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Ayacucho, 22 26.11.2004
Cursillo de
Electricidad fotovoltaica
para regiones rurales
NECESIDADES ENERGETICAS
Ao
1990 (pases
desarrollado)
1990 (pases
en desarrollo)
1990
(mundial)
2025 (pases
desarrollado)
2025 (pases
en desarrollo)
2025
(mundial)
Poblacin
Energa
total
(EJ/ao)
1.2
284
9.0
237
7.5
4.1
142
4.5
35
1.1
5.3
426
13.5
80
2.5
1.4
167
5.3
120
3.8
6.8
473
15.0
69
2.2
8.2
640
20.3
78
2.5
1200
800
AM 1.5 radiation
Relative luminous
Blackbody spectra 60
400
40
20
20 C
-30 C
0
1
1/ 4
2
G sc ro
sun =
r 2
s
80
1600
Wavelentgh (m)
10
0
50
atmsfera
albedo
difusa
anisotrpica
Fuera de la atmsfera
Radiacin extraterrestre: fuera de la atmsfera,
exclusivamente de la emitida en lnea directa por el sol.
proviene
Al atravesar la atmsfera
Radiacin reflejada: debida al efecto de las nubes.
Radiacin absorbida: debida a la presencia de ozono, oxgeno,
anhdrido carbnico, vapor de agua, etc.
Radiacin dispersada: debida a gotas de agua y polvo en suspensin,
etc.
Radiacin de albedo: procedente del suelo y debida a la reflexin
de la radiacin incidente en l.
IRRADIANCIA
Densidad de potencia incidente en una superficie,
energa incidente en una superficie por unidad de
tiempo.
kW/m2, cal/cm2d, etc.
IRRADIACION
Energa incidente en una superficie por unidad de
superficie y a lo largo de un cierto periodo de tiempo
(irradiacin horaria, irradiacin diaria, etc.).
kWh/m2, cal/cm2, etc.
N
Invierno
Verano
S
23.45
1200
1000
800
600
400
200
0
Convencional
Lecho
Gasificacin
fluidizado
Nuclear
Fotovoltaico
2.5
1.5
0.5
Convencional
Lecho
Gasificacin
fluidizado
Nuclear
Fotovoltaico
5000
4000
3000
2000
1000
Convencional
Lecho
Gasificacin
fluidizado
Nuclear
Fotovoltaico
30
16
25
14
20
15
12
10
10
0
1978 1980 1982 1984 1986 1988 1990 1992
Ao
Eficiencia (%)
35
ECB
EF
EVB
ECB
EF EF
EVB
eVOC
h+
EVB
p-region
n-region
ECB
EF
p-region
EVB
n-region
Regin n es la capa
difundida denominada
comnmente emisor.
0.2-0.5 m
Si tipo n
Si tipo p
Contacto posterior
Mdulo
fotovoltaico
standard
Mdulo
fotovoltaico
flexible
Mdulo
fotovoltaico
curvado
ID
IL
RLOAD
h+
h+/eh+/e-
IL
e-
ID
RLOAD
p
n
+
-
I = ID IL
Donde ID:
ID
qV k
= I o e
1
I = I o (e
qV
1) I L
IL
T=300 K
1200
800
AM 1.5 radiation
Relative luminous
Blackbody spectra 60
400
40
20
20 C
-30 C
0
1
1/ 4
2
G sc ro
sun =
r 2
s
80
1600
Wavelentgh (m)
10
0
50
IL
h+/e-
Juntura
Campo elctrico
n
h+/eh+/e-
IL
hv > Eg
Proceso de relajacin de
los electrones al borde de
la banda de conduccin.
Eg-Em
Procesos de recombinacin
IL
Prdidas por
reflexin
h+/e-
Juntura
Campo elctrico
n
h+/eh+/e-
IL
p
Prdidas por
transmisin
I = I o (e
qV
1) I L
I SC = I L
I
ISC=IL
Im
VOC
k I L
ln + 1
=
q Io
Pm = I mVm
Pm
Vm VOC
potencia maxima
=
potencia incidente
Factor de llenado o forma:
I mVm
FF =
I LVOC
I LVOC FF
=
Pin
Rs
V
ID
IL
I = I o (e
qV
LOAD
1) I L
IL
ID
Rp
RLOAD
I + I L V IRs q
+ 1 =
ln
V IRs )
(
I o Rp
I o
kT
Rs= 5
Rp= 100
I (mA)
Rs= 5
Rp=
Rs= 0
Rp= 100
Rs= 0
R p=
V (volts)
I = I o e
q
(V IRs )
kT
1 I L
Influencia de la temperatura:
disminucin de Voc
ligera disminucin de Isc
ligero aumento de IL
La variacin para las celdas de Si es de 0.04-0.06 % por
cada grado centgrado, y para las celdas de GaAs es de
0.02-0.03%.
kT
ln X
Voc = Voc1 +
q
Influencia de la iluminacin:
Aumento de la eficiencia seguida por una variacin
logartmica con la concentracin.
El crecimiento no puede ser indefinido debido a lmites
fsicos que en la prctica no se observan.
Para altas intensidades las cadas hmicas debidas a
resistencias en serie son las responsables del deterioro de la
eficiencia solar.