Unidad Iv

Fsica II - Unidad IV
Alberto Pereyra Parra
UNIDAD IV
LECCIN 1
FSICA CUNTICA
COMPETENCIA: Comprende y aplica la teora de Planck, el tomo de Bohr, las
clases de materiales cristalinos y amorfos y su relacin con los materiales
semiconductores utilizados en las computadoras.
Las bases de las teoras para la comprensin del mundo microscpico nacen
alrededor de 1900 con una serie de experimentos que no podan explicarse con
la fsica clsica, entre ellos tenemos: La radiacin de cuerpo negro, el efecto
fotoelctrico, el efecto Compton, etc.
Se desarroll la teora que hoy se conoce como Mecnica cuntica. Nuestro
objetivo en esta parte del curso es dar a conocer las ideas bsicas que
fundamentan la mecnica cuntica y luego aplicarlos al estudio de
semiconductores.
4.1.1. Radiacin de cuerpo negro
Con la fsica clsica lo que se saba acerca de la radiacin de los cuerpos era
lo siguiente:
1. La radiacin emitida por un cuerpo como resultado de su temperatura se le
dio el nombre de radiacin trmica.
2. Todo cuerpo emite radiacin trmica a su medio ambiente pero tambin
absorbe radiacin de l.
3. Cuando un cuerpo est en equilibrio trmico, las razones de absorcin y
emisin son iguales.
4. Los slidos y los lquidos emiten un espectro continuo de radiacin.
Al cuerpo prototipo para el estudio de la radiacin de los materiales se le
denomin cuerpo negro
Cuerpo negro. Son cuerpos ideales cuya superficie absorbe toda la radiacin
trmica incidente sobre ella.
Independientemente de los detalles de su composicin se encuentra que los
cuerpos negros (todos) a la misma temperatura, emiten radiacin trmica con
el mismo espectro.
162
Sistema a Distancia
La distribucin espectral de la radiacin de un cuerpo negro es especificada por

la Radiancia espectral RT(), definida por:
RT() = Energa emitida por unidad de tiempo en radiacin de frecuencia en el
intervalo a + d, por unidad de superficie a la temperatura T.
La radiacin total ser:
RT = RT ( )d . (1)
(Radiancia espectral)
Observaciones experimentales de la radiancia espectral de cuerpos que se

aproximan a un cuerpo negro se muestra en el siguiente grfico.
RT ( )
(10 9 m 2 s 1 )
2000k
(10 4 Hz )
Experimentalmente se encontr que la radiacin total es proporcional a T4, esto

es:
RT = T 4
(Ley de Stefan Boltzman)
Donde:
= 5.67 10 8
m k4
2
Tambin se encontr que la frecuencia a la cual la radiacin espectral es

mxima para una temperatura dada es proporcional a dicha temperatura.
mxT
Lo que se puede poner de la siguiente forma:
mxT = 2.898m k
(Ley del desplazamiento de Wien)
Esta ecuacin se representa en el grfico anterior con la lnea de puntos.

Por motivos experimentales para el anlisis de la radiacin, se considera como
cuerpo negro una cavidad a la temperatura T, con un orificio, por el cual sale
la radiacin a ser medida. La cavidad y sus paredes estn en equilibrio trmico.
163
Sistema a Distancia
Obviamente dentro de la cavidad habr una densidad de energa T() que

ser proporcional a la radiancia espectral RT(): T() RT().
La ecuacin (1) tena que dar un valor finito a la hora de hacer la integracin.
Hace un poco mas de un siglo nadie poda explicar de acuerdo a una ley los
resultados experimentales para: RT() Vs.
T() Vs. mostrados en el
grfico anterior para RT().

Max Planck, fue el primero que pudo explicar satisfactoriamente los datos
experimentales.
Postulado de Planck: Cualquier entidad fsica con grado de libertad cuya
coordenada es una funcin senoidal del tiempo, posee solo energas totales E,
las cuales satisfacen la relacin:
E = nh
n = 0, 1, 2, 3,.
Donde:
E = Energa total de la entidad fsica (Joules)
= Frecuencia de oscilacin (Hertz)

h = Constante de Planck = 6.63x10-23J.s
Con esta postulado y utilizando conocimientos de estadstica, se encontr que:
T ( ) =
8 2
C3
h
e
h
kT
Que se conoce como: Ley de Planck de la radiacin de cuerpo negro

Donde:
T ( ) = Es la energa contenida en la unidad de volumen de la cavidad

a la temperatura T en el intervalo de frecuencias: y + d.
C = Velocidad de la luz = 3x108m/s.
k = Constante de Boltzman = 1.38x10-23J/k
Como: T() RT() , se puede llegar a probar que:
164
Sistema a Distancia
C
RT ( )d = T ( )d
4
La ecuacin (1) queda entonces como:
RT =
0
2h 3 d
C 2 hkT
e 1
Integrando se encuentra que:

RT = T 4
(Ley de Stefan-Boltzman)
Donde:
2 5 k 4
= 5.67 x10 8 m 2 k 4
15C 2 h 3
Del mismo modo se puede encontrar que:
T = aT 4
Donde:
a = 7.5643 x10 16 J m 3 k 4
4.1.2. El efecto fotoelctrico

Los electrones pueden ser extrados de los metales por los siguientes
mecanismos:
1. Emisin termoinica (Efecto Edison). Cuando una muestra emite electrones
por medio del calentamiento.
2. Emisin secundaria. cuando partculas energticas incidentes sobre algunos
materiales liberan an otros electrones de la superficie.
3. Emisin de campo. Un campo elctrico intenso extrae electrones de la
superficie de un metal.
4. Efecto fotoelctrico. Cuando una muestra emite electrones si se hace incidir
luz monocromtica sobre ella.
El efecto fotoelctrico no se poda explicar con todos los conocimientos fsicos
del siglo XIX.
165
Sistema a Distancia
El detalle experimental del efecto fotoelctrico se muestra en la siguiente figura:

nodo
R
Ctodo
Tubo vaco
Luz monocromtica
A
V (Variable)
Galvanmetro
La variacin de la corriente en funcin del voltaje para luz monocromtica pero

diferente intensidad, se muestra en el siguiente grfico.
Corriente de
saturacin
I(A)
Luz de alta intensidad

Luz de baja intensidad
V0
V (Voltios)
Del grfico se observa lo siguiente:

1. Para cada luz monocromtica existe una corriente de saturacin conforme se
aumenta el voltaje, que depende de la intensidad de la onda de luz.
2. Para cada luz monocromtica el potencial de frenado (V0) de los electrones
(No se detecta corriente) potencial de corte, siempre es el mismo no
importando la intensidad de luz.
3. Adems en el experimento se observ que los electrones son emitidos casi
instantneamente para cualquier intensidad de luz, que es contrario a la idea
clsica donde los electrones esperaran cierto tiempo para absorber la
radiacin y adquirir suficiente energa para abandonar el ctodo.
La observacin (1) nos hace pensar que los electrones adquirirn mayor
energa, luego el potencial de frenado deber ser mayor en mdulo para
electrones ms energticos, lo cual no concuerda con la observacin (2).
166
Sistema a Distancia
La parte (2) nos sugiere que la energa cintica mxima con que los electrones
abandonan el ctodo depende solo de la frecuencia.
Experimentalmente se encuentra que el potencial de frenado (V0) es
directamente proporcional a la frecuencia de la onda incidente, como se
muestra en el grfico.
V0
La nica forma de explicacin para la compatibilidad de (1) y (2) la dio A.
Einstein en 1905.
Hiptesis
de
Einstein.
La
energa
transportada
por
la
radiacin
electromagntica est compuesta por paquetes individuales e indivisibles de

energa y que cada uno de ellos tiene una cantidad de energa proporcional a la
frecuencia de radiacin correspondiente, esto es:
E = h
Donde:
h = Constante de Planck.
A estos paquetes de energa los llam Quantos de luz simplemente

fotones.
La energa que adquirir el electrn al abandonar el material de ctodo ser:
h 0 , donde 0 es la cantidad de energa que tiene que perder el electrn
para que salga de la muestra y se le denomina funcin de trabajo.
El potencial de frenado, V0 , es aquel para el cual los electrones ms
energticos no llegan al nodo, esto es:
(E k )mx
1 2
mv = eV0
2
Bajo estas condiciones para los electrones ms energticos tendremos:
(E k )mx
1 2
mv = eV0 = h 0
2
167
Sistema a Distancia
Haciendo un grfico: V0 versus , tendremos:
V0
0 =
0
0
h
e
Frecuencia de corte
En fsica atmica se utiliza la siguiente unidad de energa:

Electronvoltio (eV).- Es la cantidad de energa ganada o perdida por un
electrn al moverse a travs de la diferencia de potencial de 1 voltio
1eV = (carga del electrn) x (1voltio)
1eV = 1.6x10-19Joules
4.1.3. El Efecto Compton

En 1923, en el curso sobre investigaciones sobre dispersin de rayos x por
electrones, A. H. Compton, encontr resultados experimentales que no podan
explicarse clsicamente.
Enviando radiacin de rayos x de longitud de onda bien definida 0, sobre un
blanco de grafito, midi la intensidad de radiacin dispersada como funcin de
su longitud de onda, encontrando los resultados mostrados en la figura.
Clsicamente se sabe que la onda
debe
tener
la
misma
Intensidad
dispersada
longitud de onda que la onda incidente,

entonces Por qu sala otro pico de
= 0
= 45
intensidad para todas las variaciones
angulares? La presencia de no se
poda explicar clsicamente.

0
168
= 90
= 135
(A)
Sistema a Distancia
Para la explicacin de este pico, Compton postul que los rayos x estaban
constituidos por fotones cuyo comportamiento era el de una partcula, esto es,
tenan energa ( E ) y momento lineal ( p = m v ). La energa estaba dada por:

E = h = h
Y que estos fotones colisionaban con los electrones blancos en forma anloga
como cuando colisionan dos bolas de billar.
E
Fotn dispersado
Fotn incidente
1
2
- Ee
Electrn
Compton tambin encontr que la relacin entre y 0 estaba dada en funcin

del ngulo de dispersin , del fotn dispersado:
= 0 =
h
(1 cos )
mC
Donde:
c =
h
= 0.00243nm
mC
Se acostumbra llamar a c con el nombre de Longitud de onda Compton.
4.1.4. Teora de De Broglie

Hasta ahora hemos visto que las ondas electromagnticas se haban
comportado como paquetes de energa E = h y que llevan momento lineal
como si fueran partculas materiales. Entonces nos preguntamos Puede
suceder lo contrario? Esto es, que las partculas tengan propiedades de onda?
Louis Vctor De Broglie en 1923 en su tesis doctoral, postul que s.
Hiptesis de De Broglie. Para una partcula de momento lineal p y energa E ,

su longitud de onda () y frecuencia (), debern estar dadas por:
169
Sistema a Distancia
h
p
E
h
C. J. Davisson y L. H. Germer en 1926 probaron experimentalmente que un

haz de partculas (electrones) al pasar a travs de un blanco de Nquel en
estado cristalino, tenan comportamiento ondulatorio, pudiendo medir la
longitud de onda de los electrones para ese experimento. Se ha demostrado
tambin experimentalmente que otras partculas, tales como, tomos de
hidrgeno, tomos de helio, neutrones, etc. muestran patrones de difraccin de
carcter ondulatorio.
En base a lo visto hasta ahora podemos concluir que una onda puede
comportarse como una partcula y que una partcula puede comportarse como
una onda, indicndonos que la materia y la radiacin en general tienen
comportamiento dual: de onda y de partcula. Tambin se ha llegado a
establecer que para la descripcin de la materia y la radiacin es necesario
usar ambos comportamientos en forma complementaria. Si se usara solo uno
de ellos la descripcin sera incompleta. Esto lo enunci N. Bohr con el nombre
de Principio de complementariedad, es decir, que los modelos de onda y de
partcula se complementan entre s.
4.1.5. Lneas espectrales

Sabemos que un cuerpo slido emite radiacin trmica de acuerdo a una
distribucin continua de longitudes de onda. En cambio un elemento gaseoso a
baja presin sujeto a una descarga elctrica, emite radiacin solo para ciertas
longitudes de onda frecuencias. La existencia de los espectros data desde
hace 200 aos, pero en la segunda mitad el siglo XIX, se hicieron muchos
experimentos sobre radiacin de gases a baja presin mostrando espectros
caractersticos. En la figura a manera de ejemplo se muestra el espectro del
=
tomo de Hidrgeno en funcin de la longitud de onda (1 Armstrong = 1A
10-10m).
3646A
(A)
H H
170
Sistema a Distancia
J. Balmer fue el primero en encontrar empricamente una frmula que relaciona

las diferentes lneas del espectro del tomo de hidrgeno que es el tomo ms
simple. La frmula de Balmer es la siguiente:
1
1
= R 2 2
n
2
1
(Serie de Balmer)
Donde:
n = 3, 4, 5, .
R = Constante de Rydberg = 109.677 cm-1
En el espectro:
n=3
n=4
, etc.
La serie de Balmer contiene solamente longitudes de onda en la parte visible

del espectro del Hidrgeno.
Las lneas espectrales en la regin ultravioleta y del infrarrojo, caen dentro de
otras series, que tambin fueron halladas empricamente.
Ultravioleta:
1
1
= R 2 2
n
1
1
n = 2, 3, 4,
(Serie de Lyman)
1
1
= R 2 2
n
1
n = 4, 5, 6,
(Serie de Parchen)
1
1
= R 2 2
n
1
n = 5, 6, 7,
(Serie de Bracket)
Infrarrojo:
1
1
1
= R 2 2
n
1
1
n = 6, 7, 8,
(Serie de Pfund)
Existen dos tipos de espectros para elementos gaseosos:

a) Espectros de emisin.- Cada elemento da lugar a un nico espectro de
lneas cuando se excita en estado gaseoso.
b) Espectros de absorcin.- Cuando la luz blanca pasa a travs de un gas, ste
absorbe luz de alguna de las longitudes de onda presentes en su espectro de
emisin.
4.1.6. Teora de Bohr

Hasta los comienzos del siglo XX, las frmulas empricas de los espectros de
gases no podan explicarse satisfactoriamente con la fsica clsica. Haba
preguntas por resolver como Por qu los gases no emiten radiacin trmica
171
Sistema a Distancia
como los slidos en una distribucin continua de longitudes de onda? Porqu

las lneas espectrales de emisin y absorcin de los gases tienen lugar a la
misma longitud de onda?
Niels Bohr, en 1913 expuso una teora para explicar los espectros de radiacin
de los gases basndose en el postulado de Planck, en la hiptesis de Einstein
y de lo que se conoca acerca del tomo. Postul lo siguiente.
1.- El electrn gira alrededor del protn en el tomo de hidrgeno con
movimiento circular uniforme, debido a la fuerza de Coulomb y de acuerdo con
las leyes de newton.
2.- Las nicas rbitas permitidas son aquellas en que el momento angular del
electrn es un mltiplo de
h
. Los momentos angulares de las nicas
2
orbitas permitidas estn dadas por:
L = mvr = n
h
= n
2
n = 1, 2, 3,
Donde: h = Constante de Planck.

Se dice que el momento angular L, est cuantizado.
3. Cuando un electrn est en una rbita permitida, el tomo no irradia energa.
(La teora electromagntica clsica predice que cualquier carga acelerada
radiar energa electromagntica).
4. Si el electrn salta desde una rbita inicial de energa Ei a otra rbita final
E f ( E i > E f ), se emite un fotn de frecuencia:
Ei E f
h
De acuerdo con el primer postulado de Bohr, veamos cul es la energa del

electrn en el tomo de Hidrgeno.
v
La fuerza de Coulomb entre el ncleo y el
-e
electrn es:
r
e2
F=
4 0 r 2
+e
De acuerdo con la segunda ley de Newton y el

concepto de fuerza centrpeta:
172
Sistema a Distancia
v2
1 e2
=
r
4 0 r 2
La energa cintica del electrn ser entonces:

Ek =
1 2
1 e2
mv =
2
8 0 r
(1)
La energa potencial del sistema es:

V =
e2
4 0 r
1
. (2)
La energa total del sistema ser:

E = Ek + V =
e2
1 e2
1 e2
=
.. (3)
8 0 r 4 0 r
8 0 r
1
Experimentalmente se sabe que la energa de ionizacin del tomo de

Hidrgeno es 13.6eV. Reemplazando este valor en la Ec. (3) se obtiene para el
radio:
r1 = 0.53 10 10 m = 0.53 A
(Radio de Bohr)
Adems para el electrn circundante:

v = r = 2fr
Reemplazando en (1):
1
1 e2
2
m(2fr ) =
2
8 0 r
De donde la frecuencia con la que orbita ele electrn est dada por:
1
f =
2
e2
4 0 r 3
Del postulado (2), tenemos que:

v=
n
mr
En (1):
1 n
1 e2
=
m
2 mr 8 0 r
De donde:
r = rn =
4 0 2 n 2
me 2
n = 1, 2, 3,
173
Sistema a Distancia
Que son los radios de las rbitas no radiantes.

4 0 2
r1 =
= 0.53 A
2
me
Para n = 1
En general se tiene que:
rn = n 2 r1
Las energas estarn dadas por la Ec. (3) al reemplazar rn:
E = En =
1
2
32 0 n
me 2
2
.. (4)
Reemplazando las constantes se tiene:

En =
Cuando: n = 1
13.6
eV
n2
n = 1, 2, 3, ..
E1 = 13.6eV
A las energas dadas por la Ec. (4) se les llama Niveles de energa del tomo
de Hidrgeno.
Observamos que los niveles de energa son todos negativos, significando que
el electrn no tiene energa suficiente para abandonar el tomo.
E1 se llama estado fundamental y E 2 , E 3 ,..., se llaman estados excitados y

n = Nmero cuntico de la rbita.
Estn de acuerdo los espectros de lneas del tomo de Hidrgeno con el
modelo atmico de Bohr?
De acuerdo con el 4to postulado de Bohr, tendremos:
E i E f = h
Reemplazando los valores de E i y E f :
me 4 1
me 4
2
2
2
8 0 h 2 ni 8 0 h 2
n 2
f
= me 1 1 = h
8 2 h 2 n 2 n 2
0
i
De donde:
Ei E f
h
me 4 1
1
2
2
2
8 0 h 3 n f
ni
Y la longitud de onda ser:

1
1
1
2
2
2
8 0 Ch 3 n f
ni
me 4
174
(Espectro del Hidrgeno)
Sistema a Distancia
Donde: R = Constante de Rydberg =
me 4
8 0 Ch
2
= 109.677cm 1 = 1.097 10 7 m 1
Con el experimento de Frank- Hertz (1914), se confirm la cuantizacin de la

energa atmica.
4.1.7. Principio de Incertidumbre de Heisemberg

Se sabe que una partcula tiene su posicin y velocidad clsicamente definidas
con precisin. En 1927, Werner Heisemberg (1901-1976) dedujo que es
fundamentalmente imposible efectuar mediciones simultneas de la posicin y
velocidad de una partcula con precisin infinita. Esta idea, hoy se conoce
como el Principio de incertidumbre de Heisemberg
Si una medicin de la posicin x de una partcula, se hace con una
incertidumbre x y una medicin simultnea del momento px, se lleva acabo
con incertidumbre px , entonces el producto de las dos incertidumbres nunca
puede ser ms pequeo que /2
xpx /2
Debemos tener presente que estamos hablando de partculas como el electrn,
el fotn, tomos libres etc.
Para entender este principio describamos un experimento ideal. Supongamos
que se desea medir la posicin (x) y momento lineal de un electrn (px) de un
electrn, para ello, tenemos que iluminarlo con luz que interacte con l y
luego llegue a nuestros aparatos de medida (nuestros ojos) y nos traigan
informacin de la posicin y momento del electrn. El fotn de luz tiene que
chocar con el electrn como si fueran dos partculas. Cuanto menor sea la
longitud de onda del fotn incidente podremos medir con mayor precisin la
posicin x del electrn, pero estos fotones son ms energticos y le transferirn
mayor momento, de tal manera que la medicin del momento del electrn se
har con mayor incertidumbre.
La incertidumbre en la medicin de la posicin ser tan grande como la
longitud de onda del fotn incidente, x = y la incertidumbre en la medicin
del momento sea igual al momento que trae el fotn, esto es, px = h/ (Lo
mximo de perturbacin en el momento px que puede ocasionarle el fotn al
175
Sistema a Distancia
electrn). Debemos notar que x y px representan lo mnimo en

incertidumbres en este experimento. Luego:
xpx = ()(h/) = h
Obviamente x y px pueden ser ms grandes que estos mnimos, se tendr:
xpx h
Elaboraciones ms sofisticadas llegan a probar que:
xpx
Este principio tambin puede expresarse en funcin de las incertidumbres en la

medicin de la energa ( E ) y el tiempo para medirla (t). Lo expresaremos
con un ejemplo: Supongamos que deseamos medir la energa que lleva una
onda electromagntica, E = h , su incertidumbre est directamente ligada a la
incertidumbre en la medicin de su frecuencia, E = h . La frecuencia de la
onda es al nmero de ondas contadas en el tiempo t, divididas por dicho
tiempo. En el experimento la mnima indeterminacin de contar las ondas en el
paquete, es de solo una onda que se hace en el tiempo t, luego la
indeterminacin en la frecuencia ser:
=
1
t
Luego:
1
t
E = h = h
De donde:
Et = h
Obviamente E y t pueden ser ms grandes que estos mnimos, luego:

E t h
Clculos ms realistas demuestran que:

E t
4.1.8. Ecuacin de Schrodinger

Sabemos que a una partcula puede asocirsele un movimiento ondulatorio,
esto indica que debemos asociarle una funcin de onda que nos d el
carcter ondulatorio de la partcula, adems de ello una ecuacin de onda, al
igual que en mecnica clsica para ondas en una cuerda.
176
Sistema a Distancia
En mecnica clsica, la ecuacin de ondas general en una dimensin (A lo

largo del eje x) est dada por:
2
1 2
=
x 2 v 2 t 2
Donde:
= (x, t ) = Funcin de onda

v = Velocidad de la onda
Edwin Schrodinger
(1887-1961), en 1925 postul una ecuacin de onda para
partculas, que no se obtiene en base a conocimientos de la fsica clsica y

cuya expresin es la siguiente:
2 2

+ (E V ) =
.. (1)
2
2m x
i t
Y su extensin a tres dimensiones:
2 2 2 2 2
+
+
+
2 m x 2
y 2
y 2
z 2

+ (E V ) =
i t
Donde:
(x, t ) ( x, y, z, t ) = funciones de onda para una dimensin o tres

dimensiones respectivamente.
m = Masa de la partcula
E = Energa total de la partcula = Energa cintica + Energa potencial.
V = Energa potencial de la partcula.
i = Nmero imaginario
La solucin de la Ec. (1) se puede expresar como:
( x, t ) = ( x )e
2i
Et
h
Que reemplazando en (1) obtenemos:

2 2
+ (E V ) = 0
2m x 2
A esta ecuacin se el conoce como ecuacin de Schrodinger

independiente
del tiempo en una dimensin. Una expresin similar en tres dimensiones ser:
2 2 2 2
+ (E V ) = 0
+
+
2m x 2 y 2 z 2
177
Sistema a Distancia
En 1926, Max Born, dio la siguiente interpretacin a la funcin de onda
( x, y , z , t ) :
El valor de la funcin de onda asociada a un cuerpo en movimiento en un
punto particular del espacio (x,y,z) y en un instante t, est relacionado con la
probabilidad de encontrar el cuerpo en aquel punto y en ese instante
Densidad de probabilidad.
La probabilidad P(x) de encontrar experimentalmente el cuerpo descrito por la
funcin de onda, en el punto del espacio (x,y,z) por unidad de longitud y en el
instante t, es proporcional al valor 2 en aquel punto del espacio y en ese
instante, esto es:
P( x ) = 2 =
Donde:
= complejo conjugado de .
La probabilidad de encontrar la partcula en el intervalo dx, ser:

P( x )dx = dx
La probabilidad de encontrar la partcula en todo x, ser:
+
P(x )dx = dx = 1
178
(Condicin de normalizacin)
Sistema a Distancia
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 1. La funcin de trabajo del Potasio es 2eV. Suponiendo que sobre

l cae luz de longitud de onda = 3.6x10-7m., encontrar:
a) El potencial de frenado de los fotoelectrones.
b) La velocidad de los electrones ms rpidos.
Solucin:
La frecuencia de la luz incidente est dada por:
3 10 8 ms 1
= 0.8333 x15 Hz.
= =
7
3.6 10 m
C
a) El potencial de frenado V0 est dado por:
)(
) (
h 0
6.63 x10 34 Js 0.8333 1015 s 1 2 1.6 10 19 J
V0 =
=
= 1.46Voltios
e
1.6 10 19 C
b) La energa cintica mxima est dada por:
(E k )mx
1 2
mv = eV0
2
v=
2eV0
m
Reemplazando datos:
v=
2 1.6 10 19 C (1.46v )
= 0.174 10 8 ms 1
9.1 10 31 Kg
Problema 2. Calcular la longitud de onda de De Broglie, asociada con:

a) Una pelota de golf de masa m = 100g, movindose con velocidad v = 20m/s.
b) Un protn con velocidad de 2200m/s.
c) Un electrn movindose con una energa cintica de 10eV.
Solucin:
Sabemos que la longitud de onda de De Broglie para cualquier cuerpo en
movimiento est dada por:
h
h
=
p mv
a) Para la pelota de golf:
h
6.63 x10 34 Js
=
= 3.315 x10 33 m
2
p 10 Kg (20m / s )
179
Sistema a Distancia
b) Para el protn:
6.63 10 34 Js
h
=
=
= 0.18 10 9 m = 1.8 A
27
mv 1.672 10 Kg (2200m / s )
c) Para el electrn:
h
=
=
mv
h
=
2mE k
6.63 10 34 Js
2 9.1 10
31
)(
Kg 1.6 10
18
= 3.9 10 10 m = 3.9 A
Problema 3. Qu energa se requiere para extraer un electrn del tomo de

Hidrgeno en el estado n =2?
Solucin:
La energa radiada por el electrn en el tomo de Hidrgeno, cuando pasa de
un estado Ei a un estado E f ( E i > E f ), est dada por:
Ei E f =
1
me 4 1
1
1
RCh
2
2
2
n 2 n 2
ni
8 0 h 2 n f
i
f
La energa que se le debe dar al electrn para que pase del estado de menor
energa E f al de mayor energa E i es justamente lo contrario.
E =
me 4 1
1
2
2 2
2
8 0 h ni
nf
Para el problema: ni = 2
)(
= RCh 1 1
n 2 n 2
f
n f = , reemplazando datos:
)(
1 1
E = 1.097 m 1 3 10 8 ms 1 6.63 10 34 Js 2 = 5.46 10 19 J = 5.46eV
Problema 4. Una partcula se encuentra confinada en un pozo de energa

potencial V(x) de paredes muy altas (impenetrables), como se muestra en la
figura. Calcular:
(I)
0 0<x<a
V(x) = x a
xa
( III )
( II )
a) La funcin de onda de la partcula independiente del tiempo.

b) Los niveles de energa a los que puede acceder la partcula.
180
Sistema a Distancia
Solucin:
a) La Ec. de Schrodinger
independiente del tiempo toma la forma:
d 2 2mE
+ 2 =0
dx 2
k2 =
Haciendo:
2mE
2
2mE
2
k=
La Ec. de Schrodinger
toma la forma:
d 2
+ k = 0
dx 2
Para la regin (I): ( x ) = 0 Porque la partcula no puede estar en esta regin.

Para la regin (III): ( x ) = 0 Porque la partcula no puede estar en esta regin.
Para la regin (II) la solucin general ser:
II ( x ) = Asenkx + B cos kx
Con la condicin:
II ( x = 0) = 0 y
II ( x = a ) = 0
En x = 0:
II ( x ) = Asenk .0 + Bsenk .0 = 0 + B = 0
En x = a:
II ( x = a ) = Asenk .a = 0
B=0
ka = n
, n = 1, 2, 3, .
De donde:
k=
n
=
a
2 2
E n =
2
2ma
2mE
2
2
n
Luego para le regin (II):

n
x
a
II ( x ) = Asen
Para que la solucin II ( x ) quede bien definida, falta calcular A. Para ello
sabemos que la probabilidad de encontrar la partcula entre 0 y a es 1,
luego:
1
(x ) (x )dx = 1
II
II
A sen
2
n
dx = 1
a
n
n
0 Asen a x Asen a x dx = 1
a
A=
181
2
a
Sistema a Distancia
Luego:
II ( x ) =
2
n
sen
x
a
a
En las figuras mostramos las funciones de onda y las distribuciones de

probabilidad para n = 1, 2,3,
n=3
II 2
n =2
n=1
a
a
0
0
x
x
b).- La partcula solo puede tener ciertos niveles de energa, dados por:
2 2
E n =
2
2ma
2
n
n = 1, 2, 3, .
La energa de la partcula est cuantizada.

Podemos representar los niveles energticos como se muestra en la figura.
E
E4
E3
E2
E1
E=0
Por ejemplo si la partcula es un electrn: m = 9.1x10-27Kg. y
a = 0.2nm =
2x10-10m Tendremos:
E1 =
h
6.63 x10 34
=
2 1010 m = 1.51 10 18 J = 9.42eV
8ma 2 8 9.11 10 31 Kg
)(
E 2 = 4 E1 = 37.7eV
E3 = 9 E1 = 84.8eV etc.
182
Sistema a Distancia
Para el caso de un pozo tridimensional infinito como el que se muestra en la
figura, la Ec, de Schrodinger

toma la forma:
+ (E V ) = 0
+
+
2m x 2 y 2 z 2
2
Dentro del pozo: V = 0
2 2 2 2 z
+ E = 0
+
+
2m x 2 y 2 z 2
n x n y n z
x sen
y sen
z
L L L
( x, y, z ) = Bsen
Y los niveles de energa estn dados por:

E=
2 2
2
2mL
(n
2
x
+ n y + nz
2
Cuando los enteros n x , n y , n z , cambian sin cambiar el valor de E se dice que

existe degeneracin, obviamente la funcin de onda cambia. El orden de
degeneracin es igual al nmero de funciones de onda.
Cuando las dimensiones del pozo de potencial son pequeas, los niveles de
energa estn espaciados, pero cuando las dimensiones del pozo son grandes,
como en el caso de los recipientes de un gas, los electrones en un metal, los
niveles de energa estn muy juntos, formando prcticamente un espectro
continuo.
E
Pequea
L
Grande
Problema 5.
En un tomo, el tiempo de vida (tiempo que permanece el
electrn en un estado excitado) es de alrededor de 10-8s.

a) Calcular la dispersin de la energa de los fotones emitidos (esto se conoce
como el ancho de banda de la energa).
183
Sistema a Distancia
b) Si los fotones emitidos tienen una longitud de onda en el espectro visible de
= 4500A, calcular la incertidumbre en el ancho de banda en longitud en

Amstrong.
Solucin:
a) Sabemos que:
6.63 10 34 J .s
E
=
= 1.056 10 26 J
8
t
6.28 10 s
E t
b) La frecuencia () y el tiempo (t) en los fenmenos peridicos son inversos.

Luego con respecto a sus incertidumbres podemos afirmar que:

t 1
1
t
.. (1)
Adems se tiene que:
= C
= =
De acuerdo con el principio de Incertidumbre de Heisemberg, se tiene que:

Et
Utilizando las Ec. (1) y (2), se obtiene que.
2
1

E
= E

C
Reordenando se obtiene:

2
E
hC
= 2 E
De donde:
E
2
Reemplazando datos:
26
1.056 10 J
10
= 6.75 10 4 A
= 6.28 4500 10 m
34
8
6.63 10 J 3 10 m
4500 10 10 m
184
Sistema a Distancia
PROBLEMAS PROPUESTOS
1. Una lmpara de vapor de Sodio, tiene una salida de potencia de 20watts.si la

longitud de onda promedio de emisin es de 589.3nm. Cul es el nmero de
fotones emitidos en cada segundo?
Rpta.
59.25x1019 fotones.
2. La temperatura normal del cuerpo humano es de 37C. Utilizando la ley del

desplazamiento de wien:
a) Cul es la frecuencia pico emitida por una persona?
b) A qu regin del espectro electromagntico pertenece esta frecuencia?
Rpta.
a) 0.3002x1014 Hz.
b) Infrarrojo.
3. Cul es la intensidad de radiacin (Energa radiada por unidad de tiempo y

unidad de rea) de una sartn a 300C?
Rpta.
6.130watts.
4. Hallar la longitud de onda y la frecuencia de un fotn de energa 8x10-19 J?

Rpta.-
= 2.486x10-7m.
= 1.206x1015 Hz.
5. Un haz de rayos x es dispersado por electrones libres. A 45 de la direccin
del haz, los rayos dispersados tienen una longitud de onda de 0.022 A.
Cul
es la longitud de onda de los rayos en el haz original?

Rpta.
0.015 A
6. Determnese la longitud de onda de De Broglie:

a) De un protn de 20eV.
b) De una pelota de 300g. cuya velocidad sea de 20m/s.
Rpta.
a) 6.41A
b) 0.828x10-24 A
7. Hallar la longitud de onda de un fotn emitido por un tomo de Hidrgeno al

pasar del estado n = 10 a su estado fundamental.
Rpta.
920 A
8. Hallar la energa ms baja de un neutrn confinado en una caja de 10-14 m.

de ancho (El tamao de un ncleo es de ste orden de magnitud).
Rpta.
2.1 MeV
9. La funcin de trabajo del Zinc es 4.3 eV. Cul ser la energa cintica
mxima de los electrones expulsados de una superficie de zinc por la lnea
ultravioleta de 2537 A
del mercurio?
Rpta.
0.6 eV.
185
Sistema a Distancia
10. Cunta energa se requiere para liberar completamente un electrn del

helio ionizado una vez, si el electrn se encuentra originalmente:
a).- En el estado base.
b).- En el estado n = 3.
En los tomos hidrogenoideos, con carga
+Ze, donde Z = Nmero de
protones, pero con un solo electrn girando alrededor del ncleo, por ejemplo:
He+(Z=2), Li+(Z=3), sus niveles energticos estn dados por:
13.6eV
En = Z 2
2
n
Rpta.-
a) 54.4 eV
b) 6.04 eV.
186
Sistema a Distancia
LECCIN 2
SEMICONDUCTORES
4.2.1 Teora de bandas de los slidos
Los electrones dentro de los slidos se mueven bajo la influencia de
potenciales coulombianos, cuyas formas simples se muestran en las figuras
siguientes:
tomo
tomo
tomo
E3
E2
A B
E1
La distancia entre tomos es a.

La energa potencial exhibe periodicidad.
Un electrn con energa E1 no podr moverse libremente a travs del cristal,

sino, estar confinado a las regiones AB, CD, etc. cunticamente el electrn
puede pasar de AB a CD utilizando la propiedad denominada Efecto tnel.
Los electrones internos de los tomos permanecen localizados.
Un electrn con energa E2 no est fuertemente ligado al tomo y tiene
probabilidad grande de poder moverse a travs del cristal.
Un electrn con energa E3 no est ligado al tomo y puede moverse
libremente por todo el cristal.
En un cristal cada nivel atmico de energa se parte en un nmero de niveles
de energa igual al nmero de tomos que componen el crista.
Por ejemplo, para seis tomos de sodio (Na) unidos, el nivel 3s del tomo de
sodio se divide en seis niveles.
3s
Distancia radial
187
Sistema a Distancia
El espaciamiento y posicin de los niveles de energa dependen de la

separacin interinica.
Cuando el nmero de niveles de energa es muy grande (que es el caso de los
slidos cristalinos), los diferentes niveles estn muy juntos de tal manera que
ellos forman una banda continua de energa.
Ejemplo:
Bandas de energa
Energa
a Distancia interatmica
En cada banda de energa pueden acomodarse 2N electrones (N tomos)
cumpliendo con el Principio de exclusin de Pauli, que se enuncia de la
siguiente manera:
Dos electrones no pueden ocupar el mismo estado mecnico-cuntico
La banda donde se encuentran los electrones con ms alta energa se llama
Banda de valencia y normalmente es la ms ancha y los electrones tendrn
mayor movilidad.
Las bandas de energa interiores, tendrn su cuota de electrones completa, de
tal manera que no podrn recepcionar otro electrn de acuerdo al Principio de
exclusin de Pauli.
Si la banda de valencia est parcialmente llena se le denomina Banda de
conduccin. En el caso que est llena, a la banda vaca inmediatamente
superior se le denomina Banda de conduccin.
El comportamiento elctrico de los slidos puede interpretarse de acuerdo a la
teora de bandas:
188
Sistema a Distancia
En conductores: La banda de valencia est parcialmente llena (fig. a) si est

llena, la banda prohibida entre la banda de valencia y la banda de conduccin
es pequea y los electrones necesitan relativamente poca energa para
remontarla y pasar a la banda de conduccin (fig. b). Puede tambin existir una
superposicin de la banda de valencia y la banda de conduccin (fig. c)
Banda de
conduccin
Banda prohibida
Banda de
valencia llena
Banda vaca
Banda prohibida
Banda parcialmente llena
Banda prohibida interior
Banda interior llena
Fig. b
Fig. a
Banda de conduccin
Banda de valencia
Fig. c
En aisladores: La banda de valencia est completamente llena y la banda
prohibida es lo suficiente grande que en condiciones normales los electrones
no pueden pasar a la banda de conduccin. Solo temperaturas muy altas y
campos elctricos muy fuertes pueden excitar algunos electrones a la banda de
conduccin.
Banda de conduccin vaca
Banda prohibida Varios eV
Banda de valencia llena
189
Sistema a Distancia
En semiconductores: La banda de valencia est completamente llena y la

banda de conduccin completamente vaca. La banda prohibida es
relativamente pequea.
Banda de conduccin
Banda prohibida 1 eV
Banda de valencia
Los principales semiconductores son el germanio (Ge) y el Silicio (Si).
4.2.2. El nmero cuntico magntico de Spn

En 1925, cuando se estudiaba el vapor de Sodio, la lnea sobresaliente en el
espectro de emisin mostraba en vez de una lnea, dos lneas muy prximas
una de la otra que denominaron dobletes que no se poda explicar con las
teoras conocidas hasta entonces. Para su explicacin, S. Goudsmit y G.
Uhlembeck, propusieron que las partculas posean una propiedad magntica
que denominaron El nmero cuntico de spn (S).
Clsicamente puede interpretarse que el nmero cuntico de spn nace como
consecuencia del giro de la partcula (en este caso el electrn) alrededor de su
eje a medida que orbita el ncleo.
Se considera que solo dos direcciones existen para el Spn del electrn: Spn
hacia arriba (+) (Con nmero cuntico asociado ms = ) y Spn hacia abajo
(-) (Con nmero cuntico asociado ms = -1/2 ). En las figuras hacemos una
representacin clsica del Spn.
Spn: S
S
-Spn hacia arriba (+):
ms = +1/2
-Spn hacia abajo (-):
ms = -1/2
S
190
Sistema a Distancia
4.2.3. Estadstica de Fermi Dirac

De acuerdo al Principio de exclusin de Pauli, un nivel de energa en un
slido, puede ser ocupado por solo dos electrones, uno con Spn hacia arriba
( ) y otro con Spn hacia abajo ( ). Para llenar los niveles de energa primero,
se ocupan los niveles ms bajos: Dos electrones en el primer nivel, dos
electrones en el segundo, etc. hasta que todos los electrones hayan sido
acomodados.
El nivel ms alto ocupado a la temperatura de 0k, se llama Nivel de Fermi
Energa de Fermi (EF).
Nivel de Fermi
a 0k
T > 0k
La distribucin de electrones entre los niveles es descrita por la Funcin de

distribucin de Fermi Dirac f (E), la cual se define como:
1
f (E) =
( E EF )
kT
+1
Donde:
k = Constante de Boltzman
T = Temperatura absoluta en k.
E = Energa
E F = Energa del Nivel de Fermi.

El grfico: f(E) Vs. E es el siguiente:
f(E)
T=0k
1.0
0.5
T > 0k
EF
1 si E < EF
En T = 0k
f(E) =
0 si E > EF
191
Sistema a Distancia
4.2.4. Semiconductores intrnsecos

El rango de resistividades de los materiales puede dividirse como sigue:
Buenos conductores: 10-6 xm
Semiconductores:
10-2 109 xm
Aisladores:
1014 1022 xm
A la temperatura T = 0k, los cristales puros y perfectos de los

semiconductores se comportan como aisladores y las propiedades de
semiconduccin son debidos a la agitacin trmica, impurezas defectos
cristalinos.
Muchos inventos de amplia aplicacin industrial se basan en las
propiedades de semiconduccin. Ejemplo: Rectificadores, moduladores,
detectores, thermistores, fotoceldas, transistores, etc.
Los semiconductores ms importantes son el Silicio (Si) y el Germanio
(Ge). Otros ejemplos son: Cu2O, PbTe, SiC, InAs, etc.
Semiconductor intrnseco: Se denomina as a los semiconductores
puros.
Conductividad
intrnseca:
Es
la
conductividad
debida
los
semiconductores intrnsecos.
En el cero absoluto (T = 0k), en un semiconductor la banda de valencia
est completamente llena y la banda de conduccin completamente
vaca.
Banda de conduccin
vaca
Banda prohibida ( Eg )
Banda de valencia
llena
Conforme la temperatura crece, los electrones son trmicamente

excitados de la banda de valencia (BV) al la banda de conduccin (BC),
dejando en la BV estados vacantes o huecos que pueden ser
ocupados por otros electrones.
Los electrones en la BC y los huevos en la BV contribuyen a la
conductividad elctrica en el semiconductor.
Sabemos que la conductividad elctrica, est dada por:
192
Sistema a Distancia
J nevd
v
=
= ne d
E
E
E
= ne
Donde:
vd
= Movilidad
E
n = densidad de portadores
La conductividad para los electrones podemos expresarla como:
e = ene e
La conductividad para los huecos podemos expresarla como:
h = enh h
La conductividad total ser:
total = e(ne e + nh h )
Bajo condiciones netamente intrnsecas: ne = n h
Cul es la concentracin de electrones en la banda de conduccin y
cul es la concentracin de huecos en la banda de valencia?
Tomaremos como nuestro origen para
E
medir las energas, la parte ms alta de

la banda de valencia, como se muestra
BC
en la figura.
La energa de un electrn en la banda
Eg
de conduccin estar dada por:
0
E = Eg +
BV
2k
2 me
Donde:
me = Masa efectiva del electrn
( ) como la respuesta
Se considera como la masa efectiva del electrn me
que tiene al efecto combinado de fuerzas externas y al potencial peridico
del cristal semiconductor. En general: me me .

Se puede llagar a probar que la concentracin de electrones en la banda
de conduccin a la temperatura T (k ), est dada por:
193
Sistema a Distancia
me kT 2 E FkT E g
e
ne = 2
()
Y la concentracin de huecos en la banda de valencia, est dada por:

3
m kT 2 EkTF
e
nh = 2 h
Donde:
()
mh = Masa efectiva de los huecos.
Luego:
3
g
3
kT
ne nh = 4
me mh 2 e kT
2
(Ley de accin de las masas)
Esta ltima ecuacin depende solo de constantes, lo que indica que

siempre debe cumplirse y se conoce como ley de accin de las masas:
El producto de las concentraciones de electrones y huecos debe ser
constante ya sea que el material est con impurezas o no
En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones es igual al
nmero de huecos, porque la excitacin trmica de un electrn crea un
hueco en la banda de valencia.
Sean:
nei = Concentracin intrnseca de electrones.
n hi = Concentracin intrnseca de huecos.
Sacando la raz cuadrada a la ley de accin de las masas, tenemos:
3
g
3
kT 2
nei = nhi = 2
me mh 4 e 2 kT
2
()
Tambin de las ecuaciones () y () se tiene:

3
me kT 2 EFkT E g
mh kT 2 EkTg
e
e
= 2
2
2
2
2
De donde:
3
2 EF
kT
mh 2 EkTg
= e
me
194
Sistema a Distancia
Tomado logaritmos:
EF =
m
1
3
E g + kT log h
2
4
me
Si consideramos que: me = mh
Se obtiene:
EF =
1
Eg
2
En semiconductores intrnsecos el nivel de Fermi se encuentra en la

mitad de la banda prohibida
Como la conductividad intrnseca est dada por:
= ene e + enh h = ni e( e + h )
ni = n h
Pero de () vemos que, ni , depende de la temperatura, entonces

tambin depender de la temperatura, lo cual podemos expresar de la
siguiente forma:
3
g
g
3
kT 2
kT
kT
(T ) = 2e
(me mh ) 4 ( e + h )e = f (T )e
2
2
Tomando logaritmos:
ln = ln f (T )
Eg 1

2k T
La variacin de ln f (T ) es mucho ms lenta que la variacin de
Eg 1
. Generalmente se desprecia ln f (T ) a temperaturas bajas,
2k T
quedando:
ln
Eg 1

2k T
La movilidad de electrones y huecos tambin depende de la temperatura.

Cunticamente la movilidad se define como:
e =
e e
me
el e
me v r
el e
(m ) (3kT )
e
Donde:
1
2
1
2
e = Carga del electrn, e = Tiempo libre medio del electrn
entre choques con los tomos, l e = Recorrido libre medio del electrn
195
Sistema a Distancia
entre choques con los tomos, v r = Velocidad aleatoria promedio de los

electrones, k = Constante de Boltzman, T = temperatura absoluta.
La movilidad disminuye cuando se aumenta la temperatura
4.2.5. Semiconductores extrnsecos

Se denomina semiconductor extrnseco a aquel cuyas propiedades
elctricas han sido modificadas por adicin intencional de aditivos
qumicos (Impurezas) en el cristal.
Las impurezas pueden ser donadoras de electrones aceptadoras de
electrones.
Los semiconductores ms utilizados son los elementos del grupo cuatro
de la tabla peridica, como el Germanio y el Silicio. Ellos tiene cuatro
electrones de valencia que en el estado slido puro forman enlaces
covalentes con cada uno de sus cuatro vecinos cercanos. A bajas
temperaturas, debido a estos enlaces los electrones se encuentran
ligados a sus tomos y la banda de valencia que se forma en el slido
est completamente llena y la banda de conduccin vaca.
Un ejemplo de impureza donadora para el germanio es el Arsnico (As),
que pertenece al grupo V de la tabla peridica, tiene cinco electrones de
valencia.
El tomo de As reemplazar a un tomo de Ge, como se muestra en la
figura:
Ge
Ge
Ge
Ge
-e
Ge
As
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
196
Sistema a Distancia
El As utiliza cuatro de sus electrones de valencia para formar los enlaces

covalentes, quedando su quinto electrn dbilmente unido al ncleo de As que
tiene una carga neta (+e).
Este
electrn
puede
deslizarse
del
tomo
de
As
temperaturas
suficientemente altas (20C es suficiente para el Ge) para luego trasladarse a

la banda de conduccin incrementando as los electrones de conduccin.
Veamos cul es la energa del electrn en el tomo de As, que no forma
enlace:
Su energa potencial est dada por:
Ep =
e2
4 0 k e r
Donde: k e = Permitividad del slido cristalino de Ge.

Usando el desarrollo del modelo de Bohr y esta energa potencial, se encuentra
que las energas permitidas del electrn, estn dadas por:
me e 4
me e 4
1
En =
2=
2
2
2
2
32 2 k e 0 2 n
32 2 k e 0 2
13.6 me 1
En = 2
2
k e me n
1
2
n
me
me
n = 1, 2, 3, .
Adems el radio orbital del electrn est dado por:

4 0 k e 2
rn =
2
me e
2 4 0 k e 2 2 me
n =

me 2 n m
De acuerdo a observaciones experimentales se tiene que:
Para el Germanio: me = 0.12me , k e = 15.8 16 , n = 1

E1 =
13.6
0.12 = 0.0065eV
16 2
r1 = 24 A
Para el Silicio: me = 0.25me , k e = 11.7 12 , n = 1

E1 =
13.6
0.25 = 0.025eV
12 2
r1 = 70 A
197
Sistema a Distancia
Considerando que el electrn sobrante se encuentra libre en la banda de

conduccin, entonces su energa de ligadura estar muy prxima a la banda de
conduccin, cuya representacin se muestra en la figura.
BC
Eg
Banda prohibida
Ed = Eg E1
BV
Donde:
Ed = Energa de ligadura de los donadores.
Las impurezas aceptadoras para el Ge y el Si pertenecen al grupo III de la tabla

peridica y tienen tres electrones de valencia. Por ejemplo el Boro (B) al
reemplazar un tomo de Ge o Si, utiliza sus tres electrones para hacer enlaces
covalentes no completando el cuarto enlace, donde queda una vacante
electrnica o hueco, que puede considerrsele, desde el punto de la
mecnica cuntica como una partcula de masa mh y carga positiva +e.

Para hallar la energa de ligadura de los huecos en los donadores se utiliza
argumentos similares que para los donadores.
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
+e
Ge
Ge
198
Sistema a Distancia
Se considera que un hueco est circulando alrededor del tomo de Boro que
est negativamente cargado.
Con la adicin de impurezas aceptadoras se crea un nivel de energa vacante
adicional cerca de la banda de valencia, que puede ser ocupado por los
electrones, cuya representacin se muestra en la figura.
BC
Eg
Banda prohibida
Ea
BV
Donde:
E a = Nivel de impurezas aceptadoras 0.01 eV a 0.1 eV.
A continuacin damos una tabla N5 de algunas impurezas donadoras y

aceptadoras para el Ge y el Si.
Tabla N5
Aceptadoras
Donadoras
Boro
Arsnico
Aluminio
Fsforo
Galio
Antimonio
Indio
Sn
Si agregamos muchas impurezas aceptadoras, estaremos contribuyendo a la

conduccin de la corriente por medio de agujeros o huecos.
Si agregamos muchas impurezas donadoras, estaremos contribuyendo a la
conduccin de la corriente por medio de electrones.
Se dice que un semiconductor es de tipo n, si los portadores mayoritarios son
los electrones y los portadores minoritarios los huecos.
Se dice que un semiconductor es de tipo p, si los portadores de carga
mayoritarios son los huecos y los portadores minoritarios los electrones.
Agreguemos ahora a un semiconductor intrnseco, impurezas tipo p y tipo n.
199
Sistema a Distancia
Sea:
Nd = Concentracin tomos donadores (at/m3)
Na = Concentracin de tomos aceptadores (at/m3)
ne = Concentracin de electrones a la temperatura T.
nh = Concentracin de huecos a la temperatura T.
Como el semiconductor es elctricamente neutro se tendr que:
Nd + nh = Na + ne .. (1)
Esta es la condicin de neutralidad elctrica.
Adems por ley de accin de las masas, se tendr:
nenh = ni2
(2)
Si el material es de tipo n entonces: Na 0 , adems se debe tener: ne >> nh ,

luego en (1):
ne Nd
En
un
material
tipo
n,
la
concentracin
de
electrones
libres
es
aproximadamente igual a la densidad de tomos donadores.

La concentracin nh de huecos en el semiconductor tipo n, se obtiene de la
ley de accin de las masas:
2
nh =
ni
n
i
ne
Nd
De manera anloga, para un semiconductor tipo p, tendremos:

Na +nh = Na + ne
nenh = ni2
Pero como: nh Na
Luego:
2
ne
ni
Na
Para calcular el nivel de Fermi en un semiconductor extrnseco tendremos:

a).- Si es de tipo n: ne N d y tenamos que la concentracin de electrones
estaba dada por:
3
2
me kT E FkT E g
e
ne = 2
2
2
200
Sistema a Distancia
Reemplazando: ne = N d , se tendr:
3
2
me kT E FkT E g
e
N d = 2
2
2
m kT 2
N C = 2 e 2
2
Llamando:
Se tendr entonces:
EF E g
Nd = NC e
kT
Tomando logaritmos:
ln N d = ln N C +
EF Eg
N
ln d
NC
kT
E f Eg
=
kT
De donde:
N
E F = E g + kT ln d
NC
(Energa de Fermi para materiales tipo n)
b).- Si el material es de tipo p:
3
2
m kT E F
nh N a = 2 h 2 e kT
2
Llamando:
3
mh kT 2
N V = 2
2
2
Se tiene:
N a = NV e
EF
kT
Tomando logaritmos:
ln N a = ln N V
N
E F = kT ln a
NV
EF
kT
(Energa de Fermi para materiales tipo p)
201
Sistema a Distancia
A la temperatura de 0k, Eg para el Germanio tiene un valor de 0.785 eV y para

el Silicio es 1.2 eV. Cono la banda prohibida de un cristal es funcin de la
distancia interatmica, es de suponer que Eg dependa de la temperatura. Se ha
determinado experimentalmente que la variacin de Eg tiene aproximadamente
la siguiente forma:
Para el Ge:
E g (T ) = E g (0 k ) 3.6 10 4 T
Para el Si:
E g (T ) = E g (0 k ) 2.23 10 4 T
Para:
T = 300k, se tendr:
Para el Ge:
E g = 1.1eV
Para el Si:
E g = 0.72eV
A continuacin ponemos en una tabla N6 las propiedades ms importantes del

Germanio y el Silicio.
Propiedad
Tabla N6
Germanio
Nro atmico
Silicio
32
14
Peso atmico
72.6
28.1
Densidad (g/cm3)
5.32
2.33
16
12
tomos/cm3
4.4x1022
5.0x1022
Eg(0k) (eV)
0.785
1.21
Eg(300k) (eV)
0.72
1.1
2.5x1013
1.5x1010
45
230000
cm 2
)
V s
3800
1300
cm 2
h
V
1800
500
Constante dielctrica
nei (300k) (cm-3)

Resitividad intrnseca (xcm)
e (
Tabla
202
Sistema a Distancia
4.2.6. Unin P-N
Una unin P-N es un espcimen de un cristal semiconductor en el cual hay dos

regiones adyacentes, una de tipo P y otra de tipo N.
Tipo P
Iones aceptadores
Huecos
-
-
Iones donadores
Tipo N
-
-
-
-
Electrones
0.5 cm
Antes de unin las regiones tipo P y tipo N son elctricamente neutras. Cuando
se unen, los electrones de la regin N son atrados por los huecos de la regin
P, generando un flujo de electrones hacia la regin P. Llega un momento que
este flujo comienza a decrecer debido a la repulsin electrosttica entre
electrones de la regin P y los de la regin N, hasta que se hace cero. En la
frontera de la unin, en la parte N habr deficiencia de electrones y estar
cargada entonces positivamente (+) y la parte P estar cargada negativamente
(-) debido al flujo de electrones. Experimentalmente se sabe que la regin de
frontera donde hay esta distribucin de carga es del orden de 10-4 cm. y la
distribucin de carga es aproximadamente como se muestra en la figura.
Densidad de carga
Lado P
Lado N
+
Distancia de la unin
10-4 cm
203
Sistema a Distancia
El potencial electrosttico, denominado potencial de contacto, generado en la

frontera es aproximadamente como el que se muestra en la figura.
Voltaje
Lado P
Lado N
V0
V=0
Distancia de la unin
Debe tenerse presente que en ambas regiones P y N debido a la agitacin

trmica se estn creando pares electrn-hueco. Los electrones de la regin P
se difunden hacia la regin N sin oposicin y los huecos de la regin N se
difunden hacia la regin P sin dificultad. A estos tipos de flujo se les llama
Flujos de generacin que denominaremos: Jng para electrones y Jpg para los
huecos.
Al flujo de electrones de N a P y de huecos de P a N se les denomina flujo de
recombinacin (Jnr para electrones y Jpr para huecos).
En el equilibrio se tendr:
Jnr0 = Jng0
Jpr0 = Jpgo
4.2.7. Diagrama de bandas de una unin P-N en circuito abierto

La unin P-N se forma al poner en ntimo contacto atmico un material tipo P y
otro tipo N. Si se encuentra en equilibrio trmico, el nivel de Fermi debe ser
constante a lo largo de toda la muestra. Si esto no fuera as , los electrones de
un lado de la unin tendran una energa media superior a los del otro lado de
la unin y habra una transferencia de electrones hasta que los niveles de
Fermi se igualen. En la figura damos una idea acerca del la distribucin de
energas en la frontera de la unin.
Regin N
Regin P
Ecp Banda de conduccin
Eg /2
Eg /2
Evp
E0
E1
Banda de conduccin
EF
Ecn
E2
Banda de valencia
Nivel de Fermi
E0
Banda de valencia
204
Evn
Sistema a Distancia
El cambio en los niveles de energa est dado por:

E 0 = E cp E cn = E vp E vn = E1 + E 2 .. ()
Tambin tenemos:
1
E g E1
2
1
E cn E F = E g E 2
2
Sumando las dos ltimas ecuaciones:
E F E vp =
E 0 = E1 + E 2 = E g (E cn E F ) (E F E vp )
Adems, utilizando las definiciones de Nc y Nd , la ley de accin de las masas

se puede escribir como:
ni = N c N d e
2
Eg
kT
Tomando logaritmos encontramos que:

E g = kT ln
Nc Nd
ni
Luego:
E cn E F = kT ln
Nc
Nd
E F E vp = kT ln
Nv
Na
Sustituyendo en la Ec. () se obtiene para E0 :

N N
N
N
E 0 = kT ln c 2 v ln c ln v
Nd
Na
ni
E 0 = kT ln
N N N N
= kT ln c v d a
n2
N c N v
Nd Na
ni
El potencial de contacto (0 ) ser entonces:
0 =
E 0 kT N d N a
=
ln
2
e
e
ni
(potencial de contacto)
4.2.8. El Diodo semiconductor

Se denomina Diodo a una unin P-N, que permite que la corriente circule
fcilmente en un sentido y se opone a su paso en el opuesto.
205
Sistema a Distancia
Polarizacin directa. Es aquella que permita que circule la corriente. Para ello
tenemos que aplicar un voltaje (V0) a la unin P-N, de tal manera que la regin
P sea positiva y la regin N sea negativa, como se muestra en al figura.
N
V0
El grfico las energas en funcin del potencial de contacto (0) en la frontera

tendr la forma:
Jng
Regin P
Regin N
e(0 V0)
e0
Jnr
eV0
Jpg
Jpg
El potencial de contacto ha disminuido en: e(0 V0).

Bajo estas condiciones el flujo de generacin no es afectado debido a que
depende solo de la agitacin trmica:
Jng = Jng0
El flujo de recombinacin s es afectado considerablemente debido a que la
barrera de potencial ha disminuido en eV0.
La generacin de electrones en polarizacin directa en funcin de la
temperatura est dada por (Estadstica de Maxwell-Boltzman):
J nr = J nr 0 e
eV0
kT
El flujo neto de electrones de N a P, ser entonces:

I n = e(J nr
0
eV
J ng ) = eJ ng 0 e kT 1
Un tratamiento exactamente igual se hace para la corriente de huecos en la

banda de valencia, dndonos:
206
Sistema a Distancia
I p = e(J pr
eVkT0
J pg ) = eJ ng 0 e 1
La corriente elctrica total a travs del diodo ser:

I = I n + I p = e(J ng 0
eVkT0
+ J pg 0 ) e 1
Que se puede expresar como:

eVkT0
I = I 0 e 1
Donde:
.. ()
I 0 = e(J ng 0 + J pg 0 ) = Corriente de saturacin.
Cuando: eV0 >> kT (Que es generalmente el caso) se tendr:

I I0e
eV0
kT
Polarizacin inversa. En este caso se tiene el siguiente esquema:

P
N
V0
El diagrama del potencial de contacto tendr la forma:
Jng
Regin N
Regin P
e0
e(0+V0)
eV0
Jnr
Jpr
Jpg
En este caso el potencial en la unin se incrementa en eV0. El flujo de

electrones de recombinacin disminuir por un factor e
eV0
kT
. Habr entonces
menos electrones que puedan remontar la barrera de potencial e(0+V0).
207
Sistema a Distancia
La corriente total estar dada por:

eV
0
I = I n + I p = e(J ng 0 J nr ) + e(J pg 0 J pr ) = eJ ngo 1 e kT
eV
+ eJ pgo 1 e kT
Lo que se puede expresar como:

eV
0
I = I 0 1 e kT
Donde:
()
I 0 = e(J ng 0 + J pg 0 ) = Corriente de saturacin.
Cuando: eV0 >> kT (Que es generalmente el caso) se tendr:

I I0
Utilizando las ecuaciones () y () puede hacerse un grfico de la corriente a

travs del diodo en funcin del voltaje aplicado (V0). Como se muestra en la
figura.
I (mA)
eV
I = I 0 e kT 1
30
20
-100
10
-50
I0
V (Voltios)
0.2 0.4 0.6
4.2.9. El Transistor
Se denomina transistor, aun semiconductor dopado con impurezas tipo P y N,
en las cuales dos regiones del mismo tipo P estn separadas por una regin de
tipo N viceversa, como se muestra en la figura.
Transistor NPN
Transistor PNP
La propiedad fundamental de un transistor es la Amplificacin, para ello hay

que polarizarlo debidamente.
208
Sistema a Distancia
Transporte de portadores de carga en un transistor PNP

Unin con polarizacin directa
Unin con polarizacin inversa
1
N
Base
Emisor
Colector
RL
+ VCB
VEB
Vsalida
La regin P de la unin 1 recibe el nombre de Emisor y la regin N recibe el

nombre de Base. La regin P de la unin 2 recibe el nombre de Colector.
Un gran nmero de electrones y huecos fluye a travs de la unin , los
electrones de derecha a izquierda y los huecos de izquierda a derecha.
Supongamos que la base sea lo suficiente delgada y que el tiempo de
recombinacin (tiempo de vida) de los huecos en la base sea suficientemente
grande para que los huecos penetren en la base sin recombinacin y lleguen a
la unin 2 y como no existe una barrera de potencial para los huecos en esta
unin se difundirn a la regin P.
La corriente inversa en la unin 2 es entonces casi igual a la corriente directa a
travs de la regin 1.
La corriente a travs de la unin 2 puede ser controlada simplemente
controlando la corriente a travs de la unin 1, esto es, controlando la corriente
de huecos a travs del transistor.
Conclusin: Para operar el transistor en forma eficiente se requiere la
generacin de huecos en la regin 1, prdidas mnimas por recombinacin en
la base y la extraccin eficiente de huecos en la regin 2.
Para que haya prdidas mnimas por recombinacin en la base, se hace de
longitud muy pequea ( 10-3cm.)
Se hace que solo la corriente de huecos sea significativa, dopando con la
concentracin de impurezas las regiones P y en forma muy ligera la regin N.
Luego la corriente ser esencialmente conducida por huecos.
Tambin se debe tener que: VEB << VCB
209
Sistema a Distancia
El diagrama de potencial es el siguiente:

V
Sin polarizacin:
V0
Emisor
Base
Con polarizacin:
VEB
P
N
VCB
Habamos visto que la corriente en una unin PN con polarizacin directa

variaba en forma exponencial:
eV
I = I 0 e kT 1
Vemos de esta ecuacin que un pequeo cambio de V har un gran cambio de

I, pero en nuestro caso I depende solamente de lo que sucede en la unin 1
(unin emisora). Luego: V = VEB.
En realidad habr un flujo pequeo de carga (Ib) por el Terminal de la base,
aproximadamente 1/100, del flujo emisor-colector. Esto es:
Ie = Ib + Ic
Evidentemente existe una relacin directa entre VEB y Ib, luego diremos: Una
pequea corriente de base Ib da una corriente grande ( 100 veces mayor en el
colector.
Un tratamiento anlogo se puede hacer con un transistor NPN, es ste caso los
portadores mayoritarios sern los electrones y el circuito ser:
VEB
VCB
210
Sistema a Distancia
Los smbolos usados para los transistores PNP y NPN son los siguientes:
C
C
PNP
NPN
B
E
E
En un transistor debe cumplirse que:
VBC
IB
C IC
VBE + BBC = VCE
IB + IC IE = 0
VCE
VBE
IC = IB
E IE
Adems la interdependencia entre sus diferentes parmetros, es decir voltajes

y corrientes, pueden representarse por medio de grficos.
Uno de los ms usados es el grfico: IC Vs. VCE manteniendo IB constante. Uno
tpico mostramos en la figura de abajo.
IC (mA)
15
IB = 50A
IB = 40A
10
IB = 30A
IB = 20A
5
0
10
15
20
VCE (Voltios)
Vemos que para cada IB, IC alcanza pronto un valor constante denominada
corriente de saturacin de saturacin cuando se aumenta VCE.
Existen tres formas bsicas del uso de los transistores como amplificadores. En
estos circuitos uno de los electrodos del transistor es un punto comn de
entrada y salida. Estos circuitos son: Circuito de emisor comn (EC), Circuito
211
Sistema a Distancia
de base comn (BC) y circuito de colector comn (CC). El primero es el ms

difundido.
Veamos a manera de ejemplo el funcionamiento de un circuito EC, que
mostramos en la figura:
IC
RB = 500K
RL =1K
C2
C1
IB
vent = ve senwt
IE
V = 15V
Vsal = VCE
Suponiendo que las curvas mostradas en el grfico IC Vs. VCE pertenecen al

transistor del circuito Cmo podemos utilizarlas para ver las bondades de
amplificacin del transistor?
Para ello, buscaremos el punto de trabajo del transistor, esto es, la corriente
IB0 que pasa por el transistor sin que todava haya alimentacin de entrada
alterna Vent, de acuerdo a la ecuacin:
I B0
V
15V
=
= 30 A
R B 500 10 3
Adems:
V = VCE + RL I C 0
De donde:
IC 0 =
V VCE
RL
IC0 =
15 VCE
10 6
Reemplazando datos, se obtiene:

(mA)
Los grficos: IC Vs. VCE (De acuerdo con las caractersticas del transistor) e
IC0 Vs. VCE (De acuerdo con el circuito), se muestran juntos en la siguiente
figura:
212
Sistema a Distancia
IC (mA)
Punto de trabajo
15
IB = 40A
12.5
9.0
5.5
IB = 30A
10
IB
= 20A
10
3.5
15
20
VCE (Voltios)
10.5
Supongamos ahora que el voltaje alterno de entrada sea de la forma:

Vent=0.25senwt
(Voltios) y la corriente de base debe ser del orden de IB0
entonces aventuramos que sea de la forma: Ient = 10 senwt
(A). Luego la
corriente de base ser:

I B = I B 0 + I ent = (30 + 10 senwt ) (A)
Los valores extremos que toma IB son: 40 y 20A, lo que da un rango de
variacin a VCE entre: 3.5V y 10.5V y para IC entre: 5.5mA y 12.5mA.
El factor de Amplificacin (A) en voltaje ser:
Vsal = AVent
De donde:
A=
Vsal
3.5V
=
= 14
Vent 0.25V
El factor de Amplificacin () en corriente ser:

I C = I ent
De donde:
IC
(3.5senwt ) 10 3 A = 350
=
I ent
(10senwt ) 10 6 A
213
Sistema a Distancia
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 1. Calcular la energa de Fermi en el calcio suponiendo que hay dos

electrones libres por tomo.
Solucin:
La densidad de tomos de una sustancia se calcula de acuerdo a la siguiente
expresin:
n=
N0
M
. (1)
Donde:
n = Densidad de tomos de la sustancia

N 0 = NmerodeAvogadro = 6.023 10 23
tomos
mol
= Densidad de masa de la sustancia

M = Masa molecular de la sustancia
Para el calcio:
= 1.55 g / cm 3 , M = 40.08 g / mol
Reemplazando en la Ec. (1) los valores, se obtiene:

n = 0.2329 10 28 at / m 3
La densidad electrnica ser:
2 0.2329 = 4.658 10 28 electrones / m 3
La energa de Fermi est dada por:

2
h 3 N 3
6.63 10 34 3
3
EF =
4.658 10 28 = 4.26eV
=
31
2m 8 V
2 9.1 10
8 3.14
Problema 2. Calcular la concentracin de huecos y electrones en el Germanio

tipo-p a 300k, si la conductividad es 100 (-cm)-1.
Solucin:
Sea: n h = Concentracin de huecos en la banda de valencia.
N a = Concentracin de tomos donadores.
ne = Concentracin de electrones en la banda de conduccin
ni = Concentracin intrnseca de huecos y electrones.
Para el problema, se tiene que:
Para concentracin de huecos:
214
Sistema a Distancia
nh = N a =
100
=
= 34.7 1016 cm 3
e h (1.6 10 19 )(1800 )
Para la concentracin de electrones:
ni
2.5 1013
=
= 18 10 8 cm 3
16
Na
34.7 10
2
ne =
Problema 3. La banda de energa prohibida en el Germanio es Eg = 0.75eV A

qu longitud de onda comienza el Ge a absorber luz?
Solucin:
La luz debe tener una energa mnima igual a Eg. Luego:
Eg = h
De donde:
=h
C
3 10 8
= 6.63 10 34
= 17.26 10 7 m
19
Eg
0.75 1.6 10
Problema 4.
a) Probar que la resistividad del Germanio intrnseco a 300k es 45 xcm.
b) Si se aade una impureza donadora en una proporcin de 1 tomo por 108
de Germanio, comprobar que la resistividad desciende a 3.7xcm.
Solucin:
a) La resistividad intrnseca est dada por:
= n i e ( e + h )
Reemplazando datos:
= (2.5 x1013 cm 3 )(1.6 10 19 C ) 3800
Como:
cm 2
cm 2
= 224 10 4 ( cm )1
+ 1800
V s
V s
1
cm = 45 cm
224 10 4
b) Para este caso tenemos: ne N d , ne >> n h , se tiene que:
= ene e + enh h eN d e
Reemplazando datos:
= (1.6 10
19
)(
C 4.4 10 cm
14
215
cm 2
3800
= 0.267( cm )1
V s
Sistema a Distancia
Luego:
1
cm = 3.7 cm
0.267
Problema 5. Dado el siguiente circuito y despreciando la resistencia baseemisor, calcular: IB , IE , IC , VB , VE , VC., considerando: = 30
M
- 6V
IC
3.3K
470K
IB
G
C
B
E
N
IE
1.2K
V=0
Solucin:
Malla MNECDM:
6 1.2xIE VEC 3.3xIC = 0 .. (1)
Malla MNEBGFDM:
6 1.2IE 0 470IB = 0
.. (2)
Como siempre se cumple que: IE IC se tendr en (1) y (2):

6 -4.5IC VEC = 0 .. (3)
6 1.2IC 470IB = 0 . (4)
Adems como: IC = IB , con = 30 se tiene:
IC = 30IB .. (5)
Resolviendo (3), (4) y (5) se obtiene:
IC IE = 0.355 mA. , IB = 11.83 A.
, VEC = 4.4 Voltios.
VE = VB = -4.26 Voltios. , VC = - 4.8 Voltios.
216
Sistema a Distancia
PROBLEMAS PROPUESTOS
1. Calcular la concentracin de huecos y electrones para el Silicio, si la

conductividad a 300k es de 0.1 (-cm)-1.
ne = 48.ox1016cm-3 , nh = 4.68x102 cm-1
Rpta.-
2. Sabemos que la relacin corriente voltaje, para um diodo ideal est dada
eV
por : I = I 0 e kT 1 .
a) Para qu valores de V, es I = 9I0 ?

b) Para qu valores de V , es I = - 0.9I0
Rpta.
a)
0.06V
b)
- 0.06V
3. Las caractersticas del diodo involucrado en el circuito de la fig. (a), se

muestran en la fig. (b).
I (mA)
40
30
Fig. (b)
20
10
150
Fig. ( a )
0.5
1.0
1.5
Voltios)
Qu fuerza electromotriz (), se requiere para una corriente de 30mA?

Rpta.
6.1 voltio.
4. Un diodo emisor de luz (LED) hecho de semiconductor GaAsP emite luz roja
( = 650nm). Determinar la banda de energa prohibida en el semiconductor.
Rpta.
3.06Voltios.
5. a) Calcular la resistividad del Silicio intrnseco a 300k.

b) Si se aade una impureza donadora en una proporcin de 1 tomo por 108
tomos de silicio Cul es ahora la resistividad?
Rpta.
a)
23.14x10-4 -cm.
b)
9.61 -cm.
6. Se sabe que la densidad de electrones de conduccin del Silicio puro a

temperatura ambiente es alrededor de 1016 electrones/m3. Deseamos aumentar
la densidad electrnica en un factor de 106 dopndolo con Fsforo. Qu
fraccin de tomos de Si se debe reemplazar por tomos de Fsforo?.Cada
217
Sistema a Distancia
tomo de Si contribuye con un electrn a la banda de conduccin y la

concentracin de sus tomos, est dada por:
N A Si
M Si
n Si =
Donde:
N A = Nmero de Avogadro = 6.023x1023 tomos /mol.
Si = Densidad del Silicio = 2330 Kg/m3

M Si = Masa molar del silicio = 28.1 g/mol.
n Si
= 5 x10 6
nP
Rpta.
7. Al reemplazar un tomo de Silicio por uno de fsforo, el electrn extra del

Fsforo orbita alrededor del in Fsforo, con energas dadas por:
En =
Con:
1
2
32 k e 0 n
mZ 2 e 4
2
n = 1, 2, 3, ..
Z = 1, porque el electrn ve una carga central (+e). ke= constante
dielctrica del Silicio = 12

a) Cul es su energa de enlace?
b) Cul es el radio de la rbita del electrn?
Rpta.
a)
E1 = 0.09 eV
b)
630nm.
8. Qu masa de Fsforo se necesita para impurificar una muestra de 1gramo

de Silicio, para elevar la densidad de electrones de conduccin de 1016
electrones a 1022 electrones/m3?.
Rpta.
0.22x10-6 gramos.
9. Un cristal de Silicio se dopa con Fsforo a una concentracin de 1022

tomos/m3. Cul ser la separacin entra los tomos de Fsforo?
Rpta.
46nm.
10. El potencial de contacto de las zonas P-n del silicio es de V0 = 0.6V, cuando
se dopa con impurezas donadoras y aceptadoras con igual concentracin n0 =
3x1022 tomos/m3. se puede probar que el voltaje en funcin del espaciamiento
de la zona de contacto est dado por:
V0 =
Donde:
n0 ed 2
4k e 0
k e = constante dielctrica del Silicio = 12.
218
Sistema a Distancia
Calcular la anchura d de la zona de contacto. Puede considerarse la zona de

contacto como un condensador?
Rpta.
230nm., s.
219
Sistema a Distancia
LECTURA
HISTORIA DEL TRANSISTOR
La fecha exacta fue 16 de diciembre de 1947,

cuando William Shockley, John Bardeen y Walter
Brattain armaron el primer transistor. Poco
despus, un computador compuesto por estos
transistores pesaba unas 28 toneladas y consuma
alrededor
de
170
MW
de
energa.
Ms adelante Bell Labs converta esos transistores
de tubos en interruptores elctricos, desatando una
serie de pujas y rivalidades entre los involucrados
en el tema. Pero lo cierto es, que, gracias a este
Fotografa del primer transistor
trascendental invento, hoy en da puede usted leer
construido por W. Shockley, J.
esta informacin en una pantalla de computadora.
Bardeen y W. Brattain en
diciembre de 1947 (Foto:
El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples

bellsystemmemorial.com)
aplicaciones fue posible gracias a la invencin del
transistor, ya que este super ampliamente las dificultades que presentaban
sus antecesores, las vlvulas. En efecto, las vlvulas, inventadas a principios
del siglo XX, haban sido aplicadas exitosamente en telefona como
amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y televisores.
Sin embargo, presentaban inconvenientes que tornaban impracticables algunas
de las aplicaciones que luego revolucionaran nuestra sociedad del
conocimiento. Uno de sus mayores inconvenientes era que consuman mucha
energa para funcionar. Esto era causado porque las vlvulas calientan
elctricamente un filamento (ctodo) para que emita electrones que luego son
colectados en un electrodo (nodo), establecindose as una corriente
elctrica. Luego, por medio de un pequeo voltaje (frenador), aplicado entre
una grilla y el ctodo, se logra el efecto amplificador, controlando el valor de la
corriente, de mayor intensidad, entre ctodo y nodo.
Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin
necesidad de disipar energa (como era el caso del filamento), en dimensiones
reducidas y sin partes mviles o incandescentes que pudieran romperse.
220
Sistema a Distancia
El filamento no slo consuma mucha energa,

sino que tambin sola quemarse, o las
vibraciones lograban romperlo, por lo que las
vlvulas terminaban resultando poco confiables.
Adems, como era necesario evitar la oxidacin
del filamento incandescente, la vlvula estaba
conformada por una carcasa de vidrio, que
contena un gas inerte o vaco, haciendo que el conjunto resultara muy
voluminoso.
Comparacin entre las vlvulas y
antiguos transistores individuales
de germanio
Los transistores se basan en las propiedades de

conduccin
elctrica
de
materiales
semiconductores, como el silicio o el germanio.
Particularmente, el transporte elctrico en estos
dispositivos se da a travs de junturas,
conformadas por el contacto de materiales
Esquema del trodo (vlvula)
donde se detallan sus distintos semiconductores, donde los portadores de carga
son de distintos tipos: Huecos (tipo P) o electrones
componentes
(tipo N).
Las propiedades de conduccin elctrica de las junturas se ven modificadas
dependiendo del signo y de la magnitud del voltaje aplicado, donde, en
definitiva, se reproduce el efecto amplificador que se obtena con las vlvulas:
Operando sobre una juntura mediante un pequeo voltaje se logra modificar las
propiedades de conduccin de otra juntura prxima que maneja un voltaje ms
importante.
Los diez aos posteriores a la invencin del primer transistor vieron enormes
adelantos en este campo:
-
Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de

campo), basados en distintas propiedades bsicas;
Se emplearon distintos materiales, inicialmente el germanio (1948) y
posteriormente el silicio (1954), el cual domina la industria semiconductora
de la actualidad;
Se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los
circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se
le dio el nombre de circuito integrado (1958).
221
Sistema a Distancia
En estos primeros circuitos integrados, los transistores tenan dimensiones

tpicas de alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tena
unos 2000 transistores, mientras que hoy en da, un "viejo" Pentium IV tiene
unos 10 millones de transistores, con dimensiones tpicas de alrededor de
0.00001 cm. Desde 1970, cada ao y medio,
aproximadamente, las
dimensiones de los transistores se fueron reduciendo a la mitad (Ley de
Moore). Si se los hace an ms pequeos, usando la tecnologa actual, dejarn
de funcionar como esperamos, ya que empezarn a manifestarse las leyes de
la mecnica cuntica. Para seguir progresando, se ha concebido una nueva
generacin de microprocesadores basados en las propiedades que la materia
manifiesta en las escalas nanomtricas.
Todos estos desarrollos respondieron en cada caso al intento de resolver un

problema concreto atacado tanto del punto de vista terico como experimental.
Muchos de los fsicos que participaron en esta aventura del transistor y en sus
desarrollos posteriores dieron lugar al nacimiento de nuevas invenciones (y de
empresas como Texas Instruments, Intel y AMD) que hoy da dominan la
escena en la que se desarrollan las tecnologas de informacin y
comunicaciones.
Lea ms de la misma fuente en ees.wikispaces. Artculo amparado con
Licencia CC Reconocimiento 3.0. Algunas imgenes son Copyright 2007
Tangient LLC.
Ref.: www.tecnologiahechapalabra.com/.../articulo.asp?i
Otra fuente: aportes.educ.ar.
222
Sistema a Distancia
BIBLIOGRAFA
1. Sears, Zemansky, Young, Freddman, Fsica universitaria, Vol.2, 2005, Ed.

Pearson, Mxico.
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4. Halliday, Resnick, Krane, Fundamentos de Fsica, Vol.2, Ed. Cecsa, 2006,
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5. Serway, Electricidad y Magnetismo, Tomo 2, Ed. Thomson-Paraninfo, 2005,
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223
Sistema a Distancia

Unidad Iv

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Fsica II - Unidad IV

Alberto Pereyra Parra

Alberto Pereyra Parra

La distribucin espectral de la radiacin de un cuerpo negro es especificada por

Observaciones experimentales de la radiancia espectral de cuerpos que se

Experimentalmente se encontr que la radiacin total es proporcional a T4, esto

(Ley de Stefan Boltzman)

Tambin se encontr que la frecuencia a la cual la radiacin espectral es

(Ley del desplazamiento de Wien)

Esta ecuacin se representa en el grfico anterior con la lnea de puntos.

Alberto Pereyra Parra

Obviamente dentro de la cavidad habr una densidad de energa T() que

T() Vs. mostrados en el

grfico anterior para RT().

= Frecuencia de oscilacin (Hertz)

Con esta postulado y utilizando conocimientos de estadstica, se encontr que:

Que se conoce como: Ley de Planck de la radiacin de cuerpo negro

T ( ) = Es la energa contenida en la unidad de volumen de la cavidad

Alberto Pereyra Parra

La ecuacin (1) queda entonces como:

Integrando se encuentra que:

Del mismo modo se puede encontrar que:

4.1.2. El efecto fotoelctrico

Alberto Pereyra Parra

El detalle experimental del efecto fotoelctrico se muestra en la siguiente figura:

La variacin de la corriente en funcin del voltaje para luz monocromtica pero

Luz de alta intensidad

Del grfico se observa lo siguiente:

Alberto Pereyra Parra

La nica forma de explicacin para la compatibilidad de (1) y (2) la dio A.

electromagntica est compuesta por paquetes individuales e indivisibles de

A estos paquetes de energa los llam Quantos de luz simplemente

Bajo estas condiciones para los electrones ms energticos tendremos:

Alberto Pereyra Parra

Haciendo un grfico: V0 versus , tendremos:

En fsica atmica se utiliza la siguiente unidad de energa:

4.1.3. El Efecto Compton

longitud de onda que la onda incidente,

intensidad para todas las variaciones

poda explicar clsicamente.

Alberto Pereyra Parra

tenan energa ( E ) y momento lineal ( p = m v ). La energa estaba dada por:

Compton tambin encontr que la relacin entre y 0 estaba dada en funcin

Se acostumbra llamar a c con el nombre de Longitud de onda Compton.

4.1.4. Teora de De Broglie

Hiptesis de De Broglie. Para una partcula de momento lineal p y energa E ,

Alberto Pereyra Parra

C. J. Davisson y L. H. Germer en 1926 probaron experimentalmente que un

4.1.5. Lneas espectrales

Alberto Pereyra Parra

J. Balmer fue el primero en encontrar empricamente una frmula que relaciona

La serie de Balmer contiene solamente longitudes de onda en la parte visible

Existen dos tipos de espectros para elementos gaseosos:

4.1.6. Teora de Bohr

Alberto Pereyra Parra

como los slidos en una distribucin continua de longitudes de onda? Porqu

orbitas permitidas estn dadas por:

Donde: h = Constante de Planck.

De acuerdo con el primer postulado de Bohr, veamos cul es la energa del

La fuerza de Coulomb entre el ncleo y el

De acuerdo con la segunda ley de Newton y el

Alberto Pereyra Parra

La energa cintica del electrn ser entonces: