Aislador elctrico
Un material aislador o dielctrico posee
un alto nivel de resistividad; en realidad
es un mal conductor de electricidad. La
diferencia entre un conductor y un
aislador es de grado ms que de tipo, ya
que todas las sustancias conducen
electricidad en mayor o en menor
medida. El aislador perfecto para las
aplicaciones elctricas sera un material
absolutamente no conductor, pero ese
material no existe. Los materiales
empleados cono aislantes siempre
conducen, aunque poca electricidad
pero presentan una resistencia al paso
de corriente elctrica hasta 2.5E24
veces mayor que la de los buenos
conductores elctricos como la plata y
el cobre.
Fig. 1. Aislador elctrico de alto voltaje
[2]
Los materiales utilizados cono aislante
y sus aplicaciones son las siguientes.
En un circuito elctrico comn
se suele utilizar plsticos como
revestimientos aislantes para los
cables.
El aislamiento interno de los
equipos elctricos se efecta con
mica o mediante fibras de vidrio
con aglutinador plstico.
En equipos electicos y lugar a la corriente elctrica.[2]
trasformadores se emplea un
papel especial para aplicaciones
elctricas
Los conductores de las lneas de
alta tensin se aslan con vidrio,
porcelana u otro material
cermico. [1]
Semiconductor elctrico
Vuestro anlisis de los materiales
semiconductores ms utilizados en la
actualidad el silicio y el germanio;
aunque sean los nicos; sin embarg,
cualquiera de ellos tiene un
comportamiento similar.
El primero es el ms implado por ser
ms estable ante perturbaciones
externas y adems por ser el de mayor
abundancia en la naturaleza
Un semiconductor de silicio es de
constitucin cristalina y posee una
celada fundamental formada por cinco
tomos en una configuracin
tetradrica. [1]
El comportamiento elctrico de un
semiconductor se caracteriza por los
siguientes fenmenos:
Los electrones libres son
portadores de carga negativa y
se dirigen hacia el polo positivo
de la pila.
Los huecos son portadores de
carga positiva y se dirigen hacia
el polo negativo de la pila.
Al conectar una pila, circula una
corriente elctrica en el circuito
cerrado, siendo constante en
todo momento el nmero de
electrones dentro del cristal de
silicio.
Los huecos slo existen en el
seno del cristal semiconductor.
Por el conductor exterior slo
circulan los electrones que dan
Semiconductores P y N
En la prctica, para mejorar la
conductividad elctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas
aadidas voluntariamente. Esta
operacin se denomina dopado,
utilizndose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son
elementos cuyos tomos tienen
cinco electrones de valencia en
su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el fsforo, el
antimonio y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son
elementos cuyos tomos tienen
tres electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el boro, el galio y el
indio.
Cuando un elemento con cinco
electrones de valencia entra en la red
cristalina del silicio, se completan los
cuatro electrones de valencia que se
precisan para llegar al equilibrio y
queda libre un quinto electrn que le
hace mucho mejor conductor. De un
semiconductor dopado con impurezas
pentavalentes se dice que es de tipo N.
Fig. 2. Unin tipo N [2]
En cambio, si se introduce una
impureza trivalente en la red cristalina
del silicio, se forman tres enlaces
covalentes con tres tomos de silicio
vecinos, quedando un cuarto tomo de
silicio con un electrn sin enlazar,
provocando un hueco en la red
cristalina. De un semiconductor dopado
con impurezas trivalentes se dice que es
de tipo P. [2]
Fig. 3. Unin tipo P [2]
Unin PN
Cuando a un material semiconductor se
le introducen impurezas de tipo P por un
lado e impurezas tipo N por otro, se
forma una unin PN.
Los electrones libres de la regin N ms
prximos a la regin P se difunden en
sta, producindose la recombinacin
con los huecos ms prximos de dicha
regin. En la regin N se crean iones
positivos y en la regin P se crean iones
negativos. Por el hecho de formar parte
de una red cristalina, los iones
mencionados estn interaccionados
entre s y, por tanto, no son libres para
recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga
espacial positiva en la regin N y otra
negativa en la regin P, ambas junto a la
unin. Esta distribucin de cargas en la
unin establece una barrera de potencial
que repele los huecos de la regin P y
los electrones de la regin N alejndolos
de la mencionada unin. Una unin PN
no conectada a un circuito exterior
queda bloqueada y en equilibrio
electrnico a temperatura constante. [2]
Unin PN polarizada en directo
Si se polariza la unin PN en sentido
directo, es decir, el polo positivo de la
pila a la regin P y el polo negativo a la
regin N, la tensin U de la pila
contrarresta la barrera de potencial
creada por la distribucin espacial de
cargas en la unin, desbloquendola, y
apareciendo una circulacin de
electrones de la regin N a la regin P y
una circulacin de huecos en sentido
contrario. Tenemos as una corriente
elctrica de valor elevado, puesto que la
unin PN se hace conductora,
presentando una resistencia elctrica
muy pequea. El flujo de electrones se
mantiene gracias a la pila que los
traslada por el circuito exterior
circulando con el sentido elctrico real,
que es contrario al convencional
establecido para la corriente elctrica.
[3]
Unin PN polarizada en inverso
Si se polariza la unin PN en sentido
inverso, es decir, el polo positivo de la
pila a la regin N y el polo negativo a la
regin P, la tensin U de la pila
ensancha la barrera de potencial creada
por la distribucin espacial de cargas en
la unin, produciendo un aumento de
iones negativos en la regin P y de iones
positivos en la regin N, impidiendo la
circulacin de electrones y huecos a
travs de la unin. La unin PN se
comporta de una forma asimtrica
respecto de la conduccin elctrica;
dependiendo del sentido de la conexin,
se comporta corno un buen conductor
(polarizada en directo) o como un
aislante (polarizada en inverso). [3]
Conclusiones
Los materiales semiconductores
son aquellos que trasportan la
energa en un nivel menor por su
composicin qumica y
diferentes tipos de unin de
tomos.
Los materiales aislantes son
aquellos que se oponen al paso
de corriente, segn el
funcionamiento que van a
cumplir el material del aislante
ser distinto ya que en ocasiones
se deben oponer a un paso de
corriente muy elevado por este
motivo el material debe de
cambiar segn el
funcionamiento.
Referencias
[1] Jorge Ral Villaseor Gmez
circuitos elctricos y aplicaciones
digitales. Pearson. 2 edicin 2012
Recursos de internet
[2] Disponible en:
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/
downloads/introduccion.pdf
Consultado (8 de octubre del 2015)
[3] Disponible en:
http://materias.fi.uba.ar/7206/Semic.pdf
Consultado (8 de octubre del 2015)