UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. FACULTAD DE INGENIERIA.

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA

Y ELECTRONICA 1

Practica 7. El Transistor Mosfet: Aplicacion en

circuitos digitales y caracterizacion
Andres Felipe Cometa Torres, Ingeniera Electrica, afcometat@unal.edu.co;
Paula Andrea Mozuca Tamayo, Ingeniera Mecatronica, pamozucat@unal.edu.co; Camilo Alberto Pinzon
Quintero, Ingeniera Mecatronica, capinzonq@unal.edu.co

ResumenThis report presents the results obtained from
the verification of the n-channel MOSFET transistor operation,
using an inverter circuit, a NOR gate and a NAND gate. Also
theres calculated the resistance value for the two states of the
transistor (ON and OFF) to the inverter digital circuit, using the
measurements obtained during the practice and founding the
transfer curve of the same. Finally, the characterization of the
n-channel MOSFET is performed on a circuit such as a current
source transistor from the data obtained in practice. During this
part, is measured the threshold voltage and transconductance
parameters of the CD4007 n-channel MOSFET chip, which is
the CI used during all the practice.
Index TermsTransistor, MOSFET, amplifier, current source,
threshold voltage, transconductance, logic gate.
transistores son los mas comunes e importantes actualmente.
[1]
II-B. MOSFET de canal n del tipo enriquecimiento
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos
transistores pueden ser de enriquecimiento (enhancement) o
agotamiento (deplexion); en la actualidad los segundos estan
practicamente en desuso y aqu u nicamente seran descritos los
MOS de enriquecimiento. En la figura 1 indica los diferentes
smbolos utilizados para describir los transistores MOS. [2]

I.
I NTRODUCCI ON

L Os MOSFET de canal-n de enriquecimiento son los

transistores mas usados en la actualidad y sus funciones
principales son como interruptores, resistencias variables o
amplificadores y con estas funciones se tiene una gran di-
versidad de aplicaciones en la electronica actual, una de las
aplicaciones de los MOSFET es la construccion de circuitos
de compuertas logicas mediante la aplicacion de dos valores
de voltaje de compuerta a fuente (VGS) generalmente cero y
cinco voltios, actuando como valores logicos cero y uno, las
compuertas son la base esencial de cualquier circuito digital
y tienen aplicaciones en audio, video, control entre otras; por
lo cual es bastante u til conocer el como se pueden construir
estos circuitos a partir de transistores MOSFET y su respectivo
funcionamiento as como la debida caracterizacion de este tipo
de transistores.
II.
M ARCO T E ORICO
II-A. El Mosfet
El Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor de
Oxido (MOSFET) es, en la actualidad, el mas popular de
los transistores de efecto de campo (FET). Estos tipos de
transistores MOS pueden ser muy pequenos (es decir, ocupan
una pequena a rea de silicio de chip o IC) y su proceso de
manufactura es relativamente sencillo. Ademas, las dunciones
de logica digital y memoria se pueden ejecutar con circuitos
que utilizan solo MOSFET. La tecnologa MOS se ha apli-
cado en gran medida en el diseno de circuitos analogicos
integrados y en circuitos integrados que combinan circuitos
tanto analogicos como digitales. En el presente informe se
utilizaron MOSFET de tipo de enriquecimiento canal n. Estos
Figura 1. Smbolos de transistores NMOS y PMOS. [2]
En la Figura 2 se describe la estructura fsica de un
MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drena-
dor fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra
conectado a la fuente. La puerta, cuya dimension es W.L, esta
separado del substrato por un dielectrico (Si02 ) formando una
estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar
una tension positiva en la puerta se induce cargas negativas
(capa de inversion) en la superficie del substrato y se crea
un camino de conduccion entre los terminales drenador y
fuente. La tension mnima para crear esa capa de inversion
se denomina tension umbral o tension de threshold (VT ) y es
un parametro caracterstico del transistor. Si la VGS < VT , la
corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta
tension son de de 0,5 V a 3 V . [2]
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura
fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy
similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operacion: corte, lineal, saturacion y
ruptura. En la Figura 3 se muestran las curvas de caractersticas
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Y ELECTRONICA 2

Figura 2. Estructura fsica de un transistor NMOS. [2]

Figura 4. Circuitos digitales correspondientes a compuertas basicas

comunmente utilizadas en electronica.

Figura 3. Curvas de caractersticas de un NMOS.

Ley de corriente de Kirchhoff (LCK)
N
X
electricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones in = 0 (2)
n=1
de operacion que son descritas brevemente a continuacion. [2]
II-B1. Region de corte: Se verifica que VGS < VT y la Ley de tension de Kirchhoff (LVK)
corriente ID es nula. M
X
II-B2. Region Triodo: El transistor se comporta como un vm = 0 (3)
elemento resistivo no lineal controlado por tension. Verifica la m=1
siguiente ecuacion Constante de forma del MOSFET
1 W
iD = Kn [VOV vDS ]vDS Kn = Kn0 (4)
2 L
donde VOV = VGS Vt . Un parametro caracterstico del Ecuacion del MOSFET en la Region Triodo
MOS que depende de la tecnologa a traves de la constante 1
Kn = Kn0 W L la cual depende del tama no de la puerta del iD = Kn [VOV vDS ]vDS (5)
2
transistor (W la anchura y L la longitud) y de algunas
constantes de la fsica del semiconductor. Para que el transistor Valido para 0 < VDS < VOV y VGS > Vt .
opere en esta region, es necesario que 0 < VDS < VOV y que
VGS > Vt . [2] Ecuacion del MOSFET en la Region saturacion
II-B3. Region saturacion: El transistor se comporta como 1 2
iD = Kn VOV (6)
una fuente de corriente controlada por la tension VGS. Verifica 2
la siguiente ecuacion Valido para 0 < VDS < VOV y VGS > Vt .
1 2
iD = Kn VOV Inmunidad al ruido: margen de ruido [3]
2
donde VOV = VGS Vt . En esta region, la relacion VN H = VOH(min) VIH(min) (7)
cuadratica entre VGS e iD se representa en la grafica de
la izquierda de la Figura 3, y de una manera similar a los VN L = VIL(max) VOL(max) (8)
transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por
metodos graficos el punto de polarizacion de los transistores IV.
R ESULTADOS DE LA PR ACTICA
aunque rara vez se recurre a ellos. IV-A. 3.1 El MOSFET como un Switch Modelo S
Para que el transistor opere en esta region, es necesario que IV-A1. Previo al da de la practica: Se propone identificar
0 < VOV < VDS y que VGS > Vt . [2] las tablas de verdad de los circuitos digitales observados en la
II-B4. Region de ruptura: Un transistor MOS puede verse Figura 4. El Cuadro I muestra los resultados. Cabe mencionar
afectado por fenomenos de avalancha en los terminales drena- que los circuitos corresponden a las Compuertas NOT (o
dor y fuente, y roturas en la capa de oxido fino de la puerta inversora) y NOR.
que pueden danar irreversiblemente al dispositivo.[2] En segundo lugar, se pide identificar el circuito y el nombre
de la compuerta logica correspondiente a la tabla de verdad
III. CTICA
C ALCULOS NECESARIOS DURANTE LA PR A del Cuadro II. La compuerta correspondiente es la NAND. La
Ley de Ohm: Figura 5 nos muestra el proceso de union de las compuertas
V =I R (1) AND y NOT para darnos como resultado la compuerta NAND.
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Y ELECTRONICA 3

Cuadro I
TABLA DE VERDAD CORRESPONDIENTE A LOS CIRCUITOS DE LA F IGURA
4.

Compuerta NOT Compuerta NOR

Entrada Salida Entrada Salida
A B A B C
0 1 0 0 1
1 0 0 1 0
1 0 0
1 1 0

Cuadro II
TABLA DE VERDAD CORRESPONDIENTE A UNA COMPUERTA ESPECI FICA

DE ELECTR ONICA DIGITAL .

A B C Figura 6. Circuito correspondiente a la compuerta NAND. [5]

0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

Ademas, la Figura 6 nos muestra el circuito correspondiente.

[4]
Posteriormente, se muestran los dos circuitos basicos de
la electronica digital restantes, los cuales son la compuerta
AND y OR. En las Figuras 7 y 8 podemos observar el
circuito, la tabla de verdad, y el smbolo correspondiente a
estas compuertas.
Para finalizar se encuentra que el circuito inversor MOSFET
es el primero que se observa en la Figura 4. En el Cuadro
III se observan los datos que se obtienen del Datasheet Figura 7. Circuito, smbolo y tabla de la compuerta OR. [5]
correspondiente al MOSFET utilizado [6]. Cabe resaltar que
para el caso del VIL y el VIH , los valores obtenidos en el
Datasheet eran de VN L y el VN H , que corresponden al margen
Para el primer circuito de la Figura 4 se tiene:
de ruido del MOSFET. Con las Ecuaciones 7 y 8 se llegaron
a los valores requeridos. (5 0,4) V
R= = 4,6 k
Se realizan los calculos de la resistencia R para los circuitos 1 mA
de la Figura 4 y 6. Se tiene en cuenta que, segun el Datasheet V alor normalizado = 4,7 k
[6], en el MOSFET tipo N al aplicar un VDD en el Gate de
+5 V y un voltaje en el Drain de VDS = 0,4 V (tomando el Para el segundo circuito de la Figura 4 se realiza el mismo
Source como tierra), la corriente que circula por el transistor procedimiento:
es de 1,0, mA. (5 0,4) V
R= = 2,3 k
2 mA
V alor normalizado = 2,4 k

Figura 5. Smbolo de la compuerta NAND. [4] Figura 8. Circuito, smbolo y tabla de la compuerta AND. [5]
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Y ELECTRONICA 4

Cuadro III
DATOS DEL DATASHEET CORRESPONDIENTE AL CI CD4007C. [6]

CD4007C (Unidades en Volts)

VOL VOH VIL VIH
0 5.5 5.85 -1.3

Cuadro IV

R ESULTADOS PARA CIRCUITOS DE COMPUERTAS L OGICAS (U NIDADES EN
VOLTS ).

Circuito Inversor Compuerta NOR Compuerta NAND

Entrada Salida Entrada Salida Entrada Salida
V. Carga
A B A B C A B C
0 2 2.93 0 0 2 0 0 2.36
5 0.475 4.6 0 5 0.51 0 5 2.31
5 0 0.56 5 0 2.2
5 5 0.43 5 5 0.85

Figura 9. Circuito, smbolo y tabla de la compuerta AND. [5]

Finalmente, para el circuito de la Figura 6:

(5 0,4 0,4) V
R= = 4,2 k Por lo tanto ID sera grande.
1 mA
Como cambia la curva iD vs. vDS con respecto a la
V alor normalizado = 4,3 k suposicion del MOSFET como circuito abierto o corto?
IV-A2. El da de la practica: En primer lugar, se realiza Idealmente, se tiene que cuando el MOSFET es circuito
el montaje de los circuitos anteriormente mencionados y se abierto, ROF F = , y tendra una corriente de 0 A sin
comprueba su funcionamiento. Los resultados se presentan en importar el voltaje DS que se le aplique. A su vez, cuando se
el Cuadro IV. toma como corto circuito, se tiene que RON = 0 y el voltaje
En segundo lugar, se comprueban los valores de VOL , VOH , DS sera siempre 0 V y circulara libremente la corriente.
VIL y VIH que se tomaron del Datasheet. Los valores se En cambio, en la practica, si se toman los valores de
observan en el Cuadro V. ROF F = 5 M y RON = 40 , se va a tener que en cada
caso la curva de transferencia del dispositivo va a ser una
Cuadro V recta con pendiente 1/ROF F y RON respectivamente, lo cual
DATOS OBTENIDOS PARA EL CI CD4007C. difiere del comportamiento ideal aunque no es una variacion
muy considerable.
CD4007C (Unidades en Volts)
VOL VOH VIL VIH Cuales son los valores lmites de VDS para los cuales
0.002 5.1 0 10.5 se observa el comportamiento lineal (Region Triodo) en el
MOSFET? Para que el MOSFET tipo N de enriquecimiento
Finalmente, se miden valores de VDD vs. VO para dos se comporte en la region triodo, se tiene que cumplir con las
diferentes voltajes aplicados en el Gate, y se traza la curva siguientes condiciones:
de transferencia del Mosfet como inversor. Los datos se
encuentran en el Cuadro VI y las curvas se aprecia en el Figura VDS < VGS Vt
9.
Cuadro VI
IV-B. 3.2 El MOSFET en la region triodo Modelo SR R ESULTADOS CURVA DE TRANSFERENCIA DEL MOSFET COMO
INVERSOR .
IV-B1. Previo al da de la practica: Se realiza el analisis
del primer circuito de la Figura 4, que hace referencia el VGS = 0 V VGS = 5 V
circuito MOSFET inversor. Para el analisis, se utiliza el VDD (V ) VO (V ) VDD (V ) VO (V )
0.0 0.0 0.0 0.00
modelo de transistor mas resistencia, la cual tiene un valor 0.5 0.2 0.5 0.048
de RON = 40 cuando esta conduciendo, y ROF F = 5 M 1.0 0.4 1.0 0.090
cuando no lo esta haciendo. 1.5 0.6 1.5 0.135
2.0 0.8 2.0 0.181
En primer lugar se tiene que VGS = 0, por lo que se tiene 2.5 1.0 2.5 0.226
que 3.0 1.2 3.0 0.271
5 M 3.5 1.4 3.5 0.321
VB = 5 V 4.0 1.6 4.0 0.370
5 M + R
4.5 1.9 4.5 0.421
Por lo tanto ID sera pequena. 5.0 2.0 5.0 0.477
Posteriormente se tiene que VGS > 0, por lo que se tiene 5.5 2.3 5.5 0.531
que 6.0 2.5 6.0 0.585
6.5 2.7 6.5 0.637
40
VB = 5 V 7.0 2.9 7.0 0.700
40 + R
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Cuadro VII
R ESULTADOS M ODELO SR TRANSISTOR MOSFET.
VGS = 0 V VGS = 5 V
VDS (V ) ID (mA) ROF F VDS (V ) ID (mA)
2.048 0.64 3.2 k 0.464 0.98
Figura 10. Circuito analizado en la tercera parte de la practica.
VGS > Vt
IV-B2. El da de la practica: Se realizaron mediciones
para encontrar el RON y ROF F del transistor. Cabe resaltar
que el valor de la resistencia R es la misma obtenida en el
apartado IV A1. En las mediciones se aplico un VDD = 5 V ,
y para las dos condiciones en el Gate (VGS = 0 o 5 V ), se
midio el VDS y el ID . Finalmente, para cada uno de estos
casos se calculo el valor de la resistencia. Los resultados se
pueden ver en el Cuadro VII.
Finalmente, se quita la resistencia del Drain y se encuentra
que al aplicar un VDS = 5 V , el voltaje VGS al cual el
transistor entra en zona de saturacion es de 0,7 V , en el que
circula una corriente de 0,51 mA por el mismo.
IV-C. El MOSFET como fuente de corriente Modelo
SCS(Switch Current Source)
IV-C1. Previo al da de la practica: Se responden las
preguntas sugeridas para el circuito de la Figura 10.
Que funcion cumple la fuente triangular? Puedo
cambiarla por otra forma de onda?
La funcion triangular cumple con la labor de generar
variaciones lineales en la senal controlada (vDS ), lo que
permite una mejor caracterizacion del elemento. A pesar de
ser una senal alterna, e sta es rectificada y permite apreciar el
comportamiento en D.C. del MOSFET.
Se puede reemplazar por una senal sinusoidal, aunque las
variaciones de voltaje no seran completamente lineales. En
cambio, si se coloca una senal cuadrada, no se podra apreciar
el comportamiento, pues solo se trabajara en estado ON/OFF.
Que hace el diodo en este ciruito?
Cumple con ser un rectificador de media onda de la senal
A.C. de entrada (la senal triangular). Como se tiene un
MOSFET de enriquecimiento, solo se trabaja con voltajes
positivos en el Drain. El diodo transforma la senal alterna
en una D.C. positiva que se requiere en el Drain.
Y ELECTRONICA 5
RON
47
Figura 11. Grafica ID vs. VDS .
Puedo calcular el VDS e ID a partir de las mediciones?
Si. En el Ch1 se puede medir el VDS , y en el Ch2 se
puede medir el voltaje en la resistencia de 100 , por lo que
la corriente vendra siendo
VR
iD =
100
Que funcion cumple el potenciometro en el terminal del
Gate? Cumple con la funcion de controlar la compuerta, es
decir la variacion en la senal de control. Fsicamente, controla
el ancho del canal N formado en el MOSFET.
IV-C2. El da de la practica: Para cada una de las
graficas presentadas en e sta seccion, el osciloscopio se en-
contraba configurado para mostrar 1 V /division en el eje x,
y 0,2 V /division en el eje y.
En primer lugar, en la figura 11 se aprecia la grafica
ID vs. VDS obtenida en el osciloscopio. La grafica es la
esperada, de acuerdo a la teora estudiada previamente. Vale
la pena aclarar que el diseno de circuito presentado en la
gua de laboratorio no funcionaba correctamente, ya que la
resistencia de 100 no funciona efectivamente si se coloca
de la manera indicada. Mas bien, se debio entre el terminal
Source del MOSFET y la tierra.
Posteriormente, se encontro que el voltaje de umbral del
MOSFET (Vt ) fue de 1,8 V , a partir del cual comienza a fluir
la corriente por el Drain-Source. Posteriormente se presentan
cinco graficas de ID vs. VDS en el osciloscopio, variando el
valor de la resistencia variable (que a su vez modifica el
VGS . En el Cuadro VIII se aprecian las varaiciones de la
resistencia y el valor de VGS correspondiente. Las Figuras
12 a 16 presentan las graficas obtenidas.
Cuadro VIII
M Y CAPTION
Grafica Resistencia () VGS (V )
1 8.350 0
2 4.689 6.42
3 3.146 9.04
4 1.802 11.35
5 03530 13.59
En cuarto lugar, se realizo el calculo de la constante Kn de
la Ecuacion 4. Para ello, se utilizaron los datos de la region
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Figura 12. Grafica 1.
Figura 13. Grafica 2.
triodo y se utilizo la Ecuacion 5. A su vez, se utilizaron
los valores obtenidos en las Figuras 13 a 16 para calcular
la constante con la Ecuacion 6 de la region de saturacion.
Utilizando todos e stos valores se calculo un promedio. El
resultado obtenido fue
Kn = 0,330 mA/V 2
Finalmente, se midio el valor de la resistencia lineal del
MOSFET en la region triodo (RDS ). Para ello, se aplico un
VDS = 2,8 V y un VGS = 5,05 V (lo que equivale a un
VOV = 3,2 V ). Para esa situacion, se midio una corriente a
Figura 14. Grafica 3.
Y ELECTRONICA 6
Figura 15. Grafica 4.
Figura 16. Grafica 5.
traves del transistor de ID = 2,39 mA. Por lo tanto, el valor
de la resistencia lineal es
VDS 2,8 V
RDS = = = 1171,55
ID 2,39 mA
V.
A N ALISIS DE R ESULTADOS
El transistor MOSFET puede ser utilizado como un switch
y ademas al conectar varios de ellos se puede conseguir una
configuracion de compuertas logicas, al tomar las respectivas
mediciones en el circuito montado en el protoboard podemos
ver que tanto para la compuerta NOR como la NAND se
obtienen valores de estado 1 o 0 como se predijo en las
tablas de verdad, siendo el 1 un voltaje que vara entre 2 V
y 2,3 V , y el 0 toma valores entre 0,4 V y 0,85 V . Ademas,
se pudo observar que para la caracterizacion del MOSFET,
con un VGS de 0 V , se tiene con un voltaje VDD = 7,0 V un
voltaje VO de 2,7 V , con una curva de transferencia que vara
linealmente. Para un voltaje de VGS de 5 V se obtuvo que con
un VDD = 7,0 V hay un voltaje VO de 0,7 V , se puede ver
que el VO es aproximadamente la decima parte del VDD .
Al polarizar el diodo en zona de triodo aparecen las op-
ciones de que actue como un circuito abierto o un corto. Al
disenar los circuitos, se tiene que para obtener una corriente
pequena (0,7 mA) se deba tener un VGS mayor a 0 V y por
el contrario, para obtener una corriente alta, el VGS deba ser
0 V . Cuando se toma los valores en el laboratorio y se hacen
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Y ELECTRONICA 7

los calculos necesarios se tiene que con un VGS = 0 V la

ROF F es de 3,2 k que es mucho mas elevada con respecto a
la RON de 47 encontrada con un VGS de 5 V . Finalmente se
quera obtener un VDS de 5 V , esto permite tener el voltaje de
entrada a la zona de saturacion equivalente a 0,7 V , el circuito
se satura en 0,51 mA.
Finalmente, la caracterizacion del MOSFET, siendo este
utilizado como una fuente de corriente, permite observar que a
pesar de que el valor de la carga vare, la corriente ID no vara
en gran magnitud (en cuestion de 0,03 mA), por el contrario,
el VGS si cambia en mayor magnitud. Ademas, al realizar
los calculos necesarios se obtiene que la resistencia RDS del
MOSFET utilizado durante la practica es de 1171,55 .

VI. C ONCLUSIONES
Los transistores MOSFET tienen la capacidad de trabajar
en diversas formas, dependiendo de la zona de operacion
donde e ste sea polarizado, puede actuar tanto como un
switch hasta como una fuente de corriente.
Al polarizar el MOSFET en la zona de triodo, se puede
ver que al utilizarlo como circuito cerrado se aleja de la
idealidad en una gran manera, debido a que presenta una
resistencia relativamente alta, equivalente a 40 .
El ruido en las entradas del transistor MOSFET, entre un
rango establecido por el fabricante, puede pasar casi que
desapercibido durante el trabajo.

R EFERENCIAS
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