Universidad de Costa Rica

Laboratorio de Fsica General III

Profesor: Deybith Venegas Rojas
Walter Morales Muoz B14497
Keily Caldern Alfaro A91129
Nota: 100
Grupo: 02
I Semestre 2013

Trabajo previo:
1- Elabore una figura similar a la figura 2 pero para el caso del tomo de boro
(trivalente)

2- Haga diagramas que ilustren los conceptos expuestos en la seccin c,

Construccin del diodo por unin pn

3- Determine el valor de la barrera de potencial para los diodos de silicio y

germanio.
A 25 C la barrera de potencial para:
Diodos de Silicio: 0.7 V
Diodos de Germanio: 0.3 V
4- Explique algunos usos de los diodos
Transformacin de corriente alterna en tensin continua.
Como fuentes de alimentacin en la televisin, microscopios electrnicos y
rayos x.
5- Encuentre los diferentes tipos de diodos
Diodos rectificadores
Diodos Zener
Diodos de capacidad variable
Fotodiodo
Diodo Lser

Prctica 1: Dispositivos no hmicos diodos semiconductores

Parte A:

Grfica 1: Diodo de silicio

Grfica 2: Diodo de Germanio

Grfica 3: Segunda resistencia de la caja (10)

Anlisis
En las grficas anteriores se grafica la intensidad I en amperios (A) en funcin del
voltaje en voltios (V), esto con el objetivo de obtener la curva caracterstica de
ciertos dispositivos (diodo de silicio, diodo de germanio, caja de resistencias). En
las dos primeras graficas se nota claramente un comportamiento exponencial,
adems se observa la existencia de picos de voltaje en la grfica 1, ello se debe a
que la fuente no se encontraba en ptimas condiciones, sin embargo, siempre se
puede observar la naturaleza de la grfica, por lo tanto se deduce que en las
grficas 1 y 2 la ley de Ohm, no se cumple, para que la ley de Ohm se cumpliera,
era necesario que las dos primeras graficas tuvieran naturaleza lineal, sin
embargo esa proporcionalidad no se observa en los diodos. Por lo tanto estamos
tratando con dispositivos no hmicos es decir estos dispositivos son no lineales, lo
que nos indica, que cuando trabajamos con diodos, es necesario aplicar un cierto
voltaje para que se d o no el paso de corriente elctrica. En la grfica 3 se
observa la naturaleza lineal de la grfica lo cual nos indica que la ley de Ohm si se
cumple siendo este dispositivo.

La opcin de Ajuste Lineal, en el programa DataStudio, permiti obtener la

pendiente (m) y la interseccin con el eje y (b) de la recta de mejor ajuste para el
grfico 3. Los valores de m y b son respectivamente 5.12E-3 1.7E-6 y -1.58E-6
9.6E-7.

Parte B
Grfica 4: Diodo de silicio

Grfica 5: Diodo de germanio

Grfica 6: Segunda resistencia de la caja (10 )

Anlisis
En las tres grficas anteriores se grafica la resistencia R en ohmios (), en funcin
de la corriente I en amperios(A), las grficas 4 y 5, mantienen una relacin con las
grficas 1 y 2, se puede observar que tanto en la parte A como en la parte B las
curvas del diodo de silicio son un poco ms pronunciadas, que las curvas del
diodo de germanio, esta diferencia ser discutida en el cuestionario, sin embargo,
su naturaleza es igual, con ello se confirma que los diodos son dispositivos no
hmicos, mientras que en la grfica 6, la grfica de la resistencia de la caja (10 )
posee un comportamiento constante.
Cuestionario
1- Cul es la diferencia en la curva caracterstica del diodo de silicio con el
diodo de germanio?
La diferencia entre ambas curvas se debe a que la barrera de potencial del
diodo de germanio es de aprox. 0,3 V mientras que la barrera de potencial
del diodo de silicio es de aprox. 0,7 V esto nos indica que es necesario
aplicarle al diodo de silicio un campo elctrico externo mayor y con sentido
opuesto para romper esa barrera de potencial, en general una curva es ms
pronunciada a la otra por que el diodo de silicio y el de germanio tienen
barreras de potencial diferentes.
2-Determine el valor del potencial de barrera para cada uno de los diodos,
compare sus resultados con los tericos
Segn las grficas 1 y 2, podemos observar que en el caso del diodo de
silicio, esta posee una asntota vertical en un valor cercano a los 0,7 V
denotados por el eje X, el cual coincide con la barrera de potencial terica,
adems podemos observar que en el caso del diodo de germanio
sobrepasa un poco el valor de 0,2 V, sin embargo, se acerca al valor terico
ya que este oscila entre ese valor.
3-En el caso de la resistencia cual es el significado fsico de la pendiente,
corresponde al valor terico?

El valor fsico tendra que corresponder al inverso de la resistencia del

circuito 1/R. La resistencia al ser constante, cumple con la Ley de Ohm
4-Cmo varia la resistencia de un diodo en conduccin cuando aumenta la
corriente aplicada en sus terminales? Qu significa esa variacin? Qu
ocurre con la resistencia de la caja?
Entre ms aumente la corriente aplicada la resistencia tiende a disminuir,
esto significa que ambos son inversamente proporcionales, en la caja de la
resistencia, al aumentar la corriente la resistencia tiende a ser constante.

Conclusiones:
La experimentacin indica que el instrumento que present mayores anomalas
fue la fuente, ya que en unas grficas se observa lneas de ms. En consecuencia,
un mal funcionamiento de uno de los instrumentos de medicin es suficiente para
que la grfica obtenida presente una forma distorsionada.
Entre las grficas observamos que no existe una relacin lineal entre la intensidad
y el voltaje; tienen una forma exponencial que es caracterstica de los dispositivos
no hmicos.
La diferencia de las curvas entre los diodos de silicio y de germanio en las grficas
se debe a la diferencia que existe entre la barrera potencial.

BILIOGRAFIA

Recuperado

de

www.uned.es/ca-

bergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/02_semicondu/diodos el 17 de marzo del

2013.

Recuperado de www.lu1dma.com.ar/grupooeste/eldiodo.htm el 17 de marzo del

2013.