1.

ANALISIS DE RESULTADOS
RESULTADOS DE LA SIMULACION

RESULTADOS DE LA EXPERIMENTACION

VE1 VC1 VC2 VBA VCA VEA VEB

-0.73 5.36 5.31 -10.52 -10.73 -11.15 -11.16

VOUT1 VOUT2 VIN1 VE1

2.88 2.84 20mV 180mV

Como se observa en los resultados de la polarizacin los valores son

muy cercanos a los previstos en la simulacin, con unas pequeas
variaciones en la polarizacin debido a la barrera de potencial del diodo
que forma parte del transistor.

La amplificacin no es la esperada.

Se esperaba una amplificacin de aproximadamente 6 V, sin embargo se

obtuvo una amplificacin cercana a los 3 V, esto principalmente es
debido a las caractersticas propias de los transistores y a los betas
propios de los mismos.
2. RESISTENCIA DE SALIDA DEL ESPEJO DE CORRIENTE

( 1)

Como
se
observa en la figura. Vo=792mV y sabemos que Vin=20mV, al calcular
Ac= 792/20
Obtenemos: Ac=39.6
Calculando RE:
Datos: Ac=39.6; B=100 ; Rc=10K ; ri=100*15/(10k)
Reemplazando en (1)
RE=4950.49 entonces RE= 5k