ANLISIS DE CIRCUITOS CON

DIODOS
Ayala Pablo

e-mail: pdayala4@espe.edu.ec

Lozada Jhon

e-mail: jrlozada3@espe.edu.ec

Ingeniera Automotriz, Cuarto Nivel, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

- Extensin Latacunga, Mrquez de Maenza S/N Latacunga,
Ecuador.

Fecha de presentacin: 10/11/2016

logra amplificar de 100,000:1 la cantidad de electrones
libres. Cabe recalcar que el material es relativamente
neutro debido a que la carga negativa de los electrones
libres se contrarrestan con la carga positiva del tomo
padre o in donador, representado con carga positiva
(+)

RESUMEN Como primer elemento bsico para un

circuito electrnico, el diodo, se convierte en el ms
empleado en la tecnologa, por lo cual, su desepeo en
circuitos en serie y paralelo permite definir su eficiencia,
como tal, es necesario conocer los materiales
semiconductores, sus tipos, la influencia que genera el
agregarle impurezas a cada tipo, la relacin que tienen
los materiales semiconductores con el diodo, la
funcionalidad que presenta el diodo al conectarle a una
fuente de tensin, la respuesta que brinda un diodo en
los diferentes tipos de conexin existentes, la relacin de
trabajo que tienen los diodos de Ge, Si, GaAs, y no mas
importante que los anteriores temas, las estimaciones de
trabajo ideal y real de un diodo, etc.

Material tipo p
Para obtener un material tipo p o con escasez de
electrones en los enlaces covalentes se agrega
materiales trivalentes como el boro, galio, indio a los
elementos base conocidos (silicio o germanio)
obteniendo as espacios vacos en los enlaces, a estos
espacios se los representa con + o O para indicar la
ausencia de carga positiva. Adems a este tomo
incompleto se le conoce como in receptor,
representado con carga negativa.

Palabras clave
Barrera potencial, flujo de corriente, polarizacion de un
diodo, voltaje umbral.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

Cuando un electrn de valencia adquiere suficiente
energa cintica para romper su enlace covalente y
llenar el vaco creado por un hueco, existe, por
consecuencia, una transferencia de huecos hacia la
izquierda y de electrones hacia la derecha.

Introduccin
En los materiales semiconductores, pequeas
adiciones de elementos qumicos diferentes al elemento
base (silicio, germanio, arseniuro de galio) como 1 parte
en 10 millones generan cambios en las propiedades
elctricas debido a que se promueve que el material
tenga, o electrones libres, o enlaces covalentes
incompletos, por lo cual se estudia los dos nicos tipos
de materiales semiconductores.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En un material tipo n el electrn se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario. En un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.

Material tipo n

Desarrollo

Para lograr que un semiconductor tenga ms

influencia como conductor (tipo n), es decir, tener ms
electrones libres en su estructura, se agrega elementos
pentavalentes como el antimonio, arsnico y el fsforo,
para obtener un electrn relativamente libre como
resultado de ocupar 4e de valencia de parte de cada
tomo para formar el enlace covalente, debido a esto se

Diodo convencional
Un diodo convencional es un elemento elctrico
que tiene dos terminales polarizados, es decir, dos
materiales semiconductores tipo p y tipo n. En los cuales

acorde a su conexin sea inversa o directa, permite que

el diodo funcione como un corto circuito o como una
conexin abierta.

Tabla 2. Valor real e ideal de un diodo en polarizacin

inversa
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]

Tabla 1. Representaciones esquemticas de un diodo

Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]
Tipo
Orden

BOCETO

Esbozo
en
anlisis
del
circuito
Forma
fsica

Resistencia

Valor ideal

DESCRIPCIN
Referencia a la unin de
dos semiconductores con
tendencias
a
ser
positivo(P) -mayor cantidad
de espacios libres en las
orbitas de valenciay
negativo(N)
-mayor
cantidad de electrones
libresRepresentacin de la parte
positiva (nodo) y negativa
(ctodo),
indicando
tambin el sentido de la
corriente que permite el
diodo.
Parte negativa indicada por
la franja de color

Valor real

Tensin

v
V D <0
V D <0

Intensidad

mA
0
IS 0

Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)

Al conectar el diodo como se muestra en la fig. 2
los electrones de la fuente de tensin aumentaran la
cantidad de electrones libre en la capa n, en cambio en
la capa p, los electrones atrados por la parte positiva de
la batera aumentaran la cantidad de espacios en las
orbitas de valencia de los tomos presentes en esta
capa formando ms iones positivos, como consecuencia
de esto se aumenta la fuerza de atraccin entre los
iones de ambas capas produciendo que la zona de
empobrecimiento(barrera potencial) disminuya, por lo
cual se produce un incremento exponencial de la
corriente descrita en la frmula conocida como ecuacin
de Shockley para las regiones de polarizacin en directa
y en inversa.

Polarizacin

I D =I S e

El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de

un voltaje externo para determinar el comportamiento
del diodo, segn el sentido de la corriente se puede
emplearlo como interruptor cerrado o abierto

VD
nV T

1 Ecuacin de Shockley (1)

Donde:

I S:
VD:

es la corriente de saturacin en inversa

es el voltaje de polarizacin en directa aplicado

a travs del diodo
n: es un factor de idealidad, el cual es una funcin de
las condiciones de operacin y construccin fsica;
vara entre 1 y 2 segn una amplia diversidad de
factores.(se supondr n=1 en todo este texto a menos
que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ec. 1 se llama voltaje trmico y est
determinado por

Sin polarizacin (VD =0 V)

Al no tener un diferencial de potencial externo a un
diodo que permita vencer el equilibrio de los portadores
mayoritarios en las capas p y n, el diodo permanece en
estas condiciones, por lo que se tiene:

V D =0 v I D=0 A

VT=

Considerndolo as como un resistor aislando o

simplemente un alambre conductor. Adems, se puede
tomar en cuenta que la barrera de potencial o regin de
empobrecimiento permanece igual.

Donde

K:

KT
(2)
q
es

la

constante

de

Boltzmann

J
1.38 x 1023
K

Condicin de polarizacin en inversa (VD<0 V)

Al conectar un diodo como se muestra en la fig. 1

se produce un efecto en cada capa del semiconductor,
en la capa n, los electrones libres son atrados por la
parte positiva de la fuente, empobreciendo estos
elementos, en cambio en la capa p, los iones positivos
son complementados con los electrones suministrados
por la parte negativa de la fuente, obteniendo as, una
regin de estabilidad entre iones(barreta potencial) ms
grande de lo normal, por lo cual dificulta el paso de los
portadores mayoritarios casi en su totalidad, como
consecuencia se tiene.

T: es la temperatura absoluta en Kelvin= 273+

temperatura en C.
q: es la magnitud de la carga del electrn
1.6 x 1019 C .

Tabla 3. Valor real e ideal de un diodo en

polarizacin directa
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]
Resistencia

Tensin

Intensidad

Valor
ideal
Valor
real

v
0v

mA
ID0

RD 0

0,7

ID0

Circuito equivalente de un diodo

Es empleado para analizar el comportamiento del
circuito de una manera ms fcil al utilizar los mtodos
correspondientes.

Al observar que la corriente de saturacin en

inversa de la unidad comercial es claramente mayor que
la de IS en la ec. 1, se presenta la idea de que se debe a
efectos que no estn incluidos en la ec.1, como la
generacin de portadores en la regin de
empobrecimiento y corrientes de fuga superficiales, las
cuales son sensibles al rea de contacto en la unin

Circuito lineal equivalente por segmentos

Se realiza una aproximacin a la curva i-v mediante
las rectas siguiendo la trayectoria de la corriente,
teniendo en cuenta la curva de la corriente va creciendo
en forma exponencial y que el diodo empieza a
funcionar desde 0,7v, se obtiene:

Figura 2. Circuito lineal equivalente por segmentos de

un diodo

Circuito lineal simplificado

Al tomar en cuenta que el valor de la resistencia
interna del diodo es tan pequeo que no afecta el
anlisis del circuito se tiene:

Figura 3. Circuito lineal simplificado de un diodo

Circuitos con diodos en serie

Fi
gura 1. Caractersticas del diodo de silicio
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]

En general, un diodo est encendido si la

corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que
su direccin concuerda con la de la flecha del smbolo
del diodo y VK 0.7v para silicio; VK 0.3v para germanio,
y VK 1.2v para arseniuro de galio.
Si un diodo convencional esta conectado de manera
directa este actua como un consumidor de tension,
siendo el voltaje umbral (VK) el nivel de consumo de
tension en el diodo. Este puede variar acorde el diodo.

Los diodos de silicio reales se desvan de la

condicin ideal por varias razones, entre ellas la
resistencia de cuerpo interna y la resistencia de
contacto externa de un diodo. Cada una contribuye a
un voltaje adicional con el mismo nivel de corriente,
como lo determina la ley de Ohm.
Tabla 4. Analoga de propiedades elctricas de diodos
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]
Intensidad de
saturacin
Voltaje
de
ruptura
Portadores
Intrnsecos
Factor
movilidad
relativa

de

Si
10 pA

Ge
1 uA

GaAs
1 pA

50v-1kv

1hv-4hv

50v-1kv

Figura 4. Configuracin del diodo en serie

Fuente: Muller H, Hubscher H, Jagla D, Larisch J, Pauly
V .(1994). Electrotecnia de potencia. (Primera edicin)
Barcelona

1.5 x 1010 /2.5

cmx3 1013 /cm
1.7 x3 106 /cm3
1500

3900
2

8500
2

U n (cm /VU.ns)
(cm /VU.ns)
(cm /V . s)

Primero se determina el estado del diodo

reemplazndolo mentalmente con un elemento resistivo
como se muestra en la figura. La direccin resultante de
la intensidad coincide con la flecha del smbolo del diodo

y como E > VK el diodo est encendido. Luego se

vuelve a trazar la red con el modelo equivalente
apropiado del diodo de silicio polarizado en directa.
(Boylestad)

R1= 2k y R2=1k
Como el diodo se encuentra polarizado en directo se
tiene que:

V T =V R 1 +V DSi
V R 1=11.3 V

Figura 5. Determinacin del estado del diodo y

sustitucin del modelo equivalente por el diodo
encendido
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]

12V =V R 1+0.7 V

Haciendo una sumatoria de la sumatoria en la malla

dos, con la corriente en sentido horario:

V malla 2=0

V DSi V DGe V R 2=0

V R 2=V DSi V DGe V R 2=0.7 V 0.3 V

V R 2=0.4 V
V
11.3
I R 1=5.65 mA
I R 1=
I R 1= R 1
2
R1
V
0.4
I R 2=
I R 2= R 2
1
R2
I R 2=0.4 mA=I DGe

Debido a que el voltaje umbra (Vk) es de 0,7 V se

tiene que el voltaje del diodo (VD) es 0,7 V
En su tensin se tiene que:

E=V D 1 +V R ++V Dn (3)

En su corriente se tiene que:

I E =V D 1 =V R ==V Dn ( 4)
Circuitos con diodos en paralelo
Los diodos tambin se conectan en paralelo para
incrementar la capacidad de llevar corriente. Para el
anlisis de los diodos en paralelo se sigue bsicamente
el mismo procedimiento que los diodos en serie, con
unas pequeas pautas que muestra los diodos en
paralelo.

2)

En el siguiente circuito ambos diodos son de

silicio, determine que diodo esta encendido y
determine la intensidad que circula por el
circuito

Figura 6. Diodos en paralelo y modelo equivalente de

encendido
Fuente: Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009).
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. [1]
Para un anlisis de forma aislada, de los diodos
encendidos en paralelo no se toma en cuenta la
resistencia de la figura. Quedando de la siguiente
manera;
En su tensin se tiene que:

Se debe determinar la polaridad de las fuentes

VT=4 V +2 V

E=V D 1=V D 2 =...=V Dn( 5)

En su corriente se tiene que:

I E =I D 1 + I D 2 ++ I Dn(6)
Ejercicios
1)

Hallar la corriente que circula por la resistencia de 1K

y la intensidad de cada elemento

VT=6 V

controlado principalmente por el nmero limitado de

impurezas en el material.
En una polarizacin directa se emplea valores
mximos de un 1v para obtener valores de intensidad en
mA, en cambio en una polarizacin inversa se emplea
grandes cantidades de voltios como por ejemplo 40v
para obtener valores de intensidad en pA.

Recomendaciones
Tomar en cuenta que la intesidad de saturacin se
mide comunmente en nA o pA.

Debido esto se determina que el diodo de la izquierda se

encuentra polarizado directamente y el diodo de la
derecha de manera inversa.
El diodo de la izquierda se encuentra prendido

Tomar en cuenta que los valores de voltaje e

intensidad de saturacin son diferentes cuando se
analiza un circuito de manera terica y los obtenidos al
medir estos parmetros con un multmetro

VT=R 1 ( I 1 ) +0.7+ R 2 ( I 1 )
6 V =1.2 ( I 1 ) +0.7+ (5.8 ) I 1

I 1=

60.7
7

I 1=0.757 mA

REFERENCIAS
[1] Boylestad, Robert l. & Nashelsky, Louis. (2009). Electrnica:
Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. (dcima edicin)
Mxico
[2] Luis P. V.(1994). Circuitos y dispositivos electrnicos
Fundamentos de electrnica (Primera edicin) Barcelona
[3] Muller H, Hubscher H, Jagla D, Larisch J, Pauly V .(1994).
Electrotecnia de potencia. (Primera edicin) Barcelona
[4] Antonio H.(2009). Principios de electricidad y electrnica.
(Primera edicin) Barcelona

Conclusiones
EL cambio de magnitud en la intensidad de
saturacin no depende del tipo de polarizacin del diodo,
ms bien, depende del nivel de conduccin es