Semiconductores de Alta Potencia

1. Introduccin:
Los semiconductores de alta potencia que actualmente existen en el mercado son
muy variados y cada uno tiene su rango de aplicacin en funcin de la frecuencia a la
que trabaja y la potencia que puede llegar a soportar:

Las magnitudes que tienen mayor importancia en la eleccin del empleo de este tipo
de dispositivos son:
-

La corriente directa mxima que puede soportar (est relacionada con la potencia
mxima que puede disipar).

La tensin inversa mxima que puede soportar en el estado de bloqueo.

La velocidad del dispositivo en la conmutacin. Esta velocidad viene determinada

por el tiempo de recuperacin inversa (trr), que es el tiempo que tardan las cargas
almacenadas en la regin de deplexin en abandonarla y dirigirse a su zona propia.
Se puede comprobar que a mayor tensin de bloqueo, menor velocidad.

2. Diodo de Potencia:
El diodo de potencia se utiliza como interruptor que conmuta de
forma natural (por s solo), de manera que cuando la tensin entre
sus extremos es superior a la tensin umbral, entra en el estado de
conduccin y abandona el estado de bloqueo.
En el mercado existen mdulos de diodos (con refrigeracin por
una sola cara) o packs de diodos prensados (por las dos caras); ste
ltimo es el ms usado en aplicaciones de alta potencia y tensin.

3. Tiristor o SCR:
El SCR es el llamado Rectificador Controlado de Silicio. Tiene tres
terminales: nodo y ctodo son los destinados a la circulacin de la
corriente directa; mientras que la puerta (G) es el terminal de control.
El SCR es un dispositivo unidireccional que conduce corriente
en un nico sentido (del nodo al ctodo) cuando en la puerta
existe la seal de intensidad apropiada.
La tensin de bloqueo directo (VBO) se reduce contra mayor
corriente apliquemos a la puerta, de este modo controlamos su
disparo. Sin embargo, ste dejar de conducir de manera natural,
es decir, por s solo.
Caractersticas
de Conmutacin

Turn-on
Time

Turn-off
Time

14 s

1200 s

4. GTO: Gate Turn-Off Thyristor

El GTO es igual que SCR pero puede desactivarse aplicando una
corriente al terminal de puerta negativa. As, este es un dispositivo
apropiado para las aplicaciones en las que sea necesario controlar su
activacin y desactivacin.

Caractersticas
Conmutacin

Turn-on
Time

Turn-off
Time

ton = 2.5 s
tr = 5 s

toff = 25 s
tf = 3 s

Se emplea en inversores con fuentes de tensin (asimtricos) y con fuentes de corriente (simtricos).

5. GCT: Gate Commutated Thyristor

El GCT es un GTO con puerta de tipo aislada como los MOSFET, as
como con un diodo en antiparalelo de forma opcional.

Caractersticas
Conmutacin

Turn-on
Time

Turn-off
Time

ton < 1 s
tr < 2 s

toff < 3 s

6. IGBT: Transistor Bipolar de Puerta Aislada

El IGBT combina la puerta aislada de los MOSFET como control de
tensin y el transistor bipolar (BJT) con la capacidad de alta corriente y
bajo voltaje de saturacin como interruptor.
Cuando se le aplica un voltaje suficiente a la puerta para crear el canal en el MOSFET
interno (superior a la tensin umbral), se excita con corriente la base del transistor
interno y el IGBT conduce. El IGBT se apagara al eliminar la seal de voltaje aplicada
a la puerta, es decir, al eliminar el canal.
Como es controlado por voltaje, puede conmutar con mayor rapidez que el transistor
convencional; por ello se usa en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Adems
la salida que produce no es cuadrtica (como la de los MOSFET), sino lineal.

Caractersticas
Conmutacin

Turn-on
Time

Turn-off
Time

ton = 0.35 s
tr =0. 27 s

toff = 1.7 s
tf =0.2 s

7. Trabajo de Dispositivos en Serie:

Como los dispositivos que se conectan en serie no son ideales, es lgico que no tengan
exactamente las mismas caractersticas estticas y dinmicas; por ello, no compartirn el
mismo voltaje en el bloqueo o durante la conmutacin.
Las razones por las que se producen estas discrepancias entre los voltajes se deben a
las diferentes corrientes de fugas y temperaturas de la unin PN de los dispositivos (en
condiciones estticas), as como por retrasos en las seales de control por el terminal de
puerta o en los tiempos de encendido/apagado (en condiciones dinmicas).

La principal tarea de interruptores conectados en serie es

asegurar que el voltaje se comparta por igual en condiciones
estticas y en condiciones dinmicas.
Para el caso esttico se coloca una resistencia en paralelo
con el interruptor; pero para el dinmico se coloca un filtro
RC en paralelo con el interruptor.

En el caso de emplear IGBTs se puede realizar una proteccin contra sobretensiones

para limitar el voltaje colector-emisor durante la conmutacin. As, el voltaje colectoremisor de cada IGTB se compara con una tensin de referencia mxima y, si se supera,
la diferencia entre sta y la referencia se aade a la seal de puerta para que se fuerce la
disminucin de la tensin colector-emisor.