Y.

DAHER

30 Applications Electroniques Sur Proteus

1-Caractristique de diode normale.

[Type text]

Y. DAHER

2-Caractristique de diode normale et Zener.

[Type text]

Y. DAHER

3-Caractristique de 2 diodes en parallle.

[Type text]

Y. DAHER

4-Caractristique de 2 diodes en srie.

[Type text]

Y. DAHER

5-Redressement monoalternance

[Type text]

Y. DAHER

6-Redressement et filtrage monoalternance

[Type text]

Y. DAHER

7-Redressement double alternance 2 diodes

TR1(S1)
TR1(P1)

TR1

D1

R2(2)

1N4001

TR1(S2)

D2

R2
100

TRAN-2P3S

1N4001

R2(1)

[Type text]

Y. DAHER

8-Redressement et filtrage double alternance 2 diodes

[Type text]

Y. DAHER

9-Redressement double alternance pont de Graetz

[Type text]

Y. DAHER

10-Redressement et filtrage double alternance pont de Graetz

[Type text]

Y. DAHER

11-Linarit et distorsion dune diode. TD1

Vsmax=10.2mv
Ve

R1
100

ID=[10m-3m , 10m+3m]

C1

C2

1u

1u

VD=[0.685v-10.2m , 0.685v+10.2m]

ID

Vemax=500mv

Vs

ID=distorsion

Vemax=5v

VD

R2
1000

D1
BYW98

VD=distorsion

Vsmax= distorsion

[Type text]

Y. DAHER

12- Caractristique entre- sortie dun systme 2 diodes et deux piles et sortie sur une
rsistance. TD3
D1
1N4001

R1

BAT1

100
3V

Ve

Vs

D2

R2

BAT2

R3
1000

1N4001

100
3V

[Type text]

Y. DAHER

13- Synchronisme entre- sortie dun systme 2 diodes et deux piles et sortie sur une
capacit. TD3
D1

BAT1

3V
Ve

Vs

D2

BAT2
C
10u
3V

[Type text]

Y. DAHER

14- Doubleur de tension. TD3

[Type text]

Y. DAHER

15- Etude statique dun montage 2 transistors bipolaires. TD4

VCE

RC1

RA

500

100K

IB2
VC2

IB1=86uA
IB2=68uA
Ia=93uA
Ib=7uA

ia

VCE1

Q2

IC1

IB1

2N4400

Q1
2N4400

Betta =85

VE2

IE2

VBE1

RB
100K

RE2
1K

IE2=5.6mA

Ib

VCE1=6.2v

IC1=0.745mA

VCE2=4.5v

VBE2=675mv
VBE1=682mv

[Type text]

Y. DAHER

VCE

IB01=86uA
IB1=88.2uA

RC1

RA

IC2

500

100K

IB2

VC2

ia

VCE1

Q2

IC1

IB1

IB02=68uA
IB2=40.4uA

2N4400

Q1
2N4400

Betta =85

VE2

IE2

VBE1

RB
100K

RE2

Ib

1K

VCE01=6.2v
VCE1=4.8v

VCE02=4.5v
VCE2=5.76v

IC01=7.46mA
IC1=10.4mA
IC02=5.49mA
IC2=4.2mA

VBE01=682mv
VBE1=591mv
VBE02=675mv
VBE2=561mv

16- Polarisation dun amplificateur simple transistor bipolaire. TD5

[Type text]

Y. DAHER

IB0=41.5uA VBE0=692mv
VCE0=5.05v
RC1
IC0=4.65mA RA
1000
100K

IB0

VCE0

IC0

Betta =112

VCE

Q2
2N1711

VBE0

RB
13.5K

17- Linarit dun amplificateur simple transistor bipolaire. TD5

[Type text]

Y. DAHER

VCE

C2

vs

10u

ic

IB0=41.5uA VBE0=692mv
VCE0=5.05v
RC1
IC0=4.65mA RA
1000
100K
Betta =112
h11=700
ve

C1

ib

Q2
2N1711

vbe

10u

RB
13.5K

Av=-160
Ai=100

18- Bande passante dun amplificateur simple transistor bipolaire. TD5

[Type text]

Y. DAHER

VCE

C2

vs

10u

ic

IB0=41.5uA VBE0=692mv
VCE0=5.05v
RC1
IC0=4.65mA RA
1000
100K
Betta =112
h11=700
ve

C1

i1

ib

Q2
2N1711

vbe

10u

RB
13.5K

Av=-160
Ai=100

BP: [25.4Hz , 2.13MHz]

[Type text]

Y. DAHER

19- Saturation dun amplificateur simple transistor bipolaire. TD5

VCE

C2

vs

10u

ic

IB0=41.5uA VBE0=692mv
VCE0=5.05v
RC1
IC0=4.65mA RA
1000
100K
Betta =112
h11=700
ve

C1

ib

Q2
2N1711

vbe

10u

RB
13.5K

Av=-160
Ai=100

[Type text]

Y. DAHER

20- Polarisation dun amplificateur 2 transistors bipolaires. TD7

[Type text]

Y. DAHER

21- Amplificateur 2 transistors bipolaires sans rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

22- Amplificateur 2 transistors bipolaires avec rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

23- Amplificateur 2 transistors bipolaires avec charge sans rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

24- Amplificateur 2 transistors bipolaires avec charge sans rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

25- Saturation dun seul cot dun amplificateur 2 transistors bipolaires sans charge et avec
rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

[Type text]

Y. DAHER

26- Saturation dun seul cot dun amplificateur 2 transistors bipolaires avec charge et sans
rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

27- Saturation dun seul cot dun amplificateur 2 transistors bipolaires avec charge et
rsistance metteur. TD7

[Type text]

Y. DAHER

28- Polarisation dun amplificateur 3 transistors bipolaires. TD8

[Type text]

Y. DAHER

29- Gain et bande passante dun amplificateur 3 transistors bipolaires. TD8

[Type text]

Y. DAHER

30- Saturation dun amplificateur 3 transistors bipolaires. TD8

[Type text]