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Electres e Lacunas
Na prtica, a estrutura cristalina s conseguida quando o cristal de
Silcio submetido temperatura de zero graus absolutos (ou -273C). A
essa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas e,
consequentemente, o material comporta-se como isolante porque, no
Ligaes Covalentes
Cada tomo de Silcio une-se a outros quatro tomos vizinhos, por
meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia
de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de
modo que dois tomos adjacentes partilham os dois electres.
Dopagem de Semicondutores
Ao processo de adio de impurezas doadoras ou aceitadoras atribu-se o
nome de Dopagem Semicondutores . O exemplo seguinte exemplifica a
dopagem de silcio com fsforo e boro.
Dopagem Silcio
Semicondutores Positivos (de tipo P)
Quando ao silcio de adiciona um elemento do Grupo III como o
Alumnio, Glio, Boro, que tm 3 electres de valncia, produz-se uma
corrente onde faltam tantos electres como tomos do elemento
adicionado, formado desta forma um semicondutor do tipo P.