En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por

los fsicos alemanes Herbert Matar y Heinrich Welker, mientras trabajaban

en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse. Matar tena experiencia previa en el
desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras
trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemn durante
la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, l comenz a
investigar el fenmeno de la "interferencia" que haba observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matar
produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de
germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain
haban logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que
los cientficos de Laboratorios Bell ya haban inventado el transistor antes
que ellos, la empresa se apresur a poner en produccin su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefnica de Francia. 16 El 26 de
junio de 1948, Wiliam Shockley solicit la patente del transistor bipolar de
unin17 y el 24 de agosto de 1951 solicit la primera patente de un
transistor de efecto de campo,18 tal como se declar en ese documento, en
el que se mencion la estructura que ahora posee. Al ao siguiente, George
Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron xito al fabricar
este dispositivo,19 cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de
1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese ao, el ingeniero Sidney
Darlington solicit la patente del arreglo de dos transistores conocido
actualmente como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de
superficie de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y
Richard Williams de Philco Corporation en 1953,22 capaz de operar con
seales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se us un procedimiento creado
por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas
depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milsimas de pulgada de
espesor. El Indio electroplateado en las depresiones form el colector y el
emisor.24 El primer receptor de radio para automviles que fue producido en
1955 por Chrysler y Philco; us estos transistores en sus circuitos y tambin
fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de
esa poca.25 26
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios
Bell en enero 1954 por el qumico Morris Tanenbaum. 27 El 20 de junio de
1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un
procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal
quien haba trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el
crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin
Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960. 30 31