Varistances

par

Michel GRACIET
Docteur s Sciences
Ingnieur au Laboratoire Central de Recherches de Thomson-CSF

1.
1.1
1.2

1.3

2.
2.1

2.2

2.3

3.
3.1
3.2

3.3

Gnralits.................................................................................................
Dfinition de leffet de varistance...............................................................
Diffrents types de varistances ..................................................................
1.2.1 Varistances base doxyde de zinc ...................................................
1.2.2 Autres varistances ..............................................................................
Principales applications ..............................................................................
1.3.1 Protection des circuits lectroniques basse tension........................
1.3.2 Absorption des surtensions inductives ............................................
1.3.3 Utilisation en parafoudres .................................................................

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Varistances base doxyde de zinc ....................................................

Fabrication....................................................................................................
2.1.1 Technologies .......................................................................................
2.1.2 Choix de la granulomtrie dans la varistance..................................
2.1.3 Optimisation de la non-linarit........................................................
Caractristiques ...........................................................................................
2.2.1 Caractristiques lectriques...............................................................
2.2.2 Caractristiques dilectriques et temps de rponse........................
2.2.3 Possibilits dabsorption dnergie...................................................
Conditions gnrales demploi...................................................................
2.3.1 Choix des paramtres lectriques.....................................................
2.3.2 Stabilit des caractristiques en continu..........................................
2.3.3 Stabilit des caractristiques en alternatif .......................................
2.3.4 Stabilit des caractristiques en impulsions....................................

5
5
5
5
6
6
6
8
8
8
8
9
11
11

Utilisation pratique .................................................................................

Comparaison des divers moyens de protection : clateurs gaz, diodes
Zener et varistances ....................................................................................
Principaux montages...................................................................................
3.2.1 Connexions de varistances ................................................................
3.2.2 Critres dimplantation.......................................................................
Exemples dapplication ...............................................................................
3.3.1 Protection contre les surtensions inductives ...................................
3.3.2 Protection contre les perturbations alatoires .................................
3.3.3 Varistances intgres dans des quipements modulaires ..............
3.3.4 Autres applications.............................................................................

11

11
11
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14
14
14

Doc. E 2 110

6 - 1993

Pour en savoir plus...........................................................................................

es varistances sont des composants lectriques dont la rsistance varie

avec un paramtre extrieur. Cette proprit constitue un grand intrt
pour la protection des circuits lectriques contre les surtensions momentanes.
Cet article prsente les diffrents types de varistances ainsi que leur utilisation pratique.

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1. Gnralits
1.1 Dfinition de leffet de varistance
Dans labsolu, une varistance est un composant lectrique dont
la rsistance varie avec un paramtre extrieur impos. Dans la pratique, ne sont considrs comme varistances que les composants
dont la rsistance varie linverse de la tension applique : la norme
NF C 03-204 dfinit une varistance comme une rsistance variabilit intrinsque non linaire dpendant de la tension et lui donne
le symbole de la figure 1a, alors que le symbole international est
reprsent sur la figure 1b. Ces composants prsentent donc un
grand intrt pour la protection des circuits lectriques contre les
surtensions momentanes.
Leffet varistance est habituellement dcrit par la formule
empirique :
J = KV
avec

J
K

Figure 1 Reprsentations symboliques dune varistance

coefficient de non-linarit ( > 1),

densit de courant traversant le composant,
coefficient dpendant de sa gomtrie,

V tension ses bornes.

Les varistances actuellement connues regroupent deux types de
matriaux :
les plus anciennes sont les varistances compactes base de
carbure de silicium ; leur prparation, de type cramique, implique
des traitements relativement complexes doxydo-rduction ; de
plus les non-linarits obtenues sont faibles ( 6) ;
les varistances base doxyde de zinc, apparues dans les
annes 70, prsentent de fortes non-linarits ( 50) ; elles sont
prpares par frittage dun mlange doxydes, processus
cramique trs simple et peu coteux.
Pour la protection contre les surtensions, on connat aussi des
lments semi-conducteurs :
diode Zener, utilise pour la raideur de sa caractristique en
inverse ( 100) ;
thyrector au slnium, de caractristique non linaire
moyenne ( 12).
Ces lments sont polariss et ne peuvent travailler quen
courant continu. On peut toutefois associer deux diodes Zener
tte-bche pour obtenir une caractristique symtrique permettant
un emploi en rgime alternatif.
Notons enfin lutilisation en parafoudres des clateurs gaz qui
sont le plus souvent employs en association avec une varistance.

1.2 Diffrents types de varistances

1.2.1 Varistances base doxyde de zinc
Lallure gnrale de la caractristique lectrique des varistances
oxyde de zinc est donne sur la figure 2.
Ces varistances sont obtenues par frittage dune cramique
constitue essentiellement doxyde de zinc, avec de faibles ajouts
(0,1 5 % en masse) dautres oxydes tels que CoO, MnO, Sb2O3 et
Bi2O3 . La composition chimique et les divers paramtres du traitement thermique influent de faon critique sur les proprits lectriques du matriau.
La microstructure dune varistance fritte est alors constitue de
trois lments :
les grains doxyde de zinc ZnO, dont la taille moyenne peut
tre de 20 m ;
des couches intergranulaires trs riches en oxyde de bismuth
et dpaisseur trs variable (au plus quelques micromtres, mais
parfois infrieure la rsolution des microscopes balayage les
plus performants, soit environ 1 nm) ;

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Figure 2 Caractristique courant-tension

dune varistance moyenne tension

des petits grains de phases isolantes prcipites entre les

grains doxyde de zinc et de taille voisine de 5 m.
La caractristique J (V ) de ces varistances est donne la
figure 3, pour un domaine de tensions de 1 1 000 V et pour trois
tempratures ; elle se divise en quatre parties correspondant des
rgimes de conduction diffrents.
Dans la rgion I, la condition est ohmique ; le coefficient de variation de la tension avec la temprature vaut de 0,5 1 %/ oC. On
mesure une rsistivit voisine de 1010 cm.
La rgion II est une rgion de transition, de domaine en tension
trs variable (environ 100 V) ; la conduction y est aussi thermiquement active.
Seule la rgion III prsente le caractre de varistance : le coefficient , mesur en gnral entre 1 et 10 mA/cm2 et parois en
empitant sur la rgion IV entre 1 mA /cm2 et 10 A /cm2, atteint
respectivement des valeurs de 70 et de 30.
La tension de seuil Vs est naturellement dfinie dans cette
rgion, cest dordinaire la tension correspondant une densit de
courant de 1 mA/cm2. Le coefficient de temprature est faible
(0,5 %/ oC), et dautant plus faible que J est plus important.

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1.3 Principales applications

1.3.1 Protection des circuits lectroniques
basse tension
Les circuits lectroniques sont souvent mis mal par des surtensions transitoires soit gnres par le circuit lui-mme, soit transmises par le rseau extrieur. La valeur de ces surtensions peut
varier de quelques centaines plusieurs milliers de volts, les surtensions les plus violentes tant les moins frquentes : ainsi, pour
un circuit travaillant sous une tension de 24 V, louverture dun
relais produit une surtension de lordre de 1 kV pendant quelques
millisecondes alors que la mise sous tension donne lieu une surtension de 100 V pendant 50 ms.
Les semi-conducteurs tant particulirement vulnrables ces
transitoires, plusieurs solutions ont t appliques pour leur
protection : association rsistance-capacit, diodes Zener, clateurs
gaz, varistances base doxyde de zinc. De nombreux paramtres conditionnent le choix de llment de protection : cot,
taille, temps de rponse, possibilit dabsorption en nergie, etc.
Les varistances base doxyde de zinc paraissent bien adaptes
pour les cas les plus frquents o le temps de rponse ne doit pas
tre infrieur quelques nanosecondes.

1.3.2 Absorption des surtensions inductives

Figure 3 Caractristiques J (V ) dtailles des varistances

oxyde de zinc

Dans la rgion IV (au-dessus de 10 A/cm2) apparat une

saturation : la caractristique J (V ) tend redevenir ohmique, avec
la rsistivit de la phase principale doxyde de zinc (environ
1 cm).
Les varistances oxyde de zinc, composants passifs relativement
nouveaux puisque leur commercialisation date des annes 70,
amnent une solution originale aux problmes de protection : leur
mode de prparation, bien que se rapportant celui des composants
passifs, permet dobtenir un matriau dont les proprits lectriques
sont trs proches de celles des composants actifs.

1.2.2 Autres varistances

Louverture de circuits comportant des lments inductifs tels

que relais, inductances, enroulements de moteurs ou de transformateurs se traduit toujours par lapparition dune surtension v st
aux bornes de linterrupteur.
En effet linductance L tend sopposer louverture du circuit
en engendrant aux bornes du contact une tension :
di
v st = L -------dt
qui est particulirement leve (jusqu plusieurs kilovolts) au
moment de la coupure (di/dt ). En fait, ds quest atteinte la
tension dionisation de lair entre les lectrodes, il se cre une
tincelle qui est fortement prjudiciable aux contacts, alors que la
surtension peut endommager les lments sensibles du circuit.
Trois mthodes simples permettent de limiter cette surtension.
Une rsistance R mise en parallle sur linductance (figure 4a )
limite la tension :
vst = RI0
avec

Les varistances base de carbure de silicium, connues depuis

les annes 30, ont t largement dveloppes dans les annes 50
pour la protection et ladaptation de circuits tlphoniques.
Elles prsentent des coefficients de non-linarit voisins de 5
entre 105 et 1 A/cm2 pour des tensions de 10 1 000 V ou plus.
Elles sont prpares par mlange de carbure de silicium de puret
suffisante, dargile et de carbone. Si la rsistivit ne dpend que du
taux de carbone, les paramtres et V10 mA dpendent autant des
conditions de synthse (concentrations des diverses phases,
tempratures et atmosphres du traitement thermique, granulomtrie du carbure de silicium SiC) que des paramtres gomtriques, tels que lpaisseur de la pastille finale.
En raison de leur bonne tenue aux fortes densits de courant,
ces varistances sont utilises en association avec des clateurs
gaz dans le domaine des parafoudres de trs forte dissipation.
Notons que le nom de varistance est parfois appliqu aux
thyrectors au slnium dcrits au paragraphe 1.1.

I0

courant parcourant le circuit au moment de son ouverture.

Le courant dcrot alors avec une constante de temps L /R ; on
voit donc que, pour limiter la surtension une faible valeur, on
simpose une dcroissance lente.
Exemple : en effet si I0 = 1 A et si lon veut vst < 500 V, il faut
R = 500 .
Si L = 1 H, il faudra :
L I0
t = ----- ------ = 2 s pour tomber I = 1 mA
R I
Une rsistance R en srie avec un condensateur C, le tout en
parallle sur linductance, ce qui dfinit, louverture, un circuit RLC
(figure 4b ) : en fonction des valeurs R, L, C, on observe deux
rgimes de dcroissance, lun exponentiel, lautre par amortissement sinusodal. Dans le rgime le plus efficace, on observe une
surtension :
vst = 2,5 V0
avec

V0

tension applique au circuit avant louverture.

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Figure 4 Limitation de la surtension vst engendre par la commutation dans un circuit avec une inductance L

Une varistance en parallle sur linductance L (figure 4c ) : ce

composant est beaucoup plus facile choisir, son temps de rponse
est trs rapide et la surtension est trs limite dans la mesure o le
coefficient de non-linarit est suffisant. Dans les mmes conditions
quen a, une varistance convenablement choisie assure :
vst = 300 V
t 5 ms pour tomber de I0 = 1 A I = 1 mA
Remarquons aussi que, dans le circuit ferm fonctionnant en
alternatif, la varistance consomme moins dnergie que les autres
solutions.

1.3.3 Utilisation en parafoudres

Les varistances capables de limiter les surtensions leves
trouvent logiquement leur emploi dans la protection des quipements de puissance contre la foudre. En particulier les varistances
base de carbure de silicium ont t longtemps utilises cet
effet. Toutefois, leur non-linarit tant faible, il a fallu les associer
des clateurs gaz qui fixaient la tension minimale de fermeture
du circuit protecteur : ds que la tension devient suprieure une
tension critique V 1 dpendant de la vitesse de monte de la surtension, une tincelle apparat dans lclateur qui devient
conducteur, et la surtension est alors limite par la varistance SiC
(figure 5).
Or, dans un clateur gaz, cette tension critique nest pas dfinie
trs prcisment, et elle peut varier dans le temps sous leffet
dagressions chimiques (en particulier de lhumidit).

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Figure 5 Rponse un coup de foudre de lassociation

dune varistance base de carbure de silicium et dun clateur gaz

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Figure 6 Rponse un coup de foudre dune varistance base doxyde de zinc

Ce dfaut a contribu lessor des varistances base doxyde de

zinc qui ne ncessitent pas dclateur en srie et sont donc la fois
moins volumineuses et moins coteuses. Par ailleurs, du fait de
leur forte non-linarit, le courant i dans la varistance disparat en
mme temps que la surtension (figure 6) ; on nobserve donc pas
de courant de suite qui consomme inutilement lnergie du rseau.
Enfin, du fait de la structure des varistances, le temps de rponse
est beaucoup plus court que celui des clateurs.

2. Varistances base doxyde

de zinc
2.1 Fabrication
Le mode de fabrication des varistances base doxyde de zinc a
peu vari depuis linstant de leur dcouverte. Par contre, des
tudes chimiques, lectriques et sur la cramique ont permis
depuis doptimiser les caractristiques lectriques.

2.1.1 Technologies
La fabrication fait appel un processus cramique conventionnel
dont le schma de principe est donn sur la figure 7.
Dans cette suite doprations simples, un grand nombre de paramtres sont susceptibles dinfluer sur la qualit du produit fini. On
ne donnera ici que les critres essentiels :
la composition chimique du systme ;
la granulomtrie des poudres de dpart ;
le profil de la courbe temps-temprature du cycle de frittage ;
la nature des lectrodes.
titre dexemple, la figure 8 donne la variation des principaux
paramtres lectriques (coefficient de non-linarit et courant de
fuite I F dfini par la valeur du courant traversant la varistance la
tension dutilisation) en fonction de la proportion doxyde de
bismuth dans une composition globale classique, alors que la
figure 9 donne la variation du coefficient de non-linarit avec la
temprature f du palier du cycle de frittage. Le profil de ce cycle
est prsent sur la figure 10.
Deux paramtres peuvent tre ajusts aprs cuisson : la tension
de seuil est proportionnelle lpaisseur de la cramique, alors
que la puissance maximale admissible est proportionnelle la
surface des lectrodes mtallises en regard.

Figure 7 Processus cramique de fabrication des varistances

base doxyde de zinc (cas des pastilles presses)

2.1.2 Choix de la granulomtrie dans la varistance

La tension de seuil dpend aussi de la granulomtrie moyenne
des grains doxyde de zinc dans la cramique. Il est donc essentiel
de pouvoir la contrler, ce qui ncessite dtudier deux types de
paramtres :
les diverses proportions doxydes ajouts, cest--dire la
composition chimique globale ;
les phases successives du traitement cramique, et particulirement le traitement thermique du frittage.

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Figure 8 volution du coefficient de non-linarit 

et du courant de fuite I F en fonction de la proportion doxyde
de bismuth dans la composition (ZnO)0,96 x (Bi2O3)x (Mn2O3)0,01
(Co2O3)0,01 (Sb2O3)0,02 pour des chantillons de surface 1 cm2
et dpaisseur 1 mm fritts une temprature  f de 1 350 oC

Figure 11 Effet du pourcentage dantimoine Sb

sur la granulomtrie moyenne d des grains doxyde de zinc
dune varistance fritte 1 350 oC

Pour ce qui est du frittage, on observe un comportement tout

fait classique en cramique, savoir que la granulomtrie
moyenne augmente avec la temprature du palier de frittage.
Dans ces conditions, il est possible de faire varier la taille des
grains doxyde de zinc denviron 3 80 m.

2.1.3 Optimisation de la non-linarit

La valeur du coefficient de non-linarit caractrise totalement
lefficacit en protection. En effet, pour dissiper une surintensit
de 100 A sur un rseau 220 V, on utilise une varistance dont la tension de seuil Vs est 400 V (par dfinition pour un courant I s = 1 mA).
La surtension aux bornes de llment protg sera :

 

I
v st = V s ---Is

Figure 9 volution du coefficient de non-linarit

avec la temprature  f de palier de frittage pour des chantillons
identiques ceux de la figure 8 avec x = 0,01

1/

do vst 587 V si = 30 ;
vst 1 005 V si = 10.
La recherche dun fort coefficient a donc rapidement fait lobjet
de travaux importants. Linventeur lui-mme, M. Matsuoka, a
publi en 1969 deux tableaux rsumant linfluence, dune part de
la composition chimique, dautre part du traitement thermique, sur
la non-linarit des varistances base doxyde de zinc.
Des travaux ultrieurs ont prcis leffet dun troisime paramtre :
la vitesse de dcroissance de la temprature partir de la temprature f du palier du cycle de frittage. Cest lors de cette dernire
tape du traitement thermique que stablit la non-linarit ; le coefficient atteint sa valeur maximale pour une vitesse de refroidissement voisine de 300 oC/h.

2.2 Caractristiques
2.2.1 Caractristiques lectriques

Figure 10 Profil thermique du cycle de frittage

lors de la prparation des varistances oxyde de zinc
des figures 8 et 9

Parmi tous les oxydes susceptibles dentrer dans la composition

des varistances, plusieurs ont un effet direct sur la granulomtrie.
Leffet de la proportion doxyde dantimoine prsent dans la
plupart des compositions commercialises est donn sur la
figure 11.

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Elles sont dues deux conditions essentielles :

une conductivit leve de loxyde de zinc : sa formulation
relle est Zn1 + x O ; il est semi-conducteur de type N, la
conductivit tant due une forte densit en tats donneurs peu
profonds ;
la prsence aux joints de grains de loxyde de zinc dtats
accepteurs superficiels.
Ceci se traduit par lapparition dune barrire lectrostatique
ces joints (double barrire de Schottky).
Les tats donneurs n (E ) dans les grains de ZnO et les tats
accepteurs N (E ) dans la zone intergranulaire ont t tudis en
spectroscopies Auger, SIMS, XPS et par DLTS ; ils sont reprsents
sur la figure 12.

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Un consensus scientifique sest dgag sur les relations entre les

proprits lectriques de ces niveaux (nergie et population) et les
espces chimiques mises en jeu.
Loxyde de zinc prsente une forte densit en tats donneurs peu
profonds ; les tudes en DLTS ont distingu deux types dtats : les
+

zinc interstitiels simplement ioniss Zn i (0,17 eV de la bande de

+

conduction) et les lacunes en oxygne simplement ionises V o

(0,30 eV de la bande de conduction) ; ce sont les tats n 1 et n 2 et leur
population dpend fortement dune part des dopages en cobalt et
surtout en aluminium, dautre part des traitements thermiques.
Pour des chantillons fritts au-dessus de 1 000 oC, cette densit
se traduit par une conductivit de lordre de 10 S cm1.
Dans les zones intergranulaires, les tudes physiques ont montr
la prsence de bismuth et dun excs doxygne ; de plus la population de ltat N 2 (situ 2,2 eV de la bande de valence) augmente
rapidement avec le dopage en manganse ; or une grande valeur de
cette population rend la hauteur de la barrire B constante. Les
formes plus ou moins oxydes du bismuth (Bi3+ et Bi5+) correspondent plus aux niveaux N 1 ( 2 eV de la bande de valence) et surtout N 0 (dnergie plus difficile mesurer, mais de toute faon plus
profond que N 1), niveau accepteur fondamental dans leffet varistance. Ce niveau est aussi li loxygne en excs et il est tentant
dassocier ltat accepteur Bi3+ au niveau N 1 alors que ltat Bi5+ plus
bas en nergie et demandant plus oxygne (Bi2 O5 demande un O de
plus par atome Bi que Bi2 O3) serait associ ltat N 0 . Toutefois
aucune observation physique na pu confirmer cette hypothse.
Les caractristiques exprimentales, symtrie de la caractristique J (V ), conduction leve apparaissant aux environs de 3 V
par barrire, valeur de la capacit dilectrique des barrires,
peuvent sinterprter laide dun modle simple : celui dune
+

structure n d N i n d o les tats donneurs n d de loxyde de zinc voisins du joint de grains ont cd leur lectron aux tats accepteurs
superficiels N i . Ltat N 0 est toujours rempli alors que le taux de
remplissage des tats N 1 et N 2 dpend de la composition et des
conditions de synthse (figure 12b ).
La conduction se fait alors par mission thermoonique
au-dessus de la barrire abaisse par le champ dans la rgion II de
la figure 3 (figure 12c ), un mcanisme type tunnel explique bien
lapparition de fortes non-linarits aux tensions plus leves
(rgion III) (figure 12d ).
Dans ce modle, la chute de tension V B sera la mme sur la totalit des joints de grains et sera une constante du matriau, ce qui
est exprimentalement vrifi : quelle que soit la composition
chimique et si la non-linarit est suffisante, on mesure
1 mA/cm2 : V B = 3,5 V.
De ce fait, la tension de seuil V s du composant reprsente cette
tension par barrire V B multiplie par le nombre N B de joints de
grains rencontrs dans le sens du champ lectrique, cest--dire
par le rapport de lpaisseur e de lchantillon sa granulomtrie
moyenne d :
e
V s = N B V B = ------- V B
d
do : si e = 1 mm et d = 20 m :
V s = 50 V B = 175 V
Les barrires lectrostatiques, du fait de la largeur de la zone de
dpltion de charges, prsentent des capacits importantes
(C B 50 nF/cm2). Les capacits parasites ont un effet sur le
comportement en alternatif : le circuit est le sige dun courant
alternatif dont lamplitude peut atteindre 100 fois celle du courant
de fuite mesur la mme tension mais continue ; 50 kHz limpdance capacitive Z () dune varistance classique (C 1 nF) atteint
9

Figure 12 Modle de la barrire lectrostatique

10
Z ( ) = --------

3 10 3

compars aux 3 105 V s en continu.

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VARISTANCES _________________________________________________________________________________________________________________________

2.2.2 Caractristiques dilectriques

et temps de rponse
2.2.2.1 Caractristiques dilectriques
Les varistances base doxyde de zinc prsentent une capacit
dilectrique non ngligeable due aux barrires lectrostatiques : la
capacit C est en effet proportionnelle la largeur des zones de
dpltion stendant de part et dautre des joints de grains. Du fait
que le nombre de barrires rencontres dans la direction du champ
appliqu est gal au nombre N B de joints de grains, il vient :
C

-------- ------N
V
B

do CV s = Cte.
De fait, les mesures donnent un produit CV s 107 F V, ce qui
correspond dans la pratique des capacits de 100 pF 5 nF pour
des tensions de seuil de 1 000 20 V (chantillon de surface 1 cm2
et dpaisseur 1 mm).
Notons que les pertes dilectriques sont faibles (tan < 0,03)
mais quelles prsentent, en fonction de la temprature, un pic
2 105 Hz qui semble tre une signature de leffet varistance,
indpendamment du systme chimique qui y conduit.
2.2.2.2 Temps de rponse
Du fait dun mcanisme de conduction du type tunnel dans une
jonction, les temps de rponse intrinsques sont comparables
ceux observs dans les composants de type Zener. Une mesure
effectue par L. M. Levinson a montr que ce temps de rponse
tait en effet infrieur 500 ps (figure 13).
Les temps de rponse rels en rgime de protection sont sensiblement plus importants, ils dpendent en fait de limpdance Z du
circuit.
titre dexemple, pour une varistance dune capacit C de 500 pF
et un circuit dimpdance Z = 10 , le temps de rponse observ sera
approximativement = CZ = 5 ns.

2.2.3 Possibilits dabsorption dnergie

Les possibilits dabsorption dnergie des varistances base
doxyde de zinc dpendent uniquement de leur taille et de leur
qualit :
surface gale, une varistance plus paisse travaille tension
plus leve ;
paisseur gale, une varistance de plus grande surface est
traverse par une plus forte intensit ;
enfin, une meilleure qualit se traduisant par une meilleure
tenue la dgradation en puissance permet de faire travailler la
varistance plus haute nergie.
Les nergies maximales varient donc de 0,1 J plus de 1 000 J
suivant la gomtrie de la varistance.

Cela correspond alors une dure maximale t :

30
W
t = --------- = --------------------------------3 000 658
IV

15 s

2.3 Conditions gnrales demploi

2.3.1 Choix des paramtres lectriques
Dans un emploi en protection, il convient de fixer la tension de
seuil une valeur suprieure la tension protge, de manire que
la varistance ne dissipe que peu de puissance en labsence de surtension (typiquement 100 mW). De plus, pour un emploi en alternatif, la tension de seuil doit tre suprieure la tension de crte.
Dans la pratique, les fabricants prcisent pour chaque type la
tension alternative maximale protge, et lnergie maximale dissipe dans la varistance (de lordre de 100 J/cm3).
Il est essentiel de vrifier quen aucun cas on ne dpassera cette
nergie maximale lors de lutilisation de la varistance, ce qui aurait
pour cause de dgrader cette dernire et, terme, de supprimer la
protection.
Calcul de lnergie dissipe
Nous distinguerons trois cas.
Lvolution de la perturbation lectrique dans le temps est calculable. Cest le cas des dcharges inductives dues des lments
prsents dans le circuit considr ( 3.3.1).
Les perturbations sont alatoires mais leur niveau maximal
peut tre dtermin ; par exemple, il est connu que les rseaux
domestiques 220 V doivent tre protgs contre des surtensions de
6 000 V.
Si la tension v v aux bornes de la varistance ne doit pas dpasser
500 V pour la plus forte surtension (v st = 6 000 V), le courant I v
dans la varistance va atteindre, puisque v st Z I v + v v
v st v v
6 000 500
I v = ------------------ = -------------------------------50
Z

110 A

Z tant limpdance de la ligne pour la surtension (figure 14) ; sa

dure tant trs brve (environ 10 s), les inductances des cbles
et autres composants conduisent une impdance estime 50
pour un rseau domestique.
On en dduit une nergie maximale dissipe :
W = v v I v t = 500 110 105 0,55 J

Exemple : dans un cas plus prcis, une varistance classique

(diamtre 13 mm, paisseur 2 mm) protgeant une ligne alternative
de 220 V peut absorber une nergie maximale W de 30 J pour un
courant maximal I de 3 kA. Du fait que :
I
-----s- =
I
nous avons

Vs

 -------V- 

 

I
V = V s ---Is

1/

Si V s = 400 V (I s = 103 A) et = 30 on a :

3 000
V = 400 ---------------10 3

E 2 110 8

1/30

Figure 13 Mesure du temps de rponse des varistances

base doxyde de zinc (daprs Levinson et Philipp)

658 V

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________________________________________________________________________________________________________________________ VARISTANCES

Exemple 2

(cas de la figure 15f ) : soit une surintensit :

i v ( t ) = I max sin ----- t

 

Imax = 100 A et = 1 ms

avec

vv (t ) = Vmax
do

W =

v v ( t ) i v ( t ) dt = V max I max

 

sin ----- t dt

2
W = ----- V max I max

Figure 14 Circuit soumis une surtension v st

La perturbation v st (t ) ou i st (t ), dorigine externe au circuit

considr, est inconnue. Il faut alors mesurer sa forme aux bornes
de la varistance v v (t ) ou i v (t ) et la dcomposer en une suite
dimpulsions simples pour lesquelles il est possible de calculer la
contribution en nergie W i selon la formule :

W i = A V max I max
La forme de limpulsion est dfinie par une valeur V max ou I max ,
par sa dure et par une relation v v (t ) = f (t ) ou i v (t ) = f (t ).
Le coefficient A traduira donc la forme de cette relation.
Si limpulsion est une surtension v v (t ), nous lui associerons un

courant i ( t ) = Kv v ( t ) ; si cest une surintensit i v (t ), nous lui

associerons une tension constante V max puisque la tension aux
bornes de la varistance dpend peu de lintensit qui la traverse.
La figure 15 montre diffrentes formes dimpulsions associes
aux relations prcdentes et les coefficients A correspondants.
Nous donnons ici trois exemples de calcul dnergie.
Exemple 1

(cas de la figure 15g ) : soit la surtension :

v v (t ) = V max exp ( t /1,4 )

avec Vmax = 900 V et = 100 s

i v ( t ) = Kv v ( t ) = KV max exp ( t /1,4 )

do

2
A = ----

0,637

Si I max = 100 A, on note sur la mme courbe (figure 16) que

V max = 800 V. Il vient :
W = AV max I max 0,637 800 100 103 51 J
Ici encore on choisira une varistance plus forte nergie, de lordre
de 100 J.
Exemple 3 : dans certains cas pratiques, la perturbation est paramtre de manire conventionnelle par une valeur V max (ou I max ) et
deux temps : le temps de monte t 1 et le temps de demi-dcroissance
t 2 , tels que dfinis sur la figure 17.
Cest, par exemple, la forme reprsentative dun fort coup de foudre
avec des valeurs t 1 = 10 s et t 2 = 1 ms, couramment dnomme
onde 10/1 000.
Pour un coup de foudre dintensit maximale 5 kA, correspondant
sur la varistance V max = 1 kV, le calcul se fait aisment en sparant la
partie I, croissance de I, de la partie II, dcroissance :
partie I : cas de la figure 15d : A 1 = 0,5 ;
partie II : cas de la figure 15h : A 2 = 1,4.
E 1 = A 1 V max Imax t 1 = 0,5 5 103 103 105 = 25 J
E 2 = A 2 V max Imax t 2 = 1,4 5 103 103 103 = 7 kJ
De manire gnrale, la partie croissance de I est ngligeable ds
que t 2 > 5 t 1 .
Les nergies mises en jeu dans ce cas font bien entendu appel des
varistances spcifiques de forte taille.

do :
W =

v v ( t ) i v ( t ) dt = V max KV max

I max =

et comme
et

2.3.2 Stabilit des caractristiques en continu

exp [ ( + 1 ) t / 1,4 ] d t

KV max

exp ( ax ) d x = 1/ a

1,4
W = --------------- V max I max
+1
do

1,4
A = --------------+1

0,045 si

= 30

La figure 16 montre la caractristique I (V ) dune varistance correspondant la tension dutilisation du circuit choisie (ici 220 V alternative). On voit que pour V max = 900 V, I max 500 A ; il vient :
W = AV max I max 0,045 900 500 104 2 J
Il sera prudent dutiliser une varistance dnergie suprieure, par
exemple 5 J.

Dans le cas o une varistance est soumise des conditions

demploi trs svres (protections rptes au voisinage des
limites en nergie, ou absorption dnergie suprieure lnergie
limite), sa caractristique I (V ) se dgrade : la tension de seuil de
la varistance dcrot, ce qui traduit une remonte du courant de
fuite (figure 18). On voit que, dans le cas dune utilisation en
continu, la dgradation est asymtrique : elle est plus faible dans
le sens o a t appliqu le traitement dgradant. Toutefois, cest
dans le sens inverse, o la variation est la plus forte, quest mesure la dgradation, traduite par :
Vs ( 0 ) Vs ( t )
V
-----------s- = -------------------------------------Vs
Vs ( 0 )
o V s (0) est la tension de seuil initiale et V s (t ) la tension de seuil
aprs une dure t dutilisation.
On observe aussi une augmentation plus faible de la capacit de
lchantillon.

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E 2 110 9

VARISTANCES _________________________________________________________________________________________________________________________

Figure 17 Forme gnrale des surtensions

et paramtres conventionnels

Figure 18 Dgradation des varistances soumises

une tension continue

Figure 15 Expression de lnergie W i

associe diffrentes formes dimpulsions

Figure 16 Caractristique I (V ) dune varistance utilisable

sur un rseau de tension alternative 220 V

E 2 110 10

Cette dgradation apparat lorsque lon soumet lchantillon soit

une tension continue suffisante pour correspondre une densit
de courant denviron 20 mA/cm2, soit des impulsions de
moyenne nergie rptes, soit des impulsions uniques de trs
forte nergie.
Dans le premier cas, on observe en fonction du temps une volution de la densit de courant J donne la figure 19. Ce
comportement d leffet combin du champ lectrique et de la
temprature du composant (faisant donc intervenir la temprature
ambiante) sexplique par un processus autoacclr : la conduction
augmente, donc lnergie dissipe augmente, donc la temprature
augmente, donc la conduction augmente.
La brusque monte du courant partir denviron 70 oC correspond alors linitiation dun processus demballement thermique
qui ne sarrte qu destruction totale soit de leffet varistance, soit
de lchantillon lui-mme. La cintique de ce processus est
dautant plus rapide que la densit de courant initiale est plus forte.
Notons que les effets de cette dgradation se rsorbent (dans le
cas o elle ntait pas dfinitive) au cours dune priode trs
longue de non-utilisation (plusieurs mois) ou sous leffet dun
traitement thermique temprature modre (300 600 oC).

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________________________________________________________________________________________________________________________ VARISTANCES

dune surtension, il doit absorber lexcdent dnergie. Sa caractristique courant-tension est donne sur la figure 20 o V p est la
tension de protection, lgrement suprieure la tension de fonctionnement du composant protg.
Dans la pratique, seuls les composants non linaires approchent
cette loi. Ce sont les clateurs gaz, les diodes Zener et les
varistances.

Figure 19 volution de la densit de courant J

traversant une varistance soumise une tension continue
et de la temprature  de surface de cette varistance

2.3.3 Stabilit des caractristiques en alternatif

Les effets sont les mmes quen continu la diffrence prs que,
en raison de la valeur de la capacit de la varistance C v , le courant
de fuite est plus fort. En effet, dj 50 Hz lorsque C v = 1 nF,
limpdance de cette capacit :
1
1
Z c = ------------- = ---------------------------------------Cv
10 9 2 50

3 10 6

est plus faible que la rsistance de la varistance dans son tat

bloqu (R 108 pour I 1 A) et peu diffrente de celle la tension de seuil V s :
Vs
= 4 10 5 pour V s = 400 V
R v = ------------10 3
puisque pour V = V s on a I = 103 A.

2.3.4 Stabilit des caractristiques en impulsions

La dgradation en impulsions rend bien compte des possibilits
dutilisation. On distingue deux cas :
la rptition dun nombre N dimpulsions de moyenne nergie, typiquement N = 1 000 impulsions dnergie 0,1 1 J rptes
intervalles de 10 ms ;
lapplication dune impulsion (ou dun petit nombre dimpulsions) de trs forte nergie (10 100 J) : les formes dimpulsions
sont celles donnes sur la figure 17 :
londe 8/20 (t 1 = 8 s, t 2 = 20 s),
londe 20/1 000 (t 1 = 20 s, t 2 = 1 ms).
Dans les conditions les plus svres, la dgradation ne doit pas
conduire V s /V s > 10 %.
titre dexemple, V s /V s = 10 % pour une onde 8/20 et une densit de courant de lordre de 60 % de la densit de courant maximale
( 1kA pour un disque de diamtre 13 mm).

3. Utilisation pratique
3.1 Comparaison des divers moyens
de protection : clateurs gaz,
diodes Zener et varistances
Le dispositif idal de protection contre les surtensions se place
en parallle sur le composant ou la partie du circuit protger. En
rgime normal, il ne doit pas modifier le circuit et, en prsence

Le principe de fonctionnement dun clateur gaz est celui dune

dcharge dans le gaz inerte : en prsence dune surtension dont la
valeur est suprieure la tension damorage V a , il se produit entre
les lectrodes une dcharge luminescente de tension V  qui se
transforme rapidement en arc lectrique de tension V arc . Le courant
nest plus limit par limpdance de la source, et la tension chute
jusqu quelques dizaines de volts dans lclateur. Larc steint de
lui-mme si le courant diminue un niveau trs faible (figure 21).
La tension damorage V a dpend dabord de lcartement des
lectrodes, mais aussi de la temprature, de la pression et de la
puret du gaz ; en fait, V a varie sensiblement avec ltat de pollution du gaz qui augmente chaque utilisation. Par ailleurs, V a
dpend de la vitesse de monte de la surtension, en raison dun
retard lamorage fonction de cette mme vitesse (de lordre de
1 ms pour une vitesse de monte de 1 kV/ms).
Les principaux avantages des clateurs rsident dans leur trs
forte charge admissible (> 20 kA), leur forte rsistance dans ltat
isolant (> 1010 G) et leur faible capacit (< 10 pF).
Les diodes Zener sont aussi employes en protection. Leur temps
de rponse est trs faible (thoriquement infrieur 1 ns) et les tensions protges peuvent tre fixes 5 V (protection des circuits
logiques).
Toutefois, les nergies maximales absorbes sont faibles (de
lordre de 1 J) et ce mode de protection reste coteux, particulirement dans le cas dun rgime alternatif o il faut associer deux
diodes tte-bche.
Les varistances oxyde de zinc, lments de protection rapide,
peuvent absorber de trs fortes surtensions sous un faible volume
et ce pour un cot raisonnable. De plus, elles ont vu leur stabilit et
leur domaine dutilisation largement augmenter dans les annes 80.
De nombreuses comparaisons chiffres des divers lments de
protection ont t donnes, qui tendent favoriser tel ou tel
moyen de protection. En fait, aucun moyen nest idal, et nous tentons de prciser dans le tableau 1 et la figure 22 les avantages,
inconvnients et domaines dutilisation de chaque solution.

3.2 Principaux montages

Ils respectent deux rgles essentielles :
en protection, la varistance se place en parallle soit sur llment protger (cas le plus frquent), soit sur la source de
surtension ;
la varistance est un moyen de protection contre les surtensions momentanes : elle ne saurait en aucun cas remplacer un
fusible. Au contraire, ce dernier permet de protger la varistance et
le circuit contre les surtensions de longue dure (> 10 ms).

3.2.1 Connexions de varistances

Il est toujours possible dutiliser plusieurs varistances base de
carbure de silicium, soit en srie pour augmenter la tension de
seuil, soit en parallle pour augmenter lnergie dissipable. Ces
oprations sont plus dlicates avec les varistances base doxyde
de zinc ; dans la plupart des cas, il est prfrable dutiliser un seul
composant de taille idoine.
(0)

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E 2 110 11

VARISTANCES _________________________________________________________________________________________________________________________

Tableau 1 Comparaison des proprits des diffrents types dlments de protection

Type
de protection

clateur
gaz

Varistance
base de SiC

Varistance
base de ZnO

Diodes Zener
de puissance
tte-bche

Gamme de tension nominale

(alternatif) ........................................................ (V)

40 25 000

10 10 000

8 2 500

5 200

Gamme dnergie en absorption

dune onde 10 /1 000....................................... (J)

0,1 100 000

5 25 000

0,1 100 000

0,01 15

(1 mA 100 A)

....................................

25

35

V (10 A) / V (1 mA)

8 (1)

83

1,7 1,5

1,4 1,3

Temps de rponse
en fonctionnement...........................................(s)

106 (1)

< 106

< 108

< 109

Gamme de capacit ...................................... (pF)

1 10

....................................

12 000 50

100 10 000

Gamme de temprature
de fonctionnement........................................ (oC)

55 130

55 75

55 75

55 175

Coefficient en temprature
de la variation de tension
1
V ( 1 mA )
--------------------------- ------------------------------- ........................... (% / oC)
V ( 1 mA )
T

....................................

0,15

0,05

+ 0,1

Domaines principaux dapplication

forte nergie
(association avec SiC)

forte nergie

protection
dquipements
et des lignes

protection
des circuits
intgrs

(1) Pour une vitesse de monte de 1 kV/ s.

Figure 20 Caractristique courant-tension dun dispositif idal

de protection contre les surtensions
Figure 22 Comparaison des diffrents moyens de protection
contre les surtensions

3.2.2 Critres dimplantation

La faible taille des varistances base doxyde de zinc permet de
les implanter directement sur le circuit (circuit imprim) ou mme
sur le composant gnrateur de surtensions (transformateur,
micromoteur, inductance, etc.). Cela prsente un grand avantage
en protection puisque le temps de rponse nest fonction que de
linductance des connexions pour les lments rapides (varistances
ZnO, diodes Zener) ; ce temps augmente en fait avec la longueur
des connexions.
titre dexemple, des connexions longues de 5 cm induisent un
retard denviron 30 ns.
Figure 21 Tension aux bornes dun clateur limitant une surtension
et courant le traversant

E 2 110 12

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________________________________________________________________________________________________________________________ VARISTANCES

Dans le but de raccourcir les connexions, de nouvelles mises en

forme des varistances ont t tudies :
la couche paisse obtenue par srigraphie ; elle na toutefois
trouv que de rares applications ;
la couche mince obtenue par pulvrisation cathodique est
peu utilise en raison de son prix de revient ;
les varistances trs faible tension de seuil (3 V) ont permis
la protection directe des circuits intgrs ;
enfin, les formes adaptes aux circuits imprims, les chips,
ont t ralises comme pour tous les composants passifs.

3.3 Exemples dapplication

3.3.1 Protection contre les surtensions inductives

Pour une tension sinusodale de pulsation :

U 2
I  ---------------Z

si la partie rsistive R L de linductance est ngligeable.

U2
Il vient W < -----------2- et, pour une frquence de commutation f,
L
lnergie W p absorbe en rgime permanent est :
fU 2
W p = Wf = -----------2L
Exemples
Si

L=1H
R L = 10

Cest le domaine de choix pour lapplication des varistances

base doxyde de zinc en raison de leur faible taille et de la facilit
de leur connexion. Plus prcisment, nous tudions ici les cas o
la source de perturbation est proche de llment ou de la portion
de circuit quelle menace, cas dans lesquels la surtension est donc
calculable.
Comme nous lavons vu au paragraphe 1.3.2, la coupure dun
circuit comprenant un lment inductif cre une surtension en
moyenne dix fois plus grande que la tension nominale du circuit.
Cette surtension est susceptible dendommager les composants
semi-conducteurs du circuit (diodes, transistors, circuits intgrs,
thyristors ou triacs) ; par ailleurs, les tincelles apparaissant aux
bornes des contacts dtriorent les lments de commutation tels
que relais, interrupteurs, etc. La protection consiste placer
(figure 23) une varistance dans une des configurations a ou b,
cest--dire en parallle soit sur llment protger, soit sur la
source de surtension.
Limplantation de la figure 23a semble en gnral plus simple
pour la protection des contacts. Notons toutefois que le courant
dans la varistance, la tension nominale du circuit, circule
constamment dans ce circuit. Limplantation de la figure 23b est
toujours prfrable, en particulier pour diminuer le dlai de la protection des circuits.
Lors de louverture du circuit, lnergie maximale W absorbe par
la varistance est gale lnergie emmagasine dans linductance L :
W = 1/2 L I 2
avec

courant parcourant le circuit au moment de son ouverture.

U 2

--------------L

= 100
U = 220 V
f = 10 Hz
RL  L Z
on a W p

fU 2
-----------2L

5J

Il convient de choisir une varistance utilisable sous une tension

alternative de 220 V et pouvant absorber une nergie de 5 J.
Si

L = 0,1 H
R L = 100
= 100
U = 48 V
f = 10 Hz
R L L Z =

R 2 + L2 2

LfU 2
W p = ---------------------------R 2 + L2 2

0,020 9 J

Cas dun transformateur : les caractristiques donnes par le

constructeur :
Vp tension au primaire du transformateur ;
S puissance apparente du transformateur ;
IM courant de magntisation ;
permettent de calculer le courant la fermeture du circuit, dans lhypothse o R L  L (figure 24).
Si

Vp = 220 V
S = 10 kVA
I M atteint 10 %

soit

Or

soit

10 4 2
I M = 0,10 --------------------220
220 2
Z L = --------------------6,43

6,43 A

48,4

ZL
48,4
L = ------= ---------------100

0,154 H

LI M
1
Do W p = ------------ = ----- 0,154 ( 6,43 ) 2
2
2

3,2 J

Figure 23 Protection contre les surtensions dorigine inductive

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E 2 110 13

VARISTANCES _________________________________________________________________________________________________________________________

particulier leur temps de rponse, la variation de la tension damorage avec ltat de pollution et les conditions climatiques, et la forte
valeur du courant de fuite.

Figure 24 Protection contre les surtensions induites

par la commutation dun transformateur

Notons enfin que pour des protections de circuits fonctionnant

faible tension, si lon recherche une tension rsiduelle faible quelle
que soit la surtension et un coulement dnergie important, il peut
tre intressant dassocier plusieurs moyens de protection comme
on peut le voir sur la figure 25. La solution indique sur la figure
nest valable que pour des surtensions de faible temps de monte
en raison de la prsence des inductances en srie. Dans ce
domaine trs dlicat, chaque problme est un cas particulier et il
sera plus prudent de sadresser un spcialiste.

3.3.2 Protection contre les perturbations

alatoires

3.3.3 Varistances intgres

dans des quipements modulaires

Dans ces applications, divers moyens de protection entrent en

concurrence.

De nombreux fournisseurs proposent des botiers intgrant plusieurs varistances ; lquipement le plus simple est la protection
dune prise de rseau (trs employe dans linformatique), le
schma dune telle protection est donn sur la figure 26.

Pour les faibles nergies, les diodes Zener prsentent lavantage

dune trs forte non-linarit et de tensions de seuil trs faibles,
avec le dsavantage dune forte capacit dilectrique ; elles
semblaient irremplaables dans la protection des circuits intgrs
contre des perturbations dnergie infrieure 1 J telles que les surtensions lectrostatiques ou les surintensits induites dans des circuits courts par des radiations lectromagntiques de forte nergie.
Toutefois, de nouvelles varistances base doxyde de zinc
introduites sur le march en 1983 permettent de protger des circuits fonctionnant sous une tension de moins de 5 V, et dautres
sont annonces pour des protections de circuits fonctionnant
sous 2 V (la varistance est alors constitue dune seule barrire
intergranulaire, 2.2.1).
Exemple : une dcharge lectrostatique classique de 1 kV transmise sur une impdance 1 k va engendrer une surintensit de 1 A.
Une varistance de tension nominale 5,5 V (V s 8 V) va limiter la surtension sur limpdance au niveau de 10 V, avec une rapidit
comparable celle des diodes Zener.
Pour les fortes nergies, les clateurs associs ou non des
varistances base de carbure de silicium ont longtemps reprsent
lunique moyen de protection des quipements et des systmes de
distribution contre les perturbations dnergie de lordre de 1 kJ
telles que la brusque variation dune tension dalimentation, leffet
de radiations lectromagntiques sur des cbles de grande longueur, ou les coups de foudre. Les varistances base doxyde de
zinc ont, ici aussi, montr leur intrt en raison de leur forte
non-linarit qui permet dviter lusage dclateurs en srie. Ces
derniers prsentent en effet des inconvnients majeurs, en

E 2 110 14

En outre on trouve des botiers protgs pour toutes les gammes

de puissance en applications domestiques, mais aussi pour les
protections en informatique.
Dans le domaine de la protection globale dun difice ou dun
logement, on trouve aussi des blocs intgrs se plaant entre le
compteur lectrique et les disjoncteurs (ou fusibles) des circuits
individuels ; ces blocs sont trs utiles en protection contre la
foudre ; de plus, ils permettent dallonger de faon notable la dure
de vie des ampoules incandescence.

3.3.4 Autres applications

Les varistances semploient aussi dans des domaines plus ponctuels de llectronique ou de llectrotechnique. Nous noterons en
particulier :
la stabilisation de la tension utilise en particulier dans la
rpartition des trs hautes tensions employes en tlvision couleur
(figure 27) ;
laugmentation de la sensibilit des relais (figure 28) ;
la prvention de mauvais fonctionnement des thyristors
commandant la rotation dun moteur, et leur protection ;
la suppression des interfrences audiofrquence et radiofrquence.
Cette liste nest bien entendu pas exhaustive ; ces composants
ont trouv, ce jour, un grand nombre dapplications.

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________________________________________________________________________________________________________________________ VARISTANCES

Figure 25 Association des divers moyens de protection

Figure 27 Rgulation de la trs haute tension (HTA) par varistance,

dans un poste rcepteur de tlvision couleur

Figure 26 Prise de protection antifoudre (PAF)

Figure 28 Augmentation de la sensibilit dun relais par adjonction

dune varistance de tension de seuil V s (correspondant
une tension nominale alternative de 0,6 V s )

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E 2 110 15

P
O
U
R

Varistances
par

E
N

Michel GRACIET
Docteur s Sciences
Ingnieur au Laboratoire Central de Recherches de Thomson-CSF

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Ouvrages de base
GRACIET (M.). tude chimique, cramique et lectronique de nouveaux composants lectroniques passifs : les varistances base doxyde de
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Symboles graphiques pour schmas 4e partie :

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NF C 83-281

08-79

Composants lectroniques Systme CECC dassurance de la qualit Varistances basse tension pour
matriel tlphonique Spcification intermdiaire.

UTE C 83-281 05-79

Composants lectroniques Varistances basse tension pour matriel tlphonique Recueil de spcifications particulires.

UTE C 15-531 12-86

Installations lectriques basse tension Guide

pratique Protection contre les surtensions dorigine
atmosphrique Installation de parafoudres.

NF C 83-282

07-87

NF C 65-100

05-72

Parafoudresrsistancevariablepourrseauxcourant
alternatif : Rgles ( CEI 99-1).

Systme harmonis dassurance de la qualit des

composants lectroniques Varistances pour limitation des surtensions transitoires.

UTE C 83-282 02-88

NF C 83-280

04-88

Composants lectroniques Systme CECC dassurance de la qualit Varistances Spcification

gnrique.

Varistances pour limitation des surtensions transitoires

Recueil de spcifications particulires.

6 - 1993

Constructeurs. Fournisseurs
Varistances base de carbure de silicium SiC
Conradty C. Nrnberg GmbH und Co KG. Reprsentant Semikron (St)
(varistances Ocelit).
Ferraz (groupe Carbone - Lorraine).

Doc. E 2 110

Varistances base doxyde de zinc ZnO

LCC/CICE (Cie Europenne de Composants lectroniques) Dpartement
condensateurs LCC.
General Electric (La srie Z, de tension continue 5,5 V, permet de protger les
circuits intgrs fonctionnant sous 5 V) (varistances GE-MOV II).

National Panasonic France (Matsushita Electric Trading Co Ltd Electronic components departement) (varistances ZNR, varistances srigraphies).
Siemens SA (varistances SiOV).

Coffrets de protection. Prises protges

Legrand.
Merlin Gerin.
Schaffner.
Soul.

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie

est strictement interdite. Techniques de lIngnieur, trait lectronique

Doc. E 2 110 1

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