TEORA DE LA CRISTALIZACIN

La cristalizacin se puede analizar desde los puntos de vista de pureza, rendimiento, consumo
de energa, o velocidades de formacin y crecimiento.

Sobresaturacin

La cristalizacin a partir de una solucin es un ejemplo de la creacin de una nueva fase dentro
de una mezcla homognea. El proceso tuene lugar en dos etapas. La primera de ellas consiste
en la formacin del cristal y recibe el nombre de nucleacin. La segunda corresponde al
crecimiento del cristal. El potencial impulsor de ambas etapas es la sobresaturacin, de forma
que ni la nucleacin un el crecimiento tendrn lugar en un solucin saturada o insaturada.

Para generar la sobresaturacin se pueden utilizar tres mtodos distintos. Si la solubilidad del
soluto aumenta fuertemente con la temperatura, como ocurre frecuentemente con muchas sales
inorgnicas y sustancias orgnicas, una solucin saturada se transforma en sobresaturada y
simplemente disminuyendo la temperatura por enfriamiento. Si la solubilidad es relativamente
independiente de la temperatura como en el caso de sal comn, la sobresaturacin se puede dar
evaporando una parte del disolvente. Si tanto el enfriamiento como la evaporacin no resultan
adecuados, como en el caso de solubilidad elevada, la sobresaturacin se puede generara
aadiendo un tercer componente. El tercer componente puede actuar fsicamente dando lugar a
una mezcla con el disolvente original en la que la solubilidad del soluto disminuye bruscamente.
Tambin, si se desea una precipitacin prcticamente completa, se puede crear qumicamente
un nuevo soluto aadiendo un tercer componente que reaccione con el soluto original para
formar una sustancia insoluble. Este proceso recibe el nombre de precipitacin, los mtodos
utilizados en anlisis cuantitativo constituyen ejemplos tpicos de precipitacin. Mediante la
adicin de un tercer componente es posible crear rpidamente sobresaturaciones muy grandes.

Pureza del producto

Un cristal en si es muy puro. Sin embargo, cuando se separa del magma final la cosecha de
cristales, sobre todo si se trata de agregados cristalinos, la masa de slidos retiene una cantidad
considerable de aguas madres. Por consiguiente, si el producto se seca directamente, se
produce una contaminacin que depende de la cantidad y del grado de impureza de las aguas
madres retenidas por los cristales.

Equilibrio y rendimientos

En muchos procesos industriales de cristalizacin los cristales y las aguas madres permanecen
en contacto durante el tiempo suficiente para alcanzar el equilibrio, de forma que las aguas
madres estn saturadas a la temperatura final del proceso. El rendimiento de la cristalizacin se
 puede calcular a partir de la concentracin de la solucin original y la solubilidad a la
temperatura final. Si se produce una evaporacin apreciable durante el proceso es preciso
tenerla en cuenta. Cuando la velocidad de crecimiento de los cristales es pequea, se necesita
un tiempo relativamente grande para alcanzar el equilibrio, sobre todo cuando la solucin es
viscosa o cuando los cristales se depositan en el fondo del cristalizador, de forma que la
superficie de cristales expuesta a la solucin sobresaturada es pequea. En estos casos, las
aguas madres finales pueden contener una considerable sobresaturacin y el rendimiento real
ser menor que el calculado a partir de la curva de solubilidad.

Cuando los cristales son anhidros, el clculo del rendimiento resulta sencillo, puesto que la fase
slida no contiene disolvente. Si los cristales contienen agua de cristalizacin es necesario
tenerla en cuenta, ya que esta agua no esta disponible para el soluto que permanece en la
solucin. Los datos de solubilidad s expresan generalmente en partes de masa de material
anhidro por ciento partes de masa de disolvente total, o bien en tanto por ciento en masa de
soluto anhidro. En estos datos no se tiene en cuanta el agua de cristalizacin. La clave para el
clculo de rendimientos de solutos hidratados consiste en expresar todas las masas y
concentraciones en funcin de sal hidratada y agua libre.

Como esta ltima permanece en la fase liquida durante la cristalizacin, las concentraciones y
cantidades basadas en el agua libre se pueden restar para obtener un resultado correcto.

Solubilidad de equilibrio en la cristalizacin

El equilibrio en la cristalizacin de cualquier sistema puede ser definido en trminos de su curva

de solubilidad o saturacin y sobresaturacin. La curva de sobresaturacin difiere de la de
solubilidad en que su posicin no es solamente una propiedad de el sistema sino tambin
depende de otros factores como el rango de enfriamiento, el grado de agitacin y la presencia
de partculas extraas.

Sin embargo bajo ciertas condiciones, la curva de sobresaturacin para un sistema dado es
definible, reproducible, y representa la mxima sobresaturacin que el sistema puede tolerar,
punto en el cual la nucleacin ocurre espontneamente. La curva de solubilidad describe el
equilibrio entre el soluto y el solvente y representa las condiciones bajo las cuales el soluto
cristaliza y el licor madre coexiste en equilibrio termodinmico. Las curvas de saturacin y
sobresaturacin dividen el campo de concentracin-temperatura en tres zonas:

La regin insaturada, a la derecha de la curva de saturacin

La regin metaestable, entre las dos curvas.

La regin sobresaturada o lbil, a la izquierda de la curva de sobresaturacin.

Un tpico diagrama de equilibrio en cristalizacin se muestra en la figura debajo:

De acuerdo a la teora original de Miers, en la regin insaturada, los cristales del soluto se
disolvern, el crecimiento de los cristales ocurrir en la zona metaestable, y la nucleacin
ocurrir instantneamente en la zona lbil. Investigaciones subsecuentes encontraron como
otros factores afectan a la nucleacin adems de la sobresaturacin.

Crecimiento y propiedades de los cristales

Nucleacin

El fenmeno de la nucleacin es esencialmente el mismo para la cristalizacin a partir de una

solucin, cristalizacin a partir de un producto fundido, condensacin de gotas de niebla en una
vapor sobre-enfriado, y generacin de burbujas en un liquido sobrecalentado, en todos los
casos, la nucleacin s produce como consecuencia de rpidas fluctuaciones locales a escala
molecular en una fase homognea que esta en estado de equilibrio metaestable.

Los ncleos cristalinos se pueden formar a partir de molculas, tomos, o iones. En soluciones
acuosas pueden ser hidratados. Debido a sus rpidos movimientos, estas partculas reciben el
nombre de unidades cinticas. Para un volumen pequeo del orden de 100 oA, la teora cintica
establece que las unidades cinticas individuales varan grandemente en localizacin, tiempo,
velocidad, energa, y concentracin. Los valores, aparentemente estacionarios, de las
propiedades intensivas, densidad, concentracin y energa, correspondientes a una masa
macroscpica de solucin, son en realidad valores promediados en el tiempo de fluctuaciones
demasiado rpidas y pequeas para poder ser medidas a escala macroscpica.

Debido a las fluctuaciones, una unidad cintica individual penetra con frecuencia en el campo de
fuerza de otra u las dos partculas se unen momentneamente, lo normal es que se separen
inmediatamente, pero, si se mantienen unidas, se le pueden unir sucesivamente otras
partculas. Las combinaciones de este tipo reciben el nombre de agregados. La unidad de
partculas, de una en una, a un agregado constituye una reaccin en cadena que se puede
considerar como una seria de reacciones qumicas reversibles de acuerdo con el siguiente
esquema:

donde A1 es la unidad cintica elemental, y el subndice representa el nmero de unidades que

forman el agregado.

Cuando m es pequeo, un agregado no se comporta como una partcula que forma una nueva
fase con una identidad y limite definidos. Al aumentar m, el agregado se puede ya reconocer y
recibe el nombre de embrin. La inmensa mayora de los embriones tienen una vida muy corta,
rompindose para volver formar agregados o unidades individuales. Sin embargo, dependiendo
de la sobresaturacin, algunos embriones crecen hasta un tamao suficiente para alcanzar el
equilibrio termodinmico con la solucin. En este caso el embrin recibe el nombre de ncleo. El
valor de m para un ncleo esta comprendido en el intervalo de unas pocas unidades a varios
centenares. El valor de m para los ncleos de agua lquida es del orden de 80.

Los ncleos se encuentran en equilibrio inestable: si pierden unidades se disuelven y si las

ganan se transforman en un cristal, la secuencia de etapas en la formacin de un cristal es por
consiguiente

Agregado => embrin => ncleo => cristal

Velocidad de cristalizacin

La velocidad de crecimiento de un cristal es conocida como velocidad de cristalizacin. La

cristalizacin puede ocurrir solamente desde soluciones sobresaturadas. El crecimiento ocurre
primero con la formacin del ncleo, y luego con su crecimiento gradual. En concentraciones
arriba de la sobresaturacin, la nucleacin es concebida como espontnea, y rpida. En la
regin metaestable, la nucleacin es causada por un golpe mecnico, o por friccin y una
nucleacin secundaria puede resultar de el rompimiento de cristales ya formados. Ha sido
observado que la velocidad de cristalizacin se ajusta a la siguiente ecuacin:

Los valores del exponente m se encuentran en el rango de 2 a 9, pero no ha sido correlacionada

como un valor cuantitativo que se pueda estimar. Esta velocidad es media contando el nmero
de cristales formados en periodos determinados de tiempo.

Esta velocidad depende de su superficie instantnea y de la velocidad lineal de la solucin, que

pasa a la solucin as como tambin de la sobresaturacin. Y estas son representadas mediante
la ecuacin:

los valores del exponente n se sitan en el orden de 1.5, pero de nuevo no existe una
correlacin en el diseo de los cristalizadores que pueda estimarlo.

El crecimiento del cristal es un proceso capa por capa y, ya que slo puede ocurrir en la cara del
cristal, es necesario transportar material a la cara, desde la solucin. Por consiguiente, debe
considerarse la resistencia de difusin al desplazamiento de las molculas (o iones) hacia la cara
creciente del cristal y la resistencia a la integracin de estas molculas a la cara. Caras
diferentes pueden tener velocidades de crecimiento distintas y estas se pueden tener
 velocidades de crecimiento distintas y stas se pueden alterar en forma selectiva mediante la
adicin o eliminacin de impurezas.

Si L es la dimensin caracterstica de un cristal de material y forma seleccionado, la velocidad

de crecimiento de una cara de cristal perpendicular a L es por definicin:

donde G es la velocidad de crecimiento en el tiempo interno t. Se acostumbra medir G en las

unidades prcticas de milmetros por hora.

Efecto de las impurezas

El ambiente qumico, e.g. la presencia de relativamente bajas concentraciones de sustancias

ajenas a las especies a cristalizar, ya sea impurezas, etc, juega un importante papel en la
optimizacin de los sistemas de cristalizacin. Su papel es muy importante por diversas
razones.

La primera, todos los materiales son impuros o contienen trazas de impurezas aadidas durante
su procesamiento. La variacin aleatoria de las impurezas es un efecto indeseable. Su efecto en
las especies a cristalizar debe ser bien conocido, si sobre el sistema de cristalizacin se desea
establecer un control satisfactorio.

La segunda, y la ms importante, es posible influenciar la salida y el control del sistema de

cristalizacin, o cambiar las propiedades de los cristales mediante la adicin de pequeas
cantidades de aditivos cuidadosamente elegidos. Esto, agregando ciertos tipos y cantidades de
aditivos es posible controlar el tamao de los cristales, la distribucin de tamao del cristal, el
hbito del cristal y su pureza.

El ambiente qumico puede ser utilizado apropiadamente para variar:

1. Alterando significativamente la cintica de cristalizacin y de aqu la distribucin de

tamao del cristal.

2. Tener mejor control del cristalizador.

3. Mejorar la calidad del producto y/o el rendimiento, mediante la produccin de un cierto

tipo de cristal.

4. Producir cristales muy puros de ciertos materiales en los cuales las impurezas sean
inaceptables.
Efecto de la temperatura sobre la solubilidad.

Recordemos que la solubilidad se define como la mxima cantidad de un soluto que se puede
disolver en una determinada cantidad de un disolvente a una temperatura especifica. La
temperatura afecta la solubilidad de la mayora de las sustancias.

E la mayora de los compuestos inicos, aunque no en todos, la solubilidad de la sustancia slida

aumenta con la temperatura. Sin embargo no hay una correlacin clara entre el signo del
Hdisolucin y la variacin de la solubilidad con la temperatura. Por ejemplo, el proceso de
disolucin del CaCl2 es exotrmico y el del NH4NO3 es endotrmico. Pero la solubilidad de ambos
compuestos aumenta con la temperatura. En general, el efecto de la temperatura sobre la
solubilidad debe determinarse de forma experimental.

Cristalizacin fraccionada

La dependencia de la solubilidad de un slido respecto de la temperatura vara de manera

considerable. Por ejemplo, la solubilidad de NaNO 3 aumenta muy rpido con la temperatura, en
tanto que la del NaBr casi no cambia. Esta gran variacin proporciona una forma para obtener
sustancias puras a partir de mezclas. La cristalizacin fraccionada es la separacin de una
mezcla de sustancias en sus componentes puros con base en sus diferentes solubilidades.

Supongamos que se tiene una muestra de 90 g de KNO 3 contaminada con 10 g de NaCl. Para
purificar al primero, se disuelve la mezcla en 100 mL de agua a 60C y entonces la disolucin se
enfra de manera gradual hasta 0C. A esta temperatura las solubilidades de KNO 3 y del NaCl
son 12.1 g/100 g de H2O y 34.2 g/100 g de H2O respectivamente. As, se separa de la disolucin
(90-12) g o 78 g de KNO3, pero todo el NaCl permanecer disuelto. De esta forma, se puede
obtener alrededor del 90% de la cantidad original de KNO3 en forma pura. Los cristales de
KNO3 se pueden separar de la disolucin por filtracin.

Muchos de los compuestos slidos, inorgnicos y orgnicos, que se utilizan en el laboratorio se

purifican mediante la cristalizacin fraccionada. El mtodo funciona mejor si el compuesto que
se va a purificar tiene una curva con una fuerte pendiente, es decir, si es mucho ms soluble a
altas temperaturas que a bajas temperaturas. De otra manera, una gran parte del compuesto
permanecer disuelto a medida que se enfra la disolucin. La cristalizacin fraccionada tambin
funciona si la cantidad de impurezas en la disolucin es relativamente pequea.

Cristalizadores
El hecho de que se le de a un recipiente el nombre de cristalizador depende primordialmente de
los criterios utilizados para determinar su tamao. En un cristalizador, la clasificacin por
tamaos se realiza normalmente sobre la base del volumen necesario para la cristalizacin o de
las caractersticas especiales que se requieren para obtener tamaos apropiados de productos.
Sin embargo, en su aspecto exterior, los recipientes pueden ser idnticos.
 Los cristalizadores comerciales pueden operara de forma continua o por cargas, excepto para
algunas aplicaciones especiales, es preferible la operacin continua. La primera condicin que
debe de cumplir un cristalizador es crear una solucin sobresaturada, ya que la cristalizacin no
se puede producir sin sobresaturacin. El medio utilizado para producir la sobresaturacin
depende esencialmente de la curva de solubilidad del soluto. Algunos solutos como la sal
comn, tiene solubilidades que son prcticamente independientes de la temperatura, mientras
que otros, como el sulfato sdico anhidro y el carbonato sodico monohidratado, poseen curvas
de solubilidad invertida y se hacen mas solubles a medida que la temperatura disminuye. Para
cristalizar estos materiales se precisa crear la sobresaturacin mediante evaporacin. En los
casos intermedios resulta til la combinacin de evaporacin y de enfriamiento.

Una forma de clasificar los aparatos de cristalizacin se basa en el mtodo utilizado para crear la
sobresaturacin:

1. Sobresaturacin producida por enfriamiento sin evaporacin apreciable, por ejemplo,

cristalizadores de tanque.

2. Sobresaturacin producida por evaporacin, con enfriamiento apreciable, por ejemplo,

evaporadores de cristalizacin, cristalizadores-evaporadores.

3. Evaporacin combinada con enfriamiento adiabtico: cristalizadores al vaco.

Cristalizadores de suspensin mezclada y de retiro de productos

combinados

Este tipo de equipo, llamado a veces cristalizador de magma circulante, es el ms importante de

los que se utilizan en la actualidad. En la mayor parte de los equipos comerciales de este tipo, la
uniformidad de la suspensin de los slidos del producto en el cuerpo del cristalizador es
suficiente para que se pueda aplicar la teora. Aun cuando se incluyen ciertas caractersticas y
variedades diferentes en esta clasificacin, el equipo que funciona a la capacidad mas elevada
es del tipo en que se produce por lo comn la vaporizacin de un disolvente, casi siempre agua.

Cristalizador de enfriamiento superficial

Para algunos materiales, como el clorato de potasio, es posible utilizar un intercambiador de

tubo y coraza de circulacin forzada, en combinacin directa con un cuerpo de cristalizador de
tubo de extraccin.

Es preciso prestar una atencin cuidadosa a la diferencia de temperatura entre el medio

enfriador y la lechada que circula por los tubos del intercambiador.
 Cristalizador de enfriamiento superficial

Adems la trayectoria y la velocidad de flujo de la lechada dentro del cuerpo del cristalizador
deben ser de tal ndole que el volumen contenido en el cuerpo sea activo. Esto quiere decir que
puede haber cristales suspendidos dentro del cuerpo debido a la turbulencia y que son eficaces
para aliviar la sobresaturacin creada por la reduccin de temperatura de la lechada, al pasar
por el intercambiador. Evidentemente la bomba de circulacin es parte del sistema de
cristalizacin y es preciso prestar atencin cuidadosa a este tipo y sus parmetros operacionales
para evitar influencias indebidas de la nucleacin. Este tipo de equipo produce cristales en la
gama de malla de 30 a 100. El diseo se basa en las velocidades admisibles de intercambio de
calor y la retencin que se requiere para el crecimiento de los cristales de producto.

Cristalizador de evaporacin de circulacin forzada

La lechada que sale del cuerpo se bombea a travs de una tubera de circulacin y por un
intercambiador de calor de coraza, donde su temperatura se eleva de 2 a 6 C. puesto que este
calentamiento se realiza sin vaporizacin, los materiales de solubilidad normal no debern
producir sedimentacin en los tubos. El licor calentado, que regresa al cuerpo mediante una
lnea de recirculacin, se mezcla con la lechada y eleva su temperatura localmente, cerca del
punto de entrada, lo que provoca la ebullicin en la superficie del lquido. Durante el
enfriamiento subsiguiente y la vaporizacin para alcanzar el equilibrio entre el lquido y el vapor,
la sobresaturacin que se crea provoca sedimentaciones en el cuerpo de remolino de los
cristales suspendidos, hasta que vuelven a alejarse por la tubera de circulacin. La cantidad y
la velocidad de la recirculacin, el tamao del cuerpo y el tipo y la velocidad de la bomba de
circulacin son conceptos crticos de diseo, para poder obtener resultados predecibles. Si el
cristalizador no es del tipo de evaporacin y depende slo del enfriamiento adiabtico de
evaporacin para lograr un buen rendimiento, se omitir el elemento calentador. La alimentacin
se admite a la lnea de circulacin, despus de retirar la lechada, en un punto situado
suficientemente por debajo de la superficie libre del lquido, para evitar la vaporizacin
instantnea durante el proceso de mezclado.

Cristalizador de evaporacin de circulacin forzada

Cristalizador evaporador de desviador y tubo de extraccin (DTB).

Puesto que la circulacin mecnica influye considerablemente en el nivel de nucleacin dentro

del cristalizador, se han desarrollado muchos diseos que utilizan circuladotes situados dentro
del cuerpo del cristalizador, reduciendo en esta forma la carga de bombeo que s ejerce sobre el
circulador. Esta tcnica reduce el consumo de potencia y la velocidad de punta del circulador y,
por ende, la rapidez de nucleacin.

La suspensin de los cristales de productos se mantiene mediante una hlice grande y de

movimiento lento, rodeada por un tubo de extraccin dentro del cuerpo. La hlice dirige la
lechada hacia la superficie del lquido, para evitar que lo slidos pongan en cortocircuito la zona
de sobresaturacin mas intensa.

La lechada enfriada regresa al fondo del recipiente y vuelve a recircular a travs de la hlice.
 Cristalizador evaporador de desviador y tubo de extraccin

En esta ltima, la solucin calentada se mezcla con la lechada de recirculacin. Este diseo
consta de una caracterstica de destruccin de partculas finas que comprende la zona de
asentamiento que rodea al cuerpo del cristalizador, la bomba de circulacin y el elemento
calentador. Este ltimo proporciona suficiente calor para satisfacer los requisitos de evaporacin
y elevan la temperatura de la solucin retirada del asentador, con el fin de destruir todas las
partculas cristalinas pequeas que se retiran. Los cristales gruesos se separan de las partculas
finas en la zona de asentamiento por sedimentacin gravitacional.
Cristalizador de refrigeracin de contacto directo.

Para algunas aplicaciones, como la obtencin de hielo a partir de agua de mar, es necesario a
llegar a temperaturas tan bajas que hagan que el enfriamiento mediante el empleo de
refrigerantes sea la nica solucin econmica. En estos sistemas, a veces no resulta prctico
emplear equipos de enfriamiento superficial, porque la diferencia admisible de temperaturas es
tan baja (menos de 3C), que la superficie de intercambio de calor se hace excesiva o porque la
viscosidad es tan elevada que le energa mecnica aplicada por el sistema de circulacin mayor
que el que se puede obtener con diferencias razonables de temperatura. En estos sistemas, es
conveniente mezclar el refrigerante con la lechada que se enfra en el cristalizador, de modo que
el calor de vaporizacin del refrigerante del refrigerante sea relativamente inmiscible con el licor
madre y capaz de sufrir separacin, compresin, condensacin y un reciclaje subsiguiente en el
sistema de cristalizacin. Las presiones operacionales y las temperaturas escogidas tienen una
influencia importante sobre el consumo de potencia. Esta tcnica resulto muy adecuada para
reducir los problemas que se asocian con la acumulacin de slidos sobre una superficie de
enfriamiento. El empleo de la refrigeracin de contacto directo reduce tambin las necesidades
generales de energa del proceso, puesto que es un proceso de refrigeracin que incluye dos
fluidos se requiere una diferencia mayor de temperaturas, sobre una base general, cuando el
refrigerante debe enfriar primeramente alguna solucin intermedia, como la salmuera de cloruro
de calcio, y esa solucin, a su vez, enfra al licor madre en el cristalizador. Los equipos de este
tipo han funcionado adecuadamente a temperaturas tan bajas como -59C (-75F).

Cristalizador de tubo de extraccin (DT).

Este cristalizador se puede emplear en sistemas en que no se desea ni se necesita la

destruccin de las partculas finas. En esos casos se omite el desviador y se determina el
tamao del circulador interno para que tenga una influencia mnima de nucleacin sobre la
suspensin.

En los cristalizadores DT y DBT, la velocidad de circulacin que se alcanza suele ser mucho
mayor que la que se obtiene en un cristalizador similar de circulacin forzada. Por tanto, el
equipo se aplica cuando sea necesario hacer circular grandes cantidades de lechada, para
minimizar los niveles de sobresaturacin dentro del equipo.
 Cristalizador de tubo de extraccin

En general, mtodo se requiere para tener ciclos operacionales prolongados con materiales
capaces de crecer en las paredes del cristalizador. Los diseos de tubo de extraccin y desviador
se utilizan comnmente para la produccin de materiales granulares, de malla 8 a la 30, como
el sulfato de amonio, cloruro de potasio y otros cristales inorgnicos y orgnicos.

Defectos Estructurales de los Cristales

No existen, obviamente, cristales absolutamente perfectos. La periodicidad de la red se ve rota,
aparte de por la finitud del cristal, por la presencia de defectos que se generan en el crecimiento
del cristal y/o los procesos tecnolgicos que sufre el material
hasta convertirse en un circuito integrado.

Por otro lado no es factible la realizacin del cristal de pureza 100%, ni es interesante para la
Electrnica, como veremos. Brevemente, los defectos estructurales pueden clasificarse en:
Defectos puntuales

Corresponden a desviaciones de la situacin ideal que afectan a las bases cristalinas y/o los
puntos reticulares.

Como defectos puntuales de naturaleza meramente estructural o cristalogrfica estn las

lagunas o vacantes (tambin llamados defectos Schottky) y los defectos intersticiales, que se
producen por la ausencia de un tomo de su punto reticular o por la presencia de un tomo en
un lugar del cristal que no es un punto reticular, respectivamente.

La asociacin de una laguna y un intersticial se conoce con el nombre de defecto de

Frenkel (Fig. 1.8).

Las lagunas y los intersticiales son una consecuencia de la energa (de vibracin) de la red, que
aumenta con la temp eratura. La concentracin de lagunas o intersticiales puede expresarse, en
una forma simple, a travs de una ley del tipo de Arrhenius, en la forma

donde Ea es la energa de activacin de la formacin de la laguna o el intersticial. El factor pre-

exponencial para los semiconductores simples puede ser considerado como la densidad atmica
del material. En la Tabla 1.2 se dan algunos valores de estos parmetros. Es muy fcil calcular
el insignificante nmero de este tipo de defectos a la temp eratura ambiente.

Figura 1.8.- Defectos puntuales

TABLA 1.2.- Parmetros de defectos puntuales

Factor pre-exponencial, Energa de activacin Ea

Tipo de defecto
N0 (cm-3) (eV)
Laguna en Silicio 5.02 10 22 2.6
Intersticial en Silicio 5.02 10 22 4.5
Laguna de galio en AsGa 3.3 10 18 0.4
Laguna de arsnico en AsGa 2.2 10 20 0.7

A estos defectos hay que aadir, y para los semiconductores binarios, ternarios , los llamados
defectos de antisitio o antiestructurales que corresponden a situaciones en las que un sitio de
un tomo est ocupado por otro de naturaleza distinta (por ejemplo, en lugar de un tomo de
Galio, hay uno de Arsnico).

Finalmente y de naturaleza puntual es tambin el defecto creado por la presencia de impurezas

que pueden ocupar un lugar sustitucional o intersticial. Y tambin formar complejos o
asociaciones con otros defectos puntuales. Las impurezas, dada su naturaleza diferente de la del
cristal, se conocen tambin como defectos extrnsecos, por contraposicin a los otros o
intrnsecos.

1.4.2.- Defectos bidimensionales

Son defectos asociados a la estructura y organizacin de los planos reticulares. Principalmente

estn constituidos por las dislocaciones, los defectos de apilamiento (stacking faults), los planos
de simetra (twins) y los defectos de deslizamiento.

Las dislocaciones son defectos asociados a la presencia de planos reticulares anmalos en el

cristal, tanto por su ubicacin como por su orientacin. En la Fig.1.9 se representan las
dislocaciones de tornillo, de borde y de acoplo. En el primer caso se ha producido un
desplazamiento progresivo de parte del cristal. En el segundo un nuevo plano cristalino se ha
insertado a partir de una determinada posicin. Las dislocaciones de acoplo se producen en
heteroestructuras cuando se realiza la unin de dos materiales diferentes en los que,
obviamente, los parmetros reticulares no coinciden.

Su principal fuente de formacin es la tensin termomecnica del cristal durante el crecimiento.

Pero tambin pueden producirse por acumulacin de defectos puntuales. Cuando la temperatura
es elevada, la energa del cristal puede desplazar los tomos del mismo en el entrono de la
dislocacin. Esto genera el movimiento de las mismas y/o la modificacin de su tamao y
estructura.
Hoy es posible encontrar cristales "libres" de dislocaciones (<500 dislocaciones/ cm2), tanto en
cristales crecidos por el mtodo Czochralski (Cz) como por el mtodo de fusin de zonas (FZ),
que veremos ms adelante ( 11.3).

Tambin existen, asociados a planos reticulares, defectos de apilamiento (stacking faults). En la

Fig. 1.10a se muestra un corte (1,1,0) de capas apiladas en la direccin <1,1,1> . Hay seis
(tres dobles) capas atmicas de diferente configuracin; luego, el cristal se repite. En una
regin localizada del cristal existe un error de apilamiento cuando desaparece un plano atmico
de una doble cara junto con el adyacente de otra (por ejemplo los planos marcados con Aa, Bb
o Cc), como se ve en la Figura 1.10b: Se genera una doble capa que es diferente de las otras
del cristal. Ntese que una dislocacin correspondera a la inclusin de una capa doble del tipo
Ab.

Figura 1.9.- Dislocaciones de tornillo (a), de borde (b) y de acoplo (c)

Figura 1.10.- Defectos de apilamiento intrnseco (Intrinsic stacking faults)

Este defecto de apilamiento se conoce como intrnseco (ISF). A veces, aparece un planoextra
en un proceso inverso al anterior. Entonces el defecto y el plano se conocen como extrnsecos
(ESF).

Los "twins" o planos de simetra (tambin, planos de composicin) se generan por el cambio de
orientacin del cristal a partir de ellos. En la Fig. 1.11 se muestra esquemticamente esta
situacin, que puede producirse por un simple desplazamiento de los tomos del cristal, en la
que puede verse que parte del cristal resulta simtrico con relacin al anterior.

Finalmente y por la semejanza en lo que estamos exponiendo debemos mencionar los defectos
de deslizamiento, que se representan en la Fig. 1.12. En el caso ideal, una parte del cristal
desliza sobre otra a lo largo del plano de deslizamiento y no aparecen otros defectos. Pero con
bastante frecuencia no toda una parte desliza, sino solo una fraccin de ella, lo que produce
tensiones y finalmente dislocaciones y otros defectos.

Figura 1.11.- Panos de simetra (twins)

Figura 1.12.- Deslizamientos

A veces aparecen microdefectos que pueden considerarse como lazos de dislocaciones de

tamao muy pequeo (entre 500 y 3mm). Aparecen generalmente en la superficie de la oblea.
Su naturaleza no est muy clara, pero pudieran estar asociados a precipitados de asociaciones
heterogneas de tomos intersticiales de semiconductor y carbono u oxgeno. O tambin de
otras impurezas.

1.4.3.- Defectos superficiales

Cuando los defectos se extienden a una superficie importante del cris tal, se llaman defectos
superficiales. Principalmente son las fronteras de grano y las superficies laterales. Las primeras
separan dos zonas del cris tal que no guardan relacin en su orientacin cristalogrfica y que
reciben el nombre de granos y son inclusiones de microcristales en el monocristal.
Las segundas son las superficies que limitan el cristal finito y que presentan, en el mejor de los
casos, enlaces atmicos rotos y una ruptura de la periodicidad del cristal. En los captulos que
siguen tendremos ocasin de ver la importancia de los elementos de simetra de los cristales y,
en particular, la de la periodicidad. Todos los defectos, de una forma o de otra, rompen esta
periodicidad. Y, muy principalmente, las superficies laterales (un cristal perfectamente peridico
debera ser infinito).

Los defectos cambian, en mayor o menor medida, las propiedades del cristal y su importancia
en los aspectos electrnicos de los semiconductores es diferente. Los defectos asociados a las
impurezas son necesarios e imprescindibles cuando pueden ser controlados, porque son
defectos que generalmente demuestran una actividad elctrica, capturando o emitiendo
electrones. Es decir son capaces de aparecer como centros cargados en el cristal. Este
comportamiento tambin est asociado a algunos defectos puntuales extrnsecos como las
lagunas. En cambio otros defectos no exhiben actividad elctrica. Pero todos, de una manera u
otra interfieren en el proceso de la conduccin elctrica y en algunos casos en la tecnologa de
fabricacin de dispositivos y circuitos, variando la cintica del proceso y disminuyendo su
rendimiento. De ah el inters de controlar la calidad del material.