Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
miniaturizate, compus din elemente mecanice i electrice ce este fabricat utiliznd tehnologii
specifice circuitelor integrate.
MINIATURIZARE (SCALARE): reducerea dimensiunilor unui (micro)sistem n lungime
suprafa sau volum. Odat cu miniaturizareaare loc o modificare a comportamentului global
a sistemului datorat influenei unor fenomene fizice. Ex: odat cu miniaturizarea frecarea
devine mult mai important dect masa structurii sistemului; devin importante tensiunea
superficial, forele de atracie molecular, prezena nsemnata tensiunilor remanenten
toatestraturile subini micro i nanometrice etc.
STRAT SUBIRE: stratde material cu o grosime cuprins ntre civa nanometri pn la
civa microni.
DOPAREA: procedeul tehnologic prin care seadaug o cantitatede impuriti n
stratulsuperficial al unui material semiconductor.Are drept scop modificareacaracteristicilor
electrice ale materialului.
DIFUZIE: proces tehnologic de redistribuire a ionilor dopani. Const n migrarea fluxului de
ioni din zonele de concentraie ridicat ctre zonele de concentraie mai sczut.
IMPLANTARE IONIC: procedeul tehnologic prin care este bombardat cu un fascicul de
ioni suprafaa materialului semiconductor (plachetei). Tehnica de bombardare const n
deplasarea fascicului de-alungul plachetei n timp ceaceasta execut omicarede rotaie.
Combinareacelor doumicri asigur o depunere uniform.
OXIDAREA PLACHETEI DE SILICIU: procedeul tehnologic de depunere chimic pe
suprafaa plachetei de siliciu a unui strat de oxid n condiii deosebite de calitate.
OXIDARE LOCAL: procedeu tehnologicde depunere selectiv a stratului de oxid.
CIRCUITUL INTEGRAT (CI): dispozitiv electronic alctuit din mai multe componente
electrice i electronice, active i pasive, interconectate electric inseparabil. Aceste
componente sunt plasate cu mare densitate n volumul sau pe suprafaa unei plcue de
material semiconductor, n nod curent din siliciu.. n curent, dispozitivul electronic
esteintrodus ntr-o capsul etan prevzut cu elemente de conexiune electric spre exterior,
numite terminale sau pini (piciorue). CI este caracterizat ca fiind o construcie unitar din
punct de vedere al prezentrii, denumirii, testrii i exploatrii.
CIP, cipuri: bucat mic de material semiconductor (plcu semiconductoare) pe caresunt
plasate unul sau mai multe circuite integrate.
PLACHETE DE SILICIU
Plachetele de siliciu se livreaz la dimensiuni standard (diametru i grosime); n situaii
speciale pot fi realizate la cerere, plachete nestandardizate.
n Fig. 1 se prezint un exemplu de desen de execuie pentru o plachet de siliciu, avnd
prevzute condiiile de precizie dimensional i calitate a suprafeelor pe care aceasta trebuie
s le ndeplineasc.
Fig.2. Semifabricat tip bar de siliciu monocristalin, avnd diametrul 312 inches i lungimea de
civa metri
10. lefuire cilindric exterioar (de rotunjire) la diametrul necesar. are ca scop obinerea
diametrului prevzut n desenul de execuie. Se realizeaz pe principiul rectificrii
cilindrice exterioare, cu sau fr materializarea centrelor, utiliznd ca scul un disc diamantat.
Tolerana la diametrul prelucrat este T 1,5mm ;
15. Prelucrarea, prin lefuire plan, a flaturilor n lungul cilindrului. Const ntr-o
lefuire plan realizat cu o scul diamantat, pe principiul rectificrii suprafeelor plane.
Operaia de lefuire a flat-urilor alterneaz cu cea de control al poziiei fa de reeaua
cristalin (controlul este realizat prin difracie electronic, cu ajutorul unui goniometru cu raze
X) i de orientare n dispozitivul de prindere. Tolerana la lime a flat-urilor este limitat la
Tl 1,5mm.;
20. Debitarea lingoului de siliciu n plachete. Se utilizeaz un disc diamantat prin
galvanostegie. Lingoul este blocat cu rin epoxidic pe un suport de grafit iar n timpul
procesului de debitare se urmrete orientarea cristalografic a suprafeei plachetei cu ajutorul
unui sistem cu raze X. n timpul prelucrrii, att lingoul ct i scula sunt rcite n permanen
cu un jet de ap. Lichidul de rcire are dou roluri: de a evita supranclzirea local i de a
ndeprta reziduurile rezultate n urma tierii.
25. lefuirea plan-paralel. Operaia se execut n mai multe scopuri:
- reducerea grosimii plachetei pn la valoarea nscris pe desenul de execuie i
ncadrarea ei ntr-un anumit interval de toleran ;
- ndeprtarea stratului ecruisat n timpul operaiei precedente (debitare);
- obinerea condiiilor de paralelism dintre suprafeele plachetei, nscrise pe desenul
de execuie;
- obinerea unei planeiti uniforme a suprafeelor plachetei, n limitele a 3-5 mm;
- asigurarea preciziei i acurateei suprafeelor prin eliminarea defectelor de
suprafa zgrieturi care ar reprezenta imperfeciuni nedorite n placheta de siliciu;
30. lefuirea pe contur;
35. Degresare-decapare;
40. Corodare chimic. ;
LITOGRAFIA
n funcie de tipul de radiaie la care rezistul este sensibil, deci n funcie de
modul n care de face expunerea, se folosesc mai multe metode de litografie:
a) fotolitografia expunere cu radiaie luminoas;
b) electronolitografia expunere cu fascicuol de electroni;
c) roentgenolitografia expunere cu radiaie X;
d) ionolitografia expunere cu fascicol de ioni.
FOTOLITOGRAFIA
Indiferent de modul de expunere i de metoda deradiaie aleas, procesul
litografic seefectueaz prin parcurgerea urmtoarelor etape:
1) acoperirea direct a plachetei de siliciu cu un strat subire strat de rezist; sau
acoperirea pe un alt strat depus pe plachet;
2) aplicarea unui tratament termic de recoacere pentru a se asigura adeziunea
stratului cu suprafaa rezistului;
3) expunerea la tipul de radiaie la care este sensibil rezistul;
4) developarea plachetei ntr-o soluie.
Tehnica lift-off
O tehnologie aparte, demn de menionat deoarece se utilizeaz cu succes n
industria microelectronic, o constituie tehnica lift-off. Aceasta are la baz
procedeul litografic, combinat cu procedeul de depunere a straturilor subiri i
eroziunea chimic.
Este o metod relativ nou, care folosete n timpul expunerii o fotomasc raster cu
ecranare gradat. Transparena mtii se schimb de-a lungul lungimii sale, fie continuu, fie n
pai discrei. Acest fenomen se poate obine prin diverse tehnici: schimbarea grosimii stratului
de crom (depus pe masc prin pulverizare) sau plasarea precis n acest strat a unor guri
mici. Astfel, diferite pri din suprafaa rezistului sunt expuse la diferite intensiti luminoase,
ceea ce permite ca dup developare s se obin diferite profile ale stratului de rezist rmas.
n pasul urmtor, se supune eroziunii chimice, prin corodare n plasm ntreaga suprafa
neacoperit, iar profilul rezistului se transfer substratului de siliciu de dedesupt
Electronolitografia
Electronolitografia este procedeul litografic ce utilizeaz un fascicol de electroni care poate fi
baleiat electromagnetic astfel nct configuraia generat s fie transferat ntr-un rezist
sensibil la acest mod de expunere
Microprelucrarea n volum
Microprelucrarea n volum reprezint o tehnic de microfabricaie care permite obinerea de
structuri tridimensionale n substratul de siliciu. Procedeul are la baz fenomenul de eroziune
chimic selectiv a substratului de siliciu monocristalin i presupune parcurgerea
urmtoarelor etape:
1 preprocesarea substratului prin fotolitografie, n scopul structurrii rezistului care
reprezint, n continuare, masca rezistent la agentul coroziv;
2 eroziunea chimic propriu-zis, cu selectivitate la rezist, a substratului de siliciu
monocristalin.
Materialele utilizate n cadrul microprelucrrii siliciului (materialul de structurare) n volum
sunt: dioxidul de siliciul, nitrura de siliciu, aurul, cromul, tantalul, molibdenul, respectiv fotoi electronoreziti pentru realizarea mtilor; nitrura de siliciu, siliciul dopat cu bor pentru
stratul de stopare a eroziunii chimice.
Procedeul permite realizarea de elemente mobile din componena microsistemelor,
membrane, poduri, console, canale, caviti, orificii, etc.
Pentru exemplificare, se consider tehnologia de execuie a unei membrane de siliciu din
alctuirea unui senzor de presiune.
Microprelucrarea pe suprafa
Dac prelucrarea n volum a siliciului se aplic cu preponderen n cazul siliciului
monocristalin, microprelucrarea pe suprafa utilizeaz ca i substrat siliciul policristalin.
Tehnica, utilizat pentru prima dat la jumtatea deceniului ase al secolului trecut implic
structurarea planar a suprafeei substratului i const n depunerea succesiv a mai multor
straturi de materiale diferite, urmat de structurarea i eroziunea chimic a acestora.
Rezultatul procesului se materializeaz n obinerea unor structuri planare complexe, cu
grosime de ordinul micronilor. De asemenea, metoda permite obinerea structurilor plane
libere, neancorate (de tipul consolelor, membranelor), formate direct la suprafaa substratului
de siliciu.
Datorit tehnologiei specifice, microprelucrarea pe suprafa a siliciului este cunoscut i
sub denumirea de tehnica straturilor de sacrificiu.
Microprelucrarea pe suprafata