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Transistor:

El transistor es un dispositivo semiconductor de


tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo
p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le
llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o


electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de
vaco o "lmparas" electrnicas.

BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor


es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o
"lmparas" electrnicas.

COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el


emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco
o "lmparas" electrnicas.

Saturacin

Corte

Activa

VCE

~0

~ VCC

Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

BC547

BC549

TIP31

TIP32

Mosfet:

El transistor de efecto de campo metal-xido-

semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es


untransistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado
en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
losmicroprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

El MOSFET

Introduccin al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field
Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal,
consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia
de entrada de este tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000
MW , lo que les convierte en componentes ideales para amplificar seales
muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran
campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas
frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y
sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo
consumo y al reducido espacio que ocupan.
MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario
suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en
cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del
canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la
corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET.
En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de
canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento


como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los


electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador
a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto
mayor sea la diferencia de potencial V aplicada por la fuente, mayor ser
esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la
puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento
de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se
aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del
efecto del campo elctrico generado por la tensin V de la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin
positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer
trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin
positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de
electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva V , aumenta tambin la corriente de drenador.
Curvas caractersticas
DD

GG

GG

En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una


familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de
canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de


V (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en
modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la
tensin ms positiva de V y el corte se consigue con tensin negativa de
V (apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia,
que nos indica la relacin que existe entre V e I . sta posee la forma que
se muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:
GS

GS

GS

GS

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente I ,
correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I , ya no es la de
saturacin.
DSS

Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y


la ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET,


este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el
punto correspondiente a V =0, I =I . Cuando ste queda polarizado as, el
transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
Smbolos de los MOSFET
GS

DSS

En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N


(punta hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de
sustrato est libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor
control sobre la corriente de drenador.

Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la
forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental
de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de
drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo


conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que
normalmente estar en no conduccin o apagado.
El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se
indican en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal
N y en el (b) MOSFET de enriquecimiento y canal P.

Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como


una lnea punteada.
Proteccin de los MOSFET
Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento,
poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta
del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensin
V por encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe
GS

operarse con una tensin superior a la V


del MOSFET.

GS(max)

prescrita en las caractersticas

An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras
causas, como pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar
un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de
alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con las
manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga
electrosttica entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se
almacenan con un conductor que cortocircuita sus terminales. Este
conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET
En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo
elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta
metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como
se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente
distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que
un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin
externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo
sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se


representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el
canal, vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un
campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada tensin
umbral y representada por V es aquella que acumula una concentracin
de cargas capaz de invertir el canal.
TH

Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL
sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que
quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo.

Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la


compatibilidad de las dos familias de dispositivos, y se ataca este
problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en cuenta que
la tensin umbral se debe a:
El espesor del SiO : A ms espesor, menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su
fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su
efectividad.
2

Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo,
mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades
asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por
el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a
altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr
trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones
digitales y computacionales.

Irf3205

Irf9540

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