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Agustn
Facultad de Ingeniera de Produccin y
Servicios
Escuela Profesional de Ingeniera Electrnica
Curso:
Electrnica Anloga 2
Proyecto
Amplificador clase D
Integrantes:
TARIFA VALDEZ, Elmer Rufo
20110809
CUI
CUI
PALOMINO
ARELA QUISPE, Darwin Jess
20130506
CUI:
Fecha: 02/01/2017
INDICE
CAPITULO 1
1.MARCO
TEORICO......................................................................................
.................2
1.1. INTRODUCION A LAS FUENTES CONMUTADAS ............
.2
1.2.1 Topologias
........................................................................................................3
1.2.1.1 Configuracin
flyback....................................................................... 4
1.2.1.2 Configuracin PushPull................................................................... 5
1.2.1.3Configuracin
Semipuente.6
1.2.1.4 Configuracin Puente completo (Bridge)
.. 7
1.2 FUNCIONAMIENTO DE UNA FUENTE CONMUTADA POR ETAPAS
1.2.1 Etapa de
Rectificacin..8
1.2.2 Etapa
filtro...
9
1.2.3 Transistor de conmutacin. ..
10
1.2.4 Transformador. ..
...10
1.2.5 Rectificador y filtro de salida.
...12
2.2.
DISEO DEL AMPLIFICADOR
...............................................................................46
2.2.1.
Estudio y caractersticas de los
elementos............................................. .46
2.2.1.1. Etapa de control y oscilacin (LM311)
...........................................47
2.2.1.2. Driver y Control Para El MOSFET
(IR2110).................................... 48
2.2.1.3. Clculo de los MOSFET (IRFP260)
................................................ 49
2.2.1.4. Clculo terico de eficiencia del
amplificador.............................. 50
2.2.1.5. Filtro de salida
.............................................................................. 50
2.2.1.6. Respuesta en frecuencia
.............................................................. 51
2.2.1.7. Potencia del amplificador
............................................................. 51
2.2.2.
Diseo de la placa en
EAGLE....................................................................53
2.2.2.1.
Esquemtico.............................................................................................. 54
2.2.2.2.
Board...................................................................................... 54
2.3. DISEO DEL PREAMPLIFICADOR
............................................................................ 55
2.3.1. Esquemtico
............................................................................................... 55
2.3.2.
Board........................................................................................................... 55
2.3.3. Montaje de los componentes
..................................................................... 56
2.4. IMPLEMENTACIN DEL PROYECTO
........................................................................57
CONCLUSIONES..........................................................................................
........................ 58
BIBLIOGRAFIA.........................................................................................
...................... 60
1.1
CAPITULO 1
MARCO TEORICO
INTRODUCION A LAS FUENTES CONMUTADAS
1.2 TOPOLOGIAS
Para una fuente en modo de conmutacin existen bsicamente cuatro
configuraciones, la siguiente tabla proporciona algunas caractersticas
generales de cada una:
2
1
0
1
1
.
Figura 1.14 transformador de pulsos
Tal como ocurre con el rectificador del primario, a la salida tambin es
necesario montar un componente que suavice el rizado. Como ya he
dicho, con
un
condensador
de
poca
capacidad
es
suficiente.
bobinas en serie. Las bobinas presentan una serie de ventajas, entre las
que podemos destacar estas:
1
3
1
5
1.3.2.
TOPOLOGIAS
1.3.3.1 Eficiencia
Por eficiente, debemos entender que es aquel dispositivo que en teora
tiene un rendimiento de un 100%, o por lo menos que sus prdidas en la
prctica sean lo ms pequeas posibles.
Para el caso de los MOSFETs la eficiencia ser: Segn el Datasheet
tenemos:
Rds=0.055
n=
1
0.055
1+
4
n=0.986
1.3.3.4 Distorsin
Distortion)
Armnica
Total
(THD:
Total
Harmonic
CAPITULO 2
DISEO DE LA FUENTE Y EL AMPLIFICADOR
2.1.
DISEO DE LA FUENTE
2.1.1.
Descripcin
Este circuito integrado (IR2110) nos proporcionara una
frecuencia de oscilacin, que controlara los estados de la
salida de los mosfet, que actuaran como switches que
permitirn los ciclos de conduccin de los bobinados primarios
del transformador, y es en esencia este el principio de
funcionamiento de la fuente switching, permitindonos
obtener una entrada de tensin con elevada frecuencia en el
bobinado primario y por lo tanto tambin tendremos la misma
frecuencia en el bobinado secundario, al que trataremos como
una fuente lineal cualquiera, que tendr que pasar por una
etapa de rectificacin y filtrado, pero bajo la condicin de que
los componentes tengan una buena respuesta frente a
cambios muy rpidos de tensin.
2.1.2 Diagramas de bloques de la fuente switching.
Una fuente conmutada comn posee la siguiente estructura en
diagrama de bloques.
Principio de funcionamiento
altas
previos
eleccin
de
V
2.8 P
I pk =
Pout =250
min
V
Donde
I pk
es la corriente de entrada.
I pk =3.75 A
Y es por eso que en nuestro proyecto usamos un fusible de 4 A
debido a que es un valor generalizado
Como podemos apreciar en las imgenes, se muestra tanto en
la circuitera y uno real.
2.1.4.3. Filtrado
Siempre en la etapa primaria de la fuente, a la salida del puente
rectificador hay un par de capacitores electrolticos de gran
tamao que se encargan de filtrar o eliminar el rizado de seal,
conocido como ripple.
Se us 2 capacitores electrolticos de
es suficiente para la etapa de filtrado.
V ac )
V c = 2220=311.13 v
De esta manera se proceder a colocar un condensador que
pueda manejar este nivel de voltaje, pero tomando en cuenta
que se debe sobredimensionar por proteccin as que utilizamos
2 capacitores de 250v, porque ya que estos 2 elementos se
encuentran en serie, y esto nos es suficiente para la etapa de
filtrado.
Como sabemos para el voltaje de rizado partimos de la siguiente
ecuacin:
V r=
I
2f c
Dnde:
330 f
P out
n
I=
=1.06 A
Vi
La
V r=
Descripcin
El VIPER22A combina un modo de corriente dedicada Controlador
PWM con una potencia de alta tensin MOSFET en el mismo chip
de silicio. Tpico aplicaciones cubren fuera de lnea de potencia
suministros para adaptadores de cargador de bateras , fuentes
de alimentacin de reserva para la televisin o monitores,
equipos auxiliares para el motor control, etc. El circuito de
control interno ofrece los siguientes beneficios:
Amplio rango de tensin de entrada en el pin
VDD acomoda los cambios en la alimentacin
auxiliar de tensin. Esta caracterstica se
adapta bien a las configuraciones de la
batera.
El modo de rfaga automtica en condiciones
de poca carga
Proteccin contra sobretensiones en modo de
hipo
IR2110
Caractersticas
DESCRIPCION
El IR2110 es de alto voltaje, MOSFET de potencia de alta
velocidad y Conductores IGBT con salida del lado de alta y baja
referencia independiente canales. Propietaria HVIC y trabe
tecnologas CMOS inmunes permitir la construccin monoltica
construido slidamente. Entradas lgicas son compatibles con
CMOS estndar o de salida LSTTL, frente a la lgica 3.3V. Los
controladores de salida cuentan con una etapa buffer actual
pulso alto diseada para el conductor transversal mnima de
conduccin. Los retardos de propagacin se emparejan para
simplificar el uso en aplicaciones de alta frecuencia. El canal
flotante se puede utilizar para conducir una potencia de 22 Canal
N MOSFET o IGBT en la configuracin del lado alto que opera
hasta 500 o 600 voltios.
+/- 45 V DC
+/- 15 V DC /300mA
Voltaje de salida
P =
200W
n
200 W
=235.29 W
0.85
P =P 1 + P2
P1=250 W
P2= 15 v , 300 mA
Pero como usaremos reguladores LM7812 y LM7912 necesitamos
un voltaje de 2.5v adicional por lo tanto
P2= 17.5 v , 300 mA
P2=10.5 W
P =250W +10.5W
P =260.5W
Pout
n
P =
260.5 W
=306.5 W
0.85
P
I av ( lowline ) =
min dc
min
min dc
I av=
306.5 W
=1.33 A 1.4 A
229V
min
V
2.8 P
I pk =
1.
Np
V p (nom) x 10
N p=
4 f c Bmax Ac
155 x 10
N p=
=38.3 T
4 ( 40000 Hz)(1700 Gauss)(1.19 cm2)
N p=19 T + 19T
2.
N s 1=
Ns
V p V s1
(1+
)
V pin
100
donde =1
N p=38 T (numero de espiras primarias)
V pin =150Vdc
V s 1=100 V ( votaje secundario)
N s 1=
38 x 100
1
1+
=25.58 T 26 T
150
100
N s 1=13 T + 13T
N s 2=
V p V s2
(1+
)
V pin
100
N s 1=
38 x 35
1
1+
=8.95 T 9T
150
100
Hacemos 2A
CMP=CMA I
CMA=350Cir mils
Secundario 1
I out1 =
Pout 250 W
=
=2.5 A 3 A
V out 100V
22 AWG
CMS=CMA I out1
CMA=500Cir mils
18 AWG
Secundario 2
I out =300 mA
CMS2=500 x 0.3=150 Cir mils
Que corresponde a 29 AWG
2.1.4.8. Etapa rectificadora de salida
Para la rectificacin de alta frecuencia se utiliza un sistema de
media onda con filtrado capacitivo e inductivo. Este rectificador
est compuesto de diferentes elementos como son:
Diodos Fast Recovery, Resistencia, Capacitores.
Valores Lmites
2.1.4.10.
2.2
2.2.1.1.
Calculo de la bobina:
Redondeando:
Calculo de la Inductancia:
Esquemtico
A) Esquemtico Amplificador:
C) PCB Amplificador:
D) Componentes Amplificador:
2.3.
2.3.2.
Esquemtico
Board.
2.3.3.
CONCLUSIONES
ganancia no
considerable.
es
lo
suficientemente
alta
para
ser
BIBLIOGRAFI
A
Libros
Horenstein
Gray Meyer
Millman Halkias
Shilling Belove
Sedra Smith
Rashid
Diseo.
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/7/IRF740.shtm
l
http://www.forosdeelectronica.com/f16/fuente-smps-switchingmode-power-supply12vdc-3251/
http://www.forosdeelectronica.com/f21/fuente-conmutadaswitching8558/index3.html
http://www.smps.us/topologies.html
http://www.irf.com/
https://www.egr.msu.edu/eceshop/Parts_Inventory/datasheets/lm311n
.pdf
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2184.pdf
http://www.smps.us/topologies.html
Guias