Escuela Superior Politcnica de Chimborazo. Electrnica II. Fajardo, Cristhian.

Diseo y clculo de disipadores de temperatura

para transistores y reguladores de potencia.
Fajardo, Cristhian.
cristhian.fajardo@espoch.edu.ec
Escuela Superior Politcnica de Chimborazo

AbstractThis document collects information about

temperature heatsinks and its design and calculation for
transistors and power regulators.
ndice de trminos conveccin, transistor, disipador,
regulador

I. INTRODUCCIN
Debido al tamao relativamente reducido de los transistores
y otros semiconductores de potencia, en general no son
capaces de disipar toda la potencia que producen sin calentarse
excesivamente, con el consiguiente riesgo de destruccin. Por
efecto Joule, cualquier cuerpo que conduce corriente elctrica
pierde parte de su energa en forma de calor. En los
semiconductores, este calor se genera en la unin PN y, si la
temperatura pasara de un lmite, provocara la fusin trmica
de la unin. Por este motivo es necesario acompaarlos de
algn elemento que facilite la eliminacin de esa potencia. Tal
es la funcin del disipador.
Al disear circuitos electrnicos de baja potencia, el
clculo trmico a menudo puede ser descuidado, pero si el
circuito se ocupa de ms potencia como en un amplificador de
potencia o en una fuente de alimentacin, una evaluacin
trmica es una necesidad.
Si los transistores de potencia (y los componentes de
potencia) no se enfran correctamente, se sobrecalentarn y, en
general, soplarn en pocos minutos (o incluso unos segundos).
Evaluar la potencia que se disipa en los transistores de
potencia es una historia larga y compleja que depende de la
configuracin del circuito y el modo de funcionamiento del
circuito.
II. DISIPADORES DE TEMPERATURA
Un disipador es un componente metlico generalmente de
aluminio que se utilizan para evitar que algunos dispositivos
electrnicos como, transistores bipolares, reguladores,
circuitos integrados etc. se calienten y se daen.
El calor que produce un dispositivo electrnico no se
transfiere con facilidad al exterior del mismo. En incontables
ocasiones esto produce daos en el propio componente y sus
accesorios deteriorando incluso la plaqueta donde est
montado el transistor. Por ese motivo es necesario dotar al
transistor de algn dispositivo que extraiga el calor producido.
Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada, hay
que mantener la temperatura de la juntura (chip) por debajo

del mximo indicado por el fabricante. Si se quiere mantener

la temperatura en un nivel seguro, deberemos evacuar al
exterior la energa calorfica generada en el chip. Para que se
produzca un flujo de energa calorfica de un punto a otro,
debe existir una diferencia de temperatura. El calor pasar del
punto ms caliente al ms fro, pero diferentes factores
dificultan dicho paso. A estos factores se les denomina,
resistencias trmicas para asimilarlas a las resistencias
elctricas.
La juntura es el lugar donde se genera el calor y se
encuentra localizada en la propia pastilla o chip. Se trata de
una zona muy pequea que puede alcanzar fcilmente los
150C, lo que suele llevar al transistor a su destruccin. De
modo que es muy importante mantener la unin mecnica
entre el chip y la cpsula (caja o carcasa del transistor) por
debajo del mximo y en lo posible con un muy buen margen.
La resistencia trmica entre el chip y la cpsula la suministra
el fabricante y depender del tipo de cpsula del dispositivo.
Es importante cuantificar sus lmites trmicos, para alcanzar
un funcionamiento aceptable en cuanto a confiabilidad. Este
lmite es determinado por la suma de las partes individuales
que consisten en una serie de subidas de temperatura de la
unin del semiconductor con relacin a la temperatura
ambiente. La figura 1 muestra la arquitectura de un circuito
integrado y sus componentes resistivos trmicos descritos.

Figura 1. Transistor o CI con encapsulado plstico para montaje

superficial

Los componentes que son metlicos, transfieren con ms

facilidad el calor que genera el chip, debido a que disponen de
una superficie mejor conductora del calor y por conveccin
dicho calor se transfiere al aire que los rodea. Al mismo
tiempo estos dispositivos nos permiten realizar un mejor
acoplamiento con otros elementos metlicos que a su vez
absorben calor y adems permiten una mayor superficie de
contacto con el aire que es el modo ms econmico de disipar
calor. [1]
III. LEY DE OHM TRMICA
Al igual que en los circuitos elctricos, se puede definir una
Ley de Ohm en los circuitos de flujo de calor. Pero antes

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identifiquemos los elementos trmicos equivalentes a sus

anlogos elctricos. As, el papel de la fuente de tensin
elctrica lo cumple el componente que genera el calor que se
desea evacuar. El papel de masa de un circuito elctrico lo
tiene el aire, que supondremos a una temperatura de unos
25C. La diferencia de tensin elctrica encuentra su
homlogo en la diferencia de temperatura. La potencia
generada en forma de calor en el componente tiene su
equivalente en la corriente elctrica entregada por la fuente de
tensin. Por ltimo, la resistencia elctrica tiene su reflejo en
la resistencia trmica medida en C/W (grados centgrados por
vatio). Con estos elementos podemos ya formular la Ley de
Ohm trmica:
=
: Temperatura mxima de la unin del elemento
semiconductor.
: Temperatura ambiente.
P: Potencia consumida por el componente.
: Resistencia trmica total entre la unin y el aire
ambiente.

V. CLCULO PARA LA ELECCIN DEL DISIPADOR

Llegados a la conclusin de que el disipador es necesario
tendremos que realizar un clculo que nos oriente sobre el
disipador que debemos usar. El diagrama del montaje
componente-disipador podra ser el siguiente:

Figura 2. Montaje componente-disipador.

Este montaje tiene el siguiente circuito trmico, o de flujo

de calor, asociado:

IV. NECESIDAD DE UN DISIPADOR

Supongamos que tenemos cierto componente de tipo
semiconductor
y queremos saber si necesitar o no un
disipador. Pues bien, deberemos empezar por buscar en su
hoja de caractersticas (datasheet) algunos datos. A saber,

Temperatura mxima de la unin (o las uniones), Tj.

Resistencia trmica entre la unin y el aire

circundante, Rth j-amb (o en su defecto la resistencia
trmica entre la unin y la cpsula del componente,
Rth j-c).
Conocidos estos parmetros, necesitaremos saber tambin la
potencia que va a estar disipando el componente, P, y la
temperatura ambiente de trabajo que estimemos oportuna, Ta
(digamos 35 40C). Pues bien, si conocemos Rth j-amb
podemos estimar la temperatura que alcanzara la unin (o
uniones) del componente, Tj estimada, de la siguiente forma:
=
= +
As, si Tj estimada > Tj o Tj estimada = Tj o Tj estimada <
Tj pero est peligrosamente cerca de esta ltima, debe de
colocarse un disipador que ayude al componente a evacuar el
calor. Qu ocurre si el fabricante proporciona Rth j-c en lugar
de Rth j-amb en el datasheet? En ese caso el fabricante
proporcionar tambin la potencia mxima disipable por el
componente, normalmente a 25C. Entonces Rth j-amb se
puede hallar mediante un simple clculo:
= ( + )

=

donde Ta es en este caso la temperatura para la que el

fabricante especifica la potencia mxima, Pmx. Entonces,
Rth j-amb se obtendra de la siguiente forma:
= +

Figura 3. Circuito trmico.

Donde,
Tj: temperatura de la unin semiconductora.
Ta: Temperatura del aire circundante.
Tc: Temperatura de la cpsula del transistor.
Td: Temperatura del disipador.
Rth j-c: Resistencia trmica entre la unin y la cpsula.
Rth c-d: Resistencia trmica entre la cpsula y el disipador.
Rth d-amb: Resistencia trmica entre el disipador y el aire.
P: Potencia disipada en forma de calor por el transistor.
Por la analoga con los circuitos elctricos se puede ver que
= + +
Con lo que la ley de ohm trmica podr expresarse as:
= ( + + )
Lo que se pretende hallar es Rth d-amb, debiendo de ser
conocidos el resto de parmetros (por el datasheet del
componente y por un clculo de la potencia que deba disipar
dicho componente). As, despejando de la Ley de Ohm
trmica el valor de Rth d-amb tendremos que:
=

( + )

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Por regla general, Rth c-d se puede tomar entre 0.5 y 1C/W
siempre y cuando la unin que se haga entre el componente y
el disipador sea directa (sin mica aislante) y con silicona
termoconductora. Si esta unin se efecta con mica y sin
silicona estaremos hablando de resistencias trmicas de
contacto entre 1 y 2C/W. Si necesitamos usar mica para aislar
tambin podemos aplicar silicona termoconductora, en cuyo
caso la resistencia estara comprendida entre 1 y 1.5C/W. [2]
VI. TRANSISTORES EN PARALELO.
Frecuentemente en etapas de salida de gran potencia es
necesario reemplazar el o los transistores de potencia por dos
o ms en paralelo debido a alguna de las siguientes causas:
a) Se excede la corriente de colector mxima del mayor
transistor disponible o econmicamente viable.
b) Se excede la potencia mxima de dicho transistor.
c) Aun cuando no se superan los lmites tericos de I y P
el disipador necesario es demasiado costoso o no existe
en el mercado
En los dos primeros casos se reparte la corriente y la
potencia en ms transistores, y en el tercero se desdobla
fsicamente el elemento productor de calor, facilitando la
disipacin. Si los transistores fueran idnticos, sera posible
una conexin en paralelo pura (figura 4a), uniendo entre s los
bornes homlogos, como se indica en la figura. En efecto al
tener exactamente las mismas caractersticas, las dos
corrientes de colector seran iguales y tambin las potencias.
La dificultad reside en que debido a la. Enorme dispersin de
parmetros, en especial , a iguales tensiones se tendrn
corrientes muy distintas, con lo cual uno de los transistores
estara sobrecargado.
La solucin a esto consiste en colocar en serie con cada
emisor una pequea resistencia ecualizadora (figura 4b). El
efecto de esta resistencia es enteramente similar al de la
resistencia de emisor de una polarizacin estabilizada: tiende a
independizar de los parmetros del transistor a travs de una
realimentacin serie-serie que muestrea precisamente . [3]

Figura 4. (a) Transistores en paralelo. (b) Transistores en paralelo

con el agregado de resistencias ecualizadoras.

VII. REFERENCIAS
[1]
[2]
[3]

Disipadores
[En
linea].
Disponible
en:
http://electronicacompleta.com/lecciones/disipadores/
Trujillo, F.D.; Pozo, A; Trivio, A (2011) Electrnica de Potencia.
Miyara, Federico, Disipacin de potencia. Ed 2. Rosario: Argentina,
2006, pp 17.