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Prctica

CARACTERIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones,


haciendo uso de grficas, anlisis de los circuitos y de la interpretacin de las
mediciones.
TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRCTICA
Investigar las caractersticas de funcionamiento y limitaciones de los transistores bipolares
de silicio y germanio.
Realizar la simulacin de los circuitos para obtener las curvas caractersticas elctricas de
los transistores bipolares de (Si y/o Ge).
Traer hojas de especificaciones de los transistores bipolares de (Si y/o Ge) que se
emplearn el la prctica.
Consultar las hojas de especificaciones del fabricante, para obtener las caractersticas de
funcionamiento del transistor (Si Ge) que se va a emplear en la prctica.
Traer los circuitos armados.
MATERIAL: (anotar el material utilizado en la prctica)

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DESARROLLO:
1. Obtencin de informacin de las hojas de especificaciones del fabricante.
1.1 Consultar el manual del fabricante de transistores bipolares (BJT), para obtener las
especificaciones de funcionamiento (caractersticas elctricas del transistor), como: serie,
esquema con terminales; voltajes de las uniones; corrientes; potencia, ganancia en
corriente, frecuencia, corrientes de fuga, voltaje de colector a base con emisor abierto,
voltaje de base a emisor con colector abierto, entre otros, as como las caractersticas de
polarizacin de las uniones, para las diferentes regiones de operacin del transistor.
1.2 Realizar un dibujo (isomtrico) del encapsulado de los transistores, indicando la ubicacin
de las terminales colector, base y emisor.

1.3 Realizar una tabla en la que se reporte la informacin obtenida de los manuales de
fabricantes.
2. Caracterizacin de los transistores bipolares (de silicio de germanio), para obtener
la grfica de entrada del transistor bipolar en CA.
2.1 Grfica de entrada (caractersticas elctricas de entrada).
2.1.1 Armar el circuito como se indica en la figura 1, para obtener las grficas de entrada del
transistor (graficador XY, ambos canales en CD) a temperatura ambiente y dibujar en la
gratcula en el papel milimtrico.
2.1.2 Realizar y reportar las mediciones que se indican en la tabla 1; a partir de la grfica
correspondiente, para distintos voltajes de VCE. La seal de la fuente de alimentacin (VS)
de CA se tomar del generador de funciones, seleccionando la seal senoidal con
mxima amplitud, con una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y 1KHz. La fuente de
polarizacin VCC se tomar del variac en CD. La resistencia de base puede ser de 100K
o de un valor ms pequeo, pero no menor de 22K para no daar el transistor. Los
resistores que se empleen deben ser a W 1W. Para obtener los diferentes valores de
VCE, variar el VCC; primeramente colocar el Vltmetro entre las terminales del transistor
colector y emisor; variar la fuente para que el medidor registre el valor que se muestra en
la tabla 1, posteriormente se realizarn las otras mediciones, que se piden en la tabla 1;
para cada valor de VCE. Para medir el VCC, el VCE, el VCB, emplear el multmetro en V de
CD. Para medir las corrientes IC e IE, colocar el multmetro en corriente de CD.
Tabla 1. Transistor bipolar de Silicio Germanio
VCE

VCC

VBEpol dir
VBEpol dir mn

VBEpol inv

IB

IC

IE

VCB

VBEpol dir mx

0V
0.5V
5V

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Vcc

T
+
CHX -

Vs
-

RB=100K
+

CHY inv

RC=1K
_

Fig. 1 Circuito para obtener la grfica


de entrada del Transistor.

Grfica de entrada del Transistor a


temperatura ambiente

2.1.3 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.


2.2.1 Con el circuito anterior sin modificar y con VCE=5V, variar la frecuencia del generador.
Observar que pasa en las grficas (en modo graficador XY), y anotar los cambios
observados en la grfica.
2.2.2 Del circuito anterior acercar un cerillo encendido al transistor (por aproximadamente 5s)
para obtener y dibujar la grfica de entrada del transistor a temperatura mayor a la
ambiente; con un voltaje de VCE=5V, y realiza las mediciones que se indican en la tabla 2
y regstralas en la tabla y en la grfica correspondiente, en la gratcula o en papel
milimtrico. Empleando el multmetro para medir VEC, VCC, VCB, IC e IE.
Tabla 2.
VCE

VCC

VBE pol dir


VBEMnimo

VBE pol inv

VCB

IB

IC

IE

VBEMximo

5V

Grfica de entrada del


Transistor a T>TA
2.2.3 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.

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2.3.1 Armar el circuito como se indica en la figura 2, para obtener la grfica de entrada del
transistor con el emisor abierto. Realiza las medidas como se indica y registrarlas la tabla
y en la grfica correspondiente, a temperatura ambiente. La seal VS se tomar del
generador (seal senoidal con mxima amplitud, con una frecuencia que se encuentre
entre 60Hz y 1KHz). Dibujar la grfica en la gratcula o en Papel milimtrico. Las
mediciones de VEB y VEC se realizaran con el multmetro.

T
+
Vs

CH X _
RB= 100K

_
CH Y inv

Fig. 2. Circuito para obtener la grfica


Grfica de entrada del Transistor, con
de entrada del Transistor con el
el emisor abierto.
emisor abierto.
Tabla 3
VBC pol dir.
VBC pol inv
IB
VEB
VEC
VBCmn VBCmx

2.3.2 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.

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2.4 Armar el circuito como se indica en la figura 3, y obtener la grfica de entrada del
transistor con el colector abierto. Realizar las mediciones como se indica y registrarlas la
tabla y en la grfica correspondiente (gratcula o papal milimtrico), a temperatura
ambiente. La seal VS se tomar del generador (seal senoidal con mxima amplitud, con
una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y 1KHz). Las mediciones de VCB y VCE se
realizaran con el multmetro.

T
+
CHX _

Vs
-

RB= 100K
+

CHY inv

Fig. 3. Circuito para obtener la grfica


de entrada del Transistor con el
colector abierto.

Grfica de entrada del Transistor, con


el colector abierto.

Tabla 4.

VBE pol dir.


VBEmn VBEmx

VBE pol inv

IB

VCB

VCE

2.4.1 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.

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RB=100K

3. Caracterizacin de los transistores bipolares (de silicio de germanio), para obtener las
grficas de salida del transistor bipolar en CA, armar el circuito como se muestra en la
figura 4. Para alimentar el puente de diodos, emplear la seal senoidal del generador de
funciones con una frecuencia que se encuentre dentro del siguiente rango:
60Hzfrecuencia1KHz. Los voltajes VBE y VCB se miden con el multmetro en Voltaje de
CD; para medir la corriente IB e IE se pone el multmetro en corriente de CD.

CHX

Seal pulsante
onda completa

Vs
_

RC=1K
_
CHY inv

Fig. 4. Circuito para obtener las


grficas de salida del Transistor.

Grficas de salida del Transistor

Tabla 5 de mediciones de las grficas de salida.


VS
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
11V
12V

VBE

IB

VCE

IC

IE

VCB

VE

3.1.1 Del circuito anterior seleccionar una grfica que tenga valores intermedios de voltaje
(VCE, IC) y variar la frecuencia, y reportar lo observado.
3.1.2 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.
3.2 Del circuito anterior seleccionar una grfica que tenga valores intermedios de voltaje (VCE,
IC), y acercar un cerillo encendido para calentar el transistor (aproximadamente por 5s).
Dibujar la grfica observada en la misma grfica del punto 4.1 utilizando otro tipo de lnea
u otro color.
3.2.1 Anotar comentarios y conclusiones a partir de las observaciones.
5 Anotar comentarios y conclusiones generales de la prctica, a partir de las observaciones.

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