Iee3923 A1 Apuntes Puente H 12 PDF

tica - Prof. M. Torres T.
IEE3923 Sensores y Actuadores para Robo

ctrica
Departamento de Ingeniera Ele
lica de Chile
Pontificia Universidad Cato
Actividad 1: Apuntes Puente H

Circuitos Basicos
1.
Introducci
on
En clases se estudio el esquema general del puente H. Si bien el principio de operacion y su construcci
on es
relativamente sencilla, en la practica existen una variedad de opciones que se distinguen principalmente en dos
aspectos:
1. Tipo de transistor de potencia: BJT o MOSFET.
2. Simplicidad y robustez del circuito.
La implementaci
on de un puente-H utilizando transistores BJT, y en especial BJT tipo Darlington, es la mas
simple, puesto que en principio podra utilizarse las se
nales de un microcontrolador estandar para activar los
transistores, sin la necesidad de componentes adicionales. Sin embargo, esto no es lo ideal, puesto que una
sobredemanda de corriente o una sobretensi
on pueden da
nar el microcontrolador. La sobretensi
on es habitual
dada la naturaleza inductiva de la carga. Por otro lado, una logica de control mal implementada puede resultar
en estados en que se activa en forma simultanea la totalidad del puente, lo cual puede destruir los transistores
por la sobrecorriente de corto circuito que se produce. Por estas razones, se requieren medidas adicionales que
garanticen la integridad tanto de la electr
onica de control como de potencia. En las siguientes secciones se
presentaran diversos dise
nos, partiendo desde lo mas simple aunque tal vez poco eficiente y robusto, hasta lo
mas avanzado. Los dise
nos que se presentan han sido seleccionados en base a los siguientes criterios:
1. Simplicidad: Menor n
umero de componentes posible.
2. Robustez: Tolerancia a fallas y sobredemandas.
3. Eficiencia: Menores perdidas posibles en los transistores.
4. Efectividad: Mayor resolucion posible.
5. Generalidad: Aplicables a un amplio rango de motores DC y de facil integracion con la logica de control.
6. Costo e implementaci
on: Componentes faciles de conseguir a precios razonable en el mercado.
No todos los circuitos presentados son eficientes o previenen las fallas mencionadas. Algunos circuitos se
incluyen solo por su simplicidad. Para facilitar la decisi
on de implementaci
on y dise
no de un puente H, se
resume a continuaci
on la lista de problemas mas frecuentes y como evitarlos. Considerar estos aspectos en
la etapa de dise
no puede evitar complicaciones posteriores en la etapa de implementaci
on o de operacion del
dispositivo.
1. El microcontrolador se da
na facilmente y deja de funcionar: Aisle los transistores de potencia del puente
H de la electr
onica de control mediante buffers u optocuplas. De esta manera evitara sobretensiones
que se propaguen hasta el microcontrolador y sobreconsumos de corriente que exceden la capacidad del
microcontrolador.
2. El circuito produce ruido audible: Conmute los transistores idealmente a 16-20 kHz.
3. El circuito no puede conmutarse a frecuencias sobre los 3 kHz: debe dise
nar el circuito empleando
MOSFET en vez de BJT, as como emplear optocuplas rapidas o utilizar buffers CMOS de alta velocidad
en vez de optocuplas. Los integrados MGD (MOSFET Gate Driver) pueden resolver este problema
utilizando un solo chip.
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4. El circuito tiene una resolucion baja o limitada: Debe utilizar una PWM de 16-20 kHz. Si emplea
BJT y optocuplas lentas nunca podra alcanzar frecuencias de conmutaci
on ideales entre 16-20 kHz,
especialmente si emplea transistores BJT tipo Darlington que operan razonablemente bien hasta los 3
kHz.
5. Los transistores del puente se queman repentinamente: Verifique que la logica de control no este activando todo el puente o todo un lado en forma simultanea, esto corresponde a un cortocircuito de
la fuente. Para evitar que se enciendan los transistores simultaneamente debe implementar logica de
proteccion a nivel del microcontrolador o bien emplear un dise
no circuital con logica que bloque la falla.
La otra causa de da
no de los transistores puede ser una sobretensi
on por desconexion brusca o una
sobredemanda de corriente por cambio de giro repentino. Para evitar los spikes de sobretensi
on debe
colocar diodos flyback adicionales en forma antiparalela con los transistores de potencia. Para evitar
las sobrecorrientes, evite en lo posible aceleraciones grandes, especialmente los cambios repentinos en el
sentido de giro del motor.
2.
2..1
Puente-H BJT
Puente-H BJT B
asico
Un puente-H basico se compone de cuatro transitores como se muestra en la fig. 1. Cuando se activan los
transistores superior izquierdo e inferior derecho, la carga queda energizada con el voltaje de la fuente V S en el
terminal izquierdo y el potencial de tierra en el terminal derecho. En cambio, cuando se activan los transistores
superior derecho e inferior izquierdo, el terminal derecho ahora recibe el voltaje de la fuente, mientras que el
terminal izquierdo tendra el potencial de tierra. De esta manera, la polaridad de la carga, como un motor
se invierte, cambiandose el sentido de giro. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. En
esta tabla, A.in, B.in representan los niveles logicos en los terminales de entrada del circutio, X.out e Y.out,
representan los terminales de salida izquierdo y derecho, respectivamente. El termino V S representa el voltaje
de la fuente de alimentacion y x es un estado indeterminado (el terminal esta flotando sin estar conectado a
la fuente o a tierra). Si bien este circuito es sencillo, tiene algunos problemas. En primer lugar, una activacion
del puente entero (A.in=B.in=1) produce un corto circuito que puede destruir el puente. Por otro lado, la
eficiencia del puente es limitada porque los transistores son todos NPN y tal configuraci
on no permite llevar
a conduccion plena los transistores del lado superior del puente, puesto que el emisor del lado superior no se
encuentra a potencial de tierra, sino a potencial de 2 4 V correspondientes a la caida de tensi
on Vce en los
transistores del lado inferior, y luego puede requerise un voltaje Vbe mayor en el lado superior para saturar el
transistor. Por esta razon, conviene utilizar transitores complementarios PNP en el lado superior del puente
como se explica en la siguiente seccion. A continuaci
on se resumen las caractersticas del puente-H de la fig. 1:
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Notas Puente-H fig. 1:

Las resistencias en la base de los transistores son para limitar la demanda
de corriente sobre el microcontrolador por parte del transitor. En la practica
el valor de la resistencia puede encontrarse colocando un valor alto y reduciendolo progresivamente hasta encontrar el punto en el que el transistor
entra en conduccion. El valor exacto puede calcularse empleando el valor de
ganancia colector-base F y la corriente por la carga (F = Ic /Ie ).
Los transistores pueden ser TIP41 (Ic = 6 A, Vce = 40 V , P = 65 W ),
TIP35C (Ic = 25 A, Vce = 100 V , P = 125 W ), u otros, como el
2N3055/2N2955 o los BJT Darlington TIP120 y TIP142.
Si el requerimiento de corriente del transistor es muy alto, debe emplearse un
buffer o un transistor de se
nal, tipo 2N2222 entre la compuerta del microcontrolador y el transistor de potencia del puente.
Los transistores de potencia deben ubicarse en una placa aparte de la placa de
circuitera logica, idealmente aislados mediante optocuplas y montados sobre
disipadores de calor.
Debe tenerse presente que en la mayora de transistores, el terminal colector
corresponde al exterior del encapsulado. Por lo tanto, debe cuidarse de aislar
o montar transistores cuyo colector no es comn en disipadores independientes.
A.in
1
0
0
1
2..2
Tabla 1: L
ogica de control del puente-H de la fig. 1.
B.in X.out Y.out
Descripci
on
0
VS
0
FWD (giro adelante)
1
0
VS
REV (giro reverso)
0
x
x
free coasting (giro libre)
1
!!!
!!!
corto circuito V S-GN D (da
no
de los transistores!)
Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios
En un puente-H con transistores complementarios, la parte superior del puente emplea tpicamente transitores
tipo PNP, en una configuraci
on llamada configuraci
on de fuente como se muestra en la fig. 2. En esta
configuraci
on el transistor actua como una fuente de corriente para la carga. La resistencia de 10 k actua
como pull-up asegurando que el transistor se mantega apagado (en corte sin conducir corriente) mientras no se
conecte el switch. La resistencia de 1 k se emplea para limitar la corriente que sale de la base cuando la base
se lleva a tierra mediante el switch. Cuando el switch se cierra, la juntura emisor-base se polariza en forma
directa, haciendo que cierta corriente salga hacia afuera de la base. Si la batera es de 12 V y la cada de
a saliendo de
tensi
on Veb = 0.7 V , la corriente por la base sera Ib = 120.7
1000 = 11.3 mA (negativo porque est
la base). Dada la constante Hf e para el TIP107, este nivel de corriente es suficiente para encender el transistor
manteniendolo saturado en un nivel de corriente que dependera de la resistencia de la carga.
De manera similar, la parte inferior del puente puede implementarse empleando un transistor complementario
en configuraci
on de sumidero como se muestra en la fig. 3. Esta configuraci
on recibe este nombre porque el
transitor actua como un sumidero permitiendo a la corriente entrar al nodo de tierra una vez que ha pasado
por la carga. En este caso la resistencia de 10 k actua como pull-down para mantener el transitor apagado
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Figura 1: Puente-H basico empleando BJTs tipo NPN.
Figura 2: Transistor PNP conectado en configuraci

on de fuente.
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mientras no se cierre el switch. Al igual que en el caso anterior, la resistencia de 1 k tiene por finalidad
limitar la corriente que entra por la base cuando se cierra el switch y la juntura base-emisor se polariza en
forma directa.
Figura 3: Transistor NPN conectado en configuraci

on de sumidero.
Ciertamente tener un switch no ayuda a resolver el problema de conectar y desconectar la carga utilizando el
transistor. En tal caso, simplemente debera emplearse el switch directamente en serie con la carga. Para la
configuraci
on sumidero (fig. 3) la activacion podra realizarse aplicando 5 V (se
nal logica) del microcontrolador
directamente a la resistencia en la base del transistor para polarizar en forma directa la juntura base-emisor seg
un
50.7
se muestra en la figura 4. Si la caida de tensi
on Vbe = 0.7 V , la corriente de base sera Ib = 1000 = 4.3 mA,
suficiente para hacer que el transistor entre en conduccion sin sobrecargar al microcontrolador.
Figura 4: Transistor NPN conectado en configuraci

on de sumidero a salidas de microcontrolador.
La solucion anterior no puede aplicarse para reemplazar el switch en la configuraci
on fuente por una conexi
on
directa al microcontrolador. Si bien en el caso de la configuraci
on fuente, el pull-up puede llevarse a tierra
colocando una se
nal 0 V en alguna salida del microcontrolador, haciendo que el transistor empiece a conducir,
el problema esta en que el microcontrolador no puede poner en su salida un voltaje igual a V S, para llevar el
voltaje en la resistencia de 1 k en la base a un voltaje igual al de la fuente, y as interrumpir la conduccion de
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corriente por el transistor. En algunos microcontroladores es posible poner la salida del microcontrolador en
tri-state dejando que la base suba al voltaje de la fuente libremente a traves de la resistencia de pull-up. Sin
embargo, esto tiene el riesgo de que al exponer el pin del microprocesador a un voltaje mayor al que estaba
dise
nado para soportar el microcontrolador simplemente se queme. Una solucion simple es utilizar un transistor
de se
nal que funcione como pull-down, seg
un se muestra en el circuito de la figura 5. El transistor pull-down
permite llevar el pull-up del transitor de potencia a tierra cuando se necesita encenderlo completamente, e
interrumpir el pull-down cuando se requiera apagar el transistor de potencia dejando que su base vuelva al
voltaje de la fuente a traves del pull-up.
Figura 5: Transistor PNP conectado en configuraci

on de fuente a salidas de microcontrolador mediante un
transistor pull-down.
Aplicando las ideas mencionadas puede implementarse un puente-H como el que se muestra en la figura 6,
basado en el circuito propuesto por [4]. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. Las principales
caractersticas de este puente-H (fig. 6) son:
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El transistor TIP120 puede reemplazarse por TIP102, TIP122 o TIP142.
El transistor TIP125 puede reemplazarse por TIP107, TIP127 o TIP147.
El voltaje de alimentacion para este circuito puede ser V s = 6 40 V , con
una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak).
Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo
tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto tambien es valido para
los transistores en el lado derecho.
El circuito esta dise
nado para funcionar a menos de 3 kHz. Valores entre
50 300 Hz son ideales para reducir las perrdidas en este circuito. Si se
desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de
pinch-off de 1 k colocadas entre la base y el emisor de cada transistor
TIPxxx.
Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y
el motor lo mas cortos posibles.
Los diodos flyback no se requieren, ya que estan incorporados en los TIPxxx
tipo Darlington.
Este circuito no tiene limitaci
on de corriente. Inversi
on del sentido de giro a
altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente.
Las entradas requieren un voltaje logico de 5 V . Voltajes mayores puede
sobrecalentar las resistencias R4.
A.in
1
0
0
1
2..3
Tabla 2: L
B.in X.out Y.out
Descripci
on
0
VS
0
FWD (giro adelante)
1
0
VS
REV (giro reverso)
0
x
x
free coasting (giro libre)
1
VS
VS
breaking (frenado)
Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios y Optocuplas
El circuito anterior (ver fig. 6 tiene dos desventajas. En primer lugar es menos simple que otros circuitos, y
por otro lado, el circuito de control y la parte de potencia comparten la misma tierra, lo cual puede causar que
el ruido en la electr
onica de potencia afecte el funcionamiento de la circuitera de control. Una circuito mas
conveniente se presenta en la fig. 7, basado en el circuito propuesto por [5]. En vez de utilizar transistores para el
lado superior del puente, este circuito emplea optocuplas como la NEC PS2504-4 que viene en un encapsulado
DIP. La ventaja de este circuito radica en que la optocupla conformada por el para LED-fototransistor, permite
aislar totalmente la electr
onica de control de la parte de potencia reduciendo la posibilidad de que una sobrecarga
da
ne el microcontrolador e impidiendo que el ruido electrico de conmutaci
on en la carga pase a la fuente que
alimenta al microcontrolador. De hecho, para el microcontrolador la optocupla aparece simplemente como un
LED, y la tierra de microcontrolador es independiente de la tierra de potencia!
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Figura 6: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington.
Figura 7: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington con optocuplas.
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La desventaja principal de utilizar optocuplas es que la conmutaci

on de estos es mas lenta que la de un
transistor com
un. En muchas optocuplas el tiempo de encencido es de alrededor de 4 s. Esto implica que
si uno la enciende y apaga tan rapido como sea posible, en el mejor de los casos la optocupla entregara una
onda cuadrada con un duty cycle de 50% y una frecuencia de 125 kHz. Dado que el tiempo mnimo de
apagado o encendido es de 4 s, si uno desea pasos iguales de PWM de 1% a 100%, se requerira un intervalo
de 100 4 s, de manera de tener todas los incrementos posibles (desde un intervalo de 4 s encendido y 99
intervalos iguales apagados, hasta 99 intervalos encendidos y un intervalo apagado). Esto limita la frecuencia
de la PWM a fP W M < 1/400 s = 2500 Hz. Si uno no esta interesado en tener uniformidad, particularmente
a velodicidades bajas o altas, entonces podra fijarse el periodo en 1 s, y aumentar la frecuencia de la PWM a
10 kHz, pero con brechas de velocidad que iran en tramos 0%, 4%-96% y luego 100%. Las brechas bajo 4%
y sobre 96% corresponden a los 4 s de conmutaci
on mnima. En este caso el periodo base sera de 100 s. Si
no se requiere precisi
on de posicionamiento, puede sacrificarse la resolucion de velocidad en la parte baja de la
escala.
Los diodos que se muestran en la fig. 7, denominados diodos de flyback, no son extrictamente necesarios si se
emplean transistores BJT tipo Darlington, puesto que estos traen un transistor incorporado. Sin embargo, es
conveniente a
nadir diodos como una proteccion adicional. Incluso en algunos casos se a
nade una red snubber,
que basicamente es un condensador y una resistencia en paralelo con la carga, y cuya funcion, al igual que los
diodos flyback es la de absorber los impulsos de corriente que se producen al conmutar los transistores. En
efecto, mientras mas alta es la frecuencia de conmutaci
on, mayor es la amplitud de los impulsos, pueso que el
voltaje en la carga, que es principlamente de tipo inductivo en el caso de un motor, estara dada en el instante
de conmutaci
on por V = Ldi/dt. Si se considera una inductancia de 1 mH, y una corriente de 10 A, con un
periodo de conmutaci
on de 4 s, V = 103 10/(4 106 = 2500 V . Ciertamente no se alcanzara esta tensi
on
ya que parte de la energa se disipara antes en la resistencia del motor y de los transistores, pero a
un as el
peak de voltaje puede ser suficiente como para da
nar el transistor si no se cuenta con una proteccion adicional.
La logica de control de este puente es muy similar a la del anterior, como se muestra en la tabla 3. La diferencia
yace en el hecho de que en vez de tener dos canales de entrada y la tierra, este puente tiene los canales A
y B, y un canal de habilitaci
on (EN, enable). Este tercer canal se puede utilizar para enviar la se
nal PWM
mientras que los canales A y B solo determinan la direcci
on de giro. De esta manera el puente solo requiere
una se
nal PWM en vez de dos se
nales PWM en los canales A y B. Esto es particularmente conveniente en
microcontroladores peque
nos que poseen solo una se
nal PWM o en los cuales el costo de generar interrupciones
tiene un impacto alto sobre la velocidad de desempe
no del codigo. Algunas caractersticas y observaciones
importantes sobre este puente-H de (fig. 7) se resumen en el cuadro que se presenta a continuaci
on.
A.in
1
1
0
0
0
0
1
1
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Tabla 3: L
B.in EN X.out Y.out
Descripcion
0
0
VS
0
FWD (giro adelante)
0
1
VS
x
Q4 OFF. PWM en EN regula la
velocidad FWD
1
0
0
VS
REV (giro reverso)
1
1
x
VS
Q3 OFF. PWM en EN regula la
velocidad REV
0
0
x
x
Todos los transistores OFF, free
coasting (giro libre)
0
1
x
x
Todos los transistores OFF, free
coasting (giro libre)
1
0
VS
VS
Q3 y Q4 ON, breaking (frenado)
1
1
VS
VS
Q3 y Q4 ON, breaking (frenado). PWM en EN, regula la
velocidad de frenado.
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El transistor TIP102 puede reemplazarse por TIP120, TIP122 o TIP142
El transistor TIP107 puede reemplazarse por TIP125, TIP127 o TIP147
El voltaje de alimentacion para este circuito puede ser V s = 6 40 V , con
una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak).
Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo
tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto tambien es valido para
los transistores en el lado derecho.
El circuito esta dise
nado para funcionar a menos de 3 kHz. Valores entre
50 300 Hz son ideales para reducir las perrdidas en este circuito. Si se
desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de
pinch-off de 1 k colocadas entre la base y el emisor de cada transistor
TIPxxx.
Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y
el motor lo ms cortos posibles.
Los diodos flyback no se requieren, ya que estan incorporados en los TIPxxx
tipo Darlington. Los diodos en este diagrama son de respuesta rpida, y se
incluyen para proteccin adicional de los transistores.
Este circuito no tiene limitaci
on de corriente. Inversi
on del sentido de giro a
altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente.
Este circuito tiene la ventaja de que no permite entradas invalidas, que activen
un lado completo del puente cortocircuitando la fuente. Adems tiene la
ventaja de aislar las seales de potencia de las seales de control mediante las
optocuplas.
Las optocuplas pueden ser del tipo PS2501-4 (Quad optocoupler).
Los canales A, B, pueden conectarse directamente a la salida de un PIC. Los
LEDs internos de la optocuplas tpicamente generan una caida de tensi
on
de 1.2 V , la corriente maxima que entrega un PIC es de 20 mA, y por lo
tanto, se requiere de una resistencia para limitar la corriente al valor mnimo
de encendido del LED IL = 6.8 mA = (5 1.2)/R, de donde R = 530 .
3.
Puente-H MOSFET
Al igual que en el caso del puente-H con transistores BJT es posible implementarpuente-H con transistores
MOSFET. Los transistores MOSFET requieren de electr
onica adicional, puesto que requieren niveles de tensi
on
Vsg entre el gate y el source sobre los 12 V para su activacion y los transistores TTL (5 V ) no pueden generar
o trabajar a estos niveles. Por esta razon los MOSFET no pueden conectarse directamente a las salidas TTL
de los microcontroladores comunes. A pesar de esta desventaja y el hecho de que su construcci
on tipo CMOS
los hace muy vulnerables a descargas estaticas, los beneficios que tienen los hacen los convierten en la primera
opci
on de todo puente de alto desempe
no. Las ventajas de los MOSFETs se resumen en sus bajas perdidas
(menos de 10 20 W frente a perdidas de 100 W para un transistor de capacidad media similar), y su alta
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velocidad de conmutaci
on (permite generar un mayor n
umero de niveles en la PWM).
En la figura 8 se muestra un esquema basico del puente-H implementado con MOSFETs de canal N. La logica
de control para este circuito es equivalente al de la version BJT que se muestra en la tabla 1. A diferencia del
puente-H basico implementado con BJTs, en este puente se requieren 4 compuertas NAND que vienen en un
Quad NAND como el CMOS 4011. Estas compuertas tienen por finalidad realizar la conversion de nivel TTL
a CMOS. Algunos circuitos para la conversion TTL a CMOS y viceversa se presentan en la siguiente seccion.
Otras caractersticas de este puente-H se resumen en el siguiente cuadro.
Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011.
Estas pueden reemplazarse por optocuplas como se explicara a continuaci
on.
Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales
pueden ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de
International Rectifier. Este u
ltimo ha sido reemplazado por uno de menores
perdidas, el IRF B3006.
Este puente, al igual que la version basica empleando BJTs, no considera
mecanismos que eviten la activacion del puente completo y el cortocircuito
de la fuente.
Figura 8: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N.
3..1
Puente-H con MOSFETs Complementarios
El utilizar transistores MOSFETs complementarios puede lograrse el encendido completo de los transistores y
de esta manera reducir las perdidas en el transistor. Las razones del por que no puede lograrse un encencido
completo cuando los transistores son del mismo tipo son las mismas que las mencionadas en el caso del
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puente BJT con transistores complementarios. Un puente-H muy similar al anterior pero con compuertas
complementarias se muestra en la fig. 9. Para este circuito tambien son validas las observaciones mencionadas
para el puente-H basico de la seccion anterior. Estas y otras observaciones se incluyen a continuaci
on.
Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011. Estas pueden
reemplazarse por optocuplas como se explicara a continuaci
on.
Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales pueden
ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de International
Rectifier. Este u
ltimo ha sido reemplazado por uno de menores perdidas, el IRF B3006.
Este puente, al igual que la version basica empleando BJTs, no considera mecanismos
que eviten la activacion del puente completo y el cortocircuito de la fuente.
El uso de MOSFETs de canal complementario (tipo P en la parte superior del puente
en vez de N) permite un encendido completo de los transistores. Si bien los dispositivos
de canal N son preferibles por sus bajas perdidas, el problema que tienen es que para
operar correctamente el terminal source debe estar conectado al borne del motor y el
terminal drain a la fuente (ver fig. 8). Cuando se utiliza un dispositivo tipo P, su
terminal source estara conectado a la fuente y el terminal drain al borne del motor (ver
fig. 9). El problema esta en que ambos dispositivos se controlan mediane el voltaje
VGS . Para dispositivos de canal P (ver fig. 9), si el gate esta conectado a V S (el voltaje
de la fuente), el transistor estara cerrado (voltaje VGS = 0 V ) y si el gate se conecta
a tierra el transistor se abrira (si el voltaje V S de la fuente es suficiente para abrir el
transistor, dado que el voltage VGS = V S). Para el dispositivo de canal N del lado
superior del puente (ver fig. 8) la situaci
on es mas complicada. Si se conecta el terminal
gate a tierra o la fuente, el dispositivo se mantendra cerrado porque VGS sera 0 V o
superior V S (por la caida de tensi
on en los tansistores del lado inferior del puente).
y no tendra un valor negativo, como se requiere para abrirlo. La pregunta es donde
conectar el gate del transistor de canal N para abrirlo, dado que el voltaje de la fuente
V S puede ser insuficiente, pues cuando el dispositivo esta cerrado, VDS 0. Como
el drain esta conectado a V S, entonces VS V S, pero se requiere VGS > VT H + VS
para abrirlo, con el voltaje de threshold VT H 5 V para MOSFETs llamados de nivel
logico (logic level MOSFETs) y VT H 10 15 V para los MOSFETs tpicos. En la
mayora de los casos se requiere una bomba-de-carga (charge pump) en configuraci
on
stand alone o boot-strapped [8]. En la practica esto se traduce en que los drivers del
lado superior presentan un tiempo de encendido/apagado mayor que en el lado inferior,
porque los drivers del lado superior no pueden entregar tanta corriente como los de la
parte inferior del puente (menores corrientes implican un mayor tiempo para la carga de
las capacitancias de gate de los transistores). La operacion a altas frecuencias, donde
las perdidas por conmutaci
on son un factor importante, el uso de MOSFETs de canal
P puede ser mas conveniente por las razones anteriores. A bajas frecuencias, para las
cuales las perdidas por conmutaci
on son despreciables, la operacion de los drivers con
corrientes mayores es deseable. En esta situaci
on, las perdidas por la resistencia del
canal son mas importantes que aquellas por conmutaci
on, y por lo tanto los MOSFETs
de canal N son una mejor solucion de compromiso.
Existen otros puente-H basados en MOSFETs que emplean optocuplas como mecanismos de conversion de la
logica TTL a CMOS, y a la vez como medio de aislacion de la circuitera de potencia de aquella de control. Estos
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Figura 9: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal P y N.

circuitos son muy similares al de la fig. 7 y pueden encontrarse en [1, 3, 7, 6, 8]. El problema de estos circuitos
es que algunos utilizan optocuplas lentas, y por lo tanto la ventaja de operacion rapida de los MOSFETs se
pierde. Una alternativa a las optocuplas son los MOSFET Gate Drivers o MGDs como los ICs Intersil HIP
4081 (para MOSFETs de canal N), el International Rectifier IRS2110 o el L6390 de ST Microelectronics, cuyos
valores se muestran en la tabla 4. Estos integrados contienen la circuitera necesaria para controlar el apagado
y encencido de los transistores del puente en forma segura a partir de se
nales TTL. En la siguiente seccion
se presentan algunas ideas adicionales para realizar la conversion TTL a CMOS y viceversa. Algunos de estos
circuitos pueden utilizarse para controlar la activacion de los MOSFETs.
3..2
Puente-H con MOSFETs y Optocuplas
Existen varias alternativas para implementar un puente-H con MOSFETs comandados mediante optocuplas de
manera muy similar al puente-H con BJTs. En la fig. 10 se muestra el puente-H con MOSFETs de canal N y
una manera simple de garantizar que la activacion completa de todo el puente nunca ocurra. Esta configuraci
on
requiere de dos se
nales A y B para controlar el sentido de giro. Si se agrega una tercera se
nal de ENABLE
como en el circuito de la fig. 11, se puede utilizar la se
nal ENABLE para la PWM, mientras que A y B definiran
el sentido de giro. En realidad, solo son necesarios el ENABLE y A o B, ya que B puede generarse negando
A, aunque en este caso el puente no tendra la capacidad ed frenado (A y B en 1), ni de giro libre (A y B
en 0). Por u
ltimo, un puente-H con MOSFETs complementarios y optocuplas con canal A, B y ENABLE se
muestra en la fig. 12. Esta es una configuraci
on ideal para conmutaci
on a alta frecuencia, y probablemente la
configuraci
on que debera considerarse como primera opci
on por su eficiencia y simplicidad.
Para finalizar esta seccion se presentan algunos ejemplos de puentes-H basados en MOSFETs que conforman
un grupo representativo de las mejores soluciones que pueden encontrarse en Internet. Estos puentes recogene
de un modo u otro, las recomendaciones presentadas en estos apuntes. En la fig. 13 se muestra el puente-H de
McManis [6], en la fig. 14 se muestra el puente-H Devantech MD22 [9] y finalmente en la fig. 15 se muestra
un puente-H que forma parte de un circuito con adaptadores de se
nal PWM de servos de radiocontrol (R/C)
a PWM de comando para el puente [10].
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Figura 10: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas independientes.
4.
Conversi
on de nivel TTL a CMOS, CMOS a TTL y optocuplas
Los circuitos de las figuras 16 y 17 muestran circuitos para convertir los niveles de se
nal TTL a nivel CMOS.
Estos circuitos tambien pueden emplearse como buffers de proteccion de la electr
onica de control o drivers de
transistores MOSFET. Al emplearlos debe considerarse la capacidad de corriente y voltaje de los transistores
2N2222. En casos que la carga presente un gran consumo y opere a tensiones elevadas estos circutios deberan
modificarse adecuadamente. Las compuertas negadoras son buffers que deben ser de la logica apropiada, ya
sea CMOS o TTL. En el caso CMOS un buffer negador puede implementarse con un Quad two-input NAND
4011, colocando la misma se
nal en ambas entradas o bien con un buffer NOT 4069 de seis negadores. Los
buffer TTL pueden construirse de similar manera con un Quad two-input NAND 7400 o negadores 7404 de
seis entradas, o el equivalente al 7404, los 7414 que poseen inputs con Schmitt triggers, los cuales tienen una
mejor inmunidad al ruido y son ideales para se
nales que cambian lentamente o que son ruidosas.
Otra alternativa a los circuitos de conversion TTL a CMOS y viceversa son las optocuplas. Estas basicamente
son un par LED emisor-fototransistor como se muestra en la fig. 18. Las optocuplas son u
tiles por su simplicidad
y la capacidad de aislar distintas partes de un circuito, de modo que si una parte contiene se
nales ruidosas,
estas no contaminen otras partes a traves de la tierra compartida. Algunas optocuplas tpicas son la Vishnay
4N35 (tswitching = 10 s), CEL PS2501 (tswitching = 5 s), Toshiba TLP250 (tswitching = 1.5 s) o Fairchild
Semiconductor 6N135 (tswitching = .5 s) (esta u
ltima permitira una PWM de 20 kHz).
5.
Informaci
on Adicional Recomendada
En adici
on a las referencias mencionadas, existen diversas notas de aplicacion [11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]
que describen en mayor profundidad aspectos concernientes al dise
no de puentes-H. Algunos de los componentes
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Figura 11: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas con se

nal ENABLE.
Figura 12: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal P y N, y optocuplas con se

nal ENABLE.
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Figura 13: Puente-H con MOSFETs McManis Speed Controller, [6].
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Figura 14: Puente-H con MOSFETs Devantech MD22, [9].

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Figura 15: Puente-H con MOSFETs Speed H-Bridge, [10].

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Figura 16: Conversion TTL a CMOS.
Figura 17: Conversion CMOS a TTL.
Figura 18: Optocupla utilizada como switch e aislacion de circuitos.
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mas utilizados se resumen en la tabla 4.
Transistores MOSFET
Transistor
Canal
Vds [V]
IRF 9530N
IRF 530N
IRF 5305
IRF IZ48V
IRF Z48N
IRF 1405
IRF B3006
P
N
P
N
N
N
N
-100
100
-55
60
55
55
60
Id [A]
@ Vgs = 10 V, 25 C
-14
17
-31
39
64
169
195
MOSFET Gate Drivers (MGDs)

IRS2110
International Rectifier - High and Low Side MOSFET Driver Up to 500
HIP4081
Intersil - N-channel 80V MOSFET Driver
L6390
ST Microelectronics - High and Low Side N-channel MOSFET Driver
Vgs [V]
Rds [m ]
20
20
20
20
20
20
20
200
90
60
12
14
5.3
2.1
Pd [W]
@ 25 C
79
70
110
43
130
330
375
Encapsulado
Precio [USD]
Aplicacin
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
TO-220FP
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
0.98
1.97
2
2
2.15
3.72
7.32
Robotics Bonanza
Robotics Bonanza
Devantech
P3-AT
Roboteq
Remplazar IRF 1405
Pc [W]
@ 25 C
65
65
125
125
Encapsulado
Precio [USD]
Aplicacin
TO-220
TO-220
TO-247
TO-247
1.08 / 1.04
0.95 / 0.86
2.35 / 2.68
2.44 / 2.44
Robotics Bonanza
Robotics Bonanza
Robot Schweinchen
Precio [USD]
4.32
6.86
4.29
Optocupla RapidaTLP250
Transistores BJT
Transistor
Tipo
Vce [V]
TIP 41
TIP 41C / 42C
TIP 142 / 147
TIP 35C / 36C
NPN / PNP
NPN / PNP
NPN / PNP Darlington
NPN / PNP
40
100
100
100
Ic [A]
(DC)
6
6
10
25
Veb [V]
Vce [V]
5
5
5
5
1.5
1.5
3
4
Tabla 4: Cuadro comparativo de transistores para puente-H.
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Referencias
[1] Miguel Torres Torriti. Ejemplo Circuitos Microcontroladores. Apuntes del curso Sensores y Actuadores
para Robotica. Pontificia Universidad Catolica de Chile, noviembre, 2006.
[2] Miguel Torres Torriti. Tutorial Microcontroladores PIC Iniciacion Rapida . Pontificia Universidad
Catolica de Chile, abril, 2007.
[3] Jose Luis Peralta Cabezas, Felipe Haro Schapper, Miguel Torres Torriti. Ejemplos del Programa para
Actividad Servomotor basados en el Application Note 696 de Microchip. Pontificia Universidad Catolica
de Chile, noviembre, 2006.
[4] Bob Blick.
2002.
HBbridge.
http://www.bobblick.com/techref/projects/hbridge/hbridge.html,
[5] Chuck McManis. H-Bridges: Theory and Practice.

http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006.
[6] Chuck McManis. PIC Based Speed Controller.
http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006.
[7] Vincent Sieben. A High Power H-Bridge. Alberta, Canada, septiembre, 2003.
[8] Andras Tantos. The H-Storm Web. http://www.modularcircuits.com/index.htm, 2007.
[9] Gerry Coe, Devantech Ltd. MD22 - Dual 24Volt 5Amp H Bridge Motor Drive MD22
Technical
Documentation.
http://www.robot-electronics.co.uk/images/md22sch2.gif,
ver. 9,
marzo 2006. Ver tambien,
el proyecto TamuBot ver. 3.0 (Parker01),
http://sites.google.com/a/tamu.edu/parker01/motor-controller.
[10] Speed H-Bridge. Revista Enciclopedia Electronica.
[11] Duncan Grant. Using HEXFET III in PWM Inverters for Motor Drives and UPS Systems. International
Rectifier AN-967.
[12] Vrej Barkhordarian. Power MOSFET Basics. International Rectifier AN-1084.
[13] HV Floating MOS-Gate Driver ICs. International Rectifier AN-978.
[14] HIP4081A, 80V High Frequency H-Bridge Driver. Intersil Application Note AN9405.5, December 11, 2007.
[15] Tim Regan. A DMOS 3A, 55V, H-Bridge: The LMD18200. National Semiconductor Corp. Application
Note AN-694.
[16] Tim Bucellla. Servo Control of a DC-Brush Motor. Application Note AN532, Microchip Technology Inc.,
AZ, USA, 1997.
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ctrica
lica de Chile
[17] Chris Valenti. Implementing a PIC Controller Using a PIC18 MCU. Application Note AN937, Microchip
Technology Inc., AZ, USA, 2004.
[18] Microchip Tips n Tricks. DS40040B, Microchip Technology Inc., AZ, USA, 2003.
[19] IRMCK203 Design Solutions. Design Tips DT04-2, International Rectifier, CA, USA, marzo, 2004.
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IEE3923 Sensores y Actuadores para Robo

Actividad 1: Apuntes Puente H

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Actividad 1: Apuntes Puente H

Notas Puente-H fig. 1:

Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios

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Figura 1: Puente-H basico empleando BJTs tipo NPN.

Figura 2: Transistor PNP conectado en configuraci

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Figura 3: Transistor NPN conectado en configuraci

Figura 4: Transistor NPN conectado en configuraci

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Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 5: Transistor PNP conectado en configuraci

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Notas Puente-H fig. 6:

Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios y Optocuplas

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Figura 6: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington.

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La desventaja principal de utilizar optocuplas es que la conmutaci

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Actividad 1: Apuntes Puente H

Notas Puente-H fig. 7:

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Figura 8: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N.

Puente-H con MOSFETs Complementarios

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Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 9: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal P y N.

Puente-H con MOSFETs y Optocuplas

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Figura 10: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas independientes.

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Figura 11: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas con se

Figura 12: Puente-H basico empleando MOSFETs de canal P y N, y optocuplas con se

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Figura 13: Puente-H con MOSFETs McManis Speed Controller, [6].

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Figura 14: Puente-H con MOSFETs Devantech MD22, [9].

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Figura 15: Puente-H con MOSFETs Speed H-Bridge, [10].

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Figura 16: Conversion TTL a CMOS.

Figura 17: Conversion CMOS a TTL.