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Saturacin
Corte
Activa
VCE
~0
~ VCC
Variable
VRC
~ VCC
~0
Variable
IC
Mxima
= ICEO lang=EN-GB~ 0
Variable
IB
Variable
=0
Variable
VBE
~ 0,8v
< 0,7v
~ 0,7v
BC547
BC549
TIP31
TIP32
Mosfet:
El MOSFET
Introduccin al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field
Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal,
consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia
de entrada de este tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000
MW , lo que les convierte en componentes ideales para amplificar seales
muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran
campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas
frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y
sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo
consumo y al reducido espacio que ocupan.
MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario
suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en
cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del
canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la
corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET.
En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de
canal N.
GG
GG
GS
GS
GS
Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente I ,
correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I , ya no es la de
saturacin.
DSS
DSS
Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la
forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental
de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de
drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.
GS(max)
An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras
causas, como pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar
un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de
alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con las
manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga
electrosttica entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se
almacenan con un conductor que cortocircuita sus terminales. Este
conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET
En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo
elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta
metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como
se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente
distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que
un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin
externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo
sobre el comportamiento del MOSFET.
Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL
sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que
quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo.
Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo,
mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades
asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por
el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a
altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr
trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones
digitales y computacionales.
Irf3205
Irf9540