Camera de televiziune color

Schema bloc a unei camere de televiziune color este dat n fig.1.

n aceasta schem de principiu imaginea captat cu sistemul optic

format din lentilele camerei este descompus n 3 imagini, imaginea care
corespunde cotinutului de rosu, cea care corespunde continutului de
verde si cea care corespunde continutului de albastru din imaginea
original.

Pentru aceasta se utilizeaz OD oglinzi dicroice reflect o

anumit gam a spectrului vizibil i las s treac restul. OD1 reflect
rou i las s treac verdele i albastru. OD2 reflect gama culorilor
albastru i las s treac verdele. O oglind obinuit reflect
ntreaga gam a radiaiilor au rolul de a dirija fluxurile luminoase
reflectate ctre traductorul de imagine respectiv. FL filtre colorate
suplimentare ce au rolul de a corecta caracteristicile spectrale ale
dispozitivelor videocaptoare. Imaginile ajung la TA traductoare
analizoare de imagine (tub vidicon, tub plumbicon, circuit integrat CCD,
CMOS). Cele 3 dispozitivele videocaptoare sunt identice ntre ele i
realizeaz transformarea imaginii n semnal electric prin explorare
ntreesut.

La ieirea sistemului se obin semnalele primare de culoare ER,

EG, EB , care iau valori n domeniul 01VVV. Aceste semnale au
amplitudine proporional cu strlucirea culorii primare respective.
Filtrele luminoase pe cele trei ci i amplificatoarele electronice de dup
tuburile videocaptoare (neprezentate n fig.1.) se regleaz astfel ca la
captarea unei imagini alb-negru s se obin trei semnale egale ER =
EG = EB - pentru imaginea alb de strlucire maxim acestea au valoarea
1 VVV. (diversele valori cuprinse ntre alb i negru se numesc nuane de
gri sau trepte tonale de la alb la negru). Acest reglaj se numeste reglajul
de alb al camerei video.

Dispozitive videocaptoare integrate

senzori CMOS i CCD - construcie, funcionare i performane

Senzorii de imagine au o form dreptunghiular cu o structur

matricial, n form de tabl de ah, format din celule fotosensibile,
fig.2. Dimensiunea unui senzor este de 1/2, 1/3 sau 1/4 inch iar raportul
de aspect cel determinat prin standarde (4/3 pentru SDTV ,16/9 pentru
HDTV). Numarul de celule determin rezolutia maxim a senzorului
(traductorului) de imagine (de ex. pentru HDTV 1920 x 1080 celule).

Fig.2. Senzor de imagine i structura ariei fotosensibile

Celulele fotosensibile sunt identice i fiecare celul acumuleaz

sarcini electrice proporional cu durata i intensitatea radiaiei
luminoase incidente pe acea celul. Pe senzor se formeaz o imagine
de sarcini electrice care este proportional cu imaginea optic original.
Fiecare celul care acumuleaz sarcini reprezint un pixel de imagine,
pixelul fiind cel mai mic element al unei imagini. Numrul de pixeli nx i ny
depinde de rezoluia senzorului.
Dimensiunea unui pixel este sub 5 m. Raportul de apect al unui pixel
poate fi 1/1 (square pixel) sau poate lua alte valori (non-square pixel),
funcie de diferitele formate ale imaginii i
rezoluiile adoptate :
- standardul 4/3 - 16/15, 12/11, 8/9 sau 10/11
- standardul 16/9 - 64/45, 16/11, 32/27 sau 40/33
Fig.3 Raportul de aspect al unui pixel

Rezoluiile nx i ny ntlnite n mod uzual depind de destinaia

senzorului de imagine (camer TV sau camer foto-digital). Exist
valoarea standard minim 256x256 putnd ajunge la valori 2048x2048 i
chiar 4096x4096.
De regul elementul fotosensibil este o fotodiod (pinned
photodiode sau JFET photogate) sau un tranzistor MOS. Sensibilitatea
optic a unui astfel de element, denumit Quantum Efficiency QE ,
este definit prin :

QE = numar fotoni detectati / numar fotoni incidenti

Deoarece un foton incident pe celula sensibil genereaz o

pereche de sarcini electron-gol, numrul de fotoni detectai coincide cu
numrul de electroni i se poate defini eficiena
electric, notat EQE, prin relaia :

EQE = numar electroni / numar fotoni incidenti

Eficiena se msoar n procente i, spre comparaie, se dau mai jos

unele valori interesante:
ochiul uman = 1 %
film fotografic = 5 - 20 %
senzor CCD = 50 90 %
Se spune c senzorii integrai sunt circuite avnd eficien cuantic
naltp (High Quantum Efficiency).
La rndul su, parametrul Quantum Efficiency depinde de lungimea
de und a radiaiei luminoase. n fig.4 se prezint un exemplu de astfel
de dependen .
Fig. 4 Eficiena n funcie de lungimea de und a radiaiei luminoase

n esen funcionarea unui astfel de senzor de imagine este

urmtoarea:
- Sistemul optic (lentile, oglinzi) focalizeaz imaginea
original exact pe senzorul de imagine;
- Aria fotosensibil este expus la lumin un timp limitat, timp n
care se formeaz imaginea electric (distribu ia de sarcin); aceast
expunere se realizeaz cu ajutorul unui dispozitiv mecanic obturatorul;
- Imaginea electronic format din sarcini electrice este explorat
electronic pentru a se obtine semnalul video (fiecare din cele trei
semnale primare de culoare R, G, B).
n funcie de constructie se utilizeaz dou tipuri de circuite:
Circuite CMOS;
Circuite CCD.

Senzori de imagine CMOS

Structura unui senzor de imagine CMOS permite accesul la fiecare

pixel n parte. Astfel pentru fiecare pixel sunt folosite cteva
tranzistoare care transform sarcina n tensiune.
Fig.5. Circuitul 3T, cu tranzistoare MOS, asociat fiecrui pixel activ

n fig.5 se prezint un circuit - 3T activ pixel - reprezentativ pentru

Senzorul CMOS. Tranzistorul Trst lucreaz ca un comutator care
reseteaz sarcina acumalat de acel pixel. Cnd acest tranzistor este
deschis, fotodioda este conectat la sursa de alimentare pentru reset,
notat Vrst, i pierde ntreaga sarcin acumulat. Cnd tranzistorul Trst
este blocat, fotodioda iluminat acumuleaz sarcini pe capacitatea de
gril a tranzistorului repetor Trep , sarcin ce determin apariia unei
tensiuni n surs. Trep lucreaz ca un repetor pe surs i asigur citirea
sarcinii electrice fr a afecta sarcina acumulat. Alimentarea sa VDD
poate coincide n multe cazuri cu alimentarea Vrst. n fine, al treilea
tranzistor , Tsel, este un tranzistor de selecie a rndului. Lucreaz ca un
comutator care selecteaz un singur rnd de pixeli din intreaga arie, rnd
care urmeaz s fie conectat la circuitele electronice de ieire din
senzor. Exist i variante constructive 5T sau 6T care ofer soluii mai
dezvoltate privind i timpul de expunere la lumin a pixelului.
Circuitul electronic de la captul rndului, de regul conine un
CAN (convertor analog / numeric A/D) care transform informaia
analogic n cod numeric. Exist variante n care pentru fiecare rnd
exist o electronic de ieire dar i variante constructive n care pentru
fiecare pixel n parte exist cte un circuit de ieire i cte un CAN.
Avantajele senzorilor CMOS:
- tehnologie simpl, deoarece de multe ori sunt fabricate pe aceleai
linii tehnologice cu circuitele CMOS.
- Consum foarte mic, chiar de 100 ori mai mic comparativ cu CCD
Dezavantaje:
- circuitele sunt mai zgomotoase din dou motive:
tranzistoarele din apropierea fotodiodei o influeneaz pe
aceasta;
tranzistoarele i conexiunile micoreaz suprafaa util a celulei;
Aplicaii :
Senzorii de imagine CMOS sunt folosii cu precdere n camerele
foto-digitale datorit consumului redus. Variantele performante sunt
folosite i n camerele TV.
Dac se construieste o camer video performant pentru imagini
de bun calitate, atunci se folosesc 3 senzori CMOS, cte unul pentru
fiecare culoare primar, ca n figura 1.
Dac se construieste o camer video la care dimensiunea si pretul
sunt importante (n telefoane mobile, laptop, camere foto digitale de mici
dimensiuni), se poate utiliza un singur senzor cu CMOS. Senzorii de
imagine ca atare au o comportare acromatic i pentru captarea
imaginilor color se folosesc mpreun cu filtre optice care descompun
imaginile color n culori primare. Soluia adoptat const n acoperirea
fiecrui pixel n parte cu o microlentil si un filtru color ce corespunde
cte unei culori primare. Se obine astfel o arie de filtre color (Color
Filter Array CFA), fig.6.

Fig.6 Aria filtrelor color de tip GRGB i o seciune prin aceasta

Aranjamentul filtrelor color prezentat n fig.6 a fost propus de Dr.

Bryce E. Bayer de la Eastman Kodak (se numete aranjament Bayer,
sau, simplu, filtre Bayer) i are 50% filtre verzi, 25 % roii i 25 %
albastre, innd cont de sensibilitatea spectral a ochiului uman. Se mai
numete aranjament GRGB sau RGGB i este de departe cel mai folosit
n aparatura actual. Se observ matricea de 2x2 celule care se repet
att pe linie ct i pe coloan. n conformitate cu acest aranjament de
filtre, la iesire pe fiecare linie se genereaz esantioane de semnal pentru
cte o singur culoare primar (valoarea analogic sau numeric, dup
conversie).
Valorile numerice pentru e antioanele care corespund celorlalte dou
culori ale pixelului se calculeaz soft, prin interpolare, de ctre
circuitele exterioare senzorului.
n ultimii ani firma Eastman Kodak ca i alte firme (de ex. Sony) a
anunat utilizarea altor filtre dect filtrele Bayer (fig.7), care asigur o
sensibilitate sporit pentru senzorii de imagine (RGBW Red, Green,
Blue, White sau RGBE - Red, Green, Blue, Emerald). Dezavantajul
const n faptul c rezult matrici repetitive mai mari dect matricea 2x2
specific filtrului Bayer.

Fig.7.Filtre RGBW propuse de Eastman Kodak

Observaie:
Materialele din care sunt confecionate microlentilele sufer un
accentuat proces de mbtrnire care duce la alterarea culorilor dup
civa ani de utilizare a senzorului.

Senzori de imagine CCD

Senzorii de imagine CCD sunt dispozitive semiconductoare
descoperite de Boyle i Smith n anul 1970 la AT&T Laboratory.
Denumirea CCD ( Charge Coupled Device - Dispozitive cu transfer
de sarcin) provine de la modul de funcionare al acestui dispozitiv care
transfer sarcina electric stocat ntr-o arie spre o arie adiacent.
Celula constructiv de baz a unui astfel de circuit este capacitatea
MOS (Metal Oxid Semiconductor) reprezentat n fig.8. Stratul izolator
este dioxidul de siliciu SiO2 iar grila este construit dintr-un material nalt
conductor cum ar fi metal sau siliciu policristalin.
 Fig.8 Capacitorul MOS elementul constructiv al unui circuit CCD

n mod normal, la echilibru termic, n substratul semiconductor se

formeaz perechi de sarcin electroni-gol. Dac se aplic o tensiune
convenabil pe gril atunci purttorii majoritari sunt respini iar purttorii
minoritari sunt atrai i sunt stocai n regiunea de sub gril (fig.8
stnga): se spune c sub gril se formeaz o regiune srcit n
purttori majoritari iar purttorii minoritari sunt stocai n groapa de
potenial format sub gril (fig.8 dreapta); imaginea unei gropi n care
sarcina stocat este meninut similar unui fluid este o imagine extrem
de plastic i sugestiv privind fenomenele fizice care au loc n structura
semiconductoare. n fig.8 substratul este de tip p, tensiunea care se
aplic pe gril este pozitiv iar sarcina de purttori minoritari care sunt
stocai este format din electroni (acetia au mobilitate mai mare dect
golurile). Substratul de tip n este mai rar folosit n construcia circuitelor
CCD.

Fig.9 Celule MOS foarte apropiate formeaz o groap de potenial

comun

n condiiile n care pe gril se aplic o tensiune mai mare, groapa

de potenial se adncete , fig.9.a. De asemenea, dac dou celule
MOS sunt suficient de apropiate, atunci gropile de potenial se unesc i
sarcina stocat de cele dou capaciti este pus n comun i poate
migra n zona n care groapa este mai adnc , fig.11.b.. n fine, dac pe
grilele celor dou capaciti MOS se aplic tensiuni variabile convenabile
(de form dreptunghiular sau mai degrab trapezoidal), fig.9.c, atunci
sarcina stocat poate fi mutat de la o capacitate la cealalt i napoi n
ritmul impus prin frecvena semnalului de comand.

Fig.10.Transferul pachetelor de sarcini electrice de-a lungul unui ir

de celule CCD

n cele ce urmeaz, aa cum se arat n fig.10. vom considera un

ir de celule MOS suficient de apropiate una de alta astfel nct s poat
fi unite prin groapa de potenial. Dac pe grilele celulelor MOS se aplic
semnale de tact de forma celor prezentate n fig.10., atunci se pot
transporta pachete distincte de sarcin de-a lungul acestor celule, pas cu
pas, n ritmul semnalului de comand. Se observ c semnalele de
comand pe gril, notate T1 , T2 i T3 se repet din 3 n 3 celule. Mai mult
chiar, toate semnalele au aceeai form i fiecare semnal n parte este
compus din 3 poriuni distincte care se repet periodic. Semnalele
corespunztoare la 3 celule consecutive sunt decalate unul fa de
urmtorul cu cte un sector, astfel c dup fiecare 3 celule distincte ,
semnalele de comand se repet. ntregul ansamblu de celule
MOS are o comportare similar unui registru de deplasare din
electronica digital. n timp ce registrul de deplasare din circuitele digitale
asigur deplasarea unor simboluri binare (bii) de data aceasta, registrul
CCD asigur deplasarea a unor pachete distincte de sarcin electric, o
mrime analogic.
Observaie: n analiza precedent s-a artat modul n care se
deplaseaz pachetele de sarcin fr a se specifica de unde provin
aceste pachete la intrarea n registrul de deplasare.
n cazul dispozitivelor CCD unidimensionale , utilizate ca linii de
ntrziere analogic, sarcina de la intrare este proportional cu
amplitudinea e antionului de semnal de la intrarea dispozitivului. La
iesire se culege o tensiune propor ional cu mrimea pachetului de
sarcin respectiv.
Un parametru important care msoar performana unui registru de
deplasare de sarcini electrice este eficienta cu care se transfer
pachetele de sarcin. Acest parametru, denumit Charge Transfer
Efficiency CTE , se msoar n procente i indic mrimea sarcinii
care se transfer de la o celul MOS la celula urmtoare.
n acest sens se observ c dac CTE = 99,999% , atunci, de
exemplu, n cazul unui registru de 1024 celule, la captul registrului
pachetul de sarcin ajuns este 99% comparativ cu cel original.
Actualmente se construiesc circuite CCD avnd CTE = 99,9999 %.
n cazul senzorilor de imagine cu CCD, structura este
bidimensional cu electrozi transparenti din polisiliciu, iar pachetele de
sarcin provin prin bombardarea fiecrei celule cu fotoni. Este posibil ca
sarcina s provin si de la traductoarele fotosensibile (fotodiode sau
fototranzistori) ale fiecrei celule.

Variante de circuite CCD

n cele ce urmeaz vor fi trecute n revist mai multe variante

constructive de circuite CCD.
A. Circuite CCD cu transfer pe cadre (Frame Transfer FT)
 Fig.11 Circuit CCD cu transfer pe cadre ( Frame Transfer FT)

n fig.11 se prezint structura de principiu pentru circuitul CCD cu

transfer pe cadre (denumit i Frame Transfer FT). Aria util este
identic cu aria de stocare i este compus din capaciti MOS
organizate matricial conform rezoluiei senzorului. n timp ce aria util
este expus luminii, aria de stocare este acoperit cu un material opac
(un strat de aluminiu). Drept element fotosensibil este folosit tocmai
celula MOS care este folosit i pentru deplasarea sarcinii. Cnd aria
util este expus luminii, fotonii incideni ptrund n substratul de siliciu i
prin efect opto-electronic genereaz perechi electroni-goluri. Numrul de
electroni colectai sub grila MOS ntr-un timp dat (denumit timp de
integrare) este proporional cu intensitatea local a radiaiei luminoase.
Observaii:
1).Partea substratului expus la lumin poate fi partea frontal
(front-side illumination), opus electrozilor, sau partea pe care sunt
construii i electrozii (back-side illumination) caz n care grilele sunt
construite din materiale transparente (lumina ptrunde att prin grila
transparent ct i prin locurile libere dintre grile).
2).Senzorul CCD are o gam dinamic mare i cu o bun liniaritate.
Aceasta nseamn c circuitul poate detecta obiecte att la luminan
slab ct i la luminan mare.
Nivelul de iluminare minim detectat este determinat de nivelul de zgomot
al circuitului n timp ce nivelul maxim este dependent de sarcina maxim
care poate fi stocat n groapa de potenial fr saturarea circuitului.
Circuitele CCD asigur o bun liniaritate pentru o gam dinamic ce
acoper cteva ordine de mrime.
3) Circuitul CCD asigur un rspuns uniform . Eventualele diferene
de la un pixel la altul pot fi calibrate i compensate prin circuitele
exterioare.
Funcionarea circuitului CCD cu transfer pe cadre prezentat n
fig.11 este urmtoarea.
Aria activ este expus la lumin pe durata cursei directe pe vertical i
acumuleaz sarcini electrice n celulele MOS, sarcini care reproduc
imaginea optic.
Apoi, pe durata impulsului de stingere pe vertical, sarcinile electrice
sunt transferate rapid n seciunea de stocare. Aceleai celule MOS care
au fost senzori de lumin acioneaz acum ca celule ale unui registru
de deplasare CCD. Urmeaz un nou timp de integrare pentru aria activ,
timp n care aria de stocare mpreun cu registrul de deplasare orizontal
asigur explorarea sarcinilor i concomitent formarea semnalului de
ieire dup principiul explorare linie dup linie i n cadrul unei linii
explorare de la stnga la dreapta: pe durata impulsului de stingere linii,
sarcinile de pe ultima linie din aria de stocare sunt trecute n registrul
orizontal; apoi pe durata actv a liniei de explorare, sarcinile electrice
sunt deplasate de-a lungul registrului orizontal ctre amplificatorul de
ieire.
n ansamblu rezult o funcionare pentru care, n timp ce aria activ
acumuleaz sarcini electrice, aria de stocare este explorat dup
principiul clasic al televiziunii, adic linie dup linie i n cadrul unei linii,
de la stnga la dreapta. Apoi un ntreg cadru este transportat rapid din
aria activ n aria de stocare i procesul se reia pentru cadrul urmtor cu
o nou acumulare de sarcini n timp ce cadrul precedent este explorat.
Observaie: n cazul circuitului analizat, pentru un pixel de imagine
corespund 3 capacitoare MOS (vezi registrul de deplasare CCD care
necesit un modul de 3 capacitoare MOS pentru transferul unui pachet
de sarcin).

B. Circuite CCD cu transfer pe cadre, varianta Full Frame Transfer

FFT

n fig.12 se prezint un al doilea circuit CCD cu transfer pe cadre

care seamn cu varianta precedent cu observaia c lipsete
seciunea de stocare. i funcionarea este foarte asemntoare: aria
fotosensibil expus la lumin acumuleaz sarcini electrice. Apoi
sarcinile sunt explorate cu ajutorul registrului de deplasare direct din
aria activ (evident dup principiul expus mai sus, adic linie cu linie i
n cadrul unei linii, de la stnga la dreapta).
 Fig.12 Circuit CCD cu transfer pe cadre Full Frame Transfer FFT

n timpul explorrii sarcinilor, senzorul nu mai este expus la

lumin, obturarea fcndu-se cu un mecanism extern. Avantajul adus
de aceast soluie const n faptul c, pe acelai substrat de siliciu, aria
activ este mult mai mare i deci poate fi realizat cu un numr mai
mare de pixeli, adic rezoluie mbuntit. Dezavantajul const n
necesitatea mecanismului exterior de obturare care face ca un astfel de
senzor s nu poat fi folosit n televiziune. Este ns foarte bun pentru
fotografia digital.

C. Circuite CCD cu transfer pe linii (Interline Transfer IT)

Circuitul CCD cu transfer interlinii, are fiecare coloan vertical

organizat n dou subcoloane, fig.13.a : o subcoloan format din
celule fotosensibile (n cazul acestui tip de circuit sunt folosite de regul
fotodiode drept elemente fotosensibile); o subcoloan format din celule
MOS, cu rol de stocare, deci obturat (acoperit cu strat de aluminiu).
Cu alte cuvinte, aria activ i aria de stocare sunt ntreptrunse.
Coloana de stocare are n acelai timp i un rol de registru de deplasare
vertical. ntre coloana fotosensibil i coloana de stocare se afl o
coloan de celule MOS cu rol de comutatoare analogice (pori de
transfer).
 Fig.13 Circuit CCD cu transfer interlinii

a. Principiul constructiv; b. Structura unui circuit CCD cu transfer

interlinii

Sarcina electric format n urma conversiei fotoelectrice este

stocat n capacitatea jonciunii fotodiodei. n timpul impulsului de
stingere pe vertical, sarcina este transferat din fotodiode spre
registrele de deplasare verticale. Aceast transferare are loc simultan
pentru toi pixelii (principala diferen fa de circuitul cu transfer pe
cadre). n continuare funcionarea este similar cu a circuitului cu
transfer pe cadre: n timp ce fotodiodele acumuleaz o nou sarcin,
aria de stocare este citit cu ajutorul registrului de deplasare orizontal i
furnizeaz semnalul video la ieire.

D. Circuite CCD cu transfer pe linii i cadre (Frame Interline

Transfer FIT)

Dezavantajul circuitului precedent, cu transfer pe linii, const n

faptul c, n timp ce coloana de fotodiode acumuleaz sarcini electrice,
registrul pe vertical, aflat n imediata apropiere transfer sarcini spre
ieire. Este posibil ca operaiunile efectuate de registrul pe vertical
(clock, transfer de sarcin, etc.) s influeneze negativ procesul de
conversie fotoelectric.
Soluia de mbuntire const n adugarea unei arii de stocare ca
n fig.14. Se obine astfel circuitul cu transfer pe linii i cadre care
funcioneaz astfel: pe durata expunerii la lumin fotodiodele
acumuleaz sarcini electrice. Apoi, pe timpul impulsului de stingere pe
vertical, sarcinile sunt transferate n registrele verticale i apoi tot n
acelai interval de stingere sunt transferate vertical n aria de stocare.
Urmeaz urmtorul interval de acumulare i simultan explorarea cadrului
precedent care se afl n aria de stocare. Suprafaa activ pentru acest
circuit este de cca. 30% din aria util.

Fig. 14 Circuit CCD cu transfer pe linii i cadre

n toate implementrile de circuite CCD analizate mai sus,

semnalul de ieire din CCD este componenta video a semnalului video-
complex.
Conversia sarcinii electrice n semnal de tip tensiune se realizeaz
cu ajutorul unui amplificator de ieire, fig.15.

Fig.15 Amplificatorul de ieire din CCD

Registrul de deplasare pe orizontal transfer sarcinile electrice

pachet dup pachet. Capacitatea de gril a tranzistorului de ieire Tout se
ncarc cu un pachet i n consecin atinge o tensiune proporional cu
pachetul de sarcin (reamintim c U = q/C unde q este sarcina
acumulat n capacitatea C iar U este tensiunea la bornele acelei
capaciti). Apoi capacitatea este descrcat prin intermediul
tranzistorului de reset Trst i ncrcat din nou cu urmtorul pachet de
sarcin. La ieire se obine un semnal de tip tensiune format din
e antioane ce corespund la fiecare pachet de sarcin, adic la fiecare
pixel de imagine.