Escuela Universitaria de Ingeniera Tcnica Industrial de Bilbao

Universidad del Pas Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea

ELECTRONICA INDUSTRIAL

TIRISTORES

SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U.

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 INTRODUCCION

1.1. Introduccin
1.2. Clasificacin de los tiristores
1.3. El tiristor SCR
- Propiedades
- Caractersticas del SCR
- Protecciones del SCR
- Asociacin de tiristores
1.4. El triac
1.5. El diac

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 INTRODUCCION

Se denomina tiristor a todo componente semiconductor con dos

estados estables constituidos por varias capas semiconductoras, 3 o
ms uniones PN y 2, 3 4 terminales.

tme.eu

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 CLASIFICACION

UNIDIRECCIONALES: Conducen en un solo sentido

- SCR: Rectificador controlado de silicio

- GTO: Tiristor de apagado por puerta
- GCS: Tiristor controlado por puerta
- SCS: Tiristor de doble puerta
- SUS: Conmutador unilateral
- LASCR: Tiristor activado por luz
- Diodo de 4 capas o diodo SCHOCKLEY

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 CLASIFICACION

BIDIRECCIONALES: Conducen en los dos sentidos

- TRIAC: Triodo de c.a

- DIAC: Diodo de c.a
- SBS: Conmutador bilateral

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 EL TIRISTOR SCR

El primer fabricante fue General Electric. Son empleados en

rectificacin controlada y en todas las tcnicas de potencia que se
emplean para modificar la presentacin de la energa elctrica (~/~,
=/=, =/~).
Los tiristores de red trabajan con frecuencias de 50/60 Hz, aunque
existen modelos que pueden trabajar a frecuencias de hasta 200
KHz. Actualmente son capaces de controlar hasta 2.000 A, 4.000
Volt.

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 EL TIRISTOR SCR (CLASIFICACION)

SCR tipo P o puerta de ctodo: Este semiconductor consta de 4

capas, 3 uniones y 3 terminales.

El tiristor conduce de A a K cuando A(+) y K(-), y adems tiene un

impulso de puerta tal que G(+) y K(-). El impulso de puerta solo
sirve para cebar al tiristor, pues una vez cebado este conduce.

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 EL TIRISTOR SCR (CLASIFICACION)

SCR tipo N (poco utilizado): Este semiconductor al igual que el

anterior consta de 4 capas, 3 uniones y 3 terminales.

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 PROPIEDADES DEL SCR

1) Es un interruptor casi ideal, aunque en estado de conduccin

tiene una pequea caida de tensin (1 a 2 V)
2) Rectificador fcilmente controlable debido al terminal de puerta
(podemos aplicar el impulso de cebado cuando se desee)
3) Relativa rapidez. Tiempo de regeneracin tq = 5 s
4) Segn el tiempo de recuperacin, tenemos:
Tiristores rpidos: tq = 3 - 30 s
Tiristores de red: tq > 220 s

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 PROPIEDADES DEL SCR

5) Soporta: Tensiones elevadas del orden de 4.000 Voltios,

corrientes elevadas del orden de 2.000 amperios y como
consecuencia potencias elevadas, siendo las frecuencias de trabajo
de 50 Hz a 200 KHz.
6) Es un elemento unidireccional, pues una vez aplicada la seal de
mando a la puerta, el dispositivo deja pasar corriente en un solo
sentido. De ah que a veces se designa al tiristor por rectificador
controlado (SCR).

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 PROPIEDADES DEL SCR

7) Este dispositivo puede cumplir varias misiones:

- RECTIFICACION: Consiste en usar la propiedad de funcionamiento
unidireccional del dispositivo; funciona como un diodo.
- INTERRUPTOR DE CORRIENTE: Usado como interruptor, puede
reemplazar a los contactores mecnicos; aplicando a la puerta un
impulso positivo, el tiristor pasa a conducir, existiendo mtodos para
bloquearlo en el instante deseado.
- REGULADOR: La posibilidad de ajustar el momento preciso de
disparo, permite emplear al tiristor para gobernar la corriente o
potencia media de salida.

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 PROPIEDADES DEL SCR

8) La forma del encapsulado vara segn la intensidad nominal del

SCR y estas han de ser buenas conductoras del calor. Nos podemos
encontrar con tiristores que tienen dos terminales de ctodo, siendo
uno de ellos ms delgado y denominado ctodo auxiliar, pues
solamente sirve para conectar el generador de impulsos.

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 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR

Las caractersticas estticas de un tiristor son similares en muchos

aspectos a las del diodo semiconductor.

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CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR

Si polarizamos inversamente al
tiristor, de modo que el nodo sea
negativo con respecto al ctodo,
practicamente no pasa corriente.

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 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR
Si se aplica polarizacin directa al
tiristor, de modo que el nodo sea
positivo con respecto al ctodo, y si el
tiristor no est disparado, la
caracterstica es semejante a la que
existe en polarizacin inversa, denominndose "caracterstica
directa de bloqueo".

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 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR
Si se aplica polarizacin directa al
tiristor y este se dispara para que
pase al estado de conduccin, la
caracterstica es semejante a la de un
diodo semiconductor polarizado directamente, y se llama
"caracterstica directa de paso".

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 CORRIENTE DE ENGANCHE Y DE MANTENIMIENTO

Para que se produzca el cebado, el tiristor debe recibir una corriente

suficiente cuyo valor mnimo recibe el nombre de corriente de
enganche IL. Si se suprime el impulso de puerta antes de que se
alcance el valor IL, el tiristor no se cebar. Esta corriente vara con el
ancho y la intensidad del impulso de control. El valor de IL es por lo
general de dos a tres veces el valor de la corriente de mantenimiento
IH que, una vez desaparecido el impulso de puerta, es suficiente para
mantener el cebado.
La corriente de mantenimiento IH, es la corriente mnima que ha de
atravesar el tiristor para que conserve el estado de conduccin.

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 TIEMPO DE ENCENDIDO (Cebado por puerta)

En la mayoria de las aplicaciones se utiliza un impulso en la puerta

para cebar el tiristor. No obstante este impulso slo afecta a la parte
del ctodo vecina al electrodo de mando; por consiguiente, el paso
del tiristor del estado de bloqueo al de conduccin est limitado en
principio a esta superficie inicialmente cebada, denominada zona
primaria de cebado.
Se puede pues considerar que la entrada en conduccin del tiristor
pasa por dos etapas bin diferenciadas:
a) Creacin de una zona primaria de conduccin
b) Propagacin del estado conductor al resto del dispositivo

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 DESCEBADO O APAGADO DEL TIRISTOR

El descebado del tiristor se produce

cuando la corriente de nodo
desciende por debajo de IH
(corrientede mantenimiento), o
cuando se anula dicha corriente de
nodo IA. Tras el descebado, no
podemos volver a aplicar la tensin
positiva antes de que transcurra un
cierto tiempo tgr, salvo que el tiristor
vuelva a ponerse en conduccin.

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 VELOCIDAD DE CRECIMIENTO DE LA CORIENTE (di/dt)

Durante el cebado la zona de conduccin se reduce a una parte del

ctodo vecina al electrodo de mando. Si el circuito exterior impone
durante esta fase un crecimiento rpido de la intensidad, la
densidad de corriente en la zona de cebado puede alcanzar un
valor importante. Paralelamente, el descenso de la caida de tensin
en el tiristor durante la conmutacin del estado de bloqueo al
conductor, no se efecta de forma instantanea. Por consiguiente
habr momentos en que se presenten simultaneamente valores
elevados de corriente y de tensin.

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 VELOCIDAD DE CRECIMIENTO DE LA CORIENTE (di/dt)

La di/dt es el valor mnimo de la pendiente de intensidad por

debajo de la cual no se producen puntos calientes.
Entre los efectos de la di/dt digamos que:
En la conmutacin de bloqueo a coduccin la potencia
instantnea puede alcanzar valores muy elevados.
La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar
el lmite trmico crtico, podra destruir al componente.

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 PROTECCION CONTRA di/dt
Un tiristor requiere un tiempo mnimo para dispersar la corriente de
forma uniforme a travs de las uniones. Si la velocidad de elevacin
de la corriente de nodo es muy elevada en comparacin con la
velocidad de dispersin del proceso de activacin, aparecer un
punto de calentamiento, debido a una alta densidad de corriente,
por lo que el dispositivo puede fallar debido a una temperatura
elevada. En la prctica, la di/dt se limita al aadir una inductancia
en serie Ls como vemos en la fig.

LS T1
R
VS
Dm RC
C

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 PROTECCION CONTRA dV/dt

La dv/dt es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo

del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta
duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
Entre los efectos de la dv/dt, podemos citar:
Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del
dispositivo.
La dv/dt admisible vara con la temperatura

RS
VS T1
CS

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 CARACTERISTICAS DE PUERTA
Las caractersticas tpicas de puerta llevan a obtener la familia de
curvas que se ilustra en la fig. siguiente. Estas curvas permiten
definir las condiciones extremas de disparo, cuyas limitaciones son
de dos tipos:
- Dispersin de las caractersticas
debidas al proceso de fabricacin.
- Gama de temperaturas admisible
durante el funcionamiento.

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 ASOCIACION DE TIRISTORES

Cuando las exigencias de tensin de un circuito exceden las

posibilidades de los tiristores disponibles comercialmente, es
necesario recurrir a la conexin serie de los dispositivos. Si se
exceden las posibilidades de intensidad, recurriremos a la conexin
en paralelo.

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 ASOCIACION DE TIRISTORES EN SERIE

Para asociar tiristores en serie, estos deben ser del mismo tipo, a ser
posible de las mismas caractersticas.
Una cuestin importante es
que los impulsos de puerta de
ambos tiristores deben ser
aplicados al mismo tiempo.

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 ASOCIACION DE TIRISTORES EN SERIE

Si existe una dispersin en las caractersticas de bloqueo tanto

directo como inverso, no existir un reparto por igual de tensin
para los tiristores en serie, pues el tiristor con menor corriente de
fugas absorbe mayor diferencia de potencial.
Para reducir este problema en lo posible, se coloca en paralelo con
cada tiristor una resistencia de valor elevado R, que tiende a igualar
la resistencia equivalente del conjunto tiristor-resistencia para
distribuir las tensiones soportadas.

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 ASOCIACION DE TIRISTORES EN PARALELO
Para manejar corrientes elevadas es necesario disponer los tiristores
en paralelo.
La distribucin de corriente puede resolverse mediante la seleccin
de tiristores con caractersticas de conduccin muy parecidas.
Si no tenemos tiristores de caractersticas similares, se recurre a
mejorar su distribucin utilizando resistencias en serie con los
tiristores.

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 PROTECCION DE T. CONTRA SOBRETENSIONES

En una instalacin, las sobretensiones pueden deberse a:

- Conexiones y desconexiones de la red
- Fenmenos atmosfricos
- Conexin del transformador del rectificador
- Circuitos con carga inductiva
- Conmutaciones de otros tiristores

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 PROTECCION DE T. CONTRA SOBRETENSIONES
Los aumentos excesivamente rpidos de la tensin respecto al
tiempo (dv/dt), pueden reducirse mediante la colocacin de una red
R-C de valor apropiado, en paralelo con el elemento a proteger.

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 PROTECCION DE T. CONTRA SOBRECORRIENTES
Se considera sobrecorriente a aquella cuyo valor supera en un 20%
aproximadamente el valor de la corriente nominal.
Estas se suelen proteger mediante rels trmicos o
magnetotrmicos. Estas corrientes no daan a los tiristores a corto
plazo, sino que van calentando los elementos semiconductores a
base de horas de trabajo, hasta llegar a destruirlos.

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 PROTECCION DE T. CONTRA SOBRECORRIENTES

Tambin existen protecciones electrnicas. Estos circuitos

desenganchan el rectificador o modifican el ngulo de disparo de los
tiristores para que baje la tensin y por lo tanto la corriente de
salida.

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 PROTECCION CONTRA INTENSIDAD DE CORTOCIRCUITO

Esta se realiza con dos elementos: Fusible e interruptor extrarrpido

Los fusibles extrarrapidos se funden en un tiempo record y no se

establece arco entre sus terminales, pues estn sumergidos en arena.
Estos fusibles protegern a los tiristores contra posibles cortocircuitos
a los que alimentan.

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 PROTECCION CONTRA SOBRECORRIENTES DE COMMUTACION

Para circuitos con fuerte carga inductiva, durante el tiempo de

conmutacin, se produce la conduccin simultnea de dos o ms
tiristores pertenecientes a fases distintas, lo que da lugar a un
cortocircuito entre estas fases. Se producen picos de corriente que
pueden ser elevados. Para reducir estos picos a valores soportables
por los tiristores, se utilizan transformadores con reactancias
superiores a la normal. Un transformador normal tiene un 5% de
caida de tensin inductiva, mientras que uno para rectificadores
tiene un 10%.
Si esto no es posible, se colocan inductancias en serie con los
tiristores.

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 EL TRIAC
El triac, tiristor bidireccional, es un dispositivo semiconductor con
capacidad para poder trabajar en corriente alterna. Tiene tres
electrodos y est constituido por una sucesin de capas
semiconductoras de tipos P (huecos o portadores mayoritarios) y N
(electrones o portadores minoritarios. El funcionamiento y
aplicacin del triac es similar a la disposicin en antiparalelo de dos
tiristores.

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CURVA CARACTERISTICA DEL TRIAC

El triac puede conducir en

ambos sentidos. El disparo
puede ser positivo o negativo,
de ah que tanto la tensin de
puerta como la de utilizacin
puedan ser alternas,
confiriendole caractersticas al
triac bidireccionales.

enciclopediapotencia.net78.net
36
PROCEDICMIENTOS DE DISPARO DEL TRIAC

37
PROCEDICMIENTOS DE DISPARO DEL TRIAC

38
REGULADOR DE TEMPERATURA CON TRIAC

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 EL DIAC

El diac es un componente semiconductor que permite el paso de

una corriente alterna, cuando la tensin aplicada en sus extremos
sobrepasa un determinado valor.

Smbolo del Diac

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 CURVA CARACTERISTICA DEL DIAC
Como diodo de c.a, conduce en
un sentido para una
alternancia y en sentido
inverso para la opuesta.
Mientras la tensin aplicada en
los terminales del diac sea
inferior a un valor de VR,
circular una corriente muy baja y permanecer en estado de
bloqueo. Cuando la tensin aplicada supere el valor de ruptura VR,
el diac se ceba repentinamente y la resistencia que ofrece
interiormente disminuye de forma brusca, pasando por una zona
de resistencia negativa hasta un valor de baja resistencia positiva,
determinado por la tensin de trabajo VT.

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CURVA CARACTERISTICA DEL DIAC

Los valores aproximados de las

tensiones de ruptura VR y de
trabajo VT del diac son 32 y 26
voltios respectivamente.
En cuanto a las aplicaciones, el
diac es util para el disparo de
triac o de tiristores.

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 ACTVIDAD NO PRESENCIAL

1) Busca diversas aplicaciones de los tiristores

43
 ACTVIDAD NO PRESENCIAL

2) Consulta la bibliografa propuesta e internet sobre lo comentado

en esta unidad temtica al objeto de ampliar la informacin
suministrada.

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HOJAS DE DATOS

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HOJAS DE DATOS

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HOJAS DE DATOS

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