Materias Semicondutores:

So os materiais que esto entre os condutores e entre os isolante.

Condutividade Mdia (nem bons condutores, nem bons isolantes);

Basicamente um isolante, no tem eltrons livres, mas tem uma
tenso de rompimento para se tornar condutor um pouco menor que
os isolantes;
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4
eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si,
formam uma estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se
posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura,
cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes
covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo
compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes
compartilham os dois eltrons. Portanto so considerados quase isolantes,
mas no chegam a ser isolantes. Se fizer um fio desse material, ter uma
corrente muito baixa ou no ter corrente dependendo da tenso aplicada.

Processo de dopagem
O interessante quando faz uma dopagem nesse material. Que significa
inserir um elemento diferente a cada 10 milhes de tomos de Si. Esse
elemento diferente ter um eletron a mais ou a menos na sua camada de
valencia.

TIPO N

So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de

valncia. Ex.:
Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de
silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e
fica um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena
energia suficiente para se tornar livre).

O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor

tipo n, onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres
excedem em nmero as lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so
chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios.

Inserir um material que tem um eletron sobrando, quando se aplica uma

ddp, esse eletron vai se desloca da sua camada pra um tomo de Si. Vai se
deslocar como se fosse uma corrente mas com poucos eletrons

TIPO P

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia.

Ex.: Boro,
alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio
dentro do
cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa
que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.
Haver uma corrente de portadores positivos, ou lacunas. Considerar a
lacuna como uma carga positiva, a lacuna vai se deslocar, um eletron que
tava aqui vai passar pra lacuna, o que sera a corrente.

Diodo de Juno

A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn,

que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.
Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas
direes,
alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto
ocorre, a
lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente.
(um on
negativo)
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions
esto fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida
que o nmero de ions aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons
livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo Essa zona
de depeleo indica uma ddp Vd

Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira

impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de
depleo
aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um
equilbrio. A
diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de
barreira de
potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o
germnio.

Representao do diodo

POLARIZAO
POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas
extremidades.
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao
direta se o plo
positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo
negativo em
contato com o material tipo n.
POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e
empurrado para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so
repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo
livre de
eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de
depleo.
POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o
plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a
juno fica polarizada inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo,
afastando-se da
juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos
dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente
impossvel o
deslocamento de eltrons de uma camada para outra.

o diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica

extremamente pequena,
(chamada de corrente de fuga).
Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um
momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para
diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente.
* Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de
ruptura.

TENSO DE JOELHO
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que
se
ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do
potencial da
barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em
grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar
rapidamente
chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V).

CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da
tenso
aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

Considerando a figura anterior pode-se dividir a operao do diodo em trs

regies, a regio de polarizao direta, polarizao reversa e a regio de
ruptura. Na regio de polarizao direta o diodo permite a circulao de
corrente e possui uma queda de tenso constante VD. Na regio de
polarizao reversa o diodo no permite a circulao de corrente,
comportando-se como um circuito fechado, neste caso a queda de tenso
sobre o mesmo igual a valor da tenso reversa aplicada sobre ele at um
limite mximo de -VZD. Na regio de ruptura o valor da tenso reversa
aplicada superior, em mdulo, a tenso reversa VZD, neste caso ocorre a
ruptura e o componente volta permitir a circulao de corrente,
importante ressaltar que a ruptura no diodo no normalmente destrutiva,
contando que a potncia dissipada seja limitada pelo
circuito externo em um nvel seguro que pode ser obtido no catlogo
(data sheet) deste componente fornecido pelo fabricante.
Tanto na regio de polarizao direta quanto de ruptura, importante
considerar a corrente que ir circular pelo diodo real quando em conduo
para se determinar a potncia que ser dissipada pelo componente. Na
regio de polarizao reversa importante considerar o valor mximo de
tenso para se evitar ultrapassar o valor -VZD. Estes parmetros variam de
acordo com o modelo de diodo e podem ser obtidos atravs dos catlogos
disponibilizados pelos fabricantes dos mesmos.

APLICAES

Os circuitos retificadores tem grande aplicao na eletrnica devido a sua

capacidade de transformar corrente alternada em corrente contnua, desta
forma tal circuitos so utilizados em fontes de alimentao onde a tenso
alternada da rede transformada em tenso contnua. Ressaltando, que em
tal aplicao alm do retificador temos o circuito de filtragem e regulao
da tenso de sada. Outra aplicao do retificador para medio da tenso
ou corrente alternada, neste caso o retificador tilizado juntamente com um
circuito de reteno para obteno do valor de pico da
grandeza avaliada.
RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA
comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido
ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se
necessrio a criao de um circuito que transforme a tenso alternada de
entrada em uma tenso contnua compatvel com a bateria. O diodo um
componente importante nesta transformao. que se ver neste item.

7.2.2
--
Retificadores de meia onda
Este circuito consiste um diodo D e um resistor R conectados em srie,
Figura
27 a. Suponha uma tenso de entrada senoidal, vi, de acordo com a Figura
27 b. Durante os semiciclos positivos da entrada senoidal, a tenso
positiva, vi, faz com que a corrente circule pelo diodo no sentido direto
(diodo em conduo). Portanto, o circuito equivalente ser conforme
mostrado na Figura 27 c e a tenso de sada, vo, ser igual tenso de
entrada, vi. Por outro lado, durante os semiciclos negativos de vi, o diodo
no conduzir. Portanto, o circuito equivalente ser conforme mostrado na
Figura 27 d e a tenso de sada, vo, ser zero. Finalmente, a tenso de
sada ter a forma apresentada na Figura 27 e. Portanto, observa-se que o
circuito retificador s permite a passagem dos semiciclos positivos da
tenso de entrada vi. Sendo que os semiciclos negativos so cortados, o
que pode ser um inconveniente em algumas aplicaes.

7.2.3
--
O retificador de onda completa (ponte retificadora)

Outra forma de implementao do retificador, e que no possui o

inconveniente
de cortar os semiciclos negativos, o retificador de onda completa, tambm
conhecido como retificador em ponte ou ponte retificadora. Na Figura 28
apresentado o diagrama deste retificador.
O circuito apresentado na figura anterior funciona da seguinte maneira:
durante
os semiciclos positivos da tenso de entrada, vi, a corrente conduzida pelo
diodo D1, resistor R e o diodo D2. Enquanto isso, os diodos D3 e D4 estaro
reversamente polarizados, portanto em corte. Por outro lado, durante os
semiciclos negativos da tenso vi, a corrente ser conduzida pelo diodo D3,
o resistor R e o diodo D4, enquanto os diodos D1 e D2 permanecem em
corte. Desta forma, observa-se que os terminais do resistor permanecem
com sua polaridade inalterada, independente da polaridade do sinal de
entrada, ou seja, a tenso de sada, vo, permanece com a polarizao
indicada pela figura anterior. A sada deste retificador apresentada na
Figura 29.

De acordo com a figura anterior observa-se que os semiciclos negativos

foram
rebatidos para a cima, desta forma o perodo de tempo de ausncia de
tenso entre dois semiciclos consecutivos, observados no retificador de
meia onda, Figura 27 e, foi preenchido. A principal desvantagem deste
retificador em relao ao retificador de meia onda que neste existe duas
quedas de tenso no caminho da corrente, nos semiciclos positivos por D1 e
D2 e nos negativos por D3 e D4, portando a queda de tenso fica em,
aproximadamente, 1,4 V (0,7 V para cada diodo, no caso do silcio,
aproximadamente). Para o retificador de meia onda, como s existe um
diodo no caminho da corrente a queda de tenso sempre igual metade,
ou seja, para diodos de silcio, 0,7 V.

FREQNCIA DE SADA
A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada,
pois a
definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo
quando ela
comea a repeti-lo. Na Figura 1-24, a forma de onda retificada comea a
repetio aps um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a
tenso de entrada tenha uma freqncia de 60Hz, a onda retificada ter
uma freqncia de 120Hz e um perodo de 8,33ms.

7.3 O diodo zener

Considerando a Figura 26 podemos concluir que a operao na regio de

ruptura pode ser til em algumas aplicaes, como aquelas onde a queda
de tenso no diodo deve ser maior que VD, ou seja, maior que 0,7 V. Isto
devido ao fato de que a tenso reversa (tenso de ruptura), VZD, ser maior,
em mdulo, que o valor da queda de tenso de polarizao direta VD. Uma
aplicao muito importante para os diodos operando na regio de ruptura
no projeto de reguladores de tenso. Desta forma diodos especiais so
fabricados para operar especificamente na regio de ruptura. Estes diodos
so chamados de diodos de ruptura ou, mais comumente, diodos zener.

Na Figura 30 apresentado o smbolo do diodo zener. Nas aplicaes usuais

deste tipo de componente a corrente circula entrando pelo catodo, ou seja,
o catodo positivo em relao ao anodo, isto contrasta com os outros tipos
de diodos onde o catodo negativo em relao ao anodo. Resumindo, os
diodos zener so utilizados em polarizao contrria quando comparados
com os outros tipos de diodos e exatamente esta caracterstica que
confere aos diodos zener sua funcionalidade como reguladores de tenso.

Exemplo 1 - Regulador de tenso.

Considere o circuito apresentado na Figura 31 composto de uma fonte de
tenso contnua com valor Vi de 10 V em srie com um resistor de 1 K e
um diodo zener com tenso Vz de 4,7 V. Na Figura 32 so apresentadas as
tenses de entrada e sada do regulador em questo.
De acordo com a Figura 31 e Figura 32, a tenso de sada Vo foi de 4,7 V o
que proporcionado pelo diodo zener que possui uma tenso VZ de 4,7 V.
Ou seja, o diodo limitou o valor da tenso de entrada, originalmente de 10
V, em um valor igual sua tenso VZ (4,7 V) na sada. importante
considerar que a diferena de tenso entre a entrada e a sada, ficou sobre
o resistor de 1 K. Desta forma considerando a lei de Ohm, temos:

FORMULAS

Portanto, pode-se concluir que na configurao apresentada na Figura 31 o

diodo e comporta como um regulador de tenso uma vez que limitou o valor
da tenso da fonte num valor igual sua tenso zener, VZ. Deve-se
considerar que a potncia dissipada pelo diodo, e tambm pelo resistor, no
deve ultrapassar os limites apresentados pelos catlogos destes
componentes. Portanto, deve-se escolher os componentes considerando,
alm de outras caractersticas, a potncia mxima que estes so capazes de
dissipar.

Grampeador de tenso.
Considere o circuito da Figura 33 onde uma fonte de tenso alternada, vi,
com
valor de pico a pico de 10 V ligada em srie com um resistor e um diodo
zener com tenso VZ de 3,3 V e tenso de sada vo. As formas de onda
obtidas para as tenses de entrada e sada so apresentadas na Figura 34.

Considerando a Figura 34 observa-se que o circuito grampeador de tenso

limitou a tenso de sada em um valor mximo igual tenso zener do
diodo, neste caso 3,3V, em outras palavras, valores de tenso de entrada
acima de 3,3 V so grampeados em 3,3 V, no sendo obtido na sada
valores superiores a VZ. Da mesma forma que no exemplo 1, a queda de
tenso no resistor pode ser obtida pela lei de Ohm[.