EFFET HALL DANS UN SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE

Cette manipulation a pour but la dtermination de la nature des porteurs de charge majoritaires d'un semiconducteur extrinsque et la mesure de leur concentration et de leur mobilit la temprature ordinaire.
1 - Rappel de l'effet Hall simple
Considrons un solide non-isolant paralllpipdique plac dans une induction magntique uniforme
r
r
B selon l'axe Oz, parcouru par un courant I perpendiculaire B (axe Ox) selon le schma ci-contre.

On constate qu'il existe une d.d.p. VH, dite tension

de Hall, suivant Oy. L'explication du phnomne est lie
au rgime transitoire : au cours de celui-ci les trajectoires
des porteurs (charge
r q) sont inflchies par la force de

----------------

EH

lz
j

++++++++++++

ly
x

Laplace q v B et il apparat une accumulation de

charges
opposes
sur
chacune
des
faces
perpendiculaires Oy (q>0 dans la figure ci-dessus).
Cette polarisation cre un champ lectrique qui s'oppose
l'action de l'induction. Le rgime stationnaire est obtenu
lorsque les lignes de courant sont parallles Ox, le
champ ayant alors atteint la valeur telle que

r
r r
E H + v B = 0 ==> E H = v B
EH, v, B tant les mesures algbriques des vecteurs correspondants sur Oy, Ox, Oz.
j
1
v = nq = l l nq
yz

et

EH =

VH
ly

entranent

IB
1
VH = RH l
o RH = n q
z
La constante de Hall RH fournit la densit de charges mobiles n q, donc le signe de ces charges dans la
mesure o VH a t correctement orient par rapport Oy.
r
r
r

La loi d'Ohm j = x = v n q s'applique ce rgime permanent et = n q est appel la mobilit.

2 - Limite de cette thorie
Cette interprtation simplifie, classique (c'est dire non quantique), s'applique bien certains mtaux
(Cu, Ag,...) o le signe ngatif de RH confirme une conduction par lectrons. Pour d'autres mtaux (Zn,
Be,...) o RH est positive, il a fallu attendre la thorie des bandes qui, en introduisant la conduction par trous,
est venue lever cette apparente contradiction.
Dans les semi-conducteurs on peut considrer qu'il n'existe qu'un seul type de porteurs si le dopage est
assez important c'est dire si n > 1016 atomes/cm3 et la temprature assez leve : T > 300K. L'effet Hall
est alors bien dcrit par la thorie ci-dessus. Dans les semi-conducteurs faiblement dops temprature
ambiante ou fortement dops basse temprature, il y a la fois conduction par lectrons et par trous. La
thorie ci-dessus n'est plus applicable : on constate que leur rsistance en prsence du champ magntigue est
suprieure la valeur dite "ohmique" en champ nul. Une rsistance est dite ohmique si elle ne dpend ni du
sens du courant, ni de la prsence d'un champ magntique.
Dans ce cas, il faut tenir compte des 2 types de porteurs qui ont des mouvements diffrents (voir le
paragraphe 4).
Semi-conducteurs effet Hall -1
Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble

3 - Partie pratique
3-1) Tracer la courbe d'talonnage de l'lectroaimant : champ B dans l'entrefer en fonction de IB,
intensit dans les bobines. L'appareil de mesure du champ est talonn en Gauss : 1 Gauss vaut 10-4 Tesla.
Observer le sens des enroulements et la polarit du courant pour dterminer la direction de

r
B.

3-2) Afin de dterminer la rsistivit de l'chantillon utilis, tracer la caractristique I(V) de la sonde
pour un courant IS parcourant la sonde variant de 0,5 3 mA. En dduire la rsistance de la sonde et
l'incertitude sur cette rsistance.,
Calculer la rsistivit du matriau (silicium) constituant la sonde et son incertitude.
On vrifiera que les contacts sont ohmiques et qu'il n'y a pas de magntorsistance.
3-3) Raliser le montage ci-dessous
A
C

Le curseur A du potentiomtre est rgl

pour obtenir VH = 0 dans un champ nul, et
ceci pour chaque valeur de IS.

D
R

Tracer VH en fonction de IS pour IB = 2 ampres.

Tracer VH en fonction de B pour IS = 3 mA.
Dduire de ces courbes la constante de Hall RH et son incertitude.
Quel est le signe des porteurs majoritaires ? n ou p ?
3-4) Calculer le nombre de porteurs par unit de volume.
Effectuer, si ncessaire, les changements d'units permettant de se reporter aux courbes du classeur
donnant la rsistivit en fonction du nombre de porteurs. Conclusion ?
3-5) En dduire la mobilit des porteurs majoritaires.

4 - Complment sur l'effet Hall

(conduction simultane lectrons/trous)
La thorie classique simplifie de l'effet Hall considre qu'il n'existe qu'un seul type de porteurs, c'est
dire que les effets des porteurs minoritaires sur la conduction peuvent tre ngligs. Lorsque cette hypothse
simplificatrice n'est pas justifie, il faut une thorie plus labore.
4-1) Cas de deux types de porteurs

Soient qi= e, mi, v i , ni la charge, la masse effective, la vitesse moyenne et le nombre de porteurs i par
unit de volume. Ces particules sont acclres par le champ lectrique extrieur, mais entrent en collision
avec les autres composants du solide. Nous admettrons qu'entre deux chocs elles acquirent leur vitesse
moyenne en un temps i suppos tre le mme pour toutes ( i est appel temps de relaxation ).
On a alors:
qi {

r
r r
E + v i B}

r
vi
mi
i

d'o la densit du courant de porteurs du type i:

Semi-conducteurs effet Hall -2

Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble

r
r
ji = ni qi v i

r
r
q r q r
j i = ni q i i i E + i i j i B
mi
mi
La mobilit des porteurs i est :

En choisissant les axes de sorte que

(0,0,B), on obtient :

r
E ait

i =

i |qi |
mi

pour composantes (Ex, Ey, 0) et

n i q im i
E x mi B Ey
1 + m 2 B2
i
n
q
mi
i
i
jiy = m
E y m iB E x
1 + m 2 B2
jix = m

r
B ait

pour composantes

Les signes du dessus sont relatifs aux lectrons et ceux du dessous aux trous.
La densit de courant totale est :

r v v
j = je + jt

En particulier :

ne e e2

ne e e
nt e t
nt e t2

jy =
+
Ey +
+
B Ex

2 2
2 2
1 + e2 B2 1 + t2 B2
1 + e B 1 + t B
Le rgime permanent est tabli (quilibre lectrique) lorsque jy = 0.
ne e e
nt e t
Posons
Ke =
et
Kt =
1 + e2 B2
1 + t2 B2
Le champ de Hall est la valeur de Ey l'quilibre. Il vient:
t Kt - e Ke
EH =
B Ex
Kt + Ke
EH
La constante de Hall est dfinie par le rapport
RH = j B
x
jx
De mme la conductivit est
= E
x
On obtient
RH =

t Kt - e Ke
(Kt + Ke)2 + ( t Kt - e Ke )2 B2
(Kt + Ke)2 + ( t Kt - e Ke )2 B2
Kt + Ke

Dans le cas d'un seul type de porteur (e = 0 ou t = 0), on retrouve les expressions obtenues dans la
thorie simplifie. Par contre, il apparat que la constante de Hall est maintenant relie aux densits de
porteurs par une fonction dpendant de B. Elle peut, suivant les valeurs des mobilits et des densits, avoir un
signe quelconque. Qualitativement, le champ de Hall ne peut plus compenser la force de Laplace la fois sur
les deux types de porteurs. Les lectrons et les trous sont dvis vers une mme face du paralllpipde mais
les densits de courant associes ces mouvements transverses sont opposes.

Semi-conducteurs effet Hall -3

Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble

y
Ex

j
+
+

De mme, la conductivit varie avec l'induction magntique : c'est le phnomne dit de

magntorsistance.
4-2) Approximation des champs faibles - trajectoires rectilignes
Les expressions ci-dessus sont compliques en particulier cause des termes
e i
1 + i2 B2 o
i B = m = i i
i

i est la vitesse angulaire qu'aurait le porteur i dans le seul champ B (trajectoire circulaire). La quantit
1 / i caractrise la frquence des collisions subies dans le solide. Si cette frquence est grande par rapport
i , la courbure de la trajectoire entre deux chocs successifs peut tre nglige. Le produit i B = i i est
alors ngligeable devant 1. Un dveloppement donne alors pour :
= ne e e + nt t e - O(B2)
Le terme du 2me ordre O(B2) est petit mais positif et a donc pour effet de diminuer la conductivit. Ce
rsultat est compatible avec le fait que les trajectoires entre deux chocs ne sont plus linaires mais incurves,
donc allonges.
En ce qui concerne RH , on arrive :
RH =

nt t2 - ne e2
e (nt t + ne e)2

Semi-conducteurs effet Hall -4

Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble