1.

Es menos adecuado para la fabricacin de circuitos

integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es ms alta que la
movilidad de los huecos para todos los materiales semiconductores,
un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser ms rpido que un
transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor
ms alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores.
Es por esta razn que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia.
Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor
de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura
(unin entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro
de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que tiene el
doble de la movilidad de los electrones que una unin de barrera
GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los
HEMTs se utilizan en los receptores de satlite que trabajan a
frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMTs basados en nitruro de
galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan
una movilidad de los electrones an mayor y se estn desarrollando
para diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Mximo valor de temperatura de la
unin han sido tomados a partir de las hojas de datos de varios
fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el transistor
puede daarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de
barrera de metal-semiconductor de alta velocidad (de aluminiosilicio), conocidos comnmente como diodos Schottky. Esto est
incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de
silicio tienen un diodo Schottky inverso "parsito" formado entre la
fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricacin. Este
diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito
del cual forma parte.
El transistor bipolar como amplificador[editar]
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos
(Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en
directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso.
Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una
corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir,
ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de
seal, vara entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el
amplificador transistorizado: emisor comn, base comn y colector
comn.