GENERALIDADES

TRANSISTORES BIPOLARES NPN Y PNP

Es un componente semiconductor que

tiene tres terminales

BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR (c)

Internamente est formado por un

cristal que contiene una regin P entre

dos N (transistor NPN)

O una regin N entre dos regiones P,

(transistor PNP )

La diferencia que hay entre un

transistor NPN y otro PNP radica en la

polaridad de sus electrodos

Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o

sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital
como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est
formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente

dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de
carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al
colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de
corte, estado de saturacin y estado de actividad.

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales

las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.

Los transistores NPN consisten en una capa de material

semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del

emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P"
y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material

semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta
en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

El smbolo de un transistor PNP. El smbolo de un transistor NPN.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones

operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en

la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la
regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en

modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son
diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no
hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente

mxima,(Ic = Ie = I maxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)