INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGA DEL MAR

EXTENSIN CUIDAD GUAYANA

RIF.J-000667762-4
ELECTRICIDAD

ALUMNO
LUIS PENSO 13-0143

SAN FLIX, ABRIL 2015

DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna)es un diodo de disparo bidireccional,

especialmente diseado para disparar Triacs y Tiristores (es un dispositivo
disparado por tensin).Tiene dos terminales: MT1 y MT2. El DIAC se comporta
como dos diodos zener conectados en paralelo, pero orientados enformas
opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor detensin del zener
que est conectado en sentido opuesto.El DIAC normalmente no conduce, sino
que tiene una pequeacorrientede fuga. Laconduccin aparece cuando la tensin
de disparo se alcanza.Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el
DIAC se reduce y entra enconduccin dejando pasar la corriente necesaria para el
disparo del SCR o TRIAC. Seutiliza principalmente en aplicaciones de control de
potenciamediante control de fase.Es un componente electrnico que est
preparado para conducir en los dos sentidosde sus terminales, por ello se le
denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensinde cebado o de disparo
(30v aproximadamente, dependiendo del modelo).Hasta que la tensin aplicada
entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; laintensidad que circula por
el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin lacorriente aumenta
bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior.
Laaplicacin ms conocida de este componente es el
control de un triac para regular la potencia de una
carga.
 Aplicacin: Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de
fase de la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante
una fraccin de ciclo de laalterna. Estos sistemas se utilizan para el control de
iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de
temperatura y algunos controles de velocidad de motores. La forma ms simple de
utilizar estos controles es empleando el circuitorepresentado en la Figura 3, en que
la resistencia variable R carga el condensador C hastaque se alcanza la tensin de
disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga deC, cuya corriente
alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce
una vez en el semi ciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo
podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de
conduccindel TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la
carga, obtenindose unsimple pero eficaz control de potencia.

El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores dispuestos

como se ilustra en la figura 2 siguiente. Cuando el DIAC est polarizado como en
la parte (b), laestructurapnpndesde A1a A2, proporciona la operacin del
dispositivo con cuatro capas.En el circuito equivalente,Q1yQ2estn polarizados
en directa y losQ3yQ4en inversa. Eldispositivo opera en la porcin derecha
superior de la curva caracterstica, bajo esta condicin de polarizacin.
Cuando el DIAC est polarizado, la estructura pnpn, desde A2a A1, es la que se
usa. En el circuito equivalente,losQ3yQ4estn polarizados en directa y
losQ1yQ2en inversa. El dispositivo opera en la porcin izquierda inferior de la
curva caracterstica.
TRIAC

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para

controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa. Cuando conduce, hay una trayectoria de
flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la
direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje
es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye
de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado.
Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales
principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta
como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin
de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede
entrar en conduccin directa.

En la FIG.9 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a.

mediante un triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un
circuito de mando exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida
proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor
perteneciente al MOC3041 (opto acoplador).
Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de R2
tomando la tensin del nodo del triac de potencia. Este proceso produce una
tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que pasa al estado de
conduccin provocando el arranque del motor.

Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la

corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario
redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control
activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Como podemos apreciar,
entre los terminales de salida del triac se sita una red RC cuya misin es proteger
al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan producir
por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no deseados.

Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de

calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se
refrigere adecuadamente.

FIG.9

FIG. 5
En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un
UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las
condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de
aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el
primario, para este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo.

La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en

puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que
suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Esta forma
de onda es mostrada en la FIG. 6 (a).

Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp

del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario
del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del
secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto
del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de
T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d).

La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un

divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al
circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una
gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca,
con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es
aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas
condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.

Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1

ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a
travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de
colector y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva
mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan
despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

FIG. 6

UTJ
El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor
que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados
emisor (E), base uno (B_1) y base dos (B_2). Est formado por una barra
semiconductora tipo N, entre los terminales B_1-B_2, en la que se difunde una
regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el
valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor
intrnseco.

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican
como B_1 y B_2 respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una
juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El
tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo
n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia
mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est
fuertemente contaminado.

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje
V_{EB1} sobrepasa un valor V_p de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de
modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el
dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa. Este es un proceso
con realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajacin.

PUT
 El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es
similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado
por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como
oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta se conecta
a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar
la constante de tiempo RC.

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de

relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase.
Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de
temporizacin o pequeos valores de capacitancia, en aplicaciones de baja
corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con
bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de
realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de
conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la
conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia
menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia
adecuada. Electrnica