Experimento de Millenkan

UNIVERSIDAD NACIONAL DE CAJAMARCA
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERIA DE MINAS
EXPERIMENTO DE MILLIKAN
1.- INTRODUCCION. - En 1096 Robert A. Millikan inici sus trabajos
experimentales sobre la carga electrnica e. La tcnica consiste en esparcir
pequeas gotas de aceite mineral pulverizado en una cmara cerrada, de tal modo
que caen en una regin prxima a la parte superior de dos placas metlicas
polarizadas. La placa superior (positiva) posee una perforacin a travs de la cual
pasar una gota de aceite. Una vez que ha ingresado la gota a la regin acotada
por las placas ser posible encontrarla en el campo visual.
Estando las placas conectadas a tierra, no se encontraran cargadas. Bajo estas

condiciones la gota cae por accin gravitatoria, por lo que adquiere, en los primeros
instantes de su recorrido una velocidad lmite de tal magnitud que la fuerza
gravitatoria FG es igualada exactamente por la fuerza de oposicin que
correspondera al empuje.
Cuando se mide la velocidad de cada es posible conocer FG y as luego determinar
la masa de la gota de aceite. La velocidad de la gota puede medirse por medios
cinemticas de fcil control.
Cuando la gota se aproxima a la placa inferior, se debe proceder a cargar las placas,
quedando stas polarizadas. La repuesta de la gota ante la presencia de un campo
elctrico puede ser que ascienda hacia la placa positiva y estara experimentando
una fuerza electrosttica hacia arriba FE, por lo tanto, dicha gota se ha cargado
negativamente. El ascenso de la gota lo har con velocidad constante si la Fuerza
FE es mayor que la fuerza FG. Conocida esta velocidad de ascenso ser posible
conocer la Fuerza FE. Por lo que, conociendo la fuerza y el voltaje entre las placas
se puede determinar la carga de la gota. Este procedimiento de dejar caer por
gravedad, manteniendo las placas conectadas a tierra y consiguiendo que suba al
polarizar las placas se puede repetir varias veces para conseguir medir la velocidad
y posteriormente calcular la carga.
FISICA III
2. DESARROLLO EXPERIMENTAL
A finales del siglo XIX, el cientfico britnico Joseph John Thomson haba
demostrado la existencia de lo que hoy conocemos como electrn y pudo establecer
la relacin entre su carga y su masa analizando la desviacin que estas partculas
experimentaban cuando se movan en el seno de un campo electromagntico:
Relacin entre carga y masa del electrn calculada por Thomson
Sin embargo, aunque lo intent, Thomson no consigui determinar ni la masa ni la

carga del electrn (al menos de forma precisa). Tuvieron que pasar ms de diez
aos hasta que el estadounidense Robert Andrews Millikan, discpulo de Michelson
en la Universidad de Chicago, publicara los resultados de los experimentos con los
que consigui determinar, con bastante exactitud (el error era del 1 %), la carga del
electrn:
Carga del electrn calculada por Millikan
Para llegar a ello, Millikan utiliz una versin de la cmara de niebla que Thomson,
el que fuera su director de tesis en Europa, estaba utilizando con el mismo
propsito. Con este dispositivo se consegua nebulizar e ionizar una pequea
cantidad de agua, de modo que el estudio de su comportamiento en presencia de
campos elctricos permitira calcular la carga de la nube y, en funcin del nmero
de gotas, deducir la carga elemental del electrn. Sin embargo, tanto Thomson
como Millikan fracasaron en sus primeros intentos ya que el agua se evaporaba con
facilidad. La suerte estuvo de la mano de Millikan cuando ste coincidi con
Rutherford en un congreso celebrado en su universidad, quien le advirti, adems,
FISICA III
del inconveniente que supona realizar el estudio de la nube de agua

completa, siendo ms acertado centrar el inters en el movimiento individual de
cada una de las gotas en suspensin.
Millikan decidi, entonces, utilizar aceite en lugar de agua, de ah que dicho

experimento sea habitualmente conocido como el experimento de las gotas de
aceite. En la cmara, el aceite se dispersaba en minsculas gotas que descendan
en el seno de un gas ionizado con rayos X. Un cierto nmero de los electrones
formados en la ionizacin se adheran a las gotitas, por lo que adquiran una carga
negativa que era un mltiplo entero de la carga del electrn. Estas gotitas se hacan
pasar entre dos placas entre las cuales se generaba una diferencia de potencial que
provocaba un campo elctrico uniforme (en esencia, este montaje constituye un
condensador plano). En consecuencia, una fuerza elctrica actuaba sobre las
gotitas, frenando su movimiento de descenso, de manera que del estudio de este
equilibrio de fuerzas poda deducirse la carga de cada gotita. Como sta siempre
era un mltiplo entero pequeo de la carga del electrn, una vez conocida la carga
de varias gotitas poda estimarse la carga correspondiente a un solo electrn.
FISICA III
En ausencia de campo elctrico, el descenso de la gota est provocado por la fuerza

de la gravedad, aunque debe considerarse el empuje que ejerce el aire, por lo que
en realidad debemos tener en cuenta su peso aparente, es decir, el peso de la gota
menos el peso del aire que desaloja:
Debido a la resistencia del aire, la partcula alcanza una velocidad terminal que no
vara, es decir, se desplaza sin aceleracin. Si consideramos las gotitas como
partculas esfricas que se mueven a travs de un fluido, la fuerza de friccin viene
descrita por la ley de Stokes:
Igualando ambas fuerzas, podemos obtener sendas expresiones que nos permiten
calcular el radio de la gota o bien la velocidad terminal a la que se mueve:
Si luego aplicamos un campo elctrico, aparece una fuerza elctrica que se opone
al movimiento de cada de la gota. Si la intensidad del campo es tal que la fuerza
elctrica compensa la fuerza de la gravedad:
FISICA III
Hemos obtenido una expresin que nos permite determinar la carga total adquirida
por la gota (habiendo calculado previamente su radio), ya que las densidades y la
intensidad del campo elctrico son conocidos. Al ser esta carga una, dos, tres
veces la carga del electrn, realizando mediciones en diferentes gotas, podemos
deducir cual es el valor de la carga elemental.
Otra opcin consiste en aplicar un campo elctrico de mayor intensidad, en cuyo

caso la gota experimentara un movimiento ascendente:
En este caso, la expresin de la velocidad obtenida para el movimiento ascendente

(cuando el campo es lo suficientemente intenso) puede relacionarse con la que
habamos obtenido previamente para la velocidad en el movimiento descendente
(en ausencia de campo elctrico), lo que nos proporciona la informacin necesaria
para estimar su carga, que siempre ser un mltiplo de la carga del electrn.
FISICA III
EFECTO HALL
1.- INTRODUCCION. - En la presente prctica presentamos el siguiente proyecto
experimental utilizando un sensor de efecto Hall. Describimos los detalles
constructivos del dispositivo experimental, su prueba y calibracin. Nuestra principal
tarea es analizar la relacin entre el voltaje Hall VH (Tensin Hall) y el campo
magntico B producido en un electroimn, as como estimar la constante de Hall
para una placa de SnO2. Cabe resaltar que este experimento puede ser realizado
con elementos disponibles en un laboratorio de enseanza y a un costo mnimo.
2.1.- Principios del efecto Hall en semiconductores:
El efecto Hall es una consecuencia de la fuerza que se ejerce sobre una carga elctrica
en movimiento cuando se encuentra sometida a la accin de un campo elctrico y un
campo magntico.
Si por una muestra semiconductora circula una densidad de corriente J perpendicular a
un campo magntico B, ste provoca la aparicin de un campo elctrico normal al plano
determinado por B y J. Este mecanismo denominado efecto Hall puede ser usado para
determinar caractersticas del semiconductor tales como: tipo de portador (hueco o
electrn), concentracin o movilidad. Tambin es la base de dispositivos utilizados como
sensores y medidores de campos magnticos.
Supongamos que por una muestra semiconductora circula una corriente elctrica de
intensidad I, el vector de intensidad de campo elctrico E coincide su sentido con I y el
campo magntico B en principio es nulo como se muestra en la Figura 1.
FISICA III
Si el semiconductor es homogneo, la superficie equipotencial que pasa por los contactos

a-b, en la Figura 1, est situada perpendicularmente a la direccin del campo elctrico E
y, por lo tanto, a la corriente I. La diferencia de potencial entre los puntos a y b (VH) es
igual a cero.
Se coloca ahora al semiconductor en un campo magntico de induccin B 0, como se
muestra en la Figura 1. Como se sabe, sobre una carga q que se mueve a una velocidad
v en un campo magntico B, acta una fuerza F, llamada fuerza de Lorentz:
F= q (v x B)
La direccin de esta fuerza F depende del signo de la carga del portador y del producto
vectorial de la velocidad v y del campo B. Por lo tanto, si la velocidad de los portadores
es perpendicular al campo B, por accin de la fuerza de Lorentz los portadores se
desvan en direccin perpendicular a v y B. Por lo tanto, como los electrones y los huecos
tienen tanto sus velocidades de arrastre como sus cargas de signo contrario, ambos tipos
de portadores tendern a ser acelerados en el mismo sentido por la fuerza F. Se origina
una separacin espacial de las cargas y aparece un campo elctrico, se produce entre
los puntos a y b una diferencia de potencial VH, llamada tensin de Hall.
Para determinar la direccin y sentido de la fuerza pueden usarse varias formas: la regla
de la mano izquierda
producto vectorial (v x B).
FISICA III
En el primer caso, se hace coincidir el dedo ndice de la mano izquierda con la direccin
y sentido del campo B y el dedo medio con la direccin y sentido de la velocidad de la
partcula. El dedo pulgar indicar la direccin y sentido de la fuerza sobre la partcula,
como se muestra en la Figura 2.
Figura N2
En la regla de la palma, tambin para mano izquierda, las lneas de densidad de flujo
magntico deben atravesar verticalmente la palma de la mano, los dedos ndice, mayor,
anular y meique juntos, se colocan en la direccin y sentido de la corriente. La fuerza
resultante F acta en la direccin y sentido determinado por el dedo pulgar, como se
muestra en la Figura 3.
Figura N3
En las Figuras 4 a) y 4 b) se muestra la accin de la fuerza de Lorentz para un hueco y

para un electrn. El campo magntico B y la corriente son perpendiculares entre s. En
ambos casos los portadores experimentarn una fuerza (Fm) que los desviar hacia la
cara superior de la muestra. Un voltmetro ubicado en los terminales a-b determinar la
diferencia de potencial de Hall, VH. La simple observacin del sentido de deflexin
permite determinar el tipo de semiconductor.
FISICA III
Figura N4a) Figura N4b)
2.2- Determinacin de la tensin de Hall

Tomando como referencia la Figura 1, la expresin de la densidad de corriente J para
una concentracin de portadores n ser:
J Jy q n vy
En estado de equilibrio la fuerza elctrica sobre los portadores se equilibrar con la

fuerza de Lorenz:
Despejando vy de la primera y reemplazando en la anterior, resulta:
q EH q vy Bz
Jy
vy
qn
Como en el material hay dos campos elctricos presentes, uno debido a la corriente I x
dado por:
Jy Jy
Ey
qn
y otro debido al efecto Hall:
Jy Bz
EH
qn
FISICA III
el campo resultante formar con la direccin de la corriente un ngulo , llamado : ngulo

de Hall, cuyo valor est dado por:
= arc tg( Bz)
Queremos encontrar una expresin que permita calcular de la tensin de Hall (V H):
La magnitud RH se denomina constante o coeficiente de Hall.

1
En el caso de un material de tipo N: R H = -
nq
1
En el caso de un material de tipo P: RH= +
pq
Conociendo el coeficiente de Hall se puede calcular la concentracin de portadores de
carga y determinar su signo. Del mismo modo, conociendo para una muestra el
coeficiente de Hall y la conductividad se puede calcular la movilidad de los portadores de
carga debida al efecto Hall: = RH .
Hasta ahora no se ha tenido en cuenta la distribucin estadstica de los portadores de
carga segn las velocidades. Considerando el mecanismo de dispersin, la expresin de
la constante de Hall se modifica:
1
RH= - rH.
nq
FISICA III
Por ejemplo, al dispersarse los portadores de carga por oscilaciones acsticas de la red
cristalina el factor rH = (3/8). En cambio, en el caso de dispersin por impurezas inicas
se tiene rH= 1.93.
Se puede extender el caso del efecto Hall a una muestra de semiconductor donde
coexisten electrones y huecos. En ese caso, el coeficiente de Hall se modificar as:
RH= (1/q) ( p p2 - n n2)

(p p + n n)2
Para un semiconductor intrnseco n = p = ni y el coeficiente se modifica as:
RH= (1/q) ( p - n)
ni (p + n)
2.3- Aplicaciones
Una de las aplicaciones del efecto Hall en semiconductores consiste en la determinacin
de la concentracin de portadores en una muestra semiconductora, o en la determinacin
de la movilidad de los portadores.
Dado que el potencial de Hall, VH, es para un valor fijo de I proporcional al campo
magntico B, puede utilizarse el efecto Hall para la medicin de campos magnticos.
Tambin es posible fabricar circuitos multiplicadores tipo Hall, ya que la tensin de Hall
es proporcional al producto I.B. De este modo, se puede usar una tensin V1 para
generar la corriente I y otra tensin V2 para generar la intensidad de campo B. La tensin
VH que se desarrolla entre las caras de la muestra es proporcional a I.B y por lo tanto al
producto V1.V2. La desventaja del mtodo consiste en que VH es una tensin en general
pequea.
Una aplicacin tpica como multiplicador lineal sera un vatmetro, donde I se tomara
proporcional a la tensin sobre la carga y B se hara proporcional a la corriente en la
carga. En este caso, la salida, el potencial de Hall, ser proporcional a la potencia en la
carga.
FISICA III
EL BETATRN
1.- INTRODUCCION
El acelerador de induccin magntica o betatrn, pertenece al grupo de mquinas

ideadas para acelerar partculas cargadas hasta elevadas energas. Fue inventado
en 1941 por Donald W. Kerst. El betatrn construido en 1945 aceleraba electrones
hasta una energa de 108 eV.
El acelerador consista en un tubo toroidal en el que se haba hecho el vaco, y se

situaba entre las piezas polares de un electroimn. Los electrones, acelerados
mediante una diferencia de potencial de unos 50000 voltios por un can
electrnico, entraban tangencialmente dentro del tubo, donde el campo magntico
les haca dar vueltas en una rbita circular de 5 m de longitud.
Los betatrones se usan para estudiar ciertos tipos de reacciones nucleares y como
fuentes de radiacin para el tratamiento del cncer.
La fuerza que ejerce el campo magntico, como hemos visto ya en el espectrmetro

de masas y en el ciclotrn obliga a las partculas a describir una rbita circular. El
problema que surge en esta situacin, es que a medida que las partculas son
aceleradas, se necesita un campo magntico cada vez mayor para que las
partculas describan una rbita circular de un determinado radio.
2. FUNDAMENTOS FSICOS
Los fundamentos fsicos del betatrn combinan, la ley de Faraday, y el movimiento

de partculas cargadas en un campo elctrico y en un campo magntico.
FISICA III
Ley de Faraday-Henry
En primer lugar, determinaremos el campo elctrico en cada punto del espacio,

producido por un campo magntico que tiene simetra axial (su mdulo depende
solamente de la distancia r al eje Z), pero a su vez, cambia con el tiempo.
El camino cerrado elegido es una circunferencia de radio r, centrada en el eje Z.

Como el flujo vara con el tiempo, se induce una fem dada por la ley de Faraday
Debido a la simetra axial, el campo elctrico generado E solamente depende de r,

es constante y tangente en todos los puntos de la circunferencia de radio r, de modo
que VE=E2p r
El flujo del campo magntico es F =<B>p r2. Donde <B> es el campo medio
existente en la regin que cubre el rea S=p r2. Despejando el mdulo del campo
elctrico
FISICA III
Movimiento de las partculas cargadas
Ya que la partcula describe una trayectoria circular

con velocidad variable con el tiempo, hemos de
estudiar el movimiento de la partcula en la
direccin tangencial y en la direccin normal.
Movimiento en la direccin tangencial
La partcula cargada experimenta una fuerza F=qE, tangente a la

circunferencia de radio r. Si la carga es positiva la fuerza es en el sentido del
campo, y si la carga es negativa es en sentido contrario al campo.
La ecuacin del movimiento de la partcula (masa por aceleracin tangencial

igual a la componente tangencial de la fuerza) ser
(1)
Movimiento en la direccin radial
El campo magntico ejerce una fuerza centrpeta (v y B son mutuamente

perpendiculares) Fn=qvB. La ecuacin del movimiento (masa por aceleracin
normal igual a la componente normal de la fuerza que acta sobre la
partcula) es
FISICA III
(2)
Para que se cumplan simultneamente las dos

condiciones (1) y (2), el campo magntico a la
distancia r del eje Z, tiene que ser igual a la mitad
del campo magntico medio <B> en la regin
que cubre el rea S=p r2.
Energa de las partculas cargadas
En general, el campo magntico B es oscilatorio, con

frecuencia angular w , pero las partculas solamente
se aceleran cuando el campo magntico est
aumentando.
Las partculas se inyectan cuando el campo magntico es cero, por tanto, las
partculas se aceleran solamente durante un cuarto de periodo, de 0 a P/4. Al cabo
de este tiempo, se les proporciona un impulso adicional que las dirige hacia el
blanco.
En el instante t=P/4, cuando B adquiere su valor mximo B0, la velocidad de las

partculas es (2)
mvmx=qB0r
FISICA III
y la energa cintica mxima es
Si B=B0sen(w t) la aceleracin tangencial dada por (1) vale
Integrando obtenemos la velocidad de la partcula en cada instante, (suponemos

que la partcula parte del reposo en el instante inicial t=0)
Como vemos para w t=p/2, o cuando t=P/4 se obtiene la mxima velocidad vmx de
las partculas aceleradas. La velocidad mxima es independiente del valor del
periodo P. Dependiendo del valor de P, las partculas tardarn ms o menos tiempo
en alcanzar la velocidad mxima.
CICLOTRN
1.- INTRODUCCION
Los distintos proyectos de investigacin bsica y aplicada, que pueden ser

generados en el Ciclotrn, surgen de los distintos procesos y componentes que
intervienen en la operacin del Ciclotrn. En su funcionamiento, el Ciclotrn cuenta
con una infraestructura tcnica altamente desarrollada, la cual involucra distintos
procesos que inicialmente son susceptibles de ser estudiados, y posteriormente
implementados o modificados mediante pequeos proyectos de investigacin. A lo
largo del documento se describen brevemente, cuales son los aspectos tcnicos
que de una u otra forma estn involucradas en las distintas fases de funcionamiento
del Ciclotrn, y a la vez, se mencionan las distintas posibilidades o campos de
FISICA III
aplicabilidad en el rea de la investigacin, que eventualmente podran ser

desarrolladas.
La investigacin bsica o aplicada que puede surgir del Ciclotrn, se encuentran

limitadas por las condiciones tcnicas propias de la mquina, y por las polticas de
desarrollo cientfico que posea la entidad donde finalmente va a ser instalado el
Ciclotrn. El establecimiento de un programa de investigacin y desarrollo alrededor
del ciclotrn, demanda erogaciones adicionales, y esfuerzos humanos
multidisciplinarios que permitan optimizar y racionalizar el uso del ciclotrn.
2.1 PARTES DEL CICLOTRN. - Los principales componentes y sistemas de un

ciclotrn son:
El imn: Normalmente de tipo resistivo. Un polo sobre las D (Norte) y

otro debajo (Sur), generando un campo magntico, perpendicular a la
partcula y uniforme, para confinar el haz de partculas. A medida que
ganan energa el campo les obliga a describir una trayectoria espiral
creciente.
FISICA III
Electrodos huecos: Tienen forma de D, se encuentran ligeramente

separados y estn conectados a un oscilador de alto voltaje. Alternando la
carga positiva y negativa a estas des conseguimos acelerar la partcula.
La fuente de iones: Est formada por ctodos para la produccin de
protones y deuterones. Estos iones son insertados radialmente en la zona
central del imn.
Sistema de extraccin del haz: Se encarga de dirigir el haz de iones
hacia el blanco utilizando una placa con voltaje negativo una vez que las
partculas han llegado al borde externo de las D.
Blancos: Es el lugar donde las partculas impactan.
Detectores: Registran la emisin de energa de la sustancia radiactiva, el
tipo de partcula, as como los niveles de radiactividad.
Sistema de vaco: Su finalidad es la de evitar que los iones acelerados
colisionen con tomos de gases residuales, con el fin de evitar la creacin
de neutrones que dejaran de ser acelerados.
Sistema de refrigeracin: Su finalidad es controlar y mantener la
temperatura correcta, as como llevar a cabo la desionizacin del agua
utilizada para dicha funcin.
2.2 APLICACIN DEL CICLOTRON. -
Numerosos centros de Medicina Nuclear utilizan el ciclotrn para la

produccin de los llamados radioistopos que despus utilizan para obtener
imgenes del interior del cuerpo humano y as facilitar las labores de
diagnstico de distintas enfermedades.
El ciclotrn tambin tiene aplicaciones en oncologa.
Se utiliza para irradiar materiales, como, por ejemplo, circuitos electrnicos

de inters en la industria aeroespacial y as observar los efectos que la
FISICA III
radiacin produce en los mismos a fin de simular las condiciones ambientales

en las que se desenvuelve el funcionamiento real del circuito.
La radio farmacia es uno de los campos que ms se beneficia, al utilizar

istopos que se pueden sintetizar en diferentes molculas.
Adems, en diferentes tecnologas de la industria se encuentran numerosas

aplicaciones para laboratorios de ensayo, controles de calidad, aplicaciones
nucleares, etc.
2.3 FUNCIONAMIENTO
El ciclotrn es un acelerador de partculas circular que mediante la accin de un

campo elctrico oscilante y otro magntico consigue acelerar los iones hacindolos
girar en rbitas de radio y energa crecientes. Se podra decir que el ciclotrn se
trata de un acelerador Winderoe en forma circular y provisto de dos electrones en
lugar de muchos de ellos. El ciclotrn consta de dos cajas planas semicirculares,
denominadas des (D1 y D2).
FISICA III
Las des se encuentran encerradas en un compartimento estanco, y el conjunto se

halla colocado entre los polos de un electroimn lo bastante grande para
proporcionar un campo magntico suficientemente constante sobre la superficie
total de las des.
El movimiento de las partculas se fundamenta en la Ley de Lorentz:
Continuando con el funcionamiento, estas "des" se encuentran conectadas a un

generador de alta frecuencia, capaz de de desarrollar, a travs de las des, un
voltaje muy alto (unos 30000 V ms o menos), a varios millones de hercios. Un
FISICA III
filamento elctrico incandescente, produce una corriente de electrones que ioniza

el gas de hidrgeno deuterio y helio existente en el sistema, para producir
protones, deuterones o partculas alfa respectivamente.
El xito del ciclotrn depende del hecho de que el tiempo exigido por un ion de una
carga-masa dada para completar una revolucin en el campo magntico, no se
altera al aumentar la energa del ion. As, con tal que la frecuencia y el campo
magntico estn en su justa proporcin, un ion que haya partido de la fuente, y sea
captado por el campo elctrico en su fase correcta en la abertura entre las des",
experimentar sincrnicamente una aceleracin cada vez que cruce la abertura.
El hecho de que la frecuencia sea variable es debido a que los primeros ciclotrones
(de frecuencia fija) tenan en la prctica un lmite de energa mxima resultante del
aumento de la masa de las partculas cuando alcanzan energas entre 20 y 30 MeV.
A estas energas, las partculas empiezan a girar ms despacio y no se puede
mantener por ms tiempo su sincronismo con el voltaje de radiofrecuencia de las
des.
Esta prdida de sincronismo puede ser neutralizada disponiendo que el campo
magntico crezca en la medida en que lo hace la distancia radial al centro. A su vez,
este tipo de campo provoca un desenfoque vertical y hace que las partculas
golpeen las superficies superiores e inferiores de las des. Para evitarlo y mantener
las partculas prximas al plano mediano del campo magntico se hace decrecer
ligeramente el campo magntico mientras aumenta el radio.
El espacio hueco del interior de las des est esencialmente libre de campo
elctrico. El ion, una vez en este espacio, se mueve a velocidad constante en la
trayectoria circular prescrita por el campo magntico. Dado que la energa del ion
aumenta en las sucesivas aceleraciones que sufre en la abertura, cada vez describe
crculos ms amplios, pero con velocidad creciente.
FISICA III
La sincronizacin es tal que, a cada sucesivo cruce por la abertura, el voltaje de

radiofrecuencia cambia su polaridad cambia su polaridad en el sentido correcto para
proporcionar una aceleracin adicional. Por ltimo, cuando el ion alcanza un
determinado radio mximo, que depende del tamao del imn, alcanza tambin su
mximo de energa. En este punto puede ser utilizado para incidir en un blanco o
puede usarse un sistema deflector especial para dirigirlo fuera de la mquina.
FISICA III

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Estando las placas conectadas a tierra, no se encontraran cargadas. Bajo estas

Relacin entre carga y masa del electrn calculada por Thomson

Sin embargo, aunque lo intent, Thomson no consigui determinar ni la masa ni la

Carga del electrn calculada por Millikan

del inconveniente que supona realizar el estudio de la nube de agua

Millikan decidi, entonces, utilizar aceite en lugar de agua, de ah que dicho

En ausencia de campo elctrico, el descenso de la gota est provocado por la fuerza

Otra opcin consiste en aplicar un campo elctrico de mayor intensidad, en cuyo

En este caso, la expresin de la velocidad obtenida para el movimiento ascendente

2.1.- Principios del efecto Hall en semiconductores:

Si el semiconductor es homogneo, la superficie equipotencial que pasa por los contactos

En las Figuras 4 a) y 4 b) se muestra la accin de la fuerza de Lorentz para un hueco y

Figura N4a) Figura N4b)

2.2- Determinacin de la tensin de Hall

En estado de equilibrio la fuerza elctrica sobre los portadores se equilibrar con la

el campo resultante formar con la direccin de la corriente un ngulo , llamado : ngulo

La magnitud RH se denomina constante o coeficiente de Hall.

RH= (1/q) ( p p2 - n n2)

El acelerador de induccin magntica o betatrn, pertenece al grupo de mquinas

El acelerador consista en un tubo toroidal en el que se haba hecho el vaco, y se

La fuerza que ejerce el campo magntico, como hemos visto ya en el espectrmetro

Los fundamentos fsicos del betatrn combinan, la ley de Faraday, y el movimiento

En primer lugar, determinaremos el campo elctrico en cada punto del espacio,

El camino cerrado elegido es una circunferencia de radio r, centrada en el eje Z.

Debido a la simetra axial, el campo elctrico generado E solamente depende de r,

Movimiento de las partculas cargadas

Ya que la partcula describe una trayectoria circular

Movimiento en la direccin tangencial

La partcula cargada experimenta una fuerza F=qE, tangente a la

La ecuacin del movimiento de la partcula (masa por aceleracin tangencial

Movimiento en la direccin radial

El campo magntico ejerce una fuerza centrpeta (v y B son mutuamente

Para que se cumplan simultneamente las dos

Energa de las partculas cargadas

En general, el campo magntico B es oscilatorio, con

En el instante t=P/4, cuando B adquiere su valor mximo B0, la velocidad de las

y la energa cintica mxima es

Si B=B0sen(w t) la aceleracin tangencial dada por (1) vale

Integrando obtenemos la velocidad de la partcula en cada instante, (suponemos

Los distintos proyectos de investigacin bsica y aplicada, que pueden ser

aplicabilidad en el rea de la investigacin, que eventualmente podran ser

La investigacin bsica o aplicada que puede surgir del Ciclotrn, se encuentran

2.1 PARTES DEL CICLOTRN. - Los principales componentes y sistemas de un

El imn: Normalmente de tipo resistivo. Un polo sobre las D (Norte) y

Electrodos huecos: Tienen forma de D, se encuentran ligeramente

2.2 APLICACIN DEL CICLOTRON. -

Numerosos centros de Medicina Nuclear utilizan el ciclotrn para la

El ciclotrn tambin tiene aplicaciones en oncologa.

Se utiliza para irradiar materiales, como, por ejemplo, circuitos electrnicos

radiacin produce en los mismos a fin de simular las condiciones ambientales

La radio farmacia es uno de los campos que ms se beneficia, al utilizar

Adems, en diferentes tecnologas de la industria se encuentran numerosas

El ciclotrn es un acelerador de partculas circular que mediante la accin de un

Las des se encuentran encerradas en un compartimento estanco, y el conjunto se

El movimiento de las partculas se fundamenta en la Ley de Lorentz:

Continuando con el funcionamiento, estas "des" se encuentran conectadas a un

filamento elctrico incandescente, produce una corriente de electrones que ioniza

La sincronizacin es tal que, a cada sucesivo cruce por la abertura, el voltaje de

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