.7 ADC e campionamento dei segnali . . . . . . . . . . . . .
17.8 Il teorema del campionamento . . . . . . . . . . . . . . .
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18 Il rumore nei circuiti elettronici

18.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.2 Processi stocastici stazionari . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.2.1 Descrizione nel dominio del tempo . . . . . . . . . . . . .
18.2.2 Analisi nel dominio della frequenza . . . . . . . . . . . .
18.2.3 Determinazione sperimentale della densità spettrale . . .
18.3 Rumore termico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.3.1 Metodo di Nyquist . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.4 Il rumore di tipo shot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.5 Rumore 1/f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.6 Circuiti equivalenti per il rumore . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.7 Rumore in un quadripolo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.8 Dipendenza del rapporto segnale/rumore in un quadripolo dalla
sistenza della sorgente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.9 Cifra di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.10Rumore nel caso di una catena di pi`
u amplicatori in cascata . .
18.11Espressione analitica della cifra di rumore . . . . . . . . . . . .
18.12Temperatura di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.13Esempio: Transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14Il rumore nei componenti elettronici . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14.2 Il rumore nel transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . .
18.14.3 Il rumore nei FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.15Appendice A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.16Appendice B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Indice
xiii
18.17Appendice C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 564
18.17.1 Teoremi di Campbell e di Carson . . . . . . . . . . . . . . . . 564
19 Elettronica per rivelatori di particelle
19.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2 Caratteristiche di risposta dei rivelatori . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.1 Risoluzione energetica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.2 Risposta temporale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.3 Ecienza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.4 Tempo morto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.3 Rivelatori a scintillazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.4 Fotomoltiplicatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.4.1 Risoluzione energetica di un fotomoltiplicatore . . . . . . .
19.4.2 Risoluzione temporale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.5 Forma dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore . . . . . . . .
19.6 Rivelatori a gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.6.1 Il Contatore Proporzionale . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.6.2 Il modo streamer limitato . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.7 Rivelatori a semiconduttore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.7.1 Preamplicatori di carica per rivelatori a semiconduttore .
19.8 Struttura della catena di rivelazione ed amplicazione . . . . . . .
19.8.1 Preamplicatori e rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.2 Rumore elettronico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.3 Formazione dei segnali prodotti da rivelatori di particelle
19.8.4 Altri metodi di shaping dei segnali . . . . . . . . . . . .
19.8.5 Shaping CR (RC)n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.6 Shaping triangolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.7 Spostamento della linea di zero . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.8 Decit balistico e scelta delle costanti di tempo . . . . . .
19.8.9 Shaping e rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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619
Bibiograa
623
Indice Analitico
626
xiv
Indice
Capitolo 1
Richiami di teoria dei circuiti

elettrici
In questo capitolo saranno discussi alcuni dei teoremi che vengono frequentemente
impiegati per eettuare lanalisi di circuiti elettronici composti da elementi passivi,
quali resistenze, condensatori ed induttanze, insieme a generatori di tensione o di
corrente.
1.1
Leggi di Kircho
Alla base della teoria dei circuiti elettrici troviamo le leggi di Kircho, che consentono
di scrivere in forma consistente delle equazioni lineari da cui, note le sorgenti di
tensione e/o di corrente, è possibile ottenere le correnti e le tensioni in tutti i punti
della maglia.
Chiameremo rami della maglia gli elementi di questa attraversati da correnti
determinate istante per istante dalle dierenze di potenziale tra i loro estremi, che
chiameremo nodi .
Ad esempio, nel circuito di gura 1.1, i tratti ab, bc, be, cd, de, ef , af sono rami.
I punti a, b, ... f sono nodi.
a
V1
Z1
I1
+
i
Z3
Z2
Z4
Figura 1.1: Circuito a due maglie.

Nellesempio, il ramo af ha un generatore di tensione V1 ed il ramo bc un ge1
Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici
neratore di corrente I1 . Per una denizione dei concetti di generatore di tensione e

generatore di corrente si veda il paragrafo 1.4.
Nel ramo ab è inserita unimpedenza Z1 , nel ramo be unimpedenza Z3 etc.
Per il generico ramo vale ovviamente la Legge di Ohm: la dierenza di potenziale tra i due nodi che lo delimitano è uguale alla corrente I, che lo attraversa,
moltiplicata per limpedenza:
V =Z I
(1.1)
Nel caso in cui Z non sia puramente resistiva, allora, nellequazione precedente
Z sarà un operatore lineare. Ad esempio, se Z è costituita da uninduttanza:
V = L
d
I
dt
(1.2)
mentre se Z è costituita da una capacità:

1
V =
I dt
(1.3)
C
Nel caso in cui la sollecitazione (V (t), I(t) nel nostro esempio) sia sinusoidale
con pulsazione , sappiamo come il metodo simbolico possa essere adoperato per
esprimere i suddetti operatori come numeri complessi:
V = jL I
1
I
V =
jC
nel caso induttivo

nel caso capacitivo
Vedremo nel seguito come la tecnica delle trasformate di Laplace (o di Fourier)

possa essere adoperata per trasformare le equazioni (1.1), (1.2) e (1.3) in equazioni
lineari a coecienti costanti.
Le leggi di Kircho sono espresse come segue:
I) la somma algebrica delle correnti che convergono verso un nodo è nulla;
II) la somma algebrica delle dierenze di potenziale lungo un circuito chiuso (maglia)
è nulla.
La prima delle due leggi di Kircho esprime la conservazione della carica elettrica,
la seconda la conservazione dellenergia.
Nellapplicare la seconda delle leggi di Kircho è conveniente introdurre le correnti di maglia, come mostrato in gura 1.1. Notiamo che la corrente che attraversa

il ramo be è (i i ) nel verso che va da b ad e. Con tale denizione, la seconda delle
leggi di Kircho ci dà:

V1 = Z1 i + Z3 (i i ) + Z2 i

i Z4 = Z3 (i + i )
che costituisce un sistema di due equazioni (lineari nel senso detto prima) nelle

incognite i e i . Dallultima equazione segue:
(Z4 Z3 )i = Z3 i
1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton

da cui:
1.2
Z4 Z3
i =
i=
Z3

Z4

1 i
Z3
Teoremi di Th
evenin e di Norton
Teorema di Th
evenin
Un generico segmento di circuito, compreso tra due nodi, può essere, agli eetti del
calcolo delle correnti e delle tensioni, sostituito da un generatore di tensione VT h in
serie con unimpedenza RT h . La tensione VT h è quella che si misurerebbe tra i nodi
in questione aprendo il circuito. Limpedenza RT h è quella che si misurerebbe tra i
nodi, tenendo conto di tutti gli elementi presenti tra gli stessi e sostituendo ciascun
generatore di corrente o di tensione con la sua impedenza interna.
Questo teorema viene spesso impiegato per ridurre il numero di maglie in un
circuito.
Per esempio, il circuito a due maglie di gura 1.2, può essere ridotto ad una sola
R1
V1
R2
V2
Figura 1.2: Circuito a due maglie.

maglia sostituendo i componenti alla sinistra dei nodi a e b (compresa la resistenza
R) con il loro equivalente di Thevenin (gura 1.3):
RTh
VTh
R2
V2
Figura 1.3: Circuito ad una maglia, ridotto sfruttando il Teorema di Thevenin.
RT h =
R R1
R + R1
VT h = V1
R
R + R1

La corrente i che passa attraverso R2 è data da:

V2 VT h
R R1
R
i=
= V2 V1
R2 +
R2 + RT h
R + R1
R + R1
quindi
i=
(V2 V1 )R + V2 R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2
La tensione nel punto a sarà allora:

Va = V2 R2 i
e la corrente in R:
iR =
Va
.
R
Possiamo dimostrare il Teorema di Thevenin come segue.

Consideriamo una rete con n rami. Indichiamo con ri ed fi rispettivamente
la resistenza e la forza elettro-motrice (f.e.m.) del ramo i-esimo. Supponiamo di
aggiungere un ramo di resistenza r0 tra due punti (nodi) qualsiasi della rete e che
tra questi due punti esistesse, prima dellaggiunta del nuovo ramo, una d.d.p. V.
Detta R0 la resistenza complessiva che la rete presenta tra i due punti dati, il teorema
di Thevenin dice che la corrente i0 nel nuovo ramo è data da:
i0 = V /(R0 + r0 )
Per dimostrarlo supponiamo che anche nel ramo r0 sia inserita una f.e.m. f0 . La
corrente i0 è una funzione lineare delle varie f.e.m. presenti nella maglia:
i0 =
n

Ak fk
Ak costanti
k=0
Eliminando tutte le fk (ma non le resistenze rk ), cioè ponendo fk = 0 per k = 0,

avremo:
i0 = A0 f0
ma sappiamo che f0 /r0 = (r0 + R0 ), quindi
1
= r0 + R0
A0
Riportiamo ora il circuito nelle condizioni precedenti tornando ad inserire le fk
e diamo inoltre ad f0 valore pari a V tale che sia i0 = 0:
0 = V A0 +
n

Ak fk
k=1
poiche il ramo r0 ora non assorbe corrente, questa V coinciderà con la d.d.p. esistente
tra i due punti nel circuito primitivo.
1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton
Ponendo ora f0 = 0 ed utilizzando le equazioni scritte il precedenza otteniamo:

i0 =
n

Ak fk =
k=0
n

Ak fk = V A0 =
k=1
V
r0 + R0
che dimostra il teorema di Thevenin.

Teorema di Norton
Un generico segmento di circuito, compreso tra due nodi, può essere, agli eetti
del calcolo delle correnti e delle tensioni, sostituito da un generatore di corrente
iN o in parallelo con unimpedenza RN o . La corrente iN o è quella che uirebbe tra
in nodi in questione se questi fossero messi in corto circuito. Limpedenza RN o è
quella misurata tra i medesimi nodi, tenendo conto di tutti gli elementi presenti
tra gli stessi e sostituendo ciascun generatore di corrente o di tensione con la sua
impedenza interna.
Esaminiamo ad esempio ancora il circuito a due maglie di gura 1.2 e sostituiamo
la maglia di sinistra con il suo equivalente di Norton; esso viene quindi ridotto al
circuito di gura 1.4:
a
i No
R2
RNo
V2
Figura 1.4: Circuito equivalente a quello di gura 1.2 ottenuto sfruttando il Teorema di Norton.
iN o =
V1
R1
RN o =
R R1
R + R1
La tensione tra i nodi a e b e la corrente attraverso la R2 sono date da:

Vab = (i + iN o )RN o
i=
V2 Vab
R2
da cui
RN o
V2
(i + iN o )
R2
R2

V2
RN o
RN o
=
i 1+
iN o
R2
R2
R2
i=
i(R2 + RN o ) = V2 RN o iN o

i=
V2
RN o
iN o
R2 + RN o R2 + Rno
Sostituendo in questa le espressioni di RN o e iN o :

R R1
R R1
R R1 V1
i = V2
=
R2 +
R2 +
R + R1
R + R1 R1
R + R1
=
(V2 V1 )R + V2 R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2
cioè il medesimo risultato che si ottiene con lapplicazione del Teorema di Thevenin.
Corollario dei teoremi di Th
evenin e Norton
Dai teoremi di Thevenin e Norton segue che un generatore di tensione V in serie
con una resistenza R è equivalente ad un generatore di corrente I in parallelo con
R, purche sia V = R I (gura 1.5).
R
V
R V=RI
Figura 1.5: Sinistra: generatore di tensione in serie ad una resistenza; destra: generatore di
corrente in parallelo ad una resistenza. I due circuiti si equivalgono purche V = RI.
Come corollario segue quindi che la tensione a circuito aperto è uguale alla
corrente a circuito chiuso moltiplicata per la resistenza.
Nonostante la sua semplicità, questa relazione può risultare molto utile nellanalisi dei circuiti.
1.3
Principio di sovrapposizione
In una rete lineare in cui siano presenti pi`

u sorgenti di tensione e/o corrente la
risposta può essere calcolata a partire dalla risposta ottenuta in presenza di una sola
delle sorgenti e sommando poi tutte le risposte. Nel calcolo della risposta ad una
generica delle sorgenti occorre sostituire tutte le altre con le loro impedenze interne
(cioè, ogni sorgente ideale di tensione con una resistenza nulla ed ogni sorgente ideale
di corrente con una resistenza innita).
Applichiamo il principio di sovrapposizione al circuito già esaminato di gura 1.2.
Se fosse presente solo V2 (con V1 sostituito da un cortocircuito) la corrente in R2
sarebbe:
V2
V2 (R + R1 )

=
i2 =
R R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2
R2 + R+R1
Se fosse invece presente solo V1 (con V2 sostituito da un cortocircuito) la corrente
in R2 sarebbe:
1.4 Generatori di tensione/corrente
V1
i2 =
R2

1
R1 (R + R2 )
R(R1 + R2 ) + R1 R2

=
V1 R
R(R1 + R2 ) + R1 R2
In presenza di entrambe le sorgenti avremo:

i2 = i2 + i2 =
(V2 V1 )R + R1 V2
R(R1 + R2 ) + R1 R2
cioè nuovamente il medesimo risultato ottenuto facendo uso dei teoremi di Thevenin
e Norton.
1.4
Generatori di tensione/corrente
I generatori sono componenti circuitali attivi e rappresentano dispositivi capaci di

fornire energia elettrica al circuito cui sono connessi.
1.4.1
Generatori ideali e reali
I tipi di generatori ideali normalmente considerati sono due: quello di tensione e

quello di corrente.
Un generatore ideale di tensione fornisce un valore di tensione assegnato (V = Vs )
indipendentemente dalla corrente erogata e quindi dal circuito a cui è connesso
(gura 1.6 a).
Un generatore ideale di tensione deve necessariamente avere resistenza interna
nulla, altrimenti la tensione ai suoi capi sarebbe V = Vs rs i (dipendente dalla
corrente erogata).
Un generatore reale di tensione può essere assimilato ad un generatore ideale
in serie con la propria resistenza interna (gura 1.6 b).
Un generatore ideale di corrente fornisce una corrente di valore assegnato (i = is )
indipendentemente dalla tensione tra i terminali del generatore e quindi dal
circuito a cui è connesso (gura 1.6 c).
Un generatore ideale di corrente deve necessariamente avere resistenza interna
innita, altrimenti la corrente erogata sarebbe pari a i = is V /rs (dipendente
dalla tensione ai suoi capi).
Un generatore reale di corrente può essere assimilato ad un generatore ideale
in parallelo con la propria resistenza interna (gura 1.6 d).
1.4.2
Generatori dipendenti
Un generatore dipendente eroga un segnale di tensione/corrente dipendente dalla

corrente/tensione presente in unaltra parte del circuito.
Un esempio è quello di gura 1.7, nel quale il generatore dipendente i1 eroga
una corrente che è proporzionale, secondo la costante , alla corrente nella maglia
dingresso i1 . La corrente nella maglia duscita i2 sarà:
rs
+
Vs
Vs
a)
b)
i
is
is
c)
rs
i
V
d)
Figura 1.6: a): generatore ideale di tensione; b): generatore reale di tensione; c) generatore
ideale di corrente; d) generatore reale di corrente.
i1
R1
V1
i1
R2
R3
V2
Figura 1.7: Circuito che contiene un generatore dipendente di corrente.
i2 = i1 + i
Un altro esempio è quello di gura 1.8, nel quale abbiamo nella maglia duscita
un generatore di tensione che eroga una tensione proporzionale alla tensione presente
tra i terminali dingresso V = Vf .
1.5
Quadripoli. Parametri h, y, z
Sebbene i componenti circuitali con due terminali siano quelli pi`

u comuni, esistono
numerosissimi componenti circuitali con N terminali (N > 2). Il modello circuitale
di un elemento con N terminali prende il nome di N-polo (N = 3 tripolo, N = 4
quadripolo).
1.5 Quadripoli. Parametri h, y, z
ra
Vf
Rg
Rc
Vf
+
Figura 1.8: Circuito che contiene un generatore dipendente di tensione.
Nella teoria dei circuiti gli N-poli hanno un duplice ruolo. Primo, sono adoperati
come modelli di parti complesse di circuiti che interagiscono con le restanti parti del
` possibile caratterizzare
circuito di cui fanno parte attraverso pi`
u di due terminali. E
il funzionamento di queste parti indipendentemente dal circuito in cui esse sono
inserite. Secondo, gli elementi con pi`
u di due terminali sono adoperati come modelli
per componenti complessi quali i transistor, gli amplicatori operazionali, etc.
Il funzionamento di un N-polo è denito dalle relazioni esistenti tra le intensità
delle correnti che attraversano i terminali e le tensioni tra i terminali.
Un N-polo ha N intensità di corrente distinte, tante quanti sono i terminali, e
N(N 1)/2 tensioni distinte, tante quante sono le coppie di terminali senza ripetizione. Naturalmente tutte queste grandezze non sono completamente indipendenti
luna dallaltra; il numero di grandezze indipendenti necessarie per descrivere il funzionamento dellN-polo pi`
u essere ridotto grazie alle due leggi di Kircho. In generale, per un componente con N terminali, solo N 1 intensità di corrente e N 1
tensioni sono indipendenti (descrittive). Il funzionamento di un N-polo è descritto
da N 1 relazioni tra le intensità di corrente e le tensioni descrittive; relazioni che
dipendono solo dalla costituzione sica del componente che lelemento rappresenta.
Una coppia di terminali è detta porta se la somma delle intensità delle correnti
che li attraversano è uguale a zero. A ciascuna porta è associata unintensità di
corrente ed una tensione.
Molti degli elementi circuitali che saranno introdotti in seguito in questo volume,
possono essere descritti come quadripoli a due porte, o doppi bipoli (e saranno
chiamati semplicemente quadripoli).
Vediamo lesempio di gura 1.9, in esso compare una coppia di terminali din-
i1
v1 i
3
3
i2
i 4 v2
Figura 1.9: Doppio bipolo o quadripolo.

gresso (porta dingresso) ed una coppia di terminali duscita (porta duscita). Le
intensità di corrente entranti nei quattro terminali vericano le seguenti relazioni:
10
i1 + i3 = 0
i2 + i4 = 0
cos` possiamo associare alla porta dingresso semplicemente lintensità di corrente i1

e la tensione v1 , a quella duscita, la corrente i2 e la tensione v2 .
Il funzionamento dei quadripoli a due porte è descritto da due relazioni indipendenti tra le due intensità di corrente i1 e i2 e le due tensioni v1 e v2 ; relazioni
che dipendono unicamente dalla natura sica del componente che il doppio bipolo
rappresenta.
Naturalmente esiste la possibilità che due quadripoli, diversi nella composizione
circuitale interna, si comportino in modo identico relativamente alla grandezze elettriche (correnti e tensioni) sui terminali. Quando questo si verica, i due quadripoli
sono detti equivalenti e possono essere scambiati tra loro senza inuenzare il comportamento della rete elettrica nella quale sono inseriti.
Un quadripolo lineare non può comprendere nella sua rete generatori indipendenti di tensione o corrente; però possono essere presenti generatori dipendenti da
una grandezza elettrica ai terminali o interna.
Abbiamo visto che delle quattro variabili (i1 , i2 , v1 e v2 ) che descrivono il
quadripolo, solo due possono essere assegnate indipendentemente, le altre sono legate
alla prime da equazioni lineari. Ognuna delle dierenti scelte delle possibili coppie
di variabili indipendenti (i1 -i2 , i1 -v1 , etc) conduce ad una descrizione matematica
diversa; poiche le possibilità sono sei, esistono sei diversi modelli matematici che
descrivono un quadripolo.
Modello a parametri y
Il modello a parametri y (conduttanza) viene usato per descrivere le correnti caratteristiche del quadripolo in funzione delle tensioni ai capi dei terminali dingresso ed
uscita:
i1 = f1 (v1 , v2 )
i2 = f2 (v1 , v2 )
il circuito equivalente al quadripolo che vogliamo descrivere con il modello a parametri
y è quello di gura 1.10. Il sistema di equazioni lineari associate è:
i1
v1
i2
y11
y12 v2
y21 v1
y22
Figura 1.10: Circuito equivalente a parametri y.

i1 = y11 v1 + y12 v2
i2 = y21 v1 + y22 v2
v2
1.6 Teorema di Miller
11
I parametri y si possono determinare mediante i rapporti corrente-tensione imponendo la condizione che una delle due tensioni sia nulla; operativamente, quindi,
devono essere chiusi in cortocircuito i terminali dingresso (v1 = 0) e di uscita
(v2 = 0).
Modello a parametri z
Scegliendo come variabili indipendenti le correnti di ingresso e di uscita (i1 e i2 ), le
equazioni che descrivono il comportamento del quadripolo hanno la forma:

v1 = z11 i1 + z12 i2
v2 = z21 i1 + z22 i2
Il modello circuitale che ne deriva è denominato modello a parametri z o parametri
impedenza, dato che i coecienti delle correnti rappresentano delle impedenze. I
parametri z si possono determinare misurando i rapporti tensione-corrente avendo
aperto lopportuna coppia di terminali in modo da avere i1 = 0 e i2 = 0.
Modelli a parametri ibridi
I modelli a parametri ibridi si ottengono considerando come variabili indipendenti le
grandezze i1 e v2 oppure v1 e i2 ; nel primo caso il quadripolo è descritto dal modello
a parametri h, nel secondo dal modello a parametri g.
Il circuito equivalente al quadripolo descritto col modello a parametri h è quello
di gura 1.11, e le equazioni lineari associate sono:
i1
h11
i2
+
v1
h12 v2
h21 i 1
h22
v2
Figura 1.11: Circuito equivalente a parametri h.

v1 = h11 i1 + h12 v2
i2 = h21 i1 + h22 v2
dove i parametri h12 e h21 sono numeri puri, il parametro h11 ha le dimensioni di
una impedenza, mentre il parametro h22 quelle di una conduttanza.
La determinazione sperimentale di questi parametri si eettua prima aprendo
il circuito dingresso (i1 = 0) e alimentando luscita (si ottengono h12 e h22 ) e poi
cortocircuitando luscita (v2 = 0).
1.6
Teorema di Miller
Sia dato un circuito con un generico numero di nodi. Indichiamo con Vi il potenziale
delli-esimo nodo. Consideriamo due di questi nodi, ad esempio quelli 1 e 2 di
12
gura 1.12 ed ammettiamo di conoscere il rapporto tra le tensioni V2 /V1 = K. Ci

chiediamo quale sarà la corrente che uisce in unimpedenza Z inserita tra i nodi 1
e 2.
Figura 1.12: Generico circuito con N poli.

Il Teorema di Miller ci dice che la corrente erogata dal nodo 1, che attraversa 2,
(e, pi`
u in generale, la risposta del circuito) può essere calcolata ricorrendo al circuito
equivalente di gura 1.13, dove:
Z1 =
Z
1K
Z2 =
ZK
1K
2
Z2
Z1
3
Figura 1.13: Circuito equivalente a quello di gura 1.12 ottenuto grazie al Teorema di Miller.
Infatti la corrente che uisce in Z è:

V1
V1
V2 1
V1 V2
1K
= V1 1
= V1
=
=
I=
Z
V1 Z
Z
Z/(1 K)
Z1
cioè la medesima corrente che attraversa, dal nodo 1, limpedenza Z1 verso massa.
Analogamente, la corrente che uisce in Z dal nodo 2 è:

V2 V1
V1 1
V2 (1 1/K)
V2 (K 1)
V2
I=
.
= V2 1
=
=
=
Z
V2 Z
Z
K Z
Z2
1.7 Circuiti RC e CR
1.7
13
Circuiti RC e CR
Circuiti costituiti da sole resistenze e capacità sono importanti, in quanto essi permettono di realizzare ltri senza far uso di induttanze (pi`
u complesse dal punto di
vista tecnologico).
Un ltro è un circuito che lascia passare solo segnali compresi in un certo intervallo in frequenze. Si dice ltro passa-basso un circuito che lascia passare solo le
frequenze pi`
u basse di una pressata, detta frequenza di taglio. Viceversa si dice
ltro passa-alto un circuito che seleziona frequenze pi`
u alte di una pressata.
Un circuito che funzioni come ltro passa-basso si può ottenere semplicemente
mettendo in serie una resistenza ed un condensatore, il segnale in ingresso si invia ai
capi della serie ed il segnale in uscita si legge ai capi del condensatore (gura 1.14).
R
Vi
Vo
Figura 1.14: Circuito RC o passa-basso (integratore).

Per avere un ltro passa-alto sempre con un circuito formato da una serie tra
un condensatore ed una resistenza, il segnale in uscita deve essere letto ai capi della
resistenza, che, in questa congurazione, segue il condensatore (gura 1.15).
C
Vi
Vo
Figura 1.15: Circuito CR o passa-alto (derivatore).
1.7.1
Risposta a gradini ed a rampe
Vediamo prima di tutto quale è la risposta di un circuito passa-basso ad un gradino

unitario in ingresso.
Sempre considerando il circuito di gura 1.14 possiamo scrivere le seguenti equazioni:

vi = Ri + C1 idt
o
i = vi v
R
sostituendo la seconda nella prima:
1
vi vo
+
vi = R
R
RC
1
vi dt
RC

vo dt
14

1
vo =
RC
1
vi dt
RC

vo dt
dvo
+ vo = vi
dt
la cui soluzione è data da (gura 1.16):
(1.4)
RC
vo = 1 et/
RC
vi
vo
Figura 1.16: Risposta di un circuito RC passa-basso ad un gradino.

La risposta dello stesso circuito ad un segnale in ingresso che rappresenti una
rampa (vi = t) si trova risolvendo ancora lequazione (1.4). La soluzione dellequazione omogenea è vo = et/ e la soluzione particolare dellequazione completa è
vo = (t ); le condizioni al contorno sono le seguenti:

t=0
vo = 0
t = vo = t
quindi la risposta del circuito è data da:
vo = (et/ 1) + t
Considerando lo sviluppo dellesponenziale per t << abbiamo:

t2
t
t2
vo = + 2 ... + t
2
2
cioè, a parte il fattore 1/ , lintegrale del segnale in ingresso. Al crescere di t,
tuttavia, landamento diviene nuovamente lineare.
Questo tipo di risposta (lintegrale dellingresso per tempi piccoli rispetto ad
RC) si ottiene anche per altre forme donda in ingresso. La caratteristica di avere
15
in uscita un segnale corrispondente allintegrale di quello in ingresso è propria di

questo tipo di circuito che, difatti, viene anche chiamato integratore.
Consideriamo adesso il circuito di gura 1.15, il ltro-passa alto; per un gradino
unitario in ingresso avremo:
vo = vi vc = vi vi (1 et/ )
dove vc è la tensione ai capi del condensatore, quindi il segnale in uscita è dato da
(gura 1.17):
vo = et/
(1.5)
vi
vo
Figura 1.17: Risposta di un circuito CR passa-alto ad un gradino.

Questo tipo di circuito blocca completamente ogni segnale continuo e, pi`
u in
generale, ogni segnale alle basse frequenze (di qui il nome di ltro passa-alto).
Vediamo adesso in che senso questo tipo di circuito può essere usato come
derivatore. Per il circuito CR possiamo scrivere le seguenti equazioni:

vo = vi C1 idt
i = vRo
sostituendo la seconda nella prima avremo:

1
vo dt
vo = vi
RC
dvo
dvi
vo
+
=
(1.6)
RC
dt
dt
Consideriamo i due casi limite: quello in cui vi stia cambiando molto rapidamente
e quello in cui cambi molto lentamente.
Nel primo caso, come si è già visto, poiche la dierenza di potenziale ai capi del
condensatore non può cambiare rapidamente, si ha che dvo /dt sarà grande (come
16
dvi /dt) ed allora il termine vo /RC potrà in prima approssimazione essere trascurato
rispetto a dvo /dt. In tal caso, quindi avremo
vo = vi + cost.
dove la costante dipende dalle condizioni iniziali.
Nel secondo caso vi cambia molto poco in un tempo pari alla costante di tempo
RC del circuito, ovvero RC << T dove T è il tempo in cui vi subisce una variazione
apprezzabile. Avremo:
dvo
vo
>>
RC
dt
trascurando quindi a primo membro nellequazione (1.6) il termine dvo /dt, avremo:
dvi
dt
cioè il segnale in uscita verrà ad essere proporzionale alla derivata di quello in
ingresso.
Prendiamo come esempio il caso di un segnale a rampa:
vo = RC
vi = t
lequazione dierenziale del circuito si scrive in tal caso:
dvo
vo
+
=
RC
dt
e la soluzione di tale equazione è:
vo = RC(1 et/RC )
Per t << RC possiamo sostituire lesponenziale in parentesi con il suo sviluppo
in serie:
et/RC 1
t
+ ...
RC
quindi:
vo = t
Vediamo cos` che per tempi piccoli rispetto alla costante di tempo RC il segnale
in uscita segue quello in ingresso. Per tempi grandi, invece, il termine esponenziale
tenderà a zero ed avremo:
vo RC
Se il fronte di salita di un generico tipo di impulso può essere approssimato con
una rampa, possiamo usare questo circuito come derivatore ed ottenere la pendenza
attraverso la misura del valore asintotico del segnale in uscita.
1.7.2
17
Risposta ad onde quadre
Supponiamo di mandare in ingresso ad un circuito CR passa-alto (gura 1.15)

unonda quadra di periodo 2T ed ampiezza V .
Per t < T il segnale in uscita è quello calcolato in precedenza come risposta ad un
ingresso a gradino (equazione (1.5)). A t = T il segnale in ingresso diminuisce la sua
ampiezza di un valore pari a V e di conseguenza anche quello di uscita cade di V
in quanto la dierenza di potenziale ai capi di C non può cambiare improvvisamente:
vo = (V eT / V ) < 0
t=T
A partire da tale istante luscita comincia a risalire verso lo zero con legge esponenziale e con la medesima costante di tempo di prima:
vo = V (eT / 1)e(tT )/
Se vogliamo che la distorsione sia minima, occorre che la costante di tempo RC
sia grande rispetto a T . Tuttavia cè sempre una caduta alla ne del segnale in
ingresso. Inoltre lintegrale della parte di segnale in uscita sopra lo zero è uguale a
quello della parte negativa (gura 1.18).
111111111
000000000
000000000
111111111
000000000
111111111
T < RC
000000000
111111111
000000000
111111111
000000000
111111111
00000000000000000
11111111111111111
000000000
111111111
00000000000000000
11111111111111111
00000000000000000
11111111111111111
00000000000000000
11111111111111111
0110
1010
1010
10
T >> RC
11
00
00
11
00
11
00
11
00
11
00
11
00
11
Figura 1.18: Risposta ad unonda quadra di un circuito CR passa-alto.

Riassumendo, le caratteristiche della risposta di un circuito passa-alto ad unonda
quadra periodica in ingresso sono le seguenti:
- il segnale in uscita è periodico, con lo stesso periodo di quello in ingresso;
- larea sopra lasse dei tempi è uguale allarea sotto;
18
- quando lingresso subisce una brusca variazione, anche luscita subisce una brusca
variazione nello stesso verso;
- durante un qualsiasi intervallo di tempo in cui lingresso mantiene un livello
costante, luscita decade esponenzialmente verso lo zero.
1.7.3
Risposta a segnali sinusoidali
Esaminiamo ora la risposta di un circuito passa-alto ad unonda sinusoidale.

Consideriamo ancora il circuito di gura 1.15. Le impedenze del condensatore e
della resistenza sono :
ZC =
1
jC
ZR = R
il segnale in uscita è dato da:

vo = vi
= vi
R
R
jRC
=
= vi
1 = vi
Ztot
jRC + 1
R + jC
jRC(1 jRC)
jRC + (RC)2
=
v
i
1 + (RC)2
1 + (RC)2
da cui:
vo
RC
=
(RC + j)
vi
1 + (RC)2
quindi il segnale in ingresso viene attenuato di un fattore
A=
RC
1 + (RC)2
che tende ad 1 per che tende ad innito, ed a RC per RC << 1. Il segnale è

inoltre sfasato di un angolo con
tg() =
1
RC
Se il segnale in ingresso è unonda sinusoidale del tipo

vi = V sin(t)
allora il segnale in uscita è
vo = AV sin(t + )
Per avere un derivatore perfetto, deve essere = /2 e quindi dovremmo avere
R = 0 oppure C = 0. Tuttavia, se RC = 0.01, allora = 89.4o e quindi
lapprossimazione è molto buona.
Esaminiamo ora, la risposta allonda sinusoidale di un circuito passa-basso :
vo = vi
1
ZC
1
= vi
1 =
Ztot
jC R + jC
1.8 Riessione di impedenze nel primario di un trasformatore

= vi
19
1
1 jRC
= vi
1 + jRC
1 + (RC)2
quindi in questo caso il fattore di attenuazione è pari a:

1
A=
1 + (RC)2
che tende a zero per che tende ad innito. Lo sfasamento è invece dato da:
tg() = RC
Si può vericare il comportamento del circuito come integratore attraverso unanalisi della risposta ad un segnale sinusoidale. In tal caso infatti, se lingresso è una
funzione del tipo cos(t), il segnale in uscita dovrà essere del tipo sin(t), ovvero
cos(
t)
2
se lo sfasamento fosse diverso da /2, il comportamento non sarebbe quello di un

` invece, possibile vericare che lo sfasamento è 89.4o (invece
buon integratore. E,
o
di 90 ) se RC 15T , dove T è il periodo dellonda.
Una forma donda sinusoidale, al passaggio
attraverso una rete lineare (cioè una
rete contenente i soli operatori lineari R, C1 dt, L dtd ) rimane sinusoidale. Lunico
eetto che il circuito ha su di essa è quello di introdurre eventualmente uno sfasamento. Questa è una caratteristica delle sole forme donda sinusoidali. Ogni altra
forma donda subisce delle modiche nella forma. Il processo attraverso il quale la
forma di un segnale non sinusoidale è alterata dalla trasmissione attraverso una rete
lineare è chiamato linear wave shaping.
1.8
Riessione di impedenze nel primario di un

trasformatore
Se una generica impedenza Z è presente nel secondario di un trasformatore, quale ad

esempio quella mostrata in gura 1.19, limpedenza vista nel primario è legata a
Z ed al rapporto di trasformazione da una semplice relazione, che ora esamineremo.
Il rapporto di trasformazione per la tensione è legato al rapporto tra i numeri di
spire n1 ed n2 presenti rispettivamente nel circuito primario ed in quello secondario,
dalla nota relazione:
v1
n1
=
v2
n2
Lanaloga relazione per la corrente è:
i1
n2
=
i2
n1
La relazione tra corrente e tensione nel circuito secondario è daltronde:
v2
= Z
i2
20
I2
I1
v1
n1
n2
v2
Figura 1.19: Riessione dellimpedenza Z nel primario di un trasformatore.

Limpedenza vista guardando nel primario è:
Zin =
v1
i1
Sostituendo in questa i valori forniti dai rapporti di trasformazione per tensione e

corrente, otteniamo:
2
v2 n1 /n2
n1
= Z
(1.7)
Zin =
i2 n2 /n1
n2
Se Z è una semplice resistenza R, avremo:
2
n1
Rin = R
n2
Se Z è una capacità Z = 1/jC, avremo:
2
n2
Cin = C
n1
Se inne Z è uninduttanza Z = jL, avremo:
2
n1
Lin = L
n2
(1.8)
(1.9)
(1.10)
Il trasformatore potrebbe consistere in un autotrasformatore, quale quello mostrato in gura 1.20.

In tal caso possiamo applicare le medesime relazioni appena scritte, con lintesa
che ora n1 è il numero di spire nel circuito dingresso, mentre n2 và ora sostituito con
il numero totale di spire presenti nel circuito secondario, n = n1 + n2 . La resistenza,
capacità ed induttanza viste nel circuito primario saranno ora date da:
Rin = R
n 2
1
n
Cin = C
n
n1
(1.11)
2
(1.12)
1.8 Riessione di impedenze nel primario di un trasformatore
21
n2
v2
v1
n1
Figura 1.20: Riessione dellimpedenza Z nel primario di un autotrasformatore.
Lin = L
n 2
1
(1.13)
22
Capitolo 2
Uso delle trasformate di Fourier e

di Laplace
2.1
Introduzione
Per risolvere le equazioni integro-dierenziali che compaiono nel calcolo della risposta
di una rete elettrica a determinati segnali applicati, è utile far uso del metodo
delle trasformate. Queste infatti trasformano le equazioni integro-dierenziali in
equazioni algebriche, la cui soluzione è in genere molto pi`
u agevole.
Ci limiteremo in questa sezione a fornire gli elementi minimi essenziali per
arontare e risolvere i problemi che comunemente si incontrano in elettronica.
Alcuni semplici esempi saranno anche discussi, per rendere pi`
u esplicito luso del
metodo.
Per approfondimenti si rimanda alla bibliograa elencata in fondo a questa
sezione, in particolare alle referenze [1] ed [3].
2.2
La trasformata di Fourier
Sia data una funzione del tempo f (t). La sua trasformata di Fourier è denita come:
+
F () =
f (t)ejt dt
(2.1)
Fisicamente possiamo pensare che la f(t) sia costituita da una somma innita di
oscillazioni sinusoidali, ciascuna caratterizzata da una pulsazione ed unampiezza.
La grandezza:
F ()d/2
rappresenta lampiezza con cui compare in tale somma innita loscillazione di
frequenza compresa nellintervallo che va da f ad f + df , dove f = /2.
Se la F () è nota, è possibile ricavare la f(t), antitrasformando:
+
1
f (t) =
F ()ejt d
(2.2)
2
Dalle denizioni (2.1) ed (2.2), sviluppando il termine:
ejt = cost + jsint
23
24
Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace
si vede facilmente che la F () è reale se f(t) è una funzione pari di t, cioè se f(t)=f(-t),
mentre è immaginaria se f(t) è una funzione dispari: f(t)=-f(-t).
Le seguenti proprietà della trasformata di Fourier sono spesso utili:
Linearit`
a : se F1 () = F [f1 (t)] ed F2 () = F [f2 (t)] ed a1 , a2 sono delle
costanti, allora:
F [a1 f1 (t) + a2 f2 (t)] = a1 F1 () + a2 F2 ()
propriet`
a di scaling: se F () = F [f (t)] ed a è una costante reale, allora:
F [f (at)] =
F( )
|a| a
propriet`
a di traslazione temporale: se F () = F [f (t)] allora:
F [f (t t0 )] = F ()ejt0
propriet`
a di traslazione in frequenza: se 0 è una costante reale e F () =
F [f (t)] allora:

F f (t)ej0 t = F ( 0 )
Calcoliamo ad esempio la trasformata della f(t) mostrata nel graco superiore
della gura 2.1, che rappresenta un impulso rettangolare di altezza h e durata t1 .
Facendo uso della (2.1) troviamo:

F () = h
0
t1
ejt dt =
sin(t1 /2) jt1 /2

h
(1 ejt1 ) = ht1
e
j
t1 /2
Landamento in funzione di della F () è mostrato nel graco inferiore della gura 2.1. Vediamo che F () diminuisce allaumentare di ||. Per || molto grandi
possiamo considerare F () = 0, senza commettere un errore apprezzabile. Notiamo
anche che se t1 diminuisce, il range dei valori di in cui F () è apprezzabile si
allarga.
Ad esempio, vediamo in gura 2.2 come cambia la F () se dimezziamo t1 rispetto
al valore che esso aveva in gura 2.1. In questa gura la curva tratteggiata è quella
relativa ad un valore di t1 = 1.2 mentre quella a tratto continuo è ottenuta con
un valore di t1 = 0.6. Le componenti di alta frequenza sono tanto pi`
u importanti
quanto pi`
u stretto è limpulso.
Quando si fa uso della f (t) per descrivere uneccitazione (o una risposta) si dice
che si lavora nel dominio del tempo. Quando si fa invece uso della sua trasformata
di Fourier F () si dice che si lavora nel dominio della frequenza.
Alle proprietà della trasformata di Fourier elencate sopra, dobbiamo aggiungerne
due che riguardano la trasformata della derivata e dellintegrale di una funzione f(t).
Se f (t) 0 per t , allora la trasformata della derivata della f(t) è:

d
F
f (t) = jF ()
(2.3)
dt
2.2 La trasformata di Fourier
25
Figura 2.1: Il graco superiore mostra un impulso rettangolare di altezza h=1.5 e durata
t1 = 1.2s, quello inferiore la sua trasformata di Fourier
cioè, la derivazione rispetto a t corrisponde alla moltiplicazione della trasformata

della funzione iniziale per j. Analogamente, per lintegrale troviamo:

F ()
F
f (t)dt =
(2.4)
j
cioè, lintegrazione rispetto a t corrisponde alla divisione della trasformata iniziale
per j.
Esaminiamo lapplicazione della tecnica della trasformata di Fourier al calcolo
della risposta di un semplice circuito RL come quello mostrato in gura 2.3, cui sia
applicato in ingresso un gradino di tensione V (t) = V0 u(t) (dove u(t) è la funzione
gradino unitario, che è uguale a 0 per t < 0 e ad 1 per t > 0).
Lequazione di Kirckho per la maglia fornisce:
di(t)
+ Ri(t)
dt
dove i(t) è la corrente nella maglia. Prendendo la trasformata di entrambi i membri
di questa equazione, otteniamo:
+
+
+
jt
jt
v(t)e
dt = jL
i(t)e
dt + R
i(t)ejt dt
v(t) = L
26
1.5
F( )
F 1( )
0.5
40
20
20
40
Figura 2.2: Trasformata di Laplace per limpulso rettangolare. Linea tratteggiata: t1 = 1.2s;
linea a tratto continuo: t1 = 0.6s
V(t)
i(t)
Figura 2.3: Circuito LR

cioè, in simboli:
V () = (R + jL)I() Z()I()
dove Z() è la trasformata di Fourier dellimpedenza del circuito.
Lincognita del nostro problema, cioè la corrente i(t) nella maglia, può esser
facilmente calcolata a partire dalla trasformata I():
I() =
V ()
V ()
=
= V ()Y ()
R + jL
Z()
dove Y () è la trasformata di Fourier dellammettenza (Y () = 1/Z()). La Y ()

è anche detta, nel caso generale, la funzione di Green del problema.
Come visto, il termine induttivo dà un contributo alla tensione V () pari a
(jL)I(). Ciò si esprime dicendo che la trasformata dellimpedenza associata allinduttanza è ZL = jL. Tale terminologia è analoga a quella che si ha nel metodo
simbolico applicato a segnali sinusoidali.
2.2 La trasformata di Fourier
27
Analogamente si può vericare che la trasformata di unimpedenza capacitiva è

data da 1/(jC), dove C è la capacità. Infatti, per un condensatore inizialmente
scarico, caricato da una corrente i(t), la dierenza di potenziale ai suoi capi è data
da:
t
i(t )dt
v(t) = 0
C
Prendendo la trasformata di entrambi i membri, e facendo uso della relazione:

t
1

F ()
f (t )dt =
F
j
0
si trova:
1
I() = Z()I()
jC
che è quanto asserito. Il risultato trovato è nuovamente simile a quello noto nel caso
del metodo simbolico applicato a segnali sinusoidali. Potremo quindi, in un generico
problema, sostituire direttamente alle impedenze le loro trasformate ed ottenere cos`
direttamente la funzione di Green del sistema.
Consideriamo ad esempio il circuito di gura 2.4:
V () =
i(t)
L
V(t)
L2
Figura 2.4: Circuito L-LCR

dove:
Z1 = jL1 , Z2 = jL2 , ZC =
1
, ZR = R
jC
Si ottiene:
V () = Z() I()
con:
(R + 1/(jC))jL2
+ jL1
R + 1/(jC) + jL2
La Z() descrive completamente le proprietà siche del circuito in esame. Essa è in
generale una funzione complessa di , caratterizzata quindi da un modulo ed una
fase, entrambi funzioni di .
Nei casi esaminati la soluzione completa del problema, cioè il calcolo della relazione tra v(t) ed i(t), richiederà poi luso dellantitrasformata, applicata ai due
termini delle relazioni ottenute tra V () ed I(). Vedremo pi`
u avanti come ciò
possa esser realizzato.
Z() = (ZC + ZR ) Z2 + Z1 =
28
2.3
Trasformata di Laplace
Se f (t) è una funzione di t, la sua trasformata di Laplace è una funzione della

variabile complessa denita da:
+
est f (t)dt
(2.5)
L(s) = L [f (t)] =
0
dove la variabile complessa s = + j.

Lantitrasformata è ottenuta tramite unintegrazione nel piano s complesso:
a+j
1
f (t) =
F (s)est ds
(2.6)
2j aj
dove lintegrazione è eettuata lungo la retta indicata in gura 2.5 dalla linea
tratteggiata.
j
Figura 2.5: Piano s complesso. La linea tratteggiata è quella lungo cui và eettuata
lintegrazione della F (s)est per il calcolo dellantitrasformata di Laplace
Analogamente al caso della trasformata di Fourier, anche ora esistono alcune
relazioni che è utile ricordare.
proprietà di scaling:
L [f (at)] =
1 s
L( )
a a
proprietà di traslazione temporale:

L [f (t )] = L(s)es
proprietà di traslazione in frequenza:

L f (t)et = L(s + )
2.3 Trasformata di Laplace
29
Va inne ricordata la trasformata della derivata e dellintegrale della funzione f (t).

Per quel che concerne la derivata prima, abbiamo una relazione analoga a quella
incontrata nel caso della trasformata di Fourier:
L [f (s)] = sL(s) f (0+ )
(2.7)
u in generale, per la
dove f (0+ ) è il limite destro di f (t) per t tendente a 0. Pi`
ma
derivata n di f (t), abbiamo:
(n)
df n1(0)
n
n1
n2 df (0)
....
L f (t) = s L(s) s f (0) s
dt
dtn1
Per ciò che concerne la trasformata dellintegrale della f (t), abbiamo:
t

1

(2.8)
L
f (t )dt = L(s)
s
0
Dobbiamo notare che lintegrale (2.5) non esiste per una qualsivoglia funzione,
per valori generici della parte reale di s. Se infatti è negativo, il termine exp(st)
farà si che lintegrando diverga per t . Se invece è positivo il termine exp(st)
tenderà a zero per t tendente ad innito e lintegrale sarà in genere nito. Pi`
u in
generale, per una generica funzione f (t) il seguente test consente di determinare
quali siano i valori di che rendono convergente lintegrale. Si calcoli:

f (t)et dt
0
Se tale integrale esiste per > 0 , dove 0 è una costante, allora esisterà la
trasformata di Laplace della f (t) per > 0 .
La classe delle funzioni che possono essere trasformate in tal modo è nota come
classe delle funzioni di ordine esponenziale. Esempi di funzioni appartenenti a tale
classe sono:
f (t) = tn , per la quale è: limt tn et = 0 per n generico, se > 0
f (t) = e5t , per la quale è: limt e5t et = 0 per > 5
Una funzione che non è di ordine esponenziale è: f (t) = exp(t2 ).
Tutte le funzioni che normalmente incontreremo nella applicazioni elettroniche
saranno di ordine esponenziale. Per ulteriori dettagli vedasi la referenza [1].
Avremo spesso bisogno delle L-trasformate di alcune funzioni elementari, che
riassumiamo qui di seguito:
f(t)
u(t) (funzione gradino)
t (rampa)
eat
sin(t)
cos(t)
eat sin(t)
eat cos(t)
u(t a)(gradino unitario ritardato)
(t) (funzione di Dirac)
L(s)
1/s
1/s2
1
sa
s2 + 2
s
s2 + 2
(sa)2 + 2
sa
(sa)2 + 2
1 as
e
s
30
Ricordando che una funzione di variabile complessa s che sia espressa come rapporto tra due polinomi a coecienti reali nella variabile s è completamente individuata, a meno di una costante moltiplicativa, dai suoi poli e zeri nel piano complesso
s, potremo rappresentare le F(s) appena scritte, come mostrato nelle gure 2.6 e 2.7,
dove un cerchietto indica uno zero ed una X un polo.
u(t)
jM
1/s
t
XX
jM
I
1/(s-a)
e=J(a<0)
X
-|a|
jM
M/(M +s
sin( t)
X
M
X
Figura 2.6: Rappresentazione di alcune funzioni elementari tramite le posizioni degli zeri e dei
poli nel piano s complesso: un polo è indicato con una X , uno zero con un O
Dallesame delle gure 2.6 e 2.7 possiamo fare le seguenti considerazioni generali:
i poli sono o reali o complessi coniugati
ad un polo reale singolo è associata una funzione f (t) di tipo esponenziale
a due poli complessi coniugati sono associate funzioni di tipo sinusoidale
se i poli si trovano nel semipiano destro, la f (t) diverge
quanto pi`
u un polo reale negativo è lontano dallorigine, tanto pi`
u velocemente
lesponenziale tende a zero
quanto maggiore è la distanza dallorigine di una coppia di poli complessi
coniugati, tanto pi`
u elevata è la frequenza doscillazione della corrispondente
f (t)
2.3 Trasformata di Laplace
31
jM
s/(M +s
X
cos( t)
jM
e=J sin( t)
(a<0)
M/[(s-a) +M ]
-|a|
X
jM
e=J cos(t)
(a<0)
(s-a)/[(s-a) +M ]
-|a|
Figura 2.7: Rappresentazione di alcune funzioni elementari tramite le posizioni degli zeri e dei
poli nel piano s complesso: un polo è indicato con una X , uno zero con un O
Se lequazione trasformata è del tipo:
Y (s) = G(s)X(s)
dove X(s) è la trasformata delleccitazione, Y(s) quella della risposta e G(s) è la
funzione di Green del sistema, la risposta y(t) può essere ottenuta antitrasformando
la Y(s). Per far ciò si cerca di esprimere la Y(s) come somma di frazioni parziali, di
ciascuna delle quali si conosca lantitrasformata. Data la linearità della trasformata,
la risposta sarà la somma delle singole antitrasformate.
In tale tipo di calcoli sono utili i cosiddetti teoremi del valore iniziale e del valore
nale:
lim+ y(t) = lim sY (s)
(2.9)
t0
lim y(t) = lim sY (s)
s0
(2.10)
Le trasformate di Laplace vengono normalmente denite per funzioni che sono

nulle per t < 0. Ciò copre la pi`
u gran parte delle funzioni dinteresse in elettronica.
possibile estendere il metodo delle trasformate di Laplace al caso di funzioni
E
non nulle per t < 0, ma esiste allora unambiguità nella trasformata inversa.
32
Da un punto di vista pratico esiste poca dierenza tra i metodi di Fourier e

di Laplace. Tuttavia, poichè la trasformata di Laplace esiste per una pi`
u ampia
classe di funzioni, è normalmente pi`
u conveniente usare questultimo metodo. Ad
esempio, le funzioni che crescono indenitamente nel tempo non posseggono una
trasformata di Fourier e quindi esse (che compaiono quando si debba analizzare
il comportamento di sistemi instabili) debbono essere trattate con il metodo delle
trasformate di Laplace.
Nelle applicazioni elettroniche si incontrano spesso trasformate di Laplace della
forma:
N(s)
N(s)
=
(2.11)
D(s)
(s 1 )(s 2 )(s 3 ) (s n )
dove 1 , 2 , , n sono i le radici della funzione D(s), cioè i poli della funzione
N(s)/D(s).
Esaminiamo ora alcuni esempi, per poi analizzare metodi generali per il calcolo
dellantitrasformata.
2.4
Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace
Equazione dierenziale lineare del secondo ordine

Si debba risolvere la seguente equazione lineare del secondo ordine:
dx(t)
d2 x(t)
+3
+ 2x(t) = 4e3t u(t)
2
dt
dt
con le condizioni iniziali:
x(0) = 2

dx(t)
= 1
dt t=0
Si prenda la trasformata di Laplace di entrambi i membri dellequazione:

dx(t)
4
2
+ 3 [sX(s) x(0)] + 2X(s) =
s X(s) sx(0)

dt t=0
s+3
Sostituendo i valori iniziali, questa fornisce:
(s2 + 3s + 2)X(s) =
da cui:
X(s) =
4
+ 2s + 5
s+3
2s2 + 11s + 19
(s + 1)(s + 2)(s + 3)
Questa può esser riscritta come:

X(s) =
5
2
5
+
s+1 s+2 s+3
Lantitrasformata di questa si scrive in modo diretto come somma delle antitrasformate delle singole frazioni:
x(t) = (5et 5e2t + 2e3t )u(t)
2.4 Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace
33
Questa è quindi la soluzione dellequazione dierenziale, con le condizioni al contorno

imposte.
Esempi relativi a circuiti elettrici
In modo analogo a quanto visto nel caso delle trasformate di Fourier possiamo, anche
nel caso delle trasformate di Laplace, evitare di scrivere lequazione dierenziale
associata ad un dato circuito, scrivendo direttamente lequazione algebrica che si
ottiene sostituendo a ciascun componente (induttanza, capacità, resistenza) nonchè
a ciascun generatore di tensione o di corrente, i rispettivi L-trasformati. Ciò segue
ovviamente dalla linearità delle equazioni.
Per una resistenza R sappiamo che è:
v(t) = Ri(t)
per cui, in termini delle L-trasformate:
V (s) = RI(s)
la L-trasformata dellimpedenza associata alla resistenza R è quindi:
ZR = R
Nel caso di uninduttanza abbiamo invece:
v(t) = L
di(t)
dt
la cui L-trasformata è:

V (s) = L [sI(s) i(0)] = LsI(s) Li(0)
dove i(0) è la corrente nellinduttanza per t = 0.
Da questa otteniamo poi:
I(s) =
i(0)
1
V (s) +
Ls
s
Se poi le condizioni iniziali sono tali che i(0) = 0 otteniamo:

V (s) = LsI(s)
per cui limpedenza trasformata è:
ZL (s) = Ls
Un risultato analogo a quello del metodo simbolico, con la sola sostituzione di s a
j.
Nel caso di un condensatore troviamo in modo analogo:
i(t) = C
dv(t)
dt
34
da cui:
I(s) = C [sV (s) v(0)] = CsV (s) Cv(0)
e poi:
1
v(0)
I(s) +
Cs
s
Se la tensione ai capi del condensatore è inizialmente nulla: v(0) = 0, avremo:
V (s) =
ZC (s) =
1
V (s)
=
I(s)
sC
Ancora una volta un risultato analogo a quello del caso simbolico, con la sola
sostituzione della variabile complessa s a quella immaginaria j.
Risposta di un circuito RC passa-basso ad un gradino unitario
Consideriamo lo schema del circuito passa-basso mostrato in gura 3.1, dove ammettiamo che la dierenza di potenziale ai capi del condensatore sia nulla per
t=0.
R
Vin
Vout
Figura 2.8: Circuito RC passa-basso

Applicando il metodo delineato nella sezione precedente, troviamo la seguente
relazione tra le trasformate dellinput e delloutput:
Vout (s) = Vin (s)
1
1/
= Vin (s)
1 + sRC
s + 1/
dove = RC. Poichè la trasformata dellinput (gradino unitario) è uguale ad 1/s,

avremo quindi:
1
1
Vout (s) =
s s + 1/
Scriviamo il secondo membro di questa espressione nella forma:
b
a
+
s s + 1/
con a e b costanti da determinare. Uguagliando le due espressioni di Vout (s),
troviamo a = 1 e b = 1. La trasformata della risposta sarà quindi:
1
1
Vout (s) =
s s + 1/
la cui antitrasformata è:
vout = 1 et/
che è il risultato noto per tale circuito, da analisi elementari.
2.4 Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace
35
Risposta di un circuito RC passa-basso ad una rampa

Ammettiamo ora che al medesimo circuito RC sia applicata in ingresso una rampa
di pendenza unitaria: f (t) = t. La funzione di trasferimento, è la stessa del caso
precedente. La dierenza è nel fatto che ora la trasformata dellinput è 1/s2 . Avremo
quindi:
1
1
1
Vout (s) =
=
s2 s + 1/
s
1
1
s s + 1/

1 1
1
=
s s s + 1/
ed in denitiva:
Vout (s) =
+
2
s
s s + 1/
Lantitrasformata di questa è:

vout = t 1 et/
Risposta ad un gradino unitario di un circuito RL
Analogamente al caso del circuito RC, anche in quello del circuito RL di gura 2.9,
cui sia applicato in ingresso un gradino unitario di tensione e dove si ammetta che
la corrente sia nulla per t=0, possiamo scrivere in modo ovvio la relazione tra le
L-trasformate dellinput e delloutput:
Vout (s) = Vin (s)
sL
s
s
= Vin (s)
= Vin (s)
R + sL
s + R/L
s + 1/
con = L/R. Da questa segue:

s
1
1
=
s s + 1/
s + 1/
Vout (s) =
e quindi:
vout (t) = et/
R
Vin
Figura 2.9: Circuito RL
Vout
36
Risposta ad una rampa del circuito RL

Questa volta la trasformata delleccitazione è 1/s2 , per cui avremo:
Vout (s) =
1
1
s
1
=
2
s s + 1/
s s + 1/
che può esser messa nella forma:

Vout (s) =
1
1
s s + 1/

vout (t) = 1 et/
Notiamo che negli ultimi esempi abbiamo implicitamente ammesso che le condizioni
iniziali fossero: i(0) = 0 nel caso del gradino applicato al circuito RL e vout (0) = 0
nel caso della rampa.
2.5
Risposta di un circuito ad uneccitazione di

forma generica
Negli esempi esaminati abbiamo sempre considerato eccitazioni di forma particolarmente semplice: gradini unitari o rampe. Ci proponiamo ora di esaminare il caso
in cui il segnale applicato abbia una forma generica, descritta da una funzione S(t)
quale ad esempio quella mostrata in gura 2.10.
Possiamo calcolare la risposta del circuito facendo uso del principio di sovrapposizione. Consideriamo cioè il segnale S(t) in un piccolo intervallo di tempo
(t1 , t1 + t1 ). Se t1 è molto piccolo, potremo schematizzare tale segnale con una
funzione 1 : A(t1 ), dove A è la grandezza S(t1 )t1 (per t1 0). La risposta
R1 (t) del circuito a tale segnale sarà quindi approssimabile, per t 0 con la
risposta a tale funzione :
R1 (t) = Ay(t t1 )
dove y(t t1 ) rappresenta la risposta del circuito al tempo t ad una applicata al
tempo t1 .
Sostituendo in questespressione ad A il termine S(t1 )t1 , otteniamo:
R1 (t) = S(t1 )y(t t1 )t1
che, per t1 0 si scrive:
R1 (t) = S(t1 )y(t t1 )dt1
Per il principio di sovrapposizione e la linearità del sistema, la risposta del circuito al
tempo t sarà la somma (cioè lintegrale) della risposta a tutti gli impulsi elementari
che hanno avuto luogo negli istanti ti , con ti < t. In altri termini:
t

Ri (t)
S(t )y(t t )dt
R(t) =
i=0
1
è la funzione (x) introdotta da Dirac
2.5 Risposta di un circuito ad uneccitazione di forma generica
37
Figura 2.10: Funzione di forma generica. Applicazione della trasformata di Laplace per il
calcolo della risposta di un circuito
Ponendo in questa = t t , otteniamo:

t
R(t) =
S(t )y( )d
(2.12)
Questo è noto come lintegrale di convoluzione delle funzioni S(t) e y(t). Quindi la
risposta di un circuito ad uneccitazione generica S(t) è ottenibile attraverso la (2.12),
una volta nota la risposta y( ) alla funzione (t).
Si può facilmente dimostrare che:
L [R(t)] = L [S(t)] L [y(t)]
ovvero:
st
R(t)e

dt =
st
S(t)e
0

dt
y(t)est dt
Per dimostrare tale relazione, calcoliamo la trasformata di Laplace del membro

di destra della (2.12):
t

st
e dt
S(t )y( )d
0
e trasformiamo lintegrale interno estendendolo no a +. Possiamo far ciò moltiplicandolo per la funzione u(t ), che è nulla per t < . Lespressione precedente
diventa:

st
e dt
S(t )y( )u(t )d =
y( )d
S(t )u(t )est dt
0
38
Lintegrale interno è nullo per t < . Integriamo quindi tra ed :

y( )d
S(t )est dt
0
Poniamo ora t = t . Lespressione precedente diviene:

s(t + )
s
y( )d
S(t )e
dt =
y( )e d
0
S(t )est dt
che è appunto il prodotto delle trasformate:

Y (s) S(s)
2.6
Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi
Negli esempi esaminati abbiamo incontrato funzioni esprimibili come rapporti tra
polinomi nella variabile complessa s, di cui abbiamo, con metodi relativamente
semplici, calcolato lantitrasformata.
Abbiamo raggiunto lo scopo esprimendo la funzione come somma di frazioni elementari, aventi ciascuna unantitrasformata nota, e sommando poi le antitrasformate
dei singoli termini. Tale decomposizione è nota come sviluppo in frazioni parziali.
Ammetteremo sempre che, nella funzione data, il grado del polinomio a numeratore sia minore di quello a denominatore ed analizzeremo il metodo di decomposizione distinguendo tre casi diversi.
a) Poli reali semplici
Supponiamo cioè che la funzione da antitrasformare, F(s) possa essere scritta
come:
N(s)
F (s) =
(s + )D1 (s)
dove il numero reale non è una radice di D1 (s). Possiamo allora scrivere F(s) nella
forma:
k
+ F1 (s)
F (s) =
s+
Per determinare la costante k, moltiplichiamo entrambi e membri di questequazione
per s + :
(s + )F (s) = k + (s + )F1 (s)
cioè:
N(s)
= k + (s + )F1 (s)
D1 (s)
Ponendo ora s = , otteniamo:
k = (s + ) F (s)|s=

N(s)
N()
=
=

D1 (s) s=
D1 ()
2.6 Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi
39
Trovato in tal modo k, il problema dello sviluppo in frazioni parziali di F(s) è

ricondotto a quello dello sviluppo di F1 (s). Se questa ha un polo semplice , il
processo può esser ripetuto relativamente ad F1 . Notiamo che:
F1 (s) = F (s)
k
s+
Consideriamo ad esempio la funzione:

X(s) =
2s2 + 11s + 19
(s + 1)(s + 2)(s + 3)
Poichè questa funzione ha solo poli semplici ed inoltre il grado del polinomio a
numeratore è inferiore di quello del polinomio a denominatore, lo sviluppo in frazioni
parziali è:
k1
k2
k3
X(s) =
+
+
s+1 s+2 s+3
dove:

2s2 + 11s + 19
k1 = (s + 1) X(s)|s=1 =
= 5
(s + 2)(s + 3) s=1

2s2 + 11s + 19
= 5
k2 = (s + 2) X(s)|s=2 =
(s + 1)(s + 3) s=2

2s2 + 11s + 19
= 2
k3 = (s + 3) X(s)|s=3 =
(s + 1)(s + 2) s=3
Ne segue che:
X(s) =
e quindi:
5
2
5
+
s+1 s+2 s+3

x(t) = 5et 5e2t + 2e3t u(t)
b) Poli semplici complessi

Poichè le radici complesse di un polinomio a coecienti reali compaiono sempre
insieme alle complesse coniugate, scriveremo F(s) nella forma:
F (s) =
N(s)
(s + + j)(s + j)D1 (s)
dove j non sono radici di D1 (s).

F(s) può ora esser messa nella forma:
k
k
+
+ F1 (s)
F (s) =
(s + + j) (s + j)
Ora determineremo k (e quindi k ) seguendo la stessa procedura adottata nel caso
di radici reali semplici.

N(s)

k = (s + + j)F (s)|s=j =
=
(s + j)D1 (s) s=j
40
N( j
(2j)D1 ( j)
Una volta che k e k siano stati cos` determinati, i due termini complessi ottenuti
possono essere combinati ponendo k = a + jb:
k
k
(a + jb)(s + j) + (a jb)(s + + j)
+
=
(s + + j) (s + j)
(s + + j)(s + j)
cioè:
2a(s + )
2b
+
2
2
(s + ) +
(s + )2 + 2
Consideriamo il seguente esempio:

Y (s) =
10s2 + 15s 5
10s2 + 15s 5
=
s(s2 + 2s + 5)
s(s + 1 + 2j)(s + 1 2j)
la cui decomposizione in frazioni parziali è:

Y (s) =
dove:
k0
k
k
+
+
s
s + 1 + 2j s + 1 2j

10s2 + 15s 5
= 1
k0 = sY (s)|s=0 =
s2 + 2s + 5 s=0

3
10s2 + 15s 5
11
k = (s + 1 + 2j)Y (s)|s=12j =
+j
=

s(s + 1 2j) s=12j
2
2
Ne segue che:
1
11(s + 1)
32
1 11/2 + j3/2 11/2 j3/2
+
= +
+
Y (s) = +
2
2
s
s + 1 + 2j
s + 1 2j
s (s + 1) + 2
(s + 1)2 + 22
Lantitrasformata è allora:

y(t) = 1 + 11et cos(2t) + 3et sin(2t) u(t)
c) Poli multipli
Supponiamo che F(s) abbia la forma:
F (s) =
N(s)
(s s0 )n D1 (s)
dove s0 non è una radice di D1 (s) e, nel caso generale, complesso. In tal caso
scriveremo F(s) come:
F (s) =
k1
k2
kn1
kn
+
++
+
+ F1 (s)
2
n1
s + s0 (s + s0 )
(s + s0 )
(s + s0 )n
Moltiplicando entrambi i membri di questa equazione per (s + s0 )n troviamo:

(s + s0 )n F (s) = k1 (s + s0 )n1 + k2 (s + s0 )n2 + + kn1 (s + s0 )+
2.6 Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi
41
+kn + (s + s0 )n F1 (s)
Ponendo in questa s = s0 , otteniamo:
kn = (s + s0 )n F (s)|s=s0
Per trovare ora kn1, dopo aver moltiplicato per (s + s0 )n , prendiamo la derivata
rispetto ad s di entrambi i membri dellequazione:
d
[(s + s0 )n F (s)] =
ds
= (n 1)k1 (s + s0 )n2 + (n 2)k2 (s + s0 )n3 +
+2kn2(s + s0 ) + kn1 + 0 + (s + s0 )n
dF1 (s)
+ n(s + s0 )n1 F1 (s)
ds
Ponendo ora s = s0 , otteniamo:

kn1 =
d
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
ds
Prendendo invece la derivata seconda, troviamo:

2kn2 =
d2
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
2
ds
In generale, per r = 0, 1, 2, , n 1:
knr =
1 dr
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
r! dsr

F (s) =
s2
s(s + 1)3
Questa può essere espressa come:

F (s) =
k1
k2
k3
k0
+
+
+
2
s
s + 1 (s + 1)
(s + 1)3
Applicando il metodo indicato sopra troviamo:

s 2
= 2
k0 = sF (s)|s=0 =
(s + 1)3 s=0

s 2
3

= 3
k3 = (s + 1) F (s) s=1 =
s s=1

d
d s2
2
3
(s + 1) F (s) s=1 =
= 2
= 2
k2 =
ds
ds
s s=1
s s=1

2
1 d2
1 d
3
F
(s)
=
= 2
(s
+
1)
k1 =
s=1
2 ds2
2 ds s2 s=1
Si ha quindi:
2
3
2
2
+
F (s) = +
2
s s + 1 (s + 1)
(s + 1)3
42

3 2 t
t
t
u(t)
f (t) = 2 + 2e + 2te + t e
2
I risultati ottenuti ci consentono di scrivere in modo immediato la risposta di

un circuito quando se ne conosca la trasformata di Laplace, almeno nel caso che si
presenta pi`
u di frequente, in cui i poli sono singoli o doppi (reali o complessi).
Se la trasformata è scritta nella forma:
N(s)
N(s)
=
D(s)
(s 1 )(s 2 ) (s n )
ed i poli sono tutti singoli, la f (t) è data da:

n

N(s)(s i )est
f (t) =
D(s)
s=i
i=1
(2.13)
(2.14)
Se alcuni dei poli sono doppi, lultima espressione scritta continua a valere per il
contributo dei poli singoli, mentre un polo doppio darà un contributo aggiuntivo:

d N(s)(s k )2
N(s)(s k )2
k t
te +
ek t
(2.15)
D(s)
ds
D(s)
s=k
s=k
Ulteriori dettagli possono esser trovati nelle referenze [2] , [3] e [4]. Nelle prossime
sezioni analizzeremo alcuni circuiti facendo uso della tecnica delle trasformate.
2.7
Circuito LCR eccitato da un gradino unitario

di tensione
Il circuito di gura 2.11 sarà ora analizzato con la tecnica delle trasformate di
Laplace, ammettendo che la sorgente di tensione fornisca un gradino unitario e
che le condizioni iniziali siano:
iL (0) = 0
vC (0) = 0
Possiamo ora sostituire a ciascun componente la sua L-trasformata, con che lequazione della maglia si scrive:

R/sC
R
V (s) = sL +
I(s) = sL +
I(s) =
R + 1/sC
1 + sRC
L( s2 + s + R/L)
I(s)
1 + s
dove I(s) è la trasformata della corrente iL (t) nellinduttanza, V(s) la trasformata
delleccitazione e dove si è posto = RC.
Da questa otteniamo:
=
I(s) =
1 + s
sL( + s + s2 )
2.7 Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione
43
dove abbiamo sostituito a V(s) la sua espressione (1/s) e posto = R/L. La

trasformata della dierenza di potenziale ai capi dellinduttanza è allora:
VAB (s) = sLI(s) =
1 + s
+ s + s2
Ora potremo avere soluzioni molto diverse a seconda che le radici del polinomio a
denominatore siano:
1. reali e coincidenti
2. reali e distinte
3. complesse coniugate
Le radici in questione sono date da:
si =
1 4
2
Il discriminante è:
= 1 4 = 1 4R2 C/L
Le radici saranno reali e coincidenti se = 0 cioè se:

1 L
R=
2 C
saranno reali e distinte se il discriminante è positivo:

1 L
R<
2 C
Saranno inne complesse coniugate se:
1
R>
2
L
C
Consideriamo il caso di radici distinte (reali o complesse).
B
L
Figura 2.11: Circuito LCR
44

In tal caso la trasformata della risposta può essere scritta come:
VAB (s) =
1 + s
(s s1 )(s s2 )
Usiamo ora le equazioni (2.14) e (2.15) per trovare lantitrasformata. Troviamo:

vAB =
1 + s1 s 1 t 1 + s2 s 2 t
e +
e
s1 s2
s2 s1
Se s1 ed s2 sono complessi, con s1 = s2 = , allora:

t
vAB
(1 + )et (1 + )e
=

Poniamo ora:
Re = a , Im = b
Avremo allora, dopo qualche passaggio:
vAB =
eat
[(1 + a )sin(bt) + b cos(bt)]
b
Notiamo che a = 1/(2RC). Vediamo allora che loscillazione si smorza con una
costante di tempo pari a 2RC. La tensione nel punto B sarà:
vB = vin vAB = 1 vAB
La gura 2.12 mostra la risposta del circuito nel caso in cui si sia scelto:
C = 1nF , L = 10H
e per valori di R compresi tra 200 e 500 , che forniscono valori complessi per s1
ed s2 .
Se i poli sono reali e distinti avremo, indicandoli con s1 ed s2 :
vAB
(es1 t es2 t ) + (s1 es1 t s2 es2 t )

=
s1 s2
Notiamo che è:
1 4R2 C/L
1
=
=
=
s1 s2 =
2
RC
LC
dove si è posto: = . Abbiamo ovviamente:

s1 =
1 +
2
1
2
s1 s2 =
s2 =
2.7 Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione
5 .10 7
R=200
R=300
R=400
R=500
1 .10 6
1.5.10 6
t
tempo (secondi)
45
2 .10 6
Ohm
Ohm
Ohm
Ohm
Figura 2.12: Risposta del circuito di gura 2.11 eccitato da un gradino unitario di tensione,
per valori di R compresi tra 200 e 500 . Il valore di L è 10H; quello di C 1nF
p
V (Volts)
0.96
50 Ohm
0.72
0.48
10 Ohm
0.24
t (s)
0.0
0.0 0.4
( ) ( )
0.8
1.2
1.6
2.0
Figura 2.13: Risposta del circuito di gura 2.11 eccitato da un gradino unitario di tensione,
per valori di R compresi tra 10 e 50 . Il valore di L è 10H; quello di C 1nF
Si ottiene inne dopo alcuni passaggi:

t

t/2
t
t
t
e
vAB =
e 2 e 2 + e 2 + e 2
2
46
La gura 2.13 mostra landamento della tensione in B nel caso in cui C ed L abbiano
i medesimi valori del caso precedente e per valori di R compresi tra (10 ) e (50 ).
Come si vede, la tensione nel punto B sale tanto pi`
u lentamente quanto minore è il
valore di R.
Consideriamo ancora un circuito LRC, ora con i tre componenti messi in serie
tra di loro ed in serie al generatore (vedasi la gura 2.14). Questultimo fornisce
anche in questo caso un gradino unitario di tensione.
L
C
u(t)
Vo
Figura 2.14: Circuito RLC-serie

Ammettiamo che i valori dei componenti siano:
R = 12 , L = 2H , C = 0.02F
e le condizioni iniziali:
iL (0) = 0 , vC (0) = 0
Le trasformate dei componenti e delleccitazione sono allora:
ZR = 12 , ZL = 2s , ZC = 50/s , U(s) = 1/s
La trasformata della tensione duscita Vo sarà allora:
ZC
50/s
Vo (s) =
U(s) =
ZC + ZR + ZL
50/s + 2s + 12

1
=
s
k0
25
=
+ F (s)
(25 + 6s + s2 ) s
s
=
dove:
k0 = s Vo (s)|s=0 = 1
Ne segue:
F (s) = Vo (s)
25
1
6+s
k0
=
= 2
2
s
s (s + 6s + 25) s
s + 6s + 25
Otteniamo inne per Vo (s):

Vo (s) =
6+s
3+s
1
1
4 3/4
2
2
2
2
s (s + 3) + 4
s (s + 3) + 4
(s + 3)2 + 42
Si ottiene allora per lantitrasformata:

3
3t
cos(4t) + sin(4t) u(t)
vo (t) = 1 e
4
2.8 Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale
2.8
47
Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale
La tecnica delle trasformate di Laplace si rivela di grande utilità anche nei casi in
cui il segnale applicato sia sinusoidale. Esaminiamo il caso particolare di un circuito
CR come quello di gura 2.15, in cui il segnale applicato è:
vin = vo sin(t)
C
Vin
Vout
Figura 2.15: Circuito RC eccitato da una sorgente sinusoidale di tensione

La funzione di trasferimento di questo circuito è:
G(s) =
s
1
1 =
s+a
1 + s
dove: = RC e a = 1/ .
la trasformata di Laplace di vin è:
Vin (s) =
vo
+ 2
s2
la trasformata del segnale in uscita sarà:

Vout (s) =
(s2
vo s
+ 2 )(s + a)
(2.16)
che può esser riscritta come:

Vout (s) =
vo s
(s + j)(s j)(s + a)
(2.17)
Questa può esser scritta come la somma di termini di cui si conosce lantitrasformata, con i metodi descritti in precedenza. Si ottiene:
Vout (s) =
dove:
B
C
A
+
+
s + j s j s + a
vo
(a + j)
2( 2 + a2 )
vo
(a j)
B =
2( 2 + a2 )
A =
48

C =
avo
2 + a2
Ne segue per lantitrasformata:

vout (t) = Aejt + Bejt + Ceat
Questa, facendo uso delle espressioni trovate per i coecienti A, B, C, può esser
riscritta come:

1
vo
1
jt
jt
at
vout (t) = 2
(a + j) e
+ (a j) e ae
+ a2 2
2
Sviluppando i termini exp(jt) e semplicando, questa diventa:

vo
at
a
cos(t)
+
sin(t)
ae
=
vout (t) = 2
+ a2

vo
at
2
2
a +
cos(t) +
sin(t) ae
= 2
+ a2
a2 + 2
a2 + 2
Ponendo inne:
cos =
2
a + 2
a
sin =
a2 + 2
e quindi:
a
tan =
La risposta può esser messa nella forma:

vo 2
2 sin(t + ) aeat
(2.18)
vout (t) = 2
a
+
+ a2
Notiamo che è vout (0) = 0.
Discutiamo ora questo risultato, confrontandolo con quello che avremmo ottenuto
adoperando il normale metodo simbolico.
In tal caso avremmo avuto:
1
1

vout
= vo sin(t)
=
(t) = vo sin(t)
1 + 1/j
1 + a/j
j
j(a j)
= vo sin(t) 2
=
a + j
a + 2
vo
= 2
sin(t) ( + ja) =
a + 2

vo
sin(t) 2 + a2
+ j
= 2
a + 2
2 + a2
2 + a2
Si ottiene inne:
vo 2

vout
= 2
+ a2 sin(t) (cos + jsin)
+ a2
Questa dierisce dalla (2.18) per il termine a exp(at) che ora è assente.
Tale dierenza può esser compresa se si pensa che, adoperando il metodo delle
trasformate di Laplace noi teniamo correttamente conto del fatto che il segnale
applicato è nullo per t < 0. Il termine a exp(at) rappresenta un transiente che
decade con costante di tempo = 1/a. Il metodo simbolico invece ammette che il
segnale applicato sia stazionario, cioè sia stato applicato a tempi t 0.
= vo sin(t)
Capitolo 3
Diagrammi di Bode e di Nyquist

3.1
Introduzione
Ci proponiamo in questa sezione di discutere i metodi comunemente adoperati in

elettronica per rappresentare gracamente le funzioni di trasferimento dei circuiti
quadripolari. Tali metodi sono di notevole utilità sia per una visualizzazione immediata della risposta di un circuito che per discutere il problema della stabilità
nei circuiti oscillanti e, pi`
u in generale, nei circuiti con feedback. Inizieremo con
una breve discussione di quelli che sono noti come i diagrammi di Bode, e con la
presentazione di alcuni esempi. Passeremo poi a discutere i diagrammi di Nyquist.
3.2
Diagrammi di Bode
Cominceremo con lanalizzare un esempio: quello del ben noto circuito RC passabasso, che per comodità riportiamo in gura 3.1.
V in
V out
Figura 3.1: Circuito RC passa-basso

Come sappiamo, la funzione di trasferimento di questo circuito, espressa in funzione della variabile s (dove s = j o, pi`
u in generale, s = + j se facciamo uso
delle trasformate di Laplace, con la frequenza angolare) è:
G(s) =
k
s s1
dove = RC e k = s1 = 1/ . Tale funzione ha un polo in s1 e nessuno zero.

49
50
Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist
Esaminiamo landamento del modulo di G(s), espresso in decibel, in funzione del

logaritmo di :
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log |j s1 |
Per frequenze angolari |s1 | questa diventa:
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log |s1 | = 0
(3.1)
essendo |s1 | = |k|. Vediamo quindi che il modulo della funzione di trasferimento
espresso in dB si annulla. Ciò vuol dire che il guadagno |G()| ha modulo unitario.
Ad alte frequenze ( |s1 |)avremo invece:
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log
(3.2)
Questa ci dice che il modulo della funzione di trasferimento espressa in dB è una

funzione lineare della variabile 20 log .
Il graco che si ottiene riportando per un circuito il modulo della funzione di
trasferimento espresso in dB in funzione del log è il diagramma di Bode per il
modulo di G. Il diagramma relativo al circuito RC appena analizzato è mostrato in
gura 3.2.
Passa basso
|G(
) | (dB)
10
15
20
1.5
2.5
3.5
4.5
log(
)
G()
Rette asintotiche
Figura 3.2: Diagramma di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito
RC passa-basso. La curva solida descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli
andamenti asintotici
Poichè G() è in genere un numero complesso, esso è caratterizzato anche da

una fase (). Il graco che si ottiene riportando la fase in funzione del log è il
diagramma di Bode per la fase. Linsieme dei due diagrammi di Bode per un dato
circuito caratterizza la risposta dello stesso.
In realtà, è spesso suciente esaminare le rette asintotiche che descrivono landamento del modulo (in dB) e della fase della funzione di trasferimento. Quelle
relative a |G(s)| per il ltro passa-basso sono mostrate con tratteggio in gura 3.2.
3.2 Diagrammi di Bode
51
Nellesempio in esame, relativo al modulo di G(), le due rette asintotiche sono

quelle date dalle equazioni (3.1) e (3.2). Esse si incontrano, come si può facilmente
vericare, nel punto:
1
= |k| =
(vedi gura 3.2). Notiamo che se raddoppia (cioè in unottava) la grandezza

20 log aumenta di circa un fattore 6. Poichè la funzione (3.2) è lineare nella
variabile 20 log , si vede che essa è tale da subire una variazione (diminuzione) di
6dB per ottava. Il ltro passa-basso ha quindi un andamento asintotico alle alte
frequenze caratterizzato da una retta di pendenza (negativa) pari a 6dB per ottava.
Si può poi facilmente vericare che se la frequenza varia di un fattore 10 anzichè
2 (cioè in una decade) la funzione avrà subito una variazione di 20 dB. Ciò si esprime
dicendo che la retta in esame ha una pendenza (negativa) di 20 dB/decade.
Nel punto in cui le due rette asintotiche si incontrano, il modulo
della risposta
vera |G()| del circuito vale, come si può facilmente vedere, 1/ 2. In decibel, esso
vale 3 dB, e quindi è 3 dB al di sotto del valore asintotico alle basse frequenze
(che è 0 dB).
Esaminiamo ora il ltro passa-alto, mostrato in gura 3.3.
C
Vin
Vout
Figura 3.3: Circuito CR passa-alto

La funzione di trasferimento, come si può facilmente vericare, vale:
G(s) =
s
s s1
con s1 = 1/ . Questa ha uno zero nellorigine (s=0) oltre ad un polo in s = s1 .

Landamento del modulo di questa funzione (in dB) per |s1 | è:
|G(s)|dB = 20 log 20 log |s1 |
Vediamo che questa funzione cresce allaumentare di log con una pendenza di
6dB/ottava. Per frequenze molto alte ( |s1 |) landamento diventa costante:
|G(s)|dB = 0
cioè il guadagno diventa unitario.
Tali comportamenti, per alte e per basse frequenze, sono schematicamente indicati nel diagramma di Bode di gura 3.4, dove e anche riportata la curva che descrive
landamento reale.
52

passa alto
5
|G(
) | (dB)
10
15
20
2.5
3.5
4.5
5.5
log(
)
G()
rette asintotiche
Figura 3.4: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito CR
passa-alto. La curva solida descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli
andamenti asintotici
Le due rette asintotiche si incontrano nel punto: = |s1 | = 1/ . In tale punto

il valore vero di |G(|dB è -3 dB, come nel caso del circuito passa-basso.
Riassumendo, possiamo dire che ad una funzione di trasferimento con un polo
semplice e nessuno zero, corrisponde un ltro passa-basso, caratterizzato da una
risposta piatta (0 dB) a frequenze molto minori del valore assoluto del polo e da
una risposta che decresce con pendenza di 6 dB/ottava ad alte frequenze. Le rette
asintotiche che descrivono tali andamenti si incontrano nel punto = |s1 | dove s1
è la posizione del polo. In corrispondenza a tale frequenza la funzione |G()|dB ha
un valore che è 3 dB.
Una funzione di trasferimento con un polo semplice ed uno zero nellorigine
corrisponde ad un ltro passa-alto, caratterizzato da un andamento crescente con
una pendenza di 6 dB/ottava a basse frequenze ( |s1 |), dove s1 è la posizione del
polo, e da un andamento costante (0 dB) ad alte frequenze. Le rette che descrivono
i due andamenti asintotici si incontrano in = |s1 |. In corrispondenza a tale
frequenza angolare la funzione di trasferimento vale 3 dB.
Plots di Bode per la fase
La fase , nel caso del circuito passa-basso, è data da:
=
tan =
s1
cioè:
= arctan( )
(3.3)
Vediamo che tende a zero se |s1 |, mentre tende ad /2 se |s1 |.

Landamento reale di , descritto dalla (3.3) è mostrato in gura 3.5, insieme agli
andamenti asintotici (rette tratteggiate) per |s1 | e per |s1 |.
3.2 Diagrammi di Bode
53
passa basso
0.5
()
(radianti)
0.5
1.5
()
rette asintotiche
log(
)
Figura 3.5: Plot di Bode per la fase, relativo al circuito RC passa-basso. La curva solida
descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli andamenti asintotici
Si può facilmente vericare che, per = 0.1
, la fase è ancora vicina a zero, mentre
per = 10 essa ha ormai raggiunto il suo valore asintotico /2.

facile vedere che
Esaminiamo ora il caso del ltro passa-alto, già analizzato. E
in tal caso la fase è data da:
s1
1
tan =
=
cioè:
= arctan(1/ )
(3.4)
Vediamo da questequazione che /2 per 0, mentre 0 per .
Tali andamenti asintotici sono mostrati in gura 3.6 (rette tratteggiate) insieme
allandamento vero, descritto dalla (3.4).
Anche in questo caso landamento asintotico per piccoli valori di ( 1/ )
dierisce molto poco dallandamento reale per = 0.1/ , mentre landamento asintotico per grandi valori di ( 1/ ) dierisce poco da quello reale quando
= 10/ .
La gura 3.7 mostra i plot di Bode relativi ad un circuito CR, con valori dei
componenti dati da: C = 1nF , R = 1k. Questi sono stati ottenuti facendo uso del
programma di simulazione Microcap VII [5].
Consideriamo ancora una funzione di trasferimento con un polo ed uno zero non
nellorigine:
G(s) =
1 + s2
1 + s1
(3.5)
54

passa alto
()
(radianti)
1.5
0.5
0.5
1
()
rette asintotiche
log(
)
Figura 3.6: Plot di Bode per la fase, relativo al circuito CR passa-alto. La curva solida descrive
landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli andamenti asintotici
Il polo è in s1 = 1/1 ; lo zero in s2 = 1/2 . Il plot di Bode per il modulo è
mostrato in gura 3.8 (dove si è ammesso che sia 1 2 ).
Il plot di Bode per la fase può esser facilmente ottenuto facendo uso della
relazione:
= arctan (2 ) arctan (1 )
dove 1 < 2 , cioè 1/2 < 1/1 . Avremo i seguenti andamenti asintotici:
Per
1
2
(e quindi anche
1
)
1
Per
1
1
(e quindi anche
1
)
2
Per
1
2
ed
1
1
= arctan(2 ) /2
Tali andamenti sono qualitativamente indicati nella gura 3.9.
3.3
Quadripoli del secondo ordine
Esaminiamo ora un sistema descritto da una funzione di trasferimento del tipo:

k
(3.6)
(s s1 )(s s2 )
Questa non ha alcuno zero, ma ha due poli nei punti s1 ed s2 . I poli s1 ed s2
possono essere reali e distinti, reali e coincidenti o complessi coniugati.
G(s) =
3.3 Quadripoli del secondo ordine
55
20.00
0.00
-20.00
-40.00
-60.00
-80.00
100
1K
G()(dB)
10K
100K
1M
10M
1M
10M
Frequenza (Hz)
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
0.00
100
1K
10K
100K
() (gradi)
Frequenza (Hz)
Figura 3.7: Plot di Bode per modulo (in alto) e fase (in basso) relativo al circuito RC passa-alto
ottenuto con i valori dei componenti dati nel testo. Le curve sono state ottenute facendo uso del
programma di simulazione Microcap.
Cominciamo con lesaminare il caso in cui i due poli siano reali e coincidenti. In
tal caso possiamo scrivere:
20 log |G(j)| = 20 log |k| 20 log |s s|2 = 20 log |k| 40 log |j s|
con: s1 = s2 = s (reale).
Esaminiamo gli andamenti asintotici. Per s:
|G()|dB = 20 log |k| 40 log |s| = costante
Se invece è s:
(3.7)
|G()|dB = 20 log |k| 40 log
cioè si ha un andamento decrescente, con pendenza pari a 12 dB/ottava, cioè al

doppio di quella che si aveva nel caso del ltro passa-basso del primo ordine.
Le due rette che descrivono landamento asintotico per basse e per alte frequenze
si incontrano nel punto = s. In tale punto la |G()|dB vale:
|G()|dB = 20 log |k| 40 log |js s| =
56
G()
(dB)
|G|= /1
2
6 dB/ottava
1/2
1/1
log()
Figura 3.8: Rette asintotiche relative al plot di Bode per il modulo della funzione di
trasferimento con un polo ed uno zero descritta dalla (3.5)
/2
0.1/2
1/2
10/2
0.1/1
1/1
10/1
log()
Figura 3.9: Rette asintotiche relative al plot di Bode per la fase della funzione di trasferimento
con un polo ed uno zero descritta dalla (3.5)
= 20 log |k| 40 log s 40 log
2 = costante 6dB
dove la costante ha un valore uguale a quello dellanaloga costante presente nella (3.7). Si ha quindi unattenuazione di 6dB rispetto a quella che si aveva a basse
frequenze. Abbiamo quindi un ltro passa-basso con un taglio pi`
u netto di quello
che avremmo avuto utilizzando un sistema del primo ordine.
Esaminiamo ora il caso di un sistema descritto dalla medesima funzione di trasferimento appena esaminata, ma nel quale le due radici s1 ed s2 del polinomio
a denominatore siano reali e distinte. Ammettiamo per semplicità che esse siano
57
abbastanza distanti luna dallaltra:

|s1 | |s2 |
Facendo ora uso di quanto appreso nora, possiamo vedere che, se |s1 | (e quindi
|s2 |) avremo un andamento costante per |G()|dB . Per valori di |s1 | ed
|s2 |, il contributo del termine 1/(s s2 ) sarà ancora costante, mentre il termine
1/(s s1 ) avrà un andamento decrescente, con una pendenza di 6 dB/ottava. Inne,
per |s2 | (e quindi |s1 |) alla pendenza di 6 dB/ottava causata dal termine
1/(s s1 ) si somma un ulteriore contributo di 6 dB/ottava causato dal termine
1/(s s2 ). Landamento complessivo può in denitiva esser riassunto come indicato
in gura 3.10.
G(
()
(dB)
6 dB/ottava
log(
()
|s1|
|s2|
12 dB/ottava
trasferimento con due poli descritta dalla (3.6)
Landamento della fase () per tale sistema è poi quello mostrato in gura 3.11.
|s1|
|s2|
log(
()
-/2
Figura 3.11: Rette asintotiche relative al plot di Bode per la fase della funzione di trasferimento
con due poli descritta dalla (3.6)
Ci riserviamo di esaminare nella prossima sezione il caso di poli complessi coniugati, che merita unattenzione particolare.
58

Esaminiamo ora il caso della funzione di trasferimento:
G(s) =
ks2
(s s1 )(s s2 )
(3.8)
con |s1 | |s2 |. Questa funzione ha due zeri coincidenti nellorigine e due poli
nei punti s1 ed s2 . Esaminiamo il relativo diagramma di Bode per il modulo. Si ha:

2

k

20 log |G()| = 20 log
(j s1 )(j s2 )
Per frequenze angolari |s1 |, |s2|, si ha:
|G()|dB 20 log
k 2
k
= 20 log
+ 40 log
s1 s2
s1 s2
cioè un andamento crescente in funzione di log . La pendenza nel diagramma di

Bode è di 12 dB/ottava. Per frequenze |s1 |ed |s2 | avremo invece:
|G()|dB 20 log
k
k
= 20 log
+ 20 log
|s2 |
|s2 |
Vediamo che questa ha, nel diagramma di Bode, un andamento crescente con una
pendenza di 6 dB/ottava. La retta che descrive landamento asintotico per |s1 |
e quella che descrive landamento asintotico per |s1 | |s2 | si incontrano nel
punto di coordinata tale che:
20 log
k
k
+ 40 log = 20 log
+ 20 log
|s1 s2 |
|s2 |
cioè: = |s1 |.
Inne, per |s2 | |s1 | avremo:
|G()|dB 20 log k = costante
Vediamo quindi che il circuito descritto da questa funzione di trasferimento è un
passa-alto. Calcoliamo il valore di per cui la retta che descrive il comportamento asintotico per |s1 | |s2 | incontra quella che descrive il comportamento
asintotico per |s2 |. Troviamo facilmente:
= |s2 |
In corrispondenza a tale valore di la funzione di trasferimento espressa in dB vale:

ks22
= 20 log k 20 log 2 = 20 log k 3dB

20 log
(js2 s1 )(js2 s2 )
Cioè la risposta è, come in altri casi simili esaminati, 3 dB al di sotto del valore
asintotico per .
Landamento di tale funzione di trasferimento è mostrato nel diagramma di Bode
di gura 3.12.
59
|G(
()|
(dB)
20 log k
6 dB/ottava c
12 dB/ottava
|s1|
|s2|
log()
trasferimento con uno zero doppio nellorigine e due poli, data dalla (3.8)
Esaminiamo ora un sistema descritto da una funzione con uno zero semplice
nellorigine e due poli distinti:
G(s) =
ks
(s s1 )(s s2 )
(3.9)
Per frequenze angolari |s1 | |s2 | avremo:

20 log |G()| = 20 log k + 20 log 20 log |s1 s2 |
Cioè abbiamo un andamento crescente con una pendenza di 6 dB/ottava, come
mostrato in gura 3.13.
Per frequenze angolari comprese tra s1 ed s2 avremo:
|G()|dB = 20 log k + 20 log |s2 | = costante
Inne, per valori di molto maggiori di s2 :
|G()|dB = 20 log k + 20 log 20 log 2 = 20 log k 20 log
cioè abbiamo un andamento decrescente, con una pendenza di -6 dB/ottava.
Anche in questo caso potremmo vericare che le rette che descrivono landamento
asintotico per |s1 | e per |s1 | si incontrano in = |s1 |, e che quelle che
descrivono gli andamenti asintotici per |s2 | e per |s2 | si incontrano in
= |s2 |. Inoltre in tali punti il valore vero della |G()|dB è sotto di 3 dB rispetto
al valore che la retta asintotica orizzontale fornisce. Abbiamo ovviamente un ltro
passa-banda.
Consideriamo inne un circuito descritto dalla funzione di trasferimento:
G(s) =
k(s2 + 02)
(s s1 )(s s2 )
60
|G()|
(dB)
20 log k - 20 log|s |
$
6 dB/ottava c
Z -6 dB/ottava
|s1|
|s2|
log()
trasferimento con uno zero semplice nellorigine e due poli, data dalla (3.9)
che ha due poli in s1 ed s2 e due zeri immaginari in s = j0 . Si può dimostrare

che tale funzione descrive un ltro elimina-banda.
A conclusione delle considerazioni svolte, possiamo ora trarre alcune conclusioni
di carattere generale:
a) ad uno zero semplice nella funzione di trasferimento corrisponde nel diagramma di Bode un andamento crescente, con una pendenza di 6 dB/ottava;
b) ad uno zero doppio corrisponde un andamento crescente con una pendenza di
12 dB/ottava;
c) ad un polo semplice corrisponde un andamento decrescente con una pendenza
di 6 dB/ottava;
d) ad un polo doppio corrisponde un andamento decrescente con una pendenza
di 12 dB/ottava.
Quindi, unanalisi dei poli e degli zeri della funzione di trasferimento può portare ad
individuare in modo semplice il tipo di risposta che ci si deve aspettare dal circuito
descritto dalla funzione stessa.
Esaminiamo come esempio il circuito mostrato in gura 3.14.
La funzione di trasferimento, come si può facilmente vericare, è:
s
(3.10)
+ s + (R/L)
Questa ha uno zero nellorigine, che fornisce un andamento crescente con pendenza di 6 dB/ottava. Il polinomio di secondo grado a denominatore ha un discriminante
G(s) =
(RC)s2
61
Figura 3.14: Circuito RCL, la cui funzione di trasferimento è data dalla (3.10)
dato da:
=
1 4R2 C/L
Vediamo da questa che le radici (e quindi i poli della funzione di trasferimento)

saranno reali e distinte se:

1 L
R<
2 C
Se ciò accade, indicando con s1 ed s2 le due radici (con s1 < s2 ) avremo un diagramma di Bode per il modulo, del tipo mostrato in gura 3.15. Vediamo che si tratta
di un ltro passa-banda.
|G()|
(dB)
6 dB/ottava c
Z -6 dB/ottava
|s1|
|s2|
log()
Figura 3.15: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito di
gura 3.14, nel caso in cui le due radici siano reali e distinte. Sono state riportate solo le rette
asintotiche
Se le radici sono reali e coincidenti ( = 0 ed s1 = s2 ), avremo un diagramma

di Bode per il modulo del tipo mostrato in gura 3.16.
Se inne il discriminante è negativo, i poli saranno complessi coniugati. Si può
dimostrare che in questo caso gli asintoti sono uguali a quelli corrispondenti ad
62
|G()|
(dB)
6 dB/ottava c
Z -6 dB/ottava
|s1|=|s2|
log()
Figura 3.16: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito di
gura 3.14, nel caso in cui le due radici siano reali e coincidenti. Sono state riportate solo le rette
asintotiche
un polo doppio, in |s1 | = |s1 | = |s2 |. Il comportamento della curva che descrive
landamento della |G()|dB in prossimità del polo doppio ha un andamento che
dipende dal rapporto tra parte immaginaria e reale del polo. Tale comportamento
sarà studiato nella prossima sezione.
Notiamo inne che, con riferimento al diagramma di Bode mostrato in gura 3.15,
la larghezza di banda è denita come: BW = |s2 | |s1 |.
Ad esempio, con la seguente scelta dei valori dei componenti:
R = 1k , L = 1mH , C = 50 pF
Si ottengono per questo circuito, facendo uso del programma di simulazione Microcap VI, i plot di Bode per modulo del guadagno e fase, mostrati in gura 3.17.
3.4
Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati
Riprendiamo ora lanalisi della funzione di trasferimento con due poli, già incontrata
nella precedente sezione, nel caso in cui i due poli s1 ed s2 siano complessi coniugati.
Analizzeremo in realtà nuovamente il caso generale di una funzione con due poli,
introducendo una notazione che si rivela utile in molti casi, ad esempio nellanalisi
dei ltri attivi.
Possiamo riscrivere in generale il denominatore di una funzione di trasferimento
con due poli:
(s s1 )(s s2 )
(3.11)
3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati
63
10.0
-2.0
|G(f)| (dB)
-14.0
-26.0
-38.0
-50.0
1K
10K
100K
1M
10M
100M
1G
1M
10M
100M
1G
120.0
72.0
24.0
(f)
(gradi)
-24.0
-72.0
-120.0
1K
10K
100K
Frequenza (Hz)
Figura 3.17: Plot di Bode per modulo e fase della funzione di trasferimento (3.10) relativa
al circuito di gura 3.14. Le curve mostrate sono state ottenute facendo uso del programma di
simulazione Microcap, con i valori dei componenti indicati nel testo
nella forma:
s2 +
0
s + 02
Q0
(3.12)
Sviluppando la (3.11) ed uguagliando i coecienti a quelli che gurano nella (3.12),

otteniamo:
0
= (s1 + s2 )
Q0
02 = s1 s2
Invertendo queste equazioni si ottiene:

2
0
0
1
402
s1,2 =
2
Q0
Q0
I poli saranno reali e coincidenti per = 0, cioè:
02(1 4Q20 ) = 0
(3.13)
(3.14)
(3.15)
64
da cui:
Q0 = 0.5
I poli saranno reali e distinti per Q0 < 0.5 mentre saranno complessi coniugati
per Q0 > 0.5. In questultimo caso la parte reale dei due poli sarà:
Re(s1 ) = Re(s2 ) =
0
2Q0
Notiamo che in questo caso, con s2 = s1 , lequazione:

02 = s1 s2 = s1 s1 = |s1 |2 = |s2 |2
ci dice che 0 rappresenta la distanza di ciascuno dei due poli dallorigine. Ciò è
Figura 3.18: Poli nel piano s complesso, per una funzione di trasferimento con due poli complessi
coniugati. Q0 , 0 e sono quelli deniti nel testo
Dalla gura si vede che:
cos =
1
2Q0
con Q0 > 0.5

Poniamo ora:
s1 = + j
s2 = j
e scriviamo la funzione G(s):
G(s) =
1
1
=
(s s1 )(s s2 )
(s + j)(s + + j)
Sostituendo ad s lespressione j otteniamo:

|G|2 =
1
[2 + ( )2 ] [2 + ( + )2 ]
3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati
65
Calcoliamo ora il valore di in corrispondenza a cui |G| è massimo. Essendo |G|

positivo, questo sarà anche il valore che rende massimo |G|2 , che sarà dato dalla
soluzione dellequazione:
d|G|2
= 0
dt
ovvero dellequazione:

2( ) 2 + ( + )2 + 2( + ) 2 + ( )2 = 0
Questa si riduce facilmente a:
42 + 2( 2 2 ) 2 = 0
la cui soluzione è:
2 = 2 2
Troviamo cioè che la frequenza in corrispondenza alla quale la |G| ha un massimo

è data da:

max = 2 2
Espressa in termini delle variabili 0 e Q0 , questa si scrive:

1
2
max = 0 1
2Q20
(3.16)
Il valore che la funzione |G| acquista in tale punto può esser facilmente ottenuto
come segue. Scriviamo la G(s) nella forma:
A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02
(3.17)
dove A0 è il valore di G(s) per s=0. Poniamo s = j e calcoliamo il modulo di G.

A0 02
(02 2 ) + j Q00
(3.18)
A0 Q0
|G(j)|=max =
1 4Q1 2
(3.19)
G(j) =
da cui:
La dipendenza di questa funzione da Q0 è mostrata in gura 3.19.

Notiamo che, come si vede dallequazione (3.16) un massimo nella risposta può
aversi solo per:
1
< 1
2Q20
cioè per:
1
Q0 > = 0.707
2
Per Q0 = 0.707 troviamo:
|G(j)|=max = A0
66
40
30
G
max Q 0
20
10
Q0
Figura 3.19: Dipendenza da Q0 della funzione |G(j)|=max data dalla (3.19)
|G()|
(dB)
|G()|
per diversi valori di Q0
20
10
10
Q0=1
Q0=1.5
Q0=2
Q0=4
1000
Figura 3.20: Diagramma di Bode per il modulo della G(s) data dalla (3.17), per diversi valori
di Q0
Riportiamo nel graco di gura 3.20 il diagramma di Bode per il modulo della G(s)
dato dallequazione (3.17).
Vediamo da questi risultati, ed in particolare dalle equazioni (3.16) e (3.17), che
la curva di risposta |G(j)| ha un massimo tanto pi`
u accentuato quanto pi`
u è elevato
il Q0 del circuito. La posizione del massimo si sposta, come mostrato dalla (3.16),
al variare di Q0 . max aumenta allaumentare di Q0 e diviene uguale ad 0 per
Q0 .
0
è lascissa comune dei poli,
Poichè 0 è la distanza dei poli dallorigine e 2Q
0
vediamo che langolo che abbiamo indicato con aumenta allaumentare di Q0 .
Vediamo cioè che la curva che descrive la risposta del sistema acquista in prossimità
u i poli sono vicini allasse
di 0 un picco che è tanto pi`
3.5 Diagrammi di Nyquist
67
immaginario e lontani da quello reale.
3.5
Diagrammi di Nyquist
Se si riporta in un diagramma cartesiano, in ascissa la parte reale della funzione di

trasferimento G(j) ed in ordinata la parte immaginaria, si ottiene quello che è noto
come diagramma di Nyquist della G(j). Al variare di il punto rappresentativo
del sistema si muove lungo una curva. Il vettore che unisce lorigine delle coordinate
con il generico punto rappresenta la funzione di trasferimento in corrispondenza al
valore di relativo al determinato punto. Ad esempio, la gura 3.21 mostra il
diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento caratteristica di un circuito
passa-basso:
1/
j 1/
G(j) =
(3.20)
Nyquist plot per un circuito passa-basso
Im[G()]
0.2
0.4
0.6
0.8
0.6
0.4
0.2
Re[G( )]
Plot per tra 100 e 500,000 rad/s
Figura 3.21: Diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento (3.20), per variabile tra
100 e 500,000 rad/s
Unaltro esempio è quello della funzione di trasferimento con un polo ed uno zero
non nellorigine. Il relativo diagramma di Nyquist è mostrato in gura 3.22.
Lespressione analitica della funzione di trasferimento in questesempio è data
da:
G() =
1 + j2
1 + j1
(3.21)
dove 1 = 3.979 106 e 2 = 1.592 104 ed varia tra 100 e 400,000 rad/s.
Un ulteriore esempio è quello di una funzione di trasferimento con uno zero non
nellorigine e due poli:
G() =
0.001 j2
(0.001 j1 )
(3.22)
68
Im[G()]
20
10
10
20
Re[G()]
30
40
100 e 400,000 rad/s e con i valori di 1 e 2 indicati nel testo
con 1 e 2 uguali a quelli dellesempio precedente.
Il relativo diagramma di Nyquist è mostrato in gura 3.23.
0
Im[G()]
0.05
0.1
0.15
0.2
0.02
0.04
0.06
0.08
Re[G()]
100 e 400,000 rad/s e con i valori di 1 e 2 indicati nel testo
Capitolo 4
Linee di trasmissione
4.1
Introduzione
Nelle attuali trasmissioni televisive via satellite si opera a frequenze di diversi GHz.
I segnali che il decoder riceve sono tipicamente dellordine del GHz. Segnali di
frequenza similmente elevata sono utilizzati nelle normali trasmissioni televisive,
nonchè nei sistemi di trasmissione dati.
I cavi elettrici che trasportano i segnali ai sistemi di decodica/ricezione debbono essere tali da non introdurre distorsioni e da non attenuare apprezzabilmente il
segnale. Se si adoperassero a tale scopo delle normali coppie di conduttori elettrici,
si avrebbe una certa attenuazione. A questa si potrebbe pensare di ovviare con un
successivo stadio di amplicazione. Purtroppo ciò non aiuterebbe, poichè lattenuazione introdotta da un normale cavo elettrico è funzione della frequenza. Ciò fa s`
che il segnale che arriva al ricevitore sia fortemente distorto.
Nel campo dellelettronica digitale veloce è necessario trasmettere segnali logici costituiti da impulsi molto brevi (dellordine del ns), con ripidi fronti di salita
e di discesa. Anche in tal caso, luso di normali cavi conduttori allungherebbe i
fronti di salita e discesa, oltre a deformare la forma dellimpulso, con conseguenze
disastrose per i sistemi di decodica. Occorre quindi realizzare degli opportuni conduttori che abbiano bassa attenuazione (in modo da consentire la trasmissione su
cavi molto lunghi) e sopratutto che non siano tali da introdurre distorsioni. Inoltre,
tali conduttori debbono risultare immuni da disturbi elettromagnetici eventualmente
presenti nellambiente.
I conduttori pi`
u comunemente adoperati a tale scopo sono i cavi coassiali, il cui
uso è ormai ampiamente diuso nel settore della comunicazione, come in quello della
Fisica ed in molti settori dellIndustria.
Un uso importante che di tali cavi si fa in Fisica (specie in Fisica subnucleare)
è quello di ritardare un segnale elettronico di una quantità predeterminata. Si
parla in tal caso di linee di ritardo.
Nel seguito discuteremo la struttura e le proprietà dei cavi coassiali. Le considerazioni che svolgeremo hanno comunque validità pi`
u generale e possono esser
applicate a linee di trasmissione aventi strutture diverse da quelle dei normali cavi
coassiali.
69
70
4.2
Capitolo 4. Linee di trasmissione
Cavi coassiali: principi generali
In questa sezione discuteremo il principio di funzionamento di un cavo coassiale,

ammettendo che esso sia privo di perdite, quali potrebbero nascere da eetti resistivi
o da perdite nel dielettrico. Esamineremo alla ne del capitolo le complicazioni che
possono esser causate da tali fattori.
Schematizzeremo un cavo coassiale come in gura 4.1.
L
Figura 4.1: Sezione di un cavo coassiale, di lunghezza L, raggio interno r e raggio esterno R
Il conduttore interno ha raggio r, quello esterno R. Sappiamo che, ad una lunghezza unitaria di cavo è associata una capacità C0 data da:
2
[F ]
C0 =
ln(R/r)
dove = 0 r ed r è la costante dielettrica relativa del mezzo compreso tra il
conduttore interno e quello esterno. Analogamente, ad una lunghezza unitaria di
conduttore è associata uninduttanza L:
ln(R/r) [H]
2
dove = 0 r è il prodotto della permeabilità magnetica del vuoto per la
permeabilità magnetica relativa.
Se il cavo ha lunghezza x, la sua capacità ed induttanza saranno:
L0 =
C = C0 x
L = L0 x
Ammettiamo ora che ad un estremo del cavo sia applicato un segnale di tensione
V. Il cavo, inizialmente scarico, comincerà caricarsi ed una corrente I uirà nel
conduttore. Potremo schematizzare la propagazione dei segnali di tensione e corrente
nel cavo come mostrato in gura 4.2.
Qui si deve immaginare che sia stata fatta unistantanea ad un preciso istante
t. Infatti sia V(x) che I(x) saranno in genere anche funzioni del tempo. Sappiamo che
uninduttanza percorsa da una corrente variabile genera una dierenza di potenziale
ai propri capi data da:
dI
V = L
dt
Nel nostro caso, linduttanza Lx associata al tratto x di cavo genera una
dierenza di potenziale tra i suoi estremi (i punti a e b) data da:
V (x + x) V (x) = L0 x
I
t
4.2 Cavi coassiali: principi generali
71
I(x)
I(x+ x)
V(x)
V(x+ x)
Figura 4.2: Schema relativo alla propagazione di unonda lungo una linea. La corrente allistante
generico t vale I(x) nel punto di ascissa x. La dierenza di potenziale tra i conduttori nel medesimo
punto è V (x). Nel medesimo istante queste, ad una distanza x, valgono rispettivamente I(x+x)
e V (x + x)
dove abbiamo usato il simbolo () di derivata parziale, poichè I e funzione di x

oltre che di t.
Questa , al limite x 0 fornisce:
I
V
= L0
x
t
(4.1)
La capacità associata al tratto di cavo compreso tra a e b (C0 x) possiede una

carica Q data da:
Q = CV = C0 xV
dove V è la dierenza di potenziale media tra conduttore interno e conduttore
esterno nel tratto x. Poichè prenderemo il limite x 0, questa sarà la dierenza
di potenziale tra i due conduttori nel punto x. La corrente netta uscente dal tratto
di lunghezza x è:
I = I(x + x) I(x) =
V
V
dQ
= C
= C0 x
dt
t
t
Al limite x 0 questa fornisce:

I
V
= C0
x
t
(4.2)
Lequazione (4.1) ci dice che la corrente variabile genera un gradiente di tensione;

la (4.2) ci dice che la tensione variabile genera un gradiente di corrente.
Derivando la (4.1) rispetto a t e la (4.2) rispetto ad x, si trova:
Da queste si ottiene poi:
2V
2I
= L0 2
xt
t
(4.3)
2V
2I
=
C
0
x2
tx
(4.4)
2I
2I
=
C
L
0 0
x2
t2
(4.5)
72
2V
2V
=
C
L
(4.6)
0
0
x2
t2
Cioè troviamo
limportante risultato che sia V che I soddisfano lequazione delle
onde con u = L01C0 . La costante u è la velocità di propagazione dellonda. Il suo
inverso è il ritardo per unità di lunghezza. La soluzione, sia per V che per I, sarà
quindi della forma f (x ut).
Ne segue che un qualsiasi segnale sinusoidale si propagherà lungo il cavo con la
medesima velocità u, qualunque sia la frequenza f del segnale. Di qui segue, facendo
uso dello sviluppo in serie di Fourier di un segnale periodico qualsiasi, che il sistema
non introduce distorsioni. Si noti che il risultato raggiunto è vero per un qualsiasi
cavo coassiale a condizione di trascurare le perdite .
Esaminiamo ora la propagazione di un gradino di tensione come quello indicato
in gura 4.3, lungo un cavo coassiale.
t=0
t=x1/u
Figura 4.3: Gradino di tensione di altezza V. Il gradino si propaga lungo la linea con velocità u
Se il gradino di tensione è applicato ad una estremità della linea al tempo t=0,
esso comincerà a caricare la linea, ed un impulso di corrente si propagherà lungo
questa con velocità u. Il fronte di tensione si propagherà con la medesima velocità.
Al tempo t, la carica totale accumulata in un tratto di linea di lunghezza x = ut
sarà:
Q = It
con Q = CV = C0 xV = C0 utV .
Notiamo che V è laltezza del fronte di tensione, che è costante. Quindi:

dQ
C0
= C0 uV =
I =
V
dt
L0
Il rapporto in ogni punto tra tensione e corrente sarà:

L0
V
Z0 =
=
I
C0
(4.7)
4.3 Riessioni alle estremit`

a di una linea
73
Questa va sotto il nome di impedenza caratteristica della linea.

Notiamo che Z0 ha le dimensioni di una resistenza, ma ciò non deve far pensare
che la linea sia assimilabile ad una impedenza di valore Z0 . Il signicato di Z0 è solo
quello del rapporto tra tensione e corrente per unonda che viaggi lungo la linea. A
destra del fronte donda la tensione è nulla, come nulla è la corrente.
Per unonda che si propaghi in verso contrario adotteremo la convenzione di
scegliere il segno negativo per la corrente, con che:

V
L0
(4.8)
= Z0 =
I
C0
Valori tipici di Z0 sono nel campo (50 200 ).
Valori di Z pi`
u elevati (no a qualche k) possono essere ottenuti aumentando
L. Ciò si può realizzare con un cavo che utilizzi un conduttore interno avvolto a
spirale, eventualmente su di un supporto centrale di materiale ferromagnetico. Se
il solenoide è ttamente avvolto, il campo magnetico nella zona compresa tra i due
conduttori è trascurabile rispetto a quello nel conduttore centrale. Linduttanza è
quindi determinata dal conduttore interno solenoidale e vale:
n2 a2
= r n2 2 a2 107 (H/m)
4
Essendo
il ritardo per unità di lunghezza della linea proporzionale, a parità di
C0 , alla L0 , ne segue che questo tipo di linea ad alto Z0 avrà anche un elevato
valore del ritardo per unità di lunghezza.
L0 =
4.3
Riessioni alle estremit`

a di una linea
.
Se londa di tensione è progressiva (cioè si propaga nel verso crescente delle x)
essa sarà del tipo:
x
V = f t
u
Se essa è regressiva:
x
V = f t+
u
Londa di corrente sarà:
1
x
I =
f t
Z0
u
Agli estremi della linea debbono però essere soddisfatte delle condizioni al contorno. Ammettiamo infatti che la linea sia chiusa su di una resistenza R, di valore diverso da Z0 . In tal caso, allestremità della linea dovrà esser soddisfatta la
condizione:
V
= R = Z0
I
che londa incidente non può soddisfare. Dovrà allora aver origine unonda riessa
(di tensione e corrente) tale che la somma delle onde incidente e riessa soddis la
condizione.
74
Se indichiamo con il coeciente di riessione, cioè se V (1 1) è

lampiezza di tensione dellonda riessa, lampiezza di corrente della stessa sarà:
Ir =
V
Z0
Le ampiezze complessive di tensione e di corrente allestremità della linea saranno

allora:
Vt = V (1 + )
It = I + Ir =
V
(1 )
Z0
Il rapporto Vt /It sarà quindi:

Vt
1+
= Z0
It
1
che deve uguagliare R. Ne segue
1+
R
=
Z0
1
da cui:
=
R Z0
R + Z0
(4.9)
cioè londa riessa avrà ampiezza pari a V. Il parametro è noto come coeciente di riessione.
Esaminiamo ora i seguenti casi particolari:
(a) R = 0 = 1. In tal caso londa di tensione riessa è capovolta rispetto a
quella incidente
(b) R = = +1. In tal caso londa riessa è uguale a quella incidente
(c) R = Z0 = 0. In tal caso non cè onda riessa. Si dice che la linea è chiusa
sulla sua impedenza caratteristica
Consideriamo ora un generatore di segnali, avente una impedenza duscita Rs ,
chiuso su di una linea di trasmissione avente impedenza caratteristica R0 , come
Limpedenza vista tra i terminali duscita (a-b) del generatore guardando verso
destra è R0 . Se u(t) è un gradino di tensione, Vi sarà:
Vi =
R0
u(t)
R0 + Rs
ad esempio, se la linea è adattata allingresso cioè se Rs = R0 , si avrà:

Vi =
1
u(t)
2
4.4 Riessioni multiple
Rs
U(t)
75
V => R
b
T1
Figura 4.4: Generatore dimpedenza duscita Rs , chiuso su di una linea avente impedenza
caratteristica R0 . La linea è chiusa allaltra estremità su di unimpedenza R
Guardiamo ora cosa accade al gradino di tensione quando esso, dopo un tempo
T, raggiunge laltra estremità della linea. Ciò dipenderà ovviamente dal valore di R.
Ammettiamo per cominciare che sia R =0 . In tal caso avremo = 1. Quindi, dopo
un tempo T (pari alla lunghezza L della linea divisa per la velocità di propagazione
del segnale lungo la linea) dallestremo di questa partirà un segnale di tensione
Vr = Vi = u(t)/2.
Tale segnale arriverà allingresso della linea dopo un ulteriore tempo T. A partire
da tale istante il segnale di tensione fra i punti a e b sarà u/2u/2 = 0. In denitiva
il segnale di tensione in a-b avrà landamento mostrato in gura 4.5(a).
Se la lunghezza della linea è molto piccola il segnale sarà un impulso stretto,
come mostrato in gura 4.5(b).
Tale metodo è adoperato talvolta per generare un segnale di breve durata a
partire da un segnale lungo, il quale abbia un brusco fronte di salita (o di discesa).
Un esempio è mostrato in gura 4.5(c),(d).
4.4
Riessioni multiple
Ammettiamo ora che nè limpedenza duscita del generatore che alimenta la linea
(avente lunghezza L) nè limpedenza che chiude la linea allestremità di ricezione
siano adattate. Siano cioè esse entrambe diverse dallimpedenza caratteristica della
linea. Chiamiamo il coeciente di riessione allestremità di ingresso e quello
allestremità duscita. Esaminiamo landamento temporale del segnale alla estremità
dingresso, per un segnale a gradino u(t). Quando il segnale parte, a t = 0+ , esso
vale u. Al tempo tD = L/u, un segnale riesso, pari a u comincia a muoversi dallestremo duscita verso sinistra. Per t = 2tD il segnale u arriva al punto dingresso
(x=0). In tale istante il segnale in x=0 passa dal valore u al valore u+u = (1+)u.
In questo stesso istante,un segnale riesso pari a u parte dallestremità di ingresso
verso destra. Al tempo t = 3tD questo segnale arriva allestremità della linea e viene
nuovamente riesso. Il nuovo segnale riesso vale: u. Questo arriva in x=0 al
tempo 4tD e viene a sommarsi ai precedenti. In denitiva, se osserviamo il segnale
in x=0 avremo:
per t < 2tD ; V = u
per 2tD < t < 4tD ; V = u + u
76
(a)
u/2
t=0
t=2T
(b)
u/2
t=0 t=2T
t
(c)
Segnale dal generatore
t
(d)
Segnale all'ingresso della linea
Figura 4.5: Eetto delle riessioni di un gradino allestremità di una linea cortocircuitata. (a)
impulso rivelato tra i punti a e b di gura 4.4 nel caso generico; (b) impulso rivelato nel caso in
cui la linea sia molto corta; (c) segnale fornito dal generatore, con un ripido fronte di salita ed una
lenta discesa; (d) segnale rivelato tra i punti a e b di gura 4.4 in corrispondenza a tale segnale
fornito dal generatore
per 4tD < t < 6tD ; V = u + u + u

per 6tD < t < 8tD ; V = u + u + u + u
Notiamo che, essendo e entrambi minori di 1, i successivi termini saranno
sempre pi`
u piccoli.
4.5
Eetti resistivi nelle linee di trasmissione
Le linee n qui considerate erano caratterizzate da una capacità C0 ed un induttanza

L0 per unità di lunghezza ma erano altrimenti prive di perdite ohmiche. Se degli el-
4.5 Eetti resistivi nelle linee di trasmissione
77
ementi resistivi sono anche presenti, un elemento di linea potrà essere schematizzato
come in gura 4.6:
R0
L0
B
C0
G0
Figura 4.6: Linea di ritardo con perdite ohmiche. R0 , C0 , L0 e G0 sono deniti nel testo
Qui in aggiunta ad una capacità C0 ed induttanza L0 per unità di lunghezza,
abbiamo una resistenza R0 (serie) ed una conduttanza G0 (parallelo) per unità di
lunghezza.
Le equazioni diventano ora, indicando al solito con V la dierenza di potenziale
fra i punti B e A, con I la dierenza tra la corrente uscente da B e quella entrante
in A e con z la coordinata misurata lungo la linea:
V = R0 zI(z, t) L0 z
I(z, t)
t
(4.10)
I = G0 zV (z, t) C0 z
V (z, t)
t
(4.11)
Cioè:
V
I(z, t)
= R0 I(z, t) L0
z
t
(4.12)
V (z, t)
I
= G0 V (z, t) C0
z
t
(4.13)
da cui si ottiene:
2V
2V
V
+ R0 G0 V
=
L
C
+ (L0 G0 + R0 C0 )
(4.14)
0
0
2
2
z
t
t
Questo ovviamente si riduce allequazione (4.6) se R0 = G0 = 0.
Unequazione analoga può essere facilmente ottenuta per la corrente I(z,t).
Esaminiamo ora la risposta di tale linea ad un segnale sinusoidale:
V = V (z)ejt
Sostituendo nella (4.14) si trova:
d2 V
= V (z)[R0 G0 L0 C0 2 + j (L0 G0 + R0 C0 )] 2 V (z)
dz 2
(4.15)
78

con:
2 L0 C0 2 + j (L0 G0 + R0 C0 ) + R0 G0 = (R0 + jL0 ) (G0 + jC0) (4.16)

La variabile:
+ j
(R0 + jL0 )(G0 + jC0)
(4.17)
è detta costante di propagazione.

La soluzione generale dellequazione dierenziale (4.14) è quindi del tipo:
V (z, t) = V1 ez ej(tkz) + V2 ez ej(t+kz)
(4.18)
Questa è nuovamente la somma di unonda progressiva e di una regressiva. Ciascuna delle due onde è però moltiplicata per un esponenziale (ez ) che introduce
unattenuazione con costante = 1/.
Notiamo che sia che k dipendono da . Ciò ha leetto di introdurre una
distorsione in un generico segnale applicato. Infatti si vede che le diverse componenti
di Fourier di un tale segnale sono attenuate in modo diverso, come diversa è la loro
velocità di propagazione: v = /k.
Risolvendo la (4.16) si trova:

1
2 = [(R0 G0 2L0 C0 ) + (R02 + 2 L20 )(G20 + 2 C02 )]
(4.19)
2

1
k 2 = [(R0 G0 2 L0 C0 ) + (R02 + 2 L20 )(G20 + 2 C02 )]
(4.20)
2
A frequenze tali che R0 /L0 1 e G0 /C0 1, e k possono essere
approssimati con:

1
C0
L0
R0
+ G0
2
L0
C0

k L0 C0
Con ciò la velocità di propagazione v = /k 1/ L0 C0 , come nel caso di una

linea priva di perdite.
Inoltre, in tale approssimazione la costante di attenuazione viene ad essere
indipendente dalla frequenza. Nel caso dei cavi coassiali tale regione di alte frequenze
inizia attorno ai 100 kHz.
A frequenze pi`
u elevate leetto pelle fa si che la parte di conduttore responsabile
della conduzione si riduca ad uno strato superciale tanto pi`
u sottile quanto pi`
u
elevata è la frequenza dei segnali trasmessi. Ciò porta ad un aumento della resistenza
e di conseguenza ad una lunghezza dattenuazione 1 che diminuisce allaumentare
della frequenza. Se indichiamo con la resistività del conduttore, con la skin
depth, cioè la profondità di penetrazione dellonda elettromagnetica nel conduttore
(dipendente da ) e con a il raggio del conduttore, si trova che la resistenza per unità
di lunghezza è approssimativamente uguale a:

1
R0 =
2 a
1
Denita come la lunghezza dopo la quale il segnale si è attenuato di un fattore e.
4.6 Adattamento dimpedenza per una linea
79
Ad esempio, nel caso del rame ( = 5.8 107 ( m)1 ), se a=1 mm, e dato da:

2
=
0
cioè:

2
1
1
=
0.066
m/ s =
=
0.166
=
5.8 107 4 107
f

1
cm/ s
= 6.6
f
Ne segue che, per un cavo di rame avente un raggio del conduttore interno di 1 mm,
R0 vale allincirca:

1000
5
1
R0 =
=
4.15
10
f
Hz
m
2 0.066 5.8 107

che, ad una frequenza di 1 GHz da:

R0 = 1.3
per un cavo avente un metro di lunghezza.
La dipendenza della resistenza del cavo dallinverso della radice quadrata della
frequenza è confermata dai dati sperimentali.
Se ad una estremità di un cavo avente una resistenza per unità di lunghezza
R0 ed una capacità per unità di lunghezza C0 , è applicato un gradino di tensione,
il segnale misurato allestremità opposta non è esattamente un gradino. Esso sarà
caratterizzato da un tempo di salita che è dato dal prodotto RC, dove R è la
resistenza e C la capacità del cavo. Poichè C è uguale a C0 moltiplicato per la
lunghezza del cavo ed analogamente R è uguale a R0 moltiplicato per la lunghezza
del cavo, ne segue che il tempo di salita del segnale è pari a R0 C0 moltiplicato per
il quadrato della lunghezza del cavo. Ad esempio, per un cavo del tipo di quello
esaminato, il tempo di salita tipico dopo una lunghezza di 10 m è circa 1 ns.
Le case costruttrici forniscono il valore di , cioè del tempo di salita misurato
su di un cavo lungo 10 m. Valori tipici per cavi adoperati in elettronica veloce sono
0.04-0.2 ns.
4.6
Adattamento dimpedenza per una linea
Le riessioni che i segnali possono subire alle estremità di una linea di trasmissione
possono dar luogo ad inconvenienti. Ammettiamo ad esempio di voler osservare alloscilloscopio un certo impulso, avente una determinata altezza e durata, fornito da
un generatore dimpulsi avente una bassa impedenza duscita. Se, come quasi sempre accade, facciamo uso di un cavetto da 50 per inviare il segnale in esame ad un
oscilloscopio, dobbiamo tener conto del fatto che una tipica impedenza dingresso di
questo è dellordine del M. In tali condizioni il coeciente di riessione allingresso
delloscilloscopio sarà circa 1. Il segnale riesso arriverà, dopo un piccolo ritardo,
alluscita del generatore, dove si sommerà al segnale che questo sta inviando. In
80
tal modo avremo, in tempi brevissimi (dellordine del ritardo del cavo, cioè pochi
ns) un gran numero di riessioni tra generatore ed oscilloscopio, con il risultato di
osservare un segnale completamente diverso da quello originato dal generatore.
quindi necessario liberarsi delle riessioni. Ciò sarebbe possibile se limpeE
denza dingresso delloscilloscopio fosse uguale a quella della linea (50 nel nostro
caso). Alcuni oscilloscopi sono già predisposti in modo che si possa commutare
limpedenza dingresso, tra 1 M e 50 . Nei casi in cui tale predisposizione non
esista è possibile adattare lingresso, ponendo in parallelo ad esso un tappo da
50 . Lo schema è quello di gura 4.7.
50 Ohm
U(t)
R = 50 Ohm
Oscilloscopio
Figura 4.7: Adattamento dimpedenza di una linea

Esistono dei connettori appositi che svolgono tale funzione.
Situazioni simili a quella descritta possono vericarsi in altre applicazioni: può
ad esempio accadere che la linea abbia unimpedenza maggiore di quella del circuito
che essa deve alimentare. In tal caso occorrerà mettere in serie allingresso del
circuito unopportuna impedenza, tale che la somma dellimpedenza dingresso del
circuito e di quella aggiunta sia uguale allimpedenza della linea. In tutti questi casi
si dice che si eettua un adattamento dimpedenza.
Il problema delle riessioni può essere ulteriormente complicato dalla presenza,
allingresso del circuito che la linea deve alimentare, di impedenze di tipo induttivo
o capacitivo. Unanalisi di questo tipo di riessioni è discussa nel capitolo dedicato
alle trasformate di Laplace, come applicazione di queste.
4.7
Linee di trasmissione commerciali
Sono comunemente disponibili in commercio unenorme varietà di cavi coassiali, che

dieriscono per il diametro dei conduttori, la natura del materiale, lo spessore e
natura del dielettrico che separa il conduttore interno da quello esterno etc..
Normalmente il materiale adoperato per i conduttori è rame, rame/stagno o
altre leghe speciali. Il dielettrico può essere polietilene, nylon, polipropilene o altre
sostanze plastiche.
Nella pratica radiotelevisiva si fa uso di cavi aventi impedenza caratteristica di
75 . Nei sistemi di telecomunicazione si fa uso di cavi da 50 . Questo è anche
il caso delle linee di ritardo adoperate in esperimenti di Fisica Subnucleare, dove si
4.8 Linea chiusa su di un condensatore
81
adoperano cavi già predisposti, con opportuni connettori (aventi impedenza di 50 )

alle estremità, e con lunghezze diverse, corrispondenti a ritardi che vanno da 0.5 ns
a qualche decina di ns.
I cavi maggiormente adoperati in Fisica Subnucleare sono quelli corrispondenti
allo standard RG-58C/U (50 ) con diametro esterno di 2.95 mm, nonchè quelli del
tipo RG-174/U (sempre di 50 ) con diametro di 1.52 mm.
Nel campo dellinformatica e della telematica si adoperano spesso cavi da 93
o 105 , come pure cavi da 75 .
Le lunghezze dattenuazione, come i diametri, variano molto da tipo a tipo di
cavo. Inoltre, come già accennato, la lunghezza dattenuazione cambia con la frequenza. Normalmente tale parametro è quotato nei cataloghi in unità di dB/100 piedi. Unattenuazione di 1 dB/100 piedi corrisponde allincirca ad una diminuzione
dellampiezza del segnale dell80% ogni 30 m.
Lunghezze dattenuazione tipiche (per cavi coassiali che rientrano nella standard
MIL-C-17) con diametro esterno di 0.86 mm vanno da 15 dB/100 piedi a frequenze
di 100 MHz, a 258 dB/100 piedi a frequenze di 20 GHz.
Cavi coassiali dello stesso tipo, ma con diametro di 3.58 mm, hanno lunghezze
dattenuazione migliori: esse variano tra 3 dB/100 piedi a 100 MHz e 68 dB/100 piedi
a 20 GHz.
4.8
Linea chiusa su di un condensatore
Abbiamo visto che se una linea di ritardo avente impedenza caratteristica Z0 è chiusa
su di unimpedenza Z, il coeciente di riessione (cioè il rapporto tra lampiezza del
segnale riesso e quella del segnale incidente) è dato da:
=
Z Z0
Z + Z0
(4.21)
Ci proponiamo ora di calcolare, facendo uso della tecnica delle trasformate di Laplace,
la riessione di un impulso rettangolare di durata T ed ampiezza unitaria, allestremità di una linea chiusa su di un condensatore, come mostrato in gura (4.8).
R
V
Figura 4.8: Linea chiusa su di un condensatore: schema utilizzato per il calcolo delle riessioni
Un gradino unitario di tensione è descritto dalla funzione u(t), nulla per t < 0
ed uguale ad 1 per t 0. La trasformata di Laplace del gradino è, come sappiamo,
82
1/s. Un gradino ritardato di un tempo T è descritto dalla funzione u(t T ), la cui

trasformata è:
1 sT
e
s
Un impulso rettangolare di ampiezza unitaria e durata T può esser ottenuto (vedi
gura 4.9) sottraendo u(t T ) da u(t):
r(t) = u(t) u(t T )
v(t)
u(t)
u(t-T)
u(t)-u(t-T)=r(t)
t=0
t=T
Figura 4.9: Impulso unitario di durata T , ottenuto per sottrazione da due gradini unitari che
hanno inizio rispettivamente al tempo t = 0 ed al tempo t = T
La trasformata di Laplace di questo è:

r(s) =
1
(1 esT )
s
dove abbiamo fatto uso del simbolo (tilde) ad indicare la trasformata. Limpulso
riesso allestremità della linea sarà dato da:
vr (t) = r(t)
Il segnale presente ai capi del condensatore C è la somma dellimpulso incidente e
di quello riesso:
vc (t) = vr (t) + r(t) = (1 + )r(t) =
2ZC
r(t)
ZC + Z0
dove ZC è limpedenza capacitiva, la cui trasformata è: ZC = 1/sC.

Trasformando i due membri di questa equazione otteniamo:

1
1
1
1/sC
sT
sT
1e
e
vc (s) = 2
= 2
Z0 + 1/sC s
s(1 + s ) s(1 + s )
dove si è posto = CZ0 .
4.8 Linea chiusa su di un condensatore
83
Il termine 1/[s(1 + s )] può esser riscritto come:

1
1
1
=
s(1 + s)
s s + 1/

1
1
sT
sT
1e
1e
=
s
s + 1/

1
1
1
s
e
s + 1/
s s + 1/
Da cui:
vc (s) = 2

1
=2
s

vc (t) = 2 u(t) 1 et/ u(t T ) 1 e(tT )/
(4.22)
La gura 4.10 mostra landamento di questa funzione nel caso in cui sia: C =
3nF, Z0 = 600, T = 8s.
Tensione (V)
2.5
1.67
0.83
0
1 .10 6
5.5.10 6
Tempo (s)
Tensione ai capi di C
Segnale in ingresso
Figura 4.10: Riessione di un impulso di durata T allestremità di una linea chiusa su di un

condensatore. Limpulso, di durata T=8s, è indicato dalla forma donda tratteggiata. La curva
solida è la risultante dellonda incidente e di quella riessa, rivelabile ai capi del condensatore.
Limpedenza della linea è Z0 =600 ; la capacità C = 3nF
Se misuriamo landamento temporale della tensione allingresso della linea, ed

ammettiamo che i successivi impulsi siano temporalmente ben separati (cioè la loro
frequenza sia molto bassa) ed inoltre che il ritardo tD della linea sia grande rispetto alla lunghezza T dellimpulso, potremo vedere leetto della sola onda riessa.
Questa è data dalla dierenza tra la soluzione già trovata (4.22) ed r(t), cioè:

vi (t) = u(t) 1 2et/ u(t ) 1 2et /
dove: t = t T . Questo segnale di tensione appare in realtà al tempo tD (se lo zero
dei tempi è quello in cui ha luogo la riessione, come nellesempio precedente, o al
tempo 2tD se lo zero dei tempi è listante in cui il segnale è partito dal generatore
dimpulsi). Landamento temporale di vi (t) ottenuto facendo uso di un programma
di simulazione (Microcap 6 [5]) è mostrato in gura 4.11. I dati adoperati sono:
84

lunghezza T dellimpulso: 50 ns;
frequenza degli impulsi: 1 MHz;
impedenza caratteristica della linea: Z0 = 100;
ritardo della linea: tD = 750ns;
capacità: C = 350pF .
4.0
3.2
Ampiezza (Volt)
2.4
1.6
0.8
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.2
1.6
2.0
4.0
Ampiezza (Volt)
2.6
1.2
-0.2
-1.6
-3.0
0.0
0.4
0.8
Tempo (s)
Figura 4.11: Riessione allestremità di una linea chiusa su di un condensatore. Il graco

superiore mostra il segnale ai capi del condensatore; quello inferiore mostra il segnale allingresso
della linea. I valori dei componenti ed i parametri del segnale applicato sono indicati nel testo.
Il graco in alto mostra il segnale ai capi di C. Questo, come si vede, è ritardato

di 750 ns rispetto allistante in cui il segnale è partito dal generatore. Il successivo
segnale compare ai capi di C dopo ulteriori 1000 ns, ed è associato al secondo impulso
in ingresso.
Il graco inferiore mostra landamento dei segnali allingresso della linea. Vediamo due successivi impulsi inviati dal generatore, mentre il primo impulso riesso
compare con un ritardo 2tD = 1.5 s dallinizio del primo impulso.
Capitolo 5
Semiconduttori: Diodi e
Transistor
5.1
Introduzione
In questo capitolo ci proponiamo di fornire i concetti che sono alla base del funzionamento dei diodi al silicio e dei transistor bipolari. Inizieremo con una descrizione,
alquanto sommaria, del processo di conduzione elettrica nei solidi ed in particolare
nei semiconduttori. Esamineremo poi i processi che hanno luogo allinterfaccia tra
due semiconduttori aventi conducibilità diverse e descriveremo le caratteristiche dei
diodi ed alcune delle loro applicazioni. Passeremo poi a studiare la struttura ed il
funzionamento del transistor bipolare a giunzione.
Prima di iniziare, val la pena di riassumere gli eventi che portarono, nel 1940,
alla scoperta del diodo a giunzione presso i laboratori Bell di New York e successivamente, nel dicembre del 1947, alla scoperta, presso i medesimi laboratori, del
transistor.
Per molti anni gli apparecchi radio avevano fatto uso, per la rivelazione dei
segnali, di raddrizzatori, consistenti in un cristallo su cui veniva tenuta premuta
lestremità di un sottile lo metallico (noto in gergo come bao di gatto). Tale tipo
di rivelatore (adoperato anche da Marconi nella sua prima trasmissione attraverso
lAtlantico il 12 Dicembre 1901) era molto instabile ed il suo funzionamento era ben
lungi dallessere stato compreso. Esso era stato scoperto da Munk A. Rosenhold,
ma la scoperta era passata inosservata, no a che non fu riscoperto da F. Braun
nel 1874, ed adoperato in elettronica da Jagadis Chandra Bose nel 1899. Si era
quindi passati a rivelatori basati su valvole termoioniche (diodi). Questi avevano
però linconveniente di avere una elevata capacità tra gli elettrodi, il che rendeva
estremamente dicile il loro uso ad alte frequenze. La seconda guerra mondiale
pose il problema della rivelazione di navi o velivoli in avvicinamento, tramite la
rivelazione di segnali di alta frequenza riessi da tali mezzi. Ciò richiedeva rivelatori
(ed amplicatori) che funzionassero nella zona delle microonde. Ci fu quindi una
corsa allo sviluppo di rivelatori che potessero sostituire le valvole, e si ritornò quindi
ad esplorare la possibilità di utilizzare i cristalli. Tra i cristalli pi`
u studiati no
a quel momento vi erano il Selenio, il Germanio, il Silicio ed altri. Il Fisico Karl
Lark-Horovitz (un Viennese divenuto Americano nel 1936) che era Professore alla
Purdue University, si era concentrato sul Germanio, ed era riuscito, nel 1942, ad
85
86
Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor
ottenere dei cristalli di Germanio di elevata purezza.

Verso la ne degli anni 30 cominciava ad esser chiaro che vi erano buone possibilità di realizzare sistemi elettronici in grado di operare ad alte frequenze facendo
uso di tali cristalli. Nel 1936 Mervin Kelly, dei Laboratori Bell, mise su un gruppo
di sica dello stato solido. Nel gruppo lavoravano William (Bill) Shockley, Russell
Ohl, Jack Sca ed altri. Và notato che già nel 1938 due ricercatori Tedeschi (Pohl e
Hilsch) avevano descritto un amplicatore a stato solido che faceva uso di un cristallo di Bromuro di Potassio, a cui avevano attaccato tre ba di gatto (un antenato
del futuro transistor). Tuttavia questo lavorava solo a basse frequenze e non era
molto interessante.
Verso linizio del 1939, presso i Laboratori Bell, Russell Ohl era riuscito a produrre dei cristalli di silicio con un grado di purezza del 99.8% ed a farne funzionare
alcuni come raddrizzatori (anche se solo a frequenze non elevate). Il 23 febbraio egli
notò che un particolare cristallo non possedeva, a dierenza degli altri, la proprietà
di lasciar passare la corrente in una sola direzione. Osservando pi`
u accuratamente
il cristallo egli notò che esso aveva una sottile fessura nel mezzo. Provò allora a far
passare corrente attraverso il cristallo in varie condizioni sperimentali ed osservò che
la corrente cambiava se il cristallo era posto vicino ad un saldatore caldo o anche
vicino ad una lampada ad incandescenza. Si rese cos` conto del fatto che era la luce
che, investendo il cristallo faceva passare una corrente. Quando Ohl portò il cristallo
perche fosse esaminato dai responsabili dei Laboratori, questi si dimostrarono molto
scettici e lo dettero a Walter Brattain perche ne rimisurasse le caratteristiche.
Ulteriori indagini furono portate avanti dallo stesso Ohl, in collaborazione con
Mervin Kelly, Walter Brattain e Joseph Becker. Si notò che, collegando le due
facce del cristallo ad un voltmetro ed accendendo una torcia tascabile , il voltmetro
indicava un brusco salto di tensione, di circa mezzo Volt. Successive misure ed
osservazioni svelarono larcano: i livelli di purezza del cristallo erano diversi dai due
lati della fessura; uno dei lati aveva cos` un eccesso di elettroni liberi, laltro un
decit. A causa della diusione, gli elettroni in eccesso da quel particolare lato della
fessura si muovevano verso il lato opposto, creando in tal modo una distribuzione
disuniforme di carica e di conseguenza una barriera di potenziale in corrispondenza
della fessura. Ciò costituiva un diodo, per cui la corrente elettrica poteva uire solo
nel verso corrispondente a quello decrescente del potenziale. Quando Ohl accendeva
la lampada, lenergia dei fotoni emessi era suciente ad imprimere agli elettroni
lenergia cinetica necessaria ad attraversare la barriera di potenziale, producendo cos`
una corrente elettrica. Ohl, senza rendersene conto, aveva realizzato una primordiale
cella solare, che riceve energia dal sole e la converte in elettricità. I Laboratori Bell
avevano ora un sistema per sostituire gli ingombranti e costosi tubi a vuoto con
minuscoli diodi al silicio.
Altrettanto empirica fu linvenzione del transistor, realizzata da Walter Brattain, Robert Gibney, William Shockley e John Bardeen, sempre ai Bell Labs, tra il
novembre ed il dicembre 1947.
Lidea base era quella di realizzare un dispositivo che funzionasse in modo analogo
ad una valvola (triodo) termoionica, in cui una tensione applicata allelettrodo posto
tra catodo ed anodo (la griglia) modula la corrente che uisce nel tubo. Ora
però si trattava di inserire lanalogo della griglia nella zona di semiconduttore che
separa la zona ricca di portatori di carica negativi, da quella ricca di portatori
5.1 Introduzione
87
positivi. Essendo lo spessore di tale zona dellordine di qualche micron, loperazione

era tuttaltro che banale.
John Bardeen, il teorico che, insieme agli sperimentali Shockley e Brattain, ebbe
nel 1956 il Nobel per le ricerche che portarono allinvenzione del transistor, nella sua
Nobel lecture, cos` descrive questi sviluppi:
Era stata a lungo coltivata la speranza di realizzare un triodo, o dispositivo amplicatore, facendo uso di un semiconduttore. Due erano state le possibilit`
a suggerite. La prima scaturiva da unanalogia tra una giunzione retticatrice metallosemiconduttore ed un diodo a vuoto. Se fosse in un qualche modo stato possibile
inserire una griglia nella regione di carica spaziale in corrispondenza della giunzione, si sarebbe riusciti a controllare il usso di elettroni attraverso la stessa. Una
grossa dicolt`
a pratica era costituita dal fatto che la zona di carica spaziale ha
tipicamente uno spessore di 104 cm. Che tuttavia lidea fosse valida era stato dimostrato da Hilsch e Pohl che avevano costruito un triodo facendo uso di un cristallo
di alogenuro alcalino, in cui lo spessore della zona di carica spaziale era dellordine
del cm. Poichè tuttavia in tale dispositivo lamplicazione era limitata a frequenze
dellordine di 1 Hz, esso non era di alcuna utilit`
a pratica in applicazioni elettroniche.
La seconda idea era quella di controllare la conduzione in un lm sottile o piastra di semiconduttore, tramite lapplicazione di un campo elettrico perpendicolare
alla piastra medesima (chiamato leffetto di campo). In forma semplicata, la
piastra forma una delle armature di un condensatore, di cui laltra armatura costituisce lelettrodo di controllo. Quando una tensione è applicata allarmatura di
controllo, cariche elettriche vengono indotte sulla piastra. Se le cariche indotte sono
dei portatori elementari liberi, la conduzione (lungo la piastra) dovrebbe cambiare
al variare della tensione applicata. Questidea f`
u suggerita da Shockley; i suoi calcoli indicavano che, adottando unopportuna geometria e materiali adatti, leetto
avrebbe dovuto essere abbastanza grande da produrre unamplicazione.
Una serie di tentativi furono eettuati in condizioni sperimentali le pi`
u disparate
(no ad immergere campioni di silicio in acqua per liberare la supercie dalla condensazione !) prima di arrivare a realizzare un dispositivo, quale il transistor, in
grado di essere adoperato come amplicatore e quindi di sostituire le ingombranti
e delicate valvole termoioniche (triodi, tetrodi, pentodi etc.). Il primo prototipo di
transistor realizzato aveva una struttura molto simile a quella realizzata da Pohl e
Hilsch nel 1938, cioè era costituito da un cristallo di Germanio, cui erano stati attaccati tre ba di gatto. Si era alla ne del 1947, ma i laboratori tennero la cosa
segreta no allanno successivo. Nel frattempo si preoccuparono pero di brevettare
linvenzione e di convincere i militari a non bloccare la diusione dellinformazione !
Il 30 Giugno 1948 tennero una conferenza stampa in cui annunciavano la scoperta.
Questa passò quasi inosservata. Era stato comunque realizzato il primo transistor,
lanalogo del triodo a vuoto di cui parla Bardeen. Il nuovo dispositivo faceva ancora uso dei contatti metallici, ma pochi anni pi`
u tardi (1951) furono sviluppati
i primi prototipi di transistor a giunzione quali li conosciamo oggi (in dimensioni
enormemente pi`
u piccole). Si dovette attendere no al 1954 prima di incontrare la
prima seria versione commerciale, anche se una pubblicità della Raytheon del 1952
dichiara che il primo transistor prodotto da loro (il ck703) risaliva al 1948 ! Comunque i primi transistor prodotti (il ck703 ed il ck716 della Raytheon) non furono
un grande successo dal punto di vista commerciale. Il primo ad essere prodotto in
88
grandi quantità f`
u invece il ck722.
I Bell Labs inziarono a vendere brevetti del transistor a giunzione nel 1952, al
prezzo di 25,000 dollari per brevetto. Un brevetto f`
u acquistato da una compagnia
di Tokyo, la Tokyo Tsushin Kogyo (che nel 1955 diventò la Sony). Questa compagnia produsse le prime radio interamente a transistor, con unampia diusione
commerciale. In realtà già la Texas aveva prodotto radio a transistor uno o due
anni prima, ma non era stata altrettanto abile nel commercializzarla.
Resoconti dettagliati della cronistoria di queste invenzioni possono esser consultati alle riferimenti [38], [39], [40], [41], [43], [44].
5.2
Conduzione elettrica nei semiconduttori
Inizieremo con alcuni brevi richiami dei concetti che sono alla base della conduzione
elettrica nei solidi, quali i semiconduttori. La densità di corrente è denita da:
J = nqv
(5.1)
dove n è il numero di cariche elementari per cm3 , q la carica elementare e v la

velocità di drift. Questultima è legata (per campi elettrici non troppo elevati) al
campo elettrico da una relazione di proporzionalità:
v = E
(5.2)
dove è una costante (mobilità) caratteristica del materiale. Le dimensioni

siche di tale costante sono:

[] = cm2 /(V olt s)
Si tratta, come si vede, di unità ibride, appartenenti in parte al sistema SI ed in
parte al cgs.
La densità di corrente può, facendo uso delle equazioni (5.1) e (5.2), essere
espressa come:
J = nqE = E
(5.3)
dove = nq è la conduttività, che è linverso della resistività (notiamo che

in questa equazione q è il modulo della carica elettrica elementare, a dierenza del
medesimo simbolo adoperato nella (5.1)):
= 1/
5.3
(5.4)
Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze
La conduttività nei semiconduttori allo stato puro è estremamente bassa, a causa

dellesiguo numero di elettroni liberi per unità di volume. In eetti, nel silicio allo
stato puro i legami atomici covalenti tra atomi contigui determinano una struttura
5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze
89
cristallina estremamente stabile. Il silicio, tetravalente, forma legami covalenti che

possono esser qualitativamente illustrati, in un piano, come mostrato in gura 5.1.
Figura 5.1: Schema dei legami covalenti nel silicio cristallino

Nella gura sono mostrati gli atomi (pallini solidi), gli elettroni (punti) ed i legami
covalenti (linee tratteggiate). Ciascun atomo ha quattro elettroni di valenza. Nella
struttura cristallina a questi vengono ad aggiungersi quattro elettroni di valenza di
altrettanti atomi contigui, creando una struttura atomica estremamente stabile.
In tali condizioni la conduzione può solo aver luogo a causa della rottura di
qualcuno dei legami chimici covalenti, causata dallagitazione termica.
Se, a causa di tale agitazione, un elettrone viene liberato, esso, in presenza di un
campo elettrico, contribuirà alla corrente elettrica.
Notiamo che, se n è il numero di elettroni resi liberi per unità di volume, essi
lasciano dietro di sè un ugual numero di lacune libere, cioè di siti atomici dove i
legami chimici richiederebbero un elettrone. Tali lacune si comportano come cariche
positive libere: sotto lazione di un campo elettrico esse si muovono nella direzione
del campo dando un proprio contributo alla corrente. Tale contributo si somma a
quello dovuto agli elettroni. Ciò è stato vericato sperimentalmente facendo uso
delleetto Hall.
Se indichiamo con p la concentrazione delle cariche positive libere, avremo per il
loro contributo alla densità di corrente:
Jp = pp qE
(5.5)
dove p è la mobilità delle lacune. Questa dierisce da quella degli elettroni n :

p 500 cm2 /V s

n 1300 cm2 /V s
(5.6)
(5.7)
La densità di corrente complessiva sarà:

J = nn qE + pp qE = (nn + pp ) qE = E
(5.8)
90

cioè:
= (nn + pp )q
(5.9)
Come accennato, i moti dagitazione termica liberano un ugual numero di elettroni e lacune per unità di volume:
n = p ni
(5.10)
ni è nota come la concentrazione intrinseca di elettroni (lacune) nel silicio allo

stato puro.
Si noti però che se un qualche meccanismo interviene a modicare una delle
due concentrazioni (e lintroduzione di opportune impurezze è un tale meccanismo)
quella dellaltro componente cambia in verso opposto, in modo tale che sia sempre:
np = n2i
(5.11)
Tale relazione è nota come legge dellazione di massa.

Il parametro ni dipende dalla temperatura ed è esprimibile come:
ni = A0 T 3 eEG0 /kT
(5.12)
dove T è la temperatura assoluta, k la costante di Boltzmann (in eV /o K), A0 è

una costante ed EG0 è lenergia necessaria a rompere un legame covalente a 0 oC.
Per il silicio a 300 o K si ha:
ni 1.5 1010 /cm3
mentre il numero di atomi/cm3 è allincirca 1022 . La dipendenza di EG dalla
temperatura è approssimativamente:
EG (T ) 104 T
A temperatura ambiente: EG0 1.1eV .
Introducendo nel materiale piccole quantità di impurezze (drogaggio), la conduttività può variare di molti ordini di grandezza. Le impurezze comunemente adoperate sono atomi pentavalenti (come larsenico) o trivalenti (come il boro). Nel primo
caso latomo che viene a sostituire, nella struttura cristallina, un atomo di silicio, ha
un elettrone che risulterà pi`
u debolmente legato e contribuirà alla concentrazione di
elettroni liberi. Gli atomi che costituiscono tale tipo di impurezze sono noti come
donori . Nel caso in cui il drogaggio venga eettuato con una sostanza trivalente,
latomo che, nella struttura cristallina, viene a sostituire un atomo di silicio ha un
elettrone in meno (dal punto di vista chimico) ed è quindi in grado di catturare un
elettrone libero. Si parla in tal caso di un atomo accettore. Nel primo caso si dice che
il drogaggio è di tipo n, nel secondo di tipo p. Se indichiamo, nel caso pentavalente,
con ND la concentrazione dei donori avremo, nellipotesi che sia ND ni :
n = ND
p n = p ND = n2i
5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze
91
da cui:
n2i
ni
=
ni ni
ND
ND
cioè la concentrazione di lacune sarà fortemente ridotta. Si dice che in tal caso gli
elettroni sono i portatori maggioritari , le lacune i portatori minoritari. Lopposto
ovviamente avviene se il drogaggio è di tipo p.
Esaminiamo un esempio. La conduttività del silicio allo stato puro:
p=
= ni q (n + p )
facendo uso dei valori numerici:
ni = 1.5 1010 cm3
q = 1.6 1019 C
n = 1300 cm2 V 1 s1
p = 500 cm2 V 1 s1
è uguale a:
= 4.32 106 1 cm1
da cui:
= 2.31 105 cm
Ammettiamo ora di aggiungere un donore per ogni 108 atomi di silicio. Avremo
per il numero di donori/cm3 :
NAv d 8
10
P
Dove NAv è il numero di Avogadro, d la densità e P il peso molecolare.
Sostituendo i valori numerici:
ND =
NAv = 6.02 1023

P = 28.1
d = 2.33 g cm3
troviamo:
n = ND = 4.99 1014 cm3
mentre la concentrazione delle lacune diviene, per la legge dellazione di massa,
del tutto trascurabile.
La conduttività diviene allora:
nqn = 0.1 (cm)1
e quindi:
= 9.6 (cm)
92
Il rapporto tra il nuovo valore della resistività e quello relativo al silicio allo stato
puro diviene allora:
9.6
= 4.16 105
2.31 105
cioè una diminuzione di un fattore 24,000.
Ciò è in ultima analisi legato al fatto che la percentuale (108 ) di atomi aggiunti
signica 5 1014 donori/cm3 , da confrontare con 1.5 1010 elettroni nel silicio allo stato
puro.
R =
5.4
Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione
Se un semiconduttore, quale il silicio, è drogato in modo non uniforme, inizia ad

aver luogo un processo di diusione dei portatori liberi (elettroni o lacune) da quelle
regioni dove la concentrazione è pi`
u elevata verso zone di minor concentrazione. Il
processo ha unorigine puramente statistica ed è analogo alla diusione di un gas da
regioni di maggior densità verso quelle dove la densità è minore.
Consideriamo infatti un lungo tubo rettilineo pieno di un gas con concentrazione
n(x) non uniforme e sia lasse x parallelo alla direzione del tubo (gura 5.2).
J(x)
J(x+dx)
dx
Figura 5.2: Diusione in un tubo pieno di gas con concentrazione non uniforme
Se S è la sezione del tubo, J(x) la densità di corrente (cioè il numero di molecole
che nellunità di tempo attraversano lunità di supercie nella posizione di ascissa
x) lincremento per unità di tempo del numero di particelle nello strato tratteggiato
in gura è dato da:
dJ(x)
dx
dx
Se indichiamo con n(x, t) il numero di atomi per unità di volume, tale incremento,
nel punto di ascissa x, è anche dato da:
S [J(x) J(x + dx)] = S
Sdx
Per cui si ha :
ovvero:
dn
dt
dn
dJ
=
dx
dt
5.4 Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione
dJ =
93
dn
dn dx
dx =
dx
dt
dx dt
cioè:
dn
(5.13)
dx
Questa equazione ci dice che la densità di corrente è proporzionale al gradiente
della densità, cambiato di segno.
Il parametro D è noto come coeciente di diusione.
Un fenomeno identico ha luogo nel caso della diusione dei portatori di carica
in una barretta di un semiconduttore ove sia stato eettuato un drogaggio non
uniforme.
Scriveremo quindi in tal caso per la densità di corrente elettrica:
J = D
dp
(5.14)
dx
nel caso di un drogaggio non uniforme di portatori positivi (lacune). Qui Dp è
il coeciente di diusione per le lacune e p(x) il gradiente di concentrazione delle
stesse.
Analogamente, nel caso di un drogaggio di tipo n (elettroni) avremo:
Jp (x) = qDp
dn
(5.15)
dx
dove Dn è il coeciente di diusione per gli elettroni e dove lassenza del segno
(-) presente nella (5.14) è legato al fatto che ora la carica dei portatori è negativa
(q è il modulo della carica elettrica).
Sussiste la seguente relazione (nota come equazione di Einstein) tra i coecienti
di diusione e le mobilità:
Jn (x) = qDn
Dp
Dn
T
kT
=
VT =

p
n
q
11600
(5.16)
dove k è la costante di Boltzmann in Joule/o k e T la temperatura assoluta.

Il parametro VT nel sistema SI è esprimibile in Volt e, a temperatura ambiente,
vale approssimativamente 26 mV.
In presenza di un campo elettrico diretto lungo lasse x, alla corrente di diusione
viene a sommarsi quella dovuta al campo, data dalle equazioni (5.3) e (5.5). La
corrente totale sarà allora data da:
dp
dx
nel caso di un gradiente di concentrazione di lacune, e da:
Jp (x) = qp pE qDp
(5.17)
dn
(5.18)
dx
se è presente un gradiente di concentrazione di elettroni.
In condizioni stazionarie, a circuito aperto, la densità di corrente totale deve
annullarsi. Avremo cioè :
Jn (x) = qn nE + qDn
94
p pE = Dp
dp
dx
da cui, con E legato al potenziale da:

E=
dV
dx
si ottiene:
Dp dp
dV
= p
p dx
dx
cioè :
dp
p
che, integrata fra due generici punti 1 e 2, fornisce:
dV = VT
V21 V2 V1 = VT ln
p(x1 )
p1
= VT ln
p(x2 )
p2
(5.19)
o anche:
p1 = p2 eV21 /VT
(5.20)
la (5.20) è nota come equazione di Boltzmann. Lanaloga equazione per le lacune

è:
n1 = n2 eV21 /VT
(5.21)
Moltiplicando membro a membro le equazioni (5.20) e (5.21), riotteniamo la

legge dellazione di massa:
n1 p1 = n2 p2
5.5
Giunzioni p-n
Se in una barretta di silicio viene eettuato un drogaggio di tipo p in una metà e

di tipo n nellaltra, come mostrato in gura 5.3, si avrà in un tempo brevissimo una
diusione di lacune da sinistra verso destra ed unanaloga diusione di elettroni da
destra verso sinistra.
Tale processo è rapidamente contrastato dal campo elettrico, diretto da destra
verso sinistra, che nasce come conseguenza di tale usso. Si raggiunge cos` una
situazione di equilibrio in cui, a circuito aperto, non è pi`
u presente alcuna corrente.
Notiamo che gli elettroni che dalla zona n diondono verso la zona p, hanno unelevatissima probabilità di essere catturati dalle lacune presenti in tale zona non
appena essi abbiano superato la giunzione. Analogamente, le lacune che dalla zona
p uiscono verso la zona n sono catturate dagli elettroni presenti in tale zona subito
al di là della giunzione. La zona dai due lati della giunzione viene in tal modo ad
essere priva di cariche libere. A tale zona si dà il nome di zona di svuotamento o
zona di transizione o anche zona di carica spaziale.
5.5 Giunzioni p-n
95
p
(a)
p
(b)
Figura 5.3: Schema di una giunzione p-n. Graco superiore: distribuzione dei portatori nella
giunzione, ammettendo che se ne possa fotografare la distribuzione subito dopo che la giunzione
sia stata prodotta. Graco inferiore: distribuzione dei portatori allequilibrio
Lo spessore della zona di svuotamento è tipicamente molto piccolo, ma può

essere aumentato applicando unopportuna dierenza di potenziale inversa, come
vedremo tra poco.
Se indichiamo con pp0 la concentrazione iniziale (cioè prima che la diusione abbia
luogo) di lacune sul lato sinistro della giunzione e con pn0 lanaloga concentrazione
di lacune sul lato destro, con NA la concentrazione di accettori sul lato p con ND la
concentrazione di donori sul lato n, avremo:
pp0 = NA
pn 0 =
n2i
ND
Segue allora dalla (5.19) che tra due punti 1 e 2, situati il primo a sinistra ed il
secondo a destra della giunzione, si avrà una dierenza di potenziale data da:
V0 = V21 = VT ln
pp 0
NA ND
= VT ln
pn 0
n2i
(5.22)
Le gure 5.3 (a) e (b) illustrano ciò che avviene dei portatori di carica a seguito
della diusione. La zona allimmediata sinistra della giunzione viene a perdere
lacune a causa della diusione di queste verso la zona n. Essa acquista cos` una
carica netta negativa. Analogamente la zona allimmediata destra della giunzione
viene a perdere elettroni a causa della diusione di questi verso la zona p. Essa
acquista cos` una carica netta positiva.
Landamento qualitativo della distribuzione delle cariche è mostrato nella parte
superiore della gura 5.4. Nasce come conseguenza un campo elettrico rivolto nel
verso negativo dellasse x, il cui andamento è mostrato nella parte inferiore della
gura. Il corrispondente andamento del potenziale è mostrato nella parte superiore
della gura 5.5.
96
q(x)
E(x)
Figura 5.4: Graco superiore: andamento della carica netta attraverso una giunzione p-n.
Graco inferiore: andamento del campo elettrico.
La barriera di potenziale che cos` si crea, impedisce alle lacune presenti nella
zona p di continuare a diondere verso la zona n, e viceversa, agli elettroni presenti
nella zona n di diondere verso la zona p. In realtà la situazione è un tantino pi`
u
complicata, poiche i portatori liberi (elettroni nella zona n e lacune nella zona p)
hanno una distribuzione di energie che, classicamente, è descritta dalla funzione di
Boltzmann:
f () = Ce
/kT
(5.23)
che ci dà il numero di portatori di carica aventi energia maggiore di . In questa

relazione, k è la costante di Boltzmann e T la temperatura assoluta. Esiste quindi un
certo numero di portatori di carica con energia suciente a superare la barriera di
potenziale V0 . Ciò costituisce una corrente diretta dal lato p verso il lato n. Tuttavia
la corrente netta totale risulta nulla. Ciò è dovuto al fatto che nella zona n esistono,
sia pure in piccolissima concentrazione, cariche positive (lacune) libere. La presenza
di queste lacune (portatori minoritari) è legata ai moti dagitazione termica. Queste
possono diondere nella zona n verso la giunzione dove, a causa del verso del campo,
sono rapidamente accelerate verso la zona p. Analogamente esistono nella zona p
elettroni liberi (portatori minoritari) che diondono verso la giunzione e sono poi
5.5 Giunzioni p-n
97
rapidamente accelerati dal campo verso la zona n. Linsieme di queste due correnti,
nota complessivamente come corrente termica Is , controbilancia allequilibrio la
corrente legata alle cariche maggioritarie che hanno energia sucientemente elevata
da superare la barriera di potenziale (corrente di ricombinazione, Ir ).
Allequilibrio quindi avremo:
Is = Ir
ora, la corrente di ricombinazione, per quanto visto è proporzionale a:
Ir = CeqV0 /kT
ottenuta dalla (5.23) sostituendo ad lenergia qV0 corrispondente alla barriera
di potenziale che le cariche debbono superare.
Notiamo ancora che la corrente termica Is non dipende dallaltezza della barriera
di potenziale V0 ; se quindi laltezza della barriera viene alterata per una qualche
azione esterna, Is rimane uguale a:
Is = CeqV0 /kT
mentre la corrente di ricombinazione Ir diviene:
Ir = CeqV
/kT
dove V è il nuovo valore della barriera di potenziale.

Immaginiamo ora che al dispositivo considerato venga applicata una polarizzazione inversa, con il lato n collegato al positivo di una batteria V ed il lato p
collegato al negativo. La polarità è tale da far allontanare dalla giunzione sia lacune
nella zona p che elettroni nella zona n. Di conseguenza, la regione con densità di
carica negativa si estende ulteriormente alla sinistra della giunzione e quella con
densità di carica positiva si estende a destra. Si ha cioè un allargamento della zona
di svuotamento, un conseguente aumento della dierenza di potenziale, che ora diviene V0 +V ed in denitiva nessun sostanziale passaggio di corrente. Ciò è mostrato
nella parte inferiore della gura 5.5.
Se al contrario ammettiamo che la giunzione sia polarizzata in modo diretto, si
avrà una riduzione della barriera di potenziale ed un usso di corrente.
Nel primo caso avremo:
V = V0 + V
e nel secondo:
V = V0 V
In entrambi i casi avremo una dierenza tra Is ed Ir e quindi una corrente netta.
Esaminiamo dapprima il caso in cui la polarizzazione sia diretta. La corrente
sarà allora:

I = Ir Is = Ceq(V0 V )/kT CeqV0 /kT = CeqV0 /kT eqV /kT 1 =
98
V (x )
01
V (x )
Figura 5.5: Graco superiore: andamento del potenziale attraverso una giunzione p-n. Il graco
inferiore mostra come il potenziale venga modicato dallapplicazione di una tensione inversa

= I0 eqV /kT 1
(5.24)
con:
I0 = CeqV0 /kT
Nel caso in cui la polarizzazione si inverte, cambia semplicemente il segno di
V nella (5.24). Questa equazione può quindi essere adoperata per descrivere il
funzionamento del diodo sia nel caso in cui la polarizzazione sia diretta che nel caso
di polarizzazione inversa1 .
Questo è il comportamento di un diodo raddrizzatore, il cui simbolo è mostrato in
gura 5.6 e dove è anche indicato il verso in cui la corrente può uire in polarizzazione
diretta (qV kT ).
5.6
Caratteristica I-V del diodo
La caratteristica del diodo, cioè la relazione tra tensione applicata e corrente nel
diodo è esprimibile nella forma:
1
Notiamo che se V è positivo e qV molto maggiore di kT , la (5.24) diviene approssimativamente

I = I0 eqV /kT e la corrente pu`
o acquistare valori elevati. Se viceversa V è negativo (e qV maggiore
in modulo di kT ) avremo: I = I0 , una corrente molto piccola.
5.6 Caratteristica I-V del diodo
99
I
Figura 5.6: Simbolo adoperato per un normale diodo a semiconduttore. Il verso indicato per
la corrente è quello in cui essa scorre quando si applichi una polarizzazione diretta

I = I0 eVD /VT 1
(5.25)
Dove è un parametro numerico che per il silicio vale allincirca 1 2, ed I0 è

una costante, nota come corrente inversa di saturazione. I0 è molto piccolo: esso
può valere 1014 1015 A nel caso del silicio.
Landamento della funzione espressa dallequazione (5.25) è mostrato in gura 5.7.
100
I VD
50
0.5
0.5
1.5
VD
Figura 5.7: Caratteristica corrente-tensione per un diodo a giunzione (equazione (5.25))

Vediamo che per tensioni applicate negative, la corrente risulta estremamente
piccola (non visibile nel graco).
Se VD è positivo (polarizzazione diretta) possiamo distinguere il caso in cui sia
VD VT da quello in cui sia VD VT .
Nel primo caso il termine esponenziale dominerà rispetto al termine costante.
Landamento della corrente sarà cioè un esponenziale crescente. Esaminiamo alcuni
casi numerici, ammettendo che sia I0 = 1014 A, = 1, VT = 25 mV (Tabella (5.1)).
Vediamo che la corrente è trascurabile no a tensioni applicate di 0.6 V . A
0.7 V la corrente è aumentata in misura apprezzabile. Normalmente si assume che
100

VD (mV )
25
100
200
400
600
700
800
I (A)
2.7 1014
5.5 1013
3.0 1011
8.9 108
26.0 105
14.5 103
790.0 103
Tabella 5.1: Esempi numerici di correnti rilevate attraverso un diodo (I) per tensioni applicate
ai suoi capi pari a VD per un diodo con caratteristiche: I0 = 1014 A, = 1, VT = 25 mV .
il diodo sia interdetto per tensioni dirette inferiori a 0.65 V , mentre conduca per
tensioni 0.7 V . Come si vede dalla tabella, quando il diodo è in conduzione, a
causa della rapida variazione della corrente al variare della tensione, si ha che ad
importanti variazioni di corrente corrispondano piccolissime variazioni di tensione.
Ciò può esser visto in modo quantitativo facendo uso della (5.25) nel caso VD VT .
Per due diversi valori della corrente, I1 ed I2 avremo infatti:
I1 = I0 eVD1 /VT
I2 = I0 eVD2 /VT
Dal rapporto di queste due equazioni si ha allora:
I1
= e(VD1 VD2 )/VT
I2
e, prendendo il logaritmo di entrambi i membri:
V D1 V D2 =
VT I1
I1
ln 25 mV ln
I2
I2
Se la corrente I1 è pari a dieci volte I2 si ha:

VD1 VD2 57 mV
In altri termini, la caduta di potenziale ai capi del diodo cambia molto poco al
variare della corrente che lo attraversa. Ciò è legato al fatto che la caratteristica di
gura 5.7, quando il diodo conduce, è allincirca una retta verticale (di pendenza
poco inferiore a /2).
Per una resistenza R la legge di Ohm è:
1
I
=
R
V
Un valore elevato del rapporto I/V corrisponde ad un piccolo valore della resistenza, cioè dellinverso della pendenza della retta che ne descrive il comportamento
nel piano I V .
5.6 Caratteristica I-V del diodo
101
Si può quindi parlare di una resistenza associata al diodo quando questo è in

conduzione. Tale resistenza, che denoteremo con Rf , ha un valore estremamente
piccolo.
Esaminando la caratteristica del diodo nella zona in cui esso è polarizzato inversamente, vediamo che tale zona della caratteristica corrisponde ad una resistenza di
valore molto elevato, che nel seguito indicheremo con Rr .
Consideriamo ora lesempio di gura 5.8.
Vi
Figura 5.8: Semplice circuito che utilizza un diodo

Lequazione del circuito è 2 :
vi = RiD + vD
da cui:
1
vi
iD = vD +
R
R
che è lequazione di una retta (retta di carico) nel piano (vD iD ). In questequazione iD e vD sono entrambe incognite. Tuttavia esse sono legate tra loro
dalla (5.25), per cui possono, in linea di principio, esser facilmente calcolate.
Un modo per risolvere il problema è quello di ricorrere al graco della (5.25) e
disegnare sul medesimo la retta di carico, come mostrato nel graco di gura 5.9.
2
Qui e nel seguito adopereremo la seguente notazione per segnali di corrente (ed analoga per
segnali di tensione):
ID = corrente continua (quiescente).
Cioè, una lettera maiuscola con sottoscritta maiuscola denota una quantit`
a stazionaria.
iD = corrente totale
Cioè, una lettera minuscola con sottoscritta maiuscola denota la quantit`
a totale, somma di quella
stazionaria e della componente variabile.
id = segnale di corrente
Cioè, una lettera minuscola con sottoscritta minuscola denota la componente variabile.
In altre parole, nel caso della corrente si ha:
iD = ID + id
.
102
La retta ha una pendenza pari a 1/R. Essa interseca lasse verticale (corrente) per
iD = Vi /R e quello orizzontale (tensione) per VD = Vi .
iD
vi/R
retta di carico
iD
vD
vi
vD
tg=-1/R
Figura 5.9: Retta di carico per il diodo di gura 5.8

Esaminiamo ora ciò che accade se il diodo è polarizzato inversamente, cioè se
vD 0. In tale regione ci aspetteremmo che I I0 , che cioè la corrente (che ora
uisce in verso opposto) fosse trascurabilmente piccola. In realtà si trova che, anche
se molto piccola, questa corrente è diversi ordini di grandezza pi`
u elevata di quanto
predetto dallequazione del diodo. Per esempio, un diodo per piccoli segnali, avente
un valore di I0 = 1014 1015 può esibire una corrente inversa dellordine del nA.
Inoltre tale corrente aumenta allaumentare della tensione inversa applicata nonchè
allaumentare della temperatura.
Tale corrente è in parte legata alla presenza, in minute quantità, di portatori
di carica di tipo p nella regione n e di tipo n nella regione p ed in parte a perdite
dielettriche.
I portatori di cui sopra vanno sotto il nome di portatori minoritari, per distinguerli dai portatori maggioritari che sono quelli introdotti con il drogaggio delle
due zone. La loro presenza è dovuta alla rottura dei legami chimici, causata dai
moti di agitazione termica.
La corrente I, molto piccola per tensioni inverse applicate non eccessivamente
grandi, subisce un brusco aumento se la tensione inversa applicata supera un certo
valore (tensione di breakdown). Tale comportamento è mostrato in gura 5.10.
La tensione di breakdown è quella corrispondente al ginocchio nel graco di
gura e viene indicata con il simbolo VZ (dove Z sta per Zener ). Al ginocchio la
corrente aumenta molto rapidamente allaumentare della tensione applicata3 . Per
questo motivo i diodi possono essere adoperati in questa regione come stabilizzatori
di tensione. Sono disponibili in commercio appositi diodi (diodi Zener) con valori
3
molto pi
u rapidamente di quanto essa non aumenti per tensioni dirette maggiori di V .
5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacit`

a associate alla giunzione
103
100.mA
50.mA
VZ
V
0.mA
-50.m
A
V
-100.m
A
-8.00
-7.00-6.00-5.00-4.00-3.00-2.00-1.000.00 1.00 2.00
V (Volt)
Figura 5.10: Caratteristica di un diodo Zener

della tensione VZ stabiliti dal produttore (di norma da qualche Volt a qualche centinaio di Volt). Il simbolo adoperato per il diodo Zener è mostrato in gura 5.11. La
corrente uisce nel verso indicato con If in gura se la polarizzazione è diretta e
maggiore di V , nel verso indicato con Ir se la polarizzazione è inversa e maggiore
(in modulo) di VZ .
Ir
If
Figura 5.11: Simbolo adoperato per il diodo Zener. If è la corrente quando il diodo è polarizzato
direttamente; Ir quando è polarizzato inversamente, con tensione maggiore di VZ
5.7
Resistenza dierenziale del diodo e capacit`

a
associate alla giunzione
La caratteristica I-V del diodo:

I = I0 eV /VT 1
104
può, per segnali continui e polarizzazione diretta, essere schematizzata come

mostrato nella parte destra della gura 5.12, cioè sostituendo il tratto di curva
compreso tra 0 e 0.7 Volt con un tratto orizzontale (I=0) ed il tratto esponenziale
successivo con una retta avente una pendenza determinata dal parametro VT .
I
1/Rf
V
Figura 5.12: Rappresentazione a tratti della caratteristica del diodo (graco di destra)
confrontata con quella reale (graco di sinistra)
Ciò equivale a sostituire al diodo reale uno ideale (cioè avente V = 0 ed Rf = 0)

in serie con un generatore di tensione di valore V 0.7 V ed una resistenza Rf ,
come mostrato in gura 5.13.
Rf
V
Figura 5.13: Schematizzazione di un diodo reale, tramite un diodo ideale (avente V = 0), in
serie con una resistenza ed una batteria di valore V = 0.7 V
Se al diodo è invece applicato un segnale variabile, costituito dalla somma di un

segnale continuo (positivo) e di uno variabile, di piccola ampiezza:
V = V0 + v
(dove cioè dV = v).
avremo:
iD = I0 eV /VT
5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacit`

105
da cui si ottiene che la componente variabile id della corrente è legata alla

componente variabile v della tensione, da:
id d(iD ) = I0
1 V /VT
iD
iD
I
e
dV =
dV =
v
v
VT
VT
VT
VT
Ne segue:
25
VT
v

rd =
id
I
I(mA)
La grandezza rd è la resistenza dierenziale del diodo. Vediamo che la resistenza dierenziale dipende dalla corrente totale I che lo attraversa e diminuisce allaumentare di questa. Se quindi ad un diodo è applicato un segnale variabile di
tensione di piccola ampiezza, la corrispondente variazione di corrente si ottiene dividendo lampiezza (variazione) del segnale di tensione per la resistenza dierenziale
rd . Per I = 1 mA, la resistenza dierenziale è pari a circa 25 .
5.7.1
Capacit`
Se al diodo è applicato un segnale di alta frequenza, questo può esser trasmesso

anche nel caso in cui la polarizzazione applicata sia inversa. In eetti, con tale
polarizzazione la zona di svuotamento può, con buona approssimazione, essere assimilata ad un dielettrico che separa due zone conduttrici, la zona p e quella n.
In tali condizioni abbiamo lequivalente di un minuscolo condensatore a facce piane
e parallele, in cui la separazione tra le armature è pari alla larghezza W della zona
di svuotamento. Se A è larea della giunzione ed la costante dielettrica eettiva
della zona di svuotamento, la capacità sarà data da:
Cj =
A
W
Questa è nota come capacità incrementale o capacità di transizione.

Poichè W cambia al cambiare della tensione inversa applicata, varia corrispondentemente la capacità del nostro condensatore. Si ha cioè un condensatore la cui
capacità può esser fatta variare applicando un comando elettrico (tensione) esterno.
Dispositivi di questo tipo sono disponibili in commercio (varicap).
Analizziamo pi`
u in dettaglio il funzionamento del diodo in tali condizioni. Se
in un tempo dt cambiamo la tensione applicata di dV, avremo una corrispondente
variazione dQ della carica presente sul lato p della giunzione (uguale in modulo a
quella presente sul lato n). Avremo quindi una corrente:
i=
dQ
dQ dV
dV
=
= Cj
dt
dV dt
dt
Analizzando in dettaglio landamento di W in funzione della tensione inversa applicata, si trova:

Cj =
Cj 0
1+
(5.26)
VR
V0
dove VR è la tensione inversa applicata, V0 è la tensione associata al diodo non

polarizzato (0.6 0.8 V ) e Cj0 è la capacità del diodo per VR = 0.
106
Questa relazione è valida per una giunzione p n brusca. Una relazione di uso
pi`
u generale è [42]:
Cj 0
Cj =
1+
VR
V0
(5.27)
dove m è una costante il cui valore dipende dal modo in cui la concentrazione
del drogaggio varia andando dal lato p a quello n. Tale parametro varia tra 1/3 ed
1/2.
Vediamo che in ogni caso la capacità di transizione Cj decresce al crescere della
tensione inversa applicata VR . Valori tipici di Cj sono di circa 1 pF.
Se il diodo è polarizzato in modo diretto, la larghezza W della zona di svuotamento diminuisce e di conseguenza aumenta la capacità di transizione Cj . Tuttavia,
per tale polarità del potenziale applicato, una seconda capacità, molto pi`
u grande
della prima, interviene. Questa, nota come capacità di diusione o capacità di
immagazzinamento, è legata al tempo che i portatori di carica immessi da una delle
due regioni nellaltra, impiegano a ricombinarsi.
Esaminiamo ciò che accade. Se il diodo è polarizzato direttamente da una batteria, questa immette lacune nella zona p ed elettroni nella zona n. Tali cariche,
arrivando nella zona di svuotamento, si ricombinano con le cariche legate che sono
presenti in tali zone (elettroni nella zona p e lacune nella zona n), causando in tal
modo un restringimento della zona di svuotamento ed un abbassamento della barriera di potenziale. Ciò a sua volta permette che ulteriori lacune attraversino la
giunzione dalla zona p verso la zona n e ad ulteriori elettroni di muoversi in verso
contrario. Sono questi movimenti di cariche che sono allorigine della conduzione
nel diodo quando esso è polarizzato direttamente.
Le cariche cos` immesse da una regione nellaltra debbono però ricombinarsi con
quelle di segno opposto che esse incontrano nella nuova regione. Se indichiamo con
il tempo medio che una carica impiega a ricombinarsi e con Q la carica totale
spostata in tale tempo, la corrente sarà:
ID = I =
Q
= I0 eVD /VT
Se ora deniamo la capacità di diusione come:

Cd =
dQ
dVD
avremo:
Cd =
I0 VD /VT
ID
e
=
VT
VT
Ed essendo:
rd =
(5.28)
VT
ID
troviamo inne:
Cd =
rd
(5.29)
5.8 Esempi di uso di diodi
107
Esaminiamo ad esempio un diodo al silicio, con = 2, ID = 25 mA, VT = 25 mV

e = 1 ns. Troviamo:
Cd =
109 25 103
= 0.5 nF
2 25 103
che è molto maggiore di Cj .

Il parametro , che è critico in questo contesto, può variare tra pochi ns e
centinaia di s.
` la presenza della capacità di diusione che limita luso dei diodi a giunzione
E
a frequenze molto elevate. Per applicazioni a tali frequenze si può far uso di diodi
basati su giunzioni metallo-semiconduttore, noti come diodi Schottky, il cui simbolo
è mostrato in gura 5.14.
Figura 5.14: Simbolo adoperato per il diodo Schottky
5.8
5.8.1
Esempi di uso di diodi

Circuiti raddrizzatori
Cominciamo con il considerare un semplice circuito raddrizzatore, che fa uso di una

resistenza in serie ad un diodo (gura 5.15).
D
out
100
Figura 5.15: Semplice circuito raddrizzatore a diodo

Il segnale alternato applicato è:
V (t) = V0 sin(t)
con:
V0 = 5 V
108
ed:
f=
= 60 Hz
2
Inoltre è R = 100.
Nel nostro esempio il diodo ha un valore di V = 0.81 V . Una corrente potrà
uire nella resistenza R se la dierenza di potenziale VD ai capi del diodo supera V .
Lequazione del circuito è:
V0 sin(t) = VD + RI
La corrente si annulla per:
V0 sin(t) = VD 0.81 V
ciò avviene per:
0.81
0.162
5
Da questa si trova che il primo istante in cui la corrente si annulla è:
sin(t) =
t1 0.43 ms
La corrente si annulla nuovamente per:
t2 7.9 ms
Quando la corrente si annulla, la tensione in output si annulla anchessa.
Il graco di gura 5.16 mostra il segnale in ingresso (linea solida) e quello in
uscita (linea tratteggiata), ottenuti facendo uso della versione Demo del programma
di simulazione Microcap [5]. La curva nel graco inferiore è la dierenza di potenziale
ai capi del diodo (cioè la dierenza delle due curve nel graco superiore).
Come si vede, nel segnale in uscita risulta tagliata la parte inferiore. Il circuito
ha raddrizzato londa in ingresso.
Se il V del diodo può esser trascurato rispetto allampiezza del segnale applicato,
allora lintera semionda positiva verrà ad essere trasmessa e quella negativa bloccata.
Analizziamo la risposta in tale approssimazione, per un segnale in ingresso:
V (t) = V0 cos(t)
Il segnale in uscita avrà un valor medio dato da:
V0,dc
1
=
T
T /2
1
V0 cos(t)dt =
T
T /2
T /4
T /4
V0 cos(t)dt
(5.30)
essendo nullo il contributo negli intervalli di tempo (T /2, T /4) e (T /4, T /2).
Questa può essere riscritta come:
/2
/2
1
1
V0
V0,dc =
(5.31)
V0 cos(t)d(t) =
V0 cos xdx =
T /2
2 /2
I raddrizzatori a diodi sono adoperati spesso per ottenere una tensione continua
a partire da una alternata. Ad esempio, se si vuole alimentare un apparecchio
radio portatile o ricaricare la batteria di un telefonino, si fa uso di un trasformatore
109
7.5
5.0
2.5
0.0
-2.5
-5.0
0.
10.
0.
10.
20.
30.
40.
50.
30.
40.m
50.
4.000
2.000
0.000
-2.000
-4.000
-6.000
20.
Time
(ms)
Figura 5.16: Il graco superiore mostra la forma donda sinusoidale in ingresso (curva a tratto
solido) ed in uscita (curva a tratteggio) per il circuito raddrizzatore di gura 5.15. La curva
inferiore è la tensione ai capi del diodo. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti
e dei segnali indicati nel testo, facendo uso del programma Microcap
alimentato dalla rete elettrica a 220 Volt per generare un segnale (della medesima
frequenza) di pochi Volt. Un successivo circuito raddrizzatore converte questo in un
segnale unipolare, ancora variabile, del tipo appena descritto. Vedremo ora come
si possa, ricorrendo ad opportuni ltri, ridurre la componente variabile presente in
tale segnale.
Londa in uscita nel circuito di gura 5.15 ha componenti di Fourier a frequenze
, 2, 3, 4 etc. Analizziamo lo sviluppo in serie di Fourier, facendo uso delle
relazioni duso generale:
f (t) = a0 + a1 cos t + b1 sin t + a2 cos 2t + b2 sin 2t + a3 cos 3t + b3 sin 3t +
con i coecienti ai , bi dati da:
1
a0 =
T
2
a1 =
T
2
b1 =
T
am =
2
T
T /2
f (t)dt
T /2
T /2
f (t) cos tdt

T /2
T /2
f (t) sin tdt

T /2
T /2
f (t) cos mtdt

T /2
110

2
bm =
T
T /2
f (t) sin mtdt

T /2
Nel nostro caso lintegrazione và eettuata tra T /4 e T /4, poiche la nostra f(t)
è nulla al di fuori di tale intervallo. Inoltre, data la simmetria della funzione per
uno scambio t t, tutti i coecienti bn sono nulli. Eettuando il calcolo dei vari
integrali, si trova facilmente:

1 1
2
2
V (t) = V0
+ cos t +
cos 2t
cos 4t +
(5.32)
2
3
15
I termini successivi hanno coecienti sempre pi`
u piccoli, e saranno trascurati.
Volendo ltrare ulteriormente il segnale, ridurre cioè il contributo delle armoniche, si può ricorrere ad un ltro passa-basso RC, come mostrato in gura 5.17:
D
5k
out
R
V
100
RL
53
Figura 5.17: Circuito raddrizzatore a diodo. Il segnale è ulteriormente ltrato facendo uso
dei componenti R-C aggiunti nella parte destra del circuito
Ammettiamo che sia RL R e scegliamo inoltre un valore di capacità tale che

sia RC = 100/. In tal caso, la risposta del circuito può esser facilmente ottenuta
facendo uso del principio di sovrapposizione. Infatti possiamo considerare la parte
RC del circuito come alimentata da un generatore ideale di tensione, di valore pari
alla tensione, già calcolata, presente ai capi di RL . Essendo R di valore grande
rispetto ad RL essa costituisce un modesto carico per il suddetto generatore, per
cui possiamo ritenere che, con ottima approssimazione, la tensione ai capi di RL già
calcolata, in assenza del circuito RC, sia uguale a quella in presenza di esso.
Possiamo inoltre, facendo uso del principio di sovrapposizione, sostituire al suddetto generatore ideale, la serie dei tre generatori mostrati in gura 5.18, corrispondenti ai primi tre termini nello sviluppo (5.32).
Dalla gura 5.18 otteniamo, per il modulo della risposta ai singoli generatori:
Vout,dc =
V0
per il segnale continuo;

V0 Z C
2 R + ZC
per il segnale a frequenza angolare , dove è ZC = 1/jC.
Vout,1 =
111
out
2/3 V0cos2t
C
V0/2cost
V0/
Figura 5.18: Schema adoperato per il calcolo del segnale alluscita del circuito di gura 5.17
Sostituendo si ottiene per Vout,1 :
Vout,1 =
1
1
V0
V0
V0

=

2 1 + (RC)2
2 1 + 1002
200
Per il termine successivo nello sviluppo, corrispondente al segnale di frequenza

angolare 2, avremo:
Vout,2 =
1
2V0
V0
=
3 1 + 2002
300
Trascurando i termini di ordine pi`

u elevato, avremo quindi:

1
1
1
+
sin t +
sin 2t +
V0 (t) V0
200
300
Il rapporto tra il valore quadratico medio delle componenti variabili (ripple) e
quello della componente continua e pertanto:

1
=
0.011
+
=
2
2
(300)
280
2 200
Vediamo cos` che la componente variabile (ripple) rappresenta appena l1% di
quella continua.
5.8.2
Retticatore ad onda intera
Nel circuito raddrizzatore appena discusso, solo una metà (quella positiva) del
` possibile migliorare tale circuito
segnale alternato applicato veniva trasmessa. E
facendo in modo che la metà inferiore del segnale, cambiata di segno, sia anchessa
trasmessa. Un circuito che realizza tale funzione è quello di gura 5.19.
Il secondario del trasformatore ha una presa centrale, collegata a massa. Durante
la semionda positiva la tensione ai capi della metà superiore del secondario è tale
112
da polarizzare direttamente il diodo D1 , mentre quella ai capi della metà inferiore

polarizza D2 in modo inverso. In questa fase quindi la corrente segue il percorso
superiore indicato in gura e uisce poi nel carico RL collegato a massa. Durante
la semionda negativa viene invece ad essere polarizzato direttamente D2 ed inversamente D1 . Vediamo allora che la corrente seguirà il percorso indicato in gura dalla
linea inferiore, ma attraverserà RL nel medesimo verso di prima. Si vede cioè che
entrambe le semionde sono state raddrizzate.
Anche in questo caso è poi possibile diminuire il contributo delle armoniche nella
tensione ai capi di RL , ponendo a valle un opportuno circuito passa-basso.
D1
+
+
+
V
RL
_
VL
IL
D2
Figura 5.19: Retticatore ad onda intera
5.8.3
Rivelatore di picco
` spesso necessario ricorrere a circuiti che memorizzino per un breve intervallo di

E
tempo, il valore massimo che un segnale di tensione ha raggiunto. Un tipico uso di
circuiti di questo tipo si incontra nei sistemi di sample-and-hold che precedono un
Convertitore Analogico-Digitale (ADC). La memorizzazione del segnale di tensione
può esser ottenuta facendo s` che esso vada a caricare un condensatore. Occorre
però impedire che questo si scarichi quando il segnale diminuisce o diviene negativo.
Il circuito di gura 5.20, noto come rivelatore di picco, implementa tale funzione.
Se infatti il segnale Vi è positivo e crescente, trascurando per un attimo la resistenza RL ed ammettendo che sia V 0, vediamo che il diodo D viene ad esser
polarizzato direttamente e di conseguenza il condensatore si carica seguendo Vi .
In realtà V non è zero, quindi avremo che la tensione ai capi del condensatore sarà
data da:
VC = Vi V
Se ora Vi comincia a diminuire, avremo che il condensatore, oramai carico ad
un certo valore VC , mantiene tale valore (sempre trascurando la resistenza RL ). Il
diodo D verrà ora ad essere interdetto e non ci sarà alcuna corrente nei circuito. Se
Vi comincia a risalire nuovamente, il diodo verrà ad essere nuovamente polarizzato
in modo diretto se è:
113
D
+
Vi
20
RL VL
Figura 5.20: Rivelatore di picco
V i > V + V C
Se Vi supera tale valore di soglia, il diodo consentirà il passaggio della corrente e la
tensione ai capi del condensatore comincerà nuovamente ad aumentare, seguendo
Vi (a meno del termine costante V ).
Se vogliamo che la tensione ai capi del condensatore rappresenti la memoria del
massimo raggiunto da Vi , per un tempo nito , dobbiamo far s` che il condensatore
abbia modo di scaricarsi dopo tale tempo. A ciò provvede la resistenza RL . La
costante di tempo RL C dovrà essere dellordine del tempo voluto. Landamento
del segnale alluscita del circuito di gura, ottenuto facendo uso del programma di
simulazione [5], è mostrato in gura 5.21.
I valori scelti sono:
RL = 2k
C = 20F
Il segnale in ingresso (curva solida nella gura) è una sinusoide:
Vi = 5 sin 2t
con = 60 Hz.
Il segnale in uscita è mostrato dalla linea tratteggiata. Notiamo che esso ha un
valore massimo che dierisce da Vi di circa 0.7 V olt e che non rimane costante, ma
diminuisce in modo esponenziale. La memoria può esser allungata aumentando il
valore di RL .
Invertendo il verso del diodo è poi possibile trasformare, come è facile vericare,
il rivelatore di picco positivo in un rivelatore di picco negativo.
5.8.4
Circuito ssatore (Clamping)
` necessario in alcuni casi ssare ad un certo valore continuo il massimo (o il

E
minimo) di un segnale sinusoidale di tensione. I circuiti che svolgono tale funzione
sono noti come circuiti ssatori o clamping.
114

7.5
5.0
2.5
0.0
-2.5
-5.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
Tempo (ms)
Figura 5.21: Segnale allingresso (curva solida) ed alluscita (curva a tratteggio) del rivelatore
di picco di gura 5.20. I valori dei componenti e quelli del segnale sono indicati nel testo. I risultati
sono quelli forniti dal programma di simulazione Microcap
Un circuito che ssa a V il valore massimo di un segnale sinusoidale, è quello di

gura 5.22.
20
+
C
Vi
VL
Figura 5.22: Circuito clamping

Se infatti il segnale in ingresso sale, il segnale VL sale anchesso, no a che Vi
non sia divenuto uguale a V . A partire da tale istante il diodo inizia a condurre
e VL = V . Ora, la tensione sullarmatura sinistra del condensatore continua a
salire, seguendo Vi , mentre quella sullarmatura destra rimane ssa a V . Se ora Vi
comincia a diminuire, e con esso la tensione sullarmatura sinistra del condensatore,
quella sullarmatura destra comincerà a scendere anchessa, interdicendo il diodo.
Vediamo che in tal modo VL continua a diminuire nellintervallo di tempo in cui Vi
115
diminuisce. Poiche VL partiva da un valore V , esso diminuirà, divenendo presto

negativo.
Se V0 è lampiezza del segnale sinusoidale Vi , il minimo valore che VL raggiungerà
è quindi:
VL,min = V 2V0
Se ora Vi comincia nuovamente ad aumentare, VL aumenterà anchesso, no a
raggiungere un valore massimo V quando Vi acquista il suo valore massimo V0 .
In tutta la fase descritta il diodo rimane interdetto. Esso svolge unicamente il
ruolo di far caricare il condensatore nella fase iniziale in cui Vi inizia a crescere.
Landamento dei segnali Vi e VL è rappresentato dalle curve di gura 5.23. La
sinusoide superiore è Vi , quella inferiore VL . Il segnale sinusoidale in ingresso ha
unampiezza di 5 V ed una frequenza di 60 Hz.
15.0
10.0
5.0
0.0
-5.0
-10.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
Tempo (ms)
Figura 5.23: Segnale in ingresso (curva superiore) ed uscita (curva inferiore) del circuito clamping di gura 5.22. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti e dei segnali indicati
nel testo, facendo uso del programma Microcap
` possibile eettuare un clamp ad una tensione diversa da V , modicando il
E
circuito con laggiunta di una batteria, come mostrato in gura 5.24. Qui si è scelto
una batteria da 2 V . Con tale scelta, il massimo della tensione in uscita è ssato
a:
V VR = 0.8 2.0 = 1.2 V
I relativi segnali sono mostrati in gura 5.25.
116
20
+
C
D
Vi
VL
VR
-2
-
Figura 5.24: Circuito clamping modicato con laggiunta di una batteria, per eettuare un
clamp ad un tensione diversa da V
10.0
5.0
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
Tempo (ms)
Figura 5.25: Segnali in ingresso (curva superiore) ed uscita (curva inferiore) del circuito clamping di gura 5.24. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti e dei segnali indicati
nel testo, facendo uso del programma Microcap
5.8.5
Duplicatore di tensione
La gura 5.26 mostra un circuito che fornisce in uscita una tensione continua pari a
2V0 , dove V0 è lampiezza del segnale sinusoidale applicato in ingresso.
Il circuito è costituito da un clamp seguito da un rivelatore di picco per segnali
negativi.
La metà sinistra del circuito, costituita dalla capacit`
a C e dal diodo D, ssa il
massimo del segnale in uscita (quello ai capi delle diodo D) ad un valore V . La metà
destra (D1 , C1 ) memorizza il valore minimo (V 2V0 ) che tale segnale assume.
Il graco di gura 5.27 mostra in alto landamento del segnale applicato (curva
117
superiore) e di quello ai capi di D (curva inferiore) ed in basso il segnale di tensione

in uscita Vout . Vediamo che, dopo un breve tempo di assestamento, legato alla carica
dei condensatori, la tensione in uscita acquista un valore di circa:
V 2 5 = 9.2 V olt
D1
+
C
D
Vi
C1
Vout
Figura 5.26: Circuito duplicatore di tensione
15.0
10.0
5.0
0.0
-5.0
-10.0
0.0
100.0
200.0
300.0
400.0
500.0
400.0
500.0
Tempo (ms)
8.0
4.0
0.0
-4.0
-8.0
-12.0
0.0
100.0
200.0
300.0
Tempo (ms)
Figura 5.27: Il graco superiore mostra il segnale allingresso del circuito duplicatore di tensione
(curva superiore) e quello ai capi del diodo (curva inferiore). Il graco inferiore mostra il segnale
continuo ottenuto (dopo la fase di stabilizzazione iniziale). Le curve sono state ottenute, con i
valori dei componenti e dei segnali indicati nel testo, facendo uso del programma Microcap
118
5.8.6
Misura analogica di una frequenza dimpulsi
Il circuito di gura 5.28 è a volte adoperato come tachimetro nelle automobili. Esso
fornisce una tensione in uscita proporzionale al numero di impulsi al secondo inviati
in ingresso. Gli impulsi costituiscono un treno donde rettangolari, di altezza e
durata ssa. Analizziamo il funzionamento.
Ciascun impulso positivo in ingresso carica il condensatore C1 attraverso il
diodo D1 . Per questa polarità dellimpulso D2 risulta interdetto. Quando limpulso
torna a zero, la tensione sullelettrodo sinistro del condensatore scende, e scende
simultaneamente quella sullelettrodo destro (il comportamento è uguale a quello,
già esaminato, del circuito clamping). Ora la tensione dellelettrodo destro di C1 , che
era rimasta bloccata a V , può scendere a valori negativi, con che D2 può cominciare
a condurre, caricando negativamente il condensatore C2 . Come si vede dallo schema,
C2 è di valore molto maggiore di C1 . La costante di tempo con cui esso si scaricherà
attraverso la resistenza R è quindi molto grande, e comunque molto maggiore del
tempo di carica. Se il numero di impulsi al secondo è n e laltezza dimpulso V, la
carica associata a ciascun impulso è C1 V e la corrente media i = C1 V n. Questa
corrente produce ai capi di C2 un aumento della tensione pari a V2 = nV C1 /C2 .
Si raggiungerà dopo un certo tempo una situazione stazionaria in cui il processo di
carica di C2 viene rallentato dallaumento del potenziale V2 , mentre la scarica di C2
attraverso R continua con legge esponenziale. In questa fase asintotica (raggiunta
nella pratica dopo una frazione di secondo) la tensione ai capi di C2 è proporzionale
al numero n di impulsi al secondo. La parte del circuito costituita dal condensatore
C1 e dai diodi agisce da pompa di carica elettrica; C2 da serbatoio.
D2
C1
1n
V
D1
C2
10
22k
Figura 5.28: Circuito per la misura analogica di una frequenza dimpulsi
I risultati di una simulazione di questo circuito, ottenuti facendo uso del programma microcap [5], sono mostrati nelle gura 5.29 e 5.30. I valori dei componenti
adoperati sono quelli di gura 5.28. Il segnale in ingresso è unonda quadra, di periodo 200 s e duty-cycle 50%. La gura 5.29 mostra il segnale in ingresso (graco
superiore) e quello ai capi di C2 (graco inferiore) limitatamente ai primi 2 ms. La
`
gura 5.30 mostra la tensione ai capi di C2 su di un intervallo temporale di 0.8 s. E
evidente la crescita asintotica del segnale in uscita (negativo) verso -450 mV.
119
7.5
6.0
4.5
3.0
1.5
0.0
0.0
0.4
0.8
Tempo
1.2
1.6
2.0
1.6
2.0
(ms)
3.2mV
1.60mV
0.0mV
-1.6m
V
-3.2m
V
-4.8
-4.8m
V
0.0
0.4
0.8
Tempo
1.2
(ms)
Figura 5.29: Il graco superiore mostra la sequenza dimpulsi inviati al circuito di gura 5.28.
Quello inferiore mostra il segnale in uscita. I risultati mostrati sono stati ottenuti facendo uso del
programma Microcap
300.
mV m
300
150 m V
0mV
-150m V
-300m V
-450m V
0.
160.
320.
480.
640.
800.
Tempo (ms)
Figura 5.30: Segnale in uscita dal circuito di gura 5.28 su di una scala temporale espansa
(no a 800 ms)
5.8.7
Circuito limitatore con diodi Zener
Il circuito di gura 5.31 limita, sia nella semionda positiva che in quella negativa,
il segnale sinusoidale applicato in ingresso. Nellesempio di gura, lingresso ha una
120
frequenza di 1 kHz ed unampiezza di 10 V. Lo Zener adoperato è un 1N4731, che

ha VZ = 4.3 V . Il taglio avviene quindi a:
VZ + V = 4.3 + 0.7 5.0 V
R
V out
10k
D2
V in
1N 4731
D1
Figura 5.31: Circuito limitatore con diodi Zener

Il risultato ottenuto facendo uso del programma di simulazione è mostrato in
gura 5.32.
V in
V out
10.
5.
0.
-5.
-10. 0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Tempo (ms)
Figura 5.32: Segnale in ingresso (sinusoide di ampiezza 5 V) ed uscita per il circuito di

gura 5.31
5.8.8
121
Interruttore a ponte di diodi
` spesso necessario far uso di interruttori comandati da un segnale di tensione. Il

E
circuito di gura 5.33 trasmette o meno in uscita il segnale di tensione presente in
ingresso, a seconda del segno della tensione di controllo Vk .
Vk
5
Rc1
5k
c
D3
D1
Vi=3 sint
ri
100
RL
10k
D4
D2
VL
d
Rc2
-Vk
5k
-5
Figura 5.33: Interruttore a ponte di diodi

Esaminiamone il funzionamento.
Ammettiamo, per cominciare, che la tensione di controllo Vk sia stata ssata
a +5 V. Se Vi = 0, i diodi D1 e D2 condurranno. La tensione nel punto c sarà
Vi + V = 0 + 0.6 = 0.6 V (stiamo ora ammettendo che il V dei diodi adoperati sia
0.6 V). Ora D3 e D4 condurranno ed avremo:
Vb = Vc 0.6 = 0 V
Cioè la tensione in uscita VL sarà uguale a quella in ingresso. Ammettiamo ora
che Vi e quindi Va aumenti e salga ad esempio a 0.2 V. Ora Vc salirà a 0.2 + 0.6 =
0.8 V . Vb sarà allora:
Vb = Vc 0.6 = 0.2 V
ancora una volta uguale a Vi . Vediamo quindi che, ntantochè i diodi conducono,
VL segue Vi .
Ammettiamo ora di portare Vk a -5 V. Ora i diodi D1 e D2 saranno interdetti, e
cos` pure D3 e D4 . In RL non passerà alcuna corrente e VL = 0.
Vediamo quindi che il ponte di diodi trasmette il segnale Vi se Vk = +5 V , mentre
luscita è nulla per Vk = 5 V .
Ci chiediamo ora quale sarà il massimo valore che Vi può assumere anchè, con
Vk = +5 V , il sistema continui a trasmettere, senza deformarlo o tagliarlo, il segnale
applicato in ingresso.
122
Ovviamente, se Va diviene cos` grande che la dierenza di potenziale ai capi di

D1 sia nulla (in pratica, minore di V = 0.6 V ), il diodo D1 sarà interdetto, o quasi;
la dierenza di potenziale ai suoi capi sarà 0 V .
Ammettiamo, per fare un esempio, che sia Va = 4.8 V . In tali condizioni D1 sarà
al limite della conduzione, con una dierenza di potenziale ai suoi capi di 0 V .
Quindi Vc 4.8 V . Notiamo che in queste condizioni D3 continuerà a condurre, con
una dierenza di potenziale ai suoi capi di circa 0.6 V, il che implica una tensione
di uscita Vb 4.8 0.6 = 4.2 V . Vediamo che in tali condizione Vb non è pi`
u uguale
a Va . Notiamo ancora che D2 continua a condurre, con che: Vd = Va 0.6 = 4.2 V .
Il diodo D4 , con una dierenza di potenziale allincirca nulla ai suoi capi, è al limite
dellinterdizione, come D1 . La corrente in esso iD4 sarà uguale a 0. Chiamando
Vim il massimo valore che il segnale in ingresso può assumere prima che le correnti
attraverso D1 e D4 si annullino avremo, ponendo Rc1 = Rc2 Rc :
Va = Vim
Vd = Va V = Vim V
Vc = Va = Vim
Vb = Vc V = Va V = VL
dove:
RL iL = Vk Rc iL V
cioè:
iL (RL + Rc ) = Vk V
da cui:
iL =
Vk V
RL + Rc
Da questa segue:
VL = RL iL =
RL
(Vk V ) = Vim V
RL + Rc
e quindi:
Vim = V +
RL
(Vk V )
RL + Rc
Se ad esempio è:
RL = 10 k ;
Rc = 5 k ;
Vk = 5 V
avremo:
Vim = 0.6 +
10
(5 0.6) = 3.5 V
15
5.9 Il transistor bipolare
5.9
5.9.1
123
Il transistor bipolare
Introduzione
Abbiamo già accennato, nellintroduzione a questo capitolo, allidea coltivata attorno

al 1945 da numerosi ricercatori, di realizzare un amplicatore a stato solido che
funzionasse in modo analogo ad una valvola termoionica (triodo o simile). Lidea
era cioè quella di controllare la corrente in un diodo al silicio, inserendo nella zona
di separazione tra la parte p e quella n, lanalogo di una griglia. Nel transistor
bipolare a giunzione, quale oggi lo conosciamo, si controlla la corrente che uisce tra
due zone di ugual drogaggio, mediante una corrente immessa in una sottile zona,
di drogaggio opposto, realizzata tra le prime due. Ciò è schematicamente mostrato
in gura 5.34, dove le due zone che rispettivamente emettono e ricevono la corrente
controllata dalla corrente Ig , sono di tipo n, mentre la zona che le separa, che svolge
il ruolo della griglia in un tubo a vuoto, è di tipo p.
E
I'
Ig
Figura 5.34: Struttura schematica di un transistor bipolare a giunzione. Sono indicate le zone
occupate dallemettitore (E), base (B) e collettore (C)
Un transistor bipolare è quindi un dispositivo che controlla una corrente mediante
unaltra corrente (molto piccola). Ciò lo dierenzia da un triodo, in cui è una
tensione (la tensione di griglia) a controllare la corrente che passa nel tubo.
Un transistor di questo tipo è detto npn. Esistono anche transistor pnp in
cui le polarità sono invertite. I simboli adoperati per i due tipi di transistor sono
mostrati in gura 5.35.
npn
C
pnp
IC
IC
IE
B
IB
E
IE
IB
Figura 5.35: Simboli adoperati per i transistor bipolari a giunzione. A sinistra: transistor npn;
a destra: transistor pnp
I terminali che rispettivamente emettono e raccolgono le cariche il cui usso

costituisce la corrente nel transistor sono detti rispettivamente di emettitore e
124
di collettore. Il terminale collegato alla zona intermedia è quello di base. In

un transistor npn la corrente è dovuta (principalmente) ad elettroni emessi dallemettitore e raccolti poi dal collettore. In un transistor pnp la corrente è dovuta
(principalmente) a lacune emesse dallemettitore e raccolte poi dal collettore. Tale
corrente è controllata dalla corrente immessa nella base. Il verso della corrente convenzionale (cioè di cariche positive) è, in entrambi i tipi di transistor, indicato dal
verso della freccia nella gamba di emettitore.
` possibile, con una semplice esperienza, mettere in evidenza lelevato guadagno
E
in corrente di un transistor. Il circuito, consistente in un transistor (meglio se ad
alto guadagno), una batteria da 9 V, una resistenza da 100 ed un LED, è mostrato
in gura 5.36.
LED
P
C
B
E
Figura 5.36: Schema di un semplice esperimento illustrativo del funzionamento di un transistor

bipolare a giunzione
Nella congurazione di gura, con il terminale di base non collegato, il LED

rimane spento essendo nulla la corrente nel transistor. Se ora stringiamo tra due
dita di una mano il terminale di base e tra due dita dellaltra mano il positivo
della batteria (punto P) il LED si accenderà. Ciò dimostra che è suciente la
piccolissima corrente (pochi A) che, attraverso il nostro corpo, uisce tra il positivo
della batteria, la giunzione base-emettitore e massa, per far passare nel transistor
una corrente (qualche mA) abbastanza elevata da far accendere il LED.
5.9.2
Struttura interna e funzionamento in zona attiva
La struttura interna del transistor bipolare è mostrata in gura 5.37, relativa ad una
transistor npn.
Come si vede, abbiamo due diodi contrapposti: quello emettitore-base e quello
base-collettore. Allequilibrio la distribuzione delle cariche, del campo elettrico e del
potenziale sono quelle mostrate nelle gure 5.38,5.39, 5.40.
Ammettiamo ora che la giunzione (diodo) emettitore-base sia polarizzata in modo
diretto e quella collettore-base in modo inverso, come mostrato in gura 5.41.
Il corrispondente andamento del potenziale è quello di gura 5.42.
Attraverso la prima delle giunzioni suddette, elettroni passeranno per diusione
dallemettitore nella base e lacune dalla base nellemettitore. Il transistor è però
costruito in modo che la concentrazione di lacune nella base sia molto pi`
u piccola
125
E
B
+
+
+
+
+
+
+
-p
-
C
-
+
+
+
+
+
+
+
Figura 5.37: Struttura schematica del transistor bipolare a giunzione (di tipo npn)
Figura 5.38: Distribuzione della carica in un transistor bipolare a giunzione non polarizzato
dellanaloga concentrazione di elettroni nellemettitore. Ne segue che la corrente

che attraversa il diodo emettitore-base è dovuta quasi esclusivamente ad elettroni
che dallemettitore passano nella base. Un ulteriore caratteristica del transistor è
costituita dal fatto che lo spessore della base è molto stretto. Ne segue che un
elettrone che dallemettitore passa nella base, ha una probabilità molto piccola di
esser catturato da una lacuna presente in tale zona. Indicheremo con (1 ) (con
vicino ad 1) la probabilità che ciò avvenga.
Un elettrone che non venga catturato, attraversa il piccolo spessore della base e,
giunto in corrispondenza della giunzione base-collettore (polarizzata inversamente)
è rapidamente accelerato verso il circuito di collettore. La probabilità che ciò accada
è . Il parametro è una caratteristica del dato transistor ed è in genere compreso
tra 0.9 e 0.99.
Se un elettrone è catturato da una lacuna in base, si avrà una diminuzione
della carica in tale regione (scomparsa di una lacuna). La batteria provvede però
a ripristinare tale carica immettendo una corrente nella base. Chiameremo IB tale
corrente di base. Poiche il numero di lacune che, in un dato tempo, catturano
126
Figura 5.39: Andamento del campo elettrico in un transistor bipolare a giunzione non
polarizzato
Figura 5.40: Andamento del potenziale in un transistor bipolare a giunzione non polarizzato
127
VBE
(n)
VCE
IE
(p)
(n)
IC
C
IB
Figura 5.41: Schema base di un transistor bipolare a giunzione npn polarizzato in zona attiva.
Sono indicate, oltre alle batterie che forniscono la polarizzazione, le correnti di collettore (IC ) di
base (IB ) e di emettitore (IE ), con i loro versi reali.
Figura 5.42: Andamento del potenziale in un transistor bipolare a giunzione npn polarizzato
in zona attiva.
elettroni è proporzionale ad 1 , avremo:

IB (1 ) IE
Analogamente, la corrente che uisce tra collettore e base, proporzionale al numero di elettroni che, immessi dallemettitore nella base, riescono a passare nel
circuito di collettore, sarà proporzionale ad :
IC IE
Occorre tener presente che alla corrente di collettore contribuisce anche quella
dovuta ai portatori minoritari (lacune) presenti nel collettore. Questi infatti sono
128
accelerati verso la base dal campo esistente in corrispondenza della giunzione basecollettore (polarizzata inversamente). Tale corrente è la corrente inversa nel diodo
base-collettore: I0 .
In denitiva, la corrente di collettore è data da:
IC = IC + I0 = I0 + IE
Con la convenzione per i segni delle correnti mostrata in gura 5.43, avremo
allora:
IC
IC
IB
IB
VCE
VCE
VBE
VBE
IE
(a)
IE
(b)
Figura 5.43: Schemi di polarizzazione per un transistor bipolare a giunzione che lavori in zona
attiva. VBE è la dierenza di potenziale tra base ed emettitore; VCE è la dierenza di potenziale
tra collettore ed emettitore
IB + IC = IE
Dalle due ultime equazioni si ottiene poi:
IC = I0 + IE = I0 + IB + IC
da cui:
1
IB +
I0
(5.33)
1
1
Il parametro /(1 ) è noto come il del transistor. Esso varia tra qualche
decina e qualche centinaio. La precedente equazione può quindi essere scritta nella
forma:
IC =
1
I0
(5.34)
1
In genere I0 è molto piccolo e può esser trascurato. Tuttavia và ricordato che
esso è moltiplicato per il fattore 1/(1 ) che, al pari di , varia tra qualche decina
e qualche centinaio. Inoltre I0 aumenta molto allaumentare della temperatura.
Esistono quindi delle circostanze in cui, per ottenere risultati precisi, occorre tener
conto di tale termine.
IC = IB +
129
Nel seguito useremo lequazione nella forma:

IC = IB
(5.35)
Questa ci dice che la corrente di collettore, se il transistor è polarizzato come

detto sopra (transistor in zona attiva) è una funzione lineare della corrente di base.
La corrente di emettitore dierisce di poco da quella di collettore:
IE = IC + IB = IC +
IC
IC
Essendo 1.
Notiamo che:
può variare molto tra un transistor e laltro, anche se i due transistor sono
nominalmente uguali;
varia al variare del punto di lavoro, cioè delle tensioni applicate al transistor;
varia al variare della temperatura.
Se una corrente variabile è inviata in base si avrà una corrispondente variazione
della corrente di collettore:
IC = IB + IB
IB
IB
In genere il termine /IB è piccolo, per cui, con la notazione adottata per le
grandezze variabili, avremo:
ic = ib
(5.36)
A rigore, se il termine /IB non può esser trascurato, occorre distinguere tra
il che compare nella (5.35), che è il fattore moltiplicativo tra corrente di base e
di collettore e quello che gura nella (5.36). Per motivi che vedremo in seguito,
il parametro che compare nella (5.35) è indicato con il simbolo: hF E . Il che
compare nella (5.36), riferito a grandezze variabili, è quindi indicato con pedici
minuscoli: hf e . Faremo spesso lapprossimazione:
hF E hf e
5.9.3
Caratteristiche duscita del transistor
La relazione tra corrente di emettitore e dierenza di potenziale VBE applicata tra

emettitore e base, è essenzialmente data dalla caratteristica del diodo: la corrente di
emettitore aumenta molto rapidamente allaumentare di VBE (con VB > VE per un
transistor npn polarizzato in zona attiva), in modo tale che VBE si stabilizzi attorno
a 0.7 Volt.
Di maggior interesse sono le cosiddette caratteristiche duscita, cioè le curve che
descrivono la dipendenza della corrente di collettore dalla dierenza di potenziale
130
VCE tra collettore ed emettitore. La curva che descrive tale dipendenza per un dato
transistor, dipende dal valore della corrente di base. Curve tipiche sono mostrate
in gura 5.44. Le curve corrispondono a valori diversi della corrente di base IB ,
crescente via che ci si sposta verso lalto.
Zona attiva
IC (m A)
Saturazione
160.
120.
80.
40.
Interdizione
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
V C E (V )
Figura 5.44: Caratteristiche duscita del transistor npn discusso nel testo. E` riportata IC in
funzione di VCE per diversi valori della corrente di base IB . Questi sono crescenti dal basso verso
lalto
In questa gura dobbiamo distinguere tre regioni:

(a) La zona attiva, cioè quella in cui le caratteristiche sono allincirca delle rette
orizzontali (in realtà, come si vede e come discuteremo pi`
u avanti, con una
piccola pendenza). In questa zona abbiamo una approssimata proporzionalità
tra corrente di base e corrente di collettore, come descritto dalla (5.35). Essa
è in genere scelta quando si voglia adoperare il transistor come amplicatore.
(b) La zona di interdizione, cioè quella in basso nel graco, dove IC = 0. Il
transistor sarà in questa zona se VBE V , con che il diodo emettitore base
è interdetto.
` bene precisare che ciò è vero no a che la giunzione base-collettore continua
E
ad esser polarizzata inversamente. Se cos` non fosse, se cioè la giunzione basecollettore fosse polarizzata direttamente e quella emettitore-base inversamente,
verrebbero semplicemente ad essere scambiati, rispetto al funzionamento in
zona attiva, i ruoli di emettitore e collettore. Si dice che allora il transistor
funziona in zona attiva inversa. In tali condizioni vale una relazione simile
5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor
131
alla (5.35), dove però adesso la corrente IC và sostituita da IE :

IE = R IB
dove R ( reverse) è, per costruzione, molto minore del che abbiamo
nora incontrato (che viene spesso chiamato F = forward).
(c) La zona a sinistra nel graco, dove la relazione di linearit`
a viene meno, è la
zona di saturazione. Questa è caratterizzata, come si vede dal graco, da
valori di IC molto pi`
u piccoli di quelli che si hanno, per la data corrente di
base, nella zona lineare. Cioè in tale zona è :
IC IB
(5.37)
Quando il transistor opera in saturazione, la dierenza di potenziale VCE è

molto piccola ( 0.2 V ). Inoltre, come si vede dalle caratteristiche, in tale
zona la corrente di collettore non dipende pi`
u dalla corrente di base. Si entra
in tale zona se sia la giunzione base-emettitore che quella base-collettore sono
polarizzate direttamente. La corrente di collettore in tale zona è dovuta alle
cariche minoritarie (lacune) presenti nel collettore, che passano in base.
5.10
Nomenclatura adoperata per diodi e transistor
I simboli adoperati per indicare i diversi tipi di diodi e transistor, seguono tre diverse convenzioni, note rispettivamente con i nomi di Pro-Electron, JEDEC (Joint
Electron Device Engineering Council) e JIS (Japanese Industrial Standard). Il primo di questi è lo Standard Europeo, il secondo quello Americano, lultimo quello
Giapponese. Il signicato dei simboli adoperati nei diversi sistemi è riassunto nella
tabella di gura 5.45 (Pro-Electron), 5.46 (JEDEC) e 5.47 (JIS).
Và detto per completezza che alcuni produttori adottano dei sistemi che non
rispettano alcuno di questi Standard. Ad esempio:
MJ = Motorola, transistor di potenza, custodia metallica;
MJE = Motorola, transistor di potenza, custodia in plastica;
MPS = Motorola, transistor di bassa potenza, custodia in plastica;
TIP = Texas Instruments, transistor di bassa potenza, custodia in plastica;
...........................
Nei cataloghi forniti dai produttori compaiono un gran numero di parametri che
caratterizzano un transistor. Nella tabella (5.2) elenchiamo i principali di questi
parametri, con una breve spiegazione del loro signicato.
132
VCEM ax
IC Max
hF E ()
PT otM ax
VCESat
Massima dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore

Massima corrente di collettore
Guadagno in corrente (in DC)
Massima potenza che il transistor può dissipare (data da VCE IC
Dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore
quando il transistor è in saturazione
Tabella 5.2:
Transistor and Diode Data

Part Numbers on Transistor & Diodes typically follow one of 3 conventions Pro-Electron, J
described below.
Pro-Electron
Form: two letters, [ optional letter], serial number,
Example: BC108A, BAW68, BF239
Serial number
Optional
1st Letter - specifies the
2nd Letter - specifies the type
of
semiconductor material device
3rd Letter
A
B
C
R
Germanium
Silicon
Gallium Arsenide
Compound Materials
The third The characters following

A Diode, low power or signal
letter
the first two letters form
B Diode, variable capacitance
indicates
serial number for the devi
C Transistor, audio frequency
low
that the
type. Those intended for
power
device is domestic use have a
D Transistor, audio frequency
intended forthree-figure number (100
power
industrial or
999), those intended for
E Diode, tunnel
commercial use normally
F Transistor, high frequency
professional
low
power
rather than have one letter and two
commercial figures (W10 Z99)
G Miscellaneous devices
applications.
H Diode, sensitive to magnetism
It is usually
L Transistor, high frequency
a W,X,Y or
power
Z.
N Photocoupler
P Light detector
Q Light emitter
R Switching device, low power
e.g. thyristor, diac, unijunction etc
S Transistor, low power switching
T Switching device power, e.g.
thyristor, triac, etc.
U Transistor, switching power
W Surface acoustic wave device
X Diode, multiplier, e.g. varactor
Y Diode, rectifying
Z Diode, voltage reference
Figura 5.45: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard P ro Electron
5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor
JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)

Form: digit, letter, serial number, [suffix]
Example: 2N2222A, 2N904
1st Number designates the type of
2nd
device
Number
The following figures denote the

Suffix Optional
device serial number
1 Diodes
2 Bipolar transistors
3 FET devices
4/5 OptoCoupler
Serial number of component A = low gain

B = medium
gai
yields no indication of function
or
C = high gain
spec.
Figura 5.46: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard JEDEC
Japanese Industrial Standard (JIS)

Form: digit, two letters, serial number, [suffix]
Example: 2SA1187, 2SB646
1st Number designates the
type of device
1 Diodes
2 Bipolar transistors
3 FET devices
2 Letters
SA:
SB:
SC:
SD:
SE:
SF:
SG:
SH:
SJ:
SK:
SM:
SQ:
SR:
SS:
ST:
SZ:
The
following
figures
denote the Suffix Optional
device
serial
number
Suffix indicates that

PNP HF transistor
Serial
PNP AF transistor
number of the type is approved fo
NPN HF transistor
component use by various
Japanese organisations
NPN AF transistor
Diodes
yields no
Thyristors
indication
Gunn devices
of function
UJT
or spec.
P-channel FET/MOSFET Since this
N-channel FET/MOSFET is a serial
Triac
number
LED
may
Rectifier
provide
Signal diodes
insight into
Avalanche diodes SV: Varicaps
date.
Zener diodes
Manufacturer Specific
Apart from JEDEC, JIS and Pro-electron, manufacturers often introduce their
own types, for commercial reasons (ie to get their name into the code) or to
emphasise that the range belongs to a specialist application.
Common brand specific prefixes are:
MJ: Motorolla power, metal case
MJE: Motorolla power, plastic case
MPS: Motorolla low power, plastic case
MRF: Motorolla HF, VHF and microwave transistor
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL: TI planar power transistor
TIS: TI small signal transistor (plastic case)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti
Examples-
ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
Figura 5.47: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard JIS
133
134
Capitolo 6
Transistor bipolari
6.1
Caratteristiche del transistor bipolare
Il transistor bipolare, quando usato nella zona attiva (cioè con VBE > V , VC > VB )
si comporta come amplicatore di corrente. Una piccola corrente iniettata in base
controlla una corrente molto maggiore che (in un transistor npn) attraversa il transistor nel verso collettore-base-emettitore, come mostrato in gura 6.1 (relativa alla
congurazione nota come emettitore comune o CE, in cui lemettitore è comune
alla maglia dingresso ed a quella duscita).
IC
IC
IB
IB
VCE
VCE
VBE
IE
VBE
(a)
IE
(b)
Figura 6.1: Transistor polarizzato nella congurazione emettitore-comune.

La batteria indicata con VCE fa si che il collettore sia polarizzato positivamente
rispetto allemettitore pi`
u di quanto la base sia polarizzata rispetto al medesimo
emettitore. Ciò assicura che VCB sia positivo.
Notiamo che il diodo emettitore-base, polarizzato direttamente, stabilirà una
dierenza di potenziale VBE allincirca uguale a 0.7 V (cioè al V del diodo) indipendentemente dalla corrente IB che entra in base1 . Questultima potrà variare, con
una conseguente variazione di IC , mentre VBE rimarrà praticamente costante.
1
In realt`
a, in presenza di segnale in base, VBE varia attorno al valore 0.6 0.7 V , come evidente
135
136
Capitolo 6. Transistor bipolari
A rigore quindi quello che abbiamo indicato con VBE non potrà essere un generatore (ideale) di tensione, poichè in tal caso VBE potrebbe esser maggiore di V , ma
al generatore VBE dovrà essere associata una resistenza.
Una congurazione pi`
u realistica (ma poco adoperata, come vedremo pi`
u avanti)
è quella di gura 6.2:
IC
Rc
IB
VCE
Rb
VB
IE
Figura 6.2: Transistor polarizzato in modo da lavorare come amplicatore, nella congurazione
emettitore-comune. Sono presenti la resistenza di collettore RC e quella di base RB . Questultima
fa s` che la corrente di base rimanga approssimativamente costante.
In questa congurazione avremo:

VBE = VB Rb IB
dove VBE 0.6 0.7 V . Se ad esempio ssiamo VB = 2 V , Rb = 28 k, avremo:
IB =
2 0.6
mA = 0.05 mA
28
Se ora il transistor avesse un guadagno in corrente hF E = = 100, la corrente

di collettore IC sarebbe uguale a 5 mA e quella di emettitore:
IE = IC + IB = 5.05 mA
Ammettendo che sia VCE = 10 V ed Rc = 1 k, la tensione sul collettore sarà:
VO = 10 5 = 5 V
Se ora aggiungessimo in serie a VB una tensione variabile (ad esempio sinusoidale), piccola rispetto a VB , ad esempio una tensione avente unampiezza di 0.5 V,
IB varierà tra:
2.5 0.6
mA = 0.068 mA
(IB )max =
28
e
1.5 0.6
(IB )min =
mA = 0.032 mA
28
proprio tale piccola variazione di VBE a causare la variazione di
dalle caratteristiche del diodo. E
corrente nel transistor.
6.1 Caratteristiche del transistor bipolare
137
con conseguenti variazioni di IC comprese tra:

(IC )max = 6.8 mA
e:
(IC )min = 3.2 mA
e di VO comprese tra:
(VO )max = (10 3.2) V = 6.8 V
e:
(VO )min = (10 6.8) V = 3.2 V
La variazione del segnale di tensione in uscita è:
VO = (VO )max (VO )min = 3.6 V
mentre quella del segnale di tensione in ingresso è:
Vi = 0.5 (0.5) V = 1 V
ed il guadagno in tensione:
GV =
VO
= 3.6
Vi
Dobbiamo osservare che quando il segnale applicato in ingresso aumenta, la tensione in uscita diminuisce (e viceversa). Abbiamo cioè a che fare con un amplicatore
invertente. Il valore ottenuto (3.6) è quindi il modulo di GV , che è negativo.
Notiamo che il numeratore nellespressione del guadagno dipende dal valore scelto
per Rc . Se Rc fosse 1.4 k anzichè 1 K, avremmo infatti:
(VO )max = (10 3.2 1.4) V = 5.52 V
e:
(VO )min = (10 6.8 1.4) V = 0.48 V
per cui:
GV =
VO
= 5.04
Vi
Osserviamo che, se cercassimo di aumentare ulteriormente il guadagno scegliendo un valore di Rc ancora pi`
u alto, la tensione sul collettore scenderebbe a valori
prossimi a zero o negativi. In tali condizioni il transistor non sarebbe pi`
u polarizzato
in zona attiva.
Prendiamo ad esempio Rc = 2.2 k. In assenza di segnale avremo IC = 5 mA e
quindi:
VC = 10 5 2.2 = (10 11) V = 1 V
In tali condizioni, la giunzione base-collettore viene ad essere polarizzata con una
tensione VB VC = VB VE + VE VC = 0.6 + 1 = 1.6 V . Vediamo che ora sia
138
Zona attiva
IC (m A )
Saturazione
160.
120.
80.
40.
Interdizione
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
V C E (V )
Figura 6.3: Caratteristiche di uscita del transistor bipolare.
Sono indicate la zona di
saturazione, quella di interdizione e quella attiva
la giunzione base-emettitore che quella base-collettore vengono ad essere polarizzate

direttamente. Il transistor in tale condizione è in saturazione.
Poichè entrambi i diodi si assesteranno con tensioni di circa V , avremo VC VE
0V.
La zona di saturazione è caratterizzata, come è possibile vedere sulle caratteristiche del transistor (gura 6.3), da valori di IB maggiori di quelli che, a parità di
IC , competono al medesimo transistor quando esso lavora in zona attiva.
Da un punto di vista pratico, un transistor può esser considerato in saturazione
se è:
IC
IB
Se la giunzione base-emettitore è polarizzata inversamente (cioè se VBE < V ),

il transistor è interdetto. Elettroni non uiscono pi`
u dallemettitore nella base
e di conseguenza la corrente nel transistor scende a valori prossimi a zero. In tali
condizioni, se la congurazione è quella CE, tutta la tensione applicata al collettore è
presente in uscita. Al contrario, come visto, se il transistor è in saturazione, VCE 0
(in realtà VCE 0.2 V ) e quindi VO
= (0 0.2)V .
Nei circuiti digitali il transistor viene spesso fatto lavorare nei due stati dinterdizione (VO VCC ) e di saturazione (VO 0 V ) che vengono associati rispettivamente allo stato logico 1 ed allo stato logico 0.
La gura 6.4 mostra un tipico schema in cui il transistor è adoperato come
amplicatore. Esso lavora quindi nella zona lineare delle caratteristiche.
La parte superiore della gura 6.5 mostra il segnale applicato in ingresso insieme
al segnale misurato ai capi di RL (uscita). La frequenza del segnale sinusoidale
6.1 Caratteristiche del transistor bipolare
139
applicato è 5 kHz e lampiezza 1 V . Come si vede, il segnale in uscita è invertito

rispetto a quello in ingresso ed ha unampiezza di circa 3.5 V. Il graco inferiore
nella gura mostra landamento della tensione misurata tra base ed emettitore.
12
V
3.8k Rc
50k R1
C2
C1
50mF
50mF
10k R2
Vin
100k
5kHz/1V
1k
RL
Re
Figura 6.4: Amplicatore a transistor bipolare nella congurazione emettitore-comune. Le

resistenze R1 ed R2 mantengono costante la tensione di base
Riassumendo quanto visto in questa sezione, un transistor può esser adoperato
come elemento di un circuito logico, nel qual caso esso vien fatto lavorare nello stato
di saturazione (dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore nulla) o dinterdizione (corrente di collettore nulla). Nel primo caso, mostrato in gura 6.6(a), la
tensione di collettore verrà ad essere uguale a circa (0.1 0.2 V ) ed il relativo stato
corrisponderà al livello logico basso. Nel secondo caso, illustrato in gura 6.6(b),
la tensione di collettore verrà ad essere uguale a quella di alimentazione ed il relativo
stato corrisponderà al livello logico alto.
Alternativamente, il transistor può esser adoperato come amplicatore. In tal
caso esistono tre diverse possibilità, che pi`
u avanti analizzeremo in dettaglio:
1. Nella congurazione emettitore comune o CE, mostrata nella parte in alto
a sinistra di gura 6.7, il transistor funziona da amplicatore (invertente) di
tensione, con un buon guadagno anche in corrente.
2. Nella congurazione base comune o CB, mostrata nella medesima gura, il
transistor funziona da amplicatore (non invertente) di tensione, con un basso
guadagno in corrente
3. Nella congurazione collettore comune o CC, anche nota come inseguitore
di emettitore (EF), in basso nella gura, il transistor ha un elevato guadagno
in corrente, ma nessun guadagno in tensione.
Luso del transistor come amplicatore sarà discusso nel capitolo 8. Quello come
elemento di circuiti logici nel capitolo 11. Nel resto di questo capitolo analizzeremo
140
6.0
(V)
4.0
2.0
0.0
-2.0
-4.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
3.0
4.0
5.0
t (ms)
700.0
VBE (mV)
680.0
660.0
640.0
620.0
600.0
0.0
1.0
2.0
t (ms)
Figura 6.5: Nel graco superiore la sinusoide tratteggiata mostra il segnale sinusoidale (ampiezza circa 1 V) applicato allingresso del transistor di gura 6.4.La sinusoide a tratto solido è il segnale
ai capi di RL . Il graco inferiore mostra landamento della tensione misurata tra base ed emettitore
i metodi comunemente adoperati per ssare il punto di lavoro del transistor, una
volta scelta la congurazione, nonche i circuiti equivalenti adoperati per calcolare
la risposta di un amplicatore a transistor a segnali variabili di piccola ampiezza.
Discuteremo anche alcuni particolari tipi di transistor e di combinazioni di transistor.
6.2
Il transistor in zona attiva
Come visto, in zona attiva la corrente di collettore è, in prima approssimazione,

legata alla corrente di base da una relazione lineare:
ic = ib
dove = hf e hF E , è il guadagno in corrente per piccoli segnali.
Adoperiamo le seguenti convenzioni:
ib = componente variabile della corrente di base;
(6.1)
6.2 Il transistor in zona attiva
141
Vcc
Vcc
R
Vout=0.2 V
IB
Vout=Vcc
Q
Transistor
in
saturazione
Transistor
in
interdizione
VBE<V
(a)
(b)
Figura 6.6: Il transistor bipolare come elemento di circuito logico. A sinistra vediamo il transistor in saturazione (uscita bassa=stato logico 0) ; a destra il medesimo transistor è in interdizione
(uscita alta=stato logico 1)
Vcc
Vcc
Rc
Rb
Rc
Vout
Vout
Vin
Re
Vin
Rb1
Rb2
(CE)
Vcc
(CB)
Rb
Vout
Vin
Re
(CC)
Figura 6.7: La congurazione in alto a sinistra mostra una tipica congurazione in cui il
transistor bipolare è adoperato nella congurazione emettitore-comune. Quella in alto a destra
è la congurazione base-comune. La congurazione in basso è quella collettore-comune o anche
inseguitore di emettitore
IB = componente continua (quiescente) della corrente di base;

iB = corrente di base totale iB = IB + ib .
con analoghi simboli per le correnti di collettore e di emettitore.
Analogamente per le tensioni:
vce = componente variabile della tensione collettore-emettitore;
142

VCE = componente continua della tensione collettore-emettitore;
vCE = tensione totale: vCE = VCE + vce .
Un circuito equivalente che descrive la relazione lineare 6.1 è quello indicato

in gura 6.8, relativo alla congurazione CE.
ib
ic
C
ib
Figura 6.8: Circuito equivalente semplicato per il transistor bipolare che lavora in zona attiva.
ib è un generatore dipendente di corrente
Nel circuito di gura sono indicati i terminali esterni di collettore, emettitore

e base ed è presente nella maglia duscita un generatore ideale di corrente ib (un
generatore dipendente, in cui appunto la corrente di maglia è funzione della corrente
presente nella maglia dingresso, ib ).
Il circuito equivalente disegnato è troppo grossolano, poichè esso non tiene conto
di alcune proprietà siche del transistor. Vediamo di esaminarle.
La prima cosa di cui dobbiamo tener conto è la resistenza associata al diodo
base- emettitore. Come sappiamo, un tale diodo ha una resistenza dierenziale
(denita come dv/di = re ) data da:
re =
VT
26
()
IE
IE (mA)
dove nel nostro caso IE è la corrente di emettitore. Guardiamo ora dentro la

base e chiediamoci quale sia la resistenza vista. In altre parole, immaginiamo che
una variazione di potenziale VB sia applicata alla base e misuriamo la conseguente
variazione IB della corrente. La resistenza vista guardando nella base è:
rb e =
vB
vB iE vB
=
=
iB
iE iB
iE
Ma ora vediamo che vB

= vBE , per cui:
rb e =
vBE
VT
= re =
iE
IE
Questa è quindi la resistenza vista guardando nella base.

In realtà, a questo termine, associato alla resistenza del diodo base-emettitore, cè
da aggiungere un ulteriore termine, indipendente da IE e da , dovuto alla resistenza
intrinseca della base. Questo termine, noto come la base spreading resistance ed
indicato con rbb , vale mediamente 100 . In denitiva quindi, la resistenza vista
6.2 Il transistor in zona attiva
143
guardando nella base è pari alla somma dei due termini: rb e +rbb . Per una corrente
IE tipica di 1 mA ed un di 100, vediamo che
rb e 100 25/1 = 2500
cioè è molto maggiore di rbb .
Il circuito equivalente disegnato in precedenza può, tenendo conto della resistenza
di base, esser ora modicato come mostrato in gura 6.9, dove abbiamo introdotto
un parametro hie = rb e + rbb .
ib
ic
C
hie
hfeib
hie=rb'e+rbb'
Figura 6.9: Circuito equivalente a parametri h del transistor adoperato in zona attiva, nella
congurazione emettitore-comune
Il range di valori che hie ed hf e assumono per un dato transistor è normalmente
fornito dai costruttori.
6.2.1
Leetto Early
Un ulteriore aspetto sico nel funzionamento del transistor deve a questo punto esser
preso in considerazione. Sappiamo che, in un transistor npn che lavora in zona attiva,
una frazione degli elettroni che dallemettitore entrano in base (con giunzione baseemettitore polarizzata direttamente) passa nel collettore (la giunzione base-collettore
è polarizzata inversamente). Una frazione (1 ) è catturata dalle lacune presenti
in base e contribuisce alla corrente di base. Notiamo che, essendo il drogaggio della
base non elevato e la larghezza della base stretta, il parametro è vicino ad 1. Il
del transistor, denito come: = /(1 ), sarà quindi elevato. Se un qualche
meccanismo interviene a ridurre la larghezza eettiva della base, diminuirà la
probabilità che un elettrone sia catturato nella base , diverrà ancora pi`
u vicino ad
1 e aumenterà ulteriormente. Ad esempio, se passa da 0.995 a 0.996, passerà
da 199 a 249. Una variazione di una parte su mille in si traduce in una variazione
del 25% in !
Un meccanismo che causa simili variazioni è presente nei transistor, per eetto
della polarizzazione inversa della giunzione base-collettore. Infatti, sappiamo che
leetto della polarizzazione inversa in un diodo è quello di un allargamento della
zona di svuotamento in prossimità della giunzione. Nel nostro caso, allaumentare
della tensione di collettore, aumenta la polarizzazione inversa della giunzione basecollettore e ciò causa un allargamento della zona di svuotamento nella base. Ciò
diminuisce la larghezza eettiva della base e diminuisce quindi la probabilità che un
elettrone immesso in base dallemettitore sia catturato da una lacuna; in altre parole
144
diminuisce la grandezza che abbiamo chiamato (1 ), ed aumenta e quindi .

In altri termini, il guadagno del transistor aumenta, con IB costante, allaumentare
di VCE . Ciò fa si che le caratteristiche duscita non siano delle rette orizzontali, ma
inclinate, come mostrato in gura 6.10.
Il meccanismo che abbiamo appena illustrato va sotto il nome di eetto Early.
I prolungamenti della parte rettilinea delle caratteristiche incontrano lasse VCE in
corrispondenza di un valore VA della tensione VCE , chiamata tensione Early, come
si vede in gura. Questa vale qualche centinaio di Volt.
200.
IC (mA)
160.
120.
VA
80.
40.
VA
0.0
0.
-4.
-4.
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
VCE (V)
Figura 6.10: Illustrazione delleetto Early: le caratteristiche di uscita del transistor convergono
verso un punto situato sullasse negativo VCE . Il valore VCE di tale punto è la tensione Early VA
Da unanalisi accurata del processo si trova che tale eetto pu`
o esser descritto
sostituendo alla (6.1) la seguente equazione:
ic = ib +
1
vce
ro
Questa corrisponde a sostituire il generatore ideale di corrente nel circuito duscita, con un generatore in parallelo ad una resistenza ro . Ciò è mostrato in gura 6.11.
La resistenza ro ha valori molto grandi (centinaia di k). Spesso è quotato il suo
inverso, hoe = 1/ro . Val la pena di menzionare che le sottoscritte e per i parametri
h stanno ad indicare che esse si riferiscono ala congurazione emettitore comune
(CE). La lettera h è liniziale di hybrid e sta a ricordare il fatto che i parametri
hie , hoe , hf e sono ibridi, nel senso che hanno dimensioni siche diverse: hie è una
resistenza, hoe una conduttanza, hf e è adimensionale.
Leetto Early ha una seconda conseguenza, nora ignorata: allaumentare della
polarizzazione inversa base-collettore si ha una diminuzione della larghezza eettiva
della base W e quindi una diminuzione della corrente di ricombinazione in base. Ciò
implica che, a parità di valori di VBE la corrente di base diminuisce allaumentare
di VCE (o, a parità di corrente di base, VBE aumenta). Vedi gura 6.12.
6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto)
145
ib
ic
C
hfeib
hie
ro
Figura 6.11: Modello a parametri h del transistor bipolare. Sono presenti i parametri hie ,
hoe =1/r0 ed hf e
1.0
1.
1V
IB (mA)
2V
VCE = 0V
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
500.
600.
700.
800.
VBE (mV)
Figura 6.12: Caratteristiche dingresso del transistor bipolare: corrente di base IB in funzione
di VBE , per valori diversi di VCE
Ciò può esser parametrizzato introducendo, un ulteriore parametro: un generatore di tensione nella maglia dingresso, che genera una tensione vb = hre vce
dipendente dalla tensione duscita.
Il circuito completo diventa ora quello di gura 6.13:
Valori tipici dei parametri ibridi nella congurazione emettitore comune sono:
hie 1 k , hre 104 , hf e 100 , hoe 105 1
6.3
Il modello a -ibrido (Giacoletto)
Il modello che va sotto il nome di Giacoletto è quello di gura 6.14. Questo non ha
il generatore di tensione gre vce , ma in esso leetto Early è descritto dalla resistenza
rb c che unisce il nodo interno alla base B con il collettore.
rbb è la resistenza presente tra il terminale della base ed il contatto ohmico
146
ib
ic
hie
hrevce
hfeib
vce
ro
Figura 6.13: Modello completo a parametri h ibridi del transistor bipolare

ib
ic
B' rb'c
rbb'
vb'e
rb'e
gmvb'e
rce
vce
-
Figura 6.14: Il modello di Giacoletto del transistor bipolare

interno alla base stessa; rb b è la resistenza presente tra il contatto ohmico interno
alla base e lemettitore.
Valori tipici dei parametri, a temperatura ambiente sono, per una corrente
quiescente IC = 1.3 mA:
rbb = 100 , rb e = 2 k , rb c = 20 M , rce = 200 k
Si può far vedere che la transconduttanza gm è funzione solo di |IC |; a temperatura ambiente:
|IC |(mA)
|IC |(mA)
=
gm =
(mA/V )
VT
26
che, per IC = 1.3 mA vale 50 mA/V .
Facciamo vedere ora che tutte le componenti resistive in questo modello possono
essere ottenute dai parametri h nella congurazione CE.
6.3.1
Conduttanza dingresso
Questa è gb e = 1/rb e . Dai valori numerici dati, si vede che rb c rb e . Quindi la
corrente di base ib uisce in rb e e:
vb e = ib rb e
6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto)
147
La corrente di collettore a circuito chiuso è data da:

ic = gm vb e gm ib rb e = hf e ib
da cui:
rb e =
hf e
hf e
VT
=
gm
|IC |
o anche:
gb e =
gm
hf e
notiamo che, nel range di correnti in cui hf e rimane costante, rb e è direttamente proporzionale alla temperatura ed inversamente proporzionale alla corrente
quiescente IC .
6.3.2
Conduttanza di feedback
Con linput a circuito aperto, hre è denito come il guadagno inverso di tensione.
Ponendo ib = 0 nel circuito a parametri h:
hre =
vb e
rb e
=
vce
(rb e + rb c )
da cui:
rb e (1 hre ) = hre rb c
poichè hre 1, con buona approssimazione si ha:
rb e = hre rb c
o:
gb c = hre gb e
poichè hre 104 , si vede che: rb c rb e .
6.3.3
Base-Spreading resistance
La resistenza dingresso con loutput in corto-circuito è hie . In queste condizioni rb e

è in parallelo con rb c . Poichè rb c rb e , ne segue che rb c rb e
= rb e , e quindi:
hie = rbb + rb e
rbb = hie rb e
facendo uso dellespressione ottenuta in precedenza per rb e , si ha che:
hie = rbb = hf e
poichè di solito rb e rbb .
VT
VT
hf e
|IC |
|IC |
148
6.3.4
Conduttanza duscita
Nel circuito a parametri h, la conduttanza duscita è hoe con linput a circuito aperto.
Per ib = 0 avremo allora:
ic =
vce
vce
+
+ gm vb e
rce rb c + rb e
con ib = 0 abbiamo vb e = hre vce , e dallequazione appena scritta si ha:

hoe =
ic
1
1
=
+
+ gm hre
vce
rce rb c
dove si è fatto uso del fatto che rb c rb e . Facendo ora uso del fatto che:
gm = hf e gb e
e che:
gb e =
gb c
hre
otteniamo:
hoe = gce + gb c + hf e gb e hre = gce + gb c +
hf e gb e gb c
gb e
cioè:
gce = hoe (1 + hf e ) gb c
Ad alte frequenze, i parametri h debbono esser considerati funzioni complesse della frequenza. Quindi il modello a parametri h non è utile ad analizzare amplicatori
di alta frequenza.
Si può tener conto del comportamento di un transistor ad alte frequenze, nellambito del modello a parametri -ibrido, come segue: viene aggiunta tra E e B
la capacità di diusione dellemettitore, e tra C e B la capacità di transizione del
collettore.
A basse frequenze è invece pi`
u conveniente usare il modello a parametri h.
6.4
La transconduttanza
Un modello che è spesso adoperato, in alternativa a quello a parametri h e che, a

basse frequenze, è equivalente a questo, è quello che fa uso della transconduttanza
gm . Questa è denita come:

iC
iC
gm =
=
vBE vCE VCEQ =cost.
vBE vce =0
dove vCE = costante implica che la parte variabile vce di vCE è stata cortocircuitata (idealmente con un condensatore di grossa capacità). Da questa si ottiene:
iC = gm vBE .
Il modello che fa uso della transconduttanza è simile a quello a -ibrido, con
leliminazione di rb c (legato alleetto Early). Il relativo diagramma è mostrato in
gura 6.15, dove v = vBE .
6.4 La transconduttanza
ib
149
ic
rb
+
v
gmv
ro
Figura 6.15: Modello del transistor bipolare che fa uso della transconduttanza gm
poichè è: v = r ib avremo:
ic = gm v = gm r ib
per cui vediamo che gm r corrisponde ad hf e nel modello a parametri h.
gm può esser calcolato a partire dalla corrente quiescente iC = ICQ . Infatti è:
iC = iE
da cui:
iC
gm =
vBE
dove la derivata
iE
vBE

vce =0
iE
=
vBE

vce =0
non è altro che la conduttanza dierenziale del diodo:

iE
IEQ IEQ
(1 )
= gD =
=
vBE
VT
26
per cui:
gm =
ICQ
IEQ
=
(1 )
26
26
Inoltre, la resistenza dingresso ri è uguale a:

ri = rb + r = hie
Vediamo in denitiva che, tra i parametri gm , rb , ed r del presente modello e
quelli del modello a parametri h, esistono le relazioni:
hie = rb + r
hf e = gm r
hoe = 1/ro
150
6.5
Le congurazioni base-comune e collettore comune
La congurazione che abbiamo n qui esaminato era quella in cui lemettitore era
comune al circuito dingresso ed a quello duscita (congurazione common-emitter o
CE). Il modello a parametri h in tale congurazione era caratterizzato dai parametri:
hie , hf e , hre , hoe
Le congurazioni base-comune (CB) e collettore comune (CC), schematicamente
indicate in gura 6.16 (a)-(b) (dove sono state omesse le resistenze di polarizzazione),
possono essere descritte facendo uso di un modello formalmente identico, con la sola
sostituzione dei parametri con la sottoscritta e, con altri parametri, aventi la
sottoscritta b (base comune o CB) o C (collettore comune o CC)
(a)
(b)
Out
In
In
Out
CC
CB
(a')
(b')
ie
ic
ib
ie
hib
hic
hrbvcb
hfbie
hob
vcb
ib
hrcvec
hfcib
hoc
ic
Figura 6.16: Congurazione base-comune (a) e collettore-comune (b) per lamplicatore a

transistor bipolare. In basso sono mostrati i relativi modelli a parametri h: (a) base-comune, (b)
collettore-comune
Esistono delle relazioni tra i parametri h nelle tre congurazioni. Cominciamo

con lesaminare la congurazione CB.
A tale scopo, scriviamo le relazioni tra correnti e tensioni nella congurazione
CE. Le convenzioni adoperate per i segni delle tensioni ed i versi delle correnti sono
quelle mostrate in gura 6.17
Le relazioni sono le seguenti:
ic = hf e ib + hoe vce
vbe = hie ib + hre vce
(6.2)
(6.3)
vec
6.5 Le congurazioni base-comune e collettore comune
151
+
ic
vcb
ib
+
vbe
ie
Figura 6.17: Convenzione adoperata nel testo per i segni di tensioni e correnti del transistor
Lanaloga relazione, nella congurazione base comune, con riferimento al circuito
equivalente mostrato in gura 6.16(a) è data dalle equazioni:
ic = hf b ie + vcb hob
veb = hib ie + hrb vcb
(6.4)
(6.5)
ie = ic + ib
vce = vcb + vbe
vbe = veb
(6.6)
(6.7)
(6.8)
dove occorre notare che:
A partire da tali relazioni è facile dimostrare le seguenti relazioni approssimate:

hie
1 + hf e
hf e
=
1 + hf e
hoe
=
1 + hf e
hib =
hf b
hob
hrb = hre +
(6.9)
(6.10)
(6.11)
hie hoe
1 + hf e
(6.12)
Per ottenere tali relazioni, sostituiamo nelle equazioni (6.2), (6.3) le (6.6), (6.7), (6.8):
ic = hf e ie hf e ic + vcb hoe veb hoe
vbe = veb = hie ie hie ic + hre vcb hre veb
152
dalla seconda di queste equazioni segue:

veb =
hie
hie
hre
ie +
ic
vcb
1 hre
1 hre
1 hre
(6.13)
mentre la prima fornisce:

ic (1 + hf e ) = hf e ie + vcb hoe veb hoe
(6.14)
sostituendo in questa lespressione di veb data dalla (6.13) otteniamo:
ic =
hf e + hie hoe /(1 hre )

hoe
vcb
ie +
1 + hf e + hie hoe /(1 hre )
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe
(6.15)
e, sostituendo questa nella (6.13):
veb =
hie
hie hoe hre (1 + hf e )
ie +
vcb
(6.16)
Confrontando le (6.15) e (6.16) con le (6.4), (6.5), otteniamo le relazioni che esprimono in modo esatto i parametri hib , hf b , hrb , hob :
hie
hf e (1 hre ) + hie hoe
=
hre (1 + hf e ) + hie hoe
=
hoe
=
hib =
(6.17)
hf b
(6.18)
hrb
hob
(6.19)
(6.20)
Poichè hre 1, queste sono, con ottima approssimazione:

hie
(1 + hf e ) + hie hoe
hf e + hie hoe
=
hre (1 + hf e )
hie hoe
=
+
(1 + hf e ) + hie hoe (1 + hf e ) + hie hoe
hoe
=
hib =
(6.21)
hf b
(6.22)
hrb
hob
(6.23)
(6.24)
poichè inoltre tipicamente è (1 + hf e ) hf e 100 mentre hie hoe

= 0.01, seguono
le relazioni approssimate (6.9) (6.12).
Passiamo ora ad esaminare la congurazione CC, per la quale, con le convenzioni
per le correnti e le dierenze di potenziale mostrate nelle gure 6.16(b) e 6.17,
lanalogo delle equazioni 6.2 e 6.3 sono:
6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor
ie = hf c ib hoc vec
vbc = hic ib + hrc vec
153
(6.25)
(6.26)
Per trovare le relazioni tra i parametri nelle congurazioni CC e CE, sostituiamo

nelle 6.2 e 6.3, le seguenti relazioni:
vce = vec
ie = ib + ic
Troviamo:
ie ib = hf e ib + hoe vce
vce vcb = hie ib + hre vce
(6.27)
(6.28)
ie = (hf e + 1) ib + hoe vce

vcb = hie ib + (hre 1) vce
(6.29)
(6.30)
ie = (hf e + 1) ib hoe vec

vbc = hie ib + (1 hre ) vec
(6.31)
(6.32)
cioè:
da cui:
Confrontando queste con le equazioni 6.25 e 6.26 troviamo la corrispondenza

cercata:
hic
hf c
hrc
hoc
6.6
=
=
=
=
hie
(hf e + 1)
1 hre
hoe
(6.33)
(6.34)
(6.35)
(6.36)
Circuiti di polarizzazione del transistor
Dallesame delle caratteristiche duscita del transistor è possibile, tenendo conto

della particolare applicazione voluta (amplicatore, adattatore dimpedenza etc.),
stabilire il punto di lavoro, cioè i valori quiescenti di IC , IB e VCE nel caso si voglia
adottare una congurazione CE. Fissati tali valori, occorrerà ssare un circuito di
polarizzazione, cioè un insieme di tensioni e resistenze opportune, tali da stabilire,
in assenza di segnale applicato, tali condizioni quiescenti.
Consideriamo come esempio quello di gura 6.18 ed ammettiamo di voler ssare
IC , IB e VCE a determinati valori quiescenti, che chiameremo ICQ , IBQ e VCEQ .
154
IC
IB
Rc
Rb
VCC
IE
Figura 6.18: Circuito di polarizzazione del transistor: corrente di base costante

Dallesame del circuito di base otteniamo:
VCC Rb IBQ = VBE
= 0.7 V
da cui:
Rb =
VCC VBE
IBQ
(6.37)
La scelta di VCC non è del tutto libera, poichè il circuito di collettore deve essere
scelto in modo tale che sia IC = ICQ ed inoltre Rc deve essere tale da fornire la retta
di carico voluta.
In eetti, dallanalisi del circuito di collettore otteniamo:
VCC Rc IC VCE = 0
(6.38)
che è lequazione della retta di carico (vedi gura 6.19)

Lintercetta della retta di carico con lasse VCE è pari a VCC , la pendenza è
1/Rc .
Ovviamente, la retta dovrà essere stata scelta in modo da passare per il punto
Q:
VCEQ = VCC Rc ICQ
In tal modo, ssati VCC ed Rc , Rb può essere ottenuto dalla (6.37).
Il circuito illustrato come esempio non è conveniente dal punto di vista pratico. Infatti in tale circuito il valore quiescente della corrente di base è sso e ciò
implica che la corrente di collettore IC = IB , dipenda dal del transistor. Poichè
questo cambia molto tra un transistor ed un altro del medesimo tipo, il circuito di
polarizzazione scelto non è molto conveniente. Potrebbe infatti accadere che, scelto
un punto di lavoro sulla base delle caratteristiche fornite dal costruttore, e ssata
quindi, con il circuito di polarizzazione in esame, una certa corrente di base IB , ad
essa corrisponda per il transistor che si sta realmente adoperando, un valore di IC
molto diverso dal valore di ICQ voluto.
Se il valore di ICQ sale, aumenta la caduta di potenziale ai capi di Rc e diminuisce
quindi la tensione sul collettore. Se laumento di ICQ è grande, si potrà arrivare ad
una situazione in cui il collettore è positivo rispetto alla base: il transistor andrà in
saturazione.
155
IC (mA)
VCC/Rc
200
150
ICQ
IB
100
50
-1/Rc
0.
0.0
1.0
VCEQ
2.0
3.0
4.0
5.0
Vce (V)
Figura 6.19: Transistor bipolare: caratteristiche duscita con sovrapposta la retta di carico. Q
indica il punto quiescente di lavoro
Conviene quindi, anzichè mantenere IB sso, fare in modo che siano ssi IC e
VCE .
Un secondo motivo per cui non è consigliabile tenere IB sso è la dipendenza di
IC , a parità di IB , dalla temperatura.
In eetti, la corrente di collettore ha anche un termine proporzionale alla corrente
inversa di saturazione ICO :
IC = IB + ( + 1)ICO
ne segue:
dIC
= + 1 100
dICO
e, poichè ICO raddoppia per ogni 10 o C di aumento della temperatura, avremo
tipicamente, per un tale aumento di temperatura:
IC = 2( + 1)ICO
dove ICO 10 nA a temperatura ambiente (per il silicio). Ne segue:
IC
= 200 10 106 mA = 2A
Anche se tale eetto è piccolo, esso può innescare un processo cumulativo: laumento di IC darà luogo ad un aumento di temperatura, che a sua volta farà aumentare IC . Il processo è noto come thermal runaway, ed esso può portare alla
distruzione del transistor o comunque a farlo lavorare fuori dalla zona attiva.
156
IC
R1
Rc
IB
VCC
B
R2
IE
Re
Figura 6.20: Amplicatore a transistor bipolare: circuito di polarizzazione a VB costante

Un circuito che ovvia a tali inconvenienti è quello di gura 6.20.
In questo circuito, se aumenta IC , aumenta anche IE e ciò causa una caduta
di potenziale ai capi di Re , cioè una diminuzione di VBE . Tale diminuzione di
VBE causerà una diminuzione della corrente di emettitore (e di base) e quindi una
diminuzione di IC . Questo è un tipico esempio di reazione negativa.
Per analizzare tale circuito, sostituiamo la parte di esso situata a sinistra della
linea BN con il suo equivalente di Thevenin (vedi gura 6.21).
IC
Rc
Rth
VCC
IE
Vth
Re
Figura 6.21: Amplicatore a transistor bipolare: circuito equivalente di quello a VB costante

di gura 6.20
con:
Rth =
R2
R1 R2
, Vth = VCC
R1 + R2
R1 + R2
Applicando il teorema di Kircho per le maglie al circuito di base, otteniamo:

Vth = IB Rth + VBE + (IB + IC )Re
=
IE
Rth + VBE + IE Re
+1
da cui:
IE =
Vth VBE
Re + Rth /( + 1)
(6.39)
157
Per far si che IE non risenta di variazioni nel valore di nè di cambiamenti di
temperatura, imponiamo i seguenti vincoli:
(a) Vth VBE
(b) Re Rth /( + 1)
la prima delle due condizioni fa si che piccole variazioni di VBE (attorno a 0.7 V)
siano trascurabili rispetto a Vth , che dominerà nel numeratore dellespressione di IE .
Tuttavia, Vth non può esser molto grande, poichè aumentando Vth dovrà aumentare
la tensione del collettore (per mantenere polarizzata inversamente la giunzione basecollettore) e ciò, a parità di VCC , diminuirà lescursione del segnale ai capi di Rc e
quindi il guadagno.
Un compromesso può esser raggiunto scegliendo Vth
= 1/3VCC , VCB
= VCE
=
1/3VCC e IC Rc = 1/3VCC .
La condizione (b) fa si che IE sia indipendente da . Tale condizione può esser
soddisfatta scegliendo Rth piccolo, cioè prendendo due resistenze R1 ed R2 di piccolo
valore. Tuttavia anche questa scelta ha degli inconvenienti. Se R1 ed R2 sono piccole,
avremo una notevole energia dissipata in esse per eetto Joule. Inoltre, la resistenza
dingresso Rin del circuito è il parallelo di quella del transistor e di Rth . Un piccolo
u gran parte dei
valore di Rth abbasserà quindi Rin , e ciò non è desiderabile nella pi`
casi. Ancora una volta dobbiamo raggiungere un compromesso. Notiamo a questo
riguardo che la condizione (b) può esser scritta:
( + 1)Re Rth
e che il termine a sinistra di questa equazione è la resistenza dingresso del
transistor con la resistenza Re sullemettitore. Il circuito dingresso può ora essere
ridisegnato come mostrato in gura 6.22.
VCC
R1
R2
Re(+1)
Figura 6.22: Circuito adoperato per il calcolo della tensione di base nella congurazione di
gura 6.21
Vediamo che, se Re ( + 1) è grande, la tensione di base VB sarà ssata dal

partitore R1 R2 . Quindi la condizione (b) equivale a richiedere un VB sso, e ciò
suggerisce che la corrente nella serie delle due resistenze R1 R2 sia grande rispetto
158
alla corrente che entra in base. Tipicamente, si sceglie R1 ed R2 in modo tale che la
corrente nella serie dei due sia nel range (0.1 IE IE ).
Vediamo ad esempio di calcolare i valori delle resistenze, se si ammette di adoperare una VCC = +12V ed IC = 1 mA. Si supponga = 100. Seguiamo la regola
stabilita in precedenza, cioè ammettiamo che 1/3 del potenziale si ritrovi ai capi di
Rc , 1/3 sia Vth ed il rimanente 1/3 sia la dierenza di potenziale VCB ( VCE ).
Avremo quindi:
Vth = 4 V
VE = Vth VBE = 4 VBE 3.3 V
Il valore di RE sarà allora dato da:
VE
= 3.3 k
IE
Avendo posto IE
= IC = 1 mA.
Fissiamo inoltre una corrente nel partitore (R1 R2 ) pari a 0.1 IE . Trascurando
la corrente di base avremo:
12
= 120 k
R1 + R2 =
0.1IE
ed:
R2
VCC = Vth = 4 V
R1 + R2
da cui otteniamo:
R1 = 80 k , R2 = 40 k
Inoltre la condizione che la caduta di tensione ai capi di Rc sia 1/3VCC ci dà:
Rc 1 mA = 4 V Rc = 4 k
Possiamo ora ottenere una valutazione pi`
u prossima al vero del valore di IE ,
tenendo conto della corrente di base, che nora abbiamo trascurato. Dalla relazione (6.39) otteniamo:
3.3
4 0.7
=
= 0.926 mA
IE =
3.3 + Rth /101
3.3 + 26.7/101
al posto del precedente valore IE = 1 mA.
Un sistema alternativo per polarizzare il transistor è quello di gura 6.23.
Dalla gura vediamo che:
IE
Rb + VBE
VCC = IE Rc + IB Rb + VBE = IE Rc +
+1
per cui la corrente di emettitore è:
VCC VBE
IE =
Rc + Rb /( + 1)
Perchè IE non dipenda da , scegliamo Rb /( + 1) Rc .
Dobbiamo però far ciò tenendo conto del fatto che il valore di Rb determina
lescursione del segnale sul collettore, poichè è:
Rb
VCB = IB Rb = IE
+1
IC+IB=IE
IB
Rc
159
VC=VBE+RBIB
IC
Rb
VCC
VBE
IE
Figura 6.23: Schema alternativo per la polarizzazione di un transistor adoperato come

amplicatore. Congurazione emettitore comune
6.6.1
Polarizzazione per mezzo di una sorgente di corrente

costante
Possiamo ssare la corrente IEQ ICQ inserendo un opportuno generatore di

corrente nella gamba di emettitore.
Lo schema di principio è quello indicato nella parte sinistra della gura 6.24.
Questo ha il vantaggio che ora la corrente di emettitore è indipendente dai valori
quindi possibile scegliere per Rb una resistenza di valore elevato,
di e di Rb . E
ottenendo in tal modo un circuito con elevata impedenza dingresso.
VCC
I
IC
Rc
IR
R
Q1
Q2
Rb
I
-VEE
Figura 6.24: Amplicatore a transistor bipolare nella congurazione CE: schema di polarizzazione tramite una sorgente costante di corrente. A sinistra è riportato lo schema generico,
a destra unimplementazione pratica del generatore di corrente costante tramite uno specchio di
corrente
Un circuito che realizza uno schema del tipo di quello indicato, è mostrato nella
parte destra della stessa gura. Questo genera la corrente costante I da utilizzare
nel circuito di emettitore dellamplicatore mostrato nella parte sinistra della gura.
160
Esaminiamo il comportamento di tale specchio di corrente, come è comunemente chiamato. I transistor Q1 e Q2 sono identici (sono realizzati con il medesimo
materiale e sul medesimo chip). Notiamo che Q1 è collegato a diodo, cioè ha il
collettore unito alla base. Con tale collegamento, la giunzione base-collettore è polarizzata inversamente (sarebbe polarizzata direttamente se fosse VB > VC ). I due
transistor hanno sia le basi che gli emettitori uniti insieme, quindi VBE1 = VBE2 e,
poichè i due transistor sono identici, essi avranno uguali correnti. La corrente I sarà
quindi uguale ad IR , con:
IR =
VCC + VEE VBE

R
(6.40)
Esempio: Ammettiamo che sia: VCC = 10 V , = 100, Rb = 100k, Rc = 7.5k,

I = 1 mA e calcoliamo VB , VE , VC . Ammettendo poi che sia VEE = 10 V , calcoliamo
il valore di R nel generatore di corrente.
VC può esser ottenuta dalla caduta di potenziale sulla resistenza Rc percorsa da
una corrente IC , dove:
IC = IE IB = IE
IC
IC =
IE = 0.99 mA
+1
Si ha quindi:
VC = 10 7.5 0.99 = 2.575 V
La corrente di base è: IB = IC / = 0.0099 mA, per cui la tensione di base è:
VB = 0 0.0099 100 = 0.99 V
= 1 V
La tensione di emettitore è:
VE = VB 0.7 = 1.7 V
Il valore di R nel generatore di corrente può esser ottenuto dalla (6.40):
I = 1 mA =
10 + 10 0.7
R
da cui:
R = 19.3 k
6.7
Transistor Darlington
Ricordiamo che due parametri importanti in un transistor bipolare a giunzione sono

il guadagno in corrente hf e e limpedenza di ingresso. Questultima è data, con
riferimento alla gura 6.25, da:
vbe
= rb + (hf e + 1)re
ib
dove re è la resistenza del diodo base-emettitore polarizzato direttamente, cioè:
rin hie =
re
25
ICQ (mA)
6.7 Transistor Darlington
161
C
ic
rb
ib
re
ie
E
Figura 6.25: Transistor bipolare! visualizzazione dei parametri rb ed re

pari a 2.5 se ICQ = 10 mA. con ciò:
hie = rin = rb + (hf e + 1)
25
ICQ (mA)
Se nel circuito di emettitore è inserita una resistenza Re , questa verrà ad essere

in serie ad re e la resistenza dingresso sarà ora:
rin = rb + (hf e + 1)(re + Re )
A volte rb ed re possono essere trascurate rispetto ad Re . Avremo allora:
rin
= (hf e + 1)Re
possibile realizzare transistor con valori di hf e ed hie molto maggiori, utilizE
zando coppie di transistor in cui lemettitore del primo è collegato alla base del
secondo. Tali transistor, noti come Darlington2 sono commercializzati da varie
ditte. Un esempio tipico è il 2N6285, che ha un guadagno in corrente di circa 2400,
con correnti di collettore di 10A. Lo schema pi`
u semplice di un transistor Darlington
è quello mostrato in gura 6.26.
Vediamo che la corrente di emettitore del primo transistor è la corrente di base
del secondo.
Il guadagno complessivo in corrente di questo sistema può esser calcolato facilmente:
ic
ic1 + ic2
ic1 ic2
ic2 ib2 ic1
hf e Ai
=
=
+
= hf e1 +
=
ib1
ib1
ib1 ib1
ib2 ic1 ib1
= hf e1 +
hf e2 hf e1
= hf e1 (1 + hf e2 )
1
poichè 1 1.
Se i due transistor sono caratterizzati da valori uguali di hf e , si ha, ponendo
hf e1 = hf e2 = hf et :
hf e h2f et
2
Dal nome del ricercatore, Sidney Darlington, che li invent`

o nel 1953.
162
ic=ic1+ic2
ic1
ib1
ic2
Q1
Q2
ie1=ib2
ie2
Figura 6.26: Schema base di un transistor Darlington

Vediamo quindi che il parametro hf e di questo transistor composito (che è noto come transistor Darlington) è allincirca uguale al quadrato dellhf e del singolo
transistor.
Possiamo ora far vedere che anche limpedenza dingresso risulta molto aumentata.
Guardando nella base di Q1 vediamo infatti unimpedenza pari a :
Ri = hie1 + (hf e1 + 1) hie2
con:
hie2
=
25
VT
=
IEQ2 (mA)
IEQ2 (mA)
Notiamo che, essendo le correnti nei due transistor molto diverse, saranno parimenti diversi i loro parametri hie .
Segue:
VT
VT
+ (hf e1 + 1)(hf e2 + 1)
=
IEQ1
IEQ2

1
VT IEQ2
= (hf e1 + 1)
+ (hf e2 + 1)
+ (hf e2 + 1)
IEQ2
IEQ2 IEQ1
Ri = (hf e1 + 1)

= (hf e1 + 1) VT
1
IEQ1
Le correnti nei due transistor sono nel rapporto:

IEQ2
= (hf e2 + 1)
IEQ1
per cui:
Ri = 2(hf e1 + 1)(hf e2 + 1)
VT
IEQ2
Vediamo quindi che limpedenza dingresso complessiva è maggiore di quella del

singolo transistor di un fattore 2(hf e + 1).
Notiamo che un transistor Darlington ha un valore di VBE che è il doppio di quello
di un normale transistor. Nelluso in un circuito digitale, un transistor di questo tipo
6.7 Transistor Darlington
163
ha lulteriore inconveniente che il VCE della coppia, quando questa è in saturazione,

è uguale a VCE1 + VBE2 0.2 + 0.8 = 1 V . Inoltre, un transistor Darlington come lo
abbiamo disegnato è intrinsecamente lento, sopratutto se adoperato come elemento
di un circuito digitale. Infatti Q1 non può mandare rapidamente in interdizione Q2 3 .
Per ovviare a tale limitazione si modica la congurazione indicata sopra, inserendo
una resistenza tra la base e lemettitore di Q2 , come mostrato in gura 6.27.
ic=ic1+ic2
ic1
ib1
ic2
Q1
ie1
Q2
ib2
Rb
ie2
iR
Figura 6.27: Schema base alternativo di un transistor Darlington

Ora avremo:
0.7
Rb
da cui si vede che scegliendo opportunamente Rb si può ottenere un valore
conveniente per ie1 , a partire dal valore minimo di ib2 .
Vediamo come si modichino ora i valori di Ri e di hf e del sistema. Notiamo che
ora Rb è in parallelo con hie2 , con che limpedenza dingresso del circuito sarà:
ie1 = ib2 + iR = ib2 +
Ri = hie1 + (hf e1 + 1)(Rb hie2 )

Vediamo che ora limpedenza dingresso è minore di quella del caso precedente.
Calcoliamo ora il guadagno in corrente. Abbiamo:
ic = ic1 + ic2 = hf e1 ib1 + hf e2 ib2
con:
ib2 = ie1
Rb
Rb
= (hf e1 + 1)ib1
Rb + hie2
Rb + hie2
In denitiva otterremo:
ic = hf e1 ib1 + hf e2 (hf e1 + 1)ib1
3
Rb
Rb + hie2
Ricordiamo che, se Q2 è in saturazione, perchè esso possa uscirne deve liberarsi delle cariche
accumulate in base. Ciò non pu`
o facilmente avvenire attraverso lemettitore di Q1 .
164
da cui:
ic
Rb
= hf e1 + hf e2 (hf e1 + 1)
ib1
Rb + hie2
= hf e2 = hf e , questa diventa:
Ai =
Nel caso in cui sia hf e1
Ai = hf e + hf e (hf e + 1)
Rb
Rb
= h2f e
Rb + hie2
Rb + hie2
Vediamo quindi che anche il guadagno in corrente è inferiore a quello della

congurazione in cui la resistenza Rb era assente.
Transistor Darlington sono disponibili in commercio come oggetti singoli, dove
è normalmente inclusa la resistenza R. La gura 6.28 illustra le caratteristiche del
transistor Darlington 2N7052 della Fairchild. Si noti la dipendenza delle caratteristiche dalla temperatura, nonchè il fatto che il guadagno a temperatura ambiente è
dellordine di 30,000 per correnti di collettore no a centinaia di mA.
6.8
Specchi di corrente
Cominciamo con lesaminare la congurazione mostrata in gura 6.29, in cui un

transistor npn è montato con base e collettore uniti insieme.
facile vedere che ora il transistor si comporta come un diodo. Infatti, la
E
polarizzazione è tale che la giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente,
mentre quella base-collettore è polarizzata inversamente4 .
La dierenza di potenziale tra base ed emettitore sarà quella (VBE ) di un diodo
polarizzato direttamente. La corrente in R sarà quindi:
IR =
VCC VBE
R
con:
IR = IC + IB = IC (1 +
1
1+
) = IC
Segue da questa:
IC =
VCC VBE
IR =
IR
1+
1+
R
Vediamo cos` che la corrente IR (e cos` IC ) è determinata da VCC e dal VBE del
transistor (oltre che da R).
Esaminiamo ora la congurazione mostrata in gura 6.30, dove ammettiamo che
i due transistor siano identici:
Il transistor Q1 fa passare una corrente in R data da:
IR =
VCC VBE1
R
Essendo VBE1 = VBE2 VBE ed i due transistor identici, avremo che la corrente
nel secondo transistor sarà uguale a quella del primo, indipendentemente dal valore
di Z.
4
La giunzione base-collettore sarebbe polarizzata direttamente se fosse VC > VB .
6.8 Specchi di corrente
165
Electrical Characteristics
Symbol
TA = 25C unless otherwise noted
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
100
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100 A, IE = 0
100
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 1.0 mA, IC = 0
12
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 80 V, IE = 0
0.1
ICES
Collector-Cutoff Current
VCE = 80 V, IE = 0
0.2
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 7.0 V, IC = 0
0.1
20,000
1.5
2.0
V
A
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
NPN Darlington Transistor
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V

IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VBE = 5.0 V
10,000
1,000
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

FT
Transition Frequency
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V,
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V,f = 1.0 MHz 2N7052

2N7053
200
MHz
10
8.0
pF
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 1.0%
Typical Pulsed Current Gain

vs Collector Current
100
80
60
40
20
0
0.001
125 C
25 C
- 40C
0.01
0.1
IC - COLLECTOR CURRENT (A)
VCESAT- COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)
h FE - TYPICAL PULSED CURRENT GAIN (K)
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
2
= 1000
1.6
1.2
- 40C
0.8
25 C
125 C
0.4
0
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
Figura 6.28: Caratteristiche di un tipico transistor Darlington

come se il primo transistor programmasse la corrente che circolerà nel secondo.
E
Pi`
u esattamente avremo:

2
IR = IC + IB1 + IB2 = IC 1 +
con:
IR =
VCC VBE
R
166
VCC
IR
IB
Figura 6.29: Transistor bipolare montato in modo da funzionare come diodo

+VCC
IR
IB
VCC
IC2
IC1
Q1
Q2
IB1
IB2
Figura 6.30: Specchio di corrente a transistor bipolare

per cui la corrente nel carico Z sarà:
IZ = IC =
VCC VBE
VCC VBE
+2
R
R
essendo 1.
In realtà, la corrente IC2 , cioè la corrente nel carico Z, non sarà rigorosamente
uguale a questo valore, a causa delleetto Early. Ricordiamo infatti che il circuito duscita di un transistor in congurazione di emettitore comune può esser
schematizzato come mostrato in gura 6.31, dove è:
ro =
1
VA
=
(VA = Tensione di Early)
hoe
IC
La presenza di ro , o meglio il fatto che ro non sia innitamente grande, è legata allandamento leggermente crescente delle caratteristiche duscita del transistor,
167
C
hFEIB
ro=1/hoe
Figura 6.31: Conseguenza delleetto Early sulla corrente nel carico di gura 6.30
150.
IC (mA)
pendenza=1/r0
100.
50.
0.
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Vce (V)
Figura 6.32: Transistor bipolare: caratteristica duscita che illustra leetto Early
La parte rettilinea della caratteristica interseca lasse IC = 0 in VCE = VA
(tensione di Early). Ciò fa si che al variare di VCE2 nel nostro specchio di corrente,
IC2 non rimanga esattamente uguale ad IC1 , ma aumenti allaumentare di VCE2 , cioè
cambi al cambiare del carico Z.
Lo specchio di corrente appena esaminato può esser esteso a comprendere pi`
u
transistor. In tal modo, la corrente che passa in un transistor può pilotare le
correnti in un numero di carichi diversi. Ciò è indicato in gura 6.33.
Q0 è il transistor che pilota gli altri. Le correnti I1 , I2 , I3 saranno, a meno di
deviazioni legate alleetto Early, uguali alla corrente IC0 = IR .
Si possono anche realizzare specchi multipli di corrente simili a quello appena
descritto, con correnti I1 , I2 , I3 , diverse luna dallaltra, in rapporti pressati.
Ciò viene ottenuto utilizzando, in un integrato, transistor Q1 , Q2 , Q3 , , aventi
168
VCC
I1
Q0
Z1
I2
Q1
Z2
I3
Z3
Q3
Q2
Figura 6.33: Specchio multiplo di corrente

aree della giunzione di emettitore diverse luna dallaltra.
Un metodo alternativo per programmare una corrente I1 minore di quella nel
transistor pilota Q0 , è costituito dal cosiddetto specchio di Widlar. Questo differisce dal normale specchio di corrente per linserimento di una resistenza nota
sullemettitore del transistor Q1 , come mostrato in gura 6.34
+VCC
IR
R
IB
VCC
IC1
IC0
IB0
IB1
Q0
Q1
VBE0
VBE1
Re
Figura 6.34: Generatore di corrente costante di Widlar

La presenza in tale circuito di Re , fa si che VBE0 sia diverso da VBE1 e quindi
che IC1 = IC0 . Si ha infatti:
VBE0 = VBE1 + Re (IC1 + IB1 )
da cui segue:
VBE VBE0 VBE1 = Re (IB1 + IC1 )
169
Ricordando che:
IC0
= eVBE /VT
IC1
per cui:

VBE = VT ln
si ha:
VBE
Re =
= VT ln
IB1 + IC1
IC0
IC1
IC0
IC1
1
IB1 + IC1
cioè:
V
T
ln
Re =
1
IC1 1 +
IC0
IC1

(6.41)
Essendo poi:

VCC VBE0
1
IC1
= IC0 + IB0 + IB1 = IC0 1 +
IR =
+
R
dove si desidera che sia IC1 < IC0 , con che il termine IC1 / (con 1) può
esser trascurato.
Si ha quindi nuovamente:
IC0 =
VCC VBE0
IR =
1+
1+
R
Fissati IC0 ed IC1 si calcola R da questultima e poi Re dalla (6.41).

Esaminiamo ora limpedenza duscita del generatore di corrente di Widlar, per
segnali variabili di piccola ampiezza. Questa può esser calcolata facendo uso del
circuito equivalente di gura 6.35.
ib1
ic1
B1
hie
R's
hfeib1
C1
1/hoe
E1
vc1
Re
Figura 6.35: Generatore di corrente costante di Widlar: circuito adoperato per il calcolo della
corrente
dove Rs è il parallelo di R e dellimpedenza duscita di Q0 . Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di applicare ai terminali duscita una corrente ic1 e
calcoliamo la tensione vc1 .
170
1
(ic1 hf e ib1 ) + RP ic1
hoe
vc1 =
dove:
(6.42)
RP = Re (Rs + hie )
Trascurando il secondo termine nella (6.42) rispetto al primo (che prevale a causa
del coeciente 1/hoe ) si ottiene:
vc1 =
1
(ic1 hf e ib1 )
hoe
(6.43)
La maglia di sinistra dà poi:

ib1 (hie + Rs ) + Re (ib1 + ic1 ) = 0
da cui:
ib1 (hie + Rs + Re ) = Re ic1

ic1
ib1 = Re
hie + Rs + Re
Sostituendo questa nella (6.42) si ha:

1
hf e Re
1+
ic1
vc1 =
hoe
hie + Rs + Re
e quindi limpedenza duscita sarà:
vc1
1
=
RO
ic1
hoe
hf e Re
1+
hie + Rs + Re
Se è inoltre Re (hie + Rs ), si ha:

1 + hf e
RO
=
hoe
cioè la resistenza duscita è (1 + hf e ) volte maggiore di quella del singolo transistor.
Uno specchio di corrente in cui leetto Early non può dar noia è costituito dal
cosiddetto specchio di Wilson, mostrato in gura 6.36(a).
Notiamo che ora base e collettore di Q1 sono ad un potenziale VBE rispetto a
massa. Di conseguenza la base di Q2 è ad un potenziale 2 VBE rispetto a massa.
Essendo la base di Q2 unita al collettore di Q0 , ne segue che VCE0 = 2 VBE =costante.
In Q0 ora non si ha eetto Early, essendo stato ssato VCE0 . Daltronde, la corrente
nel carico è uguale a quella in Q1 , che è uguale a quella in Q0 e quindi è ssata una
volta stabiliti i valori di VCC e di R.
Si può dimostrare che IC vale:
IC =
2 + 2
IR
2 + 2 + 2
con:
IR =
VCC 2VBE
R
171
(a)
(b)
+VCC
+VCC
Z
Q2
VCC
VBE
Q0
IC
Q1
VBE
Q0
Q2
Q1
I1
Figura 6.36: Il circuito mostrato in (a) è un generatore di corrente costante di Wilson che
utilizza transistor npn. In (b): generatore di corrente costante di Wilson che utilizza transistor
pnp
e quindi:
IC IR =
2IR
+ 2 + 2
|IC IR |
2
1%
= 2
IR
+ 2 + 2
Gli specchi di corrente n qui esaminati utilizzavano transistor (npn). In tali
circuiti il carico era situato tra collettore e alimentazione. Utilizzando transistor pnp
si può facilmente ottenere dei circuiti con carico a massa. Ad esempio, lo specchio
di corrente di Wilson può esser realizzato con transistor pnp, come mostrato in
gura 6.36(b).
172
Capitolo 7
Il modello di Ebers-Moll per i

transistor bipolari
7.1
Basi del modello
Il modello a parametri h del transistor bipolare, o equivalentemente il modello a ,

sono utilizzabili per calcolare le principali proprietà (guadagno in corrente, resistenza
dingresso etc.) di amplicatori a transistor. Nella pi`
u gran parte dei casi, in tali
applicazioni, i transistor lavorano in zona attiva. Un modello che schematizza il
funzionamento del transistor in una qualsivoglia delle zone di funzionamento (zona
attiva diretta, attiva inversa, saturazione, interdizione) è quello proposto da Ebers e
Moll nel 1954, successivamente perfezionato da altri ed ampiamente adoperato per
simulare al computer il comportamento del transistor 1
Le equazioni di Ebers-Moll hanno inoltre il vantaggio di esser costruite a partire dai principi sici su cui è basato il comportamento del transistor. Se infatti
indichiamo le correnti e tensioni nel transistor, facendo uso della notazione di gura 7.1, e ricordiamo che la corrente di collettore IC è una frazione della corrente di
emettitore: IC = D IE avremo reso conto, approssimativamente, del funzionamento
del transistor in zona attiva. Si noti che abbiamo chiamato D il parametro , per
indicare che intendiamo riferirci al funzionamento diretto (cioè nella normale zona
attiva, con VBE > 0 e VBC < 0).
Ricordiamo ora che in zona attiva contribuisce alla corrente di collettore anche
la corrente inversa di saturazione ICO , dovuta alle cariche minoritarie (positive in un
transistor npn) presenti nel collettore, accelerate verso la base (e poi lemettitore)
dalla polarizzazione inversa della giunzione base-collettore. A rigore dovremo quindi
esprimere la corrente di collettore come:
IC = D IE + ICO
Risulta pi`
u conveniente esprimere il secondo termine a secondo membro, nella
forma completa che caratterizza un diodo (la giunzione base-collettore) polarizzato
inversamente:

ICO ICO eVBC /VT 1
1
Questo è adoperato ad esempio nel programma di simulazione SPICE; dove peraltro è

possibile scegliere modelli pi`
u avanzati, quali quello di Gummel-Poon o altri.
173
174
Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari
BC -
B
I
+
+
V
BE
Figura 7.1: Simboli adoperati per correnti e tensioni nella discussione del modello di Ebers-Moll
che, nella zona di funzionamento attualmente in esame (VBC < 0 e |VBC | VT )
coincide con +ICO .
Il vantaggio di esprimere in tal modo il secondo termine è nel fatto che tale
espressione è pi`
u generale. Essa renderà conto del funzionamento del transistor
anche se la giunzione base-collettore è polarizzata direttamente. Scriveremo quindi:

IC = D IE ICO eVBC /VT 1
(7.1)
Ammettiamo ora che sia la giunzione base-emettitore che quella base-collettore
siano polarizzate inversamente. Lespressione precedente (scritta per VBC negativo,
e |VBC | VT ):
IC = D IE + ICO
deve fornire, essendo con tali polarizzazioni il transistor interdetto, valori pressochè nulli per le correnti IC ed IE . Ciò è possibile se, accanto allequazione (7.1),
introduciamo una seconda equazione che fornisca IE in funzione di VBC , VBE ed IC .
Il punto di partenza per costruire tale equazione è lequazione che lega la corrente
nel diodo base-emettitore alla dierenza di potenziale VBE :

IE = IEO eVBE /VT 1
Se il diodo è polarizzato direttamente (VBE > V ), questa fornirà correttamente
il valore della corrente IE da adoperare nella (7.1).
Se il diodo è polarizzato inversamente avremo: IE = IEO , cioè un contributo
molto piccolo alla corrente (corrente inversa di saturazione della giunzione baseemettitore). Notiamo tuttavia che, con VBE negativo, un ulteriore contributo alla
corrente IE può venire se la giunzione base-collettore è polarizzata direttamente.
Infatti, in tali condizioni, il collettore immetterebbe elettroni nella base e questi, o
meglio una frazione R di questi, passerebbero poi nellemettitore2 .
2
Il parametro R è lanalogo del parametro D che compare quando il transistor lavora in zona
attiva diretta. Nelle condizioni ora in esame diremo che il transistor lavora in zona attiva inversa
(la sottoscritta R sta per reverse). In genere è R D
7.1 Basi del modello
175
In termini della corrente, potremo dire che una frazione R della corrente di
collettore, passa nellemettitore:
IE = R IC
a questa va poi sommata la corrente (IEO ) inversa di saturazione che, con VBE <
0, uisce tra emettitore a base:
IE = R IC IEO
Inne, riscriviamo il secondo termine a secondo membro nel modo generale
appropriato per un diodo, ottenendo:

IE = R IC + IEO eVBE /VT 1
(7.2)
Le (7.1) e (7.2) sono le equazioni di Ebers-Moll. Il primo dei termini a secondo
membro di ciascuna delle due equazioni rappresenta la componente di transistor
della relativa corrente; il secondo la componente di diodo. Le due equazioni
rendono conto del funzionamento del transistor in una qualsivoglia delle zone di
funzionamento.
facile vericare come da queste equazioni sia possibile ricavare le correnti in
E
funzione delle tensioni:
IE =
V /V

IEO
R ICO VBC /VT
e BE T 1
e
1
1 D R
1 D R
(7.3)
IC =

V /V
D IEO VBE /VT
ICO
1
e
e BC T 1
1 D R
1 D R
(7.4)
Possiamo anche ricavare le tensioni ai capi delle giunzioni in funzione delle

correnti:

IE R IC
(7.5)
VBE = VT ln 1
IEO

IC D IE
(7.6)
VBC = VT ln 1
ICO
I parametri sici D , R , IEO , ICO non sono indipendenti; essi sono legati tra
loro da:
D IEO = R ICO
Abbiamo già incontrato il parametro del transistor, pari al rapporto tra IC ed
IB in zona attiva. Anche ora possiamo denire = hF E come:
hF E =
IC
IB
e, per la componente variabile:

hf e =
IC
IB
176
Entrambi questi parametri possono esser espressi in funzione dei coecienti presenti nelle equazioni di Ebers-Moll. Infatti, in zona attiva, con VBC < 0 e |VBC VT ,
la (7.1) diventa:
IC = D IE + ICO
e, poichè IE = IB + IC :
IC = D IB + D IC + ICO
da cui:
IC =
D
ICO
ICO
IB +
= hF E IB +
1 D
1 D
1 D
e, per hf e , essendo in genere ICO piccolo:

hf e =
IC
D
hF E
IB
1 D
Ad esempio, per D = 0.98 si ha hF E hf e 50.

Quando il transistor funziona in modo inverso, il ruolo dellemettitore e del collettore vengono ad essere scambiati, ed IC sostituisce IE (e viceversa). Occorrerà
ora far uso dellequazione (7.2):
IE = R IC IE0
dove IC = IE IB , per cui:
IE = R IE R IB IE0
e quindi:
IE =
R
IE0
IB
1 R
1 R
per cui:
hF C
IE
R
=
IB
1 R
Dove la sottoscritta C in hF C stà ad indicare che ora, con i ruoli di emettitore e

collettore scambiati, la congurazione è di collettore comune.
Si noti che ora IE è negativo, rispetto alla convenzione adottata in precedenza
per i versi delle correnti.
In genere R è molto diverso da D . Valori tipici sono:
R 0.01 0.2 hF C 0.01 0.25
Cioè il guadagno in corrente nel modo attivo-inverso è molto minore di quello relativo al modo attivo-diretto. Il transistor, a causa dei dettagli costruttivi (drogaggio
di base, emettitore e collettore; dimensioni siche delle giunzioni) non è simmetrico
per scambio emettitore-collettore.
7.2 Il transistor in interdizione
7.2
177
Il transistor in interdizione
Se la tensione tra base ed emettitore non è sucientemente elevata da polarizzare

direttamente la relativa giunzione, la corrente di emettitore si riduce a zero. Se
inoltre anche la giunzione di collettore è polarizzata inversamente, con VBC VT ,
la IE può esser ottenuta dallequazione (7.3):
IE =
V /V

IE0
R IC0
e BE T 1 +
1 D R
1 D R
e, facendo uso della relazione:

D IE0 = R IC0
si trova:
IE =
V /V

IE0
e BE T + D 1
1 D R
dove D 1, per cui:

IE =
IE0 VBE /VT

e
1 R
che, con R nel range di valori (0.01 0.2), ci dà:

IE
= (1 1.25) IE0 eVBE /VT
Come nel caso di un diodo, IE diverrà apprezzabile solo per VBE 0.6 V .
7.3
Il transistor in saturazione
Consideriamo il montaggio di gura 7.2, con il transistor che lavora in zona attiva.
IC
RL
rs
Vs
IE
Vcc
Figura 7.2: Congurazione emettitore-comune per un transistor npn

In tali condizioni la corrente di base sarà tale che la corrispondente corrente di
collettore IC provoca in RL una caduta di potenziale molto minore di VCC . In tali
178
condizioni, mentre la giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente, quella

base-collettore è polarizzata inversamente.
Se si aumenta ora la corrente di base, si avrà un conseguente aumento della
corrente di collettore, un aumento della caduta di potenziale in RL ed in denitiva
un minor valore di VC , e quindi di VCE . Aumentando ulteriormente la corrente di
base si potrà raggiungere un punto tale che la dierenza di potenziale base-collettore
cambi segno, cioè la giunzione venga ad esser polarizzata direttamente (cioè nel verso
tale da sfavorire il usso delle cariche di minoranza elettroni presenti nella base,
verso il collettore).
Notiamo che la giunzione base-emettitore continua ad iniettare elettroni nella
base (cioè corrente nellemettitore), ma questi elettroni non possono pi`
u esser raccolti
dal circuito di collettore, a causa della polarizzazione della giunzione base-collettore.
In tali condizioni si dice che il transistor è entrato in saturazione. Avremo una
elevata corrente di base, una elevata corrente di emettitore ma una piccola corrente
di collettore. Il rapporto IC /IB , che è uguale ad una costante (hF E ) in zona attiva,
diviene ora molto minore di hF E . Possiamo allora scegliere quale parametro che
misura il grado di saturazione, il rapporto:
=
IC
hF E IB
che deve essere uguale ad 1 in zona attiva diretta.

Poichè la saturazione implica una polarizzazione diretta (o comunque non inversa) della giunzione base-collettore, ci si deve aspettare un legame tra e VBC e, di
conseguenza, tra e VCE .
Con la convenzione per i segni già adottata in gura 7.1, la relazione tra VCE ,
VBE e VBC è:
VCE = VBE VBC
Dalle equazioni (7.5) e (7.6), trascurando il termine costante (1) (poichè per
entrambe le giunzioni è VD VT ), si ottiene:

IE R IC
IC0
VBE VBC = VT ln
IE0
IC D IE
Poichè inoltre è:
D
IC0
=
IE0
R
nonchè: IC = IE IB , lequazione precedente, dopo alcuni semplici passaggi algebrici
diventa:
IE /hF C + IB
VCE = VBE VBC = VT ln
IB IC /hF E
con:
R
hF C =
1 R
D
hF E =
1 D
e, dividendo numeratore e denominatore per IB :
VCE = VT ln
1+
1
IE
hF C IB
IC
hF E IB
= VT ln
1+
IC
hF C IB
1
hF C
7.3 Il transistor in saturazione

1+
IC
hF E IB
179
hF E
hF C
1
hF C
hF E
hF C
1+hF C
hF C
= VT ln
1
1
Landamento di questa funzione della variabile è mostrato in gura 7.3.
= VT ln
V CE (V)
0.2
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
=IC /hFE B
I
Figura 7.3: Andamento di VCE in funzione della variabile = IC /(hF E IB ) secondo lequazione
di Ebers-Moll
Esaminiamo alcuni punti caratteristici di tale funzione, o equivalentemente della

sua inversa (VCE ).
(1) si annulla per:

VCE = VT ln
con:
hF C =
1 + hF C
hF C
R
1 R
per cui: VCE = VT ln (1/R ) che, con valori tipici di

VT = 25 mV , R = 0.2
vale:
VCE = VT ln
1
25 ln 5 mV = 40 mV
R
cioè , e quindi la corrente di collettore, è praticamente nulla per VCE

40 mV .
(2) è uguale ad 1 per:
VCE = VT ln
1 1 + hF E + hF C
hF C
1
In pratica sarà prossimo ad 1 per valori di VCE di 5 10 V .

(3) Esaminiamo inne la zona di saturazione; quella in cui VCE 0. Questa è
molto importante nei circuiti digitali, dove un basso valore di VCE è essenziale
180

per una buona separazione del livello logico basso (transistor in saturazione)
dal livello logico alto (transistor interdetto).
Vediamo che VCE si annulla per:
1 + hF C hF E
+
= 1
hF C
hF C
cioè:

hF E
1
1+
=
hF C
hF C
e quindi:

da cui:
1
IC
=
hF E IB
hF E + hF C
1
IC
=
IB
1 + hhF C
FE
che, per hF E = 100 ed hF C = 0.25, ci dà:

IC
0.997
IB
Il punto dinizio della saturazione può essere considerato quello in cui 0.9,
sat
al quale corrisponde un valore di VCE
dato da:

1 + hF C
hF E
sat
+ 0.9
VCE = VT ln 10
hF E
hF C
dove è hF E 1 + hF C , per cui questa è approssimativamente:

hF E
sat
= 285 mV
VCE = VT ln 9
hF C
dove abbiamo ammesso che sia hF E = 100 ed hF C = 0.01.
In pratica, se si vuole utilizzare un transistor che operi in saturazione con il minor
valore possibile di VCE , si mantiene sso IC (ad esempio, nel circuito di gura 7.4,
IC = VCC /RL ) e si cerca di ottenere il minimo valore possibile di VCE aumentando
IB .
Se ad esempio volessimo un valore di VCE = 0.2 V avremmo:
5 0.2
= 4.8 mA
1k
IB dovrà allora esser maggiore di 4.8/hF E che, con hF E = 50 è:
IC =
IB > 0.096 mA
7.3 Il transistor in saturazione
181
Vcc=5V
RL=1k
Rb
Figura 7.4: Schema per un transistor npn in saturazione

Possiamo, per precauzione, scegliere un valore doppio di questo: IB = 0.192 mA
0.2 mA. Rb dovrà allora valere:
Rb =
sat
5 VBE
(k)
0.2
sat
dove VBE
0.8 V . Ne segue:
Rb =
5 0.8
= 21 k
0.2
sat
Spesso le case costruttrici forniscono, per un dato transistor, un graco di VCE
in funzione di o di IC /IB .
182
Capitolo 8
Amplicatori a transistor bipolari

8.1
Introduzione
In questa parte ci occuperemo delle strutture pi`

u frequentemente adoperate nella realizzazione degli amplicatori a transistor. Il termine amplicatore può voler dire
unamplicazione dellampiezza di un segnale di tensione, di corrente, di potenza,
ma può anche implicare una trasformazione di un segnale di tensione in un segnale
di corrente, o viceversa.
Se lamplicatore fornisce in uscita una replica amplicata del segnale in tensione
presente in ingresso, esso è un amplicatore di tensione. Il guadagno a` allora denito
come:
vout
Av =
vin
Analogamente, se lamplicatore fornisce in uscita una replica amplicata del
segnale di corrente presente in ingresso, essa è un amplicatore di corrente, per il
quale il guadagno è denito da:
iout
Ai =
iin
Notiamo che un amplicatore di tensione avrà in genere una bassa impedenza
duscita, mentre lopposto è vero per un amplicatore di corrente.
Se un segnale di tensione vin in ingresso è trasformato in un segnale di corrente
iout in uscita, si dice che si ha un amplicatore a transconduttanza per il quale il
guadagno è:
iout
G=
vin
dove G ha le dimensioni di 1 .
Analogamente, se un segnale di corrente iin in ingresso è trasformato in un segnale
di tensione vout in uscita, avremo un guadagno:
R=
vout
iin
si dice in tal caso che lamplicatore è a transresistenza.

Un amplicatore a transconduttanza ha in genere unelevata impedenza dingresso ed unelevata impedenza duscita, mentre un amplicatore a transresistenza
ha una bassa impedenza dingresso ed una bassa impedenza duscita.
183
184
Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari
In questo capitolo ci occuperemo di discutere le strutture base di alcuni tipi di

amplicatori. Ci limiteremo a cercare di comprendere la risposta di tali circuiti a
segnali di piccola ampiezza, in modo da poter calcolare i parametri che caratterizzano
il circuito facendo uso del modello a parametri h. I parametri che di volta in volta
calcoleremo sono: il guadagno, la resistenza dingresso Ri e quella duscita duscita
Ro .
Trascureremo gli eetti dovuti alle capacità delle giunzioni ed ai condensatori
di accoppiamento e/o di bypass. La risposta che calcoleremo sarà quindi quella
riscontrabile ove tali eetti capacitivi possano essere trascurati, cioè entro la banda
passante dellamplicatore.
La dipendenza della risposta dalla frequenza sarà discussa nel capitolo dedicato
agli amplicatori a FET, dove leetto delle capacità è analogo a quello che si ha
negli amplicatori a transistor bipolari.
8.2
Inseguitore di emettitore
Esaminiamo lamplicatore ad inseguitore di emettitore, o emitter follower mostrato

in gura 8.1. Questo è anche noto come amplicatore a collettore comune.
+VCC
Rb
VO
Vs
Re
Figura 8.1: Inseguitore di emettitore

Ammettiamo di aver ssato i valori delle resistenze in modo da stabilire il punto
di lavoro pi`
u opportuno.
Calcoleremo:
(a) il guadagno in tensione;
(b) il guadagno in corrente;
(c) la resistenza dingresso;
(d) la resistenza duscita.
Usiamo il modello a parametri h, con i soli parametri hie ed hf e . Ammettiamo
cioè che siano trascurabili i parametri hoe ed hre .
8.2 Inseguitore di emettitore
8.2.1
185
Guadagno in tensione
Con riferimento al circuito equivalente di gura 8.2, dove rs è la resistenza duscita

della sorgente vs , avremo:
ie = ib + ic = ib (1 + hf e )
(8.1)
vo = Re ie = (1 + hf e )Re ib
(8.2)
ib
rs
hie
i
Vs
ic
Rb
i-ib
ie
Re
hfeib vo
ic
C
Figura 8.2: Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno e delle impedenze
dingresso e duscita dellinseguitore di emettitore di gura 8.1.
vs = rs i + Rb (i ib ) = (rs + Rb )i Rb ib
(8.3)
Rb (i ib ) = hie ib + Re (1 + hf e )ib
(8.4)
Dalla (8.3) otteniamo:

i=
vs + Rb ib
rs + Rb
Sostituendo questa nella (8.4) si ha:

Rb
vs + Rb ib
Rb ib = hie ib + Re (1 + hf e )ib
rs + Rb
Da questa segue poi:

Rb
Rb
vs = hie + Re (1 + hf e ) + Rb
Rb ib
rs + Rb
rs + RB
cioè:

Rb vs = ib hie (rs + Rb ) + Re (1 + hf e )(rs + Rb ) + Rb (rs + Rb ) Rb2
dalla (8.2) segue:
ib =
vo
(1 + hf e )Re
che, sostituita nellultima relazione scritta, fornisce:

vo
(1 + hf e )Re Rb
=
=
vs
hie (rs + Rb ) + Re (1 + hf e )(rs + Rb ) + rs Rb
186

= (1 + hf e )
1
Re Rb
rs + Rb hie + Re (1 + hf e ) +
rs Rb
rs +Rb
Se è poi:
Re (1 + hf e ) hie +
rs Rb
rs + Rb
segue:
v0
Rb
=
vs
rs + Rb
cioè, nelle approssimazioni fatte, Av dipende solo dalle resistenze rs ed Rb .
Se inoltre è: rs Rb si ha:
Av
Av
= 1(positivo)
8.2.2
Impedenza dingresso
Questa è denita come:

Ri =
vs
i

ib =
Rb i
Rb + hie + Re (1 + hf e )
e dalla (8.3):
vs = (Rb + rs )i Rb ib = (Rb + rs )i
Rb2 i
Ne segue:
Ri =
Rb rs + hie (Rb + rs ) + Re (1 + hf e )(Rb + rs )

vs
=
i
Se rs può esser trascurato, questa diventa:

Ri = Rb
hie + Re (1 + hf e )
che è il parallelo di Rb e di hie + Re (1 + hf e ). Questo vuol dire che limpedenza

intrinseca del circuito (ignorando Rb ) è:
Rin = hie + Re (1 + hf e )
Se ad esempio è:
hie = 1 k , hf e = 100 , Rb = 10 k , Re = 1 k
troveremo:
Rin 100 k
ed:
Ri 10 k
Cioè limpedenza dingresso intrinseca Rin dellemitter follower è elevata.
8.2.3
187
Impedenza duscita
Per calcolare Rout , poniamo Re = , vs = 0 (cioè cortocircuitiamo il generatore) ed immaginiamo di applicare tra emettitore e massa un segnale di tensione
v. Calcoliamo la corrente i erogata dal generatore del segnale e poi Rout come:
v
Rout =
i
Il circuito diventa quello di gura 8.3, dove si è trascurato Rb rispetto ad rs ..
hie
ib
rs
hfeib
Figura 8.3: Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita dellinseguitore
demettitore. Questo circuito è ottenuto da quello di gura 8.2 cortocircuitando il generatore e
supponendo di introdurre tra emettitore e massa un segnale di tensione v
Avremo:
v = (rs + hie )ib
i = (1 + hf e )ib
per cui:
rs + hie
v
=
i
1 + hf e
Se ad esempio fosse rs 0, hie = 1 k ed hf e = 100, avremmo Rout
= 10 .
La resistenza vista guardando nei terminali duscita è poi il parallelo di Rout
ed Re .
Rout =
8.2.4
Guadagno in corrente
Con riferimento alla gura 8.4 (a), questo è denito come:

ie
i
Avremo allora, facendo uso dello schema di gura 8.5:
Ai =
Ai
ie ib
ie
Rb
=
= (1 + hf e )
i
ib i
se, come nellesempio fatto in precedenza, è Rin = hie + Re (1 + hf e ) Rb , avremo:

Ai =
Rb
Rb
(1 + hf e )
(1 + hf e )
Rin + Rb
Rin
188
+VCC
C
ic
ib
B
Rb
rs
C
ie
re
VO
Re
Re
(a)
(b)
Figura 8.4: (a) linseguitore di emettitore, dove è stata messa in evidenza limpedenza rs del
generatore. (b) modello del transistor che fa uso di un diodo e della resistenza re associata alla
giunzione emettitore-base.
ib
i
hie
Rb
Re(1+hfe)
Figura 8.5: Modello adoperato per il calcolo del guadagno in corrente dellinseguitore di
emettitore
Il guadagno in corrente tra emettitore e base è comunque (1 + hf e ).
8.2.5
Calcolo approssimato dei parametri
I risultati ottenuti in modo esatto, utilizzando il modello a parametri h, possono

essere ottenuti in modo approssimato con considerazioni intuitive.
Con riferimento alla gura 8.4 (a), osserviamo che, nella congurazione adoperata,
lingresso (la base del transistor) e luscita (lemettitore) sono separati soltanto da un
diodo (la giunzione base-emettitore) polarizzato direttamente. Sappiamo daltronde
189
che la resistenza (dierenziale) diretta di un diodo è:

re =
25
I(mA)
per cui il circuito: base (ingresso)-uscita (emettitore) può esser ridisegnato come
mostrato nella medesima gura, nella parte (b), dove abbiamo evidenziato il diodo
(ideale) e la resistenza re ad esso associata. Notiamo che:
VA = VB 0.7
per cui:
VA = VB
Daltronde:
VO = VA
Re
VA
re + Re
e quindi:
VO
VO
Av
=
=
=1
VB
VA
Abbiamo, nel far ciò, ignorato la resistenza rs della sorgente, e quella di polarizzazione di base Rb . Tenendone conto il risultato cambia poco, come mostra il calcolo
esatto visto in precedenza.
Impedenza dingresso
Questa è:
Rin =
dove:
ib =
vb
ib
ie
1 + hf e
e:
vb
= ve
per cui:
Rin =
ve
(1 + hf e ) = Re (1 + hf e )
ie
Impedenza duscita
Questa è denita come:
vo (a circuito d uscita aperto)

i0 (a circuito d uscita in corto)
dove, a circuito duscita aperto, vo vb .

Se il circuito duscita è in corto, cioè se lemettitore collegato per il segnale a
massa la corrente di base sarà:
vb
ib =
rs
190
e quindi:
ie =
vb
(hf e + 1)
rs
ne segue:
Rout =
8.2.6
vb
(1
rs
vb
rs
=
+ hf e )
1 + hf e
Emitter follower ad alta impedenza dingresso
La resistenza dingresso dellemitter follower, come visto, è allincirca:

hie + (hf e + 1) Re
Un amplicatore con unimpedenza dingresso molto elevato può essere ottenuto
sostituendo il transistor adoperato con un transistor Darlington, la cui struttura
base è stata discussa in precedenza.
Si è visto che per essa si ha:
2
hf e hf e1 hf e2
= (hf et )
Un emitter follower realizzato con un Darlington avrà quindi unimpedenza dingresso estremamente elevata. Se ad esempio scegliamo Re = 5 k ed utilizziamo un
Darlington con hf et = 100 e quindi con hf e = 104 , avremo unimpedenza dingresso
di:
Rin = 5 107 = 50 M
8.2.7
Inseguitore demettitore: sommario delle caratteristiche
Da quanto abbiamo visto, linseguitore demettitore è caratterizzato dalle seguenti

espressioni approssimate per i parametri:
Av
=
Rb
rs + Rb
Rin
= hie + Re (1 + hf e )
Rb
Ai
(1 + hf e )
=
Rin
rs + hie
Ro
=
1 + hf e
Il guadagno in tensione è positivo ed inferiore ad 1; limpedenza dingresso è elevata;
il guadagno in corrente è elevato; limpedenza duscita bassa.
Ad esempio, con la seguente scelta dei valori dei componenti:
Rb = 880k
Re = 7k
rs = 20k
8.3 Amplicatore ad emettitore comune (CE)
191
hf e = 240
hie = 6400
troviamo:
Av = 0.98
Rin = 1.693 M
Ai = 125
Ro = 109
Notiamo che il calcolo è stato eettuato in assenza di carico. Questo equivarrebbe ad
una resistenza in parallelo ad Re (eventualmente con un accoppiamento capacitivo,
per non modicare il punto di lavoro del transistor). Se ad esempio avessimo un
carico di valore uguale ad Re , dovremmo, nelle relazioni precedenti, sostituire ad Re
un valore metà. Con ciò limpedenza dingresso diverrebbe:
Rin = hie +
8.3
Re
(1 + hf e ) = 849 k
2
Amplicatore ad emettitore comune (CE)
Il circuito base di un amplicatore CE è mostrato in gura 8.6 (a), accanto al circuito

utilizzabile per il calcolo delle caratteristiche, mostrato in (b):
VCC
ic
ib
Rc
rs
VO
rs
ic
hie
VS
B
VS
hfeib
RC
(a)
(b)
Figura 8.6: (a) amplicatore ad emettitore comune. (b) circuito equivalente adoperato per il
calcolo delle caratteristiche dellamplicatore
Il guadagno in corrente è dato da:

Ai =
ic
hf e ib
=
= hf e
ib
ib
La resistenza dingresso (senza tener conto di rs ) è poi:

Ri =
vbe
= hie
ib
192
Il guadagno in tensione Av può esser ottenuto dalla relazione (valida sempre):

Av = Ai
Rc
Ri
Per dimostrarla, basta riscrivere Av come:

Av =
Rc
vo
vo /Rc Ri
vo /Rc Rc
ic Rc
=
=
=
= Ai
vb
vb /Rc Ri
vb /Ri Ri
ib Ri
Ri
(poichè vo = Rc ic ).
Ne segue:
Av = hf e
Rc
(negativo)
hie
Possiamo ricalcolare Av tenendo conto della resistenza rs della sorgente:

Avs
vb
hie
vc
vc vb
=
= Av = Av
vs
vb vs
vs
rs + hie
Ovviamente, se limpedenza duscita del generatore, rs , è trascurabile, ritroveremo Avs = Av .

Per calcolare inne limpedenza duscita Ro , poniamo al solito vs = 0, Rc =
; immaginiamo poi di applicare un segnale di tensione v tra collettore e massa,
calcoliamo la corrente assorbita i e deniamo Ro come:
Ro =
v
i
Notiamo che, nel nostro circuito, con vs = 0 si ha ib = 0 e quindi ic = hf e ib = 0.

Ne segue:
Ro =
In realtà, limpedenza duscita non sarà innita, se teniamo conto del parametro
hoe che compare nel modello a parametri h completo. In tal caso si può vedere che
limpedenza duscita è allincirca uguale ad 1/hoe , che è dellordine di 10 k.
8.4
Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore
Laggiunta di una resistenza sullemettitore aiuta a stabilizzare il punto di lavoro

rispetto a variazioni nei parametri del transistor, ed in particolare rispetto a variazioni di = hf e . Se infatti il del transistor aumenta, ciò avrà come conseguenza
un aumento della corrente di collettore e di emettitore. Tale aumento darà luogo
ad una maggiore caduta di potenziale ai capi della resistenza di emettitore e, se il
potenziale di base è ssato da un partitore, ad un minor valore di VBE e quindi ad
una minore corrente (feedback negativo).
Abbiamo già visto che il guadagno in tensione di un common-emitter è: Av =
hf e Rc /hie . Facciamo ora vedere che laggiunta di una resistenza sullemettitore fa
si che il guadagno in tensione divenga:
8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore
Av =
193
Rc
Re
e quindi indipendente dai parametri del transistor, ma dipendente soltanto dalle

resistenze esterne Rc ed Re .
Usiamo ancora una volta il modello a parametri h semplicato (cioè ignoriamo
hre ed hoe ) e calcoliamo i parametri Ai , Ri , Av , Ro dellamplicatore (vedi gura 8.7).
ib
ic
hie
rs
hfeib
vi
ie
Re
vo
RC
VS
Figura 8.7: Circuito equivalente (a parametri h) adoperato per calcolare le caratteristiche

dellamplicatore CE con una resistenza inserita tra emettitore e massa
Avremo:
Ai =
Ri =
ic
= hf e
ib
vi
hie ib + Re (ib + ic )
=
= hie + Re (1 + hf e )
ib
ib
Av = Ai
Rc
hf e Rc
=
Ri
hie + Re (1 + hf e )
e se, come quasi sempre accade, è: Re (1 + hf e ) hie , si avrà:

Av =
hf e Rc
Rc
1 + hf e Re
Re
La resistenza duscita sarà uguale a quella relativa al caso in cui Re era assente.
Notiamo che il guadagno in tensione è minore di quello che si aveva in assenza
di Re (era uguale a hf e Rc /hie ).
8.4.1
Esempio
Consideriamo lamplicatore CE di gura 8.8.

Il transistor adoperato ha un hf e = 50. I condensatori C1 e C3 , di valore molto
grande (50 F , hanno lo scopo di disaccoppiare lamplicatore dal resto del circuito
(compreso il generatore) per ciò che riguarda le tensioni e correnti stazionarie.
Il condensatore C2 , posto in parallelo alla resistenza di emettitore, fa si che
lemettitore sia realmente a massa per il segnale (non per la componente continua).
194
+VCC=24V
3.8k Rc
50k
R1
C3
C1
50
50
1k
ii
10k R3
10k R2
2.2k Re
C2
RL
50
Figura 8.8: Amplicatore ad emettitore comune

Il generatore adoperato è stato schematizzato come un generatore ideale di corrente
in parallelo con la propria resistenza interna.
Analizziamo dapprima il punto di lavoro del transistor. Dal punto di vista
delle tensioni e correnti quiescenti, la parte del circuito posta a sinistra della linea
tratteggiata può esser sostituita dal suo equivalente di Thevenin:
Rth =
R1 R2
R2
= 8.3 k , Vth =
24 V = 4 V
R1 + R2
R1 + R2
Nella gura 8.9 abbiamo indicato le altre grandezze rilevanti ai ni del calcolo
delle correnti: VD ed Re .
IB
B
Rth
VD=0.7V
Vth
IE
Re
Figura 8.9: Schema adoperato per il calcolo delle correnti quiescenti nel transistor di gura 8.8.
Rth è il parallelo di R1 ed R2 . VD schematizza la giunzione di emettitore
Poichè si ha:
IE = (hF E + 1) IB
195
avremo:
Vth = Rth IB + VD + Re (hF E + 1) IB
da cui:
IB =
e quindi:
4 0.7
= 0.027 mA
8.3 + 51 2.2
IE = 0.027 (hF E + 1)
= 1.4 mA
Ne segue:
VCE 24 IE (Rc + Re ) = 15.6 V
e poi:
hie = rbb + hf e re
= hf e re
= hf e
25
= 0.893 k
IE (mA)
Calcoliamo ora Ai (ignorando hre ed hoe ). Il circuito equivalente è quello di

gura 8.10.
ib
ic
C
iL
R3
ii
Rth
hie
hfeib
RC
RL
Figura 8.10: Circuito equivalente a parametri h adoperato per il calcolo dei parametri
dellamplicatore CE di gura 8.8. Sono stati trascurati i parametri hre ed hoe
Avremo:
ib = ii
(R3 Rth hie )

= 0.835ii
hie
Ai =
mentre è:
iL = hf e ib
da cui:
iL
iL ib
iL
=
=
0.835
ii
ib ii
ib
RL Rc
1
Rc
= hf e ib
RL + Rc RL
RL + Rc
iL
Rc
= hf e
ib
RL + Rc
e si ottiene inne:
Ai = 0.835 50
3.8
= 33.0
1 + 3.8
196
(Notare che il segno (-) deriva dal fatto che stiamo considerando la corrente che
dal collettore uisce verso massa attraverso il carico. In precedenza si era considerata
la corrente entrante nel collettore).
Limpedenza dingresso è il parallelo di hie , di Rth e della resistenza da 10 K:
Rin = 10k 8.3k 0.89k = 0.746k
Limpedenza duscita è semplicemente Rc = 3.8k.
Il guadagno in tensione è:
RL
Av = Ai
Ri
(ora con il segno (+), vista la convenzione adoperata per Ai ) cioè:
Av = 33
1
= 44.0
0.746
Vediamo ora come si modichino i valori ottenuti, se si tiene conto dei parametri
hre ed hoe , che nora sono stati ignorati.
Ammettiamo dunque che sia:
hre = 104 , hoe = 104 S
Il circuito equivalente ora diventa quello di gura 8.11.
ib
hie
ii
10k
8.3k
hrevce
hfeib
hoe-1
3.8k 1k v
ce
Figura 8.11: Circuito equivalente a parametri h adoperato per il calcolo dei parametri
dellamplicatore CE di gura 8.8. Sono stati inclusi anche i parametri hre ed hoe
Le due resistenze in parallelo nella maglia dingresso possono essere sostituite
con la resistenza equivalente (4.53 K). Analogamente, la resistenza 1/hoe e quella da
3.8 K nella maglia duscita possono esser sostituite con lunica resistenza da 2.75 K.
Si ottiene cos` un circuito pi`
u semplice gura 8.12.
Dallanalisi del circuito duscita otteniamo:
i = hf e ib +
da cui:
vce
1k i
= hf e ib
2.75k
2.75k
1
i 1+
2.75

= hf e ib
B ib
197
hie
ii
iL
4.53k
hrevce
2.75k
hfeib
vce
1k
Figura 8.12: Semplicazione del circuito equivalente a parametri h di gura 8.11 adoperato
per il calcolo dei parametri dellamplicatore CE di gura 8.8.
che, con hf e = 50, dà:

i = 36.7 ib
e poi:
iL = i = 36.7 ib (mA)
vce = RL iL = 36.7 103 ib (V )
Lanalisi del circuito dingresso fornisce:
vb = 104 vce + hie ib = 104 36.7 103 ib + 890ib
= 890ib
Il guadagno in corrente sarà:
Ai =
iL
iL ib
iL ib vb
=
=
ii
ib ii
ib vb ii
con:
iL
= 36.7
ib
1
ib
(S)
=
vb
890
per calcolare Ai ci serve ancora vb /ii . Ora, dal circuito dingresso troviamo:
ii = ib +
vb
vb
vb
vb
=
+
=
4.53k
890 4530
744
ed inne:
vb
= 744.0
ii
Quindi:
744
= 30.7
890
mentre prima si era trovato Ai = 33.
Calcoliamo ora, tenendo conto di tutti i parametri, la resistenza dingresso Ri .
Ridisegniamo a tale scopo il circuito equivalente, come mostrato in gura 8.13.
Dalla maglia dingresso si ha:
Ai = 36.7
Ri =
vb
hie ib + hre vce
=
ib
ib
(8.5)
198
ib
-iL
hie
rs
v1
i'
hrevce
vs
hfeib
C
iL
1/hoe
vce
Figura 8.13:
Circuito equivalente adoperato per il calcolo della resistenza dingresso

dellamplicatore CE di gura 8.8
e, dalla maglia duscita:

vce = RL iL
con:
iL = (hf e ib + vce hoe )
da cui:
vce = RL (hf e ib + vce hoe )
che porta a:
vce (1 + RL hoe ) = RL hf e ib
da cui:
vce
RL hf e
=
ib
1 + RL hoe
Questa, sostituita nella 8.5, dà:
Ri = hie
hre hf e RL
1 + RL hoe
Con i valori dei parametri h dati e facendo uso anche del valore di RL = 1K,
troviamo:
Ri
= hie 5 ()
cioè una correzione piccolissima rispetto al valore precedente che, ignorando R1 ,
R2 , e la resistenza da 10 K, era appunto hie .
Il guadagno in tensione sarà ottenibile poi dalla solita relazione:
Av = Ai
RL
Ri
Si trova:
Av = 34.5
Calcoliamo inne limpedenza duscita Ro :
Ro
vce
(vs = 0)
iL
dove:
iL = hf e ib + vce hoe
(8.6)
8.5 Amplicatori in cascata
199
ib è calcolabile dalla maglia dingresso (con vs = 0):

v1 = rs ib = hie ib + hre vce
da cui:
ib =
hre vce
rs + hie
che, sostituita nella 8.6 fornisce:

hf e hre
= vce
iL = vce hoe vce
rs + hie
(rs + hie )hoe hf e hre

rs + hie
e limpedenza duscita:
Ro =
vce
rs + hie
=
iL
(rs + hie )hoe hf e hre
che, essendo tipicamente hf e hre hoe (rs + hie ), è uguale a 1/hoe .
8.5
Amplicatori in cascata
Pi`
u stadi damplicazione possano esser posti in cascata per aumentare il guadagno
o anche semplicemente per orire un guadagno corrispondente a quello di un singolo
stadio CE, unito ad una bassa impedenza duscita quale quella oerta da un emitter
follower.
Esaminiamo ad esempio il circuito di gura 8.14.
VCC
R1 40k
5k
Rc1
v2
rs
1k
vs
ib2
ic1
ib1
R2 40k
vo
ie2
100 Re1
5k
Re2
-VEE
Figura 8.14: Amplicatori in cascata: un CE è seguito da un inseguitore di emettitore

Notiamo che il primo stadio è un CE con una piccola resistenza sullemettitore,
mentre il secondo è un emitter-follower. Il guadagno in tensione di tale amplicatore
è:
vo
vo v2
Av =
=
= Av1 Av2
v1
v2 v1
cioè il prodotto dei guadagni dei singoli stadi.
200
Se si tiene conto della resistenza interna del generatore e si denisce in tal modo
un nuovo guadagno Avs :
Avs

v1
Ri1
vo
vo v1
=
= Av = Av

vs
v1 vs
vs
rs + Ri1

dove Ri1
è la resistenza dingresso del primo stadio.

Tale relazione segue dal fatto che le resistenze rs ed Ri1
costituiscono un partitore.

Notiamo che Ri1 è la resistenza dingresso del primo stadio, che è il parallelo di
R1 R2 con la resistenza Ri1 = hie + Re1 (1 + hf e ).
Facendo uso dei valori numerici delle resistenze ed assumendo un hf e di 100,
troviamo (con hie = 2k):
R1 R2 = 20k
Ri1 = 2 + 101 0.1 = 12.1k
12.1 20

Ri1
=
= 7.54k
12.1 + 20
per cui:

Ri1
7.54
= Av
= 0.88Av

Ri1 + rs
8.54
Per calcolare il guadagno in tensione del primo stadio, facciamo uso della relazione che esprime tale guadagno in funzione del guadagno in corrente, della resistenza dingresso e di quella che costituisce il carico dello stadio 1 :
Avs = Av
RL
(8.7)
Ri
Con Ri =resistenza dingresso ed RL =carico totale.
Nel caso del primo stadio la resistenza Ri1 è già stata calcolata, mentre RL è
rappresentata dal parallelo di Rc1 e della resistenza dingresso del secondo stadio.
Questultimo ha:
Av = Ai
Ri2 = hie + (1 + hf e )Re2 = 2 + 101 5 = 507k

Per cui:
RL1 = Ri1 Rc1 = 4.95 k
Poichè daltronde il guadagno in corrente del primo stadio è hf e = 100,
avremo:
RL1
Av1 = 100
= 40.9
Ri1
Il guadagno in corrente del secondo stadio, cioè il rapporto tra la corrente di
emettitore e quella di base è chiaramente 1 + hf e . Il guadagno in tensione dellemitter follower è stato già calcolato in precedenza. Nel caso in esame, siamo interessati
al guadagno intrinseco dellEF, cioè a quello che si ha per un valore dellimpedenza duscita dello stadio che lo precede uguale a zero. Ponendo quindi rs = 0
nellespressione di Av2 , otteniamo:
Av2 =
1
(1 + hf e )Re2
hie + (1 + hf e )Re2
Per la dimostrazione della 8.7 si veda lultima sezione di questo capitolo.
8.5 Amplicatori in cascata
201
e, poichè il denominatore di tale espressione è anche la resistenza dingresso dello

stadio, Ri2 , otteniamo:
Ri2 hie
hie
Av2 =
= 1
Ri2
Ri2
Sostituendo i valori numerici: Ri2 = 507k e hie = 2k, si trova:
2
= 0.996
507
Il guadagno complessivo di tensione è quindi:
Av2 = 1
Av = Av1 Av2 = 40.9 0.996 = 40.74

Calcoliamo ora il guadagno in corrente. Questo non è uguale al prodotto dei
guadagno in corrente dei singoli stadi, poichè non tutta la corrente in uscita dal
collettore del primo stadio entra nella base del secondo. Ciò è evidente dallo schema
equivalente di gura 8.15:
C1
i b2
ic 1
Rc1
Ri
Figura 8.15: Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno in corrente complessivo
dellamplicatore di gura 8.14. Ri2 è limpedenza dingresso del secondo stadio; questa è in
parallelo alla resistenza di collettore del primo stadio.
In tale schema Ri2 è limpedenza dingresso del secondo stadio. Si vede facilmente
che:
Rc1
5
ib2
=
=
= 9.77 103
ic1
Rc1 + Ri2
5 + 507
Il guadagno complessivo in corrente è:
Ai =
ie2
ie2 ib2 ic1
=
ib1
ib2 ic1 ib1
dove la prima e lultima delle frazioni a secondo membro sono i guadagni in

corrente del secondo e del primo stadio rispettivamente. Si ha quindi:
Ai = Ai2
ib2
Ai1 = (hf e + 1) 9.77 103 (hf e ) =
ic1
= 101 9.77 103 100 = 98.6
Calcoliamo inne limpedenza duscita dellamplicatore. Per un emitter-follower,

quale è lo stadio nale del nostro circuito, questa è:
Ro =
Rs + hie
1 + hf e
202
dove Rs è limpedenza duscita della sorgente che alimenta lemitter-follower. Nel

nostro caso questa è limpedenza duscita del primo stadio (Ro1 = 5k). Ne segue:
Ro =
5+2
= 69
101
Limpedenza duscita calcolata tenendo conto anche della resistenza sullemettitore è poco diversa:
Ro = 69 5000 = 68
Riassumendo, abbiamo un amplicatore con unimpedenza dingresso:

= 7.54k
Ri = Ri1
unimpedenza duscita:
Ro = 68
un guadagno in tensione, tenendo conto della resistenza duscita del generatore

(rs = 1k):
Avs = Av 0.88 = 40.74 0.88 = 35.8
ed inne un guadagno in corrente:
Ai = 98.6
8.6
Amplicatore in base comune
La congurazione base di un amplicatore di questo tipo è quella mostrata nella

gura 8.16(a).
ie
ic
ie
RL
ri
Vi
iL
Cb
ri
vi
R2
R1
hfeib
ic
i'
hie
VCC
ib
1/hoe
iL
RL
vout
(a)
(b)
Figura 8.16: (a) amplicatore in base comune. (b) circuito equivalente adoperato per il calcolo
dei parametri dellamplicatore.
Il segnale dingresso è applicato allemettitore. Il condensatore di bypass Cb fa

si che la base sia cortocircuitata a massa per il segnale, mentre le resistenze R1 R2
garantiscono una corretta polarizzazione del transistor. Il segnale di tensione in
uscita è quello tra collettore e massa (ovvero tra collettore e base).
Per calcolare i parametri di questo amplicatore, facciamo uso del modello a
parametri h. A rigore, dovremmo far uso dei parametri h relativi alla congurazione
8.6 Amplicatore in base comune
203
base comune, cioè hib , hf b , hrb , hob . Tuttavia possiamo, con un semplice riarrangiamento dei componenti, far uso dei parametri relativi alla congurazione emettitorecomune, hie , hf e , hre , hoe . Inoltre, essendo hre molto piccolo, trascureremo il suo
contributo.
Essendo poi la base cortocircuitata a massa dalla capacità Cb , potremo ignorare
le resistenze di polarizzazione R1 ed R2 . Si ottiene allora il circuito equivalente
mostrato nella parte (b) della gura.
Calcoliamo ora i parametri di tale amplicatore.
8.6.1
Guadagno in corrente
Questo è dato da:

Ai =
iL
ie
dove:
iL = ic = (hf e ib + i )
ed inoltre:
i = (vcb veb )hoe = (vout veb )hoe = (RL ic + hie ib )hoe
da cui segue:
iL = (hf e ib RL ic hoe + hie ib hoe ) = (hf e ib + RL iL hoe + hie ib hoe )
Da questa si ha poi:
iL (1 + RL hoe ) = ib (hf e + hie hoe )
(8.8)
dove è inoltre:
ib = (ie + ic ) = ie + iL
per cui:
iL (1 + RL hoe ) = ie (hf e + hie hoe ) iL (hf e + hie hoe )
e quindi:
iL (1 + RL hoe + hf e + hie hoe ) = ie (hf e + hie hoe )
ed inne:
Ai =
iL
hf e + hie hoe
=
ie
1 + hf e + hoe (hie + RL )
poichè hoe
= 104 105 , vediamo che, con hie 2k ed RL 10k, i termini che
contengono hoe possono esser trascurati, e si ottiene:
Ai
=
hf e
=1
1 + hf e
204
8.6.2
Impedenza dingresso
Limpedenza dingresso è:

Ri
veb
hie ib
hie
hie
=
=
=
ie
ib + ic
1 + ic /ib
1 iL /ib
dove iL /ib può esser ottenuto dalla 8.8:

iL
hf e + hie hoe
=
ib
1 + RL hoe
per cui si ottiene:
Ri =
1+
hie
hf e +hie hoe
1+RL hoe
hie (1 + RL hoe )
1 + (RL + hie )hoe + hf e
anche qui i termini proporzionali ad hoe possono essere trascurati rispetto agli
altri; si ottiene quindi:
hie
Ri
=
1 + hf e
che, per i valori tipici: hie
= 2k, hf e
= 100, vale:
Ri
= 20
8.6.3
Il guadagno in tensione Av è ottenibile dalla solita relazione:

Av = Ai
hf e
RL
RL
RL
=
= hf e
Ri
1 + hf e hie /(1 + hf e )
hie
dove abbiamo trascurato i termini proporzionali ad hoe . Tali termini non possono
esser trascurati nel calcolo di Ro .
8.6.4
Impedenza duscita
Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di applicare ai terminali duscita

(cioè agli estremi cui è ssata RL , dopo aver rimosso RL ) un generatore di corrente
ic , come mostrato in gura 8.17.
Cortocircuitiamo il generatore indipendente vi (ma non la sua resistenza interna
ri ) e calcoliamo la dierenza di potenziale che risulta tra collettore e base: vcb .
Avremo ovviamente:
vcb = vce + veb
(8.9)
con:
vce =
i
= (ic hf e ib ) /hoe
hoe
(8.10)
veb
hie
(8.11)
ed anche:
ib =
8.6 Amplicatore in base comune
205
hfeib
ic
ic
i'
ri
ie
hie
ic
1/hoe
ib
Figura 8.17:
Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita

dellamplicatore CB di gura 8.16
ie =

ic = (ie + ib ) = veb
veb
ri
1
1
+
ri hie
(8.12)

= veb
ri + hie
ri hie
(8.13)
La 8.11 e la 8.13 danno ib in funzione di ic :

ib =
ri
ic
ri + hie
Sostituendo questa nella 8.10:

ic
ri hf e
1+
vce =
hoe
ri + hie
Mentre la 8.13 fornisce:
veb =
ri hie
ic
ri + hie
Segue allora dalla 8.9:

vcb = vce + veb = ic
e quindi:
vcb
1
Ro =
=
ic
hoe
=
1
hoe
ri hf e
1+
ri + hie
hie + ri (1 + hf e )
ri + hie

+
ri hie
+
ri + hie
ri hie
=
ri + hie
1
[ri hie hoe + hie + ri (1 + hf e )]
hoe (ri + hie )
Se ri = 0, questa diventa:
Ro =
1
hoe
206
8.7
Relazione tra guadagno in corrente ed in tensione
Per dimostrare in modo generale la relazione:

Av = Ai
RL
Ri
facciamo riferimento al circuito equivalente di gura 8.18:
ii
vi
io
Ri
vo
RL
Figura 8.18: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della relazione tra guadagno in
corrente ed in tensione di un generico amplicatore. Ri è la resistenza dingresso; RL il carico
presente alluscita
Vediamo facilmente che è:
vi
Ri
vo
io =
RL
ii =
da cui:
Ai
io
vo Ri
=
ii
vi RL
Av =
vo
RL
= Ai
vi
Ri
e quindi:
Capitolo 9
Caratteristiche dei FET ed

amplicatori a FET
9.1
Introduzione
Abbiamo visto nellintroduzione al capitolo 5 che, negli anni in cui si eettuarono

i primi esperimenti che avrebbero portato allinvenzione del transistor, si seguivano
due diverse linee di ricerca. Una delle due, perseguita in particolare da Shockley,
era quella di modulare la corrente in una sottile striscia di semiconduttore, mediante
lapplicazione di una campo elettrico variabile, perpendicolare alla striscia medesima.
Si dice che quando, con il contributo determinante dello stesso Shockley, f`
u
inventato il transistor bipolare a giunzione (non basato su tale idea) Shockley fosse
alquanto deluso. La sua idea f`
u tuttavia perseguita e si arrivò inne, verso la ne
degli anni 50, allinvenzione del transistor a giunzione ad eetto di campo (JFET)1 .
In questo capitolo, dopo aver discusso la struttura base dei JFET e poi dei MOSFET, passeremo ad esaminare in dettaglio le caratteristiche dei JFET e discuteremo
alcune semplici applicazioni di tali dispositivi come amplicatori.
Analizzeremo in particolare la scelta del punto di lavoro e delle reti di polarizzazione, il calcolo della risposta per piccoli segnali a basse frequenze, ed inne i limiti
posti dalle capacità parassite e da quelle di accoppiamento, sulla banda passante.
Anche se le applicazioni che esamineremo saranno limitate ai JFET, che sono
dei tipici dispositivi a svuotamento, queste possono facilmente essere generalizzate
al caso dei MOSFET, sia a svuotamento che ad arricchimento. Nel seguito di questo
capitolo adopereremo il termine FET per JFET.
Per una trattazione pi`
u dettagliata dellargomento, si consulti le riferimenti ([10]),([7]),
([11]),([25]).
9.2
Struttura base dei JFET
Uno schema di massima di un JFET a canale n è mostrato in gura 9.1.

In una barretta di semiconduttore di tipo n a debole drogaggio vengono impiantate,
sulle due facce opposte, due zone fortemente drogate p (p+ ). A queste due zone ven1
Quello realizzato aveva prestazioni decisamente modeste. Si dovette aspettare linizio degli
anni 70 perchè i primi FET planari entrassero in uso
207
208
Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Gate
p+
Drain
canale n
Source
p+
Figura 9.1: Rappresentazione schematica della struttura di un JFET. Le zone indicate in nero
costituiscono i contatti metallici. Con p+ sono indicate zone ad elevata concentrazione p.
gono applicati contatti metallici, che costituiscono lelettrodo di controllo (il gate).
Alle due estremità opposte della barretta vengono applicati due ulteriori elettrodi,
detti rispettivamente source e drain, tra cui scorrerà, come vedremo, la corrente
che sarà modulata da un opportuno potenziale applicato al gate.
In corrispondenza delle giunzioni tra il canale n e le due zone p+ si formano,
in assenza di tensioni applicate, due diodi. A causa della asimmetria del drogaggio,
la zona di svuotamento si estenderà in profondità allinterno della zona n.
Se, sempre in assenza di tensione applicata al gate, applichiamo una dierenza di
potenziale tra source e drain, con questultimo positivo rispetto al source, elettroni
uiranno nel canale n, dal source verso il drain; cioè una corrente IDS passerà nel
verso drain-source. Tale corrente sarà, per piccoli valori di VDS , proporzionale a
questa. Ciò è illustrato nel tratto iniziale del graco di gura 9.2 (curva superiore
dove VGS è tenuto a 0 Volt).
IDS
Vp
VGS = 0 V
VGS = -2 V
VDS
Figura 9.2: Caratteristica IDS -VDS di un JFET a canale n. Le curve mostrate si riferiscono a
valori diversi della dierenza di potenziale Gate-Source VGS
Se ora il gate è tenuto ad una tensione negativa rispetto al source, le giunzioni
9.2 Struttura base dei JFET
209
(n p+ ) verranno ad esser polarizzate inversamente, la zona di svuotamento si

estenderà ancor pi`
u in profondità nel canale e di conseguenza la sezione del canale in
cui sono ancora presenti cariche libere (la zona conduttiva del canale) si restringerà.
Diminuirà quindi, a parità di VDS , la corrente IDS . Continuando ad aumentare la
u accentuata.
tensione inversa VGS , la diminuzione della corrente IDS sarà sempre pi`
In altri termini, allaumentare della polarizzazione inversa VGS del gate, il dispositivo si comporta come una resistenza di valore sempre pi`
u elevato, come dimostrato
dal tratto iniziale della curva inferiore di gura 9.2 (relativa, a titolo di esempio, ad
un valore VGS = 2 Volt). Ciò a condizione che VDS rimanga, come vedremo, al di
sotto di determinati valori.
Se VDS raggiunge un certo valore di soglia VP (con VP negativo) si trova che
la linearità della dipendenza di IDS da VDS viene meno, no a che la corrente non
diventa indipendente da VDS . Ciò è mostrato in gura 9.2.
Il simbolo adoperato per il JFET a canale n è quello mostrato nella parte sinistra
di gura 9.3.
(canale n)
(canale p)
D
G
D
G
Figura 9.3: Simboli adoperati per i JFET. A sinistra: JFET a canale n; a destra: JFET a
canale p
Esistono JFET a canale p, in cui il drogaggio delle inserzioni laterali (gate) è

n+. In tali transistor al gate và data una tensione positiva rispetto al source. Il
simbolo comunemente adoperato per tale JFET è mostrato nella parte destra della
medesima gura. In entrambi i tipi di transistor il verso della freccia sul gate è
quello che corrisponde ad una polarizzazione diretta della giunzione gate-canale.
Esaminiamo ora pi`
u in dettaglio cosa accade in un JFET a canale n quando, con
VDS = 0, alla giunzione gate-source venga applicata una polarizzazione inversa. In
tali condizioni, la zona di svuotamento si estende sempre pi`
u in profondità allinterno
del canale, la cui conducibilità è adata alla parte dove continuano ad esser presenti
cariche libere. Ciò è mostrato nella parte superiore della gura 9.4. Ne segue che,
aumentando tale polarizzazione inversa, la resistenza del canale aumenta sempre
pi`
u. Si raggiungerà inne una situazione in cui la resistenza del canale tra drain e
source diviene (teoricamente) innita. Si dice che il canale è strozzato ed al valore
di VGS per cui ciò avviene (negativo per un JFET a canale n, positivo per uno a
canale p) si da il nome di tensione di pincho, indicata comunemente con il simbolo
VP . Notiamo che la tensione di pincho è la dierenza di potenziale tra il gate ed
210
il punto P indicato nella parte inferiore della gura 9.4, quando si sia raggiunta la
condizione per cui il canale è strozzato.
Gate
p+
zona di svuotamento
Source
Drain
canale n
zona di svuotamento
p+
IDS
Gate
P
p+
zona di svuotamento
Source
canale n
Drain
zona di svuotamento
p+
IDS
Figura 9.4: Eetto sulla distribuzione delle cariche nel canale, dellapplicazione di una polarizzazione inversa VGS , con VDS =0. In Nella gura in basso la dierenza di potenziale è tale da
causare il pincho del canale.
La condizione per cui la dierenza di potenziale tra gate e canale è tale da

causare il pincho può esser ottenuta anche se, mantenendo nulla VGS , aumentiamo
la dierenza di potenziale VDS . Infatti ciò fà aumentare la dierenza di potenziale
tra gate e canale, nella parte di questo pi`
u vicina al drain (quella dove il potenziale è
pi`
u elevato). Ciò è mostrato nella parte superiore della gura 9.5, dove si può notare
come la zona di svuotamento si sia deformata, avvicinandosi al drain. Continuando
ad aumentare VDS si raggiunge il pincho, come indicato nella parte inferiore della
gura. Il punto indicato con P in gura raggiunge un valore di potenziale tale che
VGP sia uguale alla tensione di pincho VP . In tali condizioni, essendo VGS = 0 la
dierenza di potenziale tra source e punto P diviene uguale a quella tra gate e punto
P. La dierenza di potenziale tra il punto P ed il drain sarà molto piccola, per cui
avremo:
VDS = |VP |
Quindi |VP | può anche esser denita come il minimo valore della dierenza di
potenziale tra drain e source che causa il pincho, con VGS = 0.
211
Per valori di VDS superiori a |VP |, la corrente IDS rimane costante, come mostrato
in gura 9.2. Al valore di tale corrente per VDS = |VP | (con VGS = 0) si dà il nome
di corrente di saturazione, indicata con il simbolo IDSS .
Se VGS è diverso da zero (e, per un JFET a canale n, negativo) si trova che il
u piccoli.
pincho ha luogo per valori di VDS pi`
Ciò è consistente con il fatto che il pincho ha luogo in corrispondenza ad una
dierenza di potenziale denita tra gate e canale, e che tale dierenza di potenziale
è determinata sia dal potenziale del gate che da quello del drain, rispetto al source.
Il valore di VDS che causa il pincho, per un generico valore di VGS , è minore di
|VP |.
Se aumentiamo il valore di VDS al di sopra di |VP | troviamo che la dierenza di
potenziale del punto P di gura rispetto al source rimane uguale a VP , mentre una
dierenza di potenziale pari a VDS |VP | nasce tra il drain ed il punto P. Grazie a
questa dierenza di potenziale, gli elettroni provenienti dal source possono, una volta
raggiunto il punto P, dove inizia la zona di svuotamento, attraversarla e raggiungere
il drain.
V1
Gate
p+
zona di svuotamento
Source
canale n
Drain
zona di svuotamento
IDS
p+
VP0>V1
P
Gate
p+
zona di svuotamento
Source
canale n
zona di svuotamento
p+
Drain
IDS
Figura 9.5: Eetto sulla distribuzione delle cariche nel canale, dellapplicazione di una polarizzazione diretta VDS , con VGS =0. In Nella gura in basso la dierenza di potenziale è tale da
causare il pincho del canale.
Landamento della corrente in funzione di VDS , per diversi valori di VGS , è mostra-
212
to in gura 9.6. Le curve riportate sono relative a valori di VGS decrescenti andando
dallalto verso il basso.
Caratteristiche del JFET
IDS
10
15
20
25
30
VDS
Figura 9.6: Andamento della corrente IDS nel canale del JFET in funzione di VDS , per diversi
valori di VGS . Le curve riportate sono relative a valori di VGS decrescenti andando dallalto verso
il basso
Si può notare la zona ohmica iniziale, quella in cui cè linizio della riduzione del
canale e poi quella in cui le caratteristiche divengono orizzontali, nota come zona
di saturazione. Il valore di IDS in saturazione è tanto pi`
u grande quanto minore il
valore di |VGS |.
La dierenza di potenziale in corrispondenza alla quale si ha linizio della saturazione è data da:
V DS
= VGS VP
Ovviamente, per VGS = VP avremo V DS = 0. In tali condizioni si ha IDS = 0 per
qualsiasi valore di VDS (JFET interdetto).
In gura 9.6 la curva tratteggiata unisce i punti di pincho corrispondenti ai
diversi valori di VGS .
IL JFET può essere adoperato come amplicatore nella zona in cui le caratteristiche sono delle rette orizzontali, cioè nella zona di saturazione. Vediamo che in tale
zona una variazione della tensione applicata al gate: VGS , causa una variazione
nella corrente: IDS , indipendente dal valore di VDS . In altre parole, il JFET è un
dispositivo attraverso cui si controlla una corrente con un segnale di tensione.
A dierenza del transistor bipolare a giunzione, in cui alla conducibilità contribuiscono sia elettroni che lacune, in un JFET i portatori di carica sono di un solo
segno: negativi per un JFET a canale n, positivi per uno a canale p. Di qui la
denominazione di dispositivi unipolari spesso adoperata per indicare i JFET.
213
Poichè il diodo (p+ n) è polarizzato inversamente, limpedenza vista dal

generatore del segnale di tensione VGS = vgs è molto elevata e la corrente che
uisce tra gate e canale è sostanzialmente nulla. Questo è un importante vantaggio
del FET rispetto ai normali transistor bipolari.
Aumentando ulteriormente la tensione VDS si raggiunge un valore in corrispondenza al quale la corrente IDS aumenta molto rapidamente. Ciò è legato al fatto
che per tale valore di VDS la dierenza di potenziale tra gate e canale aumenta cos`
tanto da causare un processo a valanga (breakdown). Il valore di VDS a cui avviene
il breakdown dipende quindi anche da VGS . Indicando con BVDS la tensione di
breakdown, si trova che essa dipende da VGS come segue:
|BVDS | = |VBR | |VGS |
dove con |VBR | abbiamo indicato la dierenza di potenziale tra il gate ed il punto P
di gura 9.4 che causa il breakdown della giunzione. Tensioni tipiche di breakdown
sono nel range 20 100 V olt.
Riassumendo, possiamo distinguere, nel funzionamento del JFET, tre zone distinte:
(a) La zona ohmica, in cui la dierenza di potenziale drain-source è piccola ed il
canale è ancora aperto. La corrente di drain in tale zona può essere espressa
come:

2
ID = Kp 2 (VGS VP ) VDS VDS
per 0 < VDS (VGS VP ).
Questa, per VDS |VP | può esser approssimata come:
ID = Kp [2 (VGS VP ) VDS ]
La costante Kp è poi data da:
Kp =
IDSS
VP2
(b) La zona di saturazione, VDS > (VGS VP ), in cui la corrente IDS non dipende
da VDS . La corrente in tale zona è data da:
ID = Kp (VGS VP )2
dove, per un JFET a canale n deve essere: VP VGS 0.
Il luogo dei punti di pincho, cioè della curva che separa la zona ohmica da
quella di saturazione, può esser ottenuto da tale equazione ponendo VGS =
VDS + VP :
2
ID = Kp VDS
che è lequazione di una parabola.
(c) La zona di interdizione. Questa è la zona in cui la dierenza di potenziale VGS
è minore di VP (dove, per un JFET a canale n, VP è negativo). In tale zona
la corrente è nulla, ID = 0.
(d) La zona di breakdown, in cui la dierenza di potenziale VDS applicata è cos` elevata da causare un brusco aumento della corrente ed eventualmente la rottura
del dispositivo.
214
9.3
Struttura base dei MOSFET
I MOSFET, o Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Eect-Transistor, esistono in una

notevole varietà di strutture: a canale n, a canale p, ad arricchimento, a svuotamento.
Esaminiamo, per cominciare, la struttura di un MOSFET a canale n ad arricchimento (n channel enhancement) noto come NMOS. Questa è mostrata in
gura 9.7.
S
Al
SiO2
n+
G
Al
SiO2
-------------------------------
D
Al
SiO2
n+
substrato p
Figura 9.7: Struttura base di un MOSFET. Sono indicati i contatti metallici esterni (Alluminio),
lo strato di biossido di silicio, le zone con drogaggio n+ , il substrato p. Il canale tra le due
zone n+ è indicato in tratteggio.
Due regioni n+ ad elevato drogaggio sono inserite in un substrato di tipo p. La
supercie superiore è coperta da un sottile strato di biossido di silicio, eccezion fatta
per due inserzioni metalliche (Al) che costituiscono i contatti esterni delle zone n+ .
La prima di queste costituisce il Source, la seconda il Drain. Sulla parte centrale
della zona di SiO2 esiste un ulteriore elettrodo dalluminio (il Gate). Inferiormente
esiste un ultimo elettrodo, quello del Substrato.
Normalmente il source ed il substrato sono uniti insieme, mentre il gate è tenuto
ad un potenziale positivo rispetto al source. Anche il drain è tenuto ad un potenziale
positivo rispetto al source.
Notiamo ora che, prima che tali potenziali vengano applicati, elettroni diondono dalle zone n+ verso la zona p del substrato. Se ora il gate è portato ad un
potenziale positivo rispetto al source (ed al substrato), questi elettroni vengono attratti nella parte di substrato compresa tra drain e source, aumentando in tal modo
la conducibilità di tale regione e creando un canale conduttivo. La dierenza di
9.3 Struttura base dei MOSFET
215
potenziale applicata tra drain e source causerà allora un passaggio di corrente nel
verso drain-source. La minima dierenza di potenziale VGS per cui ciò avviene è
detta tensione di soglia ed indicata con il simbolo Vt .
Allaumentare di VDS , con VGS costante e maggiore di Vt , la corrente aumenta.
Il sistema si comporta come una resistenza (in modo analogo al JFET nella zona
ohmica). Questa è quindi la zona ohmica del MOSFET.
Notiamo ora che laumento di VDS , cioè di VD , causa una diminuzione del valore
relativo della tensione di gate rispetto a quella del canale in prossimità del drain, il
che a sua volta causa un restringimento del canale in tale zona.
Quando VDS diviene abbastanza grande e VDG diventa inferiore a Vt (cioè: VDG =
VGS VDS Vt ) si ha un pincho, analogo a quello già visto nel caso del JFET.
Ogni ulteriore aumento di VDS non causa sostanziali incrementi nella corrente IDS .
Il MOSFET è entrato nella zona di saturazione.
La caratteristica completa del MOSFET, cioè la dipendenza funzionale di IDS
da VDS , per VGS costante, è mostrata in gura 9.8.
IDS
Zona
ohmica
Zona di saturazione
.
VGS = costante > Vt
VGS-Vt
V DS
Figura 9.8: Caratteristica di un MOSFET: IDS in funzione di VDS per VGS = costante. Sono
indicate la zona di saturazione (VGS > Vt ) e quella ohmica.
Continuando ad aumentare VDS si raggiunge un punto in cui si verica il breakdown del MOSFET e la corrente aumenta molto per ulteriori piccoli aumenti di
VDS . Ciò è del tutto analogo a quanto accade nel caso del JFET. Valori tipici della
tensione di breakdown vanno da alcune decine di Volt a circa 100 Volt.
Il simbolo del MOSFET ad arricchimento a canale n, è quello di gura 9.9.
La gura(a) mostra il simbolo completo, dove sono indicati i terminali di source
(S), drain (D), gate (G) e substrato o body (B). Il verso della freccia è quello che
corrisponde al diodo substrato-regione n+ . La gura (b) è il simbolo abbreviato,
adoperato quando il substrato è unito al source. Ora il verso della freccia è quello
della corrente nel FET.
216

D
G
S
(a)
(b)
Figura 9.9: Simboli adoperati per un MOSFET ad arricchimento a canale n: (a) il simbolo
completo; (b) simbolo abbreviato, adoperato quando il substrato è unito al source.
Notiamo che, essendo il gate completamente isolato, limpedenza vista guardando nel gate è (teoricamente) innita. Nella pratica essa e molto grande ( 108 M).
Nella zona ohmica (VDS VGS Vt ), la caratteristica di trasferimento di un
NMOS può esser espressa come:

2
IDS = KP 2 (VGS Vt ) VDS VDS
(9.1)
Per VDS VGS Vt , cioè nella zona di saturazione, la caratteristica di trasferimento si ottiene da questa, sostituendo a VDS la grandezza VGS Vt . Infatti la corrente nella zona di saturazione è quella raggiunta dalla corrente nella zona ohmica,
quando VDS raggiunge il valore VGS Vt . Si ha quindi:
IDS = KP (VGS Vt )2
Per VGS = 0 questa diventa:
IDS = KP Vt2 IDSS
dove IDSS è la corrente che uisce tra drain e source quando VGS = 0 (corrente di
saturazione). IDSS è molto piccola ( nA).
Segue dallultima relazione che la costante KP è data da:
KP =
IDSS
Vt2
per cui:
IDS
IDSS
=
(VGS Vt )2 = IDSS
Vt2
VGS
1
Vt
2
Esiste il MOSFET a canale p ad arricchimento, in cui tutti i segni e le polarizzazioni sono invertiti rispetto a quello a canale n ora esaminato. Il funzionamento è
altrimenti del tutto analogo.
I simboli adoperati per questo MOSFET (PMOS) sono mostrati in gura 9.10.
Notiamo che ora la corrente scorre nel verso source-drain (con il gate unito al source).
Esaminiamo ora un dispositivo a svuotamento, prendendo ad esempio un MOSFET a canale n, quale quello mostrato in gura 9.11.
Ora nella zona compresa tra le due regioni n+ esiste un canale n. In assenza di
tensione applicata al gate il dispositivo quindi condurrà.
9.3 Struttura base dei MOSFET
217
B
G
S
(a)
(b)
Figura 9.10: Simboli adoperati per un MOSFET ad arricchimento a canale p: (a) il simbolo
completo; (b) simbolo abbreviato, adoperato quando il substrato è unito al source.
Al
D
Al
Al
SiO2
SiO2
n+
SiO2
n+
substrato p
Figura 9.11: Struttura schematica di un MOSFET a canale n a svuotamento. Sono indicati

contatti metallici in alluminio, lo strato di biossido di silicio, le zone con drogaggio n+ , il canale n
che viene chiuso quando il gate è tenuto ad un potenziale negativo rispetto al source.
Se il gate è tenuto ad un potenziale negativo rispetto al source (unito al substrato), gli elettroni contenuti nella zona n del substrato vengono respinti. Di conseguenza si formerà una zona di svuotamento, cioè un restringimento del canale.
Viceversa, se il gate è tenuto ad un potenziale positivo, ulteriori elettroni saranno attratti verso lo strato superiore di SiO2 ; si avrà un ulteriore allargamento del
canale, cioè un aumento della conduttanza. In questo secondo caso si dice che il
transistor opera nel modo di arricchimento, nel primo, di svuotamento.
Ammettiamo ora di operare nel modo di svuotamento, cioè con il gate tenuto
ad un potenziale negativo. Se la dierenza di potenziale VDS vien fatta aumentare,
la corrente aumenterà dapprima in modo lineare (zona ohmica) ma, per ulteriori
218
aumenti di VDS si avrà un fenomeno analogo a quello già visto nei casi precedenti:
la dierenza di potenziale VDG aumenta, e ciò causa un restringimento del canale in
prossimità del drain. Landamento della corrente IDS in funzione di VDS comincerà
a deviare dalla linearità. Se la dierenza di potenziale VDS supera un certo valore, si
ha il pincho del canale e la corrente diverrà, come nei casi precedenti, indipendente
da VDS . Questa è la zona di saturazione del transistor.
Come nel caso del JFET, chiamiamo VP il valore di VDS che causa la saturazione
con VGS = 0. Questo è anche il minimo valore di VGS che causa il pincho con
VDS = 0.
La corrente che uisce tra drain e source quando VGS = 0 e VDS = |VP | è nota
come corrente di saturazione: IDSS .
La caratteristica di questo transistor nel piano IDS VDS , con VGS = 0 è mostrata
in gura 9.12.
IDS
Zona di saturazione
Zona
ohmica
VGS = 0
V DS
VP
Figura 9.12: Caratteristica di un MOSFET: IDS in funzione di VDS per VGS = 0.

La saturazione si ha per valori di VDS tali che la dierenza di potenziale gatecanale in prossimità del drain uguagli VP . Cioè:
VGD = VGS VDS = VP
o anche:
VDS = VGS VP
La caratteristica di trasferimento nella zona ohmica (0 < VDS VGS VP ) è data
da:

2
IDS = KP 2 (VGS VP ) VDS VDS
che, per piccoli valori di VDS (VDS VP ) può esser approssimata da:
IDS = KP [2 (VGS VP ) VDS ]
9.4 Caratteristiche dei FET
219
con:
KP =
IDSS
VP2
Nella zona di saturazione: VDS VGS VP , la dierenza di potenziale tra drain

e source è maggiore della tensione di pincho e la corrente IDS diviene praticamente
indipendente da VDS . La corrente in tale zona può esser ottenuta dallequazione
precedente ponendo: VDS = VGS VP . Si ottiene allora:
IDS = KP (VGS VP )2
Per un valore pressato di IDS questa equazione fornisce due valori diversi di
VGS , solo uno dei quali è sicamente signicativo (VGS > VP per un FET a canale n;
VGS < VP per uno a canale p). Il luogo dei punti di pincho, che denisce il conne
tra la zona ohmica e quella di saturazione, si ottiene ponendo nellultima equazione:
VGS = VDS + VP
Si trova:
2
IDS = KP VDS
che è lequazione di una parabola.

Il simbolo adoperata per il MOSFET a canale n a svuotamento è quello mostrato
in gura 9.13. In (a) è mostrato il simbolo completo, in (b) quello relativo al caso
in cui il source sia unito al substrato.
D
G
S
(a)
S
(b)
Figura 9.13: Simbolo adoperata per il MOSFET a canale n a svuotamento. In (a) è mostrato
il simbolo completo, in (b) quello relativo al caso in cui il source sia unito al substrato.
Il simbolo adoperato per il MOSFET a canale p a svuotamento dierisce da

quello della gura solo per il verso delle frecce.
9.4
Caratteristiche dei FET
Le curve caratteristiche di un tipico FET a canale n sono mostrate in gura 9.14

dove và notato che, per un dispositivo a svuotamento quale il JFET, VGS deve esser
negativo.
I punti indicati con le labels A,B,C,.., sono i punti di pincho corrispondenti ai
vari valori di VGS .
La zona di saturazione inizia per VDS = VA se VGS = V1 , per VDS = VB se
VGS = V2 , etc..
220
15.0
IDS
VGS=V1
12.0
VGS=V2
B
9.0
VGS=V3
C
6.0
VGS=V4
3.0
VGS=V5
0. 0.
2.0
4.0
6.0
VDS
8.0
10.0
Figura 9.14: Caratteristiche tipiche di un JFET: è riportata la corrente IDS in funzione di

VDS per valori diversi della dierenza di potenziale VGS . I punti indicati con A,B,.. sono i punti
di pincho relativi ai dati valori di VGS
0.4
IDS
0.3
0.2
1.5
0.5
VGS
Figura 9.15: Relazione tra IDS e VGS nella zona di saturazione
La caratteristica che esprime landamento di ID in funzione di VGS nella zona di

saturazione è mostrata in gura 9.15.
Questa è a volte espressa analiticamente nella forma:
IDS = IDSS

3/2 !
VGS
VGS
1+3
+2
VP
VP
(9.2)
9.4 Caratteristiche dei FET
221
che è spesso approssimata con un andamento quadratico:

n
VGS
(9.3)
IDS = IDSS 1
VP
con n 2.
Come visto, un FET è un dispositivo che controlla una corrente (la corrente
nel canale, IDS ) mediante una tensione (la dierenza di potenziale VGS tra gate e
source). Un parametro importante è quindi la transconduttenza gm :
IDS
(9.4)
VGS
Facendo uso dellultima equazione (con n=2) si trova:
2
IDS IDSS
(9.5)
gm =
VP
La corrente IDS nella zona di saturazione non è rigorosamente costante per VGS
ssato, ma dipende leggermente 2 anche da VDS . Scriveremo allora:
gm
ID IDS = f (VGS , VDS )

e, per piccole variazioni di VGS e VDS :
ID
ID
ID =
VGS +
VDS
VGS
VDS
cioè, indicando con lettere minuscole le componenti variabili di correnti e tensioni:
id = gm vgs + gd vds
(9.6)
dove:
ID
(9.7)
VDS
è la conduttanza dierenziale del canale nella zona di saturazione: gd = 1/rd .
Valori tipici di gm ed rd sono:
gd =
gm 3 mS
rd 100 k
Spesso rd è cos` elevato da poter esser trascurato.
Confrontiamo la (9.6) con lanaloga equazione per il transistor bipolare nella
congurazione emettitore comune:
ic = hf e ib + hoe vce
con:
vbe = hie ib
da cui:
hf e
vbe + hoe vce
hie
Dal confronto vediamo che il parametro hf e /hie del transistor bipolare corrisponde al gm del JFET, mentre hoe corrisponde a gd .
Il gm tipico del FET è (1 5) mS, mentre il parametro hf e /hie del transistor
bipolare vale (40 400) mS.
ic =
Ci`
o è analogo a quanto accade nel caso dei transistor bipolari, a causa delleetto Early.
222
9.5
Circuito equivalente del FET
Lequazione (9.6) della sezione precedente porta in modo immediato al circuito

equivalente di gura 9.16.
G
gm vgs
rd
Figura 9.16: Circuito equivalente del JFET. gm è la transconduttanza del JFET; rd la resistenza
duscita.
Notiamo che limpedenza dingresso è eettivamente innita, il che è rappresentato dal gate che risulta isolato nello schema equivalente. Usando poi il teorema di
Thevenin, possiamo sostituire, come mostrato in gura 9.17, al generatore dipendente di corrente, in parallelo con la resistenza rd , un generatore di tensione, vgs ,
in serie con rd , dove = rd vgs .
rd
-gm rd vgs=- vgs
Figura 9.17: Circuito equivalente del JFET ottenuto da quello di gura 9.16, sostituendo al
generatore di corrente gm vgs in parallelo ad rd un generatore di tensione gm rd vgs in serie ad rd
Il parametro gd = 1/rd è noto come conduttanza di drain o conduttanza

duscita. Il parametro è anche uguale a:
=
VDS
|I =cost.
VGS DS
9.6 Schemi di polarizzazione per il FET
9.6
223
Schemi di polarizzazione per il FET
Uno schema tipico in cui un FET a canale n viene adoperato come amplicatore è
quello mostrato in gura 9.18.
VDD
ID
Rd
D
VOUT
S
Rg
Rs
Figura 9.18: Schema di polarizzazione di un JFET adoperato come amplicatore. La resistenza Rg è di regola molto grande. La resistenza Rs ha in parallelo un condensatore C di valore
abbastanza grande da costituire un corto per il segnale
Le resistenze Rg ed Rs servono a tenere il gate ad una tensione negativa rispetto
al source. Indicando con ID = IDS la corrente quiescente nel FET, si ha infatti:
VGS = VG VS = RS ID
(9.8)
VDD = Rd ID + VDS + Rs ID = (Rd + Rs ) ID + VDS
(9.9)
anche:
E
Il condensatore C è un corto circuito per la componente variabile, mentre è un

interruttore aperto per la corrente che polarizza il source.
Se sono dati VDD , Rd , Rs , Rg , è immediato trovare il punto di lavoro, facendo
uso delle caratteristiche di uscita o dellespressione analitica di ID vs VGS :

2
VGS
ID = IDS = IDSS 1
(9.10)
VP
Infatti, dallequazione (9.8) si ha: ID = VGS /Rs e, uguagliando questa al
secondo membro della (9.10), si ottiene:

2
VGS
VGS
=
IDSS 1
VP
Rs
224
che è unequazione quadratica nella variabile VGS . Risolta tale equazione si

ottiene VGS . Noto cos` VGS , ID si ottiene facendo uso della (9.10) e VDS facendo uso
della (9.9).
VDD = 15 V , Rd = 620 , Rs = 380
Rg = 10 M , IDSS = 13 mA , VP = 4.4 V
Troviamo facilmente:
VGS = 1.77 V
(Lequazione quadratica ha anche la soluzione VGS = 10.94 cui però corrisponde
ID = 0).
Si ottiene da questa:
ID = 4.65 mA
ed inne:
VDS = VDD (Rd + Rs )ID = 10.35V
Allo stesso risultato si potrebbe arrivare, ssati i valori dei componenti, facendo
uso delle caratteristiche di uscita, mostrate in gura 9.19.
Caratteristiche di un J-FET
Vdd/(Rs+Rd)
IDS
VGS=0
IDSQ
Q (VGSQ)
VGS=V10
Vdd
VDSQ
VDS
Figura 9.19: Retta di carico per il JFET di gura 9.18, sovrapposta alle caratteristiche del
JFET (IDS in funzione di VDS per diversi valori di VGS ). La retta di carico è caratterizzata dai
punti estremi: IDS = VDD /(Rs + Rd ) per VDS =0 e VDS = Vdd per IDS =0. Essa passa inoltre per
il punto di lavoro quiescente Q (VDSQ IDSQ )
9.6 Schemi di polarizzazione per il FET
225
Il valore di VDD ssa il punto della retta di carico corrispondente a ID = 0,

mentre il rapporto tra VDD ed (Rd + Rs ) ssa il punto corrispondente a VDS = 0.
Il punto di lavoro Q sarà il punto dintersezione tra la retta di carico e la curva
caratteristica per la quale risulti essere:
ID =
VGS
Rs
Esaminiamo come secondo esempio il seguente.

Si vuol calcolare la rete di polarizzazione di un J-FET a canale n (BFW10) tale
che il punto di riposo abbia:
IDSQ = 6 mA , VDSQ = 10 V , VDD = 20 V
I parametri IDSS e VP , forniti dal costruttore, sono:
IDSS = 13 mA , VP = 4.5 V
Il circuito di polarizzazione è il medesimo usato nellesempio precedente. Calcoliamo ora i valori dei componenti. Dallespressione analitica di ID vs VGS , troviamo:

ID
VGS = VP 1
IDSS

cioè:
VGSQ = VP

1
che, con i valori numerici dati, fornisce:

VGSQ = 4.5 1
6
13
IDQ
IDSS

= 1.44 V
Con tale valore di VGSQ troviamo:

Rs =
Rd =
VGSQ
= 250
IDQ
VDD VDSQ Rs IDQ

20 10 0.25 6
=
1.4 k
IDQ
6
Il valore della resistenza Rg non è molto importante. Esso può essere scelto in
modo da ottimizzare il valore della resistenza dingresso dellamplicatore.
Teniamo ora conto del taglio in frequenza posto dalla presenza del condensatore
C. La costante di tempo associata al sistema Rs C:
= Rs C = 250 C
corrispondente ad una frequenza fmin = 1/(2 ).
Se si vuole adoperare lamplicatore a frequenze f maggiori di 40 Hz, dovremo
avere:
226
40 >
1
1
=
2
1500C
da cui:
1
16 F
40 1500
Per calcolare i valori dei componenti necessari per polarizzare un FET, è possibile
alternativamente far uso della caratteristica mutua (IDS VGS ).
Consideriamo ad esempio il caso di un FET per il quale, dalla caratteristica
mutua, si possa desumere che per il valore di IDSQ voluto (10mA) sia VGS = 1V .
Se inoltre si vuole VDSQ = 10V e VDD = 20V , dalle solite equazioni (9.8) e (9.9) si
trova:
Rs = 100
C>
Rd = 900
Uno schema di polarizzazione alternativo è quello che usa un partitore sul gate,
VDD
Rd
R1
Vout
R2
Rs
Figura 9.20: Schema di polarizzazione di un FET che utilizza un partitore per ssare la tensione
del gate. La congurazione è quella source comune. La capacit`
a C sar`
a scelta di valore abbastanza
grande da costituire un corto alle frequenze di lavoro dellamplicatore
Si supponga di voler far uso di un J-FET a canale n BF256B, la cui caratteristica

di trasferimento è mostrata in gura 9.21.
Si sia inoltre scelto:
Rs = 1 k , Rd = 3 k , R1 + R2 = 2 M , VDD = 25 V
e ssato VG a +2 V . Dalla maglia dingresso si ha:
VGS = VG Rs ID
dove:
VG =
R2
VDD
R1 + R2
(9.11)
9.7 Amplicatori a FET
227
10
IDS (mA)
5
(0,2mA)
-4
-2
(2V,0)
VGS
Figura 9.21: Retta di carico, sovrapposta alla caratteristica IDS VGS per lamplicatore di
gura 9.20
da cui:
R2 = (R1 + R2 )
VG
= 160 k
VDD
Per cui:
R1 = 2 M R2 = 1840 k
Tracciamo ora sulla caratteristica, la retta di carico data dalla (9.11). Questa
passa per i punti (0, VG /Rs ) e (VG , 0); cioè, nel nostro caso, per i punti: (0, 2 mA)
e (2V, 0). Le coordinate del punto dintersezione con la caratteristica mutua sono:
IDQ = 3.5 mA
VGSQ = 1.5 V
Si ha poi per la tensione di drain:
VDSQ = VDD (Rd + Rs )IDQ = 25 (3 + 1) 3.5 V = 11 V
Al medesimo risultato si sarebbe potuti arrivare facendo uso delle caratteristiche
di drain (IDS , VDS ) anzichè di quelle di trasferimento.
9.7
Amplicatori a FET
Il parametro pi`
u importante nel calcolare la risposta di un FET adoperato come
amplicatore è la transconduttanza gm . Abbiamo già visto (equazione (9.5)) che
essa è data da:
2
gm =
IDS IDSS
VP
Se ora deniamo:
gm0 = gm (IDS = IDSS ) =
2
IDSS
VP
228

avremo:
gm = gm0
o, alternativamente:

gm = gm0
IDS
IDSS
VGS
1
VP
(9.12)

(9.13)
Vediamo cos` che la transconduttanza aumenta come la radice quadrata di IDS ,

mentre dipende linearmente da VGS e diminuisce al crescere del valore assoluto di
questa.
Facciamo ora uso del modello del FET discusso in precedenza per calcolare il
guadagno in tensione di un amplicatore a FET come quello mostrato in gura 9.22.
VDD
Rd
C1
Vout
C3
Vin
S
Rg
Rs
C2
Figura 9.22: Amplicatore di tensione a FET

Se ammettiamo di potere, alle frequenze di lavoro, assimilare tutti i condensatori
a dei cortocircuiti, lo schema equivalente utile per il calcolo del guadagno in tensione,
denito come il rapporto tra vds e vgs , è quello di gura 9.23.
Da questo si ottiene:
id = gm vgs + gd vds
vds = Rd id
con:
gd = 1/rd
Ne segue:
vds = Rd gm vgs Rd gd vds
vds (1 + Rd gd ) = Rd gm vgs
ed inne:
9.7 Amplicatori a FET
229
id
G
gm vgs
vgs
rd
vds
Rd
Figura 9.23:
Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno in tensione

dellamplicatore a FET di gura 9.22
Av
vds
Rd gm
=
vgs
1 + Rd gd
(9.14)
Essendo poi:
rd + Rd
rd
il guadagno Av può anche essere espresso come:
1 + Rd gd = 1 + Rd /rd =
gm Rd rd
= gm Rd
(9.15)
Rd + rd
dove Rd è il parallelo di Rd ed rd .
Il circuito duscita può quindi essere schematizzato come un generatore di tensione pari a gm Rd vgs in serie con la resistenza Rd , come mostrato in gura 9.24,
dove abbiamo anche specicato la resistenza di polarizzazione sul gate e leventuale
carico RL .
Av
R*d
vgs
gm R*d vgs
Rg
RL
Figura 9.24:
Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita

dellamplicatore a FET di gura 9.22
Se ad esempio ammettiamo di far uso di un FET con gm = 2 mS ed una resistenza

di drain Rd = 10 k, avremo un guadagno in tensione di 20.
230
Calcoliamo ora limpedenza duscita di questo amplicatore. Per farlo usiamo la

denizione:
vout (circuito aperto)
Zout =
iout (corto circuito)

dove:
vout (circuito aperto) =
Rd gm
1 + Rd gd

vgs =
Rd =
gm
vgs
gd
e:
iout (corto circuito) = gm vgs
Ne segue:
Zout =
9.8
1
= rd
gd
Inseguitore di source
Il circuito di gura 9.25, analogo allinseguitore di emettitore, è un inseguitore di

source.
VDD
id
Ci
C
vout
S
vin
Rg
is
Rs
Figura 9.25: Inseguitore di source

Il guadagno in tensione è ottenibile facilmente se si ricorda che:
id = is = gm vgs
Essendo poi:
vout = Rs is = Rs gm vgs
e:
vgs = vin vout
si ha:
vout = Rs gm vin Rs gm vout
9.8 Inseguitore di source
231
da cui:
vout (1 + Rs gm ) = Rs gm vin
ed inne:
vout
Rs gm
=
1
(9.16)
vin
1 + Rs gm
poichè Rs gm 1 (in realtà questa disuguaglianza non è sempre vera: se Rs =
1 k e gm = 3mS segue che Rs gm = 3 ed Av = 0.75).
Consideriamo ad esempio un amplicatore che adopera un FET 2N3819, con:
Av
gm = 2mA/V
Rs = 4.7 k
Si trova:
9.4
0.9
10.4
Limpedenza dingresso dellinseguitore di source è determinata essenzialmente
da Rg , che può esser scelto di valore molto alto (> 20 M). Limpedenza duscita è
ottenibile dalla denizione:
vout (circuito aperto)
Rout =
iout (circuito chiuso)
Av =
in questa espressione, il numeratore è:

vout = Av vin =
Rs gm
vin
1 + Rs gm
mentre il denominatore è semplicemente: gm vin .

Si ha cioè:
Rs gm
1
(9.17)
Rout =
(1 + Rs gm )gm
gm
Nellesempio fatto, Rout = 1/(2mA/V ) = 500 .
Negli esempi visti, limpedenza dingresso dellamplicatore a FET è ridotta,
rispetto allimpedenza della giunzione di gate, dalla presenza delle resistenze di polarizzazione. Un fenomeno analogo si incontra nellamplicatore a transistor bipolare, dove, peraltro, limpedenza dingresso intrinseca non è altrettanto elevata.
Un metodo per ridurre leetto della resistenza di polarizzazione nellinseguitore
di source è quello noto come bootstrap, di cui un esempio è quello di gura 9.26.
Prima di esaminarlo quantitativamente, vediamo di capire intuitivamente ciò che,
in tale circuito, causa laumento dellimpedenza dingresso. La tensione del source,
come sappiamo, insegue quella del gate. La tensione del punto P, se Rs1 è piccola
rispetto ad Rs2 , insegue anchessa la tensione di gate. La corrente i che attraversa
la resistenza Rg è pari alla dierenza di potenziale ai suoi capi divisa per Rg . Ora,
la dierenza di potenziale ai capi di Rg , per leetto di inseguimento menzionato,
è molto piccola: se vg aumenta, cos` fa anche vp ; di conseguenza il rapporto vg /i,
che è appunto la resistenza vista dal generatore, sarà grande. Vediamolo ora
quantitativamente. La tensione del punto P è:
vp =
Rs2
vs
Rs1 + Rs2
232
VDD
id
Ci
C
vout
S
Rg
vin
Rs1
is
P
Rs2
Figura 9.26: Inseguitore di source ad alta impedenza dingresso. La resistenza Rg , insieme ad

Rs1 ed Rs2 realizza un circuito bootstrap.
mentre è:
Rg i = vg vp = vg
Rs2
vs
Rs1 + Rs2
Limpedenza eettiva di Rg è allora:

Zef f =
vg
vg
=
i
vg
Rg
Rs2
vs
Rs1 +Rs2 Rg
Rg
1
Rs2
vs
Rs1 +Rs2 vg
Sostituiamo ora al rapporto vs /vg la sua espressione data dalla (9.16). Troviamo:

Rs1 + Rs2
Rg
Rg
Zef f =
= Rg
gm
Rs2
Rs1
1
1 1+(RRs2+R
R
+R
)g
s1
s2
s1
s2
Vediamo cos` che se (Rs1 + Rs2 ) Rs1 , si ha:

Zef f Rg
9.9
Amplicatore a FET: struttura generale
Abbiamo nora studiato le caratteristiche dellamplicatore a FET nelle congurazioni source-comune o inseguitore di source. Nel primo caso la resistenza di source
era bypassata dal condensatore, nel secondo non cera alcuna resistenza sul drain
e mancava il condensatore. Esaminiamo ora il caso generale in cui siano presenti sia
Rd che Rs e che nessuna delle due abbia un condensatore in parallelo.
9.9 Amplicatore a FET: struttura generale
233
La struttura è quindi quella di gura 9.27. Il circuito equivalente utile per il

calcolo del guadagno e delle impedenze duscita e dingresso è mostrato nella stessa
gura
VDD
Rd
vo1
vo2
Rs
Vi
rd
vgs
Vi
D
id
S
Rs
Rd
vo1
vo2
R'o2
R'o1
Figura 9.27: Struttura generale di un amplicatore a FET. Questo può esser adoperato come
inseguitore di source, prelevando luscita vo2 o come amplicatore prelevando luscita vo1 . In basso è

mostrato il circuito equivalente adoperato per il calcolo delle caratteristiche dellamplicatore. Ro1

è limpedenza duscita del circuito quando lo si usi come amplicatore; Ro2
quella dellinseguitore
di source.
vo2 è luscita nel caso in cui si adoperi il circuito come inseguitore di source;
vo1 quella relativa al caso in cui lo si adoperi come amplicatore common-source.
Abbiamo adoperato, nel circuito equivalente, il generatore dipendente di tensione:
vgs = gm rd vgs in serie con rd .
Dallequazione della maglia duscita otteniamo:
id (Rd + rd + Rs ) = vgs
vgs = vg vs = vi Rs id
234
Da queste due equazioni segue:

id (Rd + rd + Rs ) = vi Rs id
da cui:
id =
vi
Rd + rd + Rs (1 + )
La tensione in uscita sul drain è:

vo1 = Rd id =
Rd vi
Rd + rd + Rs (1 + )
(9.18)
La tensione in uscita sul source:

vo2 = Rs id =
Rs vi
Rd + rd + Rs (1 + )
(9.19)
Il guadagno in tensione relativo al primo caso (amplicatore source-comune con

resistenza sul source) è allora:
Av1 =
vo1
Rd
=
vi
Rd + rd + Rs (1 + )
(9.20)
(dove 1).
Questa può esser riscritta, trascurando 1 rispetto a e sostituendo = gm rd
nella forma:
Av1 =
gm R
gm rd Rd
=
Rd + rd + Rs (1 + )
1 + gm (Rs /Rd )R
dove:
R =
(9.21)
rd Rd
rd + Rd
Se è gm (Rs /Rd )R 1, questa diventa Av1 = Rd /Rs , cioè il guadagno viene
a dipendere solo dalle resistenze Rd ed Rs e non dal gm del FET. Ciò è analogo a
quel che si trova nel caso di un amplicatore a transistor bipolare con resistenza
sullemettitore.

Calcoliamo ora, per questa congurazione, limpedenza duscita Ro1
. Ricorriamo
alla denizione:
vo1 (circuito aperto)

Ro1
=
io1 (circuito chiuso)
dove vo1 (circuito aperto) è il segnale di tensione in uscita in assenza di carico (a
parte Rd ), cioè:
Rd vi
vo1 (circuito aperto) =
Rd + rd + (1 + )Rs
e la corrente in uscita io1 (circuito chiuso) è ottenibile dal circuito equivalente di
gura, ponendo un corto in parallelo ad Rd . Si ottiene in tal modo:
io1 (circuito chiuso) = id =
vgs
rd + Rs
9.9 Amplicatore a FET: struttura generale
235
con:
vgs = vg vs = vi Rs id
da cui si ottiene poi:
io1 (circuito chiuso) = id |Rd =0 =
vi
rd + Rs (1 + )
Si ha cos` per limpedenza duscita:

= Rd
Ro1
rd + Rs (1 + )
= Rd (rd + Rs (1 + ))
rd + Rd + Rs (1 + )
(9.22)

, calcolata senza
Si vede da questultima espressione che la resistenza duscita Ro1
tener conto di Rd è:
Ro1 = rd + Rs (1 + )
(9.23)

.
Calcoliamo ora la resistenza duscita Ro2

Ro2
=
dove:
vo2
(circuito aperto)
vo2 (circuito aperto)

Rs vi
Rd + rd + (1 + )Rs
vi
= io2 |Rs =0 =
Rd + rd
da cui:

Ro2
=
Rs (Rd + rd )
Rd + rd + (1 + )Rs
(9.24)
Il guadagno in tensione nella congurazione inseguitore di source (con resistenza

sul drain) è (facendo uso della (9.19)):
Av2 =
vo2
Rs
=
vi
Rd + rd + (1 + )Rs
che per Rd = 0 diventa:

Av2 =
Rs
gm rd Rs
rd + (1 + )Rs
rd + gm rd Rs
Se ad esempio si sceglie:
Rs = 2 k ,
Rd = 1 k ,
rd = 100 k ,
e quindi:
= gm rd = 300
Avremo:

Av2 0.85 , Ro2
290
gm = 3 mS
236
9.10
Risposta in frequenza di un amplicatore a

FET
Il guadagno dellamplicatore a FET nella congurazione source-comune (con Rs =

0), calcolato in precedenza:
Av =
Rd rd
gm = gm Rd
Rd + rd
è indipendente dalla frequenza. Ciò dipende dal fatto che si sono trascurate le
capacità presenti nel circuito. Queste comprendono sia la capacità di accoppiamento,
che le capacità parassite interne al FET, nonchè quelle associate ai cavi che collegano
il generatore dei segnali che si vogliono amplicare allamplicatore stesso. Leetto
di tutte queste capacità è quello di ridurre la banda passante e di far s` che essa
assuma laspetto mostrato in gura 9.28, dove è riportato, in funzione di log(f ), il
rapporto |vout /vin | espresso in decibel.
24.0
Guadagno (dB)
20.0
16.0
12.0
8.0
frequenza (Hz)
4.0 20
100
1K
10K
100K
1M
10M
100M
Figura 9.28: Risposta in frequenza tipica per un amplicatore: guadagno in dB in funzione del
logaritmo della frequenza.
Vogliamo ora esaminare leetto delle varie capacità e vedere come esse inuiscano sulla banda passante. Il circuito base, mostrato in gura 9.29, presenta le
seguenti capacità:
Co : capacità duscita del generatore;
rs : resistenza duscita del generatore;
Cf : capacità associata ai cavi di collegamento;
Ca : condensatore daccoppiamento;
9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET
237
Cgs : capacità parassita tra gate e source nel FET;

Cgd : capacità parassita tra gate e drain nel FET.
Esaminiamo ora in dettaglio leetto di queste capacità sulla banda passante,
separatamente per le alte e le basse frequenze.
9.10.1
Risposta alle alte frequenze
VDD
Rd
VDD
Rd
D
Ca
C gd
VOUT
rs
Ca
Vout
S
Vin
Rg
->
Vin
CO
Cf
Rg
Cgs
Vg
Figura 9.29: A sinistra è mostrato un semplice amplicatore a FET. Ca è il condensatore

daccoppiamento al generatore. Il diagramma di destra è il circuito equivalente adoperato per il
calcolo della banda passante dellamplicatore. La capacit`
a Cgd schematizza la capacità interna
presente tra gate e drain del FET. Analogamente Cgs schematizza quella presente tra gate e source.
Cominciamo con lesaminare la risposta del circuito ad alta frequenza, dove Ca

può esser assimilata ad un corto-circuito. In tali condizioni, le capacità Co , Cf , Cgs
risultano in parallelo, e possono esser sostituite da ununica capacità C1 . Il circuito
diventa allora quello di gura 9.30 (a).
La resistenza Rg è in genere molto grande e può quindi esser trascurata. Sostituiamo inoltre al FET il suo circuito equivalente, costituito da un generatore di
tensione gm Rd vg , in serie con la resistenza Rd rd Rd . Si ottiene cos` lo schema
di gura 9.30 (b).
Facciamo ora lulteriore approssimazione (che vericheremo tra poco) consistente
nel trascurare la caduta ai capi di Rd . Ammettiamo cioè che sia vout = gm Rd vg . Il
circuito si trasforma allora ulteriormente in quello di gura 9.30 (c)
Applichiamo ora il teorema di Miller, facendo uso dellimpedenza che collega i
terminali duscita vout a quelli dingresso vg . Limpedenza è quella costituita dalla
serie di Cgd ed Rd :
1 + jRd C
1
+ Rd =
jC
jC
dove abbiamo per brevità di scrittura posto C Cgd .
Z =
238
Rd
(a)
VDD
(b)
Cgd
Vout
rs
Vin
C1
Rg
Vin
Vg
C1
R*d
C1
gmR*d vg
Vg
Cgd
Vg
gm R*d vg
Vout
(c)
Cgd R*d
rs
Vin
rs
Vout
Figura 9.30: Circuiti equivalenti adoperati per il calcolo della banda passante dellamplicatore
a FET nella regione di alte frequenze. (a) il circuito mostrato nella parte destra di gura 9.29 è
ridisegnato, eliminando la capacit`
a Ca e sostituendo alle due capacità C0 , Cf e Cgs il loro parallelo
C1 . (b) ulteriore modica del circuito mostrato in (a), ottenuta eliminando Rg e sostituendo al
FET un generatore di tensione di valore gm Rd vg in serie con Rd = Rd rd . (c) Circuito ottenuto
da quello in (b) ammettendo di poter trascurare la caduta di tensione ai capi di Rd .
Il teorema di Miller dà il circuito di gura 9.31, dove le impedenze Z1 e Z2 sono
date da:
Z
Z1 =
1K
Z2 =
ZK
1K
con: K = gm Rd .
Il guadagno in tensione è:
Av =
vg
vout
vout vg
=
= gm Rd
vin
vg vin
vin
Le impedenze Z1 e Z2 sono date da:

Z1 =
Z2 =
1 + jRd C
jC(1 + gm Rd )
(1 + jRd C)gm Rd
1 + gm Rd
(9.25)
239
rs
Vin
C1
Vg
Z1
Z2
gmR*dvg
Vout
Figura 9.31: Circuito equivalente ottenuto da quello di gura 9.30(c) facendo uso del teorema
di Miller.
Facciamo ancora unapprossimazione (la cui validità sarà vericata); ammettiamo che sia:
1
Rd
C
cioè: CRd 1.
Con ciò Z1 diventa:
1
Z1
jC(1 + gm Rd )
Limpedenza del parallelo Z1 C1 è allora:
Z =
Z1
1
=
1 + jC1Z1
j [C1 + C(1 + gm Rd )]
La relazione tra vg e vin è quindi:

vg = vin
Z
1
= vin

rs + Z
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]
per cui:
vg
1
=
vin
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]
Facendo uso della (9.25) si ottiene poi:
gm Rd
Av () =
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]
Ponendo Ao = gm Rd (guadagno a centro banda), questa può essere riscritta nella
forma:
Av () =
Ao
1 + jrs [C1 + C(1 + Ao )]
(9.26)
Vediamo cos` che la capacità C = Cgd risulta moltiplicata per il fattore 1+Ao , che
è in genere grande. Ciò è conseguenza delleetto Miller. I FET sono normalmente
costruiti in modo che la capacità Cgd (indicata in letteratura come Crss ) sia minore
di Cgs (con il simbolo Ciss viene indicata la somma Cgd + Cgs ). Valori tipici di
240
Crss per i FET sono nel range (1-15) pF mentre per Ciss troviamo valori nel range
(3-70) pF 3 .
Il modulo di Av dipende da come:
Ao
|Av ()| =
1 + (/U )2
(9.27)
1
rs [C1 + C(1 + Ao )]
(9.28)
con:
U =
Facendo ad esempio uso dei seguenti valori di Cgd , Cgs , rs ed Ao (guadagno a

centro banda):
Cgd = 2 pF
Cgs = 4 pF
rs = 10
Ao = 20
troviamo (ammettendo di poter trascurare C1 ):
U =
1
2.38 109 s1
10 [2 1012 21]
cioè:
U
= 379 MHz
2
Landamento di |Av | (in dB) in funzione della frequenza f è mostrato, per un
tipico amplicatore a FET, in gura 9.32.
Il valore di fU per tale amplicatore è 26 MHz. A tale frequenza il guadagno si
è ridotto di 3 dB rispetto al valore che esso ha a centro banda.
La frequenza fU (26 MHz nel nostro esempio) denisce il taglio superiore della
banda passante dallamplicatore.
Dalla denizione (9.28) di U segue che, per aumentare la banda passante occorre:
fU =
diminuire Ao ;
diminuire rs ;
diminuire C1 ;
diminuire Cgd .
Vediamo che diminuire questultimo parametro è particolarmente importante
poichè esso compare moltiplicato per Ao .
3
Sia Cgd che Cgs dipendono molto dalla dierenza di potenziale VDS e decrescono allaumentare
di questa, per rimanere approssimativamente costanti per valori di VDS maggiori di (10-15) V.
241
24.0
Guadagno (dB)
20.0
16.0
12.0
8.0
frequenza (Hz)
4.0
10M
1M
26 MHz
100M
200M
Figura 9.32: Andamento di |Av | (in dB) in funzione della frequenza f, nella regione delle alte
frequenze, per un tipico amplicatore a FET
Un aumento del guadagno Ao a frequenze intermedie si accompagna ad una
riduzione della banda passante. Si denisce quindi un fattore di merito dellamplicatore:
F = Ao fU
Cioè:
Ao
2rs [C1 + (1 + Ao )Cgd ]
A parità di F, un aumento di un fattore 10 nel guadagno Ao si accompagna
(allincirca) ad una riduzione di un fattore 10 nella banda passante.
Un esempio delleetto della capacità interna al FET tra gate e drain (Cgd ) è
mostrato in gura 9.33. Si vede chiaramente che, allaumentare di Cgd tra 1 pF e
10 pF la frequenza di taglio superiore scende da 30 MHz a 3.0 MHz.
Verichiamo ora, con un esempio numerico, la validità delle approssimazioni
fatte.
La prima delle approssimazioni è consistita nel trascurare (vedi gura 9.30) la
caduta di potenziale ai capi di Rd rispetto al potenziale del generatore dipendente
gm Rd vg . La seconda nel trascurare la caduta di potenziale ai capi di Rd rispetto a
quella ai capi della capacità Cgd .
Ammettiamo che sia:
F =
gm = 2 mS , Rd = 2 k , vg = 0.1 V , C = Cgd = 2 pF , f = 1 MHz

Avremo allora:
gm Rd vg = 0.4 V
La resistenza associata alla capacità C sarà:

Zc =
1
1
=
80 k
C
2f C
242
25.0
Guadagno (dB)
20.0
1 pF
15.0
2 pF
4 pF
6 pF
10.0
10 pF
8 pF
5.0
Frequenza (Hz)
0.0
1M
10M
100M
600M
Figura 9.33: Risposta in frequenza dellamplicatore a FET nella zona di alte frequenze,
per valori di Cgd compresi tra 1 pF e 10 pF (indicati in gura). Per il guadagno A0 a frequenze
intermedie si è scelto un valore di 20. I valori dei componenti utilizzati nella simulazione (eettuata
facendo uso del programma Microcap e della congurazione di gura 9.20) sono: rs =100 ; Rd =5 k;
Rs =5 k; R1 =80 k; R2 =30 k. In parallelo ad Rs è presente una capacità di valore molto grande. Il
FET utilizzato è il 2N3070, alimentato a 20 V.
Poichè questa è molto maggiore di Rd , vediamo che la caduta di potenziale ai capi di
Rd è trascurabile rispetto a quella ai capi di C (gm Zc vg ), il che giustica la seconda
delle approssimazioni fatte (a maggior ragione se la frequenza fosse pi`
u bassa di
quella scelta). Lapprossimazione verrebbe meno solo a frequenze tali che:
Zc Rd
cioè:
1
400 MHz
2Rd C
maggiore della frequenza di taglio dellamplicatore.
Per vericare la prima delle approssimazioni calcoliamo la corrente nella serie
C Rd :
vg (gm Rd + 1)
i =
Cvg (gm Rd + 1)
(Rd )2 + 1/( 2 C 2 )
f
La caduta di potenziale ai capi di Rd sarà allora:

v = Rd i = vg (gm Rd + 1)
Rd
0.05 (gm Rd + 1) vg (gm Rd + 1) vg
1/(C)
mentre la dierenza di potenziale ai capi di C, alla frequenza di 1 Mhz, è (gm Rd +1)vg .

Vediamo quindi che la dierenza di potenziale ai capi di Rd è, nel nostro esempio,
solo il 5% di quella ai capi di C.
9.10.2
243
Risposta alle basse frequenze
Ci siamo no a questo momento occupati della risposta dellamplicatore alle alte

frequenze. Vediamo ora di esaminarne il comportamento allaltra estremità dello
spettro, a frequenze molto basse. In tale regione si farà ovviamente sentire leetto
delle capacità in serie al segnale, cioè essenzialmente della capacità di accoppiamento
Ca . Poichè in tale zona di frequenza, limpedenza capacitiva |1/(jCa)| è grande,
potremo trascurare, rispetto a questa, limpedenza duscita rs del generatore.
Il circuito equivalente che adopereremo per calcolare la risposta in questa zona
di frequenze è mostrato in gura 9.34.
R*d
Ca
Vin
Vg
gmR*d vg
Rg
Vout
Figura 9.34: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta dellamplicatore a
FET alle basse frequenze.
In tale schema, vg è dato da:
vg =
Rg
1
vin
1 vin =
Rg + jCa
1 + jR1g Ca
da cui segue:
vout = gm Rd vg =
dove abbiamo posto:
Ao
1+
1
jCa Rg
vin
(9.29)
Ao = gm Rd
Il modulo della funzione di trasferimento |Av | è quindi:

|Av ()| =
Ao
1 + (L /)2
(9.30)
dove abbiamo posto:

L =
1
Ca Rg
Esso tende a 0 per 0 e si riduce di 3 dB per = L , cioè per un valore della

frequenza f:
fL =
1
L
=
2
2Ca Rg
(9.31)
244
Se Rg = 1 M e Ca = 4 nF ; si trova:
fL =
1
2
106 4 109
= 40 Hz
La frequenza fL denisce il limite inferiore della banda passante dellamplicatore. Notiamo ancora che per = L, la (9.29) ci dà per la quantità complessa
Av :
Av =
Ao (1 j)
2
(9.32)
da cui vediamo che alla frequenza fL cè uno sfasamento di /2 tra vin e vout .
9.10.3
Risposta sullintero spettro di frequenze
Lespressione della risposta globale in frequenza può essere ottenuta combinando

la (9.27) con la (9.30). Si trova:
Av =
Ao
(1 + j/U )(1 jL /)
il cui modulo è dato da:

Ao

|Av | =
1 + (/U )2 1 + (L /)2
(9.33)
Landamento del guadagno in funzione della frequenza f è qualitativamente quello

mostrato nella gura 9.35. Il graco superiore si riferisce al modulo del guadagno,
espresso in decibel, quello inferiore allo sfasamento (in gradi). Notiamo che agli
estremi della banda passante, ad esempio per f = fL o f = fU (indicati in gura
dalle linee tratteggiate verticali), il segnale in uscita è non soltanto attenuato, ma
anche fortemente fuori fase rispetto al valore che esso ha a centro banda.
Se quindi vin ha componenti di Fourier su di una banda di frequenza che si estende
dal centro banda no ad uno degli estremi (quale è ad esempio il caso di unonda
quadra), vout avrà componenti di Fourier che, per frequenze prossime allestremità
della banda, sono ridotte e sfasate. Ciò implica che vout sarà distorto rispetto a vin .
9.11
Verica delle approssimazioni fatte
Nella sezione precedente abbiamo ricavato la risposta in frequenza dellamplicatore

a FET facendo uso di alcune approssimazioni. Ci proponiamo ora di calcolare la
funzione di trasferimento senza fare alcuna approssimazione. Confronteremo poi il
risultato con quello approssimato ottenuto prima.
Il circuito equivalente è quello di gura 9.36 Questo può esser trasformato in
quello di gura 9.37, dove è:
Rg
Zg =
1 + sRg Cgs
9.11 Verica delle approssimazioni fatte
245
24.000
Guadagno (dB)
20.000
16.000
12.000
8.000
4.000
20
100
1K
10K
100K
1M
10M
100M
-50.000
Sfasamento (gradi)
-100.000
-150.000
-200.000
-250.000
Frequenza (Hz)
-300.000
20
100
1K
10K
100K
1M
10M
100M
Figura 9.35: Diagrammi di Bode per la risposta in frequenza di un tipico amplicatore a FET
(vedi equazione (9.33))
Facendo uso delle leggi di Kircho, si ottiene, come mostrato in appendice, il

seguente risultato:
vo
Av (s)
=
vs
Rd (sCgd gm )
=
C (sr (C +C )+1) 1+g R (9.34)

s
a
s
( m d)
gd
a +Cs )
+
(1 + sCgd Rd ) 1 + srs Cs + sCa1Zg + rs (C
Ca Zg
Ca
Questa può esser messa nella forma di un rapporto tra polinomi nella variabile
s. Infatti la Av (s) è ottenibile dalla (9.34), sostituendo a Zg (s) la sua espressione:
Zg =
Rg
1 + sRg Cgs
Si trova, dopo alcuni semplici passaggi algebrici, che la trasformata di Laplace della
funzione di trasferimento è data da:
Av (s) =
dove:
A0 s + A1 s2
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
A0 = Rd gm
A1 = Rd Cgd
1
B0 =
Ca Rg
(9.35)
246
Rd
(a)
rs
vs
rs
Ca
Cs
(b)
VDD
Cgd
Rg
Cgs
D
gmvgs
vs
Vg
Cgd
Ca G
vout
Cs
Rg
Cgs
R*d
vout
(c)
rs
vs
Cgd
Ca G
Cs
R*d
Rg
Cgs
gmR*dvgs
vout
Figura 9.36: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta in frequenza, sullintero
spettro di frequenze, dellamplicatore a FET
i1
vi
rs
Vs
i2
G
Ca
Cs
Cgd
Zg
gmR*dvgs
R*d
vout
Figura 9.37: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta in frequenza, sullintero
spettro di frequenze, dellamplicatore a FET. Questo è stato ottenuto da quello di gura 9.36(c)
sostituendo a Rg e Cgs il loro parallelo Zg .
B1 = 1 + rs
B2 = rs Cs + rs
Ca + Cs Cgs Rd Cgd Cgd Cgd gm Rd

+
+
+
+
Ca Rg
Ca
Ca Rg
Ca
Ca
Cgd Rd Cgs Cgd rs (Ca + Cs )

(Ca + Cs )Cgs
+ Cgd Rd +
+
+
Ca
Ca
Ca
9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione
247
Cgd rs (Ca + Cs )gm Rd rs (Ca + Cs )Cgd Rd

+
Ca
Ca Rg
rs (Ca + Cs )Cgs Cgd Rd

+ Cgd Rd rs Cs
Ca
Il risultato ottenuto con la seguente scelta dei parametri:
B3 =
Rd = 5000 , Cgd = 2pF , Ca = 1nF , rs = 100 , Cgs = 5pF ,

Rg = 100M , gm = 3 103 S , Cs = 2pF
è confrontato con quello del calcolo approssimato nelle gure 9.38 e 9.39, rispettivamente per la zona delle alte e delle basse frequenze.
Come si vede, il risultato esatto è praticamente identico a quello approssimato a
basse frequenze, mentre se ne discosta alquanto ad alte frequenze.
G()
100
10
1
100
1.103
1 .104
1 .105
1 .106
1 .107
risultato esatto
risultato approssimato
1 .108
1 .109 1 .1010
Figura 9.38: Confronto tra il risultato del calcolo esatto (equazione (9.35)) e di quello
approssimato (equazione (9.33)), nella zona delle alte frequenze, per la risposta in frequenza
dellamplicatore a FET. I valori dei componenti adoperati sono quelli elencati nel testo.
9.12
Risposta dellamplicatore ad un gradino di

tensione
Come sappiamo, la risposta in frequenza di un generico circuito è legata alla risposta

ad un gradino. Vediamo allora di calcolare tale risposta, che ci sarà utile quando ci
occuperemo dellelettronica per rivelatori di particelle nucleari.
248
G()
100
10
1
0.1
10
100
.10
13
risultato esatto
risultato approssimato
Figura 9.39: Confronto tra il risultato del calcolo esatto (equazione (9.35)) e di quello approssimato (equazione (9.33)), nella zona delle basse frequenze, per la risposta in frequenza
dellamplicatore a FET. I valori dei componenti adoperati sono quelli elencati nel testo.
La risposta al gradino è facilmente ottenibile una volta nota la trasformata
di Laplace della funzione di trasferimento. Questa è stata ottenuta nella sezione
precedente (equazione (9.35)).
La risposta al gradino unitario è ora data dallantitrasformata di Av (s)/s, cioè
di:
A0 + A1 s
(9.36)
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
Tale antitrasformata può esser calcolata numericamente facendo uso di programmi standard, quali Mathematica [45]. Con la seguente scelta dei valori dei
componenti:
vo (s) =
Rd = 5 k , Cgd = 2pF , Ca = 1nF , rs = 100 , Cgs = 5pF ,

Rg = 100M , gm = 3 mS , Cs = 2pF
si trova:
A0 = 15. , A1 = 1.0 108 ,

B0 = 10. , B1 = 1.037 , B2 = 1.396 108 , B3 = 7.01 1018
Lantitrasformata ottenuta è mostrata in gura 9.40, dove essa è confrontata con il

risultato approssimato ottenuto con il metodo discusso nelle sezioni precedenti. La
curva relativa al calcolo esatto è quella inferiore.
9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione
249
Si nota che il segnale in uscita non è un perfetto gradino, ma ha un tempo di

salita nito.
20
15
10
5 10-8
1 10-7
1.5 10-7
2 10-7
2.5 10-7
3 10-7
Figura 9.40: Risposta dellamplicatore a FET ad un gradino, per tempi inferiori a 0.3 s.
La curva superiore è quella relativa al calcolo approssimato, quella inferiore al calcolo senza
approssimazioni. La scala dei tempi è in secondi.
Landamento a tempi lunghi, mostrato in gura 9.41 mostra che la parte piatta
del gradino acquista, dopo lamplicatore, una pendenza nita. Questa è legata
sostanzialmente alla costante di tempo Rg Ca e può esser ridotta scegliendo un piccolo
valore di Ca .
20
15
10
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
Figura 9.41: Risposta dellamplicatore a FET ad un gradino, per tempi no a 10 ms. La curva
superiore è quella relativa al calcolo approssimato, quella inferiore al calcolo senza approssimazioni.
La scala dei tempi è in secondi.
250
9.13
I CMOS
In questi ultimi anni hanno avuto una larghissima diusione gli integrati basati sulla
tecnologia CMOS (Complementary MOS). Il loro successo è dovuto alla ridottissima
supercie occupata su di un chip da strutture basate su tale tecnologia e dal basso
consumo.
Non entreremo nei dettagli costruttivi di tali circuiti, ma ci limiteremo invece
a discutere il loro funzionamento, iniziando dal semplice utilizzo che se ne ha nella
realizzazione di invertitori (porte NOT) nei circuiti logici.
Un CMOS consiste nella combinazione di un PMOS e di un NMOS i cui gates,
uniti insieme, costituiscono il terminale dingresso come mostrato in gura 11.13.
M1 è un NMOS, M2 un PMOS. Anche i terminali di drain sono uniti insieme e
costituiscono luscita. Inoltre il substrato di ciascuno dei due transistor è unito al
source corrispondente. Se un segnale positivo superiore alla tensione di soglia Vt
del transistor NMOS è applicato al gate di questo, esso andrà in conduzione. Con
tale tensione di gate, M2 sarà invece interdetto. Avremo quindi per la tensione
duscita Vout =0. Se applichiamo al gate una tensione nulla, il transistor M1 sarà
interdetto mentre M2 condurrà. In tali condizioni avremo Vout = Vcc , dove Vcc è la
tensione di alimentazione. Nellesempio di gura 11.13 la tensione dalimentazione
è di 5 V, uguale alla tensione applicata al gate dal livello alto del segnale. I segnali
in ingresso ed in uscita da tale circuito, ottenuti facendo uso del programma di
simulazione Microcap, sono mostrati in gura 9.43. Vediamo che luscita è in eetti
il complemento dellingresso.
5V
M2
Vout
Vin
M1
Figura 9.42: Esempio di invertitore in tecnologia CMOS. La medesima congurazione può esser
adoperata per realizzare un amplicatore a CMOS
Un importante aspetto positivo di tale invertitore è costituito dal fatto che in

nessuno dei due stati logici i transistor M1 ed M2 assorbono corrente dal generatore.
Infatti, nello stato in cui M1 è in conduzione, M2 è interdetto, il che fa s` che
9.13 I CMOS
251
8.0
Vin
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.6
0.8
1.0
t (ms)
8.0
Vout
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
0.0
0.2
0.4
t (ms)
Figura 9.43: Segnali in ingresso (graco superiore) ed in uscita (graco inferiore) per
linvertitore a CMOS di gura 11.13.
il generatore non eroghi corrente. Analogamente, nello stato in cui M2 conduce,

è interdetto M1, il che nuovamente impedisce il passaggio di corrente nella serie
M1-M2.
Una dissipazione può solo aversi nella fase di commutazione tra i due stati logici.
A ciò contribuiscono due processi separati. Il primo è legato alle capacità presenti
a valle dellinvertitore, come mostrato in gura 9.44. Queste possono esser le capacità dingresso dei circuiti presenti a valle, come possono esser le capacità parassite
associate ai collegamenti elettrici. Se ora loutput passa dal livello 0 al livello 1, tali
capacità debbono (nellesempio in cui i livelli di tensione siano 0 V e 5 V) caricarsi
a 5 V in un piccolo intervallo di tempo dt. La corrente è quindi CdV /dt ed è tanto
maggiore quanto pi`
u rapida la commutazione. Il secondo processo che contribuisce
alla dissipazione di energia è legato al fatto che nel passaggio dalla fase di conduzione
di M1 (ed interdizione di M2) a quello complementare, i due transistor attraversano
la zona ohmica, in cui entrambi conducono. Nuovamente, in tale fase abbiamo quindi
una dissipazione di energia.
Un indubbio vantaggio che i CMOS presentano quando siano adoperati come
elementi di circuiti logici, è costituito dal fatto che essi operano tra livelli di tensione
uguali rispettivamente a quelli della massa e dellalimentazione. I livelli di tensione
corrispondenti ai due livelli logici sono quindi molto ben deniti e separati tra loro.
252
Figura 9.44: Capacità presenti alluscita di un invertitore a CMOS
9.13.1
I CMOS come amplicatori
I CMOS possono esser adoperati, oltre che come componenti di circuiti logici, come
amplicatori. La linearità che si ottiene non è tuttavia confrontabile con quella
fornita da amplicatori basati su transistor bipolari o su FET.
Ricordiamo che un FET può esser adoperato oltre che nelle zone di saturazione
ed interdizione, anche in quella ohmica. Nei CMOS che abbiamo esaminato nelle
sezioni precedenti, i MOSFET lavoravano commutando tra la zona dinterdizione
e quella di saturazione. La caratteristica di trasferimento del CMOS, ottenibile
facendo uso dellequazione (9.1) per un NMOS e dellanaloga per un PMOS, cioè
la relazione tra Vin e Vout (vedi gura 11.13) è qualitativamente del tipo di quella
riportata in gura 9.45.
M2 in saturazione
5
M1 in saturazione
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
Vout (V)
2
0
0
Vin (V)
Figura 9.45: Caratteristica di trasferimento di un CMOS. Le zone indicate con le lettere a e

corrispondono rispettivamente a: (a) M 2 in saturazione ed M 1 interdetto; (b) M 2 in saturazione
ed M 1 in zona ohmica; (c) entrambi i transistor in zona ohmica; (d) M 2 in zona ohmica ed M 1
in saturazione; (e) M 2 interdetto ed M 1 in saturazione
Esiste, come è evidente dalle caratteristiche mostrate, una zona intermedia tra
253
quelle estreme, in cui entrambi i transistor conducono. Pi`

u in particolare, la zona
centrale della caratteristica (zona (c) in gura 9.45) in cui entrambi i transistor
` in tale zona che il CMOS può esser adoperato come
lavorano in zona ohmica. E
` evidente dalla gura che ad una piccola variazione di Vin corrisponde
amplicatore. E
una variazione molto maggiore di Vout .
La linearità di tale amplicatore non è tuttavia molto buona. Esso trova applicazione in sistemi che non richiedano una grande fedeltà o che comunque non
possano rinunciare ai vantaggi di basso consumo oerti dal CMOS.
Per far s` che lamplicatore a CMOS lavori nella zona desiderata è necessario
polarizzare i due MOSFET in modo tale che, in assenza di segnale applicato sia
VG = VD . Ciò può esser ottenuto introducendo una resistenza di feedback tra
i due terminali di Gate e di Drain, come mostrato in gura 9.46, dove è stata
introdotta la resistenza R2 da 10 M. La gura 9.47 mostra il modulo (in dB)
del guadagno fornito da tale amplicatore per frequenze comprese tra 100 Hz ed
1 MHz. Il risultato è stato ottenuto facendo uso della versione demo del programma
di simulazione Microcap.
10
M1
100n
C2
C1
100n
M2
100k
R2
10Meg
Figura 9.46: Amplicatore a CMOS. La resistenza di feedback R2 è stata introdotta per

stabilire il punto di lavoro con VG =VD .
9.14
Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET
Calcoliamo ora, facendo uso del circuito equivalente mostrato in gura 9.37, la
funzione di trasferimento dellamplicatore a FET.
La corrente attraverso la capacità Cs è pari a i1 i2 , per cui:
vi = (i1 i2 )
1
sCs
(9.37)
254
84.
dB(Vout/Vin)
72.
60.
48.
36.
24. 100
1K
10K
100K
1M
Frequenza (Hz)
Figura 9.47: Guadagno in funzione della frequenza dellamplicatore di gura 9.46.

dove:
vi = vs i1 rs
(9.38)

i1 = i2 + sCs vi
che, sostituita nella (9.38) fornisce:
vi = vs rs i2 srs Cs vi
cioè:
i2 =
vi
(srs Cs + 1)
rs
(9.39)
La corrente in Zg è uguale a i2 i3 , per cui:

vgs = (i2 i3 ) Zg
(9.40)
dove è:
vgs = vi
i2
sCa
i2 = i3 +
vgs
Zg
(9.41)
255
che, sostituita nella (9.41) fornisce:

vgs = vi
i3
vgs
sCa sCa Zg
cioè:

vgs 1 +
1
sCa Zg

= vi
Dal nodo D abbiamo:

vo = vgs
nonchè:
i3
sCa
i3
sCgd
(9.42)
(9.43)
vo Rd i3 gm Rd vgs
(9.44)
Calcoliamo ora i3 facendo uso della (9.42) e sostituiamo nella (9.43):

i3
1
= vi vgs 1 +
sCa
sCa Zg
cioè:
i3 = sCa vi vgs
1
sCa +
Zg

(9.45)
sostituendo poi nella (9.43):

1
Ca
vo = vgs 1 +
+
Cgd sCgd Zg
(9.46)
Sostituendo invece i3 nella (9.44):

vo = gm Rd vgs + Rd sCa vi Rd vgs (sCa + 1/Zg )
da cui:

vo = vgs
e quindi:
vi =
Rd gm
Rd sCa
R
+ d
Zg

+ Rd sCa vi
vo + vgs Rd (gm + sCa + 1/Zg )

Rd sCa
(9.47)
Sostituendo questa nella (9.46), si ottiene poi:

sCgd Zg + sCa Zg + 1
Ca [vo + vgs (gm + sCa + 1/Zg )]
vo = vgs
=
sCgd Zg
Cgd Rd sCa

sCgd Zg + sCa Zg + 1 gm + sCa + 1/Zg
vo
= vgs
sCgd Zg
sCgd
sRd Cgd
da cui con facili passaggi si ottiene:
vo = vgs
Rd (sCgd gm )
1 + sRd Cgd
(9.48)
256
Dobbiamo ancora esprimere vgs in funzione di vs . Esprimiamo vgs in funzione di

vi e poi vi in funzione di vs .
Riscriviamo a tale scopo le (9.39) e (9.41):
vgs = vi
con:
i2
sCa
vs vi
(1 + srs Cs )
rs rs
vs
vi
= vi
+
(1 + srs Cs )
sCa rs sCa rs
i2 =
vgs
e poi:
vgs = vi
srs Ca + srs Cs + 1
vs
srs Ca
srs Ca
(9.49)
Uguagliando la (9.43) e (9.44) si ottiene:

i3 =
sCgd vgs (1 + gm Rd )
1 + sCgd Rd
(9.50)
Uguagliando la i3 data dalla (9.50) con la (9.45) si ottiene poi:

1
sCgd vgs (1 + gm Rd )
= sCa vi vgs sCa +
1 + sCgd Rd
Zg

1
sCgd (1 + gm Rd )
vgs sCa +
+
= sCa vi
Zg
1 + sCgd Rd
da cui:
e poi:
vgs
[sCa Zg (1 + sCgd Rd ) + (1 + sCgd Rd ) + sCgd Zg (1 + gm Rd )]
sCa Zg (1 + sCgd Rd )
(9.51)

srs Ca
vs
vi = vgs +
(9.52)
srs Ca 1 + srs (Ca + Cs )
vi =
Uguagliando la (9.51) alla (9.52) si ha poi:

srs Ca
vs
vgs +
=
srs Ca 1 + srs (Ca + Cs )
=
vgs
{sZg Ca (1 + sCgd Rd ) + (1 + sCgd Rd ) + sZg Cgd (1 + gm Rd )}
da cui:
vgs {
1
srs Ca
Cgd (1 + gm Rd )
1
} =
1 + srs (Ca + Cs )
sCa Zg Ca (1 + sCgd Rd )
vs
=
1 + srs (Ca + Cs )
257
Da questa si ottiene:
vgs = vs
(1 + sCgd Rd ) [s2 Ca2 Zg rs sCa Zg (srs (Ca + Cs ) + 1) (srs (Ca + Cs ) + 1)]

sCgd Zg (srs (Ca + Cs ) + 1) (1 + gm Rd )
Sostituendo questa nella (9.48) si ottiene inne:

vo = vs
[1 + sCgd Rd ]
Rd (sCgd gm )
1
sCa Zg
+ (1 + srs Cs ) +
rs (Ca +Cs )
Ca Zg

+
Cgd [srs (Ca +Cs )+1][1+gm Rd ]

Ca
Che è la relazione cercata.

Questa può esser messa nella forma del rapporto di due polinomi nella variabile
complessa s. Basterà sostituire a Zg la sua espressione:
Zg =
Rg
1 + sRg Cgs
Si ottiene in tal modo, dopo alcuni passaggi, che la funzione di trasferimento è data
da:
s2 Rd Cgd sRd gm
G(s) =
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
dove:
1
B0 =
Ca Rg

rs (Ca + Cs ) Cgs Cgd Rd Cgd Cgd
B1 = 1 +
+
+
+
+
gm Rd
Ca Rg
Ca
Ca Rg
Ca
Ca
B2 = rs Cs + rs Cgs
Ca + Cs
Cgd Rd Cgs Cgd rs (Ca + Cs )
+ Cgd Rd +
+
+
Ca
Ca
Ca
(Ca + Cs )
Cgd rs (Ca + Cs )gm Rd
+
+ rs Cgd Rd
Ca
Ca Rg

B3 =
Ca
rs Cgs Cgd Rd
+ Cs
+ Cgd Rd rs Cs
Ca
258
Capitolo 10
Amplicatori dierenziali
10.1
Concetti generali
Lamplicatore dierenziale è adoperato in un gran numero di casi, dove sia necessario amplicare la dierenza tra due segnali. Una tipica applicazione si incontra
nel caso in cui occorra trasmettere ad una certa distanza, in un ambiente soggetto
a rumore elettronico un segnale di ampiezza ridotta. La linea che trasmette il segnale potrà prelevare dallambiente del rumore, che allarrivo si troverà sommato al
segnale.
Ammettiamo di usare, per la trasmissione, due linee e di trasmettere lungo la
prima linea il segnale v e lungo la seconda il suo opposto v. Ammettiamo inoltre
che le due linee siano strettamente accoppiate tra loro in modo da prelevare dallambiente un ugual segnale di rumore vn . Ciò può esser ottenuto avvolgendo a spirale
una linea sullaltra. In tal caso il segnale allarrivo sarà v + vn sulla prima linea e
v + vn sulla seconda.
Se ora il circuito che riceve il segnale è un amplicatore dierenziale, esso amplicherà la dierenza dei due segnali. Se A è il guadagno dierenziale, il segnale
alluscita sarà:
vo = A [(v + vn ) (v + vn )] = 2Av
Leetto del rumore sarà cos` annullato.
Diamo ora alcune denizioni comunemente adoperate nel caso degli amplicatori
dierenziali, facendo riferimento allo schema di gura 10.1.
V1
V0
V2
Figura 10.1: Schema di un amplicatore dierenziale a due ingressi.

Lamplicatore ha due ingressi v1 e v2 , ed unuscita vo . Sia gli ingressi che luscita
259
260
Capitolo 10. Amplicatori dierenziali
sono riferiti a massa. Chiamiamo segnale dierenza la quantit`

a:
vd = v2 v1
(10.1)
e segnale somma o segnale di ingresso nel modo comune, la quantità:

v1 + v2
(10.2)
va =
2
Se ora lingresso 2 è collegato a massa ed un segnale v1 è applicato allingresso 1
avremo:
vo = A1 v1
Analogamente, se colleghiamo a massa lingresso 1 ed applichiamo un segnale v2
allingresso 2, avremo:
vo = A2 v2
Per il principio di sovrapposizione, applicando segnali v1 e v2 agli ingressi 1 e 2,
avremo:
vo = A1 v1 + A2 v2
(10.3)
Le equazioni (10.1) e (10.2) forniscono:
vd
2
vd
v2 = va +
2
v1 = va
che, sostituite nella (10.3), danno:

A1 A2
vd
2
Si denisce guadagno nel modo comune la grandezza:
vo = (A1 + A2 )va +
(10.4)
Aa = A1 + A2
Analogamente, si denisce guadagno nel modo dierenziale la grandezza:
Ad =
A1 A2
2
Con tali denizioni la (10.4) diventa:

vo = Aa va + Ad vd
(10.5)
Per quanto detto in precedenza, un buon amplicatore dierenziale deve avere un

buon guadagno per lingresso dierenziale ed un guadagno molto piccolo (idealmente
nullo) per lingresso comune va . Dalla (10.5) abbiamo:

Aa
vo = Ad vd +
va
Ad
Il rapporto = Ad /Aa va sotto il nome di rapporto di reiezione per il modo
comune. Si ha quindi:

1
vo = Ad vd + va
Idealmente dovrebbe essere innito con che avremmo:

vo = Ad vd
10.2 Amplicatore dierenziale: schema base
10.2
261
Amplicatore dierenziale: schema base
La coppia dierenziale mostrata in gura 10.2 è alla base di qualsiasi amplicatore

dierenziale.
Non sono state indicate le resistenze di polarizzazione delle basi. Ammetteremo
inoltre che i due transistor siano il pi`
u possibile simili, e che essi lavorino in zona
attiva.
VCC
iC1
Q1
Rc
vo1
Rc
vo2
iC2
Q2
v2
v1
iEE
Figura 10.2: Coppia dierenziale.

Notiamo che ora il segnale dierenza è:
vd v1 v2 = vBE1 vBE2
Inoltre, trascurando la corrente inversa del diodo collettore-base:
iC1 = IE0 evBE1 /VT
iC2 = IE0 evBE2 /VT
dove è comune ai due transistor, come pure IE0 .
Da queste segue:
iC2
= e(vBE2 vBE1 )/VT = evd /VT
iC1
La presenza del generatore di corrente sulla gamba di emettitore fa si che:
iEE = iE1 + iE2 =
da cui:
iC1 + iC2
iC2
iEE
=1+
= 1 + evd /VT
iC1
iC1
262
ed inne:
iEE
1 + evd /VT
iEE
iC2 =
1 + evd /VT
Ricordiamo che VT vale approssimativamente 25 mV.
Se vd VT avremo:
iC1 = iEE
iC1 =
(10.6)
(10.7)
iC2 = 0
Se invece vd è negativo e |vd | VT abbiamo:
iC1 = 0
iC2 = iEE
Le tensioni alle uscite v01 e vo2 saranno:
vo1 = VCC Rc iC1
vo2 = VCC Rc iC2
Landamento di tali tensioni in funzione di vd , fornito dalle (10.6) e (10.7), è
schematicamente mostrato in gura 10.3.
vo
-100
-200
-300
-400
-200
vd
200
400
vo1
vo2
Figura 10.3: Tensioni in uscita alla coppia dierenziale.

Notiamo che nelle zone allestrema destra ed allestrema sinistra si hanno valori
costanti per v01 e v02 . Il circuito viene adoperato in tali zone quando si voglia realizzare un circuito logico (logica ECL). La zona pi`
u interessante per la realizzazione
di un amplicatore dierenziale è quella centrale in cui landamento delle curve è
approssimativamente lineare.
10.2 Amplicatore dierenziale: schema base
263
Prima di esaminare in dettaglio la risposta, studiamo ora il punto di lavoro.

Poiche abbiamo due transistor, dobbiamo analizzare il punto di lavoro di entrambi, cioè ssare iC1 , vCE1 , iC2 , vCE2 .
Cominciamo ad esaminare il caso in cui vd = 0, cioè v1 = v2 . Sostituiamo
inoltre il generatore di corrente con una semplice resistenza collegata ad una tensione
negativa (VEE ) come mostrato in gura 10.4.
VCC
Rc
Rc
Rb
v1
vo1
vo2
Q1
i E1
Rb
Q2
Re
v2
iE2
-VEE
Figura 10.4: Coppia dierenziale di gura 10.2 in cui il generatore di corrente è stato sostituito
con una resistenza.
Data la (teoricamente) completa simmetria del circuito, possiamo limitarci a

studiarne una metà. La resistenza Re attraversata dalla corrente iE1 + iE2 = 2iE
andrà ora sostituita da una resistenza 2Re attraversata da iE . La congurazione è
quella mostrata in gura 10.5.
VCC
Rc
Rb
v 1=v2=va
v CE
iB
2Re
-VEE
Figura 10.5: Parte sinistra della coppia dierenziale di gura 10.4.
264
Lequazione della retta di carico è data da:

vCE = VCC Rc iC 2Re iE + VEE
= VCC + VEE iC (Rc + 2Re )
(10.8)
La maglia di base fornisce:

va = Rb iB + VBE + iE (2Re ) VEE
dove si è trascurato il termine hie .
Da questultima equazione si ottiene, con:
iB = iE /(hF E + 1)
ed iE iC :
Rb iE
+ VBE + 2Re iE VEE
va =
1 + hF E

Rb
iC 2Re +
= va VBE + VEE
1 + hF E
iC =
va + VEE VBE
2Re + Rb /(1 + hF E )
(10.9)
Lequazione (10.8) fornisce la retta di carico mentre la (10.9) ci fa vedere come

varia il punto sulla retta di carico al variare di va (vedi gura 10.6).
iC
(VCC+VEE)/(Rc+2RE)
retta di carico nel
modo differenziale
Qmax
Q'
Qmin
retta di carico nel

modo comune
VCC+VEE
vCE
Figura 10.6: Rette di carico per il modo comune (retta a tratto solido, che interseca gli assi) e
per il modo dierenziale, relative allamplicatore dierenziale. Il segmento passante per il punto
Q ed avente maggiore pendenza appartiene alla retta di carico per il modo dierenziale.
Il punto Q è ottenibile dalla (10.9) ponendo va = 0:

iC (Q) =
VEE VBE
2Re + Rb /(1 + hF E )
I punti indicati con Qmin e Qmax sono ottenibili dalla medesima equazione (10.9)
ponendo va = vamax e va = vamin , sempre mantenendo vd = 0.
10.3 Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale
265
Notiamo che, in tale situazione di perfetta simmetria, vo1 = vo2 .

Esaminiamo ora ciò che accade se vd è diverso da zero, e va = 0. Dovremo
ora porre v2 = v1 = vd /2. Essendo ora va = 0, il punto di lavoro sarà Q, che
corrisponde anche a vd = 0. Vediamo come tale punto si sposti al variare di vd .
Per piccole variazioni (uguali ed opposte) di v1 e v2 , le correnti iE1 e iE2 subiranno
variazioni uguali ed opposte; resterà però costante la loro somma:
iE = iE1 + iE2
Di conseguenza la tensione di emettitore rimarrà costante. Cambieranno invece
Vce1 e Vce2:
vCE1 = Rc iC1
vCE2 = Rc iC2
Indicando con vCEQ , iCQ i valori di vCE e di iC corrispondenti al punto di lavoro
Q, una generica di tali equazioni può essere scritta nella forma:
vCE vCEQ = Rc (iC iCQ )
Nel graco della gura 10.6 tale relazione è rappresentata da una retta passante
per il punto Q ed avente pendenza pari a 1/Rc .
Si può vedere anche che, se va fosse stato diverso da zero, ad esempio tale da
portare il punto di lavoro in Q, i valori di vCE ed iC ottenuti variando vd sarebbero
stati quelli situati sul segmento tratteggiato indicato, passante per il punto Q; tale
segmento appartiene ad una retta di pendenza pari a 1/Rc .
10.3
Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale
Lanalisi della risposta dellamplicatore dierenziale a segnali di piccola ampiezza,

nella regione di basse frequenze, dove le capacità parassite possono essere trascurate,
può esser eettuata tramite il modello a parametri h semplicato (cioè trascurando
i parametri hre ed hoe ) con una tecnica simile a quella adoperata nellanalisi del
punto di lavoro.
I segnali applicati ai due ingressi, v1 e v2 , possono essere scritti, come già visto,
in termini dei segnali somma e dierenza va e vd :
v1 = va vd /2
v2 = va + vd /2
Il circuito base-emettitore dellinsieme dei due transistor è schematizzabile come
indicato in gura 10.7, dove limpedenza presente nel circuito di base, Rb (che tiene
conto delle resistenze di polarizzazione di base e dellimpedenza duscita del generatore) è stata riessa nel circuito di emettitore. Analoga cosa è stata fatta per hie ,
che è stata sostituita da hie /(hf e + 1) = hib .
Il circuito di collettore è schematizzato in gura 10.8.
266
Rb/(hfe+1)
v1=va-vd/2
hib Rb/(hfe+1)
hib
ie1
ie2
Re
v2=va+vd/2
Figura 10.7: Modello a parametri h del circuito base-emettitore della coppia dei due transistor.
vo1
iC1
vo1-vo2
Rc
vo2
Rc
iC2
Figura 10.8: Modello a parametri h del circuito di collettore della coppia dei due transistor.
Notiamo ora che, analogamente a quanto fatto in precedenza, possiamo calcolare

la risposta del sistema facendo uso del principio di sovrapposizione: calcolare cioè la
risposta in presenza del solo segnale comune va , quella in presenza del solo segnale
dierenza vd ed inne la risposta complessiva ottenibile nel caso generale in cui siano
diversi da zero sia va che vd .
Se vd = 0 avremo v1 = v2 e quindi ie1 = ie2 . In tal caso la parte sinistra e quella
destra del circuito di gura 10.7 risultano identiche e ci si può limitare a studiarne
una metà. Occorre però tener conto del fatto che a ciascuna metà appartiene una
resistenza 2Re . Il circuito diventa quindi quello di gura 10.9, dove è:
R
ia
va
2Re
Figura 10.9: Schema della sola parte sinistra del circuito di gura 10.7 nel caso in cui vd = 0.
Rb
hf e + 1
R = hib +
da cui segue:
ia =
267
va
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
Se ora è diverso da zero vd e nullo va , il circuito diviene quello di gura 10.10.

R
id
id
vd/2
Re
vd/2
Figura 10.10: Schema della sola parte sinistra del circuito di gura 10.7 nel caso in cui va = 0.
Vediamo che ora le correnti nelle due maglie sono uguali e discordi per cui è nulla
la corrente in Re ed è di conseguenza uguale a zero la dierenza di potenziale ai suoi
capi. In tali condizioni Re può essere sostituita da un corto circuito.
La metà sinistra del circuito diviene allora quella di gura 10.11, per cui:
id =
vd /2
hib + Rb /(hf e + 1)
R
id
vd/2
Figura 10.11: Schema della parte sinistra del circuito di gura 10.7.
Nel caso generale, in cui siano diversi da zero sia va che vd , le correnti ie1 ed ie2
saranno date da:
ie1 =
vd /2
va
2Re + hib + Rb /(hf e + 1) hib + Rb /(hf e + 1)
ie2 =
vd /2
va
+
2Re + hib + Rb /(hf e + 1) hib + Rb /(hf e + 1)
268
Ammettendo che ic ie , dalla maglia duscita si vede che le tensioni vo1 e vo2
sono:
vo1 = Rc ic1 =
Rc /2
Rc
vd
va
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
vo2 = Rc ic2 =
Rc /2
Rc
vd
va
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
e quindi:
vo1 vo2 =
Rc
vd
cioè vo1 vo2 è proporzionale al segnale dierenza vd .

Le singole tensioni duscita vo1 e vo2 sono dipendenti linearmente da vd , ma
dipendono anche da va . Si può scrivere:
vo1 = Ad vd Aa va
vo2 = Ad vd Aa va
con:
Ad =
Aa =
Rc /2
Rc
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
Possiamo allora denire il rapporto di reiezione per il modo comune (CMRR)

come:
Ad
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
CMRR =
=
Aa
2[hib + Rb /(hf e + 1)]
Se è 2Re hib + Rb /(hf e + 1), può essere approssimato da:
Re
Ad esempio se hf e = 100, Rb = 500, Re = 1.5 k, Rc = 200, iCQ

= iEQ =
2.5 mA:
VT
25
= 10
=
hib =
iEQ
2.5
Rb
5
hf e + 1
1500
= 100
15
cioè 40 dB. I valori di Aa e di Ad in tal caso varranno:
=
Aa =
200
Rc
= 0.067
2 1.5k + 15
3000
Ad =
100
Rc /2
=
= 6.67
15
15
269
Valori tipici di in amplicatori dierenziali commerciali vanno da 80 a 100 dB

(cioè da 104 a 105 ).
Il valore di può essere considerevolmente aumentato aumentando il valore della
resistenza Re .
Tuttavia allaumentare di Re aumenta la caduta di potenziale ai suoi capi ed aumenta quindi la tensione di emettitore. Tale soluzione non è quindi raccomandabile.
Si può aumentare molto il valore di utilizzando un circuito in cui Re è sostituita
da un transistor che funziona in base comune. Il circuito è indicato in gura 10.12.
VCC
Rc
Rc
Rb
v1
vo1
vo2
Q1
Q2
iE1
iE2
Rb
v2
iC3
Q3
R'e
-VBB
-VEE
Figura 10.12: Schema di un amplicatore dierenziale ad alto .

Il transistor Q3 fornisce la corrente necessaria ed al medesimo tempo presenta
una elevata impedenza vista dagli emettitori dei transistor Q1 , Q2 . Tale impedenza
è pari ad 1/hob3 , che è dellordine di 500 k. Con tale modica, il valore di
dellesempio precedente diverrebbe 3.3 104 ( 90 dB).
Come già visto in precedenza quando abbiamo analizzato il punto di lavoro
dellamplicatore dierenziale, la retta di carico per il modo comune (vd = 0, va = 0)
ha pendenza pari a 1/(Rc + 2Re ); quella relativa al modo dierenziale ha pendenza
pari a 1/Rc .
Nel caso attuale, questultima retta di carico rimane invariata mentre, a causa
dellelevato valore della resistenza presente sullemettitore del circuito dierenziale,
la retta di carico relativa al funzionamento nel modo comune diventa quasi orizzontale. Ciò è mostrato in gura 10.13, dove i punti Qmin e Qmax sulla retta di carico
per il modo comune corrispondono ai valori minimi consentiti per le dierenze di
potenziale VCE ai capi dei due transistor. Il graco è quello relativo al transistor
Q1 , ma un graco analogo si potrebbe disegnare per Q2 . Valori molto piccoli di VCE
` immediato vedere che allaumentare
corrispondono alla saturazione del transistor. E
270
di VCE1 , essendo ssati VCC e VEE , diminuisce VCE3. Se VCE1 aumenta oltre un certo
limite, VCE3 diviene cos` piccolo che Q3 entra in saturazione.
iC1
Qmin
Qmax
Q1 satura
Q3 satura
0.35
vCE1
Figura 10.13: Retta di carico relativa al modo comune del circuito di gura 10.12.
I punti estremi Qmin e Qmax sulla retta di carico relativa al funzionamento nel
modo comune possono quindi esser ottenuti imponendo che nessuno dei transistor
vada in saturazione. Il transistor non andrà in saturazione (come si può vedere dalle
equazioni di Ebers-Moll) se:
vCE > VT [2.2 + ln(hF E /hF C )]
Se ad esempio è hF E = 100 ed hF C = 0.01 si trova che deve essere vCE > 0.3 V .
Ora, il valore di vCE1 è determinato da va . Abbiamo infatti:
vC1 = VCC Rc ICQ1
vE1 = va Rb IBQ1 0.7
vCE1 = vC1 vE1 = VCC Rc ICQ1 va + Rb
ICQ1
+ 0.7
hF E
ed una analoga equazione è vera per vCE2 .

La condizione vCE1 > 0.35 V (preso al posto di 0.3 V, per sicurezza), implica:

Rb
ICQ1 + 0.35
va < VCC Rc
hF E
Il limite inferiore su va è posto dalla condizione che Q3 non saturi. Notiamo che
si ha:
ICQ1
+ 0.7 vCE3 0.7 VBB
va = Rb
hF E
da cui:
ICQ1
+ VBB > 0.35 V
vCE3 = va Rb
hF E
segue:
ICQ1
va > Rb
VBB + 0.35
hF E
10.4 Impedenza dingresso dellamplicatore dierenziale
10.4
271
Impedenza dingresso dellamplicatore differenziale
La resistenza vista dai generatori di tensione v1 e v2 , può essere facilmente calcolata

a partire dal circuito equivalente base-emettitore, che ridisegnamo in gura 10.14.
Rb/(hfe+1)
v1=va-vd/2
hib Rb/(hfe+1)
hib
ie2
ie1
Re
v2=va+vd/2
Figura 10.14: Circuito equivalente base-emettitore.

Poiche in genere Re è molto maggiore di hib + Rb /(hf e + 1), possiamo trascurare
Re . Limpedenza vista da v1 si può allora ottenere immaginando di cortocircuitare
v2 e di calcolare Ri1 come il rapporto tra v1 ed ib1 , cioè:

v1
v1 ie1
Rb
=
= 2 hib +
Rin = Ri1 =
(hf e + 1)
ib1
ie1 ib1
hf e + 1
Se ad esempio è hf e = 99 e IEQ1 = IEQ2 = 1 mA, avremo:
hie = (hf e + 1)hib = (hf e + 1)
VT
= 2500
IEQ
da cui:
Rin = 5 k + 200 Rb
e, con Rb = 50 : Rin = 15 k.
Per ottenere valori pi`
u elevati di Rin è possibile sostituire il transistor della coppia
con FET, o anche con transistor Darlington.
10.5
Generatore di corrente sullemettitore
Un metodo utilizzato nella pratica per ottenere una corrente Io costante nel ramo
di emettitore dellamplicatore dierenziale, senza utilizzare una resistenza di valore elevato, è quello di inserire un generatore di corrente del tipo disegnato in
gura 10.15.
Verichiamo che eettivamente Io è costante.
Dallanalisi della maglia base-emettitore di Q3 segue:
VBE + R3 I3 = VB + VEE
Calcoliamo ora VB , trascurando la corrente di base.
VB = R1 I
(10.10)
272

VCC
Rc
Rc
Rb
v1
Q1
vo1
vo2
iE1
Q2
iE2
Rb
v2
IO
VB
Q3
D1
R3
I3
R1
I
D2
R2
-VEE
Figura 10.15: Schema di un amplicatore dierenziale con corrente costante nel ramo di
emettitore.
Notiamo che la corrente I che uisce in R1 è la stessa che uisce in D1 , D2 ed

R2 . Inoltre:
VB + VEE = VD + R2 I
dove VD è la caduta complessiva di potenziale ai capi dei due diodi.
Dalle due ultime equazioni si ottiene:
VB + VEE = VD
Cioè:
VB (1 +
R2
VB
R1
R2
) = VD VEE
R1
VB = (VD VEE )
R1
R1 + R2
Facendo ora uso della (10.10), si ottiene:

VBE + R3 I3 = VEE
R2
R1
+ VD
R1 + R2
R1 + R2
Se R1 ed R2 sono scelte in modo che:

VD R1
= VBE
R1 + R2
10.6 Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington
273
segue:
I3 = VEE
R2
R3 (R1 + R2 )
Il che ci dice che se VEE è costante, allora anche I3 è costante.

Notiamo che se VBE aumentasse a causa di una variazione di temperatura, VD
aumenterebbe percentualmente della stessa quantità e quindi la relazione:
VD
R1
= VBE
R1 + R2
continuerebbe ad esser vera. In tal modo il circuito è quindi stabilizzato contro

eventuali variazioni di temperatura.
Si noti che Io = I3 . Se dierenziamo la (10.7) rispetto a vd = vBE1 vBE2 ,
otteniamo:

diC2
iEE
1
vd /VT
=
2 e
dvd
VT
(1 + evd /VT )
Per vd = 0, cioè vBE1 = vBE2 , questa fornisce:
gmd
diC2
iEE
Io
=
=
dvd
4VT
4VT
(10.11)
Questa equazione ci dice che per un dato valore di Io , la transconduttanza di

un amplicatore dierenziale è pari ad un quarto di quella del singolo transistor
(I0 /VT ).
Dalle considerazioni svolte allinizio di questo capitolo segue che lamplicatore
dierenziale e un buon limitatore: quando linput vd = VB1 VB2 supera 4VT
( 100 mV a temperatura ambiente) loutput può aumentare molto poco.
Dalla (10.11) segue poi che il valore di gmd è proporzionale ad Io .
Si ha inoltre:
vo2 = gmd Rc vd
` poi possibile modicare il guadagno dellamplicatore dierenziale aumentanE
do Io (controllo automatico del guadagno)
10.6
Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington
Abbiamo visto che un tipico transistor Darlington ha un valore di hf e pari allincirca al quadrato dellhf e del singolo transistor e che la sua impedenza dingresso è
maggiore di quella di un singolo transistor di un fattore 2(hf e + 1).
Unamplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington è quello indicato
in gura 10.16.
Limpedenza dingresso di ciascuno dei due transistor è:
RD = 2(hf e + 1)hie = 2(hf e + 1)2 hib
Si può allora facilmente vedere che il circuito equivalente è quello di gura 10.17:
274
VCC
Rc
Rc
Rb
Q1
vo1
vo2
Rb
Q2
v2
v1
iE1
iE2
iC3
Q3
-VBB
R'e
-VEE
Figura 10.16: Schema di un amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington.

Rb/(1+hfe)2
Rb/(1+hfe)2
2hib
2hib
v1
Re=1/hob3
v2
Figura 10.17: Circuito equivalente allamplicatore dierenziale di gura 10.16.

Limpedenza dingresso vista da v1 (o da v2 ) è, come prima:
Ri = 4(hf e + 1)hie1 = 4(hf e + 1)2 hib1
Ad esempio, se (hf e + 1)=100 ed IEQ1 =1 mA, troviamo:
Ri = 4 104
25
= 1 M
1
Il rapporto di reiezione per il modo comune sarà:

=
Re
2hib + Rb /(hf e + 1)2
Notiamo che, rispetto al caso in cui si adoperavano dei normali transistor:

hib 2hib
10.6 Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington

Rb
Rb
1 + hf e
(1 + hf e )2
275
276
Capitolo 11
Struttura delle principali famiglie

logiche
11.1
Introduzione
I circuiti logici che sono alla base dei computer, dei sistemi di controllo, di codica
e trasmissione dati digitali etc., sono classicabili in un certo numero di famiglie,
ciascuna con proprie caratteristiche, quali i livelli di tensione, la velocità di commutazione, le dimensioni del componente elementare, la dissipazione di potenza e, non
ultimo, il costo.
In questa sezione ci occuperemo delle caratteristiche delle principali di queste
famiglie. A titolo illustrativo ci occuperemo della famiglia TTL (Transistor-Transistor
Logic) e del suo precursore (non pi`
u adoperato) DTL (Diode-Transistor-Logic).
Motivi di spazio non ci consentono di trattare altre due famiglie che, in questi
ultimi decenni, hanno avuto una enorme diusione: i circuiti basati sulla logica MOS
(Metal-Oxide-Semiconductor) e CMOS (Complementary MOS), e quelli basati sulla
logica ECL (Emitter-Coupled-Logic). Il notevole successo dei circuiti MOS e CMOS
è dovuto alla compattezza dei componenti elementari ed al ridotto consumo; quello
dei secondi allelevata velocità di commutazione. Ci limiteremo a dare un breve
cenno, alla ne del capitolo, ai circuiti in logica CMOS.
Inizieremo con una breve discussione dei livelli di tensione che caratterizzano gli
stati dei vari circuiti e di quello che è il margine di errore su tali livelli. Per una
discussione delle caratteristiche costruttive delle famiglie MOS, CMOS ed ECL si
veda le referenze [7] e [25].
11.2
Livelli logici
I livelli di tensione che corrispondono all1 logico ed allo 0 logico sono deniti per
ogni determinata famiglia logica. Ad esempio nella famiglia TTL tali livelli sono
0 V (livello Low=L) e 5 V (livello High=H). Ovviamente le uttuazioni tra
componente e componente ed il rumore che è sempre presente fanno s` che un livello
H in logica TTL non sia proprio 5 V ed un livello L non sia esattamente 0 V.
Chiameremo VOH il minimo livello di tensione che deve essere presente alluscita
del circuito se si vuole che questo livello sia riconosciuto come H. Analogamente
277
278
Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche
chiameremo VIH il minimo livello di tensione che deve essere presente allingresso di
un circuito se si vuole che questo sia riconosciuto come H.
` ovvio che un circuito non dovrà fornire in uscita un livello H di tensione
E
inferiore a quello che esso stesso riconoscerebbe come livello alto in ingresso. Si deve
cioè avere:
VOH > VIH
Se cos` non fosse, un piccolo disturbo presente (rumore, accoppiamento elettromagnetico con altri componenti presenti etc.) potrebbe far s` che un livello di
tensione H alluscita del circuito non risultasse tale allingresso di un altro circuito
nominalmente identico al primo.
La dierenza:
VOH VIH = NMH
è nota come il margine derrore (Noise Margin=NM) relativo al livello alto.
Per il livello basso esistono analoghe denizioni. Si denisce il massimo livello di
tensione che può esser presente alluscita di un circuito perche questo sia riconosciuto
come L: VOL , ed il massimo livello di tensione che può esser presente allingresso del
circuito perche esso sia riconosciuto come L: VIL.
Ora dovrà essere:
VIL > VOL
Il relativo Noise Margin (NM) è:
NML = VIL VOL
Esempio: circuito NOT (invertitore). Se tale circuito ha in ingresso un livello di
tensione VI < VIL , esso dovrà fornire in uscita un segnale VO > VOH . Viceversa, se
al suo ingresso è presente un segnale di tensione VI > VIH , luscita sarà VO < VOL .
Tale comportamento è mostrato in gura 11.1.
Notiamo che, in tale diagramma, le zone scure non corrispondono a stati consentiti. Il circuito può solo eettuare transizioni tra gli stati indicati come 1 logico
(in alto a sinistra) e 0 logico (in basso a destra).
Qualora lingresso o luscita del circuito venissero a trovarsi in una delle zone
scure in gura, lo stato del circuito sarebbe indeterminato.
Normalmente, i livelli VIL , VIH , VOL , VOH sono specicati per valori delle correnti
che non eccedano rispettivamente IIL , IIH , IOL , IOH .
La tabella 11.1 mostra valori tipici, forniti dai costruttori, per le famiglie TTL
54L/74L e CMOS 54C/74C.
Famiglia VCC (V)
54L/74L
5
54C/74C
5
VIL, IIL
VIH , IIH
VOL , IOL
0.7V , 0.18mA 2.0V, 10A 0.3V, 2.0mA
0.8V
3.5V
0.4V, 360A
VOH , IOH
2.4V, 100A
2.4V, 100A
Tabella 11.1: Valori tipici dei livelli di tensione per le famiglie TTL 54L/74L e CMOS 54C/74C.
Allinterno delle famiglie TTL, CMOS etc. esistono sottofamiglie con valori
lievemente diversi da questi dei vari parametri.
11.3 Il Fan-Out
279
Vo
1
Logico
0
Logico
0
Logico
1
Logico
VI
Figura 11.1: Livelli di tensione in uscita per un circuito invertitore. Le zone scure corrispondono
a stati non consentiti.
Le caratteristiche della famiglia ECL sono mostrate, insieme a quelle della logica
NIM, che è uno standard usato nei sistemi di acquisizione e trasmissione dei dati in
esperimenti di sica (in particolare in sica nucleare e subnucleare) nella tabella 11.2.
Famiglia
VOL
ECL
-1.7V
NIM
(-1mA, 1mA)
VOH
VIL
-0.9V
-1.4V
(-14mA,-18mA) (-4mA, 20mA)
VIH
-1.0V
(-12mA,36mA)
Tabella 11.2: Valori tipici dei livelli di tensione e corrente per le famiglie ECL e NIM.
Si noti che la logica ECL ha livelli negativi di tensione, mentre i livelli relativi
alla logica NIM sono di corrente e non di tensione.
Poiche tuttavia è anche specicata limpedenza dei collegamenti che è 50 in
logica NIM (e TTL) mentre è 100 in logica ECL si vede che in logica NIM il livello
logico 1 è circa -0.8 V mentre il livello logico 0 è circa 0 V.
11.3
Il Fan-Out
Se luscita di una certa porta logica è collegata agli ingressi (in parallelo) di pi`
u
porte simili, occorrerà tener conto della corrente che queste assorbono. Tale corrente
è infatti erogata dalla porta pilota e, qualora fosse troppo elevata, farebbe uscire la
prima dalla sua zona di funzionamento normale.
Nella gura 11.2 la porta pilota A, con luscita al livello alto, deve erogare una
280
corrente IOH pari a 3IIH , dove IIH è la corrente assorbita da ciascuna delle porte
alimentate dalla prima.
IIH
IOH
A
IIH
IIH
Figura 11.2: Esempio di porta logica la cui uscita è collegata agli ingressi in parallelo di più
porte simili.
Possiamo schematizzare tale circuito nel modo indicato in gura 11.3.
IOH
IIH
R
Figura 11.3: Schema del circuito di gura 11.2.

Se il numero delle porte collegate aumenta, aumenta la corrente erogata dalla
u aumentare diminuisce la tensione
porta pilota e di conseguenza, se IOH non può pi`
Vout ai capi del carico costituito dal parallelo delle tre resistenze. Come si vede
facilmente dalla gura, si ha:
R
Vout = IOH
N
dove N è il numero delle porte collegate (tre nellesempio di gura).
Si ha in generale:
NH < |IOH /IIH |
Analogamente, se luscita della porta pilota è nello stato basso, avremo:
NL < |IOL /IIL|
Normalmente i costruttori quotano il pi`
u piccolo tra i due valori NH , NL . Tale
quantità è nota come il fan-out della porta logica.
281
Vedremo nelle prossime sezioni come il fan-out possa esser calcolato in alcuni
semplici circuiti logici e quali siano i fattori che lo limitano nei vari casi.
11.4
Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)
Anche se tali circuiti hanno oramai un interesse puramente storico, è utile esaminarne il funzionamento poiche da essi sono poi nati i TTL. Un esempio di porta NAND
in logica DTL è quello mostrato in gura 11.4.
+5V
2.2k
5k
5k
A
DA
DB
B
DC
C
IC
D1
D2
OUT
IB
Q
I1
I2
5k
Stadio
successivo
Figura 11.4: Schema di una porta NAND in logica DTL.

Se almeno uno degli ingressi A, B, C è basso (< 0.2 V ) il diodo corrispondente
conduce e VP = 0.2 + 0.7 = 0.9 V . Perche i diodi D1 e D2 conducano, occorre che la
tensione ai capi di ciascun diodo sia almeno uguale a 0.7 V e che inoltre la dierenza
di potenziale VBE tra base ed emettitore del transistor sia anchessa uguale a 0.7 V .
In altri termini deve essere: Vp > 2 0.7 + 0.7 = 2.1 V . Quindi, nelle condizioni
esaminate, D1 , D2 sono interdetti. Il transistor, con la base a massa attraverso la
resistenza da 5k, è anchesso interdetto, quindi Vout = +5 V . Se tutti gli ingressi A,
B, C sono invece alti (+5 V ) i diodi DA , DB , DC saranno interdetti.
In tali condizioni i diodi D1 , D2 condurranno, VP = 2.1 V ed il transistor Q andrà
in saturazione come ora vericheremo.
Esaminiamo lo stato del transistor, tenendo conto del fatto che, con i diodi dingresso interdetti, la corrente nei diodi D1 , D2 è uguale alla corrente nella resistenza
da 5 k tra il punto P e lalimentazione:
5 2.1
= 0.58 mA
I1 =
5k
Inoltre:
0.7
I2 =
= 0.14 mA
5k
282
Si ha quindi:
IB = 0.58 0.14 mA = 0.44 mA
Se il transistor fosse in saturazione avremmo VCE 0.2 V . Allora dovremmo
avere:
IC
IB >
Verichiamo la consistenza:
IC =
5 0.2
= 2.18 mA
2.2k
2.18
IC
= 4.95
=
IB
0.44
Il transistor sarà quindi in saturazione se è:
hF E
IC
= 4.95
IB
Se il nostro transistor ha un hF E min di 30, luscita sarà:

Vout 0.2 V
(stato LOW )
Vediamo cos` che il circuito si comporta come un NAND.

Valutiamo ora il fan-out.
Se luscita Vout è bassa, ed essa è collegata (come in gura) allingresso di uno
stadio identico, la corrente nel diodo dingresso di tale stadio sarà:
ID =
5 0.9
= 0.82 mA
5k
Che chiamiamo carico standard. Tale corrente si somma a quella che attraversa
il transistor Q2 della porta pilota. Se colleghiamo alluscita del nostro NAND gli
ingressi di N circuiti simili, la corrente che attraversa il transistor diventa:
IC = IC + N 0.82 mA = 2.18 + 0.82 N (mA)
Chiediamoci ora quale sia la corrente massima che può attraversare il transistor
senza che esso esca dalla saturazione. Questa è:
(IC )max = hF E min IB = 30 0.44 = 13.2 mA
Perche il transistor rimanga in saturazione deve essere: IC < (IC )max , cioè:
2.18 + 0.82 N < 13.2 mA
da cui:
13.2 2.18
13
0.82
Quindi il fan-out del nostro circuito è allincirca 13.
Un metodo che può essere adoperato per aumentare la corrente di collettore nel
transistor (a parità di (hF E )min ) e quindi aumentare il fan-out, è quello di modicare
N<
283
+5V
I1
R1
1.75k
R2
2k
Rc
2.2k
R5
1.75k
P
R4
2k
IB1
A
DA
I'
Q1
D2
OUT
IB2
Q2
DB
C
DC
I'
I'2
R3
5k
Stadio
successivo
Figura 11.5: Schema del circuito di gura 11.4 in cui il diodo D1 è stato sostituito con un
transistor.
il circuito in modo tale da aumentare la corrente di base in Q2 . Ciò può esser ottenuto
sostituendo il diodo D1 con un altro transistor, come mostrato in gura 11.5.
Notiamo che, quando i diodi in ingresso sono interdetti, una corrente uisce
nella base di Q1 . Questo transistor sarà allora in conduzione (zona attiva), poiche
la resistenza R2 fa s` che la tensione di collettore sia maggiore di quella della base.
La giunzione base-collettore è quindi polarizzata inversamente. Ora la corrente di
base di Q2 è fornita dallemettitore di Q1 e quindi sarà alta, essendo grandi i valori
tipici delle correnti di collettore (emettitore) per un transistor che lavori in zona
attiva. Un valore elevato per la corrente di base in Q2 implica un alto valore della
corrente di collettore, anche con un (hF E )min non particolarmente elevato, e quindi
un grande fan-out.
Calcoliamo ora il fan-out, ammettendo che i transistor adoperati abbiano un
(hF E )min = 30, una tensione di soglia V = 0.5 V , un VBE in zona attiva è 0.7 V
ed un VBE in saturazione di circa 0.8 V .
Se almeno uno degli ingressi è basso, il diodo corrispondente conduce e VP =0.9 V.
Se inoltre il V del transistor è 0.5 V, Q1 sarà interdetto. Infatti, perche esso conduca,
occorre che conducano anche D2 e Q2 e quindi che VP sia superiore a:
VP = 0.5 + 0.7 + 0.5 = 1.7 V
Ne segue che Q2 è anchesso interdetto e Vout = +5 V.
Se tutti gli ingressi sono alti, i diodi DA , DB , DC saranno interdetti e Q1 potrà
andare in conduzione (zona attiva). Perche ciò accada basta che VP si porti ad una
tensione pari a:
VP = (VBE )attiva + VD2 + (VBE2 )sat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 V
Con Q1 in zona attiva e con VP =2.2 V avremo:
IC1 = hF E IB1
284

I1 = IB1 + IC1 = (1 + hF E ) IB1
VCC VP = (5 2.2) V = VR1 + VR2 = R1 (1 + hF E ) IB1 + R2 IB1 =
= 1.75 (1 + hF E ) IB1 + 2.0IB1
e, se hF E = 30, da questa otteniamo:

(5 2.2) V = 2.8 V = 56.25 IB1
da cui:
IB1 = 0.05 mA
Inoltre avremo:
I1 = IE1 = (1 + hF E ) IB1 = 1.543 mA
0.8
0.8
=
= 0.16 mA
R3
5k
Di conseguenza la corrente di base di Q2 sarà:
I2 =
IB2 = I1 I2 = (1.543 0.16) mA = 1.383 mA

Ricordiamo che nel precedente circuito, IB2 era 0.44 mA.
La corrente di collettore di Q2 , in assenza di carichi, sarà:
I =
5 0.2
mA = 2.182 mA
2.2k
Notiamo a questo punto che:

I = 2.182 mA < hF E IB2 = 41.49 mA
cioè Q2 è sicuramente in saturazione.
Chiediamoci ora quale sia il carico standard, cioè la corrente assorbita dallo
stadio dingresso di un circuito simile, quando esso sia collegato alluscita del primo,
con Q2 in saturazione.
La corrente che uisce nelle resistenze R1 ed R2 dello stadio posto a valle è, in
queste condizioni:
5 0.9
= 1.093 mA
IR12 =
1.75 + 2.0
Questo è il carico standard.
La massima corrente di collettore possibile perche Q2 rimanga in saturazione
(sempre con hF E = 30) è:
IC2 = 30 IB2 = 30 1.383 mA = 41.49 mA
Otteniamo quindi per il fan-out:
N=
IC2 I
41.49 2.182
35
=
IR12
1.093
Occorre anche notare che, se alluscita del nostro circuito NAND colleghiamo
uno o pi`
u ingressi di altri circuiti dello stesso tipo, la potenza dissipata aumenterà.
11.5 Circuiti in logica TTL
285
La potenza minima dissipata (anche in assenza di carico) sarà diversa a seconda

che sia Vout = 0.2 V (livello basso) o Vout = 5 V (livello alto). Se Vout = 0.2 V, la
potenza dissipata nella resistenza Rc e nel transistor Q2 sarà:
P = Vcc I = 5 2.182 = 10.91 mW
Poiche in tale situazione i diodi DA , DB , DC sono interdetti e Q1 conduce, la
potenza dissipata nella parte di circuito che segue il percorso: R1 -R2 -Q1 -D2 -R3 sarà:
P = Vcc I1 = 5 1.543 mA = 7.715 mW
per cui la potenza totale dissipata è:
P (Y = 0) = P + P = 18.62 mW
Se Vout = 5 V, entrambi i transistor sono interdetti e quindi, ai ni del calcolo
della potenza, lunica corrente da considerare è quella che uisce nel ramo R1 R2 ,
poiche ora uno almeno dei diodi dingresso è in conduzione. Tale corrente è: IR12 =
1.093 mA, per cui:
P (Y = 1) = Vcc IR12 = 5 1.093 = 5.47 mW
11.5
Circuiti in logica TTL
I circuiti logici del tipo esaminato nora, che utilizzano diodi e transistor, sono
relativamente lenti. Per tale motivo a tale tipo di logica (nota come DTL) è preferita
quella che utilizza solo transistor, nota come logica TTL.
Esaminiamo le cause della lentezza nella risposta di un circuito DTL, distinguendo la risposta alla transizione livello 0 livello 1, da quella relativa alla transizione
livello 1 livello 0 (con riferimento alluscita).
Esaminiamo il circuito duscita (vedi gura 11.6), dove la tensione duscita è
quella sul collettore di Q2 .
Il condensatore C nel disegno rappresenta leetto combinato delle capacità
dingresso dei circuiti posti a valle e di quelle associate ai collegamenti.
Nel passaggio delluscita dal livello 0 al livello 1, il transistor deve andare in interdizione e la tensione di collettore salire a +Vcc . Ciò avviene con una costante di tempo Rc C, che è il tempo di carica del condensatore C attraverso Rc , il che rende lenta
la transizione. Un secondo fattore che contribuisce a rendere lenta tale transizione
deriva dal fatto che il transistor deve passare dalla saturazione allinterdizione. Ciò
implica che le cariche presenti in base (elettroni e lacune) debbano uire verso massa. La corrente iniziale con cui il processo ha luogo è VBE /Rb 0.7 V olt/Rb che,
per un valore tipico di Rb di 5 k, vale 0.15 mA. Poiche tale corrente è piccola il
tempo di svuotamento della base sarà relativamente lungo.
Esaminiamo ora ciò che accade nella transizione opposta, cioè quando lingresso
della porta diventa alto e quindi luscita scende a (0-0.2 V). Tale transizione implica
che il transistor entri in saturazione ed il condensatore si scarichi attraverso di esso.
Ora, il transistor era inizialmente interdetto e, per andare in saturazione dovrà
passare attraverso una successione di stati che comprendono la zona attiva. Poiche
286
Vcc
Rc
Q2
RB
Figura 11.6: Schema relativo alluscita del circuito in logica DTL di gura 11.4.
la corrente di collettore, per un transistor in zona attiva, assume valori elevati, è
chiaro che il tempo di scarica, e quindi il fronte di discesa associato alla transizione,
sarà breve.
Un circuito caratterizzato da valori brevi sia del tempo di salita che di quello di
discesa, si ottiene sostituendo tutti i diodi con transistor. Esaminiamo il principio
di funzionamento di un tale circuito, prendendo come esempio un NAND con un
solo ingresso, cioè un NOT.
Vedremo in seguito come, sostituendo il transistor dingresso con un particolare
tipo di transistor a pi`
u emettitori, sia possibile realizzare delle porte NAND a pi`
u
ingressi.
Esaminiamo, per cominciare, il circuito visto dal lato dellingresso (gura 11.7).
Se linput Vi è alto (Vi = VCC ) la giunzione base-emettitore di Q1 sarà polarizzata
inversamente. La tensione in P comincerà a salire no a che (VBC )1 e (VBE )2 non
abbiano raggiunto circa 0.7 V. In tali condizioni vediamo che il transistor Q1 ha VBE
negativo e VBC positivo, cioè è in una situazione in cui le polarizzazione sono opposte
rispetto a quelle che sono caratteristiche di un transistor che lavori in zona attiva
diretta. Ora il transistor Q1 lavora in zona attiva inversa cioè con i ruoli di emettitore
e collettore scambiati. Un transistor che lavori in modo inverso soddisfa a relazioni
tra correnti di emettitore, collettore e base, analoghe a quelle che conosciamo per la
zona attiva diretta. In particolare sussistono le seguenti relazioni tra le correnti:
IC = (R + 1)IB
(analoga alla IE = (F + 1)IB per un transistor che lavori in zona attiva diretta).
Inoltre:
IE = R IB
Notiamo che in genere è R F . Inoltre i transistor utilizzati in questo tipo
287
Vcc
Rc
VO
P
Q1
Vi
Q2
IC
Figura 11.7: Schema relativo ad un circuito NAND in cui siano stati sostituiti tutti i diodi con
transistor (logica TTL) .
di applicazioni hanno valori di R ancora pi`

u piccoli:
R 0.02
per cui, indicando con I la corrente entrante nella base di Q1 , avremo:
IC I
IE R I (molto piccolo)
Avendo inoltre fatto lipotesi che VP = (VBC )1 + (VBE )2 1.4 V , si ha:
IC
1.4 VCC
R
IE R IC 0.02 I
In altre parole, avremo valori relativamente grandi per le correnti di base e
di collettore in Q1 , mentre la corrente di emettitore sarà piccola. La corrente di
collettore di Q1 sarà quindi abbastanza elevata da mandare Q2 in saturazione e
luscita Vo a circa 0.2 V.
Se invece lingresso (emettitore di Q1 ) và al livello basso, la giunzione baseemettitore acquista una polarizzazione diretta e la base di Q1 andrà a 0.2+0.7=0.9 V.
Il collettore di Q1 , unito alla base di Q2 era inizialmente a 0.7 V (nella fase precedente Q2 era saturo). Ne segue che la giunzione base-collettore di Q1 subito dopo la
transizione dellingresso dallo stato alto a quello basso, è polarizzata inversamente.
Con la giunzione base-emettitore polarizzata direttamente e quella base-collettore
polarizzata inversamente, vediamo che Q1 opera in zona attiva, con unelevata corrente di collettore. Tale corrente scarica rapidamente la base di Q2 , dopo di che tale
transistor va in interdizione.
288
In tale fase, la tensione di base di Q2 scende, la dierenza di potenziale VCB1 =

VB1 VC1 aumenta ed inne Q1 entra in saturazione. Alla ne del processo la
corrente di collettore di Q1 sarà molto piccola, il che implica una VCE di circa 0.2 V,
mentre la base di Q2 sarà a 0.4 V , il che mantiene Q2 interdetto.
Vediamo che con tale struttura del circuito di ingresso si elimina una delle cause
che erano allorigine del lungo tempo di salita del segnale in uscita nel circuito DTL.
Esaminiamo ora luscita del NOT TTL, per vedere come sia possibile eliminare il
problema della lentezza del tempo di salita del segnale in uscita, legato alla costante
di tempo Rc C.
Ricordiamo che il tempo di scarica della capacità C era rapido, grazie alleetto
del transistor Q2 che, durante la transizione, operava in zona attiva. Se vogliamo che
anche il tempo di carica sia breve, dobbiamo far s` che la carica avvenga attraverso
una resistenza di piccolo valore. Ciò suggerisce di adoperare un emitter-follower,
caratterizzato appunto da una bassa impedenza duscita (ricordiamo che limpedenza duscita di un EF è allincirca uguale ad Rs /hF E , dove Rs è limpedenza della
sorgente che alimenta la base dellEF).
Schematicamente dovremmo quindi far uso di un circuito del tipo mostrato in
gura 11.8.
Vcc
Q
Vi
Re
Figura 11.8: Schema di un NOT TTL con un rapido tempo di carica.

Questo circuito ha un rapido tempo di carica (quando Q conduce) ma un lento
tempo di scarica (se Q è interdetto la scarica avviene attraverso la resistenza Re ,
che è tipicamente di qualche k).
Per ottenere un rapido tempo di carica ed un altrettanto rapido tempo di scarica,
si può adoperare una combinazione dello stadio duscita del circuito di gura 11.7 e
di quello di gura 11.8, come mostrato in gura 11.9.
Dobbiamo supporre di disporre di due segnali complementari forniti dallo stadio
dingresso.
In altri termini, VI1 è alto quando VI2 è basso e viceversa. Se VI1 è alto Q3
289
Vcc
VI2
Q4
VI1
Q3
C
Figura 11.9: Circuito con rapidi tempi di carica e di scarica ottenuto dalla combinazioni degli
schemi mostrati nelle gure 11.7 e 11.8.
sarà in saturazione, mentre contemporaneamente, con VI2 basso Q4 sarà interdetto.

Ora il condensatore C, supposto inizialmente carico (uscita Vo alta), potrà scaricarsi
sat
).
attraverso la piccola resistenza oerta dal transistor Q3 saturo (RCE
Se VI1 è basso e VI2 alto, Q3 sarà interdetto e Q4 condurrà. Ora Q4 si comporta
da EF e consente una rapida carica di C attraverso la piccola resistenza duscita
dellEF.
Lo stadio duscita adoperato è noto come Totem-pole, a causa del suo aspetto
che ricorda i Totem adoperati dagli indiani dAmerica.
La bassa impedenza duscita dellEF Q4 in questo stato logico (uscita alta) fa s`
che luscita possa erogare una notevole corrente con conseguente elevato fan-out.
Notiamo anche che il transistor Q4 , nello stato alto, è quello che tira su luscita
verso il livello alto. Per tale motivo ci si riferisce a Q4 come un active pull-up.
Analogamente, nello stato basso, il ruolo di tener gi`
u luscita è svolto dal
transistor Q3 che, per tale motivo, è indicato come un active pull-down.
Il circuito completo è mostrato in gura 11.10.
Abbiamo già esaminato il funzionamento dello stadio di ingresso (a sinistra nella
gura). Esaminiamo ora lo stadio intermedio che fornisce le due uscite complementari (quelle che alimentano le basi di Q3 e Q4 ), e lo stadio duscita.
Lo stadio intermedio è un phase-splitter. Luscita prelevata sul collettore di Q2
e quella prelevata sullemettitore sono sfasate di 180o. Tali uscite forniscono quindi
i segnali di tensione VI1 e VI2 necessari per alimentare Q3 e Q4 .
Se lingresso VI è basso (0.2 V), il transistor Q1 , come già visto, avrà la base a
290
Vcc
R1 1.6k
R
R3
130
4k
Q4
IB1
VI
Q2
Q1
D
Vout
Q3
CL
R2
1k
Figura 11.10: Schema completo del circuito NOT TTL. Lo stadio dingresso già esaminato è
quello di sinistra, lo stadio intermedio al centro fornisce le due uscite complementari.
(0.2+0.7=0.9 V) e Q2 sarà interdetto. Con ciò la tensione sulla base di Q3 , unita
allemettitore di Q2 sarà allincirca 0 V e Q3 sarà interdetto.
Con Q2 interdetto, la sua tensione di collettore sarà Vcc = 5 V . Poiche il
collettore di Q2 è unito alla base di Q4 , avremo:
VC2 = VB4 = 5 V
Con tale tensione di base, Q4 sarà ON (in saturazione o in zona attiva).
Esaminiamo leetto del carico posto a valle sullo stato di Q4 . Se non cè alcun
carico, la corrente IL nellemettitore di Q4 sarà molto piccola (giusto la corrente
di perdita) e le due giunzioni: quella base-emettitore di Q4 e quella del diodo D,
saranno al limite della conduzione. Ammettendo che esse valgano entrambe 0.65 V,
troveremo:
Vout = 5 0.65 2 = 3.7 V
Cioè luscita è al livello alto.
Se introduciamo un carico, la corrente IL in Q4 ed in D aumenterà. Tuttavia,
entro un certo range di valori di IL , Q4 rimarrà in zona attiva ed avremo:
Vout = Vcc
IL
IL
R1 VBE4 vD 5
1.6 k 0.8 0.7
+1
+1
291
Ulteriori aumenti di IL potranno mandare Q4 in saturazione. A questo punto la

tensione duscita sarà determinata dalla sola resistenza di 130 :
sat
Vout = Vcc 0.13k IL VCE
0.8 = 5.0 0.13k IL 1.0 =
4
= 4. 0.13k IL
Esaminiamo ora ciò che accade se lingresso VI è alto. Come già visto, ora
la giunzione base-emettitore di Q1 è polarizzata inversamente; la tensione VB1
VC1 + 0.7 V = 1.4 V . La corrente di base di Q1 è allora:
IB1 =
5 1.4
Vcc 1.4
=
= 0.9 mA
R
4
La corrente di collettore sarà:

IC1 = (R + 1)IB1 IB1
mentre IE1 sarà molto piccola.
Tale corrente di collettore di Q1 (che sta funzionando in modo inverso) uisce
verso la base di Q2 , mandandolo in saturazione. Verichiamo in tali condizioni lo
stato di Q4 e Q3 .
Con Q2 in saturazione la corrente di emettitore di Q2 sarà abbastanza grande
da mandare Q3 in saturazione e Vout 0.2 V . La tensione sulla base di Q4 , uguale
a quella sul collettore di Q2 , sarà ora:
sat
sat
VB4 = VC2 = VCE
+ VBE
= 0.2 + 0.8 = 1 V
2
3
Perche Q4 conduca occorre che VB4 soddis la condizione:

min
min
sat
+ vD
+ VCE
= 1.4 + 0.2 = 1.6 V
VB4 > VBE
4
4
Poiche VB4 è solo 1 V, nè Q4 nè il diodo conducono.

Se ora lingresso VI torna al livello basso, Q2 andrà in interdizione e ciò manderà
in interdizione Q3 .
Luscita rimarrà per un breve intervallo di tempo a 0.2 V, poiche la capacità
parassita CL deve caricarsi. Nel frattempo però Q4 va in saturazione (la tensione
sulla sua base è salita quando Q2 è andato in interdizione). Avremo ora:
sat
+ vD + Vout = 0.8 + 0.7 + 0.2 = 1.7 V
VB4 = VBE
4
La corrente di base di Q4 sarà:

IB4 =
Vcc VB4
5.0 1.7
= 2.06 mA
=
R1
1.6
e quella di collettore:
IC4 =
sat
Vcc VCE
vD Vout
3.9
4
= 30 mA
=
R3
0.13
e quindi:
IC4
30
= 14.6
=
IB4
2.06
292
Se scegliamo un transistor con hmin

a in saturazione.
F E > 15 vediamo che Q4 sar`
Fino a che Q4 rimane saturo, la tensione Vout in uscita sale esponenzialmente
verso Vcc , con una piccola costante di tempo:

= CL 0.13 + RCsat4 + Rf
Dove RCsat4 è la resistenza tra collettore ed emettitore di Q4 quando questo è in
saturazione ed Rf è la resistenza diretta del diodo.
Allaumentare di Vout la corrente in Q4 diminuisce, Q4 esce dalla saturazione ed
inne Vout raggiunge uno stato in cui Q4 è interdetto.
Il valore nale della tensione duscita sarà:
cutin
cutin
vD
= 5 0.5 0.6 = 3.9 V
Vout = Vcc VBE
4
cutin
cutin
e vD
abbiamo indicato i valori di soglia sotto i quali il transistor
Dove con VBE
4
ed il diodo non conducono.
Il circuito NAND in logica TTL dierisce da quello (NOT) ora descritto per
il transistor dingresso che, nella porta NAND, è costituito da un transistor a pi`
u
emettitori, come mostrato in gura 11.11.
Figura 11.11: Transistor a più emettitori.

Fisicamente tale transistor ha la struttura mostrata in gura 11.12.
E1
E2
E3
n+
n+
n+
n+
P
n
Figura 11.12: Struttura interna di un transistor a più emettitori.

Nel substrato di materiale n è impiantato il collettore (n+ ) e, in una struttura
p (cui è collegata la base) tre strutture (n+ ), corrispondenti ciascuna ad uno dei
11.6 Circuiti in logica CMOS
293
tre emettitori indicati nella gura precedente. Il funzionamento di tale dispositivo

è identico a quello del singolo transistor.
11.6
Circuiti in logica CMOS
Abbiamo già accennato nel capitolo 9 alla struttura base di un tipico componente
CMOS. Questo, come mostrato in gura 11.13, è costituito da un NMOS ed un
PMOS, in cui i gates sono uniti insieme a costituire lelettrodo di input, ed i drain
sono anchessi uniti insieme. Nella struttura di gura 11.13, che costituisce un
esempio di invertitore (NOT), quando lingresso è basso lNMOS è interdetto mentre
il PMOS conduce. Come si è visto, in tali condizioni luscita è alta. Se invece
lingresso è alto, viene ad essere interdetto il PMOS e conduce lNMOS; con che
luscita è bassa.
5V
M2
Vout
Vin
M1
Figura 11.13: Esempio di invertitore in tecnologia CMOS.

Il circuito di gura 11.14 utilizza due NMOS e due PMOS per realizzare una
porta NAND a due ingressi.
Il funzionamento di tale porta è facile da comprendere. Se entrambi gli ingressi
A e B sono alti, i transistor M3 ed M4 conducono, mentre M1 ed M2 saranno
interdetti. Si vede quindi che luscita sarà bassa. Se A e B sono entrambi bassi,
M4 ed M3 saranno interdetti mentre condurranno M1 ed M2. Loutput sarà quindi
alto. Se A è alto e B basso, M1 ed M4 saranno interdetti mentre condurranno M2
ed M3. Loutput sarà quindi alto. Analogamente, se A è basso e B alto, M2 ed
` cos`
M3 saranno interdetti mentre condurranno M1 ed M4. Luscita sarà alta. E
` poi facile trasformare questa in
vericato il funzionamento come porta NAND. E
una porta AND facendola seguire dallinvertitore di gura 11.13.
Il risultato di una simulazione del circuito di gura 11.14 è mostrato in gura 11.15. Nella simulazione, eettuata facendo uso della versione demo del programma Microcap, si è applicato allingresso A un segnale rettangolare, di altezza 5 V e
periodo 20s, mentre lingresso B è stato tenuto al livello logico 1 (+5 V).
294
M1
M2
Output
Input A (5 V, T=20us)
M3
M4
Input B (5 V)
Figura 11.14: Esempio di porta NAND in tecnologia CMOS.
8.0
Input A
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
60.0
80.0
100.0
60.0
80.0
100.0
t (s)
8.0
Input B
6.0
4.0
2.0
0.0
20.0
40.0
t (s)
8.0
Output
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
0.0
20.0
40.0
t (s)
Figura 11.15: Forme donda in ingresso ed in uscita per la porta NAND in tecnologia CMOS di
gura 11.14. Lingresso A è unonda rettangolare di altezza 5 V e periodo 20 s mentre lingresso
B è stato tenuto, nella simulazione, ad un livello sso di 5 V. La simulazione è stata eettuata
facendo uso del programma Microcap
Capitolo 12
Amplicatori operazionali
12.1
Introduzione
Ci occuperemo in questa sezione degli amplicatori operazionali, iniziando con

un breve sommario delle principali caratteristiche di un tipico amplicatore operazionale ideale ed esaminandone alcune semplici applicazioni. Passeremo a discutere
in un secondo tempo i limiti degli amplicatori operazionali reali, quali le correnti e
tensioni di oset, lo slew rate e via dicendo.
Questo tipo di amplicatore si presta ad un gran numero di applicazioni diverse,
che vanno dallamplicazione di segnali di tensione o corrente, alla realizzazione di
integratori/derivatori di precisione, a quella di circuiti oscillanti, di ltri analogici,
di sistemi di trigger e via dicendo. Vari tipi di operazionali, con diverse caratteristiche e prestazioni (impedenza dingresso pi`
u o meno elevata, guadagno pi`
u o meno
grande, banda passante pi`
u o meno ampia etc), sono disponibili in commercio. Di
questi, quello che è stato per decenni il pi`
u noto è il A741
12.2
Propriet`
a degli amplicatori operazionali
Con riferimento allo schema indicato in gura 12.1, un amplicatore operazionale ha

due ingressi di segnale, due alimentazioni (nella pi`
u gran parte dei casi una positiva
ed una negativa, ma a volte una positiva ed una massa) ed unuscita. In molti casi
esistono degli ulteriori terminali, adoperati per il controllo delloset.
I due ingressi, noti come ingresso non-invertente ed ingresso invertente, sono
tali che ad essi corrispondano, come vedremo tra un attimo, guadagni uguali ed
opposti. In altre parole, lamplicatore operazionale ha ingressi dierenziali. Le
V+
V0
Figura 12.1: Schema di base di un amplicatore operazionale.

295
296
Capitolo 12. Amplicatori operazionali
principali caratteristiche di un amplicatore operazionale ideale sono le seguenti:

impedenza dingresso innitamente grande;
ingressi dierenziali;
guadagno nel modo dierenziale innito;
larghezza di banda innita;
sfasamento nullo tra ingresso ed uscita;
guadagno nel modo comune nullo;
impedenza di uscita nulla.
Un amplicatore operazionale reale avrà caratteristiche che si discosteranno pi`
uo
meno dalle caratteristiche ideali appena descritte. Di tali dierenze ci occuperemo
nel seguito.
Esaminiamo adesso le caratteristiche di un amplicatore tipico. Un circuito che
si incontra frequentemente è quello mostrato in gura 12.1. Notiamo lingresso
invertente indicato con un segno meno e quello non invertente indicato con un segno
pi`
u.
Se tra i due terminali dingresso applichiamo una dierenza di potenziale, la
tensione al terminale di uscita sarà, a causa del guadagno innito delloperazionale,
anchessa innita. Da un punto di vista pratico la tensione di uscita non potrà
superare quella delle alimentazioni. Se, ad esempio, lamplicatore è alimentato
con tensione positiva di +15 Volt e tensione negativa di -15 Volt, la tensione di
uscita sarà allincirca uguale a +15 Volt se la tensione applicata al terminale non
invertente è maggiore di quella applicata al terminale invertente, sarà -15 Volt nel
caso contrario. Notiamo che sia il terminale invertente che quello non invertente sono
riferiti a massa. Avremo quindi unimpedenza tra terminale invertente e massa, una
tra terminale non invertente e massa ed una tra i due terminali invertente e non
invertente. Ammetteremo che tutte e tre queste impedenze siano innite.
12.2.1
Ingresso dierenziale
Prima di passare ad esaminare alcuni circuiti tipici che fanno uso di A.O., ricordiamo
alcune denizioni relative allamplicatore dierenziale, che ne costituisce lo stadio
dingresso.
Indichiamo con v+ e v le tensioni applicate rispettivamente allingresso non
invertente ed a quello invertente, con vo la tensione duscita, con A+ e con A i
guadagni dellA.O. per segnali applicati rispettivamente allingresso non invertente
ed a quello invertente. Per il principio di sovrapposizione avremo:
v0 = A+ v+ + A v
e, ponendo:
vd = v+ v
1
vc = (v+ + v )
2
(12.1)
12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

cioè
297
v+ = vc +
vd
2
(12.2)
v = vc
vd
2
(12.3)
questa diventa:
vd
vd
1
vo = A+ vc +
+ A vc
= (A+ + A )vc + (A+ A )vd (12.4)
2
2
2
che, con le denizioni:
Ac = (A+ + A )
1
Ad = (A+ A )
2
(12.5)
vo = Ac vc + Ad vd
(12.7)
(12.6)
può essere scritta come:

La grandezza Ad è nota come il guadagno nel modo dierenziale, mentre Ac è il
guadagno nel modo comune. Un buon A.O. dovrà avere un valore di Ac prossimo a
zero ed un valore di Ad prossimo ad . Normalmente i produttori quotano il valore
del cosiddetto rapporto di reiezione per il modo comune (Common Mode Rejection
Ratio o CMRR), denito da:
= |Ad /Ac |
che deve essere il pi`
u grande possibile.
Dalla (12.7) si ha poi:

1 vc
vo = Ad vd 1 +
vd
(12.8)
Ad esempio, se vc =1 mV, vd = 1 V e =1000, avremo:

1 vc
= 2 Ad vd
vo = Ad vd 1 +
vd
anzichè semplicemente Ad vd come si vorrebbe da un buon A.O.. Se vogliamo che
ciò accada, occorre che sia abbastanza pi`
u grande di vc /vd da rendere trascurabile
il secondo termine in parentesi nella (12.8). Nel nostro esempio, dovrà essere
maggiore di 105 se si vuole che vo dierisca da Ad vd per meno dell1%.
12.3
Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali
Gli A.O. hanno numerosissime applicazioni. Queste possono essere divise in due
grandi categorie. Nella prima di queste lA.O. viene adoperato in modo che esso
esca dalla zona lineare e vada in saturazione. Se infatti si applica una piccola
dierenza di potenziale tra ingresso invertente ed ingresso non-invertente, luscita si
porterà tipicamente a Vcc dove Vcc è la tensione di alimentazione. Nel realizzare tale
funzione si fa spesso uso di una reazione positiva tra uscita ed ingresso dellA.O..
298
Fanno parte di questa categoria molti circuiti logici, generatori di onde quadre,
generatori di rampa, circuiti di trigger (Schmitt) etc..
Nel secondo tipo di applicazioni si fa invece uso di una reazione negativa, realizzando un funzionamento lineare dellA.O.. Fanno parte di questa categoria i circuiti
amplicatori (invertenti e non invertenti), i circuiti di somma e di sottrazione, gli
inseguitori di tensione, i convertitori tensione-corrente e corrente-tensione e molti
altri.
Inizieremo nella prossima sezione unanalisi di questultima classe di applicazioni.
Esiste in realtà una terza classe di applicazioni, in cui il feedback positivo applicato è quasi esattamente uguale allinverso dellamplicazione delloperazionale
e quindi il guadagno a catena aperta A è circa uguale ad uno. In tale categoria
rientrano i cosiddetti oscillatori sinusoidali che sono trattati in un capitolo a se.
12.3.1
Amplicatori invertenti e non-invertenti
Abbiamo specicato in precedenza tra le caratteristiche di un A.O. ideale:

impedenza dingresso Ri innita;
guadagno in tensione Av innito;
impedenza duscita Ro nulla.
Esamineremo ora, a titolo di esempio, alcuni amplicatori reazionati che utilizzano
un A.O. e ne studieremo il funzionamento.
Cominceremo con lesaminare la congurazione invertente mostrata in gura 12.2.
R2
R1
Vs
Vout
Figura 12.2: Amplicatore invertente realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi

passivi.
Ammetteremo che Ri , Av ed Ro (vedi gura 12.3) abbiano valori niti; faremo

poi tendere Ri ed Av ad innito ed Ro a zero.
Facendo uso del teorema di Miller, lo schema di gura 12.3 può esser trasformato
in quello di gura 12.4, dove k = vo /vi .
Dallanalisi della maglia duscita di tale circuito troviamo:
vo =
Av vi
Z
Z + Ro
299
i
R2
i
R1
Vs
Ri -
Vi=V0/Av~0
R0
AvVi
V0
Figura 12.3: Amplicatore invertente: sullo schema sono evidenziati limpedenza di ingresso
(Ri ), limpedenza di uscita (Ro ) ed il guadagno in tensione (Av ) dellamplicatore operazionale.
Vs
R1
R0
Vi
R2/(1-k)
-R2 k/(1-k)
Ri
V0
-Av Vi
Figura 12.4: Circuito equivalente allamplicatore di gura 12.3.

dove:
Z =
R2 k
1k
Si ottiene di qui una relazione tra vo e vi :

vo
Ro Av R2
=
vi
R2 + Ro
Dallanalisi della maglia dingresso si ottiene invece:
vi = vs
dove:
R =
R
R1 + R
Ri R2
Ri (1 k) + R2
(12.9)
300
per cui:
R
Ri R2
=
R1 + R
Ri R2 + R1 [R2 + Ri (1 k)]
Dallequazione (12.9) si ottiene allora:
vo vi
Ri (Ro Av R2 )
vo
=
=
vs
vi vs
R1 (Ri + R2 + Ro ) + Ri (R2 + Ro ) + Av R1 Ri
Dividendo ora numeratore e denominatore per Ri , otteniamo poi:
vo
Ro Av R2
=
vs
(R1 /Ri )(Ri + R2 + Ro ) + R2 + Ro + Av R1
che, per Ri che tende ad innito, diventa:
vo
Ro Av R2
=
vs
R1 + R2 + Ro + Av R1
e, per Av che tende ad innito ed R0 che tende a zero:
vo
R2
=
vs
R1
(12.10)
Vediamo da tale relazione che il guadagno dellamplicatore reazionato invertente

è, nel limite Ri = , R0 = 0 ed |Av | = , uguale al rapporto tra la resistenza
di reazione R2 e quella che collega il generatore di segnali allingresso invertente.
Notiamo che al medesimo risultato si potrebbe arrivare in modo pi`
u semplice,
con le seguenti considerazioni:
1. poichè Ri = , la corrente che può uire nelloperazionale è trascurabile,
ammetteremo che essa sia nulla;
2. in presenza della reazione negativa causata dalla resistenza R2 , loperazionale
non satura: cioè il segnale in uscita ha un valore inferiore a quello dellalimentazione;
3. essendo Av = e vo nito, la relazione: |vi | = |vo /Av | ci dice che la differenza di potenziale tra i terminali dingresso: vi deve essere vicina a zero,
ammetteremo che essa sia nulla.
In denitiva avremo (vedi gura 12.3):
v = vi =
vo
0
Av
e quindi v = 0 (essendo v+ collegato a massa). Si dice che il terminale invertente

è una massa virtuale, poichè esso si trova ad un potenziale molto prossimo a quello
tuttavia da tenere ben presente che non esiste alcun collegamento sico
di massa. E
o corto circuito tra terminale invertente e non-invertente.
Vediamo ora come le condizioni esaminate portino facilmente al risultato espresso
dallequazione (12.10). Infatti, per quanto detto, nessuna corrente entra nelloperazionale; ne segue che la corrente che attraversa la resistenza R1 è uguale a quella
che attraversa R2 . Inoltre si ha v = 0. Ne segue:
vo
vs
=
i =
R1
R2
301
da cui:
R2
vo
=
vs
R1
(12.11)
Potrebbe apparire che lipotesi aggiuntiva (Ro = 0) che è stata necessaria per
dimostrare la relazione (12.10), non giochi pi`
u alcun ruolo. In realtà ciò non è vero.
Se infatti Ro fosse, diciamo, grande rispetto ad R2 (o confrontabile ad essa), allora
la tensione duscita vo sarebbe uguale a quella (vo ) presente alluscita del generatore
dipendente che schematizza luscita dellA.O., diminuita della caduta attraverso Ro .
Con ciò lequazione ottenuta (12.11) non sarebbe pi`
u vera, ma il rapporto vo /vs
dipenderebbe anche da Ro .
La gura 12.6 mostra i segnali in ingresso ed in uscita da un amplicatore invertente, in cui è stato scelto un rapporto R2 /R1 pari a 2. Il segnale in ingresso è una
sinusoide di ampiezza pari ad 1 V. Si vede come il segnale in uscita sia una sinusoide
invertita, di ampiezza doppia.
Impedenza dingresso dellamplicatore invertente
Limpedenza dingresso ri dellamplicatore appena esaminato può esser calcolata facilmente facendo uso dello schema di gura 12.4. Si vede da tale gura che
limpedenza dingresso è:
ri = R1 +
Ri R2
Ri (1 k) + R2
dove k è dato dalla relazione (12.9). Si ottiene quindi:

ri = R1 +
Ri (Ro + R2 )
Ri (1 + Av ) + (Ro + R2 )
Questa può essere riscritta come:

ri = R1 +
Ri (Ro + R2 )/(1 + Av )
Ri + (Ro + R2 )/(1 + Av )
che, ponendo:
rf =
R2 + Ro
1 + Av
può essere scritta nella forma pi`

u concisa:
ri = R1 + Ri rf
dove in genere rf è molto minore di Ri per cui, nel parallelo, questultima può essere
trascurata. Essendo inoltre in genere rf molto piccola, si trova che limpedenza dingresso dellamplicatore invertente esaminato è con ottima approssimazione uguale
ad R1 .
Ad esempio, per R1 = 100k, R2 = 10k, Ro = 100 ed Av = 105 , troviamo:
rf = 0.1 e quindi ri = R1 = 100k.
302
Impedenza duscita dellamplicatore

invertente
Per calcolare limpedenza duscita ro dellamplicatore immaginiamo di cortocircuitare i terminali dingresso, ponendo vs = 0, di applicare tra i terminali duscita
una tensione vo e di calcolare la corrente io immessa dal generatore di tensione vo .
R1
i0
R2
R0
Ri
Vi
Av Vi
V0
Figura 12.5:
Schema del circuito utilizzato per il calcolo dellimpedenza di uscita

dellamplicatore invertente.
Deniremo poi impedenza duscita il rapporto vo /io . Lo schema equivalente che

adopereremo è quello di gura 12.5. Avremo:
io =
vo Av vi
vo
+
Ro
R1 + R2
poichè Ri R1 . Inoltre è:

vi = vo
R1
R1 + R2
Sostituendo questequazione nella precedente, si trova:

vo + Av vo R1 /(R1 + R2 )
vo
+
Ro
R1 + R2
io =
cioè:
vo
ed inne:
1
Av R1
1
+
+
Ro R1 + R2 Ro (R1 + R2 )

= io
io
1
1
Av R1
1
=
=
+
+
ro
vo
R1 + R2
Ro
Ro (R1 + R2 )
per cui per Av si ha:

1
1
=
ro
Ro
ed ro è praticamente nullo.

Av R1
1+

R1 + R2
303
3.60
2.40
Volt
output
input
1.20
0.00
-1.20
-2.40
0.00
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
t (microsecondi)
Figura 12.6: Graco dellandamento temporale della tensione in ingresso (linea tratteggiata)
e della tensione in uscita (linea continua) per un amplicatore invertente con amplicazione in
tensione pari a 2.
R2
R1
v0
Vi
Figura 12.7: Amplicatore non-invertente realizzato con un amplicatore operazionale ed

elementi passivi.
12.3.2
Amplicatore non-invertente
Un amplicatore che fornisce un segnale in uscita in fase con il segnale applicato in

ingresso è quello mostrato in gura 12.7.
Per calcolare il guadagno in tensione di tale amplicatore ricordiamo che, a causa
della reazione negativa avremo, come prima, v+ = v , ed inoltre vi = v+ per cui:
v = vo
e:
Av =
R1
R1 + R2
vo
vo
R1 + R2
R2
=
=
= 1 +
vi
v
R1
R1
304
Il guadagno, come si vede, è indipendente dalle caratteristiche delloperazionale, ma

dipende solo dai valori delle resistenze R1 e R2 . Esso diviene uguale ad 1 se R2 = 0
e R1 = . Si ottiene cos` la congurazione di gura 12.8 nota come inseguitore di
tensione.
v0
Vi
Figura 12.8: Inseguitore di tensione.
Impedenza dingresso dellamplicatore non-invertente

Limpedenza dingresso dellamplicatore nella congurazione esaminata, cioè limpedenza vista dalla sorgente vs guardando nel terminale non invertente, è teoricamente innita. Vediamo di esprimerla in termini del guadagno Av , della resistenza
dingresso delloperazionale Ri e dei valori delle resistenze. Chiamando ri la resistenza dellamplicatore completo, avremo per la corrente dingresso nel terminale non
invertente:
vi
vo 1
ii =
=
Ri
Av Ri
dove:

R2
vo = 1 +
vi
R1
per cui:

vi 1
R2
ii = 1 +
R1 Av Ri
ed inne:
vi
Av Ri
=
ri =
ii
1 + R2 /R1
Come si vede, tale impedenza è estremamente grande. Per Av = 105 , Ri = 1M ed
R2 /R1 = 1 questa vale 50, 000 M.
Impedenza duscita dellamplicatore
non-invertente
Si può facilmente vericare che limpedenza duscita in questa congurazione è
identica a quella della congurazione invertente. In eetti lo schema equivalente
305
adoperato nella sezione 7 (vedi gura 12.5) è applicabile senza modiche a questa
situazione.
12.3.3
Amplicatore della dierenza di due segnali
Un amplicatore operazionale può facilmente essere adoperato per amplicare la

dierenza tra due segnali di tensione. Un possibile schema è quello mostrato in
gura 12.9.
R2
R1
v1
v0
R1
V2
R2
Figura 12.9: Amplicatore dierenziale realizzato con un amplicatore operazionale.

Ancora una volta sfruttiamo il fatto che lingresso invertente e quello non- invertente sono in corto-circuito virtuale, cioè v = v+ . Daltronde, dal partitore
costituito dalle resistenze poste sullingresso non-invertente, otteniamo:
v = v+ = v2
R2
R1 + R2
Poichè nelloperazionale non entra corrente, le correnti nelle due resistenze superiori
sono uguali, per cui:
v+ vo
v1 v+
=
R1
R2
da queste due equazioni segue poi subito:
vo =
R2
(v2 v1 )
R1
Immaginiamo ad esempio che il segnale allingresso 1 sia una sinusoide di ampiezza

pari ad 1 V e frequenza 6 kHz, e quello allingresso 2 sia un segnale sfasato rispetto
al primo di . In tal caso il segnale in uscita sarà quello mostrato in gura 12.10,
dove si è utilizzato lo schema di gura 12.9 con R1 = 1 k e R2 = 2 k.
12.3.4
Amplicatore della somma di due o pi`

u segnali
Un A.O. in congurazione invertente può essere adoperato per ottenere la somma

(cambiata di segno) di pi`
u tensioni applicate agli ingressi, in modo tale che le sorgenti
306

7.5
output
5.0
V1
V2
2.5
0.0
-2.5
-5.0
0.
100.
200.
300.
400.
500.
t (microsecondi)
Figura 12.10: Graco dellandamento temporale delle tensioni in ingresso ed in uscita allamplicatore operazionale mostrato in gura 12.9.Il graco è ottenuto per R1 = 1 k e
R2 = 2 k.
i
R
V1
R1
R2
V2
Figura 12.11: Schema del circuito sommatore di due segnali.

risultino peraltro disaccoppiate tra loro. Un circuito che realizza tale funzione è
quello mostrato in gura 12.11. La relazione che lega la tensione in uscita alle
tensioni v1 , v2 in ingresso è facilmente ottenibile in base alla considerazione che la
corrente che passa nella resistenza R deve essere uguale alla somma delle correnti
nelle resistenze R1 ed R2 , unitamente al fatto che la tensione al terminale invertente
è nulla (v = v+ = 0). Si ha cioè:
i = i1 + i2 =
v1
v2
vo
+
=
R1 R2
R


vo = R
v1
v2
+
R1 R2
307
Se poniamo R = R1 = R2 abbiamo, come detto, la somma cambiata di segno dei

segnali applicati in ingresso. Altrimenti avremo una combinazione lineare di questi,
con coecienti dipendenti dai valori delle tre resistenze.
Lestensione al caso di N sorgenti è immediata.
Come accennato, nella congurazione esaminata le sorgenti sono sicamente disaccoppiate luna dallaltra, poichè le estremità destre delle resistenze R1 , R2 sono
collegate a massa (cioè alla massa virtuale del terminale invertente). In altre parole,
la sorgente v1 non interagisce in alcun modo con la sorgente v2 .
12.3.5
Integratore realizzato tramite un operazionale
Un integratore ideale fornisce una tensione in uscita proporzionale allintegrale della

tensione applicata in ingresso:

vout = K
vin dt
(12.12)
In termini della trasformata di Laplace, dovremo avere:
vout =
K
vin
s
(12.13)
Notiamo che il circuito passa-basso di gura 12.12 ha un funzione di trasferimento

data da:
1 1
(12.14)
s + 1
in
1k
10n
out
Figura 12.12: Circuito integratore realizzato con elementi passivi.

che diviene quella di un integratore ideale espresso dallequazione (12.13) per
. Notiamo che in tale limite la funzione di trasferimento tende a zero, a
causa del termine moltiplicativo 1/ .
La congurazione mostrata in gura 12.13 realizza con ottima approssimazione
un integratore ideale. Ciò può esser visto semplicemente adottando il principio della
massa virtuale.
308
i
v
in
out
Figura 12.13: Circuito integratore realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi

passivi.
Infatti, per tale principio, la corrente che scorre nella resistenza R, uguale a
quella che carica il condensatore C, è data da:
i =
vin
dQ
dvout
=
= C
R
dt
dt
da cui:
vin = RC
e:
dvout
dt

vin dt
1
RC
Si può arrivare al medesimo risultato, senza far uso in modo esplicito del principio
della massa virtuale, ma adoperando il teorema di Miller. Sostituiamo infatti allimpedenza capacitiva Zc presente tra ingresso invertente ed uscita, una impedenza pari
a Zc /(1 + Av ) 1 , posta tra ingresso invertente e massa, ed una pari a Av Zc /(1 + Av ),
posta tra uscita e massa. Si ottiene in tal modo il circuito equivalente mostrato in
gura 12.14, dove è vout = Av v1 , con v1 la dierenza di potenziale tra ingresso
invertente e massa. Dalla denizione di trasformata dellimpedenza capacitiva segue
che le capacità C e C indicate in gura valgono:
vout =
C = C(1 + Av ) ; C =
C(1 + Av )
Av
La funzione di trasferimento che cos` si ottiene è:

G(s) =
con:
1
Av /
s + 1/
= RC(1 + Av )
dove poniamo Av uguale al modulo del guadagno negativo nel caso in esame
(12.15)
in
309
2
C'
C"
out
Figura 12.14: Circuito equivalente al circuito integratore di gura 12.13.

Poichè ora contiene il grosso termine Av , avremo che il termine 1/ a denominatore della (12.15) sarà trascurabile e G(s) diventa con ottima approssimazione la
funzione di trasferimento di un integratore ideale:
G(s) =
Av
Av
1 1
=

s
RC(1 + Av )s
RC s
(12.16)
Il motivo per cui il circuito esaminato si comporta come un ottimo integratore può anche esser compreso intuitivamente, partendo dallanalisi del non-perfetto
integratore costituito da un normale R-C passa-basso (vedi gura (12.12)). Ammettiamo che in tale circuito sia applicato in ingresso un segnale di tensione che sia, in
un certo (breve) intervallo di tempo, costante. Luscita sarà lintegrale dellingresso
se essa è una rampa crescente linearmente nellintervallo di tempo specicato. Ciò
richiederebbe però che il condensatore fosse caricato con una corrente costante nel
tempo. Infatti solo in tal caso si avrebbe:

1 t
Vout (t)
i dt i t
C 0
Ora, la corrente che carica il condensatore è quella che attraversa la resistenza R
ed essa è pari alla dierenza di potenziale ai capi della resistenza divisa per la resistenza stessa. A sua volta, la dierenza di potenziale ai capi della resistenza NON
è costante, poichè essa è la dierenza tra la tensione (costante) applicata in ingresso
e la tensione presente sul condensatore, che sta via via aumentando. Se si vuole che
la corrente che carica il condensatore sia costante occorre che la tensione allaltro estremo della resistenza R sia tenuta costante. A questo ruolo provvede loperazionale,
poichè lingresso invertente di questo (cioè quello cui è collegato lestremo della resistenza) è tenuto ad un potenziale vicino a zero dalla reazione negativa causata
dal collegamento capacitivo tra luscita e lingresso invertente. Notiamo la strana
congurazione in cui si trova il condensatore, che è caricato da una corrente che
viene da un punto che è praticamente a massa !
Il circuito esaminato non è realistico, poichè, una volta che la capacità C sia
carica, essa non ha modo di scaricarsi. Se quindi il segnale inviato in ingresso è
unonda rettangolare, il primo impulso sarà integrato e darà in uscita una rampa,
ma subito dopo la tensione in uscita rimarrà al livello alto anche quando lingresso
310
sia tornato a zero. Il successivo impulso troverà il condensatore ancora carico e

lintegrazione fornirà unuscita che continuerà a salire, no a che loperazionale non
sia andato in saturazione.
Per ovviare a questo problema si pone, in parallelo al condensatore, una resistenza, di valore adeguatamente elevato, attraverso la quale il condensatore possa
scaricarsi tra un impulso ed il successivo. Il circuito cos` ottenuto è mostrato in
gura 12.15(a). Il calcolo della risposta di questo circuito può essere eettuato
facilmente tenendo conto del fatto che lingresso invertente è una massa virtuale e
ricordando che le correnti nei rami Z1 e Z2 della gura 12.15(b) sono uguali. Si
ottiene quindi per la trasformata del guadagno in gura 12.15(b):
G(s) =
Z2 (s)
Z1 (s)
dove:
Z1 = R
R1 /
R1
=
Z2 (s) =
1 + R1 Cs
s + 1/
con
= R1 C
Si ha quindi:
R1 1/
Z2 (s)
=
Z1 (s)
R s + 1/
Se il segnale applicato in ingresso è un gradino di tensione:
G(s) =
vin (s) =
avremo:
vout (s) =
1
s
1
1
1 R1
= K
s R s + 1/
s(s + 1/ )
dove si è posto:
R1
=
R
con = R1 /R. La frazione che moltiplica K può essere espressa come:

K =
s s + 1/
per cui:

vout (s) =
1
1
s s + 1/
R1
=
R
1
1
s s + 1/

vout (t) =
R1
(1 et/ )
R
con: = R1 C. Sviluppiamo lesponenziale in parentesi in serie di Taylor, ottenendo:

t2
t2
R1
R1 t
t
2 + ...
(12.17)
vout (t) =
1 1 + 2 ... =
R
2
R
2
311
Se t il termine quadratico e quelli di ordine superiore in parentesi diventano

trascurabili rispetto a quello lineare, ed otteniamo un integratore ideale:
vout (t) =
R1
t
R
i
R1
i(s)
Z2(s)
i
v
i
Z1(s)
in
v (s)
out
v (s)
in
out
(a)
(b)
Figura 12.15: (a) Circuito integratore realizzato inserendo una resistenza di feedback per
evitare la saturazione; (b) lo stesso circuito integratore in cui sono indicati i simboli per le
impedenze Z1 e Z2 utilizzati per i calcoli nel testo.
Notiamo che il circuito di gura 12.13 si comportava da integratore per segnali di

qualsivoglia frequenza, come segue dalla 12.16. Possiamo vedere che lintroduzione
della resistenza R1 in parallelo al condensatore C, introduce un taglio inferiore sulla
frequenza. In altre parole, il circuito diviene un passa-basso con una frequenza di
taglio 0 = 1/2R1 C. Esso si comporterà da integratore solo per frequenze 0 .
Possiamo vedere ciò in due modi diversi. Un primo modo fà uso dellespressione 12.17. Infatti, dire che possiamo trascurare il termine t2 /2 2 , tradotto nel
dominio delle frequenze, con la corrispondenza:
t
1
0
equivale ad ammettere che sia:

2
1

2
02
ovvero:
0

2
con:
0 =
1
2R1 C
312
Notiamo che il caso in cui R1 è assente (gura 12.13) corrisponde a porre R1 =

e quindi 0 = 0. Il circuito si comporta allora da integratore a tutte le frequenze.
Un modo alternativo di arrivare al medesimo risultato è quello di analizzare il
circuito di gura 12.15 facendo uso del metodo simbolico. Il guadagno, per una
frequenza angolare è ora:
Z2 ()
G() =
Z1 ()
con:
Z1 () = R
Z2 () =
R1
R1 (1 jR1 C)
=
1 + jR1 C
1 + 2 R12 C 2
da cui:
G() =
R1 1 jR1 C
R 1 + 2 R12 C 2
(12.18)
Il circuito si comporta da integratore se G() è puramente immaginario, con che

avremo che un segnale di tipo cos(t) applicato in ingresso darà luogo ad un segnale
di tipo sin(t) in uscita. Nel nostro caso ciò richiede che sia:
R1 C 1
ovvero:
1
R1 C
1

= 0
2R1 C
Notiamo che ora la 12.18 diviene:

G() =
R1 1
R1 j
=j
R R1 C
R
Abbiamo cos` un integratore caratterizzato da un fattore moltiplicativo:

K=
R1 1
R
che dipende dal rapporto delle resistenze R1 ed R e decresce inoltre con la frequenza,
ad un rate di 6 dB/ottava.
12.3.6
Derivatore realizzato tramite un operazionale
Il circuito passa-alto mostrato in gura 12.16 si comporta approssimativamente da

derivatore.
Possiamo vericarlo facilmente. La corrente che carica il condensatore C è:
i =
dq
dv
= C
dt
dt
dove v è la dierenza di potenziale ai capi del condensatore, data da: v = vi vo .

Si ha quindi:
d
vo
i = C (vi vo ) =
(12.19)
dt
R
313
Figura 12.16: Circuito derivatore realizzato con elementi passivi.

come è immediato vericare.
Da questa si ottiene poi:
vo = RC
dvo
dvi
RC
dt
dt
se ora il secondo dei due termini a secondo membro fosse trascurabile rispetto al
primo, avremmo un derivatore ideale:
vo = RC
dvi
dt
(12.20)
Tuttavia, in un normale circuito passa-alto, il termine dvo /dt non è necessariamente

trascurabile, e quindi esso non sarà un derivatore ideale.
Possiamo vedere ciò facendo uso delle trasformate di Laplace. Un derivatore
ideale deve dare un segnale in uscita proporzionale alla derivata di quello in ingresso:
vo = K
dvi
dt
Prendendo la trasformata di Laplace di entrambi i membri:

vi
vo = Ks
(12.21)
Per il circuito passa-alto di gura 12.16, otteniamo:

vo = vi
R
s
= vi
R + 1/sC
s + 1/
con = RC. Perchè questa acquisti la forma della (12.21) occorre che 1/ sia molto
maggiore di s. Ciò richiede che sia molto piccolo. Un modo per realizzare tale
scopo è quello di usare un operazionale, come mostrato nella gura 12.17.
La risposta di questo circuito, che è caratterizzato, analogamente allintegratore,
da una reazione negativa dovuta alla presenza di una resistenza tra uscita ed ingresso
invertente, è calcolabile in modo facile, ricordando la condizione v = v+ = 0
ed il fatto che la corrente che attraversa la capacità C deve uguagliare quella che
attraversa la resistenza R:
vo
dvi
=
i = C
dt
R
314
C
V
V0
V
Figura 12.17: Derivatore realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi passivi.

da cui si ottiene:
vo = RC
dvi
dt
Cioè abbiamo un derivatore ideale (o quasi).

Per comprendere il motivo per cui adesso il circuito si comporta da derivatore,
possiamo far uso del teorema di Miller, ottenendo il circuito equivalente mostrato
in gura 12.18, dove è R = R/(1 + Av ) ed R = RAv /(1 + Av ).
2
R'
R"
Figura 12.18: Circuito equivalente al circuito derivatore di gura 12.17.

Dal circuito equivalente vediamo che ora la maglia dingresso, del tutto simile
a quella di gura 12.17, è caratterizzata da una costante di tempo R C, con R =
R/(1+Av ), cioè una costante di tempo molto piccola, che è giusto quella che occorre
per ottenere un derivatore ideale.
Possiamo comprendere intuitivamente ciò che ora accade, riandando allequazione
(12.19). Dallanalisi del nuovo circuito vediamo che il termine nellespressione della
corrente, che prima era:
d
C (vi vo )
dt
315
ora è semplicemente:
dvi
dt
poichè loperazionale mantiene ssa a zero la tensione sullarmatura destra del condensatore. Di conseguenza questo viene ora caricato da una dierenza di potenziale
che è giusto vi .
Il circuito di gura 12.17 si comporta da derivatore a tutte le frequenze. Se il
segnale applicato è del tipo:
vi = v sin t
C
luscita sarà:
v0 = RCv cos t
Lampiezza del segnale in uscita cresce quindi linearmente allaumentare della frequenza angolare . Potrà quindi accadere che ad alte frequenze loperazionale saturi. Ciò è in ultima analisi legato al fatto che il guadagno del generico amplicatore
invertente, come quello di gura 12.15(b), è dato da:
G(s) =
Z2 (s)
Z1 (s)
dove, per un segnale sinusoidale applicato in ingresso dovremo porre: s = j.

Nel caso specico del circuito di gura 12.17 avremo:
Z1 () =
1
jC
Z2 () = R
e quindi:
|G()| = |RC|
che diverge per grandi valori di .
Per ovviare a questo problema si può porre una resistenza in serie al condensatore, come mostrato in gura 12.19.
Il guadagno diviene ora:
G() =
Z2 ()
R
jRC
=
1 =
Z1 ()
1 + jR1 C
R1 + jC
da cui:
RC
R
R
R1 C
|G()| =
=
=
2
R1
R1 1 + 2 2
1 + (R1 C)
1 + (R1 C)2
che, per tende a:
R
R1
cioè ad un valore nito. Vediamo quindi che il guadagno tende a R/R1 per ,
` quindi un passa alto,
mentre tende a zero, ad un rate di 6 dB/ottava, per 0. E
la cui frequenza di taglio è:
|G()|
0 =
1
1
=
2
2R1 C
316
Vi
R1
V0
V
C
Figura 12.19: Derivatore con amplicatore operazionale dove si è utilizzato la resistenza R1

per limitare il guadagno ad alta frequenza.
Al medesimo risultato si potrebbe arrivare, lavorando nel dominio temporale

anzichè in quello delle frequenze, trasformando il circuito di gura con luso del
teorema di Miller ed immaginando di applicare in ingresso un segnale linearmente
crescente nel tempo: vi = t, la cui trasformata di Laplace è:
vi =
12.3.7
s2
Amplicatore di carica
I segnali generati da un gran numero di dispositivi elettronici (cellule fotoelettriche,

rivelatori di particelle nucleari/subnucleari a semiconduttore, fotomoltiplicatori, diodi etc.) consistono in impulsi di corrente di breve durata. Se indichiamo con i la
corrente media e con dt la sua durata, limpulso di corrente accumula una piccola
carica dQ = i dt sulla capacità dingresso del circuito adoperato per amplicarlo
(ed eventualmente trasformarlo in uno di tensione). La capacità in questione può
consistere della capacità dingresso di uno stadio a transistor e/o di eventuali altre
capacità inserite nel circuito amplicatore nonchè delle capacità associate ai cavetti
di collegamento.
opportuno amplicare il segnale di carica dQ in modo tale che il segnale di
E
tensione (o corrente) in uscita non risulti dipendente da tale capacità, che potrebbe
variare in diverse applicazioni del dispositivo.
Un sistema in grado di fornire un segnale di tensione in uscita, indipendente
dalla capacità eettiva presente in ingresso, è quello basato sullo schema mostrato
in gura 12.20(a).

Cin è la capacità eettiva in ingresso, su cui viene accumulata la carica dQ =
i dt = Q in un piccolo intervallo di tempo t. Per ottenere la relazione tra la
carica Q in ingresso e la tensione vo in uscita, facciamo uso del teorema di Miller,
ottenendo lo schema di gura 12.20(b).
La capacità dingresso in tale schema è:
C = Cin + Cf (1 + A) Cf (1 + A)
Cf
i
C in
317
v-
Cin
v0
v 0=-Av- Cf A/(1+A)
Cf (1+A)
(b)
(a)
Figura 12.20: (a) Amplicatore di carica e (b) circuito equivalente allamplicatore di carica
mostrato in (a).
dove A è il guadagno delloperazionale. Si ha quindi:

v =
Q
Cf (1 + A)
per cui:
vo = A v =
AQ
Q

Cf (1 + A)
Cf
In un normale operazionale senza capacità di feedback avremmo avuto:

vin =
Q
Cin
e quindi:
Q
Cin
Vediamo che il guadagno sarebbe quindi stato maggiore, di un fattore A. Paghiamo quindi il prezzo di una notevole diminuzione del guadagno, ma otteniamo il
vantaggio di una indipendenza della risposta dalla capacità Cin .
Perchè il condensatore possa scaricarsi dopo larrivo di un impulso di corrente, in
attesa del successivo, è opportuno (come nel caso dellintegratore) porre in parallelo
a Cf una resistenza Rf . Il circuito diventa allora quello di gura 12.21(a).
Utilizzando nuovamente il teorema di Miller, otteniamo il circuito equivalente
mostrato in gura 12.21(b) dove:
vout = A
Z =
Rf
1 + sf
e:
f = Rf Cf
Trascurando Cin ed ammettendo che il segnale in ingresso sia schematizzabile con
un gradino di corrente:
i = i0
s
318

Rf
Cf
i
Cin
i
vv0
Cin
- ZA/(1+A)
Z/(1+A)
(a)
v0 = - Av-
(b)
Figura 12.21: Amplicatore di carica con resistenza di feedback Rf (a) e circuito equivalente
(b).
avremo:
Aio Rf
Z i0
=
=
1+A s
(1 + A)s(1 + sf )
i0 Rf
1
i0 Rf
=
=
s(1 + sf )
s(s + 1/f )
v = A
vo = A
che è uguale a:

vo = i0 Rf
Da questa si ottiene poi:
1
1
s s + 1/f
v0 = i0 Rf (1 et/f )
con f = Rf Cf
12.3.8
Tensione di riferimento
Si supponga di aver bisogno di un generatore che eroghi corrente, ad una tensione

costante, rigorosamente determinata. Se si adopera una batteria di precisione, che
fornisce una tensione ssa, una volta che questa sia collegata ad un carico, potrà
non avere pi`
u la medesima tensione. Il circuito di gura 12.22, che adopera un
operazionale, risolve il problema.
Se VR è la tensione di riferimento fornita dalla batteria, il principio della massa
virtuale ed il fatto che loperazionale non assorbe corrente, ci danno:
vo
VR vo
=
R2
R1 + R2
da cui segue:

R2
vo = VR 1 +
R1
Notiamo che in questo circuito la batteria non eroga alcuna corrente, che è invece
fornita dalloperazionale.
Un circuito equivalente è quello di gura 12.23, per il quale valgono le medesime
relazioni.
319
R2
R1
i
VR
V0
Figura 12.22: Generatore di tensione di riferimento.
R1
R2
V0
VR
Figura 12.23: Congurazione alternativa per una generatore di tensione utilizzabile anche
come convertitore tensione-corrente.
12.3.9
Convertitori corrente-tensione e tensione-corrente
Un circuito che fornisce un segnale in tensione a partire da uno in corrente è quello

di gura 12.24.
Il funzionamento di questo circuito si può facilmente comprendere facendo uso del
principio della massa virtuale. Infatti, essendo il terminale invertente eettivamente
a massa, nessuna corrente uisce nella resistenza R. Tutta la corrente erogata dal
generatore uisce in R1 . Si ha quindi:
vo = R1 I
Esaminiamo ora alcuni convertitori tensione-corrente. Il primo esempio è quello
già esaminato nella sezione precedente e mostrato nella gura 12.23.
Vediamo che la corrente I in R2 è uguale a quella in R1 che vale:
I =
vin
R1
Questa corrente non dipende dal carico R2 , ma solo da vin e da R1 .
320
R1
I
V0
R
Figura 12.24: Convertitore corrente-tensione

Il circuito appena esaminato ha linconveniente che il carico R2 non ha alcuna
delle estremità direttamente collegata a massa, il che è insoddisfacente in molte
applicazioni. Un convertitore tensione-corrente in cui uno dei terminali del carico è
a massa è quello di gura 12.25.
VCC
R
V'
R1
Vi
R2
RL
Figura 12.25: Convertitore tensione-corrente con carico a massa.

Notiamo che la tensione al terminale non invertente, determinata da Vcc e dal
partitore R1 R2 , vale:
R2
V+ = Vcc
R1 + R2
e questa è, per il principio del corto-circuito virtuale allingresso delloperazionale,
uguale a V e quindi alla tensione dellemettitore del transistor (di tipo pnp). Il motivo per cui possiamo anche in questo caso utilizzare il principio del corto-circuito
321
virtuale, deriva dal fatto che luscita delloperazionale è separata dallingresso invertente solo dal VBE del transistor. Abbiamo quindi anche in questo caso una reazione
negativa. Che poi il transistor sia in conduzione può esser facilmente compreso. Se
infatti immaginiamo di partire da una situazione in cui esso sia interdetto, avremo
che la tensione V (uguale a V ) sarà uguale a Vcc mentre la tensione del terminale non invertente è sicuramente minore di Vcc . La tensione V alluscita dellA.O.
tenderà quindi ad andare a valori molto bassi, il che polarizzerà direttamente la
giunzione (B-E) del transistor. Una volta che ciò sia avvenuto, questo comincerà a
condurre ed innescherà la reazione negativa tra luscita delloperazionale, a tensione
V = V VBE e lingresso invertente. In denitiva vediamo che in condizioni di
funzionamento normale è:
V = V = V+ = Vcc
R2
R1 + R2
e quindi la corrente in RL , uguale alla corrente nel transistor, cioè alla corrente nella
resistenza R, sarà:
Vcc V
I =
R
Questa corrente non dipende dal carico RL .
Unalternativa, che fa uso di un transistor di tipo npn, è quella di gura 12.26.
VCC
V
V in
V'
R2
R1
RL
Figura 12.26: Ulteriore esempio di convertitore tensione-corrente con carico a massa.

Anche ora vediamo che se vin > V , la tensione V alluscita delloperazionale
tenderà a salire, ma ciò manderà in conduzione il transistor, con VBE 0.6V ,
quindi salirà anche la tensione V . Avremo ancora una volta una reazione negativa,
con:
R2
vin = V = V
R1 + R2
322
e quindi la corrente I nel carico RL :

I = V /RL = vin
R1 + R2
R2 RL
Un esempio di convertitore tensione-corrente che non fa uso di transistor è inne

quello di gura 12.27.
R1
R2
V in
V1
R4
V2
R3
IL
RL
Figura 12.27: Convertitore tensione-corrente senza luso di transistor

La reazione negativa fa si che sia V = V+ . Inoltre le correnti in R1 ed R2 sono
uguali, per cui si ha:
vin V
V V1
=
R1
R2
da cui si ottiene:
R1 + R2
R2
V1 = V
vin
(12.22)
R1
R1
Daltronde, la corrente nel carico è:
IL =
e la corrente in R4
I4 =
V+
V
=
RL
RL
V1 V
V
=
R4
R
dove R è il parallelo di R3 ed RL , per cui:

V R3 + RL
V (R3 + RL )
IL (R3 + RL )
=
=
I4 =
R3 RL
RL
R3
R3
12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali
323
Dalle ultime due equazioni si ottiene una relazione tra IL e V1 :

V1
R3
R3
= V
+ IL (R3 + RL )
R4
R4
Facendo ora uso della (12.22) otteniamo:

R2 R3
R2 R3
R3
vin
= V
+ IL (R3 + RL )
V 1 +
R1 R4
R1 R4
R4
Scegliamo ora i valori delle resistenze in modo che sia:
R4
R2
=
R1
R3
(12.23)
lultima relazione diviene quindi:

V vin = IL (R3 + RL )
dove V = RL IL . Si ottiene inne:
IL =
vin
R3
Quindi la corrente nel carico dipende solo da vin e dalla resistenza R3 . Linteresse di
questo circuito, noto nella letteratura come Howland current source è solo teorico,
poichè esso richiederebbe un perfetto bilanciamento delle resistenze R1 , R2 , R3 , R4 ,
espresso dallequazione (12.23). Nella pratica si fa uso dei circuiti con il transistor
alluscita delloperazionale, che abbiamo già discusso.
12.4
Applicazioni non-lineari degli amplicatori

operazionali
Se in un amplicatore operazionale uno degli ingressi (ad esempio quello invertente)

è collegato a massa ed un segnale è applicato allaltro, luscita si porterà a valori
prossimi a +Vcc se il segnale applicato è positivo , a Vcc se esso è negativo.
Un amplicatore operazionale può cioè funzionare da comparatore, eettuando
un confronto tra il segnale applicato allingresso invertente e quello applicato a
quello non invertente (la massa nel nostro esempio). Si dice anche che un A.O.
cos` adoperato funziona come un convertitore analogico-digitale ad 1 bit. Il bit, cioè
luscita, è 1 se luscita è +Vcc e 0 se luscita è Vcc . In un tipico A.O., la transizione
tra i due livelli delluscita non è netta, ma avviene con continuità mentre lingresso
dierenziale passa per lo zero, come mostrato in gura 12.28. Valori tipici del range
di vi in cui avviene la transizione sono alcuni mV. Esistono degli A.O. progettati
appositamente per essere adoperati come comparatori. Questi sono in genere molto
veloci ed il range di valori della dierenza di potenziale vi in cui avviene la transizione
è molto piccolo (V invece di mV).
Ci occuperemo in questa sezione e nelle seguenti di quelle applicazioni in cui
lA.O. funziona appunto come comparatore, con leventuale presenza di una reazione
positiva tra uscita ed ingresso. Dispositivi di questo tipo sono utilizzati come comparatori con isteresi (trigger di Schmitt) o come multivibratori (per generare onde
quadre, triangolari, etc.).
324
Vo
Vcc
Vi
Figura 12.28: Graco della tensione alluscita di un amplicatore operazionale in funzione

della tensione dierenziale applicata tra i due ingressi (funzione di trasferimento dellamplicatore
operazionale).
12.4.1
Comparatore con isteresi
Il circuito di gura 12.29, costituisce un comparatore con isteresi o trigger di Schmitt.
Vi
V0
R2
R1
V
Figura 12.29: Comparatore con isteresi (trigger di Schmitt).

Indichiamo con VOH il livello alto delluscita (quello che si ha per V+ > V ) e
con VOL il livello basso (questi valore saranno vicino a +Vcc e Vcc rispettivamente).
Ammettendo che luscita sia alta avremo, per il principio di sovrapposizione:
V+ =
R1
R2
VOH +
V VRH
R1 + R2
R1 + R2
325
Questo sarà lo stato del circuito se vi < VRH . Se ora vi comincia a salire, luscita
del circuito si porterà al suo livello inferiore VOL quando vi supererà VRH . Se vi
continua a salire, vo manterrà il valore raggiunto VOL In questa nuova situazione V+
varrà:
R1
R2
VOL +
V VRL
V+ =
R1 + R2
R1 + R2
Se ora vi ricomincia a scendere, luscita del circuito si porterà al suo livello
superiore solo quando sia: vi < VRL . Vediamo quindi che la transizione VOH
VOL avviene ad un valore della tensione di riferimento pi`
u elevata che non quella
corrispondente alla transizione opposta. Ciò è mostrato in gura 12.30. Vediamo
che, partendo da una situazione in cui vi è minore di VRL e quindi luscita è alta (vo =
VOH ), aumentando vi , luscita rimane alta, no a che lingresso non abbia superato
VRH . A questo punto luscita è bassa (vo = VOL ) e rimane bassa allaumentare di
vi . Se torniamo indietro, facendo diminuire vi , luscita rimane bassa no a che vi
non abbia raggiunto il valore VRL . Il punto rappresentativo dello stato del sistema
nel piano vi vo descrive il perimetro del rettangolo mostrato in gura, nel verso
indicato dalle frecce. Il rettangolo in questione rappresenta il ciclo disteresi del
circuito.
Se quindi allingresso del circuito viene applicato un segnale variabile nel tempo,
luscita si porterà ad un valore basso se lingresso supera la soglia alta VRH , mentre
la transizione opposta potrà aver luogo solo se il segnale applicato scende al di sotto
della soglia bassa VRL . Un esempio è quello mostrato in gura 12.31.
V
OH
RL
RH
OL
Figura 12.30: Ciclo disteresi per il trigger di Schmitt. Nel graco è mostrato il valore assunto
dalla tensione in uscita al variare della tensione Vi applicata allingresso invertente del circuito di
gura 12.29.
In questo esempio, i valori delle resistenze sono R1 = 10k ed R2 = 5k mentre

V=0 e loperazionale è alimentato a 15V . La tensione in ingresso è una sinusoide
di frequenza 60 Hz ed ampiezza 10 V . Con tale scelta dei parametri e tenendo
conto del fatto che loperazionale adoperato satura a 12 V , si ha:
VRH = 8 V
VRL = 8 V
326

p
18.
output
input
12.
6.
0.
Volt
-6.
-12.
0.
8.
16.
24.
32.
40.
t (millisecondi)
Figura 12.31: Risposta del trigger di Schmitt ad unonda sinusoidale di frequenza 60 Hz ed

ampiezza 10 V . Loperazionale è alimentato a 15 V .
Luscita è unonda rettangolare di periodo uguale a quello della sinusoide.

Listeresi è denita dalla dierenza VRH VRL . Essa vale quindi:
VRH VRL =
R1
(VOH VOL )
R1 + R2
Il circuito può esser modicato in modo tale che i due livelli della tensione duscita
` suciente aggiungere al nodo duscita
siano diversi dalle tensioni dalimentazione. E
due diodi Zener contrapposti aventi tensioni Zener tali che sia |VZ + VD | < |VOH | e
|VZ + VD | < |VOL |, come mostrato in gura 12.32.
I livelli di tensione in uscita sono ora:
VOL = (VZ + VD )
VOH = +(VZ + VD )
12.4.2
Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari)
Il dispositivo mostrato in gura 12.33 può essere adoperato per generare onde rettangolari. Esso è essenzialmente un trigger di Schmitt comandato da un integratore.
Le tensioni di riferimento del comparatore sono:
VRH = VOH
R1
(>0)
R1 + R2
VRL = VOL
R1
(<0)
R1 + R2
327
R
Vi
V0
R3
D2
R1
R2
D1
VR
Figura 12.32: Modica del circuito del trigger di Schmitt in cui la tensione in uscita è denita
utilizzando due diodi Zener.
VV0
C
R2
R1
Figura 12.33: Generatore di onde rettangolari che fa uso di un trigger di Schmitt comandato
da un integratore.
Luscita sarà alta ntanto che V non abbia raggiunto il valore VRH . In tale
istante (con V = VRH > 0) luscita passa al valore basso VOL (negativo). Ora il
condensatore comincerà a caricarsi, con costante di tempo = RC verso il valore
asintotico VOL . Se prendiamo come istante zero quello in cui luscita è passata al
valore basso VOL , landamento di VC = V sarà:
V = (VRH VOL ) et/ + VOL
Unulteriore commutazione delluscita verso il valore alto avrà luogo quando V =
328
VRL , cioè, usando lultima equazione scritta, quando:

VRL VOL = (VRH VOL )et/
cioè:
VRL VOL
= et/
VRH VOL
VRH VOL
VRL VOL
In tale istante avremo V = VRL e vo = VOH . Ora il condensatore comincerà
nuovamente a caricarsi verso il valore asintotico VOH , con costante di tempo .
Avremo ora:
V = VOH + (VRL VOH )et/
T1 t = ln
La commutazione delluscita verso il valore basso VOL avverrà per V = VRH . Il

nuovo intervallo di tempo T2 sarà ora ottenibile dallequazione:
VRH = VOH + (VRL VOH )eT2 /
Si ottiene:
VRL VOH
VRH VOH
Se vogliamo che il segnale in uscita sia unonda quadra, cioè che sia T1 = T2 , deve
essere:
VRL VOH
VRH VOL
=
VRL VOL
VRH VOH
che è soddisfatta solo se è:
VOL = VOH
T2 = ln
con che è anche:

VRL = VRH
Il periodo dellonda quadra varrà ora:
T = T1 + T2 = 2 ln
VRL VOH
VRH + VOH
= 2 ln
VRH VOH
VOH VRH
dove è:
VRH = VOH
R1
R1 + R2
per cui si ha inne:

R1
)
R2
La gura 12.34 mostra landamento temporale del segnale alluscita dellA.O. e di
quello allingresso invertente, per un tipico circuito di questo tipo.
Il generatore di onde quadre appena discusso ha unampiezza che dipende dalla
tensione dalimentazione delloperazionale. Se si vuole unampiezza di tensione in
uscita ssata ad un valore diverso (minore), è suciente porre in uscita due diodi
Zener contrapposti, come indicato in gura 12.35.
T = 2 ln(1 + 2

12.0
V_
Volts
329
Vout
8.0
4.0
0.0
-4.0
-8.0
-12.0 0.0
t (s)
40.0
80.0
120.0
160.0
200.0
Figura 12.34: Andamento temporale delle tensioni alluscita (Vout ) ed allingresso invertente
delloperazionale (V ) del circuito mostrato in gura 12.33.
VV0
R3
C
R2
VZ
R1
Figura 12.35: Generatore di onde quadre in cui si utilizzano due diodi Zener contrapposti per
rendere lampiezza dellonda quadra indipendente dalla tensione di alimentazione dellamplicatore
operazionale.
Si può vedere che in tal caso il periodo vale:

R1
T = 2 ln 1 + 2
R2
330
come nel caso precedente. Il periodo è cioè indipendente dallampiezza.

Se poi si vuol modicare il circuito in modo che sia T1 = T2 , è suciente fare in
modo che la costante di tempo relativa alla salita del segnale sia diversa da quella
relativa alla discesa. Ciò può esser ottenuto sostituendo la resistenza R con il circuito
R
D1
R'
D2
Figura 12.36: Circuito di feedback da collegare al circuito di gura 12.33 in sostituzione alla
resistenza R per generare onde rettangolari.
Si vede che quando luscita è negativa, D1 è interdetto e D2 conduce. La relativa
costante di tempo ora è RC ed il relativo semiperiodo è:

R1

T1 = R C ln 1 + 2
R2
Quando luscita è positiva, D1 conduce mentre D2 è interdetto. La costante di
tempo ora è RC ed il relativo periodo è:

R1
T2 = RC ln 1 + 2
R2
12.4.3
Multivibratore monostabile
Il multivibratore astabile discusso in precedenza può esser trasformato in uno monostabile se si impedisce al condensatore di caricarsi al valore VRH . Ciò può essere ottenuto semplicemente ponendo un diodo in parallelo al condensatore, come mostrato
in gura 12.37.
Ora la tensione Vc ai capi del condensatore è bloccata al valore V della tensione
del diodo in conduzione. Di conseguenza non può pi`
u aversi la commutazione della
tensione in uscita dal livello superiore VOH a quello inferiore VOL . Lo stato stabile del
sistema è quindi quello in cui V+ > V e quindi VO = VOH > 0. La commutazione
allo stato VOL può aversi solo se si applica allingresso non invertente un segnale
negativo di ampiezza maggiore di VRH V . Ponendo t=0 nellistante in cui avviene
la commutazione, a partire da tale istante il condensatore, carico alla tensione V ,
dovrà scaricarsi con costante di tempo = RC al valore asintotico VOL . Cioè:
V = Vc = VOL + (V VOL ) et/
La commutazione VOL VOH avviene quando V = VRL , cioè:
VRL VOL
= eT /
V VOL
331
VD1
C1
V0
R2
D2
V in
R1
R3
Figura 12.37: Multivibratore monostabile.

da cui si può ricavare la durata T dellimpulso (negativo) di tensione alluscita
delloperazionale:
V VOL
T =
VRL VOL
dove:
VRL = VOL
R1
R1 + R2
da cui si ottiene inne per T:

R1
T ln 1 +
R2
La durata dellimpulso generato dipende quindi solo dalle resistenze e dalla costante
di tempo . Per eetto della commutazione la capacità C tenderà ora a caricarsi con
legge esponenziale verso la tensione VOH . Quando però Vc raggiunge il valore V ,
il diodo D1 entra in conduzione ed il sistema rimane nello stato stabile raggiunto,
no allarrivo di un nuovo impulso negativo. Ovviamente, la forma dellimpulso Vin
è irrilevante, purchè la sua ampiezza sia suciente a dar origine alla transizione.
Anche in questo caso lescursione del segnale in uscita può esser limitata, inserendo
due diodi Zener contrapposti, come già visto nel caso dellastabile.
12.4.4
Generatore di onde triangolari
Se si esamina il generatore di onde quadre visto in precedenza, si nota (vedi g 12.34)

che la tensione al terminale invertente aumenta e poi diminuisce con legge esponenziale, con una costante di tempo = RC. Ciò è legato al fatto che la corrente
che carica il condensatore non è costante, essendo limitata dal simultaneo aumento
332
i
V
Figura 12.38: Serie di resistenza e condensatore, i simboli indicati sono utilizzati per i calcoli
simbolici descritti nel testo.
della dierenza di potenziale tra i terminali del condensatore e conseguente caduta
di potenziale ai capi della resistenza R.
Con riferimento alla gura 12.38, abbiamo:
Ri = VR
dove con VR abbiamo indicato la dierenza di potenziale ai capi di R.
Segue:
VR
(V VC )
=
R
R
Inoltre è:

i dt
VC =
C
ne segue che, con VR = V VC , i diminuisce allaumentare di VC . Se volessimo un
VC che aumenta linearmente con il tempo, dovremmo alimentare C con una corrente
costante2 :
i =
i
dt
C
Questa situazione può essere approssimata ragionevolmente bene da un integratore RC realizzato con un operazionale, il quale fornisce al condensatore una corrente
approssimativamente costante. Il circuito è quello di gura 12.39.
Ammettiamo che la tensione vo alluscita del comparatore sia al suo limite inferiore: vo = (VZ + V ). Ora sullingresso invertente dellintegratore abbiamo un
segnale negativo. Luscita V(t) sarà una rampa crescente e la tensione al terminale
non invertente del comparatore sarà:
VC =
V1 = vo
R1
R2
+ V (t)
R1 + R2
R1 + R2
Quando V1 raggiunge la tensione di riferimento VR , il comparatore cambia stato:

vo = +(VZ + V ) e V(t) comincia a decrescere linearmente (vedi gura 12.40).
2
Notiamo che ciò implica che V non possa pi`

u esser costante, poichè avremmo: V = VC + VR =
(R + Ct )i con i costante. Ci`
o implicherebbe una dierenza di potenziale crescente linearmente nel
tempo.
Integratore
C
Comparatore
VR
333
V0
R3
R1
V(t)
D2
Vs
R2
D1
Figura 12.39: Generatore di un segnale triangolare (dente di sega), luscita del circuito è
indicata con V(t).
V(t)
Vmax
Vmin
T1
T2
Figura 12.40: Andamento temporale della tensione alluscita del circuito di gura 12.39.
Il massimo della funzione donda triangolare si ha quando V1 = VR , cioè:
VR = vo
R2
R1
+ Vmax
R1 + R2
R1 + R2
da cui:
Vmax = VR
R1 + R2
R2
+ vo
R1
R1
334
Analogamente:
Vmin = VR
R1 + R2
R2
vo
R1
R1
Ed inne:
Vmax Vmin = 2vo
R2
R1
e:
R1 + R2
R1
Per VR = 0 la funzione è simmetrica in ampiezza: Vmax = Vmin . Quindi il valor
medio è controllabile variando VR e lampiezza variando il rapporto R2 /R1 .
Calcoliamo ora i periodi T1 e T2 indicati in gura 12.40 ammettendo che sia
Vs = 0. Possiamo calcolare T1 dalla relazione:
V = Vmedio = VR
T1 = (Vmax Vmin )/tan

dove tan = dV /dt è il rate di salita del segnale in uscita, indicheremo anche con
il rate di discesa del segnale. Questo è dV /dt = I/C = vo /RC. Quindi:
T1 =
Vmax Vmin
2vo R2 /R1
R2
=
= 2 RC
vo /RC
vo /RC
R1
Notiamo che poichè il rate di discesa del segnale è uguale a quello di salita (nel caso
considerato in cui Vs = 0) avremo T1 = T2 . Ne segue:
T = T1 + T2 = 4
R2
RC
R1
R1 1
1
=
T
R2 4RC
Notiamo che la frequenza del segnale in uscita è indipendente da vo .
Se si desiderano tempi di salita e discesa diversi si puo sostituire la resistenza R di
gura 12.39 con la rete di gura 12.36. Un metodo alternativo consiste nellapplicare
un valore di Vs = 0 al terminale non invertente del secondo operazionale del circuito
di gura 12.39. In questo caso il rate di variazione della salita del segnale diventa
pari a (vo + Vs )/RC mentre quello della discesa è (vo Vs )/RC. Quindi si ha:
f =
T1
vo Vs
=
T2
vo + Vs
(12.24)
Si noti che un valore di Vs = 0 non modica lampiezza del segnale dellonda

triangolare.
12.4.5
Limitatori e retticatori
Un A.O. può esser utilizzato, per realizzare un limitatore. Un esempio è quello

Se il diodo è interdetto il circuito si comporta come un normale amplicatore
invertente e la tensione in uscita sarà data da:
vo =
R2
vi
R1
335
R2
D
R1
Vi
V0
Figura 12.41: Limitatore di tensione.

Il diodo comincerà a condurre se la dierenza di potenziale ai suoi capi supera V .
Ciò accade quando la tensione in ingresso vi soddisfa la condizione:
vo
V
vi
=
=
R1
R2
R2
Cioè:
vi =
R1
V
R2
In altri termini, il diodo potrà condurre se:

vi
R1
V
R2
In tali condizioni la tensione in uscita sarà uguale a quella presente sul terminale
invertente (0 V) diminuita del V del diodo:
vo = V
In denitiva avremo in uscita un segnale di tensione pari a V se vi (R1 /R2 )V
ed uguale a vi R2 /R1 se tale condizione non è soddisfatta.
In gura 12.42 si può vedere il segnale in uscita da un tale circuito (con R1 = R2 )
nel caso in cui il segnale in ingresso sia una sinusoide.
Se si vuol limitare ad un livello diverso dal V del diodo, si può sostituire questo
con la serie di un diodo ed uno Zener, come mostrato in gura 12.43
Ora la corrente nel ramo contenente i diodi può circolare solo nel verso del diodo
D, se la dierenza di potenziale ai capi del ramo in questione supera il valore VZ +V ,
cioè quando la tensione in uscita vo è pari a (VZ + V ). Ciò accade quando è:
VZ + V
vi
=
R1
R2
336
12.
Volts
Input
Output
8.
4.
0.
-4.
t (ms)
-8. 0.
0.40
0.80
1.20
Figura 12.42: Andamento della tensione alluscita (linea tratteggiata) del circuito di
gura 12.41, con R1 = R2 , per una tensione applicata allingresso sinusoidale (linea tratteggiata).
R2
D
D1
R1
V0
Vi
Figura 12.43: Ulteriore esempio di limitatore di tensione con soglia in tensione pari a (VZ +
V ).
Se quindi vi è negativo e maggiore in modulo del valore:

(VZ + V )R1
R2
337
luscita è bloccata a (VZ + V ). Se vi è invece maggiore di
(VZ + V )R1
R2
(12.25)
il ramo contenente i diodi sarà interdetto ed il circuito si comporterà come un

normale amplicatore invertente, con uscita data da:
vo =
R2
vi
R1
La funzione di trasferimento di tale circuito è mostrata in gura 12.44, dove abbiamo indicato con V g il V del diodo e con Vmin la tensione di soglia data dallequazione (12.25).
Vo
Vz + Vg
Vmin
Vi
Figura 12.44: Funzione di trasferimento del circuito di gura 12.43.

Un limitatore a due livelli diversi è ottenibile sostituendo nellultimo circuito
al diodo D un secondo Zener, con polarità opposta a quella del primo. Il relativo
circuito, il cui funzionamento è analogo ai precedenti, è mostrato in gura 12.45
12.4.6
Rivelatori di picco
In molte applicazioni è necessario conoscere e memorizzare il valore di picco che

un segnale di tensione ha raggiunto in un certo intervallo di tempo. Ciò può esser
ottenuto facendo si che il segnale di tensione in questione carichi una capacità durante lintervallo di tempo in cui il segnale di tensione continua a salire e sia invece
disconnesso dalla medesima capacità negli intervalli di tempo successivi, quando il
segnale di tensione diminuisce.
Un circuito che potrebbe realizzare tale funzione (per segnali dingresso positivi)
è quello di gura 12.46, costituito da un diodo ed una capacità.
Se il diodo è ideale, esso è polarizzato direttamente quando la dierenza tra la
tensione in ingresso vi e quella ai capi del condensatore vo rimane superiore al V
del diodo. Se vo ha raggiunto un certo valore Vmax ed ora vi comincia a diminuire, il
diodo viene ad esser polarizzato inversamente e la tensione duscita rimane bloccata
338
R2
D2
D1
R1
Vi
V0
Figura 12.45: Limitatore di tensione con due livelli di soglia.

D
Figura 12.46: Rivelatore di picco realizzato con elementi passivi.

al valore Vmax . Uno degli inconvenienti di questo circuito è costituito dal fatto che
la tensione in uscita non è uguale a quello in ingresso, ma dierisce da essa del V
del diodo, che oltretutto dipende dalla temperatura. Un circuito che ovvia a tale
inconveniente è quello di gura 12.47.
Questo è simile ad un limitatore per segnali positivi (senza la resistenza posta in
parallelo al diodo) e con un condensatore posto tra luscita dellA.O. e massa.
Esaminiamo il funzionamento di tale circuito. Se vi > V = vo = Vc , il segnale
presente al terminale non invertente è maggiore di quello presente al terminale invertente. In tali condizioni V tende a salire ed a portarsi eventualmente abbastanza
al di sopra di Vc da mandare il diodo in conduzione. Ora il circuito si comporterà
da inseguitore di tensione ed il condensatore si porterà allo stesso potenziale vi
dellingresso.
Quando vi scende al di sotto della tensione presente in uscita Vc , luscita dellA.O.
diventa negativa ed il diodo è interdetto. Vediamo cos` che il condensatore si carica
no a che la sua tensione non raggiunge il massimo tra tutti i valori del segnale
applicato in ingresso. Per resettare il circuito si dovrà far uso di un interruttore, ed
339
D
V0
V'
Vi
Figura 12.47: Rivelatore di picco realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi

passivi.
a tale scopo si può adoperare un interruttore a JFET o MOSFET posto ai capi del
condensatore, come mostrato in gura 12.48.
D
V'
Vi
V0
C
Figura 12.48: Rivelatore di picco resettabile attraverso linterruttore JFET o MOSFET.

La congurazione del rivelatore di picco appena discussa presenta alcuni inconvenienti. In primo luogo, se il segnale in ingresso è minore di quello ai capi del
condensatore, loperazionale satura al suo valore negativo. Inoltre, luscita del circuito dovrà essere accoppiata ad un eventuale carico (ad esempio, il sistema che
dovrà essere utilizzato per leggere il segnale in tensione presente ai capi del condensatore). Limpedenza nita di tale carico farà si che il condensatore si scarichi.
Entrambi gli inconvenienti possono essere risolti facendo uso del circuito mostrato
in gura 12.49.
Loperazionale presente in uscita è un inseguitore di tensione. Ora il condensatore
vede lelevata impedenza dingresso dellinseguitore (che alimenterà leventuale cari-
340
V'
V0
D
R
Vi
D1
Carico
Figura 12.49: Ulteriore esempio di rivelatore di picco, questo circuito permette di non saturare
il primo A.O e di avere una grossa impedenza in serie al condensatore.
co). La costante di tempo di scarica del condensatore diventa ora molto grande ed
il secondo dei problemi menzionati è in tal modo risolto.
Il diodo D1 inserito tra luscita delloperazionale e massa a sua volta impedisce
che la tensione duscita dellA.O. possa assumere valori negativi inferiori a V e
ciò risolve il primo dei problemi menzionati.
12.5
Limiti degli amplicatori operazionali
Abbiamo nora ammesso che lA.O. abbia le caratteristiche ideali descritte allinizio
del capitolo. In realtà un A.O. reale ha caratteristiche che dieriscono da quelle
ideali. Vogliamo ora esaminare alcuni di questi limiti e valutarne le conseguenze.
Pi`
u in particolare, occorre tener conto dei seguenti eetti:
amplicazione non innita;
banda passante nita;
correnti dingresso e dierenza tra le correnti dingresso;
impedenza dingresso nita;
tensione di oset in ingresso;
slew rate;
impedenza duscita non nulla.
Cominciamo ad esaminare le conseguenze dellamplicazione nita dellA.O., con
riferimento allamplicatore invertente di gura 12.50.
Se A non è innito, non possiamo pi`
u far uso del principio della massa virtuale.
Calcoliamo luscita continuando a considerare innita limpedenza dingresso, e quindi nulla la corrente che entra nel terminale invertente. Lintera corrente uisce cioè
12.5 Limiti degli amplicatori operazionali
341
i
R2
Vi
R1
V0
Figura 12.50: Amplicatore invertente.

nel ramo R1 R2 . Avremo quindi:
i =
vi V
V vo
=
R1
R2
da cui:
vi
= V
R1
1
1
+
R1 R2
con:
V =
per cui si ottiene:
vo
R2
vo
A

R2
1
vo =
vi
R1 1 + (R1 + R2 )/AR1
Ora teniamo conto del fatto che, se vo è la tensione in uscita, la frazione di questa
che il partitore R1 R2 riporta in ingresso è:
=
R1
R1 + R2
a si da il nome di fattore o coeciente di reazione. Lultima relazione si può

allora scrivere:

R2
1
vo =
vi
R1 1 + 1/A
Il guadagno con reazione nel caso concreto di un valore nito di A è quindi:

1
R2
Avf =
R1 1 + 1/A
che, nel caso di un A innitamente grande ci avrebbe dato il guadagno ideale:
Av =
R2
R1
342
Il rapporto tra guadagno reale e guadagno ideale è:

Avf
1
=
Av
1 + 1/A
(12.26)
Per un dato valore di A, il guadagno reale dierirà tanto pi`

u dal guadagno ideale
quanto maggiore è il guadagno ideale richiesto, determinato dalla scelta dei componenti R1 ed R2 . Ad esempio, se A=100,000 e chiediamo un guadagno (ideale), cioè
un rapporto R2 /R1 pari a 1000, avremo per il coeciente di reazione:
=
R1
1
=
= 0.001
R1 + R2
1 + R2 /R1
per cui: 1/(A) = 0.01 ed il rapporto dato dallequazione (12.26) sarà uguale a
1/1.01=0.99. Se avessimo chiesto un guadagno 10 volte maggiore, cioè un valore
2
pari a 10,000, sarebbe stato 10 volte pi`
u piccolo, cioè 0.0001, A
del rapporto R
R1
sarebbe stato pari a 10, ed il rapporto tra guadagno reale ed ideale sarebbe stato
pari a 1/1.1=0.91.
Vediamo in denitiva che leetto del guadagno nito dellA.O. è tanto maggiore
quanto pi`
u forte si fa la richiesta sul guadagno dellamplicatore invertente. Notiamo
per inciso che la richiesta di un guadagno elevato si traduce in un piccolo fattore di
reazione .
Una situazione analoga si riscontra nel caso dellamplicatore in congurazione
facile vericare, in modo analogo a quello seguito in precedenza,
non-invertente. E
che il guadagno in questione, nel caso di unamplicazione A nita, è dato da:

R2
1
Avf = 1 +
R1 1 + 1/A
mentre quello ideale sarebbe stato:
Av = 1 +
R2
R1
Il rapporto tra guadagno reale ed ideale è allora:

1
Avf
=
Av
1 + 1/A
Quindi anche in questo caso lamplicazione dierirà da quella ideale se è molto
minore di 1, cioè se si vuole un guadagno ideale molto grande. Il prodotto A
và sotto il nome di guadagno della catena o loop gain. Questo termine deriva dal
fatto che, se un segnale vi è applicato allingresso di un amplicatore di guadagno
A, il segnale presente in uscita è Avi e la catena di reazione riporta in ingresso una
frazione di questo, per cui A rappresenta appunto il guadagno complessivo della
catena costituita dallamplicatore pi`
u la rete di reazione. Il guadagno dellamplicatore reazionato sarà grande se il loop gain è piccolo. Al guadagno Avf si da
poi il nome di guadagno a catena chiusa. Il guadagno A di un amplicatore indicato dai costruttori è di regola quello misurato a frequenza molto bassa o in DC.
Cè poi da tener conto della banda passante non innita dellA.O. Il guadagno A
343
diminuisce molto al crescere della frequenza. In molti amplicatori, landamento di

A in funzione della frequenza può essere schematizzato come:
A0
1 + sp
A(s) =
dove s = j ed 1/p rappresenta la frequenza alla quale il guadagno si riduce di

un fattore 2 rispetto a quello a basse frequenze. Questa può variare tra 1Mhz e 10
Mhz in un tipico amplicatore. Landamento del modulo di A() in funzione di in
un diagramma di Bode è caratterizzato da una pendenza negativa di 6 dB/ottava.
Sostituendo questa espressione nella (12.26) troviamo:
Avf (s) =
Av (ideale)
p
1 + 1+s
A0
(12.27)
che a basse frequenze, dove il termine sp 1 diventa:

Avf (DC) =
Av (ideale)
1 + A10
(12.28)
Dividendo la (12.27) per la (12.28) si ha poi:

Avf (s)
1
=
sp
Avf (DC)
1 + 1+A
0
In molte applicazioni è A0 1 per cui:
Avf (s) =
Avf (DC)
sp
1 + A
0
che, ponendo T uguale al prodotto del guadagno a bassa frequenza A0 per la

larghezza di banda 1/p dellA.O.:
T =
A0
p
può essere riscritta come:

Avf (s) =
Avf (DC)
1 + sT
Si vede da questultima espressione che la larghezza di banda ai 3 dB (cioè la

frequenza
in corrispondenza alla quale il modulo dellampiezza si è ridotto di un
fattore 2 rispetto al valore DC) è:
c = T
Poichè 1/ è allincirca uguale al guadagno (ideale) Avf dellamplicatore con
reazione nellipotesi di amplicatore ideale, vediamo da questultima relazione che:
Avf c = T
cioè che il prodotto del guadagno per la larghezza di banda è costante.
344
Esaminiamo ora il problema delle correnti di bias, delloset di tali correnti e

delloset della tensione dingresso. La corrente detta Input bias current, che verra
indicata in seguito con Ii , è la corrente di polarizzazione. Essa è denita come
la media aritmetica delle correnti entranti nei terminali non-invertente (IB2 ) ed
invertente (IB1 ):
IB1 + IB2
Ii =
2
Ad esempio, tale corrente nel caso dellintegrato A741 vale tipicamente 80 nA; nel
caso di A.O. con ingresso a FET essa ha valori dellordine di qualche pA.
La Input oset current (Iio ) è denita come la dierenza delle correnti entranti
nei due terminali:
Iio = IB1 IB2
Tale parametro vale circa 20 nA nel caso del A741. LInput oset voltage (vos )indica
la dierenza di potenziale da applicare tra i terminali dingresso per azzerare luscita.
Infatti, a causa delle asimmetrie interne allintegrato luscita potrà andare ad un
valore non nullo con una identica tensione applicata ai due terminali dingresso. Per
il A741 un valore tipico è 2 mV. Esistono A.O. con valori della vos di pochi V .
Per A.O. con ingresso a FET la vos tipica è di 5 mV.
Esaminiamo ora leetto che sullamplicatore invertente hanno le correnti dingresso e la tensione di oset. Questi possono essere schematizzati come mostrato in
gura 12.51.
Vos
V1
V0
V2
I B2
I B1
Figura 12.51:
Schematizzazione delle correnti di ingresso nei terminali invertente e

non-invertente (IB1 , IB2 ) e della tensione di oset (vos ) in un amplicatore operazionale.
Nel caso di un amplicatore invertente possiamo calcolare leetto di questi

parametri sulluscita facendo uso del principio di sovrapposizione. Riferiamoci alla
schematizzazione di gura 12.52, avremo:
2
1. senza correnti o tensioni di oset e Vi = 0: Vo = R
V
R1 i
2. con Vos = 0 e IB1 = IB2 = Vi = 0: Vo = (1 +
R2
)Vos
R1
3. con IB1 = 0 e Vos = IB2 = Vi = 0: Vo = R2 IB1
Vi
R1
345
I
R2
V os
IB1
V0
IB2
R3
Figura 12.52: Schema dellamplicatore invertente per un amplicatore operazionale nonideale, sono indicate le correnti di ingresso e la tensione di oset.
4. con IB2 = 0 e Vos = IB1 = Vi = 0: Vo = R3 IB2 (1 +
R2
)
R1
Se tutti questi contributi sono presenti:

R2
R2
R2
Vo = Vi + 1 +
Vos + R2 IB1 R3 IB2 1 +
R1
R1
R1
Se scegliamo R3 uguale al parallelo di R1 ed R2 , avremo per i due termini dovuti
alle correnti di oset:

R2
R2 IB1 R3 IB2 1 +
= R2 (IB1 IB2 )
R1
Poichè la dierenza tra le due correnti è molto minore di ciascuna singola corrente, si
vede che la scelta fatta riduce in modo sostanziale leetto delle correnti dingresso.
Si vede da ciò che una buona regola pratica da seguire è quella di far si che entrambi
i terminali vedano la medesima resistenza. Lerrore dovuto a vos può esser compensato in alcuni A.O. da un apposito circuito di compensazione; in altri casi occorre
applicare una dierenza di potenziale tra gli ingressi, tale da annullare leetto.
Se un ingresso dellA.O. è accoppiato allo stadio precedente in modo capacitivo,
come nel caso dellamplicatore non invertente di gura 12.53, una resistenza addizionale dovrà essere inserita tra tale ingresso e massa, per consentire un cammino
alla corrente di polarizzazione.
Lultimo dei limiti degli amplicatori operazionali di cui ci occuperemo è quello
dello slew-rate. Questo termine si riferisce al fatto che un A.O. può far variare la
tensione in uscita con una rapidità limitata.
Se applichiamo allingresso non invertente di un A.O. il cui ingresso invertente
sia collegato a massa, un gradino positivo di tensione, luscita non seguirà istantaneamente lingresso, ma salirà con una pendenza non-innita. Ci si riferisce a tale
346
R2
R1
V0
C
Vi
Rx
Figura 12.53: Amplicatore non-invertente in cui la tensione di ingresso è accoppiata in modo

capacitivo.
pendenza quando si parla di slew-rate. Tale parametro è comunemente espresso da:

SR =
V
t
dove V è la variazione della tensione in uscita, quando in ingresso è applicata una

tensione a gradino, nellintervallo di tempo t .
Valori tipici dello SR vanno da circa 0.01 V /s a qualche migliaio di V /s. Va
notato che lo SR per transizioni positive può dierire da quello relativo a transizioni
negative.
Il fatto che il segnale in uscita non segua istantaneamente la variazione di quello
in ingresso fa si che, in presenza di feedback negativo, lingresso invertente non
segua quello non-invertente ma nasca una d.d.p. nita tra i due. Tale dierenza di
potenziale altera in modo signicativo il funzionamento del circuito.
Lo SR ha origine nella struttura interna degli A.O. e pi`
u in particolare nelle
capacità adoperate per ottenere una buona risposta in frequenza. In molti schemi
di A.O. lescursione totale del segnale di tensione in uscita si presenta ai capi della
capacità di compensazione, che ha un valore tipico di 30 pF. Poichè in genere la
corrente I che carica tale capacità è dellordine di 30 A, avremo:
I = C
dV
dt
da cui si ottiene come ordine di grandezza dello SR in questo tipo di A.O.:

SR =
I
V
dV
=
= 1
dt
C
s
Capitolo 13
Il timer 555
13.1
Introduzione
Abbiamo già incontrato circuiti che generano delle forme donda rettangolari periodiche, quali ad esempio gli oscillatori basati su amplicatori operazionali, i circuiti
bistabili e monostabili, il trigger di Schmitt, etc.. Lintegrato che ora esamineremo è
in grado di funzionare indierentemente come oscillatore, come trigger di Schmitt o
`
come circuito bistabile. Oltre a queste, esso ha numerosissime altre applicazioni. E
noto con il nome di circuito di temporizzazione (timer) 555. Esamineremo in questa
sezione alcuni esempi di applicazione di tale circuito. La struttura base del 555 è
quella mostrata in gura 13.1.
8 Vcc
Threshold
Vref
_
Q
AO1
T1
Discharge
+
-
AO2
Out
T2
Trigger
Reset
Figura 13.1: Schema della struttura di base del circuito timer 555.
Lintegrato contiene due comparatori, un ip-op di tipo RS, due transistor, un
buer (inseguitore di tensione) e tre resistenze.
347
348
Capitolo 13. Il timer 555
Le tre resistenze uguali, indicate in gura 13.1 con R, costituiscono un partitore il

quale consente di avere nei punti A e B rispettivamente le tensioni 2/3Vcc ed 1/3Vcc .
Tali tensioni vengono usate come riferimento da due comparatori. Luscita di AO1
è positiva se al piedino 6 (noto come ingresso di threshold ) è applicata una tensione
maggiore di 2/3Vcc , negativa nel caso opposto. Luscita di AO2 risulta positiva se al
piedino 2 (noto come ingresso di trigger ) è applicata un tensione minore di 1/3Vcc ,
negativa nel caso opposto. Le uscite di AO1 e AO2 vanno a pilotare rispettivamente
i piedini di Reset e di Set di un ip-op di tipo RS. Per questo ip-op, segnali di
tensione negativi agli ingressi valgono come un segnale logico 0. Luscita Q del FF è
collegata al piedino 3 tramite un buer che serve a rendere luscita indipendente dal
carico esterno. Il transistor T1, la cui base è unita alluscita Q del RS, si comporta
da invertitore: se Q è alto, esso è in saturazione e luscita 7 è bassa. Viceversa,
se Q è basso T1 è interdetto. Il transistor T2 può essere adoperato per resettare
il ip-op. Se non si vuole adoperarlo, il piedino 4 va collegato alla tensione alta
(transistor pnp interdetto).
La tabella 13.1 riassume la corrispondenza tra segnali applicati agli ingressi
threshold e trigger del 555 e le uscite. Nella tabella vien detto alto (H) lingresso di threshold se questo supera il suo valore di riferimento, cioè 2/3 Vcc ; vien detto
alto lingresso di trigger se questo supera il suo valore di riferimento, 1/3 Vcc .
Stato
a
b
c
d
Reset
H
H
H
H
Thres
L
L
H
H
Trig
L
H
L
H
R
L
L
H
H
S Qn+1
H
H
L
Qn
H
L
L
Qn+1
L
Qn
H
outn+1
H
outn
L
dischargen+1
aperto
dischn
massa
Tabella 13.1: Tabella delle verita del timer 555, i simboli utilizzati sono quelli mostrati in
gura 13.1.
Esamineremo ora il modo in cui tale circuito può essere adoperato per realizzare
vari circuiti.
13.1.1
Multivibratore astabile
Uno schema in cui si utilizza il 555 come generatore di segnali rettangolari (astabile)
è mostrato in gura 13.2. In questo circuito il ruolo fondamentale è svolto dalle
resistenze R1 ed R2 nonchè dal condensatore C1 .
Questultimo è periodicamente caricato tramite le resistenze R1 ed R2 e scaricato
attraverso la resistenza R2 . Il condensatore C2 serve ad eliminare uttuazioni di
tensione nel punto del partitore (vedi gura 13.1) che è a 2/3Vcc (Vref = piedino 5).
Esaminiamo in dettaglio ciò che accade. Ammettiamo che il condensatore C1 sia
inizialmente scarico (potenziale del punto P uguale a zero). Luscita del comparatore
AO2 è quindi inizialmente uguale ad 1 (livello alto) mentre quella del comparatore
AO1 è inizialmente uguale a 0 (livello basso). Quindi allinizio abbiamo Q = 1 ,
Q = 0 e T1 interdetto (riga (a) della tabella 13.1). Luscita Vout del 555 sarà alta.
13.1 Introduzione
349
VC C
P'
R1
R2
R ESET
TH R ES
TR IG
Vref
CC
C2
O UT
D ISC H
G ND
C1
Figura 13.2: Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari) realizzato con un timer
555 ed elementi passivi.
Ora il condensatore C comincia a caricarsi verso la tensione Vcc attraverso R1 +R2 ,
con costante di tempo :
1 = C1 (R1 + R2 )
Quando la tensione del punto P raggiunge il valore 1/3Vcc , luscita del comparatore
AO2 va a 0 (S=0) mentre R rimane uguale a zero (riga (b) della tabella 13.1).
Quindi lo stato del ip-op non cambia. Quando la tensione del punto P raggiunge
il valore 2/3Vcc , S rimane 0 mentre ora R va ad 1 (riga (d) della tabella 13.1). Ora
il ip-op cambia stato: Q (e quindi luscita Vout ) diventa basso e Q alto. Con Q
alto, il transistor T1 va in saturazione e VCE = 0. Poichè lemettitore è collegato a
massa, avremo che il punto P, che è collegato al collettore, sarà ad una tensione
praticamente nulla. Il condensatore C1 comincerà ora a scaricarsi dal valore di
tensione che aveva raggiunto (2/3Vcc ) verso lo zero, con costante di tempo:
2 = C1 R2
Quando la tensione nel punto P raggiungerà il valore (1/3Vcc ), il comparatore AO2 ,
collegato allingresso di Set va ad 1 mentre lingresso di Reset rimane uguale a zero
(riga (a) della tabella 13.1). Con ciò luscita Q del ip-op va a 0, il transistor T1 si
` facile vericare che la durata (T1 ) della fase in cui
interdice ed il ciclo ricomincia. E
luscita è alta è pari a: 1 ln 2, mentre quella (T2 ) della fase in cui luscita è bassa è
pari a: 2 ln 2. Il periodo è quindi: T = (1 + 2 ) ln 2, mentre il duty cycle, denito
come:
T1
D.C. =
T1 + T2
è uguale a:
1
1 + 2
350
Landamento delle tensioni VP e Vout è quello mostrato in gura 13.3. Vediamo che landamento della tensione VP è quella tipica della carica e scarica di un
condensatore, mentre Vout è unonda rettangolare.
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
v(P)
80.0
0.0
v(out)
80.0
160.0
240.0
320.0
400.0
t (microsecondi)
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
160.0
240.0
320.0
400.0
t (microsecondi)
Figura 13.3: Andamento temporale della tensione ai capi del condensatore VP (graco in alto)
e alluscita Vout (graco in basso) del multivibratore astabile di gura 13.2.
Con una semplice modica, quale quella mostrata in gura 13.4, si può ottenere
un multivibratore astabile con duty-cycle variabile. Nellesempio, la serie delle resistenze R1 R2 di gura 13.2 è sostituita dalla serie R4 R1 , dove R1 è il ramo
sinistro del potenziometro RP , durante la fase di carica del condensatore C1 , mentre
è sostituita dalla serie R3 R2 durante la fase di scarica. La carica del condensatore
C1 è caratterizzata quindi da una costante di tempo:
1 = (R4 + R1 )C1
La scarica avviene invece con una costante di tempo:
2 = (R3 + R2 )C1
Ruotando il potenziometro RP si può quindi modicare il duty-cycle del segnale in
uscita. Si può vericare che, con i valori delle resistenze e delle capacità indicati in
gura, la frequenza di oscillazione è di 100 Hz ed il duty-cycle può esser fatto variare
tra lo 0.1% ed il 99.9%.
13.2 Multivibratore monostabile
351
VC C
10V
.01F
R4
1K
C
R ESET
R3
1K
TH R ES
TR IG
Vref
CC
O UT
D ISC H
D2
D1
Rp
G ND
1000k
R1 R2
C1
10nF
Figura 13.4: Multivibratore astabile con duty-cycle regolabile tramite il potenziometro R1 R2.
13.2
Multivibratore monostabile
Un circuito monostabile (one-shot) può esser ottenuto utilizzando il 555 nella congurazione di gura 13.5.
Ammettiamo infatti che, in condizioni di riposo, sia Vin > 1/3Vcc. Luscita del
comparatore inferiore nel 555 sarà allora bassa ed S=0. Se ammettiamo inoltre
che C sia scarico, avremo VP = 0 e luscita del comparatore superiore sarà bassa
(R=0) (riga (b) della tabella 13.1). Con ciò, lo stato del FF non cambia. Se quindi
inizialmente è Q = 0, Q = 1, tale stato rimarrà inalterato e luscita (OUT) del 555
sarà basso. Se il condensatore C fosse stato carico, con VP > 2/3Vcc , luscita del
comparatore superiore sarebbe stata alta (R=1) e quindi avremmo avuto Q = 1.
Con ciò, il transistor duscita del 555 sarebbe andato in saturazione, il che avrebbe
riportato VP a zero. Vediamo cos` che lo stato Q = 0, Q = 1 è uno stato stabile del
sistema.
Se ora inviamo in ingresso un impulso di tensione inferiore ad 1/3Vcc luscita del
comparatore inferiore diverrà alta ed il FF verrà ad essere settato (Q = 1, Q = 0,
corrispondenti alla riga (a) della tabella 13.1). Luscita del 555 diverrà alta. Ora il
transistor duscita del 555 sarà interdetto ed il condensatore comincerà a caricarsi
352
Vcc
R
RESET
in
THRES
TRIG
VCC Vref
OUT
C1
out
DISCH
GND
Figura 13.5: Multivibratore monostabile (generatore di impulsi) realizzato con un timer 555
ed elementi passivi.
con costante di tempo = RC. Avremo cioè:

VP = Vcc 1 et/
Se ora Vin risale no a superare 1/3Vcc luscita del comparatore inferiore passerà
al livello basso (S=0) ma, poichè lingresso R del FF è ancora uguale a 0, lo stato
del FF non cambia. Quando però la tensione VP raggiunge il valore 2/3Vcc , luscita
del comparatore superiore passa al livello alto (R=1), il FF commuta ed avremo
Q = 0, Q = 1 (riga d della tabella 13.1). Il condensatore si scarica rapidamente
attraverso il transistor duscita del 555, ora in saturazione.
Vediamo che luscita del 555 rimane alta per il tempo necessario anchè la
tensione sul condensatore passi dal valore iniziale (VP = 0) al valore 2/3Vcc. La
durata T dellimpulso in uscita è cioè data da:

2
Vcc 1 eT / = Vcc
3
cioè:
T = ln 3 = ln 3 RC
Perchè il circuito funzioni correttamente occorre che limpulso di trigger sia pi`
u
corto di T .
Forme donda tipiche per questo circuito sono mostrate in gura 13.6. Qui il
graco superiore è la forma donda applicata in ingresso, quello intermedio luscita
e quello inferiore landamento della tensione VP = Vc .
Unapplicazione tipica di questo circuito è come pulse stretcher ; esso è cioè adoperato per produrre degli impulsi di durata predeterminata, a partire da impulsi di
trigger di breve durata.
13.3 Trigger di Schmitt
353
2.8
2.1
1.4
0.7
0.0
0.0
v(in)
0.3
0.0
v(out)
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.2
1.5
1.2
1.5
t(millisecondi)
5.5
4.4
3.3
2.2
1.1
0.0
0.6
0.9
t(millisecondi)
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.5 0.0
v(c)
0.3
0.6
0.9
t(millisecondi)
Figura 13.6: Andamento temporale della tensione in ingresso (graco superiore), in uscita (graco intermedio) ed ai capi del condensatore (graco inferiore) del circuito multivibratore
monostabile di gura 13.5.
13.3
Trigger di Schmitt
Unulteriore applicazione del 555 è come circuito di trigger, con soglia relativa alla
transizione delluscita dal livello basso a quello alto, superiore a quella relativa alla
transizione opposta. Esso è cioè un Trigger di Schmitt, di cui abbiamo già incontrato
un esempio nella sezione relativa agli amplicatori operazionali. Il funzionamento
del circuito è estremamente semplice. Se i piedini 2 e 6 del 555 (cioè gli ingressi
di threshold e di trigger) sono uniti insieme ed adoperati come ingresso Vin , si vede
che se Vin supera i 2/3Vcc si ha S = 0, R = 1, con che Q diviene basso. Se ora
Vin scende sotto 2/3Vcc , lo stato del FF non cambia, poichè ora sia R che S sono
0. La transizione allo stato complementare (cioè Q alto) si ha soltanto quando Vin
scende sotto il valore 1/3Vcc . Questo è il comportamento appunto di un trigger di
Schmitt. Se si desidera che i due livelli di confronto non siano 2/3Vcc ed 1/3Vcc, è
suciente interporre tra la sorgente del segnale e lingresso del 555 un partitore o un
amplicatore. La gura 13.7 mostra il segnale alluscita di un tale circuito, quando
il segnale applicato in ingresso sia una sinusoide. Nellesempio di gura il segnale
in uscita è stato invertito (nel circuito di trigger che abbiamo descritto, il segnale
alluscita del 555 va basso quando lingresso supera la soglia alta, e viceversa).
354

12.0
9.0
6.0
3.0
0.0
-3.0
0.0
180.0
360.0
540.0
720.0
900.0
t (microsecondi)
Figura 13.7: Andamento temporale del segnale in uscita da un circuito trigger di Schmitt
sovrapposto al segnale sinusoidale inviato in ingresso.
13.4
Convertitore tensione-frequenza
Nelle applicazioni del 555 che abbiamo discusso il piedino 5 (Vref ) dellintegrato non
veniva utilizzato. Esso era collegato a massa attraverso una capacità, che serviva a
mantenere costante la tensione nel punto A (ingresso Vref ; vedasi la gura 13.1). Se
nel circuito astabile di gura 13.2, tale ingresso viene collegato ad una sorgente di
tensione variabile, le tensioni di riferimento dei due comparatori presenti nel 555 non
saranno pi`
u uguali a 2/3Vcc ed 1/3Vcc ma rispettivamente uguali a Vref e 1/2Vref . Di
conseguenza, durante il processo di carica e scarica del condensatore C1 nel circuito
di gura 13.2, la commutazione avverrà a tempi diversi, legati al valore che nel dato
istante ha Vref .
Un esempio di tale circuito è mostrato in gura 13.8 dove Vref = Vsin . Tale
circuito può essere adoperato come convertitore tensione-frequenza. Se il segnale
applicato è ad esempio (come in gura) sinusoidale, avremo in uscita un segnale la
cui frequenza varia in modo sinusoidale. Si noti che in tale circuito varia anche la
durata del segnale in uscita. Se si vuole che il segnale in uscita abbia frequenza
variabile in modo sinusoidale ma durata ssa, sarà suciente far seguire il circuito
da un monostabile.
In gura 13.9 mostriamo il segnale sinusoidale applicato allingresso Vsin di un
tale circuito, insieme al segnale presente in uscita e, nel graco inferiore, quello
presente alluscita di un monostabile che segue il convertitore tensione-frequenza
(non mostrato in gura 13.8).
13.4 Convertitore tensione-frequenza
355
Vsin
Vcc
R1
RESET
VCC Vref
THRES
R2
TRIG
OUT
DISCH
GND
Figura 13.8: Convertitore tensione frequenza, il segnale di riferimento è indicato con Vsin .
356
16.0
12.0
8.0
4.0
0.0
-4.0
0.00
0.34
0.68
1.02
1.36
1.70
t (millisecondi)
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0.00
0.34
0.68
1.02
1.36
1.70
t (millisecondi)
Figura 13.9: Graco superiore: andamento temporale del segnale sinusoidale applicato
come Vref sovrapposto al segnale presente in uscita nel circuito di gura 13.8; graco inferiore: andamento temporale del segnale in uscita al circuito monostabile che segue il convertitore
tensione-frequenza.
Capitolo 14
Filtri attivi
14.1
Introduzione
Un ltro è un dispositivo che trasmette inalterati segnali aventi frequenze entro un

determinato campo (ltri passa-banda) o al di sopra di un valore determinato (ltri
passa-alto) o ancora al di sotto di un valore pressato (ltri passa-basso). Si possono
anche avere ltri che lasciano passare solo segnali aventi frequenze poste al di fuori
di un campo pressato (ltri elimina-banda).
Un ltro può esser realizzato a partire da soli componenti passivi (resistenze,
ormai comune uso
capacità o induttanze). In tal caso si parla di ltri passivi. E
adoperare, insieme ad elementi passivi, anche elementi attivi, quali transistor o amplicatori operazionali. Tale scelta ore una maggiore essibilità nella realizzazione
di ltri con particolari caratteristiche. Questi sono noti come ltri attivi.
A causa della limitata risposta in frequenza degli operazionali, i ltri attivi sono
adoperati tipicamente a basse frequenze (sopratutto a frequenze audio) no ad un
possibile, facendo uso di amplicatori
massimo di qualche centinaio di kHz. E
operazionali veloci, realizzare ltri attivi che operano no a diversi MHz, ma ragioni
di costo ne limitano luso. Per frequenze elevate si fa quindi uso di ltri passivi.
In questo capitolo esamineremo le caratteristiche dei principali tipi di ltri attivi,
quali ad esempio quelli di Butterworth e di Bessel. Per unanalisi pi`
u approfondita
dellargomento si suggerisce di consultare le referenze citate.
Faremo ampio uso della tecnica delle trasformate di Laplace, e dei concetti connessi con la rappresentazione graca della risposta dei circuiti (diagrammi di Bode
e di Nyquist).
Si sta diondendo in aggiunta, in questi ultimi anni, luso di quelli che sono noti
come ltri digitali. Una trattazione dettagliata di tale tipo di ltri ci porterebbe
ben oltre gli scopi di questo corso.
14.1.1
Caratteristiche di risposta dei ltri
I quattro tipi di ltro cui abbiamo accennato nella sezione precedente dovrebbero
idealmente avere delle funzioni di trasferimento caratterizzate da un andamento
piatto allinterno della banda passante e da una transizione innitamente ripida
verso la banda bloccata. Tale andamento ideale è schematizzato nella gura 14.1
dove sono mostrati i diagrammi di Bode per il modulo della funzione di trasferimento
357
358
Capitolo 14. Filtri attivi
G() relativi ai quattro tipi di ltri.

(a)
Ga dB( )
(b)
20
Gb dB( )
10
100
20
1.103
10
log()
Gd dB( )
10
100
log()
1 .104
(d)
20
1.103
log()
(c)
Gc dB( )
100
1.103
1 .104
20
10
100
1.103
1 .104
log()
Figura 14.1: Andamento ideale della funzione di trasferimento relativa ai quattro tipi di ltro
descritti. Figura (a): passa-basso, gura (b): passa alto, gura (c): passa-banda, gura (d):
elimina-banda.
La gura (a) si riferisce al caso di un ltro passa-basso, la (b) a quello di un

ltro passa-alto, la (c) ad un ltro passa-banda e la (d) ad uno elimina-banda.
In realtà nessun ltro reale ha funzioni di trasferimento come quelle mostrate
in gura. I fronti di salita e di discesa hanno nella pratica pendenze che vanno da
6 dB/ottava a qualche decina di dB/ottava. Inoltre landamento allinterno della
banda passante non è mai piatto, ma esibisce in genere delle oscillazioni (ripple)
pi`
u o meno ampie. Un esempio di curva di risposta reale è quello mostrato in
gura 14.2 (relativo al caso di un ltro passa-banda).
La banda passante (BW) è denita come lintervallo di frequenze compreso tra
i punti in cui il modulo del guadagno è diminuito di 3 dB rispetto al valor medio a
centro banda. Lampiezza del canale di ripple, mostrato in gura, è espresso in dB
e varia tra qualche frazione di dB e 1.5-2.0 dB. La pendenza dei fronti di salita e di
discesa, come già detto varia tra 6 dB/ottava e qualche decina di dB/ottava.
Il modulo della funzione di trasferimento G(f) (o equivalentemente G()) non
altrettanto importante che lo
è lunica caratteristica importante di un ltro. E
sfasamento introdotto dal ltro aumenti linearmente allaumentare della frequenza.
Solo in tal modo, infatti, le componenti di diversa frequenza presenti nel segnale
subiranno tutte il medesimo ritardo temporale e nessuno sfasamento relativo.
Consideriamo infatti due componenti di frequenze angolari (1 , 2 ), fasi (1 , 2 )
ed ampiezze (A1 , A2 ):
a1 (t) = A1 cos(1 t + 1 )
14.1 Introduzione
359
|G(f)| dB
ripple
3 dB
banda bloccata
<
banda passante
banda bloccata
>
log(f)
f
cutoff
cutoff
fmax
min
Figura 14.2: Esempio della funzione di trasferimento relativa ad un ltro reale di tipo passabanda. Si notino le oscillazioni ripple nella curva.
a2 (t) = A2 cos(2 t + 2 )
Ammettiamo che allinterno della banda passante sia |G()| costante e sia lo sfasamento introdotto dalla G() dato da:
= k
con k una costante. Le due componenti alluscita del ltro saranno:
a1 (t) = |G| A1 cos(1 t + 1 + k1 )
a2 (t) = |G| A2 cos(2 t + 2 + k2 )
ovvero:
a1 (t) = |G| A1 cos [1 (t + k) + 1 ]

a2 (t) = |G| A2 cos [2 (t + k) + 2 ]
Vediamo che le due componenti hanno in uscita la stessa frequenza che esse avevano in ingresso e la stessa dierenza di fase: = 2 1 . Esse sono entrambe
ritardate temporalmente di una medesima quantità k1 . Il segnale risultante dalla
sovrapposizione di un gran numero di componenti di questo tipo non risulterà quindi
deformato. Esiste un ulteriore tipo di ltro, noto come passa tutto (all-pass lter),
che ha una risposta |G()| indipendente dalla frequenza, ma uno sfasamento che è
funzione di questa. Tali ltri vengono adoperati per compensare sfasamenti dipendenti dalla frequenza, introdotti da linee di trasmissione quali le linee telefoniche.
I ltri passa-tutto sono anche noti come correttori di fase o equalizzatori di
ritardo.
1
anticipate se k è negativo.
360
Come vedremo, è possibile realizzare ltri che hanno una banda passante sufcientemente piatta, ma non una buona relazione di fase, o anche ltri con una
relazione di fase lineare, ma con un certo ammontare di ripple nella banda passante.
Per un discussione esauriente dei vantaggi e dei limiti dei diversi tipi di ltri
attivi, si suggerisce una lettura del capitolo 5 del libro di Horowitz- Hill [10].
14.2
Generalit`
a sui ltri
Un generico ltro è caratterizzato da una funzione di trasferimento esprimibile come

rapporto tra due polinomi nella variabile complessa s:
aM sM + aM 1 sM 1 + + a0
sN + bN 1 sN 1 + + b0
dove i coecienti dei polinomi sono reali ed inoltre è M N.
N è noto come lordine del ltro.
Se indichiamo con z1 , z2 , zM le radici del polinomio a numeratore e con
p1 , p2 , pN quelle del polinomio a denominatore, e ricordiamo che tali radici sono o
reali o, se complesse, presenti con le complesse coniugate, la funzione di trasferimento
potrà esser messa nella forma:
G(s) =
aM (s z1 )(s z2 ) (s zM )
(s p1 )(s p2 ) (s pN )
i valori z1 , z2 , zM sono gli zeri della funzione di trasferimento, p1 , p2 , pN
i poli. Nel piano complesso s = j, gli zeri possono esser dovunque, i poli
possono esser presenti solo nel semipiano sinistro ( 0). Se tale condizione non
fosse soddisfatta, il sistema non sarebbe stabile.
Gli zeri debbono corrispondere a frequenze poste nella zona di banda bloccata.
Se vogliamo ottenere la risposta in frequenza del ltro, dobbiamo sostituire alla
variabile s il valore j.
In molti casi possiamo, da un semplice esame della funzione di trasferimento,
capire se il ltro sia un passa-basso, passa-alto, etc. Ad esempio, la funzione di
trasferimento:
as
G(s) = 2
s + 5s + 3
con la sostituzione s = j, ha modulo e fase dati rispettivamente da:
G(s) =
a
|G()| =
(3 2 )2 + 25 2
3 2
5
Vediamo che il modulo di G() per tende a zero come 1/. Si esprime ciò
dicendo che la G() ha uno zero semplice allinnito. Inoltre, per 0 essa tende
a zero. Cioè la G() ha uno zero semplice nellorigine. Si tratta in denitiva di un
ltro che taglia ad alta ed a bassa frequenza, cioè di un ltro passa-banda.
Nellesempio appena fatto, il fatto che |G()| decresca al crescere di come 1/
implica che, nel diagramma di Bode landamento sia di -20 dB per decade (o -6 dB
per ottava).
tan () =
14.2 Generalità sui ltri
361
Nel caso generale di un ltro passa-basso, se la decrescita di |G()| và come 1/ n ,

essa sarà caratterizzata nel diagramma di Bode da una pendenza di n 20 dB/decade.
In tal caso il sistema ha n zeri allinnito. In generale il numero degli zeri allinnito,
come si può facilmente vedere, è dato da N-M. Infatti, per s la G(s) tende ad
aM /sN M .
Può accadere che non vi siano valori niti della frequenza, in corrispondenza
ai quali lattenuazione sia innita. Ciò accade se nella G(s) tutti gli zeri sono
allinnito, come nel caso di:
G(s) =
sN
aM
+ bN 1 sN 1 + + b0
Si parla allora di un ltro con solo poli (all-pole lter).
14.2.1
Esempi di ltri del primo e del secondo ordine
Conosciamo i pi`
u semplici dei ltri passivi: il circuito RC passa-basso e quello
passa-alto, mostrati in gura 14.3, le cui funzioni di trasferimento, nello spazio delle
frequenze, sono date da:
1
|GLP ()| =
1 + ( 0 )2

LP () = arctan
0
1
1 + ( 0 )2

0
HP () = arctan
|GHP ()| =
con: 0 = 1/RC
R
Vin
Vout
Vin
Vout
Figura 14.3: Esempi di ltri del primo ordine. Il circuito RC di sinistra è di tipo passa-basso,
mentre quello di destra è di tipo passa-alto.
Il ltro passa-basso è caratterizzato da una frequenza
di taglio superiore (fre
quenza alla quale il guadagno si riduce di un fattore 2 rispetto al valore che esso
ha a basse frequenze) pari a f0 = 0 /2. La curva asintotica che descrive |G()|
a frequenze angolari 0 ha inoltre, come è facile vericare, una pendenza
(negativa) di 6 dB/ottava (20 dB/decade).
362
Analogamente il ltro passa-alto è caratterizzato da una frequenza di taglio inferiore f0 = 0 /2. La curva che descrive landamento di |G()| a frequenze angolari
0 ha una pendenza (positiva) di 6 dB/ottava (20 dB/decade). Un ltro passabanda può essere ottenuto mettendo in serie un ltro passa-basso ed uno passa-alto,
C1
R
Vin
R1
Vout
Figura 14.4: Esempio di ltro passa-banda ottenuto mettendo in cascata un ltro passa-basso
ed un ltro passa-alto del primo ordine.
Nel progettare un tale ltro occorrerà naturalmente far si che la frequenza di

taglio fmax della sezione passa-basso sia maggiore della frequenza di taglio fmin
della sezione passa-alto.
Quelli ora descritti sono tutti ltri del primo ordine: la funzione di trasferimento
del ltro passa-basso, scritta in termini della variabile complessa s:
G(s) =
0
s + 0
ha un polo semplice (reale) in s = 0 .

Analogamente, la funzione di trasferimento del ltro passa-alto, scritta in termini
della variabile complessa s è:
s
G(s) =
s + 0
ed ha uno zero nellorigine ed un polo semplice in s = 0 .
La pendenza di 20 dB/decade nei rispettivi diagrammi di Bode per il modulo
è in entrambi i casi legata appunto alla presenza di un solo polo. Se si vuole una
transizione pi`
u netta tra la banda passante e la banda bloccata, occorre ricorrere a
ltri di ordine pi`
u elevato.
La forma generale della funzione di trasferimento per un ltro del primo ordine:
G(s) =
a1 s + a0
s + 0
è caratterizzata da un polo in s = 0 , uno zero in s = a0 /a1 ed un guadagno ad

alte frequenze che tende ad a1 . Vediamo che il denominatore determina la regione di
frequenze di interesse, mentre il numeratore determina il tipo di ltro (passa-basso,
` infatti immediato vedere che se è a1 = 0, si ha un ltro passapassa alto, etc.). E
basso, se a0 = 0 si ha un ltro passa-alto, se sia a1 che a0 sono diversi da zero, si
ha un ltro passa-banda. Nel piano complesso, questi tre diversi tipi di ltri sono
caratterizzati dalle congurazioni poli-zeri, mostrate in gura 14.5.
14.2 Generalità sui ltri
LP
363
HP
jZ
X
Z
X
Z
BP
jZ
O
-a0/a1
jZ
X
Z
Figura 14.5: Diagrammi poli-zeri per i tre semplici ltri del primo ordine discussi: a sinistra,
passa-basso; al centro, passa-alto; a destra, passa-banda.
Notiamo che un ltro (passivo) passa-basso con buone caratteristiche (taglio in

frequenza abbastanza netto) può essere ottenuto utilizzando un circuito LRC come
quello di gura 14.6(a).
L
Vi
R
R
Vi
Vo
(a)
Vo
(b)
Figura 14.6: Esempi di ltri passivi di tipo RLC. (a): ltro passa-basso, (b): ltro passa-banda.
G(s) =
s2
1/LC
+ (1/RC)s + 1/LC
(14.1)
Confrontando questa con lequazione tipica di una funzione di trasferimento con due
poli (vedi capitolo 3):
A0 2
(14.2)
G(s) = 2 0 0
s + Q0 s + 02
troviamo la corrispondenza:
0
1
LC
C
Q0 0 RC R
L
Potrà aversi un picco nella risposta se Q0 > 1/ 2, cioè:

L
R>
2C
364
Come visto a pagina (63), il picco diventa tanto pi`

u elevato
è il valore di Q0 . Landamento tipico della curva di risposta (plot di Bode per il
modulo) è mostrato in gura 14.7 per il caso Q0 = 1.
|G()|
per Q0=1
|G()|
(dB)
20
10
3
1.10
100
Figura 14.7: Diagramma di Bode del modulo della risposta del ltro RLC descritto nel testo,
nel caso Q0 = 1.
Il massimo si ha per:

2
max
02
1
1
2Q20
cioè:
2
max
=
1
1
LC 2C 2 R2
In modo analogo, dallanalisi del circuito RCL di gura 14.6(b), ricaviamo la

seguente funzione di trasferimento:
G(s) =
s2
s/RC
+ (1/RC)s + 1/LC
(14.3)
che realizza un ltro passa-banda di ordine 2.

I ltri attivi eliminano alcuni inconvenienti presenti nei ltri passivi:
a) luso di induttanze, che sono ingombranti, ed inoltre risentono dei disturbi
elettromagnetici inevitabilmente presenti;
b) lattenuazione legata allimpedenza del ltro passivo;
c) la dipendenza della risposta dalle impedenze dingresso e duscita degli amplicatori cui il ltro è accoppiato. Lelevata impedenza dingresso e la bassa
impedenza duscita di un operazionale rende agevole laccoppiamento di pi`
u
ltri diversi. Ciò è importante poiche consente di realizzare ltri di ordine pi`
u
elevato (cioè con un maggior numero di poli nella funzione di trasferimento)
ponendo in cascata pi`
u ltri di ordine inferiore.
14.3 Funzione biquadratica di trasferimento
14.3
365
Funzione biquadratica di trasferimento
Come abbiamo visto, la funzione di trasferimento di un ltro passa-basso LRC ha

la forma (equazione (14.2)):
A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02
del rapporto tra un termine costante ed un polinomio di secondo grado in s. Si
può facilmente vericare che la funzione di trasferimento di un generico ltro del
secondo ordine (passa-alto, passa-basso, passa-banda, elimina-banda) può essere
espressa come il rapporto tra due polinomi di secondo grado in s:
G(s) =
a2 s2 + a1 s + a0
s2 + b1 s + b0
(14.4)
Se infatti i termini a2 ed a1 sono nulli, possiamo facilmente vedere che siamo in

presenza di un ltro passa-basso: al tendere di |s| = ad la |G()| tende a 0.
Se a2 ed a0 sono nulli ed a1 è diverso da 0, la |G()| tenderà a 0 sia per
che per 0. Abbiamo cioè un ltro passa-banda.
Se a2 è lunico coeciente diverso da 0, vediamo che |G()| 0 per 0.
Abbiamo cioè un ltro passa-alto.
Se inne a1 è lunico coeciente nullo, vediamo che la |G()| tende a valori niti
per 0 e per . Abbiamo cos` un ltro elimina-banda.
La funzione biquadratica (14.4) è pi`
u convenientemente scritta nella forma (analoga alla (14.2) relativa al ltro passa-basso):
k2 s2 + k1 (0 /Q0 )s + k0 02
s2 + (0 /Q0 )s + 02
G(s) =
(14.5)
Nel caso dei quattro tipi di ltro descritti in precedenza, questa acquista la forma
indicata nella corrispondente riga della tabella 14.1.
La larghezza di banda (BW) è denita, per un ltro passa-banda, come lampiezza del campo di frequenze che si estende no a quei valori in corrispondenza a cui
il guadagno si riduce di 3 dB rispetto al valore che esso ha a centro banda. Si può
facilmente vedere che nel caso del ltro passa banda la BW è data da:
BW =
0
Q0
(14.6)
Per dimostrarlo, partiamo dallespressione della |G()| per il ltro passa-banda:

(0 /Q0 )
|G()| = 2
(0 2 )2 + 2 02 /Q20
(14.7)
che per = 0 vale 1.

Indichiamo con ed i due valori
rispettivamente minore e maggiore di 0 ,

nei quali sia: |G( )|=|G( )| = 1/ 2.
Per un generico valore di , la condizione che sia |G()| = 1/ 2 porta a:

02 2
2
2 02
Q20
366

tipo di ltro
k2
k1
k0
G(s)
passa-basso
02
s2 + Q0 s+02
0
passa-alto
s2
s2 + Q0 s+02
passa-banda
0
s
Q0
s2 + Q0 s+02
0
elimina-banda
s2 +02
s2 + Q0 s+02
0
Tabella 14.1: Funzioni di trasferimento per alcuni tipi di ltri del secondo ordine
cioè:
02 2 =
0
Q0
dove andrà scelto il segno (+) se < 0 (cioè nel caso di ); andrà invece scelto
il segno (-) nel caso di .
Nel primo caso lequazione diventa:
2 +
0
02 = 0
Q0
la cui soluzione (positiva) è:

0
=
2Q0

1+
4Q20
(14.8)
Nel secondo caso avremo invece lequazione:

2
0
02 = 0
Q0
la cui soluzione (positiva) è:

0
=
2Q0

2
1 + 4Q0 + 1
(14.9)
Vediamo che la larghezza di banda, espressa in termini della frequenza angolare,

è:
0
Q0
Ovviamente la larghezza di banda in termini della frequenza sar`
a:
BW = =
BW =
0
2Q0
14.3 Funzione biquadratica di trasferimento
367
Vediamo che la larghezza della banda passante non ha ugual valore nella zona a
sinistra ed a destra di 0 . Abbiamo infatti:

0

2
1 + 2Q0 1 + 4Q0
0 =
2Q0
mentre:

0
2
0 =
1 2Q0 1 + 4Q0
2Q0
Ad esempio, per 0 = 1000 rad/s e Q0 = 10 avremo:

1000
1 401 + 20 = 48.75 rad/s

20

1000
0 =
1 + 401 20 = 51.25 rad/s
20
Ovviamente, la dierenza tra 0 e 0 diviene tanto minore quanto
maggiore è il valore di Q0 .
Analogamente, per un ltro elimina-banda, la banda-bloccata è quella compresa
tra i valori ed in corrispondenza ai quali il modulo della funzione di trasferimento è ridotto di 3 dB rispetto al valore che esso ha a frequenze molto basse o
molto alte. Si può facilmente vedere che, per questo tipo di ltro lampiezza della
banda-bloccata è data dalla stessa espressione che fornisce la banda passante nel
caso appena esaminato.
0 =
=
0
Q0
Partiamo infatti dallespressione della G() per tale ltro:

G() =
2 02
0
02 2 + j Q
0
il cui modulo è:

| 2 02 |
|G()| =
2
(02 2) +
2 02
Q20
` facile vedere che questo vale 1 sia per 0 che per . Per determinare
E
la larghezza di banda dobbiamo quindi individuarei valori ed (con < 0 <
) in corrispondenza ai quali tale modulo vale 1/ 2.
Da tale condizione segue:

2
Q20 02 2 = 2 02
cioè:

Q0 02 2 = 0
dove và scelto il segno (+) se 0 > , quello (-) se 0 < .
368
Nel primo caso ( = ) scriveremo quindi:

02 2 = 0 /Q0
nel secondo ( = ):
02 2 = 0 /Q0
Sottraendo membro a membro queste due equazioni, si ottiene:
02 2 02 + 2 := ( + ) 0 /Q0
da cui:
= 0 /Q0
Si vede inoltre con facilità, facendo uso delle equazioni scritte, che le espressioni di
ed sono le stesse (formule (14.8) e (14.9)) già ottenute per il ltro passa-banda.
14.4
Corrispondenze tra tipi diversi di ltri
Sappiamo che un ltro RC passa-basso del primo ordine può esser trasformato nellanalogo passa-alto scambiando la resistenza con la capacità. Ciò può esser facilmente formalizzato come segue. La funzione di trasferimento del ltro passa-basso
è:
1
G(s) =
(14.10)
1 + s/0
con 0 = RC. Il circuito che si ottiene da questo scambiando R con C ha come
funzione di trasferimento:
s/0
(14.11)
G(s) =
1 + s/0
che è quella di un ltro passa-alto.
Vediamo che è possibile trasformare la (14.10) nella (14.11) con la corrispondenza:
0
s
(14.12)
0
s
possibile vericare che ciò è vero anche per ltri di ordine pi`
E
u elevato. Ad esempio,
il ltro passa-basso la cui funzione di trasferimento è mostrata nella prima riga della
tabella data in sezione 14.3 diventa, in seguito allapplicazione della corrispondenza (14.12), il ltro passa-alto la cui funzione di trasferimento è data dalla seconda
riga della medesima tabella.
Analoghe corrispondenze possono essere adoperate per trasformare un ltro
passa-basso in uno passa-banda o elimina-banda.
Per ulteriori dettagli si suggerisce di consultare la referenza [11].
14.5 Il ripple nei ltri
14.5
369
Il ripple nei ltri
Se in un ltro del secondo ordine è Q0 > 1/ 2, la curva di risposta (diagramma di

Bode per il modulo) comincia a sviluppare un massimo di cui abbiamo calcolato al
capitolo 3 la posizione max ed il valore:
G(max ) =
A0 Q0
1 1/(4Q20 )
Si denisce ripple la deformazione della curva di risposta in prossimità di max e

si denisce larghezza del ripple la quantità:
= |Gmax /A0 | =
Q0
1
1
4Q20
Si denisce poi lunghezza del canale di ripple la pulsazione c oltre la quale

risulta |G| < |A0 |. Per la denizione delle variabili ed c si veda la gura 14.8.
Dallequazione (3.18), nel capitolo 3, notiamo che ponendo:
|G|2 = A20
si trova:
c2
02
1
2 2
Q0
cioè:
c
=
0
1
Q20
Vediamo da questequazione che la lunghezza del canale di ripple dipende da Q0 .

Inoltre:
c2
2
max =
2
indipendentemente dal valore di Q0 (purche sia Q0 > 1/ 2).

Per Q0 = 0.86 troviamo c = 0.800 ed = 1.06
Per Q0 = 0.96 troviamo c = 0.95
0 ed = 1.12
Un quadripolo avente Q0 > 1/ 2 viene detto di Chebyshev se il ripple è
compreso tra 0.5dB e 3dB (cioè tra 1.06 e 1.41).
14.6
Conversione di impedenze tramite operazionali
Abbiamo visto come sia possibile realizzare ltri di ordine 2, facendo uso di elementi
passivi R,L,C. In pratica è poco conveniente far uso di induttanze, a causa del loro
ingombro e sensibilità al rumore. Si può invece simulare linduttanza facendo
uso di amplicatori operazionali ed elementi resistivi e capacitivi. Cominceremo col
far vedere che un operazionale può modicare la natura dellimpedenza vista dalla
sorgente del segnale. Consideriamo ad esempio il circuito di gura 14.9:
370

14.0
| G ( )| (dB)
1.2
-11.6
-24.4
-37.2
log()
-50.0
100K
1M
max
20M
Figura 14.8: Esempio di possibile funzione di trasferimento per un ltro passa-basso del secondo
ordine. La denizione delle quantit`
a c e descritte nel testo è facilmente deducibile dal graco.
R
i
Vi
+
V0
R
Z
Figura 14.9: Il circuito, basato su operazionale, è utilizzato per invertire il segno di una
impedenza. La sorgente, applicata allingresso invertente, vede infatti una impedenza pari a Z.
` noto come NIC: Negative Impedance Converter.
E
La corrente i vale:
i =
v+ vo
R
(14.13)
14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali

con:
v+ = v = vo
da cui:
vo = v
371
Z
R+Z
(14.14)
R+Z
R+Z
= vi
Z
Z
e:
vi = vo
Z
R+Z
(14.15)
Dalle (14.13) e (14.14) si ha poi:

vo
Z
vo
i =
1 =
R Z +R
Z +R
(14.16)
Limpedenza vista allingresso delloperazionale è allora ottenibile dalle (14.15) e (14.16):

Zi =
vi
= Z
i
Vediamo cioè che loperazionale trasforma limpedenza Z nel suo opposto - Z. Se

Z è unimpedenza capacitiva: Z = 1/jC, limpedenza trasformata sarà 1/j(C),
cioè è come se la capacità fosse diventata negativa. Un circuito come quello analizzato è designato con il simbolo NIC (Negative Impedance Converter).
Vediamo ora come, facendo uso di questo, possiamo realizzare un circuito che
converte unimpedenza Z nel suo reciproco 1/Z. Questo è noto come gyrator.
Esaminiamo lesempio di gura 14.10:
Vi
NIC
NIC
Vi
Z
Figura 14.10: Circuito giratore, ottenuto connettendo come in gura due circuiti NIC e tre
resistenze. Esso è in grado di trasformare unimpedenza Z nel suo reciproco 1/Z, quindi un
condensatore in una induttanza e viceversa.
Poiche ciascun NIC cambia di segno limpedenza che lo segue, possiamo ridisegnare il circuito come mostrato in gura 14.11.
372
Vi
NIC
-R
V0
Z
Figura 14.11: Circuito giratore, dopo aver ridotto uno dei circuiti NIC.
Limpedenza vista alluscita del primo NIC è ora:
Z = R +
R2 + ZR
R2
(R + Z)R
= R
=
R+Z R
Z
Z
Poiche il primo NIC cambia ulteriormente il segno di tale impedenza, avremo:

Zin =
R2
Z
e se Z è una capacità, avremo:

Zin =
con:
R2
= jR2 C = jL
1/jC
L = R2 C
Che dimostra quanto asserito. Facendo quindi uso di resistenze, capacità ed operazionali possiamo realizzare lequivalente di ltri RLC. Come già accennato, il limite
allutilizzo di tali circuiti è posto dallo slew-rate degli operazionali, che consiglia, a
frequenze elevate, luso di circuiti passivi. Un circuito di largo uso, che consente
di sostituire uninduttanza con operazionali, è quello dovuto ad A. Antoniou [6],
Si può infatti dimostrare che il rapporto tra la tensione applicata v1 e la corrente
i1 è data da:
v1
= sC4 R1 R3 R4 /R2
Zin =
i1
che è limpedenza di uninduttanza L, con:
L = C4 R1 R3 R4 /R2
Per dimostrarlo basta tener presente che, a causa del feedback negativo, la differenza di potenziale ai capi di ciascun operazionale è nulla. Con riferimento alla
gura 14.13 segue che:
v1 = va = ve
14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali
i1
R1
373
R2
v1
C4
R3
R4
Figura 14.12: Elegante implementazione del circuito giratore dovuta a A. Antoniou.

Linduttanza vista in ingresso a R1 è di tipo induttivo.
v02
i1
v1 a
R1
R2
i1
i3
R3
i2
C4
e
i4
i5
R4
v01
Figura 14.13: Circuito del giratore di Antoniou, con ragurati i vettori corrente.
La corrente in R4 :
i5 =
v1
R4
è uguale a quella in C4 :
i4 = i5 =
v1
R4
La tensione nel punto d:

vd = v1 +
i4
v1
= v1 +
= v01
sC4
sC4 R4
374
Essendo poi vc = v1 , la corrente in R3 sarà:

v1
v1 + sC4 R4 v1
vd vc
v1
=
=
i3 =
R3
R3
sC4 R3 R4
La corrente in R2 inoltre uguaglia quella in R3 . Ne segue:
v02 = vb = vc R2 i3 = v1
R2 v1
sC4 R3 R4
La corrente in R1 è allora:
i1 =
v1 vb
R2
=
v1
R1
sC4 R1 R3 R4
Limpedenza dingresso sarà quindi:

Zin =
v1
C4 R1 R3 R4
=s
i1
R2
che è quanto asserito.

Si può poi vedere facilmente che questo circuito si comporta da induttanza anche
se lo si guarda dal lato di R4 , cioè se si collega a massa lestremo sinistro e si applica
la sorgente di segnale allestremità inferiore di R4 .
Un esempio di un ltro passa-basso di ordine 2, in cui linduttanza è sostituita
da un giratore di Antoniou, è quello mostrato in gura 14.14.
R7
R6
V0
R1
Vi
R2
R3
R5
C5
C4
R4
Figura 14.14: Filtro passa-basso di ordine 2 ottenuto sostituendo linduttanza con un giratore di
Antoniou. Lutilizzo delle induttanze è sconsigliato nella pratica, a causa del costo e dellingombro
elevato. Lutilizzo di questo circuito permette di ottenere la stessa risposta di un ltro RLC
utilizzando solamente componenti di tipo R e C oltre ad i componenti attivi.
Qui linduttanza è sostituita dalla parte di circuito delineata dal rettangolo.

Lamplicatore non invertente posto in alto a sinistra, è necessario per prelevare il
segnale in uscita senza alterare il funzionamento del circuito. Tale amplicatore ha
un guadagno in tensione dato da: 1 + R7 /R6 .
In modo analogo è possibile realizzare ltri passa-banda, passa alto, notch etc.
14.7 Filtri di Butterworth
14.7
375
Filtri di Butterworth
Nelle sezioni precedenti abbiamo incontrato ltri caratterizzati da funzioni di trasferimento con un singolo polo (ltri del primo ordine) e con un polo doppio (ltri del
secondo ordine). In generale, il numero dei poli nella funzione di trasferimento determina la rapidità dei fronti di discesa (o di salita, nel caso dei ltri passa-alto o
passa-banda) del ltro.
Una classe importante di ltri è quella di Butterworth. Questi sono caratterizzati
da funzioni di trasferimento il cui modulo quadro, per un ltro passa-basso di ordine
n, è dato da:
|Gn ()|2 =
[1 +
2n
cioè:
|Gn ()| =
[1 +
2n
]1/2
Andamenti tipici sono mostrati in gura 14.15, per valori dellordine n variabile tra
1 e 10. Notiamo che tutte le curve hanno la medesima attenuazione di 3 dB per
= 0 . Quando si riporta il guadagno in funzione di /0 si dice che si studia il
suo andamento in funzione della frequenza normalizzata.
Queste curve hanno le seguenti caratteristiche:
|Gn (0)|=1 per tutti gli n;
|Gn (0 )| = 1/ 2 0.707 per tutti gli n (cioè il guadagno diminuisce di 3 dB

per = 0 );
per 0 il guadagno scende con una pendenza di 6n dB/ottava, per un
ltro di ordine n;
le prime (n-1) derivate del modulo della funzione di trasferimento G() sono
nulle; ciò implica che la risposta nella banda passante è massimamente piatta,
cioè ha un massimo per = 0 e rimane allincirca costante no ad = 0 .
Si può facilmente vericare che un ltro è di Butterworth se i poli sono ottenibili
dividendo una circonferenza situata nel piano complesso, con centro nellorigine, in
un numero 2n (quindi pari) di punti distribuiti uniformemente.
Ovviamente essi dovranno essere disposti in modo simmetrico rispetto allasse
reale ed inoltre solo quelli situati nel semipiano sinistro potranno rappresentare poli
della funzione G(s). Ad esempio, per n=1 e per n=2 abbiamo le situazioni mostrate
nelle gure 14.16 ed 14.17.
Nel caso n=2 le radici s1 ed s2 (i poli della funzione G(s)) saranno:
s1 = (j 1)
s2 = (j + 1)
376
Butterworth response
|Gn()|
dB
3
0.1
log(/0)
Figura 14.15: Funzione di trasferimento normalizzata per ltri di Butterworth, per valori
dellordine n compreso tra 1 e 10. La curva inferiore è quella relativa ad n=1, la superiore ad
n=10. Le curve intermedie sono ottenute per valori di n compresi tra 2 e 9.
Il denominatore della G(s) sarà:

(s s1 )(s s2 ) = s2 + 2s + 22
Per cui:
G2 (s) =
(1/22 )
1
(1/22)

=
=
s2 + 2s + 22
s/22 + s/ + 1
(s2 /22 ) + 2s/ 2 + 1
La grandezza 0 , distanza delle radici dallorigine, è data da:

02 = 22
Cioè:
0 =
= 0 / 2
Introduciamo ora la variabile s , ottenuta da s normalizzandola ad 0 :
s = s/0 = s/ 2
14.7 Filtri di Butterworth
377
j
n=1
Figura 14.16: Rappresentazione dei poli di un ltro di Butterworth del primo ordine. Solamente il polo di sinistra pu`
o rappresentare un polo della funzione di trasferimento G(s), il polinomio
di Butterworth sar`
a quindi del tipo s + 1.
Con ciò lultima espressione scritta diventa:

G2 (s ) =
1/02
s2 + 2s + 1
Il denominatore di questespressione è il polinomio di Butterworth di ordine n=2

(B2 (s )).
grado del polinomio(n)

1
2
3
4
5
Bn (s)
s+1
s2 + 1.414s + 1
(s + 1)(s2 + s +1)
(s2 + 0.765s + 1)(s2 + 1.848s + 1)
(s + 1)(s2 + 0.618s + 1)(s2 + 1.618s + 1)
Come già visto, nel caso generale il modulo del polinomio di ordine n vale:

2n
|Bn (s)| = 1 +
0
Si denisce fattore di smorzamento la metà del coeciente di s in ciascuno dei
fattori quadratici che compaiono in tali espressioni. Ad esempio, per n=2 il fattore
378
n=2
Figura 14.17: Rappresentazione dei poli di un ltro di Butterworth del secondo ordine. Solamente i due poli di sinistra possono rappresentare un polo della funzione di trasferimento G(s),
sono inoltre complessi coniugati, quindi il polinomio di Butterworth corrispondente (normalizzato)
è di tipo s2 + 1.414s + 1.
di smorzamento vale 1.414/2 = 2/2 = 1/ 2 = 0.707. Per n=3 il fattore di

smorzamento è 0.5; per n=4 si hanno due fattori di smorzamento:
k1 =
0.765
= 0.383
2
1.848
= 0.924
2
Ricordando che si è posta la corrispondenza s s/0 , le funzioni di trasferimento
per n=1 e per n=2 possono essere scritte nella forma:
k2 =
P1 (s) =
P2 (s) =
1
s/0 + 1
)2
1
+ 2k(s/) + 1
(s/0
con k = 1/ 2.
Un semplice circuito RC, posto sullingresso non invertente di un operazionale
adoperato in congurazione non invertente, come mostrato in gura 14.18, realizza
un ltro di Butterworth di ordine 1.
Infatti abbiamo:
R1
v = vo
R1 + R2
14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine
379
R2
R1
V0
R
i
Vs
Figura 14.18: Semplice circuito che realizza un ltro di Butterworth del primo ordine.
Si ottiene ponendo un circuito RC allingresso di un amplicatore operazionale montato in
congurazione non invertente.
vs
R + 1/sC
vs
1
= Zc i =
sC R + 1/sC
i =
v+
e, poiche è v+ = v , otteniamo:
vo =
da cui:
G(s) =
vs
R1 + R2
R1 1 + sRC
Avo
1
vo
=
= Avo
vs
1 + sRC
1 + s/0
dove:
Avo =
R1 + R2
R1
è lamplicazione a bassa frequenza e:

1
RC
Abbiamo quindi un ltro di Butterworth di ordine 1, con una frequenza di taglio
(superiore) pari a 0 = 1/RC. Si può facilmente vedere che da tale ltro passa-basso
si può ottenere un ltro passa-alto invertendo i ruoli di R e C.
Poiche si può ottenere un ltro passa-alto a partire da uno passa-basso scambiando C ed R, è chiaro che sarà possibile ottenere un ltro passa-banda a partire
da due ltri di Butterworth. Il primo di questi potrebbe essere un ltro passa-alto
del secondo ordine, con una frequenza di taglio fmin ; il secondo un ltro passa-basso
del medesimo ordine, con una frequenza di taglio fmax > fmin .
0 =
14.8
Filtro di Butterworth del secondo ordine
Un ltro di Butterworth del secondo ordine può esser realizzato facendo uso dello
schema mostrato in gura 14.19. Questo è noto come schema di Sallen e Key.
380
R1
R2
U1
OPAMP
+
R3
-
Vi
C1
C2
R4
Vo
-
Figura 14.19: Congurazione circuitale nota come congurazione di Sallen-Key. Questo tipo
di circuito può essere utilizzato, con una opportuna scelta del valore dei componenti passivi, per
realizzare ltri passa-basso di Butterworth del secondo ordine.
Unamplicatore operazionale è montato in una congurazione non-invertente.
Il segnale presente in uscita è riportato tra le resistenze R1 ed R2 tramite il condensatore C1 .
Per studiare la risposta di questo circuito, facciamo uso del circuito equivalente
mostrato in gura 14.20, dove è Vx = V0 /A, con A = 1 + R4 /R3 .
X
A
Iy
Ii
C
V0
Ix
C
Ix
2
Vx
Vo
+
-
Figura 14.20: Circuito equivalente della congurazione di Sallen-key, in cui lamplicatore non
invertente viene sostituito da un amplicatore e da un generatore di tensione V0 con uscita pari a
quella dellamplicatore. Tale circuito equivalente è utilizzato per calcolare il valore dei componenti
passivi.
Si possono facilmente vericare le seguenti relazioni:

Ix = sC2 Vx = sC2
Iy =
Vy V0
1/sC1
V0
A
V0
(1 + sC2 R2 )
Vy = Vx + R2 Ix =
A

1 + sC2 R2
V0
1 = sC1 [1 A + sC2 R2 ]
= sC1 V0
A
A
14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine
381
Da cui segue:
Ii = Ix + Iy = s
V0
(C2 + C1 C1 A + sC1 C2 R2 ) =
A

V0
sC2 + sC1 (1 A) + s2 C1 C2 R2
A
La tensione dingresso Vi sarà allora:
=
Vi = R1 Ii + Vy =

V0
sR1 C2 + sR1 C1 (1 A) + s2 R1 R2 C1 C2 + 1 + sC2 R2
A

V0
1 + s2 R1 R2 C1 C2 + s (C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A))
A
La funzione di trasferimento è quindi:
=
G(s) =
A
V0
=
2
Vi
1 + s R1 R2 C1 C2 + s [C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)]
(14.17)
Confrontando questa con lequazione (14.2) vediamo che:

C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)
0
Q0
R1 R2 C1 C2
02
1
R1 R2 C1 C2
Da queste equazioni segue:
R1 R2 C1 C2
C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)
Q0 =
Se poniamo R1 = R2 = R e C1 = C2 = C otteniamo:
Q0 =
1
RC
=
2RC + RC(1 A)
3A
(14.18)
0 = 1/RC
Si può quindi scegliere il valore desiderato di Q0 con unopportuna scelta del valore
di A. La G(s) può esser espressa in termini delle variabili R, C ed A, come:
G(s) =
(RC)2 s2
A
+ RC(3 A)s + 1
(14.19)
Il guadagno a basse frequenze è ovviamente A.

interessante confrontare la risposta ottenuta con quella relativa al ltro LCR.
E
Le due sono uguali se è:
LC = (R0 C0 )2
RC = (R0 C0 )(3 A)
dove abbiamo indicato con le sottoscritte 0 i componenti relativi al circuito di
gura 14.19, e senza sottoscritte quelli relativi al circuito LCR.
382
Tali equazioni sono soddisfatte se è:

C0 = C
C0 R02 = L
R0 (3 A) = R
u possibile ripida la
Una scelta suggerita per il valore di Q0 è quella che rende il pi`
caduta al di sopra della frequenza di taglio superiore, senza determinare un picco.
Ciò si ottiene, come visto nel capitolo sulla rappresentazione graca delle funzioni
di trasferimento, per:
1
Q0 =
2
che nel nostro caso, come si vede facendo uso dellequazione (14.18), richiede:
A = 3
2 1.6
Un ltro che soddis tale condizione è un ltro di Butterworth (del secondo ordine).
Un esempio concreto di ltro di Butterworth si ottiene dal circuito di gura 14.19,
con la seguente scelta dei valori dei componenti:
R1 = R2 = 15k
C1 = C2 = 10nF
R3 = 47k
R4 = 27k
14.9
Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto

tra diversi tipi di ltro
Come accennato in precedenza, i parametri di un ltro che maggiormente interessano

sono:
(a) la piattezza della risposta allinterno della banda passante, e quindi lassenza
di ripple;
(b) la rapidità della transizione tra banda passante e banda bloccata, normalmente
espressa in dB/ottava;
(c) la nettezza del ginocchio tra la banda passante e linizio del fronte di transizione;
(d) la linearità della risposta in fase, essenziale per non avere distorsioni.
14.9 Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto tra diversi tipi di ltro
383
Il progetto di un ltro è sempre un compromesso tra queste esigenze, normalmente

in conitto tra loro. Il punto (b) è essenzialmente determinato dal numero di poli
della funzione di trasferimento.
I tipi di ltro comunemente adoperati sono, oltre a quello di Butterworth, quelli
noti come ltri di Bessel e di Chebyshev.
Ciascuno di questi è progettato per ottimizzare un parametro dierente tra quelli
elencati sopra. Il grado di ottimizzazione è poi determinato dal numero di poli e di
zeri della funzione di trasferimento, legati a loro volta alla complessità del circuito.
Un determinato tipo di ltro, caratterizzato da una certa funzione di trasferimento
e quindi da una certa risposta in frequenza, può esser realizzato sicamente in molti
modi diversi. Ad esempio, un ltro di Bessel del sesto ordine può esser realizzato in
un gran numero di modi dierenti, che portano però a risposte uguali.
Il circuito base di Sallen-Key, adoperato per illustrare il ltro di Butterworth
del secondo ordine, è alla base di ltri di vario tipo. Il circuito base per un ltro di
ordine 2 è mostrato in gura 14.19. Se poniamo:
R = R1 = R2
Rf = R4
R = R3
C = C1 = C2
I valori dei componenti per un ltro passa-basso possono essere calcolati attraverso
le relazioni:
k1
R =
Cf0
Rf = R1 k2
dove f0 è la frequenza di taglio e dove i valori di C e di R1 possono essere scelti
liberamente (ed esempio R1 =10k, C = 0.01F ) mentre le costanti k1 e k2 valgono:
k1 = 0.1251 ; k2 = 0.268 per un f iltro di Bessel
k1 = 0.1592 ; k2 = 0.586 per un f iltro di Butterworth
k1 = 0.1293 ; k2 = 0.842 per un f iltro di Chebyshev
Filtri di ordine pi`
u elevato possono essere ottenuti mettendo in serie pi`
u ltri di
ordine 2, con valori dei componenti passivi ottenibili da relazioni analoghe.
Il ltro di Butterworth, su cui abbiamo concentrato la nostra attenzione, è quello
che ha la massima piattezza di risposta allinterno della banda passante, ma un
ginocchio meno netto di quello di altri tipi di ltro ed una linearità di fase non
brillante. Gli altri tipi di ltro (vedasi per una discussione esauriente il libro di
Horowitz) hanno delle caratteristiche che ottimizzano luno o laltro dei parametri
menzionati, a spese della piattezza di risposta nella banda. Ad esempio, il ltro
di Bessel ha unottima linearità di fase, ma un ginocchio meno netto di quello
del ltro di Butterworth. Il ltro di Chebyshev ha un ginocchio ben netto, ma un
discreto ammontare di ripple nella banda passante ed una linearità di fase peggiore
di quella del ltro di Butterworth.
384
14.10
Filtri biquadratici ad amplicatore singolo
Esiste una classe di ltri basati sulluso di un singolo amplicatore operazionale

dove, nel circuito di reazione, è inserita unopportuna rete RC.
Anche se tali ltri sono limitati nelle prestazioni dalla banda passante e dallo
slew-rate delloperazionale, essi sono molto diusi, a causa della loro semplicità
consumo e costo. Sono noti in letteratura come SABs (Single Amplier Biquads).
Per comprendere il funzionamento di tali ltri, esaminiamo il circuito di gura 14.21, in cui una rete passiva RC è inserita nel circuito di feedback di un amplicatore avente guadagno A (teoricamente innito).
RC
Figura 14.21: Congurazione circuitale relativa al ltro biquadratico. Viene ottenuta inserendo
una opportuna rete RC nel circuito di reazione di un amplicatore operazionale.
Sia t(s) la funzione di trasferimento della rete RC:

t(s) =
va
vb
Questa può, al solito, essere espressa come un rapporto tra polinomi:

t(s) =
N(s)
D(s)
Le radici del polinomio a numeratore, cioè gli zeri di t(s), possono esser situati in un
qualsivoglia punto del piano complesso s, mentre le radici di D(s), cioè i poli di t(s)
debbono, per un circuito passivo RC, esser situati sullasse reale negativo ( < 0).
Vediamo ora come, con lintroduzione della rete RC nel circuito di feedback
dellamplicatore, i ruoli dei poli e degli zeri vengano ad essere scambiati, ci`
o che
potrà dar luogo, come desiderato, a poli complessi coniugati che, con unopportuna
scelta della rete, potranno esser situati nel semipiano sinistro.
Infatti, indicando con A il guadagno dellamplicatore, il guadagno a catena
aperta del sistema amplicatore operazionale-rete passiva è:
G(s) = At(s) = A
N(s)
D(s)
14.10 Filtri biquadratici ad amplicatore singolo
385
Essendo lamplicatore invertente, il guadagno a catena chiusa è dato da:

A
1 + At(s)
I poli di questa funzione sono gli zeri del denominatore. Se ora richiediamo che la
t(s) sia realizzata in modo tale che per determinati valori sp di s sia 1 + At(s) = 0,
cioè:
1
t(sp ) =
A
troviamo, con A :
N(sp )
=0
t(sp ) =
D(sp )
Vediamo cioè che i poli dellamplicatore con feedback sono gli zeri della funzione
di trasferimento della rete RC.
Se vogliamo che il ltro abbia coppie di poli complessi coniugati dobbiamo quindi partire da una rete RC che abbia coppie di zeri complessi coniugati. Un esempio di rete RC con tale proprietà è la rete a T di gura 14.22(a), o anche quella
complementare, mostrata nella parte (b) della medesima gura.
C
ir
a
ir
i1
(b)
(a)
Figura 14.22: Reti RC poste nel circuito di feedback di amplicatori invertenti hanno la caratteristica che i poli relativi alla rete diventano gli zeri della funzione di guadagno dellamplicatore
` quindi necessario scegliere reti RC che abbiano coppie di zeri complessi coniugati, quali
stesso. E
la rete a T in (a) o quella complementare mostrata in (b).
Esaminiamo la funzione di trasferimento della rete (a).

Immaginiamo che il nodo a sia aperto e che nel nodo b sia applicato un segnale
di tensione vb . In tali condizioni, la corrente ir in R3 è uguale in modulo a quella
che attraversa C2 . Avremo allora:
i = i1 + ir
e, indicando con x il nodo comune alla resistenza R4 ed ai condensatori C1 e C2 :
vx = vb
i1
ir
= va
= R4 i
sC1
sC2
386
Da questa otteniamo le equazioni:

vb
i1
= R4 (i1 + ir )
sC1
(14.20)
va
ir
= R4 (i1 + ir )
sC2
(14.21)
` inoltre:
E
va = vb R3 ir
(14.22)
da cui:
vb va
R3
Sostituendo questa nelle (14.20) e (14.21), si ottiene:

vb va
1
vb i1 R4 +
= R4
sC1
R3

vb va
1
va R4 i1 = R4 +
sC2
R3
ir =
(14.23)
(14.24)
(14.25)
Ricaviamo ora i1 dalla (14.25) e sostituiamo nella (14.24):

vb va
va
1
i1 =
1+
R4
sC2 R4
R3

va
vb va
1
1
R4
1
vb R4 +
+ R4 +
=
(vb va )
1+
sC1 R4
sC1
sC2 R4
R3
R3
Da questultima equazione si ottiene poi, con facili passaggi, la relazione cercata tra
vb e va :
s2 C1 C2 R3 R4 + s(C1 R4 + C2 R4 ) + 1
va
= 2
vb
s C1 C2 R3 R4 + s[C2 R3 + (C1 + C2 )R4 ] + 1
Dividendo inne numeratore e denominatore per C1 C2 R3 R4 , otteniamo:

1
1
1
2
s
+
s
+
+ C1 C21R3 R4
C1
C2
R3
va

t(s) =
=
1
1
vb
s2 + s
+ 1 1 + 1 +
C1
C2
R3
C1 R4
C1 C2 R3 R4
I poli del ltro attivo avente la rete RC di gura 14.22(a) nel circuito di feedback corrispondono agli zeri del numeratore in tale espressione. Confrontando tale
numeratore con la forma tipica di un ltro di ordine 2:
s2 + s
0
+ 02
Q0
otteniamo la corrispondenza2 :
2`
E opportuno richiamare lattenzione sul fatto che la rete passiva di gura 14.22(a) ha il medesimo valore di 0 = C C1 R R caratteristico del ltro attivo, ma un diverso valore di Q0 . Infatti
1 2 3 4
Q0 è determinato dal coeciente che moltiplica il termine lineare in s nel denominatore della t(s),
0
= ( C11 + C12 ) R13 + C11R4 .
attraverso la relazione: Q
0
02 =

Q0 =
387
1
C1 C2 R3 R4
R3 C1 C2
1
R4 C1 + C2
I valori delle capacità e delle resistenze possono quindi essere scelti, facendo uso
di tali relazioni, in modo da realizzare il tipo di ltro desiderato.
` spesso conveniente, per comodità, scegliere due condensatori di uguale capaE
cità:
C1 = C2 = C
Con ciò le espressioni precedenti divengono:
0 =
1
C R3 R4
1
Q0 =
2
R3
R4
Vediamo da tali espressioni che la frequenza angolare 0 è determinata, oltre che

da C, dal prodotto delle due resistenze, mentre il valore di Q0 , indipendente dalla
capacità C, è determinato dal loro rapporto.
La quantità 0 /Q0 , legata alla larghezza di banda, è poi data da:
2
0
=
Q0
CR3
14.10.1
Implementazione dei diversi tipi di ltri biquad
Nella precedente sezione abbiamo discusso in termini del tutto generali, il problema
della realizzazione di un sistema di ordine 2 che abbia due poli complessi coniugati,
adatti alla costruzione di ltri attivi. Dobbiamo ora discutere il modo in cui il
circuito dovrà concretamente esser costruito, allo scopo di ottenere, a seconda dei
casi, ltri passa-basso, passa-banda etc.
A seconda del tipo di ltro che vogliamo realizzare, dovremo immettere il segnale
dingresso in un diverso punto del circuito. Nel farlo teniamo presente che il generatore del segnale da ltrare sarà con molta probabilità un generatore di tensione, la
cui impedenza duscita, nel caso di un generatore ideale, è nulla. Ciò è importante,
poiche questo vuol dire che linserimento del generatore in corrispondenza ad uno
dei punti di massa non altera i poli e gli zeri del sistema rispetto a quelli calcolati in
precedenza. In gura 14.23 il punto a della rete passiva di gura 14.22 è collegato
allingresso invertente delloperazionale (impedenza innita) mentre il punto b è
collegato alluscita (impedenza quasi nulla). Con ciò i poli e gli zeri della rete
passiva non vengono alterati. Possiamo quindi, con tale struttura, ottenere un ltro
attivo.
La funzione di trasferimento di tale ltro è il reciproco di quella del ltro passivo
analizzato. Essa è data da:
388

R
v0
+
Figura 14.23: Filtri di tipo diverso dal passa-basso possono essere ottenuti dalle congurazioni
circuitali mostrate in precedenza iniettando il segnale in punti diversi del circuito. In gura il
segnale viene iniettato sullingresso non invertente dellamplicatore operazionale, ottenendo un
ltro passa-banda.
s2 + s
G(s) =
1
C1
s2 + s
1
C2
1
C1
1
R3
1
C2
1
C1 R4
1
R3

+
1
C1 C2 R3 R4
1
C1 C2 R3 R4
Confrontando il denominatore di questa espressione con la funzione quadratica

caratteristica di un ltro di ordine 2:
s2 + s
0
+ 02
Q0
si ha, come sopra:

1
C1 C2 R3 R4

1
1
C1 C2 R3 R4 1
Q0 =
+
R3
C1 C2
02 =
e, ponendo C C1 = C2 :
1
C 2 R3 R4

1 R3
Q0 =
2 R4
02 =
Con i valori di C, R3 ed R4 mostrati in gura 14.24, si trova:

02 = 5.508 107
Q0 = 8.2
0
= 905
Q0
389
R3
270k
C2
C1
out
8.2n
8.2n
R 4 1000
200mV PP
Figura 14.24: Esempio di ltro passa-banda biquadratico con denito il valore dei componenti.
Si ottiene un ltro con picco a 1181 Hz e larghezza di banda di 144 Hz.
Cioè:
0
= 1181 Hz
2
La funzione di trasferimento acquisterà la forma:
f0 =
G(s) =
s2 + 1.228 105 s + 5.508 107

s2 + 905 s + 5.508 107
Vediamo che si tratta di un ltro passa-banda (con la risposta che tende ad 1 per
s 0 e per s , e con un picco attorno a 1181 Hz). La larghezza di banda è:
f = 0 /(2Q0 ) = 144 Hz.
Il risultato della simulazione di tale ltro, facendo uso di microcap è mostrato
in gura 14.25. Da unanalisi dei graci si vede che la fase passa da circa +80o a
80o quando si attraversa il valore f0 , in corrispondenza al quale si ha un picco nel
modulo della risposta.
Un collegamento alternativo, che realizza ancora una volta un ltro passa-banda,
Calcoliamo, facendo uso dei simboli per tensioni e correnti indicati nella gura,
la funzione di trasferimento di tale circuito.
Ricordando che è v = v+ = 0 abbiamo:
vx = vi rii = RiR
dove:
iR = ii i0
Per cui:
vx = Rii Ri0
(14.26)
390
100.0
50.0
0.0
-50.0
-100.0
45.0
400
1K
Fase (gradi)
Frequenza (Hz)
400
Guadagno (dB)
1K
2K
2.5K
2K
2.5K
2K
2.5K
30.0
15.0
Frequenza (Hz)
150.0
100.0
50.0
0.0
400
1K
Guadagno (scala lineare)
Frequenza (Hz)
Figura 14.25: Risultato della simulazione del ltro reale biquadratico descritto nel testo.
Graco in alto: sfasamento delluscita rispetto allingresso, graco centrale: guadagno espresso
in Decibel, graco in basso: guadagno espresso in scala lineare, il tutto in funzione della frequenza.
R
i2
C
vi
i2
ii
i2
i2-i0
iR=ii-i0
i0
V
0
Figura 14.26: Esempio di congurazione alternativa, in cui il segnale viene iniettato tramite
una resistenza nel punto di congiunzione dei due condensatori in parallelo.
da cui:
i0 = ii
ii
vi
vi
r
+ r = ii (1 + )
R
R
R
R
(14.27)

` poi anche:
E
vx =
391
i2
i2 i0
=
+ v0
sC2
sC1
(14.28)
nonche:
v0 = R3 i2
v0
i2 =
R3
(14.29)
(14.30)
Dalle equazioni (14.26) e (14.28) si ottiene:

i2
= vi rii
sC2
(14.31)
Sostituendo in questa ad i2 lespressione ottenuta dalla (14.30), otteniamo poi:
v0
= vi rii
sC2 R3
(14.32)
Dalle (14.28) e (14.26) si ha poi:

v0 +
cioè:
v0 +
da cui:

v0 1 +
i0
i2
= Rii Ri0
sC1 sC1
i0
v0
+
= Rii Ri0
sC1 sC1 R3
1
sC1 R3

= Rii i0
1
R+
sC1
Sostituendo in questa, ad i0 lespressione (14.27), si ottiene:

1
1
vi
r
1
v0 1 +
= Rii R +
ii 1 +
+ R+
sC1 R3
sC1
R
sC1 R
dove, come segue dalla (14.32):
ii =
v0
vi
+
r
sC2 R3 r
Si ottiene quindi:
R
Rv0
1 + sC1 R3
= vi +
sC1 R3
r
sC2 R3 r
sRC1 + 1
r vi sRC1 + 1
r v0
1+
1+
+
sC1
R r
sC1
R sC2 R2 r
sRC1 + 1 vi
+
sC1 R
Questa equazione fornisce la relazione cercata tra vi e v0 . Si trova:
v0
G(s) =
v0
s/rC1
= 2
C1 +C2 1
vi
s + 2s C C R +
1
r+R
C1 C2 rRR3
(14.33)
392
Se le resistenze r ed R sono ottenute dalla divisione di ununica resistenza R4 in

due elementi in parallelo:
R4
R=
1
R4
r=
si ottiene:
s/C1 R4

G(s) =
1
1
4
s + 2s C1 + C2 R13 + C1 C21R3 R4
14.11
Filtri attivi a retroazione multipla
I ltri che abbiamo n qui esaminato fanno uso di una rete RC o CR allingresso non
invertente di un amplicatore e di una ulteriore rete CR o RC allingresso invertente.
In questultima uno degli elementi passivi è collegato alluscita dellamplicatore,
fornendo in tal modo un feedback.
I ltri a retroazione multipla utilizzano due feedback separati ed un amplicatore
invertente. Un esempio di ltro passa-basso a retroazione multipla è mostrato in
gura 14.27.
3.3M
R3
C2
47n
1.5M
1.2M
R1
Vi
R2
C1
220n
v0
Figura 14.27: Esempio di congurazione circuitale relativa ad un ltro a retroazione multipla.

Si notino gli elementi R3 e C2 che determinano la retroazione.
Per ottenere la funzione di trasduzione di questo circuito, applichiamo il teorema

di Kircho al nodo indicato con A.
vA
vA
vi vA vo vA
+
= 0
R1
R3
ZC1
R2
Dove si è fatto uso della condizione v+ = v = 0. Da questa si ottiene:

1
1
1
vo
vi
+
+
+ sC1 =
+
vA
R1 R2 R3
R1 R3
14.12 Filtri notch
393
Applicando la medesima equazione di Kircho al nodo B (ingresso invertente dellA.O.), troviamo:

vA = sC2 R2 vo
Da queste equazioni si trova poi:
vo
vi
=
sC2 R2 vo
R3
R1
1
1
1
+
+
+ sC1
R1 R2 R3
Av =
vo
1
=
vi
R1
Av =
1

[C1 C2 R1 R2 ] s2 + s C11 R11 +
1
R3
sC2 R2 ( R11
1
R2
1
R2
1
)
R3
1
R3
+ s2 C1 C2 R2
1
C1 C2 R2 R3
Dal confronto di questa con la funzione caratteristica del ltro passa-basso:

A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02
si trova:
0 =
0
1
=
Q0
C1
1
C1 C2 R2 R3
1
1
1
+
+
R1 R2 R3
Da queste si ottiene poi:

1
=
Q0
C2
C1
R2
+
R3
A0 =
R3
+
R2
R2 R3
R1
R3
R1
Vediamo che il guadagno alle basse frequenze è quello di un amplicatore invertente

realizzato con le sole resistenze R1 ed R3 . La pulsazione di taglio 0 non dipende
invece dalla resistenza R1 .
La gura 14.28 mostra landamento del guadagno di un tale circuito in funzione
della frequenza, con la seguente scelta del valore dei componenti: R1 = 1.5M,
R2 = 1.2M, R3 = 3.3M, C1 = 47nF e per valori di C2 variabili tra 22 nF (curva
1) e 220 nF (curva 11). A tale scelta di valori corrispondono valori di 0 e Q0 che
variano tra gli estremi dati da:
per C1 = 22 nF 0 16 Hz , Q0 0.19
per C1 = 220 nF 0 5 Hz , Q0 0.61
394

2.0
G(f)
1.6
(1)
1.2
0.8
(11)
0.4
100
10
1K
Frequenza (Hz)
Figura 14.28: Andamento del guadagno del ltro passa-basso a retroazione multipla descritto
nel testo. Le curve sono ottenute variando linearmente il valore di C1 da 22 nF (curva 1) a 220 nF
(curva 11).
Vout
V
C
R/2
2C
Figura 14.29: Congurazione circuitale relativa al ltro notch, ossia un tipo di ltro eliminabanda molto stretto. Questa particolare congurazione, puramente passiva, si basa sul circuito RC
a doppia T.
14.12 Filtri notch
14.12
395
Filtri notch
Spesso è necessario realizzare dei ltri che eliminino segnale compresi in un intervallo
di frequenze molto stretto. Questi sono noti come ltri notch.
Lidea su cui il pi`
u noto dei ltri di questo tipo è basata, è quella del circuito
RC a doppia T, mostrato in gura 14.29.
Si può vedere che questo circuito taglia le frequenze corrispondenti alla risonanza:
f0 =
1
2RC
In corrispondenza a tale frequenza il ramo superiore A-X-B e quello inferiore A-Y-B

introducono sfasamenti uguali ed opposti. Ne segue che in B il segnale risultante
si annulla. Ciò è mostrato in gura 14.30. I diagrammi di Bode per il modulo
(graco superiore) e la fase (graco inferiore) della funzione di trasferimento di tale
circuito confermano quanto asserito. Come si vede, il diagramma di Bode per il
modulo ha una brusca caduta (intaglio o notch) alla frequenza di risonanza. In
corrispondenza a tale frequenza la fase subisce unimprovvisa variazione di +.
0.0
-75.0
-150.0
1K
2K
frequenza (Hz)
160.0
-40.0
-240.0
1K
2K
frequenza (Hz)
Figura 14.30: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch passivo descritto nel testo. Graco
in alto: guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della frequenza.
Il circuito mostrato nella gura 14.31 è una implementazione di tale ltro con
lausilio di un amplicatore operazionale.
G(s) =
Av (s2 + 02)
s2 + Q00 s + 02
396
2C
Vout
Vin
C
R/2
Ra
Rb
Figura 14.31: Implementazione del ltro notch con lausilio di un amplicatore operazionale.
con:
Av = 1 +
0 =
Q0 =
Rb
Ra
1
RC
1
2(2 Av )
Il Q0 del sistema è determinato dal guadagno Av dellamplicatore. Notiamo che

Av deve essere minore di 2 se si vuole un circuito stabile.
La gura 14.32 mostra un esempio di plot di Bode (modulo e fase) per tale
circuito.
In tale esempio i valori dei componenti sono tali che RC = 1000, Av = 0.5, e
quindi: f0 = 159 Hz e Q0 = 0.333.
Filtri notch sono disponibili in commercio nella forma di moduli pronti alluso,
con frequenze che vanno da 1 Hz a 50 kHz, con profondità del notch di circa 60 dB.
Un ltro notch, regolabile su di un intervallo di frequenze pi`
u ampio di quello
del ltro a T, è quello ([14]) mostrato in gura 14.33.
Per questo circuito la frequenza di risonanza è:
f0 =
2C 3R1 R2
con:
R1 = R1A + R1B
ed:
R6 = 6(R1 + R2 )
Una tipica funzione di trasferimento di questo circuito è mostrata in gura 14.34.
14.12 Filtri notch
397
20.0
-30.0
-80.0
100
800
frequenza (Hz)
100.0
-150.0
-400.0
100
800
frequenza (Hz)
Figura 14.32: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch basato su amplicatore operazionale
descritto nel testo. Graco in alto: guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della
frequenza.
R3
Vin
C3
C2
C1
R1A
X1
Vout
R2
PINA
PINC
PINB
Figura 14.33: Esempio di congurazione circuitale che implementa un ltro Notch facente
ricorso ad una rete RC e ad un follower basato su operazionale. Si noti che questo genere di
circuito può essere utilizzato in scale di frequenze molto pi`
u elevate del circuito Notch a doppio T.
398
0.0
-50.0
-100.0
200K
600K
frequenza (Hz)
100.0
-150.0
-400.0
200K
600K
frequenza (Hz)
Figura 14.34: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch descritto nel testo. Graco in alto:
guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della frequenza.
14.13
Filtri a condensatori commutati
Negli ultimi anni hanno avuto larga diusione ltri in cui le resistenze sono sostituite
da condensatori che vengono, con lapplicazione di opportuni impulsi, rapidamente
caricati e scaricati. Questi sono noti come Switched-Capacitor Filters (Filtri a condensatori commutati). Esistono vari motivi per tale scelta. Un primo motivo, di
ordine pratico, è nel fatto che nella realizzazione di un ltro sotto forma di circuito
integrato è opportuno limitare luso di resistenze che, oltre ad essere poco precise,
facile invece, come vedremo tra poco,
occupano sul chip uno spazio notevole. E
simulare una resistenza mediante un condensatore commutato.
Un secondo motivo di tale scelta è nel fatto che un ltro a condensatori commutati può, modicando semplicemente la frequenza degli impulsi di clock che caricano
e scaricano il condensatore, fornire la frequenza di taglio 0 desiderata, senza alcuna
modica degli elementi passivi presenti.
Per capire come un condensatore commutato possa simulare una resistenza, si
consideri il circuito di gura 14.35
Gli interruttori S1 ed S2 (implementati con transistor FET sul chip) sono complementari: quando S1 è chiuso, S2 è aperto e viceversa. Con S1 chiuso la tensione (variabile) presente allingresso Vi carica il condensatore C. La carica del
condensatore è:
q = Vi C
tale carica si accumula nel tempo T/2 durante il quale S1 è chiuso. Nel successivo
14.13 Filtri a condensatori commutati
399
in
I
S1
out
S2
Vi
Figura 14.35: Congurazione circuitale a condensatori commutati. Gli interruttori sono supposti essere complementari: quando uno è aperto laltro è chiuso e viceversa ed il loro comando
avviene tramite un segnale esterno di frequenza nota fc k.
intervallo T/2, S1 è aperto, S2 chiuso ed il condensatore si scarica. La corrente
media nel tempo T sarà quindi:
I = I out = I in =
q
Vi C
=
= Vi C fck
T
T
con: fck = 1/T .

La resistenza equivalente vista dalla sorgente Vin è allora:
R =
1
Vi
=
Cfck
I
Vediamo quindi che R è una funzione di C e di fck . Fissato C, la resistenza può

esser modicata semplicemente modicando la frequenza fck .
u lunghi di
Notiamo che le variazioni di Vin debbono avvenire in tempi molto pi`
T. Nella pratica, se fmax è la massima frequenza contenuta in Vin , si sceglie valori
di fck compresi tra 50 e 100 volte fmax .
Un esempio delluso di un condensatore commutato per realizzare un integratore
è mostrato nella gura 14.36.
Linvertitore D1 ha lo scopo di chiudere S2 quando il segnale di clock apre S1 .
La resistenza associata al condensatore commutato C1 è, come visto:
R =
1
C1 f
dove f è la frequenza del clock.

Il segnale in uscita sarà quindi:
Vout
1
=
RC2
C1
Vin dt = f
C2

Vin dt
Vediamo che la costante che moltiplica lintegrale di Vin dipende dalla frequenza e
dal rapporto delle capacit`
a. Ciò è un importante vantaggio rispetto allutilizzo di un
400

C2
in
I
S1
S2
out
D1
Vout
Clock
Vin
C1
Figura 14.36: Esempio di circuito integratore ottenuto utilizzando una congurazione a condensatore commutato. Linvertitore D1 ha lo scopo di chiudere S2 quando S1 è aperto. Questo
circuito presenta il vantaggio che la costante di integrazione è proporzionale alla frequenza del
clock di commutazione, e quindi risulta molto semplice adattare il circuito alle varie esigenze senza
dover cambiare i valori dei componenti passivi.
integratore che utilizza una resistenza ed una capacità poiche, mentre non è facile
realizzare in un integrato un condensatore (o una resistenza) preciso e stabile, è
molto pi`
u agevole realizzare due capacità il cui rapporto lo sia. Il risultato di ciò
è che sono disponibili in commercio ltri a condensatori commutati il cui costo è
molto inferiore a quello di ltri convenzionali.
Un secondo vantaggio dei ltri di questo tipo è, come accennato, nel fatto che essi
consentono di regolare la frequenza di taglio (quella superiore in ltri passa-basso,
quella inferiore in ltri passa-alto etc), con la semplice modica della frequenza f del
segnale di clock. Infatti, come visto, tale modica equivale a cambiare la resistenza
equivalente R e quindi la costante che moltiplica lintegrale di Vin .
Filtri a condensatori commutati sono disponibili in commercio sia in versioni dedicate, in cui la congurazione (passa-basso, passa-alto, passa-banda etc.) è ssata,
che in versioni universali, che possono essere adattate a realizzare il ltro che si
desidera aggiungendo esternamente i componenti opportuni.
Un problema che è presente nei ltri a condensatori commutati è linuenza del
segnale di clock su quello in uscita. Ammettiamo ad esempio di voler realizzare un
ltro passa-basso, con una frequenza di taglio superiore di 1 kHz e di utilizzare un
ltro a condensatori commutati con una frequenza di clock di 100 kHz. Se il segnale
che si vuol ltrare ha componenti di Fourier nella zona 99-101 kHz, osserveremo
alluscita del ltro un segnale spurio, non attenuato, con frequenze inferiori ad 1 kHz.
A tale fenomeno si da il nome di aliasing.
Capitolo 15
Il feedback negli amplicatori

Il concetto di reazione (o feedback) trova applicazione non solo in elettronica, ma
anche nella modellizzazione di sistemi meccanici e biologici. Per reazione o si intende
genericamente un meccanismo in cui la risposta del sistema ad uno stimolo esterno
viene riutilizzata per modicare o correggere il comportamento del sistema stesso.
Il concetto di feedback trova perciò applicazione in molte discipline: in biologia,
dal momento che tutti gli esseri viventi adottano meccanismi di questo tipo per
controllare il proprio movimento, o nella meccanica (si pensi ad esempio ai sistemi
di frenamento ABS).
Il feedback in elettronica è stato usato per la prima volta nel 1928 da Harold
Black, un ingegnere della Western Electric Company, per la realizzazione di amplicatori a guadagno stabile nei ripetitori telefonici. Da allora questa tecnica ha
conosciuto uno sviluppo cos` vasto che oggi è quasi impossibile progettare un circuito
elettronico che sia privo di qualche forma di feedback.
Il feedback può essere negativo (degenerativo) o positivo (rigenerativo). Il feedback negativo (cui faremo pi`
u frequente riferimento nel corso di questo capitolo)
viene normalmente impiegato nel disegno di amplicatori per ottenere una o pi`
u
delle seguenti proprietà:
stabilizzazione del guadagno rispetto a variazioni nel valore dei componenti
circuitali (causate ad esempio da variazioni di temperatura);
miglioramento della linearità;
riduzione dei disturbi;
ottimizzazione delle impedenze di ingresso e di uscita;
estensione della banda passante.
Tutte le proprietà elencate sono ottenute a scapito di una riduzione del guadagno.
Si mostrerà nel seguito che il fattore di riduzione del guadagno è pari al fattore
di desensibilizzazione del medesimo, allaumento dellimpedenza di ingresso di un
amplicatore di tensione, allestensione della banda passante, etc.
Numerosi esempi di feedback negativo sono già stati esaminati nel corso dei
capitoli precedenti. Tutti i circuiti lineari con amplicatori operazionali utilizzano
un feedback negativo. Unaltra applicazione consiste nelluso di una resistenza RE
401
402
Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori
sul ramo dellemettitore di un amplicatore a transistor per stabilizzarne il punto

di lavoro, aumentarne limpedenza di ingresso ed estenderne la banda passante.
Sotto particolari condizioni (condizione di Barkhausen) il feedback negativo può
diventare positivo ed avere unampiezza tale da indurre oscillazioni; ma questo sarà
argomento del prossimo capitolo. In questo limiteremo la nostra attenzione alle
condizioni di stabilità degli amplicatori con feedback negativo.
15.1
Struttura generale del feedback
La struttura di un amplicatore con feedback può essere schematizzata come in gura 15.1, dove ognuna delle grandezze indicate con x può rappresentare una tensione
o una corrente. La sua uscita xo è dunque legata al suo ingresso xi dalla relazione
Segnale dingresso
x
s
Mixer
+
Segnale derrore
x = x x
i
Segnale di feedback
x =x
f
Amplificatore
base
Segnale duscita
x = Ax
o
Carico
Rete di
Feedback
Figura 15.1: Rappresentazione schematica di amplicatore con feedback a singolo loop.

xo = Axi ,
(15.1)
dove A è il guadagno dellamplicatore a circuito aperto (open-loop gain, che è

in generale una funzione complessa della frequenza). Luscita viene inviata simultaneamente al carico esterno e alla rete di feedback che restituisce un segnale xf
allingresso dellamplicatore. Detta quantità è legata alluscita xo dal fattore di
feedback ,
(15.2)
xf = xo ,
Il segnale xf viene quindi sottratto al segnale della sorgente xs , che costituisce
lingresso dellamplicatore completo, per produrre il segnale xi , che fornisce invece
lingresso dellamplicatore di base; quindi
xi = xs xf .
(15.3)
Vale la pena di osservare che è proprio il segno meno nellultima equazione a rendere
il feedback negativo, poiche ha leetto di ridurre lampiezza del segnale fornito
allingresso dellamplicatore base, e che la riduzione è tanto pi`
u signicativa quanto
maggiore è lampiezza del segnale di uscita1 .
1
Le considerazioni n qui esposte valgono nellipotesi che il il segnale di input venga trasmesso
alluscita solo attraverso lamplicatore A e non attraverso la rete di feedback e che, al contrario,
15.2 Altre propriet`

a del feedback negativo
403
Il guadagno complessivo Af dellamplicatore può essere ottenuto combinando

le precedenti espressioni; risulta allora
Af =
xo
A
=
xs
1 + A
(15.4)
Perche il feedback sia negativo, occorre che, nel caso in cui il termine A sia reale,
esso sia anche positivo, ovvero che il segnale di feedback xf abbia lo stesso segno
del segnale di sorgente xs , da cui si ottiene una riduzione del segnale xi . Pi`
u in
generale, il feedback è negativo se il modulo del guadagno complessivo |Af | è minore
del guadagno a circuito aperto |A|, ciò che, come risulta dalla (15.4), si verica se il
fattore 1 + A eccede in modulo lunità.
Nel caso in cui |A| 1, dallequazione.(15.4) segue che Af 1/, cioè il
guadagno è determinato completamente dalla rete di feedback. Siccome questa consiste solitamente di componenti passivi, che possono essere scelti con grande accuratezza, si può ottenere un guadagno accurato, stabile, facilmente predicibile e pressoche indipendente dal guadagno dellamplicatore base (che al contrario dipende
da molti parametri ed è aetto da incertezze ben maggiori). Un esempio di questa
proprietà del feedback è già stata evidenziata nel capitolo 12 a proposito dei circuiti
con amplicatori operazionali, dove il guadagno è determinato esclusivamente dagli
elementi della rete di feedback.
Le equazioni dalla (15.1) alla (15.3) possono essere ulteriormente combinate per
ottenere la seguente espressione per il segnale di feedback
xf =
A
xs
1 + A
(15.5)
Da qui, come nel caso precedente, nel limite A 1, risulta xf xs , ovvero il

segnale fornito dal feedback è una replica del segnale della sorgente. In termini
equivalenti, il segnale xi allingresso dellamplicatore, solitamente noto come segnale di errore, ha ampiezza pressoche nulla. Anche questo risultato riproduce una
caratteristica il principio del corto virtuale tra i terminali di ingresso di un
amplicatore operazionale con feedback negativo già emersa nel capitolo 12.
15.2
Altre propriet`
Analizziamo in maggior dettaglio le proprietà salienti del feedback negativo, già

elencate nellintroduzione.
15.2.1
Stabilizzazione del guadagno
Abbiamo già visto che, nel limite A 1, il guadagno tende ad essere asintoticamente indipendente dal guadagno A dellamplicatore. Questo risultato può essere
ottenuto analiticamente come segue.
il segnale di feedback venga trasmesso allingresso solo da questultima e non dallamplicatore.
` inoltre implicita lipotesi che il fattore di feedback sia indipendente dalle impedenze della
E
sorgente e del carico.
404
Assumiamo che lamplicazione a circuito aperto subisca una variazione A;

dierenziando la (15.4), si ottiene
A
(1 + A)2
(15.6)
1 A
Af
=
Af
1 + A A
(15.7)
Af =
da cui, dividendo per la (15.4), risulta
Nel caso di feedback negativo (in cui, come già detto, 1 + A > 1), la variazione
relativa di Af è quindi minore della variazione relativa di A di un fattore pari a
1 + A (che per questo motivo è noto come anche come fattore di desensibilizzazione
del guadagno).
Un esempio gi`
a noto
Un amplicatore operazionale in congurazione non-invertente (vedi gura 12.7) fornisce unimplementazione diretta di feedback negativo, ove si identichi il partitore
costituito dalle resistenze R1 ed R2 come ramo di feedback.
La tensione allingresso invertente è, se si assume impedenza di ingresso innita,
V = R1 /(R1 + R2 )Vo , per cui il fattore di feedback risulta pari a = R1 /(R1 + R2 ).
Per ssare le idee, assumiamo A = 104 e R2 /R1 = 9, cosicche = 0.1. Allora
A 1 e la (15.4) si riduce a
Af
R2
1
=1+
= 10
R1
(15.8)
che, coincide con la lespressione ottenuta nel capitolo 12, luguaglianza essendo
` facile vedere che anche lipotesi del corto
vericata a meno di una parte in 104 . E
virtuale è vericata a meno di una parte in 103 , essendo V+ V 1/A.
Per quanto concerne invece la stabilità del guadagno, con i parametri in gioco si
può vericare che anche una variazione del 50% dellamplicazione delloperazionale
avrebbe eetti trascurabili sul guadagno complessivo, dal momento che Af /Af
A/A 1/A = 0.05%.
15.2.2
Risposta in frequenza di un amplicatore
Si consideri un amplicatore la cui risposta sia caratterizzata da una funzione di

trasferimento con un singolo polo, della forma
A(s) =
A0
1 + s/H
(15.9)
dove A0 indica il guadagno a centro-banda ed H la pulsazione di taglio superiore.

Applicando un feedback negativo, con un fattore indipendente dalla frequenza, si
ottiene un guadagno
Af (s) =
A0 /(1 + A0 )
A0f
A(s)
=
=
1 + A(s)
1 + s/[H (1 + A0 )]
1 + s/Hf
(15.10)
15.2 Altre propriet`

405
con A0f = A0 /(1 + A0 ) e Hf = H (1 + A0 ). Confrontando le ultime due

espressioni osserviamo che il guadagno a centro-banda si è ridotto del solito fattore
1 + A0 e che la pulsazione di taglio è ora maggiore di quella in assenza di feedback
dello stesso fattore2 . La banda passante si è pertanto allargata dello stesso fattore,
cosicche il prodotto dellamplicazione a centro-banda e della larghezza della banda
rimane costante; infatti
(15.11)
A0 H = A0f Hf
Leetto del feedback negativo sulla banda passante risulta evidente dalla gura 15.2, dove sono rappresentati i diagrammi di Bode per lampiezza dellamplicazione
in assenza e con la reazione per un amplicatore a singolo polo. A bassa frequenza
( H ) la loro risposta è costante e scala secondo la (15.10). Nel limite di alta frequenza ( H ) invece entrambe i diagrammi seguono lo stesso andamento
asintotico con una pendenza di 6 dB/ottava.
Figura 15.2: Diagramma di Bode (linea continua) per la funzione di risposta di un amplicatore
in assenza ed in presenza di feedback negativo con fattore di feedback |1 + A0 | = 5 (-14 dB). Per
confronto sono riportati gli andamenti asintotici a bassa ed alta frequenza (linea tratteggiata).
In conclusione, lallargamento della banda passante mediante luso di una reazione

negativa può avvenire a costo di una riduzione del guadagno del medesimo fattore.
Per questo motivo si è soliti esprimere la bontà di un amplicatore fornendo il
prodotto del guadagno per la banda passante (gain-bandwidth product).
2
Analoghe considerazioni possono essere svolte nel caso di un amplicatore la cui risposta abbia
uno zero del primo ordine e dunque un taglio a bassa frequenza. Si pu`
o vericare facilmente che in
tal caso la frequenza si riduce dello stesso fattore, estendendo la banda passante in misura analoga.
406
15.3
Le topologie di feedback negli amplicatori
In base alla quantità da amplicare (tensione o corrente) e sulla forma di uscita

desiderata, gli amplicatori possono essere suddivisi in quattro categorie. Nessuna di
queste ha le caratteristiche degli amplicatori ideali. Tuttavia, come si mostrerà nel
prossimo paragrafo, lintroduzione di appropriate topologie di feedback a ciascuno di
questi amplicatori può modicarne signicativamente la risposta, cos` da renderne
il comportamento pi`
u aderente a quello di un amplicatore ideale.
Prima di ciò, ecco una breve rassegna dei quattro tipi fondamentali di amplicatore adoperati nei circuiti elettronici. Le loro caratteristiche sono riassunte nella
tabella 15.1.
Parametro
Ri
Ro
Risposta
Tensione
0
Vo = Av Vs
Tipo di amplicatore
Corrente Transconduttanza
0
Io = Ai Is
IL = GM Vs
Transresistenza
0
0
Vo = RM Is
Tabella 15.1: Caratteristiche ideali dei quattro tipi di amplicatore.
15.3.1
Classicazione degli amplicatori
Amplicatori di tensione
Un amplicatore di tensione amplica una tensione Vi applicata in ingresso e restituisce in uscita una tensione Vo . Esso può essere rappresentato in termini di un circuito
Thevenin-equivalente come in gura 15.3. Se limpedenza di ingresso è molto mag-
Ro
Rs
+
+
Vs
_
Vi
Ri
A vV i
R L Vo
Figura 15.3: Circuito Thevenin-equivalente di un amplicatore di tensione.

giore di quella di uscita della sorgente, allora Vi Vs . Inoltre, limpedenza di uscita
15.3 Le topologie di feedback negli amplicatori
407
è trascurabile rispetto allimpedenza del carico, allora Vo Av Vi Av Vs . In tal

caso lamplicatore fornisce un segnale di tensione proporzionale alla tensione in
ingresso, ed il fattore di amplicazione risulta essere indipendente dalle impedenze
della sorgente e del carico. Un amplicatore ideale di tensione deve avere pertanto impedenza di ingresso Ri = ed impedenza di uscita Ro = 0. Il simbolo Av
rappresenta quindi il fattore di amplicazione a circuito aperto.
Una rete di feedback applicata ad un amplicatore di tensione deve campionare
la tensione di uscita Vo e generare una tensione di feedback Vf = Vo . Perche questa
sia sottratta alla tensione del generatore Vs (cos` da implementare la (15.3), i due
poli della rete di feedback devono essere connessi in serie al generatore con il polo
positivo connesso al terminale negativo dellamplicatore base e con quello negativo
al terminale negativo del generatore, come mostrato in gura 15.5a. Per questo
motivo questa congurazione di feedback è nota come tensione-serie3.
Anche se unanalisi pi`
u dettagliata del guadagno e delle impedenze verrà condotta nelle prossime sezioni, si può anticipare sin dora che questa congurazione ha
leetto di aumentare limpedenza di ingresso dellamplicatore (come risultato della
connessione in serie della rete di feedback allingresso) e di ridurne limpedenza di
uscita (conseguente alla connessione in parallelo alluscita). Questo, come si evince
dalla tabella 15.1, approssima il comportamento di un amplicatore di tensione a
quello di un amplicatore ideale.
Amplicatori di corrente
Un amplicatore di corrente ideale fornisce in uscita un segnale di corrente Io proporzionale alla corrente che uisce sul ramo di ingresso Ii . Come si vede dallanalisi
del circuito Norton-equivalente mostrato in gura 15.4, lamplicatore ideale deve
avere impedenza di ingresso Ri = 0 ed impedenza di uscita Ro = , anche tutta
la corrente del generatore uisca sul ramo di ingresso (Ii = Is ) e tutta la corrente di
uscita uisca sul carico (IL = Io = Ai Is ).
La topologia di feedback pi`
u appropriata per un amplicatore di corrente è quella
mostrata in gura 15.5b. Luscita di corrente Io dellamplicatore uisce nella serie
del carico e del ramo di feedback, mentre la corrente del generatore Is viene ripartita
in shunt tra lingresso ed il ramo di feedback (attraverso cui passa la corrente
If = Io ). Sulla base di considerazioni analoghe a quelle del paragrafo precedente, è
facile vedere che questa congurazione di feedback (detta corrente-parallelo) riduce
limpedenza di ingresso ed aumenta limpedenza di uscita del generatore, ciò che è
desiderabile per un amplicatore di corrente (vedi tabella 15.1).
Amplicatori a transconduttanza
Un amplicatore a transconduttanza ideale fornisce un segnale di corrente proporzionale ad una segnale di tensione in ingresso, indipendentemente dalle dimensioni delle impedenze del generatore e del carico. Come nei casi precedenti, esso è
rappresentato da un circuito Thevenin-equivalente in ingresso (analogo allingresso
3
Le diverse congurazioni di feedback sono solitamente identicate da un nome composto dalla

grandezza prodotta in uscita (tensione o corrente) e dal tipo di connessione (serie o parallelo)
realizzata dal mixer.
408
Ii
IL
Is
Rs
Ri
Ro
RL
A iI i
Figura 15.4: Circuito Norton-equivalente di un amplicatore di corrente.

dellamplicatore di tensione) e da un circuito Norton-equivalente in uscita (analogo
alluscita dellamplicatore di corrente). In pratica, questo tipo di amplicatore deve
avere impedenza di ingresso molto maggiore della resistenza di uscita del generatore
di tensione (Ri = nel caso ideale) ed impedenza di uscita molto maggiore della
resistenza del carico (Ro = nel caso ideale).
La topologia adottata per questo tipo di amplicatore è denominata correnteserie ed è schematizzata in gura 15.5c. Essa consente di campionare luscita di
corrente Io e di collegare la tensione di feedback Vf = Io in serie al generatore
ed è tale da aumentare sia limpedenza di ingresso che quella di uscita rispetto
allalimentatore base.
Amplicatori a transresistenza
Un amplicatore a transresistenza trasforma un segnale di corrente in ingresso in un
segnale di tensione in uscita. Pertanto, esso può essere rappresentato da un circuito
Norton-equivalente in ingresso (analogo allingresso dellamplicatore di corrente) e
da un circuito Thevenin-equivalente in uscita (analogo alluscita dellamplicatore di
tensione). Sulla base di considerazioni analoghe a quelle svolte nei paragra precedenti, luscita di tensione è proporzionale alla corrente del generatore ed il fattore di
amplicazione è indipendente dalle impedenze del generatore e del carico se lamplicatore ha impedenze di ingresso e di uscite trascurabili in confronto a queste ultime
(per un amplicatore ideale si deve avere cioè Ri = Ro = 0). Un amplicatore a
transresistenza viene reazionato in congurazione tensione-parallelo, come mostrato
schematicamente in gura 15.5d. Luscita Vo viene campionata in shunt dal ramo di
feedback, attraverso il quale uisce una corrente If = Vo derivata dal partitore di
corrente allingresso dellamplicatore, cosicche, con i versi delle correnti ssati nella
gura, risulta Ii = Is If . Le connessioni in parallelo sia allingresso che alluscita
dellamplicatore base hanno leetto di diminuirne le impedenze complessive.
409
Ii
Io
Rs
+
Vs
Amplificatore
di tensione
Vi
_
_
Vf
RL
Is
Vo
Amplificatore
di corrente
Rs
If
Rete di
Feedback
Rete di
Feedback
(a) tensione-serie
(b) corrente-parallelo
Io
Rs
+
Ii
Vs
Vi
_
_
Vf
RL
Amplificatore
a transconduttanza
RL
Is
Rs
Amplificatore
a transresistenza
RL
If
Rete di
Feedback
(c) corrente-serie
Rete di
Feedback
(d) tensione-parallelo
Figura 15.5: Schema delle topologie di feedback per i quattro tipi di amplicatori. Ciascuno
di essi è identicato dalla grandezza in uscita (tensione o corrente) e dal tipo di connessione (serie
o parallelo) del feedback al generatore.
15.4
Eetto del feedback sulle impedenze di un

amplicatore
15.4.1
Impedenze dingresso
Esaminiamo quantitativamente leetto di ciascuna topologia di feedback sulle impedenze dingresso. Questa determinazione dipende, come è lecito attendersi, solo dal
tipo di confronto eettuato allingresso, indipendentemente dal fatto che il feedback
sia ottenuto dal campionamento di una tensione o una corrente in uscita.
Feedback tensione-serie
La topologia di gura 15.5a viene implementata dal circuito mostrato in gura 15.6,
dove il blocco dellamplicatore è stato sostituito dal suo Thevenin equivalente. In
questo circuito Rs è considerato parte dellamplicatore e sia Av il suo guadagno a
circuito aperto che includa Rs . Limpedenza di ingresso è denita in tal caso dal
rapporto Rif = Vs /Ii tra la tensione del generatore e la corrente che uisce nel ramo
Vo
_
410
Ro
+
Vi
-
Vs
Av
Ri
RL
V = V
f
Figura 15.6: Schema di circuito di feedback tensione-serie per il calcolo delle impedenze di
ingresso/uscita.
di ingresso del circuito. Applicando la legge di Kirchho alla maglia di ingresso si

ottiene allora
Vs = Vi + Vf = Ri Ii + Vo
(15.12)
Dalla maglia duscita otteniamo
Vo = Av Vi
RL
= AV Vi
Ro + RL
(15.13)
dove Av rappresenta il guadagno in tensione a circuito aperto ed abbiamo introdotto

il guadagno (in assenza di feedback) AV = Av RL /(Ro + RL ) che tiene conto della
resistenza di carico RL (dunque AV Av per RL ). Combinando la (15.12)
con la (15.13) si ottiene inne
Rif =
Vs
= Ri (1 + AV )
Ii
(15.14)
che risulta aumentata rispetto allimpedenza dingresso dellamplicatore base di un

fattore 1 + AV , che tende ad innito per AV 1.
Feedback corrente-serie
Esaminiamo ora il caso del feedback corrente-serie, il cui schema è mostrato in
gura 15.7 ed è ottenuto dalla gura 15.5c per sostituzione dellamplicatore con il
suo circuito equivalente.
Sia Gm = I/Vi la transconduttanza a circuito chiuso (che già include gli eetti
legati alla resistenza duscita del generatore di tensione). Dalla legge di Kirchho
applicata alla maglia duscita troviamo che
Io = Gm Vi
Ro
= GM Vi = GM Ri Ii
Ro + RL
(15.15)
avendo posto GM = Gm Ro /(Ro + RL ) per la transconduttanza dellamplicatore che

tiene conto del carico RL . Combinando lultima espressione ottenuta con la (15.12)
si ha
Vs = Vi + Vf = Ri Ii + Io = Ri Ii + GM Ri Ii = Ri Ii (1 + GM )
(15.16)
G V
+
V
Vs
411
m i
Ro
Ri
i'
RL
V = i
f
Figura 15.7: Circuito equivalente ad un feedback corrente-serie per un amplicatore a

transconduttanza.
da cui
Vs
= Ri (1 + GM )
(15.17)
Ii
Anche in questo caso quindi limpedenza dingresso aumenta per eetto del feedback,
lincremento essendo legato al fattore (1 + GM ).
Rif =
Feedback corrente-parallelo
Il circuito di gura 15.8 implementa la congurazione di feedback corrente-parallelo,
ottenuta sostituendo allamplicatore di corrente di gura 15.5 il suo circuito Nortonequivalente. In maniera analoga ai casi precedenti, non compare limpedenza di
uscita del generatore Rs , essendo questa già inclusa nel computo del guadagno Ai
dellamplicatore a circuito chiuso.
io
+ A i
i i
Ri
i
Ro
i'
RL
Figura 15.8: Congurazione di feedback corrente-parallelo per un amplicatore di corrente.

In questo caso, limpedenza di ingresso è denita come Rif = Vi /Is . Dalla maglia
dingresso abbiamo
(15.18)
Is = Ii + If = Ii + Io
e dalla maglia duscita:
Ro
AI Ii
(15.19)
Ro + RL
dove AI = Ai Ro (Ro +RL ) è il guadagno in corrente dellamplicatore che tiene conto
del carico RL (che tende perciò ad Ai allorche RL 0). Combinando queste due
Io = Ai Ii
412
ultime espressioni si ottiene

Is = Ii + AI Ii = Ii (1 + AI )
(15.20)
da cui, tenendo conto che Vi = Ri Ii , segue inne

Rif =
Vi
Ri
=
(1 + AI )Ii
1 + AI
(15.21)
In questo caso limpedenza dingresso è minore di quella in assenza di feedback del

medesimo fattore (1 + A) che era presente, a fattore moltiplicativo, nei due casi
iniziali.
Feedback tensione-parallelo
Procedendo in maniera analoga ai casi precedenti, si può schematizzare un circuito
di feedback tensione-parallelo come in gura 15.9 Come sopra, si suppone che limpedenza del generatore sia già inclusa nel calcolo del guadagno Rm dellamplicatore
a transresistenza a circuito chiuso e viene pertanto omessa. Limpedenza dingresso
Ro
+
is
Vo
R i
m i
RL
Figura 15.9: Feedback tensione-parallelo per un alimentatore a transresistenza.

è:
Vi
Ri Ii
=
Is
Is
Le equazioni di maglia risultano essere in questo caso
Rif =
Is = Ii + Vo
(15.22)
(15.23)
per quella di ingresso e

RL
= RM Ii
(15.24)
Ro + RL
per quella di uscita, dove RM = Rm RL /(Ro + RL ) è il guadagno dellamplicatore
in assenza di feedback ma in presenza del carico esterno. Si ha allora
Vo = Rm Ii
Is = Ii (1 + RM )
da cui discende
(15.25)
Ri Ii
Ri
=
(15.26)
Is
1 + RM
Come nel caso precedente, limpedenza dingresso diminuisce dellidentico fattore
1 + A, A = RM essendo il guadagno dellamplicatore in assenza di reazione.
Rif =
15.4.2
413
Considerazioni generali
Poiche gli ultimi due casi esaminati avevano come caratteristica comune la reazione
in parallelo (cioè di corrente) nella maglia dingresso, vediamo che è tale caratteristica a determinare la diminuzione dellimpedenza dingresso.
Abbiamo visto quindi che, se il segnale di feedback viene riportato in ingresso
sotto forma di un segnale di tensione (cioè in serie) limpedenza dingresso aumenta,
mentre essa diminuisce se il feedback è parallelo (corrente). Ciò indipendentemente
dal tipo di campionamento in uscita (tensione o corrente). Ciò può esser facilmente
compreso se si pensa che, nel caso in cui il feedback (negativo) sia di tensione, questo
farà si che la tensione ai capi di Ri sia minore della tensione del generatore, che ha
un valore costante Vs . Di conseguenza è minore la corrente che uisce in Ri e, poiche
tale corrente è erogata in ultima analisi dal generatore, il rapporto tra tensione e
corrente erogata, cioè la resistenza dingresso, sarà maggiore.
Se invece si realizza un feedback (negativo) di corrente, avremo una minor corrente in Ri , il che implica una minore dierenza di potenziale ai capi di Ri . Poiche
ora ciò avviene ad Is costante, la resistenza dingresso Vi /Is è minore di quella che
si avrebbe in assenza di feedback.
15.4.3
Impedenze duscita
Ciò che determina limpedenza di uscita per un amplicatore reazionato è il tipo di

campionamento in uscita, indipendentemente dal confronto eettuato in ingresso.
Ricordiamo che limpedenza di uscita è denita dal rapporto tra la tensione a circuito
aperto applicata ai terminali di uscita e la corrente che uisce nel ramo di uscita
con i terminali in corto. Nel caso di un campionamento di tensione, leetto del
feedback è, come atteso, quello di ridurre la tensione a circuito aperto (rispetto a
quella dellamplicatore non reazionato) della quantit`
a 1 + A, mentre la corrente
a circuito chiuso rimane invariata (infatti a circuito chiuso si annulla la tensione in
uscita ed il feedback è nullo). Ne risulta pertanto una diminuzione dellimpedenza
di uscita dello stesso fattore. Analogamente, nel caso di campionamento di corrente,
il feedback ha leetto di ridurre la corrente a circuito chiuso mentre non ha alcun
eetto sulla tensione in uscita (a circuito aperto infatti si annullano tanto la corrente
di uscita che quella di feedback). Di conseguenza la resistenza duscita aumenta del
medesimo fattore 1 + A di cui diminuisce la corrente.
Feedback con campionamento di tensione
Consideriamo il feedback tensione-serie di gura 15.6. Per calcolare la resistenza
duscita Rof poniamo Vs = 0, eliminiamo RL ed applichiamo tra i terminali duscita
una dierenza di potenziale Vo . Abbiamo allora
Io =
Vo Av Vi
Vo + Av Vo
=
Ro
Ro
(15.27)
poiche, avendo posto Vs = 0 si ha Vi = Vf = Vo . Ne segue che

Rof =
Vo
Ro
=
Io
1 + Av
(15.28)
414
In presenza di un carico RL nito, lespressione dellimpedenza duscita si modica come segue:

Rof
= Rof ||RL =
RR
o L

L
(Ro + RL ) 1 + RoR+R
A
v
L
(15.29)
u
che dalla denizione di AV e posto Ro = Ro ||RL , si può riscrivere in forma pi`
compatta come
Ro

Rof
=
(15.30)
1 + AV
Sulla base delle stesse argomentazioni, si può mostrare che per un feedback
tensione-parallelo limpedenza di uscita assume la forma
Rof =
Ro
1 + Rm
(15.31)

=
Rof
Ro
1 + RM
(15.32)
valida per RL e
in presenza di carico.
Feedback con campionamento di corrente
Consideriamo inne il caso di un feedback corrente-serie, come quello di gura 15.7.
Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di cortocircuitare Vs , di applicare
tra i terminali duscita una dierenza di potenziale Vo e calcoliamo la corrente Io .
Dallanalisi della maglia duscita otteniamo, per la corrente in Ro ,
I = Gm Vi Io
(15.33)
Vo = Ro I = Gm Vi Ro Ro Io
(15.34)
da cui:
mentre per la maglia dingresso, essendo Vs = 0, vale Vi = Io . Si ottiene quindi
Vo = Gm Ro Io Ro Io = Ro Io (1 + Gm )
(15.35)
per cui limpedenza di uscita vale

Rof =
Vo
= Ro (1 + Gm )
Io
(15.36)
Quindi, come previsto, limpedenza duscita con feedback risulta aumentata del
fattore 1 + Gm. In presenza di carico, la (15.36) deve essere modicata sostituendo
GM al guadagno in assenza di carico e Ro a Ro .
15.5 Analisi dei circuiti con feedback

Tipo di feedback
tensione-serie
corrente-serie
tensione-parallelo
corrente-parallelo
Rif
Ri (1 + AV )
Ri (1 + GM )
Ri /(1 + RM )
Ri /(1 + AI )
415
Rof
Ro /(1 + Av )
Ro (1 + Gm )
Ro /(1 + Rm )
Ro (1 + Ai )

Rof
Ro /(1 + AV )
Ro /(1 + GM )
Ro /(1 + RM )
Ro /(1 + AI )
Tabella 15.2: Sommario delle impedenze di ingresso/uscita nei casi esaminati di amplicatori
con reazione.
15.5
Analisi dei circuiti con feedback
15.5.1
Individuazione del tipo di reazione
Per determinare il tipo di reazione pi`

u appropriato ad un amplicatore occorre individuare il tipo di segnale (tensione o corrente) prelevato alluscita dellamplicatore
ed il modo (seriale o parallelo) in cui esso viene confrontato con il segnale in ingresso.
A questo scopo, può essere utile seguire i seguenti criteri generali.
Per identicare il tipo di campionamento, si consideri che, in presenza di un
carico esterno:
- segnale di tensione: si annulla se i terminali di uscita sono cortocircuitati (RL = 0)
mentre rimane invariato se sono aperti (RL );
- segnale di corrente: si annulla se i terminali di di uscita sono aperti mentre rimane
invariato se sono cortocircuitati.
Per quel che concerne invece il modo (serie o parallelo) in cui il segnale di feedback
viene confrontato al segnale in ingresso, si può facilmente intuire che avremo un
confronto di tipo serie se essa viene eettuata in una maglia; avremo invece una
somma di tipo parallelo se essa viene eettuata in un nodo. Per chiarire meglio
questi concetti analizziamo alcuni esempi.
Amplicatore J-FET common-source
Si consideri il circuito di gura 15.10a, che rappresenta un amplicatore a J-FET
a canale n nella congurazione common-source. Se Vgs aumenta, aumenta anche la
corrente nel canale e nelle resistenze Rd ed Rs . Il potenziale del drain diminuisce
mentre aumenta quello del source, il che comporta una diminuzione di Vgs . Abbiamo
quindi un feedback negativo. Vediamo che il campionamento è di corrente; infatti
il feedback si annulla se Rd diviene innitamente grande (con che si annulla la
corrente). Esso invece continua ad esser presente se Rd viene cortocircuitata.
Il segnale di feedback è riportato in ingresso sotto forma di una dierenza di
potenziale ai capi di Rs , che viene connessa in serie alla tensione del generatore
nella maglia dingresso (e con segno tale da essere sottratta a Vs ). Si tratta dunque
di un feedback seriale. In denitiva il circuito disegnato è un esempio di feedback
corrente-serie.
416
Vcc
Vcc
Rd
D
Vout
Vout
C
S
Vs
Rc
Rs
(a)
Rf
is
(b)
Figura 15.10: Esempio di amplicatori con feedback: (a) J-FET in congurazione commonsource (feedback corrente-serie) e (b) transistor bi-polare in congurazione common-emitter
(feedback tensione-parallelo).
Transistor bi-polare in common-emitter

Consideriamo invece il circuito di gura 15.10b, in cui un transistor bi-polare npn in
congurazione common-emitter viene reazionato dalla resistenza Rf . Cortocircuitando i terminali di uscita si annullerebbe la tensione di collettore Vc (e, conseguentemente, la corrente If nel ramo di feedback). Si tratta quindi un campionamento di
tensione. Inoltre il segnale di feedback è di corrente, essendo questo derivato dal
nodo di ingresso dellamplicatore (ovvero la base del transistor).
Esaminiamo come ulteriore esempio quello di gura 15.11, in cui un amplicatore con transistor in congurazione common-emitter viene reazionato attraverso lo
stesso circuito mostrato in gura 15.10b. Anche in questo caso la rete di feedback
ritorna un segnale di corrente che viene derivato dal nodo alla base del transistor
(per cui Ib = Is If ). La corrente di feedback, essendo prelevata dal source del
J-FET, si annullerebbe se la resistenza di carico (Rd nel nostro caso) divenisse innitamente grande (con che si annullerebbe la corrente in T2 ). In conclusione la
reazione esaminata è di tipo corrente-parallelo (current-shunt).
Feedback con amplicatori operazionali

I circuiti di gura 15.12 mostrano inne un esempio di ciascuno dei quattro tipi di
` facile vericare, facendo uso
feedback, nel caso di un amplicatore operazionale. E
dei criteri esposti, che il tipo di feedback presente in ciascun caso è quello indicato
nella gura.
417
Vcc
Rc
Rd
Vout
T2
C
T1
is
Rs
Rb
Figura 15.11: Esempio di circuito a due stadi di amplicazione con feedback di tipo correnteparallelo.
15.5.2
Analisi quantitativa del guadagno
Feedback tensione-parallelo
Esaminiamo ora in dettaglio un esempio di circuito con feedback. Consideriamo
il caso di un amplicatore invertente, come quello mostrato in gura 15.13a. in
cui un segnale di tensione è prelevato in uscita e riportato sullingresso tramite
una resistenza di feedback Rf . La polarità del segnale di feedback è tale che la
corrente ad esso associata sia sottratta alla corrente erogata dal generatore. Si
tratta chiaramente di un feedback tensione-parallelo.
Per semplicare lanalisi di tale circuito, è opportuno sostituirlo con il circuito
equivalente di gura 15.13b. Qui abbiamo indicato con Vd la dierenza di potenziale ai capi della resistenza dingresso Ri delloperazionale. Il circuito di feedback
potrebbe in realtà esser pi`
u complicato di quello rappresentato da una singola resistenza. Per descrivere tali situazioni potremo sostituire nel circuito equivalente il
generatore VL con kVL , dove k è una costante.
Scriviamo ora le equazioni per il circuito disegnato. Dalla maglia di sinistra si
ottiene
Vi + Vd
(15.37)
I1 =
Rs
Vd + VL
I2 =
(15.38)
Rf
Vi + Vd VL + Vd
Vd
+
=
(15.39)
Id = I1 I2 =
Rs
Rf
Ri
Dalla maglia di destra risulta
Ad Vd + Vd
I=
(15.40)
Ro + Rf
418
Rs
Rs
Rf
Rf
RL
tensione-serie
R1
corrente-serie
Rf
Rf
RL
RL
RL
Rs
Rs
tensione-parallelo
corrente-parallelo
Figura 15.12: Possibili congurazioni di feedback negativo realizzate con un amplicatore

operazionale.
Ro
Ro
VL = Ad Vd Ro I = Ad Vd
Ad Vd
Vd =
Ro + Rf
Ro + Rf

(15.41)
Ro
Ro
= Vd Ad Ad
Ro + Rf
Ro + Rf
Se Ro Rf , il secondo ed il terzo termine in parentesi sono trascurabili rispetto al
primo e si ha
VL Ad Vd
(15.42)
Dalla (15.39) si ha invece
Vd
1
1
1
+
+
Rs Rf
Ri

=
VL
Vi
Rs Rf
(15.43)
Trascurando il termine 1/Ri rispetto agli altri due termini in parentesi e facendo
uso della (15.42), lultima equazione scritta diventa
VL Rf + Rs VL
Vi
+
=
Ad Rf Rs
Rf
Rs
da cui si ottiene
VL =
(Ad Vi /Rs )Rf s

1 + (Ad /Rf )Rf s
(15.44)
(15.45)
i = i -i
d
419
Rs
Ro
-
Ri
A v
d
Vi
Rf
(a)
i
Rs
A v
d
(b)
Figura 15.13: (a) Amplicatore invertente realizzato in congurazione tensione-parallelo e (b)
avendo posto Rf s Rf ||Rs = Rf Rs /(Rf + Rs ). Nel caso in cui il termine

Rf s
Ad
Rf
(15.46)
che compare a denominatore della (15.45) sia molto maggiore di 1, la (15.45) si

semplica come segue
Rf
(15.47)
VL = Vi
Rs
ovvero la tensione duscita non dipende pi`
u dal parametro Ad .
Il termine (15.46) costituisce il cosiddetto guadagno di maglia (loop gain).
Si può facilmente vericare che esso coincide (a parte il segno) con il guadagno
della catena quando si supponga nulla leccitazione esterna Vi . Infatti, in tal caso il
420

i
Rs
i
Rf
Ro
_
V
Ri
VL
A v
d
Figura 15.14: Circuito equivalente allamplicatore invertente, con Vi = 0 e VL = Ad Vd .

circuito diventa quello della gura 15.14, in cui leccitazione è costituita da V , mentre
luscita è, come prima, VL . Nel ramo destro abbiamo fatto uso dellapprossimazione
(15.42). Il guadagno di maglia (loop gain) sarà ora calcolabile facendo uso delle
seguenti equazioni:
(15.48)
Is = If + Ii
con:
If =
V + Vd
Rf
(15.49)
Vd
Ri
Vd
Is =
Rs
Ii =
(15.50)
(15.51)
da cui
V + Vd Vd
Vd
+
=
Rf
Ri
Rs
e inne
Vd
1
1
1
+
+
Rf
Ri Rs

=
(15.52)
V
Rf
(15.53)
Trascurando 1/Ri rispetto agli altri termini in parentesi e facendo uso della (15.42)
questa diviene

1
V
VL
1
+
(15.54)
=
Ad Rf
Rs
Rf
ed il guadagno di maglia sarà:
Rf s
VL
= Ad
Ad
Rf
V
(15.55)
essendo = Rf s /Rf il fattore di feedback.

Il termine Ad Rf s /Rs che compare a numeratore della (15.45) costituisce il
guadagno in assenza di feedback. Questo è calcolabile a partire dal circuito equivalente di gura 15.15. Lassenza del feedback consiste qui nellassenza della sorgente

i
421
Vi
Rs
i
Rf
Ri
Ro
V
A v
d
Figura 15.15: Circuito equivalente allamplicatore invertente, in assenza della sorgente VL

nel ramo sinistro e della sorgente Vd nel ramo destro.
dipendente VL nel ramo sinistro e nella simultanea assenza della sorgente Vd in serie
con Rf nel ramo destro di gura 15.13b. Il guadagno di questo circuito è ora
ottenibile dalle equazioni:
Vd =
Rf
Rf s
Vi
Rif Vi
= Vi
Rs + Rif
Rs + Rf
Rs
(15.56)
dove si è assunto Ri Rf . Inoltre è

VL = Ad Vd = Ad
Rf s
Vi
Rs
(15.57)
per cui il guadagno a catena aperta è

Ao
Rf s
VL
= Ad
Vi
Rs
(15.58)
Facendo ora uso delle equazioni (15.45), (15.55) e (15.58), il guadagno complessivo
può esser messo nella forma
AV =
VL
Ad Rf s /Rs
Ao
=
=
Vi
1 + Ad Rf s /Rf
1 + Ad
(15.59)
Se Ad diviene grande rispetto ad 1, il guadagno AV dellamplicatore con feedback tende a:

Rf
(15.60)
AV
Rs
cioè diviene indipendente dal guadagno intrinseco Ad dellamplicatore. Questo
conferma che al crescere del guadagno di maglia, il guadagno con feedback diventa
sempre meno sensibile a variazioni di temperatura o a variazioni dei parametri dei
componenti che costituiscono lamplicatore.
Feedback tensione-serie
Analizziamo ora in dettaglio il caso, già discusso in precedenza, di un amplicatore
operazionale in congurazione non-invertente. Si consideri lo schema di gura 15.16a
ed il suo equivalente di gura 15.16b, in cui VL = VL e Vd indica la dierenza di
422
Ri
+
Rs
Rf
Ro
A v
d
VL
Vi
VL
(a)
Rs
R
Ro
Vi
VL
A v
d
V'L
(b)
Figura 15.16: (a) Amplicatore non-invertente realizzato in congurazione tensione-serie e (b)

potenziale ai capi di Ri . Cominciamo col calcolare il guadagno a catena aperta (cioè

in assenza di feedback), denito da:

VL
(15.61)
Ao =
Vi V =0
L
Possiamo scrivere:
VL
Vi

=
VL =0
VL
Vd

VL =0
Vd
Vi

(15.62)
dove il primo termine a secondo membro può esser ottenuto facendo uso della maglia
di sinistra ed il secondo di quella di destra. Da questultima otteniamo:
VL = Rf I1 Vd
(15.63)

con:
423
Ad Vd + Vd
Vd
=
(1 + Ad )
Ro + Rf
Ro + Rf
I1 =
da cui:
(15.64)
Vd
(Rf Ad Ro )
Ro + Rf

VL
Rf Ad Ro
=
Vd V =0
Ro + Rf
VL =
(15.65)
(15.66)
Dalla maglia di sinistra otteniamo poi:

Vd
Ri
=
Vi V =0 Rs + Ri + Rf
(15.67)
e quindi:
VL
Vi

=
VL =0
Ri
Rf Ad Ro
Ro + Rf Rs + Ri + Rf
(15.68)
Se ora facciamo lapprossimazione:

Ro Rf
(15.69)
Rf + Rs Ri
(15.70)
si ottiene:
Ao =
Vo
Vi

VL =0
Ad
(15.71)
che costituisce il guadagno in assenza di feedback. Il guadagno di maglia Ad può

esser ottenuto dal circuito equivalente di gura 15.17: Con riferimento ai componenti
Rs
R
Ro
V'L
VL
A v
d
Figura 15.17: Circuito equivalente allamplicatore non-invertente, con Vi = 0.

indicati in gura, otteniamo per il prodotto Ad , denito al solito come:

VL
VL Vd
Rf Ad Ro
Ri
Ad
=
=
VL Vi =0
Vd VL
Ro + Rf
Rs + Ri + Rf
(15.72)
424
che, nella medesima approssimazione già adottata in precedenza è uguale a Ad . Il

guadagno con reazione sarà allora:
Ar =
Ad
VL
Ao
=
=
Vi
1 Ad
1 + Ad
(15.73)
Se nellesempio fatto avessimo avuto un feedback VL = kVL (anziche VL = VL )

avremmo trovato:
Ad
(15.74)
Ar =
1 + kAd
che tende ad 1/k per Ad molto grande.
15.6
Stabilit`
a negli amplicatori con feedback
In un amplicatore la cui congurazione di feedback sia schematizzabile come in

gura 15.1, sia il guadagno a circuito aperto che il fattore di feedback potrebbero
` quanto accade, a titolo di esempio, nel caso di un
essere funzioni della frequenza. E
circuito integratore realizzato con un amplicatore operazionale in congurazione
invertente. Da un lato loperazionale ha, a frequenze relativamente basse, una funzione di trasferimento con un polo del primo ordine in corrispondenza della frequenza
di taglio superiore (esprimibile secondo la (15.9)); dallaltro il ramo di feedback utilizza un parallelo tra una capacità ed una resistenza ed anchesso funzione della
frequenza. Pertanto anche il guadagno a circuito chiuso è una funzione (complessa)
della frequenza esprimibile nella sua forma pi`
u generale dalla
Af (s) =
A(s)
1 + (s)A(s)
(15.75)
Per semplicità, limitiamoci a considerare il caso in cui lamplicatore abbia un

guadagno A0 a basse frequenze, con poli e zeri ad alte frequenze. Assumiamo che
anche il fattore di feedback sia costante a basse frequenze. Nello stesso dominio
di frequenze anche il prodotto A diventa una costante esprimibile da una numero
reale, che deve essere positivo perche il feedback sia negativo. Resta da studiare la
condizione di stabilità a frequenze maggiori.
A frequenze siche s = j, lequazione precedente si riscrive
Af (j) =
A(j)
1 + (j)A(j)
(15.76)
Rappresentiamo ora il loop gain in termini del suo modulo e della sua fase,
L(j) (j)A(j) = |(j)A(j)|ej()
(15.77)
Ciò che determina la stabilità dellamplicatore reazionato è allora la variazione del

loop gain con la frequenza. Si consideri infatti la frequenza per cui la fase () = .
A questa frequenza (che indicheremo con ), L è un numero reale negativo, per
cui il feedback diventerà positivo. Se il modulo di L(j ) è minore di 1, lamplicatore rimane stabile. Se invece il modulo di L(j ) è uguale ad 1, allora, come
segue dalla (15.76), Af (j) diverge. Questo implica che lamplicatore può avere
15.6 Stabilit`
a negli amplicatori con feedback
425
unuscita diversa da zero anche in assenza di ingresso, ciò che si realizza in presenza
di oscillazioni. Quella appena descritta è nota come condizione di Barkhausen. Per
cercare di capire come il sistema sia in grado di sostenere unoscillazione, si consideri
il circuito di gura 15.1 con xs = 0. Qualsiasi perturbazione può indurre un segnale
di rumore xi allingresso dellamplicatore, con un ampio spettro di frequenza. Per
le componenti a bassa frequenza, dove A è costante e positivo, il guadagno dellamplicatore è minore di 1; lampiezza di queste oscillazioni viene attenuata ad ogni
loop successivo no a smorzarsi. Per la componente a frequenza si ha invece che
xf = (j)A(j)xi = xi
(15.78)
Il segnale di errore rimane allora costante; infatti, al feedback successivo, si ha xi =

xs xf = xf = xi . Questo implica che allingresso e alluscita dellamplicatore cè
un segnale sinusoidale di frequenza tale da soddisfare la condizione di Barkhausen.
Lo studio delle condizioni di oscillazione verrà approfondito nel prossimo capitolo.
La verica della stabilità di un amplicatore con feedback può seguire un approccio formale mediante luso del plot di Nyquist, un esempio del quale è mostrato
in gura 15.18, che rappresenta nel piano complesso la variazione del loop gain in
funzione della frequenza. Poiche il modulo di L è una funzione pari della frequenza,
mentre la fase è una funzione dispari, il plot di Nyquist è simmetrico rispetto allasse
reale.
A basse frequenze ( 0), L è reale e positivo. Per frequenze crescenti, il
modulo di L diminuisce e tende a 0 per , mentre la sua fase aumenta. Il plot
di Nyquist interseca lasse reale negativo alla frequenza . Se il punto di intersezione
giace a destra del punto di coordinate (1, 0), lamplicatore rimane stabile anche in
presenza di feedback positivo; daltra parte, se L(j ) < 1, allora lamplicatore
è instabile. In maniera equivalente, si può aermare che lamplicatore diventa
instabile se il plot di Nyquist circonda il punto (1, 0).
426
Figura 15.18: Plot di Nyquist per un amplicatore reazionato instabile. Il punto segnato sul
graco alla coordinata (-1,0) rappresenta il polo del primo ordine della funzione di trasferimento
dellamplicatore reazionato (condizione di Barkhausen). La linea è continua (rispettivamente
tratteggiata) per > 0 (< 0).
Capitolo 16
Oscillatori sinusoidali
16.1
Introduzione
Consideriamo un amplicatore a banda larga (vedi gura 16.1), seguito da un circuito (attivo o passivo) che fornisce in uscita una frazione () del segnale presente
al suo ingresso.
X(t)
Y(t)
Figura 16.1: Amplicatore a banda larga seguito da un circuito (attivo o passivo) che fornisce
in uscita una frazione del segnale presente al suo ingresso.
Avremo alluscita: Y (t) = AX(t). Se il segnale presente allingresso è sinusoidale, luscita Y (t) sarà anchessa sinusoidale. Leetto della funzione di trasduzione A è quello di modicare fase ed ampiezza del segnale presente in ingresso.
Se A è tale da non modicare, ad una certa frequenza f0 , nè lampiezza nè la
fase del segnale presente in ingresso, cioè se per f = f0 è A = 1 (reale), allora
potremo pensare di utilizzare Y (t) al posto dellingresso X(t) ed aspettarci che il
sistema mantenga delle oscillazioni (eventualmente smorzate) di frequenza f0 .
Ciò è quanto in realtà avviene. Il circuito descritto dalla funzione di trasferimento
è il circuito di feedback (o di reazione). La condizione A = 1 è nota come
condizione di Barkhausen. Essa deve essere vericata ad una sola frequenza.
Il circuito di feedback nel caso generale può esser disegnato come in gura 16.2.
Avremo:
e(t) = X(t) + X (t)
X (t) = Ae(t) = AX(t) + AX (t)
da cui:
X (t)(1 A) = AX(t)
X (t) =
A
X(t)
1 A
427
(16.1)
428
Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali
X(t)
amplificatore
e(t)
X(t)
X(t)
filtro passa-banda
Figura 16.2: Circuito di feedback nel caso generale.

Se deniamo un guadagno con feedback, Af , come:
Af =
vediamo che:
Af =
X (t)
X(t)
(16.2)
A
1 A
(16.3)
che va ad innito per A = 1 (reale). Ciò implica che, con X(t) = 0, il sistema
avrà un valore nito del segnale in uscita X (t).
La condizione di Barkhausen dovrà essere soddisfatta ad una sola frequenza f0
(frequenza di oscillazione) che è quella che annulla la parte immaginaria di A. La
condizione che A = 1 per f = f0 (che cioè sia uguale ad 1 la parte reale), viene
poi adoperata per determinare gli altri parametri dellamplicatore e della rete di
reazione.
Esaminiamo pi`
u in dettaglio il circuito con feedback, che è ridisegnato in gura 16.3.
amplificatore
rumore
filtro passa-banda
Figura 16.3: Il medesimo circuito con feedback di gura 16.2, dove è stata evidenziata la
sorgente di rumore (in realt`
a interna ai componenti) che innesca le oscillazioni
16.2 Realizzazione di un oscillatore sinusoidale
429
Qui abbiamo indicato esplicitamente un componente nora ignorato, il rumore.

Rumore è presente in tutti i componenti del circuito, ed esso si estende sullintero
spettro di frequenze. Per evidenziarne la presenza lo attribuiamo ad una sorgente
ttizia, esterna al circuito. Questa è una schematizzazione che, come si vedrà nel
capitolo dedicato al rumore, è spesso adottata.
Lamplicatore, a larga banda, amplica tutte le componenti di Fourier presenti
nel rumore in ingresso, mentre il ltro, a banda molto stretta, consente la trasmissione, nella rete di feedback, di una componente soltanto. Vediamo cos` che solo
questa può, dopo un gran numero di passaggi attraverso la catena amplicatoreltro, acquistare unampiezza apprezzabile. Notiamo che è solo grazie alla presenza
del rumore che il circuito può oscillare!
Ci si può chiedere se il segnale alla frequenza del ltro, f0 , non nirà con lesser
amplicato cos` tanto da saturare lamplicatore. Ciò non avviene grazie al carattere
non lineare di un qualsiasi amplicatore. Ciò signica che se il segnale allingresso ha ampiezza doppia, loutput non sarà necessariamente raddoppiato, ma potrà
eventualmente aumentare solo di una piccola percentuale.
Esamineremo nellappendice A leetto, sui circuiti oscillanti, della caratteristica
non lineare del transistor bipolare a giunzione.
16.2
Realizzazione di un oscillatore sinusoidale
Per realizzare un oscillatore sinusoidale dobbiamo costruire un circuito con retroazione

positiva che, ad una ben determinata frequenza, soddis le due condizioni seguenti:
lo sfasamento complessivo lungo lintera maglia deve essere uguale a zero o 2;
il guadagno in tensione lungo lintera maglia deve valere 1.
Queste due condizioni possono poi esser ottenute in due modi diversi:
a) facendo uso di un amplicatore a larga banda ed una rete passiva di reazione
che abbia una buona selettività, che cioè realizzi la condizione di Barkhausen
alla frequenza desiderata f0 ;
b) adoperando un elemento (amplicatore o altro) che, alla frequenza f0 , introduca uno sfasamento di /2 seguito da un secondo elemento che, alla stessa
frequenza, introduca uno sfasamento di /2, rispettando la condizione che il
modulo di A sia uguale ad 1.
Ci occuperemo, per cominciare, degli oscillatori sinusoidali del primo tipo. Questi
possono a loro volta essere suddivisi in due classi:
quelli in cui la rete passiva introduce uno sfasamento di ; in tal caso lamplicatore dovrà essere invertente;
quelli in cui la rete passiva non introduce alcuno sfasamento; in tal caso
lamplicatore dovrà essere non-invertente.
430
Va inne notato che la condizione |A| = 1 non sarà mai rigorosamente soddisfatta da un circuito reale. Anche se essa lo fosse a circuito spento, la variazione
dei parametri sici della rete con la temperatura potrebbe far si che la condizione
non fosse pi`
u soddisfatta a circuito acceso. Se |A| è minore di uno loscillazione si
estinguerà rapidamente. Il guadagno a catena aperta |A| và quindi scelto maggiore
di uno per evitare che le oscillazioni si smorzino. Una buona regola è che |A| sia
maggiore di uno di circa il 5%. Tuttavia, perchè il sistema sia stabile, occorre che se
lampiezza del segnale generato aumenta, il guadagno diminuisca. In altre parole, la
derivata dA/dV0 deve esser negativa e di valore relativamente grande. Ciò può esser
ottenuto in modo automatico, come accennato in precedenza, se si utilizza come elemento attivo un transistor bipolare, intrinsecamente non-lineare. Alternativamente
si può inserire nel circuito degli elementi non-lineari, quali dei diodi. Leetto della
non-linearità è quello di limitare lescursione delle oscillazioni e riportare il circuito
in zona lineare. Su ciò torneremo pi`
u avanti.
Una caratteristica importante di un buon oscillatore è la stabilit`
a in frequenza.
La frequenza di oscillazione potrebbe variare al variare della temperatura, a seguito
dellinvecchiamento dei componenti, etc.. Per una buona stabilità in frequenza è
opportuno che lo sfasamento complessivo, cioè la fase di A sia, in prossimità
della frequenza di risonanza f0 , una funzione rapidamente variabile della frequenza.
Se infatti d/df |f0 è grande, una piccola deviazione della frequenza da f0 darà luogo
ad una grande deviazione dello sfasamento dal valore 0 o 2, necessario per sostenere
loscillazione.
I circuiti che analizzeremo nella prima parte di questo capitolo fanno uso di reti
di reazione costituite da elementi reattivi di tipo resistivo e capacitivo. Oscillatori di
questo tipo possono facilmente coprire il range di frequenze no a diverse decine di
kHz. Analizzeremo successivamente circuiti oscillanti con elementi reattivi di tipo
capacitivo ed induttivo, che coprono frequenze no a qualche MHz. Rientrano in
questa categoria gli schemi classici Colpitts e Hartley. Per frequenze ancora
pi`
u alte (o semplicemente per una migliore stabilità in frequenza) si fà ricorso ad
oscillatori a cristallo. Questi saranno discussi nellultima parte del capitolo.
16.3
Loscillatore a sfasamento
In tale tipo di oscillatore viene adoperato un amplicatore invertente, seguito da tre

celle RC (o RL) in cascata, tali da fornire uno sfasamento complessivo di 180o . La
necessità di adoperare tre celle è dovuta al fatto che lo sfasamento introdotto da
ciascuna cella è sicuramente inferiore a 90o.
Il circuito appare come in gura 16.4.
Se ammettiamo che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innitamente
grande e quella duscita nulla, il circuito equivalente sarà quello di gura 16.5, dove
compare il generatore dipendente Av v1 .
Per questo circuito, con le notazioni indicate in gura, abbiamo le seguenti
equazioni:
v1
i =
Z2
v1
v = (Z1 + Z2 )i = (Z1 + Z2 )
Z2
16.3 Loscillatore a sfasamento
431
-A V
v 1
Figura 16.4: Oscillatore a sfasamento costituito da un amplicatore invertente seguito da tre

celle RC o RL in cascata.
_
V
A V
v 1
V'
V"
i'
i"
Figura 16.5: Circuito equivalente alloscillatore a sfasamento di gura 16.4.

v
v1
= (Z1 + Z2 ) 2
Z2
Z2

Z1 + Z2
v1
1

v = v + Z1 (i + i ) = (Z1 + Z2 )
+
+
Z1 v1
Z2
Z22
Z2
i =
da cui:

v = v1 3
v1
Z2

+
Z1
Z2
2
+1
!

Z1
+1
+3
Z2
!
2
2 !

Z1
Z1
Z1
Z1
v1
v1
+
+3
+1 +
+
Z2
Z2
Z1
Z2
Z2
Z2
v
v1
i =
=
Z2
Z2
iZ1 = i + i + i =
Z1
Z2
Z1
Z2
2
Con riferimento alla gura 16.5, il feedback è nel nostro caso: =

Calcoliamo v1 :
!
3
2

Z
Z
Z
1
1
1
v1 = v + Z1 iZ1 = v1
+5
+6
+1
Z2
Z2
Z2
v1
.
v1
432
da cui:
=
1
( ZZ12 )3
5( ZZ12 )2
+ 6( ZZ21 ) + 1
e quindi:
A =
( ZZ12 )3
Av
Z1 2
5( Z2 ) +
6( ZZ12 ) + 1
La condizione: A = 1 (reale) implica:

3
2

Z1
Z1
Z1
+5
+6
+1
Av =
Z2
Z2
Z2
e che entrambi i membri di tale equazione siano reali (essendo Av reale). Poiche
daltronde Z1 e Z2 sono uno reale e laltro immaginario, ne segue che solo le potenze
dispari di Z1 /Z2 possono contribuire alla parte immaginaria dellespressione. La
condizione di risonanza è allora:

3
Z1
Z1
+6
= 0
Z2
Z2
che implica:
Z1
Z2
2
= 6
Da questa si ottiene per Av :

2
Z1
+ 1 = 30 + 1 = 29
Av = 5
Z2
Av = 29
cioè lamplicatore invertente deve avere un guadagno pari a 29, indipendentemente
dal tipo di elemento reattivo considerato.
Lequazione:
2
Z1
= 6
Z2
ci da inoltre il valore della frequenza di oscillazione. Se ad esempio è:
Z1 =
1
jC
Z2 = R
si ha:
da cui:
Z1
Z2
2
=
1
= 6
(RC)2
1
6(RC)2
1
=
6RC
2 =
16.3 Loscillatore a sfasamento
433
Se invece è:
Z1 = R
1
Z2 =
jC
si ha:
6
RC
Notiamo che oscillatori di questo tipo sono convenienti nche sono trascurabili gli
eetti reattivi dellelemento attivo. Essi vengono pertanto adoperati no a qualche
centinaio di kHz.
Un esempio di oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale
è quello di gura 16.6.
=
R1
Figura 16.6: Oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale.

Notiamo che lamplicatore, costituito dalloperazionale con la resistenza di feedback R1 e la resistenza dingresso R, ha luscita collegata alla rete CR-CR-CR (la
terza resistenza R è quella sullingresso invertente delloperazionale, che è una massa
virtuale).
Il guadagno dellamplicatore indicato dal rettangolo tratteggiato è: Av =
R1 /R. La condizione |Av | = 29 richiede che sia R1 = 29R. In realtà, come
già detto, è bene che tale condizione sia soddisfatta con un qualche margine (e.g. se
R=1k dovrà essere R1 31k).
Un oscillatore a sfasamento analogo a questo è indicato nella gura 16.7.
Analizziamo il funzionamento di questo circuito. La condizione di Barkhausen è
evidentemente: v1 = v2 (a catena aperta).
Procedendo in modo analogo a quello seguito nellanalizzare il caso generale
discusso in precedenza e facendo uso della variabile complessa s, avremo:
v2 = R2 i
v =
v2
i
=
sC
sR2 C
434
i'
C
i"'
i"
V"
R1
C
1
V'
i
R2
R1
V
+
Figura 16.7: Oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale.

v
v2
=
R1
sR1 R2 C

v2
1

i = i2 + i =
1+
R2
sR1 C

i
v2
1

v = v +
=
2+
sC
sR2 C
sR1 C

v
v2
1
=
i1 =
2+
R1
sR1 R2 C
sR1 C

1
v2
3

+
i = i + i1 =
1 +
R2
sR1 C
(sR1 C)2 )

v2
4
1
i

=
3+
+
v1 = v +
sC
sR2 C
sR1 C (sR1 C)2
imponendo la condizione che questo sia uguale a v2 , otteniamo:

1
1
4
R2 =
+
3+
sC
sR1 C (sR1 C)2
i2 =
Poniamo ora: s = j. La parte immaginaria dellespressione scritta per R2 è:

3
1
+ 2 3 3
C
R1 C
che si annulla per:
= 0
1
3R1 C
Per tale valore di , R2 vale:

4
= 12R1
2R1 C 2
In pratica si sceglierà un valore di R2 leggermente pi`
u alto di questo, diciamo
del 5%, se si vuole evitare un rapido smorzamento delle oscillazioni. Lampiezza
di queste sarà limitata dal fatto che, per eetto del feedback, il dispositivo attivo
uscirà rapidamente dalla zona lineare.
R2 =
16.4 Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare
16.4
435
Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare
Sappiamo che in un amplicatore a transistor ad emettitore comune luscita è sfasata di 180o rispetto allingresso. Se quindi inseriamo una rete passiva di feedback
che introduca un ulteriore sfasamento di 180o e dimensioniamo opportunamente
lattenuazione introdotta dalla rete, possiamo realizzare un oscillatore sinusoidale.
Come negli esempi precedenti, la rete passiva potrà essere ottenuta tramite tre
elementi CR-CR-CR, come mostrato in gura 16.8.
Vcc
Rc
Rb
Re
Ce
Vbb
R'
Figura 16.8: Amplicatore a transistor ad emettitore comune con una rete passiva di feedback
costituita da tre elementi CR.
Notiamo che la resistenza associata al terzo gruppo CR è costituita dalla resistenza R in serie con il parallelo di Rb ed hie . Ammetteremo che sia Rb hie .
Per esaminare il comportamento di questo circuito, sostituiamo al transistor il suo
modello a parametri h, ottenendo in tal modo il circuito equivalente mostrato in
gura 16.9 (dove abbiamo trascurato hre ed hoe ) e dove R R + hie .
i
i'
i"
v'
hfe ib
Rc
Rc
i"'
v"
C
R
R1
v"'
C
R
R2
R'
hie
Rb>>hie
Figura 16.9: Circuito equivalente a quello di gura 16.8 ottenuto col modello a parametri h
per il transistor.
436
Calcoliamo la corrente i a partire da ib , come fatto negli esempi precedenti.

i = ib
v = (R + hie )ib Rib

1
ib

= ib R +
v = v +
sC
sC

v
1
iR2 =
= ib 1 +
R
sRC

1

i = i + iR2 = ib + iR2 = ib 2 +
sRC

i
3
R

v = v +
= ib R +
+
sC
sC (sRC)2

1
v
3
= ib R +
+
iR1 =
R
sRC (sRC)2

4
1

i = i + iR1 = ib 3 +
+
sRC (sRC)2

5R
i
R
6

= ib R +
+
+
v = v +
sC
sC (sRC)2 (sRC)3

v
ib R
1
6
5
=
+
1+
iRc =
+
Rc
Rc
sRC (sRC)2 (sRC)3
La corrente nel circuito di collettore è allora:

= ib
hf e ib = i = i + iRc =
1
5
1
R
6
4
+
+
+
+
+
3+
2
2
2
sRC (sRC)
Rc sRc C Rc R(sC) ) Rc R (sC)3

(16.4)
Lespressione in parentesi quadra deve, come visto in precedenza, essere reale.

Uguagliando a zero la parte immaginaria (cioè la somma dei termini che contengono potenze dispari di s), otteniamo:
6
1
4
+
+ 3 2
= 0
sR (sRc ) s R Rc C 2
cioè, ponendo s = j:
6
1
4
= 0
+
2
R Rc Rc R C 2 3
da cui si ottiene dopo qualche passaggio:
2 =
1
(6 + 4 RRc )R2 C 2
La frequenza di risonanza f0 = 0 /(2) sarà quindi:

f0 =
1

2RC 6 + 4 RRc
(16.5)
16.5 Loscillatore sinusoidale in quadratura
437
dalla (16.4), sostituendo il valore ottenuto per 0 , si ha:

1
R
5
hf e = 3 2 2 2 +
R C 0 Rc Rc RC 2 02
che, con qualche passaggio si riduce a:
hf e = 23 + 29
Ponendo k
R
,
Rc
R
Rc
+4
Rc
R
questa diventa:
hf e = 23 + 29k +
4
k
Da questa possiamo ricavare k:

R
hf e 23
k =
=
+
Rc
58

(
23 hf e 2
4
)
58
29
Dati hf e ed 0 si può ricavare R/Rc da questultima equazione e poi RC dalla (16.5).

Notiamo che, anche il radicando sia positivo occorre che sia:
2

hf e 23
4
>
58
29
cioè:
hf e > 23 +
464 = 44.6
Se hf e è minore di tale valore, il circuito non potrà oscillare.

Un esempio concreto di oscillatore a sfasamento a transistor bipolare è quello di
gura 16.10.
Notiamo che i due transistor BC107 sono adoperati nella congurazione Darlington, con che limpedenza dingresso è estremamente elevata.
16.5
Loscillatore sinusoidale in quadratura
La condizione di Barkhausen A = 1 (reale) implica che lo sfasamento complessivo

dellamplicatore con reazione positiva debba essere nullo. Ciò può esser ottenuto
utilizzando un amplicatore che introduca uno sfasamento di +90o ed una rete di
reazione costituita da un secondo amplicatore che introduca uno sfasamento di
90o (metodo b a pagina 429). Si parla allora di oscillatore in quadratura.
Un sistema basato su tale schema può esser realizzato facendo uso di un integratore invertente seguito da uno non-invertente. Un integratore non-invertente è
quello mostrato in gura 16.11
La condizione v = v+ fornisce:
1
v2
v1
=
R2
1
R1 + sC1 sC1
R2 + sC1 2
438

Vcc=9 V
470
47k
10n
10n
10n
12k
10k
10k
10
BC107
100
Out
BC107
100
100
Figura 16.10: Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare.

C2
R2
V1
V2
R1
C1
Figura 16.11: Circuito integratore non-invertente.

dove la soprascrittasta ad indicare la trasformata di Laplace. Da questa segue:
v2 =
v1 (1 + sC2 R2 )
sC2 R2 (1 + sC1 R1 )
che, per R1 C1 = R2 C2 ci dà:

v2 =
1
C2 R2
v1
s
che à appunto la trasformata della risposta di un integratore non-invertente.

Se ora a tale circuito facciamo seguire un integratore invertente, otteniamo il
circuito di gura 16.12 che, come vedremo, si comporta da oscillatore sinusoidale.
Loperazionale A, con le capacità C1 , C2 e le resistenze R1 , R2 , costituisce un
integratore non invertente. Questo è alimentato dallintegratore invertente costituito
16.6 Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali
439
C2
C3
R2
R3
Vo
V1
R1
C1
Figura 16.12: Oscillatore sinusoidale ottenuto con un integratore non-invertente seguito da

uno invertente.
dalloperazionale B con la capacità C3 e la resistenza R3 . Poiche la funzione di

trasduzione dellintegratore invertente è data da:
v1 =
1 v0
C3 R3 s
la funzione di trasduzione della maglia sarà:

v1 =
1 1 + sC2 R2 1
v1
sC3 R3 1 + sC1 R1 sC2 R2
Ponendo C1 = C2 = C3 = R, R1 = R2 = R3 = R e quindi:
C1 R1 = C2 R2 = C3 R3 = CR
segue:
1
2 C 2 R2
= 1
dove si è fatto uso della sostituzione s = j. Si ottiene in tal modo per la frequenza
angolare di oscillazione:
1
=
RC
Nella pratica è necessario che R2 C2 sia maggiore di R1 C1 se si vuole che le
oscillazioni persistano.
16.6
Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali
In tutti gli esempi visti si è accennato allopportunità che |A| sia leggermente
maggiore di 1, per evitare un rapido smorzamento delle oscillazioni. Ciò potrebbe
però causare una rapida uscita degli amplicatori dalla loro zona lineare, con che le
oscillazioni sarebbero fortemente deformate.
440
Per ovviare a tale inconveniente è opportuno inserire nella rete di reazione un

elemento che riporti il sistema in zona lineare.
Ciò può esser ottenuto in vari modi. Un metodo spesso adoperato è quello di
sostituire una resistenza (ad esempio, nelloscillatore a sfasamento di gura 16.6, la
resistenza R posta allingresso invertente delloperazionale) con una resistenza che
abbia un coeciente di temperatura positivo (cioè un sensistore 1 ). In tal modo, se il
guadagno dellamplicatore aumenta, aumenterà la corrente in R con un conseguente
aumento del valore di questa e diminuzione del guadagno G = R1 /R. Si potrebbe
alternativamente aggiungere in serie ad R una resistenza di piccolo valore ma avente
un coeciente di temperatura positivo.
Unalternativa alluso del sensistore è quella di inserire una coppia di Zener contrapposti, in serie con una resistenza di valore inferiore ad R1 , in parallelo ad R1 ,
D1
D2
R2
R1
R
Vin
Vout
Figura 16.13: Oscillatore sinusoidale con |A| > 1 a cui è stata aggiunta una coppia di diodi
Zener contrapposti in serie ad una resistenza nella rete di reazione per mantenere il sistema in zona
lineare.
In questo circuito, se vout è inferiore a vz + v i diodi Zener sono interdetti ed

il guadagno dellamplicatore sarà uguale a R1 /R. Se vout aumenta oltre vz + v , i
diodi conducono e la resistenza di feedback diviene ora R2 R1 (inferiore quindi ad
R1 ) con che il guadagno diminuisce no a (R2 R1 ) /R.
Un ramo analogo a quello contenente i diodi in gura 16.13 può essere utilizzato,
nel circuito di gura 16.11, in serie con la capacità C2 .
16.7
Loscillatore a mezzo ponte di Wien
Questo adopera un amplicatore non-invertente, come indicato in gura 16.14.

Se facciamo lipotesi che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innita e
quella duscita sia nulla, possiamo far uso del circuito equivalente di gura 16.15 per
vericare il funzionamento
1
cioè una resistenza il cui valore aumenti allaumentare della temperatura e quindi allaumentare
della corrente che lattraversa. Un esempio di sensistore è una lampadina ad incandescenza
16.7 Loscillatore a mezzo ponte di Wien

C
441
R
Vo
+
C
Figura 16.14: Oscillatore a mezzo ponte di Wien.

R
Av V
Figura 16.15: Circuito equivalente alloscillatore a mezzo ponte di Wien.

Da tale circuito si ottiene facilmente:
v1 = (Av v1 )
Zp
Zp + Zs
dove Zs è limpedenza-serie e Zp quella parallelo di R e C:

Zp =
R/sC
R + 1/sC
Zs = R + 1/sC
Si ottiene in tal modo:
Av =
(sRC)2 + 3(sRC) + 1
sRC
La parte immaginaria di tale espressione si annulla per:

sRC +
cioè:
1
= 0
sRC
(sRC)2 = 1
442
e quindi, ponendo s = j, per:

=
1
RC
Per tale valore di si ha Av = 3. Questo dovrà quindi essere il guadagno

dellamplicatore.
16.8
Loscillatore a ponte di Wien
In tale tipo di oscillatore un ponte bilanciato (vedi gura 16.16) viene adoperato
come circuito di feedback.
R1
R2
v'
C
R
}
}
Figura 16.16: Oscillatore a ponte di Wien.

I quattro rami del ponte sono costituiti dalle impedenze R1 , R2 , Z1 , Z2 . Linput
del ponte è luscita v0 delloperazionale e loutput del ponte tra i nodi 1 e 2 fornisce
linput dierenziale allamplicatore operazionale (vedi gura 16.17). Se il ponte è
bilanciato, avremo v12 = 0, con un valore nito di v0 . Ciò richiede che la tensione
nel punto 2, determinata dal partitore R1 R2 , sia uguale a quella nel punto 1,
determinata dal partitore Z1 Z2 , cioè che sia:
Z1
R1
=
R2
Z2
In denitiva, nel circuito di gura 16.16, se il ponte è bilanciato, la dierenza
di potenziale tra lingresso invertente e quello non invertente delloperazionale, sarà
nulla. Ciò richiede che il feedback negativo introdotto dal ramo R1 R2 bilanci
quello positivo introdotto dal ramo Z1 Z2 . Questultimo è dato da:
vf
Z2
v1
=
=
=
v0
v0
Z1 + Z2
16.8 Loscillatore a ponte di Wien
443
mentre il primo è:

1
R2
=
R1 + R2
A
dove con A abbiamo indicato il guadagno dellamplicatore non invertente:
A=1+
Vo
R1
R2
R1
R
2
Z2
R2
Figura 16.17: Circuito equivalente alloscillatore a ponte di Wien di gura 16.16.

Il guadagno dellanello è A:
A =
cioè:
A =
R1
Z2
(1 +
)
Z1 + Z2
R2
(16.6)
R1
(1 +
)
2
3 j(1 )
R2
dove: RC. La condizione di Barkhausen: A = 1 (reale) impone che sia:

1 2 = 0
cioè = RC = 1. Se tale condizione è soddisfatta, lulteriore vincolo:

1
R1
A = 1 =
1+
3
R2
porta a:
1+
cioè:
R1
= 3
R2
R1
= 2
R2
` possibile cambiare con continuità la frequenza di risonanza cambiando simulE

` possibile poi modicare il range di
taneamente il valore dei due condensatori C. E
frequenza (in modo discontinuo) cambiando i valori delle due resistenze (uguali) R.
444
Luscita di tale circuito, se montato senza ulteriori precauzioni, potrebbe facilmente saturare al livello alto o a quello basso dellA.O., o esibire instabilità nelle
` possibile renderlo stabile, come accennato in precedenza, con lagoscillazioni. E
giunta di opportuni diodi. Un esempio è quello mostrato in gura 16.18. I due
diodi servono a bypassare la resistenza R3 e quindi a ridurre il guadagno (dato
nellesempio da 1 + (R1 + R3 + f X)/(R2 + (1 f ) X), con f il fattore di regolazione
del potenziometro X) non appena luscita tenda a divenire troppo alta in valore
assoluto.
D1
R2
10k
X
10k
R1
10k
10k
D2
R3
Vout
10n
10k
10n
10k R
C
R
Figura 16.18: Oscillatore a ponte di Wien stabilizzato grazie alla presenza di due diodi in
parallelo con una resistenza R3 .
16.8.1
Poli e zeri di A per loscillatore a ponte di Wien
` interessante analizzare la funzione che descrive il guadagno di maglia A per

E
loscillatore a ponte di Wien. In termini della variabile s, la (16.6), con:
Z1 =
1 + sCR
sC
Z2 =
R
1 + sCR
A=1+
R1
R2
diventa:
A = A
dove = RC.
s2 2
s
+ 3s + 1
(16.7)
445
Questa descrive un ltro passa-banda di ordine 2. Confrontando il denominatore

con lespressione standard già incontrata nel capitolo 14:
s2 +
0
s + 02
Q0
troviamo la corrispondenza:
0
Q0
1
3
Se poi si vuole che anche il numeratore acquisti la forma standard: s0 /Q0 , è facile
vedere che il guadagno A deve valere 3. Con tale scelta A acquista la forma
standard del ltro passa banda, con frequenza di centro banda pari ad 0 ed inoltre
essa soddisfa automaticamente la condizione A = 1 per = 0 , come è immediato
vericare.
Vediamo cosa accade se A = 3. Per un generico valore di A2 e con la corrispondenza tra coecienti già vista, la (16.7) diventa:
A =
s2
As0
+ Q00 s + 02
dove Q0 = 1/3.
Imponiamo la condizione che questa sia uguale ad 1. Troviamo:

1
2
s + s0
A + 02 = 0
Q0
cioè:
s2 + s0 (3 A) + 02 = 0
(16.8)
Studiamo la variazione degli zeri di questa funzione o, equivalentemente, dei poli

di:
H(s) =
s2
1
+ s0 (3 A) + 02
al variare del guadagno A.

Per A = 0 troviamo:
s1,2 =

0
3 5
2
cioè:
s1 = 2.620 ;
s2 = 0.380
Per A = 1:
s1 = s2 = 0
Per A = 5:
s1 = s2 = 0
(16.9)
446

j
A=3
0
A=0
X
-2.62 0
A=1
X
A=0
X
-0.38 0
A=5
X
A=3
Figura 16.19: Posizioni dei poli della funzione H(s) data dalla (16.9), per diversi valori del
guadagno A.
Per A = 3 troviamo, come si è già visto, s1 = j0 , s2 = +j0 . I poli della

funzione (16.9) sono mostrati in gura 16.19 per i diversi valori di A esaminati.
Si vede come la posizione dei poli cambi al cambiare del guadagno A. Vediamo
anche che la soluzione A = 3 è quella che fornisce una coppia di poli immaginari
coniugati, cui corrisponde un comportamento oscillante. Per ciascuno degli altri
valori di A esaminati, il comportamento è smorzato (è il caso in cui A = 0 o A = 1)
o instabile (per A = 5).
Notiamo inne che lequazione (16.9) è formalmente identica a quella ottenibile
per un oscillatore armonico smorzato, quale quello che descrive il moto di una massa
m sottoposta ad una forza elastica di richiamo, in presenza di una forza dattrito
proporzionale alla velocità. Se infatti k è la costante elastica e la costante che
descrive lattrito, lequazione del moto sarà:
m
x + x + kx = 0
La trasformata di Laplace di questa è:
ms2 X(s) msx(0) mx(0)
+ sX(s) x(0) + kX(s) = 0

dove X(s) è la trasformata della x(t) e x(0), x(0)
sono la posizione e velocità delloggetto al tempo t = 0. Se ammettiamo che sia x(0) = 0 ed indichiamo con v la
velocità per t = 0, questa diventa:

2

ms2 + s + k X(s) = 0
esamineremo anche il caso A=0, impossibile con la congurazione adottata per lamplicatore,
1
e sicuramente maggiore di 1
in cui il guadagno A = 1 + R
R2 `
447
da cui:
mv
+ s + k
ovvero, a meno di una costante moltiplicativa v:
X(s) =
X(s) =
ms2
1
s2 +
s
m
k
m
Questa è formalmente identica alla (16.9), con la corrispondenza:

3 A

1
km
k
m
Anche in questo caso il moto è puramente oscillatorio se = 0, che equivale alla
condizione da noi trovata: A = 3.
0
16.8.2
Stabilit`
a in frequenza delloscillatore a ponte di Wien
Le considerazioni che svolgeremo in questa sezione, anche se relative alloscillatore

a ponte di Wien, sono facilmente applicabili ad altri tipi di oscillatori sinusoidali.
Il problema che principalmente inuenza la stabilità in frequenza di un oscillatore
sinusoidale è legato alle capacità parassite presenti nei componenti attivi adoperati.
Tali capacità sono tipicamente non lineari, il che fà s` che esse cambino al cambiare
dei parametri ambientali, nonchè con linvecchiamento dei dispositivi. Come risultato il guadagno dellelemento attivo, la cui fase si vorrebbe uguale a 00 o 1800 può
divenire qualsiasi. Poichè loscillazione può aversi solo a quella frequenza a cui lo
sfasamento introdotto dalla rete di reazione compensa quello dovuto allelemento
attivo, accadrà che la frequenza doscillazione cambierà ed acquisterà quel valore a
cui i due sfasamenti si compensano. Ne segue che la frequenza doscillazione potrà
cambiare, ad esempio, con la temperatura.
Il problema può esser risolto facendo ricorso ad un blocco di reazione avente
una caratteristica di fase con una forte dipendenza dalla frequenza. In tal modo
infatti, se lo sfasamento introdotto dallelemento attivo cambia ed acquista un valore
, diverso da zero, la rete di reazione renderà possibile loscillazione ad una
nuova frequenza molto poco diversa da quella iniziale . Ciò è possibile poichè
alla frequenza , poco diversa da corrisponderà (per lipotesi fatta di una forte
dipendenza dello sfasamento da ) uno sfasamento abbastanza grande da poter
compensare . Reti passive con la caratteristica richiesta sono quelle basate su
circuiti risonanti RLC, o ancor pi`
u su cristalli piezoelettrici.
Considerazioni simili possono essere svolte relativamente alloscillatore a ponte
di Wien. Anche in questo caso potrà aversi una buona stabilità in frequenza se, ad
una variazione apprezzabile di sfasamento corrisponde una piccola variazione della
frequenza doscillazione.
Si denisce un fattore di stabilit`
a in frequenza Sf come:
Sf =
d
d
d
= f0
= 0
d(f /f0 )
df
d
(16.10)
448
Un oscillatore avrà una buona stabilità se Sf ha un valore elevato (in modulo).

Consideriamo ad esempio loscillatore a ponte di Wien di gura 16.16, che possiamo ridisegnare schematicamente come mostrato in gura 16.20, dove sono indicati solo gli ingressi (+) e (-) dellamplicatore operazionale, nonchè luscita v0 del
medesimo.
v0
R1
R
+
C
R2
Figura 16.20: Schematizzazione delloscillatore a ponte di Wien.
Sono indicati solo i

componenti passivi presenti nella rete di feedback e gli ingressi (+) e (-) delloperazionale.
Come si è visto, la reazione negativa associata al partitore R1 R2 deve, alla

frequenza di risonanza, uguagliare quella positiva + associata alla rete di reazione
C R R C. Questultima è data da:
1
v+
sCR
=
+ =
= 2 2 2
v0
s C R + 3sCR + 1
sCR + 3 + 1/(sCR)
La frequenza di risonanza è 0 = 1/RC, per cui, ponendo s = j, lultima espressione diventa:
1

+ =
(16.11)
3 + j 0 0
Questa, alla frequenza di risonanza 0 , fornisce + = 1/3. Perchè il ponte sia
bilanciato occorre che sia + = = 1/3, cioè:
R2
1
(16.12)
=
=
R1 + R2
3
Ammettiamo ora che il ponte non sia esattamente bilanciato, cioè che differisca, anche se poco, da 1/3. Scriveremo:
R2
1 1
(16.13)
=
R1 + R2
3
Ora, la funzione di trasferimento complessiva, tra linput del ponte (cioè v0 ) e
loutput dierenziale (cioè v+ v ) è data da:

1 1
= + = +
(16.14)
3
=
449
Lo sfasamento associato a tale funzione di trasferimento dipende, oltre che da ,

dalla frequenza . Per = 0 avremo + = 13 e quindi = 1 . Ciò implica che il
guadagno dellamplicatore dovrà essere A = , in modo che sia A = 1.
Lo sfasamento associato a è ora facilmente ottenibile dalle equazioni (16.11)
e (16.14). Si trova:
= + =
3+j
1
1 1
+ =
3
1
3
3 + j 0

3 + j 0 0
1

=
9 + j ( 3) 0 0

=
9 + 3j 0 0
Lo sfasamento è allora:

0
0
1 3
1 1
= tan
tan
9
0
3 0
Il fattore di stabilità in frequenza è dato dalla (16.10), cioè da:

2
2
3
1
0
1+
1 + 0
9
3
d
=
Sf =
2
2
2

d (/0)
0
0
1
1 + 3
1
+
9
0
9 0
(16.15)
(16.16)
Landamento di questa funzione di /0 è mostrato in gura 16.21 per tre diversi

valori dello sbilanciamento del ponte, .
Vediamo che la stabilità in frequenza per loscillatore a ponte di Wien è tanto
maggiore quanto maggiore è lo sbilanciamento .
Per = 0 , la (16.16)fornisce:
Sf =
2
2
2
(3 ) =
9
3
9
che per = 300 è uguale a -66.67.

Per questo valore di , e con R1 = 20k, troviamo:
1+
da cui:
R1
3
= 3.030
=
R2
3
R1
= 2.030
R2
e quindi R2 = 9.85 k.
16.9
Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive
Per realizzare oscillatori in grado di raggiungere frequenze pi`

u elevate di quelle
ottenibili con i circuiti discussi nora, si ricorre a sistemi che utilizzano elementi
450
20
40
60
Sf
80
100
120
140
160
180
0.85
0.9
0.95
=100
=200
=800
1.05
1.1
Figura 16.21: Fattore di stabilità per loscillatore a ponte di Wien, dato dalla (16.16), in
funzione del rapporto /0 , calcolato per tre diversi valori dello sbilanciamento .
reattivi di tipo capacitivo ed induttivo. A causa dei limiti imposti dallo slew-rate
degli operazionali, molto spesso questi circuiti adottano, come elementi attivi, dei
transistor bipolari o dei FET.
Questo tipo di oscillatori sono basati sul carattere risonante di un circuito LC,
quale quello mostrato in gura 16.22. Come sappiamo, in un circuito LC, si ha una
periodica trasformazione dellenergia immagazzinata nellinduttanza, sotto forma
di energia magnetica, in energia elettrostatica del condensatore, e viceversa. Tale
oscillazione dellenergia è analoga a quanto avviene nel caso dellaltalena, in cui
energia potenziale viene periodicamente convertita in energia cinetica e viceversa.
Sia nel caso del circuito LC che nel caso dellaltalena, eetti dissipativi fanno s` che
loscillazione si smorzi. Nel caso dellaltalena è però suciente che una persona dia
periodicamente una leggera spinta, perchè loscillazione continui. Analogamente,
nel caso del circuito LC è suciente, come vedremo, che un dispositivo attivo fornisca, in fase con loscillazione, una piccola corrente (o tensione) perchè si abbia un
oscillazione persistente.
Esaminiamo in dettaglio il circuito di gura. Ammettiamo che vin sia un segnale
sinusoidale del tipo:
vin = A sin t
e calcoliamo vout .
451
R
vin
L
vout
Figura 16.22: Circuito oscillante RLC.

Limpedenza del parallelo LC è data da:
Z =
1
s
ZC ZL
(1/sC) (sL)
=
=
2
ZC + ZL
(1/sC) + sL
C s + 1/LC
Ponendo ora:
02 = 1/LC
questa potrà esser scritta nella forma3 :
Z(s) =
s
1
2
C s + 02
(16.17)
La forma matematica di tale impedenza può esser confrontata con quella del
ltro passa-banda (tabella(14.1)):
G(s) =
s2 +
0
s
Q0
0
s+
Q0
02
(16.18)
La (16.17) è ottenibile dalla (16.18) ponendo Q0 , il che implica una larghezza di banda innitamente piccola. Limpedenza Z diviene innitamente grande per
= 0 , mentre acquista valori niti per = 0 .
La relazione tra vin e vout nel circuito di gura è:
Z
s/ (s2 + 02 )
vout
=
=
vin
R+Z
(s2 + 02 ) + s
dove = RC. Da questa si ottiene:
vout
= 2
vin
s +
+ 02
(16.19)
Questa ha ancora la forma della (16.18), con la corrispondenza:

0
1
1
=
Q0
RC
3
Notiamo che ponendo nella (16.17) s = j è facile vedere che per 0 limpedenza diviene
1/jC, cioè di tipo capacitivo. Viceversa, per 0 essa diviene di tipo induttivo: jL
452
da cui:
RC
Q0 =
= R
LC
C
L
Vediamo da questa che Q0 , e quindi la larghezza del picco di risonanza (che và come
linverso di Q0 ) è determinato dai valori di R, C ed L. Lespressione ottenuta mostra
che, se si vuole un picco molto stretto occorre, a parità dei valori di L e C, scegliere
una resistenza di valore elevato4 .
Esaminiamo un esempio numerico:
L = 0.1 H
C = 10 F
R = 100
Troviamo:
0 =
1
= 106 rad/s
LC
0
= 0.159 MHz
2
Q0 = 100 102 = 1000
f0 =
Questo valore di Q0 corrisponde ad una larghezza di banda data da:

=
0
= 159 rad/s
Q0
o, in termini della frequenza f :

= f f = 25 Hz
Il risultato ottenuto ci dà unidea della grande selettività in frequenza che un
circuito LC può avere. Nellesempio fatto, tutte le frequenze presenti alluscita del
generatore, situate al di fuori del range f0 saranno fortemente soppresse, quelle
situate in prossimità di f0 saranno presenti.
` altrettanto importante esaminare lo sfasamento introdotto dal circuito. DalE
la (16.19), ponendo s = j, troviamo:
2 / 2 + j (02 2 ) /
j/
vout
=
= 2
2
vin
0 2 + j/
(02 2 ) + 2 / 2
da cui otteniamo lo sfasamento :

2
0 2
Vediamo che lo sfasamento è nullo alla risonanza ( = 0 ) mentre esso si discosta

sensibilmente da zero appena fuori dalla risonanza. Ad esempio, nel caso numerico
= tan1
Si pu`
o dimostrare che il valore di Q0 è una misura del numero di oscillazioni che il circuito,
eccitato da un gradino unitario, eettua in un tempo pari a . Per una dimostrazione si veda
lappendice B
453
esaminato sopra, con 0 = 106 rad/s e = 1 ms, se dierisce da 0 per appena

159 rad/s (25 Hz), troviamo:
= 17.6o
Unimplementazione di un circuito oscillante che fà uso di un circuito LC nella
rete di reazione di un amplicatore a transistor è quella mostrata in gura 16.23.
vcc
L1
C
L2
R1
Cb
vout
R2
Cc
Re
Figura 16.23: Circuito oscillante che adopera un LC nel circuito di collettore di un amplicatore
a transistor bipolare, con feedback sullemettitore.
Alla risonanza il carico eettivamente presente sul collettore, costituito dal parallelo LC, subirà un notevole aumento. Di conseguenza aumenterà il guadagno
dellamplicatore, e quindi il segnale sul collettore del medesimo. A causa del feedback sullemettitore (feedback positivo) il segnale alla frequenza di risonanza viene
amplicato ulteriormente. In un gran numero di cicli, un sia pur piccolo segnale
presente (a causa del rumore) nel circuito, viene amplicato in modo apprezzabile.
La non linearità dellamplicatore impedisce che leetto mandi in saturazione lamplicatore stesso. I segnali presenti a frequenze diverse da quella di risonanza non
subiscono lamplicazione.
Notiamo che il feedback è ottenuto prelevando da un punto intermedio dellinduttanza L, una opportuna frazione del segnale presente nel circuito oscillante ed
inviandolo allemettitore attraverso il condensatore daccoppiamento Cc . La tensione di base viene invece mantenuta costante attraverso il partitore R1 -R2 ed il
condensatore Cb . La congurazione indicata è nota come oscillatore Hartley. In
realtà questo è un caso particolare di oscillatore Hartley. Riservandoci di tornare
pi`
u avanti su tale tipo di oscillatore, passeremo ora a svolgere alcune considerazioni
di carattere pi`
u generale sugli oscillatori basati su circuiti LC.
454

+
V0
V0
R0
Z3
V
Z2
i=0
Z1
Figura 16.24: Struttura generale di un oscillatore a tre punti.
16.9.1
Struttura generale di un oscillatore a tre punti
Gli oscillatori sinusoidali che utilizzano circuiti LC rientrano nella categoria generale
degli oscillatori a tre punti del tipo mostrato in gura 16.24.
Qui abbiamo unamplicatore invertente di guadagno A (A < 0) ed una catena
di feedback costituita da tre elementi passivi, inserita tra luscita dellamplicatore e
lingresso invertente e con un nodo intermedio della catena collegato a massa. Lamplicatore potrebbe essere in generale un semplice amplicatore a transistor o FET,
o anche un operazionale. Faremo per il momento lipotesi semplicatrice che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innitamente grande, e che innitamente
grande sia anche il carico (non indicato in gura) presente in uscita. Le impedenze
Z1 , Z2 e Z3 possono essere, per il momento, generiche.
Se indichiamo con ZL limpedenza equivalente allinsieme delle tre, vista tra v0
e massa, troviamo:
ZL = Z2 (Z1 + Z3 ) =
Z2 (Z1 + Z3 )
Z1 + Z2 + Z3
avremo:
v0 = v0
ZL
R0 + ZL
e quindi:
Z1
ZL
Z1
= v0
Z1 + Z3
R0 + ZL Z1 + Z3
Da questa, con facili passaggi, si ottiene:
v = v0
v = v0
Z1 Z2
(Z1 + Z2 + Z3 ) R0 + Z2 (Z1 + Z3 )
Il fattore di feedback è dato da:
v
Z1 Z2
=

v0
(Z1 + Z2 + Z3 ) R0 + Z2 (Z1 + Z3 )
455
(16.20)
Se le impedenze Zi sono di tipo induttivo o capacitivo, potremo scrivere:

Zi = jXi
(i = 1 . . . 3)
dove Xi = L, se Zi è uninduttanza, mentre Xi = 1/C se Zi è una capacità.

Con ciò la (16.20) diviene:
=
X 1 X2
j (X1 + X2 + X3 ) R0 X2 (X1 + X3 )
(16.21)
Da questa otteniamo poi:

A = A
X 1 X2
j (X1 + X2 + X3 ) R0 X2 (X1 + X3 )
(16.22)
Imponiamo ora che A sia reale; ciò richiede che sia nullo il termine che moltiplica
lunità immaginaria nella (16.22), e quindi:
X 1 + X2 + X3 = 0
(16.23)
Con ciò la (16.22) diviene:

A (0 ) = A
X1
X 1 + X3
(16.24)
dove abbiamo indicato con 0 la frequenza doscillazione. Dalle (16.23) e (16.24)

otteniamo poi:
A (0 ) = A
X1
X2
(16.25)
Poichè A(0 ) deve esser positivo ed A è negativo, ne segue che X1 ed X2 debbono avere il medesimo segno, il che implica che i corrispondenti elementi debbono
essere o entrambi di tipo capacitivo o entrambi di tipo induttivo. Segue allora dalla (16.23) che se X1 ed X2 sono di tipo capacitivo, X3 deve essere di tipo induttivo
e viceversa.
Se X1 ed X2 sono di tipo capacitivo ed X3 è di tipo induttivo, si ha a che fare
con un oscillatore Colpitts. Se X1 ed X2 sono di tipo induttivo ed X3 è di tipo
capacitivo, si ha a che fare con un oscillatore Hartley. Nel primo caso la (16.23)
porta a:
1
1
+
L = 0
C1 C2
da cui:
2 = 02 =
mentre la (16.25) porta a:
C1 + C2
L (C1 C2 )
(16.26)
456
A (0 ) = A
C2
C1
(16.27)
La condizione A = 1 porta allora a:

A =
C1
C2
(16.28)
Nel caso di un oscillatore Hartley, la (16.23) porta a:

L1 + L2
1
= 0
C
da cui:
2 = 02 =
1
C (L1 + L2 )
(16.29)
La condizione A = 1, insieme alla (16.25) implica poi:

L2
(16.30)
L1
Nella pratica, perchè si abbiano delle oscillazioni persistenti occorre che il guadagno |A| dellamplicatore sia maggiore dei valori indicati dalle (16.28) e (16.30).
Nelle prossime sezioni esamineremo alcuni esempi concreti di oscillatori dei due
tipi ora descritti.
A =
16.9.2
Oscillatori Colpitts
Esaminiamo ora in dettaglio un oscillatore Colpitts che fa uso di un operazionale in

congurazione invertente. Faremo ciò tenendo anche conto del carico che loscillatore dovrà alimentare. Il circuito è quello mostrato in gura 16.25, dove il carico è
costituito dalla resistenza RL . Una frazione della tensione v0 presente alluscita
delloperazionale è la tensione vf applicata allingresso dellamplicatore. Il coeciente di feedback (funzione della frequenza ) è dato dal rapporto vf /v0 . Il procedimento che seguiremo sarà quello di calcolare () ed imporre poi la condizione
che il prodotto A() sia uguale ad uno.
Per calcolare possiamo far ricorso al circuito equivalente mostrato in gura 16.26, dove è:
R2
v0 = Avf = vf
R1
Il coeciente di feedback è facilmente ottenibile dallo schema di gura. Indicando
infatti con Z limpedenza costituita dal parallelo di C1 ed R1 e con Z il parallelo di
C2 con la serie (Z -L), è immediato vericare che si ha:
v0 = v0
Z
Z + RL
(16.31)
come pure:
Z
vf = v0
Z + jL
(16.32)
457
R2
R1
Vf
V0
+
RL
V0
C1
C2
Figura 16.25: Oscillatore sinusoidale Colpitts che fa uso di un amplicatore operazionale in

congurazione invertente.
V0
RL
V0
L
Vf
C2
C1
R1
Figura 16.26: Schema equivalente adoperato per calcolare la risposta delloscillatore sinusoidale
di gura 16.25. Si è tenuto conto del fatto che lestremità destra della resistenza R1 nel circuito
iniziale è una massa virtuale.
dove:
Z =
` poi anche:
E
R1
jR1 C1 + 1
(16.33)
458
Z =
1
(jL + Z ) jC
2
jL + Z +
1
jC2
(R1 2 LC1 R1 ) + jL
(16.34)
(1 2 LC2 ) + j (R1 (C1 + C2 ) 3 LR1 C1 C2 )
Dalle (16.31) e (16.32) otteniamo:

vf = v0
Z
Z
Z + RL Z + jL
(16.35)
e quindi:
=
ZZ
vf
=
v0
ZZ + jLZ + jLRL + Z RL
(16.36)
La condizione A = 1 porta allora a:

ZZ A = ZZ + jLZ + jLRL + Z RL
(16.37)
Z (AZ Z jL) = RL (Z + jL)
(16.38)
da cui:
Questa porta poi a:

1
AZ
1
=

Z
RL (Z + jL) RL
(16.39)
Sostituendo in questa lespressione di Z data dalla (16.33), otteniamo:

(1 2LC2 ) + jR1 ((C1 + C2 ) 2LC1 C2 )
=
R1 (1 2 LC1 ) + jL
AR1
1
=
RL (R1 + jL (1 + jR1 C1 )) RL
(16.40)
Da questa, con facili passaggi, si ottiene poi:

RL 1 2LC2 + R1 1 2 LC1 A +

+j L + R1 RL (C1 + C2 ) 2 R1 RL LC1 C2 = 0
(16.41)
Imponendo ora la condizione che si annulli il coeciente dellunità immaginaria

in questultima equazione, otteniamo:
L + R1 RL (C1 + C2 )
R1 RL LC1 C2
Per grandi valori di RL questa può esser approssimata con:
2 =
2 =
C1 + C2
LC1 C2
Imponendo che si annulli la parte reale della (16.41) si trova poi:
(16.42)
(16.43)
459
AR1 = (RL + R1 ) 2 L (R1 C1 + RL C2 ) =

L + R1 RL (C1 + C2 )
(R1 C1 + RL C2 )
R1 RL C1 C2
Da questa si ottiene poi per il guadagno A:

1
RL + R1 R1 C1 + RL C2
C1 + C2
A =
+
R1
R1
R1 RL C1 C2
C1 C2
= (RL + R1 )
(16.44)
Il guadagno A dellamplicatore, dato da R2 /R1 deve quindi uguagliare questespressione se si vuole che sia soddisfatta la condizione di Barkhausen. In realtà,
come già accennato in precedenza, è buona regola che il guadagno abbia un valore
superiore a quello richiesto dalla (16.44).
Sostituendo questa espressione di A nella (16.44), otteniamo:

R2
1
RL + R1 R1 C1 + RL C2
C1 + C2
=
+
+
R1
R1
R1
R1 RL C1 C2
C1 C2
(16.45)
Abbiamo già visto che per grandi valori del carico RL la frequenza angolare di
risonanza, il cui quadrato è dato dalla (16.42), acquista la forma standard data
dalla (16.43). Possiamo vedere che, in tali condizioni, il vincolo dato dalla (16.45)
acquista una forma molto pi`
u semplice. Dalla (16.45) infatti si ottiene:

1
C1 + C2
R2 = (RL + R1 ) + (R1 C1 + RL C2 )
+
R1 RL C1 C2
C1 C2
da cui segue:

R1
R1 C1 + RL C2
C1 + C2
1
R2
= 1
+
+
RL
RL
RL
R1 RL C1 C2
C1 C2
Da questa, con facili passaggi, si ottiene:
R2
1
1
R1 C1
C2
= 2
+
+
+
RL
RL C2 C1 R1 RL RL C2 C1
(16.46)
Se nel secondo membro di questa espressione possiamo trascurare i termini

contenenti RL a denominatore, otteniamo:
C2
R2
=
RL
C1
Esaminiamo ad esempio il caso in cui sia:
C1 = 0.01F, C2 = 0.1F, L = 100H, R1 = 100k, R2 = 1M,

cui corrisponde una frequenza angolare di oscillazione:

C1 + C2
= 1.049 106 rad/s
=
LC1 C2
(16.47)
RL = 100k
460
Vediamo che per tale scelta dei valori dei componenti il rapporto C2 /C1 vale 10
ed è uguale al rapporto R2 /RL .
` anche facile vericare che tali valori dei componenti sono compatibili con la
E
scelta fatta di trascurare alcuni dei termini presenti nella (16.46): in eetti i tre
termini trascurati a secondo termine di tale espressione valgono, nellordine 0.001,
0.01 e 0.1.
16.9.3
Oscillatori Hartley
Esaminiamo ora in dettaglio un oscillatore Hartley che fa uso di un operazionale in

congurazione invertente. Come nel caso dellanalogo oscillatore Colpitts, faremo
ciò tenendo anche conto del carico che loscillatore dovrà alimentare. Il circuito
è quello mostrato in gura 16.27, dove il carico è costituito dalla resistenza RL .
Una frazione della tensione v0 presente alluscita delloperazionale è la tensione vf
applicata allingresso dellamplicatore. Il coeciente di feedback (funzione della
frequenza ) è dato dal rapporto vf /v0 . Il procedimento che seguiremo sarà quello
di calcolare () ed imporre poi la condizione che il prodotto A() sia uguale ad
uno.
R2
R1
Vf
V0
+
RL
C
V0
L2
L1
Figura 16.27: Oscillatore sinusoidale Hartley che fa uso di un amplicatore operazionale in

Il procedimento che seguiremo è identico a quello seguito nel caso delloscillatore

Colpitts. Lo schema equivalente adoperato per il calcolo del fattore di feedback è
mostrato in gura 16.28. Le impedenze Z e Z sono date da:
jL1 R1
R1 + jL1

1

jL2 jC + Z
Z =
Z =
Z + jL2 +
1
jC
(16.48)
(16.49)
461
V0
RL
V0
C
Vf
L2
L1
R1
Figura 16.28: Schema equivalente adoperato per calcolare la risposta delloscillatore sinusoidale
di gura 16.27. Si è tenuto conto del fatto che lestremità destra della resistenza R1 nel circuito
iniziale è una massa virtuale.
La tensione di feedback vf è poi data da:

vf =
v0 Z
1
Z + jC
(16.50)
v0 =
v0 Z
Z + RL
(16.51)
dove:
Dalle (16.50) e (16.51) si ottiene poi:

vf =
v0 ZZ

1

Z + jC (RL + Z)
(16.52)
da cui si ottiene :
=
vf
=
v0
Z +
ZZ

1
(RL + Z)
jC
Imponendo ora la condizione A = 1, si ottiene:

ZZ A = RL Z + ZZ +
Z
RL
+
jC jC
da cui:
jCZ (A 1) 1
1
=
Z
RL (1 + jCZ )
(16.53)
462
Il calcolo del medesimo rapporto, eettuato a partire dalle (16.48) e (16.49),

porta a:
1 + jCZ 2 L2 C
1
=
Z
jL2 (1 + jCZ )
Uguagliando queste due espressioni di 1/Z troviamo:
2 L2 C [RL Z (A 1)] RL = j (RL CZ + L2 )
Sostituendo in questa lespressione di Z data dalla (16.48) troviamo, dopo
semplici passaggi:
j 3 [CRL L1 L2 CR1 L1 L2 (A 1)] +
2 [CR1 RL L2 + CR1 RL L1 + L1 L2 ]
j [L1 RL + R1 L2 ]
RL R1 = 0
(16.54)
Imponendo ora che si annulli la parte reale di questa, otteniamo:

2 =
RL R1
1
=
CR1 RL (L1 + L2 ) + L1 L2
C (L1 + L2 ) +
L1 L2
R1 RL
(16.55)
Per C (L1 + L2 ) L1 L2 / (R1 RL ), otteniamo da questa:

2 =
1
C (L1 + L2 )
(16.56)
identica alla (16.29) della precedente sezione.

Imponendo che si annulli la parte immaginaria della (16.54), troviamo poi:
2 CL1 L2 [RL R1 (A 1)] = RL L1 + R1 L2
sostituendo in questa lespressione di 2 data dalla (16.56) e facendo uso dellespressione del guadagno dellamplicatore: A = R2 /R1 troviamo poi:
2CL1 L2 (RL + R1 + R2 ) =
1
L1 L2 (RL + R1 + R2 ) = RL L1 + R1 L2
L1 + L2
da cui segue:
R2 L1 L2 = RL L21 + R1 L22
Se in questa equazione il secondo termine a secondo membro può esser trascurato
rispetto al primo, da questa segue poi:
R2
L1
=
RL
L2
(16.57)
16.9.4
463
Oscillatori LC a transistor
Esaminiamo ora alcuni esempi di oscillatori LC a transistor, iniziando dalloscillatore Colpitts di gura 16.29. Esaminiamo alcune caratteristiche di questo circuito.
Leetto del condensatore di emettitore Ce è quello di far s` che lemettitore sia a
massa per il segnale. La tensione oscillante nel circuito LC è inviata, come segnale
di feedback, alla base del transistor attraverso il condensatore daccoppiamento Cc .
La presenza dellinduttanza Lc sul collettore impedisce che la componente variabile
venga cortocircuitata a massa attraverso lalimentatore. Tale induttanza è spesso
presente in questo tipo di oscillatori, ed è nota in gergo come choke.
Vcc
Lc
L
Cc
C1
C2
Rb
Re
Ce
Vbb
Figura 16.29: Oscillatore Colpitts a transistor. Il circuito di polarizzazione di base è stato

schematizzato tramite la resistenza Rb in serie con un alimentatore Vbb . Linduttanza Lc è utilizzata
per far s` che il segnale oscillante presente sul collettore non venga cortocircuitato a massa
attraverso lalimentazione Vcc . I condensatori Cc e Ce saranno scelti di valore abbastanza elevato
da poter esser considerati dei corto circuiti.
Il circuito equivalente adoperato per calcolare la frequenza doscillazione è quello
di gura 16.30. Il transistor è descritto attraverso i parametri hie ed hf e del modello
a parametri h. I restanti parametri hre ed hoe sono stati trascurati.
Con riferimento alle correnti indicate nel circuito equivalente, avremo:
i1
i
=
=
ic + iL
iL + i2
(16.58)
dove:
ic = hf e ib
da queste si ottiene:
iL = i1 hf e ib
(16.59)
464

i
Rb
ib
ic
hie
i1
hfeib
iL
C1
i2
C2
Figura 16.30: Circuito equivalente adoperato per calcolare la frequenza doscillazione delloscillatore Colpitts a transistor di gura 16.29. La congurazione è quella di un emettitore comune.
Il segnale presente ai capi del condensatore C2 costituisce il segnale di feedback inviato alla base
del transistor.
Indicando inoltre con v1 la tensione su C1 e con v2 quella su C2 , la (16.59) porta

a:
iL = v1 sC1 hf e ib
(16.60)
i2 = v2 sC2
(16.61)
mentre è anche:
La corrente iL è anche esprimibile come:

iL =
v1 v2
sL
(16.62)
da cui:
v1
= sLiL + v2
sL
Dallultima equazione, insieme alla (16.60), otteniamo:
(16.63)
iL = (sLiL + v2 ) sC1 hf e ib
(16.64)

C1
iL 1 + s2 LC1 = (sC1 v2 + hf e ib ) = i2
hf e ib
C2
(16.65)
da cui:
dove si è fatto uso della (16.61).

Da questa otteniamo:
iL =
i2 (C1 /C2 ) hf e ib
1 + s2 LC1
(16.66)
465
La (16.58) porta allora a:

C1 /C2
hf e ib
i = iL + i2 = i2 1 +
=
2
1 + s LC1
1 + s2 LC1

C1 /C2
hf e ib
= v2 sC1 1 +
2
1 + s LC1
1 + s2 LC1
(16.67)
La tensione v2 è uguale a quella vb sulla base. Il rapporto tra i e la corrente che

entra in base ib è dato da:
i
hie
Rb + hie
=
=
ib
Rb hie
Rb
(16.68)
` anche:
E
vb = hie ib
Sostituendo questa nella (16.67), otteniamo:

C1 /C2
hf e ib
i = = hie ib sC1 1 +
2
1 + s LC1
1 + s2 LC1
(16.69)
da cui:
i = ib

C2
hie sC1 + hie s3 LC12 + hie s C12 + hf e
(16.70)
1 + s2 LC1
Il fattore di feedback può, in questo schema, esser denito in termini di un
rapporto tra correnti: la corrente di feedback i e quella dingresso ib . Otteniamo
allora:

C1
3
h
C
LC
+
s
1
+
s
hf e
ie 1
1
C2
i
=
=
(16.71)
ib
1 + s2 LC1
Il guadagno di maglia può ora essere espresso come il prodotto di per il
guadagno associato al nodo dingresso, dato dal rapporto tra ib ed i. Ponendo
quindi:
A ib /i
e facendo uso della (16.68), otteniamo:
A =
ib
Rb
=
i
Rb + hie
(16.72)
Facciamo ora uso delle (16.71) e (16.72) per ottenere il prodotto A ed imponiamo che questo valga 1. Otteniamo:

1 + s LC1 (Rb + hie ) = Rb hie C1
Ponendo ora s = j, questa fornisce:

C1
s LC1 + s 1 +
Rb hf e
C2
3
(16.73)
466

C1
2
3
Rb hf e
1 LC1 (Rb + hie ) = Rb hie C1 j LC1 j 1 +
C2
La somma dei termini immaginari in questa equazione fornisce:

C1
2 2
Rb hie LC1 = Rb hie C1 1 +
C2
(16.74)
(16.75)
da cui si ottiene facilmente:

2 =
C1 + C2
LC1 C2
(16.76)
La parte reale della (16.74) fornisce poi:

1 2 LC1 (Rb + hie ) = Rb hf e
(16.77)
da cui, sostituendo lespressione fornita dalla (16.76) per 2 segue:

C1
(Rb + hie ) = Rb hf e
C2
(16.78)
Se poi è Rb hie , si ottiene inne:

hf e =
C1
C2
(16.79)
che è al solito da intendersi come una disuguaglianza.

Passiamo ora ad esaminare un oscillatore Hartley a transistor, quale quello
mostrato in gura 16.31. Il condensatore C2 sarà normalmente scelto di valore
sucientemente elevato da poter esser considerato un corto circuito alle frequenze
dinteresse. La resistenza di polarizzazione di base R1 può esser considerata un circuito aperto per il segnale. Inoltre, la resistenza di polarizzazione sul collettore R2
sarà in genere di valore sucientemente piccolo da poter essere ignorata, con che la
congurazione adottata diviene quella di collettore comune.
Se ignoriamo tutte le resistenze di polarizzazione, lalimentazione ed il condensatore C2 , il circuito si semplica nel modo mostrato in gura 16.32.
Linduttanza L, nellipotesi di uno stretto accoppiamento tra le spire, può esser
assimilata ad un autotrasformatore, come mostrato in gura 16.32. In tale autotrasformatore le spire del primario sono quelle (n1 ) comprese tra i nodi b e c;
quelle del secondario sono tutte le spire dellinduttanza (n1 + n2 ). Possiamo allora
semplicare ulteriormente il circuito, sostituendo allautotrasformatore un normale
trasformatore, come mostrato in gura 16.33. Il trasformatore ha n1 spire primarie
ed n1 + n2 spire secondarie.
Facciamo ora uso del modello a parametri h per descrivere il funzionamento del
transistor, Nella congurazione adottata, di collettore comune, i parametri rilevanti
sono hic ed hf c (trascurando gli altri due parametri hoc ed hrc ). Il circuito diviene
allora quello di gura 16.34.
Adottiamo ora la tecnica discussa nel primo capitolo, di riettere i componenti
connessi al primario del trasformatore nel circuito del secondario. Nel nostro caso,
467
Vcc
R2
R1
C2
L2
C1
L1
Figura 16.31: Oscillatore Hartley a transistor. La polarizzazione di base è fornita dalla rea scelto di valore abbastanza elevato da poter esser considerato
sistenza R1 . Il condensatore C2 andr`
un corto circuito.
C1
.a
n2 b
L
n1 .
c
Figura 16.32: Schema semplicato delloscillatore Hartley a transistor. Sono state omesse le
resistenze di polarizzazione e lalimentazione.
lunico componente connesso al primario è il generatore di corrente hf c ib . Il circuito

si semplica allora ulteriormente in quello di gura 16.35, dove il suddetto generatore
è stato moltiplicato per il fattore n1 /(n1 +n2 ) ed inserito nel circuito secondario (cioè
in parallelo ad L C ed alla resistenza hic .
Lammettenza del parallelo dei tre componenti C, L ed 1/hie è data da:
468
L
C
n1
n1+n2
Figura 16.33: Schema semplicato delloscillatore Hartley a transistor, ottenuto da quello di

gura 16.32 sostituendo linduttanza L con un trasformatore.
hic
ib
L
C
n1
n1+n2
hfc ib
Figura 16.34: Schema equivalente adoperato per il calcolo della frequenza doscillazione delloscillatore Hartley a transistor, ottenuto da quello di gura 16.33. Si è fatto uso del modello a
parametri h del transistor per la congurazione collettore-comune.
Y = sC +
s2 LChic + sL + hic
1
1
=
+
hic sL
sLhic
(16.80)
Con ciò la dierenza di potenziale ai loro capi è:

V =
dove:
I = hf c
La corrente in hic è quindi:
I
Y
n1
ib
n1 + n2
(16.81)
hic
ib
hfc
469
n1
n1 + n2 b
Figura 16.35: Schema semplicato ottenuto da quello di gura 16.34. Si è fatto uso del modello
a parametri h del transistor per la congurazione collettore-comune.
ib =
hf c n1 /(n1 + n2 )sL
V
hf c n1 /(n1 + n2 )ib 1
= 2
=
ib
hic
hic
Y
s LChic + sL + hic
(16.82)
Da questa si ottiene poi (per ib = 0):

s LChic + sL 1 hf c
2

n1
+ hic = 0
n1 + n2
(16.83)
Poniamo ora s = j ed imponiamo che si annulli la parte reale della (16.83),

ottenendo:
2 =
1
LC
(16.84)
Imponendo invece che si annulli la parte immaginaria otteniamo:

hf c = 1 +
n2
n1
(16.85)
e, tenendo conto del fatto che è: hf c = hf e + 1:

hf e =
n2
n1
(16.86)
da intendersi, al solito, come una disuguaglianza.

In gura 16.36 è mostrato un oscillatore Hartley del tipo appena descritto. I
valori scelti per i componenti sono indicati nella gura e sono tali da fornire una
frequenza doscillazione di 7.12 kHz. La simulazione eettuata facendo uso della
versione DEMO del programma MICROCAP8 porta al risultato mostrato in gura 16.37. Nella gura è riportato landamento della tensione ai capi del circuito
oscillante LC nei primi 10 ms dallavvio. Si vede come loscillazione parta con
ampiezza molto ridotta, per poi crescere no ad un valore di diversi Volt e quindi
stabilizzarsi. In gura 16.38 è invece mostrato in dettaglio landamento del segnale
quando questo si è stabilizzato. Si vede dalla gura che la frequenza doscillazione
è in eetti allincirca uguale a quella attesa.
470
V
1k
220k
2
2N2222
0.04F
2.5mH
2.5mH
0.1F
1
Figura 16.36: Esempio di oscillatore Hartley a transistor. Sono indicati i valori dei componenti
adoperati per eettuare la simulazione con MICROCAP
30.0
Volt
20.0
10.0
0.0
-10.0
-20.0 0.
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Tempo (ms)
Figura 16.37: Risultato della simulazione del circuito di gura 16.36. La forma donda mostrata
è quella ai capi del circuito LC, nei primi 10 ms. La simulazione è stata eettuata facendo uso
della versione DEMO del programma MICROCAP.
16.10
Oscillatori al quarzo
I circuiti oscillanti realizzati utilizzando componenti induttivi o capacitivi, se da un

lato possono raggiungere frequenze relativamente elevate, orono però una modesta
stabilità in frequenza, legata al fatto che perdite ohmiche nellinduttanza fanno s`
che il massimo Q raggiungibile non superi alcune centinaia.
16.10 Oscillatori al quarzo
471
36.
Volts
24.0
12.0
0.0
-12.0
-24.016.
16.5
17.0
17.5
18.0
Tempo (ms)
Figura 16.38: Risultato della simulazione del circuito di gura 16.36. La forma donda mostrata
è quella ai capi del circuito LC in regime stazionario (tra 16 e 18 ms). La simulazione è stata
eettuata facendo uso della versione DEMO del programma MICROCAP.
Valori di Q decisamente pi`

u elevati e di conseguenza stabilità in frequenza non ottenibili con circuiti convenzionali, sono raggiungibili facendo uso di cristalli piezoelettrici, tipicamente di quarzo. Questi consentono di ottenere valori di Q che vanno
da alcune decine di migliaia no a quasi 106 , consentendo stabilità in frequenza
altrimenti impensabili, e frequenze no a centinaia di Mhz.
La piezoelettricità è quel fenomeno in virt`
u del quale se una lamina, opportunamente tagliata, di cristallo, viene compressa in una certa direzione, si sviluppa al
suo interno una separazione di cariche, e nasce di conseguenza un campo elettrico,
in una direzione perpendicolare a quella di compressione. Leetto opposto è altres`
presente: se tra due facce opposte di una lamina del cristallo viene applicata una
certa dierenza di potenziale, nascono allinterno della lamina delle intense forze che
possono, a seconda dei casi, cambiarne lo spessore, la larghezza o causare essioni.
Se la dierenza di potenziale è alternata essa induce nella lamina delle oscillazioni
meccaniche. Essendo le perdite per attriti interni praticamente assenti, se ne ha
che le oscillazioni meccaniche che ne risultano hanno un bassissimo coeciente di
smorzamento. Se poi la frequenza della tensione sinusoidale applicata è uguale alla
frequenza propria di vibrazione meccanica della lamina, si avrà una risonanza. Tale
risonanza sarà caratterizzata da un valore di Q estremamente elevato, a causa del
bassissimo livello delle perdite nel cristallo. La stabilità in frequenza, elevatissima,
è normalmente espressa in parti per milione (ppm).
Il fenomeno della piezoelettricità e del suo inverso, furono scoperti da Pierre e
Jacques Curie nel 1880. Trascorsero però diversi anni prima che se ne vedessero applicazioni pratiche: tra queste ricorderemo la produzione di segnali sonori monocromatici di alta frequenza, attraverso lutilizzo di lastre di quarzo eccitate da tensioni
sinusoidali. Nel 1917 Paul Langevin inventò, con lutilizzo di tale strumento, il sonar
472
per la rivelazioni di sottomarini. Cristalli piezoelettrici furono utilizzati nelle prime

radio attorno al 1920 e poi dalla Motorola, per la produzione di ricetrasmettitori in
grado di operare in condizioni estreme di temperatura, tra il 1935 ed il 1940.
Pur costituendo il quarzo (SiO2 ) circa il 14% del materiale della crosta terrestre,
non è frequente trovarlo in forma di cristalli e, anche in tal caso, non sempre sotto forma di cristalli adatti allutilizzo negli oscillatori. Cristalli che posseggono le
caratteristiche volute sono prodotti industrialmente, attraverso processi di crescita
a partire da opportuni semi in apposite autoclavi. Un tipico cristallo si presenta
Z
X
Y
Y
X
Figura 16.39: Struttura cristallograca di un tipico quarzo.

Per ottenere lamine adatte ad esser adoperate in oscillatori, il cristallo viene
tagliato secondo opportune direzioni, riferite agli assi cristallograci, come mostrato
in gura 16.40. A seconda della direzione si ottengono cristalli le cui vibrazioni
meccaniche possono essere di tipo essorio, longitudinale, di deformazione superciale o di taglio. Tipici modi di vibrazione sono mostrati nelle gure 16.41
e 16.42.
Ai diversi modi corrispondono poi diversi campi di frequenza. Al modo essorio
corrispondono frequenze comprese tra 0.4 e 100 kHz; al modo longitudinale frequenze
comprese tra 40 kHz e 15 MHz; al modo di taglio frequenze comprese tra 100 kHz
e 125 MHz.
Il taglio di gran lunga pi`
u utilizzato è quello noto come AT, poichè è quello
che ore una minore dipendenza della frequenza di oscillazione dalla temperatura
ed il pi`
u ampio campo di frequenze. Questo taglio è disponibile, ad esempio, in
cristalli prodotti dalla Cal Crystal Lab. a frequenze che vanno da circa 1 MHz
a 29 MHz nella frequenza fondamentale e no a circa 180 MHz nelle overtone.
Esiste unampia varietà di produttori di cristalli, come anche di oscillatori basati su
cristalli.
La frequenza della vibrazione fondamentale è legata allo spessore d della lamina
473
Figura 16.40: Schema dei diversi modi in cui un cristallo di quarzo può esser tagliato per
ottenere una lamina adatta a realizzare un oscillatore.
Figura 16.41: Modi di vibrazione essorio (sinistra) e longitudinale (destra) di una lamina di
quarzo.
Figura 16.42: Modi di vibrazione di deformazione superciale (sinistra) e di taglio (destra) di

una lamina di quarzo.
prodotta, dalla relazione:

d(mm) =
1660
(kHz)
Ad esempio, per ottenere una frequenza di 1 MHz occorre uno spessore di 1.66 mm.
474
Un cristallo è progettato per operare nel suo modo fondamentale o in uno dei
modi overtone. I modi overtone sono lanalogo delle armoniche, con la dierenza
che essi non occorrono a multipli interi della frequenza fondamentale, ma a multipli
che dieriscono, spesso di poco, da interi. Nel caso dei cristalli di quarzo, la particolare struttura molecolare fà s` che gli overtone pari siano assenti. Gli overtone
occorrono a frequenze prossime a multipli dispari della frequenza fondamentale.
In elettronica un cristallo si dice overtone se ha lo spessore che corrisponde
alla frequenza fondamentale, ma ha il massimo della sua attività ad una frequenza
` possibile costruire cristalli overtone modicando langolo di taglio, la
overtone. E
nitura e curvatura della supercie.
Per esempio un cristallo la cui frequenza fondamentale sia 15 MHz oscillerà anche
a circa 45 MHz sul terzo overtone, a circa 75 MHz sul quinto, a circa 105 MHz sul
settimo, etc..Un esempio è un particolare cristallo che ha la frequenza fondamentale
a 15 MHz; questo ha il terzo overtone a 45.020949 MHz, il quinto a 75.041899 MHz,
etc..
Lutilizzo di cristalli overtone è utile poichè esso consente di lavorare con lamine
non eccessivamente sottili (e quindi fragili) quali sarebbero necessarie se si volesse
realizzare un cristallo avente la fondamentale ad una frequenza elevata.
Un tipico quarzo è costituito da una lamina di cristallo piezoelettrico sulle cui
due facce sono stati depositati due elettrodi metallici, come mostrato in gura 16.43.
Il simbolo adoperato in elettronica per tale quarzo è mostrato in gura 16.44.
Quarzo
Metallo
Figura 16.43: Schema che illustra in modo sommario il montaggio di un cristallo di quarzo tra
i due contatti metallici. In realt`
a i montaggi adoperati sono alquanto pi`
u complessi.
Una caratteristica di grande importanza è la dipendenza della frequenza di risonanza dalla temperatura. Andamenti tipici delle deviazioni (in ppm) della frequenza
da quella misurata a 27 oC sono mostrati in gura 16.45.
Le proprietà elettriche di un quarzo possono esser analizzate facendo uso di un
circuito equivalente quale quello mostrato in gura 16.46. Tale circuito equivalente
può esser adoperato per denire in maniera esatta il comportamento elettrico del
cristallo, ed è adoperato nella progettazione matematica di alcuni tipi di cristalli
prima che essi vengano prodotti.
Linduttanza L corrisponde, in termini sici, alla massa inerziale del cristallo; la
475
Figura 16.44: Simbolo adoperato in elettronica per un quarzo.
+50
+40
+30
f PPM
+20
+10
0
10
20
30
40
50
50 40 3020 10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80+90

Temperature in C
Figura 16.45: Deviazioni (in ppm) della frequenza di risonanza di un cristallo AT da quella
misurata a T = 27 o C in funzione della temperatura. Le tre diverse curve si riferiscono a tagli che
dieriscono da quello standard AT di pochi secondi darco.
capacità C allelasticità e la resistenza R alle perdite per attriti interni. La capacità

C0 è quella tra gli elettrodi esterni. Un tipico cristallo potrebbe avere L = 2 H,
C = 10 f F , R = 50 . Il valore di C0 è normalmente moltomaggiore di C. Un
tale cristallo avrebbe una frequenza doscillazione f = 1/(2 LC) = 1.125 MHz
ed un valore di Q = L/R = 141, 400, cui corrisponde una larghezza del picco
di risonanza di appena 8 Hz. Il cristallo HC49U ha C0 = 5.5 pF , C = 20.8 f F ,
L = 3.1 mH, R = 6.1 . A questi valori corrisponde una frequenza di risonanza
f = 19.82 MHz ed un Q = 65, 600.
Analizziamo in dettaglio il circuito equivalente di gura.
Limpedenza del circuito equivalente è data dal parallelo tra quella Zs del ramo
LCR e quella associata a C0 . Avremo quindi:
Z = Zs ZC0 =
Zs ZC0
Zs + ZC0
(16.87)
476
C0
Figura 16.46: Circuito equivalente adoperato comunemente per descrivere le caratteristiche

elettriche di un cristallo di quarzo.
dove:
Zs = R +
ZC0 =
1
+ sL
sC
1
sC0
Da queste equazioni si ottiene:

Z(s) =
s2 LC + sCR + 1
(s2 LC + sRC + 1) sC0 + sC
(16.88)
Ponendo in questa s = j troviamo:

Z() =
1 2LC + jRC
C0 [j 3 LC 2 RC + j] + jC
(16.89)
Se in questa ammettiamo di poter trascurare R, otteniamo:

Z() =
1 2 LC
1 2 LC

=
C0 +C
jC0 [1 2LC] + jC
2
jC0 C0 LC
(16.90)
Dividendo in questa numeratore e denominatore per LC:

1
LC

Z() =
jC0
C0 +C
C0 LC
(16.91)
Poniamo ora:
s =

p =
1
LC
C0 + C
C0 LC
dove è immediato vericare che è sempre s < p e che la dierenza tra le due è
sempre estremamente piccola, tenendo conto dei valori tipici dei componenti.
Con ciò la (16.91) diventa:
477
Z() =
s2 2

jC0 p2 2
(16.92)
La (16.92) ha uno zero per = s , un polo per = p .

` immediato vericare che limpedenza è di tipo capacitivo per:
E
s2 2
> 0
p2 2
cioè per < s e per > p . Invece essa è di tipo induttivo per compreso
nellintervallo s p .
Landamento di Z in funzione di è qualitativamente illustrato in gura 16.47.
Z ()
Figura 16.47: Andamento qualitativo dellimpedenza associata al circuito equivalente di gura 16.46 in funzione di . Si noti che il graco è stato fortemente espanso lungo lasse e che in
realt`
a le due frequenze angolari s ed p dieriscono pochissimo.
Alle frequenze:
s
1
=
2
2 LC
1
p

=
fp =
2
2 C0 +C
fs =
C0 LC
si dà rispettivamente il nome di frequenza di risonanza serie e frequenza di risonanza

parallelo.
Vediamo che limpedenza si annulla per = s e rimane molto piccola nella
zona appena al di sopra di s . In pratica, tenendo conto anche di R, vediamo che
per = s essa acquista un valore minimo. Ci si riferisce ad un cristallo adoperato
in tale zona come un utilizzo nel modo serie. Se si lavora invece nella zona compresa
tra s e p , in cui limpedenza è di tipo induttivo, si dice che si utilizza il cristallo
nel modo parallelo. Il motivo di tali denominazioni è nel fatto che nel primo caso
limpedenza è sostanzialmente determinata dalla gamba LCR, nel secondo caso
essa è determinata dal parallelo tra tale gamba e quella contenente C0 .
478
Nella pratica è conveniente lavorare nel modo parallelo, dove linduttanza, di tipo
induttivo, ha una forte dipendenza da ed il cristallo ore quindi unottima stabilità
in frequenza. Nelle relazioni precedenti abbiamo trascurato leetto della resistenza
` facile vericare che tenendone conto le espressioni di s ed p dieriscono poco
R. E
da quelle date e che il Q del circuito è dato da:
Q = p
L
L
s
R
R
(16.93)
Esamineremo nella prossima sezione alcuni esempi di oscillatori al quarzo, operanti nei due modi ora descritti.
16.10.1
Esempi di oscillatori al quarzo
Come accennato, un oscillatore che adoperi il quarzo nel modo serie, lavora alla
frequenza fs , dove limpedenza, di tipo resistivo, diventa estremamente piccola. In
tali circuiti non sono presenti capacità nella rete di feedback e lelemento attivo è
del tipo non invertente. Circuiti di questo tipo sono spesso adoperati per motivi di
semplicità, poichè essi richiedono un minimo numero di componenti. Un esempio di
oscillatore in cui il cristallo lavora nel modo serie è quello di gura 16.48, in cui si
adopera un amplicatore a FET, con un feedaback tra drain e gate applicato tramite
un cristallo.
10
2.5m
10n
out
50k
100Meg
2N5485
10Meg
Figura 16.48: Oscillatore a J-fet che utilizza un cristallo nel modo serie.
La frequenza scelta per il cristallo nellesempio è 50 kHz. Un condensatore di
disaccoppiamento è stato aggiunto in serie al quarzo. Linduttanza nel circuito
di collettore ha lo scopo di disaccoppiare, alla frequenza del segnale, il collettore
medesimo dallalimentazione.
Nel caso in cui il cristallo venga fatto lavorare nel modo parallelo, si fa uso di
condensatori per realizzare un circuito accordato, spesso del tipo Colpitts. In questo
479
modo di funzionamento lelemento attivo dovrà essere di tipo invertente. Un esempio

10Meg
R1
Vout
74HC04
R2
3.9k
100k
2
C2
1
400p
C1
400p
Figura 16.49: Oscillatore a quarzo che utilizza un inverter CMOS.

In questo circuito, noto con il nome di oscillatore Pierce5 , si fà uso di un
invertitore CMOS e di una rete di feedback costituita da due capacità C1 e C2 che,
insieme al quarzo, costituiscono un circuito accordato6 . Analizziamo in dettaglio
questo circuito ed, a tale scopo, ridisegniamo la rete di feedback come mostrato in
gura 16.50, dove Z indica limpedenza associata al quarzo, data dalla (16.92).
Chiamiamo vout la tensione alluscita dellinvertitore, v2 quella su C2 e v1 quella
su C1 . Limpedenza della rete di feedback, misurata tra questultimo punto e massa
è data da:

1
1
Z
+
jC1
jC2
1
1 + jC2 Z
Zf = 1
=
(16.94)
1
j (C1 + C2 ) + jZC1 C2
+ Z + jC2
jC1
Questa ha un polo per:
j =
1 C1 + C2
Z C1 C2
Inventato da George W. Pierce, che ottenne il relativo brevetto nel 1923. Pierce si era occupato
a lungo di antenne radio, piezoelettricit`
a, magnetostrizione e loro applicazioni. Negli ultimi anni
della sua vita si occupò del suono emesso da insetti e pipistrelli e pubblicò nel 1948 un libro dal
titolo the Song of insects.
6
Le caratteristiche fornite dai costruttori per un cristallo da adoperare nel modo parallelo specicano di regola i valori minimi e massimi della capacit`
a di carico CL , costituita dalla serie dei
due condensatori C1 e C2 . Pi`
u precisamente, si può vedere che al cambiare di CL lo scostamento
della frequenza di risonanza fL da quella relativa al modo seriale (fs ) cambia come segue:
fL fs
C
106 (in ppm)
=
fs
2 (CL + C0 )
dove C e C0 sono le capacità che gurano nel circuito equivalente del quarzo. Occorre evitare
valori troppo grandi o troppo piccoli di CL , cioè di C1 e C2 . Per ulteriori dettagli si consulti la
referenza [12].
480

vout
R2
1
Z
C1
2
C2
Figura 16.50: Circuito equivalente adoperato per calcolare il coeciente di feedback del circuito
oscillante di gura 16.49.
Sostituendo in questa lespressione di Z() data dalla (16.92) otteniamo:

C1 + C2 jC0 2 p2
(16.95)
j =
C1 C2
s2 2
da cui:
2 p2 =
2

C1 C2
s 2
C0 (C1 + C2 )
Poniamo ora:
=
C1 C2
C0 (C1 + C2 )
Con ciò dalla (16.95) si ottiene:

2
p s2
(16.96)
1+
la quale mostra che la frequenza alla quale limpedenza Zf diviene innitamente
grande è compresa tra s ed p , cioè viene a cadere nella zona in cui limpedenza
del quarzo è induttiva. Facciamo ora uso dei valori tipicamente adoperati in questo
tipo di circuiti per vericare quanto la frequenza fornita dalla (16.96) dierisca da
fs e quanto da fp .
Ad esempio, la Fairchild fornisce [13], come valori tipici per un quarzo da 200 kHz:
2 = p2
L = 27H; R = 2 k; C = 0.024 pF ; C0 = 9 pF
Con questi valori troviamo per le frequenze di risonanza fs e fp :
fs = 1.977118 105 Hz; fp = 1.97975258 105 Hz
ed una dierenza tra le due frequenze di appena 263.44.2 Hz. Se ora facciamo variare
il valore (comune) delle due capacità C1 e C2 tra 1 pF e 400 pF, la frequenza doscillazione del circuito di Pierce cambierà come mostrato in gura 16.51. Nella gura
481
sono riportate due diverse curve: quella a tratto solido rappresenta la dierenza (in
Hz) della frequenza ottenuta da fs ; quella a punti rappresenta lanaloga dierenza
da fp . Vediamo che per piccoli valori delle capacità la frequenza è molto vicina a
quella parallela fp ; al crescere del valore delle capacità essa si avvicina sempre pi`
u
a fs .
300
250
(Hertz)
200
150
100
50
50
100
150
s
p
200
250
300
350
400
C1 (pF)
Figura 16.51: Dipendenza dal valore comune delle capacità C1 e C2 della deviazione della
frequenza di lavoro f dalla frequenza serie fs (curva a tratto continuo) e dalla frequenza parallelo
fp (curva a punti).
Alla frequenza di risonanza, limpedenza Zf diviene molto grande, il che ci dice

che la corrente che uisce nella resistenza R2 sarà mediamente piccola. La tensione
` consigliabile scegliere i
nel punto 1 sarà determinata di fatto dal partitore R2 C1 . E
valori dei componenti in modo che, alla frequenza di lavoro limpedenza capacitiva di
C1 uguagli R2 . In tal caso avremo v2 = vout /2. Calcoliamo ora il fattore di feedback,
cioè il rapporto tra v2 e vout . Poichè limpedenza dingresso dellinvertitore, come
pure la resistenza R1 sono molto grandi, potremo considerare la serie Z C2 come
un partitore e scrivere:
v2 =
v1
=
jZC2 + 1
v1
C2 s2 2
C0 p2 2
+1
v1
C2 2 s2
C0 p2 2
vout

2
2
2 s
2 1 C
2
2
C0
p
Da questa otteniamo poi, facendo uso della (16.96) e della denizione di :

=
1
C
v2
= 1 <0
=
vout
2C2
2
2 1 C1C+C
1
che nel nostro esempio vale -1/2.

Vediamo cos` che il feedback è negativo, come deve essere se si vuole che lo
sfasamento complessivo lungo lintera maglia sia nullo, tenendo conto del fatto che
lelemento attivo in questo circuito è invertente. Il guadagno dellamplicatore a
482
CMOS è poi abbastanza elevato da far s` che il modulo del guadagno dellanello sia
maggiore di 1.
Si può poi facilmente vericare, facendo uso della (16.96) e dellespressione di
che è:

1
C
2
=
(16.97)
1+
LC
C0 + CL
dove:
CL =
C1 C2
C1 + C2
La frequenza doscillazione è quindi data da:

f = fs
1+
C
C0 + CL
(16.98)
La forma donda ottenuta alluscita del circuito in esame facendo uso del programma di simulazione MICROCAP è mostrata in gura 16.52. Si può vedere
dal graco che la frequenza è di circa 100 kHz, molto vicina a quella del quarzo
adoperato.
4.840
out (V)
4.830
4.820
4.810
4.800
120.0
140.0
160.0
180.0
200.0
Tempo (s)
Figura 16.52: Forma donda alluscita delloscillatore a CMOS inverter di gura 16.49.
Unulteriore variante del circuito di Pierce è quella di gura 16.53. Qui linvertitore a CMOS è sostituito da un transistor bipolare.
16.11
Risuonatori ceramici
Questi sono simili a quelli al quarzo, ma hanno una minore stabilità in frequenza,
a cui si contrappone un costo decisamente inferiore. La loro stabilità in frequenza
varia tra lo 0.3% ed il 3%.
16.11 Risuonatori ceramici
483
12
8.2k
1m
270p
1k
0.05u
330
Figura 16.53: Oscillatore al quarzo a transistor bipolare. La congurazione è quella di Pierce.

Si tratta anche in questo caso di dispositivi piezoelettrici che possono esser analizzati facendo uso del medesimo circuito equivalente adoperato nel caso del quarzo. Valori tipici dei parametri dei componenti presenti nel circuito equivalente, ad
8 MHz, sono: L = 0.092 mH, C = 4.6 pF , R = 7 , C0 = 40 pF .
I circuiti che possono esser realizzati facendo uso dei risuonatori ceramici utilizzano schemi molto simili a quelli analizzati nel caso dei quarzi.
484
16.12
Appendice A: Non-linearit`
a dei dispositivi
attivi adoperati
Abbiamo accennato al fatto che la non-linearità nella risposta degli elementi attivi
contribuisce ad impedire la saturazione. Ciò è vero per tutti gli elementi attivi
adoperati nella realizzazione di oscillatori. Nel seguito limiteremo la nostra analisi
al caso dei transistor bipolari.
La non-linearità ha come eetto, oltre quello di controllare lampiezza del segnale, anche quello di controllare limportanza relativa delle varie armoniche presenti nel segnale che alimenta il circuito oscillante, fornendogli lenergia necessaria a
mantenere loscillazione.
La gura 16.54 mostra la tipica caratteristica esponenziale corrente-tensione
associata al diodo base-emettitore del transistor.
V1
2.2. Exponential characteristic of BJT (D

Figura 16.54: Caratteristica corrente-tensione associata alla giunzione base-emettitore di un
` mostrata anche una forma donda sinusoidale vi di ampiezza v1 in ingresso

transistor bipolare. E
ed il corrispondente segnale di corrente prodotto quando vi supera V .
La forma donda di ampiezza v1 rappresenta il segnale sinusoidale che il circuito

oscillante fornisce alla giunzione. Se lampiezza del segnale supera la tensione di
soglia V del diodo, la corrente risultante consisterà in una serie periodica di impulsi,
la cui ampiezza è determinata dalle caratteristiche del dispositivo. Il contenuto
armonico di questa serie di impulsi si ottiene facendone lo sviluppo in serie di Fourier.
Nello sviluppo apparirà, oltre alla frequenza fondamentale , una serie di armoniche
multiple di essa. Esse sono una conseguenza inevitabile del carattere non lineare
del dispositivo. Se infatti questo fosse lineare, ad un segnale sinusoidale in ingresso
corrisponderebbe in uscita un segnale anchesso sinusoidale il cui sviluppo in serie
di Fourier conterrebbe la sola frequenza fondamentale.
Notiamo che nel dispositivo non lineare considerato gli impulsi di corrente sono
tanto pi`
u stretti ed alti quanto maggiore è lampiezza v1 . Ne segue che il contenuto
16.12 Appendice A: Non-linearità dei dispositivi attivi adoperati
485
armonico (cioè il contributo delle armoniche superiori) aumenta allaumentare di v1 .

Vediamo quantitativamente come ciò avvenga.
La corrente nel diodo polarizzato direttamente è data dalla nota equazione:
i = Is ev/V
(16.99)
dove Is è la corrente di saturazione e V = kT /q 26mV . La tensione v che gura

nella (16.99) è la somma di un contributo continuo e di un termine sinusoidale:
v = V + v1 cos(t)
(16.100)
Sostituendo questa nella (16.99), otteniamo:

V
v1
i = Is e V e V
cos(t)
(16.101)
Porremo IDC uguale al termine non dipendente dal tempo: Is eV /V .

Il livello di conduzione x è denito come il rapporto tra v1 e V :
x =
v1
V
(16.102)
Cos`, se è v1 = 260 mV avremo x = 10.

Poichè il termine exp [x cos(t)] è periodico, esso può esser sviluppato in serie di
Fourier. Il risultato dello sviluppo è:

ex cos(t) =
an (x) cos(nt)
(16.103)
n
dove:
1
a0 =
2
ex cos(t) d(t) = I0 (x)
che è la funzione di Bessel modicata di ordine zero, e:

1 2 x cos(t)
an (x)|n>0 =
e
cos(nt)d(t) = 2In (x)
0
dove In (x) è il doppio della funzione di Bessel modicata di ordine n.
Sostituendo le (16.103), (16.104) e (16.105) nella (16.102), si ottiene:
!

V
2In (x) cos(nt)
i = Is e V I0 (x) +
(16.104)
(16.105)
(16.106)
che può esser riscritta nella forma:

i = IDC 1 +
2In (x)
n
con:
I0 (x)
!
cos(nt)
(16.107)
IDC = Is e V
La funzione espressa dalla (16.106) è mostrata, in funzione di x per n = 1, 2, 3, 4.
Si può vedere che limportanza relativa delle diverse armoniche dipende da x e che
486
per valori di x molto piccoli domina nettamente larmonica fondamentale (di ordine
zero). Per grandi valori di x le armoniche da quella di ordine uno in su, tendono ad
acquistare tutte il medesimo peso. Se si desidera che larmonica di ordine zero sia
dominante, occorre che il valore di x sia il pi`
u piccolo possibile. Ciò tuttavia non è
compatibile con lesigenza che loscillazione non si smorzi.
2 In(x)/I0(x)
1.5
0.5
0
ordine 1
ordine 2
ordine3
ordine 4
10
15
20
Figura 16.55: Rapporto tra il contributo delle armoniche di ordine 1, 2, 3, 4 e quello

dellarmonica fondamentale, in funzione della variabile x = v1 /v denita nel testo.
16.13 Appendice B:
relazione tra Q0 ed il numero di oscillazioni in un tempo
16.13
487
Appendice B:
relazione tra Q0 ed il numero di oscillazioni
in un tempo
Riscriviamo la (16.19):
vout
= 2
vin
s +
+ 02
(16.108)
La risposta ad un gradino unitario (trasformata 1/s) è:

1
vout (s) =
s s2 +
02
1
1
s
2
s + + 02
(16.109)
dove abbiamo la corrispondenza:

1
0
Q0
I poli di questa funzione sono dati dalle soluzioni dellequazione:

s2 +
s
+ 02 = 0
cioè da:
s1,2
0
=
2Q0

2
1 1 4Q0
(16.110)
Proponendoci di studiare landamento delle soluzioni per grandi valori di Q0 ,

terremo presente che la radice potrà essere espressa nella forma:

1 4Q20 = j |1 4Q20 | j
I poli s1,2 saranno quindi complessi coniugati e la soluzione della (16.109) può,
facendo uso della (2.14), esser scritta come:

1
1
1
s1 t
s1 t
e +
e
(16.111)
s1 s1
s1 s1
dove:
0
(1 + j)
2Q0
0
(1 j)
s1 =
2Q0
s1 =
per cui:
s1 s1 =
j0
Q0
La (16.111) acquista allora la forma:

"
#
0
0
1 2Q
j 2Q
0
t
j 2Q0 t
j 2Q0 t
t
0
= e 0 2 sin
e 0
t
vout (t) = e 0 e
2Q0
(16.112)
488
Per grandi valori di Q0 questa diventa:

0
2 2Q
t
e 0 sin(0 t)
(16.113)
Questa descrive un moto oscillatorio smorzato, con tempo di decadimento dato
vout (t) =
da:
T =
2Q0
0
In tale intervallo di tempo la funzione sin(0 t) si annulla un numero di volte dato

da:
2Q0
Vediamo quindi che il numero di oscillazioni entro una costante di tempo è una
misura di Q0 .
n =
Capitolo 17
Convertitori Digitale-Analogico ed
Analogico-Digitale
17.1
Introduzione
Linformazione digitale che viene elaborata da un generico processore è in molti casi

successivamente convertita in un segnale analogico, quale la corrente che alimenta
le bobine di un altoparlante, quella che accende dei LED, la tensione che controlla
un condizionatore daria etc. Sullaltro versante, se abbiamo la necessità di analizzare landamento di un fenomeno, quale ad esempio landamento della corrente di
collettore in un transistor al variare della corrente di base, la corrente anodica in
un fotomoltiplicatore al variare della tensione dalimentazione, la pressione in un
certo volume di gas al variare della temperatura etc., incontriamo la necessità di
convertire il relativo segnale analogico (di corrente o tensione) in un segnale digitale,
ovvero in una stringa di bits.
I circuiti che eettuano la conversione di un segnale analogico in uno digitale sono
noti appunto come convertitori Analogico-Digitale o brevemente ADC. Circuiti
di questo genere sono disponibili in commercio in unampia varietà di tipi diversi.
I circuiti che eettuano la conversione opposta, di un segnale digitale in uno
analogico sono noti come Digital to Analog Converters (DAC).
Una tipica applicazione degli ADC si incontra in quelli che sono noti come Waveform Digitisers (digitizzatori di forme donda). Questi forniscono una rappresentazione numerica di segnali dipendenti dal tempo. In tale applicazione, la forma
donda che caratterizza il segnale viene campionata ad intervalli di tempo equispaziati, estremamente ravvicinati (no a qualche picosecondo) e lampiezza del
segnale in ciascuno di tali intervalli di tempo viene convertita in un numero binario. In tale categoria rientrano, tra gli altri, gli oscilloscopi digitali, che stanno
rapidamente sostituendo quelli analogici. Nella medesima categoria rientrano tutti
i sistemi di trasmissione digitale, le fotocamere digitali etc..
Nel seguito ci occuperemo di una rassegna dei principi che sono alla base del
funzionamento di entrambi questi tipi di convertitori. Premetteremo una breve
discussione dei circuiti che eettuano il campionamento del segnale (circuiti di
sample-and-hold ).
489
490 Capitolo 17. Convertitori Digitale-Analogico ed Analogico-Digitale
17.2
Circuiti di Sample-and-Hold
Per convertire un segnale analogico in uno digitale occorre disporre di un circuito

che campioni (sample) il segnale analogico allistante voluto e ne trattenga (hold)
il valore, in attesa che il successivo circuito abbia la possibilità di leggere e convertire il segnale analogico in una sequenza di bit, cioè in un numero. I circuiti che
realizzano tale funzione vanno sotto il nome di circuiti di sample and hold (S&H).
Il pi`
u semplice circuito di S&H è un condensatore la cui carica è comandata da un
interruttore, come mostrato in gura 17.1.
S
C
Figura 17.1: Semplice circuito sample-and-hold costituito da un condensatore la cui carica è

comandata da un interruttore.
La chiusura dellinterruttore ad un dato istante consente al condensatore C di

caricarsi alla tensione del segnale da campionare Vi , applicato allingresso. La carica
del condensatore non sarà ovviamente istantanea, ma dipenderà dalla corrente I che
la sorgente Vi è in grado di erogare, oltre che dal valore di C. Una volta carico, il
condensatore manterrà il potenziale Vi anche dopo che linterruttore sia stato aperto.
Tuttavia, perdite attraverso il dielettrico causeranno una diminuzione della tensione
ai capi del condensatore in tempi relativamente brevi. Se poi il condensatore è collegato, come sempre avviene, ad un carico, tale tempo sarà ulteriormente ridotto.
Linterruttore può esser realizzato facendo uso di un transistor ad eetto di campo
(FET) o di una porta a diodi. Di norma, sia la sorgente Vi che luscita prelevata ai capi del condensatore sono accoppiate tramite operazionali in congurazione
inseguitore di tensione. Un esempio è quello mostrato in gura 17.2.
V
C
GATE
Figura 17.2: Circuito sample-and-hold in cui linterruttore è realizzato tramite un FET e sia
lingresso che luscita sono accoppiate tramite inseguitori di tensione.
Nellesempio linterruttore è realizzato tramite un FET. Se il segnale di gate è

applicato ad un certo istante t0 , la conseguente chiusura dellinterruttore dà inizio
17.2 Circuiti di Sample-and-Hold
491
al processo di carica del condensatore. Allintervallo di tempo che intercorre tra

la chiusura dellinterruttore e la carica del condensatore alla tensione vi (t0 ) si dà
il nome di tempo di acquisizione. Al termine del segnale di gate, lapertura dellinterruttore non è istantanea, ma ha luogo con un certo ritardo, detto tempo di
apertura. Il tempo di apertura è dellordine di 50-100 ns se si fa uso di un interruttore a FET, mentre può essere inferiore ad 1 ns se si fa uso di un interruttore
realizzato con diodi veloci. La gura 17.3 mostra leetto del tempo di apertura e
di quello di acquisizione sul segnale letto.
V4
apertura
acquisizione
t
Sample
Sample
Hold
Figura 17.3: Eetto dei tempi di apertura ed acquisizione sulla lettura di un segnale in ingresso.
Esaminiamo, con riferimento alla gura, leetto di questi ritardi. Nellintervallo
di tempo A il gate era alto (interruttore chiuso). Il segnale campionato dovrebbe
essere quello presente allistante dellapertura del gate, cioè allinizio dellintervallo
di tempo B, che è v1 . Il ritardo nellapertura dellinterruttore fa si che questo sia
invece v2 . A tale ritardo si dà il nome di tempo di apertura.
Quando chiudiamo linterruttore, la tensione ai capi del condensatore sale con
legge esponenziale e raggiunge il suo valore asintotico quando il segnale in ingresso è
passato dal valore v3 che esso aveva al momento della chiusura dellinterruttore, ad
un nuovo valore v4 . Al ritardo tra listante in cui linterruttore viene chiuso e quello
in cui la tensione sul condensatore ha raggiunto il valore del segnale in ingresso si
` importante che il tempo di apertura, come
dà il nome di tempo di acquisizione. E
quello di acquisizione, siano il pi`
u piccoli possibile.
Come accennato, un interruttore veloce può esser ottenuto da una porta a diodi.
Un semplice esempio è quello di gura 17.4.
Il segnale da campionare è vi , mentre i segnali +V e V costituiscono il gate.
Se V è posto ad un valore positivo di ampiezza suciente, entrambi i diodi D1 e D2
saranno in conduzione. In tali condizioni possiamo vericare che vo = vi . Infatti,
+V
R2
R1
Vi
D1
D2
RL
R2
-V
Figura 17.4: Porta a diodi.

essendo in tali condizioni il ramo b-c-d essenzialmente un corto circuito, il circuito
equivalente è quello mostrato in gura 17.5, dove si vede che è:
R1
Vi
Vo
R
R2
R2
RL
Figura 17.5: Circuito equivalente alla porta a diodi di gura 17.4.
vo = vi
RL (R2 /2)
2RL R2
= vi
R1 + R/2 + RL (R2 /2)
2RL R2 + (R2 + 2RL )(R + 2R1 )
notiamo che per vi = 0 è vo = 0, cioè non è presente alcun oset. Se invece il segnale
di controllo V è negativo, entrambi i diodi saranno interdetti. In tali condizioni è
facile vedere che vo = 0.
Il tempo di acquisizione è limitato dalla massima corrente che loperazionale è
in grado di erogare. (I 25 mA). Se C è la capacità, tale tempo sarà allincirca:
tA = CV /I. Questa, con una capacità di 100 nF ed una tensione di 1 V, dà
tA 4 s. Il tempo di acquisizione può esser ridotto diminuendo C o aumentando
I. Ora, una diminuzione di C provocherebbe una diminuzione del tempo di scarica
del condensatore, legato alle perdite dielettriche dello stesso. Rimane quindi solo
lalternativa di aumentare la corrente I. Ciò può esser ottenuto inserendo alluscita
delloperazionale un emitter-follower complementare, come mostrato in gura 17.8.
17.2 Circuiti di Sample-and-Hold
493
Apriamo a questo punto una breve parentesi per comprendere il funzionamento

dellemitter-follower complementare indicato in gura.
Gli amplicatori a transistor possono essere classicati come amplicatori di
classe A, di classe B, di classe AB e di classe C. Un amplicatore è di classe A se
esso lavora attorno ad un punto posto allincirca al centro delle curve caratteristiche
del transistor, e quindi questo opera allincirca in modo lineare. In tali condizioni
un segnale sinusoidale applicato in ingresso darà ancora un segnale sinusoidale in
uscita, con buona linearità. Un amplicatore lavora in classe B se il transistor opera
attorno ad un punto che è molto vicino ad un estremo delle curve caratteristiche.
In queste condizioni, un segnale sinusoidale applicato in ingresso sarà amplicato e
presente in uscita solo durante un semiciclo. Per un amplicatore che funzione in
classe A, la corrente uisce nel circuito in ogni istante, anche in assenza di segnale
applicato in ingresso, mentre per uno che funzioni in classe B la corrente uisce
solo durante una semionda. Un amplicatore è di classe AB se lavora in una zona
inne di classe C se il punto di lavoro è
intermedia tra la classe A e quella B. E
scelto in modo tale che la corrente (o tensione) in uscita sia nulla per pi`
u di una
semionda. Il vantaggio di un amplicatore che lavori in classe B, rispetto ad uno che
operi in classe A, è che in assenza di segnale non cè dissipazione di potenza. Per
questo motivo gli amplicatori di classe B sono adoperati in tutte quelle circostanze
in cui si deve fare attenzione a dissipare poca potenza (impianti posti su satelliti,
radioline a batteria etc.). Lo svantaggio è una maggiore distorsione armonica. Un
tipico amplicatore (di corrente) che opera in classe B è un emitter follower:
+V
cc
Vi
Rb
out
RL
Figura 17.6: Emitter follower: amplicatore di corrente di classe B.

Per avere amplicazione durante entrambe le semionde, si ricorre ad un dispositivo costituito da due emitter-follower in serie, uno dei quali utilizza un transistor
NPN e laltro PNP. Questo prende il nome di amplicatore di classe B push-pull (o
emitter follower complementare) come schematicamente indicato in gura 17.7.
Si vede facilmente che quando vi è positivo, Q1 conduce e Q2 è interdetto. La
corrente è i1 e viene da Q1 . Durante laltro semiciclo, Q1 è interdetto e Q2 in
conduzione. La corrente in RL sarà ora i2 , dove i2 è la corrente in Q2 .
+V
cc
Q1
i1
Vi
i2
Q2
RL
-V
cc
Figura 17.7: Emitter follower complementare: amplicatore di classe B push-pull.

Vediamo ora come un amplicatore di questo tipo possa essere utilizzato come
generatore di corrente in un sistema di sample-and-hold ad operazionali (vedi gura 17.8):
+V
-V
GATE
emitter follower complementare
Figura 17.8: Sistema di sample-and-hold costituito da operazionali e da un emitter follower

complementare.
Quando un segnale positivo è presente sul gate, il FET conduce tutte le volte che
vi > 0, a condizione che sia vi > vo . Notiamo che il secondo A.O. è connesso come
inseguitore di tensione, con vo unito allingresso invertente del primo A.O. Quindi
vo è forzato a seguire vi durante il sampling time. Notiamo che la corrente che
carica il condensatore è erogata dal push-pull e non dallA.O..
Quando il gate è basso (intervallo di hold) vo rimane uguale al valore che esso
aveva raggiunto durante lintervallo di sample, a parte un piccolo drift dovuto alla
corrente di bias dellA.O. di uscita ed alle correnti di leakage dellemitter follower
e del FET. Maggiore il valore della capacità C, minore sarà il drift della tensione
durante la fase di hold. Tuttavia, allaumentare di C, come si è visto, aumenta il
17.3 Convertitori Digitale-Analogico
495
tempo di acquisizione. La soluzione sarà quindi un compromesso tra le due diverse

esigenze.
17.3
Convertitori Digitale-Analogico
I convertitori Digitale-Analogico (DAC) son dispositivi attraverso i quali un sistema digitale può comunicare con il mondo analogico. Oltre allapplicazione, molto
diusa, di tali circuiti nella realizzazione di convertitori Analogico-Digitale, esiste
unampia gamma di applicazioni, che va dalla realizzazione di sistemi di display per
tubi a raggi catodici a sintetizzatori musicali, generatori di forme donda, attenuatori, e sistemi digitali di trasmissione/ricezione, quali quelli adoperati nei pi`
u recenti
sistemi di comunicazione.
Immaginiamo di voler convertire in un segnale analogico, ad esempio in una
tensione, uninformazione binaria, e che questa sia disponibile alluscita di un circuito
digitale. Possiamo ad esempio pensare che linformazione digitale consista nei livelli
duscita di un registro costituito da N Flip-Flops. Se indichiamo in generale con
a0 luscita del FF0 (corrispondente al bit meno signicativo), con a1 quella di FF1,
e via di seguito no al FF(N-1) cui associamo il bit aN 1 , vogliamo realizzare un
circuito che fornisca in uscita un livello di tensione V0 dato da:

V0 = V a0 + 21 a1 + 22 a2 + + 2N 1 aN 1
dove V è un coeciente di proporzionalità, legato al range di valori analogici che si
desidera avere in uscita, ed i coecienti a0 , a1 , , aN 1 valgono 0 o 1 a seconda che
luscita del corrispondente FF sia bassa o alta. Un metodo per realizzare tale funzione è suggerito dal sommatore per segnali analogici, ottenuto con un operazionale
(in congurazione invertente) come nellesempio di gura 17.9, relativo al caso di
due soli bit:
V0
V1
R0
Vout
R1
Figura 17.9: Sommatore per segnali analogici a due bit costituito da un operazionale in
Se in tale circuito scegliamo R0 = R e R1 = R/2 avremo:
Vout = (V0 + 2V1 )

e se ora immaginiamo che V0 e V1 siano le uscite di un registro a 2 bit:
Vi = 0 livello basso numero binario 0
Vi = 1 livello alto numero binario 1
vediamo che abbiamo realizzato un convertitore digitale-analogico a due bit. Infatti,
se è:
V0 = 1, V1 = 0
avremo
Vout = 1
Se è:
V0 = 0, V1 = 1
avremo:
Vout = 2
e cos` via.
Lestensione ad un numero maggiore di bit è immediata. Uno schema di massima
per il caso di N bit è mostrato in gura 17.10, dove potrebbe ad esempio essere:
VR = 1 V , R = 1k, R = 5k.
R'
R
a (N-1)
S(N-1)
a (N-2)
2R
S(N-2)
a (N-3)
out
4R
S(N-3)
(N-1)
a0
S0
Figura 17.10: Convertitore digitale-analogico ad N bit costituito da un operazionale in

Il circuito è un sommatore dove:

R
R
R
aN 1 +
aN 2 + + N 1 a0 VR =
Vo =
R
2R
2
R
497

1
1
= 5 aN 1 + aN 2 + + N 1 a0
2
2
Se il coeciente ai è zero, il corrispondente interruttore Si è collegato a massa
ed il termine corrispondente nellespressione ora scritta sarà 0. Gli interruttori
S0 , S1 , , SN 1 hanno il ruolo di collegare luscita a massa o a VR , a seconda che
sul gate di ingresso sia presente uno 0 oppure un 1. Tali interruttori possono essere
realizzati in molti modi diversi. Una possibilità è quella mostrata in gura 17.11,
che rappresenta un totem pole MOSFET drive.
-VR (-10)
Q1
R1
all'amplificatore operazionale
_
Q
Q2
Figura 17.11: Interruttore: totem pole MOSFET drive.

Gli input Q e Q al MOSFET vengono da un registro dove è stata preventivamente immagazzinata linformazione digitale da convertire in segnale analogico.
Assumiamo di lavorare in una logica negativa, dove lo 0 è rappresentato da 0 V e l1
da -10 V. Un 1 in ingresso ad un opportuno FLIP-FLOP che precede il MOSFET
manda Q 1 e Q 0. Con ciò il MOSFET Q1 sarà ON. La resistenza R1 sarà cos`
collegata alla tensione VR , mentre Q2 sarà OFF. Analogamente, con un segnale in
ingresso uguale a 0, avremo Q = 0 e Q = 1, con che Q1 sarà OFF e Q2 ON. Cioè la
resistenza R1 verrà ad essere collegata a massa.
Laccuratezza e stabilità dei DAC ora illustrati dipende in primo luogo dallaccuratezza dei valori delle resistenze, nonche dalla variazione che ciascuna di esse
subisce con la temperatura. Un limite importante di questo tipo di DAC è costituito dal grande range di valori di resistenza necessario. Per un DAC a 10 bit, se la
pi`
u piccola delle resistenze è 10k, la pi`
u grande dovrà essere 5.12M (cioè 2N 1
volte la pi`
u piccola, con N=10), che comincia ad essere un valore troppo grande.
Inoltre, la tolleranza sulla resistenza da 10k, che nella somma ha un peso pari a
29 volte quello della resistenza pi`
u grande, dovrà essere 29 volte pi`
u piccola! Se
quindi la resistenza da 5.12M è al 10%, quella da 10k dovrà essere allo 0.002%,
che è praticamente impossibile da realizzare. Per questo motivo, i circuiti del tipo
mostrato sono poco adoperati e sono invece sostituiti dai DAC a ladder (cioè a
scala) che ora esamineremo.
Questo circuito, di cui mostriamo in gura 17.12 la congurazione non-invertente,
usa solo due valori di resistenza: R e 2R.
R2
R1
0
2R
2R
2R
Vo
2R
2R
2R
Figura 17.12: Convertitore digitale-analogico a 4 bit a scala o ladder.

Lesempio di gura è relativo ad un convertitore a 4 bit. Esaminiamo ora il
funzionamento di tale circuito.
Cominciamo con losservare che, da un generico nodo, si vede la medesima
resistenza sia che si guardi verso sinistra, verso destra o verso il basso. Cos`,
dal nodo 0, guardando verso sinistra si vede una resistenza 2R, verso il basso si
vede sempre 2R, sia che linterruttore a0 sia collegato a massa, sia che esso sia
collegato a VR (ricordiamo che un generatore di tensione ideale ha una resistenza
interna nulla). Guardando dal nodo 0 verso destra si vede una resistenza R in serie
con altre resistenze che, come è facile vericare, valgono ancora R, comunque siano
disposti gli interruttori a1 , a2 , , a3 . Verichiamolo: la resistenza vista dal nodo 3
guardando a destra è 2R, verso il basso è ancora 2R; di conseguenza la resistenza
totale vista dal nodo 3 guardando verso destra e verso il basso è il parallelo di 2R
con 2R, cioè R. Ora, guardando dal nodo 2 verso destra vediamo una resistenza R
in serie con questa, cioè una resistenza 2R. Poiche dal nodo 2 verso il basso cè una
resistenza 2R, è chiaro che dal nodo 2 verso il basso + destra cè una resistenza R.
Il ragionamento è facilmente estendibile a tutti i nodi labellati 0, 1, 2, 3.
Se ora un generico interruttore è connesso a VR e tutti gli altri a massa, la
tensione nel nodo corrispondente sarà VR meno la caduta ai capi della resistenza 2R
che collega il nodo allinterruttore. Cioè:
Vi = VR 2RI
dove la corrente è quella che è erogata dal generatore VR verso il nodo. Lo schema
equivalente utilizzabile per calcolare tale corrente è mostrato in gura 17.13.
Dalla gura è immediato vedere che:
I =
VR
3R
499
2R
2R
2R
I
V
Figura 17.13: Circuito equivalente ad una parte del convertitore di gura 17.12.
per cui:
2R
1
VR = VR
3R
3
Quindi un generico nodo il cui interruttore sia chiuso su VR è ad un potenziale
VR /3. Se questo fosse il nodo 3, avremmo:
Vi = VR
Vi = V3 =
1
VR = V+ = V
3
dove si è fatto uso del principio del corto-circuito-virtuale allingresso delloperazionale. Ne seguirebbe, dalluguaglianza delle correnti nelle resistenze R1 ed
R2 :

VR 1
VR
=
Vo
3 R2
3R1
da cui segue:
Vo =
VR R1 + R2
V
3
R1
Se invece fosse collegato a VR linterruttore a2 , e tutti gli altri fossero collegati

a massa, la tensione al terminale non invertente dellA.O. sarebbe determinata dal
partitore costituito dalla resistenza R posta tra i nodi 2 e 3 e da quella costituita dal
parallelo delle due resistenze pari a 2R poste tra il nodo 3 e massa. Tale tensione
sarebbe quindi la metà di quella presente al nodo 3. La tensione in uscita sarebbe
quindi la metà di quella calcolata in precedenza:
Vo =
1 VR R1 + R2
1
= V
2 3
R1
2
In modo analogo, se a VR fosse collegato linterruttore a1 e tutti gli altri fossero collegati a massa, troveremmo una tensione in uscita pari alla metà di quella
precedente, e cos` via.
Facendo ora uso del principio di sovrapposizione, troveremo nel caso generale:

1
1
1
Vo = V a3 + a2 + a1 + a0 =
2
4
8

1
= V 23 a3 + 22 a2 + 21 a1 + a0
8
cioè, con una fattore moltiplicativo V /8, la rappresentazione analogica del numero
binario: a3 , a2 , a1 , a0 .
Un problema che è presente nel tipo di DAC appena discusso è quello legato
al ritardo nella propagazione del segnale associato alla chiusura degli interruttori.
Se infatti gli ingressi a3 , a0 valgono 1000 e si commutano tutti simultaneamente
in 0111 (ricordiamo che il bit pi`
u signicativo è quello pi`
u vicino allingresso noninvertente dellA.O.) leetto del cambiamento del bit pi`
u signicativo si farà sentire
per primo ed il sistema passerà nello stato 0000. Successivamente si sentirà leetto
del cambiamento del secondo bit ed il sistema passerà nello stato 0100, etc. Cos`,
per un breve intervallo di tempo, luscita delloperazionale acquister`
a la successione
di valori (decimali) 8,4,6,7. Per ovviare a questo inconveniente conviene adottare
uno schema in cui gli interruttori sono collegati tutti direttamente allingresso delloperazionale. Uno schema (invertente) che realizza questo scopo è quello mostrato in
gura 17.14.
V
R
2R
2R
R
2R
Vo
R
2R
1
R
2R
0
2R
Figura 17.14: Convertitore digitale-analogico a 4 bit a scala o ladder in cui tutti gli
interruttori sono collegati direttamente allingresso delloperazionale.
Notiamo che gli interruttori a3 , a2 , a1 , a0 sono collegati o a massa o comunque

alla massa virtuale delloperazionale. La resistenza vista da un generico nodo (0-3),
guardando verso destra o verso il basso è sempre pari a 2R. La corrente erogata
dal generatore sarà quindi quella che attraversa due resistenze in parallelo, ciascuna
17.4 Convertitori Digitale-Analogico pilotati in corrente
501
uguale a 2R. Tale corrente è quindi: I = VR /R. Se ora a3 è collegato allingresso

invertente dellA.O. e gli altri interruttori sono collegati a massa, una corrente pari
ad I/2 uirà nella resistenza di feedback (2R) e quindi avremo:
Vo = 2R
I
= RI = VR
2
Se ad esser collegato allingresso invertente è invece a2 , la corrente nella medesima

resistenza sarà la metà di quella precedente, e quindi:
1
Vo = VR
2
e cos` via per a1 , a0 . Il funzionamento di questo circuito è quindi analogo a quello
discusso in precedenza, ma ora il problema dei ritardi è eliminato.
Uno dei vantaggi di un circuito di conversione a ladder del tipo esaminato è
costituito dal fatto che una scala di resistenze R-2R può esser realizzata industrialmente con tecniche di deposizione di lm sottili su di un singolo substrato. Ciò
fa si che le variazioni di temperatura siano le stesse per tutte le resistenze del ladder;
si ottengono in tal modo variazioni relative delle resistenze con la temperatura,
inferiori ad una parte per mille per o C.
I convertitori D/A esaminati rientrano nella categoria del tipo moltiplicatore
(Multiplying D/A converter o MDAC). Un MDAC è un convertitore D/A che accetta
una VR (tensione di riferimento) variabile nel tempo. Louput è quindi proporzionale
alla VR (t) secondo una costante di proporzionalità che dipende dal numero binario
impostato sullingresso digitale. Un dispositivo di questo tipo può esser utilizzato
quindi per moltiplicare due segnali, uno dei quali sia disponibile in forma digitale e
laltro in forma analogica. Ad esempio, essi possono essere adoperati per eettuare
una conversione da coordinate polari (r, ) a coordinate cartesiane realizzando la
moltiplicazione: r cos . Esistono versioni ultraveloci di MDAC, quali il modello
AD668 (Analog Devices) che è estremamente veloce ed è disponibile sotto la forma
di circuito integrato.
17.4
Convertitori Digitale-Analogico pilotati in

corrente
I DAC che abbiamo esaminato hanno linconveniente di far uso di interruttori basati
su transistor bipolari, che vengono portati dallinterdizione alla saturazione e viceversa. Questo rappresenta un limite alla velocità di conversione poiche, come sappiamo, un transistor impiega tempi relativamente lunghi per uscire dalla saturazione.
Lalternativa di far uso di interruttori basati su FET presenta altri problemi, legati
allimpedenza dei FET e delle resistenze necessarie per polarizzarli.
Un tipo di DAC che non risente di questi problemi è quello che sostituisce il
generatore di tensione VR con generatori di corrente posti in ciascuno dei rami della
rete R-2R, e che adopera interruttori in logica ECL, attraverso i quali le correnti
possono essere indirizzate verso lopportuno nodo della rete, o verso massa. Lo
schema di principio di tale circuito è mostrato in gura 17.15.
R2
R1=2R
Vo
2R
2/3 R
2R
I
2/3 R
2/3 R
2R
2R
I
2R
2/3 R
I
Figura 17.15: Convertitore digitale-analogico pilotato in corrente.

Come si vede, ciascuno degli interruttori può esser chiuso sul nodo imo della rete
` facile vedere che la resistenza vista
R-2R o su di una resistenza di valore 2/3R. E
mo
guardando dallinterruttore verso il nodo i è anchessa pari a 2/3 R. Infatti, come è
facile vericare relativamente, ad esempio, al nodo a0 il circuito equivalente è quello
di gura 17.16.
2R
Figura 17.16: Circuito equivalente al nodo a0 del convertitore di gura 17.15.

Si vede da tale gura che la resistenza vista dal generatore di corrente che
alimenta tale nodo è: 2/3R. Lo stesso è vero per gli altri nodi. Se ora ammettiamo
che linterruttore che è collegato al nodo a3 sia in posizione tale da collegare il
generatore di corrente I alla rete, la corrente nella resistenza R1 sarà uguale a:
I1 =
1
I
3
e la tensione alluscita delloperazionale:

R2
I
3
Se invece linterruttore a3 è chiuso sulla resistenza 2/3R e ad essere collegato alla
rete è invece il generatore che alimenta a2 , è facile vedere che la corrente in R1 sarà
Vo = R2 I1 =
17.5 Convertitori Analogico-Digitale (ADC)
503
la metà di quella precedente, e quindi la tensione in uscita sarà:

Vo = R2 I1 =
R2 1
I
3
2
Vediamo cos` che i generatori collegati ai nodi a2 , a1 , a0 compaiono nella tensione

duscita con pesi che è ciascuno la metà di quello del nodo di indice immediatamente
pi`
u elevato. Il circuito è quindi un convertitore digitale-analogico a 4 bit.
Come accennato, gli interruttori in tale circuito sono realizzati con porte ECL,
ciascuna delle quali è costituita da una coppia di transistor accoppiati, come mostrato in gura 17.17. Il segnale di tensione applicato alla base del transistor TB di gura
fà si che la corrente uisca nello stesso transistor, e quindi verso massa, o nel tran chiaro che in tale circuito
sistor TA , che alimenta il relativo nodo della rete R-2R. E
la corrente non viene mai interrotta, ma semplicemente incanalata su uno o laltro
dei due rami.
verso il nodo i-mo

della rete R-2R
VR
Vi
TB
TA
Re
-VEE
Figura 17.17: Interruttore costituito da una porta ECL.

Per unanalisi dettagliata di tale switch, si consultino i riferimenti [7] o [8].
17.5
Convertitori Analogico-Digitale (ADC)
17.5.1
ADC a contatore (Counting ADC)
Se il segnale analogico da convertire è disponibile alluscita di un sistema di SampleAnd-Hold, la conversione può essere realizzata in vari modi. Di questi, il pi`
u semplice
ed economico (anche se probabilmente il pi`
u lento) è quello che fa uso di un contatore,
un DAC ed un comparatore. Il principio su cui tale circuito si basa è quello di
generare, facendo uso del contatore, una sequenza di numeri binari, aventi un numero
di bit pari a quello che si intende adoperare nella conversione, partendo da zero, no

al massimo valore che il numero dei bit consente. Tale numero viene convertito
dal DAC in un livello di tensione che è poi confrontato dal comparatore con il
segnale che si desidera convertire. Ammettendo che questo sia positivo e che esso
sia applicato allingresso non-invertente del comparatore, al cui ingresso invertente
è inviata luscita del DAC, il segnale in uscita dal comparatore sarà positivo no
a quando il numero binario generato dal contatore non sia tale da far si che il
segnale alluscita del DAC superi in ampiezza il segnale da convertire. Qualora
invece il confronto dia unuscita negativa, un opportuno segnale blocca il contatore.
Il numero letto alluscita del contatore a questo punto è una stima (approssimata per
eccesso) del segnale da convertire. Lo schema di funzionamento è quello mostrato
in gura 17.18.
clear
clock
a
b
contatore
output
DAC
Va
Figura 17.18: Convertitore analogico-digitale realizzato con un contatore.

Un impulso di clear resetta il contatore binario, che conta il numero di impulsi che
vengono dal clock. Luscita del contatore è quindi un numero binario che aumenta
linearmente (nel nostro caso, in cui abbiamo ipotizzato 4 bit, luscita varierà da 0
a 15). Questo numero binario viene convertito dal DAC in un segnale di tensione
V, proporzionale al numero binario stesso, secondo una costante di proporzionalità
nota, dipendente dalle caratteristiche del DAC. La tensione V viene poi confrontata,
tramite il comparatore C, con la tensione da convertire, Va . Fino a che è Va > V ,
luscita del comparatore sarà alta. Di conseguenza linput b della porta AND sarà
alto ed i segnali di clock continueranno a fare avanzare il contatore. Si noti che Va
potrà superare solo di poco il massimo valore che V può assumere, che nel nostro
esempio di un contatore a quattro bit vale 15VR , dove VR è la tensione di fondo scala
del DAC.
Quando V supera Va , luscita del comparatore va al livello basso ed il gate AND
viene ad essere disabilitato. Ora il clock si arresta ed il numero binario presente sui
canali di output corrisponde al numero binario immediatamente pi`
u alto (di 1 bit)
del valore binario di Va .
Notiamo che tale convertitore è aetto da un errore di quantizzazione legato
al numero di bit adoperato. Lerrore è tipicamente uguale a metà del bit meno
505
signicativo. Cos` ad esempio, ammettendo di avere un ADC a 4 bit, con una

risoluzione di 1 bit/100 mV, lerrore sarà di 50 mV .
Questo tipo di ADC è intrinsecamente lento. Se infatti limpulso Va in ingresso è
vicino al fondo scala, occorreranno quasi 15 impulsi di clock ed altrettanti confronti
per realizzare la conversione. Se il numero di bit fosse 12 e Va fosse vicino al fondo
scala, dovremmo aspettare 4095 impulsi di clock. Se la frequenza del clock fosse
50 ns, dovremmo aspettare circa 200 s per ottenere una conversione.
Un circuito che, pur basandosi, come il precedente, sullidea del confronto del livello di tensione con tutta una serie di livelli di tensione generati da un DAC, realizza
lo stesso scopo in tempi molto inferiori, è quello noto come ADC ad approssimazioni
successive, discusso nella prossima sezione.
17.5.2
ADC ad approssimazioni successive
Per comprendere il principio su cui è basato questo ADC, ammettiamo di voler

convertire in binario un numero compreso tra 0 e 15, ad esempio il numero 8.5. Nel
metodo descritto in precedenza noi facciamo avanzare un contatore, partendo da 0,
confrontando luscita analogica con il numero. Il confronto viene prima eettuato
con il numero 0, poi con l1 e via dicendo no a 9. Il numero di confronti, e quindi
di cicli di clock, è 10. Ammettiamo di fare il confronto in modo diverso, ponendoci
cioè le seguenti domande:
a)
` il numero maggiore o uguale () della metà del range totale? (cioè di 8). Se
E
la risposta è positiva, il valore è compreso tra 8 e 16 (estremo superiore escluso);
altrimenti esso è compreso tra 0 e 8. Nel primo caso il bit pi`
u signicativo del
numero cercato è 1, nel secondo 0.
b)
Nel caso in cui il primo bit sia risultato essere 1, (è il nostro caso, poiche il
nostro numero è 8.5) confrontiamo il numero con il valore che divide a metà
il range (8-16), cioè con 12. Se il risultato del confronto è positivo (numero
12) il secondo bit del numero cercato è 1, altrimenti è 0. Nel nostro caso
tale bit vale 1. Infatti notiamo che 1210 = 11002. Ammettiamo che il risultato
del confronto sia negativo e che quindi il secondo bit sia 0, allora:
c)
Confrontiamo il numero con quello che divide a metà il range 8-12, cioè con
10. Se il risultato del confronto è positivo (cioè il numero è 10) il terzo bit
è 1, altrimenti esso è 0. Infatti 1010 = 10102. Nel nostro caso troveremo che il
terzo bit è 0.
d)
Confrontiamo inne il numero con quello che divide a metà il range (8-10),
cioè con 9. Se il risultato del confronto è positivo, il quarto bit dovrà essere 1,
altrimenti esso è 0. Nel nostro esempio il bit è 0.
A questo punto la conversione è terminata. Il numero di confronti è stato solo

4, anziche 10. Ciascun confronto eettuato determina il valore di uno dei bit, a
cominciare da quello pi`
u signicativo no a quello meno signicativo. Si può dimostrare in generale che la conversione di un numero di N bit con questo sistema
richiede solo N confronti e non pi`
u 2N , come nel caso precedente. Ad esempio, per
Input
Sample&Hold
4 bit DAC
A
0
A
1
A2
A3
4 bit register
control logic
Clock
ring counter
Figura 17.19: Convertitore analogico-digitale ad approssimazioni successive.

un numero di 12 bit il numero dei confronti è 12 anziche 212 = 4096. Lo schema di
massima del circuito è mostrato in gura 17.19.
Si inizia con limpostare i bit allingresso del DAC in modo che solo il bit pi`
u
signicativo A3 sia 1. Luscita del DAC è quindi una tensione corrispondente al
numero 1000 = 810 . Si confronta luscita Vb del DAC con Va . Se Va Vb la logica
di controllo lascia a 1 il bit pi`
u signicativo, altrimenti lo mette a 0. Il successivo
impulso del contatore ad anello (ring-counter) pone A2 = 1 mentre lascia invariati
gli altri bit.
Nel nostro esempio, in cui il numero (tensione in ingresso) era 8.5 V, il primo
confronto avrebbe posto A3 = 1. Ora la congurazione presente nel registro è:
A3
1
A2
1
A1
0
A0
0
Quindi la tensione Vb alluscita del DAC è 12V. Un ulteriore confronto troverà quindi
Va = 8.5 V e Vb = 12 V , per cui luscita del comparatore sarà bassa. Ora la logica
di controllo pone a 0 il bit A2 e ad 1 il bit A1 . Quindi ora avremo:
A3
1
A2
0
A1
1
A0
0
507
Corrispondente a 1010 . Il successivo confronto trova ancora una volta un livello

basso alluscita del comparatore. Ora la logica di controllo pone A1 = 0 e A0 = 1:
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
corrispondente a 910 . Il successivo impulso di clock pone A0 = 0, lasciando invariati

A3 , A2 , A1 :
A3
1
A2
0
A1
0
A0
0
corrispondente a Vb = 8. Ora il ciclo di arresta. La conversione è terminata. Una

possibile implementazione di un convertitore di questo tipo, limitato, per evitare
eccessive complicazioni, a 3 bit, è mostrata in gura 17.20. I cinque FF di tipo D
(A, B, C, D, E) sono connessi in modo da realizzare un anello modulo 5. Le cinque
uscite vengono a trovarsi una alla volta al livello logico 1. I tre FF (F F 0, F F 1, F F 2)
servono a registrare i bit, con F F 0 che registra il bit meno signicativo ed F F 2 quello
pi`
u signicativo.
DAC a 3 bit
Va(t)
Sample&Hold
A2
GA
1
5
CL
2
6
CLK
PR Q#
CL
FF0
Q
CLK
PR Q#
S
FF1
1
5
CL
Q
CLK
FF2
V+
7
4
COMP V-
V0
PR Q#
A1
3
GB
A0
GC
4
G2
G0
G1
4
2
3
CL Q#
PR Q
CLK B
CL Q#
1
PR Q
CLK C
CL Q#
1
PR Q
CLK A
D
Al Clear di FF0/FF1
4
5
CLK
PR Q
CL Q#
1
PR Q
CLK
CL Q#
Clock
Figura 17.20: Schema di un convertitore analogico-digitale ad approssimazioni successive a 3

bit.

Si inizia con QA = 1, QB = 0, QC = 0, QD = 0, QE = 0. Il F F 2 è quindi
nello stato di SET mentre F F 0, F F 1 sono in quello di RESET. Avremo quindi
Q2 = 1, Q1 = Q0 = 0. In tal modo il numero binario 100 viene dato in ingresso al
DAC. Luscita del comparatore sarà C0 = 0 se Va V0 , sarà C0 = 1 se Va < V0 . Nel
successivo ciclo QB sarà uguale ad 1, mentre tutti gli altri saranno 0. Con ciò la
porta G2 risulterà abilitata ed FF2 verrà a trovarsi nello stato di RESET se C0 = 1,
di SET se C0 = 0. Ciò che in sostanza abbiamo fatto è stato di provare ad assegnare
il valore 1 al bit pi`
u signicativo; labbiamo lasciato uguale ad 1 se il risultato del
confronto dava un valore di C0 = 0 (cioè se Va V0 ) mentre labbiamo posto uguale
a 0 nellaltro caso. Con il successivo impulso di clock, il livello 1 si sposta da QB a
QC . Con ciò sarà ora abilitata G1 .
Q2 rimane al valore che aveva in precedenza. Il nuovo numero binario presente
sui FF (Q2 , Q1 , Q0 ) viene ora convertito dal DAC e fornito al comparatore. Se
V0 Va , C0 = 0 e le porte (GA , GB , GC ) rimangono disabilitate. Quindi Q1 non
sarà resettato. Se invece C0 = 1, la porta G1 sarà abilitata e Q1 sarà resettato. Il
confronto prosegue no a quando QE non diventi uguale ad 1. A quel punto vengono
abilitate le porte GA , GB , GC e luscita digitale sarà disponibile per la lettura.
17.5.3
Convertitore ADC a rampa singola
In tale convertitore si misura il tempo necessario anche una sorgente di corrente

costante carichi un condensatore di capacità nota ad una tensione pari a quella che
si vuol digitizzare. Il relativo schema è mostrato in gura 17.21:
H
inizio conversione
D PREB
contatore
Reset
CLK
CLRB QB
oscillatore
Registro
Reset
comparatore
Output
Figura 17.21: Convertitore analogico-digitale a rampa singola.

Ammettiamo che il condensatore C sia inizialmente scarico e che Va sia una tensione positiva. Luscita del comparatore sarà bassa. Il segnale di inizio conversione
porrà ad 1 luscita Q del FF, con che la porta AND sarà abilitata ed il contatore conterà gli impulsi di clock. Nel frattempo la corrente costante i carica il condensatore
509
C e dopo un tempo tale che:

V+ =
i
t = Va
C
luscita del comparatore si porterà al suo livello alto, resettando con ciò il FF. Ora
Q passerà al livello alto e Q a quello basso. La porta AND sarà disabilitata ed
il registro indicherà un conteggio N proporzionale a t e quindi a Va . Il livello
alto di Q 1 resetterà contatore e registro, oltre a chiudere linterruttore, scaricando
cos` il condensatore. Il sistema è cos` pronto ad un nuovo ciclo di conversione.
Questo tipo di ADC, pur molto semplice, non è altrettanto accurato. Laccuratezza
è determinata dallaccuratezza e stabilità della capacità C, del generatore di corrente
e del comparatore. Per questo motivo si preferisce ricorrere allADC a doppia rampa,
descritto nel paragrafo successivo.
17.5.4
LADC a doppia rampa
In questo tipo di ADC lidea base è la seguente. Un convertitore tensione-corrente

viene utilizzato per fornire ad un condensatore una corrente ia rigorosamente proporzionale alla tensione Va applicata allingresso (tensione che si vuol digitizzare).
Ciò vien fatto per un intervallo di tempo T1 sso e ben denito. Il condensatore si
carica no a raggiungere una tensione V come indicato in gura 17.22.
V
_
V ~ Va
T (fisso)
1
_
T (~V )
Figura 17.22: Carica e scarica di un condensatore a corrente costante.

Successivamente, il condensatore viene scaricato a corrente costante i, no a che,
dopo un tempo T2 , non si annulli la tensione ai suoi capi. Un contatore misura il
numero di impulsi forniti dal clock nel tempo T2 . Luscita del contatore sarà quindi
proporzionale a T2 (che a sua volta è proporzionale a V , essendo la pendenza una
costante) determinato da Va .
Prima di esaminare i dettagli di un tipico circuito di questo tipo, notiamo che il
risultato ora non dipende dal preciso valore C della capacità. Infatti, se C aumenta,
1
opportunamente ritardato, in modo da dar tempo di memorizzare il risultato della conversione

nellintervallo di tempo T1 la corrente ia caricherà il condensatore ad una tensione
pi`
u bassa. Questa sarà comunque tale che il prodotto CV sia uguale ad una costante,
non dipendente da C. Nella successiva scarica del condensatore (a corrente costante
i) il tempo T2 sarà determinato dalla condizione:
T2 = t =
CV
i
e sarà quindi il medesimo di prima, essendo V diminuito in modo tale che CV

rimanesse costante.
Notiamo inoltre che, essendo il conteggio espresso in numero di impulsi di clock,
il risultato non dipende dal valore esatto della frequenza del clock. Infatti, ammettiamo che il clock sia un po pi`
u lento del normale. Essendo T1 espresso in
u lungo del normale e
numero di cicli di clock, lintervallo T1 sarà sicamente pi`
di conseguenza V sarà maggiore. Il processo di scarica impiegherà quindi un tempo
corrispondentemente pi`
u lungo. Ma, essendo alla ne tale tempo espresso in unità
di cicli di clock, che sono pi`
u lenti del normale, il numero risultante risulterà
invariato.
Veniamo ora ad unimplementazione schematica di tale convertitore, come quella
di gura 17.23.
S2
V
clear
S1
V
contatore
comparatore
Clock
output
Figura 17.23: Convertitore analogico-digitale a doppia rampa.

Ammettiamo che Va sia > 0 e VR < 0. Linterruttore S1 è inizialmente aperto, S2 è chiuso ed il contatore è azzerato. Ammettiamo ora che allistante t = t1
S1 sia portato in posizione Va ed S2 venga aperto. Loperazionale darà un segnale
di tensione V in uscita proporzionale allintegrale di Va (che ammettiamo rimanga
costante durante il tempo di conversione). Inoltre tale segnale sarà negativo. Ammettendo che il contatore sia congegnato in modo da azzerarsi dopo 2N impulsi di
clock (dove N è il numero di bit in uscita) e che dopo tale tempo esso dia un segnale
di clear che agisce su S1 portandolo in posizione VR , avremo che, a partire da tale
istante il condensatore comincia a scaricarsi e V comincia a risalire, come mostrato
in gura 17.24.
511
Figura 17.24: Andamento della tensione in uscita dalloperazionale nello schema di gura 17.23.
Vediamo dalla gura che V prima decresce e poi cresce linearmente nel tempo.
Al tempo t = t3 luscita V dellintegratore ripassa per lo zero. Fino a che V rimane
negativo, luscita del comparatore sarà al suo livello alto e la porta AND permetterà
il conteggio degli impulsi di clock. In t = t3 V diviene uguale a zero, il gate AND
è disabilitato ed il conteggio si arresta. Possiamo ora far vedere che la lettura
del contatore al tempo t = t3 è proporzionale al segnale in ingresso. Questo può
essere compreso intuitivamente, se si pensa che la pendenza del segmento di retta che
rappresenta V nellintervallo di tempo t1 t2 è proporzionale allampiezza del segnale
in ingresso. Di conseguenza, laltezza massima raggiunta da V è proporzionale al
segnale in ingresso. Daltronde, il tempo che il segnale impiega a ritornare a zero
è proporzionale allaltezza massima che esso aveva raggiunto, e tale tempo è quello
che il contatore ha sulla propria uscita digitale alla ne, cioè al tempo t3 . In modo
pi`
u formale; il valore di V per t = t3 è dato da:
1
V =
RC
t2
t1
1
Va dt
RC
t3
VR dt = 0
t2
da cui:
Va (t2 t1 ) + VR (t3 t2 ) = 0
e quindi:
Va T1 + VR T2 = 0
Se il numero di impulsi nel tempo t2 t3 è n2 , allora T2 = n2 T ; inoltre: T1 = n1 T ;
per cui:
Va 2N T + VR n2 T = 0
Va = n2
|VR |
= kn2
2N
17.5.5
Flash ADC
Un tipo di ADC estremamente veloce è quello a comparatori paralleli, noto anche come Flash ADC. Lidea base di questo convertitore è quella di confrontare la
tensione da convertire con un insieme nito di livelli di tensione predeterminati,
corrispondenti ciascuno ad un diverso numero binario in uscita. Il confronto vien
fatto contemporaneamente con tutti tali livelli di tensione; ciò che rende il circuito
estremamente veloce. Esaminiamo la struttura base di un convertitore a 3 bit, quale
quello mostrato in gura 17.25.
Vo
R/2
Va
13 Vo/14
C7
C6
C5
11 Vo/14
9 Vo/14
R
A2
Q
5
Logica
7 Vo/14
R
C4
C3
C2
C1
3 Vo/14
A1
Q
3
Q
2
A0
Vo/14
R/2
di
Decodifica
5 Vo/14
Q
1
Clock
Figura 17.25: Schema di un ash ADC a 3 bit: convertitore analogico-digitale a comparatori

paralleli.
Va è la tensione da convertire, Vo una tensione ssa di riferimento. Il partitore

costituito dalle resistenze R/2, R, fa si che lingresso non invertente del comparatore
C7 sia ad una tensione pari a 13Vo/14, quello di C6 a 11Vo /14 , e via dicendo, no
a C1 che ha lingresso non invertente a Vo /14. Luscita dei comparatori è collegata
allingresso di altrettanti ip-op di tipo D, che a loro volta sono collegati alla logica
di decodica (costituita di porte AND) che genera i bit A0 , A1 , A2 .
Ammettiamo che Va sia compresa tra 5/14Vo e 7/14Vo. Luscita dei comparatori
a al livello 1. Notiamo
C1 , C2 , C3 sarà allora al livello 0, mentre quella dei restanti sar`
che tutti i comparatori Ci con i > 3 hanno le uscite al livello 1, mentre tutti i
comparatori Ci con i 3 hanno le uscite al livello 0. Se ora Va aumentasse e
17.6 Caratteristiche dei DAC ed ADC commerciali
513
salisse ad esempio al di sopra di 7/14Vo, il numero delle uscite che sono al livello
0 aumenterebbe, cioè la colonna degli 0 salirebbe. Quindi laltezza di tale colonna
è una misura della tensione Va applicata in ingresso. Per tale motivo è invalso
luso di riferirsi alloutput della colonna dei comparatori come thermometer code,
poiche sale e scende come la colonnina di mercurio in un termometro. La logica di
controllo, la cui struttura interna non è indicata, è essenzialmente un decodicatore.
Alla congurazione del nostro esempio dovranno corrispondere in uscita i bit 011.
Tale ADC richiede 2N 1 comparatori per convertire una tensione in un numero di
N bits; cioè 4095 comparatori per un numero di 12 bit.
17.6
Caratteristiche dei DAC ed ADC commerciali
In questa sezione accenneremo brevemente alle caratteristiche dei DAC disponibili

in commercio, discutendo quelli che sono i parametri pi`
u importanti tra quelli quotati dai produttori. Tale terminologia si applica, con le dovute precisazioni, anche
ai convertitori analogico-digitale. Per ulteriori dettagli si consiglia di consultare i
manuali forniti dai produttori. Ad esempio, si consulti il sito WEB della National
Semiconductor [9]
Risoluzione
Questa è determinata dal numero di bits del convertitore. Un convertitore
a 8 bit può distinguere 256 numeri diversi ed ha quindi una risoluzione di
1/256 4%. Un convertitore a 12 bit può distinguere 4096 livelli (numeri)
diversi ed ha una risoluzione di circa lo 0.0244%. Il bit meno signicativo
(LSB) corrisponde in questo caso a 1/4096 del livello massimo.
Linearità
Se applichiamo allingresso di un DAC una serie di numeri binari da 0 a 2N 1 ,
dove N è il numero di bit, la tensione in uscita avrà un andamento a scala,
Se eettuiamo un t con una retta a tale andamento e valutiamo poi lo scostamento di ciascun gradino da tale retta, si denisce di solito non-linearità la
massima deviazione trovata. Idealmente questa dovrebbe essere inferiore alla
variazione di tensione corrispondente ad una variazione di metà del bit meno
signicativo. Ad esempio, se il convertitore è a 12 bit e quindi il numero dei
livelli possibili è 4096, la deviazione dalla linearità dovrebbe idealmente es1
sere inferiore a 12 4096
= 1.2 104. La non-linearità specicata di regola non
include lerrore di quantizzazione, o di oset. Quindi una specica di linearità pari a 1/2 LSB implica un errore aggiuntivo rispetto a quello inerente
di 1/2 LSB dovuto alla risoluzione. Il termine linearità è equivalente a
quello che alcuni produttori chiamano accuratezza.
Linearità dierenziale
` in genere quotata una non-linearità dierenziale, denita come la dierenE
za tra la variazione di tensione letta in uscita e quella ideale, cioè quella
out
Figura 17.26: Andamento della tensione in uscita da un convertitore digitale-analogico quando

in ingresso è applicata una serie di numeri binari.
corrispondente alla variazione di 1 LSB (bit meno signicativo) in ingresso.

Ad esempio, un DAC per il quale, variando lingresso di un LSB si osservi
una variazione della tensione in uscita che corrisponda ad 1.5 LSB, ha una
non-linearità dierenziale di 1/2 LSB.
Monotonicità
Allaumentare del numero binario impostato sullingresso di un DAC, la tensione in uscita deve salire in corrispondenza. Se per un certo incremento
dellinput, luscita subisce una diminuzione, il DAC non è monotono. La nonmonotonicità è quindi legata alla non-linearità. Analoga denizione vale per
un DAC. La funzione di trasferimento di un DAC monotono non presenterà in
uscita codici decrescenti in corrispondenza ad un qualsivoglia livello di tensione
crescente in ingresso.
Oset
Questo è il segnale che è presente in uscita quando lingresso digitale è zero.
Questo è in genere specicato in mV o V o come frazione del bit meno
signicativo.
Precisione (Scale error)
Questa è, per un ADC, la dierenza tra la tensione analogica reale in uscita e
quella ideale. La mancanza di linearità contribuisce a diminuire la precisione.
La precisione è in genere quotata ad esempio come 0.1% di fondo scala 12
del bit meno signicativo.
Errore di oset
` la tensione alluscita del DAC quando tutti gli ingressi sono zero. Questo è
E
causato in genere dalla tensione o corrente di oset degli operazionali impiegati.
In genere è aggiustabile regolando un trimmer o potenziometro esterno al DAC.
17.7 ADC e campionamento dei segnali
515
Tempo di assestamento (settling time)

Questo è denito come lintervallo di tempo necessario, dopo lapplicazione
dellinput, perche luscita si assesti sul suo valore asintotico entro 1/2 LSB.
Rate di conversione
Questo è la velocità con cui un dato ADC o DAC può eettuare conversioni
successive.
17.7
ADC e campionamento dei segnali
Una generica forma donda, quale ad esempio quella mostrata in gura 17.27, può
esser campionata, ciò che richiede che il suo valore ad intervalli di tempo regolari
sia immagazzinato in una memoria analogica, quale potrebbe essere un circuito di
sample-and-hold (S&H), e poi convertita in una successione di valori digitali.
Figura 17.27: Forma donda campionata ad intervalli di tempo regolari ti .

Si può anche, in un sistema di trasmissione digitale, inviare la successione di
valori binari ottenuti ad un eventuale dispositivo di ricezione che dovrà eseguire la
ricostruzione delloriginale segnale analogico. Lo schema diviene cos` quello di
gura 17.28.
La forma donda (a) è campionata dal circuito di (S&H) (b), convertita dallADC (c) in una successione di valori numerici binari e poi trasmessa al ricevitore
(d). Qui linformazione digitale è nuovamente convertita in un segnale analogico (f)
tramite il DAC (e). Tale segnale analogico potrà esser poi adoperato per pilotare
un altoparlante, uno schermo video etc.
La domanda che ora ci poniamo è se con tale procedimento noi riusciremo in
(f) a ricostruire in modo univoco la forma donda iniziale. In particolare: quale
dovrà essere lintervallo temporale tra due campionamenti successivi t = ti+1 ti
(a)
S&H
ADC
Ricevitore
DAC
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
Figura 17.28: Struttura generale della catena di campionamento, conversione, trasmissione e

ricostituzione della forma donda iniziale.
(gura 17.27) se si vuole che la forma donda sia ricostruita in modo univoco? A
questa domanda è stata data una semplice risposta da Nyquist2 nel 1928. La relativa
dimostrazione matematica, dovuta a Shannon, arrivò solo 21 anni pi`
u tardi, nel
1949. Tale risposta è comunemente nota come teorema di Nyquist o teorema di
Shannon o, pi`
u semplicemente, come teorema del campionamento.
Il teorema asserisce che, se nello sviluppo in serie di Fourier del segnale originale
compaiono solo frequenze che non superino una certa frequenza fmax , la frequenza
di campionamento fc deve essere almeno il doppio di fmax :
fc 2 fmax
Il valore fN = 2fmax è noto come frequenza di campionamento di Nyquist.
Un punto su cui torneremo, ma che è importante chiarire n dora, è la presenza
nel segnale campionato, per eetto del campionamento stesso, di ripetizioni o alias
dello spettro di frequenze del segnale iniziale, a frequenze pi`
u alte, con una periodicità determinata dalla frequenza di campionamento. Tali frequenze andranno
eliminate facendo uso di opportuni ltri.
Il teorema del campionamento si applica, come visto, a segnali che non abbiano
frequenze al di sopra di un valore nito. In pratica si può far uso del teorema ove
opportuni ltri abbiano preliminarmente rimosso le frequenze al di sopra di un valore
pressato.
Ad esempio, lorecchio umano può udire suoni nel campo di frequenze che va da
20 Hz a 20 kHz. Segue dal teorema che occorre campionare il suono ad una
frequenza di almeno 40 kHz se si vuole che il suono ricostruito risulti accettabile
per lorecchio umano.
Qualora frequenze pi`
u alte della metà della frequenza di campionamento di
Nyquist siano presenti nel segnale, queste daranno luogo, nel segnale ricostruito,
ad un fenomeno noto come aliasing. Con questo termine si intende che saranno presenti nel segnale ricostruito, oltre alle frequenze presenti in quello originario, altre
frequenze che, pur cadendo nella banda di frequenze del segnale originario, non sono
quelle che erano presenti in questo.
Nellesempio delle onde acustiche, se nel suono originario sono presenti frequenze
superiori a 20 kHz (non udibili per lorecchio umano) ed il campionamento viene
eettuato alla frequenza di 40 kHz, il contributo delle onde di frequenze maggiori
di 20 kHz risulterà in un aliasing nella zona sotto i 20 kHz, con risultati sgradevoli.
2
Anche Whittaker ha contribuito in modo notevole alla soluzione del problema, ed in eetti
alcuni autori citano questo come teorema di Whittaker. Il relativo riferimento è: J.M. Whittaker,
Interpolary Function Theory, Cambridge University Press, 1935.
17.8 Il teorema del campionamento
517
Per tale motivo occorre far precedere il circuito che eettua il campionamento da un
opportuno ltro passa-basso, che tagli le frequenze superiori a 20 kHz. In pratica,
nei sistemi comunemente adoperati, si eettua un campionamento a circa 44 kHz
anziche a 40 kHz, per tener conto del fatto che il taglio eettuato da un ltro reale
non è mai sucientemente netto.
Chiariamo i concetti esposti, con riferimento alla gura 17.29.
Ammettiamo che il campionamento sia eettuato a precisi istanti ti , intervallati
di un tratto T. Ciò è schematizzabile come il prodotto della f(t) per una serie innita
di funzioni (t) spaziate di un tratto pari alla periodicità T del campionamento, come
mostrato in gura. Qui la funzione donda mostrata in (a) è moltiplicata per la serie
temporale di funzioni mostrate in (b). Il risultato è la serie di altezze dimpulso
mostrate in (c).
Notiamo che, come si può vedere in (e) e come si potrebbe dimostrare, la trasformata di Fourier di una serie di funzioni spaziate di T è una serie di funzioni
spaziate di fs = 1/T . La trasformata della funzione originaria è la F(f) mostrata
in (d). Per lipotesi fatta allinizio, questa è nulla per frequenze superiori ad un
certo valore f1 . Se ora calcoliamo la trasformata del segnale campionato mostrato
in (c), ammettendo che la frequenza di campionamento fs = 1/T soddis il teorema
del campionamento, troveremo, come vedremo nel seguito, una distribuzione come
quella mostrata in (f). Oltre alla distribuzione a frequenze inferiori ad f1 , che è
una copia di quella originale, abbiamo unulteriore copia di questa a frequenze che
vanno da fs in su, una copia speculare di questa che inizia alla frequenza fs e si
estende verso frequenze inferiori, ed una serie innita di ripetizioni di queste. Le
copie e le immagini speculari di queste costituiscono degli alias della distribuzione
di frequenze iniziale mostrata in (d). Un ltro che tagli le frequenze superiori ad f1
eliminerà tali alias.
Se la condizione f1 < fs f1 , ovvero fs > 2f1 non è soddisfatta, si vede dalla
gura che gli alias costituiti dallimmagine speculare della prima copia della distribuzione iniziale di frequenza, verranno ad estendersi n nella zona f < f1 , che
non è tagliata dal nostro ltro passa-basso. Ciò dimostra chiaramente la necessità
di imporre la condizione richiesta dal teorema del campionamento.
La gura 17.30 illustra in modo diverso ciò che accade. Nelle gure (a), (b) e (c)
il campionamento rispetta la condizione di Nyquist. In (d) la frequenza del segnale è
pari a 0.95 volte quella della frequenza di campionamento. Vediamo ora che i valori
campionati, oltre ad accordarsi con la frequenza del segnale, riproducono anche una
frequenza molto pi`
u bassa, non presente nel segnale.
17.8
Il teorema del campionamento
Possiamo far vedere il perche della condizione che il teorema pone sulla frequenza
di campionamento nel modo seguente.
Il processo di campionamento è equivalente, come già visto, alla moltiplicazione
della forma donda data per una serie innita di funzioni , spaziate con una periodicità data dallinverso della frequenza di campionamento T = 1/fc , serie che si

Funzione di
campionamento
Funzione d'onda
in ingresso
f(t)
(a)
Risultato del
campionamento
g(t)
(b)
h(t)
(c)
X
T
t
t1 t2 t3 t4 t5 t
Trasformata della
funzione di
campionamento
Trasformata della
f(t)
F(f)
H(f)
(d)
Trasformata della
g(t)
G(f)
(e)
(f)
f1
fs
2fs 3fs
fs=1/T
Nyquist : fs-f1>f1 -> fs>2f1
t1 t2 t3 t4 t5
fs
f1
fs-f1
Figura 17.29: Schema generale del campionamento.

estende da a +3 :
n=+

(t) =
(t nT )
n=
Si può dimostrare che lo spettro in frequenza angolare di tale funzione, vale a

dire la sua trasformata di Fourier, è data da:
H() = F [(t)] =
n=+

( nc )
(17.1)
n=
con:
2
T
Vediamo che lo spettro è ancora una Dirac comb nello spazio delle .
Dobbiamo ora eettuare il campionamento della f(t) data, e per far ci`
o dobbiamo calcolare il prodotto:
f (t) (t)
c =
Ammettiamo di aver calcolato la trasformata di Fourier F () della f (t). Calcoliamo

il prodotto di convoluzione di questa con la H():
G() =
F ( )H( )d
Tale funzione, il cui graco ricorda un pettine è nota come Dirac comb, cioè pettine di
Dirac.
519
b. Analog frequency = 0.09 of sampling rate
Amplitude
Amplitude
a. Analog frequency = 0.0 (i.e., DC)
-1
-1
-2
-2
-3
-3
Time (or sample number)
d. Analog frequency = 0.95 of sampling rate
Amplitude
Amplitude
c. Analog frequency = 0.31 of sampling rate
-1
-1
-2
-2
-3
-3
Figura 17.30: Le linee continue rappresentano il segnale, i quadretti il risultato del campionamento. Nel graco (a) il segnale è costante. In (b) la forma donda sinusoidale ha una frequenza
pari a 0.09 volte quella di campionamento. Ad esempio, potrebbe trattarsi di un segnale sinusoidale di 90 Hz, campionato ad una frequenza di 1000 Hz; il che implica 11.1 campionamenti per
ogni ciclo completo dellonda sinusoidale. Questo è un esempio di campionamento corretto. In (c)
abbiamo solo 3.2 campionamenti per ogni ciclo. Ancora una volta il campionamento è corretto. In
(d) abbiamo appena 1.05 campionamenti per ciclo. Vediamo che ora, oltre alla frequenza iniziale, i
campionamenti sono consistenti con unonda avente una frequenza pari a 0.05 volte quella dellonda
originale, ovvero un alias di questa.
Sostituendo in questa alla H() la sua espressione (17.1), otteniamo:

G() =
n=+
+
n=
Questa è uguale a:
G() =
F ( )( nc )d
n=+

F ( nc )
n=
ovvero:
2
4
6
) + F (
) + F (
) +
T
T
T
4
6
2
) + F ( + ) + F ( + ) +
+ F ( +
T
T
T
vale a dire la somma della trasformata F () della funzione originale, sommata ad un
numero innito di repliche della medesima, traslate di tratti multipli di c = 2/T
rispetto a questa.
F () + F (

Il risultato trovato ci dice che il prodotto di convoluzione delle funzioni F ()
ed H() è uguale ad una somma innita della F () e di repliche della medesima,
traslate di tratti multipli di 2/T . Come vedremo tra poco, tale prodotto di convoluzione altro non è che la trasformata di Fourier del prodotto f (t)(t), cioè della
funzione campionata. Ne segue che: la trasformata di Fourier della funzione campionata è uguale alla somma della trasformata della funzione iniziale e di innite
repliche della stessa, traslate di tratti pari a c = 2/T .
Ricordiamo ora la denizione della trasformata di Fourier:
+
+
+
jt
F () =
f (t)e
dt =
f (t) cos(t)dt
f (t) sin(t)dt
Dove si vede facilmente che il termine reale è simmetrico per uno scambio di
in , mentre quello immaginario è antisimmetrico. Ne segue che il precedente
risultato, applicato rispettivamente alla parte reale ed a quella immaginaria, fornisce
distribuzioni del tipo mostrato in gura 17.31.
Componente reale della
trasformata della f(t)
Componente immaginaria della

trasformata della f(t)
Re[F(f)]
Im[F(f)]
f=0
f1
fs
2fs
f1
fs
2fs
f=0
Figura 17.31: Componenti reale ed immaginaria della trasformata di Fourier.

Ora ricordiamo che T è lintervallo tra campionamenti successivi e c è la relativa
frequenza angolare. Se c è inferiore al massimo valore (max ) di presente nella
F () (vale a dire se T > 2/max ) le repliche della F () verranno a sovrapporsi alla
stessa F () e la ricostituzione della f(t) iniziale a partire dalla trasformata, anche
u possibile.
con lapplicazione di un ltro passa-basso alla frequenza f1 , non sarà pi`
Dimostriamo inne quanto asserito sopra, cioè che il prodotto di convoluzione di
due generiche funzioni F () e H(), trasformate rispettivamente di f(t) ed h(t) è
uguale alla trasformata di Fourier del prodotto f(t)h(t):
+
+

F ( )H( )d =
f (t)h(t)ejt dt
Per vericarlo, verichiamo che lantitrasformata del primo membro è uguale

allantitrasformata del secondo, che è ovviamente f(t)h(t).
+ +
1
F ( )H( )ejt dd
2
Poniamo in questa: = . Avremo:
+ +
1

F ( )H()ej t ejt d d =
2

1
=
2
j t
F ( )e
521
H()ejt d = f (t)h(t)
Con che è vericato quanto asserito.

Ricostruzione del segnale iniziale a partire dai valori campionati
Per completare il teorema del campionamento, dobbiamo mostrare come, a partire
dai valori f (nT ) ottenuti dal campionamento, si possa ricostruire la funzione iniziale.
Il risultato, che non dimostreremo, è dato dalla relazione:
u(t) =
+

n=

u(nT )sinc
t nT
T
dove si ammette che la funzione sia stata campionata ad intervalli di tempo T, pari
a 1/(2fmax ), con fmax la massima frequenza contenuta nel segnale iniziale e dove la
funzione sinc è data da:
sin(x)
sinc(x) =
x
Capitolo 18
Il rumore nei circuiti elettronici

18.1
Introduzione
Anche in assenza di segnale applicato in ingresso, una tensione o corrente di rumore

è sempre presente alluscita di un amplicatore. Tale segnale può aver origine nei
componenti dellamplicatore medesimo (transistori, FET, resistenze, diodi etc.) o
può avere origini esterne (disturbi di natura elettromagnetica nellambiente, insuciente ltraggio della tensione di alimentazione ottenuta dalla rete elettrica, rumore
già presente allingresso dellamplicatore).
Se si osserva il segnale alluscita dellamplicatore con un oscilloscopio, si vedrà
una successione di impulsi di forma irregolare, positivi e negativi, come è possibile
vedere in gura 18.1.
Rumore
Tensione (mV)
-1
-2
0
10
Tempo (s)
Figura 18.1: Segnale di rumore visto da un oscilloscopio. Si noti che la forma è del tutto
irregolare, con picchi positivi e negativi.
Laltezza degli impulsi è spesso molto piccola e la loro distribuzione nel tempo è
nella pi`
u gran parte dei casi, casuale (non lo sarà ovviamente se il rumore ha origine
523
524
Capitolo 18. Il rumore nei circuiti elettronici
nella rete elettrica a 220 V, in emissioni elettromagnetiche da parte di motori elettrici

nellambiente etc).
Ci limiteremo qui allo studio del rumore di tipo casuale, che ha prevalentemente
origine nei componenti del circuito o negli elementi che lo precedono.
Lo studio del rumore è particolarmente importante in quelle applicazioni in cui è
necessario amplicare dei segnali la cui ampiezza è molto piccola. In tali circostanze,
lampiezza del rumore può divenire una frazione apprezzabile di quella del segnale
e diviene importante adottare accorgimenti particolari per amplicare il segnale e
` necessario, a tale scopo, conoscere le caratteristiche del rumore,
non il rumore. E
quali ad esempio il suo spettro di frequenza.
I tre tipi principali di rumore sono:
il rumore termico ;
il rumore di tipo shot ;
il rumore 1/f .
Nei paragra che seguono esamineremo le caratteristiche principali di tali tipi di
rumore, cominciando con una breve descrizione dei metodi adoperati per caratterizzarlo.
18.2
Processi stocastici stazionari
Ci occuperemo qui dei processi stocastici che si ripetono nel tempo e che possono
essere considerati, su lunghi intervalli di tempo, stazionari. Nella pi`
u gran parte
dei casi essi hanno origine in uttuazioni che hanno luogo a livello microscopico.
In tal caso risulta opportuno arontare il problema studiando la distribuzione di
tali processi nel tempo. Dal punto di vista sperimentale è invece comodo eettuare
misure nel dominio della frequenza. Ci occuperemo ora dei metodi adoperati per
la caratterizzazione nel dominio temporale. Si vedrà successivamente come le due
descrizioni siano legate luna allaltra da utili relazioni matematiche.
18.2.1
Descrizione nel dominio del tempo
Distribuzioni
Consideriamo un sistema sico soggetto a uttuazioni statistiche casuali. Sia x(t) la
grandezza della variabile che uttua, allistante t, relativamente al sistema in esame.
Tale variabile potrebbe essere una tensione, una corrente, una carica, un numero di
fotoni etc. Per caratterizzare le proprietà del sistema si introducono delle opportune
medie eettuate su di esso. Pi`
u dettagliatamente, si supponga di considerare un gran
numero N di sistemi identici a quello sotto esame, ciascuno dei quali sia soggetto alle
medesime uttuazioni, ma indipendentemente dagli altri. Fissato un certo istante
t1 , sia xi (t1 ) il valore che la variabile relativa allie-mo sistema ha in tale istante.
Sia ora N il numero dei sistemi per i quali la variabile ha, nellistante considerato,
un valore compreso tra x e x + x. Per N si prenda ora il rapporto N/N.
Tale rapporto esprime la probabilità che il sistema abbia il valore della variabile x
18.2 Processi stocastici stazionari
525
compreso nellintervallo suddetto, al tempo t1 . Chiameremo tale probabilità P . Il

rapporto tra tale probabilità e lampiezza x dellintervallo scelto per la variabile x
è, per x 0, la funzione densità di probabilit`
a:
dP
P
lim
= f (x, t1 )
x0 x
dx
La probabilità che il sistema abbia, allistante t1 , un valore della variabile compreso
in un intervallino dx è esprimibile in funzione della f(x,t):
dP = f (x, t)dx
Se la funzione f(x,t) è indipendente da t, il sistema si dice stazionario. La pi`
u gran
parte dei processi di rumore che si incontrano sono stazionari.
Nota la densità di probabilità, è facile calcolare valori medi di variabili che siano
funzioni della variabile casuale x. Le medie che si ottengono sono medie sullinsieme
dei sistemi identici considerati. Ad esempio, si possono calcolare i momenti :

xm =
xm f (x)dx
Data una generica funzione g(x) della variabile casuale x, il suo valor medio sullinsieme è:

g(x) =
g(x)f (x)dx
Se f(x) è simmetrica (f(x)=f(-x)) ed x può variare tra valori uguali ed opposti

(x0 , +x0 ) allora il valor medio di tutte le potenze dispari di x sarà nullo. Se
il valor medio di x (cioè il momento di ordine 1) è diverso da zero, si può introdurre
la grandezza:
x = (x x)
il cui valor medio è nullo.
Si denisce la varianza di x come:
var(x) x2 = (x x)2 = x2 x2
Abbiamo fatto implicitamente lipotesi che la funzione f(x) fosse normalizzata ad
1:

f (x)dx = 1
Se questa condizione non fosse soddisfatta, sarebbe comunque possibile denire

una nuova funzione, legata alla f(x) da una semplice relazione di proporzionalità,
normalizzata ad 1.
Abbiamo nora eettuato loperazione di media ammettendo di disporre di un
numero (teoricamente innito) di sistemi identici a quello che si sta studiando e
soggetti a uttuazioni indipendenti. Questo è chiaramente un articio di calcolo.
Nella realtà disponiamo di un solo sistema soggetto a uttuazioni che si ripetono nel
tempo. Ammettiamo di studiare le uttuazioni del sistema sullintervallo di tempo
(0-T). Sia x(t) la variabile che caratterizza le uttuazioni del sistema e sia g(x) una
526
funzione della x. Possiamo denire il valor medio, sullintervallo di tempo T, della

g(x):

1 T
< g(x) > = lim
g(x(t))dt
T T 0
Se questa media temporale è uguale alla media eettuata sullinsieme, cioè a g(x),
allora il processo di rumore in esame si dice ergodico. La pi`
u gran parte dei processi
di rumore sono ergodici.
Le considerazioni precedenti sono facilmente estendibili al caso di pi`
u variabili. Se
infatti x1 (t) ed x2 (t) sono variabili stocastiche indipendenti possiamo, analogamente
a quanto fatto nel caso di una singola variabile, denire la probabilità che la variabile
x1 abbia un valore compreso nellintervallo (x1 , x1 + dx1 ) e la variabile x2 abbia un
valore compreso nellintervallo (x2 , x2 + dx2 ):
dP = f (x1 , x2 , t)dx1 dx2
Se tale funzione non dipende dal tempo, il sistema si dice stazionario. In modo
analogo a quello seguito nel caso della funzione f(x), possiamo denire i valori medi
di funzioni delle variabili x1 , x2 . Ad esempio, i momenti saranno:

n m
x1 x2 =
xn1 xm
2 f (x1 , x2 )dx1 dx2
Particolarmente importante è la correlazione:

x1 x2 =
x1 x2 f (x1 , x2 )dx1 dx2
che è uguale a zero se le due variabili non sono correlate. Si denisce poi il coeciente
di correlazione:
x1 x2
C =
x21 x22
Si può facilmente vedere che 1 C 1. Basta far uso del fatto che lespressione:
(ax1 + bx2 )2 0
per tutti i valori di a e b.
Il coeciente di correlazione vale 0 se le variabili sono non correlate e 1 se la
correlazione è massima. Se il modulo di C è minore di 1 (ma non nullo) si dice che
la correlazione è parziale.
Autocorrelazione
Se nel calcolo della correlazione denita sopra, facciamo uso di x(t) al posto di x1 e di
x(t+ ) al posto di x2 , otteniamo quella che è nota come funzione di autocorrelazione
( ) = x(t)x(t + )
(18.1)
La funzione di autocorrelazione fornisce una misura della durata temporale di

una uttuazione.
Essa ha le seguenti proprietà:
527
( ) è indipendente da t se x(t) è stazionaria.

( ) è o continua (anche se x(t) è discontinua) o è una funzione di . Infatti,
se ( ) non è una funzione ( ), generiche discontinuità in x(t) e in x(t + )
avranno luogo ad istanti diversi nei diversi elementi dellinsieme. Ne segue che
tali discontinuità daranno una media nale nulla.
( ) = x(t)2 per = 0, a meno che ( ) non sia una funzione .
( ) = ( ) se x(t) è stazionaria.
Lultima relazione scritta si può dimostrare come segue:
( ) x(t)x(t + ) = x(u )x(u) = (x(u)x(u )) = x(t)x(t )
Dove il primo passaggio è ottenuto ponendo u = (t + ), il secondo scambiando i due
termini che gurano nella media ed il terzo sostituendo u con t, il che è consentito
dal fatto che la x(t) è stazionaria.
Ulteriori proprietà della funzione di autocorrelazione sono:
Per , ( ) va a zero abbastanza rapidamente che lintegrale:
( )d
esiste. Tale condizione può non esser vericata in alcuni casi.

Dalla correlazione si può, se ( ) non è una funzione ( ), ottenere il coe)
ciente di autocorrelazione normalizzato: c( ) = x(t)x(t+
x2
Nel caso in cui ( ) è una funzione :
( ) = A ( )
(18.2)
il rumore si dice bianco.

Consideriamo ora alcuni esempi di sorgenti di rumore. Consideriamo una sequenza di impulsi (funzioni ) positivi e negativi, distribuiti in modo casuale nel
tempo, come mostrato in gura 18.2; la probabilità che un impulso abbia luogo nellintervallo di tempo (t, t+dt) sia cioè costante ed indipendente da t. Sia inoltre A
lampiezza degli impulsi, cioè lintegrale di ciascuna delle funzioni che li descrivono.
Sappiamo che in tal caso la distribuzione del numero n di impulsi in un tempo
nito T è una Poissoniana. La funzione di autocorrelazione ( ) sarà allora nulla
per tutti i valori di , tranne che nel punto =0. Pi`
u precisamente, essa sarà una
2
funzione (0) di ampiezza pari ad A
Se ora tale sorgente di rumore viene applicata ad un ltro passa-basso avente
una costante di tempo 1 , la funzione w(t) alluscita avrà la forma mostrata in
gura 18.3 e la corrispondente funzione di autocorrelazione avrà la forma mostrata
in gura 18.4.
528
1.2
0.6
v(t)
0.6
1.2
0
10
Figura 18.2: Sequenza di impulsi (funzioni ) positivi e negativi, distribuiti casualmente nel
tempo.
1
0.6
0.2
w (t )
0.2
0.6
10
Figura 18.3: Segnale in uscita da un ltro passa basso a cui sia stato applicato in ingresso il
segnale mostrato in gura 18.2.
Infatti la risposta di un circuito caratterizzato da una funzione di trasferimento

h(t) ad un segnale v(t) è data dalla convoluzione:
t
vo (t) =
v(t )h( )d
(18.3)
0
la cui trasformata di Laplace è:
vo (s) = v(s) h(s)

Per dimostrare tale relazione, L-trasformiamo entrambi i membri della (18.3):

t
st
e dt
v(t )h( )d
vo (s) =
0
529
0.1
0.08
0.06
G (y )
0.04
0.02
0.2
0.4
0.6
0.8
Figura 18.4: Autocorrelazione del segnale in uscita dal ltro.

Trasformiamo ora lintegrale interno, estendendo lintegrazione no ad . Ciò può
esser ottenuto moltiplicando lintegrando per la funzione gradino unitario u(t ),
che è nulla per > t:

st
vo (s) =
e dt
v(t )h( )u(t )d =
h( )d
=
0
v(t )u(t )est dt
dove nellultimo passaggio abbiamo scambiato lordine delle due integrazioni. Lintegrale interno è nullo per t < . Possiamo quindi limitare lintegrazione fra ed
, dove è u(t ) = 1. Ponendo t = t otteniamo:

vo (s) =
h( )d
v(t )es(t + ) dt =

=
h( )es d

0
v(t )est dt = h(s)

v(s)
che è quanto volevamo dimostrare. Nel nostro caso (circuito passa-basso) la trasformata della funzione di trasferimento del circuito (cioè della h(t)) è:
h(s)
=
1
1
con : a =
s+a
1
e la trasformata delleccitazione (funzione ) è 1. Ne segue per la risposta:

vo (t) = et/1
Cioè la risposta è un esponenziale. Poiche gli impulsi hanno luogo ad istanti casuali,
ed inoltre possono essere sia positivi che negativi, la correlazione tra impulsi diversi
sarà nulla e lunico contributo che rimane allautocorrelazione è quella del generico
impulso con se stesso, la cui forma è quella mostrata in gura 18.4.
Come si vede ( ) è diverso da zero per valori di =0.
530
Funzione di autocorrelazione alluscita di un circuito

Il procedimento formale per trovare la funzione di autocorrelazione 2 ( ) alluscita
di un circuito quando sia nota la funzione di autocorrelazione 1 ( ) allingresso è il
seguente. Sia h(t) la funzione che esprime la risposta del circuito ad una funzione
(t). Deniamo allora la funzione di autocorrelazione del circuito:
+
h(t) h(t + ) dt
(18.4)
() =
che esprime la memoria del circuito al tempo . Si dimostra allora che 2 ( ) è

dato da:
+
2 ( ) =
() 1 (t ) d
(18.5)
18.2.2
Analisi nel dominio della frequenza
Lo sviluppo in serie di Fourier di una tensione di rumore v(t) può essere eettuato
su di un intervallo di tempo denito (0-T):
+

v(t) =
an exp(jn t)
(18.6)
v(t) exp(jn t) dt
(18.7)
n=
dove:
1
an =
T
T
0
ed:
2n
, n = 0, 1, 2, n
T
Notiamo che dalla (18.7), con v(t) reale, segue che:
n =
an = an
I primi termini (|n| 2) dello sviluppo (18.6) sono:
t
t
t
t
v(t) = a2 exp(j4 ) + a1 exp(j2 ) + a0 + a1 exp(j2 ) + a2 exp(j2 )
T
T
T
T
Per un dato T, la componente di Fourier di pulsazione n è:
vn (t) = an exp(jn t) + an exp(jn t)
Applichiamo ora questo sviluppo separatamente a ciascun elemento di un insieme
di sistemi identici, soggetti a uttuazioni. Calcoliamo il valore quadratico medio di
vn sugli elementi dellinsieme:
vn2 = a2n exp(2jn t) + a2n exp(2jn t) + 2an an
Notiamo che an è un vettore nel piano complesso:
an = |an |exp(jn )
(18.8)
531
Im
a (2)
n
a (1)
n
Re
Figura 18.5: Il valore quadratico medio della componente di Fourier di pulsazione n è vn2 =
a2n exp(2jn t) + a2n exp(2jn t) + 2an an dove an = |an |exp(jn ) ed a2n = |an |2 exp(2jn ) In
gura sono mostrati i vettori nel piano complesso che rappresentano a2n per due diversi valori di n.
ed a2n :
a2n = |an |2 exp(2jn )
I vettori che rappresentano a2n per due diversi elementi dellinsieme sono mostrati in
gura 18.5.
I due vettori possono avere moduli e fasi diverse. Dato però il carattere casuale
della uttuazione, dato un elemento del sistema che ha, ad un dato istante, un certo
modulo e fase, esisterà nellinsieme un elemento con uguale modulo e fase uguale a
quella del primo, aumentata di . Per tale coppia di elementi, la somma dei relativi
vettori (uguali ed opposti) è nulla. Poiche ciò è vero per qualunque valore di an , ne
segue che:
a2n = 0
Analogamente si vede che è:
a2n = 0
Invece non è nullo lultimo dei termini che compaiono nella (18.5). Ciò segue dal
fatto che esso è reale:
an an = |an |exp(jn ) |an |exp(jn ) = |an |2
Di conseguenza, la cancellazione tra elementi diversi ora non ha luogo. Avremo in
denitiva:
vn2 = 2an an
(18.9)
Quanto detto nora si applica sia al caso v = 0 che al caso v = 0. Poiche siamo
comunque liberi di ridenire v(t) v come la quantità che uttua, potremo sempre
assumere, senza perdere generalità, che sia v = 0.
Densit`
a spettrale
Nello sviluppo (18.6), alla componente di pulsazione n =
frequenza:
n
fn =
T
2n
T
è associata una
532
Considerando lintervallo di frequenza:

f fn+1 fn =
1
T
deniremo la densità spettrale come:

Sv (fn ) =
vn2
f
(18.10)
Questa rappresenta la potenza quadratica media di rumore per unità di intervallo

di frequenza, in prossimità della frequenza fn , sviluppata su di una resistenza di 1
cui sia applicato tale segnale di tensione.
Per T lequazione (18.10) si può riscrivere, facendo uso della (18.9), come:
Sv (f ) = lim 2T an an
T
Essa esprime limportanza delle singole componenti nello sviluppo in serie di

Fourier.
Il teorema di Wiener-Khintchine (vedi appendice A) lega la densità spettrale cos`
denita alla funzione di autocorrelazione:
+
+
v(t) v(t + ) exp(j )d = 4
v(t) v(t + ) cos( )d (18.11)
Sv (f ) = 2
Dove il termine v(t) v(t + ) è la funzione di autocorrelazione ( ) Lultima

uguaglianza segue dal fatto che exp(j ) = cos( ) + j sin( ), che cos( ) è una
funzione pari e sin( ) una funzione dispari di e che la funzione di autocorrelazione
gode della proprietà che: ( ) = ( ). Quindi scriveremo:
+
Sv (f ) = 4
( ) cos( )d
(18.12)
0
Questa equazione può essere invertita, per esprimere la funzione di autocorrelazione

in termini della densità spettrale:
+
Sv (f ) cos( )df
(18.13)
( ) =
0
Si vede da ciò che Sv (f ) e ( ) sono luna la trasformata di Fourier dellaltra.

Attraverso queste equazioni è possibile ricavare la densità spettrale dalla funzione di
autocorrelazione e viceversa. Nelle misure si determina la densità spettrale, da cui
si ricava poi la funzione di autocorrelazione. I calcoli forniscono invece la funzione di
autocorrelazione, da cui si ricava poi la densità spettrale facendo uso della (18.12).
Notiamo subito che nel caso di una sorgente di rumore bianco, che ha una funzione di autocorrelazione ( ) = A( ) (con A una costante), si trova Sv (f ) = 2A,
cioè la densità spettrale è costante.
Ponendo = 0 la (18.13) fornisce:
+
(0) =
Sv (f )df
0
533
e, poichè (0) = v 2 (t), si trova:

v 2 (t)
=
0
Sv (f )df
(18.14)
Cioè il valor medio del quadrato della tensione di rumore è dato da unintegrale
sullintero spettro di frequenze, della densità spettrale. La tensione quadratica media
per unit`
a di intervallo di frequenza è semplicemente Sv (f ).
Banda di rumore di un amplicatore
Ammettiamo ora che un segnale casuale v(t) sia applicato allingresso di un generico
sistema lineare, caratterizzato da una funzione di trasferimento g(f). Sia w(t) il
segnale alluscita del sistema. Siano Sv (f ) e Sw (f ) le corrispondenti densità spettrali
ed an e bn i relativi coecienti di Fourier. La linearità del sistema porta a:
bn = g(f ) an
e quindi:
Sw (f ) = Sv (f ) | g(f ) |2
Per cui:
w 2 (t) =
Sv (f ) | g(f ) |2 df
Se il sistema lineare è un amplicatore con una banda passante molto stretta centrata
sulla frequenza f0 , avremo:

2
w (t) = Sv (f0 ) | g(f ) |2 df = Sv (f0 ) g02 BN
(18.15)
dove g0 = g(f0 ) è la risposta a metà banda del sistema lineare e BN è la larghezza
di banda eettiva (nota anche come banda equivalente di rumore o equivalent noise
bandwidth), denita da:

1
BN = 2
| g(f ) |2 df
(18.16)
g0 0
In altre parole, la banda di rumore del nostro amplicatore è la larghezza di
banda di un amplicatore ideale avente una risposta in frequenza rettangolare, che
fornisce in uscita la medesima potenza di rumore dellamplicatore reale.
Nel caso in cui il rumore sia bianco, potremo facilmente estendere tale risultato
al caso di un amplicatore la cui banda passante non sia necessariamente stretta,
essendo in tal caso la Sv (f ) una costante.
La denizione di banda equivalente di rumore è poi utile anche nel caso di un ltro. Consideriamo ad esempio un ltro passa-basso, la cui funzione di trasferimento
sia:
1
|g(f )|2 =
1 + (f /f0 )2
La banda equivalente di rumore sarà:

1
1
df = f0
du
BN =
2
1 + (f /f0 )
1 + u2
0
0
534
con u = f /f0 .
Si trova:
f0 1.57f0
2
cioè la banda equivalente di rumore è circa 1.57 volte la banda passante f0 del ltro.
18.2.3
BN = f0 arctan u]
0 =
Determinazione sperimentale della densit`

a spettrale
.
La densità spettrale Sv (f ) può esser misurata ad una generica frequenza f0 ,
facendo uso di un ltro di cui si conosca il guadagno a metà banda g0 e BN , nonchè
di un rivelatore quadratico (cioè di un rivelatore in grado di fornire w(t)2 ) alluscita
del ltro.
La densità spettrale sarà ottenibile invertendo lequazione (18.15) :
w(t)2
g0 BN
Variando la frequenza f0 del ltro si potrà in tal modo ottenere una misura della
densità spettrale su di un ampio campo di frequenze. Si noti che spesso, al posto
2
della
densità spettrale, espressa in V /Hz si fa uso della sua radice quadrata (in
V / Hz).
Sv (f0 ) =
18.3
Rumore termico
Il rumore termico (noto anche come rumore Johnson ) è quello misurabile ai capi
di una resistenza. Se misuriamo la dierenza di potenziale ai capi della resistenza,
troveremo che essa uttua attorno allo zero, ma ha un valore quadratico medio
diverso da zero. Si può pensare al rumore termico come dovuto al moto di agitazione
termica degli elettroni nel materiale di cui è fatta la resistenza. Esso è analogo al
moto Browniano, le cui proprietà erano state ottenute da Einstein nel 1906.
Il rumore osservato agli estremi della resistenza può esser descritto come il risultato di una serie di impulsi casuali. Ciascun impulso è un evento, costituito dal
transito di un elettrone tra collisioni successive con atomi del materiale. Tale evento
produce una modica nella distribuzione di carica allinterno del materiale, e causa
quindi una uttuazione nella dierenza di potenziale alle estremità. A tale evento
segue un rilassamento, che riporta il sistema in equilibrio.
Segue da questa descrizione che ciascun elettrone presente produce un treno
casuale di impulsi di tensione alle estremità del materiale resistivo, via via che esso
si muove nel materiale. La forma donda di rumore osservata è la somma delle
successioni di impulsi associati al complesso degli elettroni nel dispositivo.
La distribuzione temporale degli eventi è casuale, nel senso che la probabilità
che un evento (il moto di un elettrone) abbia luogo in un intervallino di tempo t è
indipendente dalla storia precedente ed è proporzionale a t:
dP = t
dove (numero medio di eventi per unità di tempo) non dipende da t. Si può vedere
(vedi appendice B) che la P è una distribuzione di Poisson e che quindi la probabilità
18.3 Rumore termico
535
di osservare m collisioni in un intervallo di tempo nito t è data da:

(t)m t
e
m!
Per tale distribuzione si dimostra che è:
P (m) =
(18.17)
m = t
la quale mostra che il parametro ha il signicato del numero medio di eventi per
unità di tempo. Inoltre si dimostra che la varianza 2 è:
2 = (m m)2 = m2 m2 = m
Cioè la varianza è uguale al valor medio. Questa è una caratteristica importante
della distribuzione di Poisson.
Si può dimostrare che lo spettro di potenza del rumore è bianco, e pi`
u precisamente che la potenza di rumore in un intervallo di frequenza df è:
W =
h f df
exp( Kh fT ) 1
(18.18)
dove h è la costante di Planck (h = 6.6262 1034 J s), K quella di Boltzmann

K = 1.38 1023 J/o K) e T la temperatura assoluta.
A temperatura ambiente (T = 300o K) lesponente nel denominatore di questa
espressione vale 1.6 1013 f (Hz).
Vediamo quindi che per frequenze f non troppo alte (e/o temperature non troppo
hf
basse), lesponente KT
1 e quindi:
W = K T df
(18.19)
Che è lespressione comunemente adoperata nella pi`

u gran parte delle applicazioni.
Essa mostra che si tratta in eetti di rumore bianco: la potenza di rumore è proporzionale allampiezza della banda di frequenze scelta. Ciò almeno per frequenze
1012 Hz, quando le deviazioni previste dalla (18.18) da un andamento costante
cominciano a farsi sentire.
Notiamo che landamento dato dalla (18.19) porterebbe ad una potenza di rumore totale (integrata su tutte le frequenze) innitamente grande. La correzione
quantistica contenuta nella (18.18) rende nito lintegrale della potenza sullintero
campo di frequenze.
Per calcolare il valor medio del quadrato della tensione di rumore, consideriamo
ora il circuito di gura 18.6, dove la resistenza R1 è quella che genera il rumore
(schematizzato dalla sorgente di tensione di rumore v1 ) mentre la resistenza R2
assorbe la potenza W1 che la prima fornisce.
Ammettiamo che le due resistenze siano uguali, ma che la seconda sia priva
di rumore1 . La tensione ai capi della resistenza R2 sarà 12 v1 e la potenza media
v2
sviluppata sarà 14 R1 . Poichè questa quantità deve uguagliare W1 , si trova:
W1 =
1
1 v12
4R
(18.20)
Basta immaginare che la resistenza R2 sia stata posta in un bagno termico ad una temperatura
prossima allo zero assoluto.
536
R1
R2
V
1
Figura 18.6: Circuito per calcolare il valore quadratico medio della tensione di rumore. La
resistenza R1 è quella che genera il rumore (schematizzato dalla sorgente di tensione di rumore v1 )
mentre la resistenza R2 assorbe la potenza W1 che la prima fornisce.
dove si è posto:
R = R1 = R2
e quindi:
v12 = 4RW1 = 4KRT df
Da questo risultato si vede che il valor medio del quadrato della tensione di rumore
e quello della corrente di rumore sono dati da:
v 2 = 4KT Rdf
(18.21)
4KT df
(18.22)
R
Il rumore termico fu scoperto nel 1927-1928 da Johnson [16], il quale osservò che
una tensione non periodica esisteva alle estremità di tutti i conduttori e che tale
eetto dipendeva dalla temperatura. Successivamente Nyquist [17] ne dette una
spiegazione teorica, basata su di un argomento termodinamico, che descriveremo
brevemente nella prossima sezione.
Notiamo che le proprietà statistiche del rumore Johnson possono anche essere
studiate seguendo un approccio basato sul comportamento del moto degli elettroni
a livello microscopico e facendo uso della distribuzione di Poisson, che caratterizza
il succedersi temporale degli eventi elementari. Tale metodo è analogo a quello
seguito da Einstein e poi da Langevin [18]per lo studio del moto Browniano. Per
una dimostrazione si veda il riferimento ([19]).
i2 =
18.3.1
Metodo di Nyquist
Ammettiamo di avere due resistenze identiche, alla medesima temperatura T, connesse fra di loro da una linea di trasmissione ideale avente impedenza caratteristica
R, uguale a quella delle resistenze (vedi gura 18.7).
Sia L la lunghezza della linea. In condizioni di equilibrio, la prima delle due
resistenze cede alla linea una potenza W nellintervallo di frequenza df. Tale potenza
18.3 Rumore termico
537
I1
R1
R2
I2
Figura 18.7: Circuito per vericare la formula del rumore termico con il metodo di Nyquist.
Le due resistenze sono supposte identiche ed isoterme, connesse da una linea di trasmissione ideale
avente impedenza caratteristica uguale al valore delle resistenze.
è poi assorbita dallaltra resistenza. Nel medesimo tempo, la seconda resistenza cede
alla linea una potenza W che è poi assorbita dalla prima. Nellintervallo di tempo
t = L/v (dove v è la velocità di propagazione di unonda e.m. lungo la linea) che
il segnale impiega a propagarsi lungo la linea, questultima ha ricevuto quindi una
energia
2W t = 2W L/v
(18.23)
dalle resistenze, nellintervallo di frequenza df.
Se ora, chiudendo simultaneamente i due interruttori I1 ed I2 , mettiamo in cortocircuito le estremità della linea, si formeranno onde stazionarie e lenergia rimarrà
intrappolata nella linea stessa.
Le onde stazionarie presenti nella linea avranno frequenze:
v
2L
f2 = 2f1
f1 =
f3 = 3f1
etc.
v
La spaziatura tra frequenze consecutive è f = 2L
. Se L è grande, la spaziatura
sarà piccola ed il numero di modi di vibrazione in un intervallo di frequenza df sarà:
df
2L
= df
f
v
Per il principio di equipartizione, a ciascun modo di vibrazione compete unenergia:
E =
hf
hf
exp( KT
)1
Lenergia nellintervallo di frequenza df sarà quindi:

hf
2L
2L
df
df E =
hf
v
v exp( KT
)1
538
Uguagliando questa espressione allenergia (18.23) ceduta dalle resistenze alla linea
nellintervallo di frequenza df, cioè a:
2W
L
v
troviamo:
W =
hf
hf
exp( KT
)1
che è quanto intendevamo dimostrare.
18.4
Il rumore di tipo shot
Questo rumore ha origine nelle uttuazioni statistiche del numero di portatori di

` stato osservato da Schottky in valvole termoioniche e fu da lui attribuito
carica. E
al fatto che la corrente nei tubi a vuoto è costituita da un usso discreto di cariche
elettriche. Esso si osserva in numerosissimi dispositivi elettronici; ad esempio nella
corrente in un diodo, nella corrente di gate in un FET, nei fotomoltiplicatori etc.
In tutti questi casi, ed in molti altri analoghi, la distribuzione temporale del usso
delle cariche è, analogamente a quanto accade nel caso del rumore termico, una
Poissoniana.
Il valore che si trova per la deviazione quadratica media della corrente dal suo
valor medio, cioè per la quantità:
i2 I 2 I
è
i2 = 2 e I df
(18.24)
dove I è la corrente media. La grandezza 2eI è quindi la densità spettrale Si (f )

relativa alla corrente. Vediamo che anche in questo caso abbiamo a che fare con un
rumore bianco.
Che la uttuazione quadratica media della corrente attorno al valor medio (i2 )
sia proporzionale al prodotto Ie può esser compreso facilmente facendo uso della
distribuzione di Poisson. Infatti la corrente media I è uguale al prodotto del numero
di cariche elementari che attraversano nellunità di tempo la sezione del conduttore,
per la carica elementare:
I = ne
La uttuazione quadratica media della corrente attorno al valor medio è:
(I I)2 = i2 = (n n)2 e2 = n2 e2 = ne2
dove lultimo passaggio segue dal fatto che la distribuzione di n è una Poissoniana.
Da questa segue poi:
I
i2 = e2 = Ie
e
18.4 Il rumore di tipo shot
539
Una dimostrazione completa della (18.24), che rende conto del fattore 2, è la
seguente.
Ammettiamo che un certo fenomeno sia determinato dalla somma di un gran numero di eventi che avvengono in modo casuale, con un rate medio . Sia F (t ti ) la
funzione che descrive levoluzione temporale di una certa variabile sica, originata
dal vericarsi di uno degli eventi al tempo ti . La funzione Y(t) che descrive landamento temporale macroscopico, risultante dal vericarsi di un numero N di eventi
elementari in un certo tempo è allora data dalla somma:

Y (t) =
F (t ti )
i
dove F (t ti ) = 0 per t < ti ed F (t ti ) rappresenta leetto di un evento che ha

luogo nellistante ti . Deniamo la trasformata di Fourier di F (u) come:
+
F (u) exp(ju)du
(f ) =
Si dimostra allora (teorema di Carson-vedasi appendice C) che la densità spettrale

Sy (f ) di Y (t) è data da:
Sy (f ) = 2 | (f ) |2
(18.25)
Applichiamo ora tale teorema al problema dellemissione di elettroni da parte di
un catodo riscaldato, dove il numero di elettroni emessi per unità di tempo è una
variabile Poissoniana.
Se Va è il potenziale dellanodo (il catodo sia a potenziale nullo), d la distanza
catodo-anodo, il tempo di transito dellelettrone dal catodo allanodo, si ha:
2d
2d
=
va
2eVa /m
dove m è la massa dellelettrone, e la sua carica e va la velocità massima che esso

raggiunge (allanodo). La corrente i(t) associata ad un singolo elettrone emesso
allistante ti è:
2e(t ti )
(ti t ti + )
i(t) =
2
La correttezza di questa equazione è facilmente vericabile:

ti +

2e
2e(t ti )
i(t)dt =
dt = 2
t dt = e
2
0
0
ti
Quindi:

i (f ) =
o
con:
(j ) =
2eu ju
e du = e(j )
2
2
[1 ej j ej ]
(j )2
Ne segue che, essendo:

I = ne
540
dove n è il numero medio di elettroni emessi per unità di tempo:

2
2I
2Ie
|i (f )|2 =
||2
e
e
Poiche è dellordine di 109 s e ||2 è dellordine di 1 per < , ne segue che:
SI (f ) = 2n |i (f )|2 =
SI (f ) = 2eI
per frequenze no a qualche centinaio di MHz (teorema di Schottky)
Lo shot noise si riscontra non soltanto nelle valvole termoioniche, ma anche nei
semiconduttori, quando la corrente è dovuta a portatori minoritari ed a condizione
che lintrappolamento e la ricombinazione siano trascurabili. Questo è ad esempio
il caso di una giunzione pn con polarizzazione inversa. Ciò continua ad esser vero in
polarizzazione diretta, ma a basse tensioni dirette comincia ad essere apprezzabile
leetto delle ricombinazioni nella zona di svuotamento.
Lo shot-noise è ridotto quando un qualche meccanismo intervenga a ridurre le
uttuazioni nel numero dei portatori di carica. Ad esempio, in un tubo termoionico in cui si formi una zona di carica spaziale tra catodo ed anodo, questa agisce
da buer, smussando le uttuazioni nel usso delle cariche verso lanodo e quindi
riducendo lo shot-noise.
18.5
Rumore 1/f
Questo è un tipo di rumore che è presente in unampia varietà di sistemi (elettronici,

biologici, musicali, geologici etc.) ed in particolare nei dispositivi a semiconduttore,
dove è stato ampiamente studiato, ma solo parzialmente compreso. Nel caso dei
transistor tale rumore è legato ad imperfezioni delle superci delle giunzioni. Esso è
noto sotto vari nomi: rumore 1/f, icker-noise, contact-noise, excess-noise.
La denominazione 1/f è legata al fatto che la sua densità spettrale varia come
1/f con nel range 0.8-1.5.
Tale dipendenza è stata osservata no a frequenze bassissime (106 Hz). Si noti
che landamento 1/f non può continuare no a frequenza zero, poiche in tal caso la
potenza totale di rumore risulterebbe divergente.
A frequenze molto alte il suo eetto è mascherato dalla presenza di altre sorgenti
di rumore, quali quello termico. Scriveremo in generale, per questo tipo di rumore:
df
f
con Af una costante, dipendente dal particolare dispositivo. Una immediata conseguenza dellandamento come 1/f di questo tipo di rumore, è quella che la potenza
di rumore in ciascuna decade di frequenza è la stessa. In altra parole, la potenza di
rumore nella banda compresa tra 10 e 100 Hz è uguale a quella nella banda tra 0.01
e 0.1 Hz.
v 2 = Af
18.6
Circuiti equivalenti per il rumore
Agli eetti del rumore Johnson una resistenza reale alla temperatura T può essere
sostituita da una ideale (cioè priva di rumore) in serie con un generatore di tensione
18.6 Circuiti equivalenti per il rumore
541
di rumore la cui f.e.m. sia quella del rumore termico:

v 2 = 4KT Rf
dove f è lintervallo di frequenza su cui si eettua la misura.
Ne segue per la tensione di rumore:

vn = v 2 = 4KT Rf
Come mostrato in gura 18.8.
R
V
n
Figura 18.8: Generatore equivalente di rumore. Agli eetti del rumore termico una resistenza
reale alla temperatura T pu`
o essere sostituita con una resistenza ideale R seguita da un generatore
di tensione la cui f.e.m sia quella del rumore termico.
Si può anche, facendo uso del teorema di Norton, assimilare tale resistenza ad
una ideale in parallelo con un generatore di corrente in , con:

4KT f
vn
=
in =
R
R
Un sistema di due resistenze in serie, R1 ed R2 potrà essere assimilata ad una
resistenza di valore R1 + R2 in serie con un generatore di tensione di rumore pari a
vn = vn1 + vn2 . Il quadrato del valore ecace sarà:
2
2
vn2 = (vn1 + vn2 )2 = vn1
+ vn2
= 2 vn1 vn2
Poichè vn1 e vn2 sono indipendenti, avremo:

vn1 vn2 = vn1 vn2
che è nullo, poichè sono nulli i singoli valori medi. Quindi:
2
2
vn2 = vn1
+ vn2
= 4KT f (R1 + R2 )
Nel caso di due resistenze in parallelo si può analogamente vericare che la corrente
quadratica media di rumore è data da:
i2n = 4KT f (
1
1
+
)
R1 R2
542
Il rumore presente ai capi di un diodo può, in modo analogo, esser descritto introducendo un generatore di corrente di rumore (shot) in parallelo al diodo (supposto
privo di rumore) tale che la corrente quadratica media di rumore sia:
i2n = 2eIf
dove I è la corrente nel diodo, e la carica dellelettrone e f lintervallo di frequenza.
Pi`
u in generale, dato un generico dispositivo a due terminali alla temperatura
T, il rumore (qualunque la sua origine) può esser descritto introducendo una f.e.m.
ai suoi capi, in serie con la sua impedenza Z=R+jX, di valore:
vn2 = 4KT Rn f
(18.26)
Ad Rn si da il nome di resistenza equivalente di rumore (equivalent noise resistence) del dispositivo. Se abbiamo a che fare con un circuito passivo in cui le
sorgenti di rumore siano esclusivamente termiche a temperature T, allora:
Rn = R
Se sono presenti altre sorgenti di rumore, Rn può dierire da R.
Alternativamente possiamo descrivere il rumore ai capi di un dispositivo a due
terminali, di ammettenza Y = 1/Z = g + jb, introducendo un generatore di corrente
di rumore in parallelo ad Y:
i2n = 4KT gn f
(18.27)
dove gn è la conduttanza equivalente di rumore (equivalent noise conductance) del
dispositivo.
Se il rumore ha origine esclusivamente termica, allora gn = g, mentre se altre
sorgenti di rumore sono presenti, gn può dierire da g.
Un concetto che appare comunemente nella letteratura è quello di temperatura
di rumore equivalente (equivalent noise temperature). Questa esprime il rumore
come se esso fosse puramente termico e fosse generato da una resistenza pari a quella
del dispositivo, ma ad una temperatura Tn = T . Il rumore risulta espresso in termini
di tale temperatura come:
vn2 = 4KTn Rf
(18.28)
Si può alternativamente esprimere il rumore come una corrente in parallelo al
dispositivo, di valore pari alla corrente di rumore generata da una resistenza pari
alla resistenza del dispositivo, alla temperatura Tn :
i2n = 4KTn gf
(18.29)
confrontando la (18.26) con la (18.28) e la (18.27) con la (18.29) si ottiene nei due
casi, rispettivamente:
Rn
Tn =
T
R
gn
Tn =
T
g
Sul concetto di temperatura di rumore e di resistenza equivalente di rumore torneremo quando discuteremo del rumore negli amplicatori.
18.7 Rumore in un quadripolo
18.7
543
Rumore in un quadripolo
Il rumore prodotto in un quadripolo è convenzionalmente descritto tramite un generatore di tensione di rumore vn in serie alla maglia dingresso e da un generatore di
corrente di rumore in in parallelo alla medesima maglia.
Il primo renderà conto del rumore presente in uscita quando lingresso è in cortocircuito, il secondo del rumore presente ad ingresso aperto. La congurazione è
illustrata in gura 18.9.
V
n
I
n
Figura 18.9: Sorgenti di rumore in un quadripolo. Il rumore prodotto in un quadripolo è

convenzionalmente descritto tramite un generatore di tensione di rumore vn in serie alla maglia
dingresso e da un generatore di corrente di rumore in in parallelo alla medesima maglia.
Poichè il rumore nellamplicatore è determinato prevalentemente da processi
di un determinato tipo, le due sorgenti in e vn non sono del tutto indipendenti.
Per tener conto di questo fatto si introduce un coeciente di correlazione . Un
valore zero per questo parametro vuol dire che le due sorgenti sono totalmente non
correlate; = 1 vuol dire che esse sono massimamente correlate.
Ammettiamo ora che lingresso del quadripolo sia chiuso su di una resistenza R
V
ne
Figura 18.10: Quadripolo con lingresso chiuso su una resistenza R. Se tale resistenza non
genera rumore, la tensione di rumore complessiva allingresso del quadripolo sar`
a: vne = vn + R in .
Tale tensione va sotto il nome di tensione di rumore in eccesso.
Se tale resistenza non genera rumore, la tensione di rumore complessiva allingresso del quadripolo sarà: vne = vn + R in . Tale tensione va sotto il nome di
544
tensione di rumore in eccesso poichè rappresenta la tensione di rumore che occorre

sommare a quella vns della sorgente (di resistenza R) per ottenere il rumore totale:
vnt = vns + vne = vns + vn + in R
Il valore quadratico medio di vne vale:
2 = v 2 + R2 i2 + 2R v i
vne
n n
n
n
Lultimo termine in questa espressione dipende da e si annulla per = 0. Per

= 0 esso vale:

2R vn2 i2n = 2RIn Vn
Con ovvio signicato dei nuovi simboli In e Vn . Quindi:
2 = V 2 + R2 I 2 + 2R V I
vne
n n
n
n
2 = v 2 . Se R `
Vediamo che se R=0, vne
e grande dominerà invece leetto di In ed
n
avremo:
2 = R2 I 2
vne
n
In denitiva avremo per il rumore totale:

2
2 + v 2 + R2 i2 + 2Rv i
vnt
= vns
n n
n
n
18.8
Dipendenza del rapporto segnale/rumore in

un quadripolo dalla resistenza della sorgente
Consideriamo dapprima il caso di una sorgente costituita da un generatore di tensione vs in serie con la propria resistenza Rs . Ammettiamo che un generatore in
serie vns renda conto del rumore introdotto dalla sorgente. Lo schema è quello di
gura 18.11.
V
V
ns
R
S
n
S
Figura 18.11: Quadripolo alimentato con un generatore di tensione reale, schematizzato in

gura come un generatore di tensione vs in serie con la propria resistenza Rs e con in serie anche
il generatore vns che schematizza il rumore introdotto dal generatore reale stesso.
Il rapporto segnale-rumore (riferito allingresso) sarà:
S
v2
vs2
= s =
2
2 + v 2 + i2 R2
N
vns
vnt
n
n s
18.9 Cifra di rumore
545
avendo trascurato i termini di correlazione.

Vediamo che il rapporto NS diminuisce allaumentare di Rs , poichè aumenta il termine i2n Rs2 .
Consideriamo ora il caso di un generatore di corrente is in parallelo con Rs . Anche in questo caso continueremo a parametrizzare il rumore introdotto dalla sorgente mediante un generatore di tensione di rumore vns in serie, come mostrato in
gura 18.12.
V
V
ns
i
S
I
n
Figura 18.12: Quadripolo alimentato con un generatore di corrente reale. In questo caso il
generatore può essere schematizzato come un generatore di corrente is in parallelo con Rs . Il
rumore introdotto dalla sorgente pu`
o essere schematizzato mediante un generatore di tensione di
rumore vns in serie.
In questo caso avremo:

i2s Rs2
S
=
=
2
N
vnt
i2s
2 +v 2
vns
n
R2s
Vediamo che ora, allaumentare di Rs il rapporto

esso tende a:
S
i2
= s
N
i2n
+ i2n
S
N
aumenta. Al limite di Rs
che dipende solo dalla sorgente di corrente di rumore.
18.9
Cifra di rumore
Se indichiamo con GP il guadagno in potenza di un amplicatore, con S0 la potenza

del segnale presente in uscita, in una stretta banda di frequenza df, con Si quella
presente in ingresso nella medesima banda di frequenza, avremo:
S0 = G P Si
(18.30)
Se ora applichiamo in ingresso, al posto di Si , un segnale di rumore di potenza

Ni (nella medesima banda di frequenza), il segnale di rumore No alluscita sarà
ottenibile da una relazione analoga:
N0 = GP Ni
546
dove però GP > GP , poiche lamplicatore introduce di suo un ulteriore contributo
al rumore in uscita.
Si scrive in generale:
No = F GP Ni
(18.31)
dove F è un fattore sicuramente maggiore di 1. Ad F si da il nome di gura di

rumore puntiforme alla frequenza f (spot-noise gure). Tenendo conto delle relazioni
scritte possiamo denire F come:
F =
Si /Ni
So /No
(18.32)
F è in generale funzione, oltre che della frequenza, della resistenza duscita del
generatore.
Dalla (18.31) segue anche che:
F =
No
GP Ni
Sia ora:
No = GP (Ni + Nd )
dove Ni è la potenza di rumore in ingresso nellintervallo df ed Nd è la potenza di rumore introdotta dallamplicatore, nella medesima banda di frequenza df, riportata
in ingresso.
Si ha quindi:
Nd
GP (Ni + Nd )
= 1+
F =
GP Ni
Ni
e quindi:
Nd = Ni (F 1)
La grandezza Fe = F 1 è detta cifra di rumore in eccesso. Dallultima relazione
scritta si vede che il rumore Nd introdotto dallamplicatore è uguale a quello presente in ingresso, moltiplicato per la cifra di rumore in eccesso. La cifra di rumore
(NF) espressa in dB è poi:
NF = 10 log F = 10 log
No
GP Ni
Dalla (18.32) si ha poi:

NF = 10 log
No /So
Ni /Si
(18.33)
Come si vede, la cifra di rumore esprime laumento del rapporto rumore/segnale

passando dallingresso alluscita del quadripolo, cioè fornisce una misura del
contributo che al rumore ha aggiunto il quadripolo.
( NS )
18.10 Rumore nel caso di una catena di pi`

u amplicatori in cascata
18.10
547
Rumore nel caso di una catena di pi`

u amplicatori in cascata
Se pi`
u amplicatori sono collegati in serie, allo scopo di ottenere un maggior guadagno, si può facilmente vedere che il contributo al rumore portato dai diversi elementi
della catena può essere molto diverso. Infatti, il rumore introdotto dal primo amplicatore della catena sarà amplicato dai successivi elementi; quello introdotto dal` quindi
lultimo elemento della catena avrà unimportanza decisamente inferiore. E
critico scegliere per i primi amplicatori della catena degli elementi a basso rumore.
Calcoliamo la cifra di rumore relativa ad una catena di pi`
u amplicatori. Ammetteremo che limpedenza duscita di ciascun amplicatore sia uguale allimpedenza
dingresso del successivo; ciò assicura il massimo trasferimento di potenza tra elementi consecutivi. Abbiamo denito la cifra di rumore F nel caso di un amplicatore
come il rapporto tra la potenza di rumore presente in uscita (per unità di intervallo
di frequenza, come sarà sempre sottinteso nel seguito), divisa per il guadagno GP
dellamplicatore, e quella (Ni ) presente in ingresso:
F = (
No
)/Ni
GP
(18.34)
Il numeratore di questa espressione (il rumore totale presente in uscita, traslato

allingresso) è la somma del rumore Ni presente in ingresso e di quello introdotto
dallamplicatore, che chiameremo Noe /GP (rumore in eccesso, traslato allingresso
dellamplicatore):
Ne
No
= Ni + o
GP
GP
Possiamo quindi riscrivere la (18.34) nella forma:
F = 1+
Noe
/Ni = 1 + Fe
GP
(18.35)
dove compare la cifra di rumore in eccesso Fe già introdotta:

Fe =
Noe
/Ni
GP
Se immaginiamo che Ni sia unitario (1 W/Hz) le equazioni (18.34) e (18.35) si

scrivono rispettivamente:
No
F =
= 1 + Fe
GP
Ne
Fe = o
GP
La prima di queste ci dice che la cifra di rumore è pari alla potenza di rumore totale
presente in uscita, divisa per il guadagno dellamplicatore, per unità di rumore in
ingresso. La seconda ci dice che la cifra di rumore in eccesso è il rumore introdotto
dallamplicatore diviso per il guadagno del medesimo.
Esaminiamo ora il caso di due amplicatori collegati in serie. Siano F1 ed F2 le
rispettive cifre di rumore; siano analogamente Fe1 ed Fe2 le corrispondenti cifre di
548
rumore in eccesso. Il rumore allingresso del primo amplicatore, dovuto a questo

soltanto, è Fe1 . Il rumore totale allingresso del medesimo è: Fe1 + 1 = F1 . Il
rumore introdotto dal secondo stadio riportato allingresso di questo è Fe2 = F2 1.
Questo stesso rumore, traslato allingresso del primo stadio è:
Fe2
F2 1
=
GP 1
GP 1
Abbiamo quindi per il rumore totale (sempre riportato allingresso del primo stadio):
F = F1 +
F2 1
GP 1
Questa è quindi la cifra di rumore relativa al caso considerato.

` facile estendere le considerazioni svolte al caso di un numero generico di
E
amplicatori. Ad esempio, nel caso di una catena di tre amplicatori, avremo:
F = F1 +
F2 1
F3 1
+
GP 1
GP 1 GP 2
Questa è nota come formula di Friiss.
18.11
Espressione analitica della cifra di rumore
Possiamo far uso dei generatori vn ed in che descrivono il rumore introdotto dal
quadripolo, per calcolare la cifra di rumore F.
Calcoliamo Ni , potenza di rumore in ingresso, ammettendo che siano:
Rs resistenza duscita della sorgente di rumore;
vns tensione ecace di rumore della sorgente;
Ri resistenza dingresso del quadripolo.
Con riferimento alla gura 18.13 avremo:
Rs
ns
Ri
in
Figura 18.13: Circuito per il calcolo analitico della cifra di rumore F, dove Rs rappresenta la
resistenza duscita della sorgente di rumore, vns la tensione ecace di rumore della sorgente e Ri
resistenza dingresso del quadripolo.
vin = vns
Ri
(Rs + Ri )
18.11 Espressione analitica della cifra di rumore
549
per cui la potenza di rumore in ingresso Ni è:

2
vin
v2
Ri2
Ri
2
= ns
= vns
2
Ri
Ri (Rs + Ri )
(Rs + Ri )2
Calcoliamo ora la potenza di rumore complessiva facendo uso dellespressione già
2
(tensione quadratica media di rumore allingresso):
ricavata per vnt
Ni =
2
2 + v 2 + R2 i2 + 2R v i
vnt
= vns
s n n
n
s n
Troviamo in tal modo:

2
No = vnt
Ri
GP
(Rs + Ri )2
2
Sostituendo in questa espressione quella di vnt
e dividendo poi No per GP Ni , troviamo:
2
No
vnt
vn2 + Rs2 i2n + 2Rs vn in
=
= 1+
(18.36)
F =
2
2
GP Ni
vns
vns
Il secondo termine nellultima espressione scritta è il rapporto tra la potenza di
rumore dovuta al solo quadripolo e quella in ingresso. Esso è quindi la cifra di
rumore in eccesso Fe :
Fe = F 1
Ammettendoche la tensione di rumore allingresso sia quella dovuta alla resistenza

Rs (data da 4KT Rs f , avremo:
F = 1+
1
V2
( n + Rs In2 + 2Vn In )
4KT f Rs
(18.37)
Il valore fornito da tale equazione per una frequenza determinata è la cifra di rumore
puntiforme. Esso dipende dalla frequenza se non si tratta di rumore bianco.
La cifra di rumore espressa in decibel è poi:
NF = 10 logF
Landamento (qualitativo) del NF in funzione di Rs descritto dalla (18.37) è
Per bassi valori di Rs domina il termine Vn2 /Rs e quindi la sorgente di tensione
di rumore. Per grandi valori di Rs domina invece leetto del generatore di corrente.
Si può facilmente vedere, derivando la (18.37) rispetto ad Rs che il NF è minimo
quando ciascun generatore contribuisce in ugual misura al rumore complessivo.
Ciò avviene per:
Vn
Rs =
In
che fornisce il valore ottimale della resistenza Rs . Il corrispondente valore della cifra
di rumore F è:
Vn In
Fmin = 1 + (1 + )
2KT f
Lequazione: NF = 10 log F ci dice che per un valore di 5 del parametro NF
il contributo del rumore alluscita del quadripolo è 3.2 volte quello della sorgente.
Allaltro estremo, un NF di 0.4 ci dice che il contributo della tensione di rumore
alluscita è 1.05 volte quello della sorgente, che ha quindi aggiunto un modesto 5%
(in tensione ecace).
550
NF (Rs )
0.01
0.1
10
100
3
.101
Rs
Figura 18.14: Andamento qualitativo della gura di rumore in funzione di Rs relativa al

circuito di gura 18.13.
18.12
Temperatura di rumore
Sappiamo che una resistenza ad una temperatura assoluta Ts è sorgente di rumore

Johnson (termico) con densità spettrale data da:
Sv (f ) = 4KTs R
cioè:
v 2 = 4KTs Rf
nellintervallo di frequenza f .
Se una resistenza R è collegata allingresso di un amplicatore avente cifra di rumore
in eccesso Fe e quindi cifra di rumore F = Fe + 1, il rumore eettivo allingresso
dellamplicatore (privo di rumore, essendosi traslato il rumore allingresso) sarà:
w2 = F v2
Spesso conviene, per motivi pratici, ragionare come se lamplicatore fosse del tutto
esente da rumore e lintero rumore fosse attribuibile alla medesima resistenza R, ora
però ad una temperatura Tn , tale che:
4KTn Rf = w 2
Dalle equazioni scritte segue:
w 2 = (Fe + 1) v 2 = Fe v 2 + v 2 =
= 4Fe KTs Rf + 4KTs Rf = 4KR(Fe Ts )f + 4KRTs f =
= 4KRTn f + 4KRTs f
Alla quantità Tn = Fe Ts si da il nome di temperatura di rumore dellamplicatore.
Lequazione:
Tn = Fe Ts = (F 1)Ts
ci da poi:
Tn
Ts
Da questa, nota la temperatura della sorgente e la temperatura di rumore, si può
facilmente ricavare la cifra di rumore.
F = 1+
18.13 Esempio: Transistor bipolare
18.13
551
Esempio: Transistor bipolare
Ricordiamo il modello a parametri h in cui si trascuri hre . Questo è mostrato in

gura 18.15.
i
h
fe ib
h
ie
hoe
Figura 18.15: Modello a parametri h del transistor bipolare in cui si trascura hre .
Esso può essere trasformato nello schema di gura 18.16.
i
g
m
Figura 18.16: Modello equivalente di quello a parametri h in cui si utilizza un generatore a

transconduttanza gm v.
Basta infatti scrivere:

ic = hf e ib =
hf e
hf e
(hie ib ) =
v gm v
hie
hie
con:
gm
hf e
hie
Il generatore di corrente hf e ib viene cos` sostituito da un generatore a transconduttanza gm v.

Si ha:
hf e
hie r
gm
Introduciamo in tale circuito la sorgente di corrente di rumore inb nella maglia
dingresso e quella inc nella maglia duscita, come mostrato in gura 18.17.
Queste sorgenti di rumore hanno origine nelle uttuazioni nel numero di portatori
di carica attraverso la giunzione base-emettitore (inb ) e collettore-emettitore (inc ).
552
Esse sono attribuibili in larga misura al rumore shot, per cui:

i2nb = 2eIb f
i2nc = 2eIc f
dove Ib ed Ic sono rispettivamente le correnti (quiescenti) di base e di collettore.
i
nb
nc
Figura 18.17: Modello con introdotte le correnti di rumore: la sorgente di corrente di rumore
inb nella maglia dingresso e quella inc nella maglia duscita.
Determiniamo ora i parametri del quadripolo equivalente, cioè vn e in . Cominciamo con il determinare il generatore di tensione vn . Ricordiamo che questo è
lunico ad avere un eetto sulla tensione di rumore in uscita, quando lingresso sia
in cortocircuito.
Se ammettiamo quindi di aver cortocircuitato lingresso e supponendo che luscita
sia chiusa su di un carico Rp , avremo per la tensione di uscita:
vo = (gm v + inc ) Req

con:
Req = Rp //ro
dove v = 0 (i morsetti dingresso nel circuito di gura 18.17 sono in cortocircuito).
Quindi:
vo = inc Req
Nel corrispondente quadripolo con terminali dingresso in cortocircuito avremmo:
vo = Av vn
Quindi:
Req
inc
Av
Rimane da determinare Av nel nostro amplicatore a parametri h. Abbiamo:
vn =
vo = gm Req v
18.13 Esempio: Transistor bipolare

da cui:
553
Av
vo
= gm Req
v
vn =
Req inc
inc
=
gm Req
gm
Ne segue:
Determiniamo ora in . A tale scopo supponiamo che i terminali dingresso siano

aperti. In tal modo il generatore di tensione di rumore nel quadripolo non potrà
dare alcun contributo. Avremo:
vo = (gm v + inc ) Req

con:
v = inb r
Da cui:
vo = (gm inb r + inc ) Req = (hf e inb + inc ) Req

Nel caso del quadripolo con gli ingressi aperti, avremmo:
vo = Ai in Req
Dove Ai è lamplicazione in corrente che nel nostro caso vale hf e . Quindi:
vo = hf e in Req = (hf e inb + inc ) Req

da cui:
in = inb +
inc
hf e
Sostituendo ora ai due generatori di rumore (in , vn ) presenti allingresso del quadripolo un unico generatore in serie con la resistenza Rs del generatore (facendo uso del
teorema di Thevenin):
vne = vn + Rs in
troviamo:
vne =
inc
inc
inc
inc
inc
Rs
+ Rs (inb +
) =
+ Rs (inb +
) =
(1 +
) + Rs inb
gm
hf e
gm
g m r
gm
r
da cui:
2 = i2
vne
nc
1
Rs 2
(1 +
) + Rs2 i2nb
2
gm
r
dove i2nb ed i2nc sono date dal rumore shot:

i2n = 2eIf
dove e è la carica dellelettrone, I la corrente nel circuito (di base o di collettore) e
f la banda di frequenza. Quindi:
2 = (1 +
vne
Rs 2 1
) 2 2eIC f + Rs2 2e Ib f
r
gm
554
Poichè inoltre è Ic = hF E Ib , segue:

2 = [(1 +
vne
Rs 2 1
Rs2
) 2 +
] 2eIc f
r g m
hF E
Utilizziamo ora le relazioni2 :

Ic = gm VT = gm
ed otteniamo:
2 = [(1 +
vne
KT
e
Rs 2 1
Rs2
)
+
gm ] 2KT f
r g m
hF E
(18.38)
Determiniamo ora il valore ottimale di Rs , cioè quello che rende minimo il rumore.
Questo, come già visto è dato da:
(Rsopt )2 =
vn2
i2n
Sostituendo in questa i valori trovati per vn2 ed i2n , si trova:
(Rsopt )2
i2nc
2
gm
i2nb +
i2nc
h2f e
1
2
gm
i2nb
i2nc
1
h2f e
1
2
gm
Ib
Ic
1
h2f e
1
2
gm
1
hF E
1
+
1
h2f e
hF E
2
gm
dove si è fatto uso delle relazioni:

i2nb = 2eIb f
i2nc = 2eIc f
Vediamo che il valore ottimale della resistenza Rs dipende da hF E e da gm .
Utilizziamo ora il risultato ottenuto (18.38) per la tensione quadratica media in
2 ) per il transistor bipolare, per ottenere la corrispondente temperatura
eccesso (vne
di rumore:
Tn = Fe Ts
dove:
[(1 +
v2
Fe = ne =
2
vns
2
Rs 2 1
) gm
r
R2s
hF E
2Rs
La transconduttanza gm è denita come

gm = dIc /dVBE
dove, per il diodo base-emettitore in zona attiva è:

Ic = I0 [exp(e VBE /KT ) 1]
Ne segue:
gm = dIc /dVBE = Ic e/KT
.
gm ]
18.14 Il rumore nei componenti elettronici

Otteniamo:
[(1 +
Tn
=
Ts
Rs 2 1
) gm
r
555
R2s
hF E
gm ]
2Rs
cioè:
1
1
Rs gm
gm
Tn
=
+
+
+ 2 )
(
Ts
2gm Rs hf e
2 hF E hf e
Trascurando lultimo termine in parentesi:
Tn
1
1
Rs gm
=
+
+
Ts
2gm Rs hf e 2hF E
Per Rs = Rsopt =
hF E
gm
si trova:
1
1
1
Tn min
=
+

Ts
hF E hf e
hF E
Per hF E = 100 questa fornisce:
Ts
10
o
che, alla temperatura ambiente (27 C = 300o K) vuol dire una temperatura di
rumore di 30oK.
Tnmin =
18.14
Il rumore nei componenti elettronici
18.14.1
Introduzione
Ci siamo già occupati del rumore termico nelle resistenze. Questa è la principale
sorgente di rumore nei componenti passivi. Condensatori ed induttanze non sono
sorgente di rumore se non per quel che concerne la loro componente resistiva.
Unaltra componente di rumore è dovuta ai contatti tra componenti ed alle giunzioni
interne dei diodi e/o transistor. Si tratta di un rumore 1/f La corrente di rumore
per unità di radice quadrata di larghezza di banda è:
If
kI
=
f
f
dove I è la corrente media, f la frequenza, f la larghezza di banda centrata sulla
frequenza f e k una costante che dipende dai materiali e dalla geometria.
Ricordiamo che il rumore 1/f continua no frequenze bassissime, dellordine di
pochi cicli/giorno.
In aggiunta al rumore termico, a quello shot ed a quello 1/f , una ulteriore varietà,
chiamato popcorn noise è stato osservato nei diodi a semiconduttore e nei circuiti
integrati. Se esso è amplicato ed inviato ad un altoparlante si sente un rumore
simile al caratteristico scoppiettare del granturco, da cui il nome. Questo tipo di
rumore è dovuto a difetti di fabbricazione e può essere eliminato con opportuni
accorgimenti nel processo di produzione.
556
Anche questo tipo di rumore ha uno spettro del tipo 1/f n con n tipicamente uguale
a 2. Lampiezza è compresa tra 2 e 10 volte quella del rumore termico nel medesimo
dispositivo.
Ci occuperemo ora del rumore nei transistor a giunzione e successivamente di quello
nei FET.
18.14.2
Il rumore nel transistor bipolare
La gura di rumore per un tipico transistor bipolare è mostrata in gura 18.18.

NF (dB)
3 dB/ottava
6 dB/ottava
f
1/f
proporzionale ad
1/
log(f)
Figura 18.18: Figura di rumore per un tipico transistor bipolare. La zona a basse frequenze
è dominata dal rumore 1/f n, quella centrale dal rumore termico della resistenza di base e dal
rumore shot delle giunzioni, mentre il rumore alle alte frequenze è legato al fatto che il guadagno
del transistor diminuisce con la frequenza mentre il rumore della giunzione rimane costante.
Si ha una regione di basse frequenze, in cui il rumore dominante è quello 1/f . Tale
regione si estende no a frequenze f1 che variano, a seconda del tipo di transistor,
tra 1 e 50 KHz. Si ha poi una regione di rumore bianco, costituito da rumore
termico nella resistenza della base e rumore shot nelle giunzioni, che si estende
no a frequenze di circa 1 MHz. Si ha inne una regione di frequenze pi`
u elevate
2
(superiori ad un certo valore f2 ) in cui il rumore aumenta come f . Questo aumento
del NF è legato alla diminuzione del guadagno del transistor alle alte frequenze ed
al fatto che il rumore prodotto alla giunzione di collettore rimane costante.
Alcuni speciali transistor, prodotti per essere adoperati ad alte frequenze, hanno un
valore di f2 molto pi`
u elevato.
Sono stati sviluppati modelli che, partendo dal circuito a parametri h o da altri
analoghi, ed aggiungendo sorgenti di rumore nei rami del circuito, consentono di
calcolare con ragionevole accuratezza il rumore nel transistor bipolare nel campo di
frequenze di interesse [20]. Le caratteristiche di rumore dei transistor sono fornite
generalmente dalle case costruttrici.
Ricordiamo che il noise-factor F è denito come:
F =
=
P otenza di rumore in uscita

Guadagno in potenza P otenza di rumore dovuto alla resistenza della sorgente
557
Se indichiamo con Rs la resistenza della sorgente, con in ed en i generatori di rumore

nel quadripolo equivalente già incontrato e con f la banda passante, avremo:
F =
i2t
i2Rs
dove it è la corrente totale di rumore ai terminali dingresso ed iRs quella dovuta

alla sola resistenza Rs . Questultima vale:
4KT f
Rs
i2Rs =
Quindi avremo, come già visto in precedenza:

e2
4KT f
+ n + i2n
Rs
Rs
i2t =
da cui:
F = 1+
e2n
i2n Rs
+
4KT f Rs
4KT f
Ponendo ora:
Req =
e2n
4KT f
i2n
2ef
dove e è la carica dellelettrone, lultima equazione scritta diventa:
Ieq =
F = 1+
e, poichè
e
2KT
2eIeq
Req
Rs
+
Rs
4KT
= 20 V 1 alla temperatura di 290o K avremo:

F = 1+
Req
+ 20Ieq Rs
Rs
(18.39)
Il valore ottimale di Rs , cioè quello per cui la cifra di rumore è minima, si ottiene
derivando questespressione rispetto ad Rs . Si trova:
2
Rs(opt)
=
e2
Req
= n
20Ieq
i2n
da cui:
Fopt = 1 + 2
(18.40)
20Req Ieq
Facciamo ora uso delle ultime due equazioni per esprimere Req ed Ieq in funzione di
Fopt ed Rs(opt) . Si trova:
1
Req = (Fopt 1) Rs(opt)
2
1 (Fopt 1)
Ieq =
2 20Rs(opt)
558
Sostituendo questa nella (18.39), si trova:

F = 1+
Rs(opt)
Rs
1
(Fopt 1) [
+
]
2
Rs
Rs(opt)
Si vede da questa espressione che, noti Fopt ed Rs(opt) , si può ottenere il NF per una
generica resistenza Rs .
Denendo un fattore K:
K =
Rs
1 Rs(opt)
+
]
[
2 Rs
Rs(opt)
(18.41)
Lultima equazione si può riscrivere come:

F = 1 + K [Fopt 1]
Ammettiamo ora di sapere che Fopt = 1.4 e che Rs(opt) = 1k. Ci chiediamo quale
Rs
=8e
sarà F in un circuito in cui la resistenza Rs valga 8k. Vediamo che Rs(opt)
quindi, dalla (18.41) si vede che K = 4. Quindi F sarà:

F = 1 + 4(1.4 1) = 2.6
ed il noise factor NF varrà:
NF = 4.1dB
I valori di e2n ed i2n sono poi entrambi funzioni della corrente di collettore e crescono
al crescere di questa. Tuttavia i2n cresce pi`
u rapidamente di e2n . Di conseguenza
Rs(opt) diminuisce al crescere della corrente di collettore. Ne segue che, come si può
vedere in gura 18.19, la curva che descrive landamento della cifra di rumore al
variare di Rs cambia, spostandosi verso sinistra (cioè verso valori decrescenti di Rs )
allaumentare di Ic .
18.14.3
Il rumore nei FET
Landamento complessivo della cifra di rumore in un FET in funzione della frequenza

è qualitativamente simile a quello dei transistor bipolari. Si ha cioè una regione di
rumore 1/f alle basse frequenze, seguita da una regione di rumore bianco a frequenze
intermedie ed inne da una zona di alta frequenza in cui il rumore cresce al crescere
di f.
Il rumore 1/f è molto pi`
u elevato nei MOSFET che nei FET.
Ci occuperemo ora del rumore in questi ultimi. Le principali sorgenti di rumore in
essi sono:
rumore termico nella resistenza di polarizzazione del gate Rg ;
rumore shot associato alla corrente di gate Ig (diodo Gate-Source con polarizzazione inversa);
rumore termico nel canale;
rumore shot nel canale;
559
10
NF1(Rs )
NF2(Rs ) 5
NF3(Rs )
0
10
100
1.103
10 uA
100uA
1 mA
1 .104
Rs
1 .105
1 .106
1 .107
Figura 18.19: Andamento della cifra di rumore nel transistor bipolare al variare di Rs . Si noti
che la curva si sposta verso sinistra allaumentare di Ic .
rumore 1/f nel canale.

Tra questi contributi, il penultimo è fortemente soppresso a causa della elevata
densità di cariche nel canale. Discutiamo ora in dettaglio gli altri contributi.
Rumore termico nella resistenza di gate
La corrente quadratica media di rumore nellintervallo di frequenza df in Rg è:
i2R =
4KT df
Rg
Se indichiamo con Cin la capacità dingresso del FET, la tensione quadratica media
ai capi di questa sarà:
vR2 = i2Rs Zc2 =
4KT df 1
2KT d
=
2
2
2
Rg Cin
Rg Cin
2
Vediamo che la tensione di rumore è tanto pi`

u piccola quanto pi`
u è grande Rg .
Rumore di tipo shot associato alla corrente di gate
Esso è dato da:
i2 = 2eIg df
con ovvio signicato dei simboli. Tale corrente scorre in Cin se Rg è molto grande.
La tensione quadratica media ai capi di Cin sarà:
vg2 =
2eIg df
eIg d
=
2
2
2Cin
2 Cin
Rumore termico nel canale

La corrente di rumore associata a questo è:
i2c =
4KT df
R0
560
dove R0 è la resistenza del canale nella parte iniziale delle caratteristiche (cioè nella
zona ohmica). La corrispondente tensione vc2 al gate (lingresso, cui riferiamo tutte
le sorgenti di rumore) è:
i2
vc2 = 2c
gm
dove gm è la transconduttanza del FET.
Si trova quindi:
vc2 =
2KT
d
2
R0 gm
Ponendo:
Req =
1
2
R0 gm
questa si scrive:
vc2 = 2KT Req
dove si può dimostrare che gm =
1
,
R0
con che:
Req =
1
gm
Rumore 1/f nel canale

Questo è dato da:
vF2 = Af
Rumore complessivo
Questo sarà la somma dei contributi elencati sopra, cioè:
vt2 =
2KT d
eIg d
d
d
+ Af
+
+ 2KT Req
2
2
2
2
Rg Cin
Cin
(18.42)
Il rumore totale nellamplicatore a FET può ora esser calcolato, moltiplicando

ciascuno dei precedenti contributi per la funzione f () che descrive la risposta in
frequenza dellamplicatore, integrando su da 0 ad e sommando inne tutti i
contributi. La funzione f () rappresenta il guadagno in potenza dellamplicatore,
legato al guadagno in tensione Av da: f () = |Av |2 .
18.15
Appendice A
Dimostriamo ora il teorema di Wiener-Khintchine. A tale scopo premettiamo alcuni

semplici teoremi, che trovano ampia applicazione nello studio del rumore. Siano x1 (t)
ed x2 (t) due funzioni del tempo, ed indichiamo con F1 () ed F2 () le rispettive
trasformate di Fourier. Si dimostra allora che:
+
+
1
x1 (t)x2 (t)dt =
X1 ()X2 ()d
(18.43)
2
(teorema di Parseval).
18.15 Appendice A
561
Per dimostrarlo, sostituiamo a primo membro di questa equazione, ad x2 (t) la

sua antitrasformata, ottenendo:
+
+ +
1
x1 (t)x2 (t)dt =
dt
dx1 (t)X2 ()ejt
2
scambiamo ora lordine di integrazione sulle variabili t ed a secondo membro:

+

+
1
x1 (t)x2 (t)dt =
X ()d
dtx1 (t)ejt
2 2
che è uguale a:
1
2
X1 ()X2()d
Questo è appunto il secondo membro della (18.43).

Applichiamo ora questo teorema alla funzione di correlazione ( ):

( ) =
v(t)v(t + )dt
dove v(t) è la tensione di rumore. Troviamo in tal modo:

+
1
( ) =
|V ()|2ej d
2
(18.44)
che per = 0 ci da:

(0) =
1
|v(t)| dt =
2
2
|V ()|2d
che è noto come teorema di Plancherel o teorema dellenergia. Il termine a destra

di questa equazione rappresenta lenergia totale sviluppata, sullintero spettro di
frequenze. Ne segue che |V ()|2 può essere interpretato come la densità di energia
per unità di intervallo di frequenza. La potenza media è lenergia totale divisa per
T, o meglio il limite di tale rapporto per T :

1 +
1
2|V ()|2
2
lim
d
|v(t)| dt = lim
T T
T 2 0
T
dove si è modicato il limite inferiore dintegrazione nel membro destro dellequazione (da a 0) e si è moltiplicato per 2, poiche si ammette che |V ()|2
sia una funzione pari di . Abbiamo cos` per la densità spettrale di potenza:
2|V ()|2
T
T
Sv () = lim
Notiamo la dierenza tra lultima equazione scritta e la (18.10). Questa aveva un

T a fattore moltiplicativo, mentre lultima equazione scritta ha T a denominatore.
Ciò deriva dal fatto che nella (18.10) avevamo fatto uso della serie di Fourier, dove
i coecienti an hanno un T a denominatore, mentre nella trasformata di Fourier:

f (t)ejt dt
F () =
562
il T a denominatore è assente.
Dalla (18.44), dividendo entrambi i membri per T, eettuando una media su di
un insieme (innito) di sistemi identici e prendendo poi il limite per T , si
ottiene:

1
1
|V ()|2
v(t)v(t + )d = lim
2
lim
cos( )d
T T
T 2 0
T
dove abbiamo fatto uso della simmetria della |V ()|2.
Il termine a sinistra di questa equazione è la funzione di autocorrelazione ( ).
Invertendo nel termine a destra il limite con lintegrazione, otteniamo:

1
Sv ()cos( )d =
Sv (f )cos( )df
( ) =
2 0
0
Questa è una trasformata di Fourier, la cui inversa è:

Sv (f ) = 4
( )cos( )d
0
Le ultime equazioni scritte costituiscono il teorema di Wiener-Khintchine.
18.16
Appendice B
Ci proponiamo in questa appendice di studiare la funzione di distribuzione temporale

relativa ad eventi elementari che avvengano in modo casuale ed indipendente. Un
esempio è quello di un elettrone che si muove in un materiale conduttore, subendo
urti con gli atomi che incontra. Ciascun urto è un evento casuale, intendendosi con
ciò il fatto che la probabilità che un evento abbia luogo in un piccolo intervallo di
tempo compreso tra t e t + t è piccola ed indipendente da t. Quando diciamo
piccola intendiamo che la probabilità di osservare due eventi nellintervallo di
tempo considerato è trascurabile. Chiamando t la probabilità che un evento abbia
luogo nellintervallo di tempo suddetto, ci proponiamo di calcolare la probabilità
p(m, t)che esattamente m eventi abbiano luogo in un intervallo di tempo nito t.
Per calcolare tale probabilità, partiamo dalla considerazione che vi sono solo due
modi per ottenere esattamente m eventi nellintervallo di tempo (0-t). Potremo cioè
avere (m-1) eventi nellintervallo di tempo (0, t t) ed uno nellintervallo t o m
eventi nellintervallo di tempo (0, t t) e nessuno nellintervallino t. In formule:
p(m, t) = p(m 1, t t)t + p(m, t t)(1 t)
Sviluppando i termini a secondo membro di questa espressione in serie di Taylor,
otteniamo:
p(m 1, t t)t = p(m 1, t)t
p(m 1, t)
(t)2
t
p(m, t t) (1 t) = p(m 1, t)t + p(m, t)
p(m, t)
t p(m, t)t + ....(t)2
t
18.16 Appendice B
563
Per cui lultima espressione scritta si può scrivere:

p(m, t) = p(m 1, t)t + p(m, t)
p(m, t)
t p(m, t)t
t
da cui segue:
dp(m, t)
dp(m, t)
=
= [p(m 1, t) + p(m, t)]
t0
t
dt
lim
(18.45)
Per m=0 questa è (essendo p(-m,t)=0):

dp(0, t)
= p(0, t)
dt
che ha come soluzione:
p(0, t) = et
Per m generico possiamo riscrivere la (18.45) come:

et
d t
[e p(m, t)] = p(m 1, t)
dt
che, integrata tra i limiti (0,t) (con p(0,0)=1), ci da:

et p(m 1, t)dt
e p(m, t) =
0
Questa è una formula di ricorrenza che ci consente di calcolare p(m,t) a partire da

p(m-1,t). Conoscendo p(0,t) otteniamo cos`:
e p(1, t) =
et et dt = t
da cui:
p(1, t) = tet
Si trova in generale:
(t)m et
n!
Possiamo da questa calcolare la distribuzione della distanza temporale tra due eventi
successivi. La probabilità che due eventi abbiano luogo separati da un tempo t è
pari alla probabilità che, dato un evento, nessun evento abbia luogo per un tempo
pari a t ed un evento abbia luogo nel successivo intervallino temporale t. Cioè:
p(m, t) =
f (t) = p(0, t)t

dove:
e quindi:
p(0, t) = et
f (t) = et t
564
Il valor medio di m (cioè il momento di ordine 1 della distribuzione)è:

m =
mp(m, t) = et t[1 +
m=0
t (t)2 (t)3
+
+
+ ....] =
1
2!
3!
= et tet = t
Analogamente si può dimostrare che il momento di ordine 2 (la varianza) è:
2
= (m
m)2
m2 p(m, t) m2 = m
m=0
18.17
Appendice C
18.17.1
Teoremi di Campbell e di Carson
Consideriamo un rumore casuale, originato da un gran numero di eventi indipendenti. Ciascun evento produca un impulso di una certa forma, descritta da una funzione
(uguale per tutti) f (t t1 ), dove ti è listante in cui si è vericato levento i-esimo.
Levento potrà essere generico: un elettrone che urta con un atomo, una goccia di
pioggia che cade, un soo di vento durante un temporale, la ricombinazione di una
coppia elettrone-lacuna in un semiconduttore, etc. La f(t) è la funzione che descrive
la conseguenza percettibile dellevento, funzione del tempo. Ciò che in realtà percepiamo è la risultante di un gran numero di eventi indipendenti. Essa può esser
descritta facendo uso del principio di sovrapposizione:
x(t) =
N

ak f (t tk )
k=1
dove ak rappresenta lampiezza dellie-mo evento, tk è listante in cui tale evento ha

avuto luogo, N è il numero totale di eventi nel tempo di osservazione T e la funzione
f(t) è nulla per t < 0. Faremo lipotesi che la funzione f(t) sia diversa da zero solo
per tempi molto minori del tempo di osservazione T.
Poiche gli eventi sono indipendenti, la distribuzione dei tempi tk soddisfa alla
statistica di Poisson, con un numero medio di eventi al secondo dato da:
N
T T
= lim
Il valore medio aspettato per la variabile x(t) è allora:

x(t) = a
f (t)dt
(18.46)
dove a è il valor medio dellampiezza ak . Il risultato espresso dalla (18.46) è noto

come teorema di Campbell del valor medio.
La trasformata di Fourier della x(t) è:
X(j) =
N

k=1
jtk
[ak e
F (j)] = F (j)
N

k=1
ak ejtk
18.17 Appendice C
565
La densità spettrale della potenza è:

N
|X(j)|2
2|F (j)|2
= lim
ak am ej(tk tm )
T
T
T
T
k,m=1
Sx () = lim
La sommatoria a secondo membro di questa espressione può essere riscritta, separandola nella parte con k = m e in quella con k = m. Questultima, essendo gli ak
indipendenti tra loro ed indipendenti da tk , può esser riscritta come:
N

ak am ej(tk tm ) = a2
k =m=1
avendo posto:
N

ej(tk tm )
k =m=1
ak am = a2
Se la distribuzione delle ampiezze ak è simmetrica attorno a zero, il termine in

questione si annulla, poiche a = 0. Ne segue che in tal caso è:
Sx () = 2a2 |F (j)|2
dove a2 è il valore quadratico medio delle ak . Questo è il teorema di Carson.
Se i coecienti ak non sono distribuiti simmetricamente attorno allo zero, il
termine prima ignorato sarà presente. In tal caso si può dimostrare che è:

2
2
2
x (t) x(t) = a
f 2 (t)dt
Questo è il teorema di Campbell del valor quadratico medio.
566
Capitolo 19
Elettronica per rivelatori di

particelle
19.1
Introduzione
Una particella elettricamente carica che attraversa un mezzo materiale può subire
perdite denergia a causa di processi di varia natura. Tale energia è depositata sotto
varie forme nel mezzo attraversato. Tra tali processi, particolarmente importanti
sono la ionizzazione, il bremsstrahlung, la radiazione di luce Cerenkov,

la radiazione
di transizione ed altri. Tale rilascio di energia, la cui natura ed ampiezza dipendono
sia dal particolare mezzo attraversato che dalla natura ed energia della particella
carica1 (elettrone, protone, mesone , leptone , ) può esser utilizzato per
rivelare la particella. In particolare si può:
(a) valutare listante in cui la particella è passata nel mezzo;
(b) ottenere una stima dellenergia della particella, che è spesso legata allenergia
che essa ha depositato nel mezzo medesimo;
(c) misurare la posizione della particella nellistante in cui essa ha attraversato il
mezzo;
(d) identicare la particella; cioè stabilire (entro un predeterminato livello di
condenza) se essa sia un elettrone, , protone... In tale tipo di applicazione
sono molto utili i rivelatori basati sullemissione di luce Cerenkov

e quelli
basati sulla radiazione di transizione.
Non intendiamo qui entrare nei dettagli dei rivelatori, ma limitarci a studiare
alcuni dei problemi che essi pongono allelettronica di front end, cioè ai circuiti
che debbono amplicare e rivelare i deboli segnali elettrici prodotti. Ovviamente, i
vincoli posti sullelettronica cambiano molto a seconda del tipo di rivelatore e del tipo
di informazione che si vuole estrarre (tempo, energia, posizione etc.). Ciò vuol dire
che una trattazione esauriente dei problemi elettronici da arontare non può esser
disgiunta da una trattazione dei diversi rivelatori. Ci limiteremo qui a discutere
alcuni dei principali problemi e ad esaminare le soluzioni comunemente adottate.
1
Ci limitiamo qui a considerare particelle cariche, ma considerazioni analoghe potrebbero essere

fatte per quelle neutre, in particolare per i fotoni.
567
568
Capitolo 19. Elettronica per rivelatori di particelle
Dettagli possono essere trovati nei riferimenti ([26]), ([27]), ([29]), ([31]), ([30]),
([34]), ([35]).
Esamineremo, a titolo di esempio, la struttura di tre rivelatori: gli scintillatori,
i rivelatori a gas e quelli a semiconduttore.
` opportuno, prima di entrare nellanalisi dei singoli rivelatori, esaminare i
E
parametri che conviene ottimizzare: la risoluzione energetica, la risoluzione temporale, lecienza ed il tempo morto. Nella prossima sezione ci occuperemo di
unanalisi semplicata di tali parametri.
19.2
Caratteristiche di risposta dei rivelatori
19.2.1
Risoluzione energetica
` spesso importante che il rivelatore fornisca una determinazione, il pi`

E
u possibile
precisa, dellenergia che la particella ha depositato nellattraversarlo. Essendo linterazione della particella con il materiale di cui il rivelatore è costituito, caratterizzata a livello microscopico da un gran numero di processi elementari (ionizzazione,
bremsstrahlung etc.) ciascuno dei quali ha un carattere stocastico, è naturale aspettarsi una uttuazione nel numero di tali processi per unità di spessore del materiale
attraversato. Poiche a ciascuno dei processi elementari corrisponde un deposito di
una piccola frazione dellenergia, segue da semplici considerazioni statistiche che la
risposta energetica del rivelatore ad una particella di energia denita avrà una dispersione relativa tanto maggiore quanto minore è il numero di processi elementari
che hanno avuto luogo.
Vediamo infatti che, se il numero N dei processi elementari è distribuito in modo
gaussiano, la dispersione nellenergia totale
depositata sarà proporzionale alla radice
quadrata della varianza di N, cioè a N .

Se E è lenergia totale depositata (proporzionale ad N) si denisce risoluzione
energetica la variabile E, pari alla larghezza a metà altezza (Full Width at Half
Maximum o FWHM) della distribuzione delle energie rivelate quando il mezzo è
attraversato da un gran numero di particelle, tutte di uguale energia E (vedasi la
gura 19.1).
Notiamo che, mentre E0 è lenergia della particella, E è lenergia che essa rilascia
in media nel rivelatore. Pur esistendo rivelatori in cui E E0 , nella maggior parte
dei casi lenergia depositata E è inferiore ad E0 . La particella ha in tal caso, alluscita
dal rivelatore, unenergia pari a E0 E (a meno di perdite dovute a processi di varia
natura).
In generale si quota la risoluzione relativa, denita come:
R =
E
E
Questa, in un tipico rivelatore, migliora allaumentare dellenergia. Se è lenergia

media spesa nella generazione di un processo elementare nel rivelatore (ad esempio,
ionizzazione) allora il numero di processi elementari che avranno luogo per unenergia
totale depositata E, è dato da:
E
N=

19.2 Caratteristiche di risposta dei rivelatori

0.8
569
dN/dE
E
0.6
0.4
0.2
E
Energia depositata
Figura 19.1: Distribuzione delle energie depositate da particelle di energia E0 . E è lenergia

media depositata, E la larghezza a met`
a altezza della distribuzione.
Ad esempio, in un rivelatore al silicio, lenergia necessaria per la produzione di

una coppia elettrone-lacuna è 3.6 eV . Una particella carica, di alta energia,
che attraversi un rivelatore di questo tipo spesso 300 m, perde mediamente circa
100.000 eV , cui corrisponde un numero di coppie:
100.000
28.000
3.6
La uttuazione su tale numero è pari a (N) = 28.000 166. Ammettendo che la

distribuzione nel numero dN/dE dei processi elementari sia gaussiana, si ha che la
larghezza a metà altezza (FWHM) della distribuzione è legata alla della gaussiana
dalla relazione:
F W HM = 2.36
N=
La risoluzione relativa R è allora pari a:
N
2.36
2.36
R = 2.36
= =
1.4%
N
166
N
Tale relazione necessita di una correzione nel caso in cui lenergia depositata E
coincide con lenergia totale E0 . In tal caso è infatti necessario introdurre un fattore
addizionale F minore di 1 (noto come fattore di Fano), attraverso:

R = 2.36 F

E0
La risoluzione relativa in tal caso migliora rispetto al caso in cui non tutta lenergia
sia depositata nel rivelatore.
570
Funzione di risposta del rivelatore

Nelle considerazioni precedenti abbiamo lavorato nellipotesi che la distribuzione
delle energie depositate dalla particella nellattraversare il rivelatore sia gaussiana.
Nella pi`
u gran parte dei casi ciò non è vero, o lo è solo in modo approssimato. Infatti
in generale la distribuzione ha una forma che dipende dallenergia della particella e
dalle caratteristiche del rivelatore. La forma di tale risposta, importante per valutare
la risoluzione energetica, può esser ottenuta facendo uso di tecniche montecarlo,
unitamente alla conoscenza della sica dei processi elementari che hanno luogo nel
rivelatore.
19.2.2
Risposta temporale
Questa è denita dal tempo necessario perche il segnale sia disponibile alluscita del
rivelatore, dopo che questo sia stato attraversato dalla particella.
Per rivelatori da utilizzare per denire con precisione listante in cui una particella li abbia attraversati è necessario che questo tempo sia il pi`
u piccolo possibile
(dellordine del ns). Landamento temporale del segnale elettrico disponibile alluscita del rivelatore dipenderà inoltre dallelettronica utilizzata alluscita del rivelatore
(elettronica di front-end). Unandamento tipico è quello mostrato in gura 19.2.
Discesa
Segnale
50
100
Fronte di salita
10
20
30
Tempo (ns)
40
50
Figura 19.2: Forma temporale tipica del segnale alluscita del rivelatore.
Per una buona risposta temporale è opportuno che il fronte di salita sia il pi`
u
`
piccolo possibile. E anche importante, se il rate di eventi è elevato, che la discesa
sia rapida, per evitare che limpulso associato ad un evento si sovrapponga alla coda
di quello associato allevento precedente (fenomeno noto come pile-up).
19.2 Caratteristiche di risposta dei rivelatori
19.2.3
571
Ecienza
Lecienza di un rivelatore è denita come la probabilità che esso generi un segnale

utilizzabile, una volta che una particella del tipo voluto lo abbia attraversato. Essa
`
è funzione sia del tipo di rivelatore che della natura ed energia della particella. E
importante che tale ecienza sia alta; ancora pi`
u importante è che essa sia nota con
grande precisione, allo scopo di poter calcolare dal numero di particelle rivelate il
numero di quelle che hanno attraversato il rivelatore.
19.2.4
Tempo morto
In un tipico esperimento, il segnale (impulso elettrico alluscita del rivelatore) viene

utilizzato per generare linformazione digitale relativa allistante in cui la particella
è passata, nonche quella relativa allaltezza dimpulso del segnale (legata allenergia
depositata). Tali informazioni digitali, insieme a quelle associate agli altri rivelatori che costituiscono lapparato sperimentale, sono poi trasmesse ad elaboratori
elettronici e registrate su opportune memorie.
Tale sequenza di operazioni richiede un tempo che, anche se piccolo, può esser grande rispetto allintervallo temporale che intercorre tra larrivo di particelle
successive. Ciò fa si che, dopo larrivo di una particella, il sistema non sia pronto a registrare larrivo di nuove particelle per un certo tempo , noto come tempo
morto. Se si vuol conoscere il numero totale di particelle che hanno investito il rivelatore, comprensivo di quelle non rivelate a causa del tempo morto, occorre conoscere
questultimo.
Se in una misura durata complessivamente T secondi, sono stati registrati k
eventi, il sistema sarà stato insensibile (morto) per un tempo k . Se m è il numero
vero di eventi al secondo, il numero di eventi complessivamente persi nel tempo
T sarà: m k . Il numero totale di eventi m T è daltronde pari alla somma del
numero k di eventi registrati pi`
u il numero m k di quelli persi. Si ha cioè:
mT = k + m k
da cui, se è noto, si può, dalla misura di k, ricavare m:
m=
k
k/T
=
T k
1 k /T
Per = 0 troviamo ovviamente m = k/T .

Un metodo per ottenere sperimentalmente è quello detto delle due sorgenti.
Si eettuano cioè tre misure indipendenti: la prima con una sorgente 1, la seconda
con una sorgente 2 e la terza con entrambe. Se indichiamo con R1 , R2 , R12 i rispettivi
conteggi per unità di tempo e con n1 , n2 , n12 quelli veri, avremo:
n1 =
R1
1 R1
n2 =
R2
1 R2
n12 =
R12
1 R12
572
dove deve essere:

n12 = n1 + n2
da cui:
R2
R12
R1
+
=
1 R1
1 R2
1 R12
Da questa è poi facile ricavare .
19.3
Rivelatori a scintillazione
Una particella carica che attraversa un mezzo materiale può provocare dei processi di
eccitazione molecolare o ionizzazione. In alcuni tipi di sostanze le molecole eccitate
decadono poi al loro stato fondamentale con emissione di luce.
Il mezzo non è tuttavia trasparente alla luce emessa, poichè questa, la cui frequenza cade tipicamente nellultravioletto, può esser assorbita dalle molecole del mezzo
medesimo (autoassorbimento). Per ottenere un segnale ottico rivelabile è necessario
ridurre tale assorbimento a livelli accettabili. A tale scopo si ricorre al processo di
uorescenza, in cui il fotone dà luogo ad una nuova eccitazione, mentre la successiva diseccitazione avviene con emissione di fotoni di maggiore lunghezza donda. Si
aggiungono quindi al materiale primario (tipicamente una sostanza organica) delle
piccole quantità di opportuni uori, che spostano la luce primaria emessa a frequenze pi`
u basse (wavelength shifting), tali che a tali frequenze il materiale risulti
` importante che il picco di frequenza della luce emessa nel processo
trasparente. E
primario di ionizzazione sia ben separato dal picco della distribuzione in frequenza
della luce emessa nel processo di uorescenza. La separazione in lunghezza donda
tra i due picchi è nota come Stokes Shift. Quanto maggiore lo Stokes Shift,
tanto minore sarà lautoassorbimento.
In prima approssimazione, levoluzione temporale del processo di emissione può
esser descritta da un semplice termine esponenziale:
N(t)dt =
N0 t
e dt
dove N(t)dt è il numero di fotoni emessi nellintervallo di tempo dt, N0 il numero

totale di fotoni emessi e la costante di decadimento (vita media).
Il segnale consiste in un brusco impulso, caratterizzato da un tempo di salita
brevissimo, che poi scende in modo esponenziale.
In alcuni casi le costanti di tempo interessate nel processo di decadimento sono
due; in tal caso si può scrivere:
t

t
N(t)dt = Ae f + Be s dt
dove f è la costante di tempo relativa alla componente a breve vita media e s
quella della componente a vita media lunga.
Per esser concretamente utilizzabile, uno scintillatore deve avere le seguenti
caratteristiche:
(a) elevata ecienza di conversione di energia in radiazione;
19.3 Rivelatori a scintillazione
573
(b) trasparenza alla radiazione emessa;

(c) spettro di emissione adatto alla rivelazione della luce (che tipicamente utilizza
dei fotomoltiplicatori);
(d) breve tempo di decadimento.
Esistono svariati tipi di materiali scintillanti che possiedono in maggiore o minore
misura tali caratteristiche. I pi`
u comunemente usati sono degli scintillatori organici, costituiti da idrocarburi della serie aromatica, in soluzioni organiche liquide o
plastiche (come plastiche sono comunemente adoperate il polistirene, il poliviniltoluene o il polifenil-benzene). Le costanti di decadimento vanno da 1.7 a 4 ns.
Essendo la costante di decadimento cos` breve, non è sempre possibile trascurare
rispetto ad essa il tempo di salita. Una parametrizzazione spesso adoperata per
tener conto di ciò è una convoluzione di una gaussiana con un termine esponenziale:
N(t) = N0 f (, t)et/
dove 0.5 ns.
Lo spettro di emissione di queste sostanze è nella regione 400-500 nm.
Lecienza di conversione è denita come lenergia che una particella deve perdere
in media perchè sia prodotto un fotone. Negli scintillatori plastici tale energia è dellordine di 1000-3000 eV. Tale ecienza è piuttosto bassa rispetto a quella che si
ha in altri tipi di rivelatore. Poiche la risoluzione in energia di un rivelatore è tanto migliore quanto pi`
u bassa è la soglia minima di energia che esso può rivelare,
si vede che la risoluzione in energia di uno scintillatore non è molto buona. In
eetti, fatta eccezione per gli scintillatori a cristalli inorganici, che hanno unottima risoluzione in energia, gli scintillatori comunemente adoperati (liquidi e plastici)
hanno principalmente il pregio di una elevatissima velocità di risposta e di un costo
contenuto.
Il meccanismo di emissione è sostanzialmente diverso negli scintillatori inorganici. Questi sono costituiti da cristalli di alogenuri alcalini con laggiunta di
piccole percentuali di attivatori che vengono indicati tra parentesi. Tra i pi`
u
usati, ricordiamo il NaI(Tl), CsI(Tl), KI(Tl), LiI(Eu) e CsF2 .
Gli scintillatori basati su cristalli inorganici, il cui uso è frequente in applicazioni
che richiedano una elevata risoluzione in energia, sono caratterizzati da tempi di
decadimento molto pi`
u lunghi, il che ne sconsiglia luso in esperimenti ad alto rate.
La tabella 19.1, contenente dati tratti dalla referenza [37], mostra alcune grandezze
caratteristiche di rivelatori inorganici, confrontate alle analoghe per scintillatori organici plastici. Le grandezze mostrate nella tabella sono: la densit`
a , la lunghezza
2
di radiazione r , il tempo di decadimento , il numero di fotoni prodotti per MeV di
energia depositata nel materiale, la lunghezza donda max che corrisponde al picco
dellemissione di luce nello scintillatore ed inne lindice di rifrazione n. Questultimo
è importante poiche, nellaccoppiare lo scintillatore alle guide di luce, il numero di fotoni che si perdono è tanto minore quanto pi`
u lindice di rifrazione dello scintillatore
è vicino a quello della guida di luce.
2
La lunghezza di radiazione è denita come la lunghezza di materiale necessaria per attenuare

lenergia della particella incidente ad 1/e del suo valore. Essa dipende dalla densità, dal numero
atomico e dal numero di massa.
574
Materiale (g/cm3 ) r (cm) (ns) fotoni/MeV max (nm)

n
BaF2
4.89
2.03 0.6-620
2000-6500
220-310 1.45
CsI(T l)
4.51
1.86
900
51800
570 1.74
CsI(Na)
4.51
1.86
630
38500
420 1.74
CsI
4.51
1.86
6-35
16800
310-420 1.74
NaI(T l)
3.70
2.59
230
37700
410 1.85
BGO
7.13
1.13
300
8200
480 2.15
CaF2 (Eu)
3.18
3.5
1000
23650
435 1.43
NE102A
1.03
42.5
2.5
10000
425 1.58
Tabella 19.1: Caratteristiche di alcuni scintillatori. Le grandezze sono: la densità , la lunghezza di radiazione r , il tempo di decadimento , il numero di fotoni prodotti per MeV di energia
depositata nel materiale, la lunghezza donda max corrispondente al picco dellemissione di luce
nello scintillatore ed inne lindice di rifrazione n.
Come si vede dalla tabella, gli scintillatori organici plastici (mostrati nellultima riga della tabella) hanno tempi di decadimento molto pi`
u brevi di quelli che
caratterizzano gli scintillatori inorganici. In compenso, questi ultimi producono un
numero di fotoni, per unità di energia depositata dalla particella, molto maggiore.
Ciò è dovuto al fatto che si tratta tipicamente di materiali ad alto numero atomico
Z.
Quanto alla rapidità di risposta, solo lo Ioduro di Cesio, con =6 ns, può esser
pensato come un competitore degli scintillatori plastici.
Come accennato, i fotoni prodotti quando una particella attraversa uno scintillatore, possono essere rivelati facendo uso di un fotomoltiplicatore. Nella prossima
sezione discuteremo il principio di funzionamento di questi.
19.4
Fotomoltiplicatori
Un fotomoltiplicatore è un dispositivo che converte un (debole) segnale luminoso

in un impulso di corrente. Esso è costituito di un tubo a vuoto, come schematizzato in gura 19.3, sullinterno della cui faccia frontale è depositato un materiale
fotosensibile, cioè un materiale con una bassa soglia per leetto fotoelettrico.
Un certo numero di elettrodi sono posti allinterno del tubo (dinodi) con il compito di moltiplicare il piccolo numero di elettroni prodotti per eetto fotoelettrico
dalla radiazione che investe il fotocatodo. Inne un ulteriore elettrodo (anodo) raccoglie la nuvola di elettroni prodotta dalla moltiplicazione, fornendo in uscita un
breve impulso di corrente. Il fotocatodo è tenuto ad un potenziale negativo rispetto
allanodo, mentre i vari dinodi sono tenuti a potenziali (negativi) via via decrescenti
(in valore assoluto) andando dal fotocatodo verso lanodo3 .
Un elettrone prodotto nel processo di interazione del fotone incidente con il materiale che costituisce il fotocatodo, è accelerato verso il primo dinodo dal potenziale
3
In alcuni casi è il fotocatodo ad esser tenuto al potenziale di massa, mentre i dinodi e lanodo
sono tenuti a potenziali positivi.
19.4 Fotomoltiplicatori
575
photon
e-
Figura 19.3: Diagramma schematico di un tubo fotomoltiplicatore.
applicato. Qui esso può liberare 2 o pi`

u elettroni, che vengono accelerati verso il
secondo dinodo, e cos` di seguito. Si ha cos` un processo di moltiplicazione che
genera inne una nuvola di elettroni, raccolta poi dallanodo.
Nellesaminare la struttura ed il funzionamento di un tipico fotomoltiplicatore,
è opportuno distinguere il ruolo delle parti che lo compongono: il fotocatodo, il
sistema di focalizzazione degli elettroni emessi da questo, il sistema di moltiplicazione (costituito nella pi`
u gran parte dei casi da dinodi) con la relativa catena
di distribuzione delle tensioni tra i vari dinodi.
a) Il fotocatodo. Questo è costituito da un sottile strato di una sostanza a
bassa energia di estrazione, depositata sulla faccia interna della parte del fotomoltiplicatore che sarà esposta alla luce incidente. Allinterno del tubo è praticato il
` il fotocatodo che converte i fotoni incidenti in elettroni. Lecienza di
vuoto. E
conversione (sensibilità catodica) varia con la lunghezza donda della luce incidente.
Tale relazione tra sensibilità catodica e lunghezza donda è nota come caratteristica
spettrale.
La risposta spettrale può esser quotata in termini della sensibilità luminosa
(S) o della ecienza quantica (QE). La prima di queste grandezze è il rapporto tra la corrente fotoelettrica dal fotocatodo e la potenza luminosa incidente ad
una frequenza determinata. Essa è espressa in Ampere/Watt (A/W). Lecienza
576
quantica (QE) è il rapporto tra il numero di fotoelettroni emessi dal catodo ed il

numero di fotoni incidenti. Essa è normalmente espressa in percento. Le due diverse
espressioni della risposta spettrale sono legate tra loro dalla relazione:
QE =
S 1240
100
dove è la lunghezza donda della luce incidente espressa in nanometri.

La gura 19.4 mostra una tipica curva di risposta spettrale per un fotocatodo4
costituito da un materiale bialcalino (Sb-Rb-Cs o Sb-K-Cs).
TPMHB0528EA
CATHODE RADIANT SENSITIVITY (mA/W)

QUANTUM EFFICIENCY (%)
100
CATHODE
RADIANT
SENSITIVITY
10
QUANTUM
EFFICIENCY
1
0.1
0.01
200
400
600
800
WAVELENGTH (nm)
Figura 19.4: Ecienza quantica e sensibilita luminosa di un fotocatodo.

Valori tipici dellecienza quantica al massimo dello spettro variano tra il 10%
ed il 25%.
b) Lo stadio di focalizzazione o ottica dingresso. Questo ha lo scopo di far si
che gli elettroni emessi dal fotocatodo si dirigano verso la supercie utile del primo
dinodo. Esso può esser costituito da uno o pi`
u elettrodi. Tale ottica determina la
cosiddetta ecienza di raccolta () del primo stadio, denita come il rapporto
tra il numero di elettroni che raggiungono la supercie utile del primo dinodo ed
il numero totale di elettroni emessi dal fotocatodo. Il parametro dipende anche
dalla lunghezza donda della radiazione incidente e generalmente supera l80%.
c) Lo stadio di moltiplicazione. Questo, come già detto, è costituito da un
certo numero di dinodi , tenuti a potenziali progressivamente pi`
u elevati andando
dal primo allultimo dinodo. I fotoelettroni emessi dal fotocatodo sono accelerati
4
Le curve sono quelle del fotomoltiplicatore R1450 della Hamamatsu [31].
577
dal campo elettrico in modo da colpire il primo dinodo e produrre elettroni per
emissione secondaria. Si denisce fattore di emissione secondaria () il numero
medio di elettroni emessi da un dinodo colpito da un elettrone. Tale fattore dipende,
oltre che dal materiale di cui sono costituiti i dinodi, dal potenziale acceleratore
applicato, vale a dire dallenergia cinetica che gli elettroni prodotti acquistano per
eetto del campo. Valori tipici di variano tra 2 e 4. Gli elettroni secondari emessi
dal primo dinodo sono successivamente accelerati dal campo esistente tra primo e
secondo dinodo e, colpendo questultimo, danno luogo ad un numero pi`
u elevato di
elettroni. La ripetizione di tale processo nei successivi stadi produce inne unelevato
guadagno in corrente. Una corrente molto piccola alluscita del fotocatodo può cos`
dar luogo ad unelevata corrente dallanodo del fotomoltiplicatore.
Il guadagno (G) di un fotomoltiplicatore, denito come la carica allanodo
per unità di carica alluscita del fotocatodo (o equivalentemente come il numero di
elettroni che raggiungono lanodo per un elettrone emesso dal fotocatodo) dipende
ovviamente dal fattore di emissione secondaria e dal numero N di dinodi (numero
di stadi). I fotomoltiplicatori disponibili in commercio hanno tra 8 e 14 stadi, con
guadagni tipici di 107 .
Poiche il fattore di emissione secondaria aumenta rapidamente allaumentare
della tensione applicata, ed essendo il guadagno in carica del fotomoltiplicatore
proporzionale ad una potenza elevata di tale parametro, ne segue che una anche
piccola variazione della tensione applicata si traduce in unapprezzabile variazione
del guadagno.
Il fattore di moltiplicazione secondaria è infatti esprimibile [31] in funzione
della dierenza di potenziale Vd tra dinodi consecutivi, come:
= AVd
dove A è una costante ed un coeciente che dipende dalla geometria e dal materiale
di cui son fatti i dinodi. Valori tipici di variano tra 0.7 e 0.8. Se V = (N + 1)Vd
è la tensione applicata tra anodo e catodo, in un fotomoltiplicatore ad N stadi5 il
guadagno diviene:
G = N = AN VdN = AN
V N
= kV N
(N + 1)N
con k una costante.

Poiche il numero degli stadi è nel range 8-14, si vede da tale relazione che il
guadagno varia molto rapidamente con la tensione applicata V. Si ha:
dG = kV N
N
dV
V
da cui:
dG
dV
= N
G
V
Se ad esempio è N=14, una variazione dello 0.1% in V si traduce in una variazione
di circa l1% nel guadagno. Per tale motivo è importante far uso di alimentatori
` anche importante stabilire delle
dalta tensione che abbiano unelevata stabilità. E
5
Si è qui fatta lipotesi che tutte le Vd siano uguali.
578
condizioni di operazione del fotomoltiplicatore tali che la risposta dipenda poco dalla
tensione applicata (zona di plateau).
Lo schema tipico di alimentazione dei vari elettrodi (fotocatodo, dinodi ed anodo)
è quello mostrato in gura 19.5. Come si vede, esso è costituito da un partitore
resistivo. Per una buona stabilità delle tensioni applicate agli elettrodi è opportuno
che la corrente che uisce nel partitore sia grande rispetto a quella anodica media.
Lo scopo dei condensatori posti in parallelo ai dinodi pi`
u vicini allanodo è quello
di stabilizzare la tensione di questi ultimi qualora la corrente di elettroni tra catodo
ed anodo, e quindi la corrente nel partitore, aumenti bruscamente a seguito di un
improvviso aumento del usso luminoso in ingresso.
Dinodi
Fotocatodo
Anodo
R
R
-HV
R
C1
R
C2
R
C3
Figura 19.5: Schema di alimentazione di un tubo fotomoltiplicatore.
19.4.1
Risoluzione energetica di un fotomoltiplicatore
Una delle pi`

u importanti caratteristiche di un fotomoltiplicatore è la linearit`
a. La
carica qa raccolta allanodo in un breve intervallo di tempo è proporzionale al
numero dei fotoni che in un intervallo di tempo uguale hanno raggiunto il catodo.
Questo è a sua volta proporzionale allenergia che la particella ha depositato nello
scintillatore. Tale proporzionalità implica che se il fotocatodo è stato raggiunto da
un numero di fotoni tale da dar luogo ad un singolo fotoelettrone (tenendo conto
dellecienza quantica del fotocatodo) allanodo debba osservarsi una certa carica
q1 ; se il numero di fotoni, e quindi di fotoelettroni raddoppia, tale carica dovrà esser
doppia e cos` via.
In realtà, tale proporzionalità è vera solo in media. La distribuzione della carica
osservata allanodo quando al fotocatodo è prodotto un singolo fotoelettrone ha una
larghezza considerevole. Analoga cosa è vera nel caso di due o pi`
u fotoelettroni
prodotti al catodo. Ciò che continua ad esser vero è che i valori medi delle rispettive
distribuzioni sono proporzionali al numero di fotoelettroni prodotti.
La situazione è complicata ulteriormente dal fatto che, per un dato numero nf
di fotoni incidenti sul fotocatodo, il numero ne di fotoelettroni è uguale a nf solo
in media. Il numero osservato in una serie di misure uttuerà attorno a tale valore
579
secondo la statistica di Poisson:

P (ne ) =
con e =
nne e ene
ne !
ne , e quindi:
1
e
=
ne
ne
Per piccoli valori di ne , le uttuazioni relative sono importanti.
Un meccanismo analogo è quello che, nella catena di moltiplicazione, dà luogo
a uttuazioni nella carica raccolta allanodo per un numero ssato di fotoelettroni
prodotti al catodo.
Anche in tal caso infatti la moltiplicazione che ha luogo a ciascun dinodo è
soggetta a uttuazioni di tipo Poissoniano. Ciò è particolarmente importante ai
primi dinodi, dove il numero di elettroni è piccolo e quindi maggiore è la uttuazione
relativa.
Se ammettiamo che si abbiano N dinodi, tutti caratterizzati da un medesimo
fattore di moltiplicazione , il guadagno G = N avrà una varianza relativa data da:
2
4
2N
2
G
=
+
+
G
che si ottiene considerando indipendenti le uttuazioni

su ciascun dinodo e som
mandole quadraticamente. Essendo poi = (statistica di Poisson) otteniamo:
2 1
1
1
1
G
= + 2 + N
G

Si vede da tali espressioni che il massimo contributo alle uttuazioni è quello

dovuto ai primi stadi di moltiplicazione.
Nel caso in cui, come spesso accade, il primo stadio abbia un fattore di moltiu elevato, ed indicando con lecienza di raccolta di tale stadio, si
plicazione 1 pi`
dimostra [30] che tale espressione diviene:
2
11
G
= 2 +
G
1 1
dove 2 è la varianza relativa al fattore .
Se si ammette che sia uguale ad 1, questa si semplica in:
2
1
G
=
G
1 1
Complessivamente leetto delle uttuazioni nel fattore di moltiplicazione e di
quelle nellemissione di fotoelettroni sulla varianza relativa nel numero di fotoelettroni che arrivano allanodo in un piccolo intervallo di tempo è dato da [33]:
2
1
G 2
n
=
1+
n
nf
G
dove n = nf G è il numero di elettroni che nel tempo arrivano allanodo, nf il numero medio di fotoni che colpiscono il fotocatodo nellunità di tempo e lecienza
quantica del fotocatodo.
580
La risoluzione relativa R diventa allora:

E
n
2.36
G
R=
= 2.36
=
1+
E
n
G
nf
dove possiamo assumere che sia:
G
=
G
1 ( 1)
Ammettiamo ad esempio che sia:
nf = 100
= 0.2
1 = 7
Troveremo allora:
2.36
R=
20
, =4

4
= 62.5%
1+
21
Il risultato di tali uttuazioni si traduce in distribuzioni di carica raccolta allanodo che hanno, al posto di picchi molto stretti corrispondenti ad 1, 2, 3,.. fotoelettroni, dei massimi in distribuzioni del tipo di quella mostrata in gura 19.6, relativa
al fotomoltiplicatore Hamamatsu M16, analizzata nella referenza [32].
number of entries
M16 ADC Spectrum at 1000V

ID
Entries
Mean
RMS
3000
2500
400
200000
297.3
179.7
1185. / 533
0.4353E+05
5.117
76.99
50.10
216.1
1.533
0.2476
0.2281E-01
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
2000
1500
1000
500
100
200
300
400
500
600
ADC Channel
Figura 19.6: Distribuzione della carica raccolta allanodo del fotomoltiplicatore Hamamatsu
M16.
581
Qui si nota un piedistallo a circa 80 conteggi ADC, corrispondente ad un numero di fotoelettroni uguale a zero, seguito da un massimo a circa 220 conteggi,
corrispondente ad un singolo fotoelettrone, un ulteriore massimo a circa 370 conteggi, corrispondente a due fotoelettroni, e ad un continuo in cui non si distinguono
gli altri massimi. Sottraendo dal numero di conteggi relativi ad 1 e 2 fotoelettroni,
quello relativo al piedistallo, si trova che il massimo corrispondente ad 1 fotoelettrone ha 140 conteggi ADC e quello corrispondente a 2 fotoelettroni 290 conteggi
ADC. Vediamo quindi che, entro gli errori, le posizioni dei due massimi sono nel
corretto rapporto di 2 ad 1. Vediamo anche che la larghezza del secondo massimo è
maggiore di quella corrispondente
al primo. Si potrebbe vericare che le larghezze
2 /1 stanno nel rapporto 2. La gura 19.7 mostra il risultato ottenuto per il fotomoltiplicatore Hamamatsu M64, analizzato nella medesima referenza, caratterizzato
da una migliore risoluzione energetica. Vediamo che ora si distingue chiaramente
anche il picco corrispondente a 3 fotoelettroni ed inoltre che i picchi corrispondenti
ad 1 e 2 fotoelettroni sono nettamente pi`
u stretti.
number of entries
M64 ADC Spectrum at 1000V

ID
Entries
Mean
RMS
2250
2000
1750
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
1500
1250
1000
750
100
100000
111.2
59.90
856.9 / 253
0.2135E+05
3.266
32.06
10.95
78.89
1.605
0.3086
0.5322E-01
500
250
0
50
100
150
200
250
300
350
400
ADC Channel
Figura 19.7: Distribuzione della carica raccolta allanodo del fotomoltiplicatore Hamamatsu
M64.
19.4.2
Risoluzione temporale
In misure di brevi impulsi luminosi, associati al passaggio di particelle attraverso

lo scintillatore, il segnale anodico dovrebbe riprodurre fedelmente la distribuzione
temporale del segnale luminoso in ingresso. Tale riproducibilità è però notevolmente
inuenzata dal cosiddetto tempo di transito (TT) degli elettroni nel tubo, dal tempo
di salita del segnale anodico e dallo spread nel tempo di transito (TTS).
582
Come mostrato in gura 19.8 il tempo di transito è lintervallo tra larrivo dellimpulso luminoso (ipotizzato come innitamente stretto, in pratica di durata inferiore
a 50 ps) al fotocatodo e listante in cui il segnale anodico raggiunge il suo valore
massimo. Il tempo di salita del segnale anodico è denito come il tempo richiesto
perchè esso passi dal 10% al 90% del valore di picco, quando il fotocatodo sia illuminato uniformemente da un segnale luminoso di durata inferiore a 50 ps. Valori
tipici di tale tempo sono di 1-2 ns.
Segnale luminoso
di breve durata
Segnale anodico
10%
Tempo di salita
Tempo di discesa
90%
Tempo di transito
Figura 19.8: Rappresentazione graca del tempo di transito in uno scintillatore.

Il tempo di transito uttua tra un impulso e laltro. Il valore RMS della distribuzione dei tempi di transito per un gran numero di impulsi di durata ugualmente
breve è noto come Transit Time Spread (TTS). Il TTS è di grande importanza in
misure che richiedano una risoluzione temporale spinta. Valori tipici del TT sono di
20-40 ns; quelli del TTS sono di una frazione di ns.
19.5
Forma dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore
Il segnale alluscita del fotomoltiplicatore è un breve impulso di corrente, il cui integrale è la carica totale, proporzionale al numero di fotoelettroni liberati al catodo
del fotomoltiplicatore. Tale impulso di corrente è tipicamente convertito in un impulso di tensione, facendo uso di una resistenza RL posta tra anodo e massa, come
Qui la capacità C rappresenta leetto combinato della capacità dellanodo rispetto agli altri elettrodi e delle capacità dei cavi di collegamento. Loperazionale, non
sempre presente, è utilizzato come adattatore dimpedenza.
Il fotomoltiplicatore può cioè esser considerato, con ottima approssimazione, un
19.5 Forma dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore
583
Dinodi
Fotocatodo
Anodo
RL
R
-HV
C1
C2
Output
R
C3
Figura 19.9: Schema elettrico di un fotomoltiplicatore con lo stadio di uscita.

generatore di corrente, in parallelo con la capacità vista dallanodo guardando verso
massa e con una resistenza R, come schematizzato in gura 19.10.
Figura 19.10: Circuito equivalente di un fotomoltiplicatore.

Esaminiamo ora landamento del segnale alluscita del fotomoltiplicatore. Ammettendo che il segnale luminoso al fotocatodo sia quello emesso dallo scintillatore
e che questo si possa approssimare con una singola costante di tempo, la corrente
anodica sarà data da:
Ne e t/s
i(t) = G
e
s
dove G è il guadagno del fotomoltiplicatore; Ne il numero di fotoelettroni emessi
dal catodo; e la carica dellelettrone; s la costante di decadimento dello scintillatore.
Lequazione del nostro circuito è:
1
A
R
R/sC
=
v = iZ = A
R + 1/sC s + 1/s
(s + 1/ )(s + 1/s )
con:
A = G
Ne e
s
e = RC.
Se = s , lantitrasformata può esser calcolata con facilità facendo uso della
relazione (2.14) a pagina 42.
584
Si trova:
RA
v =

est
s + 1/s

+
s=1/
est
s + 1/
=
s=1/s

&
et/
GNe eR % t/
et/s
e
et/s =
=
+
1/s 1/
1/ 1/s
s
&
Q % t/
e
=
et/s
C s
dove Q = GNe e è la carica totale liberata allanodo.
Se = s , cioè se la costante di tempo del circuito è uguale a quella dello
scintillatore, lantitrasformata di Laplace si può calcolare facendo uso della (2.15) a
pagina 42. Si ha in tal caso:
RA
=
RA
1
(s + 1/ )2
v =
da cui:
RGNe e t/
Q t/
RA t/
=
te
=
te
te
2
C
Landamento della v(t) è qualitativamente mostrato in gura 19.11, nel caso in
cui sia = s ed in gura 19.13 nel caso = s :
v(t) =
s=1 ns
0.8
v(t)
[V ]
0.6
0.4
0.2
= 0.1 ns
= 0.4 ns
= 2 ns
= 5 ns
10
15
tempo (ns)
Figura 19.11: Andamento dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore ( = s ).

Si può vericare che lampiezza vmax nel primo caso è data da:
s
$

s
s
Q
vmax =
C s
s
s
e si ha per:
t=
s
s
ln
s
19.5 Forma dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore
585
0.8
Vmax(r)
0.6
0.4
0.2
10
20
30
40
50
r =/ s
Figura 19.12: Andamento dellampiezza del segnale di un fotomoltiplicatore in funzione del

rapporto /s .
v(t) (volts)
0.08
0.06
0.04
0.02
10
20
= s = 5ns
= s =10ns
30
40
50
tempo(ns)
Figura 19.13: Andamento dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore ( = s ).

Landamento in funzione del rapporto r = /s è mostrato in gura 19.12. Si
vede che lampiezza è massima quando la costante di tempo del circuito è molto
maggiore di quella dello scintillatore s .
Nel caso = s il massimo si ha per t = ed esso vale:
Q
Ce
Nel caso in cui è s lampiezza del segnale è ridotta, ma essa riproduce
fedelmente la forma del segnale dallo scintillatore. Il tempo di salita è rapido ed è
determinato essenzialmente dalla costante di tempo del circuito. Quello di discesa è
invece determinato da s . In tali condizioni si dice che si lavora nel modo corrente,
poichè v(t) in tali condizioni è una replica della corrente attraverso la resistenza R.
Per s lampiezza del segnale aumenta, ma contemporaneamente limpulso
si allunga. La durata dellimpulso in tali condizioni è determinata essenzialmente
vmax =
586
dalla costante di tempo del circuito. Il tempo di salita è invece determinato da

s , ed è quindi breve. Si dice che si lavora nel modo tensione, poiche ora v(t) è
essenzialmente la dierenza di potenziale ai capi di C, che integra la corrente.
In genere si preferisce lavorare nel modo tensione, poiche in tali circostanze si
hanno impulsi pi`
u elevati ( 1 V ). Il prezzo che si paga è che gli impulsi sono
molto pi`
u lunghi e che, come conseguenza, ad elevati rate di conteggio si può avere
sovrapposizione di impulsi generati da arrivi successivi di particelle sul rivelatore.
Tale fenomeno è noto come pile-up e su di esso torneremo in seguito.
Lavorando nel modo corrente si può eliminare tale inconveniente e si ha inoltre il
vantaggio di un segnale che riproduce la forma del segnale emesso dalla scintillatore
(che è utile in alcune applicazioni particolari). Il prezzo che si paga è quello di un
segnale di pochi mV, quindi fortemente inuenzato dal rumore.
Per una trattazione esauriente dei rivelatori a scintillazione e dei fotomoltiplicatori si consultino le referenze [27], [30], [31].
19.6
Rivelatori a gas
Tra la ne del 1930 e gli inizi del 1940 furono sviluppati tre nuovi tipi di rivelatori
di particelle, che avrebbero poi giocato un ruolo sempre pi`
u importante, insieme
agli scintillatori che già esistevano, in Fisica Subnucleare. Questi erano: la camera
a ionizzazione, il contatore proporzionale ed il contatore di Geiger-Mueller. Questi
rivelatori erano tutti basati sul medesimo principio: la ionizzazione prodotta da
particelle cariche nei gas. Schematicamente, essi sono costituiti da un recipiente
sigillato contenente una miscela di gas inerti, allinterno del quale sono presenti due
elettrodi tra cui è applicata una elevata dierenza di potenziale.
Una particella che attraversi la zona occupata dal gas, può liberare delle cariche
(elettroni e ioni) lungo il proprio cammino. Per eetto della dierenza di potenziale applicata, nascerà una corrente di drift degli elettroni verso lelettrodo tenuto
a potenziale positivo e degli ioni verso quello tenuto a potenziale negativo. Su
tali elettrodi si avrà quindi una corrente, proporzionale al numero di ioni-elettroni
prodotti e quindi allenergia che la particella ha perduto nellattraversare il mezzo6 .
Il pi`
u antico dei rivelatori a gas, la camera a ionizzazione, ha ora un limitato
campo di applicazioni. Essa ha tipicamente come elettrodi due armature conduttrici
parallele, come mostrato in gura 19.14.
Il campo elettrico costante esistente nella zona compresa tra le armature fa si
che elettroni e ioni migrino verso di esse, generando un segnale di corrente rivelabile.
Occorre che il campo elettrico sia sucientemente elevato da impedire che elettroni
e ioni possano ricombinarsi prima di raggiungere le rispettive armature. Anche se gli
elettroni, durante il moto di drift, subiscono molti urti con gli atomi del gas, la loro
energia cinetica non è sucientemente elevata da causare ulteriori ionizzazioni del
gas. Questo è il tipico funzionamento della camera a ionizzazione, in cui il segnale
raccolto è giusto la ionizzazione primaria prodotta dalla particella. Poiche il numero
delle coppie elettrone-ione prodotte è tipicamente 120/cm, il segnale ottenuto è di
modesta entità.
6
Ricordiamo che una particella carica che attraversi un gas perde allincirca 30 eV per ogni
coppia elettrone-ione prodotta.
19.6 Rivelatori a gas
587
Particella carica
- + +
+ - -+
+ +
Miscela di gas
Figura 19.14: Schema di camera a ionizzazione a facce piane e parallele.

Se indichiamo con q la carica di ionizzazione (elettrone o ione) prodotta in un
punto posto a distanza x dallarmatura positiva del rivelatore ed assimiliamo questo
ad un condensatore a facce piane e parallele separate da una distanza d, il lavoro
compiuto dal campo elettrico nello spostamento della carica q di un trattino dx è:
dW = Eqdx =
V
qdx
d
Questa variazione di energia deve esser compensata da un lavoro compiuto dal generatore, che deve mantenere costante la dierenza di potenziale V fornendo una
certa carica dQ. Lenergia spesa dal generatore è:
2
Q
QdQ
dWg = d
=
2C
C
Uguagliando questa a dW si ottiene:
V
QdQ
= qdx
C
d
CV dx
dx
q
=q
Q d
d
In un tempo dt avremo quindi, per gli elettroni:
dQ =
dQe =
q
q dxe
dt = ve dt
d dt
d
dove ve = dxe /dt è la velocità di drift degli elettroni nel campo elettrico E.
Analogamente avremo, per gli ioni:
q
dQi = vi dt
d
dove vi è la velocità di drift degli ioni.
588
La velocità di drift è legata al campo elettrico dalla relazione:

v=
E
P
dove P è la pressione del gas ed il coeciente vale allincirca:

e 103 cm2 V 1 s1
per gli elettroni, e:
i 1 cm2 V 1 s1
per gli ioni.

Per campi elettrici di 103 V /cm, valori tipici delle velocità di drift nei gas a
pressione atmosferica sono:
ve 106 cm/s
e:
vi 103 cm/s
Se prendiamo ad esempio: d=1 cm ed integriamo il segnale su 1 s, otteniamo allora:

dQi = 103 q
dQe = q
Vediamo quindi che il segnale dovuto agli elettroni è 103 volte quello dovuto agli
ioni.
Con campi elettrici di circa 100 V/cm, in una camera a ionizzazione spessa 1 cm
il tempo di drift è 10s per gli elettroni e 10ms per gli ioni. Si tratta quindi di
un rivelatore intrinsecamente lento.
Se lintensità del campo elettrico vien portata a valori abbastanza pi`
u elevati, gli
elettroni possono acquistare unenergia cinetica suciente a causare ulteriori processi
di ionizzazione e dar quindi luogo ad un processo a valanga (scarica Townsend).
Questa è la zona di funzionamento schematicamente indicata in gura 19.15.
Nella gura, le due diverse curve sono relative rispettivamente a particelle (curva superiore) e ad elettroni (curva inferiore). La curva relativa a particelle , che
producono un numero di coppie/cm molto pi`
u elevato, è circa due ordini di grandezza pi`
u in alto (almeno per potenziali applicati inferiori a circa 700 V). Notiamo, in
entrambe le curve, il tratto iniziale, in cui una gran parte delle coppie prodotte si
ricombinano, il che fa si che laltezza dimpulso osservata sia molto piccola. Segue
un tratto (plateau della regione di ionizzazione) dove laltezza dimpulso è costante
al variare del potenziale. Qui la ricombinazione non ha pi`
u luogo e la carica totale raccolta coincide con quella prodotta dalla ionizzazione. Questa è la zona di
funzionamento di una camera a ionizzazione.
Continuando ad aumentare il potenziale applicato, il campo elettrico comincia ad
essere abbastanza elevato che ciascun elettrone prodotto acquista unenergia cinetica
suciente a ionizzare a sua volta altri atomi, producendo una minuscola valanga.
Questa regione di funzionamento si raggiunge per valori tipici del potenziale di
un centinaio di Volt. Questa è la zona di funzionamento detta proporzionale.
A tensioni ancora pi`
u elevate (diverse centinaia di Volt), leetto di moltiplicazione aumenta rapidamente ma, con laumentare del numero di valanghe prodotte,
589
Figura 19.15: Ampiezza dimpulso misurata in un rivelatore a gas, al variare della tensione
applicata. La curva superiore è relativa a particelle , quella inferiore ad elettroni.
queste cominciano ad interagire tra loro; si entra nella zona nota come di proporzionalità limitata. Se il potenziale vien fatto aumentare ulteriormente, la carica
raccolta diviene indipendente dalla ionizzazione che lha prodotta. In questa zona,
come si vede dalla gura, la curva relativa alle particelle viene a coincidere con
quella relativa agli elettroni e forma un plateau allaumentare della tensione. Questa
è nota come regione di Geiger-Mueller. I rivelatori che operano in questa zona, noti
comunemente come contatori Geiger , sono molto usati in misure di radioattività.
Ci concentreremo ora su quello che è oggi il pi`
u adoperato dei rivelatori a gas,
quello che opera nella zona di proporzionalità, noto appunto come contatore
proporzionale.
19.6.1
Il Contatore Proporzionale
Un notevole progresso nello sviluppo dei rivelatori a gas si è avuto con la realizzazione
dei contatori proporzionali, il cui prototipo, mostrato in gura 19.16, è costituito da
un cilindro metallico, avente un diametro dellordine del centimetro, costituente il
catodo del rivelatore.
Si costruiscono oramai strutture costituite dallequivalente di migliaia di contatori proporzionali assemblati in geometrie planari. Queste, note come Camere
Proporzionali a Fili, consentono di determinare con buona precisione il punto in cui
una o pi`
u particelle hanno attraversato la struttura.
Lungo lasse del cilindro è tenuto sotto una leggera tensione un sottile lamento
metallico avente un diametro di poche decine di m, isolato elettricamente dalle
pareti del cilindro. Questo costituisce lanodo del rivelatore.
Il cilindro è chiuso alle estremità e riempito con un gas a pressione atmosferica.
In genere si adopera un gas nobile (Argon) con laggiunta di una piccola percentuale
590
+V0
C
Segnale
Figura 19.16: Prototipo di contatore proporzionale.

( 10%) di un gas quale CO2 o CH4 . La dierenza di potenziale applicata tra
il lamento centrale (anodo) e linvolucro metallico (catodo) è di diverse centinaia
di Volt. Gli elettroni liberati dal passaggio di una particella nel rivelatore sono
accelerati verso lanodo dal campo elettrico:
E(r) =
V0
r ln( rrwc )
(19.1)
dove r è la distanza dallanodo, V0 il potenziale applicato, rc il raggio del contenitore

ed rw quello del lo. In prossimità di questultimo, dove il campo acquista valori
estremamente elevati, gli elettroni hanno ormai acquistato abbastanza energia da
ionizzare a loro volta, producendo altri elettroni che sono nuovamente accelerati. Il
processo si ripete molte volte no a generare una carica apprezzabile che è poi raccolta dallanodo. Gli ioni positivi prodotti migreranno invece verso il catodo producendo un impulso di tensione 7 alluscita (anodo nellesempio) del rivelatore. I segnali
prodotti sono proporzionali alla ionizzazione iniziale. Questo tipo di rivelatore può
quindi fornire informazioni sullenergia depositata dalla particella nellattraversarlo.
Notiamo che, a causa della moltiplicazione nel numero di elettroni causato dallelevato campo elettrico, il dispositivo in questione ha un guadagno intrinseco elevato (valori tipici vanno da qualche centinaio a diverse migliaia). Ciò implica, oltre a
segnali di ampiezza apprezzabile, basse uttuazioni e quindi unottima risoluzione
energetica e temporale.
Se un elettrone è generato in un certo punto posto a distanza r dal lo, indicando
con q la carica ottenuta nel processo di moltiplicazione (con q negativa per gli
elettroni, positiva per gli ioni) ed ammettendo che tale carica si sposti nel campo
elettrico di un trattino dr in un tempo dt, il lavoro compiuto dal campo sarà:
dW = qE(r)dr
Il generatore che alimenta il contatore dovrà fornire, per mantenere costante il
potenziale V0 , una carica dQ tale da compensare questo lavoro. Il lavoro fatto
dal generatore è:
2
Q
Q
dWg = d
= dQ
2C
C
7
In realt`
a il moto delle cariche verso gli elettrodi induce un segnale in corrente. Questo è però
integrato dalla capacità del rivelatore, producendo cos` un segnale in carica, e quindi una tensione
ai capi di tale capacit`
a.
591
dove C è la capacità del rivelatore (condensatore cilindrico di raggio interno rw ed

esterno rc ).
Uguagliando le due espressioni dellenergia, troviamo:
dQ =
C
qE(r)dr
Q
da cui, facendo uso dellespressione del campo elettrico (19.1):

dQ =
V0
dr
Cq
q
dr =
Q r ln(rc /rw )
ln(rc /rw ) r
(19.2)
Notiamo che la carica qe , uguale in modulo a qi , si sviluppa, come questa, nelle

immediate vicinanze del lo (anodo) dove il campo elettrico raggiunge valori molto
elevati. Ne segue che il moto di drift degli elettroni (verso lanodo) sarà estremamente breve, mentre quello degli ioni, che debbono raggiungere la parete esterna del
rivelatore (catodo) dovendo attraversare una zona di campo molto meno intenso e
con una minore mobilità, durerà molto pi`
u a lungo.
La carica totale indotta sul catodo dagli ioni è però molto maggiore di quella indotta sullanodo dagli elettroni. Per calcolare la prima, integriamo lespressione (19.2) tra il punto dove la carica si è sviluppata, a distanza r dallasse, ed il
punto di raccolta degli ioni, ad un raggio rc :
rc
dr
q
q
Qi =
ln(rc /r)
=

ln(rc /rw ) r
ln(rc /rw )
r
La carica indotta sullanodo dal moto degli elettroni è invece:
rw
dr
q
q
=
ln(r/rw )
Qe =

ln(rc /rw ) r
ln(rc /rw )
r
Il rapporto delle due è:
ln(r/rw )
Qe
=
Qi
ln(rc /r)
dove, per quanto detto, si ha tipicamente:
r
2
rw
rc
1000
r
Ne segue:
Qe
< 0.1
Qi
Gli elettroni danno quindi un contributo minore alla carica indotta.
Lintensità della corrente associata agli elettroni è però, nei primi istanti dopo
la produzione della carica, molto maggiore di quella associata agli ioni, che dura
peraltro molto pi`
u a lungo.
La prima di queste è infatti data da:
ie =
dQe dr
dQe
=
dt
dr dt
592
dove:
q
Qe (r ) =
ln(rc /rw )
r
r
q
d
=
ln(r /r)
ln(rc /rw )
e quindi:
q
1
dQe
=

dr
ln(rc /rw ) r
` poi:
E
dr
V0
= ve (r ) = e E(r ) = e
dt
r ln(rc /rw )
Si ha pertanto:
ie (r ) =
V0
1
qV0
q
e
=
e
2
ln(rc /rw ) r r ln(rc /rw )
ln (rc /rw ) r 2
Analogamente troviamo:
ii (r ) =
qV0
i
ln (rc /rw ) r 2
2
In queste espressioni la variabile r è la distanza dallasse a cui è calcolata la corrente.

Nel caso degli elettroni tale distanza è limitata a 40 m, mentre nel caso degli
ioni essa arriva no a cm. Essendo inoltre la mobilità degli elettroni 103
volte quella degli ioni, vediamo che il rapporto delle correnti ie /ii , nel (brevissimo)
intervallo di tempo in cui quella dovuta agli elettroni è nita, è dellordine di 109 .
Si vede cos` che il segnale di corrente ha una componente veloce, ma di grande
ampiezza, dovuta agli elettroni, sovrapposta ad una componente che è pi`
u lunga di
molti ordini di grandezza, ma di ampiezza molto minore, dovuta agli ioni.
Analizzando in dettaglio il segnale generato da una particella carica che attraversa il rivelatore depositando una carica q, si può dimostrare che la forma dellimpulso
di tensione generato dagli ioni è data da:

q
CV0
v(t) =
ln 1 +
t
4L
rc2
dove:
L = lunghezza del rivelatore
= costante dielettrica del gas
C=
ln( rrc )
= capacità per unità di lunghezza del condensatore cilindrico.
= mobilità degli ioni nel gas

V0 = potenziale applicato
q = carica prodotta dalla ionizzazione primaria
rc = raggio del cilindro
rw = raggio del conduttore interno (lo)
593
7.5
v(t)
Segnale dal contatore
6.0
4.5
3.0
Segnale differenziato
1.5
Tempo (s)
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Figura 19.17: Andamento del segnale alluscita di un contatore proporzionale.

t = tempo (misurato a partire dallistante in cui la particella è passata)
Landamento tipico della v(t) è mostrato in gura 19.17:
Il segnale è intrinsecamente lungo. Occorrerà quindi dierenziarlo, ad esempio
utilizzando un circuito CR. Il segnale risultante dalla dierenziazione è mostrato
nella stessa gura.
A causa del processo di moltiplicazione a valanga che ha luogo nel gas, e del
fatto che è possibile realizzare rivelatori in cui la zona di gas attraversata dalla
particella è relativamente spessa ( cm), lampiezza dei segnali prodotti da tale
tipo di rivelatore è intrinsecamente elevata e pone quindi richieste di non grande
entità sullelettronica posta a valle.
19.6.2
Il modo streamer limitato
Segnali di ampiezza ancora pi`

u elevata si ottengono nel modo di funzionamento a
streamer limitato, usato prevalentemente in camere multilo sensibili alla posizione
di passaggio delle particelle cariche (tubi di Iarocci). Anche in questo tipo di rivelatori la carica di ionizzazione primaria che si forma lungo la traiettoria della particella
incidente subisce unamplicazione per la formazione di valanghe di Townsend, ma
le modalità con cui tali valanghe si propagano attraverso il gas sono diverse. La
dierenza è dovuta in particolare al modo in cui sono trattati i fotoni ultravioletti
emessi dagli atomi del gas eccitati dalle collisioni degli elettroni durante levoluzione
della valanga stessa. Tali fotoni possono infatti provocare a loro volta ulteriori ionizzazioni di atomi. Nel modo proporzionale, il processo a valanga viene soppresso
dallaggiunta di un gas cosiddetto di quenching, ad esempio isobutano, il quale è in
grado di assorbire i fotoni ultravioletti senza ulteriore rilascio di elettroni.
594
Nei contatori Geiger i fotoni emessi in una valanga si propagano per tutta la
lunghezza del lamento. Il processo quindi si arresta solo quando le valanghe secondarie, prodotte dai fotoni stessi, hanno occupato lintero volume del gas, generando
un segnale saturato che non dipende dal numero di coppie di ioni iniziali.
Nei rivelatori a streamer limitato luso di particolari miscele di gas in grado di
assorbire i fotoni ultravioletti fa s` che il processo di moltiplicazione avvenga in modo
controllato e solo in prossimità della regione di ionizzazione primaria. In questo
modo le valanghe si sviluppano in forma di stretti streamer che si estendono solo
per pochi millimetri, in direzione radiale, a partire dal lo anodico. Lo streamer
termina quando il campo elettrico, di intensità decrescente mano a mano che ci si
allontana dallanodo, non è pi`
u in grado di generare ulteriori valanghe.
Nel modo di funzionamento a streamer limitato si ottengono i vantaggi di un
elevato guadagno intrinseco tipico del contatore Geiger, ma senza i lunghi tempi
morti che caratterizzano questultimo a causa della carica spaziale che si produce
per tutta la lunghezza del lo, la quale schermando il campo elettrico nella regione
di moltiplicazione rende il rivelatore stesso inutilizzabile per circa 100 s.
19.7
Rivelatori a semiconduttore
In un normale diodo a semiconduttore realizzato mediante una giunzione p-n si ha

una corrente apprezzabile solo se la polarizzazione applicata è diretta. Lapplicazione
invece di una polarizzazione inversa darà luogo ad una corrente molto piccola (la
corrente inversa I0 ) dovuta alla generazione termica di coppie elettrone-lacuna nella
zona p ed in quella n (vedi gura 19.18). Attorno alla giunzione si forma quella che è
nota come zona di svuotamento, dove è presente un accumulo di cariche negative
sul lato p della giunzione e positive sul lato n. Notiamo che le cariche presenti
in tale regione sono legate; esse non contribuiscono alla conducibilità che, in tale
zona, è estremamente bassa. Di qui il termine zona di svuotamento.
Se una particella ionizzante attraversa la zona di svuotamento, essa libererà
coppie elettrone-lacuna lungo il percorso. Come mostrato in gura, gli elettroni
generati nella zona di svuotamento sul lato p saranno allora accelerati dal potenziale
esterno V applicato e uiranno verso la zona n. Analogamente, le lacune generate
nella zona n in prossimità della giunzione saranno accelerate dal potenziale V e si
muoveranno verso la zona p.
Si avrà in tal modo un improvviso aumento della corrente inversa attraverso
il diodo. La misura di tale corrente può essere utilizzata per rivelare il passaggio della particella ed eventualmente per valutare lenergia che essa ha depositato
nellattraversare il mezzo (cioè la zona di svuotamento).
La generazione di coppie elettrone-lacuna in una giunzione p-n attraversata da
una particella carica è, per molti rispetti, simile alla produzione di coppie elettroneione nei rivelatori a gas, con una importante dierenza. Mentre nel caso dei rivelatori
a gas lenergia necessaria a produrre una coppia era 30 eV, nel caso di un semiconduttore sono sucienti 3-4 eV, cioè un ordine di grandezza meno. Poiche la
risoluzione in energia del rivelatore è tanto migliore quanto maggiore il numero di
coppie prodotte, ne segue un indubbio vantaggio nel caso dei rivelatori a semiconduttore. A ciò contribuisce anche la maggior densità del materiale nel caso di un
19.7 Rivelatori a semiconduttore
giunzione
595
zona di svuotamento
n
e-
h+
particella carica
potenziale
V0
Figura 19.18: Principio di funzionamento di un rivelatore a semiconduttore e andamento del

potenziale in prossimità della giunzione.
semiconduttore, rispetto al caso del gas. Per farci unidea del segnale che possiamo
aspettarci in un tipico rivelatore, consideriamo ad esempio il caso di un rivelatore
al silicio dello spessore di 300 m. Una particella ultrarelativistica (particella ionizzante al minimo o MIP) che attraversa tale spessore, deposita unenergia di circa
116 KeV. Poiche bastano circa 3.6 eV per produrre una coppia elettrone-lacuna, il
numero di coppie prodotte sarà:
np =
116
1000 32200
3.6
corrispondenti ad una carica di:

32200 1.6 1019 C = 5.16 1015 C
cioè circa 5 fC.
I materiali adoperati per realizzare i diodi da usare come rivelatori sono principalmente il silicio ed il germanio. Rivelatori al germanio sono adoperati in misure
che richiedano una elevata risoluzione energetica (no a 150-200 eV). Ciò è possibile
grazie al fatto che si riesce a produrre Ge con elevatissime purezze (concentrazioni di
impurezze che scendono no a 1010 atomi/cm3 ), il che consente di realizzare diodi
al Ge che possono operare con tensioni inverse molto elevate e conseguentemente
con zone di svuotamento molto ampie (no a 10 mm). Purtroppo, tali rivelatori
debbono essere operati a bassissime temperature ( 80 o K) a causa della bassissima
(0.7 eV) dierenza di energia tra banda di conduzione e banda di valenza nel Ge.
Se un rivelatore al Ge fosse adoperato a temperatura ambiente, la corrente inversa
risultante sarebbe inaccettabilmente elevata.
596
Un uso molto pi`

u diuso hanno i rivelatori al Si, che possono essere adoperati a
temperatura ambiente. I diodi utilizzati come rivelatori in sica nucleare e subnucleare sono di regola drogati in modo fortemente sbilanciato: un materiale di tipo p
viene fortemente drogato n da un lato (o viceversa). Inoltre, lo spessore del materiale
di tipo p è molto maggiore di quello di tipo n. In tali condizioni la zona di svuotamento verrà ad estendersi in profondità nel lato p (quello di maggiore spessore),
contatti ohmici
V+
zona svuotata
n+
R
VOUT
particella ionizzante
Volume sensibile
Figura 19.19: Schema di alimentazione di un rivelatore a semiconduttore.

La zona di svuotamento si estenderà tanto pi`
u in profondità allinterno della
zona p quanto pi`
u elevata sarà la polarizzazione inversa applicata. Si può dimostrare
(ref. [27], pag. 217, [29], pag. 357, [34] pag. 181) che la profondit`
a della zona di
svuotamento è data da:

2V0
d
eNA
dove V0 è la tensione inversa applicata, NA la concentrazione degli accettori
(nellipotesi ND NA ) ed la costante dielettrica del materiale.
Come vediamo, la profondità della zona di svuotamento cresce con la radice
quadrata della tensione inversa applicata. Se il rivelatore è di piccolo spessore sarà
facile raggiungere una tensione tale da far si che la larghezza della zona svuotata,
d, divenga praticamente uguale allo spessore del detector. Si dice che il rivelatore è
allora completamente svuotato. Nei rivelatori comunemente adoperati, il completo
svuotamento si raggiunge per tensioni di 50-100 V.
Questa condizione di lavoro è quella quasi sempre adoperata.
Si può facilmente vedere che, per un rivelatore completamente svuotato, il campo elettrico decresce linearmente in funzione della distanza x dalla giunzione. Se la
tensione inversa applicata è maggiore di quella che corrisponde al completo svuotamento, il campo elettrico sarà la somma di quello uniforme dovuto a tale tensione
in eccesso e di quello linearmente decrescente che corrisponde al completo svuotamento. Se la tensione inversa vien fatta aumentare ulteriormente, il termine costante
diverrà quello dominante. Useremo nel seguito tale modello.
Dobbiamo ora esaminare i processi che hanno luogo nel rivelatore quando questo
è attraversato da una particella carica. Sono possibili due situazioni estreme:
597
(a) la particella deposita tutta la sua energia in un punto ben preciso, caratterizzato da un determinato valore di x;
(b) la particella attraversa tutto il rivelatore, depositando energia a tutti i possibili
valori di x.
Calcoleremo la risposta temporale del rivelatore nel caso a). La risposta nel
caso b) potrà poi essere ottenuta, eettuando una opportuna integrazione, a partire
da quella relativa al caso a), dove si intenda per energia depositata quella della
singola coppia elettrone-lacuna, nel dato punto del campo presente allinterno del
diodo.
Notiamo che il diodo svuotato può essere assimilato ad un condensatore piano,
di spessore pari alla larghezza d della zona di svuotamento che, nel caso in esame,
coincide in pratica con lo spessore sico del rivelatore.
Esaminiamo leetto che il moto di drift delle cariche (elettroni e lacune) liberate nella zona di svuotamento, ha sulla carica presente sulle armature del
condensatore-diodo. La capacità del condensatore è:
A
d
dove A è la supercie delle armature ed la costante dielettrica.
Se la dierenza di potenziale ai capi del condensatore è V, la sua energia sarà:
C =
E =
1
Q2
CV 2 =
2
2C
Una carica elementare q (elettrone o lacuna), posta ad una distanza x dalla

giunzione, avrà unenergia:
E = qxE(x) = qxE
dove E è il campo elettrico, che nel caso in esame non dipende da x. Essendo
poi E = V /d, avremo:
V
d
Se ora la carica si sposta di un tratto innitesimo dx, la conseguente variazione
della sua energia (cioè il lavoro che il campo avrà fatto su di essa) sarà:
E = qxE = qx
dE = q
V
dx
d
(19.3)
A questa dovrà corrispondere una variazione dellenergia totale del condensatore:

2
Q
Q
= dQ
(19.4)
d
2C
C
Uguagliando le espressioni (19.3) e (19.4) si trova:
Q
q
dQ = V dx
C
d
598
da cui:
q
dx
d
Nel caso in esame, le cariche che si spostano per eetto del campo elettrico sono
lelettrone e la lacuna prodotta nel punto di ascissa x. Esse si muoveranno in versi
opposti ma, avendo cariche opposte, i loro eetti saranno concordi.
Lelettrone si muoverà in direzione opposta a quella del campo elettrico (cioè
verso destra nella gura), la lacuna nella direzione del campo.
Le rispettive velocità di drift ve e vh (costanti se il campo è costante) sono date
da:
ve = e E
dQ =
vh = h E
dove e e h sono le rispettive mobilità (che, per il silicio a temperatura ambiente,
valgono: e 1350cm2 /(V s) e h 480cm2 /(V s)).
La carica totale indotta dal moto dellelettrone al tempo t sarà allora:
q
Qe (t) = ve t
d
Se indichiamo con Ne il numero di elettroni prodotti nel punto x, la relativa
corrente sarà:
Ne q
Ie (t) =
ve
d
al tempo t = x/ve lelettrone avrà raggiunto la giunzione (che, nel modello in
esame, rappresenta una delle armature del condensatore). La carica nale indotta
dal moto di un singolo elettrone sarà quindi:

x
q
= x
Qe t =
ve
d
Analogamente, la carica indotta dal moto di una singola lacuna al tempo t sarà:
q
vh t
d
e la relativa corrente, per un numero Nh di lacune prodotte nel punto x, sarà:
Qh (t) =
Nh q
vh
d
Questa sarà diversa da zero no allistante:
Ih (t) =
t =
dx
vh
A tale istante la carica Qh avrà raggiunto laltra armatura. La carica nale

indotta dal moto di una singola lacuna sarà allora:

dx
dx
= q
Q t=
vh
d
La carica complessiva raccolta sarà:
q
q
x + (d x) = q
d
d
599
Se la radiazione incidente perde tutta la propria energia appena al di là della

giunzione, x sarà molto piccolo ed il contributo degli elettroni sarà trascurabile (la
relativa corrente si annulla in tempi molto brevi). Sopravvive in tal caso il solo
contributo delle lacune.
Riassumendo, i contributi alla carica raccolta al tempo t sono dati da:
Qe (t) =
Qh (t) =
q
x
ve t (0 < t < )
d
ve
q
dx
vh t (0 < t <
)
d
vh
q
x
(ve + vh )t (0 < t < )
d
ve
Q(t) =
Q(t) =
q
x
dx
vh t ( < t <
)
d
ve
vh
Q(t)
q
(q x/d)(1+vh/ve)
t
x/ve
(d-x)/vh
Figura 19.20: Forma dellimpulso di carica in un rivelatore a semiconduttore con campo

elettrico costante.
Landamento temporale della carica raccolta sarà allora quello indicato in gura 19.20 dove si è fatta lipotesi che sia:
x
dx
>
vh
ve
Ciò è vero nellipotesi che la polarizzazione inversa applicata al diodo sia sucientemente elevata da poter considerare il campo elettrico costante nellintera zona
attiva.
Qualora invece la polarizzazione applicata fosse giusto quella suciente ad ottenere il completo svuotamento del rivelatore, il campo avrebbe un andamento
linearmente decrescente andando dalla giunzione (valore massimo del campo) allestremità della zona attiva del rivelatore (campo nullo). In tal caso le formule
ottenute vanno modicate. Il risultato (vedasi [27] e [29]) è:
Qe (t) =

h
q
x 1 ee t/h (t < )
d
e
600
q
h
x(1 e) (t )
d
e

q
Qh (t) = x 1 et/
d
dove = /; è la costante dielettrica, la conducibilità e e e h indicano
rispettivamente le mobilità degli elettroni e delle lacune. Inoltre x è la distanza dalla
giunzione del punto dove la coppia è stata prodotta.
La forma del corrispondente impulso di carica è quella mostrata in gura 19.21.
Qe (t) =
Q(t)
0.2
0.1
0
0
1.10 7
2 .10 7
3 .10 7
4 .10 7
5 .10 7
time(s)
Q h(t)
Q e(t)
Qtot
Figura 19.21: Forma dellimpulso di carica in un rivelatore a semiconduttore con campo

elettrico linearmente decrescente.
Il parametro determina ora il tempo di salita del segnale. In silicio abbiamo

= 1012 s, con la resistività espressa in cm. Quindi, per 1000 cm,
= 1 ns.
Notiamo che Qh (t) satura asintoticamente al valore qx/d, mentre Qe (t) satura
al valore (q/d)x(1 e).
Notiamo poi che, non essendo presente nel caso dei rivelatori a semiconduttore alcun processo di moltiplicazione come quello incontrato nel caso dei tubi proporzionali
e degli scintillatori accoppiati a fotomoltiplicatori, il segnale prodotto da un rivelatore a semiconduttore è relativamente piccolo. Si dovrà quindi ricorrere ad una
preamplicazione del segnale prima di ogni ulteriore elaborazione/trasmissione dello
stesso. Si dovrà quindi trasformare il segnale in carica in un segnale in tensione ed a
tale scopo si ricorrerà ad un preamplicatore di carica, come discusso qui di seguito.
19.7.1
Preamplicatori di carica per rivelatori a semiconduttore
Un tipico preamplicatore è illustrato nella gura 19.22(a). Supporremo che lamplicatore invertente indicato abbia un guadagno A indipendente dalla frequenza.
601
(a)
R
Input
Cd
VO
(b)
Input
Z'
Cd
VO
Figura 19.22: Amplicatore di carica per rivelatore a semiconduttori.

In questo circuito Cd schematizza la capacità associata al detector pi`
u eventuali
cavetti di collegamento con lamplicatore, in parallelo alla capacità dingresso del
preamplicatore. Poiche Cd può cambiare con la temperatura, scelta del punto di
lavoro etc., è importante realizzare un circuito che fornisca una risposta indipendente da tale capacità. Ciò è quanto avviene nel circuito di gura. Per vederlo,
ammettiamo che il segnale in ingresso sia un impulso di corrente:
i(t) = Q(t)
con:
i(t)dt = Q
0
Facendo uso del teorema di Miller, trasformiamo il circuito in quello mostrato in

gura 19.22(b), dove è:
Z
Z =
1+A
con A il modulo del guadagno dellamplicatore e Z il parallelo di R con limpedenza
capacitiva associata a C:
Z =
1
1
=
C(s + 1/RC)
C(s + 1/ )
dove = RC.
Quindi:
1
C(1 + A)(s + 1/ )
La trasformata dellimpedenza del parallelo di Z e ZCd è:
Z =
1
C(1 + A)/ + [C(1 + A) + Cd ] s
602
La risposta sarà, come richiesto, indipendente da Cd se è:

Cd C(1 + A)
In tal caso, lespressione precedente diventa:
1
1
ZT ot
C(1 + A) s + 1/
La trasformata della tensione allingresso dellamplicatore sarà ora:
vin = ZT ot i(s) = ZT ot Q
dove i(s) è la trasformata della i(t).
Lultima uguaglianza segue dal fatto che la trasformata di Laplace di i(t) = Q(t)
è giusto Q.
Da questa, antitrasformando, si ottiene:
vin =
Q
et/
C(1 + A)
e quindi:
vout =
AQ
Q
et/ et/
C(1 + A)
C
Quindi la risposta di tale amplicatore dipende solo dalla capacità di feedback

C. Il tempo di caduta del segnale dipende dal prodotto = RC.
Notiamo ancora che il guadagno dellamplicatore, cioè il rapporto tra tensione
in uscita e carica in ingresso per t = 0 è uguale ad 1/C, con C la capacità di
feedback.
19.8
Struttura della catena di rivelazione ed amplicazione
La funzione principale di un amplicatore di impulsi in sica nucleare/subnucleare

è quella di trasformare il debole segnale generato dal rivelatore, dopo averlo amplicato ed opportunamente riformato, in un impulso pi`
u adatto per la successiva
elaborazione. Il primo passo di tale elaborazione consiste nellimmagazzinamento
(sample and hold) del segnale analogico e nella successiva conversione dellaltezza dellimpulso in un numero (conversione analogico-digitale mediante ADC) ed
eventualmente del tempo associato al fronte di salita del segnale in un numero
(conversione tempo-digitale mediante un TDC).
In tale processo, il rivelatore ha il compito di convertire lenergia depositata in
una carica elettrica, che può dar luogo ad un segnale in corrente, se la costante di
tempo associata al preamplicatore è piccola rispetto alla durata del processo che dà
luogo al deposito di energia nel rivelatore; ad un segnale in carica nel caso opposto.
Il rivelatore è seguito da un preamplicatore, che converte il segnale di carica (o
di corrente) in un segnale di tensione, con un minimo contributo di rumore. Questo
è seguito da un amplicatore-formatore e dalla catena di lettura.
19.8 Struttura della catena di rivelazione ed amplicazione
603
Linformazione contenuta nellimpulso iniziale deve essere preservata in tale processo. A tale scopo il sistema preamplicatore-formatore-amplicatore deve esser
tale da fornire una relazione lineare tra lampiezza del segnale prodotto dal rivelatore e quella del segnale alluscita dellamplicatore, conservando al medesimo
tempo linformazione temporale. Forma, ampiezza e contenuto in rumore del segnale che il preamplicatore fornisce allamplicatore sono determinati dal rivelatore
e dal preamplicatore. Notiamo che lenergia depositata dalla particella nel rivelatore è proporzionale alla carica totale depositata sulla capacità dingresso del
preamplicatore, cioè a:
i(t)dt
0
Se tuttavia la forma dellimpulso di corrente è costante tra segnali successivi,

allora laltezza dellimpulso è anchessa proporzionale allenergia depositata e può
quindi esser adoperata come una misura di questa. Di qui la terminologia di pulseheight analysis.
La carica totale generata da ciascuna particella assorbita nel rivelatore è direttamente proporzionale allenergia che essa ha perduto. Si tratta di cariche molto
piccole, che variano tra 1015 e 1010 Coulomb/impulso (cioè tra 1 fC e 100 pC).
La durata dellimpulso varia a seconda del rivelatore e, per un dato rivelatore,
può variare con il tipo di particella e con la sua energia. La durata pi`
u breve si ha
nel caso dei rivelatori a scintillazione e nei rivelatori a semiconduttore aventi una
zona di svuotamento poco profonda. In tali casi, le durate tipiche variano tra 0.1 e
10 ns. Le durate pi`
u lunghe si hanno nel caso dei rivelatori a gas (10 ns-5 s).
Per ciò che concerne lenergia convertita in carica, i fattori di conversione () nel
caso dei rivelatori a semiconduttore sono 3.6 eV/coppia elettrone-lacuna nel silicio
e 2.9 eV nel caso del Germanio. Non si ha moltiplicazione.
Nei rivelatori a scintillazione il valore eettivo di varia tra 3 e 30 eV/elettrone,
con guadagni dellordine di 107 nel fotomoltiplicatore.
Nei rivelatori a gas i fattori di conversione valgono 25-35 eV/coppia elettroneione. I fattori di moltiplicazione sono dellordine di 104 nel caso dei contatori
proporzionali.
Notiamo ancora che, anche nei casi in cui il segnale alluscita del rivelatore è una
corrente, è lintegrale di questa, cioè la carica, che è direttamente legata allenergia
` quindi necessario in tal caso integrare il segnale.
rilasciata nel rivelatore. E
Se la costante di tempo degli elementi presenti alluscita del rivelatore è piccola
rispetto alla durata della corrente, la forma del segnale in uscita sarà preservata ed
avremo un segnale del tipo current-mode. Se viceversa la costante di tempo è
grande, il segnale in corrente sarà integrato dal preamplicatore ed avremo in uscita
un segnale di tensione: V=Q/C, dove Q è la carica totale rilasciata nel detector e C
è la capacità duscita. Limpulso di tensione avrà poi un decadimento esponenziale
con costante di tempo determinata dal rivelatore. Il tempo di salita sar`
a invece
coincidente con il tempo di salita dellimpulso di corrente e non dipenderà dalla
costante di tempo del circuito.
Nella scelta di un sistema di preamplicazione-amplicazione-shaping, è necessario tener conto di diversi fattori. Tra questi i pi`
u importanti sono:
1. il rumore introdotto dagli amplicatori;
604
2. la risposta temporale, legata al problema del pile-up;

3. la linearità.
Di alcuni di questi problemi ci occuperemo nelle prossime sezioni.
19.8.1
Preamplicatori e rumore
Se il segnale alluscita del rivelatore è di piccola ampiezza, il rumore elettronico

` questo il caso dei rivelaintrodotto dal preamplicatore diviene importante. E
tori a semiconduttore, ma anche di altri (ad esempio quelli ad Argon liquido) che
non possiedono un meccanismo interno di moltiplicazione della carica, quale quello
presente ad esempio nei tubi proporzionali.
Val la pena di ricordare che la risoluzione in energia è determinata sia dalla risoluzione intrinseca del rivelatore che dai limiti posti dal rumore associato ai
preamplicatori-amplicatori che seguono il rivelatore. A sua volta, la risoluzione intrinseca del rivelatore è determinata dalle uttuazioni nel numero di coppie elettroneione nel caso dei rivelatori a gas, dal numero di coppie elettrone-lacuna nel caso di
quelli a semiconduttore, ed inne dal numero di fotoelettroni che arrivano ai primi
dinodi del fotomoltiplicatore nel caso di uno scintillatore.
Se indichiamo con Ef lutt il contributo alla risoluzione da parte delle uttuazioni
e con Eelec quello dovuto al rumore degli amplicatori, la risoluzione sarà:

2
E = Ef2lutt + Eelec
A seconda del tipo di rivelatore, potrà risultare dominante luno o laltro dei due
contributi. Ad esempio, in un rivelatore a scintillazione sarà in genere dominante
Ef lutt ; in un rivelatore a semiconduttore basato sul Ge sarà dominante il rumore
elettronico.
Poiche il segnale di tensione alluscita del preamplicatore corrisponde ad una
carica alluscita del rivelatore (la carica accumulata sul condensatore dingresso del
preamplicatore), il rumore osservato in uscita, cioè il valore quadratico medio vrms
della tensione in uscita, può essere espresso come quella carica che, se presente
alluscita del rivelatore, darebbe alluscita del preamplicatore una tensione pari a
vrms . Questa è nota come carica equivalente di rumore (Equivalent Noise Charge
o ENC). Notiamo che la carica media di rumore è nulla, mentre è diverso da zero il
suo valore quadratico medio.
Anche se la carica depositata nel corso di ogni singolo evento fosse costante,
il valor medio osservato alluscita dellamplicatore uttuerebbe come conseguenza
del rumore introdotto dallamplicatore stesso. Poiche lenergia depositata è proporzionale alla carica depositata, ciò implica un limite sulla risoluzione energetica.
Se indichiamo con Cin la capacità dingresso del preamplicatore, con A0 lamplicazione e con Qn = ENC la equivalent noise charge, avremo:
vrms
ENC = Qn = Cin
A0
` però uso comune quello di quotarla
Le dimensioni della ENC sono Coulomb. E
in numero di elettroni, dividendo il valore in Coulomb per la carica dellelettrone
(1.6 1019 Coulomb).
605
Esaminiamo ad esempio il legame tra ENC e risoluzione in energia nel caso di

un rivelatore al silicio. Per produrre una coppia elettrone-lacuna nel silicio sono
necessari in media 3.66 eV. Se osserviamo un gran numero di eventi in ciascuno dei
quali una particella di energia E deposita (per produzione di coppie elettrone-lacuna)
tutta la sua energia nel materiale, il numero di coppie sarà:
np =
E (eV )
3.66
(19.5)
La carica alluscita del detector sarà:

q = np 1.6 1019 =
1.6 1019 E
(C) = 0.437 1019 E (C)
3.66
(19.6)
e la tensione alluscita del preamplicatore:

v =
A0
q
A0 = E
0.437 1019 (V olt)
Cin
Cin
(19.7)
Se possono essere trascurate le uttuazioni statistiche sul numero np di coppie,

la tensione in uscita dovrà avere un valore ben denito, uguale per tutti gli eventi.
La distribuzione sarà cioè una funzione (v). Il rumore del preamplicatore altera
questa situazione. Non avremo pi`
u una funzione ma una gaussiana, la cui larghezza
a metà altezza è legata al rumore introdotto dallamplicatore.
Se indichiamo con Q la carica totale depositata in un evento, con Qn la carica
di rumore nel medesimo evento e con Qt la carica eettiva totale, avremo:
Qt = Q + Qn
Q2t = Q2 + Q2n = Q2 + Q2n
poiche stiamo facendo lipotesi che la carica depositata sia sempre la medesima.
Daltronde, poiche la carica Qn uttua con valor medio zero, avremo:
Qt = Q
Lo scarto quadratico medio della carica totale sarà allora:
2
2
Q
= Q2t Qt = Q2n = ENC 2
La uttuazione sullenergia misurata sarà allora:

E = Q /0.437 1019 (eV )
la larghezza a metà altezza della distribuzione in energia sarà poi data da:
= F W HM = E 2.36
(19.8)
dove il fattore 2.36 è quello che lega la larghezza a metà altezza alla della distribuzione.
Ad esempio, una ENC di 500 elettroni, corrispondente ad una carica di 8 1017
(C), corrisponde ad una FWHM per lenergia di 1.83 KeV.
606
La ENC dipende sia dalle caratteristiche del preamplicatore, che dalla capacità
duscita del rivelatore e di quella associata ai cavi di collegamento. Si può far vedere
(vedi sezione 19.8.9) che essa è esprimibile come:
ENC = k1 + k2 Cext
dove Cext contiene leetto delle capacità associate ai cavi ed al rivelatore, mentre
il contributo della capacità dingresso del preamplicatore è contenuto nel termine
k1 . Le costanti k1 e k2 , dipendenti dal preamplicatore, sono normalmente fornite
dal costruttore.
19.8.2
Rumore elettronico
Abbiamo visto come il rumore dovuto al rivelatore ed allelettronica di amplicazione inuisca sulla risoluzione energetica. Ci proponiamo ora di analizzare con
maggior dettaglio tale problema. Per una trattazione approfondita dellargomento
si consultino le referenze [36] e [35].
Inizieremo con lanalizzare leetto che sul rumore ha la capacità Cdet del rivelatore.
Occorre però premettere alcune considerazioni sulle possibili sorgenti di rumore
e sui loro eetti, ricordando che stiamo parlando di rumore prodotto allinterno
dellamplicatore, anche se, seguendo la consuetudine, parliamo di rumore riferito
allingresso dellamplicatore. Molte delle considerazioni che faremo sono già state
discusse nel capitolo 18.
I tipi di rumore che conosciamo sono:
1. rumore termico. Questo è caratterizzato da uno spettro di potenza dato da:
dPnoise
= 4KT
df
o equivalentemente da una tensione quadratica media di rumore:
2
dVnoise
= 4KT R
df
e2n =
o da una corrente quadratica media:

i2n =
2
dInoise
4KT
=
df
R
2. shot noise. Questo è caratterizzato da una corrente quadratica media:

i2n =
2
dInoise
= 2qe I
df
dove qe è la carica dellelettrone ed I la corrente costante.

3. rumore 1/f. La potenza di rumore per unità di intervallo di frequenza è:
1
dPnoise
=
df
f
con 0.5 2.0
607
Il rumore totale dipende dalla larghezza di banda del sistema. Ad esempio,

la tensione totale di rumore alluscita di un amplicatore di tensione avente un
guadagno Av (f ) è data da:

2
von =
e2n A2v (f )df
0
Occorre tener presente la distinzione tra la larghezza di banda (signal bandwidth) dellamplicatore e la larghezza di banda di rumore (noise bandwidth)
del medesimo.
Ammettiamo infatti che il guadagno dellamplicatore sia espresso come:
A(f ) = A0 G(f )
con A0 il valore massimo del guadagno e G(f ) landamento in funzione della frequenza.
La larghezza di banda fs dellamplicatore è denita come:
fs = fmax fmin
dove fmax ed fmin sono rispettivamente la frequenza di taglio superiore ed inferiore.
La larghezza di banda di rumore fn è denita dalla relazione:

e2ni |A0 G(f )|2df = eni A0
G2 (f )df = eni A0 fn
vno =
0
dove vno è la tensione di rumore alluscita dellamplicatore ed eni quella allingresso

e dove si suppone che il rumore sia bianco.
Consideriamo come esempio il semplice amplicatore a transistor di gura 19.23.
Il guadagno è dato da:
Av = gm RL
1
1 + jRL C0
dove gm è la transconduttanza del transistor.

Ponendo in questa:
gm RL A0
1
G(f ) =
1 + j(2f RL C0
Si ottiene con semplici passaggi:

2
G (f )df =
fn =
0
df
1+
4 2 (RL C0 )2 f 2
1
4RL C0
Mentre la banda passante dellamplicatore, come si può facilmente vedere è:

fs =
1
2RL C0
Vediamo cos` che le due grandezze: noise bandwidth e signal bandwidth, non
sono in genere uguali.
608
VC C
RL
Vi
V0
i0
C0
Figura 19.23: Amplicatore a transistor adoperato nel calcolo della banda di rumore.
Esaminiamo ora la dipendenza del rapporto segnale/rumore dalla capacità del
rivelatore e dalla capacità dingresso del preamplicatore, distinguendo tra i tre
possibili tipi di preamplicatore: di tensione, di carica e di corrente.
Se lamplicatore è di tensione, e la sua costante di tempo è abbastanza grande
da integrare il segnale di corrente rilasciato dal rivelatore, la tensione in ingresso
sarà data da:

i(t)dt
Qdet
vin =
=
C
C
dove C è la somma della capacità del rivelatore, di quella dei cavetti di collegamento e
di quella dingresso del preamplicatore. Trascurando quella dei cavetti, chiameremo
Cdet la capacità del rivelatore e Cin quella del preamplicatore.
Per una data tensione di rumore vn allingresso del preamplicatore avremo per
il rapporto segnale/rumore (S/N):
S
1
vin
=
N
vn
C
Vediamo che il rapporto segnale/rumore aumenta al diminuire di C. Se inoltre è
Cdet Cin il rapporto S/N diviene indipendente da Cdet .
Esaminiamo ora il caso di un amplicatore di carica, come quello di gura 19.24.
Lo schema è simile a quello già visto, con lunica dierenza che ora la resistenza
in parallelo a Cf è assente. Il guadagno in tensione dellamplicatore senza feedback
è:
dv0
A=
dvi
Per il guadagno in carica dellamplicatore con feedback si può facilmente vericare
che esso è dato da:
dv0
1
AQ
=
f
dQi
Cf
609
Cf
Qi
A
C det
V0
Vi
Figura 19.24: Amplicatore di carica.

Infatti la dierenza di potenziale ai capi di Cf è data da:
vf = (A + 1)vi
La carica depositata su Cf sarà:
Qf = Cf vf = Cf (A + 1)vi
Questa deve uguagliare Qi poiche limpedenza dingresso dellamplicatore è molto
grande. Ne segue:
Qi
= (A + 1)Cf
vi
Questa è quindi la capacità dingresso del nostro amplicatore. Il guadagno in carica
è allora:
v0
Avi
A
1
=
=

AQ
f =
Qi
Ci vi
(A + 1)Cf
Cf
Come visto, la capacità dingresso: (A + 1)Cf è molto grande ed in genere è molto
maggiore di Cdet . Ne segue che la tensione duscita è indipendente da Cdet .
Cosa possiamo dire per ciò che riguarda il rumore ? Notiamo che questo nasce
allinterno dellamplicatore. Non esiste un segnale di rumore allingresso. Tuttavia,
la presenza del feedback fa si che una parte del rumore in uscita sia riportato in
ingresso. Essendo il guadagno in carica uguale a 1/Cf , un segnale di rumore vn0 in
uscita implica allingresso una carica di rumore data da:
Qni =
vn0
= vn0 Cf
AQ
f
Il rumore vni ora è dovuto esclusivamente a vn0 attraverso il partitore capacitivo

costituito da Cdet e Cf . Si ha quindi:
vni = vn0
ZCdet
Cf
= vn0
ZCdet + ZCf
Cf + Cdet
610
Pertanto:
Qni = vn0 Cf = vni (Cf + Cdet )
Il rapporto segnale/rumore sarà allora:
Qs 1
Qs
Qs
=
=
Qni
vni (Cdet + Cf )
vni C
Cioè ancora una volta il rapporto va come linverso della capacità. Notiamo però
che ora il segnale Qs è costante al variare di C, mentre il rumore è proporzionale a
C.
Si può inne vedere che se il preamplicatore è di corrente, il risultato è uguale
a quello ottenuto nei due casi precedenti.
19.8.3
Formazione dei segnali prodotti da rivelatori di

particelle
Da quanto si è visto nei paragra precedenti, il segnale alluscita del rivelatore è

nella pi`
u gran parte dei casi un segnale in carica che, opportunamente integrato,
fornisce un segnale in tensione. Tale segnale ha in genere un piccolo tempo di salita
(determinato dalla piccola costante di tempo del rivelatore) ma un tempo di decadimento molto lungo (qualche decina di s). In prima approssimazione possiamo
rappresentare il segnale come mostrato in gura 19.25(a). Laltezza del segnale è
proporzionale allenergia rilasciata.
Il problema che qui si incontra è costituito dal fatto che, lavorando a rate elevati,
i successivi impulsi vengono a sommarsi, di modo che laltezza di un impulso è la
somma di questo e delle code di quelli che lo hanno preceduto, come illustrato in
gura 19.25(b). Tale fenomeno è noto come pile-up.
Per risolvere tale problema occorre trasformare il segnale originale in uno abbastanza stretto da evitare il problema del pile-up, conservando però linformazione
sullaltezza dimpulso. Un metodo spesso adoperato a tale scopo è quello noto come
CR-RC shaping, tramite un circuito che eettua prima una dierenziazione e poi
unintegrazione del segnale. Un circuito che realizza tale funzione è mostrato in
gura 19.26, dove gli inseguitori di tensione con amplicazione unitaria fungono da
adattatori dimpedenza.
La funzione di trasferimento del circuito è:
sC1 R1
1
1
s
=
(19.9)
1 + R1 C1 s 1 + R2 C2 s
2 (s + 1/1 )(s + 1/2 )
Se limpulso di tensione alluscita del rivelatore è un esponenziale caratterizzato da una costante di tempo molto grande, possiamo schematizzarlo approssimativamente con un gradino di tensione di altezza A. Ricordando che la trasformata del gradino unitario è 1/s, la tensione in uscita dal formatore sarà data
dallantitrasformata di:
G(s) =
1
(19.10)
2 (s + 1/1 )(s + 1/2 )
Lantitrasformata può essere ricavata seguendo il procedimento adottato in precedenza in questo capitolo. Si trova:
vout = A
611
v(t)
t
(a)
v(t)
t
(b)
Figura 19.25: Forma dei segnali alluscita di un rivelatore di particelle.

C1
vin
1
R1
R2
1
C2
vout
Figura 19.26: Circuito formatore CR-RC.

a) per 1 = 2 :
vout (t) =

A1 t/1
et/2
e
1 2
(19.11)
b) per 1 = 2 :
A t/
te
(19.12)
La forma di tali impulsi, simile nei due casi indicati, è qualitativamente indicata
in gura 19.27.
Nella gura, la curva (a) è stata ottenuta facendo uso di valori 1 = 1 s, 2 =
2 s; la (b) per 1 = 2 s, 2 = 1 s e la (c) per 1 = 2 = 1s.
vout (t) =
612
0.6
out
0.4
0.2
0
0
1.10 6
2 .10 6
3 .10 6
4 .10 6
tempo (s)
5 .10 6
6 .10 6
a
b
c
Figura 19.27: Andamento del segnale alluscita di un circuito CR-RC.

Notiamo che nel caso 1 = 2 , il massimo si ha per:
t(vmax ) =
1 2
2
ln
2 1 1
Il corrispondente valore di vmax può facilmente essere ottenuto dalla (19.11). Ponendo r = 2 /1 , troviamo:

A
1
1
vmax =
1 r r r/(r1) r 1/(r1)
Per 1 = 2 = troviamo invece:
t(vmax ) =
e
A
e
La scelta delle costanti di tempo dipende in primo luogo dalla costante di tempo
del rivelatore, cioè dal tempo necessario per la raccolta della carica. Se si vuol
ridurre il pile-up è desiderabile scegliere dei valori il pi`
u possibile piccoli, in modo da
assicurare un rapido ritorno allo zero del segnale in uscita. Daltro canto, il risultato
che abbiamo ottenuto era basato sullipotesi che il segnale allingresso del formatore
CR-RC fosse molto lungo, in modo da poterlo approssimare con un gradino.
Se il tempo di decadimento del segnale è invece corto, la funzione di trasferimento
continuerà ad esser data dallequazione (19.9), ma la trasformata dellinput (che è
un esponenziale) sarà ora:
1
s + 1/
e la trasformata delloutput sarà:
vmax =
vout = A
s
2 (s + 1/ )(s + 1/1 )(s + 1/2 )
(19.13)
613
Si può risolvere tale equazione e far vedere che la soluzione è:

1
et/ +
[( 1 )( 2 )]
1
et/1
+
[(1 2 )( 1 )]
1
et/2 ]
[(1 2 )( 2 )]
v(t) = A 1 [
Questa ha laspetto mostrato in gura 19.28.
0.05
vout(t)
5.10 6
1 .10 5
1.5.10 5
t(s)
Figura 19.28: Forma dellimpulso alluscita di un circuito CR-RC per un segnale con tempo
di decadimento breve.
Si vede che il segnale raggiunge un massimo, ridiscende no a raggiungere valori

negativi e poi risale lentamente verso lo zero. Tale discesa a valori negativi causa un
pile-up di segnali (questa volta il successivo segnale siede sulla coda di un impulso
negativo) ed è un difetto da correggere 8 .
Notiamo per inciso che la coda è dovuta alla costante di tempo dellamplicatore.
La (19.13) ha uno zero a numeratore e tre poli in s = 1/ , s = 1/1 , s =
1/2 . Se si riesce a trasformarla in una funzione priva di zeri e con solo due poli
(come era la (19.10)), il problema sarà risolto.
La soluzione è stata trovata da Nowlin e Blankenship (Review of Scientic
Instruments, 36, 1830 (1965)) ed è nota come pole-zero cancellation.
La modica da apportare al circuito consiste nel porre una resistenza in parallelo
al condensatore che eettua la dierenziazione, come mostrato in gura 19.29.
La funzione di trasferimento è ora:
1
R1 (1 + RC1 s)
G(s) =
R1 (1 + RC1 s) + R sC2 R2 + 1
che, ponendo:
= RC1 , =
8
Questo è noto come undershoot.
R1
, 2 = R2 C2
R1 + R
614

R
R2
C1
vin
R1
C2
vout
Figura 19.29: Circuito formatore CR-RC con pole-zero cancellation.

può essere messa nella forma:
G(s) =
1 s + 1/
1

2 s + 1/ s + 1/2
La trasformata della risposta allesponenziale:

vin (t) = Aet/
sarà:
vout =
s + 1/
1
1
A

2 s + 1/ s + 1/ s + 1/2
Scegliendo ora R e C1 in modo tale che = , si ottiene:

vout =
1
A

2 (s + 1/ )(s + 1/2 )
Cioè abbiamo una risposta del tipo desiderato.

Possiamo scegliere ancora R1 in modo tale che sia uguale al vecchio valore di
1 , ed il risultato sarà esattamente quello voluto.
Notiamo che con il procedimento adottato abbiamo spostato la posizione dello
zero della funzione di trasferimento iniziale in uno zero nel punto 1/ ed abbiamo
fatto in modo che fosse giusto uguale alla costante di tempo dellesponenziale
in ingresso, in modo tale da cancellare lo zero con il polo in s = 1/ . Di qui
lorigine del nome.
19.8.4
Altri metodi di shaping dei segnali
Esistono molti altri metodi per la formazione (shaping dei segnali). Dettagli possono
esser trovati nelle referenze: [26] (pagg. 91 e seguenti), [27] (pagg. 272-275), [29]
(pagg. 564-582).
Ci limiteremo qui ad accennare sommariamente ad alcuni dei metodi seguiti.
19.8.5
Shaping CR (RC)n
Questo è anche noto come shaping gaussiano.
615
Se facciamo seguire ad un singolo circuito CR (dierenziatore) n circuiti RC

(integratori) si ottiene un impulso in uscita che è, con buona approssimazione, una
gaussiana. Se tutte le costanti di tempo sono uguali a , la soluzione è:
n
t
vout = v0
et/
In pratica, un circuito CR (RC)4 da già dei buoni risultati.

In tale circuito, il tempo necessario perche il segnale raggiunga il suo valore
massimo è n , ed è quindi pi`
u lungo di quello ottenibile con un semplice circuito
CR-RC. Tuttavia la discesa a zero è molto pi`
u rapida ed il pileup è quindi ridotto.
Il metodo dello shaping gaussiano ha anche il vantaggio di migliorare il rapporto
segnale/rumore.
19.8.6
Shaping triangolare
` stato dimostrato che lottimo dal punto di vista del rapporto segnale-rumore è otE
` possibile approssimare
tenibile con un circuito che fornisca un segnale triangolare. E
tale comportamento facendo uso di ltri attivi.
19.8.7
Spostamento della linea di zero
Con tale termine si intende il fatto che un segnale periodico (o allincirca periodico)
il cui valor medio sia diverso da zero, acquista un valor medio zero se lo si fa passare
attraverso un condensatore. Ciò è legato al fatto che un condensatore non può
trasmettere una componente continua. Poiche i formatori (shapers) che abbiamo
descritto utilizzano tutti dei condensatori in serie per eettuare la dierenziazione
del segnale, questo sarà inevitabilmente spostato in modo che il valor medio sia nullo
(vedi gura 19.30).
v(t)
spostamento della linea di zero
Figura 19.30: Andamento del segnale a valor medio nullo alluscita di un circuito formatore.
Tale fenomeno (comunemente indicato come baseline shift) causa unalterazione dellampiezza dei singoli impulsi, normalmente riferita allo zero. Si può
inoltre vedere che lo spostamento dipende dalla frequenza di arrivo degli impulsi,
il che lo rende ancora pi`
u fastidioso, in quanto, essendo nella pi`
u gran parte dei
616
casi tale frequenza variabile in modo casuale, laltezza dimpulso risulterà alterata
in modo altrettanto aleatorio, con conseguente allargamento dello spettro misurato.
Si può ovviare a tale problema essenzialmente con due tecniche diverse. La prima
di queste, nota come baseline restoration consiste nellutilizzo di appositi circuiti
che riportano il segnale a zero dopo ciascun impulso. Per dettagli, si vedano le
referenze [26] e [29].
La seconda tecnica consiste nel trasformare limpulso unipolare come quello n
qui ipotizzato, in un impulso bipolare. Questo ha già un valor medio nullo e non
subisce quindi alcuno shift nellattraversare un condensatore. Limpulso bipolare
è ottenuto da quello unipolare facendo in modo che questo subisca una riessione e
facendo poi seguire al segnale iniziale quello riesso, come qualitativamente indicato
in gura 19.31 nel caso di un impulso rettangolare.
v(t)
unipolare
bipolare
Figura 19.31: Impulso bipolare ottenuto dalla riessione di un impulso unipolare.

Il metodo pi`
u ovvio per realizzare tale riessione dellimpulso è quello di ricorrere
ad una linea di ritardo cortocircuitata ad unestremità. Il coeciente di riessione
di una linea avente impedenza caratteristica Z, chiusa su di una resistenza R è:
=
RZ
R+Z
Si vede che per R=0 si ha = 1. Un gradino sarà quindi trasformato in un

segnale rettangolare di durata pari al doppio del ritardo caratteristico della linea.
Uno schema tipico è mostrato in gura 19.32. Anche in questo caso gli amplicatori
indicati (con guadagno unitario) fungono da adattatori dimpedenza.
Se alla prima riessione se ne fa seguire una seconda, come mostrato nella parte
destra della gura, si ottiene un impulso bipolare. Questo non presenta pi`
u il problema del baseline shift, ma ha linconveniente di uno spettro di Fourier molto
ampio, con conseguente necessità di amplicatori ad ampia banda passante il che
introduce un elevato livello di rumore. Per ovviare a tale inconveniente conviene
integrare il segnale alluscita della seconda linea di ritardo, ottenendo in tal modo
un segnale triangolare, come mostrato in gura 19.33.
Il segnale cos` ottenuto è nuovamente positivo e presenta quindi nuovamente il
problema del baseline shift. Una seconda dierenziazione con una delay line lo
trasformerà nuovamente in un segnale bipolare, conservando la forma triangolare,
che è molto buona dal punto di vista del rumore.
617
Z
2t 2t
t=L/v
t=L/v
2t
Figura 19.32: Circuito formatore con doppia linea di ritardo.

v(t)
integrazione
Figura 19.33: Segnale bipolare ottenuto per integrazione.

Un metodo alternativo per ottenere un impulso bipolare è quello di eettuare
una seconda dierenziazione dopo la prima formazione CR-RC. Si adopererà cioè
un sistema CR-RC-CR. Questo schema è mostrato in gura 19.34.
C1
vin
1
R1
R2
C2
C3
1
R3
vout
Figura 19.34: Circuito formatore CR-RC-CR.

La forma donda che ne risulta, per un impulso esponenziale in ingresso, è
mostrata in gura 19.35.
Vediamo che ora lo spostamento dallo zero è meno severo di quello che si ha con
segnali unipolari. Tuttavia le aree sopra e sotto lasse non sono esattamente uguali,
quindi un piccolo spostamento dello zero è sempre presente.
618
0.15
Volts
0.1
0.05
0.05
1.10 6
2 .10 6
3 .10 6
4 .10 6
5 .10 6
6 .10 6
time (s)
Figura 19.35: Forma del segnale alluscita di un formatore CR-RC-CR.
19.8.8
Decit balistico e scelta delle costanti di tempo
Il segnale ottenuto facendo uso di uno shaping CR-RC ha un andamento temporale

dato dalla (19.11), che possiamo riscrivere nella forma:
t/

F
e F et/R
(19.14)
vout (t) = A
F + R
dove abbiamo posto:
F = 1 , R = 2
Possiamo vedere che F è legato al tempo di discesa del segnale e R a quello di
salita. Vediamo infatti che per F , lespressione in parentesi diventa:
1 et/R
che descrive un esponenziale crescente con costante di tempo R .
Analogamente, per R 0 lespressione in parentesi si riduce a :
et/F
cioè ad un esponenziale decrescente con costante di tempo F .
Ammettiamo ora che il tempo di salita R sia quello caratteristico del rivelatore
medesimo. Laltezza dellimpulso associato al segnale è proporzionale allenergia
rilasciata dalla particella nel rivelatore. Il segnale di tensione tenderebbe a divenire
asintoticamente uguale a tale valore, se il termine exp(t/F ) non intervenisse a
farlo scendere verso lo zero. Ciò è illustrato in gura 19.36.
Alla dierenza tra il valore asintotico che il segnale tenderebbe ad acquistare
per eetto dellintegrazione ed il valore massimo che esso eettivamente raggiunge
prima di ricominciare a scendere per eetto della dierenziazione, si dà il nome di
decit balistico.
Si potrebbe pensare di ridurre il decit balistico scegliendo un valore di F molto
grande. Tale scelta va però contro lesigenza di avere dei segnali corti, per evitare il
fenomeno del pile-up.
In gura 19.37 è mostrato landamento ottenuto facendo uso della (19.14) (con
A=1) ssando R a 1 s e per i valori di F indicati in gura.
619
deficit balistico
V out
10
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
tempo
F infinito
F finito
Figura 19.36: Andamento di un segnale con decit balistico.
deficit balistico
V out
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5 .10 6
F=2 s
F=5 s
F=9 s
F=20s
1 .10 5
tempo (s)
Figura 19.37: Confronto di segnali con diverso decit balistico.
19.8.9
Shaping e rumore
Abbiamo visto al capitolo 18 che la potenza di rumore in un amplicatore a FET

è data, nel dominio della frequenza, dallespressione (18.42), che riscriviamo per
comodità:
2
vN
d
=
eIg
2KT
2KT
+
+
Af +
2
2
Rg Cin
Cin
gm

(19.15)
dove gm è la transconduttanza del FET, Cin la capacità parassita allingresso
620
dello stesso, Ig la corrente di gate, Rg la resistenza di gate ed Af una costante che

rende conto del rumore 1/f .
La potenza di rumore alluscita di un circuito di shaping dipenderà dalla funzione
di trasferimento f () che lo caratterizza. Si dimostra che lo shaping ottimale dal
punto di vista del rapporto segnale/rumore è quello che fornisce in uscita un segnale
a cuspide, come quello di gura 19.38.
Vout(V)
t(s)
Figura 19.38: Segnale a cuspide.

Uno shaping di questo tipo non è realizzabile nella pratica. Dei segnali che
costituiscono delle ragionevoli approssimazioni a quello ideale sono quello triangolare
e quello gaussiano. Esamineremo qui lo shaping triangolare. Questo può essere
ottenuto facendo uso di una funzione di trasferimento del tipo di quella discussa nel
capitolo 9 (equazione (9.33) con L = U = 1/ ) cioè:
G() =
A0 ( )
(1 + 2 2 )
La tensione quadratica media di rumore alluscita dellamplicatore sarà allora:

2
2
wN =
|G()|2vN
d
0
Da cui:

Af
eIg
KT
KT
+
=
+
+
(19.16)
2
2
2Rg Cin
4 Cin
2gm
2
Ammettiamo ora che Q sia la carica che il rivelatore deposita sulla capacità
dingresso dellamplicatore (Cin ). Se A0 è il guadagno dellamplicatore, il segnale
in uscita sarà:
2
wN
A20
Q
Cin
Tuttavia, in presenza di uno shaping triangolare, con tempi di salita e di discesa
del segnale r = f = , il guadagno è ridotto di un fattore e. Cioè:

vout
= A0
vout =
A0 Q
e Cin
(19.17)
621
La ENC si ottiene uguagliando la (19.16) ed il quadrato della (19.17):

A20 Q2
= A20
2
e2 Cin
KT
Af
eIg
KT
+
+
+
2
2
2Rg Cin
4 Cin 2gm
2
da cui si ha:

2
(ENC) = Q = e
2
2
KT
KT Cin
Af Cin
eIg
+
+
+
2Rg
4
2gm
2

(19.18)
I primi due termini non dipendono da Cin , i restanti due ne dipendono.

Ciò è legato al fatto che per i primi due termini la sorgente di rumore, come il
segnale, può esser considerata in parallelo alla capacità Cin , mentre per i rimanenti
due la sorgente di rumore è in serie.
Esaminiamo ora la dipendenza del rumore dalla costante di tempo . Riscriviamo
a tale scopo la (19.18) nella forma:
(ENC)2 = L +
M 2
2
Cin + NCin
(19.19)
Questa ha un minimo quando si annulla la derivata prima, cioè:

L
da cui:
M 2
C = 0
2 in
M 2
C
L in

M
Cin
=
L
2
=
min
min
2
(notiamo che la derivata seconda è positiva: 2MCin
/ 3 > 0).
Sostituendo questa espressione di min nella (19.19) si trova il minimo valore
della ENC:
2
(ENC)2min = LM Cin + LM Cin + NCin
Vediamo che con questa scelta i primi due termini contribuiscono in ugual misura.
Essi corrispondono rispettivamente al rumore termico nella resistenza di gate ed allo
shot noise nella corrente di gate.
Sostituendo valori numerici tipici si trova che deve essere almeno dellordine
dei s. Questo valore è troppo alto se si lavora a rate elevati. Scegliendo valori
di molto minori di quello ottimale, il contributo del rumore termico nel canale
diviene dominante sui primi due. Se il rumore 1/f può essere trascurato, il rumore
complessivo diviene:
2
KT Cin
C2
(ENC)2 M in = e2
2gm
o anche:

ENC
M
Cin
622
Inoltre Cin può esser divisa in due pezzi: la capacità esterna (Cext ) allamplicatore (cavi, rivelatore, etc.) e quella (C0 ) del FET, per cui:

M
(C0 + Cext ) = k1 + k2 Cext
ENC =
Nel caso dei preamplicatori commerciali, i produttori quotano le costanti k1 e

k2 (per valori dati di ), in opportune unità.
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Indice analitico
impedenza duscita, 192
resistenza dingresso, 191
generico
relazione tra Av ad Ai , 206
Amplicatore Operazionale, 295
amplicatore dierenziale, 305
amplicatore invertente, 298
amplicatore non-invertente, 303
Accettori, 90
amplicazione nita, 340
Active pull-down, 289
applicazioni lineari, 298
Active pull-up, 289
applicazioni non-lineari, 323
Aliasing, 400
banda passante, 342
Amplicatore
caratteristiche ideali, 296
a CMOS
coeciente di reazione, 341
risposta in frequenza, 253
derivatore, 312
a transconduttanza, 183
fattore di reazione, 341
a transistor, 493
guadagno a catena chiusa, 342
di classe A, 493
guadagno della catena, 342
di classe AB, 493
ingresso dierenziale, 296
di classe B, 493
integratore, 307
di classe C, 493
limiti rispetto al funzionamento idea transresistenza, 183
ale, 340
amplicatore CE seguito da EF, 199
loop gain, 342
base comune, 202
slew-rate, 345
guadagno in corrente, 203
sommatore, 305
guadagno in tensione, 204
Antoniou
impedenza dingresso, 204
circuito di, 372
Autocorrelazione, 526
collettore comune, 184
Banda di rumore, 533
di carica, 316, 608
Banda passante, 358
di corrente, 183
Barkhausen
di tensione, 183
condizione di, 427, 437
dierenziale, 259261, 269
Barriera di potenziale
in una giunzione p-n, 96
risposta a piccoli segnali, 265
Baseline restoration, 616
emettitore comune, 191
con resistenza sullemettitore, 192 Baseline shift, 615, 616
Bell
esempio, 193
laboratori Bell, 86
Bessel
guadagno in tensione, 192
N-polo, 8
Rf resistenza diretta del diodo, 101
Rr resistenza inversa del diodo, 101
per il transistor bipolare, 136
hf e per un transistor bipolare, 144
hie per un transistor bipolare, 144
hoe per un transistor bipolare, 144
626
INDICE ANALITICO
627
Concentrazione
di accettori, 95
di donori, 95
Conduttività, 88
Conduzione elettrica
nei solidi, 88
Contatore
Geiger, 589, 594
proporzionale, 589
Convertitore
analogico-digitale, 489, 503
a contatore, 503, 504
a doppia rampa, 509, 510
Camera a ionizzazione, 586, 588
a rampa singola, 508
Campionamento del segnale, 490, 515
ad approssimazioni successive, 505
Carico standard, 284
ash, 512
Cavi coassiali, 69, 70
digitale-analogico, 489, 495
capacità per unità di lunghezza, 70
a scala, 497, 501
induttanza per unità di lunghezza, 70
pilotato in corrente, 501
propagazione di un gradino di ten- Convertitore corrente-tensione, 319
sione, 72
Convertitore tensione-corrente, 319
velocità di propagazione nei cavi coas- Convertitore tensione-frequenza, 354
siali, 72
Coppia dierenziale, 261, 262
Chebyshev
Correlazione, 526
ltro, 369
Corrente
ltro di, 382
di ricombinazione, 97
Cifra di rumore, 545550
inversa di saturazione, 99
Cifra di rumore in eccesso, 546
termica, 97
Cifra di umore, 558
CR-RC shaping, 610
Circuiti equivalenti per il rumore, 540
Circuito CR, 13
Darlington
Circuito RC, 13
Circuito RC passa alto
struttura Darlington, 161
funzione di trasferimento, 51
Decit balistico, 618
Circuito RC passa-basso
Densità di corrente, 88, 93
Densità spettrale, 532
Circuito RCL
Derivatore, 13, 15, 16, 18, 312
Diagramma di Nyquist, 67
Clamping
circuito passa-basso, 67
circuito clamping, 113
funzione di trasferimento con due poli
CMOS, 250
ed uno zero non nellorigine, 67
amplicatori, 252
funzione di trasferimento con un polo
ed uno zero non nellorigine, 67
caratteristica di trasferimento, 252
Diusione
dissipazione di energia, 251
coeciente di, 93
invertitore, 250
in un semiconduttore, 92
polarizzazione, 253
Dinodo, 574576, 579
Comparatore, 323
ltro di, 382
Bode
diagramma di Bode per il modulo, 50
diagramma di Bode per la fase, 50,
52
rette asintotiche, 50
Boltzmann
equazione di, 94
Breakdown
tensione di, 102
Butterworth
ltro di, 375
628
Diodo
a cristalli, 86
a valvole termoioniche, 85
capacità di diusione, 106
capacità di transizione, 105, 106
caratteristica del, 98
equazione del, 98
modello per piccoli segnali, 104
polarizzato direttamente, 98, 99
polarizzato inversamente, 98
polarizzazione inversa, 102
portatori minoritari, 102
resistenza dierenziale, 105
retticatore ad onda intera, 111
Zener, 102
come stabilizzatori di tensione, 102
zona di svuotamento, 106
Donori, 90
Drogaggio
con arsenico, 90
con Boro, 90
di un semiconduttore, 90
non uniforme, 93
non uniforme di elettroni, 93
non uniforme di lacune, 93
Duplicatore di tensione, 116
INDICE ANALITICO
guadagno in tensione, 185, 188
impedenza dingresso, 186, 189
impedenza duscita, 187, 189
sommario delle caratteristiche, 190
Equivalent Noise Charge, 604606, 621
Ergodico
sistema, 526
Famiglie logiche, 277

Fan-Out, 279, 282
Fattore di emissione secondaria, 577
Fattore di Fano, 569
Feedback
concetto di, 401
corrente-parallelo, 407, 411
corrente-serie, 408, 410
fattore di, 402
in un amplicatore a J-FET, 415
in un transistor, 416
negativo, 401, 402
negli amplicatori operazionali, 416
positivo, 401
rete di, 402
segnale di, 403
stabilità negli amplicatori con, 424
tensione-parallelo, 408, 412, 417
tensione-serie, 407, 409, 415, 421
Figura di rumore, 556
Eccitazione di forma generica
Filtro, 13, 357
calcolo della risposta, 36, 38
a condensatori commutati, 398
Eccitazione sinusoidale
a retroazione multipla, 392
risposta di un circuito RC con il metoattivo, 357
do delle trasformate di Laplace,
47
biquadratico, 384, 389
elimina-banda, 357
Eetto di campo, 87
Eetto Early
passa-alto, 13, 1518, 357
passa-banda, 357, 362
per il transistor bipolare, 144
Ecienza quantica, 575, 576
passa-basso, 13, 14, 18, 357
passa-tutto, 359
Einstein
equazione di, 93
passivo, 357
RLC, 363
Elettroni
Flash ADC, 512
concentrazione intrinseca degli, 90
Flicker noise, 540
di conduzione, 89
Formula di Friiss, 548
mobilità degli, 89
Fotocatodo, 574, 575, 578, 582
Emitter follower, 184, 493
Fotomoltiplicatore, 574, 578, 581, 582
ad alta impedenza dingresso, 190
Fourier, 530
complementare, 493, 494
antitrasformata, 23
INDICE ANALITICO
proprietà della trasformata, 24
trasformata, 23
trasformata dellammettenza, 26
trasformata dellimpedenza, 26
trasformata dellimpedenza capacitiva, 27
trasformata dellimpedenza induttiva,
26
Frequenza dimpulsi
misura analogica di, 118
Funzione
biquadratica di trasferimento, 365
Funzione di Green, 27
Funzione di trasferimento
caso di 2 poli complessi coniugati, 62
con due poli distinti e due zeri immaginari, 59
con un polo ed uno zero non nellorigine, 53
con uno zero doppio nellorigine e due
poli, 58
con uno zero semplice nellorigine e
due poli distinti, 59
629
nel modo comune, 297
nel modo dierenziale, 297
Hall
eetto Hall, 89
Howland current source, 323
Inseguitore
di emettitore, 139, 184
di tensione, 304
Integratore, 13, 15, 19, 307
Interruttore
a ponte di diodi, 121
JFET, 207
IDS , 208
VP , 209
VDS , 208
VGS , 208
a canale n, 207
IDSS , 211
caratteristiche, 219
circuito equivalente, 222
conduttanza di drain, 222
conduttanza dierenziale, 221
Generatore, 7
confronto con il transistor bipolare,
di corrente, 7
221
di impulsi, 330, 351
corrente di saturazione, 211
di onde rettangolari, 326, 348
pincho, 219
di onde triangolari, 331
punto di lavoro, 223
di tensione, 7, 318
retta di carico, 225
dipendente, 7
schema di polarizzazione, 226
ideale, 7
schemi di polarizzazione, 223
reale, 7
simbolo adoperato, 209
Giratore, 371, 372
tensione di pincho, 209, 210
Giunzione
transconduttanza, 221
giunzione p-n, 94
zona di interdizione, 212
Gradiente di concentrazione, 93
zona di saturazione, 212, 219
Gradino unitario
zona ohmica, 212
di tensione, 25
a canale p, 209
risposta di un circuito LCR, 42
simbolo adoperato, 209
risposta di un circuito LRC-serie, 46
amplicatore, 212, 227
risposta di un circuito RC, 34
guadagno in tensione, 228, 229, 234
risposta di un circuito RL, 35
impedenza duscita, 230, 234, 235
Guadagno, 402
struttura generale, 232
a circuito aperto, 402
come dispositivo unipolare, 212
desensibilizzazione del, 404
common source
di un amplicatore, 403
630
INDICE ANALITICO
classe delle funzioni di ordine esponenziale, 29

trasformata dellimpedenza capacitiva, 34
trasformata dellimpedenza induttiva,
33
trasformata dellimpedenza resistiva,
33
trasformate di alcune funzioni elementari, 29
Legami atomici
covalenti, 88
Legami chimici
covalenti, 89
Legge dellazione di massa, 90
Legge di Kircho, 2
Legge di Ohm, 2
Limitatore, 334
Linee di ritardo, 69
Linee di trasmissione, 69
adattamento dimpedenza, 79, 80
coeciente di riessione allestremità, 74
costante di propagazione, 78
eetti resistivi, 77
impedenza caratteristica, 73, 74
linea chiusa su di un condensatore, 81
lunghezza dattenuazione, 78
riessioni multiple, 75
Lacune, 89
versioni commerciali, 80
concentrazione intrinseca delle, 89
Livelli di tensione, 278
mobilità delle, 89
Livelli logici, 277
Laplace
Logica
antitrasformata, 28
CMOS, 293
calcolo dellantitrasformata per funinvertitore, 293
zioni esprimibili come rapporti di
porta NAND a due ingressi, 293
polinomi, 38
DTL, 281
caso di poli complessi semplici, 39
ECL, 279
caso di poli multipli, 40
NIM, 279
caso di poli reali semplici, 38
TTL, 277, 279, 285, 287
esempi di calcolo dellantitrasforma- Luce Cerenkov,

567
ta, 32
poli e zeri della trasformata, 30
Maglia
proprietà della trasformata, 28
correnti di, 2
risposta di un circuito nel caso in cui
nodo della, 1
si conosca la trasformata, 42
ramo della, 1
Media, 525
trasformata, 28
drain, 208
gate, 208
impedenza del gate, 213
inseguitore di source, 230
bootstrap, 231
guadagno in tensione, 230, 235
pincho
luogo dei punti di, 213
source, 208
source comune
calcolo completo della risposta in
frequenza, 244
risposta a tutte le frequenze, 244
risposta ad un gradino di tensione,
247
risposta alle alte frequenze, 237
risposta alle basse frequenze, 243
risposta in frequenza, 236
tensione di breakdown, 213
zona dinterdizione, 213
zona di breakdown, 213
zona di saturazione, 213
zona ohmica, 213
Johnson, 534
INDICE ANALITICO
631
in quadratura, 437
Mobilità, 88, 591, 592, 598
Modello a parametri g, 11
Phase-splitter, 289
Modello a parametri h, 11
Pile-up, 570, 586, 610
Modello a parametri y, 10
Plot di Nyquist, 425
Modello a parametri z, 11
PMOS
Modello a parametri ibridi, 11
simboli adoperati, 216
Modo comune, 260, 264
Polarizzazione
guadagno nel, 260
diretta, 97
Modo dierenziale, 260, 264
inversa, 97
guadagno nel, 260
Pole-zero
cancellation, 613
MOSFET, 207, 214
Ponte di Wien, 440, 442
Vt , 215
Popcorn noise, 555
a canale n
Porta, 9
a svuotamento, 217
Porta a diodi, 492
ad arricchimento, 214, 217
caratteristica di trasferimento, 218 Portatori di carica
maggioritari, 91
enhancement, 214
minoritari, 91
a canale n ad arricchimento
Portatori
liberi, 92
Principio di sovrapposizione, 6
a canale p
Processi stocastici
ad arricchimento, 216
stazionari, 524
drain, 214
Pulse stretcher, 352
gate, 214
Push-pull, 493
impedenza del gate, 216
source, 214
Quadripoli del secondo ordine, 54
substrato, 214
Quadripolo, 9, 543
zona di breakdown, 215
Quenching, 593
zona ohmica, 215
Raddrizzatori, 107
Multivibratore
a cristallo, 85
astabile, 326, 348
Rampa unitaria di tensione
monostabile, 330, 351
risposta di un circuito RC, 35
risposta di un circuito RL, 36
Negative Impedance Converter, 369
Retta
di carico, 264, 269
NMOS, 214
per un diodo, 101
caratteristica di trasferimento, 216
Retticatore,
334
corrente di saturazione, 216
Ripple
zona di ohmica, 216
nei ltri, 369
Rivelatore
Noise-factor, 556
a semiconduttore, 594, 600, 603, 604
Nyquist, 536
al germanio, 595
al silicio, 595
Oscillatore
di picco, 337
a mezzo ponte di Wien, 440
Rivelatore di picco, 112, 116
a ponte di Wien, 442
Rumore, 524
a sfasamento, 430, 433
1/f, 524, 540, 606
a transistor bipolare, 435, 437
bianco, 538
sinusoidale, 429, 439
632
in un quadripolo, 543
nel FET, 558
nel quadripolo, 543, 544, 548
nel transistor bipolare, 551, 556
shot, 524, 538
termico, 524, 534, 606
Sample-and-hold, 112, 490, 494
Schottky, 540
diodi Schottky, 107
Scintillatore, 573, 574
Segnale di errore, 403
Shaping
gaussiano, 614
triangolare, 620
Shot noise, 606
Sistema
stazionario, 525, 526
Slew-rate, 345
Spot noise gure, 546
Spot-noise, 545
Stokes Shift, 572
Streamer limitato, 593, 594
Temperatura di rumore, 542, 550
Tempo di acquisizione, 491
Tempo di transito, 581
Tempo morto, 571
Tensione di rumore in eccesso, 543
Tensione Zener, 103
Teorema del campionamento, 516, 517
Teorema di Campbell, 565
Teorema di Carson, 565
Teorema di Miller, 12
Teorema di Norton, 5
Teorema di Nyquist, 516
Teorema di Plancherel, 561
Teorema di Shannon, 516
Teorema di Thevenin, 35
Teorema di Wiener-Khintchine, 560
Timer 555, 347
Totem-pole, 289
MOSFET drive, 497
Townsend, 588, 593
Transistor
F , 131
R , 131
base, 124
INDICE ANALITICO
caratteristiche duscita, 129
collettore, 124
corrente di base, 130
corrente di collettore, 129
corrente di emettitore, 129
Darlington, 273, 437
emettitore, 123
giunzione base-collettore, 124
giunzione collettore-base
polarizzata inversamente, 124
giunzione emettitore-base, 124
polarizzata direttamente, 124
in interdizione, 130
in saturazione, 131
in zona attiva, 129, 130
in zona attiva inversa, 130
nomenclatura adoperata, 131
npn, 123
parametro , 127
parametro , 128
pnp, 123
Transistor a giunzione
ad eetto di campo, 207
Transistor bipolare, 123
base-spreading-resistance, 142
circuiti di polarizzazione, 153
circuito di polarizzazione a VB costante,
156
collegamento a diodo, 164
come elemento di circuito logico, 139
congurazione base-comune, 150
congurazione CB, 139
congurazione CC, 139
congurazione CE, 139
congurazione collettore-comune, 150
convenzione adoperata per tensioni e
correnti, 140
corrente di emettitore, 142
eetto Early, 144
funzionamento in zona attiva, 140
generatore dipendente di corrente, 142
in interdizione, 138
in saturazione, 138
modello di Giacoletto, 145
base-spreading-resistance, 147
INDICE ANALITICO
conduttanza dingresso, 146
conduttanza duscita, 148
conduttanza di feedback, 147
relazioni tra parametri h e parametri
rb , r , gm , r0 , 149
parametri ibridi, 144
parametro hre , 145
polarizzazione per mezzo di una sorgente di corrente costante, 159
reazione negativa, 156
relazioni tra i parametri h nelle tre
congurazioni CE, CB, CC, 150,
152
resistenza vista guardando in base,
142, 143
resistenza duscita, 144
resistenza dierenziale del diodo baseemettitore, 142
retta di carico, 154
scelta del punto di lavoro, 153
specchio di corrente, 164
thermal runaway, 155
valori tipici dei parametri ibridi h,
145
zona lineare delle caratteristiche, 138
Trasformata di Laplace
teoremi del valore iniziale e del valore
nale, 31
Trigger di Schmitt, 324, 353
Varianza, 525
Varicap, 105
Velocità
di drift, 598
Widlar
generatore di corrente costante, 168
Wilson
generatore di corrente di Wilson, 170
Zener
circuito limitatore, 119
Zona di carica spaziale, 94
Zona di svuotamento, 94, 594, 596
Zona di transizione, 94
633

Flaminio, Dell&#39;Orso, Falchini-Introduzione All&#39;Elettronica Vol.2 - Elettronica Analogica

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Dipartimento di Fisica Enrico Fermi

Corso di Laurea in Fisica

Avvertenze degli autori

Prefazione alla prima edizione

Prefazione alla seconda edizione

1 Richiami di teoria dei circuiti elettrici

delle trasformate di Fourier e di Laplace

3 Diagrammi di Bode e di Nyquist

5 Semiconduttori: Diodi e Transistor

8 Amplicatori a transistor bipolari

11 Struttura delle principali famiglie logiche

14.2 Generalit`a sui ltri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

17 Convertitori Digitale-Analogico ed Analogico-Digitale

18 Il rumore nei circuiti elettronici

Richiami di teoria dei circuiti

Figura 1.1: Circuito a due maglie.

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

neratore di corrente I1 . Per una denizione dei concetti di generatore di tensione e

mentre se Z `e costituita da una capacit`a:

nel caso induttivo

Vedremo nel seguito come la tecnica delle trasformate di Laplace (o di Fourier)

1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton

Figura 1.2: Circuito a due maglie.

Figura 1.3: Circuito ad una maglia, ridotto sfruttando il Teorema di Thevenin.

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

La tensione nel punto a sar`a allora:

Possiamo dimostrare il Teorema di Thevenin come segue.

Eliminando tutte le fk (ma non le resistenze rk ), cio`e ponendo fk = 0 per k = 0,

1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton

Ponendo ora f0 = 0 ed utilizzando le equazioni scritte il precedenza otteniamo:

che dimostra il teorema di Thevenin.

La tensione tra i nodi a e b e la corrente attraverso la R2 sono date da:

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

Sostituendo in questa le espressioni di RN o e iN o :

In una rete lineare in cui siano presenti pi`

1.4 Generatori di tensione/corrente

In presenza di entrambe le sorgenti avremo:

I generatori sono componenti circuitali attivi e rappresentano dispositivi capaci di

Generatori ideali e reali

I tipi di generatori ideali normalmente considerati sono due: quello di tensione e

Un generatore dipendente eroga un segnale di tensione/corrente dipendente dalla

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

Figura 1.7: Circuito che contiene un generatore dipendente di corrente.

Sebbene i componenti circuitali con due terminali siano quelli pi`

1.5 Quadripoli. Parametri h, y, z

Figura 1.9: Doppio bipolo o quadripolo.

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

cos` possiamo associare alla porta dingresso semplicemente lintensit`a di corrente i1

Figura 1.10: Circuito equivalente a parametri y.

1.6 Teorema di Miller

Figura 1.11: Circuito equivalente a parametri h.

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

gura 1.12 ed ammettiamo di conoscere il rapporto tra le tensioni V2 /V1 = K. Ci

Figura 1.12: Generico circuito con N poli.

Figura 1.14: Circuito RC o passa-basso (integratore).

Figura 1.15: Circuito CR o passa-alto (derivatore).

Risposta a gradini ed a rampe

Vediamo prima di tutto quale `e la risposta di un circuito passa-basso ad un gradino

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

Figura 1.16: Risposta di un circuito RC passa-basso ad un gradino.

in uscita un segnale corrispondente allintegrale di quello in ingresso `e propria di

Figura 1.17: Risposta di un circuito CR passa-alto ad un gradino.

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

Risposta ad onde quadre

Flaminio, Dell'Orso, Falchini-Introduzione All'Elettronica Vol.2 - Elettronica Analogica

Flaminio, Dell'Orso, Falchini-Introduzione All'Elettronica Vol.2 - Elettronica Analogica