DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE INGENIERIA ELECTRNICA

EN AUTOMATIZACION CONTROL

ASIGNATURA: ELECTRNICA I

NRC:

PREPARATORIO: 2.3
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN BASE
COMN
DOCENTE: Ing. Daniela Paladines
REALIZADO POR:
Jonathan Benites
Fabian Iza
Evelin Lucio
SANGOLQU-2016

TRABAJO PREPARATORIO
Tema: AMPLIFICADOR EN LA COMFIGURACIN BASE COMN
1. Consultar sobre:
1.1. Curvas caractersticas de un Amplificador en la Configuracin Base
Comn.
Considerando la configuracin NPN y PNP de base comn:

Fig1: Configuracin PNP y NPN en base comn

Las curvas de la figura 2 corresponden a las caractersticas de entrada o
de excitacin (Vbe, Ie).

Figura 2: Caractersticas de entrada o de excitacin para un

amplificador de silicio base comn
La figura 2 relaciona los valores de corriente del emisor (Ie) al variar los
valores de voltaje base emisor (Vbe), para distintos valores fijos de voltaje
colector base (Vcb).
Las curvas de la figura 3 corresponden a las caractersticas de salida (Vcb,
Ic).

Figura 3: Caractersticas de salida o del colector para un

amplificador de transistor de base comn.
La grfica 5.5 relaciona los valores de corriente de colector (Ic) al variar los
valores de voltaje colector base (Vcb), para distintos valores fijos de
corriente de emisor (Vcb).
En esta curva se distinguen tres zonas:

Regin de saturacin. Es aquella regin que inicia donde Vcb<0, es

decir para valores negativos de Vcb. En esta regin tanto la unin baseemisor como la unin colector-base se encuentran polarizadas en directa.
Mxima corriente de colector.

Regin de corte. Es aquella regin donde la corriente de colector es

cero Amperes. En esta regin tanto la unin base-emisor como la unin
colector-base del transistor se encuentran polarizadas en inversa. Corriente
de colectar mnima.

Regin activa. Es la regin de operacin normal y es la utilizada para

los amplificadores lineales (sin distorsin), adems en esta regin la unin
base/emisor se encuentra polarizada de forma directa, mientras que la
unin colector/base se encuentra polarizada de forma inversa. De la grfica
5.5 se puede comprobar directamente que la ec 5.2b es cierta, es decir Ie
( Ic).
Recuperado
de:
http://www.monografias.com/trabajos89/conceptoselectronica-teoria-circuitos/conceptos-electronica-teoriacircuitos2.shtml#ixzz3wZfPHrEW

1.2. Por qu no se produce desfase entre la seal de voltaje de entrada y

la seal del voltaje de salida?
La Ganancia de voltaje es un nmero positivo indica que tanto el voltaje
de salida como el de entrada se encuentran en fase para la configuracin
de base comn.
Los amplificadores en base comn carecen de ganancia de intensidad; en
ellos la intensidad de entrada es siempre superior a la de salida. Ello se
debe a que, en los transistores de unin bipolares, la intensidad de emisor
es siempre la ms alta de todas. Esos amplificadores dan ganancias de
tensin muy elevadas; as mismo dan ganancias de potencia. Como los
emisores seguidores, no invierten la seal (no hay inversin de fase)
Recuperado de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor#Base_com.C3.BAn
1.3. Ganancia de corriente que produce el transistor en la configuracin
Base Comn.
Esta configuracin se dice que no produce ganancia de corriente, pero s
de la tensin y adems tiene propiedades tiles en altas frecuencias.
La corriente de emisor, que es la corriente de entrada est formada por la
suma de la corriente de base y el colector:
IE=IC+IB
Esto implica que la corriente de colector, es decir, la corriente de salida es
menor que la corriente de entrada. Por lo tanto, la ganancia de corriente es
la relacin de la corriente de salida y de entrada ser menor que la unidad
y vamos a obtener un beneficio.
La caracterstica principal de estos circuitos es que tienen mucha ganancia
de voltaje, es decir, la tensin de salida ser mucho ms alta que la tensin
de entrada. Para explicar esto tenemos que profundizar un poco ms en los
componentes de este circuito. Hay una resistencia de emisor, Re,
generalmente pequeos, por lo tanto, estos circuitos tienen una impedancia
de entrada muy baja.
Recuperado de: http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/base.html
Recuperado de:
http://proton.ucting.udg.mx/materias/mtzsilva/practica4/index.htm?iframe
2. Para el amplificador en la configuracin Base Comn realice las
siguientes actividades:
2.1. Calcule el punto de operacin del transistor.

Utilizamos la frmula de ganancia:

=

IC
IB

I C = I B
Realizamos la suma de corrientes en el transistor
I E =I C + I B
I E = I B + I B
I E =I B ( + 1)
Realizamos suma de corrientes entrantes y salientes en el nodo para obtener
IB
I RB 1=I B +I RB 2
I B=I RB 1I RB 2
Analizamos la primera malla
V CC + I RB 1 R B 1+ V BE + I E R E=0
Analizamos la malla total
V CC + I RB 1 R B 1+ I RB 2 R B 2=0
Resolvemos

V CC + I RB 1 R B 1+ I RB 2 R B 2=0
V CC + I RB 1 RB 1+V BE + I E R E=0

Entonces
I RB 2 R B 2=V BE+ I E R E
I RB 2=

I RB 1=

V BE +I E R E
RB2

V CCV BEI E R E
RB1

Obtenemos

IB

I B=I RB 1I RB 2
I B=

I B+

I B+

V CC V BE I E R E V BE+ I E R E

RB1
RB2

I E R E I E R E R B 2 ( V CC V BE )V BE R B 1
+
=
RB 1
RB 2
RB1 RB2

I B ( +1)R E I B ( +1) R E R B 2 ( V CCV BE )V BE R B 1

+
=
RB1
RB2
RB 1 RB 2

I B=

R B 2 V CCV BE ( R B 1+R B 2 )
( R B 1 +RB 2 ) ( +1 ) RE +R B 1 R B 2

Encontramos los voltajes

V C =V CC RC I C
V E =R E I E
V B =V BE +V E
Obtenemos el voltaje entre el colector y el emisor
V CE =V C V E
Implementacin del Circuito

Datos
V CC
RC
RB 1
RB 2
RE

V BE

20 V
1 K
100 K
100 K
2.2 K

323
0.7 V
Calculamos
I B=

I B=

IB

R B 2 V CCV BE ( R B 1+R B 2 )
( R B 1 +RB 2 ) ( +1 ) RE +R B 1 R B 2

100 K200.7(100 K +100 K)

( 100 K +100 K )( 323+1 ) 2.2 K +(100 K100 K )
I B=12.19 [uA ]

Calculamos

IC

I C = I B
I C =323(12.19 uA)
I C =3.94[mA ]

Calculamos

IE

I E =I B ( + 1)
I E =12.19uA (323+1)
I E =3.95[mA ]

Calculamos

VC

V C =V CC RC I C
V C =201 K3.94 mA
V C =16.06 [V ]

Calculamos

VE

V E =R E I E
V E =2.2 K3.95 mA
V E =8.69[V ]

Calculamos

VB

V B =V BE +V E
V B =0.7+8.69
V B =9.39[V ]

Calculamos

V CE

V CE =V C V E
V CE =16.068.69
V CE =7.37[V ]

2.2. Calcule Zin, Zo, Av, AI.

Circuito Hbrido

Analizamos
AV =
AV =

AV =

AV

VO
V

ic(RC RL )
ib( hie+ RTH )

hfeib( RC R L )
ib(hie+ RTH )
Sea:

hie=(1+hfe )
Reemplazamos
AV =

hfe ib( R C R L )
ib( (1+ hfe)+ R TH )

AV =

hfe(RC R L )
( (1+ hfe)+ RTH )
Sea
hfe hfe+ 1

Reemplazamos
AV =

R C R L
RTH
+
(1+hfe)

Donde:
26 [ mV ]
IE

re=

RC R L =

RTH =

RC RL
RC + R L

RB 1 RB 2
R B 1+ R B 2

Analizamos
Z =

V
in

R E Z

in
Z =

Z =R E Z
Sea:
i
V

=
Z

ib (hie+ RTH )
ie
Z
Sea

ie=ib (1+hfe)

hie=(1+hfe )
Reemplazamos

ib ( (1+ hfe)+ RTH )

ib (1+ hfe)
Z

TH
=+ 1+hfe

Z
RTH =

RB 1 RB 2
R B 1+ R B 2
Analizamos
A I=

AI

io
i

Vo
RL
A I=
V
Z

A I=

Z
A
RL V

Analizamos
Zo=

Z0=

Vo
io

RC i o
io

Z 0 =R C

Z0

Circuito Hbrido
Datos
RC
RB 1
RB 2
RE

IE
RL

1 K
100 K
100 K
2.2 K

323
3.95 mA
22 K
Calculamos
re=

re=

AV

26 [ mV ]
IE

26[mV ]
3.95[mA ]

r e =6.58
RC R L =
RC R L =

RC RL
RC + R L

1 K22 K
1 K +22 K

RC R L =956.52
RTH =

RB 1 RB 2
R B 1+ R B 2

RTH =

(100 K )(100 K )
100 K +100 K

RTH =50 K
AV =

AV =

R C R L
RTH
+
(1+hfe)

(956.52)
50 K
6.58+
1+323

A V =5.96

Calculamos

Calculamos

AI

TH
=+ 1+hfe

Z
50 K

=6.58+ 1+ 323
Z

=160.90
Z

Z =R E Z
Z =2.2 K 160.90

Z =

(2.2 K)( 160.90)

2.2 K +160.90

Z =149.93

A I=
A I=

Z
AV
RL

149.93
(5.96)
22 K
A I =0.04

Calculamos
Z 0 =R C
Z 0 =1 K
2.3. Grafique el diagrama de voltajes.
Datos

Z0

V CC
VC
VE
V CE
Vin

20 V
16.06 V
8.69 V
7.37 V

1V
Vopmax=I C(RC R L )
Vopmax=3.94 mA(956.52)
Vopmax=3.77 V

V 'CC =V C + I C ( RC R L )
'

V CC =16.06+3.94 mA( 956.52)

V 'CC =19.83V

1.

inp I E R E
V
inp I E R E
V
1V 8.69 V

Esta condicin se cumple por lo tanto no hay recorte

2.

V CE 6 V

7.37 V 6 V

Esta condicin se cumple por lo tanto el transistor se encuentra en la regin

lineal activa
3.

op
inp+ +V SA +V
V CE V

op
V CE V SA +V
inp
V CE V SA + AV V
V CE V SA +( A V )V inp
7.37 V 2 V +1(5.96)
7.37 V 7.96 V

Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte

4.

op+ I C (R C R L )
V
op+ I C ( R C R L )
V

V AV I C (RC RL )
V (5.96)3.94 mA(956.52)

1V 3.77 V
Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte
2.4. Determine el valor mximo del voltaje de entrada que se puede
aplicar sin producir distorsin en la seal de salida.
1.

inp I E R E
V
inp I E R E
V
inp 8.69V
V

2.

V CE 6 V
7.37 V 6 V

3.

op
inp+ +V SA +V
V CE V

op
inp+ +V SA +V
V CE V

inp
inp+ +V SA + A V V
V CE V
V CE V SA +(1+ A V )V inp
V CE V SA
V inp
(1+ A V )
V inp

V CE V SA
(1+ A V )

V inp

7.372
(1+ 5.96)

V inp 0.77 V
4.

op+ I C (R C R L )
V
op+ I C (R C R L )
V

V AV I C (RC RL )
V (5.96) 3.94 mA(956.52)

V 3.77V
Obtenemos

V 8.69 V
V 0.77 V
V 3.77 V

Para el valor mximo valor que puede tomar el voltaje de entrada, tomamos el
menor voltaje obtenido de las condiciones, por lo cual:
V inMAX =0.77 V
2.5. Compruebe el punto de operacin del transistor.

VE

VB

VCE

IC

IB

IE

2.6. Utilice un voltaje de entrada de valor menor al mximo calculado, y

determine el voltaje de salida del amplificador.
Establecemos un valor de voltaje de entrada que cumpla la siguiente
condicin:
V inp V inMAX
V inp 0.63V
V inp =0.5 V
2.7. Compruebe la ganancia de voltaje.
SIMULADO

V =0.5[V ]
V O=1.6 [V ]
AV =
AV =

VO
V

1.6 [V ]
0.5 [V ]

A V =3.2

2.8. Compruebe la ganancia de corriente.

SIMULADO

i n=1.325[mA ]
i O=49.426[uA]
A i=

iO
i

A i=

49.426 [uA ]
1.325 [mA ]

A i=0.037
2.9. Compruebe la Impedancia de entrada.
Voltaje sin Zin

V o=1.6 V
Voltaje con Zin

V O=0.8V
Para medir la impedancia de entrada colocamos la Z en serie con la fuente
de voltaje debido a que cuando hacemos esto estamos limitando el paso de
corriente de entrada y el voltaje nos sale la mitad del voltaje sin la impedancia
de entrada lo cual es lgico debido a que solo dejamos pasar la mitad de la
corriente de entrada en relacin cuando trabajamos en el circuito inicial.
V0 SIN ZIN=1.92V

2.10.

Compruebe la impedancia de salida.

Voltaje Mximo SIMULADO

V O=1.676 V

Voltaje con Zo es la mitad del voltaje mximo

V O=0.846V

Debemos retirar RL para obtener el voltaje mximo de tal manera que cuando
colocamos la impedancia de salida obtengamos la mitad del voltaje mximo de
nuestro circuito esto es debido a que cuando quitamos la resistencia de carga
nuestra corriente es mxima y cuando colocamos la impedancia de salida
nuestra corriente es la mitad de lo que era cuando la medimos sin la resistencia
de carga por este motivo podemos comprobar que nuestra impedancia de
salida est calculada correctamente.
2.11.

Realice un cuadro con los resultados obtenidos.

VOLTAJES

VE

VB

VC

VCE

Av

AI

Zin

Zo

Valor
calculado
Valor
Simulado

8.69 V 9.39 V

16.06 V 7.37 V

5.96

0.04

149.93 1 K

8.15 V 8.85 V

16.32V

3.2

0.037

149.93 1 K

8.17 V

2.12. Utilice un voltaje de entrada mayor al mximo calculado y grafique

la forma de onda del voltaje de salida.
Datos
V CC
VC
VE
V CE
Vin

20 V
16.06 V
8.69 V
7.37 V

5V

Establecemos un valor de voltaje de entrada que cumpla la siguiente condicin:

V inp V inMAX
V inp 0.63V
V inp =5V
1.

inp I E R E
V
inp I E R E
V
5 V 8.69 V

Esta condicin se cumple por lo tanto no hay recorte

2.

V CE 6 V
7.37 V 6 V

Esta condicin se cumple por lo tanto el transistor se encuentra en la regin

lineal activa
3.

op
inp+ +V SA +V
V CE V

op
inp+ +V SA +V
V CE V

inp
inp+ +V SA + A V V
V CE V

V CE V SA +(1+ A V )V inp
7.37 V 0.2 V +5(1+5.96)

7.37 V 35 V
Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte
4.

op+ I C (R C R L )
V

op+ I C ( R C R L )
V
V AV I C (RC RL )
V (5.96)3.94 mA(956.52)
5 V 3.77 V

Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte

SIMULADO

3. Preguntas:
3.1.
Realice el diagrama de voltajes con el valor del voltaje de entrada
utilizado en el numeral 4.12 y obtenga el voltaje de salida. Compare esta
seal del voltaje de salida terica, con la simulada en el literal 4.12.

Establecemos un valor de voltaje de entrada que cumpla la siguiente condicin:

V inp V inMAX
V inp 0.63V
V inp =5V
1.

inp I E R E
V
inp I E R E
V
5 V 8.69 V
Esta condicin se cumple por lo tanto no hay recorte

2.

V CE 6 V
7.37 V 6 V

Esta condicin se cumple por lo tanto el transistor se encuentra en la regin

lineal activa
3.

op
inp+ +V SA +V
V CE V

op
inp+ +V SA +V
V CE V

inp
inp+ +V SA + A V V
V CE V

V CE V SA +(1+ A V )V inp
7.37 V 0.2 V +5(1+5.96)

7.37 V 35 V
Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte
4.

op+ I C (R C R L )
V

op+ I C ( R C R L )
V
V AV I C (RC RL )
V (5.96)3.94 mA(956.52)
5 V 3.77 V

Esta condicin no se cumple por lo cual hay recorte

SIMULADO

Podemos observar que los picos en el voltaje de salida terico como prctico
son diferentes. En el pico positivo tenemos una diferencia de 0.20V, y en el pico
negativo una diferencia de 4.36V.
3.2.

Explique cul es la razn de la distorsin de la seal de salida.

Es debido a que usamos un voltaje superior al mximo calculado que soporta

nuestro amplificador. Observamos que la onda se corta en el pico positivo ya
que, al ser la ganancia alta, esta sobrepasa el voltaje mximo calculado. Es
importante considerar que en el amplificador base comn la seal no se
desfasa, por lo que la salida nos dar una seal igual a la de entrada pero
amplificada.