ESCOLA TCNICA

SANDRA SILVA
[GUIA DE ESTUDO DE ELETRNICA I]

[Este guia tem o propsito de orientar ao aluno a ter noes bsica de eletrnica I como disposi-
tivo diodo, led, diodo zener e outros e seus empregos no circuito eletrnico]

2-1
5/8/2013
 INDICE

CAPTULO 1 - DIODOS
1.1 Estrutura Bsica dos diodos semicondutores.......................................................... 1-4
1.2 - Estrutura da Juno PN........................................................................................... 1-7
1.3 Funcionamento da juno PN................................................................................. 1-10
1.4 Diodo Zener........................................................................................................... 1-18
1.5 Curvas Caractersticas............................................................................................. 1-20
1.6 Diodo Emissor de Luz LED................................................................................ 1-21

CAPTULO 2 FONTES DE ALIMENTAO

2.1 Finalidade............................................................................................................... 2-1

2.2 Diagrama em Bloco................................................................................................ 2-1
2.3 Circuitos Retificadores........................................................................................... 2-2
2.4 Circuitos de Filtro .................................................................................................. 2-6
2.5 Circuitos Reguladores a Zener e a Circuitos integrados da Srie 78XX, 79XX &
LM .................................................................................................................................. 2-14
Bibliografia...................................................................................................................... 2-25

1-2
 INTRODUO

1 - PROPSITO
Este guia de estudo foi elaborada com o propsito de apresentar aos alunos dos cursos de
eletrnica, eletricidade, telecomunicaes, os contedos da disciplina ELETRNICA I.

2 - DESCRIO
Esta publicao est dividida em dois captulos. No captulo 1, so estudadas as estruturas
bsicas dos diodos semicondutores e no captulo 2, as fontes de alimentao.

3 - AUTORIA E EDIO
Este guia de autoria professor Carlos Patrcio.
4 - DIREITOS DE EDIO
No h direitos de edio pode ser distribudos como meio de consulta e aprendizado.

1-3
 CAPTULO 1
DIODOS
1.1 - ESTRUTURA BSICA DOS DIODOS SEMICONDUTORES
1.1.1 - Estrutura da matria
Matria tudo aquilo que tem massa e ocupa lugar no espao.
Ela constituda por substncias que so definidas segundo algumas propriedades. Os
estados slidos, lquido e gasoso em que encontramos certas substncias so exemplos
de propriedades fsicas da matria. A matria pode ser composta por um s tipo de
elemento, por dois ou mais tipos.
a) Elementos
So substncias encontradas na natureza e que diferem uns dos outros em funo de
sua constituio atmica. Existem na natureza cerca de 92 elementos qumicos,
exemplificando o hidrognio, o cobre, os silcios, etc; e outros que foram criados em
laboratrios.
Qualquer substncia pode ser dividida em partes cada vez menores at chegar a me-
nor, que conhecida como molcula.
b) Molcula
a menor parte de uma substncia que ainda conserva todas as suas caractersticas.
Exemplo: a molcula da gua formada por dois tomos de hidrognio e um de
oxignio (H2O).
1.1.2 - Constituio do tomo
tomo a menor parte em que podemos dividir uma substncia simples, sem que ela
perca todas as suas caractersticas. Os tomos se combinam e formam as molculas das
substncias.
O tomo formado por um ncleo, onde se encontram os prtons e os nutrons, situ-
ados ao redor do ncleo ficam os eltrons.
a) Eltron
uma pequena partcula carregada negativamente, que gira em grande velocidade
ao redor do ncleo do tomo.
b) Prton
Faz parte do ncleo, possui carga eltrica positiva de mesmo valor absoluto que o
eltron e massa 1.836 vezes maior.

1-4
 c) Nutron
Faz parte do ncleo, no possui carga eltrica e sua massa aproximadamente igual
a do prton.
O tomo, em seu estado natural, eletricamente neutro, ou seja, o n de prtons
igual ao de eltrons.

Eltrons
Ncleo

Figura - 1.1 - Constituio do tomo.

1.1.3 - Camadas de valncia

Os eltrons giram em torno do ncleo em diversas camadas. A partir da mais interna
so chamadas: K, L, M, N, O, P e Q.
Em cada camada existe um nmero mximo de eltrons permitidos. Para sabermos o
nmero mximo de eltrons at a quarta camada, basta aplicar a seguinte frmula: n de
eltrons = 2 x n2 ; onde n o nmero da camada.
a) Camada saturada
Quando a camada possui o nmero mximo de eltrons permitidos.
b) Camada de valncia
a camada mais distante do ncleo, e dela dependem as propriedades eltricas do
tomo. Os eltrons da camada mais prxima do ncleo esto mais rigidamente liga-
dos ao ncleo.
medida que vamos afastando do ncleo, os eltrons vo ficando mais fracamente
ligados ao mesmo e, por isso, os eltrons da camada externa (camada de valncia)
possuem maior facilidade de se liberarem.
A camada de valncia mais estvel aquela que possui 8 eltrons.
Exemplos:
Cloro: K = 2; L = 8; M = 7. (M a camada de valncia).
Silcio: K = 2; L = 8; M = 4.
Germnio: K = 2; L = 8; M = 18; N = 4. (N a camada de valncia).

1-5
1.1.4 - Condutores, isolantes e semicondutores.
a) Condutores
So caracterizados pelo fato dos eltrons de valncia estar fracamente ligados ao n-
cleo do tomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. Os corpos condutores
apresentam baixa resistncia passagem da corrente eltrica. Ex.: prata, cobre, alu-
mnio, ouro, etc.
Percebemos bem isso quando olhamos a estrutura atmica do cobre, onde vemos um
eltron de valncia numa rbita muito grande em torno da parte central. Ento o n-
cleo exerce uma fora de atrao muito pequena, ocasionando um fcil desprendi-
mento deste eltron de valncia.

+29

Figura 1.2 tomo de cobre.

b) Isolantes
So corpos que apresentam alta resistncia passagem da corrente eltrica, pois os
eltrons de valncia dos seus tomos esto rigidamente ligados ao ncleo. Ex.: bor-
racha, mica, porcelana, etc. Os isolantes so elementos de valncia 8, ou seja, pos-
suem 8 eltrons na camada de valncia.
c) Semicondutores
So elementos cuja resistncia situa-se entre as dos condutores e as do isolantes.
Ex.: germnio e silcio. Um semicondutor um elemento de valncia 4.
Observamos ento que os condutores so elementos de valncia 1, os semiconduto-
res de valncia 4 e isolantes de valncia 8. Os semicondutores esto em condutibili-
dade entre os isolantes e condutores.

1-6
1.2 - ESTRUTURA DA JUNO PN
1.2.1 - Substncia cristalina
toda substncia onde os tomos se posicionam no espao formando uma estrutura or-
denada. Quando tomos de silcio, por exemplo, se combinam para formar um slido,
eles so arranjados segundo um padro ordenado chamado cristal.
1.2.2 - Ligao covalente
Os tomos procuram atingir a sua situao mais estvel (oito eltrons na camada de va-
lncia). Como o material semicondutor possui apenas quatro eltrons nessa camada,
eles se combinam com outros tomos para que se complete oito eltrons. A ligao
chamada covalente porque o semicondutor recebe eltrons ao mesmo tempo em que
empresta os seus prprios eltrons para o tomo usado na ligao.
1.2.3 - Estrutura covalente
a estrutura formada por ligao covalente. Neste tipo de estrutura, ao aplicarmos uma
tenso, no resultar numa corrente, pois os eltrons acham-se presos ligao de va-
lncia, no havendo, por conseguinte, eltrons livres para a conduo.
Para que haja circulao de corrente teremos de romper as ligaes covalentes median-
te a aplicao de energia suficiente para tal. Essa energia pode ser em forma de luz, ca-
lor, etc.
1.2.4 - Formao de buracos ou lacunas
Com o rompimento da ligao covalente, ocorre a liberao de eltrons e o espao va-
zio (buraco) deixado pela liberao comporta-se como uma carga positiva mvel. Su-
ponhamos uma estrutura cristalina sobre a qual aplicamos uma diferena de potencial
(ddp):
A
Eltrons
Neg. Pos.
Lacunas

Figura 1.3 Fluxo de Eltrons no Material

1-7
 Cada eltron retirado do material pelo polo positivo da bateria ocasionar a formao
de uma lacuna, porm, o polo negativo da bateria se encarregar de repor um outro el-
tron nessa lacuna.
Notamos na figura que um eltron passou a ocupar a lacuna originada pelo eltron atra-
do, porm ao deslocar-se em seu antigo lugar, uma nova lacuna e, por este mecanismo,
teremos duas circulaes de corrente dentro do material, uma de portadores positivos
(buracos) e outra de portadores negativos (eltrons). O buraco apresenta carga igual a
do eltron, porm com polaridade oposta.
A energia necessria para quebrar a ligao covalente do germnio de 0,2V a 0,3V e
do silcio de 0,6V a 0,7V.
A zero grau Kelvin (- 273C) as ligaes covalentes ficam intactas e o cristal se com-
porta como isolante.
1.2.5 - Conceitos fundamentais
a) Semicondutor intrnseco
o cristal semicondutor puro, isto , sem impurezas.
Os corpos bsicos empregados na construo de semicondutores so o germnio e o
silcio. Esses cristais em estado puro so excelentes isolantes, porque a estrutura
cristalina mantm, convenientemente, em seu lugar, todos os eltrons externos, for-
mando uma unio covalente, que como se o ncleo enxergasse, na rbita exter-
na, oito eltrons, apesar de esses cristais serem tetravalentes (quatro eltrons na l-
tima camada).
O corpo cristalino puro impede que a corrente eltrica circule por ele, e desta forma,
o germnio e o silcio tm que ser modificados em sua estrutura, para que seja pos-
svel que a circulao de corrente se d de maneira controlvel.
b) Dopagem
Processo de introduzir impurezas (doadoras ou receptoras de eltrons) em um cristal
semicondutor.
c) Elemento trivalente
todo elemento que possui na sua camada de valncia um total de trs eltrons.
Exemplos: boro, alumnio, glio, ndio e tlio (grupo 3A da tabela peridica).
d) Elemento pentavalente
todo elemento que possui em sua camada de valncia um total de cinco eltrons.
Exemplos: antimnio, fsforo, arsnico, etc (grupo 5A).

1-8
1.2.6 - Formao do material tipo N
O semicondutor tipo N aquele que se obtm adicionando (dopando) ao cristal puro,
tomos com cinco eltrons na camada de valncia (tomos pentavalentes).
O tipo de semicondutor assim tratado recebe a denominao de tipo N porque um dos
eltrons adicionado ao tomo no consegue se ligar firmemente na estrutura do cristal,
podendo ser facilmente deslocado do material.
Como essas impurezas fornecem (doam) eltrons, elas so chamadas de impurezas do-
adoras ou impurezas tipo N.
A corrente circulante neste tipo de material consiste de excesso de partculas negativas,
da chamar-se corrente de eltrons.

Ge Ge Ge Si
ou ou ou
Si Si Si

Eltron
Ge Ge
ou AS ou Si P Si
Si Si

Ge Ge Ge
ou ou ou
Si Si Si Si

Figura 1.4 Material semicondutor dopado com fsforo (semicondutor tipo N).

1.2.7 - Formao do material tipo P

Semicondutor tipo P aquele que se obtm adicionando-se ao cristal puro, tomos com
trs eltrons na camada de valncia (tomos trivalentes).
Essa ligao covalente ficar incompleta, uma vez que o tomo do semicondutor tem
quatro eltrons e o da impureza trivalente trs eltrons na camada de valncia.
Esse semicondutor recebe a denominao de tipo P porque um dos tomos a ele adici-
onado causou uma falta de eltron na estrutura do cristal o qual, facilmente aprisionar
um eltron.
Essas impurezas trivalentes que do origem a buracos na rede cristalina so chamadas
impurezas aceitadoras ou impurezas tipo P.
A corrente circulante neste tipo de material deve-se a deficincia de eltrons, da cha-
mar-se lacunas (buracos).

1-9
 Ge Ge Ge Si
ou ou ou
Si Si Si
Buraco
Ge Ge
ou Ga ou
Si Si Si Al Si

Ge Ge Ge
ou ou ou
Si Si Si

Si

Figura - 1.5 - Material semicondutor dopado com alumnio (semicondutor tipo P).

1.3 - FUNCIONAMENTO DA JUNO PN

1.3.1 - Fluxo de corrente nos semicondutores
a) Fluxo de corrente no semicondutor tipo N
Se aplicarmos uma bateria em um material tipo N haver um fluxo de eltrons livres
atravs do material em direo ao potencial positivo da bateria.
Podemos afirmar que os eltrons livres so os responsveis pela conduo extrnse-
ca e os buracos pela conduo intrnseca. Os eltrons so portadores majoritrios e
os buracos portadores minoritrios.

Semicondutor fluxo de eltrons

tipo N fluxo de buracos

Figura - 1.6 - Fluxo de corrente

1-10
 b) Fluxo de corrente no semicondutor tipo P
Se aplicarmos uma bateria em um material tipo P, haver um fluxo de buracos atravs
do material em direo ao polo negativo da bateria.
No cristal tipo P, os buracos so os portadores majoritrios e os eltrons so os porta-
dores minoritrios. A quantidade de portadores minoritrios est diretamente ligada
execuo externa tal como calor e luz.

Semicondutor tipo P

Figura - 1.7 - Fluxo de corrente

1.3.2 - Princpio de funcionamento dos diodos semicondutores
Por si s, um pedao de semicondutor tipo N tem a mesma utilidade um resistor de car-
bono; o mesmo pode ser dito do semicondutor tipo P. Mas quando um fabricante dopa
um cristal de modo que metade dele seja tipo P e a outra metade tipo seja tipo N, aconte-
ce um fato novo.
Supondo-se um cristal de germnio ou silcio no qual, por um processo qualquer, foi fei-
ta uma dopagem diferente em duas regies:

Juno PN

O eltron tomo tomo

atrado doador aceitador
(difundido)

N P N P N P

Figura - 1.8 - Funcionamento Dos Diodos Semicondutores

1-11
Do lado N haver muitos eltrons livres, ao passo que do lado P existiro buracos , como
consequncia, haver um processo de difuso entre os eltrons e os buracos.

on positivo on negati-
vo

Outro
eltron
atrai- on positivo on negativo
do

N P N P N P
Figura - 1.9 - funcionamento da juno

Juntando-se quimicamente os dois tipos de semicondutores forma-se em um diodo do es-

tado slido, tambm chamado de juno PN.
Assim, teremos duas regies distintas, a saber: a regio N e a regio P. Do lado N haver
muitos eltrons livres, ao passo que do lado P existiro buracos e como consequncias,
haver um processo de difuso entre os eltrons e os buracos na juno dos dois tipos de
materiais (regio de contato). Nessa regio, forma-se uma barreira de potencial causada
por ons positivos e ons negativos, polarizando positivamente a regio de contato tipo
N; e negativamente a regio de contato do material tipo P. Conforme os eltrons passam
para o cristal P, esse potencial vai crescendo at atingir um ponto que impede que eles
transitem pela juno. A regio da juno onde no existe eltrons livres, nem buracos,
recebe o nome de zona de depleo (regio de transio).
O potencial que aparece entre os dois cristais devido ionizao de ambos recebe o
nome de barreira de potencial. Essa barreira da ordem de 0,2v para o germnio e da
ordem de 0,6v para o silcio.

1-12
 Regio de esgotamento

Os eltrons
so repetidos
na juno Eltrons
por ons tomos difundindo-
negativos carregados se atravs da
juno

Carga de
0,1 volt
N P N P
Figura -1.10 - Barreira de potencial atravs da regio de esgotamento

Dependendo do material usado na construo e do mtodo de construo dos diodos

(ponto de contato, difuso, liga, e outros), encontramos aplicaes prtica dos diodos
em: fontes de alimentao (atuando como retificador), em circuitos detectores, circui-
tos limitadores, etc.
A borda entre o material tipo P e o material tipo N chamada de juno PN e foi ela que
deu origem a todos os tipos de invenes, incluindo diodos, transistores e circuitos in-
tegrados. A compreenso da juno PN permite que voc entenda todos os tipos de dis-
positivos encontrados.
1.3.3 Simbologia

K A
(catodo) (nodo)
(material tipo N) (material tipo P)

Figura - 1.11 - diodo

Os diodos semicondutores so representados de forma que a barra vertical simboliza o
material tipo N, e a ponta da seta, o material tipo P. A barra denominada ctodo, e a
ponta da seta, nodo.
Um fabricante pode produzir um cristal simples com um material tipo P de um lado e um
material tipo N do outro. A juno a borda onde as regies do tipo P e do tipo N se en-
contram e o diodo de juno outro nome dado para um cristal PN. A palavra diodo a
contrao de dois eletrodos. DIODO (dois eletrodos).

1-13
1.3.4 - Polarizao direta
Um diodo est diretamente polarizado, quando o ctodo estiver negativo em relao ao
nodo com uma diferena de potencial superior ao valor da barreira de potencial do dio-
do, para que o efeito da mesma possa ser vencido. Ou seja, positivo da bateria no lado P
(nodo) e negativo no lado N (ctodo).
Lembrando que para uma temperatura de 25 C, a barreira de potencial aproximada-
mente igual a 0,3 V para os diodos de germnio e 0,7V para os diodos de silcio.

corrente intensa
corrente elevada

Lmpada
N acesa
P

Figura - 1.12 fluxo de corrente na polarizao direta

Os eltrons livres do lado N sero repelidos pelo terminal negativo da bateria e tendero
a penetrar na juno. Os buracos tambm sero repelidos pelo terminal positivo da bate-
ria e tambm tendero a penetrar na juno. Como consequncia, haver uma diminuio
da regio de depleo e circular grande corrente atravs da juno. A corrente circula
facilmente num diodo de silcio com polarizao direta, enquanto a tenso aplica for
maior que a barreira de potencial.
1.3.5 - Polarizao inversa
o tipo de polarizao que torna o ctodo positivo em relao ao nodo. Ela refora
(aumenta) o efeito da barreira de potencial. Positivo da bateria no lado N (Ctodo) e ne-
gativo no lado P (nodo).

P
N
lmpada apagada

baixa corrente
Figura - 1.13 - fluxo de corrente na polarizao inversa
Os eltrons livres do material N sero atrados pelo potencial positivo da bateria externa
e as lacunas do material P so preenchidas com eltrons do terminal negativo da bateria.
1-14
 Como consequncia, haver aumento da zona de depleo, tornando praticamente im-
possvel o deslocamento de portadores, ou seja, no haver circulao de corrente.
No deveria circular nenhuma corrente atravs do diodo, no entanto nota-se uma corren-
te muito dbil (corrente de fuga), devido ruptura de certas ligaes na estrutura crista-
lina, por causa da agitao trmica (corrente de portadores minoritrios). Existe uma pe-
quena corrente com a polarizao reversa (inversa). Lembre-se de que a energia trmica
gera pares de eltrons livres e lacunas incessantemente. Isso significa que existem alguns
poucos portadores minoritrios nos dois lados da juno. Muitos deles se recombinam
com os portadores majoritrios. Mas aqueles dentro da camada de depleo podem no
existir suficientemente para cruzar a juno.
Quando isso ocorre uma pequena corrente circula pelo circuito externo.
1.3.6 Ruptura e Efeito Avalanche
Os diodos tm tenses nominais mximas. Existe um limite do valor de tenso reversa
que um diodo pode suportar antes de ser destrudo. Continue a aumentar a tenso reversa
e voc atingir sua tenso de ruptura. Para os diodos retificadores (aqueles fabricados pa-
ra conduzir melhor de um modo que de outro), a tenso de ruptura usualmente maior
que 50 V.
Uma vez atingida tenso de ruptura, um grande nmero de portadores minoritrios apa-
rece repentinamente na camada de depleo e o diodo conduz fortemente.
1.3.7 Curva caracterstica do diodo

Figura - 1.14 - fluxo de corrente na polarizao inversa

1-15
Exerccio
Esboce a curva caracterstica do diodo 1N4004, sabendo que ele de silcio e que suas princi-
pais especificaes, obtidas em um manual, so:
IFmx = 1A
VRmx = 400V

1.3.8 Efeito da temperatura no diodo

A juno PN, sofre influncia da temperatura. A temperatura mxima do silcio est por
volta de 150C, enquanto o germnio acha-se por volta de 100C.
Foi observado que a cada aumento de 1C na temperatura, a tenso direta no diodo dimi-
nui cerca de 2,5 mV, ou seja a taxa de variao de tenso em funo da temperatura de
aproximadamente
-2,5 mV/C.

Figura - 1.15 efeito da temperatura no diodo

Para calcular o efeito da temperatura no diodo temos que verificar primeiro a variao da tem-
peratura no mesmo:
T= T2 T1
Logo aps calcular a variao de tenso do diodo:
V=T x (-2,5x10-3)
Para saber a tenso direta atual no diodo :
VF2 = VF1 + V

1-16
Exercicio
Um diodo de silcio apresenta, a temperatura de 25C, uma queda de tenso no sentido direto de
VF1 = 0,6 com uma I de 12 mA. Se a I se mantiver constante, qual ser sua tenso direta resul-
tante na temperatura 115C?

1.3.9 - Teste dos diodos

a) Determinao do nodo e catodo
Atravs do Ohmmetro possvel determinar o catodo e o nodo.
Antes de se proceder o teste, verifica-se se as marcaes do instrumento () e (+), na
posio Ohmmetro, correspondem aos terminais negativo e positivo da bateria inter-
na do instrumento, o que, na maioria deles, invertida.
Aplicando-se a ponta do instrumento que corresponde ao terminal negativo da bateria
interna em um dos lados do diodo, e a outra ponta, ao outro lado do mesmo, e obten-
do-se leitura de baixa resistncia, o diodo est polarizado diretamente. O terminal do
diodo ponta negativa o ctodo e consequentemente o outro o nodo.
Se a leitura obtida fosse alta resistncia, o diodo estaria polarizado inversamente.
b) Condies de funcionamento do diodo
Aplicando-se as pontas de prova do ohmmetro no diodo, podemos verificar o seu es-
tado, observado o seguinte:
I) alta resistncia em um sentido e baixa resistncia no outro sentido: diodo bom.
II) alta resistncia nos dois sentidos: diodo aberto.
III) baixa resistncia nos dois sentidos: diodo em curto.

1-17
1.4 - DIODOS ZENER
1.4.1 - Simbologia

Figura -1.16 diodo zener

1.4.2 - Diferenas essenciais ao diodo retificador

A diferena bsica entre o diodo zener e o diodo retificador que o diodo zener
opera na regio de ruptura ao passo que o diodo retificador ser danificado se
atingir esta regio.

1.4.3 - Especificaes da tenso ZENER

Existem diodos Zener comerciais com tenses Zener variando de alguns volts at cente-
nas de volts. Estas tenses so determinadas pelo fabricante quando o diodo projetado.
Variando o nvel de dopagem de um diodo de silcio, um fabricante pode produzir dio-
dos Zener com tenses de ruptura de cerca 2V at 200V. Esses diodos podem operar em
qualquer uma das trs regies: direta, de fuga e de ruptura.
Esta tenso tem a particularidade de se manter aproximadamente constante para grande
variao de corrente. Tal caracterstica faz o diodo Zener ser um regulador de tenso
em fontes de baixo consumo e tenso de referncia em fontes de elevado consumo.
Para o diodo Zener operar como regulador de tenso ou fonte de tenso referencial de-
vemos polariz-lo inversamente, ou seja, o nodo negativo em relao ao ctodo.

1-18
1.4.4 - CURVAS CARACTERSTICAS
A curva caracterstica do diodo zener a mesma do diodo retificador.

Figura - 1.17 curva caracterstica

A tenso de ruptura tambm denominada de tenso zener.

Quando o diodo zener est polarizado no sentido direto comporta como o diodo retifica-
dor e tem-se no mesmo uma queda de tenso de aproximadamente 0,7V.

Na regio de ruptura a tenso no diodo zener, praticamente, mantm-se constante no valor

de VZ para uma grande variao de corrente e devido a esta caracterstica o diodo zener
utilizado como regulador ou estabilizador de tenso.

O diodo zener ser danificado se passar no mesmo uma corrente acima de IZ mx. Conhe-
cendo os valores de PZ mx. e VZ, obtidos do fabricante, calcula-se IZ mx. PZ mx. a
mxima potncia que o diodo zener pode dissipar.
Exemplo:
Para um diodo zener com VZ = 10 V e PZ mx. = 1 W tem-se.

IZ mx. = PZ mx. / VZ IZ mx. = 1 W / 10V

Iz mx. = 100mA

1.4.5 - Resistncia diferencial

A resistncia diferencial de um diodo Zener um parmetro bastante importante, pois
dela depende a constncia ou no da tenso Zener em relao corrente. definida co-
mo a variao da tenso Zener em relao variao da corrente Zener em torno do pon-
to de funcionamento.
NOTA: Quanto menor for, melhor agir o diodo Zener como regulador de tenso.
RD = VZ
IZ
1-19
1.4.6 - Circuito equivalente
RD VZ
K A

Figura -1.18 - Circuito equivalente

1.4.7 - Limites de corrente ZENER
O diodo Zener possui dois limites de corrente, um inferior (IZ min) e outro superior (IZ
max).
IZ min a menor corrente necessria para atingir a tenso de ruptura, IZ max limitada
pela mxima dissipao de potncia do componente.
1.5 CURVAS CARACTERSTICAS DOS DIODOS RETIDICADOR
Existem trs mtodos de aproximao para os diodos. Cada um til dentro de certas
condies. Vamos comear com a aproximao mais simples, chamada diodo ideal.
a) a primeira aproximao (diodo ideal)
O que faz um diodo retificador? Ele conduz bem na polarizao direta e conduz mal
na polarizao reversa. Idealmente, um diodo retificador funciona como um perfeito
condutor (resistncia zero) quando diretamente polarizado e como um perfeito iso-
lante (resistncia infinita) quando reversamente polarizado.
I (A)

V (volts) Ideal Polarizao Reversa Polarizao Direta

Figura - 1.19 primeira aproximao

NOTA: O diodo ideal funciona como uma chave.
b) A segunda aproximao
No h corrente enquanto a tenso no diodo no chegar a 0,7 V. Nesse ponto o dio-
do conduz. A partir da, apenas 0,7 v aparece no diodo, no importando o valor da
corrente.
I
0,7 V 0,7 V
V
0,7 V
Polarizao Reversa Polarizao Direta
Figura - 1.20 - segunda aproximao

1-20
 NOTA: Na segunda aproximao, o diodo funciona como uma chave com bateria.
c) A terceira aproximao
Na 3 aproximao, inclumos a resistncia de corpo (rB). Aps o diodo de silcio en-
trar em conduo, a tenso aumenta linear ou proporcionalmente com o aumento da
corrente. Quanto maior a corrente, maior a tenso, porque a queda de IR em rB au-
menta para a tenso total do diodo.
I
0,7 V rB 0,7 V rB
V
0,7 V
Polarizao Reversa Polarizao Direta
Figura - 1.21 - terceira aproximao

1.6 DIODOS EMISSOR DE LUZ - LED

LED a sigla de Light Emittiong Diode, que em portugus significa Diodo Emissor de
Luz.
Trata-se de um dispositivo optoeletrnico, pois ele emite luz quando polarizado direta-
mente.
O principio de funcionamento baseia-se na irradiao de energia que h quando eltrons
do lado N cruzam a juno e se recombinam com lacunas do lado P.
Nos diodos comuns, a energia irradiada trmica, produzindo calor. Nos LEDs, por utili-
zarem
elementos como o glio (Ga), arsnico (AS) e o fsfero (P) em sua fabricao, a energia
irradiada, eletromagntica, produzindo luz, conforme ilustra a figura 1.21.

Smbolo

Figura - 1.22 LED emissor de luz

1-21
1.6.1 Curva caracterstica do LED
muito semelhante do diodo retificador, mas a ordem de grandeza das tenses e cor-
rente de operao diferente.

1.6.2 Tenso de conduo

Nos diodos de retificadores de silcio de ordem de 0,6V, nos LEDs ela est em torno de
2V. A corrente direta mxima (IFmx) da ordem de miliampres e a teno reversa
mxima (VRmx) de algumas dezenas de volts.
comum os manuais fornecerem uma conduo de operao que garante ao LED a
emisso de luz com intensidade adequada. Essa conduo apresentada na forma
VF @ IF .
1.6.3 Tipos de LEDS
Comercialmente, so encontrados LEDs de diversos aspectos e modelos internos. H
leds de 3, 5, 8 e 10 mm de dimetro, cilndricos, retangulares, triangulares, etc. No mer-
cado existem leds:
Bicolores - Constitudos internamente por dois led em antiparalelo.
Tricolores- Constitudo internamente por dois led (verde e vermelho) ligados com o
ctodo comum.
Intermitentes - Tm internamente um mini circuito integrado que provoca a oscila-
o do led.
1.6.4 Caractersticas tcnicas
A corrente direta (IF) dever estar compreendida entre 10 e 50 mA.
VF Tenso mxima de polarizao direta.
VR Tenso mxima de polarizao inversa.
Led vermelho Material semicondutor que o constitui: VF= 1,6 V
Fosfoarsenieto de glio. VR= 3 V
Led verde Material semicondutor que o constitui: VF= 2,4 V
Led amarelo Fosforeto de glio. VR= 3 V
Led infravermelho Material semicondutor que o constitui: VF= 1,35 V
Arsenieto de glio. VR= 4 V

1-22
1.6.5 Aplicaes bsicas do LED
usado como dispositivo de sinalizao. Neste caso, ele deve ser ligado a uma fonte de
alimentao VCC em srie com um resistor limitador de corrente R. Este R pode ser de-
terminado a partir das especificaes de operao do LED e da fonte VCC.
R= VCC VF
IF
Exerccio
1) Vamos calcular o valor da resistncia limitadora (R1) sabendo-se que a tenso que vai
ser aplicada ao circuito (VCC) de 6Volts, e pretende-se que a tenso direta aplicada ao
led seja de 2 Volt para uma corrente direta de 10 mA.

2) Determine o valor comercial do resistor R, para polarizar o LED, de acordo com a espe-
cificaes
abaixo:
Cor: Vermelha
Dimetro: 5 mm
Operao: VF = 1,7V @ IF = 10 mA
IFmx = 50 mA
VRmx = 5V

1-23
 CAPTULO 2
FONTES DE ALIMENTAO
2.1 - FINALIDADE
2.1.1 - Conceito
Fonte de alimentao um circuito ou aparelho usado para transformar a energia eltrica da rede
(CA) na quantidade de CA ou CC que necessitam os diversos circuitos eletrnicos.
2.1.2 - Finalidades das fontes
As maiorias dos equipamentos eletrnicos operam com uma grande variedade de tenses. A ni-
ca tenso disponvel a da rede eltrica e, que geralmente, de 110 ou 220Vca, a qual no tem
utilidade prtica nesta forma. necessrio, ento, um dispositivo para transformarmos essa ten-
so da rede em uma tenso prpria para o uso dos equipamentos e, para tal, usamos uma fonte de
alimentao.
A fonte de alimentao , portanto, um circuito destinado a prover alimentao de tenses e/ou
correntes alternadas e/ou contnuas necessria ao funcionamento dos equipamentos.
2.1.3 Fonte de alimentao Ideal
Uma fonte de alimentao perfeita ou ideal produz uma tenso de sada constante. O exemplo
mais simples de uma fonte de alimentao ideal uma bateria perfeita, aquela que tem resistncia
interna zero. A Figura 3.1 mostra uma resistncia de carga ajustvel (reostato). A fonte de ali-
mentao ideal produzir sempre 12 V na resistncia de carga, independentemente do valor ajus-
tado. Portanto, a tenso na carga constante; apenas a corrente na carga muda.

12 V RL

Figura -2.1 Fonte ideal

2.2 - DIAGRAMA EM BLOCOS

2.2.1 - Partes componentes de uma fonte de alimentao
Uma fonte de alimentao apresenta quatro partes, mostrados pela ordem no diagrama abaixo:
transformador, retificador, filtro e regulador.

Entrada Transformador Sada

Retificador Filtro Regulador
CA CC
Figura -2.2 diagrama em bloco

2-1
 2.2.2 - Transformador
As companhias de energia eltrica no Brasil fornecem uma tenso senoidal monofsica de
127Vrms, ou dependendo da regio, de 220Vrms com uma frequncia de 60Hz. Essa tenso de
linha muito alta para a maioria dos dispositivos usados nos equipamentos eletrnicos. por is-
so que um transformador encontrado geralmente em quase todos os equipamentos eletrnicos.
Esse transformador abaixa a tenso CA a nveis mais compatveis com os dispositivos em uso,
como os diodos e os transistores.
Transformador um componente que transforma a tenso de CA de entrada (110/220Vca) nos
diversos valores de tenso de CA necessrios alimentao dos diversos circuitos. Os transfor-
madores so projetados para fornecerem tenses de CA a diversos valores de corrente.
N1 : N2

V1 ~ V2

Figura - 2.3 - transformador

2.2.3 - Retificador
Tem a funo de eliminar uma das polaridades da tenso CA aplicada, ou seja, transforma CA
em CC pulsativa. Tipos de retificadores: meia onda, onda completa e em ponte.
2.2.4 - Filtro
Tem a funo de eliminar a tenso CC pulsante, tornando-a praticamente em uma onda contnua
pura.
2.2.5 - Regulador
o elemento capaz de manter constante a tenso de sada da fonte, ou seja, para uma determina-
da faixa de valores de queda de tenso, o regulador supre a fonte para manter constante a tenso.
Outros circuitos podem ser utilizados em fontes de alimentao, tais como: protetor de sobrecar-
ga, eliminador de rudos, etc.

2.3 - CIRCUITOS RETIFICADORES

2.3.1 - Tipos de circuitos retificadores
Meia onda, onda completa e retificador em ponte.

2-2
2.3.2 - Retificador de meia onda
aquele que aproveita somente um dos semiciclos do sinal de entrada, utilizando a propriedade
do diodo de s conduzir em um sentido.
Entrada Sada
Retificador de
Meia Onda
ou

Figura 2.4 forma de onda de entrada e sada

Um circuito retificador de meia onda composto de um transformador e um diodo retificador.

Figura -2.5 retificador de meia onda

Os semiciclos positivos tornam o nodo positivo em relao ao catodo, polarizando o diodo dire-
tamente. Deste modo, circula corrente atravs do resistor de carga com a polaridade indicada. Os
semiciclos negativos tornam o nodo negativo em relao ao ctodo, polarizando o diodo inver-
samente. No havendo corrente atravs do resistor de carga, no h tenso de sada. O retificador
de meia onda s conduz durante um dos semiciclos do sinal de entrada, isto , quando o diodo es-
t diretamente polarizado.

a) Desvantagens
O retificador de meia onda, embora seja o mais barato e mais simples em relao aos outros
tipos de retificadores, apresenta certas desvantagens, como: utiliza apenas metade da potncia
fornecida pelo transformador, e maior tenso de ripple (ondulao).
b) Caracterstica
A frequncia de sada igual a da entrada.
c) Valor CC ou valor mdio de sada
o valor medido por um voltmetro CC. O valor mdio (Vdc ou Vm) igual ao valor de pico
dividido por p (3,14). Pode-se dizer tambm que o valor mdio igual a 31,8% da tenso
de pico.
Vdc = Vp 3,14 ou Vm = 0,318 x Vp (onde: Vp = Vrms 0,707).

2-3
2.3.3 - Retificador de onda completa
aquele que aproveita os dois semiciclos do sinal de entrada fazendo com que um diodo condu-
za durante um semiciclo, e outro durante o semiciclo seguinte. O circuito retificador de onda
completa permite a circulao de corrente na mesma direo atravs da carga durante os dois se-
miciclos do sinal de entrada.
Um circuito retificador de onda completa composto por dois diodos retificadores e um trans-
formador com centertrap (derivao central no enrolamento secundrio).

Figura - 2.6 retificador de onda completa

Por causa da tomada central, o circuito equivalente a dois retificadores de meia onda. Cada dio-
do retifica um semiciclo.
Quando o sinal positivo na entrada, faz com que a parte superior do secundrio fique positivo e
a parte inferior negativo, o diodo D1 estar polarizado diretamente e D2 inversamente, neste ins-
tante D1 estar conduzindo e D2 cortado.
O caminho de corrente ser da parte central do transformador no secundrio atravs de R L e D1.
No semiciclo negativo do sinal de entrada, D2 ficar polarizado diretamente e D1 inversamente.
D2 estar conduzindo e D1 cortado. O caminho de corrente ser do ponto central do secundrio
atravs de RL e D2.
a) Vantagens
Maior tenso mdia de sada (pois aproveita os dois semiciclos do sinal de entrada); filtragem
mais fcil; e melhor regulao.
b) Caracterstica
A freqncia de sada o dobro da entrada.
c) Valor mdio (CC) de sada
63,6 % da voltagem mxima no diodo, ou seja, o dobro da tenso mxima dividido por p
Vm = 0,636 x Vp ou Vm = 2.VP / 3,14.

2-4
2.3.4 - Retificador em ponte
O circuito retificador em ponte necessita de 4 diodos e dispensa o uso do centertrap (tomada
central). A vantagem de no usarmos uma tomada central que a tenso retificada na carga o
dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central.

Figura - 2.7 retificador em ponte

Durante o semiciclo positivo, o ponto A positivo em relao ao ponto B. Os diodos D2 e

D4 esto polarizados diretamente e estaro conduzindo, ao passo que os diodos D1 e D3 esto
polarizados inversamente, portanto estaro cortados. No instante do semiciclo negativo, as pola-
ridades dos pontos A e B so invertidas. Assim, os diodos D1 e D3 passam a conduzir e os
diodos D2 e D4 ficam no corte. Durante o corte, cada diodo deve suportar uma tenso inversa
(TIP) igual a tenso mxima do secundrio (Vp). A tenso de pico inversa (TIP ou PIV) a ca-
racterstica mais importante dos diodos, pois indica a tenso mxima que o diodo pode suportar
sem se danificar (TIP = Vp do secundrio).
a) Vantagem
A tenso mdia de sada (Vdc) aproximadamente o dobro da sada do retificador de onda
completa.
b) Caracterstica
A frequncia de sada o dobro da de entrada.

Exerccios
Num circuito retificador em ponte (diodos de silcio), a tenso da rede de 240Vrms, o
transformador possui uma relao de espiras de 5:1, qual o valor mdio em cima do resistor de
carga ? (Considere a segunda aproximao do diodo).

2-5
2.4 - CIRCUITOS DE FILTROS
2.4.1 - Caractersticas gerais dos filtros
A finalidade do filtro suavizar as pulsaes de sada do retificador, a fim de produzir uma ten-
so constante com a menor ondulao possvel.
Os filtros tm como principal funo minimizar as variaes de corrente contnua fornecida pelo
retificador. Uma outra funo a de minimizar o rudo gerado tanto pela carga como pela fonte
geradora de CA.
A sada do circuito retificador uma onda contnua pulsativa que varia em torno de um valor
mdio, indo de zero at o valor mximo (Vp ou Vmx). No caso do retificador de onda completa,
o valor mdio de 63,6% do valor mximo de pico e do retificador de meia onda de 31,8% do
valor de pico. Esse no o tipo de tenso CC que a maioria dos circuitos eletrnicos precisa.
necessria uma tenso estvel ou constante similar produzida por uma bateria. Para obter esse
tipo de tenso retificada na carga, precisamos de filtro.

a) Ondulao ou ripple
a flutuao da voltagem em torno do valor mdio na sada do filtro.
b) Fator de ondulao
o fator que determina a quantidade de CA em relao CC, dada em porcentagem.
% ond. = (Erms Em) x 100, onde Erms valor eficaz da tenso de ondulao e Em o
valor de tenso mdio (Vdc ou Vm).
O ripple de um retificador de meia onda de 121%; o ripple de um retificador de onda
completa de 48%.
NOTA: A porcentagem de ondulao ideal de 0%.

Ret. onda Ret. com sada filtrada

(Em)

Em
Ret. onda completa E (max) E (min)
(Em)

Figura - 2.8 grfica da % de ondulao

2-6
 Exerccio
Em = +180Vcc; Emax = +181Vcc; Emin = +179Vcc; qual a porcentagem de ondulao ?

2.4.2 - Filtros para fontes de alimentao

A ondulao na sada do circuito retificador muito grande o que torna a tenso de sada inadequada
para alimentar a maioria dos circuitos eletrnicos. necessrio fazer uma filtragem na tenso de sa-
da do retificador. A filtragem nivela a forma de onda na sada do retificador tornando-a prxima de
uma tenso contnua pura que a tenso da bateria ou da pilha.
Uma maneira simples para a filtragem ligar um capacitor de alta capacitncia em paralelo com a
carga RL e normalmente, utiliza-se um capacitor eletroltico.
A funo do capacitor reduzir a ondulao na sada do retificador e quanto maior for o valor deste
capacitor menor ser a ondulao (ripple) na sada da fonte.
2.4.3 - Filtro a capacitor para retificador de meia onda.

No semiciclo positivo o diodo conduz e carrega o capacitor com o valor de pico (VP) da tenso.
Assim que a tenso de entrada cair a zero, o diodo pra de conduzir e o capacitor mantm-se carregado
e descarrega lentamente em RL.

2-7
Quando a tenso de entrada fica negativa (semiciclo negativo) o diodo no conduz e o capacitor con-
tinua descarregando lentamente em RL.
O capacitor recarrega 60 vezes por segundo.
O capacitor carrega de Vmin at VP e neste intervalo de tempo ( ) o diodo conduz. O capaci-
tor descarrega de VP at Vmin e neste intervalo o diodo no conduz.
A Forma de onda na sada est mostrada abaixo.

2.4.5 - O voltmetro de tenso contnua indica o valor mdio da tenso medida.

Aumentando o capacitor, a tenso de ondulao (Vond) diminui e VCC aumenta.
Aumentando a corrente IL, a tenso de ondulao (Vond) aumenta e VCC diminui.
Se Vond tende a zero a tenso de sada tende ao valor de pico VCC = VP para Vond = 0V.
Sem a carga RL, IL ser 0A, o capacitor no descarrega e tem-se Vond = 0V .
Para manter Vond com um valor baixo ao aumentar IL deve-se aumentar o valor do
capacitor.
O retificador de meia onda com filtro a capacitor inadequado para circuitos que exigem um alto
valor de corrente, pois alm de utilizar um valor muito alto para o capacitor, o diodo fica sobrecar-
regado ao conduzir toda a corrente do circuito.

Demonstrao da equao para o clculo da tenso de ondulao(Vond)

2-8
Outra maneira para determinar o valor da tenso de ondulao

O pico inverso de tenso no diodo o dobro da tenso de pico. PIV = 2VP

O capacitor aumenta a tenso inversa no diodo devido a que o mesmo permanece carregado quando
o diodo no estiver conduzindo.

Exerccios de fixao.
1) Sendo VAB =18Vef, C=1000 F, IL = 180 mA, retificador de meia onda, determine:

2) Sendo VCC = 12 V, IL = 300 mA, Vond = 2 V, retificador de meia onda determine: O capacitor e
o valor eficaz da tenso alternada na sada do transformador.

NOTA: VAB o valor eficaz ou rms da tenso alternada no secundrio do transformador.

2-9
2.4.6 - Filtro a capacitor para retificador de onda completa

Funcionamento
A filtragem para o retificador de onda completa mais eficiente do que para o retificador de
meia onda. Em onda completa o capacitor ser recarregado 120 vezes por segundo. O capacitor des-
carrega durante um tempo menor e com isto a sua tenso permanece prxima de VP at que seja no-
vamente recarregado.
O tempo durante o qual o capacitor descarrega a metade do perodo ( t = T / 2). Quando RL drena
alta corrente necessrio um retificador de onda completa.

As equaes para onda completa so as mesmas utilizadas para meia onda, no entanto, a freqn-
cia de ondulao para onda completa de 120 Hz.
VCC = VP Vond / 2
VCC o valor mdio da tenso contnua na sada.

VP o valor de pico da tenso no capacitor (desconsiderou-se a queda de tenso nos diodos).

Vef o valor eficaz ou rms da tenso alternada na sada do transformador (VAB)

f = 120 Hz para onda completa

Vond a tenso de ondulao ou de ripple na sada e quanto menor for Vond mais prxima de uma
tenso contnua pura ser a tenso de sada.
I a corrente em RL
f a frequncia de ondulao na sada e igual a 120 Hz para onda completa. C o valor do
capacitor em FARADS ( 2200 F = 2200 . 10--6 F)

Se Vond tende a zero, a tenso de sada tende ao valor de pico. Para Vond = 0V
tem-se VCC = VP.
Sem RL, a corrente IL ser 0A, o capacitor no descarrega e tem-se Vond = 0V.

2-10
Exerccios de fixao.
1) Sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200 F, determine Vond e VCC.

2) Sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V, determine o valor do capacitor e da tenso de sa-
da do transformador

2.4.7 - Formas de onda para filtragem em meia onda e em onda completa.

Em onda completa a filtragem mais eficiente do que para meia onda e isto por que, no retificador
de onda completa com filtro, a tenso de ondulao menor.
O filtro a capacitor, em onda completa, torna a tenso de sada mais prxima de uma tenso cont-
nua pura.
2.4.8 - Filtro a capacitor para retificador de onda completa

2-11
 Consideraes

Para os circuitos retificadores com filtro a capacitor estudados desconsiderou-se a queda de tenso nos
diodos que de aproximadamente 0,7V para diodos de Silcio. No retificador de meia onda e de onda
completa convencional, o pico de tenso no capacitor o pico de tenso de entrada menos 0,7V
isto , 0,7V. Consequentemente o valor de VCC ser 0,7V abaixo do valor calculado.

No retificador em ponte diminui-se 1,4V visto que dois diodos conduzem ao mesmo tempo 1,4V
sendo Vp a tenso de pico no capacitor de filtro. O valor de VCC ser 1,4V abaixo do valor
calculada

Exerccios de fixao.
1) Sendo IL = 600 mA, C = 1000 F, VAB = 18 Vef, determine Vond e VCC.

2) Sendo IL = 300 mA, VCC = 20V, Vond = 2,5 V, determine o valor do capacitor e da tenso de sa-
da do transformador.

3) Em um retificador meia onda. Sendo o valor eficaz da tenso no secundrio do transformador

VAB = 18 V e a carga RL = 470 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a corrente
de pico.

4) Em um retificador Derivao central. Sendo o valor eficaz da tenso no secundrio do transformador

VAB = 9 + 9 V e a carga RL = 470 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a
corrente de pico.

5) Em um retificador Ponte. Sendo o valor eficaz da tenso no secundrio do transformador VAB = 30 V

e a carga RL = 820 ohms, determine: VCC, correntes mdia no diodo e na carga e a corrente de pico.
6) Em um retificador de meia onda com Filtro, sendo VAB =18 Vef, C=1000 F, corrente mdica na
carga IL = 180 mA, determine: Vond, VP, Vmin, VCC e o ripple.

2-12
7) Em um retificador de meia onda com Filtro, sendo VCC = 12 Volts, IL = 300 mA, Vond = 2 V,
determine: o capacitor e o valor eficaz do secundrio do transformador.

8) Em um retificador onda completa Ponte com Filtro, sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200 F,
determine: Vond, VCC e ripple.

9) Em um retificador onda completa Ponte com Filtro, sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V,
determine: o valor do capacitor e da tenso de sada do
transformador (VAB).

10) No circuito abaixo, sabendo que o transformador 127V/9+9V e a carga RL vale 100 , determinar:
Vond, VCC e o ripple.

2-13
2.5 - CIRCUITOS REGULADORES A ZENER E A CIRCUITOS INTEGRADOS DA SRIE
78XX, 79XX & LM
+Vs Rs
Transformador
Retificador
Filtro
Vz RL

Figura - 2.13 regulador zener

2.5.1 - Regulador a Zener
O diodo Zener s vezes tambm chamado regulador de tenso, porque mantm uma tenso de
sada constante, embora a corrente nele varie.
Quando polarizado inversamente conduz apenas num determinado valor de tenso, tenso essa
conhecida como tenso Zener (Vz). Esse efeito conhecido como efeito avalanche.
O diodo Zener deve ser polarizado inversamente, para obter uma operao na ruptura (regio Ze-
ner), a tenso da fonte (Vs) deve ser maior que a ruptura (Vz). Um resistor em srie (Rs) sem-
pre usado para limitar a corrente do Zener num valor abaixo de sua corrente mxima nominal.
Caso contrrio, o diodo Zener queimaria como qualquer outro dispositivo submetido a uma dis-
sipao de potncia muito alta.
O mais interessante que se observa que a corrente que circula pelo Zener aumenta ou diminui
em funo de manter a tenso Vz constante. Por esta propriedade o Zener muito utilizado como
estabilizador de tenso.
Is = (Vs Vz) Rs IL = VL RL Is = Iz + IL Iz = Is + IL .
Onde, Is = corrente em Rs; IL = corrente na carga; Iz = corrente no Zener.
a) Diodo Zener em circuito de regulao de tenso alternada (ou limitador de picos)
Rs V (RL)
Regio Zener de D1
D1
RL t
D2

Regio Zener de D2
Figura 2.14 Zener como limitador de pico

2-14
Para diminuirmos as variaes, usam-se dois diodos Zener em oposio. No semiciclo positivo, o diodo
D1 entra na regio Zener (corta) quando a tenso iguala a tenso de ruptura, estando o outro (D2) sendo
polarizado diretamente e funcionando praticamente como um curto circuito.
No semiciclo negativo, o diodo D1 funciona como um curto e D2 limita a tenso no valor Zener. Quan-
do a tenso CA alterna seu valor, seja para mais ou para menos, os diodos Zener limitam a onda de ten-
so sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas tenses Zener.
Limitador de tenso alternada com diodo zener

Funcionamento

No semiciclo positivo, Z1 est polarizado inversamente e Z2 diretamente Assim que a tenso de entra-
da ultrapassa 10,7V ou (VZ1+0,7V), Z1 entra na regio de ruptura e mantm a tenso de sada em
10,7V.
No semiciclo negativo, Z1 est polarizado diretamente e Z2 inversamente. Assim que a tenso de
entrada ultrapassa --10,7V, Z2 entra na regio de ruptura e mantm a tenso de sada em --10,7V.

No semiciclo positivo Z1 comporta como diodo zener e Z2 como diodo retificador. No semiciclo nega-
tivo Z1 comporta como diodo retificador e Z2 como diodo zener.
A tenso de sada no ultrapassa sendo que os picos de tenso acima de 10,7V ficam no re-
sistor R.

2-15
Este circuito limitador de tenso tambm denominado de circuito ceifador uma vez que ceifa a
forma de onda de sada limitando-a aos valores de .

Exerccios
1) Desenhe a formas de onda de VR e VRL sendo VZ1 = 10 V e VZ2 = 5 V

2) Desenhe a forma de onda de VRL se Z1 ou Z2 abrir.

Abaixo, somente os picos positivos da tenso de entrada aparecem na sada. No h corrente em

RL para tenses abaixo de 10,7 V.
Os semiciclos negativos so barrados pelo diodo retificador.

1) Desenhe a forma de onda de VRL sendo VZ= 5 V.

2) Desenhe a forma de onda de VRL se o diodo retificador entrar em curto-circuito.

2-16
Analise de reguladores R-Z em cascata

A tenso VZ1 do pr-regulador R1-Z1 alimenta o segundo regulador R2-Z2 As variaes da tenso VZ1
devido s variaes da tenso de entrada, praticamente, no sero percebidas pela carga RL.
As variaes em VZ1 de dcimos de volt e em VZ2 de milsimos de volt.

Sendo Rz1 = 20 e Rz2 = 14 tem-se que:

A tenso de entrada varia de 36V a 48V que d uma variao de 12V. Rz1 / R1 =
20 / 390 = 0,051 => VZ1 = 0,051 . 12V
VZ1 = 0,61V (variao de tenso em Z1).

Rz2 / R2 = 14 / 560 = 0,025 => VZ2 = 0,025 . 0,61V

VZ2 = 0,0153V = 15,3mV (variao de tenso em Z2).

b) Analise o circuito abaixo, variando a tenso de entrada de 0V a 25V.

Para V < VZ, o diodo zener no conduz e tem-se que: Vsada = V (Tenso de sada igual ten-
so de entrada) I = 0A (A corrente ser nula por que o diodo zener ainda no atingiu a rup-
tura). VR = 0V. (sendo I = 0A no se tem tenso no resistor, VR = R. I )

Para V > VZ, o diodo zener conduz visto que atinge a tenso de ruptura. Vsada =
VZ (Tenso de sada igual tenso do diodo zener)
VR = V VZ
I = VR / R (a corrente no circuito ser limitada pelo resistor R)

O circuito acima utilizado para determinar, na prtica, a tenso de um diodo zener.

2-17
c) Regulador de tenso R-Z

O diodo zener ir regular (estabilizar) a tenso em RL, mesmo havendo variaes da tenso de entrada
e/ou da corrente em RL, dentro de certos limites.
VRL = VZ devido a que RL est em paralelo com o diodo zener.

V a tenso de entrada e varia de um valor mnimo a um valor mximo (V max).

I a corrente do circuito e pode variar de (IZ min + IL) a um valor mximo (IZ max) IL a corrente
na carga RL e pode variar de 0A a um valor mximo (IL max).
IZ a corrente no diodo zener e pode variar de IZ mnimo a IZ mximo.

As seguintes observaes devem ser feitas sobre o regulador R-Z. Sendo I = (V -- VZ) / R e
IZ = I IL tem-se que:
Se V aumenta, IZ aumenta.
Se V diminui, IZ diminui.
Se IL aumenta, IZ diminui.
Se IL diminui, IZ aumenta.

Para regular a tenso em RL, os valores de IZ devem estar entre IZ min a IZ mx.. Normalmente, con-
sidera-se IZ min = 10% de IZ mx. sendo IZ min a corrente no diodo zener aps o joelho da cur-
va.

Sendo IZ mx. = 100 mA tem-se:

IZ min = 0,1 . IZ mx. => IZ min = 0,1 . 100mA IZ min =
10mA

Exerccio
1) Sendo VZ = 10V, R = 220, RL = 800, determine as tenses e as correntes para V = 18V e
V = 25V. Preencha o quadro abaixo.
Tenses do circuito Correntes do circuito
Tenso de Tenso em RL Tenso em R
entrada V VRL = VZ VR = (V -- VZ) I = VR / R IL = VZ / RL IZ = I -- IL

2) Sendo V = 25V, calcule as tenses e as correntes para RL = 800 e RL = 500.

Tenses do circuito Correntes do circuito
Resistor de Tenso em RL Tenso em R
carga VRL = VZ VR = (V -- VZ) I = VR / R IL = VZ / RL IZ = I -- IL

2-18
 Os valores de IZ, nos exerccios 1 e 2, esto entre IZ min a IZ max, portanto, o diodo zener ir regu-
lar (estabilizar) a tenso em RL.
IZ min = 10 mA e Iz max = 100 mA

O resistor R deve ser dimensionado para limitar a corrente no circuito a um valor menor do que a
mxima corrente do diodo zener, pois caso a carga RL seja desligada toda a corrente do circuito ir
passar no diodo zener. Se este cuidado no for tomado o diodo zener ser danificado.

Ento, deve-se ter:

I <= IZ mx. para no danificar o diodo zener quando RL for desligado.
I >= IZ min + IL para garantir uma operao aps o joelho da curva do diodo zener e se ter uma regu-
lao da tenso em RL.

Exerccios
1) Sendo V = 25V, VZ = 10 V, IZ max = 100mA, IZ min = 10 mA, IL = 20 mA, calcule o valor
mnimo e o valor mximo do resistor R.

2) Sendo R = 220, VZ = 10 V, IZ max = 100mA, IZ min = 10 mA, IL = 20mA, calcule o valor

mnimo e o valor mximo da tenso de entrada V.

3) Sendo V = 25V, R = 220, VZ = 10 V, IZ max = 100 mA, IZ min = 10 mA, calcule o valor m-
nimo do resistor RL.

4) Cite as condies que devem ser satisfeitas para o regulador de tenso R-Z.
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................

2-19
 d) Impedncia dinmica do diodo zener

a relao entre a variao da tenso zener e a variao de corrente no diodo zener. A impedncia
zener tambm denominada de resistncia zener ou Rz.
No confundir resistncia zener com resistncia do diodo zener.

Rz =

1) Determine o valor de Rz sendo: VZ1 = 12V para IZ1 = 10 mA e VZ2 = 12,6V para IZ2 = 40 mA

2) Sendo VZ1 = 12V para IZ1=10 mA e Rz = 20, calcule VZ2 para IZ = 50mA.

O valor ideal para Rz deve ser zero. Neste caso, a tenso no diodo zener no ir variar mesmo ha-
vendo variao de corrente no mesmo. Se Rz fosse nulo no teramos a inclinao da curva na
regio de ruptura ou regio zener.

Na prtica, normalmente, considera-se o diodo zener como sendo ideal. Neste caso tambm se despre-
za o joelho da curva considerando IZ min = 0A.
No circuito, o regulador de tenso R-Z regula a tenso em RL e com isto, praticamente, elimina a ondu-
lao na sada do retificador de onda completa com filtro a capacitor.

2-20
Consideraes sobre o regulador de tenso R-Z
No adequado para circuitos que exigem tima regulao de tenso visto que o diodo zener no
apresenta uma caracterstica vertical na regio de ruptura tendo uma pequena variao da tenso ze-
ner devido resistncia zener (Rz).

indicado para circuitos que drenem baixa corrente (alguns mA) devido ao seu baixo rendimento
e isto por que o consumo de energia com ou sem carga RL constante.
Para circuitos que exigem uma regulao de tenso eficiente deve-se utilizar o diodo de refern-
cia de tenso que tem uma caracterstica vertical isto , so praticamente nulos.

Se a carga RL drena alta corrente e exige uma regulao de tenso eficiente h vrias opes de
projeto dentre as quais se destacam os reguladores de tenso na forma de circuito integrado, os regula-
dores de tenso com transistor bipolar, etc.

Limitador de tenso com diodo zener

Funcionamento

2-21
Quando a tenso de entrada ultrapassa 10V o diodo zener entra na regio de ruptura e mantm
a tenso de sada em 10V. Os picos de tenso acima de VZ ficam no resistor R.
Este circuito pode ser utilizado para proteger um circuito eletrnico contra picos de tenso.
Os semiciclos negativos so barrados pelo diodo retificador e se o mesmo for retirado do circuito
tem-se que a tenso de sada ficar limitada no valor de VZ no semiciclo positivo e no valor de 0,7V
no semiciclo negativo.

1) Para o circuito acima, desenhe a formas de onda de VR e VRL sendo VZ = 5 V.

2) Desenhe a forma de onda de VRL com o diodo retificador em curto-circuito.

Exerccios

1) No regulador R-Z abaixo, calcule as correntes no circuito.

I =.............. IL =............... IZ =..............

2) Calcule o valor mnimo do resistor RL.

RL min =.................

3) Calcule o valor mnimo e o valor mximo da tenso de entrada.

V min =................. V max =.

4) Calcule o valor mnimo e o valor mximo do resistor R.

R min =................. R max =.

5) Sendo Rz = 10 , calcule a variao da tenso na sada sabendo que a tenso de entrada varia de
14V a 21V

6) Por que o valor da corrente total (I) no pode ser acima de IZ mximo?

2-22
7) Qual a desvantagem do regulador R-Z em operar com maiores correntes na carga RL mesmo utili-
zando um diodo zener de alta potncia?

8) O que se deve fazer para regular a tenso numa carga RL que drena um alto valor de corrente?

9) a) Analise o circuito abaixo variando a tenso de entrada de 0V a 20V.

b) Considere o diodo zener ideal com VZ = 10V, VLED = 2V e d o valor da tenso de entrada para o
qual comea a ter corrente no circuito.

c) Qual o valor da tenso de entrada para uma corrente de 10mA no circuito?

2-23
2.5.2 - Circuitos integrados srie 78XX, 79XX e LM
O filtro LC era muito usado. Hoje em dia, eles esto obsoletos por causa das dimenses e custo
dos indutores nas fontes de alimentaes tpicas. Para as fontes de baixos valores, os filtros LC
foram substitudos por CIs reguladores de tenso, filtros ativos que reduzem a ondulao e man-
tm a tenso mdia de sada constante.
No mercado existem vrios circuitos integrados com a funo de regulador. Podem ser encontra-
dos para diversas tenses de sada e tambm com sadas ajustveis.
Os reguladores mais populares atualmente so os reguladores da srie 78XX e 79XX.
78XX = reguladores de tenses positivas.
79XX = reguladores de tenses negativas.
Os reguladores da srie 78XX e 79XX so dispositivos reguladores de tenses com somente trs
pinos, um para a entrada da tenso no regulada, um para a sada da tenso regulada e um para
terra.
a) Smbolo

78XX ou
1 (Entrada) (79XX) 3 (Sada)

2 (GND) 1 2 3

Exemplos: 7805 = regulador positivo de 5V de sada. 7905 = reg. negativo de 5V.

7812 = reg. positivo de 12V. 7912 = reg. neg. de 12V.
Figura 2.15 Regulador 78XX

b) Srie LM
A srie LM340, igual a 78XX, tpica da nova linha de reguladores de tenso com trs termi-
nais. Com uma impedncia da sada de aproximadamente 0,01 , o LM340-5 uma fonte de
tenso muito estvel para todas as cargas dentro da sua especificao mxima de corrente. O
340-5 ligado como regulador fixo, tem uma tenso de sada de 5V 2%, uma corrente de car-
ga mxima de 1,5A, uma regulao de carga de 10 mV, uma regulao da fonte de 3 mV, uma
rejeio de ondulao de 80dB.
O LM320, semelhante ao 79XX, do grupo de reguladores de tenso negativa.
O LM317 caracteriza-se por ser um regulador ajustvel.

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 BIBLIOGRAFIA

MALVINO, ALBERT PAUL. Eletrnica Vol I e II, 4 Edio. So Paulo: Graw-Hill, 1997.
GUSSOW, MILTON. Eletricidade Bsica. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1985.
OMALLEY, JHON. Anlise de Circuitos. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1983.
EDMINISTER, JOSEP A. Circuitos Eltricos, 2 edio. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1985.
CAVALCANTI, PAULO JOO MENDES. Eletrotcnica - para Tcinos em Eletrnica, 12 edio.
Rio de Janeiro: Freitas Bastos, 1980.
A HISTRIA DA ELETRNICA. BRASIL, 2005. Disponvel em:
http://www.wagnerzanco.com.br/artigo/artigo.htm. Acesso em: 01 de Agosto de 2005.
A HISTRIA DA ELETRICIDADE. BRASIL, 2005. Disponvel em:
http://www.sel.eesc.sc.usp.br/protecao/conteudodehistorico.htm. Acesso em: 10 de Agosto de 2005.

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